TWI567802B - 觸控面板、觸控面板的製造方法以及導電膜 - Google Patents

Description

觸控面板、觸控面板的製造方法以及導電膜

本發明是有關於包括如下的導電膜的觸控面板(touch panel)、使用有可見光透射率或視認性等的光學特性良好的導電膜的觸控面板的製造方法以及導電膜，上述導電膜可抑制波紋(moire)的產生。

近來，觸控面板已受到關注。

對於此種觸控面板，已開發了如下的例子，即，為了使排列為矩陣狀的電極不顯眼，利用氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)來構成電極(例如參照日本專利特開2010-86684號公報)。

觸控面板主要應用於個人數位助理(Personal Digital Assistant，PDA)(行動資訊終端)或行動電話等的小尺寸裝置，但一般認為由於應用於個人電腦(personal computer)用顯示器(display)等，上述觸控面板的尺寸會變大。

對於如上所述的將來的動向，先前的電極由於使用ITO(氧化銦錫)，因此，存在如下的問題，即，電阻大，且隨著應用尺寸變大，電極之間的電流的傳導速度會變慢，且響應速度(自與指尖發生接觸至檢測出該接觸位置為止的時間)會變慢。

因此，考慮排列多個由金屬製的細線(金屬細線)構成的格子來構成電極，藉此，使表面電阻下降。作為將金屬細線用作電極的觸控面板，例如美國專利第5113041號 說明書、國際專利公開第95/27334號小冊子、美國專利公開申請案第2004/0239650號說明書、以及美國專利第7202859號說明書已為人所知。

又，作為先前的觸控面板用的導電膜，已揭示有日本專利特開2010-108878號公報以及日本專利特開2010-108877號公報。於這些公報中記載了如下的例子，該例子是於支持體12上包括導電層14的導電膜10，上述導電層14是對銀鹽乳劑層16進行曝光顯影而形成且含有銀，將導電層14形成為間距(pitch)為600μm以上的網眼圖案(mesh pattern)。根據上述日本專利特開2010-108878號公報以及日本專利特開2010-108877號公報的導電膜，具有較佳地作為觸控面板用導電膜的導電性，波紋充分地減少，且觸控面板特性優異。

然而，當將金屬細線用作電極時，由於利用不透明的材料來製作金屬細線，因此，透明性或視認性成為問題。又，當使用於觸控面板時，需要使對觸控位置進行檢測的能力提高。

本發明是考慮如上所述的問題而成的發明，本發明的目的在於提供：對觸控位置進行檢測的能力已提高的觸控面板、包括如下的導電膜的觸控面板、如下的觸控面板的製造方法以及導電膜，上述導電膜即便安裝於顯示裝置的顯示面板上，亦可抑制波紋的產生，上述觸控面板的製造方法即便當利用金屬細線圖案來構成電極時，亦可確保高 透明性。

[1]本發明之第1觀點提出的觸控面板是包括對觸控位置進行檢測的導電膜的觸控面板，該觸控面板的特徵在於：上述導電膜包括導電部，該導電部具有由金屬製的細線形成的網眼圖案，於上述網眼圖案的交叉部，形成有使觸控位置的檢測能力提高的觸控位置檢測能力提高部，當將上述交叉部的面積設為Sa，將上述觸控位置檢測能力提高部的面積設為Sb時，Sa×0.01<Sb≦Sa×5.00。

[2]於本發明之第1觀點中，較佳為當將上述交叉部的面積設為Sa，將上述觸控位置檢測能力提高部的面積設為Sb時，Sa×0.50≦Sb≦Sa×5.00。

[3]於本發明之第1觀點中，較佳為當將上述交叉部的面積設為Sa，將上述觸控位置檢測能力提高部的面積設為Sb時，Sa×0.50≦Sb≦Sa×1.50。

[4]於本發明之第1觀點中，較佳為當將上述交叉部的面積設為Sa，將上述觸控位置檢測能力提高部的面積設為Sb時，Sa×0.90≦Sb≦Sa×1.10。

[5]本發明之第2觀點提出的觸控面板是包括設置於顯示面板上的導電膜的觸控面板，該觸控面板的特徵在於：上述導電膜包括導電部，該導電部具有由金屬製的細線形成的網眼圖案，於上述網眼圖案的交叉部，形成有波紋抑止部，當將上述交叉部的面積設為Sa，將上述波紋抑止部的面積設為Sb時，Sa×0.01<Sb≦Sa×5.00。

[6]於本發明之第2觀點中，較佳為當將上述交叉部 的面積設為Sa，將上述波紋抑止部的面積設為Sb時，Sa×0.50≦Sb≦Sa×5.00。

[7]於本發明之第2觀點中，較佳為當將上述交叉部的面積設為Sa，將上述波紋抑止部的面積設為Sb時，Sa×0.50≦Sb≦Sa×1.50。

[8]於本發明之第2觀點中，較佳為當將上述交叉部的面積設為Sa，將上述波紋抑止部的面積設為Sb時，Sa×0.90≦Sb≦Sa×1.10。

[9]本發明之第3觀點提出的觸控面板的製造方法是包含製作導電膜的導電膜製作步驟的觸控面板的製造方法，該觸控面板的製造方法的特徵在於：上述導電膜製作步驟包括如下的步驟：將導電材料的金屬箔隔著接著層而貼合於透明基體(12)的一個主面上，上述金屬箔的貼合面的粗糙面形狀轉印至上述接著層，上述金屬箔的朝上述接著層貼合的貼合面已粗糙化；藉由化學蝕刻製程來將已貼合的上述金屬箔的一部分予以除去，形成導電圖案，該導電圖案包含線寬為9μm以下且厚度為3μm以下的上述金屬箔；以及將透明包覆層包覆於上述導電圖案與露出有上述接著層的部分，上述透明包覆層與上述接著層的折射率之差為0.1以下。

[10]於本發明之第3觀點中，利用上述透明包覆層來進行包覆的步驟，亦可是利用上述透明包覆層，平滑地對轉印至上述接著層的金屬箔的貼合面的粗糙面形狀進行塗佈。

[11]於本發明之第3觀點中，上述金屬箔亦可為金箔。

[12]本發明之第4觀點提出的導電膜是設置於顯示裝置的顯示面板上的導電膜，該導電膜的特徵在於包括導電部，該導電部具有由金屬製的細線形成的網眼圖案，於上述網眼圖案的交叉部，形成有波紋抑止部，當將上述交叉部的面積設為Sa，將上述波紋抑止部的面積設為Sb時，Sa×0.01<Sb≦Sa×5.00。

[13]於本發明之第4觀點中，較佳為當將上述交叉部的面積設為Sa，將上述波紋抑止部的面積設為Sb時，Sa×0.50≦Sb≦Sa×5.00。

[14]於第4本發明中，較佳為當將上述交叉部的面積設為Sa，將上述波紋抑止部的面積設為Sb時，Sa×0.50≦Sb≦Sa×1.50。

[15]於本發明之第4觀點中，較佳為當將上述交叉部的面積設為Sa，將上述波紋抑止部的面積設為Sb時，Sa×0.90≦Sb≦Sa×1.10。

[16]於本發明之第4觀點中，構成上述網眼圖案的金屬製的第1細線與第2細線亦可交叉，藉此來構成上述交叉部，上述波紋抑止部包括：第1抑止部，形成於上述第1細線的一個側面與上述第2細線的一個側面之間；第2抑止部，形成於上述第1細線的一個側面與上述第2細線的另一個側面之間；第3抑止部，形成於上述第1細線的另一個側面與上述第2細線的一個側面之間；以及第4抑止部，形成於上述第1細線的另一個側面與上述第2細線 的另一個側面之間。

[17]於本發明之第4觀點中，當將上述第1抑止部、上述第2抑止部、上述第3抑止部、以及上述第4抑止部的各面積設為Sb1、Sb2、Sb3、以及Sb4時，Sb=Sb1+Sb2+Sb3+Sb4。

[18]於本發明之第4觀點中，上述細線的線寬較佳為1μm~15μm。

[19]於本發明之第4觀點中，上述細線的線寬較佳為1μm~9μm。

[20]於本發明之第4觀點中，上述細線的線間隔較佳為65μm~500μm。

[21]本發明之第5觀點提出的導電膜的特徵在於包括：透明基體；導電部，由金屬細線形成，該金屬細線隔著接著層而形成於上述透明基體的一個主面上；以及透明包覆層，形成為將上述導電部與露出有上述接著層的部分予以包覆，上述接著層與上述透明包覆層的折射率之差為0.1以下。

[22]於本發明之第5觀點中，上述金屬細線的線寬較佳為9μm以下。

[23]於本發明之第5觀點中，上述金屬細線的厚度較佳為3μm以下。

[24]於本發明之第5觀點中，上述導電部亦可包括2個以上的導電圖案，上述2個以上的導電圖案分別沿著第1方向延伸，且沿著與上述第1方向正交的第2方向排列， 且由上述金屬細線形成。

[25]於本發明之第5觀點中，上述導電圖案亦可具有排列有多個由上述金屬細線與開口部形成的網眼形狀的圖案。

[26]於本發明之第5觀點中，亦可沿著上述第1方向，分別經由由上述金屬細線形成的連接部來將2個以上的大格子予以連接，從而構成上述導電圖案，各上述大格子分別是將2個以上的小格子加以組合而構成。

根據本發明的觸控面板，由於包括導電膜，該導電膜具有觸控位置檢測能力提高部，因此，觸控位置檢測能力提高部可使電氣感知能力提高，故而可使觸控位置的檢測能力提高。

又，根據本發明的觸控面板，由於包括可抑制波紋的產生的導電膜，因此，顯示畫面不會因波紋而模糊不清，可實現顯示品質的提高、及操作性的提高。

又，根據本發明的導電膜，構成簡單，即便安裝於顯示裝置的顯示面板上，亦可抑制波紋的產生，因而，可使觸控面板的顯示品質良好，隨之亦可使操作性提高。

又，根據本發明的觸控面板的製造方法以及導電膜，即便當於觸控面板中，利用金屬細線圖案來構成電極時，由於利用特定的透明包覆層進行包覆，因此，可維持良好的視認性。通常，導電材料的貼合面的粗糙面形狀會轉印至接著層上的導電材料已被除去的部分，因此，粗糙面形狀會使光散射，從而損害透明性，但於本發明中，若平滑 地塗佈透明包覆層，該透明包覆層的折射率接近於接著層的折射率，則漫反射會被抑制至最小限度，從而表現出透明性。又，將透明基體設為聚對苯二甲酸乙二醇酯膜，藉此，可提供如下的導電膜，該導電膜的透明性、耐熱性良好，而且價廉，處理性優異且具有透明性。利用對於金屬箔的化學蝕刻製程來形成透明基體上的導電圖案，藉此，可提供加工性優異且具有透明性的導電膜。

根據與隨附圖式協作的如下的較佳實施形態的例子的說明，上述目的及其他目的、特徵以及優點會變得更明確。

以下，一面參照圖1~圖21，一面對本發明的導電膜、包括導電膜的觸控面板以及觸控面板的製造方法的實施形態的例子進行說明。再者，於本說明書中，表示數值範圍的「~」是作為如下的意思而被使用，該意思包含「~」前後所記載的數值作為下限值以及上限值。

首先，第1實施形態的導電膜10a也被用作觸控面板等的電極，如圖1以及圖2所示，該導電膜10a包括透明基體12(參照圖2)、與形成於透明基體12的一個主面的導電部14。該導電部14包括由金屬製的細線(以下記作金屬細線16)與開口部18形成的例如網眼圖案20。金屬細線16例如由金(Au)、銀(Ag)或銅(Cu)構成。

具體而言，導電部14包括如下的網眼圖案20，該網眼圖案20是由多條第1金屬細線16a與多條第2金屬細線16b分別交叉而形成，上述多條第1金屬細線16a沿著第1 方向(圖1中的x方向)延伸，且沿著第2方向(圖1中的y方向)排列，上述多條第2金屬細線16b沿著第2方向延伸，且沿著第1方向排列。如圖1所示，網眼圖案20的一個網眼形狀22的形狀，即，一個開口部18與將該一個開口部18予以包圍的4條金屬細線16的組合形狀可為正方形，亦可為菱形。此外亦可設為正六角形等的多角形狀。又，一條邊的形狀除了可為直線狀之外，可為彎曲形狀，亦可為圓弧狀。於設為圓弧狀的情形時，例如亦可將相對向的2條邊設為朝外方凸出的圓弧狀，將其他的相對向的2條邊設為朝內方凸出的圓弧狀。又，亦可將各邊的形狀設為由朝外方凸出的圓弧與朝內方凸出的圓弧相連而成的波線形狀。當然，亦可將各邊的形狀設為正弦曲線。

而且，如圖1以及圖3所示，於上述導電膜10a中，與構成導電部14的網眼圖案20的交叉部24相鄰接地形成有波紋抑止部26(觸控位置檢測能力提高部)，當將交叉部24的面積設為Sa，將波紋抑止部26的面積設為Sb時，滿足Sa×0.01<Sb≦Sa×5.00。

較佳為Sa×0.50≦Sb≦Sa×5.00，進而較佳為Sa×0.50≦Sb≦Sa×1.50，更佳為Sa×0.90≦Sb≦Sa×1.20，尤佳為Sa×0.90≦Sb≦Sa×1.10。

波紋抑止部26包括：第1抑止部26a，形成於第1金屬細線16a的一個側面與第2金屬細線16b的一個側面之間；第2抑止部26b，形成於第1金屬細線16a的一個側面與第2金屬細線16b的另一個側面之間；第3抑止部 26c，形成於第1金屬細線16a的另一個側面與第2金屬細線16b的一個側面之間；以及第4抑止部26d，形成於第1金屬細線16a的另一個側面與第2金屬細線16b的另一個側面之間。

而且，當將第1抑止部26a、第2抑止部26b、第3抑止部26c、以及第4抑止部26d的各面積設為Sb1、Sb2、Sb3、以及Sb4時，滿足Sb=Sb1+Sb2+Sb3+Sb4。

於上述情形時，第1金屬細線16a的線寬La以及第2金屬細線16b的線寬Lb為1μm~15μm，較佳為1μm~9μm。第1金屬細線16a以及第2金屬細線16b的線寬可均相同，亦可不同。又，第1金屬細線16a的線間隔以及第2金屬細線16b的線間隔為60μm~500μm。第1金屬細線16a以及第2金屬細線16b的線間隔可均相同，亦可不同。

如此，於第1實施形態中，與構成導電部14的網眼圖案20的交叉部24相鄰接地形成波紋抑止部26，而且將交叉部24的面積與波紋抑止部26的面積予以最佳化。結果，透過導電部14的光的積分量在交叉部24與交叉部24以外的部分大致相同，網眼圖案20仿佛已消失，藉此，波紋的產生受到抑制。而且，由於將金屬細線16的線寬設為1μm~15μm，將金屬細線16的線間隔設為65μm~500μm，因此，可同時具有高透光性與良好的視認性(網眼圖案20不易顯眼)。

再者，如圖1以及圖3所示，構成波紋抑止部26的第 1抑止部26a~第4抑止部26d的平面形狀亦可為三角形狀，但可為如圖4所示的矩形狀，可為如圖5所示的於三角形中形成圓弧狀的缺口而成的形狀，亦可為如圖6所示的取圓形的1/4而成的形狀。當然亦可設為非對稱的形狀。

接著，一面參照圖7A~圖11，一面對導電膜10a的製造方法進行說明。

第1製造方法是如圖7A所示，於透明基體12上形成銀鹽感光層30，而且如圖7B所示，對銀鹽感光層30進行曝光之後，進行顯影處理，將金屬銀部32與光透射性部34加以組合，藉此來形成導電部14(網眼圖案20等)。於該情形時，金屬銀部32較佳為包含對鹵化銀進行顯影而形成的顯影銀。然後，如圖7C所示，亦可將鍍敷層等的導電金屬36承載於金屬銀部32。

對於銀鹽感光層30的曝光過程中所使用的遮罩(mask)亦可具有如下的遮罩圖案，該遮罩圖案對應於在網眼圖案20的交叉部24形成波紋抑止部26而成的圖案。

或者，亦可藉由對於銀鹽感光層30的數位寫入曝光來將如下的圖案曝光至銀鹽感光層30，上述圖案是在網眼圖案20的交叉部24形成波紋抑止部26而成的圖案。

於上述情形時，當以圖8所示的曝光能量(energy)與影像濃度分布的特性來看時，於對第1金屬細線16a以及第2金屬細線16b進行數位寫入曝光的情形下，利用影像濃度飽和的區域的第1曝光能量E1來進行曝光，當對交叉部24進行數位寫入曝光時，利用影像濃度飽和的區域 的第2曝光能量E2來進行曝光。此時，第1曝光能量E1<第2曝光能量E2。

光會因曝光能量提高而朝交叉部24的鄰接部分洩漏，藉此，產生光的滲出區域，然後，於顯影處理中，光的滲出區域體現為與交叉部24相鄰接的波紋抑止部26。上述方法只要根據位置來選擇性地對曝光能量進行切換即可，因此，可容易地與交叉部24相鄰接地形成波紋抑止部26，且亦可實現製造成本(cost)的低廉化。

作為其他形成方法，亦可如圖9A所示，例如對透明基體12上所形成的銅箔40上的光阻膜(photoresist film)42進行曝光、顯影處理而形成光阻圖案44，接著如圖9B所示，對自光阻圖案44露出的銅箔40進行蝕刻，藉此來形成導電部14(網眼圖案20等)。於該情形時，對於光阻膜42的曝光過程中所使用的遮罩亦可包括如下的遮罩圖案，該遮罩圖案對應於在網眼圖案20的交叉部24形成波紋抑止部26而成的圖案。

或者，亦可藉由對光阻膜42進行數位寫入曝光來將如下的圖案曝光至光阻膜42，上述圖案是在網眼圖案20的交叉部24形成波紋抑止部26而成的圖案。

又，亦可如圖10A所示，將包含金屬微粒子的漿料(paste)50印刷至透明基體12上，藉此來形成導電部14的圖案52，接著如圖10B所示，將金屬鍍層54鍍敷至圖案52，藉此來形成導電部14(網眼圖案20等)。

或者，亦可如圖11所示，藉由網版(screen)印刷版、 凹版(gravure)印刷版或噴墨(ink jet)來於透明基體12印刷形成金屬薄膜60，從而構成導電部14(網眼圖案20等)。

接著，主要對如下的方法進行敍述，該方法將作為尤佳形態的鹵化銀照片感光材料使用於第1實施形態的導電膜10a。

根據感光材料與顯影處理的形態，導電膜10a的製造方法包含如下所述的3個形態。

(1)形態是對不包含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料進行化學顯影或熱顯影而使金屬銀部形成於該感光材料上。

(2)形態是對鹵化銀乳劑層中包含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料進行溶解物理顯影而使金屬銀部形成於該感光材料上。

(3)形態是將不包含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料、與具有包含物理顯影核的非感光性層的顯像片予以疊合來進行擴散轉印顯影，使金屬銀部形成於非感光性顯像片上。

上述(1)的形態為一體型黑白顯影類型，於感光材料上形成光透射性導電膜等的透光性導電性膜。所獲得的顯影銀為化學顯影銀或熱顯影銀，且為高比表面的長絲(filament)，因此，於後續的鍍敷或物理顯影過程中，該顯影銀的活性高。

對於上述(2)的形態而言，於曝光部中，物理顯影核 近緣的鹵化銀粒子溶解而沈積於顯影核上，藉此，於感光材料上形成光透射性導電性膜等的透光性導電性膜。此亦為一體型黑白顯影類型。顯影作用為物理顯影核上的析出作用，因此，活性高，但顯影銀為比表面小的球形。

對於上述(3)的形態而言，於未曝光部中，鹵化銀粒子溶解且擴散，接著沈積於顯像片上的顯影核上，藉此，於顯像片上形成光透射性導電性膜等的透光性導電性膜。上述(3)的形態為所謂的分離類型，且為自感光材料將顯像片予以剝離來使用的形態。

對於任一個形態而言，均可選擇負型顯影處理以及反轉顯影處理中的任一種顯影(於擴散轉印方式的情形時，將直接正型感光材料用作感光材料，藉此，可進行負型顯影處理)。

此處所謂的化學顯影、熱顯影、溶解物理顯影、以及擴散轉印顯影是指如本領域中所通常使用的用語所述的意思，且已於照片化學的一般教科書中有解說，例如已於菊地真一編著的「照片化學(写真化学)」(共立出版社，1955年發行)、C.E.K.Mees編寫的「攝影法理論第4版(The Theory of Photographic Processes,4th ed.)」(Mcmillan公司，1977年發行)中有解說。本案是與液體處理相關的發明，但其他的應用熱顯影方式作為顯影方式的技術亦可作為參考。例如，可應用日本專利特開2004-184693號、日本專利特開2004-334077號、日本專利特開2005-010752號的各公報、以及日本專利特願2004-244080號、日本專 利特願2004-085655號的各說明書所揭示的技術。

此處，以下詳細地對本實施形態的導電膜10a的各層的構成進行說明。

[透明基體12]

作為透明基體12，可列舉塑膠膜(plastic film)、塑膠板(plastic plate)、以及玻璃板(glass plate)等。

作為上述塑膠膜以及塑膠板的原料，例如可使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate，PET)，聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate，PEN)等的聚酯類；聚乙烯(Polyethylene，PE)、聚丙烯(Polypropylene，PP)、聚苯乙烯、乙烯醋酸乙烯酯(Ethylene Vinyl Acetate，EVA)等的聚烯烴類；以及乙烯系樹脂；此外可使用聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、聚醯胺、聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、以及三醋酸纖維素(Triacetyl Cellulose，TAC)等。

作為透明基體12，PET(熔點：258℃)、PEN(熔點：269℃)、PE(熔點：135℃)、PP(熔點：163℃)、聚苯乙烯(熔點：230℃)，聚氯乙烯(熔點：180℃)，聚偏二氯乙烯(熔點：212℃)或TAC(熔點：290℃)等的熔點約為290℃以下的塑膠膜或塑膠板較佳，自光透射性或加工性等的觀點考慮，PET尤佳。觸控面板用的導電膜10a需要具有透明性，因此，較佳為透明基體12的透明度高。

[銀鹽感光層30]

成為導電膜10a的導電部14(網眼圖案20等)的銀 鹽感光層30除了含有銀鹽與黏合劑(binder)之外，亦含有溶劑或染料等的添加劑。

作為本實施形態中所使用的銀鹽，可列舉鹵化銀等的無機銀鹽以及醋酸銀等的有機銀鹽。於本實施形態中，較佳為使用作為光感測器(optical sensor)的特性優異的鹵化銀。

銀鹽感光層30的塗佈銀量(銀鹽的塗佈量)換算為銀，較佳為1g/m²~30g/m²，更佳為1g/m²~25g/m²，進而更佳為5g/m²~20g/m²。藉由將該塗佈銀量設為上述範圍，當形成導電膜10a時，可獲得所期望的表面電阻。

作為本實施形態中所使用的黏合劑，例如可列舉：明膠(gelatin)、聚乙烯醇(Polyvinyl Alcohol，PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(Polyvinyl Pyrrolidone，PVP)、澱粉等的多糖類、纖維素及其衍生物、聚氧化乙烯、聚乙烯胺、聚葡萄胺糖(chitosan)、聚離胺酸、聚丙烯酸、聚海藻酸、聚透明質酸、以及羧基纖維素等。根據官能基的離子性，上述黏合劑具有中性、陰離子性、以及陽離子性的性質。

本實施形態的銀鹽感光層30中所含的黏合劑的含有量並無特別的限定，可於能夠發揮分散性與密著性的範圍內，適當地決定上述黏合劑的含有量。以銀/黏合劑體積比計，銀鹽感光層30中的黏合劑的含有量較佳為1/4以上，更佳為1/2以上。銀/黏合劑體積比較佳為100/1以下，更佳為50/1以下。又，銀/黏合劑體積比進而更佳為1/1~4/1。最佳為1/1~3/1。藉由將銀鹽感光層30中的銀/黏合 劑體積比設為上述範圍，即便於對塗佈銀量進行調整的情形時，亦可抑制電阻值的不均，從而可獲得具有均一的表面電阻的導電膜10a。再者，將原料的鹵化銀量/黏合劑量(重量比)轉換為銀量/黏合劑量(重量比)，接著將該銀量/黏合劑量(重量比)轉換為銀量/黏合劑量(體積比)，藉此，可求出銀/黏合劑體積比。

<溶劑>

用以形成銀鹽感光層30的溶劑並無特別的限定，例如可列舉水、有機溶劑(例如甲醇等的醇類、丙酮等的酮類、甲醯胺等的醯胺類、二甲基亞碸等的亞碸類、醋酸乙酯等的酯類、及醚類等)、離子性液體、以及這些溶劑的混合溶劑。

本實施形態的銀鹽感光層30中所使用的溶劑的含有量相對於銀鹽感光層30中所含的銀鹽、黏合劑等的合計的質量，處於30質量%~90質量%的範圍，較佳為處於50質量%~80質量%的範圍。

<其他添加劑>

本實施形態中所使用的各種添加劑並無特別的限制，可較佳地使用眾所周知的添加劑。

[其他的層構成]

亦可於銀鹽感光層30上設置未圖示的保護層。於本實施形態中，所謂「保護層」，是指包含如明膠或高分子聚合物之類的黏合劑的層，為了表現出防止擦傷或對力學特性進行改良的效果，該保護層形成於具有感光性的銀鹽感光 層30上。上述保護層的厚度較佳為0.5μm以下。保護層的塗佈方法以及形成方法並無特別的限定，可適當地選擇眾所周知的塗佈方法以及形成方法。又，亦可於比銀鹽感光層30更靠下方處設置例如底塗層。

接著，對導電膜10a的製作方法的各步驟進行說明。

[曝光]

於本實施形態中，包括藉由印刷方式來形成網眼圖案20的情形，但除了印刷方式以外，亦藉由曝光與顯影等來形成網眼圖案20。亦即，對包括設置於透明基體12上的銀鹽感光層30的感光材料或塗佈有光微影法用光聚合物的感光材料進行曝光。可使用電磁波來進行曝光。作為電磁波，例如可列舉可見光線、紫外線等的光、以及X射線等的放射線等。而且，可利用具有波長分布的光源來進行曝光，亦可使用特定的波長的光源來進行曝光。

[顯影處理]

於本實施形態中，對銀鹽感光層30進行曝光之後，接著進行顯影處理。該顯影處理可使用對於銀鹽照相膠片或感光紙(photographic paper)、印刷製版用膠片、光罩(photomask)用乳膠遮罩(emulsion mask)等所使用的通常的顯影處理的技術。顯影液並無特別的限定，亦可使用菲尼酮對苯二酚(Phenidone Quinol，PQ)顯影液、米吐爾對苯二酚(Metol Quinol，MQ)顯影液、以及甲基丙烯酸(Methacrylic Acid，MAA)顯影液等，對於市售品而言，例如可使用作為富士軟片公司處方的CN-16、CR-56、 CP45X、FD-3、及PAPITOL；作為柯達(KODAK)公司處方的C-41、E-6、RA-4、D-19、及D-72等的顯影液；或上述顯影液的套組(kit)中所含的顯影液。又，亦可使用微影顯影液。

本發明中的顯影處理可包括為了將未曝光部分的銀鹽予以除去而實現穩定化所進行的熔合處理。本發明中的熔合處理可使用對於銀鹽照相膠片或感光紙、印刷製版用膠片、光罩用乳膠遮罩等所使用的熔合處理的技術。

經由以上的步驟而獲得導電膜10a，但所獲得的導電膜10a的表面電阻較佳為處於0.1歐姆/sq.~100歐姆/sq.的範圍。上述下限值較佳為1歐姆/sq.，進而較佳為10歐姆/sq.。上述上限值較佳為70歐姆/sq.，進而較佳為50歐姆/sq.。又，亦可進一步對顯影處理之後的導電膜10a進行壓光(calender)處理，且可藉由壓光處理來調整為所期望的表面電阻。

[物理顯影以及鍍敷處理]

於本實施形態中，為了使上述曝光以及顯影處理所形成的金屬銀部32的導電性提高，亦可進行用以使導電性金屬粒子承載於上述金屬銀部32的物理顯影及/或鍍敷處理。於本實施形態中，可僅利用物理顯影或鍍敷處理中的任一個處理來使導電性金屬粒子承載於金屬銀部32。再者，將對金屬銀部實施物理顯影及/或鍍敷處理而成的部分一併稱為「導電性金屬部」。

[導電性金屬部]

對於本實施形態的導電性金屬部的線寬(金屬細線16的線寬)而言，下限較佳為1μm以上、3μm以上、4μm以上、或5μm以上，上限較佳為15μm以下、10μm以下、9μm以下、以及8μm以下。當線寬不足上述下限值時，導電性不充分，因此，在使用於觸控面板的情形下，檢測感度不充分。另一方面，若超過上述上限值，則由網眼圖案20引起的波紋變得顯著，或使用於觸控面板時的視認性變差。再者，使上述導電性金屬部的線寬處於上述範圍，藉此，網眼圖案20的波紋得到改善，尤其視認性變佳。金屬細線16的線間隔較佳為65μm以上且為500μm以下，進而較佳為100μm以上且為400μm以下，更佳為150μm以上且為300μm以下，最佳為210μm以上且為250μm以下。又，為了接地等，導電性金屬部亦可包括線寬比200μm更寬的部分。

對於本實施形態中的導電性金屬部而言，自可見光透射率的方面考慮，開口率較佳為85%以上，進而較佳為90%以上，最佳為95%以上。所謂開口率，是指除了導電部分(後述的第1大格子202A、第1連接部106A、第2大格子202B、第2連接部106B、以及小格子104等的導電部分：參照圖15)之外的透光性部分於整體中所佔的比例，例如，線寬為15μm且間距為300μm的正方形的格子狀的開口率為90%。

[光透射性部]

本實施形態中的所謂的「光透射性部」，是指導電膜 10a中的除了導電性金屬部以外的具有透光性的部分。對於光透射性部的透射率而言，如上所述，透明基體12的除了有助於光吸收及光反射的作用之外的380nm~780nm的波長區域中的透射率的最小值所示的透射率為90%以上，較佳為95%以上，進而較佳為97%以上，進而更佳為98%以上，最佳為99%以上。

曝光方法較佳為經由玻璃遮罩(glass mask)來實施的方法或利用雷射(laser)描繪的圖案曝光方式。

[導電膜10a]

本實施形態的導電膜10a中的透明基體12的厚度較佳為5μm~350μm，進而較佳為30μm~150μm。若為5μm~350μm的範圍，則可獲得所期望的可見光的透射率，且亦易於處理。

可根據塗佈於透明基體12上的銀鹽感光層用塗料的塗佈厚度，來適當地決定設置於透明基體12上的金屬銀部的厚度。金屬銀部32的厚度可選自0.001mm~0.2mm，但較佳為30μm以下，更佳為20μm以下，進而較佳為0.01μm~9μm，最佳為0.05μm~5μm。又，金屬銀部32較佳為圖案狀。金屬銀部32可為1層，亦可為2層以上的疊層構成。當金屬銀部32為圖案狀且為2層以上的疊層構成時，可產生不同的感色性，使得能夠對於不同的波長感光。藉此，若改變曝光波長來曝光，則可於各層形成不同的圖案。

對於觸控面板的用途而言，導電性金屬部的厚度越 薄，則顯示面板的視角越廣，因此，較佳為導電性金屬部的厚度薄，即便於使視認性提高的方面，亦要求實現薄膜化。自此種觀點考慮，包含承載於導電性金屬部的導電金屬的層的厚度較佳為不足9μm，更佳為0.1μm以上且不足5μm，進而較佳為0.1μm以上且不足3μm。

於本實施形態中，藉由對上述銀鹽感光層30的塗佈厚度進行控制來形成所期望的厚度的金屬銀部32，而且可藉由物理顯影及/或鍍敷處理來自如地對包含導電金屬粒子的層的厚度進行控制，因此，亦可容易地形成具有不足5μm的厚度，較佳為具有不足3μm的厚度的導電膜10a。

再者，於本實施形態的導電膜10a的製造方法中，不一定必須進行鍍敷等的步驟。原因在於：於本實施形態的導電膜10a的製造方法中，可藉由對銀鹽感光層30的塗佈銀量、銀/黏合劑體積比進行調整來獲得所期望的表面電阻。再者，亦可根據需要而進行壓光處理等。

(顯影處理之後的硬膜處理)

較佳為對銀鹽感光層30進行顯影處理之後，將該銀鹽感光層30浸漬於硬膜劑來進行硬膜處理。作為硬膜劑，例如可列舉戊二醛、己二醛、2,3-二羥基-1,4-二噁烷等的二醛類以及硼酸等的日本專利特開平2-141279號公報所揭示的硬膜劑。

亦可於導電膜10a以及後述的積層導電膜154上形成抗反射層或條碼層(bar code layer)等的功能層。

再者，本發明可適當地與下述表1以及表2所揭示的 公開公報以及國際公開小冊子的技術組合地使用。省略「特開」、「號公報」、以及「號小冊子」等的表述。

接著，第2實施形態的導電膜10b亦被用作觸控面板等的電極，如圖12所示，該導電膜10b包括：透明基體12；接著層62，形成於上述透明基體12上；導電部14，由形成於接著層62上的金屬細線16形成；以及透明包覆層64，形成為將導電部14與露出有接著層62的部分予以包覆。尤其，接著層62與透明包覆層64的折射率之差為0.1以下，更佳為0.08以下，進而較佳為0.05以下。於該 導電膜10b中，亦可形成上述波紋抑止部26。

此處，一面參照圖13A~圖13C，一面對導電膜10b的製造方法進行說明。

首先，如圖13A所示，將導電材料的金屬箔66隔著接著層62而貼合於透明基體12的一個主面12a上。此時，將如下的金屬箔66貼合於接著層62，該金屬箔66的朝接著層62貼合的貼合面已粗糙化。藉此，金屬箔66的上述粗糙面形狀轉印至接著層62中的與金屬箔66貼合的貼合面。

如圖13B所示，藉由化學蝕刻製程來將接著層62上的金屬箔66的一部分予以除去，從而形成導電圖案120，該導電圖案120包含線寬為9μm以下，且厚度為3μm以下的金屬箔66(金屬細線16)。亦即，利用金屬細線16來形成導電部14。

如圖13C所示，利用透明包覆層64來將導電圖案120與露出有接著層62的部分予以包覆，該透明包覆層64與接著層62的折射率之差為0.1以下。

由於金屬箔66的貼合面的粗糙面形狀會轉印至接著層62上的金屬箔66已被除去的部分，因此，粗糙面形狀會使光散射，從而損害透明性。然而，於本實施形態的製造方法中，將透明包覆層64包覆於上述粗糙面形狀上，該透明包覆層64與接著層62的折射率之差為0.1以下，因此，粗糙面形狀中的漫反射被抑制至最小限度，從而表現出透明性。

於上述製造方法中，形成於透明基體12上的導電圖案120包含線寬為9μm以下，且厚度為3μm以下的金屬細線16，因此，亦會產生使導電圖案120不易被肉眼看到的效果。

接著，以下對本實施形態的導電膜10b的構成構件的較佳形態進行說明。

[透明基體12]

透明基體12是包含：聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚酯類、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、EVA等的聚烯烴類、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯等的乙烯系樹脂、聚碸、聚醚碸、聚碳酸酯、聚醯胺、聚醯亞胺、丙烯酸樹脂等的塑膠的膜，且總可見光透射率較佳為70%以上。

透明基體12可以不會妨礙觸控面板的功能的程度而被著色，而且亦可單層地使用透明基體12，但亦可使用組合有2層以上的膜的多層膜。其中，自透明性、耐熱性、易處理性、以及價格的方面考慮，聚對苯二甲酸乙二醇酯膜最佳。若該透明基體12的厚度薄，則處理性不佳，若該透明基體12的厚度厚，則可見光的透射率會下降，因此，該透明基體12的厚度較佳為5μm~200μm。進而較佳為10μm~100μm，更佳為25μm~50μm。

[金屬細線16]

作為金屬細線16，可使用銅、鋁、鎳、鐵、金、銀、不鏽鋼、鎢、鉻、以及鈦等的金屬內的1種金屬，或可使 用將2種以上的金屬加以組合而成的合金。其中，自導電性、電路加工的容易性的方面考慮，金或銀適合於作為觸控面板的電極，該觸控面板的電極較佳為厚度為3μm以下的金箔。

當使用銀作為金屬細線16時，為了防止該金屬細線16隨著時間被氧化而褪色，較佳為對表面進行黑化處理。只要於形成導電圖案120之前或之後進行黑化處理即可，但於形成導電圖案120之後，可使用印刷配線板領域中所採用的方法來進行上述黑化處理。例如於亞氯酸鈉(31g/L)、氫氧化鈉(15g/L)、以及磷酸三鈉(12g/L)的水溶液中，以95℃進行2分鐘的處理，藉此，可進行上述黑化處理。

作為使金屬細線16密著於透明基體12上的方法，如下的方法最簡單，即，隔著以丙烯酸系樹脂或環氧系樹脂為主成分的接著層62來進行貼合。當必須使金屬細線16的膜厚減小時，將真空蒸鍍法、濺鍍法(sputtering method)、離子電鍍法(ion plating method)、化學蒸鍍法、無電解電鍍法/電鍍法等的薄膜形成技術中的1個或2個以上的方法加以組合，藉此，可使金屬細線16的膜厚減小。

[導電圖案120]

作為於透明基體12上形成導電圖案120的方法，自加工性的方面考慮，有效果的是如上述製造方法般，於透明基體12上形成金屬箔66之後，藉由化學蝕刻製程來形成由金屬細線16形成的導電圖案120。此外，存在如下的方 法等，該方法是使用描繪有導電圖案120的遮罩，對配置於透明基體12上的感光性樹脂層進行曝光、顯影，將無電解電鍍或電鍍加以組合，從而形成由金屬細線16形成的導電圖案120。應用於觸控面板的導電圖案120的例子後述。

[接著層62]

例如可使用環氧系的接著層、或丙烯酸系的接著層作為接著層62。

[透明包覆層64]

對於本實施形態的製造方法所製作的導電膜10b，用以將導電圖案120予以包覆的透明包覆層64與接著層62的折射率之差設為0.1以下。原因在於：若接著層62與透明包覆層64的折射率不同，則可見光透射率會下降，若折射率之差為0.1以下，可見光透射率的下降程度小，且良好。

當透明基體12為聚對苯二甲酸乙二醇酯(n=1.575：折射率)時，作為滿足如上所述的要件的透明包覆層64的材料，可使用：雙酚A型環氧樹脂或雙酚F型環氧樹脂、四羥基苯基甲烷型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、間苯二酚型環氧樹脂、聚醇-聚乙二醇型環氧樹脂、聚烯烴型環氧樹脂、以及脂環式或鹵化雙酚等的環氧樹脂(折射率均為1.55~1.60)。除了環氧樹脂以外，可列舉：天然橡膠(n=1.52)、聚異戊二烯(n=1.521)、聚-1,2-丁二烯(n=1.50)、聚異丁烯(n=1.505~1.51)、聚丁烯(n=1.5125)、聚-2-庚基-1,3-丁二烯(n=1.50)、聚-2-第三丁基-1,3-丁二 烯(n=1.506)、聚-1,3-丁二烯(n=1.515)等的(二)烯類；聚氧乙烯(n=1.4563)、聚氧丙烯(n=1.4495)、聚乙烯基乙基醚(n=1.454)、聚乙烯基己基醚(n=1.4591)、聚乙烯基丁基醚(n=1.4563)等的聚醚類；聚乙酸乙烯酯(n=1.4665)、聚丙酸乙烯酯(n=1.4665)等的聚酯類；聚胺基甲酸酯(n=1.5~1.6)、乙基纖維素(n=1.479)、聚氯乙烯(n=1.54~1.55)、聚丙烯腈(n=1.52)、聚甲基丙烯腈(n=1.52)、聚碸(n=1.633)、聚硫醚(n=1.6)、苯氧樹脂(n=1.5~1.6)等。上述材料會表現出較佳的可見光透射率。

另一方面，當透明基體12為丙烯酸樹脂時，除了上述樹脂以外，亦可使用：聚丙烯酸乙酯(n=1.4685)、聚丙烯酸丁酯(n=1.466)、聚丙烯酸-2-乙基己酯(n=1.463)、聚丙烯酸第三丁酯(n=1.4638)、聚丙烯酸-3-乙氧基丙酯(n=1.465)、聚氧羰基四甲基丙烯酸酯(n=1.465)、聚丙烯酸甲酯(n=1.472~1.480)、聚甲基丙烯酸異丙酯(n=1.4728)、聚甲基丙烯酸十二烷基酯(n=1.474)、聚甲基丙烯酸十四烷基酯(n=1.4746)、聚甲基丙烯酸正丙酯(n=1.484)、聚甲基丙烯酸-3,3,5-三甲基環己酯(n=1.484)、聚甲基丙烯酸乙酯(n=1.485)、聚甲基丙烯酸-2-硝基-2-甲基丙基酯(n=1.4868)、聚四氧羰基甲基丙烯酸酯(n=1.4889)、聚甲基丙烯酸-1,1-二乙基丙基酯(n=1.4889)、聚甲基丙烯酸甲酯(n=1.4893)等的聚(甲基)丙烯酸酯。可根據需要，使2種以上的上述丙烯酸聚合物 共聚，亦可混合地使用2種以上的上述丙烯酸聚合物。

而且，作為丙烯酸樹脂與丙烯酸樹脂以外的共聚樹脂，亦可使用：環氧丙烯酸酯、丙烯酸胺基甲酸酯、聚醚丙烯酸酯、以及聚酯丙烯酸酯等。尤其自接著性的方面考慮，環氧丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯優異，作為環氧丙烯酸酯，可列舉：1,6-己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、丙烯醇二縮水甘油醚、間苯二酚二縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、聚乙二醇二縮水甘油醚、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚、甘油三縮水甘油醚、季戊四醇四縮水甘油醚、以及山梨糖醇四縮水甘油醚等的(甲基)丙烯酸加成物。環氧丙烯酸酯於分子內具有羥基，因此，可有效果地使接著性提高，可根據需要而併用2種以上的上述共聚樹脂。成為透明包覆層64的主成分的聚合物的重量平均分子量是使用1,000以上的分子量。若分子量為1,000以下，則組成物的凝聚力過低，因此，對於被接著體(透明基體12、接著層62、導電圖案120)的密著性會下降。

作為透明包覆層64的硬化劑，可使用：三乙四胺、二甲苯二胺、二胺基二苯甲烷等的胺類；鄰苯二甲酸酐、馬來酸酐、十二烷基琥珀酸酐、均苯四甲酸二酐、二苯甲酮四甲酸酐等的酸酐；二胺基二苯基碸、三(二甲基胺基甲基)苯酚、聚醯胺樹脂、二氰基二醯胺、乙基甲基咪唑等。可單獨地使用上述硬化劑，亦可混合地使用2種以上的上述硬化劑。相對於100重量份的上述聚合物，於0.1重量份 ~50重量份的範圍內選擇上述硬化劑的交聯劑的添加量，較佳為於1重量份~30重量份的範圍內，選擇上述硬化劑的交聯劑的添加量。若上述添加量不足0.1重量份，則硬化不充分，若超過50重量份，則交聯過剩，有時會對接著性產生不良影響。

亦可根據需要，將稀釋劑、塑化劑、抗氧化劑、填充劑、以及增黏劑等的添加劑調配至本實施形態中所使用的透明包覆層64的樹脂組成物。接著，塗佈上述透明包覆層64的樹脂組成物，以將透明基體12上的包含導電圖案120的部分或整個面予以包覆，經由溶劑乾燥、加熱硬化步驟之後，形成接著膜。上述接著膜的透明包覆層64可直接貼附於液晶顯示裝置或有機電致發光(Electroluminescence，EL)、無機EL等的顯示器，從而用作顯示器用的觸控面板，或可貼附於預先描繪有鍵鈕(key button)或數字等的圖符(icon)或標記的壓克力板、玻璃板等的板或片材，從而用作與顯示器獨立的鍵盤(keyboard)或數字小鍵盤用的觸控面板。

[應用於觸控面板時的應用例]

接著，一面參照圖14~圖21，一面對如下的例子進行說明，該例子是使用導電膜10a、導電膜10b來構成觸控面板150的例子。再者，觸控面板150可為電阻膜式的觸控面板，亦可為電容式的觸控面板。

觸控面板150包括感測器(sensor)本體152與未圖示的控制電路(包含積體電路(Integrated Circuit，IC)電 路等)。如圖14、圖15以及圖16A(或圖17A)所示，感測器本體152包括：積層導電膜154，將後述的第1導電膜10A與第2導電膜10B予以積層而構成；以及保護層156，積層於上述積層導電膜154上。積層導電膜154以及保護層156例如配置於液晶顯示器等的顯示裝置157中的顯示面板158上。第1導電膜10A以及第2導電膜10B包含上述導電膜10a(參照圖1、圖2、及圖16A)或導電膜10b(參照圖12、圖17A)。當自上表面來觀察時，感測器本體152包括：感測器部160，配置於與顯示面板158的顯示畫面158a相對應的區域；以及端子配線部162(所謂的額緣)，配置於與顯示面板158的外周部分相對應的區域。

對於應用於觸控面板150的第1導電膜10A而言，當使用有圖2所示的導電膜10a時，如圖15、圖16A以及圖18所示，包括第1導電部14A，該第1導電部14A形成於第1透明基體12A(參照圖16A)的一個主面上。當使用有圖12所示的導電膜10b時，如圖8、圖17A以及圖18所示，上述第1導電膜10A包括：第1透明基體12A；第1導電部14A，由金屬細線16形成，該金屬細線16隔著第1接著層62a而形成於上述第1透明基體12A的一個主面12Aa上；以及第1透明包覆層64a，形成為將第1導電部14A與露出的第1接著層62a予以包覆，且與第1接著層62a的折射率之差為0.1以下。

如圖18所示，第1導電部14A包括：2個以上的第1 導電圖案120A(包括網眼圖案20)，分別沿著第3方向(m方向)延伸，且沿著與第3方向正交的第4方向(n方向)排列，且由包含多個格子的金屬細線16形成；以及第1補助圖案200A，由沿著各第1導電圖案120A的周邊排列的金屬細線16形成。

第1導電圖案120A是由2個以上的第1大格子202A沿著第3方向串聯地連接而構成，各第1大格子202A分別是將2個以上的小格子204加以組合而構成。又，於第1大格子202A的邊的周圍，形成有不與第1大格子202A連接的上述第1補助圖案200A。

於相鄰接的第1大格子202A之間，形成有將上述第1大格子202A予以電性連接的第1連接部206A。配置中格子208而構成第1連接部206A，該中格子208為將n個(n為大於1的實數)小格子204排列於第2方向(y方向)而成的大小。於第1大格子202A的沿著第1方向(x方向)的邊中的與中格子208相鄰接的部分，形成有第1缺口部210A，該第1缺口部210A是將小格子204的一條邊予以切除而成。此處，小格子204設為最小的正方形狀。於圖18的例子中，中格子208具有將3個小格子204排列於第2方向而成的大小。

又，於相鄰接的第1導電圖案120A之間，配置有電性絕緣的第1絕緣部212A。

上述第1補助圖案200A包括：多條第1輔助線214A(以第2方向作為軸線方向)，沿著第1大格子202A的邊 203a中的沿著第1方向的邊203a排列；多條第1輔助線214A(以第1方向作為軸線方向)，沿著第1大格子202A的邊203a中的沿著第2方向的邊203a排列；以及圖案，彼此相對向地配置有2個第1L字狀圖案216A，該2個第1L字狀圖案216A於第1絕緣部212A中，分別由2條第1輔助線214A組合為L字狀而成。

各第1輔助線214A的軸線方向的長度為沿著小格子204的內周的一條邊的4/5以下的長度，較佳為該一條邊的1/2以下的長度。又，各第1輔助線214A形成於與第1大格子202A相隔規定距離的位置。規定距離是自沿著小格子204的內周的一條邊的長度，減去第1輔助線214A的軸線方向的長度所得的長度。例如若第1輔助線214A的軸線方向的長度為沿著小格子204的內周的一條邊的4/5或1/2，則上述規定距離為沿著小格子204的內周的一條邊的1/5或1/2。

如圖15所示，以上述方式構成的第1導電膜10A為如下的形狀，即，在存在於各第1導電圖案120A的一個端部側的第1大格子202A的開放端不存在第1連接部206A。存在於各第1導電圖案120A的另一個端部側的第1大格子202A的端部，經由第1接線部184a而電性連接於由金屬細線16形成的第1端子配線圖案186a。

亦即，應用於觸控面板150的第1導電膜10A如圖14以及圖15所示，上述多個第1導電圖案120A排列於與感測器部160相對應的部分，自各第1接線部184a導出的多 個第1端子配線圖案186a排列於端子配線部162。

於圖14的例子中，第1導電膜10A的外形為自上表面所見的長方形狀，感測器部160的外形亦為長方形狀。於端子配線部162中的第1導電膜10A的一條長邊側的周緣部，在其長度方向中央部分，多個第1端子188a排列形成於上述一條長邊的長度方向。又，沿著感測器部160的一條長邊(最靠近第1導電膜10A的一條長邊的長邊：n方向)，多個第1接線部184a排列為直線狀。自各第1接線部184a導出的第1端子配線圖案186a被引向第1導電膜10A的一條長邊的大致中央部，且分別電性連接於相對應的第1端子188a。

對於應用於觸控面板150的第1導電膜10A而言，當使用有圖2所示的導電膜10a時，如圖15、圖16A以及圖18所示，包括第1導電部14A，該第1導電部14A形成於第1透明基體12A(參照圖16A)的一個主面上。當使用有圖12所示的導電膜10b時，如圖15、圖17A以及圖18所示，上述第1導電膜10A包括：第1透明基體12A；第1導電部14A，由金屬細線16形成，該金屬細線16隔著第1接著層62a而形成於上述第1透明基體12A的一個主面12Aa上；以及第1透明包覆層64a，形成為將第1導電部14A與露出的第1接著層62a予以包覆，且與第1接著層62a的折射率之差為0.1以下。

另一方面，對於第2導電膜10B而言，當使用有圖2所示的導電膜10a時，如圖15、圖16A以及圖19所示， 包括第2導電部14B，該形成於第2透明基體12B的一個主面上。當使用有圖12所示的導電膜10b時，如圖15、圖17A以及圖19所示，上述第2導電膜10B包括：第2透明基體12B；第2導電部14B，由金屬細線16形成，該金屬細線16隔著第2接著層62b而形成於上述第2透明基體12B的一個主面12Ba上；以及第2透明包覆層64b，形成為將第2導電部14B與露出的第2接著層62b予以包覆，且與第2接著層62b的折射率之差為0.1以下。

第2導電部14B包括：2個以上的第2導電圖案120B(包括網眼圖案20)，分別沿著第4方向(n方向)延伸，且沿著第3方向(m方向)排列，且由包含多個格子的金屬細線16形成；以及第2補助圖案200B，由沿著各第2導電圖案120B的周邊排列的金屬細線16形成。

第2導電圖案120B是由2個以上的第2大格子202B沿著第4方向串聯地連接而構成，各第2大格子202B分別是將2個以上的小格子204加以組合而構成。又，於第2大格子202B的邊的周圍，形成有不與第2大格子202B連接的上述第2補助圖案200B。

於相鄰接的第2大格子202B之間，形成有將上述第2大格子202B予以電性連接的第2連接部206B。配置中格子208而構成第2連接部206B，該中格子208為將n個(n為大於1的實數)小格子204排列於第1方向(x方向)而成的大小。於第2大格子202B的沿著第2方向(y方向)的邊中的與中格子208相鄰接的部分，形成有第2缺口部 210B，該第2缺口部210B是將小格子204的一條邊予以切除而成。

又，於相鄰接的第2導電圖案120B之間，配置有電性絕緣的第2絕緣部212B。

上述第2補助圖案200B包括：多條第2輔助線214B(以第1方向作為軸線方向)，沿著第2大格子202B的邊203b中的沿著第2方向的邊203b排列；多條第2輔助線214B(以第2方向作為軸線方向)，沿著第2大格子202B的邊203b中的沿著第1方向的邊203b排列；以及圖案，彼此相對向地配置有2個第2L字狀圖案216B，該2個第2L字狀圖案216B於第2絕緣部212B中，分別由2條第2輔助線214B組合為L字狀而成。

與上述第1輔助線214A同樣地，各第2輔助線214B的軸線方向的長度為沿著小格子204的內周的一條邊的4/5以下，較佳為該一條邊的1/2以下的長度。又，各第2輔助線214B形成於與第2大格子202B相隔規定距離的位置。與上述第1輔助線214A同樣地，該規定距離亦是自沿著小格子204的內周的一條邊的長度，減去第2輔助線214B的軸線方向的長度所得的長度。例如若第2輔助線214B的軸線方向的長度為沿著小格子204的內周的一條邊的4/5或1/2，則上述規定距離為沿著小格子204的內周的一條邊的1/5或1/2。

如圖15所示，以上述方式構成的第2導電膜10B為如下的形狀，即，在存在於各第2導電圖案120B的一個 端部側的第2大格子202B的開放端不存在第2連接部206B。另一方面，存在於第奇數個的各第2導電圖案120B的另一個端部側的第2大格子202B的端部、以及存在於第偶數個的各第2導電圖案120B的一個端部側的第2大格子202B的端部，分別經由第2接線部184b而電性連接於由金屬細線16形成的第2端子配線圖案186b。

亦即，應用於觸控面板150的第2導電膜10B如圖15所示，多個第2導電圖案120B排列於與感測器部160相對應的部分，自各第2接線部184b導出的多個第2端子配線圖案186b排列於端子配線部162。

如圖14所示，於端子配線部162中的第2導電膜10B的一條長邊側的周緣部，在其長度方向中央部分，多個第2端子188b排列形成於上述一條長邊的長度方向。又，沿著感測器部160的一條短邊(最靠近第2導電膜10B的一條短邊的短邊：m方向)，多個第2接線部184b(例如第奇數個第2接線部184b)排列為直線狀，沿著感測器部160的另一條短邊(最靠近第2導電膜10B的另一條短邊的短邊：m方向)，多個第2接線部184b(例如第偶數個第2接線部184b)排列為直線狀。

多個第2導電圖案120B中，例如第奇數個第2導電圖案120B分別連接於相對應的第奇數個第2接線部184b，第偶數個第2導電圖案120B分別連接於相對應的第偶數個第2接線部184b。自第奇數個第2接線部184b導出的第2端子配線圖案186b以及自第偶數個第2接線部 184b導出的第2端子配線圖案186b被引向第2導電膜10B的一條長邊的大致中央部，且分別電性連接於相對應的第2端子188b。

再者，亦可使第1端子配線圖案186a的導出形態與上述第2端子配線圖案186b的導出形態相同，且使第2端子配線圖案186b的導出形態與上述第1端子配線圖案186a的導出形態相同。

第1大格子202A以及第2大格子202B的一條邊的長度較佳為3mm~10mm，更佳為4mm~6mm。若一條邊的長度不足上述下限值，則檢測時的第1大格子202A以及第2大格子202B的電容會減少，因此，產生檢測不良的可能性升高。另一方面，若上述一條邊的長度超過上述上限值，則存在位置檢測精度下降之虞。自同樣的觀點考慮，構成第1大格子202A以及第2大格子202B的小格子204的一條邊的長度較佳為50μm~500μm。當小格子204的一條邊的長度處於上述範圍時，可更良好地保持透明性，且當安裝至顯示裝置157的顯示面板158上時，可對顯示內容進行識別而無不協調感。

又，第1導電圖案120A(第1大格子202A、中格子208)的線寬、第2導電圖案120B(第2大格子202B、中格子208)的線寬、第1補助圖案200A(第1輔助線214A)以及第2補助圖案200B(第2輔助線214B)的線寬分別為1μm~15μm。於該情形時，可與第1導電圖案120A的線寬或第2導電圖案120B的線寬相同，亦可與第1導 電圖案120A的線寬或第2導電圖案120B的線寬不同。然而，較佳為使第1導電圖案120A、第2導電圖案120B、第1補助圖案200A以及第2補助圖案200B的各線寬相同。

亦即，金屬細線16的線寬較佳為1μm~15μm。線間隔(鄰接的金屬細線16的間隔)較佳為50μm~500μm。又，自可見光透射率的觀點考慮，第1導電膜10A以及第2導電膜10B的開口率較佳為85%以上。

而且，例如當將第1導電膜10A積層於第2導電膜10B上而形成積層導電膜154時，如圖20所示，設為交叉地配置第1導電圖案120A與第2導電圖案120B的形態，具體而言為如下的形態，即，第1導電圖案120A的第1連接部206A與第2導電圖案120B的第2連接部206B隔著第1透明基體12A(參照圖16A或圖17A)而相對向，第1導電部14A的第1絕緣部212A與第2導電部14B的第2絕緣部212B隔著第1透明基體12A而相對向。

當自上表面來對積層導電膜154進行觀察時，如圖20所示，成為如下的形態，即，以將形成於第1導電膜10A的第1大格子202A的間隙予以填埋的方式，排列有第2導電膜10B的第2大格子202B。此時，於第1大格子202A與第2大格子202B之間，形成有使第1補助圖案200A與第2補助圖案200B相對向而成的組合圖案218。組合圖案218如圖21所示，第1輔助線214A的第1軸線220A與第2輔助線214B的第2軸線220B一致，且第1輔助線214A與第2輔助線214B不重疊，且第1輔助線214A的 一端與第2輔助線214B的一端一致，藉此來構成小格子204的一條邊。亦即，組合圖案218成為組合有2個以上的小格子204的形態。結果，當自上表面來對積層導電膜154進行觀察時，如圖20所示，成為如下的形態，即，鋪滿有多個小格子204。

此處，例如當未形成第1輔助線214A以及第2輔助線214B時，會形成與組合圖案218的寬度相當的空白區域，藉此，會產生如下的問題，即，導致第1大格子202A的邊界、第2大格子202B的邊界顯眼，視認性變差。為了避免上述問題，亦考慮將第2大格子202B的邊203b重疊於第1大格子202A的各條邊203a來消除空白區域，但由於重合的位置精度的極小的偏差，直線形狀彼此的重疊部分的寬度變大(線變粗)，藉此，會產生如下的問題，即，導致第1大格子202A與第2大格子202B的邊界顯眼，視認性變差。

相對於此，於本實施形態中，如上所述，由於第1輔助線214A與第2輔助線214B重疊，第1大格子202A與第2大格子202B的邊界不顯眼，視認性提高。

又，如上所述，例如當將第2大格子202B的邊203b重疊於第1大格子202A的邊203a而消除空白區域時，第2大格子202B的邊203b位於第1大格子202A的各條邊203a的正下方。此時，第1大格子202A的邊203a以及第2大格子202B的邊203b亦分別作為導電部分而發揮功能，因此，於第1大格子202A的邊203a與第2大格子202B 的邊203b之間形成寄生電容，該寄生電容的存在對於電荷資訊而言是作為雜訊(noise)成分而起作用，會引起S/N比顯著地下降。而且，由於在各第1大格子202A與各第2大格子202B之間形成寄生電容，因此，成為多個寄生電容並聯地連接於第1導電圖案120A與第2導電圖案120B的形態，結果，存在電容-電阻(capacitor-resistor，CR)時間常數變大的問題。若CR時間常數變大，則供給至第1導電圖案120A(以及第2導電圖案120B)的電壓信號的波形的上升時間變慢，於規定的掃描(scan)時間內，有可能幾乎不產生用於位置檢測的電場。又，來自第1導電圖案120A以及第2導電圖案120B的傳遞信號的波形的上升時間或下降時間亦變慢，於規定的掃描時間內，有可能無法捕捉傳遞信號的波形的變化。此會使檢測精度下降，且使響應速度下降。亦即，為了實現檢測精度的提高、及響應速度的提高，只能使第1大格子202A以及第2大格子202B的數量減少(分解能力減小)，或使適應的顯示畫面的尺寸減小，從而會產生如下的問題，即，無法適用於例如B5版、A4版、及這些版面以上的大畫面。

相對於此，於本實施形態中，例如，如圖16A所示，使第1大格子202A的邊203a與第2大格子202B的邊203b之間的投影距離Lf與小格子204的一條邊的長度大致相同。因此，第1大格子202A與第2大格子202B之間所形成的寄生電容變小。結果，CR時間常數亦變小，從而可實現檢測精度的提高、及響應速度的提高。再者，亦存在 如下的情形，即，於第1輔助線214A與第2輔助線214B的組合圖案218中，第1輔助線214A的端部與第2輔助線214B的端部分別相對向，但第1輔助線214A並不與第1大格子202A連接，與該第1大格子202A電性絕緣，第2輔助線214B亦並不與第2大格子202B連接，與該第2大格子202B電性絕緣，因此，不會導致第1大格子202A與第2大格子202B之間所形成的寄生電容增加。

較佳為與根據第1大格子202A以及第2大格子202B的尺寸相比較，更根據構成第1大格子202A以及第2大格子202B的小格子204的尺寸(線寬以及一條邊的長度)來適當地設定上述投影距離Lf的最佳距離。於該情形時，若相對於具有固定的尺寸的第1大格子202A以及第2大格子202B，小格子204的尺寸過大，則透光性提高，但傳遞信號的動態範圍(dynamic range)變小，因此，有可能會引起檢測感度的下降。相反地，若小格子204的尺寸過小，則檢測感度提高，但線寬的減小程度有限，因此，透光性有可能會變差。

因此，當將小格子204的線寬設為1μm~9μm時，上述投影距離Lf的最佳值(最佳距離)較佳為100μm~400μm，進而較佳為200μm~300μm。若使小格子204的線寬變窄，則亦可使上述最佳距離縮短，但電阻會逐步變高，因此，即便寄生電容小，CR時間常數亦會變高，結果，有可能會引起檢測感度的下降、及響應速度的下降。因此，小格子204的線寬較佳處於上述範圍。

而且，例如基於顯示面板158的尺寸或感測器部160的尺寸與觸控位置檢測的分解能力(驅動脈衝(pulse)的脈衝週期等)，來決定第1大格子202A以及第2大格子202B的尺寸以及小格子204的尺寸，以小格子204的線寬為基準，算出第1大格子202A與第2大格子202B之間的最佳距離。

又，於本實施形態中，使用了形成有波紋抑止部26的導電膜10a或形成有波紋抑止部26的導電膜10b，因此，例如，如圖1、圖3等所示，對於構成第1導電部14A的第1導電圖案120A(網眼圖案20)以及構成第2導電部14B的第2導電圖案120B(網眼圖案20)而言，具有上述關係的波紋抑止部26位於與網眼圖案20的交叉部24相鄰接的位置。結果，可使透過第1導電部14A以及第2導電部14B的光的積分量在交叉部24與交叉部24以外的部分大致相同，從而可使由波紋等引起的畫質劣化程度為最小。亦即，顯示畫面不會因波紋而模糊不清，可實現顯示品質的提高、及操作性的提高。而且，由於將金屬細線16的線寬設為1μm~15μm，將金屬細線16的線間隔設為50μm~500μm，因此，可同時具有高透光性與良好的視認性(網眼圖案20不易顯眼)。而且，於本實施形態中，存在上述波紋抑止部26，藉此，該部位可使電氣感知能力提高，因此，可使觸控位置的檢測能力提高。尤其對於電容式觸控面板而言，由於電容的偵測能力提高，因此較佳。亦即，波紋抑止部26亦作為觸控位置檢測能力提高部而發 揮功能。

又，使用圖12所示的導電膜10b，藉此例如，如圖17A所示，與第1接著層62a的折射率之差為0.1以下的第1透明包覆層64a，包覆於第1導電膜10A的第1導電圖案120A與露出的第1接著層62a上，與第2接著層62b的折射率之差為0.1以下的第2透明包覆層64b，包覆於第2導電膜10B的第2導電圖案120B與露出的第2接著層62b上，因此，第1接著層62a以及第2接著層62b上所形成的凹凸面或粗糙面形狀中的漫反射被抑制至最小限度，當形成積層導電膜154時，該積層導電膜154整體上表現出透明性。

而且，當將上述積層導電膜154用作觸控面板150時，將保護層156積層於第1導電膜10A上，將自第1導電膜10A的多個第1導電圖案120A導出的第1端子配線圖案186a、與自第2導電膜10B的多個第2導電圖案120B導出的第2端子配線圖案186b連接於例如控制電路，該控制電路對掃描進行控制。

可較佳地採用自身電容方式或相互電容方式作為觸控位置的檢測方式。亦即，若採用自身電容方式，則依序將用於觸控位置檢測的電壓信號供給至第1導電圖案120A，且依序將用於觸控位置檢測的電壓信號供給至第2導電圖案120B。因指尖與保護層156的上表面發生接觸或接近於該上表面，與觸控位置相對向的第1導電圖案120A以及第2導電圖案120B與GND(接地(ground))之間的 電容會增加，因此，來自上述第1導電圖案120A以及第2導電圖案120B的傳遞信號的波形，成為與來自其他導電圖案的傳遞信號的波形不同的波形。因此，控制電路基於第1導電圖案120A以及第2導電圖案120B所供給的傳遞信號來對觸控位置進行運算。另一方面，於相互電容方式的情形時，例如依序將用於觸控位置檢測的電壓信號供給至第1導電圖案120A，且依序對第2導電圖案120B進行感測(sensing)(檢測傳遞信號)。因指尖與保護層156的上表面發生接觸或接近於該上表面，手指的浮動電容會並聯地增加至與觸控位置相對向的第1導電圖案120A與第2導電圖案120B之間的寄生電容，因此，來自上述第2導電圖案120B的傳遞信號的波形，成為與來自其他第2導電圖案120B的傳遞信號的波形不同的波形。因此，控制電路基於供給著電壓信號的第1導電圖案120A的順序、與所供給的來自第2導電圖案120B的傳遞信號，對觸控位置進行運算。藉由採用如上所述的自身電容方式或相互電容方式的觸控位置的檢測方法，即便使2個指尖同時與保護層156的上表面發生接觸或接近於該上表面，亦可檢測出各觸控位置。再者，與投影型電容方式的檢測電路相關的先前技術文獻有美國專利第4,582,955號說明書、美國專利第4,686,332號說明書、美國專利第4,733,222號說明書、美國專利第5,374,787號說明書、美國專利第5,543,588號說明書、美國專利第7,030,860號說明書、以及美國公開專利2004/0155871號說明書等。

於上述積層導電膜154中，當使用有圖2所示的導電膜10a時，如圖15以及圖16A所示，於第1透明基體12A的一個主面形成第1導電部14A，於第2透明基體12B的一個主面形成第2導電部14B，此外，亦可如圖16B所示，於第1透明基體12A的一個主面形成第1導電部14A，於第1透明基體12A的其他主面形成第2導電部14B。於該情形時，成為如下的形態，即，第2透明基體12B不存在，第1透明基體12A積層於第2導電部14B上，且第1導電部14A積層於第1透明基體12A上。又，第1導電膜10A與第2導電膜10B之間亦可存在其他的層，若第1導電部14A與第2導電部14B之間為絕緣狀態，則該第1導電部14A與第2導電部14B亦可相對向地配置。

又，於上述的積層導電膜154中，當使用有圖12所示的導電膜10b時，如圖15以及圖17A所示，於第1透明基體12A的一個主面形成第1導電部14A，於第2透明基體12B的一個主面形成第2導電部14B，此外，亦可如圖17B所示，於第1透明基體12A的一個主面12Aa，隔著第1接著層62a而形成第1導電部14A，於第1透明基體12A的其他主面12Ab，隔著第2接著層62b而形成第2導電部14B。於該情形時，成為如下的形態，即，第2透明基體12B不存在，第1透明基體12A積層於第2導電部14B上，且第1導電部14A積層於第1透明基體12A上。於該情形時，亦以將第1導電部14A與露出的第1接著層62a予以包覆的方式，形成第1透明包覆層64a，且以將第 2導電部14B與露出的第2接著層62b予以包覆的方式，形成第2透明包覆層64b。又，第1導電膜10A與第2導電膜10B之間亦可存在其他的層，若第1導電部14A與第2導電部14B為絕緣狀態，則該第1導電部14A與第2導電部14B亦可相對向地配置。

又，如圖14所示，將第1導電膜10A與第2導電膜10B加以組合來製作積層導電膜154，而且，將該積層導電膜裝入至顯示裝置157的顯示面板158，藉此來製作觸控面板150。於該情形時，較佳為於第1導電膜10A與第2導電膜10B的例如各角落(corner)部形成第1對準標記(alignment mark)194a以及第2對準標記194b，該第1對準標記194a以及第2對準標記194b是第1導電膜10A與第2導電膜10B貼合時所使用的定位用的標記。當將第1導電膜10A與第2導電膜10B予以貼合而形成積層導電膜154時，上述第1對準標記194a以及第2對準標記194b成為新的複合對準標記，該複合對準標記亦作為將上述積層導電膜154設置於顯示面板158時所使用的定位用的對準標記而發揮功能。

於上述例子中，表示了將第1導電膜10A以及第2導電膜10B應用於投影型電容方式的觸控面板150的例子，此外，亦可應用於表面型電容方式的觸控面板、或電阻膜式的觸控面板。

作為形成於第1導電膜10A或第2導電膜10B的導電圖案，除了可使用上述導電圖案之外，亦可使用如下的導 電圖案，該導電圖案是利用絕緣部來呈帶狀地對網眼圖案進行劃分，且平行地配置有多個上述網眼圖案。

亦即，亦可包括如下的2個以上的帶狀的第1導電圖案作為第1變形例的圖案，上述2個以上的帶狀的第1導電圖案分別自端子沿著第1方向(x方向)延伸，且沿著與第1方向正交的第2方向(y方向)排列。又，亦可與第1變形例相反地，包括2個以上的帶狀的第2導電圖案作為第2變形例的圖案，上述2個以上的帶狀的第2導電圖案分別自端子沿著第2方向(y方向)延伸，且沿著第1方向(x方向)排列。各導電圖案可設為如下的圖案，該圖案是排列多個利用金屬細線來將一個開口部予以包圍的封閉的多個網眼形狀而成。作為網眼形狀，例如可列舉正方形狀、長方形狀、以及正六角形狀等。

而且，使上述第1變形例的圖案與第2變形例的圖案例如隔著透明基體而重疊，藉此，成為使帶狀的第1導電圖案與帶狀的第2導電圖案交叉的形態，此形態若使用於例如投影型電容方式的觸控面板的導電圖案，則較佳。

以下，列舉本發明的實例，更具體地對本發明進行說明。再者，只要不脫離本發明的宗旨，則可適當地將以下的實例所示的材料、使用量、比例、處理內容、以及處理順序等予以變更。因此，不應根據以下所示的具體例來限定性地對本發明的範圍進行解釋。

[第1實例]

第1實例對實例1~實例32、比較例1~比較例20、 參考例1~參考例8的導電膜的表面電阻以及透射率進行測定，對波紋以及視認性進行評價。將實例1~實例32、比較例1~比較例20、參考例1~參考例8的細項、測定結果以及評價結果表示於下述表3以及表4中。

<實例1~實例32、比較例1~比較例20、參考例1~參考例8>

(鹵化銀感光材料)

調製含有球等效直徑(sphere-equivalent diameter)平均0.1μm的碘溴氯化銀粒子(I=0.2莫耳%、Br=40莫耳%)的乳劑，該乳劑相對於水媒體中的150g的Ag而含有10.0g的明膠。

又，向該乳劑中添加K₃Rh₂Br₉以及K₂IrCl₆以使濃度達到10^-7(莫耳/莫耳銀)，從而於溴化銀粒子中摻雜Rh離子及Ir離子。向該乳劑中添加Na₂PdCl₄，進而使用氯金酸及硫代硫酸鈉進行五硫化二銻增感後，與明膠硬膜劑一同塗佈至第1透明基體12A以及第2透明基體12B(此處均為聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET))上，以使銀的塗佈量為10g/m²。此時，Ag/明膠體積比為2/1。

於寬度30cm的PET支持體上以25cm的寬度進行20m的塗佈，以殘留塗佈的中央部24cm的方式將兩端各切除3cm，獲得輥狀的鹵化銀感光材料。

(曝光)

鹵化銀感光材料的曝光是將使用日本專利特開2004-1224號公報的發明的實施形態揭示的數位微鏡裝置 (digital micromirror device，DMD)的曝光頭排列成25cm寬度，且使曝光頭以及曝光台彎曲配置，以使雷射光於感光材料的銀鹽感光層30上成像，安裝好感光材料送出機構以及捲繞機構後，利用連續曝光裝置來進行曝光，上述連續曝光裝置設有具有緩衝作用的彎曲，以使得曝光面的張力控制以及捲繞、送出機構的速度變動不會影響曝光部分的速度。曝光的波長為400nm，光束形狀為12μm的大致正方形，且雷射光源的輸出為100μJ。

曝光是將隨後成為金屬細線16的細線圖案間的間隔(線間隔)設為300μm，並依照下述設定來進行，以於銀鹽感光層30上曝光出網眼圖案20。構成網眼圖案20的金屬細線16的線寬、交叉部24的面積Sa、波紋抑止部26的面積Sb等示於表3。

為了對銀鹽感光層30進行曝光，以成為鄰接於網眼圖案20的交叉部24而形成有波紋抑止部26的圖案，採用使3個曝光頭連動的曝光方式。

亦即，第1曝光頭一方面使雷射光束沿著與銀鹽感光層30的搬送方向成直角的方向往復運動，一方面照射單一光束而於銀鹽感光層30上描繪曝光圖案。因此，光束呈斜線狀地對銀鹽感光層30進行45°斜向描繪，該斜線狀是與銀鹽感光層30的搬送速度、與曝光頭的朝向與搬送方向成直角方向的移動速度之比相應，當該光束到達銀鹽感光層30的端部時，連動於曝光頭的往復運動而沿著反轉斜向進行描繪。

第2曝光頭一方面使雷射光束沿著與銀鹽感光層30的搬送方向成直角的方向往復運動，一方面照射單一光束而於銀鹽感光層30上描繪曝光圖案，此點與第1曝光頭相同，但曝光頭的移動開始期與第1曝光頭的移動開始期相隔180度或其倍數週期。因此，當第1曝光頭自銀鹽感光層30的一個端部進行斜向描繪時，第2曝光頭自銀鹽感光層30的另一端部朝著與第1曝光頭的移動方向相反的方向移動，並且在銀鹽感光層30上進行反斜向描繪。如此，形成網眼圖案20。

第3曝光頭相對於上述第1曝光頭及第2曝光頭的雷射光束沿著與銀鹽感光層30的搬送方向成直角的方向往復運動的移動型曝光頭而為固定型曝光頭，以曝光頭通過上述第1曝光頭及第2曝光頭的雷射光束的交叉部的方式而設。若要沿著銀鹽感光層30的寬度方向而描繪多個交叉部，則設置與其數量對應的第3曝光頭。自第3曝光頭照射的雷射光束將雷射振盪週期設定成，僅在第3曝光頭通過上述交叉部時，進行短時間的間歇雷射光束照射。又，照射時間被設定為可描繪出期望尺寸的波紋抑止部26的時間。

(顯影處理)

‧1L顯影液的處方

‧1L定影液的處方

使用富士軟片公司製造的自動顯影機FG-710PTS，於如下的處理條件下，對已使用上述處理劑完成曝光的感光材料進行處理，即，於35℃進行30秒的顯影，於34℃進行23秒的熔合，進行20秒的水洗流水(5L/分鐘)處理。

(參考例1)

已製作的參考例1的導電膜的網眼圖案20的線寬為0.5μm(線間隔為300μm)，交叉部24的面積Sa為0.25μm²，波紋抑止部26的面積Sb為0.0050μm²。

(參考例2~參考例4)

將波紋抑止部26的面積Sb分別設為0.2250μm²、0.2750μm²以及1.2500μm²，除此方面以外，與上述參考例1同樣地製作參考例2、參考例3以及參考例4的導電 膜。

(比較例1、比較例2)

將波紋抑止部26的面積Sb分別設為0.0025μm²以及1.5000μm²，除此方面以外，與上述參考例1同樣地製作比較例1以及比較例2的導電膜。

(實例1)

已製作的實例1的導電膜的網眼圖案20的線寬為1.0μm(線間隔為300μm)，交叉部24的面積Sa為1.00μm²，波紋抑止部26的面積Sb為0.0200μm²。

(實例2~實例4)

將波紋抑止部26的面積Sb分別設為0.9000μm²、1.1000μm²以及5.0000μm²，除此方面以外，與上述實例1同樣地製作實例2、實例3以及實例4的導電膜。

(比較例3、比較例4)

將波紋抑止部26的面積Sb分別設為0.0100μm²以及6.0000μm²，除此方面以外，與上述實例1同樣地製作比較例3以及比較例4的導電膜。

(實例5)

已製作的實例5的導電膜的網眼圖案20的線寬為3.0μm(線間隔為300μm)，交叉部24的面積Sa為9.00μm²，波紋抑止部26的面積Sb為0.1800μm²。

(實例6~實例8)

將波紋抑止部26的面積Sb分別設為8.1000μm²、9.9000μm²以及45.0000μm²，除此方面以外，與上述實例 5同樣地製作實例6、實例7以及實例8的導電膜。

(比較例5、比較例6)

將波紋抑止部26的面積Sb分別設為0.0900μm²以及54.0000μm²，除此方面以外，與上述實例5同樣地製作比較例5以及比較例6的導電膜。

(實例9)

已製作的實例9的導電膜的網眼圖案20的線寬為4.0μm(線間隔為300μm)，交叉部24的面積Sa為16.00μm²，波紋抑止部26的面積Sb為0.3200μm²。

(實例10~實例12)

將波紋抑止部26的面積Sb分別設為14.4000μm²、17.6000μm²以及80.0000μm²，除此方面以外，與上述實例9同樣地製作實例10、實例11以及實例12的導電膜。

(比較例7、比較例8)

將波紋抑止部26的面積Sb分別設為0.1600μm²以及96.0000μm²，除此方面以外，與上述實例9同樣地製作比較例7以及比較例8的導電膜。

(實例13)

已製作的實例13的導電膜的網眼圖案20的線寬為5.0μm(線間隔為300μm)，交叉部24的面積Sa為25.00μm²，波紋抑止部26的面積Sb為0.5000μm²。

(實例14~實例16)

將波紋抑止部26的面積Sb分別設為22.5000μm²、27.5000μm²以及125.0000μm²，除此方面以外，與上述實 例13同樣地製作實例14、實例15以及實例16的導電膜。

(比較例9、比較例10)

將波紋抑止部26的面積Sb分別設為0.2500μm²以及150.0000μm²，除此方面以外，與上述實例13同樣地製作比較例9以及比較例10的導電膜。

(實例17)

已製作的實例17的導電膜的網眼圖案20的線寬為8.0μm(線間隔為300μm)，交叉部24的面積Sa為64.00μm²，波紋抑止部26的面積Sb為1.2800μm²。

(實例18~實例20)

將波紋抑止部26的面積Sb分別設為57.6000μm²、70.4000μm²、以及320.0000μm²，除此方面以外，與上述實例17同樣地製作實例18、實例19以及實例20的導電膜。

(比較例11、比較例12)

將波紋抑止部26的面積Sb分別設為0.6400μm²以及384.0000μm²，除此方面以外，與上述實例17同樣地製作比較例11以及比較例12的導電膜。

(實例21)

已製作的實例21的導電膜的網眼圖案20的線寬為9.0μm(線間隔為300μm)，交叉部24的面積Sa為81.00μm²，波紋抑止部26的面積Sb為1.6200μm²。

(實例22~實例24)

將波紋抑止部26的面積Sb分別設為72.9000μm²、 89.1000μm²以及405.0000μm²，除此方面以外，與上述實例21同樣地製作實例22、實例23以及實例24的導電膜。

(比較例13、比較例14)

將波紋抑止部26的面積Sb分別設為0.8100μm²以及486.0000μm²，除此方面以外，與上述實例21同樣地製作比較例13以及比較例14的導電膜。

(實例25)

已製作的實例25的導電膜的網眼圖案20的線寬為10.0μm(線間隔為300μm)，交叉部24的面積Sa為100.00μm²，波紋抑止部26的面積Sb為2.0000μm²。

(實例26~實例28)

將波紋抑止部26的面積Sb分別設為90.0000μm²、110.0000μm²以及500.0000μm²，除此方面以外，與上述實例25同樣地製作實例26、實例27以及實例28的導電膜。

(比較例15、比較例16)

將波紋抑止部26的面積Sb分別設為1.0000μm²以及600.0000μm²，除此方面以外，與上述實例25同樣地製作比較例15以及比較例16的導電膜。

(實例29)

已製作的實例29的導電膜的網眼圖案20的線寬為15.0μm(線間隔為300μm)，交叉部24的面積Sa為225.00μm²，波紋抑止部26的面積Sb為4.5000μm²。

(實例30~實例32)

將波紋抑止部26的面積Sb分別設為202.5000μm²、247.5000μm²以及1125.0000μm²，除此方面以外，與上述實例29同樣地製作實例30、實例31以及實例32的導電膜。

(比較例17、比較例18)

將波紋抑止部26的面積Sb分別設為2.2500μm²以及1350.0000μm²，除此方面以外，與上述實例29同樣地製作比較例17以及比較例18的導電膜。

(參考例5)

已製作的參考例5的導電膜的網眼圖案20的線寬為20.0μm(線間隔為300μm)，交叉部24的面積Sa為400.00μm²，波紋抑止部26的面積Sb為8.0000μm²。

(參考例6~參考例8)

將波紋抑止部26的面積Sb分別設為360.0000μm²、440.0000μm²以及2000.0000μm²，除此方面以外，與上述參考例5同樣地製作參考例6、參考例7以及參考例8的導電膜。

(比較例19、比較例20)

將波紋抑止部26的面積Sb分別設為4.0000μm²以及2400.0000μm²，除此方面以外，與上述參考例5同樣地製作比較例19以及比較例20的導電膜。

(表面電阻測定)

為了確認檢測精度的良否，利用Dia Instruments公司製Loresta GP(型號MCP-T610)直列4探針探頭(ASP) 在任意10處測定導電膜的表面電阻率，取測定值的平均值。

(透射率的測定)

為了確認透明性的良否，使用分光光度計對導電膜測定透射率。

(波紋的評價)

對於實例1~實例32、比較例1~比較例20、參考例1~參考例8，分別將導電膜貼附於顯示裝置157的顯示面板158上之後，將顯示裝置157設置於轉盤，驅動顯示裝置157以使其顯示白色。在此狀態下，使轉盤在偏移角-20°~+20°之間旋轉，進行波紋的目測觀察、評價。再者，作為評價用的顯示器，使用HP公司製的Pavilion Notebook PC dm1a(11.6英吋光澤液晶WXGA/1366×768)。

波紋的評價是距顯示裝置157的顯示畫面以0.5m的觀察距離來進行，將波紋未顯著化的情況記為○，將波紋為無問題的等級而稍微會被看到的情況記為△，將波紋顯著化的情況記為×。並且，作為綜合得分，將成為○的角度範圍為10°以上的情況記為A，將成為○的角度範圍不足10°的情況記為B，將不存在成為○的角度範圍而成為×的角度範圍不足30°的情況記為C，將不存在成為○的角度範圍而成為×的角度範圍為30°以上的情況記為D。

根據表3以及表4，滿足Sa×0.01<Sb≦Sa×5.00的實例1~實例32的波紋、導電性、透光性皆為良好。尤其， 滿足Sa×0.90≦Sb≦Sa×1.10的實例2、實例3、實例6、實例7、實例10、實例11、實例14、實例15、實例18、實例19、實例22、實例23、實例26、實例27、實例30、實例31未產生波紋。與此相對，比較例1~比較例20的波紋皆顯著化。

使用上述實例1~實例32的導電膜，分別製作投影型電容方式的觸控面板。波紋皆未顯著化。又，用手指進行觸摸操作，結果可知，響應速度快，檢測感度優異。又，對2點以上進行觸控操作，結果同樣獲得良好的結果，可確認亦能對應於多點觸控(multi-touch)。

[第2實例]

第2實例是對使用實例41~實例50、比較例21~比較例27的接著膜的構成物的可見光透射率、視認性進行測定。將結果示於表5及表6。

(實例41)

<接著膜1的製作例>

使用厚度50μm的透明PET膜(折射率n=1.575)作為透明基體12，於該透明基體12上，隔著成為接著層62的環氧系接著片(NIKAPLEX SAF；Nikkan工業(股)製，n=1.58)，以導電材料即厚度2μm的金箔的粗化面成為環氧系接著片側的方式，以180℃、30kgf/cm²的條件進行加熱層壓而使該金箔接著。對於所獲得的附金箔的PET膜，經過光微影步驟(光阻膜貼附-曝光-顯影-化學蝕刻-光阻膜剝離)，於PET膜上形成排列有由金屬細線16構成的多個 格子(正方形狀)的導電圖案，獲得構成材料1。金屬細線16的線寬為6μm，金屬細線16間的間隔(線間隔)為300μm。於該構成材料1上，以乾燥塗佈厚度為約10μm的方式來塗佈後述的透明包覆層1並乾燥，獲得具有透明性的接著膜1。然後，使用輥式層壓機，以110℃、20kgf/cm²的條件，將接著膜1加熱壓接於市售的亞克力板(Comoglas；(股)Kuraray製，厚度3mm)。

(實例42)

<接著膜2的製作例>

使用厚度25μm的透明PET膜作為透明基體12，於該透明基體12上，利用輥式層壓機並以170℃、20kg/cm²的條件，隔著成為接著層62的Pyralux LF-0200(Dupont Japan Limited製，丙烯酸系接著膜，n=1.47)而層壓導電材料即厚度3μm的金箔。對於該附金箔的PET膜，經過與接著膜1的製作例同樣的光微影步驟，於PET膜上形成排列有由金屬細線16構成的多個格子(正方形狀)的導電圖案，獲得構成材料2。金屬細線16的線寬為6μm，線間隔為200μm。於該構成材料2上，以乾燥塗佈厚度為約10μm的方式來塗佈後述的透明包覆層2並乾燥，獲得具有透明性的接著膜2。然後，以110℃、30kgf/cm²、30分鐘的條件，使用熱壓機將接著膜2加熱壓接於市售的亞克力板。

(實例43)

<接著膜3的製作例>

使用厚度50μm的透明PET膜作為透明基體12，於該透明基體12上，利用輥式層壓機並以170℃、20kg/cm²的條件，隔著成為接著層62的Pyralux LF-0200(Dupont Japan Limited製，丙烯酸系接著膜，n=1.47)而層壓導電材料即厚度1μm的金箔。對於該附金箔的PET膜，經過與接著膜1的製作例同樣的光微影步驟，於PET膜上形成排列有由金屬細線16構成的多個格子(正方形狀)的導電圖案，獲得構成材料3。金屬細線16的線寬為1μm，線間隔為300μm。於該構成材料3上，以乾燥塗佈厚度為約10μm的方式來塗佈後述的透明包覆層3並乾燥，獲得具有透明性的接著膜3。然後，以110℃、30kgf/cm²、30分鐘的條件，使用熱壓機將接著膜3加熱壓接於市售的亞克力板。

<透明包覆層1的組成物>

TBA-HME(日立化成工業(股)製；高分子量環氧樹脂，Mw=30萬)100重量份、YD-8125(東都化成(股)製；雙酚A型環氧樹脂)25重量份、IPDI(日立化成工業(股)製；遮罩異氰酸酯)12.5重量份、2-乙基-4-甲基咪唑0.3重量份、甲基乙基酮(methyl ethyl ketone，MEK)330重量份、環己酮15重量份、上述透明包覆層的成分溶解於MEK及環己酮，製作透明包覆層1的清漆。將該清漆流延於玻璃板並進行加熱乾燥所得的膜的折射率為1.57。

<透明包覆層2的組成物>

使YP-30(東都化成(股)製；苯氧基樹脂，Mw=6萬)100重量份、YD-8125(東都化成(股)製；雙酚A型環氧樹脂)10重量份、IPDI(日立化成工業(股)製；遮罩異氰酸酯)5重量份、2-乙基-4-甲基咪唑0.3重量份、MEK 285重量份、環己酮5重量份、上述透明包覆層的成分溶解於MEK及環己酮，製作透明包覆層2的清漆。將該清漆流延於玻璃板並進行加熱乾燥所得的膜的折射率為1.55。

<透明包覆層3的組成物>

使HTR-600LB(帝國化學產業(股)製；聚丙烯酸酯，Mw=70萬)100重量份、Coronate L(日本聚胺甲酸酯(股)製；3官能異氰酸酯)4.5重量份、二月桂酸二丁基錫0.4重量份、甲苯450重量份、乙酸乙酯10重量份、上述透明包覆層的成分溶解於甲苯及乙酸乙酯，製作透明包覆層3的清漆。將該清漆流延於玻璃板並進行加熱乾燥所得的膜的折射率為1.47。

(實例44)

除了將金屬細線16的線寬設為9μm以外，與實例41同樣地獲得接著膜。

(實例45)

除了將金屬細線16的線寬設為1μm以外，與實例42同樣地獲得接著膜。

(實例46)

除了將金屬細線16的線間隔設為500μm以外，與實 例43同樣地獲得接著膜。

(實例47)

除了將金屬細線16的線間隔設為200μm以外，與實例41同樣地獲得接著膜。

(實例48)

除了將透明基體12的厚度設為25μm以外，與實例41同樣地獲得接著膜。

(實例49)

將透明基體12的厚度設為50μm，將金屬細線16的線間隔設為300μm，將厚度設為2μm，除了此方面以外，與實例42同樣地獲得接著膜。

(實例50)

將金屬細線16的線寬設為6μm，將厚度設為2μm，除了此方面以外，與實例43同樣地獲得接著膜。

(比較例21)

除了將金屬細線16的線寬設為20μm以外，與實例41同樣地獲得接著膜。

(比較例22)

除了將金屬細線16的線間隔設為20μm以外，與實例42同樣地獲得接著膜。

(比較例23)

除了將金屬細線16的厚度設為15μm以外，與實例42同樣地獲得接著膜。

(比較例24)

使用透明包覆層4{苯酚-甲醛樹脂(Mw=5萬，n=1.73)}作為透明包覆層64，除了此方面以外，與實例41同樣地獲得接著膜。

(比較例25)

使用透明包覆層5{聚二甲基矽氧烷(Mw=4.5萬，n=1.43)}作為透明包覆層64，除了此方面以外，與實例43同樣地獲得接著膜。

(比較例26)

使用透明包覆層6{聚偏二氟乙烯(Mw=12萬，n=1.42)}作為透明包覆層64，除了此方面以外，與實例43同樣地獲得接著膜。

(比較例27)

使用厚度為60μm的含有填充劑的聚乙烯膜(可見光透射率為20%以下)作為透明基體12，除了此方面以外，與實例41同樣地獲得接著膜。

對使用有以上述方式獲得的接著膜的構成物的可見光透射率、視認性進行測定。將結果表示於表5與表6中。

可見光透射率的測定是使用雙光束分光光度計((股)日立製作所製，200-10型)，並使用400nm~800nm的透射率的平均值。視認性是自距0.5m的場所目測貼附於亞克力板的接著膜，根據能否辨識出導電材料上描繪的導電圖案來進行評價，將無法辨識的情況記為「良好」，將可辨識的情況記為NG。

再者，本發明的觸控面板、觸控面板的製造方法以及導電膜並不限於上述實施形態，當然可不脫離本發明的宗旨而採用各種構成。

10a、10b‧‧‧導電膜

10A‧‧‧第1導電膜

10B‧‧‧第2導電膜

12‧‧‧透明基體

12a、12Aa、12Ab、12Ba‧‧‧主面

12A‧‧‧第1透明基體

12B‧‧‧第2透明基體

14‧‧‧導電部

14A‧‧‧第1導電部

14B‧‧‧第2導電部

16‧‧‧金屬細線

16a‧‧‧第1金屬細線

16b‧‧‧第2金屬細線

18‧‧‧開口部

20‧‧‧網眼圖案

22‧‧‧網眼形狀

24‧‧‧交叉部

26‧‧‧波紋抑止部

26a‧‧‧第1抑止部

26b‧‧‧第2抑止部

26c‧‧‧第3抑止部

26d‧‧‧第4抑止部

30‧‧‧銀鹽感光層

32‧‧‧金屬銀部

34‧‧‧光透射性部

36‧‧‧導電金屬

40‧‧‧銅箔

42‧‧‧光阻膜

44‧‧‧光阻圖案

50‧‧‧漿料

52‧‧‧圖案

54‧‧‧金屬鍍敷層

60‧‧‧金屬薄膜

62‧‧‧接著層

62a‧‧‧第1接著層

62b‧‧‧第2接著層

64‧‧‧透明包覆層

64a‧‧‧第1透明包覆層

64b‧‧‧第2透明包覆層

66‧‧‧金屬箔

106A‧‧‧第1連接部

106B‧‧‧第2連接部

120‧‧‧導電圖案

120A‧‧‧第1導電圖案

120B‧‧‧第2導電圖案

150‧‧‧觸控面板

152‧‧‧感測器本體

154‧‧‧積層導電膜

156‧‧‧保護層

157‧‧‧顯示裝置

158‧‧‧顯示面板

158a‧‧‧顯示畫面

160‧‧‧感測器部

162‧‧‧端子配線部

184a‧‧‧第1接線部

184b‧‧‧第2接線部

186a‧‧‧第1端子配線圖案

186b‧‧‧第2端子配線圖案

188a‧‧‧第1端子

188b‧‧‧第2端子

194a‧‧‧第1對準標記

194b‧‧‧第2對準標記

200A‧‧‧第1補助圖案

200B‧‧‧第2補助圖案

202A‧‧‧第1大格子

202B‧‧‧第2大格子

203a、203b‧‧‧邊

204‧‧‧小格子

206A‧‧‧第1連接部

206B‧‧‧第2連接部

208‧‧‧中格子

210A‧‧‧第1缺口部

210B‧‧‧第2缺口部

212A‧‧‧第1絕緣部

212B‧‧‧第2絕緣部

214A‧‧‧第1輔助線

214B‧‧‧第2輔助線

216A‧‧‧第1L字狀圖案

216B‧‧‧第2L字狀圖案

218‧‧‧組合圖案

220A‧‧‧第1軸線

220B‧‧‧第2軸線

La、Lb‧‧‧線寬

Lf‧‧‧投影距離

m、n、x、y‧‧‧方向

E1‧‧‧第1曝光能量

E2‧‧‧第2曝光能量

圖1是表示第1實施形態的導電膜的一例的平面圖。

圖2是局部省略地表示導電膜的剖面圖。

圖3是將一部分予以放大來表示導電膜的一例的平面圖。

圖4是將一部分予以放大來表示導電膜的其他例子的平面圖。

圖5是將一部分予以放大來表示導電膜的又一例子的平面圖。

圖6是將一部分予以放大來表示導電膜的又一例子的平面圖。

圖7A~圖7C是表示第1實施形態的導電膜的製造方法的一例的步驟圖。

圖8是表示對於銀鹽感光層的數位寫入曝光中的曝光能量與影像濃度的關係的特性圖。

圖9A以及圖9B是表示第1實施形態的導電膜的製造方法的其他例子的步驟圖。

圖10A以及圖10B是表示第1實施形態的導電膜的製造方法的又一例子的步驟圖。

圖11是表示第1實施形態的導電膜的製造方法的又一例子的步驟圖。

圖12是局部省略地表示第2實施形態的導電膜的剖面圖。

圖13A~圖13C是表示導電膜的製造方法的步驟圖。

圖14是表示觸控面板的構成的分解立體圖。

圖15是局部省略地表示積層導電膜的分解立體圖。

圖16A是局部省略地表示由第1實施形態的導電膜形成的積層導電膜的一例的剖面圖，圖16B是局部省略地表示積層導電膜的其他例子的剖面圖。

圖17A是局部省略地表示由第2實施形態的導電膜形成的積層導電膜的一例的剖面圖，圖17B是局部省略地表示積層導電膜的其他例子的剖面圖。

圖18是表示形成於第1導電膜的第1導電圖案的圖案例的平面圖。

圖19是表示形成於第2導電膜的第2導電圖案的圖案例的平面圖。

圖20是局部省略地表示將第1導電膜與第2導電膜加以組合而形成積層導電膜的例子的平面圖。

圖21是表示藉由第1輔助線與第2輔助線來形成一條 線的狀態的說明圖。

10a‧‧‧導電膜

16a‧‧‧第1金屬細線

16b‧‧‧第2金屬細線

20‧‧‧網眼圖案

24‧‧‧交叉部

26‧‧‧波紋抑止部

26a‧‧‧第1抑止部

26b‧‧‧第2抑止部

26c‧‧‧第3抑止部

26d‧‧‧第4抑止部

La、Lb‧‧‧線寬

Claims (26)

1. 一種觸控面板，包括對觸控位置進行檢測的導電膜(10a、10b)，上述觸控面板的特徵在於：上述導電膜(10a、10b)包括導電部(14)，上述導電部(14)具有由金屬製的細線(16)形成的網眼圖案(20)，於上述網眼圖案(20)的交叉部(24)，形成有使觸控位置的檢測能力提高的觸控位置檢測能力提高部(26)，其中上述交叉部(24)與上述觸控位置檢測能力提高部(26)相鄰接，且上述交叉部(24)不同於上述觸控位置檢測能力提高部(26)，當將上述交叉部(24)的面積設為Sa，將上述觸控位置檢測能力提高部(26)的面積設為Sb時，Sa×0.01<Sb≦Sa×5.00。
2. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中當將上述交叉部(24)的面積設為Sa，將上述觸控位置檢測能力提高部(26)的面積設為Sb時，Sa×0.50≦Sb≦Sa×5.00。
3. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中當將上述交叉部(24)的面積設為Sa，將上述觸控位置檢測能力提高部(26)的面積設為Sb時，Sa×0.50≦Sb≦Sa×1.50。
4. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中當將上述交叉部(24)的面積設為Sa，將上述觸控位置檢測能 力提高部(26)的面積設為Sb時，Sa×0.90≦Sb≦Sa×1.10。
5. 一種觸控面板，包括導電膜(10a、10b)，上述觸控面板的特徵在於：上述導電膜(10a、10b)包括導電部(14)，上述導電部(14)具有由金屬製的細線(16)形成的網眼圖案(20)，於上述網眼圖案(20)的交叉部(24)，形成有波紋抑止部(26)，其中上述交叉部(24)與上述波紋抑止部(26)相鄰接，且上述交叉部(24)不同於上述波紋抑止部(26)，當將上述交叉部(24)的面積設為Sa，將上述波紋抑止部(26)的面積設為Sb時，Sa×0.01<Sb≦Sa×5.00。
6. 如申請專利範圍第5項所述之觸控面板，其中當將上述交叉部(24)的面積設為Sa，將上述波紋抑止部(26)的面積設為Sb時，Sa×0.50≦Sb≦Sa×5.00。
7. 如申請專利範圍第5項所述之觸控面板，其中當將上述交叉部(24)的面積設為Sa，將上述波紋抑止部(26)的面積設為Sb時，Sa×0.50≦Sb≦Sa×1.50。
8. 如申請專利範圍第5項所述之觸控面板，其中當將上述交叉部(24)的面積設為Sa，將上述波紋抑止部(26) 的面積設為Sb時，Sa×0.90≦Sb≦Sa×1.10。
9. 一種觸控面板的製造方法，其是包含製作導電膜(10a、10b)的導電膜製作步驟的觸控面板(150)的製造方法，上述觸控面板(150)的製造方法的特徵在於：上述導電膜製作步驟包括如下的步驟：將導電材料的金屬箔(66)隔著接著層(62)而貼合於透明基體(12)的一個主面(12a)上，上述金屬箔(66)的貼合面的粗糙面形狀轉印至上述接著層(62)，上述金屬箔(66)的朝上述接著層(62)貼合的上述貼合面已粗糙化；藉由化學蝕刻製程來將已貼合的上述金屬箔(66)的一部分予以除去，形成導電圖案(120)，上述導電圖案(120)包含線寬為9μm以下且厚度為3μm以下的上述金屬箔(66)；以及將透明包覆層(64)包覆於上述導電圖案(120)與露出有上述接著層(62)的部分，上述透明包覆層(64)與上述接著層(62)的折射率之差為0.1以下。
10. 如申請專利範圍第9項所述之觸控面板的製造方法，其中利用上述透明包覆層(64)來進行包覆的步驟，是利用上述透明包覆層(64)，平滑地對轉印至上述接著層(62)的上述金屬箔(66)的上述貼合面的上述粗糙面形狀進行塗佈。
11. 如申請專利範圍第9項所述之觸控面板的製造方 法，其中上述金屬箔(66)為金箔。
12. 一種導電膜，設置於顯示裝置(157)的顯示面板(158)上，上述導電膜的特徵在於包括導電部(14)，上述導電部(14)具有由金屬製的細線(16)形成的網眼圖案(20)，於上述網眼圖案(20)的交叉部(24)，形成有波紋抑止部(26)，其中上述交叉部(24)與上述波紋抑止部(26)相鄰接，且上述交叉部(24)不同於上述波紋抑止部(26)，當將上述交叉部(24)的面積設為Sa，將上述波紋抑止部(26)的面積設為Sb時，Sa×0.01<Sb≦Sa×5.00。
13. 如申請專利範圍第12項所述之導電膜，其中當將上述交叉部(24)的面積設為Sa，將上述波紋抑止部(26)的面積設為Sb時，Sa×0.50≦Sb≦Sa×5.00。
14. 如申請專利範圍第12項所述之導電膜，其中當將上述交叉部(24)的面積設為Sa，將上述波紋抑止部(26)的面積設為Sb時，Sa×0.50≦Sb≦Sa×1.50。
15. 如申請專利範圍第12項所述之導電膜，其中當將上述交叉部(24)的面積設為Sa，將上述波紋抑止部(26)的面積設為Sb時， Sa×0.90≦Sb≦Sa×1.10。
16. 如申請專利範圍第12項所述之導電膜，其中構成上述網眼圖案(20)的金屬製的第1細線(16a)與第2細線(16b)交叉，藉此來構成上述交叉部(24)，上述波紋抑止部(26)包括：第1抑止部(26a)，形成於上述第1細線(16a)的一個側面與上述第2細線(16b)的一個側面之間；第2抑止部(26b)，形成於上述第1細線(16a)的一個側面與上述第2細線(16b)的另一個側面之間；第3抑止部(26c)，形成於上述第1細線(16a)的另一個側面與上述第2細線(16b)的一個側面之間；以及第4抑止部(26d)，形成於上述第1細線(16a)的另一個側面與上述第2細線(16b)的另一個側面之間。
17. 如申請專利範圍第16項所述之導電膜，其中當將上述第1抑止部(26a)、上述第2抑止部(26b)、上述第3抑止部(26c)、以及上述第4抑止部(26d)的各面積設為Sb1、Sb2、Sb3、以及Sb4時，Sb=Sb1+Sb2+Sb3+Sb4。
18. 如申請專利範圍第12項所述之導電膜，其中上述細線(16)的線寬為1μm~15μm。
19. 如申請專利範圍第12項所述之導電膜，其中上述細線(16)的線寬為1μm~9μm。
20. 如申請專利範圍第12項所述之導電膜，其中上述細線(16)的線間隔為65μm~500μm。
21. 一種導電膜，其特徵在於包括：透明基體(12)；導電部(14)，由金屬細線(16)形成，上述金屬細線(16)隔著接著層(62)而形成於上述透明基體(12)的一個主面(12a)上；以及透明包覆層(64)，形成為將上述導電部(14)與露出有上述接著層(62)的部分予以包覆，上述接著層(62)與上述透明包覆層(64)的折射率之差為0.1以下。
22. 如申請專利範圍第21項所述之導電膜，其中上述金屬細線(16)的線寬為9μm以下。
23. 如申請專利範圍第21項所述之導電膜，其中上述金屬細線(16)的厚度為3μm以下。
24. 如申請專利範圍第21項所述之導電膜，其中上述導電部(14)包括2個以上的導電圖案(120)，上述2個以上的導電圖案(120)分別沿著第1方向延伸，且沿著與上述第1方向正交的第2方向排列，且由上述金屬細線(16)形成。
25. 如申請專利範圍第24項所述之導電膜，其中上述導電圖案(120)具有排列有多個由上述金屬細線(16)與開口部形成的網眼形狀的圖案。
26. 如申請專利範圍第24項所述之導電膜，其中沿著上述第1方向，分別經由由上述金屬細線(16)形成的連接部來將2個以上的大格子予以連接，從而構成上述導電 圖案(120)，各上述大格子分別是將2個以上的小格子(204)加以組合而構成。