TWI407828B - 顯示裝置之製造方法 - Google Patents

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TWI407828B
TWI407828B TW093102323A TW93102323A TWI407828B TW I407828 B TWI407828 B TW I407828B TW 093102323 A TW093102323 A TW 093102323A TW 93102323 A TW93102323 A TW 93102323A TW I407828 B TWI407828 B TW I407828B
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Description

顯示裝置之製造方法
本發明係關於，顯示裝置之製造方法。特別是關於，改良驅動顯示裝置的電晶體的製造方法的顯示裝置之製造方法。
液晶顯示裝置或EL顯示裝置等，顯示裝置的大型化正在進展。然而，隨著顯示裝置的大型化，卻滋生產能降低，製造成本增加的問題。
傳統上，驅動顯示裝置所用的TFT陣列基板(TFT：薄膜電晶體)，是在基板整面形成薄膜後，重複，藉由微影成像技術(Photolithography)形成阻劑遮罩，使用該遮罩，蝕刻去除上述形成的薄膜中的不需要部分的製程而予以製造。(參照，例如：專利文獻1)。
然而，在TFT陣列基板上，形成有TFT的區域僅有小部分，形成的薄膜差不多全部都以蝕刻去除掉。亦即，形成的薄膜差不多都因無用而去除掉。而且，在微影成像技術時，為了要藉由旋轉塗敷法在基板的整面塗敷阻劑材料，滴下的阻劑材料幾乎全部從處理基板上向周邊飛散掉，造成很大的浪費。這種無用的材料成為妨礙降低原材料費的主要原因。
而且，製造大型顯示裝置所需要的大型製造裝置，會隨著處理室的容量增大，而需要例如，排氣量更大的真空 裝置等，招致設備費的增加。同時，到達規定真空度所需要的時間也增加，導致製程時間之增加。
因此被要求開發多少能夠降低原材料費、或設備費、縮短製程時間、減少製程數，能夠減低製造成本的顯示裝置的製造方法。
專利文獻1：特開平6-202153號公報
有鑑於上述問題，本發明的課題是，提案使用能局部性形成阻劑膜的單元，及藉由在大氣壓力或接近大氣壓力的壓力下的電漿處理，局部性成膜、蝕刻、或灰化的手段，實現顯示裝置製造的低成本化的顯示裝置之製造方法。
本發明顯示裝置的製造方法的特徵為，具有，可在大氣壓力或接近大氣壓力的壓力下，局部性形成導電膜，形成配線的製程。
再者，要在大氣壓力或接近大氣壓的壓力下，局部性形成導電膜，使用具有產生電漿用電極的電漿處理單元即可。
在此，所謂配線，除了在主動矩陣型的顯示裝置的像素部，具備閘極配線或源極配線的功能的配線之外，應另包含，用以將來自外部輸入端子的信號送至像素部的連接配線，或連接薄膜電晶體(TFT)與像素電極的配線等，所有配線。
同時，上述電漿處理單元是，可以在大氣壓力或接近 大氣壓力的壓力(5~800torr)下，產生電漿，具有至少一組產生電漿用電極者。
再者，在本發明，不僅形成導電膜，也可以局部性形成阻劑膜，或絕緣膜等。同時，除了形成薄膜以外，也可以局部性進行膜的蝕刻、或灰化等。
同時，本發明的其他顯示裝置的製造方法的特徵為，使用具有產生電漿用的電極的電漿處理單元，在大氣壓力或接近大氣壓力的壓力下，局部性形成導電膜，再使用阻劑遮罩等遮罩，蝕刻上述導電膜，而且將其加工成細密的形狀。
再者，形成阻劑遮罩時，阻劑膜也可以使用排列有複數個液滴噴出口的液滴噴出單元，或排列有複數個液體吐出口的液體吐出手段等，以局部方式形成。同時，如此局部性形成的阻劑膜，可以直接以這種形狀當作阻劑遮罩使用，也可以藉由微影成像技術等進一步加工成細密的形狀後，當作阻劑遮罩使用。如此，由於局部性形成阻劑膜，可以較之使用旋轉塗敷法形成阻劑膜，可大幅度減低阻劑膜的使用量。
同時，蝕刻也可以使用具有產生電漿用的電極的電漿處理單元，在大氣壓力或接近大氣壓力的壓力下，對被處理物局部性噴射反應氣體。如此，在大氣壓力或接近大氣壓力的壓力下進行蝕刻，則可簡化使蝕刻處理室內成為真空狀態所需要的時間或真空系統的設備等。同時，由於對被處理物局部性噴射反應氣體，可以減低蝕刻過程所需要 的反應氣體的使用量。
而且，蝕刻後變成無用處的阻劑遮罩，也可以用具有產生電漿用電極的電漿處理單元，在大氣壓力或接近大氣壓力的壓力下，對被處理物局部性噴射反應氣體，藉此加以去除。
另一發明是，使用具有產生電漿用的電極的電漿處理單元，在大氣壓力或接近大氣壓力的壓力下，對覆蓋薄膜電晶體的絕緣膜的表面，局部性噴射反應氣體，蝕刻上述絕緣膜的一部分，形成貫穿上述絕緣膜的接觸孔，為其特徵的顯示裝置的製造方法。
而，電漿處理單元是，可以在大氣壓力或接近大氣壓力(5~800torr)的壓力下，產生電漿，具有至少一組產生電漿用電極者。
再者，蝕刻絕緣膜時，也可以使用阻劑遮罩蝕刻。藉此，可以形成更細密的接觸孔。同時，形成該阻劑遮罩時，阻劑也可以如上述使用排列有複數個液滴噴出口的液滴噴出單元，或排列有複數個液體吐出口的液體吐出手段等，以局部方式形成。同時，如此局部性形成的阻劑膜，可以直接以這種形狀當作阻劑遮罩使用，也可以藉由微影成像技術等進一步加工成細密的形狀後，當作阻劑遮罩使用。
而且，蝕刻後變成無用的阻劑遮罩，也可以用具有產生電漿用的電極的電漿處理單元，在大氣壓力或接近大氣壓力的壓力下，對被處理物局部性噴射反應氣體，藉此加 以去除。
藉由本發明，可以製成，能夠減少製造過程時使用的原材料的使用量及真空處理製程，將製造成本抑制到很低的顯示裝置。同時，可以實現搭載此等顯示裝置的電子機器的低價格化。
茲參照附圖，說明本發明實施形態如下。但是，本發明是能夠以多種不同形態實施，只要是本行業者應可很容易瞭解，本發明可以在不脫離其主旨及其範圍之下對其形態及詳情做各種變更。因此，不應限定在本實施形態的記述內容來解釋本發明。
(實施形態1)
在本實施形態將說明，使用第2圖(A)、(B)所示裝置局部性形成阻劑遮罩的方法。
首先說明第2圖(A)所示裝置。第2圖(A)表示液滴噴出裝置的一個架構例子，而第3圖、第4圖(A)~(C)是表示，配置此液滴噴出裝置所用的複數個噴嘴的液滴噴出單元部。
第2圖(A)所示的液滴噴出裝置係在裝置內具備液滴噴出單元106，藉此吐出液滴，而在被處理物102上獲得所希望的圖案。
在第2圖(A)，被處理物102是從運入口104運進 筐體101內部，處理後從運出口105運出。在筐體101內部，被處理物102被載置於運送台103，運送台103在連結運入口與運出口的軌道110a、110b上移動。
液滴噴出單元支持部107係用於支撐吐出液滴的液滴噴出單元106，與運送台103平行移動。當被處理物102被運進筐體101內部時，液滴噴出單元支持部107便同時移動，使液滴噴出單元106對準進行最初的液滴噴出處理的位置。在運進被處理物或運出時使液滴噴出單元106向初期位置移動，便可以有效率進行吐出處理。
液滴噴出處理是在因運送台103的移動使被處理物102到達液滴噴出單元106在等候的規定位置後開始。液滴噴出處理是藉由液滴噴出單元支持部107與被處理物102的相對移動，與從液滴噴出單元支持部107所支持的液滴噴出單元106的噴出液滴的組合而達成。調節被處理物102或液滴噴出單元支持部107的移動速度，與從液滴噴出單元106吐出液滴的周期，便可以在被處理物102上形成所希望的圖案。被要求有高精密度的液滴噴出等處理時，最好停止運送台103的移動，而僅令控制性高的液滴噴出單元支持部107順序掃描。同時，液滴噴出單元106的藉由液滴噴出單元支持部107的掃描不限定於單一方向，可以藉由來回或重複來回進行液滴噴出處理。
原料液是從設置在筐體101外部的原料液供應部109供給筐體內部，再經由液滴噴出單元支持部107供給液滴噴出單元106內部的液室。此項原料液的供應是由設置在 筐體101外部的控制手段108來控制，但也可以由設在筐體101的液滴噴出單元支持部107內部的控制手段來控制。
而，運送台103與液滴噴出單元支持部107的移動也是同樣，由設在筐體101外部的控制手段108來控制。
雖未記載於第2圖(A)，但可以視實際上的需要，進一步設置：對預先形成在被處理物102上的圖案進行對準位置用的感測器；向筐體101引進氣體的單元；筐體內部的排氣單元；加熱處理基板的單元；對被處理物照射光線的單元；以及，測量溫度、壓力等各種物性值的單元等。而，此等單元也是由設在筐體101外部的控制手段108，統一加以控制。
其次說明液滴噴出單元106內部的構造。第3圖是從長度方向所視之第1圖(A)的液滴噴出單元106的截面，雖未圖示，但是連接在液滴噴出單元支持部。
從外部供給液滴噴出單元內部的原料液是在通過共同液室流路122後，分配至吐出液滴用的各噴嘴129。各噴嘴部是由：為了將原料液裝填於噴嘴內所設的液體阻力部123；將原料液加壓而吐出噴嘴外部用的加壓室124；及液滴噴出孔126所構成。
在加壓室124的側壁配置有，具有施加電壓時會變形的鈦酸．鋯酸．鉛(Pb(Zr、Ti)O3 )等的具有壓電效果的壓電元件125。因此，對排列在目標噴嘴的壓電元件125施加電壓，則可將加壓室124內的液滴擠出，將液滴 127吐出外部。同時，各壓電元件是由接觸於此的絕緣物128加以絕緣，因此不會分別電氣方式接觸，可以控制由各個噴嘴之吐出。
本實施形態是記載，藉由使用壓電元件的所謂壓電方式的噴出液滴的方法，但也可以使用其他的令發熱體發熱產生氣泡擠出液滴的方法。這時是，以發熱體取代壓電元件125的構造。
同時，在噴出液滴用的噴嘴部129，原料液與共同液室流路122、液體阻力部123、加壓室124，甚至液滴噴出孔126的相互間的濕潤性很重要。因此，也可以在各流路形成用以調整與材質間的濕潤性的碳膜、樹脂膜等。
藉由上述單元，可以將液滴127滴下到被處理物102上。
第4圖(A)~第4圖(C)是以模式方式表示液滴噴出單元106的底部。第4圖(A)是在液滴噴出單元106的底面線狀排列液滴噴出孔132者。對此，第4圖(B)是，在液滴噴出單元106的底部排列兩列液滴噴出孔136，將各該列錯開半個間距排列。第4圖(C)是不錯開間距將其增加為兩列排列。第4圖(C)的配置是，從第1段的液滴噴出孔140噴出液滴後，經過時間差從液滴噴出孔140對相同處所吐出相同的液滴，藉此可以在已吐出的基板上的液滴乾燥或固化前，堆積較厚的液滴。同時，第1段的噴嘴部因液滴而阻塞時可以使用第2段的備用的液滴噴出孔140。
而第2圖(B)是配設兩個第2圖(A)所示液滴噴出裝置的液滴噴出單元206的雙液滴噴出單元構造的液墑噴出裝置。再者，跟第2圖(A)相同的構成要素標示相同記號，說明從略。在本裝置，可以藉由一次掃描噴出使用兩種原料液的液滴。亦即，以液滴噴出單元206a藉由噴出液滴A而形成圖案，同時以稍微的時間差以液滴噴出單元206b藉由噴出液滴B而形成圖案，以連續形成圖案。209a與209b是原料供應部，分別儲存液滴噴出單元所使用的液滴A與液滴B的原料液，而供給液滴噴出單元。
在本實施形態，使用第2圖(B)所示的裝置，以阻劑溶液作為原料液而形成阻劑膜。再者，在被處理物202上的阻劑膜形成部分可以預先形成用以提高阻劑膜的密接性的六甲基二矽氨烷(HMDS)等界面活性劑的膜。
首先，從設在液滴噴出單元206a的複數個液滴噴出孔噴出HMDS的液滴，在被處理物202上形成，連續由各液滴形成的圖案連接而成的線狀HMDS膜。再從設在液滴噴出單元206b的複數個液滴噴出孔噴出阻劑的液滴，在HMDS膜上形成，連續由各液滴形成的圖案連接而成的阻劑膜。
接下參照第5圖(A)、(B)，說明以此方法形成的阻劑膜的圖案。在第5圖(A)，形成在被處理物150上的複數個HMDS膜151a~151e是，從設在液滴噴出單元206a的所有液滴噴出口，以相同的時間間隔噴出液滴， 所形成者。而且，跟液滴噴出單元206a同樣，從設在液滴噴出單元206b的所有液滴噴出口，以同樣的時間間隔噴出液滴，在HMDS膜151a~151e上形成線狀的阻劑膜152a~152c。再者，液滴噴出單元206b是較液滴噴出單元206a落後一些時間開始掃描，以及跟液滴噴出單元206a相同的時間掃描。同時，如第16圖所示，在液滴噴出單元206a、206b的掃描過程，配設僅從複數個液滴噴出口中的某特定液滴噴出孔(132a、132b)噴出液滴的過程，便有可能如第5圖(B)所示，在同一被處理物160上同時形成，與第5圖(A)同樣的HMDS膜161c~161e及阻劑膜162c的T字形(或卜字形)的HMDS膜161a與阻劑膜162a，或長度不相同的HMDS膜161b與阻劑膜162b。
再者，形成阻劑膜後，進行加熱處理，直接當作阻劑膜使用即可。這時，阻劑膜的形狀成為阻劑遮罩的形狀。因此，可以大幅度減少阻劑材料的使用量，省略微影成像技術的製程。再者，希望形成具有較上述阻劑遮罩更細密的形狀的阻劑遮罩時，可以在將上述阻劑膜熱處理之前，先進行使用遮罩的曝光、及顯像處理即可。這時，阻劑材料的使用量也會大幅度減少。
如以上所述，由於使用液滴噴出法，可以僅在有必要形成阻劑遮罩的部分局部性形成阻劑膜。因此，較之滴下的阻劑材料幾乎全飛散掉的旋轉塗敷法，可以大幅度減少阻劑材料的使用量。再者，有必要在整個基板面形成阻劑膜時，可以藉由上述方法在整個基板形成阻劑膜。不論如 何，藉由上述方法可以大幅度減少阻劑材料的使用量。
如以上所述，由於使用液滴噴出法，可以僅在有必要形成阻劑遮罩的部分局部性形成阻劑膜。因此，較之滴下的阻劑材料幾乎全飛散掉的旋轉塗敷法，可以大幅度減少阻劑材料的使用量。再者，本實施形態是使用噴出液滴的方法，但也可以使用調合器(dispenser)方式，在一定時間內連續吐出阻劑溶液，局部性形成阻劑膜。
如本實施形態所示，不用旋轉塗敷法，而使用液滴噴出法或液體吐出法來形成阻劑膜，便可以大幅度減少阻劑材料的使用量。
(實施形態2)
本實施形態將說明，使用第6圖(A)~第7圖(D)所示的裝置，局部性進行蝕刻、灰化、成膜等的電漿處理的方法。
第6圖(A)是本發明所使用的電漿處理裝置的一例的上面圖，第6圖(B)是截面圖。在該圖，卡匣室16設置有所希望尺寸的由玻璃基板、塑膠基板所代表的樹脂基板等被處理物13。被處理物13的運送方式有水平運送，但是使用第5代以後的1平方米的基板時，為了減少運送機的佔用面積，也可以採用將基板縱方式設置的縱型運送。
在運送室17，藉由運送機構(機械臂)20將配置在卡匣室16的被處理物13運送到電漿處理室18。鄰接運 送室17的電漿處理室18設有：氣流控制手段10、具有產生電漿用電極的圓筒狀電漿處理單元12，使電漿處理單元12移動的軌道14a、14b、移動被處理物13的移動手段等。
氣流控制手段10的目的在防塵，使用從吹出口19吹出的惰性氣體控制氣流，將其與外氣隔絕。電漿處理單元12是藉此配置在垂直於被處理物13的運送方向的軌道14a，或配置在垂直於該運送方向的軌道14b，移動至規定位置。
接下，使用第7圖(A)~第7圖(D)說明電漿處理單元12的詳情。第7圖(A)表示具有產生電漿用電極的圓筒狀的電漿處理單元12的斜視圖，第7圖(B)~(D)表示裝設在電漿處理單元12的一組電極的截面圖。再者，電漿處理單元可以如第7圖(A)所示具有一組電極，也可以如第24圖所示，排列複數組電極。再者，在第24圖所記載的電漿處理裝置，電漿處理單元60是排列有複數組以第7圖(B)~(D)之任一圖所表示的一組電極。
在第7圖(B)，虛線表示氣體的路徑，21、22是由鋁、銅等具有導電性的金屬構成的電極，各該電極的表面由固態介電體覆蓋。而，第1電極21是連接在電源(高頻電源)29。再者，第1電極21連接有用以使冷卻水循環的冷卻系統(未圖示)。配設冷卻系統時，可以藉由冷卻水的循環防止連續進行表面處理時的加熱，藉由連續處 理提高效率。第2電極22具有環繞第1電極21周圍的形狀，是電氣方式接地。而，第1電極21與第1電極22具有其前端有噴嘴狀的氣體的細口的圓筒狀。此第1電極21與第1電極22的兩電極間的空間，經由閥27從氣體供應手段(儲氣筒(gas bomb))31供給處理用氣體。藉此，此空間的環境被替換，以此狀態從高頻電源29對第1電極21施加高頻電壓(10~500MHz)時，則在上述空間內產生電漿。而將含有由此電漿生成的離子、自由基(radical)等化學上活性的激發種的反應氣體流吹向被處理物13的表面，便可以在該被處理物13的表面進行局部性的蝕刻或灰化、CVD等之電漿處理。再者，反應氣體的吹出口與基板的距離是3mm以下，1mm為較好，最好是0.5mm以下。此等距離的調整可以裝設專用的感測器。
再者，填充在氣體供應手段(儲氣筒)31的處理用氣體可配合對被處理物13的處理適宜設定。再者，若處理用氣體使用氧氣(O2 )，便可以進行灰化處理。若處理用氣體是引進矽烷氣(SiH4 )或氫氣(H2 )等，則可以形成非晶質矽膜。而且，如果引進磷化氫(PH3 )氣體等，則可以形成N型非晶質矽膜。而且，處理用氣體使用三異丁基鋁(i-C4 H9 )3 Al等時，也可以形成鋁等之導電膜。而，也可以使用四氯化鈦(TiCl4 )與氨(NH3 )形成氮化鈦(TiN)等。
排氣是經由用以去除混進氣體中的灰塵的過濾器33 及閥28，導入排氣手段30。再者，也可以將導入排氣手段30的排氣再加精製，將未反應而殘留下來的氣體再利用作為處理用氣體。
第7圖(C)、(D)表示，具有跟第7圖(B)不同的構造，裝備在電漿處理單元12的一組電極的截面圖。在第7圖(C)所示的一組電極，第1電極21與第2電極22的前端分別呈銳角形狀。同時，延長第1電極21的前端的直線，與延長第1電極22的前端的直線，在吐出口相交叉。同時，第7圖(D)所示的一組電極，第2電極22較第1電極21為長，通過第2電極22所圍的空間內，從吐出口向外吐出在第1電極21與第2電極22間產生的反應氣體。
在第6圖(A)、(B)的電漿處理裝置，電漿處理單元12可以在行方向及列方向交互掃描。例如，控制電漿處理單元12使其在行方向及列方向交互掃描，同時(第1圖(A))控制吐出反應氣體的定時，則如第1圖(B)所示，可以在被處理物250上形成具有細長形狀的複數個處理區域251a~251e。同時，如第1圖(C)所示，也可以在被處理物260上形成具有行方向細長形狀的處理區域261b、261c，或具有列方向細長形狀的處理區域261a、261d~261f等
再者，在電漿處理裝置的電漿處理不限定如上述，例如，也可以使用具有如第24圖所示排列複數個成組電極的電漿處理單元的電漿處理裝置，進行如下述的處理。例 如，令電漿處理單元752在行方向或列方向的任一方掃描(第23圖(A))，同時，控制吐出反應氣體的定時，藉此在被處理物750上形成具有第23圖(B)所示的細長形狀的複數個處理區域751a~751e。再者，電漿處理單元752的掃描是如上述不限定在單一方向前進，也可由前後左右掃描。同時，也可以如第25所示控制，使其僅從電漿處理單元762的複數個反應氣體吐出口中某特定反應氣體吐出口39a、39b吐出反應氣體，而如第23圖(C)所示，在同一被處理物760上形成在平行於掃描方向，具有細長形狀的處理區域761b、761c，及在垂直於掃描方向，具有細長形狀的處理區域761a、761d~761f。
在處理用氣體導入蝕刻用的氣體時，各電漿處理區域被局部性蝕刻。而在處理用氣體導入CVD用的氣體(成膜用的氣體)時，則在各電漿處理區域形成膜。
由於使用在大氣壓力或大氣壓力附近(5~800torr)的壓力下動作的電漿處理裝置，減壓裝置所需要的抽真空或開放到大氣的時間便沒有需要，不必配置複雜的真空系統。特別是，裝備在處理大型基板用裝置的減壓裝置，處理室必然會大型化，使處理室內成為減壓狀態所需處理時間很長，因此在大氣壓力或大氣壓力附近的壓力下動作的本裝置很有效，可以減低製造成本。同時，使用如第23圖(A)所示的排列複數個成組電極的電漿處理單元60時，只要在一個方向掃描一次便能夠進行電漿處理，因此，對大型基板特別有效。
(實施形態3)
本實施形態是參照第7圖(E)說明，使用跟實施形態2不相同的方法在大氣壓力或大氣壓力附近的壓力下局部性行成薄膜的方法。
本實施形態是使用，電漿產生裝置的構造與第6圖(A)、(B)所示者不相同，其他部分則相同的裝置進行局部性的成膜處理。因此，僅說明跟第6圖(A)、(B)中的電漿處理單元12的說明圖的第7圖(A)不相同的部分。
本實施形態在筐36中備有，跟第7圖(A)所示電漿處理單元12不相同，如第7圖(E)所示將原料保持在通過捲成螺旋狀的燈絲35中的管37的成膜手段。由燈絲35通電加熱的原料蒸發而從管37吐出，在被處理物形成膜。
再者，原料可以使用鋁(Al)等的習知的材料。
同時，跟電漿處理單元不同，氣體供應手段、排氣手段不一定有需要。
(實施形態4)
本實施形態是參照第8圖(A)~(C)說明，使用實施形態1所示的液滴噴出裝置形成阻劑遮罩後，使用實施形態2所示的電漿處理裝置局部性進行蝕刻，形成接觸孔的方法。
在形成在基板上的膜50上，藉由實施形態1所示方法形成複數個阻劑膜51a~51c(第8圖(A))。再者，在本實施形態，膜50是氮化矽膜或氧化矽膜等的絕緣膜，在膜50的下方部形成有由導電膜構成的複數條閘極配線58a~58f，或與其連接的TFT等。
藉由曝光及顯像，形成具有複數個開口部52a~52f的阻劑遮罩53a~53c。
接著，使用實施形態2所示的電漿處理裝置，在形成阻劑遮罩53a的部分的內側部分(虛線55a所圍部分)，局部性噴吹反應氣體。藉此，可以蝕刻從開口部52a、52b露出部分的膜50。以後，順序移動電漿處理單元12，以阻劑遮罩53b、53c作為遮罩，僅向形成有阻劑遮罩53b、53c的部分的內側部分(虛線55b、52c所圍部分)，局部性噴吹反應氣體，藉此局部性進行蝕刻處理，蝕刻從形成在阻劑遮罩53b、53c的開口部52c~52f露出部分的膜50。再者，電漿處理裝置可以使用單獨配設一組電極者，也可以使用具有複數組電極者。
而且，在蝕刻後，將蝕刻用的電漿處理裝置的處理用氣體切換成氧氣(O2 )後，使用該電漿處理裝置，在形成阻劑遮罩53a部分，考慮對準位置時可能發生偏差等偏移分的稍大的部分(需線56a所圍部分)，局部性噴吹反應氣體進行灰化處理，去除阻劑遮罩53a。同樣，在形成阻劑遮罩53b、53c部分，考慮對準位置時可能發生偏差等偏移分的稍大的部分56b、56c進行灰化處理，去除阻劑 遮罩53b、53c。也可以在灰化後，使用剝離液等進一步完全去除阻劑遮罩53a~53c。再者，灰化處理不一定要局部性處理，但如上述與蝕刻處理連接進行，便可以減低基板的運進運出次數，同時因局部性進行時，可以減少使用的氣體量。
如以上所述，可以在膜50形成配線接觸孔57a~57f(第8圖(C))。
再者，如第8圖(B)所示，不僅可以使用具有在一個阻劑遮罩內行方向排列一列，列方向排列複數個開口部的圖案，也可以使用具有在行方向排列複數個格子排列狀的開口部的圖示的阻劑遮罩。
如以上方式形成接觸孔，則可以大幅度減少形成接觸孔所需要的阻劑材料及蝕刻用氣體的使用量。同時，由於在大氣壓力或接近大氣壓力附近的壓力下進行蝕刻或灰化等的電漿處理，可以不必配置複雜的真空系統，裝置設備不會變複雜。
(實施形態5)
本實施形態是說明，不用遮罩，僅使用實施形態2所示的電漿處理裝置開設接觸孔的方法。
在電漿處理單元，調整產生電漿的電極，使其與形成接觸孔的間隔成為同一間隔排列。從產生電漿的電極吐出反應氣體，形成接觸孔。再者，反應氣體的吐出口的大小，最好與形成的接觸孔相同，或為其以下之大小。
(實施形態6)
參照第9圖(A)~第10圖(F)的截面圖，及第11圖(A)~第13圖(C)的上面圖，說明本發明的顯示裝置的製造方法。本實施形態所示顯示裝置的製造方法包含對其一部分施加局部性的電漿處理(蝕刻、灰化、成膜)的製程。再者，在此所示者係本發明的一實施形態，本發明的顯示裝置的製造方法並不限定如本實施形態所示者。關於TFT的構造，也不限定如第9圖(A)~第13圖(C)所示者。
再者，本發明的顯示裝置的製造方法，因為僅在需要部分局部性形成阻劑膜，因此可以大幅度減少阻劑材料的使用量，同時，因為含有在大氣壓力或接近大氣壓力附近局部性進行成膜或蝕刻、灰化等的處理的製程，因此不需要使其成為真空的設備或時間。因此，較之使用傳統技術的顯示裝置的製造方法，可以減低原材料費、設備費、製程時間，可以降低製造成本。如此之製造成本低的顯示裝置的製造方法，特別對第5代(1000×1200mm2 )以上的基板尺寸的大型顯示裝置有效。
在基板300上形成閘極電極301a、電容電極301b、閘極配線350a、電容配線350b。基板300使用以玻璃或塑膠等作為材料的基板尺寸1000×1200mm2 的透明基板。同時，閘極電極301a、電容電極301b、閘極配線350a、電容配線350b是在整個基板面依序形成含有(Nd)等的 鋁(Al)與鉬(Mo)的膜，而形成導電膜後，在該導電膜上形成阻劑遮罩，再以該阻劑遮罩當作遮罩蝕刻該導電膜，在同一層形成。同時，阻劑遮罩是使用旋轉塗敷法形成阻劑膜後，再以光平板印刷加工，而形成。再者，閘極電極301a、電容電極301b、閘極配線350a、電容配線350b可以使用含有(Nd)等的鋁(Al)之外，也可以使用含有鈷(Cr)等導電材料。此外，鈦(Ti)與Al、Ti順序層積的層積層也可以。同時，基板300的尺寸可以是上述以外的尺寸。
除了如上述在整個基板面形成導電膜以外，也可以使用實施形態2或實施形態3所示裝置，在大氣壓力下局部性形成導電膜，以形成：閘極電極301a、電容電極301b、閘極配線350a、電容配線350b。
第11圖(A)是形成閘極電極301a與電容電極301b的基板的一部分的上面圖。在第11圖(A)，閘極電極301a與閘極配線350a是形成為一體。同時，電容電極301b與電容配線350b也是形成為一體。
接著，形成覆蓋閘極電極301a與電容電極301b的絕緣膜302。絕緣膜302可以使用氮化矽膜或氧化矽膜等絕緣膜，或者，層積氮化矽膜或氧化矽膜等的絕緣膜。絕緣膜302中的閘極電極301a的上方部具有閘極絕緣膜的功能。
接著，在絕緣膜302上形成半導體膜303(第9圖(A)、第11圖(B))。半導體膜303是在整個基板形 成半導體膜303而形成。再者，本實施形態不特別在半導體膜添加賦予N型或P型的雜質。
再者，關於形成半導體膜303，除了如上述在整個基板形成膜以外，也可以採取，使用如實施形態2所示的電漿處理裝置，在大氣壓力下或接近大氣壓力下，在有必要形成TFT的部分局部性形成的手法。
接著，在半導體膜303中的成為TFT的通道區域的部分上，形成保護膜304(第9圖(A)、第11圖(C))。保護膜304是在基板整面形成膜後，在該絕緣膜上形成阻劑遮罩，再以該阻劑遮罩為遮罩蝕刻該絕緣膜而成。同時，阻劑遮罩是使用旋轉塗敷法形成阻劑膜後，藉由微影成像技術技術加工形成。
如上述在整面基板形成氮化矽膜等絕緣膜以外，也可以使用實施形態2或實施形態3所示方法，在大氣壓力下局部性形成氮化矽膜等的絕緣膜，藉此形成保護膜304。
接著，形成層積N型半導體膜305與導電膜306a或306b而成的源極配線308及配線309。再者，配線309是為了連接TFT與像素電極而設。以下說明源極配線308與配線309的形成方法。
首先形成N型半導體膜305(第9圖(C)、第12圖(A))。本實施形態的N型半導體膜305使用添加磷的非晶質矽膜。
在整個基板形成N型半導體膜305後再使用實施形態2或實施形態3所示的裝置390，在島狀分離的複數個 導電膜306a、306b上局部性形成N型半導體膜305。除了如上述在整個基板形成N型半導體膜305以外，也可以藉由實施形態2及實施形態3所示的裝置，在形成TFT的部分局部性形成膜。同時，進行局部性成膜時，也可以使用實施形態2所示的裝置，進行局部性的蝕刻。導電膜306a、306b使用依序層積鉬(Mo)、鋁(Al)、鉬(Mo)的膜。但是不限定如此，例如也可以使用鈦(Ti)以取代鉬(Mo)。再者，島狀分離的導電膜306a是要形成源極配線308，島狀分離的導電膜306b是要形成連接TFT與像素電極的配線309。
接著，在導電膜306a、306b上形成阻劑遮罩392a、392b(第9圖(E)、第12圖(B))，以該阻劑遮罩392a、392b當作遮罩，蝕刻導電膜306a、306b(第10圖(A)、第12圖(C))。阻劑遮罩392a、392b的形成是使用實施形態1所示的液滴噴出裝置391。同時，蝕刻是使用實施形態2所示的裝置，在大氣壓力下或接近大氣壓力下局部性進行。如以上，藉由局部性形成導電膜306a、306b，可以減少形成導電膜306a、306b的過程的原材料的使用量。同時，利用阻劑遮罩將局部性形成的導電膜306a、306b加工，則可以形成更細微的形狀的源極配線308、配線309。
再者，導電膜306a、306b並不需要形成為特別細密的形狀，直接以成膜時的形狀使用時，便不需要使用阻劑遮罩392a、392b的導電膜306a、306b的加工製程。
接著，以島狀分離的複數片導電膜306a、306b作為遮罩蝕刻N型半導體膜305(第10圖(B)、第13圖(A))。藉以下的製程，形成層積N型半導體膜305與導電膜306a或306b而成的源極配線308、配線309。
N型半導體膜305的蝕刻後，接著蝕刻半導體膜303(第10圖(C))。蝕刻半導體膜303時，在導電膜306a、306b之外，先前形成的保護膜304也有遮罩的功能。在保護膜304下面未被蝕刻而殘留下來的半導體膜303具有TFT的活性層的功能。
接著，在源極配線308、配線309的上方形成絕緣膜310(第10圖(D))。絕緣膜310是使用氮化矽膜或氧化矽膜。
接著，形成貫穿絕緣膜310至配線309的接觸孔351(第10圖(E)、第13圖(B)。本實施形態的接觸孔351是使用實施形態5所示的方法形成。
接著，形成像素電極311(第10圖(F)、第13圖(C))。像素電極是形成ITO(Indium Tin Oxide)等的透明性導電膜後，使用旋轉塗敷法在該透明性導電膜上面形成阻劑遮罩，再以該阻劑遮罩作為遮罩蝕刻，而形成。
如以上所述，形成，形成有像素電極驅動用TFT、電容器及像素電極的TFT陣列基板。再者，第9圖(A)~第10圖(F)是第11圖(A)~第13圖(C)的上面圖的A-A’部的截面圖。
其次，使用第14圖(A)說明，將如上述製作成的 TFT陣列基板裝配成單元的製程。在TFT陣列基板901形成配向膜903a後，對配向膜施加研磨處理。
接著，製成在基板907上形成有遮光膜906、對向電極905、配向膜903a的對向基板902。再者，需要時，可以形成彩色濾光器。同時，配向膜903b需要摩擦(rubbing)處理。
接著，使用密封劑黏貼對向基板902與TFT陣列基板901後，剪斷不需要的部分。再於對向基板902與TFT陣列基板901之間注入液晶材料908後，加以封裝。再者，對向基板902與TFT陣列基板901是利用隔片904以保持空隙。進一步安裝FPC、偏光板、相位差板。如以上所述，製成應用本發明的液晶顯示裝置。再者，也可以採用，將液晶材料908滴到基板907或對向基板902上後，黏貼雙方基板的方法，製造液晶顯示裝置。
第14圖(B)是應用本發明製造的液晶顯示裝置的上面圖。鄰接像素部1001配置連接配線群1002，藉由連接配線群1002連接在外部輸入輸出端子群1003。1007是對向基板。在像素部1001，從各連接配線群1002延伸的配線群成矩陣狀交叉而形成像素。密封劑1004是形成在TFT陣列基板1006上的像素部1001的外側，且形成在外部輸入輸出端子群1003的內側部分。在液晶顯示裝置，可撓印刷配線板1005連接在外部輸入輸出端子群1003，藉由連接配線群1002連接在各個信號線。外部輸入輸出端子群1003由跟連接配線群相同的導電性膜形成。可撓 印刷配線板1005是在聚醯亞胺等的有機樹脂薄膜形成銅配線，用向異性導電性接合劑連接在外部輸入輸出端子群1003。
再者，本實施形態是在導電膜306a、306b的加工製程，形成實施形態1所示的局部性的阻劑膜，或使用實施形態2所示的局部性的電漿處理等，在此以外的製程也可以形成局部性的阻劑膜，或應用局部性的電漿處理。藉此，可以實現更低成本的顯示裝置的製造。
同時，本實施形態是說明液晶顯示裝置的製造方法，但不限定如此，但也可以製造，應用本實施形態的開始到TFT陣列基板的一段製造方法的EL(Electro Luminescence)顯示裝置等。這時，電路架構等可以適宜變更。
(實施形態7)
本實施形態將使用第18圖(A)~第19圖(E)的截面圖，及第20圖(A)~第22圖(B)的上面圖，說明使用具有跟在實施形態5所說明者不同的層積構造的TFT的本發明的顯示裝置的製造方法。再者，在此所示的是本發明的一實施形態，本發明的顯示裝置的製造方法不限定為本實施形態。TFT的構造也不限定為第18圖(A)~第22圖(B)所示的構造。
本實施形態的顯示裝置的製造方法跟在實施形態6所說明者同樣具有，僅在需要的部分局部性形成阻劑膜，藉 以大幅度減少阻劑材料的使用量，同時，在大氣壓力或接近大氣壓力的狀態下局部性進行成膜或蝕刻、灰化等處理的製程。因此，較之使用傳統技術的顯示裝置的製造方法，可以減低原材料費、設備費、製程時間，可以降低製造成本。如此之製造成本低的顯示裝置的製造方法，特別對第5代(1000×1200mm2 )以上的基板尺寸的大型顯示裝置有效。
在基板600上形成閘極電極601a、電容電極601b、閘極配線650a、電容配線650b。基板600使用以玻璃或塑膠等作為材料的基板尺寸1000×1200mm2 的透明基板。同時，閘極電極601a、電容電極601b、閘極配線650a、電容配線650b是在整個基板面依序形成含有(Nd)等的鋁(Al)與鉬(Mo)的膜而形成導電膜後，在該導電膜上形成阻劑遮罩，再以該阻劑遮罩當作遮罩蝕刻該導電膜而形成。同時，阻劑遮罩是使用旋轉塗敷法形成阻劑膜後，再以光平板印刷加工，而形成。再者，閘極電極601a、電容電極601b、閘極配線650a、電容配線650b可以使用含有(Nd)等的鋁(Al)之外，也可以使用含有鈷(Cr)等導電材料。此外，鈦(Ti)與Al、Ti順序層積的層積層也可以。再者，基板600的尺寸可以是上述以外的尺寸。
除了如上述在整個基板面形成導電膜以外，也可以使用實施形態2或實施形態3所示裝置，在大氣壓力下局部性形成導電膜，以形成：閘極電極601a、電容電極601b 、閘極配線650a、電容配線650b。
第20圖(A)是形成閘極電極601a與電容電極601b的基板的一部分的上面圖。在第20圖(A)，閘極電極601a與閘極配線650a是形成為一體。同時，電容電極601b與電容配線650b也是形成為一體。
接著，形成覆蓋閘極電極601a與電容電極601b的絕緣膜602。絕緣膜602可以使用氮化矽膜或氧化矽膜等絕緣膜，或者，層積氮化矽膜或氧化矽膜等的絕緣膜。絕緣膜602中的閘極電極601a的上方部具有閘極絕緣膜的功能。
接著，在絕緣膜602上形成半導體膜603(第18圖(A))。半導體膜603是在整個基板形成非晶質矽膜，而形成。再者，本實施形態不特別在半導體膜603添加賦予N型或P型的雜質。
再者，關於形成半導體膜603，除了如上述在整個基板形成薄膜以外，也可以採取，使用如實施形態2所示的電漿處理裝置，在大氣壓力下或接近大氣壓力下，在有必要形成TFT的部分局部性形成的手法。
接著，在半導體膜603上形成N型半導體膜604後(第18圖(B)、第20圖(B))，在N型半導體膜604上形成阻劑遮罩605，以該阻劑遮罩605當作遮罩蝕刻N型半導體膜604及半導體膜603(第18圖(C)、第20圖(C))。在此，阻劑遮罩的形成是使用實施形態1所示的液滴噴出法。藉此可以大幅度減少阻劑溶液的使用 量及微影成像技術所需的製程數。同時，蝕刻是使用實施形態2所示的裝置，在大氣壓力或接近大氣壓力的狀態下局部性實施。再者，本實施形態的N型半導體膜604是使用添加磷的非晶質矽膜。
接著，形成，N型半導體膜604與導電膜606a或606b層積而成的源極配線608及配線609。再者，配線609是為了連接TFT與像素電極而配設。以下說明源極配線608、配線609的形成方法。
在本實施形態，導電膜606a、606b是使用依序層積鉬(Mo)、鋁(Al)、鉬(Mo)的膜。但不限定如此，也可以在鉬Mo以外，使用鈦(Ti)等。
使用本實施形態3所示的方法，以電漿處理裝置690形成島狀分離的複數片導電膜606a、606b(第18圖(E)、第21圖(A))。再者，島狀分離的導電膜606a是被形成為具有源極配線的功能，導電膜606b是被形成為具有連接TFT與像素電極的配線309的功能。接著，在導電膜606a、606b上形成阻劑遮罩692a、692b，以該阻劑遮罩692當作遮罩，蝕刻導電膜606a、606b。在此，阻劑遮罩的形成是使用實施形態1所示的液滴噴出裝置691。同時，蝕刻是使用實施形態2所示的裝置，在大氣壓力下或接近大氣壓力下局部性進行。如此，藉由局部性形成導電膜606a、606b，可以減少形成導電膜606a、606b的過程的原材料的使用量。同時，利用阻劑遮罩692a、692b將局部性形成的導電膜606a、606b加工，則 可以形成更細微的形狀的源極配線608、配線609(第18圖(E)、第21圖(C))。
接著，以導電膜606a、606b為遮罩，蝕刻N型半導體膜604，分離TFT的源極區域與汲極區域。
再者，蝕刻N型半導體膜604時，半導體膜603的一部分也加以蝕刻(第19圖(B))。
接著，在源極配線608、配線609上方形成絕緣膜610(第19圖(C)。絕緣膜610使用氮化矽膜或氧化矽膜等。
接著，形成貫穿絕緣膜610至配線609的接觸孔651(第19圖(D)、第22圖(A)。本實施形態的接觸孔651是使用實施形態5所示的方法形成。再者，不限定如此，也可以使用實施形態6所示的方法形成。
接著，形成像素電極611(第19圖(E)、第22圖(B))。像素電極是形成ITO(Indium Tin Oxide)等的透明性導電膜後，使用旋轉塗敷法形成阻劑遮罩，再以該阻劑遮罩作為遮罩蝕刻而形成。
如以上所述，形成形成有像素電極驅動用TFT、電容器及像素電極的TFT陣列基板。再者，第18圖(A)~第19圖(E)相當於第20圖(A)~第22圖(B)以A-A’部表示的截面圖。
將如上述製作成的TFT陣列基板裝配成單元的製程，可以跟實施形態6所示的方法實施，本實施形態省略記述。
(實施形態8)
實施形態6、7在閘極電極301a、601a、電容電極301b、601b等的形成過程，使用以平版印刷技術將使用旋轉塗敷法成膜的阻劑膜加工者，作為阻劑遮罩。但是，不限定如此，也可以使用實施形態1所示的裝置，在導電膜上形成局部性的阻劑遮罩。藉此可以大幅度減少阻劑溶的使用量，及光平板印刷所需要的製程數。
同時，為了使閘極電極301a、601a、電容電極301b、601b成為更細密的形狀，也可以在局部性形成阻劑膜後，使用藉由光平板印刷將該阻劑膜加工成所希望形狀的阻劑遮罩蝕刻導電膜，加以加工。這時也可以大幅度減少阻劑溶液的使用量。
其他製程可以使用在實施形態6、7所示的方法實施。
(實施形態9)
實施形態6、實施形態7及實施形態8在形成像素電極的製程，使用以平版印刷技術將使用旋轉塗敷法成膜的阻劑膜加工者，作為阻劑遮罩。但是，不限定如此，也可以使用實施形態1所示的裝置，在透明性導電膜上形成局部性的阻劑遮罩。藉此可以大幅度減少阻劑溶的使用量，及光平板印刷所需要的製程數。
同時，也可以使用實施形態1所示的裝置在基板整面 形成阻劑膜後，藉由光平板印刷加工以形成阻劑遮罩。如此在基板整面形成阻劑膜時，較之使用旋轉塗敷法，仍可以大幅度減少阻劑溶液的使用量。
(實施形態10)
本實施形態將使用第17圖說明，在大氣壓力或接近大氣壓力的狀態進行電漿處理的電將處理裝置。
第17圖(A)表示在大氣壓力或接近大氣壓力(5~600torr)的狀態進行電漿處理的處理室401的截面圖。處理室401內設有：連接在電源402的針狀的電極403；及面對該第1電極403的接地電極407。接地電極407上安置有所希望尺寸的玻璃基板、塑膠基板等的被處理物406。同時，對處理室401內，從氣體供應手段409經由閥408供應反應氣體，從排氣口405排出廢氣。再者，廢氣可以令其通過過濾器，以去除混進的塵埃加以精製而再利用。如此加以再利用，則可以提高氣體的利用效率。再者，處理室401也可以視需要配設電燈等未圖示的加熱手段。
當將反應氣體供給處理室401後，處理室401內的環境即被置換。在此狀態下，對針狀的電極403施加高頻電壓(50kHz~1MHz最好是100~1000kHz)時，便發生電漿。藉由含有此電漿所生成的離子、自由基(radical)等化學上活性的激發種的反應氣體等，可以在被處理物406的表面進行規定的電漿處理。再者，針狀的電極403與被處 理物406的一方或雙方相對移動，進行規定的表面處理。
使用在大氣壓力或大氣壓力附近的壓力下動作的電漿處理裝置的本發明，不需要減壓裝置所需要的抽真空，不需要配置複雜的真空系統。抽真空或開放至大氣的時間也沒有必要。特別是使用在大型基板時，必然的，處理室也會大型化，要使處理室內成為減壓狀態會花費處理時間，因此在大氣壓力或大氣壓力附近動作的本裝置很有效，可以降低製造成本。
同時，如第17圖(B)所示，將複數個針狀的電極403配置成線狀也可以。而適宜選擇複數個電極403中用以施加電壓的針狀的電極403，則可以進行局部性的選擇加工。如此使用配置成線狀的複數個電漿處理單元，在生產節拍時間上很有利，最好是將複數個電漿處理單元配置成與基板的一邊同長，便能夠藉由一次掃描完成處理。再者，掃描方向則不限定與一邊平行，也可以斜方向掃描。
(實施形態11)
本實施形態將參照第15圖說應用本發明製作的電子機器。因為可以藉由本發明以非常低的製造成本製造大型的顯示裝置，因此，搭載該顯示裝置的電子機器雖然也大型，但可以供應非常低價格的製品。同時，不僅是大型的電子機器，也可以適用在，藉由在大型的玻璃基板上，整批製造複數個小型的TFT陣列基板的方法製造的，攜帶 式電話機等的小型的電子機器。
第15圖是大型液晶電視機的圖，包含：筐體5501、顯示部5503、聲音輸出部5504。本發明可以用在顯示部5503，能夠適用在具有此的顯示裝置。
10‧‧‧氣流控制手段
12、60、752‧‧‧電漿處理單元
13、102、150、160、202、250、260、406、750、760‧‧‧被處理物
14a、14b、110a、110b‧‧‧軌道
16‧‧‧卡匣室
17‧‧‧運送室
18‧‧‧電漿處理室
20‧‧‧運送機構
21‧‧‧第1電極
22‧‧‧第2電極
27、28、408‧‧‧閥
29、402‧‧‧電源
30‧‧‧排氣手段
31、409‧‧‧氣體供應手段
33‧‧‧過濾器
39a、39b‧‧‧反應氣體吐出口
51a~51c、53a~53c、152a~152c、162a~162c‧‧‧阻劑膜
52a~52f‧‧‧開口部
57a~57f、351、651‧‧‧接觸孔
58a~58f、350a、650a‧‧‧閘極配線
101‧‧‧筐體
103‧‧‧運送台
104‧‧‧運入口
105‧‧‧運出口
106、206a、206b‧‧‧液滴噴出單元
107‧‧‧液滴噴出單元支持部
108‧‧‧控制手段
109、209a、209b‧‧‧原料液供應部
122‧‧‧共同液室流路
123‧‧‧液體阻力部
124‧‧‧加壓室
125‧‧‧壓電元件
126、132、136、140‧‧‧液滴噴出孔
127‧‧‧液滴
128‧‧‧絕緣物
129‧‧‧噴嘴
151a~151e、161a~161e、251a~251e、261a~261f‧‧‧HMDS膜
300、600、907‧‧‧基板
301a、601a‧‧‧閘極電極
301b、601b‧‧‧電容器電極
302、602、310、610‧‧‧絕緣膜
303、603‧‧‧半導體膜
304‧‧‧保護膜
305、604‧‧‧N型半導體膜
306a、306b、606a、606b‧‧‧導電膜
308、608‧‧‧源極配線
309、609‧‧‧配線
311、611‧‧‧像素電極
350b、350b‧‧‧電容器配線
391、691‧‧‧液滴噴出裝置
392a、392b、605、692a、692b‧‧‧阻劑遮罩
401‧‧‧處理室
403‧‧‧第1電極
405‧‧‧排氣口
407‧‧‧接地電極
690‧‧‧電漿處理裝置
751a~751e、761a~761f‧‧‧處理區域
901、1006‧‧‧TFT陣列基板
902‧‧‧對向基板
903a、903b‧‧‧配向膜
905‧‧‧對向電極
908‧‧‧液晶材料
1001‧‧‧像素部
1002‧‧‧連接配線群
1003‧‧‧外部輸入輸出端子群
1004‧‧‧密封劑
1005‧‧‧可撓印刷配線板
1007‧‧‧對向基板
5501‧‧‧筐體
5503‧‧‧顯示部
5504‧‧‧聲音輸出部
第1圖(A)~(C)係說明本發明的電漿處理的圖。
第2圖(A)、(B)係說明本發明的阻劑膜形成方法的圖。
第3圖係說明本發明的阻劑膜形成方法的圖。
第4圖(A)~(C)係說明本發明的阻劑膜形成方法的圖。
第5圖(A)、(B)係說明本發明的阻劑膜形成方法的圖。
第6圖(A)、(B)係說明本發明的阻劑膜形成方法的圖。
第7圖(A)~(E)係說明本發明的阻劑膜形成方法的圖。
第8圖(A)~(C)係說明本發明所用的接觸孔形成方法的圖。
第9圖(A)~(E)係說明本發明的顯示裝置的製作方法的圖。
第10圖(A)~(F)係說明本發明的顯示裝置的製作方法的圖。
第11圖(A)~(C)係說明本發明的顯示裝置的製作方法的圖。
第12圖(A)~(C)係說明本發明的顯示裝置的製作方法的圖。
第13圖(A)~(C)係說明本發明的顯示裝置的製作方法的圖。
第14圖(A)、(B)係說明本發明的顯示裝置的製作方法的圖。
第15圖係說明應用本發明的電子機器的圖。
第16圖係說明本發明的阻劑膜形成方法的圖。
第17圖(A)、(B)係說明本發明所用的電漿處理裝置的圖。
第18圖(A)~(E)係說明本發明的顯示裝置的製作方法的圖。
第19圖(A)~(E)係說明本發明的顯示裝置的製作方法的圖。
第20圖(A)~(C)係說明本發明的顯示裝置的製作方法的圖。
第21圖(A)~(C)係說明本發明的顯示裝置的製作方法的圖。
第22圖(A)、(B)係說明本發明的顯示裝置的製作方法的圖。
第23圖(A)~(C)係說明本發明的電漿處理裝置的圖。
第24圖係說明本發明所用的電漿處理單元的圖。
第25圖係說明本發明的電漿處理方法的圖。
10‧‧‧氣流控制手段
12‧‧‧電漿處理單元
13‧‧‧被處理物
14a‧‧‧軌道
16‧‧‧卡匣室
17‧‧‧運送室
18‧‧‧電漿處理室
19‧‧‧吹出口
20‧‧‧運送機構

Claims (11)

  1. 一種顯示裝置的製造方法，其特徵為，包含：在5~800torr的壓力下，掃描具有電漿產生用的電極的電漿處理單元，在基板上局部性噴出反應氣體，局部性形成導電膜，藉此形成配線的製程。
  2. 一種顯示裝置的製造方法，其特徵為，包含：在5~800torr的壓力下，掃描具有複數個電漿產生用的電極的電漿處理單元，在基板上局部性噴出反應氣體，局部性形成導電膜，藉此形成配線的製程。
  3. 一種顯示裝置的製造方法，其特徵為，包含：掃描第1電漿處理單元，在5~800torr的壓力下，在基板上局部性噴出反應氣體，局部性形成導電膜；在上述導電膜上形成阻劑遮罩(Resist Mask)；掃描第2電漿處理單元，在5~800torr的壓力下，以上述阻劑遮罩作為遮罩，在基板上局部性噴出第2反應氣體，對上述導電膜進行局部性蝕刻，以形成配線的製程。
  4. 一種顯示裝置的製造方法，其特徵為，掃描具有複數個電極的第1電漿處理單元，在5~800torr的壓力下，在基板上局部性噴出反應氣體，局部性形成導電膜；在上述導電膜上形成阻劑遮罩；掃描第2電漿處理單元，在5~800torr的壓力下，以上述阻劑遮罩作為遮罩，在基板上局部性噴出第2反應氣體，對上述導電膜進行局部性蝕刻，以形成配線。
  5. 一種顯示裝置的製造方法，其特徵為，包含：掃 描第1電漿處理單元，在5~800torr的壓力下，在基板上局部性噴出反應氣體，局部性形成導電膜；在上述導電膜上形成阻劑遮罩；掃描具有複數個電極的第2電漿處理單元，在5~800torr的壓力下，以上述阻劑遮罩作為遮罩，在基板上局部性噴出第2反應氣體，對上述導電膜上進行局部性蝕刻，以形成配線的製程。
  6. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之顯示裝置的製造方法，其中上述基板的大小是1000×1200mm2 以上。
  7. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之顯示裝置的製造方法，其中上述電漿處理單元、上述第1電漿處理單元及上述第2電漿處理單元在上述基板上，以單一方向進行掃描。
  8. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之顯示裝置的製造方法，其中上述電漿處理單元、上述第1電漿處理單元及上述第2電漿處理單元在上述基板上，以行方向及列方向交互進行掃描。
  9. 如申請專利範圍第3項至第5項中任一項所述之顯示裝置的製造方法，其中上述阻劑遮罩是掃描液滴噴出單元局部性噴出液滴而形成圖案。
  10. 一種顯示裝置的製造方法，其特徵為，包含： 形成用以覆蓋薄膜電晶體的絕緣膜的製程；以及在5~800torr壓力下，掃描具有電漿產生用之電極的電漿處理手段，對上述絕緣膜局部性噴吹反應氣體，以形成開口部的製程。
  11. 一種顯示裝置的製造方法，其特徵為，具有：形成用以覆蓋薄膜電晶體的絕緣膜的製程；在上述絕緣膜上形成阻劑遮罩的製程；以上述阻劑遮罩作為遮罩而蝕刻上述絕緣膜的製程；上述阻劑遮罩，係掃描液滴噴出單元，藉由微影成像技術(Photolithography)加工局部性形成的阻劑膜而形成，上述絕緣膜的蝕刻，係包含在5~800torr的壓力下，掃描電漿處理單元在上述絕緣膜上局部性噴出反應氣體，以上述阻劑遮罩作為遮罩而進行蝕刻的製程。
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