TWI460544B - Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method - Google Patents

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TWI460544B
TWI460544B TW094126326A TW94126326A TWI460544B TW I460544 B TWI460544 B TW I460544B TW 094126326 A TW094126326 A TW 094126326A TW 94126326 A TW94126326 A TW 94126326A TW I460544 B TWI460544 B TW I460544B
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長坂博之
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Description

曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
本發明係關於，透過液體使基板曝光之曝光裝置及元件製造方法。
半導體元件或液晶顯示元件，係藉由將形成於光罩上之圖案轉印於感光性基板上，即所謂微影方法來製造。在其微影步驟所使用之曝光裝置，具有支撐光罩之光罩載台與支撐基板之基板載台，邊逐次移動光罩載台與基板載台邊透過投影光學系統將光罩之圖案轉印於基板上。近年來，為要對應元件圖案之更高積體化而期待投影光學系統之更高解析度化。投影光學系統之解析度，係所使用之曝光波長越短、投影光學系統之數值孔徑越大，則變越高。藉此，曝光裝置所使用之曝光波長逐年短波長化，投影光學系統之數值孔徑亦增大。又，現在主流之曝光波長雖係KrF準分子雷射光之248nm，但更短波長之ArF準分子雷射光之193nm亦已實用化。又，若要進行曝光時，焦點深度(DOF)亦與解析度同樣重要。解析度R、及焦點深度δ分別以下式表示。
R＝k1 ×λ/NA………(1) δ＝±k2 ×λ/NA2 ………(2)
在此，λ係曝光波長，NA係投影光學系統之數值孔徑，k1 、k2 係比例參數。從式(1)、式(2)得知，為要提高解析度R，若縮短曝光波長λ，增大數值孔徑NA，則會使焦點深度δ變小。
若焦點深度δ過小，對投影光學系統之像面要使與基板表面一致則變成困難，會有曝光動作時之聚焦裕度(focus margin)不足之虞。因此，實質地使曝光波長縮短，且使焦點深度變大之方法，例如，已提案國際公開第99/49504號小冊子所揭示之液浸法。該液浸法，係以水或有機溶劑等液體填滿投影光學系統之下面與基板表面之間來形成液浸區域，利用液體中之曝光用光之波長會變成空氣中之1/n(n係液體之折射率，通常係1.2~1.6左右)來提高解析度，並且將焦點深度放大約n倍。
然而，為了要利用液浸法良好地進行曝光處理，必需使液浸區域形成為期望狀態。因此，較佳為，先掌握液體之液浸區域之狀態，確認液浸區域為期望狀態後，再進行曝光處理。
本發明有鑒於上述情形，其目的在於提供，能掌握液體之液浸區域之狀態之曝光裝置及曝光方法、以及使用該曝光裝置及曝光方法之元件製造方法。
為解決上述問題，本發明係採用對應實施形態所示之各圖之以下構成。但是，附在各要件之括弧符號僅係該要件之例示，不限於各要件。
依本發明之第1形態，提供一種曝光裝置，係透過液浸區域之液體使基板曝光，其特徵在於具備：投影光學系統，具有最靠近其像面之第1光學元件；液浸機構，在設置於該投影光學系統之像面側之既定面與該第1光學元件之間形成液體之液浸區域；及觀察裝置，用以觀察該液浸區域之狀態。
依本發明之第2形態，提供一種曝光裝置，係透過液浸區域之液體使基板曝光，其特徵在於具備：投影光學系統，具有最靠近其像面之第1光學元件、及次於該第1光學元件靠近其像面之第2光學元件；液浸機構，用以在該第1光學元件與該第2光學元件之間形成液體之液浸區域；及觀察裝置，用以觀察液浸區域之狀態。
又依本發明之第3形態，提供一種曝光裝置，係透過液浸區域之液體使基板曝光，其特徵在於具備：光學元件；液浸機構，用以將配置於該光學元件之光射出側之既定面與該光學元件之間以液體填滿；及觀察裝置，用以觀察該光學元件與該既定面之間之液體狀態。
依本發明之第1~第3形態，因設置用以觀察液浸區域之狀態之觀察裝置，故根據該觀察裝置之觀察結果，能確認所形成之液浸區域是否為期望狀態。並且，根據觀察裝置之觀察結果，若判斷所形成之液浸區域係期望狀態時，例如藉由進行基板之曝光，能透過液浸區域之液體使基板良好地曝光。另一方面，根據觀察裝置之觀察結果，若判斷所形成之液浸區域係不是期望狀態時，能採取用以使液浸區域成為期望狀態之適當措施，例如能進行液體之置換。
依本發明之第4形態，提供一種元件製造方法，其特徵在於：該元件係使用上述形態之曝光裝置來製造。
依本發明之第4形態，在確認所形成之液浸區域為期望狀態後，能透過該液浸區域之液體良好地進行用以製造元件之曝光處理或測量處理等。藉此，能提供具有期望性能之元件。
依本發明之第5形態，提供一種曝光方法，液體使基板曝光，其特徵在於包含以下步驟：透過該液浸區域之液體使基板曝光；將已曝光之基板與未曝光之基板交換；及在基板之交換中，檢測該液浸區域之液體中之氣體部分。
依本發明之第5形態，藉由檢測出該液浸區域之液體中之氣體部分，來掌握液浸區域之狀態，對液浸區域施以適當之必要措施，藉此能維持良好之液浸區域。又，因在基板之交換時進行氣體部分之檢測，故氣體部分之檢測不會影響曝光動作，而能維持曝光裝置之期望產能。又，「液體中之氣體部分」不僅係液體中之氣泡，亦包含液體中之空隙(Void)。
依本發明之第6形態，提供一種元件之製造方法，其特徵在於包含以下步驟：藉由上述本發明之曝光方法使基板曝光；將經曝光之基板顯影；及將經顯影之基板加工。本元件製造方法，因採用本發明之曝光方法，故能提供具有期望性能之元件。
依本發明，使用觀察裝置確認液體之液浸區域為期望狀態後，而能使基板良好曝光。
以下，參照圖式說明本發明之實施形態。
〈第1實施形態〉
圖1係表示第1實施形態之曝光裝置EX的概略構造圖。在圖1，曝光裝置EX，包含：光罩載台MST，以可移動的方式支撐光罩M；基板載台PST1，具有保持基板P之基板保持具PH，以可移動的方式在基板保持具PH保持基板P；測量載台PST2，供保持進行曝光處理相關之測量之測量器，能與基板載台PST1獨立移動；照明光學系統IL，將支撐於光罩載台MST之光罩M以曝光用光EL照明；投影光學系統PL，將曝光用光EL所照明之光罩M之圖案像投影於支撐在基板載台PST1之基板P；及控制裝置CONT，綜合控制曝光裝置EX全體之動作。在控制裝置CONT，連接用以顯示曝光處理相關之資訊之顯示裝置DY。
本實施形態之曝光裝置EX，係為了要使曝光波長實質地縮短來提高解析度並且使焦點深度實質地擴大，適用液浸法之液浸曝光裝置，其具備第1液浸機構1，在構成投影光學系統PL之複數個光學元件LS1~LS7中，在最靠近投影光學系統PL之像面之第1光學元件LS1之下面T1與基板P之間，以第1液體LQ1填滿，來形成第1液浸區域LR1。第1液浸機構1，包含：第1液體供應機構10，用以在第1光學元件LS1之下面T1與基板P之間供應第1液體LQ1；及第1液體回收機構20，用以將第1液體供應機構10所供應之第1液體LQ1回收。第1液浸機構1之動作係以控制裝置CONT控制。
又，在投影光學系統PL之像面側附近，具體而言，在投影光學系統PL之像面側端部之光學元件LS1附近，配置構成第1液浸機構1之一部分之嘴構件70。嘴構件70，係在基板P(基板載台PST)上方以包圍投影光學系統PL前端周圍之方式設置之環狀構件。
又，曝光裝置EX，包含第2液浸機構，用以將第1光學元件LS1與次於第1光學元件LS1靠近投影光學系統PL之像面之第2光學元件LS2之間以第2液體LQ2填滿，來形成第2液浸區域LR2。第2光學元件LS2係配置於第1光學元件LS1之上方，第1光學元件LS1之上面T2，係以與第2光學元件LS2之下面T3對向之方式配置。第2液浸機構2，包含：第2液體供應機構30，用以在第1光學元件LS1與第2光學元件LS2之間供應第2液體LQ2；及第2液體回收機構40，用以將第2液體供應機構30所供應之第2液體LQ2回收。第2液浸機構2之動作係以控制裝置CONT控制。
本實施形態之曝光裝置EX，係採用將第1液浸區域LR1局部形成於基板P上之局部液浸方式。又，曝光裝置EX，亦將第2液浸區域LR2，局部形成於第1光學元件LS1之上面T2之一部分。曝光裝置EX，至少在將光罩M之圖案轉印於基板P上之期間，使用第1液浸機構1，在第1光學元件LS1與配置於其像面側之基板P之間填滿第1液體LQ1來形成第1液浸區域LR1，並且使用第2液浸機構2，在第1光學元件LS1與第2光學元件LS2之間填滿第2液體LQ2來形成第2液浸區域LR2。
又，在測量載台PST2，設置觀察裝置60，用以觀察第1液浸區域LR1及第2液浸區域LR2之各狀態。觀察裝置60係設於測量載台PST2之內部。
在本實施形態，曝光裝置EX係以使用掃描型曝光裝置(掃描步進機)之情形為例來說明，該掃描型曝光裝置，係將光罩M與基板P邊朝與掃描方向彼此不同之方向(逆方向)同步移動邊將形成於光罩M之圖案曝光在基板P上。在以下之說明，設定在水平面內與光罩M與基板P同步移動方向(掃描方向)為X軸方向，設定在水平面內與X軸方向正交之方向(非掃描方向)為Y軸方向，設定垂直於X軸及Y軸方向且與投影光學系統PL之光軸AX一致之方向為Z軸方向。又，設定繞各X軸、Y軸、及Z軸旋轉(傾斜)方向為θ X、θ Y、及θ Z方向。又，在此，「基板」係包括在半導體晶圓上塗布有光阻者，「光罩」係包含形成縮小投影於基板上之元件圖案的標線片。
照明光學系統IL，具有：曝光用光源，供射出曝光用光EL；光學積分器，使射出自曝光用光源之曝光用光EL之照度均等化；聚光鏡，將來自光學積分器之曝光用光EL聚光；中繼透鏡系統；及可變視野光圈等，用以設定曝光用光EL所形成之光罩M上之照明領域。光罩M上之既定照明領域係藉由照明光學系統IL以均一之照度分布之曝光用光EL照明。射出自照明光學系統IL之曝光用光EL，例如使用從水銀燈射出之光線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)，或ArF準分子雷射光(波長193nm)及F2 雷射光(波長157nm)等真空紫外光(VUV光)等。在本實施形態使用ArF準分子雷射光。
本實施形態，第1液體供應機構10所供應之第1液體LQ1及第2液體供應機構30所供應之第2液體LQ2係使用純水。即，在本實施形態，第1液體LQ1與第2液體LQ2係相同液體。純水不僅能透過ArF準分子雷射光，亦能透過從水銀燈射出之光線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)。
光罩載台MST，以可移動的方式保持光罩M，且在垂直於投影光學系統PL之光軸AX之平面內，即在XY平面內能2維移動，及能朝θ Z方向微旋轉。光罩載台MST藉由包含線性馬達等之光罩載台驅動機構MSTD驅動。光罩載台驅動機構MSTD藉由控制裝置CONT控制。在光罩載台MST上，設置與光罩載台MST一起移動之移動鏡52。又，在與移動鏡52對向之位置設置雷射干涉計53。光罩載台MST上之光罩M之2維方向位置及旋轉角藉由雷射干涉計53即時測量，輸出測量結果至控制裝置CONT。控制裝置CONT藉由依雷射干涉計53之測量結果驅動光罩載台驅動機構MSTD，來進行光罩載台MST所支撐之光罩M之定位。
投影光學系統PL，將光罩M之圖案以既定之投影倍率β投影於基板P。投影光學系統PL，具備複數個光學元件LS1~LS7，包含設置於基板P側之前端之第1光學元件LS1，該等光學元件LS1~LS7係以鏡筒PK支撐。在本實施形態，投影光學系統PL，係投影倍率β為例如1/4、1/5、或1/8之縮小系統。又，投影光學系統PL亦可等倍系統及放大系統中之任一種。又。投影光學系統PL，亦可包含折射元件與反射元件之反射折射系統、不包含反射元件之折射系統、不包含折射元件之反射系統中之任一種。從照明光學系統IL射出之曝光用光EL，從物體面側射入投影光學系統PL，通過複數個光學元件LS7~LS1後，從投影光學系統PL之像面側射出，然後到達基板P上。具體而言，曝光用光EL，分別通過複數個光學元件LS7~LS3後，通過第2光學元件LS2之上面T4之既定區域，通過下面T3之既定區域後，射入第2液浸區域LR2。通過液浸區域LR2之曝光用光EL，通過第1光學元件LS1之上面T2之既定區域後，通過下面T1之既定區域，射入第1液浸區域LR1後，而到達基板P上。
在本實施形態，第1光學元件LS1係能使曝光用光EL透過之無折射力之平行平面板，第1光學元件LS1之下面T1與上面T2係大致平行。另一方面，第2光學元件LS2係具有折射力(透鏡作用)。又，第1光學元件LS1亦可具有折射力(透鏡作用)。
基板載台PST1，具有用以保持基板P之基板保持具PH，在投影光學系統PL之像面側，以能在底座BP上移動之方式設置。基板載台PST1藉由基板載台驅動機構PSTD1驅動。基板載台驅動機構PSTD1藉由控制裝置CONT控制。基板載台驅動機構PSTD1，例如包含線性馬達或線圈馬達等，能使基板載台PST1分別朝X軸、Y軸、及Z軸方向、θ X、θ Y、及θ Z方向移動。藉此，基板載台PST1，能使保持於基板保持具PH之基板P分別朝X軸、Y軸、及Z軸方向、θ X、θ Y、及θ Z方向移動。
在基板載台PST1之側面設置移動鏡54。又，在與移動鏡54對向之位置設置雷射干涉計55。基板載台PST1上之基板P之2維方向位置及旋轉角藉由雷射干涉計55即時測量，輸出測量結果至控制裝置CONT。控制裝置CONT藉由依雷射干涉計55之測量結果，在雷射干涉計55所限定之2維座標系統內，透過基板載台驅動機構PSTD1驅動基板載台PST1，來進行基板載台PST1所支撐之基板P之X軸方向及Y軸方向之定位。
又，曝光裝置EX，具有例如日本特開平8－37149號所揭示之斜入射方式之聚焦檢測系統，用以檢測基板P表面之面位置資料。聚焦檢測系統，檢測對投影光學系統PL之像面之基板P表面之Z軸方向位置(聚焦位置)。又，藉由求出在基板P表面之複數點之各聚聚焦位置，聚焦檢測系統亦能求出基板P之傾斜方向之姿勢。控制裝置CONT，依聚焦檢測系統之檢測結果，透過基板載台驅動機構PSTD1驅動基板載台PST1，控制基板P之Z軸方向之位置(聚焦位置)，及θX、θy方向之位置，使基板P表面(曝光面)一致於透過投影光學系統PL及液體形成之像面。
又，聚焦檢測系統亦可係在液浸區域LR1外側不透過液體LQ1檢測基板P之表面位置的裝置，亦可係與透過液體LQ1檢測基板P之表面位置的裝置並用者。
又，如日本特表2000－505958號(對應美國專利5969441)或美國專利6208407所揭示，亦可在從投影光學系統PL離開之位置測量基板P表面之位置資料(凹凸資料)。
在基板載台PST1上設置凹部50，基板保持具PH配置於凹部50。並且，基板載台PST1上中凹部50以外之上面51，以成為與基板保持具PH所保持之基板P表面大致相等高度(同一平面)之方式形成平坦面。基板載台PST1之上面51係對第1液體LQ1具有撥液性。因在基板P周圍設置與基板P表面大致同一平面之上面51，故即使將基板P表面之周緣區域液浸曝光時，能在投影光學系統PL之像面側保持第1液體LQ1，良好地形成第1液浸區域LR1。又，若能良好地維持第1液浸區域LR1，基板保持具PH所保持之基板P表面與上面51具有段差亦可。
測量載台PST2，係載置用以進行曝光處理相關之測量之各種測量器，在投影光學系統PL之像面側，以在底座BP上能移動之方式設置。測量載台PST2藉由測量載台驅動機構PSTD2驅動。測量載台驅動機構PSTD2藉由控制裝置CONT控制。並且，控制裝置CONT，透過各載台驅動機構PSTD1、PSTD2，分別能使各基板載台PST1及測量載台PST2在底座BP上彼此獨立移動。測量載台驅動機構PSTD2具有與基板載台驅動機構PSTD1相等之構造，測量載台PST2，藉由測量載台驅動機構PSTD2，與基板載台PST1同樣，能分別朝X軸、Y軸、及Z軸方向、θ X、θ Y、及θ Z方向移動。又，在測量載台PST2之側面，設置雷射干涉計57用之移動鏡56。測量載台PST2上之2維方向位置及旋轉角藉由雷射干涉計57即時測量，控制裝置CONT依雷射干涉計57之測量結果，來控制測量載台PST2之位置。
在配置於投影光學系統PL之像面側之測量載台PST2上形成開口部64K，在該開口部64K配置透明構件64。透明構件64例如以玻璃板構成。又，透明構件64之材料，能根據以後述之攝影元件所導引之光之波長，適當選擇螢石或石英等。透明構件64之上面65係平坦面。又，測量載台PST2上之中開口部64K以外之上面58亦係平坦面。並且，測量載台PST2之上面58，與配置於開口部64K之透明構件64之上面65係以成為大致同一高度(同一平面)之方式設置，測量載台PST2之上面58以包含透明構件64之上面65之方式形成。又，測量載台PST2之上面58或透明構件64之上面65較佳為對液體LQ具有撥液性。
又，包含透明構件64之上面65之測量載台PST2之上面58，係設置於與包含基板P表面之基板載台PST1之上面51並排之位置，基板載台PST1之上面51與測量載台PST2之上面58，以成為大致同一高度位置之方式設置。
在測量載台PST2，形成連接於開口部64K之內部空間66。並且，在測量載台PST2之內部空間66配置觀察裝置60。觀察裝置60，包含：光學元件61，配置於透明構件64之下側；及攝影元件63，以CCD等構成。攝影元件63，能透過透明構件64及光學元件61取得液體(LQ1、LQ2)或光學元件(LS1、LS2)等之光學像(影像)。攝影元件63將所取得之影像轉換為電氣訊號，並輸出該訊號(影像資料)至控制裝置CONT。又，觀察裝置60，具有可調整光學系統61之焦點位置之調整機構62。又，觀察裝置60，具有能觀察第1液浸區域LR1及第2液浸區域LR2全體的視野。攝影元件63，例如，雖能使用電荷結合元件(CCD)，但不限於此，能使用各種元件。又，電荷耦合元件，亦能適當選擇對所射入之光(之波長)具高感度之元件。
又雖可將觀察裝置60之全部配置於測量載台PST2之內部，但亦可例如將構成光學系統61之複數個光學元件中之一部分之光學元件或攝影元件63等配置於測量載台PST2外側。又，亦可省略調整機構62。
或亦可省略攝影元件63，將光訊號直接通過光纖或導波管導引至控制裝置CONT，在控制裝置內直接以光訊號處理或光電轉換。或，亦可將光訊號直接導引至顯示裝置DY，以顯示裝置DY觀測第1液浸區域LR1及第2液浸區域LR2之狀態。
圖2係從上方觀察基板載台PST1及測量載台PST2的俯視圖。圖2，在測量載台PST2之上面58，為了要限定基板P對透過投影光學系統PL之光罩M之圖案像之對準位置，設置基準構件300作為測量器，用以測定圖案像之投影位置與未圖示之基板對準系統之檢測基準的XY平面內之位置關係(基線量)。在該基準構件300，將基準標記PFM與基準標記MFM以既定之位置關係形成。基準標記PFM，藉由例如日本特開平4－65603號公報(對應美國專利第5,493,403號)所揭示之FIA(Field Image Alignment)方式之基板對準系統，不透過投影光學系統PL及液體LQ1、LQ2而檢測。又基準標記MFM，藉由例如日本特開平7－176468號公報所揭示之VRA(Visual Reticule Alignment)方式之光罩對準系統，透過投影光學系統PL及液體LQ1、LQ2而檢測。又，在上面58，作為測量器例如設置：上板401，具備不勻感測器400之一部分，用以測量照度不均(如日本特開昭57－117238號公報所揭示)，或用以測量投影光學系統PL之曝光用光EL之透過率之變動量(如日本特開2001－267239號公報所揭示)；上板501，具備空間像測量感測器500之一部分(如日本特開2002－14005號公報所揭示)；及上板601，具備照射量感測器(照度感測器)600之一部分(如日本特開平11－16816號公報所揭示)。該等基準構件300之上面或上板401、501、601之上面，係與測量載台PST2之上面58及透明構件64之上面65大致成為同一平面。又，該等基準構件300之上面或上板401、501、601之上面，亦與測量載台PST2之上面58及透明構件64之上面65同樣，具有撥液性。
在本實施形態，測量載台PST2係用來進行曝光處理相關之測量處理的專用載台，未保持基板P，基板載台PST1係未載置進行曝光處理相關之測量之測量器。又，測量載台PST2，例如已在日本特開平11－135400號公報詳細揭示。
其次，參照圖1及圖3，說明第1液浸機構1及第2液浸機構2。圖3係表示投影光學系統PL之像面側前端附近的放大截面圖。
第1液浸機構1之第1液體供應機構10，將第1液體LQ1供應至投影光學系統PL之像面側之第1空間K1。第1液體供應機構10，包含：能送出第1液體LQ1之第1液體供應部11；及將該一端部連接於第1液體供應部11之第1供應管13。第1供應管13之另一端連接於嘴構件70。在本實施形態，第1液體供應機構10係供應純水。第1液體供應部11，包含：純水製造裝置；調溫裝置，用以調整所供應之第1液體(純水)LQ1之溫度；及脫氣裝置等，用以減少所供應之第1液體LQ1中之氣體成分。又，若滿足既定之品質條件，亦可不需要在曝光裝置EX設置純水製造裝置，而使用配置曝光裝置EX之工廠之純水製造裝置。同樣，亦可不需要將調溫裝置及脫氣裝置等全部在曝光裝置EX具備，而使用配置曝光裝置EX之工廠設備來替代該等之一部分。
又，在第1供應管13之途中，設置稱為質量流量控制器(mass flow controller)之流量控制器16，用以控制每單位時間之液體量(從第1液體供應部11送出，供應至投影光學系統PL之像面側)。流量控制器16之液體供應量控制係在控制裝置CONT之指令訊號下進行。
第1液浸機構1之第1液體回收機構20，回收投影光學系統PL之像面側之第1液體LQ1。第1液體回收機構20，包含：第1液體回收部21，能回收第1液體LQ1；及第1回收管23，將該一端部連接於第1液體回收部21。第1回收管23之另一端連接於嘴構件70。第1液體回收部21，包含：例如真空泵等之真空系統(吸引裝置)；氣液分離器，用以分離所回收之第1液體LQ1與氣體；及用以收容所回收之液體LQ之儲存槽等。又，亦可將真空系統、氣液分離器、儲存槽等之至少一部分，不設置於曝光裝置EX，而使用配置曝光裝置EX之工廠設備。
在投影光學系統PL之像面側附近配置環狀構件之嘴構件70。在嘴構件70與投影光學系統PL之鏡筒PK之間設置間隙，嘴構件70對投影光學系統PL以能避免振動之方式使用既定之支撐機構支撐。嘴構件70之下面70A，係與基板P之表面(基板載台PST1之上面51)對向。
在嘴構件70之下面70A，設置第1供應口12，用以將第1液體LQ1供應至基板P上。第1供應口12，在嘴構件70之下面70A設置複數個。又，在嘴構件70之內部，形成內部流路14，用以連接第1供應管13之另一端部與第1供應口12。內部流路14之一端部連接於第1供應管13之另一端部，內部流路14之另一端部，以連接各複數個第1供應口12之方式從中途分支。
再者，在嘴構件70之下面70A，設置第1回收口22，用以回收基板P上之第1液體LQ1。在本實施形態，第1回收口22，在嘴構件70之下面70A，以包圍第1供應口12之方式，以投影光學系統PL之光軸AX為基準設置於第1供應口12外側且形成環狀。又，在嘴構件70之內部，形成內部流路24，用以連接第1回收管23之另一端部與第1回收口22。內部流路24，具有：環狀流路24K，對應環狀之第1回收口22形成；及歧管流路24M，連接環狀流路24K之一部分與第1回收管23之另一端部。又本實施形態，在第1回收口22設置多孔質體22P。
又，嘴構件70之構成(供應口之位置、回收口之位置等)，不限於上述者，能使用各種構成之嘴構件。該一例係揭示在美國專利公開第2004/0165159號公報。
第1液體供應部11及第1液體回收部21之動作係藉由控制裝置CONT控制。在第1空間K1形成第1液體LQ1之第1液浸區域LR1時，控制裝置CONT，從第1液體供應部11送出第1液體LQ1，透過第1供應管13及嘴構件70之內部流路14，從設置於基板P上方之第1供應口12供應第1液體LQ1至基板P上。又，第1空間K1之第1液體LQ1，從第1回收口22回收，透過嘴構件70之內部流路24，及第1回收管23回收至第1液體回收部21。
在本實施形態，曝光裝置EX，係採用局部液浸方式，即，在基板P之曝光中，在包含投影光學系統PL之投影領域AR之基板P上之一部分，局部形成比投影領域AR大且比基板P小之第1液浸區域LR1。在此，各嘴構件70之下面70A及第1光學元件LS1之下面T1係大致平坦面，嘴構件70之下面70A及第1光學元件LS1之下面T1係大致形成同一平面。藉此，能在期望之範圍內良好地形成第1液浸區域LR1。又，第1光學元件LS1中與第1液浸區域LR1之第1液體LQ1接觸之下面T1，及嘴構件70中與第1液浸區域LR1之第1液體LQ1接觸之下面70A，係對第1液體LQ1具有親液性。
第2液浸機構2之第2液體供應機構30，將第2液體LQ2供應至投影光學系統PL之第2光學元件LS2與第1光學元件LS1之間之第2空間K2。第2液體供應機構30，包含：第2液體供應部31，能送出第2液體LQ2；及第2供應管33，將該一端部連接於第2液體供應部31。第2液體供應部31係具有與第1液體供應部11大致同等之構造。即，第2液體供應部31，包含：純水製造裝置；調溫裝置，用以調整所供應之第2液體(純水)LQ2之溫度；及脫氣裝置等，用以減少所供應之第2液體LQ2中之氣體成分。第2供應管33之另一端部，連接於形成在鏡筒PK內部之供應流路34之一端部。又，供應流路34之另一端部連接於配置在鏡筒PK內側(內部空間)之供應構件35。在供應構件35形成第2液體LQ2流動之內部流路，在供應構件35之既定位置形成第2供應口32，連接於該內部流路且對第2空間K2供應第2液體LQ2。即，對第2空間K2，能從第2供應口32供應已溫度調整且已脫氣之第2液體LQ2。
又，不需要在曝光裝置EX設置純水製造裝置、調溫裝置、脫氣裝置等全部，可使用設置曝光裝置EX之工廠之該等設備來替代該等設備之至少一部分。
又，在第2供應管33之途中，設置流量控制器36(質量流量控制器)，用以控制從第2液體供應部31送出而供應至第2空間K2之每單位時間之液體量。流量控制器36之液體供應量控制係在控制裝置CONT之指令訊號下進行。
第2液浸機構2之第2液體回收機構40，回收投影光學系統PL之第2光學元件LS2與第1光學元件LS1之間之第2空間K2之第2液體LQ2。第2液體回收機構40，包含：第2液體回收部41，能回收第2液體LQ2；及第2回收管43，將該一端部連接於第2液體回收部41。第2液體回收部41具有與第1液體回收部21大致相同構成。第2回收管43之另一端部，連接於形成在鏡筒PK內部之回收流路44之一端部。回收流路44之另一端部連接於配置在鏡筒PK內側(內部空間)之回收構件45。在回收構件45形成第2液體LQ2流動之內部流路，在回收構件45之既定位置設置用以回收第2空間K2之第2液體LQ2之第2回收口42。在本實施形態，回收構件45係包圍第2液浸區域LR2之環狀構件，第2回收口42，在回收構件45中朝向第2液浸區域LR2之面設置複數個。又，第2液浸機構2之構造，不限於上述者，只要能以第2液體LQ2填滿第1光學元件LS1與第2光學元件LS2之間之光路，則能採用各種構成。
第2液體供應部31及第2液體回收部41之動作係藉由控制裝置CONT控制。在第2空間K2形成第2液體LQ2之第2液浸區域LR2時，控制裝置CONT，從第2液體供應部31送出第2液體LQ2，透過第2供應管33、供應流路34、及供應構件35之內部流路，從第2供應口32供應第2液體LQ2至第2空間K2。又，第2空間K2之第2液體LQ2，從第2回收口42回收，透過回收構件45之內部流路、回收流路44、及第2回收管43被第2液體回收部41回收。
又，第1液體供應部11及第2液體供應部31之脫氣裝置，例如能適用揭示於國際公開第2004/053950號公報之裝置，對該構成將在圖12詳述於後。
又在本實施形態，曝光裝置EX，僅在第1光學元件LS1之上面T2中包含曝光用光EL要通過之區域AR’之一部分局部形成第2液體LQ2之第2液浸區域AR’。
在本實施形態，第1光學元件LS1之下面T1側之第1空間K1，及第1光學元件LS1與第2光學元件LS2之間之第2空間K2，係獨立之空間。控制裝置CONT，能將第1液浸機構1對第1空間K1之第1液體LQ1之供應動作及回收動作，及第2液浸機構2對第2空間K2之第2液體LQ2之供應動作及回收動作，彼此獨立進行，不會產生使液體(LQ1、LQ2)從第1空間K1及第2空間K2之一方出入另一方。
並且，藉由將第1光學元件LS1之下面T1側之第1空間K1，及上面側T2之第2空間K2之各光路空間，以第1液體LQ1及第2液體LQ2填滿，使第2光學元件LS2之下面T3或第1光學元件LS1之上面T2之反射損失減低，能以確保較大像側數值孔徑之狀態，使基板P良好地曝光。
又，在本實施形態，第1光學元件LS1，因對鏡筒PK能容易安裝、卸下(能交換)，故若第1光學元件LS1受污染時，藉由與清淨之第1光學元件LS1交換，能防止起因於光學元件之污染之曝光精度及透過投影光學系統PL之測量精度之劣化。
又，如圖4所示，形成於投影光學系統PL之第1光學元件LS1下之第1液體LQ1，能在基板載台PST1上與測量載台PST2上之間移動。當要移動第1液浸區域LR1時，控制裝置CONT，使用載台驅動機構PSTD1、PSTD2，以使基板載台PST1與測量載台PST2接觸或接近之狀態，將基板載台PST1與測量載台PST2朝XY方向一起移動，而使第1液浸區域LR1在基板載台PST1與測量載台PST2之上面之間移動。藉此，邊能防止從基板載台PST1與測量載台PST2之間隙(gap)流出第1液體LQ1，邊以第1液體LQ1填滿投影光學系統PL之像面側之第1空間K1(光路空間)之狀態，能在基板載台PST1上與測量載台PST2上之間使第1液體LQ1移動。
藉此，例如為了進行基板P之交換等，基板載台PST1從投影光學系統PL下移動之情形，第1液浸區域LR1從基板載台PST1上移動至測量載台PST2上，在投影光學系統PL之第1光學元件LS1與測量載台PST2之上面之間保持第1液體LQ1，透過第1液體LQ1執行使用觀察裝置60、基準構件300、不均感測器400、空間像測量感測器500、照射量感測器600中之至少一個之動作。在此情形，將該動作之結果會反映於其後之曝光動作等。又，當基板載台PST1移動至投影光學系統PL下之情形，第1液浸區域LR1從測量載台PST2上移動至基板載台PST1上，在投影光學系統PL之第1光學元件LS1與基板載台PST1之上面(包含基板P表面)之間保持第1液體LQ1，執行基板P之曝光動作等。
其次，將使用具有上述構成之曝光裝置EX來曝光基板P之步驟，參照圖5之流程圖及圖6說明。
首先，控制裝置CONT，以使投影光學系統PL與測量載台PST2上之透明構件64對向之狀態，驅動各第1液浸機構1及第2液浸機構2，形成各第1液浸區域LR1及第2液浸區域LR2(步驟SA1)。藉此，如圖6所示，在包含透明構件64之上面65的測量載台PST2之上面58上形成第1液浸區域LR1。
控制裝置CONT，使用觀察裝置60，觀察形成於透明構件64上之第1液浸區域LR1之狀態(步驟SA2)。觀察裝置60，將透明構件64之上面65上之第1液浸區域LR1之狀態，透過透明構件64觀察。又，當觀察裝置60觀察第1液浸區域LR1之狀態時，測量載台PST2係大致靜止。在透明構件64下側之內部空間66配置觀察裝置60之光學系統61，攝影元件63，透過透明構件64及光學系統61取得第1液體LQ1(形成透明構件64上之第1液浸區域LR1)之影像。使用觀察裝置60觀察第1液浸區域LR1之狀態時，控制裝置CONT，使用調整機構62使光學系統61之焦點位置一致於第1液浸區域LR1之Z軸方向之位置。藉此，攝影元件63能良好地取得第1液體LQ1(供形成透明構件64上之第1液浸區域LR1)之影像。又，觀察裝置60，因具有比第1液浸區域LR1大之視野，故能將形成第1液浸區域LR1之第1液體LQ1之影像整批取得。
又，第1液浸區域LR1之大小，雖有依第1液浸機構1之液體供應量或液體回收量會變化之可能性，但觀察裝置60具有能觀察所預料之最大第1液浸區域LR1之視野。
將攝影元件63所取得之第1液浸區域LR1相關之影像資料輸出至控制裝置CONT(步驟SA3)。控制裝置CONT，依輸出自攝影元件63之訊號(影像資料)，將形成第1液浸區域LR1之第1液體LQ1之影像以顯示裝置DY顯示。
其次，控制裝置CONT，使用觀察裝置60，觀察第2液浸區域LR2之狀態(步驟SA4)。觀察裝置60，透過第1液浸區域LR1之第1液體LQ1及第1光學元件LS1，觀察第2液浸區域LR2。又，當觀察裝置60觀察第2液浸區域LR2之狀態時，測量載台PST2亦係大致靜止。使用觀察裝置60觀察第2液浸區域LR2之狀態時，控制裝置CONT，使用調整機構62使光學系統61之焦點位置一致於第2液浸區域LR2之Z軸方向之位置。藉此，攝影元件63能良好地取得形成第2液浸區域LR2之第2液體LQ2之影像。又，觀察裝置60，因具有比第2液浸區域LR2為大之視野，故能將形成第2液浸區域LR2之第2液體LQ2之影像整批取得。
將攝影元件63所取得之第2液浸區域LR2相關之影像資料輸出至控制裝置CONT(步驟SA5)。控制裝置CONT，依輸出自攝影元件63之訊號(影像資料)，將形成第2液浸區域LR2之第2液體LQ2之影像以顯示裝置DY顯示。
又在此，雖在觀察第1液浸區域LR1之狀態後，觀察第2液浸區域LR2之狀態，但亦可在觀察第2液浸區域LR2之狀態後，觀察第1液浸區域LR1之狀態。
控制裝置CONT，在步驟SA3及步驟SA5，將攝影元件63所輸出之訊號作運算處理(影像處理)，依其處理結果，判別第1、第2液浸區域LR1、LR2是否為期望狀態(步驟SA6)。控制裝置CONT，特別判別在液體(LQ1、LQ2)是否存在粒子或氣體部分(氣塊或氣泡等)。例如，控制裝置CONT，將來自攝影元件63之輸出依像素別判斷明暗，將孤立之像素或像素集團視為液體中之氣泡之存在，從該等像素或像素集團之數量能求出氣泡之數或量。或，控制裝置CONT，亦可將已知氣泡之數或量之複數個液體樣本之影像資料存儲於控制裝置CONT之記憶體，藉由與該資料比較來判斷氣泡之數或量。在此情形，影像資料亦可使像素之明部或暗部之平均面積或平均數，與氣泡之數或量相關連。影像資料或基準資料，亦可存儲於控制裝置之記憶體，或亦可存儲於另外設置在曝光裝置之記憶體。又同樣，亦能檢測液體中之空隙之位置或大小。
例如，在第1液浸機構1剛開始第1液浸區域LR1之形成動作後(剛開始第1液體LQ1之供應後)，產生第1液浸區域LR1沒有充分覆蓋投影區域AR之狀態(缺液狀態)，或產生在第1液體LQ1中氣泡混入等之不良情形的可能性則提高。又，不限於剛開始第1液浸區域LR1之形成動作後，因應第1液浸機構1之動作狀態，亦使第1液浸區域LR1之狀態變動，有產生上述不良情形之可能性。透過產生該等不良情形之狀態之第1液浸區域LR1進行曝光處理或測量處理時，無法獲得良好之曝光精度或測量精度。在本實施形態，藉由使用觀察裝置60觀察第1液浸區域LR1之狀態，能掌握是否在第1液浸區域LR1產生不良情形。同樣，在第2液浸區域LR2，雖亦有產生缺液狀態，或產生氣泡混入等之不良情形的可能性，藉由使用觀察裝置60觀察第2液浸區域LR2之狀態，能掌握是否在第2液浸區域LR2產生不良情形。又，在本實施形態，觀察裝置60，例如雖能觀察(檢測)直徑0.1mm以上之氣泡，但觀察裝置60之觀察(檢測)能力，依在曝光裝置形成於基板P上之圖案之線寬等決定即可，例如亦可使其能觀察0.01mm以上之氣泡。
若判斷第1、第2液浸區域LR1、LR2為期望狀態時，控制裝置CONT，使用測量載台PST2所載置之各測量器進行測量處理(步驟SA7)。即，控制裝置CONT，使測量載台PST2朝XY方向移動，俾第1液浸區域LR1從透明構件64上移動至基準構件300、上板401、上板501、及上板601中之任一件上。例如，若將第1液浸區域LR1從透明構件64上移動至照度不均感測器400之上板401上時，控制裝置CONT，透過投影光學系統PL、第1液浸區域LR1之第1液體LQ1、及第2液浸區域LR2之第2液體LQ2，在上板401上照射曝光用光EL，使用照度不均感測器400測量曝光用光EL之照度不均。同樣，控制裝置CONT，使第1液浸區域LR1依序移動至基準構件300、上板501上、及上板601上，進行使用各基準構件300、空間像測量感測器500、及照射量感測器600之測量處理。並且，依使用該各測量器之測量結果，控制裝置CONT，適當進行投影光學系統PL之校準處理等。
又，與步驟SA7之各種測量動作並行，或在測量動作之前後，藉由未圖示之基板對準系統檢測基準構件300上之基準標記PFM，決定基線量。
另一方面，若判斷第1液浸區域LR1及第2液浸區域LR2中至少任一方不是期望狀態時，控制裝置CONT，設置等待時間，等待至該不良情形(缺液狀態、氣泡混入等)解除為止，或為了要解除該不良情形，對被判斷為非期望狀態之液浸區域之空間停止液體供應並且進行液體之回收，再度供應液體，以重新形成液浸區域之措施。或為了要解除該不良情形，而變更第1、第2液浸機構1、2之動作狀態等適切措施(步驟SA8)。在此，第1、第2液浸機構1、2之動作狀態之變更，例如係包含第1、第2液浸機構1、2之第1、第2液體供應機構10、30之每單位時間之液體供應量之變更，設置於第1、第2液體供應機構10、30之脫氣裝置之調整等。並且，使用觀察裝置60再觀察第1、第2液浸區域LR1、LR2之狀態(步驟SA2、SA4)，確認該不良情形已解除後，進行測量處理(步驟SA7)。
使用測量載台PST2之測量處理完成後，如參照圖4所說明，控制裝置CONT，使形成於測量載台PST2上之第1液體LQ1之第1液浸區域LR1，移動至支撐基板P之基板載台PST1上。並且，將第1液浸區域LR1移動至基板載台PST1上後，控制裝置CONT，透過投影光學系統PL、第2液浸區域LR2之第2液體LQ2、及第1液浸區域LR1之第1液體LQ1，在基板P上照射曝光用光EL，以使該基板P曝光(步驟SA9)。
又，亦可依顯示裝置DY所顯示之第1、第2液浸區域LR1、LR2之影像，例如由作業者判斷第1、第2液浸區域LR1、LR2是否期望狀態。在此情形，作業者等將下動作對控制裝置CONT發出指令。
如以上所說明，因設置用以觀察第1、第2液浸區域LR1、LR2之狀態之觀察裝置60，故能根據該觀察裝置60之觀察結果，確認所形成之第1、第2液浸區域LR1、LR2是否為期望狀態。並且，依觀察裝置60之觀察結果，若判斷為所形成之之第1、第2液浸區域LR1、LR2是期望狀態後，藉由進行基板P之曝光，能透過第1、第2液浸區域LR1、LR2之第1、第2液體LQ1、LQ2使基板P良好地曝光。另一方面，依觀察裝置60之觀察結果，判斷為在所形成之第1、第2液浸區域LR1、LR2混入氣體(氣泡)等不是期望狀態之情形，若透過該等狀態之第1、第2液浸區域LR1、LR2進行曝光處理或測量處理時，則無法獲得良好之曝光精度或測量精度。因此，控制裝置CONT，施加用以使第1、第2液浸區域LR1、LR2為期望狀態之適切措施，確認第1、第2液浸區域LR1、LR2成為期望狀態後，藉由透過第1、第2液浸區域LR1、LR2使基板P曝光，而能使基板P良好地曝光。
又，因第1液浸區域LR1係形成於投影光學系統PL與配置在該投影光學系統PL之像面側之透明構件64之間，觀察裝置60係透過透明構件64觀察第1液浸區域LR1，故能良好地觀察第1液浸區域LR1之狀態。
〈第2實施形態〉
圖7係表示第2實施形態的圖。在以下之說明，對上述之第1實施形態同一或同等之構件使用同一符號，將其說明簡略或省略。
如圖7所示，使用觀察裝置60觀察第2液浸區域LR2時，控制裝置CONT，亦可不形成第1液浸區域LR1，驅動第2液浸機構2，僅形成第2液浸區域LR2。即使此情形，觀察裝置60，仍能透過第1光學元件LS1觀察第2空間K2之第2液浸區域LR2。
又，第1液浸區域LR1之觀察，係在第2液浸區域LR2之觀察前或觀察後，以形成第2液浸區域LR2之狀態或未形成第2液浸區域之狀態執行。
〈第3實施形態〉
圖8係表示第3實施形態的圖。
在圖8，觀察裝置60係設置於基板載台PST1之內部空間66’。並且，在基板載台PST1之上面51之一部分，以與內部空間66’接觸之方式形成開口部64K’，在該開口部64K’配置透明構件64。如上述，亦可將透明構件64及觀察裝置60，設置於以可移動的方式保持基板P之基板載台PST1。
又，在上述之各實施形態，觀察裝置60雖具有比第1、第2液浸區域LR1，LR2為大之視野，但亦可具有比第1、第2液浸區域LR1，LR2為小之視野。在此情形，藉由對投影光學系統PL，邊將載置觀察裝置60之測量載台PST2(或基板載台PST1)朝XY方向移動，即，邊將第1、第2液浸區域LR1，LR2與觀察裝置60之視野相對移動邊觀察，能良好地觀察第1、第2液浸區域LR1，LR2之各全域。
又，亦可在觀察裝置60載置變焦光學系統，在觀察液浸區域LR1時與在觀察液浸區域LR2時使觀察視野之大小變化，或放大液浸區域之一部分來觀察。
又，在上述之實施形態，雖依觀察裝置60之攝影元件63所取得之影像資料，控制裝置CONT使顯示裝置DY顯示第1、第2液浸區域LR1，LR2之影像，但亦可觀察裝置60具有影像處理功能或顯示裝置DY。
又，在上述之實施形態，控制裝置CONT使第1、第2液浸機構1、2形成第1、第2液浸區域LR1，LR2時，雖使用觀察裝置60執行觀察動作，但亦可依隔既定時間別，或依處理既定數量別執行觀察動作。
又，亦可在進行基板P之交換(例如，已曝光之基板與未曝光之基板之交換)中，以在投影光學系統PL之第1光學元件LS1與測量載台PST2之間保持液體LQ1之狀態能執行觀察動作。在此情形，雖能在每交換基板P時使用觀察裝置60執行觀察動作，但亦可每處理既定數量之基板時執行觀察動作。圖9係表示觀察裝置60之觀察時點之一例，表示每將4片基板曝光處理後進行觀察裝置60之觀察動作之步驟。又，在圖9，表示繼續於圖5之流程圖所說明之步驟SA9之曝光(第1片基板之曝光)後之處理步驟。
在步驟SA9第1片基板之曝光處理後，執行使用基準構件300之基線量之測量(步驟SA10)。其次，執行第2片基板之曝光處理(步驟SA11)，此後執行使用不均感測器400之透過率變動量之測量(步驟SA12)。其次，執行第3片基板之曝光處理(步驟SA13)，此後，執行使用空間像測量感測器500之像面位置測量(步驟SA14)。其次，執行第4片基板之曝光處理(步驟SA15)，此後執行使用觀察裝置60之液浸區域LR1之觀察(步驟SA16)。其次，執行第5片基板之曝光處理(步驟SA17)，此後，反覆執行步驟SA10~SA17。又，圖9之流程圖僅係一例，能適當置換使用觀察裝置60、基準構件300、感測器400、500之各動作之順序，各動作之執行頻度亦能按需要決定。
又，載置於測量載台PST2之測量構件或測量裝置，不限於上述者，按照需要載置測量構件或測量裝置即可。亦可將波面像差測定裝置(例如，揭示於國際公開第99/60361號小冊子(對應美國申請第09/714,183號)、日本特開2002－71514號、美國專利第6650399號等)或反射部(例如，揭示於特開昭62－183522號公報)載置於測量載台PST2。
又，上述之實施形態，在基板載台PST1之基板交換動作前後，為了要從基板載台PST1及測量載台PST2之一方將第1液浸區域LR1移動至另一方，雖使基板載台PST1及測量載台PST2接觸或接近，但在其他動作時亦可按照需要使2個載台接觸或接近。例如，雖在開始基板P之曝光前執行用以檢測基板P上之複數個對準標記之對準處理，但若在該對準處理中有第1液浸區域LR1之一部分會從基板載台PST1之上面51脫離之虞之情形，為了要維持第1液浸區域LR1，亦可使2個載台接觸或接近。又，若在基板P之曝光中有第1液浸區域LR1之一部分會從基板載台PST1之上面51脫離之虞之情形，為了要維持第1液浸區域LR1，亦可使2個載台接觸或接近。藉此，即使基板載台PST1之上面51之面積小，仍能維持第1液浸區域LR1。
又，雖在圖9之流程圖未明記，但在各步驟間，從一方載台上至另一方載台上進行第1液浸區域LR1之移動，進而，與步驟SA10、SA12、SA14、SA16之各動作並行，使用基板載台PST1執行已曝光之基板與下一片待曝光之基板之交換動作。
又，不需要在每於使用觀察裝置60之觀察動作，觀察第1液浸區域LR1與第2液浸區域LR2，亦可僅觀察任一方。
〈第4實施形態〉
說明第4實施形態。在上述之實施形態，控制裝置CONT，依觀察裝置60之觀察結果，判別液浸區域是否係期望狀態(圖5之步驟SA6)，若判斷為液浸區域不是期望狀態時，進行用以解除不良情形之各措施(圖5之步驟SA8)，但在本實施形態，若在形成液浸區域之液體中有氣泡等氣體部分時，控制裝置CONT，進行用以減少或消失該氣體部分之措施，將已脫氣之液體供應既定時間。即，控制裝置CONT，依載置於測量載台PST2之觀察裝置60之觀察結果，例如判斷在形成第2液浸區域LR2之第2液體LQ2中有氣體部分時，將已脫氣之第2液體LQ2既定時間供應至第1光學元件LS1與第2光學元件LS2之間之第2空間K2，並且按照已脫氣之第2液體LQ2之供應量，以從第2空間K2回收既定量之第2液體LQ2之方式，來控制第2液浸機構2。如上述，因第2液浸機構2之第2液體供應部31，具備用以減少第2液體LQ2中之氣體成分之脫氣裝置，故控制裝置CONT，使用設於第2液體供應部31之脫氣裝置將第2液體LQ2充分脫氣後，控制第2液浸機構2，能將已脫氣之第2液體LQ2供應至第1光學元件LS1與第2光學元件LS2之間之第2空間K2。並且，藉由將已脫氣之第2液體LQ2對第2空間K2既定時間供應，而能使形成第2液浸區域LR2之第2液體LQ2中之氣體部分(氣泡)溶入第2液體LQ2中使其減少或消失。
圖10係用以說明將已脫氣之第2液體LQ2供應既定時間之動作之一例的流程圖。在此，在交換第2液體LQ2時執行觀察裝置60之觀察動作之情形為例來說明。所謂第2液體LQ2之交換，係指在第1光學元件LS1與第2光學元件LS2之間之第2空間K2填滿第2液體LQ2之情形，將第2液浸機構2對第2空間K2之第2液體LQ2供應動作與第2空間K2之第2液體LQ2回收動作並行進行，首先，將填滿第2空間K2之第2液體LQ2從第2空間K2回收，並且將已調整為既定溫度之清淨之新第2液體LQ2供應第2空間K2而言。
在本實施形態，假設第2液浸區域LR2之第2液體LQ2之交換動作，係依基板P之批別(依既定基板處理片數別)進行。並且，在基板P之曝光中，雖在第1光學元件LS1與第2光學元件LS2之間之第2空間K2填滿第2液體LQ2，但第2液浸機構2之第2液體LQ2供應動作及回收動作則不進行。藉此，在基板P之曝光中，能防止起因於使用第2液浸機構2之液體供應動作及回收動作的振動之產生。並且，藉由依基板P之批別(依既定基板處理片數別)進行第2液浸區域LR2之第2液體LQ2之交換動作，能以期望溫度之第2液體LQ2填滿第2空間K2。
又，若要交換第2液浸區域LR2之第2液體LQ2時，較佳為不要從第2空間K2完全去除第2液體LQ2，而以持續在第2空間K2填滿第2液體LQ2之方式，將預先填滿於第2空間K2之第2液體LQ2與新第2液體LQ2逐漸置換。藉此，隨著第2液浸區域LR2之第2液體LQ2之交換，能防止在第2液浸區域LR2之第2液體LQ2產生氣體部分(氣泡)。
既定批量之最後基板P之曝光完成後(步驟SA18)，控制裝置CONT，進行第2液浸區域LR2之第2液體LQ2之交換(步驟SA19)。控制裝置CONT，為了要進行第2液浸區域LR2之第2液體LQ2之交換，將第2液浸機構2對第2空間K2之第2液體LQ2之供應動作及第2空間K2之第2液體LQ2之回收動作並行進行。又，既定批量之最後基板P之曝光完成後，控制裝置CONT，將測量載台PST2移動至對向投影光學系統PL之位置，以載置於測量載台PST2之觀察裝置60在能觀察第2液浸區域LR2之第2液體LQ2之狀態下開始第2液體LQ2之交換動作。
第2液浸區域LR2之第2液體LQ2之交換完成後，控制裝置CONT，使用觀察裝置60，觀察第2液浸區域LR2之狀態。並且，控制裝置CONT，依觀察裝置60之觀察結果，判別在第2液浸區域LR2之第2液體LQ2中是否有氣體部分(氣泡)(步驟SA20)。
在步驟SA20，若判斷為在形成第2液浸區域LR2之第2液體LQ2中沒有氣泡時，控制裝置CONT，執行下一批之基板P之曝光(步驟SA21)。
另一方面，在步驟SA20，若判斷為在形成第2液浸區域LR2之第2液體LQ2中有氣泡時，控制裝置CONT，以供應既定時間已脫氣之第2液體LQ2之方式，來控制第2液浸機構2(步驟SA22)。在此，可使為了要減少或消失氣泡對第2空間K2供應第2液體LQ2時之每單位時間之液體供應量，與交換第2液浸區域LR2之第2液體LQ2時之每單位時間之液體供應量大致相等，或可使為了要減少或消失氣泡對第2空間K2供應第2液體LQ2時之每單位時間之液體供應量，比交換第2液浸區域LR2之第2液體LQ2時之每單位時間之液體供應量為多。
圖11係表示判斷為在形成第2液浸區域LR2之第2液體LQ2中有氣泡後，使已脫氣之第2液體LQ2供應至第2空間K2之狀態。如圖11所示，控制裝置CONT，邊以觀察裝置60觀察第2液浸區域LR2之狀態，邊從第2液浸機構2之第2液體供應部31，將已脫氣之第2液體LQ2對第2空間K2供應。在圖11，係未形成第1液浸區域LR1。控制裝置CONT，邊以觀察裝置60觀察第2液浸區域LR2之狀態，邊從第2液體供應部31將已充分脫氣之第2液體LQ2對第2空間K2供應，至達到形成第2液浸區域LR2之第2液體LQ2中之氣泡之大小或量降至既定水準以下為止，並且藉由第2液體回收部41回收第2空間K2之第2液體LQ2。藉由繼續將已充分脫氣之第2液體LQ2既定時間供應至第2空間K2，能使第2液浸區域LR2之第2液體LQ2中之氣泡減少或消失。又，即使例如氣泡附著於第1光學元件LS1之上面T2或第2光學元件LS2之下面T3之狀態，藉由繼續將已充分脫氣之第2液體LQ2既定時間供應至第2空間K2，能使該氣泡消失。
用以減少或消失氣泡供應至第2空間K2之第2液體LQ2，係與使基板P曝光時填滿第2空間K2之液體相同之液體。在本實施形態，設置於第2供應部31之脫氣裝置38，為了要減少或消失氣泡以使供應第2空間K2之第2液體LQ2之溶存氣體濃度成為5ppm以下之方式，使第2液體LQ2脫氣。進而，具體而言，脫氣裝置38，以滿足溶存氣體濃度5ppm以下、溶存氧化碳濃度5ppm以下、及溶存氮濃度5ppm以下中之至少一個條件之方式，進行第2液體LQ2之脫氣。藉由將供應第2空間K2之第2液體LQ2之溶存氣體濃度抑制於5ppm以下，能使形成第2液浸區域LR2之第2液體LQ2中之氣泡溶解於第2液體LQ2中而使其減少或消失。
圖12係表示脫氣裝置38之概略構成的截圖面。在外殼171之內部隔著既定空間173收容筒狀之中空絲束172。中空絲束172係將複數個吸管狀之中空絲膜174捆成平行，各中空絲膜174，係以疏水性高且氣體透過性良好之材料(例如，聚四甲基戊烯)形成。在外殼171之兩端固定真空蓋構件175a、175b，在外殼171之兩端外側形成密閉空間176a、176b。在真空蓋構件175a、175b設置連接於未圖示之真空泵之脫氣口177a、177b。又，在外殼171之兩端，以僅使中空絲束172之兩端連接於密閉空間176a、176b之方式形成密封部178a、178b，藉由連接於脫氣口177a、177b之真空泵能使各中空絲膜174之內側為減壓狀態。在中空絲束172之內部，配置連接於既定之液體供應源之管179。在管179設置複數個液體供應孔180，對密封部178a、178b及中空絲束172所包圍之空間181，從液體供應孔180供應液體LQ。若從液體供應孔180持續供應液體LQ至空間181，液體LQ則以橫穿平行捆成之中空絲膜174之層之方式向外側流動，使液體LQ與中空絲膜174之外表面接觸。如前述因中空絲膜174係以疏水性高且氣體透過性良好之材料形成，故液體LQ不會滲入中空絲膜174之內側，通過各中空絲膜174間移動至中空絲束172外側之空間173。另一方面，溶解於液體LQ中之氣體(分子)，因中空絲膜174之內側已呈減壓狀態(20 Torr左右)，故朝中空絲膜174之內側移動(被吸收)。如上述，在橫穿中空絲膜174之層之期間從液體LQ去除(脫氣)之氣體成分，如箭頭183所示，從中空絲束172之兩端透過密閉空間176a、176b，而從脫氣口177a、177b排出。又，已作脫氣處理之液體LQ，從設置於外殼171之液體出口182供應至第2供應管(第2空間K2)。在本實施形態，第2液體供應部31，使用脫氣裝置38，使供應第2空間K2之第2液體LQ2之溶存氣體濃度為5ppm以下。
又，控制裝置CONT，因依觀察裝置60之觀察結果，能求出第2液浸區域LR2之第2液體LQ2中之氣泡之大小或氣泡之量，故亦可按照第2液浸區域LR2之第2液體LQ2中之氣泡之大小或氣泡之量，來調整供應第2液體供應部31所脫氣之第2液體LQ2的時間。控制裝置CONT連接於定時器TM，控制裝置CONT能以定時器TM管理時間，藉由邊管理時間，邊將已脫氣之第2液體LQ2對第2空間K2供應既定時間，能使形成第2液浸區域LR2之第2液體LQ2中之氣泡減少或消失。具體而言，若氣泡之大小較大或氣泡之量多之情形，控制裝置CONT，則延長已脫氣之第2液體LQ2之供應時間，若氣泡之大小較小或氣泡之量少之情形，縮短已脫氣之第2液體LQ2之供應時間。藉此，若氣泡之大小大或氣泡之量多之情形，能使該氣泡確實地減少或消失，若氣泡之大小較小或氣泡之量少之情形，能節省氣泡雖已減少或消失但仍持續供應已脫氣之第2液體LQ2之浪費。
又，控制裝置CONT，按照第2液浸區域LR2之第2液體LQ2中之氣泡之大小或量，可調整供應第2液體供應部31所脫氣之第2液體LQ2的每單位時間之液體供應量。例如，若氣泡之大小大或氣泡之量多之情形，控制裝置CONT，增加供應所脫氣之第2液體LQ2的每單位時間之液體供應量，若氣泡之大小較小或氣泡之量少之情形，減少供應所脫氣之第2液體LQ2的每單位時間之液體供應量。
接著，將已脫氣之第2液體LQ2供應既定時間後，依觀察裝置60之觀察結果，確認形成第2液浸區域LR2之第2液體LQ2中之氣泡之大小或量已降至既定水準以下後，開始下一批之基板P之曝光。
又在本實施形態，控制裝置CONT，雖以觀察裝置60邊觀察第2液浸區域LR2之狀態，但在邊供應已脫氣之第2液體LQ2至第2空間K2之期間，不需要持續使用觀察裝置60觀察第2液浸區域LR2之狀態亦可。例如在第1時點，使用觀察裝置60觀察第2液浸區域LR2之狀態，根據該觀察裝置60之觀察結果，若判斷在形成第2液浸區域LR2之第2液體LQ2中有氣泡後，控制裝置CONT，亦可不進行觀察裝置60之觀察動作，而從第2液體供應部31使已脫氣之第2液體LQ2供應既定時間。並且，經過既定時間後，在第2時點，藉由使用觀察裝置60確認第2液浸區域LR2之第2液體LQ2中之氣泡是否已減少或消失，控制裝置CONT，能判斷是否要曝光下一批之基板，或進一步繼續已脫氣之第2液體LQ2之供應。在此情形，控制裝置CONT，因能依第1時點之觀察裝置60之觀察結果，求出第2液浸區域LR2中之氣泡之大小或量，故按照該氣泡之大小或量，可調整已脫氣之第2液體LQ2之供應時間。若要調整已脫氣之第2液體LQ2之供應時間之情形，控制裝置CONT，能邊監視定時器TM邊調整供應時間。
又在本實施形態，雖在第2液浸區域LR2之第2液體LQ2之交換完成後，觀察裝置60觀察第2液浸區域LR2之狀態，但當然亦可邊進行第2液浸區域LR2之第2液體LQ2之交換，邊進行觀察裝置60觀察第2液浸區域LR2之狀態。
又，如圖11所示，若將觀察裝置60設置於測量載台PST2之情形，能使觀察裝置60之觀察動作，與基板載台PST1上之基板P之交換動作(既定批量之最後基板與下一批基板之交換動作)並行進行。另一方面，如已在第3實施形態所說明，亦可將觀察裝置60設置於基板載台PST1。在此情形，能在觀察裝置60之觀察動作之前或後，進行基板載台PST1上之基板P之交換動作。又，在圖11，當使用觀察裝置60觀察第2液浸區域LR2之狀態時，第1液浸區域LR1雖未形成，但將第1液浸區域LR1形成亦可。在此情形，觀察裝置60，透過第1液浸區域LR1之第1液體LQ1觀察第2液浸區域LR2。另一方面，如圖11所示，使用觀察裝置60觀察第2液浸區域LR2之狀態時，藉由未形成第1液浸區域LR1，能更高精度地觀察形成第2液浸區域LR2之第2液體LQ2中之氣泡之有無。
又在本實施形態，雖將第2液浸區域LR2之第2液體LQ2之交換動作，依基板P之批別(即依對光罩載台MST之光罩M之交換別)進行，但亦可依既定時間間隔別，或既定基板處理片數別進行。
又在本實施形態，觀察裝置60之觀察動作，雖依第2液浸區域LR2之第2液體LQ2之交換別進行，但亦可在第2液浸區域LR2之第2液體LQ2之交換時以外的時點進行。例如，在對無第2液體LQ2狀態之第2空間K2供應第2液體LQ2時，進行觀察裝置60之觀察亦可。或，即使1批之途中，在進行基板載台PST1上之基板P之交換時，因投影光學系統PL與測量載台PST2對向，若係在測量載台PST2設置觀察裝置60之情形，該批途中之基板交換時，能進行第2液浸區域LR2之觀察。並且，依觀察裝置60之觀察結果，若判斷在形成第2液浸區域LR2之第2液體LQ2中有氣泡時，控制裝置CONT，不進行載置於基板載台PST1之基板P之曝光，為了要使第2液體LQ2中之氣泡減少或消失，將已脫氣之第2液體LQ2對第2空間K2供應既定時間。
又在本實施形態，第2液浸區域LR2之第2液體LQ2之交換動作，雖依批別(或依既定時間間隔別、既定基板處理片數別)進行，但在基板P之曝光中，第2液浸機構2，亦可持續進行對第2空間K2之第2液體LQ2之供應動作及第2空間K2之第2液體LQ2之回收動作。在此情形，在基板P之交換中等之非曝光動作時觀察第2液浸區域LR2(第2液體LQ2)之狀態，若判斷在第2液體LQ2中有氣泡時，控制裝置CONT，不開始下一基板P之曝光，進行所脫氣之第2液體LQ2之供應動作與回收動作，使第2液體LQ2中之氣泡減少或消失。此時，為了要使氣泡減少或消失對第2空間K2供應已脫氣之第2液體LQ2時的每單位時間之液體供應量，可與使基板P曝光時對第2空間K2供應第2液體LQ2時的每單位時間之液體供應量相等，或為了要使氣泡減少或消失對第2空間K2供應已脫氣之第2液體LQ2時的每單位時間之液體供應量，亦可比使基板P曝光時對第2空間K2供應第2液體LQ2時的每單位時間之液體供應量為多。
又，在本實施形態，判斷在形成第2液浸區域LR2之第2液體LQ2中有氣泡時，為了要使該氣體部分減少或消失雖對第2空間K2供應已脫氣之第2液體LQ2既定時間，但亦可不管理已脫氣之第2液體LQ2之液體供應時間，而在判斷在形成第2液浸區域LR2之第2液體LQ2中有氣泡時，邊將已脫氣之第2液體LQ2供應第2空間K2邊以觀察裝置60連續地或間歇地觀察第2液體LQ2，在判斷第2液體LQ2中之氣體部分已減少或消失至對曝光或測量不影響之程度的時點，執行已脫氣之第2液體LQ2之供應停止及/或曝光用光EL之照射。
又，在本實施形態，若判斷在形成第2液浸區域LR2之第2液體LQ2中有氣泡時，雖將已脫氣之第2液體LQ2對第2空間K2供應既定時間，但控制裝置CONT，依觀察裝置60之觀察結果，判斷在形成第1液浸區域LR1之第1液體LQ1中有氣泡時，亦可以將已脫氣之第1液體LQ1供應既定時間之方式，來控制第1液浸機構1。因第1液浸機構1之第1液體供應部11亦具備脫氣裝置，故第1液浸機構1之第1液體供應部11能供應已脫氣之第1液體LQ1。
〈第5實施形態〉
在上述之各實施形態，當執行使用觀察裝置60之觀察動作時，如本實施形態將予說明將液浸區域LR1、LR2以來自光源之光照明亦可。在本實施形態說明各種照明方法及使用其之裝置、構成。例如，照明光，能使用曝光用光EX，在此情形可使曝光用光EX之強度降低。又，透明構件64之材料按照曝光用光EX之波長適當選擇透明之材料(例如螢石或石英等)。又，較佳為按照曝光用光EX之波長使用高感度之攝影元件或檢測元件。
如圖13所示，亦可在觀察裝置60具有照明用之光源67。照明用之光源，例如能使用LED(白色LED等)或EL元件(無機EL片等)。又照明光之照明方法能使用暗視野照明法或明視野照明法，亦能將暗視野照明法或明視野照明法轉換使用。在此情形，例如，能使用明視野照明法觀察空間K1、K2是否充分填滿液體LQ1、LQ2，而能使用暗視野照明法觀察在液體LQ1、LQ2中是否混入小氣泡或粒子。
又，如圖14所示，亦可將用以照明第2液浸區域LR2之照明裝置68，配置於第2液浸區域LR2之上方，即配置於隔著第2液浸區域LR2且與觀察裝置60對向之位置，朝第2液浸區域LR2從上方照射照明光。照明裝置68，例如能具有LED(白色LED等)或EL元件(無機EL片等)。圖14所示之照明裝置68，以對曝光用光EX之光路空間能進退之方式設置，控制裝置CONT，使用觀察裝置60進行第2液浸區域LR2之觀察時，能將照明裝置68配置於曝光用光EX之光路空間，使從照明裝置68射出之照明光，朝第2液浸區域LR2從上方照射。射出自照明裝置68之照明光，通過投影光學系統PL之各光學元件後，能照明第2空間K2之第2液浸區域LR2。並且，使基板P曝光時等，在投影光學系統PL使曝光用光通過之情形，控制裝置CONT，使照明裝置68從曝光用光EX之光路空間退避。在圖14所示之例，照明裝置68雖配置於光罩載台MST(光罩M)與投影光學系統PL之間，但亦可配置於光罩載台MST(光罩M)之上方。
又，如圖15所示，亦可將照明裝置68裝設於光罩載台MST下面。藉此，亦能朝第2液浸區域LR2從上方照射照明光。控制裝置CONT，使用觀察裝置60進行第2液浸區域LR2之觀察時，驅動光罩載台MST，使照明裝置68配置於投影光學系統PL上方，將射出自照明裝置68之照明光，透過投影光學系統PL之各光學元件，朝第2液浸區域LR2從上方照射。
又，如圖16所示，將螢光構件(螢光板)69以光罩載台MST保持，將從螢光板69產生之光(照明光)，朝第2液浸區域LR2從上方照射亦可。在光罩載台MST雖設置用以通過曝光用光EL之開口部Km，但產生自螢光板69之光通過該開口部Km後，透過投影光學系統PL之各光學元件，照射第2液浸區域LR2。為了要使螢光板69發出螢光，例如朝螢光板69照射曝光用光EL即可。或，在光罩載台MST之一部分設置與開口部Km另外之螢光板用開口部，在該螢光板用開口部固定螢光板亦可。
又，亦能使用參照圖14~圖16所說明之照明光來照明第1液浸區域LR1。
又，如圖17所示，將照明裝置68設置於嘴構件70附近，藉由從該照明裝置68照射照明光，該照明光能使第1液浸區域LR1從傾斜方向照明。在圖17所示之例，照明裝置68，係透過第1支撐機構81，支撐於曝光裝置EX本體(柱)100之一部分。柱100支撐凸緣PF(設置於投影光學系統PL之鏡筒PK)。又，柱100，能透過第2支撐機構82，支撐嘴構件70。
又，在上述說明，雖透過透明構件64觀察形成液浸區域(LR1、LR2)之液體(LQ1、LQ2)，但替代如圖17所示之照明裝置68，設置觀察裝置(例如，攝影裝置或氣泡檢測器)，將形成第1液浸區域LR1之第1液體LQ1從側方觀察亦可。該等觀察裝置，例如，亦可使用WO 2004/053958所揭示之氣泡檢測器。該氣泡檢測器具有投射系統與檢測系統，設置於從投影光學系統之光軸離開之位置。更具體而言，投射系統與檢測系統，係以隔著投影光學系統之投影領域之方式朝掃描方向(X方向)設置，從投射系統之複數個投射部將檢測用光斜射入於液浸區域，若在液浸區域不存在氣泡之情形，以液浸區域之底面或界面(在本說明書係透明構件64之上面)反射而以受光系統受光。若在液浸區域存在氣泡之情形，因氣泡會使光散亂，故以設於與受光系統不同位置之另一受光系統使光受光，依該受光量求出氣泡量(暗視野檢測)。依氣泡檢測器、該檢測方法及檢測結果之控制，援用WO 2004/053958之揭示，作為本說明書之一部分。又，將觀察裝置(以測量載台PST2不對向投影光學系統PL之狀態下能從側方觀察(核對)形成第1液浸區域LR1之第1液體LQ1)設置於測量載台PST2亦可。在此情形，例如，即使在保持於基板載台PST1之基板P之曝光中，能將形成於基板載台PST1(基板P)上之第1液浸區域LR1之狀態(液體LQ1中之氣泡之有無或液體LQ1之洩漏等)，使用設置於測量載台PST2之觀察裝置核對。
又，在上述之各實施形態，雖採用將各第1光學元件LS1之下面T1側之第1空間K1與上面T2側之第2空間K2以液體填滿之狀態使用的投影光學系統PL，但亦可採用僅將投影光學系統PL之第1光學元件LS1之下面T1側之第1空間K1以液體填滿之狀態使用的投影光學系統PL。在此情形，觀察裝置60之觀察對象僅係第1液浸區域LR1。
又，不僅將觀察裝置60使用於液浸區域LR1、LR2之觀察，亦能使用於投影光學系統PL之第1光學元件LS1之下面T1之觀察，或嘴構件70之下面70A或未圖示之基板對準系統之對物透鏡下面之觀察。在此情形，從使用觀察裝置60取得之影像，能確認第1光學元件LS1之下面T1、第1光學元件LS1之保持部、嘴構件之下面70A等之污染狀態，或確認是否在基板對準系統之對物透鏡下面或基板對準系統之框體等附著液體(水)。
在上述之各實施形態，液體LQ係使用純水。純水，能在半導體工廠等容易大量獲取，並且有對基板P上之光阻或光學元件(透鏡)等無不良影響之優點。又，純水對環境無不良影響，並且因雜質之含有量極少，故亦能期待基板P之表面，及設置於投影光學系統PL之前端面之光學元件之表面之洗淨作用。又若從工廠等所供應之純水之純度係低時，亦可使曝光裝置具備超純水製造器。
在上述實施形態要觀察氣泡之情形，若使用攝影元件或透過率感測器時，為了要提高該等元件或感測器之感度亦可加添加物。例如，為了要使氣泡液體之區別明確，亦可在液體中添加色素。在此情形，較佳為對曝光用光未具有吸收帶之色素。亦可將如上述加添加物之液體使用於觀察液浸狀態時，而在實際之曝光時使用不加添加物之純水。
並且，對波長193nm左右之曝光用光EL，純水(水)之折射率n為大致1.44，當作曝光用光EL之光源若使用ArF準分子雷射光(波長193nm)時，在基板P上被短波長化為1/n，即大約134nm，能獲得高解析度。進而，因焦點深度比空氣中放大約n倍，即大約1.44倍，故僅將與空氣中所使用時相同程度之焦點深度確保即可之情形，能更增加投影光學系統PL之數值孔徑，該部分亦能提高解析度。
又，在液浸法為了要提高數值孔徑，可考慮使用折射率高之液體，例如使用折射率1.6以上之液體。在此情形，為了要抑制投影光學系統PL之大小(直徑)，較佳為將投影光學系統PL之一部分之透鏡(特別係靠近像面之透鏡)以高折射率之材料形成。例如，較佳為將投影光學系統PL中之光學元件中靠近第2液體LQ2之第2光學元件LS2，以CaO(氧化鈣)及MgO(氧化鎂)中之至少一材料形成。藉此，在能實現之大小下，能實現高數值孔徑。例如即使使用ArF準分子雷射光(波長193nm)之情形，能實現1.5左右，或其以上之高數值孔徑。
在上述之各實施形態，配置於最靠像面側(基板P側)之第1光學元件LS1雖係未具有折射力之平行平面板之形態，但若該第1光學元件LS1具有折射力時，較佳為將該配置於最像面側之第1光學元件LS1以CaO及MgO中之至少一材料形成。
即，較佳為透過形成於像面側之液浸區域之液體將物體像投影於基板上的投影光學系統，較佳為具備第1光學元件，配置於最像面側且以CaO(氧化鈣)及MgO(氧化鎂)中之至少一材料形成。又，透過形成於像面側之液浸區域之液體將物體像投影於基板上的投影光學系統，較佳為具備：第1光學元件，鄰接配置於最像面側；及第2光學元件，鄰接配置於第1光學元件之物體側；第1光學元件與第2光學元件之至少一方，以CaO(氧化鈣)及MgO(氧化鎂)中之至少一材料形成。例如，亦可將第1光學元件與第2光學元件之一方，以CaO(氧化鈣)形成，將另一方以MgO(氧化鎂)形成。
又，若第1光學元件LS1具有折射力時，第1光學元件LS1與第2光學元件LS2之間之光路空間亦可不填滿第2液體LQ2。
又，CaO(氧化鈣)及MgO(氧化鎂)雖在曝光用光EL之波長(例如193nm)具有固有複折射，但固有複折射之符號係CaO(氧化鈣)及MgO(氧化鎂)彼此逆向。因此，若將接近投影光學系統之像面側(基板P側)之光學元件中之1個以CaO或MgO形成之情形，較佳為將該光學元件附近之光學元件以MgO或CaO形成，將該等光學元件之光軸方向之厚度以減少固有複折射之影響之方式設定。在此，較佳為該等光學元件之結晶方向係一致。又，以CaO形成之光學元件與以MgO形成之光學元件不一定要相鄰。
例如，假設將第2光學元件LS2以MgO(或CaO)形成，且將第3光學元件LS3以CaO(或MgO)形成之情形，較佳為將該等第2光學元件LS2之光軸方向之厚度與第3光學元件LS3之光軸方向之厚度，以大致比例於CaO及MgO所具有之固有複折射值之倒數之方式設定。在該情形，能將最像面側(基板P側)之第1光學元件LS1以石英玻璃形成。
又，若第1光學元件LS1具有折射力之情形，亦可將第1光學元件LS1以MgO(或CaO)形成，且將第2光學元件LS2以CaO(或MgO)形成，將第1光學元件LS1之光軸方向之厚度與第2光學元件LS2之光軸方向之厚度，以大致比例於CaO及MgO所具有之固有複折射值之倒數之方式設定。
若要以CaO(氧化鈣)形成光學元件時，較佳為在該光學元件之光學面上形成包含MgO(氧化鎂)之反射防止塗膜。又，若要以MgO(氧化鎂)形成光學元件時，較佳為在該光學元件之光學面上形成包含CaO(氧化鈣)之反射防止塗膜。
又，如上述使用液浸法時，投影光學系統之數值孔徑NA有時會呈0.9~1.5。如此若投影光學系統之數值孔徑NA變大之情形，從以前當作曝光用光使用之隨機偏光用光因由於偏光效果有時會使成像性能惡化，故較佳為使用偏光照明。在此情形，較佳為進行配合光罩(標線片)之等間隔線(line and space)圖案之線圖案之長邊方向的直線偏光照明，使能從光罩(標線片)之圖案，多射出S偏光成分(TE偏光成分)，即沿線圖案之長邊方向之偏光方向成分的繞射光。因在投影光學系統PL與塗布於基板P表面之光阻之間填滿液體之情形，比起在投影光學系統PL與塗布於基板P表面之光阻之間填滿空氣(氣體)之情形，有助於提高對比(contrast)之S偏光成分(TE偏光成分)之繞射光之光阻表面之透過率會提高，故即使投影光學系統之數值孔徑NA超過1.0時亦能獲得高成像性能。又，若適當組合相移光罩或配合如日本特開平6－188169號公報所揭示之線圖案之長邊方向之斜入射照明法(特別係雙極照明法)等，則更有效果。特別，直線偏光照明法與雙孔照明法之組合，係對等間隔線圖案之週期方向限於既定之一方向時，或沿既定之一方向孔圖案密集時有效果。例如，將透過率6%之半階(half－tone)型相移光罩(半間距45nm左右之圖案)，並用直線偏光照明法及雙孔照明法來照明之情形，若設在照明系統之瞳面形成雙孔之二光束之外接圓所限定之照明σ為0.95，設其瞳面之各光束之半徑為0.125 σ，設投影光學系統PL之數值孔徑為NA＝1.2，則比使用隨機偏光用光，能使焦點深度(DOF)增加150nm左右。
又，直線偏光照明與小σ照明法(表示照明系統之數值孔徑NAi與投影光學系統之數值孔徑NAp之比的σ值成為0.4以下之照明法)之組合亦有效果。
又，例如以ArF準分子雷射光為曝光用光，使用1/4左右之縮小倍率之投影光學系統PL，在基板P上使微細之等間隔線圖案(例如25~50nm左右之等間隔線)曝光時，依光罩M之構成(例如圖案之微細度或鉻之厚度)，藉由導波(Wave guide)效應使光罩M當作偏光板而產生作用，從光罩M射出比P偏光成分(TM偏光成分)之繞射光為多之S偏光成分(TE偏光成分)之繞射光。在此情形，較佳為雖使用該直線偏光照明，但以隨機偏光用光照明光罩M，即使投影光學系統PL之數值孔徑NA係大如0.9~1.3，仍能獲得高解析性能。
又，當要將光罩M上之極微細等間隔線圖案曝光於基板P之情形，藉由線柵(Wire Grid)效應P偏光成分(TM偏光成分)雖有比S偏光成分(TE偏光成分)為大之可能性，但例如以ArF準分子雷射光為曝光用光，使用1/4左右之縮小倍率之投影光學系統PL，使比25nm大之等間隔線圖案曝光於基板P上時，因S偏光成分(TE偏光成分)之繞射光比P偏光成分(TM偏光成分)之繞射光為多而從光罩M射出，故即使投影光學系統PL之數值孔徑NA係如0.9~1.3之大之情形，仍能獲得高解析像性能。
再者，不僅係配合光罩(標線片)之線圖案之長邊方向之直線偏光照明(S偏光照明)，如日本特開平6－53120號公報所揭示，使朝以光軸為中心之圓接線(周)方向直線偏光之偏光照明法與斜入射照明法的組合亦有效果。尤其，不僅是光罩(標線片)之圖案朝既定之一方向延伸之線圖案，而且朝複數個不同方向延伸之線圖案混合存在(週期方向不同之等間隔線圖案混在)之情形，同樣如日本特開平6－53120號公報所揭示，藉由並用朝以光軸為中心之圓之切線方向直線偏光之偏光照明法與環帶照明法，即使投影光學系統PL之數值孔徑NA係大時，能獲得高成像性能。例如，將透過率6%之半階型相移光罩(半間距63nm左右之圖案)，並用朝以光軸為中心之圓切線方向直線偏光之偏光照明法與環帶照明法(環帶比3/4)來照明時，若設照明σ為0.95，設投影光學系統PL之數值孔徑為NA＝1.00，則比使用隨機偏光用光，能使焦點深度(DOF)增加250nm，在半間距55nm左右之圖案且投影光學系統之數值孔徑為NA＝1.2，能使焦點深度增加100nm左右。
再者，除上述之各實施形態外再加上，適用：累進焦點曝光法，例如揭示於日本特開平4－277612號公報或日本特開2001－345245號公報；多波長曝光法，使用多波長(例如二波長)之曝光用光能獲得與累進焦點曝光法同樣之效果，故亦具有效果。
上述之實施形態，在投影光學系統PL之前端裝設光學元件LS1，藉由該透鏡能進行投影光學系統PL之光學特性之調整，例如像差(球面像差、彗形像差等)。又，裝設於投影光學系統PL之前端之光學元件，亦可投影光學系統PL之光學特性之調整所使用之光學板。或亦可使曝光用光EL透過之平行平面板。
又，液體LQ之流動所產生之投影光學系統PL前端之光學元件與基板P之間之壓力係大之情形，並非使其光學元件能交換，而是使光學元件不會被其壓力移動之方式而堅固地固定亦可。
又，上述之各實施形態，投影光學系統PL與基板P之間雖係以液體LQ填滿之構成，但亦可例如以在基板P之表面裝配平行平面板所組成之蓋玻璃之狀態來填滿液體LQ之構成。
又，上述之各實施形態之液體LQ雖係水，特別係純水，但水以外之液體亦可。例如，若曝光用光EL之光源係F2 雷射光之情形，因該F2 雷射光係不透過水，故可使用能透過F2 雷射光之液體LQ，例如全氟聚醚(PFPE)或氟系油等氟系流體亦可。在此情形，對與液體LQ接觸之部分，例如以包含氟之極性小之分子構造物質形成薄膜來進行親液化處理。又，液體LQ，其他亦能使用對曝光用光EL具有透過性且折射率盡量高，對塗布於投影光學系統PL與基板P表面之光阻穩定者(例如洋杉油)。在此情形，表面處理亦按照所使用之液體LQ之極性來施加。又，替代液體LQ之純水，亦能使用具有所要之折射率之各種流體，例如，超臨界流體或高折射率氣體。
又，上述各實施形態之基板P，不僅半導體元件製造用之半導體晶圓可適用，顯示器元件用之玻璃基板、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓、或在曝光裝置所使用之光罩或標線片之原版(合成石英、矽晶圓)等亦能適用。
曝光裝置EX，除能適用於步進掃描(step and scan)方式之掃描型曝光裝置(掃描步進機)外，使光罩M與基板P同步移動來掃描曝光光罩M之圖案；亦能適用於步進重複(step and repeat)方式之投影曝光裝置(步進機)使光罩M與基板P靜止之狀態將光罩M之圖案整批曝光，而使基板P逐次步進移動。
又，曝光裝置EX，亦能適用於以使第1圖案與基板P大致靜止之狀態將第1圖案之縮小像使用投影光學系統(例如1/8縮小倍率且不含反射元件之折射型投影光學系統)整批曝光於基板P上之方式的曝光裝置。在此情形，亦能適用於接合方式之整批曝光裝置，即，進一步在其後，以使第2圖案與基板P大致靜止之狀態將第2圖案之縮小像使用其投影光學系統，與第1圖案部分地重疊而整批曝光於基板P上。又，接合方式之曝光裝置，亦能適用於步進接合(step and stitch)方式之曝光裝置，即，在基板P上將至少2個圖案部分地重疊而轉印，逐次移動基板P。
又，本發明亦能適用於雙載台型曝光裝置。雙載台型曝光裝置之情形，可在保持基板之二個基板載台各設置觀察裝置60之至少一部，亦可僅在一基板載台設置觀察裝置60之至少一部。雙載台型曝光裝置之構成及曝光動作，例如揭示於日本特開平10－163099號及日本特開平10－214783號(對應美國專利6,341,007、6,400,441、6,549,269及6,590,634),日本特表2000－505968號(對應美國專利5,696,441)或美國專利6,208,407，在本申請書所指定或選擇之國家法令容許之範圍內，援用該等揭示作為本說明書之一部分。
又在上述實施形態，雖對將本發明適用於具備測量載台與基板載台之曝光裝置之情形加以說明，但對不具備測量載台，僅具備一基板載台之曝光裝置亦能適用本發明。在此情形，如在上述第3實施形態所說明，在基板載台載置觀察裝置60之至少一部。
又，在上述之各實施形態，雖在測量載台或基板載台載置透明構件64與光學系統61與攝影元件63，但亦可例如日本特開平10－284412號公報所揭示，將透明構件64配置於載台，並且在與載台分離而設置之構件(例如底座BP)配置攝影元件63，透過透明構件64以攝影元件63受光，來觀察形成液浸區域(LR1、LR2)之液體(LQ1、LQ2)之狀態。
又，在圖8所示之第3實施形態，雖在基板載台PST1載置透明構件64與光學系統61與攝影元件63，但亦可將透明構件64與第1送光系統配置於基板載台PST1，並且將第2送光系統與攝影元件63載置於測量載台PST2，以使基板載台PST1與測量載台PST2在既定之位置關係之狀態，將透過透明構件64射入第1送光系統之光透過第2送光系統以攝影元件63受光，來觀察形成液浸區域(LR1、LR2)之液體(LQ1、LQ2)之狀態。
又，在上述之第4實施形態，雖使用具有攝影元件63之觀察裝置60檢測氣泡(氣體部分)，若檢測氣泡時使已脫氣之液體流動以減少或消失，但檢測氣泡(氣體部分)之方式不限於使用攝影元件63之方式，亦可以其他方式檢測氣泡來使已脫氣之液體流動。例如，亦能替代攝影元件設置受光元件，對液浸區域以第5實施形態所例示之方法照射光，將透過液浸區域之光之透過率以受光元件檢測。在此情形，預先將氣泡係在容許範圍內時之透過率當作基準值求出，藉由比較對基準值之檢測值能判斷氣泡量。又，此種受光元件之設置位置，不限於投影光學系統之下方(光軸位置)，亦可如該WO 2004/053958所揭示之氣泡檢測器設置於偏離投影光學系統光軸之位置。
再者，亦能將觀察裝置60之一部分或全部，以能對測量載台或基板載台裝卸之方式具備。
又，將該第1液浸區域LR1之狀態從側方觀察之觀察裝置，可配置於曝光裝置EX內(可當作曝光裝置之一構件)，或亦可與曝光裝置不同之單元(例如可供選擇模組)。
又，在上述實施形態，雖採用在投影光學系統PL與基板P之間局部填滿液體之曝光裝置，但本發明，亦能適用於將曝光對象之基板之表面全體以液體覆蓋的液浸曝光裝置。將曝光對象之基板之表面全體以液體被覆的液浸曝光裝置之構成及曝光動作，例如在日本特開平6－124873號公報、日本特開平10－303114號公報、美國專利第5,825,043號等詳細說明，在本申請書所指定或選擇之國家法令容許之範圍內，援用該文獻之記載內容作為本說明書之一部分。
曝光裝置EX之種類，不限於用以將半導體元件圖案曝光於基板P之半導體元件製造用之曝光裝置，能寬廣地適用於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置，或用以製造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)或標線片或光罩等之曝光裝置等。
又，在上述實施形態，雖使用在光透過性之基板上形成既定之遮光圖案(或相位圖案、減光圖案)之光透過性光罩，但替代該光罩，例如美國專利第6,778,257號公報所揭示，亦可依待曝光之圖案之電子資料，使用形成透過圖案或反射圖案、或發光圖案之電子光罩。
又，本發明之曝光裝置亦能適用於未具有投影光學系統之型式之曝光裝置。在此情形，來自光源之曝光用光通過光學元件而照射於液浸區域。如國際公開第2001/035168號說明書所揭示，藉由將干涉條紋形成於基板P上，在基板P上形成等間隔線圖案之曝光裝置(微影系統)，亦能適用本發明。
如上述，本實施形態之曝光裝置EX，藉由將包含列舉於本申請範圍之各種構件的各種子系統，以保持既定之機械精度、電氣精度、光學精度之方式組裝來製造。為了要確保此等各種構件精度，在組裝前後，對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整，對各種機械系統進行用以達成機械精度之調整，對各種電氣系統進行用以達成電氣精度之調整。從各種子系統對曝光裝置之組裝步驟，包含各種子系統彼此之機械連接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。在此從各種子系統對曝光裝置之組裝步驟之前，當然具有各子系統個別之組裝步驟。各種子系統對曝光裝置之組裝步驟結束後，進行綜合調整，以確保曝光裝置全體之各種精度。又，曝光裝置之製造較佳為在溫度及清潔度等受到管理之無塵室進行。
半導體元件等之微元件，如圖18所示，經過：進行微元件之功能、性能設計之步驟201；依此設計步驟製作光罩(標線片)之步驟202；製造元件之基材(基板)之步驟203；藉由前述實施形態之曝光裝置EX將光罩之圖案曝光於基板之曝光處理步驟204；元件組裝步驟(包含分割步驟、接合步驟、封裝步驟)205；檢查步驟206等來製造。又，曝光處理步驟，包含圖5、9及10所說明之液浸區域之觀察或處理等步驟或基板之顯影步驟。
依本發明，藉由掌握液浸區域之狀態，尤其是掌握液浸區域之液體中之氣體之存在來適當處理，能使實際曝光時之液浸區域之狀態為最佳，藉此能實現良好之液浸曝光。
1．．．第1液浸機構
2．．．第2液浸機構
28．．．脫氣裝置
51．．．基板載台上面
58．．．測量載台上面
60．．．觀察裝置
61．．．光學系統
62．．．調整機構
63．．．攝影元件
64．．．透明構件
65．．．透明構件上面
300．．．基準構件
400．．．照度不均感測器
500．．．空間像測量感測器
600．．．照射量感測器
CONT．．．控制裝置
DY．．．顯示裝置
EX．．．曝光裝置
LQ1．．．第1液體
LQ2．．．第2液體
LR1．．．第1液浸區域
LR2．．．第2液浸區域
LS1．．．第1光學元件
LS2．．．第2光學元件
P．．．基板
PL．．．投影光學系統
PST1．．．基板載台
PST2．．．測量載台
圖1係表示第1實施形態之曝光裝置的概略構成圖。
圖2係從上方觀察基板載台及測量載台的俯視圖。
圖3係投影光學系統前端附近的放大截面圖。
圖4係用來說明在基板載台及測量載台之間第1液浸區域移動之狀況的圖。
圖5係表示曝光步驟之一例的流程圖。
圖6係表示觀察裝置觀察液浸區域之狀態的圖。
圖7係表示第2實施形態之曝光裝置。
圖8係表示第3實施形態之曝光裝置。
圖9係表示觀察裝置之觀察時點之一例的流程圖。
圖10係表示第4實施形態之曝光步驟之一例的流程圖。
圖11係表示第4實施形態之曝光裝置要部圖。
圖12係表示脫氣裝置之一例。
圖13係表示具備照明光源之觀察裝置的概略圖。
圖14係表示照明液浸區域之照明裝置之一例的概略圖。
圖15係表示照明液浸區域之照明裝置之一例的概略圖。
圖16係表示照明液浸區域之照明裝置之一例的概略圖。
圖17係表示照明液浸區域之照明裝置之一例的概略圖。
圖18係表示半導體元件之製造步驟之一例的流程圖。
1．．．第1液浸機構
2．．．第2液浸機構
10．．．第1液體供應機構
11．．．第1液體供應部
12．．．第1供應口
13．．．第1供應管
16、36．．．流量控制器
20．．．第1液體回收機構
21．．．第1液體回收部
22．．．第1回收口
23．．．第1回收管
30．．．第2液體供應機構
31．．．第2液體供應部
32．．．第2供應口
33．．．第2供應管
40．．．第2液體回收機構
41．．．第2液體回收部
43．．．第2回收管
50．．．凹部
51．．．基板載台上面
52、54、56．．．移動鏡
53、55、57．．．雷射干射計
58．．．測量載台上面
60．．．觀察裝置
61．．．光學元件
62．．．調整機構
63．．．攝影元件
64．．．透明構件
64K．．．開口部
65．．．透明構件上面
66．．．內部空間
70．．．嘴構件
70A．．．嘴構件下面
AX．．．光軸
BP．．．底座
CONT．．．控制裝置
DY．．．顯示裝置
EL．．．曝光用光
EX．．．曝光裝置
IL．．．照明光學系統
K1．．．第1空間
K2．．．第2空間
LQ1．．．第1液體
LQ2．．．第2液體
LR1．．．第1液浸區域
LR2．．．第2液浸區域
LS1~LS7．．．光學元件
LS1．．．第1光學元件
LS2．．．第2光學元件
M．．．光罩
MST．．．光罩載台
MSTD．．．光罩載台驅動機構
P．．．基板
PH．．．基板保持具
PK．．．鏡筒
PL．．．投影光學系統
PST1．．．基板載台
PST2．．．測量載台
PSTD1．．．基板載台驅動機構
PSTD2．．．測量載台驅動機構
T1．．．第1光學元件下面
T2．．．第1光學元件上面
T3．．．第2光學元件下面

Claims (23)

  1. 一種曝光裝置，係透過投影光學系統及形成於該投影光學系統之像面側之液浸區域之液體使基板曝光，其特徵在於：該投影光學系統，具有最靠近該投影光學系統之像面之第1光學元件；該曝光裝置具備：液浸機構，在包含設置於該投影光學系統之像面側之透明構件的表面之既定面與該第1光學元件之間形成液體之液浸區域；及觀察裝置，包含攝影元件，透過該透明構件以該攝影元件取得形成該液浸區域之液體之影像。
  2. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該觀察裝置，係透過配置於該投影光學系統之像面側之既定面來取得觀察該液浸區域之狀態之影像資訊。
  3. 如申請專利範圍第2項之曝光裝置，其中，該既定面包含透明構件之表面，該觀察裝置係透過該透明構件來取得觀察液浸區域之狀態之影像資訊。
  4. 如申請專利範圍第2項之曝光裝置，其具有能在該投影光學系統之像面側移動之載台，該載台之上面包含該既定面。
  5. 如申請專利範圍第4項之曝光裝置，其中，該觀察裝置之至少一部分係設置於該載台內部。
  6. 如申請專利範圍第4項之曝光裝置，其中，該載台 係以可移動的方式保持該基板。
  7. 如申請專利範圍第4項之曝光裝置，其中，該載台包含能彼此獨立移動之第1載台及第2載台，該第1載台保持該基板而移動，該第2載台保持進行曝光處理相關之測量之測量器而移動，該第2載台之上面包含該既定面。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之曝光裝置，其中，該投影光學系統，具有次於該第1光學元件靠近該投影光學系統之像面之第2光學元件；該液浸機構包含：第1液浸機構，在該第1光學元件與該既定面之間形成作為該液浸區域之第1液浸區域；及第2液浸機構，在該第1光學元件與該第2光學元件之間形成第2液浸區域；該觀察裝置，能分別觀察該第1液浸區域之狀態與該第2液浸區域之狀態。
  9. 如申請專利範圍第8項之曝光裝置，其中，該觀察裝置係透過該第1光學元件來觀察該第2液浸區域。
  10. 如申請專利範圍第8項之曝光裝置，其中，該觀察裝置具有可調整其光學系統之焦點位置之調整機構，藉由調整該焦點位置，能分別觀察該第1液浸區域之狀態與該第2液浸區域之狀態。
  11. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之曝光裝置，其中，該觀察裝置具有較該液浸區域為大之視野。
  12. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該觀 察裝置具有較該液浸區域為小之視野，邊將該液浸區域與該視野相對移動邊觀察。
  13. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該觀察裝置係用以取得供形成該液浸區域之液體之影像。
  14. 如申請專利範圍第12項之曝光裝置，其中，該觀察裝置包含供顯示該影像之顯示裝置。
  15. 如申請專利範圍第13項之曝光裝置，其中，該觀察裝置包含攝影元件。
  16. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該觀察裝置係用以觀察形成該液浸區域之液體中氣體之混入狀態。
  17. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該液浸機構具有使液體脫氣之脫氣裝置；並且具有控制裝置，根據該觀察裝置之觀察結果，若判斷在形成該液浸區域之液體中有氣體部分時，則控制該液浸機構以供應已脫氣之液體。
  18. 如申請專利範圍第17項之曝光裝置，其中該脫氣裝置，以使溶存氣體濃度為5ppm以下之方式使液體脫氣。
  19. 如申請專利範圍第17項之曝光裝置，其中該控制裝置，邊以該觀察裝置觀察該液浸區域之狀態邊供應該已脫氣之液體。
  20. 如申請專利範圍第17項之曝光裝置，其中該控制裝置，按照該液浸區域中之氣體部分之大小或量來調整供 應該已脫氣之液體之時間。
  21. 一種曝光裝置，係透過光學元件及形成於該光學元件之光射出側之液浸區域之液體使基板曝光，其特徵在於具備：液浸機構，用以將包含配置於該光學元件之光射出側之透明構件的表面之既定面與該光學元件之間以液體填滿；及觀察裝置，包含攝影元件，透過該透明構件以該攝影元件取得該光學元件與該既定面之間之液體之影像。
  22. 如申請專利範圍第21項之曝光裝置，其進一步具備投影光學系統，該光學元件係最靠近該投影光學系統之像面者。
  23. 一種半導體元件之製造方法，其特徵在於包含以下步驟：利用申請專利範圍第1至22項中任一項之曝光裝置來使基板曝光；將經曝光之基板顯影；及將經顯影之基板加工。
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4543767B2 (ja) * 2004-06-10 2010-09-15 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
EP3258318B1 (en) 2004-08-03 2019-02-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20070100864A (ko) * 2004-12-07 2007-10-12 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8692973B2 (en) * 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
KR101942138B1 (ko) * 2005-01-31 2019-01-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US9239524B2 (en) 2005-03-30 2016-01-19 Nikon Corporation Exposure condition determination method, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method involving detection of the situation of a liquid immersion region
SG175671A1 (en) 2006-05-18 2011-11-28 Nikon Corp Exposure method and apparatus, maintenance method and device manufacturing method
CN101385125B (zh) 2006-05-22 2011-04-13 株式会社尼康 曝光方法及装置、维修方法、以及组件制造方法
CN102156389A (zh) 2006-05-23 2011-08-17 株式会社尼康 维修方法、曝光方法及装置、以及组件制造方法
CN101390194B (zh) 2006-06-30 2011-04-20 株式会社尼康 维修方法、曝光方法及装置、以及元件制造方法
JP2008034801A (ja) * 2006-06-30 2008-02-14 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
US8570484B2 (en) 2006-08-30 2013-10-29 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus, device manufacturing method, cleaning method, and cleaning member to remove foreign substance using liquid
US7872730B2 (en) 2006-09-15 2011-01-18 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method
WO2008059916A1 (fr) * 2006-11-15 2008-05-22 Nikon Corporation Appareil et procédé d'exposition et procédé de fabrication de dispositif
US20080158531A1 (en) 2006-11-15 2008-07-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US20080156356A1 (en) 2006-12-05 2008-07-03 Nikon Corporation Cleaning liquid, cleaning method, liquid generating apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
KR100830586B1 (ko) 2006-12-12 2008-05-21 삼성전자주식회사 기판을 노광하는 장치 및 방법
US8164736B2 (en) 2007-05-29 2012-04-24 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device
JP2009031603A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Canon Inc 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
DE102007043896A1 (de) 2007-09-14 2009-04-02 Carl Zeiss Smt Ag Mikrooptik zur Messung der Position eines Luftbildes
JP2009086038A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Canon Inc 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
US8654306B2 (en) 2008-04-14 2014-02-18 Nikon Corporation Exposure apparatus, cleaning method, and device fabricating method
US20110008734A1 (en) * 2009-06-19 2011-01-13 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US9651873B2 (en) * 2012-12-27 2017-05-16 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium
CN108475025B (zh) * 2015-11-20 2021-02-26 Asml荷兰有限公司 光刻设备和操作光刻设备的方法
NL2019072A (en) * 2016-07-04 2018-01-09 Asml Netherlands Bv An Inspection Substrate and an Inspection Method
CN107991843B (zh) * 2017-12-21 2023-07-21 浙江启尔机电技术有限公司 一种用于浸没式光刻机的微流道气液分离回收装置
US10690486B2 (en) 2018-07-03 2020-06-23 Amo Development, Llc Water-immersed high precision laser focus spot size measurement apparatus
US11720032B2 (en) 2018-09-24 2023-08-08 Asml Netherlands B.V. Process tool and an inspection method

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0605103A1 (en) * 1992-11-27 1994-07-06 Canon Kabushiki Kaisha Projection apparatus for immersed exposure
WO2004053958A1 (ja) * 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP2004193252A (ja) * 2002-12-10 2004-07-08 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法

Family Cites Families (133)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS5825607A (ja) * 1981-08-08 1983-02-15 Canon Inc 投影装置
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPH0782981B2 (ja) 1986-02-07 1995-09-06 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
US4801352A (en) 1986-12-30 1989-01-31 Image Micro Systems, Inc. Flowing gas seal enclosure for processing workpiece surface with controlled gas environment and intense laser irradiation
US4931050A (en) 1988-04-13 1990-06-05 Shiley Infusaid Inc. Constant pressure variable flow pump
DE69033002T2 (de) 1989-10-02 1999-09-02 Canon Kk Belichtungsvorrichtung
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法，露光装置，並びに位置検出方法及び装置
JP2830492B2 (ja) 1991-03-06 1998-12-02 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JP3109852B2 (ja) 1991-04-16 2000-11-20 キヤノン株式会社 投影露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
JP3246615B2 (ja) 1992-07-27 2002-01-15 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、及び露光方法
JPH06188169A (ja) 1992-08-24 1994-07-08 Canon Inc 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
JP3555230B2 (ja) 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
US5559338A (en) 1994-10-04 1996-09-24 Excimer Laser Systems, Inc. Deep ultraviolet optical imaging system for microlithography and/or microfabrication
US5623853A (en) 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08330229A (ja) 1995-06-01 1996-12-13 Fujitsu Ltd 半導体結晶成長方法
JP3137174B2 (ja) 1995-09-08 2001-02-19 横河電機株式会社 Ｉｃテスタのテストヘッド
KR100228036B1 (ko) 1996-02-09 1999-11-01 니시무로 타이죠 표면에너지 분포측정장치 및 측정방법
US5885134A (en) 1996-04-18 1999-03-23 Ebara Corporation Polishing apparatus
JPH09320933A (ja) * 1996-05-28 1997-12-12 Nikon Corp 走査型露光装置
US5870223A (en) 1996-07-22 1999-02-09 Nikon Corporation Microscope system for liquid immersion observation
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
SG88824A1 (en) 1996-11-28 2002-05-21 Nikon Corp Projection exposure method
DE69717975T2 (de) 1996-12-24 2003-05-28 Asml Netherlands Bv In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät
US5959441A (en) 1997-04-03 1999-09-28 Dell Usa, L.P. Voltage mode control for a multiphase DC power regulator
JPH10284412A (ja) 1997-04-10 1998-10-23 Nikon Corp 外部と光を授受するステージ装置及び投影露光装置
JPH10335235A (ja) 1997-05-28 1998-12-18 Nikon Corp 露光装置、その光洗浄方法及び半導体デバイスの製造方法
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JPH10335236A (ja) 1997-05-28 1998-12-18 Nikon Corp 露光装置、その光洗浄方法及び半導体デバイスの製造方法
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
US6563565B2 (en) 1997-08-27 2003-05-13 Nikon Corporation Apparatus and method for projection exposure
JPH11135428A (ja) * 1997-08-27 1999-05-21 Nikon Corp 投影露光方法及び投影露光装置
DE19744246A1 (de) 1997-10-07 1999-04-29 Hajo Prof Dr Suhr Verfahren und Vorrichtung zur Videomikroskopie disperser Partikelverteilungen
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
JPH11283903A (ja) * 1998-03-30 1999-10-15 Nikon Corp 投影光学系検査装置及び同装置を備えた投影露光装置
WO1999027568A1 (fr) * 1997-11-21 1999-06-03 Nikon Corporation Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection
US6897963B1 (en) 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
AU1682899A (en) * 1997-12-18 1999-07-05 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
US5997963A (en) 1998-05-05 1999-12-07 Ultratech Stepper, Inc. Microchamber
US6819414B1 (en) 1998-05-19 2004-11-16 Nikon Corporation Aberration measuring apparatus, aberration measuring method, projection exposure apparatus having the same measuring apparatus, device manufacturing method using the same measuring method, and exposure method
AU3849199A (en) 1998-05-19 1999-12-06 Nikon Corporation Aberration measuring instrument and measuring method, projection exposure apparatus provided with the instrument and device-manufacturing method using the measuring method, and exposure method
DE19825518C2 (de) * 1998-06-08 2001-10-04 Fresenius Ag Vorrichtung zur Messung von Parameteränderungen an lichtdurchlässigen Objekten
JP2934726B2 (ja) 1998-08-20 1999-08-16 株式会社ニコン 投影露光方法
EP1018669B1 (en) 1999-01-08 2006-03-01 ASML Netherlands B.V. Projection lithography with servo control
WO2000063756A1 (fr) 1999-04-16 2000-10-26 Fujikin Incorporated Dispositif d'alimentation en fluide du type derivation parallele, et procede et dispositif de commande du debit d'un systeme de pression du type a fluide variable utilise dans ledit dispositif
EP1139138A4 (en) 1999-09-29 2006-03-08 Nikon Corp PROJECTION EXPOSURE PROCESS, DEVICE AND OPTICAL PROJECTION SYSTEM
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
JP2001267239A (ja) 2000-01-14 2001-09-28 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
TW588222B (en) 2000-02-10 2004-05-21 Asml Netherlands Bv Cooling of voice coil motors in lithographic projection apparatus
US6472643B1 (en) 2000-03-07 2002-10-29 Silicon Valley Group, Inc. Substrate thermal management system
DE10011130A1 (de) 2000-03-10 2001-09-13 Mannesmann Vdo Ag Entlüftungseinrichtung für einen Kraftstoffbehälter
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
JP2001345245A (ja) 2000-05-31 2001-12-14 Nikon Corp 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
JP4692862B2 (ja) 2000-08-28 2011-06-01 株式会社ニコン 検査装置、該検査装置を備えた露光装置、およびマイクロデバイスの製造方法
EP1231513A1 (en) 2001-02-08 2002-08-14 Asm Lithography B.V. Lithographic projection apparatus with adjustable focal surface
EP1231514A1 (en) 2001-02-13 2002-08-14 Asm Lithography B.V. Measurement of wavefront aberrations in a lithographic projection apparatus
EP1241467B2 (en) 2001-03-14 2010-11-03 Hitachi Information & Control Solutions, Ltd. Inspection device and system for inspecting foreign matters in liquid filled in transparent container
JP2002343706A (ja) * 2001-05-18 2002-11-29 Nikon Corp ステージ装置及びステージの駆動方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス及びその製造方法
JP2002365027A (ja) * 2001-06-07 2002-12-18 Japan Science & Technology Corp 表面観察装置
KR20030002514A (ko) 2001-06-29 2003-01-09 삼성전자 주식회사 웨이퍼가 장착될 척을 냉각시키기 위한 냉매 경로에서의냉매 누설을 감지할 수 있는 냉각 시스템
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
EP1480258A4 (en) 2002-01-29 2005-11-09 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND EXPOSURE METHOD
WO2003095706A2 (en) 2002-05-07 2003-11-20 Memgen Corporation Electrochemically fabricated hermetically sealed microstructures
US7362508B2 (en) 2002-08-23 2008-04-22 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US20040055803A1 (en) 2002-09-24 2004-03-25 Patmont Motor Werks Variable speed transmission for scooter
JP3953460B2 (ja) 2002-11-12 2007-08-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ投影装置
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420299B1 (en) 2002-11-12 2011-01-05 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1429188B1 (en) 2002-11-12 2013-06-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus
EP2495613B1 (en) 2002-11-12 2013-07-31 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
CN101382738B (zh) 2002-11-12 2011-01-12 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
CN100470367C (zh) * 2002-11-12 2009-03-18 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
FR2847670B1 (fr) 2002-11-26 2005-06-10 Sc2N Sa Detecteur par voie optique de la presence de bulles de gaz dans un liquide
JP4595320B2 (ja) * 2002-12-10 2010-12-08 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
SG152063A1 (en) 2002-12-10 2009-05-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
US7948604B2 (en) 2002-12-10 2011-05-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
SG165169A1 (en) * 2002-12-10 2010-10-28 Nikon Corp Liquid immersion exposure apparatus
DE10257766A1 (de) * 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
WO2004053956A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
CN101872135B (zh) 2002-12-10 2013-07-31 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
KR20120127755A (ko) 2002-12-10 2012-11-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
JP4204964B2 (ja) 2002-12-23 2009-01-07 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置
JP2004205698A (ja) 2002-12-24 2004-07-22 Nikon Corp 投影光学系、露光装置および露光方法
EP2921905B1 (en) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
CN101002140B (zh) * 2003-04-11 2010-12-08 株式会社尼康 保持平板印刷投射透镜下面的浸没流体的设备和方法
TW201806001A (zh) 2003-05-23 2018-02-16 尼康股份有限公司 曝光裝置及元件製造方法
US7213963B2 (en) * 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261742A3 (en) * 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method.
KR101419663B1 (ko) 2003-06-19 2014-07-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
JP4343597B2 (ja) 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005019616A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
EP1498778A1 (en) 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3862678B2 (ja) * 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1494079B1 (en) 2003-06-27 2008-01-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic Apparatus
JP4697138B2 (ja) 2003-07-08 2011-06-08 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ方法、デバイス製造方法
EP1500982A1 (en) * 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005010960A1 (ja) 2003-07-25 2005-02-03 Nikon Corporation 投影光学系の検査方法および検査装置、ならびに投影光学系の製造方法
US7061578B2 (en) 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
JP4513299B2 (ja) * 2003-10-02 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2005136374A (ja) 2003-10-06 2005-05-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法
EP1524558A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2267537B1 (en) 2003-10-28 2017-09-13 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus
TWI361450B (en) 2003-10-31 2012-04-01 Nikon Corp Platen, stage device, exposure device and exposure method
JP2005191394A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
JP2005209705A (ja) * 2004-01-20 2005-08-04 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
CN100552879C (zh) * 2004-02-02 2009-10-21 尼康股份有限公司 载台驱动方法及载台装置、曝光装置、及元件制造方法
US20070216889A1 (en) 2004-06-04 2007-09-20 Yasufumi Nishii Exposure Apparatus, Exposure Method, and Method for Producing Device
EP1783822A4 (en) * 2004-06-21 2009-07-15 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE DEVICE ELEMENT CLEANING METHOD, EXPOSURE DEVICE MAINTENANCE METHOD, MAINTENANCE DEVICE, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
EP3258318B1 (en) 2004-08-03 2019-02-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7274883B2 (en) * 2005-03-22 2007-09-25 Marvell International Technology Ltd. Hybrid printer and related system and method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0605103A1 (en) * 1992-11-27 1994-07-06 Canon Kabushiki Kaisha Projection apparatus for immersed exposure
WO2004053958A1 (ja) * 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP2004193252A (ja) * 2002-12-10 2004-07-08 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
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