TWI498411B - 有機電激發光元件 - Google Patents

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Description

有機電激發光元件
本發明是關於一種有機電激發光元件(下文亦稱為「元件」或「有機EL元件」)，且更特定言之，一種在高發光強度下耐久性極佳之有機電激發光元件。
近年來積極進行有機電激發光元件之研究與開發，因為可以低電壓驅動自此等元件獲得高發光性發光。一般而言，有機電激發光元件由包含發光層之有機層以及一對電極(有機層夾在電極之間)構成，且自陰極注入之電子與自陽極注入之電洞在發光層中重組產生激子，所述激子之能量用於發光。
最近已藉由使用磷光材料使元件效率得到提高。舉例而言，WO 05/085387揭露有機電激發光元件，其發光效率以及耐熱性藉由使用銥錯合物、鉑錯合物或其類似物作為磷光材料而增強。
另一方面，廣泛採用使用主體材料摻雜有發光材料之發光層之摻雜型元件。
亦已積極進行主體材料之開發。舉例而言，JP-A-2009-99783揭露使用縮合芳族多環材料作為主體材料來形成效率高且壽命長之元件的發明。然而，此發明之發光效率以及在高溫驅動下耐久性不足，且此外，在考慮用於顯示器以及照明之情況下，此發明具有隨著驅動元件而使色度發生偏移的問題。因此要求對上述方面進行改良。
如JP-A-2009-99783中所述，已知使用可產生含咔唑基之不穩定的氧化物質之材料對元件之耐久性不利。根據所述常識，不能預期本發明之實施例對耐久性改良產生影響。另一方面，在銥錯合物型磷光材料中，認為元件效能因錯合物類型材料中通常發生之離去配位基發生分解且產生淬滅劑而降級。因此，已知磷光材料之實際使用會遭遇困難。
然而，吾人已發現，藉由與特定的銥錯合物型材料組合使用本發明之含咔唑基之主體材料可產生耐久性改良的效果。
迄今，伴隨元件驅動之色度偏移以及驅動電壓升高以及效率降低已用作評估要點。另外，已在室溫至高溫之各種周圍溫度下(主要在加速測試之情況下)進行評估。然而，尚未注意到，色度偏移之程度在高溫驅動下比在低溫驅動下高。近年來，有機電激發光元件之使用範圍已擴展至例如用於顯示器以及面板中以及用於照明目的。當涵蓋在可能會達到80℃或更高之高溫的汽車安裝型面板或其類似物中使用時，預測高溫驅動下之色度偏移將會變成重要問題。
本發明之一目標在於提供一種有機電激發光元件，其具有極佳發光特性，可抑制高溫驅動下之色度偏移且發光效率優良。
本發明之另一目標在於提供適用於此有機電激發光元件之組成物以及發光層。本發明之另一目標在於提供一種針對適用於此有機電激發光元件之化合物的膜形成方法。且本發明之又一目標在於提供一種發光裝置以及一種照明裝置，各合併有此有機電激發光元件。
更特定言之，本發明由以下達成。
[1]一種有機電激發光元件，其在基板上具有一對電極以及夾在電極之間的發光層，其中發光層含有由下式(1)表示之化合物以及由下式(T-1)表示之化合物。
(Cz)p─L─(A)q　(1)
在式(1)中，Cz表示經取代或未經取代之芳基咔唑基、或經取代或未經取代之咔唑基芳基，L表示單鍵、經取代或未經取代之伸芳基、經取代或未經取代之伸環烷基、或自經取代或未經取代之雜芳族環衍生之基團，A表示自經取代或未經取代之6員含氮雜芳族環衍生之基團，且p以及q各自獨立地表示1至6之整數。
在式(T-1)中，R3 '表示烷基、雜烷基、芳基或雜芳基，各自可進一步具有取代基Z；R5 表示芳基或雜芳基，各自可進一步具有非芳族取代基；環Q表示芳族雜環或縮合芳族雜環，其具有至少一個氮原子以與Ir形成配位鍵，且環Q可進一步具有非芳族取代基；R3 、R4 以及R6 各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、炔基、-CN、-CF3 、-Cn F2n+1 、三氟乙烯基、-CO2 R、-C(O)R、-NR2 、-NO2 、-OR、鹵素原子、芳基或雜芳基，各自可進一步具有取代基；或R3 與R4 可彼此組合形成縮合的4至7員環，且此4至7員環為環烷烴環、環雜烷烴環、芳烴環或雜芳烴環，各自可進一步具有取代基Z；或R3 '與R6 可藉由經由由以下組成的族群中選出的連接基團連接形成環：-CR2 -CR2 -、-CR=CR-、-CR2 -、-O-、-NR-、-O-CR2 -、-NR-CR2 -以及-N=CR-，其中R各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、炔基、雜烷基、芳基或雜芳基，各自可進一步具有取代基Z；Z各自獨立地表示鹵素原子、-R'、-OR'、-N(R')2 、-SR'、-C(O)R'、-C(O)OR'、-C(O)N(R')2 、-CN、-NO2 、-SO2 、-SOR'、-SO2 R'或-SO3 R'，且R'各自獨立地表示氫原子、烷基、全鹵烷基、烯基、炔基、雜烷基、芳基或雜芳基；(X-Y)表示輔助配位基；m表示1至3之整數且n表示0至2之整數，其限制條件為m+n=3。
[2]根據[1]之有機電激發光元件，其中由式(1)表示之化合物為由下式(2)表示之化合物。
在式(2)中，Cz表示經取代或未經取代之芳基咔唑基、或經取代或未經取代之咔唑基芳基；L表示單鍵、經取代或未經取代之伸芳基、經取代或未經取代之伸環烷基、或自經取代或未經取代之雜芳族環衍生之基團，且L連接至Ar1 、Ar2 、X1 、X2 或X3 中之碳原子；Ar1 以及Ar2 各自獨立地表示經取代或未經取代之芳基、經取代或未經取代之伸芳基、或自經取代或未經取代之雜芳族環衍生之基團；X1 、X2 以及X3 各自獨立地表示氮原子或碳原子，其可具有取代基；且p以及q各自獨立地表示1至6之整數。
[3]根據[2]之有機電激發光元件，其中由式(2)表示之化合物為由下式(3)表示之化合物。
在式(3)中，X4 以及X5 各自獨立地表示氮原子或碳原子，其可具有取代基，其限制條件為X4 或X5 中任一者表示氮原子且另一者表示碳原子，其可具有取代基；L'表示單鍵、經取代或未經取代之伸芳基、經取代或未經取代之伸環烷基、或自經取代或未經取代之雜芳族環衍生之基團；R1 至R5 各自獨立地表示取代基；n1至n5各自獨立地表示0至5之整數；且p'以及q'各自獨立地表示1至4之整數。
[4]根據[1]至[3]中任一項之有機電激發光元件，其中衍生出式(1)中由A表示之基團的環、式(2)中含有X1 至X3 之環、以及式(3)中含有X4 以及X5 之環各自為吡啶或嘧啶。
[5]根據[1]至[3]中任一項之有機電激發光元件，其中衍生出式(1)中由A表示之基團的環、式(2)中含有X1 至X3 之環、以及式(3)中含有X4 以及X5 之環各自為嘧啶。
[6]根據[1]至[5]中任一項之有機電激發光元件，其中由式(T-1)表示之化合物為由下式(T-2)表示之化合物。
在式(T-2)中，R3 '表示烷基、雜烷基、芳基或雜芳基，各自可進一步具有取代基Z；R4 '至R6 '各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、炔基、雜烷基、芳基或雜芳基，各自可進一步具有取代基Z；或R3 '與R4 '、或R4 '與R5 '、或R5 '與R6 '可彼此組合形成與吡啶環縮合之4至7員環，且此4至7員環為環烷烴環、環雜烷烴環、芳烴環或雜芳烴環，各自可進一步具有取代基Z；或R3 '與R6 可藉由經由由以下組成的族群中選出的連接基團連接形成環：-CR2 -CR2 -、-CR=CR-、-CR2 -、-O-、-NR-、-O-CR2 -、-NR-CR2 -以及-N=CR-，其中R各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、炔基、雜烷基、芳基或雜芳基，各自可進一步具有取代基Z；R5 表示芳基或雜芳基，各自可進一步具有非芳族基；R3 、R4 以及R6 各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、炔基、-CN、-CF3 、-Cn F2n+1 、三氟乙烯基、-CO2 R、-C(O)R、-NR2 、-NO2 、-OR、鹵素原子、芳基或雜芳基，各自可進一步具有取代基Z，或R3 與R4 可彼此組合形成與苯環縮合之4至7員環，且此4至7員環為環烷烴環、環雜烷烴環、芳烴環或雜芳烴環，各自可進一步具有取代基Z；Z各自獨立地表示鹵素原子、-R'、-OR'、-N(R')2 、-SR'、-C(O)R'-C(O)OR'、-C(O)N(R')2 、-CN、-NO2 、-SO2 、-SOR'、-SO2 R'或-SO3 R'，且R'各自獨立地表示氫原子、烷基、全鹵烷基、烯基、炔基、雜烷基、芳基或雜芳基；(X-Y)表示輔助配位基；且m表示1至3之整數且n表示0至2之整數，其限制條件為m+n=3。
〔7〕根據〔6〕之有機電激發光元件，其中由式(T-2)表示之化合物為由下式(T-3)表示之化合物。
在式(T-3)中，R4 '表示氫原子、烷基、烯基、炔基、雜烷基、芳基或雜芳基，各自可進一步具有取代基Z；R5 "與R6 "表示氫原子或彼此組合形成縮合之4至7員環，且此縮合之4至7員環為環烷烴環、環雜烷烴環、芳烴環或雜芳烴環；R3 、R4 以及R6 各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、炔基、-CN、-CF3 、-Cn F2n+1 、三氟乙烯基、-CO2 R、-C(O)R、-NR2 、-NO2 、-OR、鹵素原子、芳基或雜芳基，各自可進一步具有取代基Z；R各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、炔基、雜烷基、芳基或雜芳基，各自可進一步具有取代基Z；或R3 與R4 可彼此組合形成縮合之4至7員環，且此4至7員環為環烷烴環、環雜烷烴環、芳烴環或雜芳烴環，各自可具有取代基Z；Z各自獨立地表示鹵素原子、-R'、-OR'、-N(R')2 、-SR'、-C(O)R'、-C(O)OR'、-C(O)N(R')2 、-CN、-NO2 、-SO2 、-SOR'、-SO2 R'或-SO3 R'， 且R'各自獨立地表示氫原子、烷基、全鹵烷基、烯基、炔基、雜烷基、芳基或雜芳基；(X-Y)表示輔助配位基；且m表示1至3之整數且n表示0至2之整數，其限制條件為m+n=3。
〔8〕根據〔7〕之有機電激發光元件，其中由式(T-3)表示之化合物為由下式(T-4)表示之化合物。
在(T-4)中，R3 、R4 以及R6 各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、炔基、-CN、-CF3、-Cn F2n+1 、三氟乙烯基、-CO2 R、-C(O)R、-NR2 、-NO2 、-OR、鹵素原子、芳基或雜芳基，各自可進一步具有取代基Z；R各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、炔基、雜烷基、芳基或雜芳基，各自可進一步具有取代基Z；Z各自獨立地表示鹵素原子、-R'、-OR'、-N(R')2 、-SR'、-C(O)R'、-C(O)OR'、-C(O)N(R')2 、-CN、-NO2 、-SO2 、-SOR'、-SO2 R'或-SO3 R'，且R'各自獨立地表示氫原子、烷基、全鹵烷基、烯基、炔基、雜烷基、芳基或雜芳基；(X-Y)表示輔助配位基；且m表示1至3之整數且n表示0至2之整數，其限制條件為m+n=3。
[9]根據[1]至[8]中任一項之有機電激發光元件，其中輔助配位基(X-Y)為任何乙醯基丙酮酸鹽(acac)、吡啶甲酸鹽(pic)、乙醯基丙酮酸鹽(acac)之衍生物以及吡啶甲酸鹽(pic)之衍生物。
[10]　一種組成物，其包括由式(1)表示之化合物以及由式(T-1)表示之化合物，此等化合物如[1]中所述。
[11]　一種發光層，其包括由式(1)表示之化合物以及由式(T-1)表示之化合物，此等化合物如[1]中所述。
[12]　一種膜形成方法，其中藉由同時加熱使如[1]中所述之由式(1)表示之化合物以及由式(T-1)表示之化合物昇華並形成膜。
[13]　一種發光裝置，其包括根據[1]至[9]中任一項之有機電激發光元件。
[14]　一種顯示裝置，其包括根據[1]至[9]中任一項之有機電激發光元件。
[15]　一種照明裝置，其包括根據[1]至[9]中任一項之有機電激發光元件。
本發明之優點
本發明之有機電激發光元件具有低功率消耗、高外部量子效率以及極佳耐久性。另外，其在高溫驅動下具有小色度偏移，且因此即使對於在高溫條件下要求具有驅動耐久性之用途、諸如汽車用途中，亦可傳遞穩定的效能。
在下式(1)至(3)以及下式(T-1)至(T-4)之說明中，表述「氫原子(hydrogen atom)」意欲亦包含其同位素(諸如氘原子)，且構成取代基之表述「原子」意欲亦包含其同位素。
在本發明中，所使用之諸如烷基之取代基中的表述「碳原子數目」的意思是取代基可另外具有其他取代基且其他取代基中所含之碳原子亦視為取代基之碳原子。
且用語「雜烷基(heteroalkyl group)」指烷基之至少一個碳原子經O、NR或S置換。
本發明有機電激發光元件在基板上含有一對電極，且發光層夾在此對電極之間，且發光層含有由下式(1)表示之化合物以及由下式(T-1)表示之化合物。
以下說明由式(1)表示之化合物。
(Cz)p─L─(A)q　(1)
在式(1)中，Cz表示經取代或未經取代之芳基咔唑基、或經取代或未經取代之咔唑基芳基，L表示單鍵、經取代或未經取代之伸芳基、經取代或未經取代之伸環烷基、或自經取代或未經取代之雜芳族環衍生之基團，A表示自經取代或未經取代之6員含氮雜芳族環衍生之基團，且p以及q各自獨立地表示1至6之整數。
以下詳細說明式(1)。
Cz表示經取代或未經取代之芳基咔唑基、或經取代或未經取代之咔唑基芳基。
各芳基咔唑基以及咔唑基芳基中芳基之碳數目較佳為6至30，實例包含苯基、萘基、蒽基、菲基、稠四苯基、芘基、茀基、聯苯基以及聯三苯基。在此等基團中，苯基、萘基、聯苯基以及聯三苯基較佳，苯基以及聯苯基尤其較佳。
雖然對各芳基咔唑基以及咔唑基芳基中芳基於咔唑環上之取代位置不加以特別限制，但就化學穩定性以及載子傳輸能力而言，較佳芳基取代咔唑環之2位、3位、6位、7位或9位上之氫，更佳使芳基取代咔唑環之3位、6位以及9位上之氫，且最佳使芳基取代咔唑環之9位(N位)上之氫。
當Cz表示芳基咔唑基時，雖然對Cz-L連接並無特別限制，但芳基咔唑基較佳以咔唑環之2位、3位、6位、7位或9位(N位)連接至L，較佳以咔唑環之3位、6位或9位(N位)連接至L，尤其較佳以咔唑環之9位(N位)連接至L。
然而，較佳Cz為咔唑基芳基。
A表示自經取代或未經取代之6員含氮雜芳族環衍生之基團，較佳表示碳數目為2至40之自6員含氮雜芳族環衍生之基團。由A表示之基團可具有兩個或兩個以上取代基，且此等取代基可彼此組合並形成環。
6員含氮雜芳族環或具有6員含氮雜芳族環之含氮雜芳族環的實例包含吡啶、嘧啶、吡嗪、噠嗪、三嗪、氮雜吲哚嗪、吲哚嗪、嘌呤、喋啶、β-咔啉、啶、喹喏啉、聯三吡啶、聯吡啶、吖啶、啡啉、吩嗪以及咪唑並吡啶。在此等環中，吡啶、嘧啶、吡嗪以及三嗪較佳，吡啶以及嘧啶更佳，且嘧啶最佳。
L表示單鍵、經取代或未經取代之伸芳基、經取代或未經取代之伸環烷基、或自經取代或未經取代之雜芳族環衍生之基團。
伸芳基較佳為碳原子數為6至30之伸芳基，實例包含伸苯基、伸聯苯基、伸聯三苯基、伸萘基、伸蒽基、伸菲基、伸芘基、伸[艸快](chrysenyl)基、伸茀蒽基以及伸全氟芳基。在此等基團中，伸苯基、伸聯苯基、伸聯三苯基以及伸全氟芳基相對於其他較佳，伸苯基、伸聯苯基以及伸聯三苯基更佳，且伸苯基以及伸聯苯基進一步較佳。
伸環烷基較佳為碳原子數為5至30之伸環烷基，實例包含伸環戊基、伸環己基以及伸環庚基。在此等基團中，伸環戊基以及伸環己基相對於其他較佳，且伸環己基更佳。
自雜芳族環衍生之基團較佳為碳原子數為2至30之自雜芳族環衍生之基團，實例包含分別自以下衍生之基團：1-吡咯基、2-吡咯基、3-吡咯基、吡嗪基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、1-吲哚基、2-吲哚基、3-吲哚基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、1-異吲哚基、2-異吲哚基、3-異吲哚基、4-異吲哚基、5-異吲哚基、6-異吲哚基、7-異吲哚基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-苯並呋喃基、3-苯並呋喃基、4-苯並呋喃基、5-苯並呋喃基、6-苯並呋喃基、7-苯並呋喃基、1-異苯並呋喃基、3-異苯並呋喃基、4-異苯並呋喃基、5-異苯並呋喃基、6-異苯並呋喃基、7-異苯並呋喃基、2-喹啉基、3-喹啉基、4-喹啉基、5-喹啉基、6-喹啉基、7-喹啉基、8-喹啉基、1-異喹啉基、3-異喹啉基、4-異喹啉基、5-異喹啉基、6-異喹啉基、7-異喹啉基、8-異喹啉基、2-喹喏啉基、5-喹喏啉基、6-喹喏啉基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、9-咔唑基、1-啡啶基、2-啡啶基、3-啡啶基、4-啡啶基、6-啡啶基、7-啡啶基、8-啡啶基、9-啡啶基、10-啡啶基、1-吖啶基、2-吖啶基、3-吖啶基、4-吖啶基、9-吖啶基、1,7-啡啉-2-基、1,7-啡啉-3-基、1,7-啡啉-4-基、1,7-啡啉-5-基、1,7-啡啉-6-基、1,7-啡啉-8-基、1,7-啡啉-9-基、1,7-啡啉-10-基、1,8-啡啉-2-基、1,8-啡啉-3-基、1,8-啡啉-4-基、1,8-啡啉-5-基、1,8-啡啉-6-基、1,8-啡啉-7-基、1,8-啡啉-9-基、1,8-啡啉-10-基、1,9-啡啉-2-基、1,9-啡啉-3-基、1,9-啡啉-4-基、1,9-啡啉-5-基、1,9-啡啉-6-基、1,9-啡啉-7-基、1,9-啡啉-8-基、1,9-啡啉-10-基、1,10-啡啉-2-基、1,10-啡啉-3-基、1,10-啡啉-4-基、1,10-啡啉-5-基、2,9-啡啉-1-基、2,9-啡啉-3-基、2,9-啡啉-4-基、2,9-啡啉-5-基、2,9-啡啉-6-基、2,9-啡啉-7-基、2,9-啡啉-8-基、2,9-啡啉-10-基、2,8-啡啉-1-基、2,8-啡啉-3-基、2,8-啡啉-4-基、2,8-啡啉-5-基、2,8-啡啉-6-基、2,8-啡啉-7-基、2,8-啡啉-9-基、2,8-啡啉-10-基、2,7-啡啉-1-基、2,7-啡啉-3-基、2,7-啡啉-4-基、2,7-啡啉-5-基、2,7-啡啉-6-基、2,7-啡啉-8-基、2,7-啡啉-9-基、2,7-啡啉-10-基、1-啡嗪基、2-啡嗪基、1-啡噻嗪基、2-啡噻嗪基、3-啡噻嗪基、4-啡噻嗪基、10-啡噻嗪基、1-啡噁嗪基、2-啡噁嗪基、3-啡噁嗪基、4-啡噁嗪基、10-啡噁嗪基、2-噁唑基、4-噁唑基、5-噁唑基、2-噁二唑基、5-噁二唑基、3-呋呫基、2-噻吩基、3-噻吩基、2-甲基吡咯-1-基、2-甲基吡咯-3-基、2-甲基吡咯-4-基、2-甲基吡咯-5-基、3-甲基吡咯-1-基、3-甲基吡咯-2-基、3-甲基吡咯-4-基、3-甲基吡咯-5-基、2-第三丁基吡咯-4-基、3-(2-苯基丙基)吡咯-1-基、2-甲基-1-吲哚基、4-甲基-1-吲哚基、2-甲基-3-吲哚基、4-甲基-3-吲哚基、2-第三丁基-1-吲哚基、4-第三丁基-1-吲哚基、2-第三丁基-3-吲哚基以及4-第三丁基-3-吲哚基。在此等基團中，分別自吡啶基、喹啉基、吲哚基以及咔唑基衍生之基團相對於其他較佳，且分別自吡啶基以及咔唑基衍生之基團更佳。
L較佳表示單鍵、伸苯基、伸聯苯基、伸環己基、伸吡啶基或伸咔唑基，更佳表示單鍵、伸苯基或伸聯苯基，且進一步較佳表示單鍵或伸苯基。
式(1)中由Cz以及A表示之基團各自之取代基的實例可包含鹵素原子(諸如氟、氯、溴以及碘)、咔唑基、羥基、經取代或未經取代之胺基、硝基、氰基、矽烷基、三氟甲基、羰基、羧基、經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之烯基、經取代或未經取代之芳烷基、經取代或未經取代之芳基、經取代或未經取代之芳族雜環基、經取代或未經取代之芳氧基以及經取代或未經取代之烷氧基。在此等取代基中，氟原子、甲基、伸全氟苯基、苯基、萘基、吡啶基、吡唑基、嘧啶基、金剛烷基、苄基、硝基、氰基、矽烷基、三氟甲基、咔唑基以及僅此等基團之組合較佳，氟原子、甲基、苯基、吡啶基、嘧啶基、氰基、矽烷基、咔唑基以及僅此等基團之組合更佳，苯基、吡啶基、嘧啶基、咔唑基以及僅此等基團之組合進一步較佳，且苯基最佳。當由Cz或A表示之基團具有兩個或兩個以上取代基時，此等取代基可彼此組合並形成環。
式(1)中之p以及q各自獨立地表示1至6、較佳1至4、更佳1至3且進一步較佳1或2之整數。
由式(1)表示之化合物較佳為由下式(2)表示之化合物。
在式(2)中，Cz表示經取代或未經取代之芳基咔唑基、或經取代或未經取代之咔唑基芳基；L表示單鍵、經取代或未經取代之伸芳基、經取代或未經取代之伸環烷基、或自經取代或未經取代之雜芳族環衍生之基團，且L連接至Ar1 、Ar2 、X1 、X2 或X3 中之碳原子，Ar1 以及Ar2 各自獨立地表示經取代或未經取代之芳基、經取代或未經取代之伸芳基、或自經取代或未經取代之雜芳族環衍生之基團；X1 、X2 以及X3 各自獨立地表示氮原子或碳原子，其可具有取代基；且p以及q各自獨立地表示1至6之整數。
以下詳細說明式(2)。
式(2)中Cz、L、p以及q之定義分別與式(1)中相同，且式(2)中Cz、L、p以及q之較佳實例亦與式(1)中相同。
Ar1 以及Ar2 各自獨立地表示經取代或未經取代之芳基、經取代或未經取代之伸芳基、或自經取代或未經取代之雜芳族環衍生之基團。
芳基較佳為碳原子數為6至30之經取代或未經取代之芳基，實例包含苯基、聯苯基、聯三苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、[艸快](chrysenyl)基、茀蒽基以及全氟芳基。在此等基團中，苯基、聯苯基、聯三苯基以及全氟芳基較佳，苯基、聯苯基以及聯三苯基更佳，且苯基以及聯苯基進一步較佳。
伸芳基較佳為碳原子數為6至30之伸芳基，且其實例以及伸芳基較佳之基團與式(1)中L之說明中所述相同。且自雜芳族環衍生之基團較佳為經取代或未經取代之基團且碳原子數為2至30之雜芳族環，且其實例以及此基團較佳之基團與式(1)中L之說明中所述相同。當取代基連接至此等基團時，取代基以及作為取代基較佳之基團的實例與作為式(1)中Cz以及A之取代基所述之實例相同。
環成員X1 、X2 以及X3 各自獨立地表示氮原子或碳原子，其可具有取代基。X1 、X2 以及X3 中至多兩個為氮原子之情況較佳，X1 、X2 以及X3 中無一者或其中一個為氮原子之情況更佳，且X1 、X2 以及X3 中任一個為氮原子之情況最佳。當X1 、X2 以及X3 中任一個為氮原子時，較佳X1 以及X3 中任一個為氮原子。式(2)中含X1 至X3 之環較佳為吡啶或嘧啶，更佳為嘧啶。可鍵結至碳原子之取代基以及作為取代基較佳之基團的實例與作為式(1)中Cz以及A之取代基所述之實例相同。另外，雖然對式(2)中L之連接位置無特別限制，但就化學穩定性以及載子傳輸能力而言，L較佳連接至Ar1 中之碳原子。
由式(1)表示之化合物更佳為由下式(3)表示之化合物。
在式(3)中，X4 以及X5 各自獨立地表示氮原子或碳原子，其可具有取代基，較佳X4 或X5 中任一者表示氮原子且另一者表示碳原子，其可具有取代基；L'表示單鍵、經取代或未經取代之伸芳基、經取代或未經取代之伸環烷基、或自經取代或未經取代之雜芳族環衍生之基團；R1 至R5 各自獨立地表示取代基；n1至n5各自獨立地表示0至5之整數；且p'以及q'各自獨立地表示1至4之整數。
以下詳細說明式(3)。
X4 以及X5各自獨立地表示氮原子或碳原子，其可具有取代基。在本文中，較佳X4 或X5 中任一者表示氮原子且另一者表示碳原子，其可具有取代基。
在式(3)中，含X4 以及X5 之環較佳為吡啶或嘧啶，更佳為嘧啶。鍵結至碳原子之取代基以及作為取代基較佳之基團的實例與作為式(1)中Cz以及A之取代基所述之實例相同。
式(3)中L'之定義與式(1)中L之定義相同，且作為L'較佳之基團與作為L較佳之基團相同。且L'連接至式(3)中所繪製之含氮雜芳族環結構中之苯環。
R1 至R5 各自獨立地表示取代基。取代基以及較佳取代基之實例與作為式(1)中Cz以及A之取代基所述之實例相同。當存在一個以上R1 、R2 、R3 、R4 或R5 時，各R1 、R2 、R3 、R4 或R5 可分別與所有其他R1 、R2 、R3 、R4 或R5 相同或不同。
n1至n5各自獨立地表示0至5之整數。且各自較佳為0、1或2，更佳為0或1，進一步較佳為0。
p'以及q'各自獨立地表示1至4之整數。且各自較佳為1、2或3，更佳為1或2。
由式(1)表示之化合物最佳僅由碳原子、氫原子以及氮原子構成。
由式(1)表示之化合物之分子量較佳為400至1,000，更佳為450至800，且進一步較佳為500至700。
具有膜形式的由式(1)表示之化合物所具有之最低三重激發態(T1)能量較佳為2.61電子伏(62千卡/莫耳)至3.51電子伏(80千卡/莫耳)，更佳為2.69電子伏(63.5千卡/莫耳)至3.51電子伏(80千卡/莫耳)，進一步較佳為2.76電子伏(65千卡/莫耳)至3.51電子伏(80千卡/莫耳)。
由式(1)表示之化合物之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為80℃至400℃，更佳為100℃至400℃，進一步較佳為120℃至400℃。
式(1)中之氫原子亦可包含氫之同位素原子(諸如氘原子)。在此情況下，化合物可呈所有氫原子均經氫同位素原子置換的狀態，或其可為氫原子經氫同位素原子不同程度地部分置換之化合物的混合物。
雖然由式(1)表示之化合物之實例說明如下，但本發明不應解釋為受此等實例限制。另外，以下實例中之Ph表示苯基。
例示由式(1)表示之化合物之上述化合物可根據各種方法合成，諸如WO 03/080760、WO 03/078541以及WO 05/085387篇章中所揭露之方法。
舉例而言，例示化合物4之化合物可根據WO 05/085387篇章(第45頁第11列至第46頁第18列)中所揭露之方法使用間溴苯甲醛作為起始材料合成。例示化合物45之化合物可根據WO 03/080760篇章第46頁第9行至第12行中所揭露之方法使用3,5-二溴苯甲醛作為起始材料合成。另外，例示化合物68之化合物可根據WO 05/022962篇章第137頁第10行至第139頁第9行中所揭露之方法使用N-苯基咔唑作為起始物質合成。
在本發明中，由式(1)表示之化合物亦可併入除發光層以外的任何層中。適於引入由式(1)表示之化合物之層的實例包含發光層、電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層、激子阻擋層以及電荷阻擋層。較佳地，由式(1)表示之化合物可引入一個或任一或多個彼等層中。
當由式(1)表示之化合物併入發光層中時，化合物含量相對於發光層之總質量較佳為0.1質量%至99質量%，更佳為1質量%至95質量%，進一步較佳為10質量%至95質量%。當由式(1)表示之化合物另外併入除發光層以外的某一層中時，化合物含量較佳為70質量%至100質量%，更佳為85質量%至100質量%。
＜由式(T-1)表示之化合物＞
以下說明由式(T-1)表示之化合物。
在式(T-1)中，R3 '表示烷基、雜烷基、芳基或雜芳基，各自可進一步具有取代基Z。
R5 表示芳基或雜芳基，其各自可進一步具有非芳族取代基。
環Q表示芳族雜環或縮合之芳族雜環，其具有至少一個氮原子以與Ir形成配位鍵，且環Q可進一步具有非芳族取代基。
R3 、R4 以及R6 各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、炔基、-CN、-CF3 、-Cn F2n+1 、三氟乙烯基、-CO2 R、-C(O)R、-NR2 、-NO2 、-OR、鹵素原子、芳基或雜芳基，各自可進一步具有取代基Z。
R3 與R4 可彼此組合形成縮合之4至7員環，且縮合之4至7員環為環烷烴環、環雜烷烴、芳烴或雜芳烴，各自可進一步具有取代基Z。
R3 '與R6 可藉由經以下組成的族群中選出之連接基團連接形成環：-CR2 -CR2 -、-CR=CR-、-CR2 -、-O-、-NR-、-O-CR2 -、-NR-CR2 -以及-N=CR-，R各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、炔基、雜烷基、芳基或雜芳基，各自可進一步具有取代基Z。
Z各自獨立地表示鹵素原子、-R'、-OR'、-N(R')2 、-SR'、-C(O)R'、-C(O)OR'、-C(O)N(R')2 、-CN、-NO2 、-SO2 、-SOR'、-SO2 R'或-SO3 R'，且R'各自獨立地表示氫原子、烷基、全鹵烷基、烯基、炔基、雜烷基、芳基或雜芳基。
(X-Y)表示輔助配位基。
m表示1至3之整數，且n表示0至2之整數，其限制條件為m+n=3。
由式(T-1)表示之化合物為具有銥(Ir)作為金屬之錯合物，且可對發光之高量子產率作出卓越貢獻。
由各R3 '、R3 、R4 以及R6 表示之烷基可具有取代基且可為飽和或不飽和烷基。烷基可具有之取代基之實例包含下文作為取代基Z所述之實例。由各上述R以及R'表示之烷基為碳原子總數較佳為1至8、更佳為1至6之烷基，實例包含甲基、乙基、異丙基、環己基以及第三丁基。
由R3 '表示之雜烷基可為藉由用O、NR或S取代上文所述之任何烷基中至少一個碳原子所形成之基團。
由各R3 '、R、R'以及R3 至R5 表示之芳基較佳為碳原子數為6至30之經取代或未經取代之芳基，諸如苯基、甲苯基或萘基。
由各R3 '、R、R'以及R3 至R6 表示之雜芳基較佳為碳原子數為5至8之雜芳基，更佳為經取代或未經取代之5員或6員雜芳基，實例包含吡啶基、吡嗪基、噠嗪基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、[口辛]啉(cinnolinyl)基、呔嗪基、喹喏啉基、吡咯基、吲哚基、呋喃基、苯並呋喃基、噻吩基、苯並噻吩基、吡唑基、咪唑基、苯並咪唑基、三唑基、噁唑基、苯並噁唑基、噻唑基、苯並噻唑基、異噻唑基、苯並異噻唑基、噻二唑基、異噁唑基、苯並異噁唑基、吡咯啶基、哌啶基、哌嗪基、咪唑啶基、噻唑啉基以及環丁碸基(sulfolanyl)。
由R3 '表示之雜芳基之實例較佳為吡啶基、嘧啶基、咪唑基以及噻吩基，更佳為吡啶基以及嘧啶基。
作為R3 '較佳之基團包含甲基、乙基、丙基以及丁基。在此等基團中，甲基以及乙基更佳，且甲基進一步較佳。
R5 表示芳基或雜芳基，且芳基或雜芳基之至少一個氫原子可經非芳族基團置換。
R5 中之非芳族基較佳為烷基、烷氧基、氟基、氰基、烷基胺基或二芳基胺基，更佳為烷基、氟基或氰基，進一步較佳為烷基。
作為R5 較佳之基團為苯基、對甲苯基以及萘基。在此等基團中，苯基更佳。
較佳R3 、R4 以及R6 各自表示氫原子、烷基、氰基、三氟甲基、全氟烷基、二烷基胺基、氟基、芳基或雜芳基。在此等基團中，氫原子、烷基、氰基、三氟甲基、氟基以及芳基更佳，且氫原子、烷基以及芳基進一步較佳。
R3 、R4 以及R6 中各自之取代基Z較佳為烷基、烷氧基、氟基、氰基或二烷基胺基。各R3 、R4 以及R6 均無取代基Z更佳。
環Q表示之芳族雜環之實例包含吡啶環、吡嗪環、嘧啶環、吡唑環、咪唑環、三唑環、噁唑環、噁二唑環、噻唑環以及噻二唑環。在此等環中，吡啶環以及吡嗪環較佳，且吡啶環更佳。
環Q表示之縮合之芳族雜環的實例包含喹啉環、異喹啉環以及喹喏啉環。在此等環中，喹啉環以及異喹啉環較佳，且喹啉環更佳。
環Q可具有作為取代基之非芳族基團較佳為烷基、烷氧基、氟基、氰基、烷基胺基或二芳基胺基，更佳為烷基、氟基或氰基。
m表示1至3、較佳2或3、更佳2之整數。
n表示0至2、較佳0或1、更佳1之整數。
且進一步較佳地，m表示2且n表示1。
(X-Y)表示輔助配位基。認為，雖然此配位基不對光敏性產生直接貢獻，但可改變分子之光敏性。此配位基因此稱為「輔助」配位基。關於配位基所給之「光敏」以及「輔助」之定義是針對非屬性理論。舉例而言，對於Ir情況下之雙齒配位基，n可表示0、1或2。適用於發光材料之輔助配位基可自所屬領域中迄今已知之發光材料中選出。Lamansky等人,PCT申請案WO-A1-0215645第89-90頁描述雙齒配位基之非屬性用途之實例，此PCT申請案經引用作為參考文獻。輔助配位基之合適實例包含乙醯基丙酮酸鹽(acac)、吡啶甲酸鹽(pic)以及其衍生物。自達成錯合物穩定性以及高發光效率之觀點來看，本發明中較佳之輔助配位基為乙醯基丙酮酸鹽。
由式(T-1)表示之化合物較佳為由下式(T-2)表示之化合物。
在式(T-2)中，R3 '表示烷基、雜烷基、芳基或雜芳基，各自可進一步具有取代基Z。
R4 '至R6 '各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、炔基、雜烷基、芳基或雜芳基，各自可進一步具有取代基Z。
或者，R3 '與R4 '、或R4 '與R5 '、或R5 '與R6 '可彼此組合形成縮合之4至7員環，且縮合之4至7員環為環烷烴環、環雜烷烴環、芳烴環或雜芳烴環，各自可進一步具有取代基Z。
R3 '與R6 可藉由經由由以下組成的族群中選出之連接基團連接形成環：-CR2 -CR2 -、-CR=CR-、-CR2 -、-O-、-NR-、-O-CR2 -、-NR-CR2 -以及-N=CR-，R各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、炔基、雜烷基、芳基或雜芳基，各自可進一步具有取代基Z。
R5 表示芳基或雜芳基，各自可進一步具有非芳族基。
R3 、R4 以及R6 各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、炔基、-CN、-CF3 、-Cn F2n+1 、三氟乙烯基、-CO2 R、-C(O)R、-NR2 、-NO2 、-OR、鹵素原子、芳基或雜芳基，各自可進一步具有取代基Z。
或者，R3 與R4 可彼此組合形成縮合之4至7員環，且縮合之4至7員環為環烷烴環、環雜烷烴環、芳烴環或雜芳烴環，各自可進一步具有取代基Z。
Z各自獨立地表示鹵素原子、-R'、-OR'、-N(R')2 、-SR'、-C(O)R'、-C(O)OR'、-C(O)N(R')2 、-CN、-NO2 、-SO2 、-SOR'、-SO2 R'或-SO3 R'，且R各自獨立地表示氫原子、烷基、全鹵烷基、烯基、炔基、雜烷基、芳基或雜芳基。
(X-Y)表示輔助配位基。
m表示1至3之整數，且n表示0至2之整數，其限制條件為m+n=3。
式(T-2)中之R3 '、R3 至R6 、(X-Y)、m以及n分別與式(T-1)中之R3 '、R3 至R6 、(X-Y)、m以及n具有相同之含義，且其各別較佳者亦類似。
R4 '較佳表示氫原子、烷基、芳基或氟基，且更佳表示氫原子。
R5 '與R6 '較佳表示氫原子或彼此組合形成縮合之4至7員環，且縮合之4至7員環較佳為環烷烴環、環雜烷烴環、芳烴環或雜芳烴環，更佳為芳烴環。
當由R4 '至R6 '表示之基團各自可具有取代基Z時，取代基Z較佳為烷基、烷氧基、氟基、氰基、烷基胺基或二芳基胺基，更佳為烷基。
由式(T-2)表示之化合物較佳為由下式(T-3)表示之化合物。
在式(T-3)中，R4 '表示氫原子、烷基、烯基、炔基、雜烷基、芳基或雜芳基，各自可進一步具有取代基Z。
R5 "與R6 "表示氫原子或彼此組合形成縮合之4至7員環，且縮合之4至7員環為環烷烴環、環雜烷烴環、芳烴環或雜芳烴環。
R3 、R4 以及R6 各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、炔基、-CN、-CF3 、-Cn F2n+1 、三氟乙烯基、-CO2 R、-C(O)R、-NR2 、-NO2 、-OR、鹵素原子、芳基或雜芳基，各自可進一步具有取代基Z。
或者，R3 與R4 可彼此組合形成縮合之4至7員環，且縮合之4至7員環為環烷烴環、環雜烷烴環、芳烴環或雜芳烴環，各自可具有取代基Z。
Z各自獨立地表示鹵素原子、-R'、-OR'、-N(R')2 、-SR'、-C(O)R'、-C(O)OR'、-C(O)N(R')2 、-CN、-NO2 、-SO2 、-SOR'、-SO2 R'或-SO3 R'，且R'各自獨立地表示氫原子、烷基、全鹵烷基、烯基、炔基、雜烷基、芳基或雜芳基。
(X-Y)表示輔助配位基。
m表示1至3之整數，且n表示0至2之整數，其限制條件為m+n=3。
式(T-3)中之R4 '、R3 、R4 、R6 、(X-Y)、m以及n分別與式(T-2)中之R4 '、R3 、R4 、R6 、(X-Y)、m以及n具有相同之含義，且其各別較佳者亦類似。
較佳R5 "與R6 "各自表示氫原子或R5 "與R6 "組合在一起形成芳烴環，且進一步較佳R5 "與R6 "組合在一起形成芳烴環。
由式(T-3)表示之化合物較佳為由下式(T-4)表示之化合物。
在式(T-4)中，R3 、R4 以及R6 各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、炔基、-CN、-CF3 、-Cn F2n+1 、三氟乙烯基、-CO2 R、-C(O)R、-NR2 、-NO2 、-OR、鹵素原子、芳基或雜芳基，各自可進一步具有取代基Z。
Z各自獨立地表示鹵素原子、-R'、-OR'、-N(R')2 、-SR'、-C(O)R'、-C(O)OR'、-C(O)N(R')2 、-CN、-NO2 、-SO2 、-SOR'、-SO2 R'或-SO3 R'，且R'各自獨立地表示氫原子、烷基、全鹵烷基、烯基、炔基、雜烷基、芳基或雜芳基。
(X-Y)表示輔助配位基。
m表示1至3之整數，且n表示0至2之整數，其限制條件為m+n=3。
式(T-4)中之R3 、R4 、R6 、(X-Y)、m以及n分別與式(T-1)中之R3 、R4 、R6 、(X-Y)、m以及n具有相同之含義，且其各別較佳者亦類似。
雖然由式(T-1)表示之化合物之實例說明如下，但本發明不應解釋為限於此等實例。
以上作為由式(T-1)表示之化合物之實例說明的化合物可根據JP-A-2009-99783以及美國專利7279232中所揭露之各種方法合成。舉例而言，例示化合物TM-1可根據美國專利7279232第21欄第1行至第27欄第33行所揭露之方法藉由使用2-氯-3-甲基喹啉作為起始物質來合成。且例示化合物TM-2可根據美國專利7279232第29欄第1行至第31欄第29行所揭露之方法藉由使用2-溴-3-甲基吡啶來合成。
在本發明中，雖然由式(T-1)表示之化合物併入發光層中，但其用使不受限制而且化合物可進一步併入有機層之間的任何層中。
在本發明中，式(T-1)化合物與式(1)化合物均併入發光層中以使高溫驅動下之色度偏移降至最小。
當由式(T-1)表示之化合物併入發光層中時，化合物含量相對於發光層之總質量較佳為0.1質量%至30質量%，更佳為1質量%至20質量%，進一步較佳為5質量%至15質量%。
＜含式(1)化合物以及式(T-1)化合物之組成物＞
本發明亦關於一種組成物，其含有由式(1)表示之化合物以及由式(T-1)表示之化合物。
組成物中由式(1)表示之化合物之含量較佳為50質量%至99質量%，更佳為70質量%至95質量%。
組成物中由式(T-1)表示之化合物之含量較佳為1質量%至30質量%，更佳為5質量%至15質量%。
組成物可含有之其他成分可為有機物質或無機物質。可用作有機物質的是下文作為主體材料、螢光材料、磷光材料以及烴材料、較佳主體材料以及烴材料、更佳由下文說明之式(VI)表示之化合物所述的材料。
本發明之組成物可藉由使用例如乾式制膜方法形成有機電激發光元件之有機層，所述方法諸如氣相沈積法或濺鍍法、轉移法或印刷法。
＜有機電激發光元件＞
以下詳細描述本發明元件。
本發明電激發光元件具有第一電極以及第二電極(各自位於基板上)以及夾在第一電極與第二電極之間的發光層。另外，發光層含有由式(1)表示之化合物以及由式(T-1)表示之化合物。
在本發明有機電激發光元件中，發光層為有機層，且可進一步包含兩個或兩個以上有機層。
就發光元件之性質而言，較佳兩個電極陽極以及陰極中之至少一者為透明的或半透明的。
圖1顯示本發明有機電激發光元件之結構的一個實例。圖1中所示之本發明有機電激發光元件10在支撐基板2上具有發光層6，發光層6夾在陽極3與陰極9之間。更特定言之，在陽極3與陰極9之間按提及順序堆疊有電洞注入層4、電洞傳輸層5、發光層6、電洞阻擋層7以及電子傳輸層8。
＜有機層之結構＞
有機層之層結構無特別限制，且其層結構可根據使用有機電激發光元件之目的進行適當選擇。然而，較佳有機層形成於透明電極或背電極上。在此情況下，有機層形成於透明電極或背電極上之前端部分或整個部分。
有機層在諸如形狀、尺寸以及厚度無特別限制，且此等因素可根據有機層之預定目的酌情選擇。
雖然以下為層結構之具體實例，但此等層結構不應理解為限制本發明之範疇。
‧陽極/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/陰極
‧陽極/電洞傳輸層/發光層/阻擋層/電子傳輸層/陰極
‧陽極/電洞傳輸層/發光層/阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/陰極
‧陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/阻擋層/電子傳輸層/陰極
‧陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/陰極
有機電激發光元件之結構、基板、陰極以及陽極描述於例如JP-A-2008-270736中，且此參考文獻中所述之項目亦可應用於本發明。
<基板>
本發明中所用之基板較佳為既不使自有機層發射之光發生散射亦不使所述光衰減的基板。當基板由有機材料製成時，較佳有機材料具有極佳耐熱性、尺寸穩定性、耐溶劑性、電絕緣以及可加工性。
<陽極>
在普通情況下，唯一必要的是陽極應充當供給電洞至 有機層中之電極，且例如陽極之形狀、結構以及尺寸無特別限制。且電極材料可自迄今已知之電極材料根據發光元件之用途以及目的酌情選出。如以上所提及，陽極通常呈透明狀態。
<陰極>
在普通情況下，唯一必要的是陰極應充當供給電子至有機層中之電極，且例如陰極之形狀、結構以及尺寸無特別限制。且電極材料可自迄今已知之電極材料根據發光元件之用途以及目的酌情選出。
JP-A-2008-270736中關於基板、陽極以及陰極所述之內容適用於本發明。
<有機層>
說明本發明之有機層。
-有機層之形成-
本發明有機電激發光元件中之各有機層可根據任何乾式膜形成方法合適地形成，所述方法諸如氣相沈積法或濺鍍法、轉移法、印刷法或其類似方法。
(發光層)
<發光材料>
用於本發明之發光材料較佳為由式(T-1)表示之化合物。
雖然發光層中之發光材料含量相對於構成發光層之化合物之總質量一般為0.1質量%至50質量%，但自耐久性以及外部量子效率之觀點來看，含量較佳為1質量%至50質量%，更佳為2質量%至40質量%。
雖然發光層之厚度不受特別限制，但在普通情況下，較佳為2奈米至500奈米。特定言之，自外部量子效率之觀點來看，厚度更佳為3奈米至200奈米，進一步較佳為5奈米至100奈米。
本發明元件中之發光層可僅由發光材料或發光材料與主體材料之混合物構成。發光材料可為螢光材料或磷光材料，且其中可添加有一種或兩種或兩種以上類型之摻雜劑。主體材料較佳為電荷傳輸材料。可使用一種類型之主體材料或兩種或兩種以上類型之主體材料。舉例而言，主體材料可由電子傳輸主體材料與電洞傳輸主體材料之混合物構成。另外，發光層可含有既不具有電荷傳輸性質亦不發射光之材料。本發明元件中之發光層較佳為使用由式(1)表示之化合物作為主體材料且使用由式(T-1)表示之化合物作為發光材料之發光層。
另外，發光層可為單層，或其可包含多個(兩個或兩個以上)組成層。當發光層包含多個組成層時，兩個或兩個以上組成層各自可含有由式(1)表示之化合物以及由式(T-1)表示之化合物。另外，多個組成層各自可發射發光顏色不同之光。
本發明亦關於一種發光層，其含有由式(1)表示之化合物以及由式(T-1)表示之化合物。本發明發光層可用於有機電激發光元件中。
＜主體材料＞
本發明中所用之主體材料較佳為由式(1)表示之化合物。
由式(1)表示之化合物藉由與由式(T-2)表示之化合物組合使用由式(1)表示之化合物實現為能夠傳輸電洞與電子兩者之化合物，其有可能抑制發光層中傳輸電洞與電子之能力之間的平衡隨溫度、電場以及其他外部環境而變化。且藉此，即使化合物具有咔唑基，亦可增加驅動下之耐久性。此外，高溫驅動下之色度偏移可受到抑制。
本發明中所用之主體材料可進一步含有以下化合物。其實例包含吡咯、吲哚、咔唑(包含CBP(4,4'-二(9-咔唑基)聯苯))、氮雜吲哚、氮雜咔唑、三唑、噁唑、噁二唑、吡唑、咪唑、噻吩、聚芳基烷、吡唑啉、吡唑酮、苯二胺、芳基胺、經胺基取代之查酮(chalcone)、苯乙烯基蒽、茀酮、腙、芪、矽氮烷、芳族三級胺化合物、苯乙烯胺化合物、卟啉化合物、聚矽烷化合物、聚(N-乙烯基咔唑、苯胺共聚物、噻吩寡聚物、傳導性聚合物之寡聚物(如聚噻吩)、有機矽烷、碳膜、吡啶、嘧啶、三嗪、蒽醌二甲烷、蒽酮、二苯醌、硫哌喃二氧化物、碳化二亞胺、亞茀基甲烷、二苯乙烯基吡嗪、經氟取代之芳族化合物、縮合芳族環化合物(諸如萘以及苝)之四羧酸酐、酞菁、各種金屬錯合物(典型的為8-喹啉醇衍生物之金屬錯合物以及配位基為金屬-酞菁、苯並噁唑或苯並噻唑分子之金屬錯合物)、以及上述金屬錯合物之衍生物(例如經取代基置換之衍生物或與其他環縮合之衍生物)。
在本發明之發光層中，較佳就色純度、發光效率以及驅動下之耐久性而言，主體材料(包含由式(1)表示之化合物)之最低三重態激發能(T1 能)高於磷光材料之T1 能。
雖然本發明之主體化合物含量不受特別限制，但就發光效率以及驅動電壓而言，其相對於構成發光層之所有化合物之總質量較佳為15質量%至98質量%。由式(1)表示之化合物較佳構成全部主體化合物之30質量%至98質量%。
當由式(1)表示之化合物引入除發光層以外的層(例如電荷傳輸層)中時，其在此層中之含量較佳為10質量%至100質量%，更佳為30質量%至100質量%。
(螢光材料)
適用於本發明之螢光材料之實例包含苯並噁唑衍生物、苯並咪唑衍生物、苯並噻唑衍生物、苯乙烯基苯衍生物、聚苯衍生物、二苯基丁二烯衍生物、四苯基丁二烯衍生物、萘二甲醯亞胺衍生物、香豆素衍生物、縮合之芳族化合物、哌瑞酮(perinone)衍生物、噁二唑衍生物、噁嗪衍生物、醛肼衍生物、吡咯啶衍生物、環戊二烯衍生物、雙苯乙烯基蒽衍生物、喹吖啶酮衍生物、吡咯並吡啶衍生物、噻二唑並吡啶衍生物、環戊二烯衍生物、苯乙烯胺衍生物、二酮基吡咯並吡咯衍生物、芳族二次甲基衍生物、各種錯合物(典型的為8-喹啉醇衍生物之錯合物以及吡咯亞甲基衍生物之錯合物)、聚合化合物(諸如聚噻吩、聚苯以及聚對苯乙烯)、以及如有機矽烷衍生物之化合物。
(磷光材料)
適用於本發明之磷光材料之實例包含由式(T-1)表示之化合物，且除此以外，其包含以下文獻中所揭露之磷光化合物：US 6303238B1、US 6097147、WO 00/57676、WO 00/70655、WO 01/08230、WO 01/39234A2、WO 01/41512A1、WO 02/02714A2、WO 02/15645A1、WO 02/44189A1、WO 05/19373A2、JP-A-2001-247859、JP-A-2002-302671、JP-A-2002-117978、JP-A-2003-133074、JP-A-2002-235076、JP-A-2003-123982、JP-A-2002-170684、EP 1211257、JP-A-2002-226495、JP-A-2002-234894、JP-A-2001-247859、JP-A-2001-298470、JP-A-2002-173674、JP-A-2002-203678、JP-A-2002-203679、JP-A-2004-357791、JP-A-2006-256999、JP-A-2007-19462、JP-A-2007-84635以及JP-A-2007-96259。彼等化合物中更佳之發光摻雜劑之實例包含Ir錯合物、Pt錯合物、Cu錯合物、Re錯合物、W錯合物、Rh錯合物、Ru錯合物、Pd錯合物、Os錯合物、Eu錯合物、Tb錯合物、Gd錯合物、Dy錯合物以及Ce錯合物。在此等錯合物中，Ir錯合物、Pt錯合物以及Re錯合物尤其較佳，特別是各具有至少一種自金屬-碳、金屬-氮、金屬-氧以及金屬-硫配位鍵選出之配位鍵的Ir錯合物、Pt錯合物以及Re錯合物。就發光效率、驅動下之耐久性、色度等而言，各具有多齒配位基(包含三齒或三齒以上配位基)之Ir錯合物、Pt錯合物以及Re錯合物相較於其他較佳。
發光層中磷光材料之含量相對於發光層之總質量較佳在0.1質量%至50質量%、更佳0.2質量%至50質量%、進一步較佳0.3質量%至40質量%、尤其較佳20質量%至30質量%之範圍內。
適用於本發明之磷光材料(由式(T-1)表示之化合物及/或與其組合使用之磷光材料)的含量相對於發光層之總質量較佳在0.1質量%至50質量%、更佳1質量%至40質量%、尤其較佳5質量%至30質量%之範圍內。特定言之，在5質量%至30質量%之範圍內時，有機電激發光元件之發光色度與所添加磷光材料之濃度的相關性較低。
本發明有機電激發光元件最佳合併有相對於發光層之總質量5質量%至30質量%之量的至少一種由式(T-1)表示之化合物。
有機電激發光元件較佳含有碳氫化合物，特別是在其各別發光層中。
且碳氫化合物較佳為由下式(VI)表示之化合物。
由式(VI)表示之化合物適度與發光材料組合，使得能夠適當控制材料分子之間的交互作用及使相鄰分子之間的能隙交互作用變得均勻，從而允許進一步降低驅動電壓。
此外，由式(VI)表示且適用於有機電激發光元件之化合物具有極佳化學穩定性，且在驅動元件時輕微地引起材料降解(諸如分解)，且因此含有式(VI)化合物之有機電激發光元件可避免由材料分解所致之效率降低以及壽命縮短。
以下說明由式(VI)表示之化合物。
在式(VI)中，R4 、R6 、R8 、R10 以及X4 至X15 各自獨立地表示氫原子、烷基或芳基。
式(VI)中由各R4 、R6 、R8 、R10 以及X4 至X15 表示之烷基可具有金剛烷結構或芳基結構作為取代基，且烷基中碳原子之數目較佳為1至70，更佳為1至50，進一步較佳為1至30，更進一步較佳為1至10，尤其較佳為1至6。且烷基最佳為具有2至6個碳原子之直鏈烷基。
式(VI)中由各R4 、R6 、R8 、R10 以及X4 至X15 表示之烷基之實例包含n-C50 H101 基、n-C30 H61 基、3-(3,5,7-三苯基金剛烷-1-基)丙基(碳原子數：31)、三苯甲基(碳原子數：19)、3-(金剛烷-1-基)丙基(碳原子數：13)、9-十氫萘基(碳原子數：10)、苄基(碳原子數：7)、環己基(碳原子數：6)、正己基(碳原子數：6)、正戊基(碳原子數：5)、正丁基(碳原子數：4)、正丙基(碳原子數：3)、環丙基(碳原子數：3)、乙基(碳原子數：2)以及甲基(碳原子數：1)。
式(VI)中由各R4 、R6 、R8 、R10 以及X4 至X15 表示之芳基可具有金剛烷結構或烷基結構作為取代基，且芳基中碳原子之數目較佳為6至30，更佳為6至20，進一步較佳為6至15，尤其較佳為6至10，最佳為6。
式(VI)中由各R4 、R6 、R8 、R10 以及X4 至X15 表示之芳基之實例包含1-芘基(碳原子數：16)、9-蒽基(碳原子數：14)、1-萘基(碳原子數：10)、2-萘基(碳原子數：10)、對第三丁基苯基(碳原子數：10)、2-間二甲苯基(碳原子數：8)、5-間二甲苯基(碳原子數：8)、鄰甲苯基(碳原子數：7)、間甲苯基(碳原子數：7)、對甲苯基(碳原子數：7)以及苯基(碳原子數：6)。
雖然式(VI)中R4 、R6 、R8 以及R10 各自可為氫原子或烷基或芳基，但自高玻璃轉移溫度較佳之觀點來看，較佳其中至少一個為芳基，更佳其中至少兩個為芳基，且尤其較佳其中3或4個為芳基。
雖然式(VI)中之X4 至X15 各自可為氫原子或烷基或芳基，但較佳各自為氫原子或芳基，尤其為氫原子。
使用真空沈積法或溶液塗佈法製造有機電激發光元件，且因此，就真空沈積適用性以及溶解性而言，本發明中由式(VI)表示之化合物之分子量較佳為2,000或2,000以下，更佳為1,200或1,200以下，尤其為1,000或1,000以下。同樣，自真空沈積適用性之觀點來看，分子量較佳為250或250以上，更佳為350或350以上，尤其較佳為400或400以上。此是因為，當化合物分子量太低時，其蒸氣壓變低且不會自氣相變成固相，且因此化合物難以形成有機層。
由式(VI)表示之化合物較佳在室溫(25℃)下呈固相，更佳在室溫至40℃範圍內呈固相，尤其較佳在室溫至60℃範圍內呈固相。
在使用雖然由式(VI)表示但在室溫下不呈固相之化合物之情況下，有可能藉由組合所述化合物與其他物質而在常溫下形成固相。
由式(VI)表示之化合物之使用不受限制，且化合物可併入任何有機層中。本發明中由式(VI)表示之化合物所引入之層較佳為自以下選出之層：發光層、電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層、激子阻擋層以及電荷阻擋層或兩個或兩個以上此等層之組合，更佳為自以下選出之層：發光層、電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層以及電子注入層或兩個或兩個以上此等層之組合，尤其較佳為自以下選出之層：發光層、電洞注入層以及電洞傳輸層或至少兩個此等層之組合，最佳為發光層。
當由式(VI)表示之化合物用於有機層中時，需要限制其含量以便不抑制電荷可傳輸性，且因此含量較佳為0.1質量%至70質量%，更佳為0.1質量%至30質量%，尤其較佳為0.1質量%至25質量%。
當由式(VI)表示之化合物用於兩個或兩個以上有機層中時，其在各有機層中之含量較佳在上文規定之範圍內。
在任一有機層中，可併入僅一種由式(VI)表示之化合物，或可接任意比例組合任何兩種或兩種以上由式(VI).表示之化合物並併入。
雖然以下說明碳氫化合物之實例，但本發明不應理解為限於此等實例。
由式(VI)表示之化合物可藉由適當組合金剛烷或鹵代金剛烷與鹵代烷或鹵化烷基鎂(格林納試劑(Grignard reagent))來合成。舉例而言，可藉由使用銦來使鹵代金剛烷與鹵代烷之間發生偶合(參考文獻1)。或者，可使鹵代烷轉化成烷基銅試劑，且進一步使所述試劑與芳族化合物之格林納試劑偶合(參考文獻2)。另外，亦可使用適當的芳基硼酸以及鈀催化劑進行鹵代烷之偶合(參考文獻3)。
參考文獻1：Tetrahedron Lett. 39,1998, 9557-9558
參考文獻2：Tetrahedron Lett. 39, 1998, 2095-2096
參考文獻3：J. Am. Chem. Soc. 124, 2002, 13662-13663
具有芳基之金剛烷結構可藉由適當組合金剛烷或鹵代金剛烷與相應芳烴或鹵代芳烴來合成。
另外，即使當規定的取代基在彼等製備方法之某些合成條件下發生變化或其不適合進行彼等方法時，可藉由採 用例如保護官能基以及脫除官能基之保護基的方法來容易地製備預定化合物(T.W.Greene,Protective Groups in Organic Synthesis,John Wiley & Sons Inc.(1981))。另外，亦可改變反應步驟之順序，需要時，酌情包含取代基引入步驟。
雖然發光層之厚度一般不受特別限制，但較佳為1奈米至500奈米，更佳為5奈米至200奈米，進一步較佳為10奈米至100奈米。
電洞注入層與電洞傳輸層
電洞注入層以及電洞傳輸層為功能在於自陽極或陽極側接受電洞且傳輸電洞至陰極側之層。
電子注入層與電子傳輸層
電子注入層以及電子傳輸層為功能在於自陰極或陰極側接受電子且傳輸電子至陽極側之層。
JP-A-2008-270736段落[0165]~[0167]中關於電洞注入層、電洞傳輸層、電子注入層以及電子傳輸層所述之內容適用於本發明。
電洞阻擋層
電洞阻擋層為功能在於阻擋自陽極側傳輸至發光層之電洞經由陰極側傳遞之層。在本發明中，電洞阻擋層可提供為陰極側中鄰接於發光層之有機層。
形成電洞阻擋層之有機化合物之實例包含鋁錯合物，諸如雙(2-甲基-8-喹啉根基)4-苯基酚鋁(III)(縮寫成BAlq)；三唑衍生物；以及啡啉衍生物，諸如2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-啡啉(縮寫成BCP)。
電洞阻擋層之厚度較佳為1奈米至500奈米，更佳為5奈米至200奈米，進一步較佳為10奈米至100奈米。
電洞阻擋層可具有由一種或一種以上的上述材料構成的單層結構或由兩個或兩個以上組成相同或不同之層構成的多層結構。
電子阻擋層
電子阻擋層為功能在於阻止自陰極側傳輸至發光層之電子經由陽極側傳遞之層。在本發明中，電子阻擋層可提供為陽極側上鄰接於發光層之有機層。
作為構成電子阻擋層之化合物之實例，舉例而言，可應用上述電洞傳輸材料。
電子阻擋層之厚度較佳為1奈米至500奈米，更佳為5奈米至200奈米，更進一步較佳為10奈米至100奈米。電子阻擋層可具有由一種或一種以上上述材料構成的單層結構或可為由兩個或兩個以上組成相同或組成不同之層構成的多層結構。
＜保護層＞
在本發明中，整個有機EL元件可塗有保護層。
JP-A-2008-270736段號中關於保護層所述之內容適用於本發明。
＜密封外殼＞
本發明元件之整體可藉由使用密封外殼密封。
JP-A-2008-270736段號中關於密封外殼所述之內容適用於本發明。
＜膜形成方法＞
本發明另外關於一種膜形成方法，其中藉由加熱使由式(1)表示之化合物以及由式(T-1)表示之化合物同時昇華並形成膜。
在膜形成時，較佳將此兩種化合物混合在一起，或可使用本發明之組成物。關於混合物或組成物中所含之由式(1)表示之化合物與由式(T-1)表示之化合物的比例，由式(T-1)表示之化合物相對於由式(1)表示之化合物較佳為1%至45%，更佳為1%至25%。
加熱溫度較佳為200℃至400℃，更佳為250℃至320℃。
加熱時間較佳為0.1小時至350小時，更佳為0.1小時至150小時。
本發明之膜形成方法之優點在於可容易地形成用於具有高效率、高耐久性以及高溫驅動下之顏色偏移輕微之發光層的膜。
(驅動)
當在本發明之各有機電激發光元件之陽極與陰極之間施加直流(根據需要可包含交流組件)電壓(通常在2伏至15伏範圍內)或直流電流時，本發明之各有機電激發光元件可產生發光。
至於本發明有機電激發光元件之驅動方法，可應用JP-A-2-148687、JP-A-6-301355、JP-A-5-29080、JP-A-7-134558、JP-A-8-234685、JP-A-8-241047、日本專利第2784615號、美國專利第5828429號以及第6023308號中所揭露之驅動方法。
本發明有機電激發光元件之光提取效率可藉由利用各種可公開獲知之改良來增強。舉例而言，可藉由處理基板之表面特徵(例如在基板表面上形成微觀粗糙圖案)或藉由控制基板、ITO層以及有機層之折射率，或藉由控制基板、ITO層以及有機層之厚度等來提高光提取效率以及增加外部量子效率。
本發明發光元件可採用自陽極側提取發光之模式或所謂的頂部發光模式。
本發明有機EL元件可具有諧振器結構。舉例而言，各元件在透明基板上具有彼此疊置之由多個具有不同折射率之層壓膜構成的多層膜鏡面、透明或半透明電極、發光層以及金屬電極。發光層中所產生之光在多層膜鏡面與金屬電極(充當反射板)之間發生反覆反射，由此產生諧振。
在另一態樣中，透明或半透明電極以及金屬電極在透明基板上分別充當反射板，且發光層中所產生之光在反射板之間發生反覆反射，由此產生諧振。
為形成諧振結構，調節由兩個反射板之有效折射率決定之光程以及夾在兩個反射板之間的各層之折射率與厚度以具有最佳值，從而獲得所要的諧振波長。第一態樣情況下之計算式描述於JP-A-9-180883中，而第二態樣情況下之計算式描述於JP-A-2004-127795中。
(本發明發光元件之用途)
本發明發光元件可適合用於發光裝置、像素、指示元件、顯示器、背光、電子照像元件、照明光源、記錄光源、曝光光源、讀數光源、招牌、廣告牌、室內裝飾或光通訊，尤其較佳用於在具有高強度發光之區域中驅動之元件，諸如照明裝置以及顯示裝置。
接著，參考圖2說明本發明之發光裝置。
本發明發光裝置合併有任一種本發明有機電激發光元件。
圖2為示意性顯示本發明發光裝置之一個實例的剖面圖。
圖2中之發光裝置20包含透明基板2(支撐基板)、有機電激發光元件10、密封外殼16等等。
有機電激發光元件10藉由在基板2上按提及順序堆疊陽極3(第一電極)、有機層11以及陰極9(第二電極)而形成。另外，在陰極9上疊置保護層12，且在保護層12上經由黏合層14進一步提供密封外殼16。順便提及，圖2中省略作為各電極3以及9之一部分的隔膜以及絕緣層。
在本文中，黏合層14可使用光固化黏合劑(諸如環氧樹脂)或熱固性黏合劑。或者，可使用熱固性黏合片作為黏合層14。
本發明發光裝置之用途無特別限制，且特定言之，其例如不僅可用作照明裝置，而且亦可用作電視機、個人電腦、行動電話、電子紙或其類似物之顯示裝置。
隨後，參考圖3說明本發明實施例之照明裝置。
圖3為示意性顯示本發明實施例之照明裝置之一個實例的剖面圖。
如圖3所示，有關本發明實施例之照明裝置40配備有有機電激發光元件10以及光散射構件30。更特定言之，照明裝置40經配置以使有機電激發光元件10之基板2與光散射構件30接觸。
雖然光散射構件30無特別限制，只要其可散射光即可，但其合適實例為玻璃基板。且可提供透明樹脂之微粒作為微粒32之合適實例。在此照明裝置40中，自有機電激發光元件10發射之光在光入射平面30A處進入光散射構件30，且進入之光由光散射構件散射，且散射之光自光出射平面30B輸出作為照明用光。
實例
雖然本發明現將參考以下實例更詳細地說明，但此等實例不應理解為限制本發明之範疇。
合成實例1
下文所示之例示化合物TM-1以及TM-13分別根據美國專利第7279232號之實例1以及實例13中描述之方法合成。
實例1
將面積為2.5平方公分且厚度為0.5毫米之塗有氧化銦錫(ITO)膜之玻璃基板(由GEOMATEC公司製造，表面電阻率：10歐姆/平方)置放於潔淨的容器中，且在2-丙醇中進行超音波清洗，且進一步對如此清洗之基板進行30分鐘的紫外線-臭氧處理。在此透明陽極(ITO膜)上，藉由使用真空蒸鍍法依次蒸鍍以下有機層。
第一層：ITO/CuPc(銅酞菁)，厚度：10奈米
第二層：NPD(N,N'-二-α-萘基-N,N'-二苯基)-聯苯胺，厚度：30奈米
第三層：摻雜劑(5質量%)、主體材料(95質量%)，厚度：30奈米
第四層：BAlq，厚度：10奈米
第五層：Alq(參(8-羥基喹啉)鋁錯合物，厚度：40奈米
在此層上，按提及順序蒸鍍0.2奈米厚之氟化鋰膜以及70奈米厚之金屬鋁膜，藉以形成陰極。
將如此獲得之層狀結構置放於已進行氬氣置換之套箱(glove box)中而不暴露於空氣中，且藉助於由不鏽鋼製成之密封罐以及紫外線固化黏合劑(XNR5516HV，由Nagase-Chiba,Ltd製造)密封，由此提供本發明之元件1。
實例2至26以及比較實例1至12
以與實例1相同之方式製造多種元件，其中例外為如表1至3中所示改變第三層之材料。
(有機電激發光元件之效能評估)
對如此獲得之各種元件進行效能評估。
(a)外部量子效率
藉助於由TOYO公司製造之源量測單元2400(Source Measure Unit 2400)施加直流電壓使各元件發射光，且用由TOPCON公司製造之亮度計BM-8量測光強度。並且，用由Hamamatsu Photonics K.K製造之光譜分析儀PMA-11量測發光光譜以及發光波長。基於此等資料，根據亮度轉換法計算亮度為約1,000坎德拉/平方公尺(cd/m2 )之外部量子效率。
(c)驅動耐久性
藉由施加可獲得1,000坎德拉/平方公尺之亮度的直流電壓使各元件繼續發射光，且採用亮度減小至500坎德拉/平方公尺所需之時間作為驅動耐久性指數。在表1至3中，驅動耐久性值以相對值顯示，其中採用比較實例1之情況作為100。
(d)高溫驅動下之色度偏移
採用藉由施加可獲得1,000坎德拉/平方公尺亮度之直流電壓而自各元件發射之光的色度(Δx)與藉由將元件置放於80℃恆溫烘箱中並藉由施加可獲得1,000坎德拉/平方公尺亮度使其持續發光而使亮度減小至500坎德拉/平方公尺時自各元件發射之光的色度(Δy)之間的x值以及y值之差(Δx、Δy)作為高溫驅動下之色度偏移指數。
由表1至3中所示之結果，可見在各別發光層中組合使用由式(1)表示之含咔唑基之主體材料以及由式(T-1)表示之特定銥錯合物的本發明元件之外部量子效率以及驅動耐久性顯著優於比較元件，且高溫驅動後之顏色偏移小於比較元件。
在發光裝置、顯示裝置以及照明裝置之情況下，必需藉由使高電流密度流經各像素部件來使各像素部件瞬時發射高強度光。因此，設計本發明發光元件以增強此等情況下之發光效率，且因此其可有利地使用。
另外，本發明元件即使在高溫環境下使用時，如在汽車內使用之情況下，亦具有優越的發光效率以及耐久性，且因此其適於用於發光裝置、顯示裝置以及照明裝置中。
實例以及比較實例中所用之化合物之結構說明如下。
工業適用性
根據本發明，可提供一種具有極佳發光特性且能夠抑制高溫驅動下之色度偏移且發光效率優良的有機電激發光元件、適用於此種有機電激發光元件之組成物以及發光層、一種適用於此種有機電激發光元件之化合物的膜形成方法、一種發光裝置以及一種照明裝置(各合併有此種有機電激發光元件)。
本申請案基於2009年7月31日提出申請之日本專利申請案第2009-180224號以及2009年9月25日提出申請之日本專利申請案第2009-221665號，因此所述專利申請案之全部內容以引用之方式併入本文中，程度如同已充分闡述一般。
2．．．基板
3．．．陽極
4．．．電洞注入層
5．．．電洞傳輸層
6．．．發光層
7．．．電洞阻擋層
8．．．電子傳輸層
9．．．陰極
10．．．有機電激發光元件(有機EL元件)
11．．．有機層
12．．．保護層
14．．．黏合層
16．．．密封外殼
20．．．發光裝置
30．．．光散射構件
30A．．．光入射平面
30B．．．光出射平面
32．．．微粒
40．．．照明裝置
圖1為顯示有關本發明第一實施例之有機EL元件的層結構之實例的示意圖。
圖2為顯示有關本發明第二實施例之發光裝置之實例的示意圖。
圖3為顯示有關本發明第三實施例之照明裝置之實例的示意圖。
2．．．基板
3．．．陽極
4．．．電洞注入層
5．．．電洞傳輸層
6．．．發光層
7．．．電洞阻擋層
8．．．電子傳輸層
9．．．陰極
10．．．有機電激發光元件(有機EL元件)

Claims (11)

  1. 一種有機電激發光元件，其在基板上具有一對電極以及夾在所述電極之間的發光層，其中所述發光層含有由下式(3)表示之化合物以及由下式(T-3)表示之化合物： 其中X4 以及X5 各自獨立地表示氮原子或碳原子，其可具有取代基Y，其限制條件為X4 或X5 中任一者表示氮原子且另一者表示碳原子，其可具有取代基Y；L'表示單鍵、經取代或未經取代之伸芳基、經取代或未經取代之伸環烷基、或自經取代或未經取代之雜芳族環衍生之基團；R1 至R5 各自獨立地表示取代基Y；n1至n5各自獨立地表示0至5之整數；且p'以及q'各自獨立地表示1至4之整數 其中R4 '表示氫原子、烷基、烯基、炔基、雜烷基、芳基或雜芳基，各自可進一步具有取代基Z；R5 "以及R6 "表示氫原子或彼此組合形成縮合之4至7員環，且所述4至7員環為環烷烴環、環雜烷烴環、芳烴環或雜芳烴環；R3 、R4 以及R6 各自獨立地表示氫原子、氟原子、烷基、-CF3 及環烷基；R各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、炔基、雜烷基、芳基或雜芳基，各自可進一步具有取代基Z；或R3 與R4 可彼此組合形成縮合之4至7員環，且所述4至7員環為環烷烴環、環雜烷烴環、芳烴環或雜芳烴環，各自可具有取代基Z；Z各自獨立地表示鹵素原子、-R'、-OR'、-N(R')2 、-SR'、-C(O)R'、-C(O)OR'、-C(O)N(R')2 、-CN、-NO2 、-SO2 、-SOR'、-SO2 R'或-SO3 R'，且R'各自獨立地表示氫原子、烷基、全鹵烷基、烯基、炔基、雜烷基、芳基或雜芳基；(X-Y)表示輔助配位基；且m表示1至3之整數，且n表示0至2之整數，其限制條件為m+n=3；其中取代基Y包括鹵素原子、咔唑基、羥基、經 取代或未經取代之胺基、硝基、氰基、矽烷基、三氟甲基、羰基、羧基、經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之烯基、經取代或未經取代之芳烷基、經取代或未經取代之芳基、經取代或未經取代之芳族雜環基、經取代或未經取代之芳氧基以及經取代或未經取代之烷氧基。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件，其中式(3)中含有X4 以及X5 之環為吡啶或嘧啶。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件，其中式(3)中含有X4 以及X5 之環為嘧啶。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件，其中所述由式(T-3)表示之化合物為由下式(T-4)表示之化合物： 其中R3 、R4 以及R6 各自獨立地表示氫原子、氟原子、烷基、-CF3 及環烷基；R各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、炔基、雜烷基、芳基或雜芳基，各自可進一步具有取代基Z；Z各自獨立地表示鹵素原子、-R'、-OR'、-N(R')2 、-SR'、-C(O)R'、-C(O)OR'、 -C(O)N(R')2 、-CN、-NO2 、-SO2 、-SOR'、-SO2 R'或-SO3 R'，且R'各自獨立地表示氫原子、烷基、全鹵烷基、烯基、炔基、雜烷基、芳基或雜芳基；(X-Y)表示輔助配位基；且m表示1至3之整數，且n表示0至2之整數，其限制條件為m+n=3。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件，其中所述輔助配位基(X-Y)為任何乙醯基丙酮酸鹽(acac)、吡啶甲酸鹽(pic)、乙醯基丙酮酸鹽(acac)之衍生物以及吡啶甲酸鹽(pic)之衍生物。
  6. 一種組成物，其包括如申請專利範圍第1項中所述的由式(3)表示之化合物以及由式(T-3)表示之化合物。
  7. 一種發光層，其包括如申請專利範圍第1項中所述的由式(3)表示之化合物以及由(T-3)表示之化合物。
  8. 一種膜形成方法，其中藉由同時加熱使如申請專利範圍第1項所述的由式(3)表示之化合物以及由式(T-3)表示之化合物昇華並形成膜。
  9. 一種發光裝置，其包括如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之有機電激發光元件。
  10. 一種顯示裝置，其包括如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之有機電激發光元件。
  11. 一種照明裝置，其包括如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之有機電激發光元件。
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