JPH0737887A - 配線形成方法，配線修復方法，及び配線パターン変更方法 - Google Patents
配線形成方法，配線修復方法，及び配線パターン変更方法Info
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/225—Correcting or repairing of printed circuits
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レジストマスク等を用いる写真製版工程を一
切必要とせず、しかも金属膜のスパッタ蒸着や選択的な
エッチング処理を行うことなく、低抵抗な金属配線を形
成することがてき、これにより半導体装置の製造コスト
を大きく低減することができる配線形成方法を得る。 【構成】 半導体基板１の所定領域上に選択的にフォー
カストイオンビーム４を照射しながら、有機金属ガス６
を上記イオンビームの照射領域上に吹きつけて、イオン
ビームアシストＣＶＤにより上記半導体基板１上に所要
パターンの金属膜７を形成し、その後該金属膜７上に無
電解メッキにより低抵抗金属層９を成長して低抵抗配線
１１０を形成する。
切必要とせず、しかも金属膜のスパッタ蒸着や選択的な
エッチング処理を行うことなく、低抵抗な金属配線を形
成することがてき、これにより半導体装置の製造コスト
を大きく低減することができる配線形成方法を得る。 【構成】 半導体基板１の所定領域上に選択的にフォー
カストイオンビーム４を照射しながら、有機金属ガス６
を上記イオンビームの照射領域上に吹きつけて、イオン
ビームアシストＣＶＤにより上記半導体基板１上に所要
パターンの金属膜７を形成し、その後該金属膜７上に無
電解メッキにより低抵抗金属層９を成長して低抵抗配線
１１０を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置の製造方
法，配線パターン修復方法，配線パターン変更方法に関
し、特に金属層のパターニング用マスクを用いることな
く所定パターンの金属配線を形成する方法に関するもの
である。
法，配線パターン修復方法，配線パターン変更方法に関
し、特に金属層のパターニング用マスクを用いることな
く所定パターンの金属配線を形成する方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の半導体装置の製造方法に用
いられる配線形成方法の一例を説明するための図、図６
は該配線形成方法における写真製版工程を説明するため
の図であり、１はＳｉウエハ，ＧａＡｓウエハ等の半導
体基板で、通常半導体装置に用いられる半導体材料であ
れば、どのような材料からなるウエハであってもよい。
また２ａは上記半導体基板１上に形成された金属膜、２
は該金属膜をパターニングして形成された所定パターン
を有する金属配線（以下、配線と略記する。）で、３は
上記金属膜２ａをパターニングするためのレジストマス
クである。また３ａは上記半導体基板１上の金属膜２ａ
上に滴下された液状レジスト、３ｂは上記金属膜２ａ全
面に拡がった液状レジスト、３ｃは上記液状レジストを
熱処理によりベーキングして固めたレジスト膜、３ｄは
該レジスト膜３ｃに露光処理を施した後のレジスト膜
で、３はこの露光したレジスト膜３ｄを現像液１３によ
り現像してなる所定パターンのレジストマクスである。
いられる配線形成方法の一例を説明するための図、図６
は該配線形成方法における写真製版工程を説明するため
の図であり、１はＳｉウエハ，ＧａＡｓウエハ等の半導
体基板で、通常半導体装置に用いられる半導体材料であ
れば、どのような材料からなるウエハであってもよい。
また２ａは上記半導体基板１上に形成された金属膜、２
は該金属膜をパターニングして形成された所定パターン
を有する金属配線（以下、配線と略記する。）で、３は
上記金属膜２ａをパターニングするためのレジストマス
クである。また３ａは上記半導体基板１上の金属膜２ａ
上に滴下された液状レジスト、３ｂは上記金属膜２ａ全
面に拡がった液状レジスト、３ｃは上記液状レジストを
熱処理によりベーキングして固めたレジスト膜、３ｄは
該レジスト膜３ｃに露光処理を施した後のレジスト膜
で、３はこの露光したレジスト膜３ｄを現像液１３によ
り現像してなる所定パターンのレジストマクスである。
【０００３】また、図７〜図１２は上記配線形成方法の
各工程で用いるスパッタ装置やレジスト塗布装置等の各
種処理装置の構成を模式的に示している。図中、２１０
はスパッタ装置で、図７に示すように、半導体基板１を
載置する基板載置台２１１と、該基板載置台２１１上に
配置され、上記半導体基板１の表面へのスパッタ粒子２
１３ａを発生するスパッタ源２１３と、上記スパッタ源
２１３に例えば電子ビームを照射する電子銃２１２とを
備えている。２２０はレジスト塗布装置で、図８(a) に
示すように、装置本体の一端側に設けられたウエハ搬入
部２２０ａと、装置本体の中央部分に設けられたレジス
ト塗布部２２０ｂと、装置本体の他端側に設けられたベ
ーキング処理部２２０ｃとを備えている。
各工程で用いるスパッタ装置やレジスト塗布装置等の各
種処理装置の構成を模式的に示している。図中、２１０
はスパッタ装置で、図７に示すように、半導体基板１を
載置する基板載置台２１１と、該基板載置台２１１上に
配置され、上記半導体基板１の表面へのスパッタ粒子２
１３ａを発生するスパッタ源２１３と、上記スパッタ源
２１３に例えば電子ビームを照射する電子銃２１２とを
備えている。２２０はレジスト塗布装置で、図８(a) に
示すように、装置本体の一端側に設けられたウエハ搬入
部２２０ａと、装置本体の中央部分に設けられたレジス
ト塗布部２２０ｂと、装置本体の他端側に設けられたベ
ーキング処理部２２０ｃとを備えている。
【０００４】ここで、上記レジスト塗布部２２０ｂに
は、半導体基板１を載置して回転させる回転テーブル２
２１ｂが配設されており、上記回転テーブル２２１ｂ上
には、液状レジスト３ａを該回転テーブル２２１ｂ上の
半導体基板１上に滴下するための滴下ノズル２２２ｂが
配置されている（図８(b) ）。また上記ベーキング処理
部２２０ｃは、半導体基板１を載せて加熱するための加
熱台２２１ｃが設けられている（図８(c) ）。そして上
記レジスト塗布装置２２０は、上記ウエハ搬入部２２０
ａ上に配置された半導体基板１が上記レジスト塗布部２
２０ｂ及びベーキング処理部２２０ｃへ自動搬送される
よう構成されている。
は、半導体基板１を載置して回転させる回転テーブル２
２１ｂが配設されており、上記回転テーブル２２１ｂ上
には、液状レジスト３ａを該回転テーブル２２１ｂ上の
半導体基板１上に滴下するための滴下ノズル２２２ｂが
配置されている（図８(b) ）。また上記ベーキング処理
部２２０ｃは、半導体基板１を載せて加熱するための加
熱台２２１ｃが設けられている（図８(c) ）。そして上
記レジスト塗布装置２２０は、上記ウエハ搬入部２２０
ａ上に配置された半導体基板１が上記レジスト塗布部２
２０ｂ及びベーキング処理部２２０ｃへ自動搬送される
よう構成されている。
【０００５】２３０はレジスト露光装置で、図９に示す
ように、縦方向及び横方向に移動可能に構成された、半
導体基板１を載置するための移動載置台２３４を有して
おり、その上方には、集光レンズ２３３及び露光光源２
３１が配置されており、上記集光レンズ２３３と露光光
源２３１との間に転写用マスク２３２を配置して、所定
の露光パターンを上記移動載置台２３４上の半導体基板
１に転写できるよう構成されている。
ように、縦方向及び横方向に移動可能に構成された、半
導体基板１を載置するための移動載置台２３４を有して
おり、その上方には、集光レンズ２３３及び露光光源２
３１が配置されており、上記集光レンズ２３３と露光光
源２３１との間に転写用マスク２３２を配置して、所定
の露光パターンを上記移動載置台２３４上の半導体基板
１に転写できるよう構成されている。
【０００６】２４０は現像装置で、図１０に示すよう
に、半導体基板１を回転可能に載置する回転台２４１を
備えており、該回転台２４１上には、現像液を回転台２
４１上の半導体基板１上に滴下する現像液滴下ノズル２
４２と、洗浄水を回転台２４１上の半導体基板１上に吹
き付ける洗浄水吹付けノズル２４３とが配置されてい
る。
に、半導体基板１を回転可能に載置する回転台２４１を
備えており、該回転台２４１上には、現像液を回転台２
４１上の半導体基板１上に滴下する現像液滴下ノズル２
４２と、洗浄水を回転台２４１上の半導体基板１上に吹
き付ける洗浄水吹付けノズル２４３とが配置されてい
る。
【０００７】２５０はイオンミリング装置で、図１１に
示すように、その真空チャンバー２５１には、アルゴン
ガス等を導入するガス導入口２５１ａと、真空引きをす
るためのガス排気口２５１ｂとが設けられ、上記真空チ
ャンバー２５１内には半導体基板１を載置するための基
板載置台２５４が設けられている。また上記真空チャン
バー２５１のガス導入口２５１ａ側にはプラズマ２５５
を閉じ込めるためのコイル２５２が配設され、このプラ
ズマ閉じ込め領域の上記基板載置台２５４側には、イオ
ンを引き出すための加速電極２５３が配置されている。
示すように、その真空チャンバー２５１には、アルゴン
ガス等を導入するガス導入口２５１ａと、真空引きをす
るためのガス排気口２５１ｂとが設けられ、上記真空チ
ャンバー２５１内には半導体基板１を載置するための基
板載置台２５４が設けられている。また上記真空チャン
バー２５１のガス導入口２５１ａ側にはプラズマ２５５
を閉じ込めるためのコイル２５２が配設され、このプラ
ズマ閉じ込め領域の上記基板載置台２５４側には、イオ
ンを引き出すための加速電極２５３が配置されている。
【０００８】２６０は酸素プラズマアッシャー装置で、
図１２に示すように、その真空チャンバー２６１には、
酸素ガスを導入するためのガス導入口２６１ａと、真空
引きをするためのガス排気口２６１ｂとが設けられてお
り、また上記真空チャンバー２６１内には、半導体基板
１を載置するための基板載置台２６４が設けられ、該基
板載置台２６４上には、上記チャンバー２６１内に導入
された酸素ガスに高周波パワーを印加するための高周波
印加電極２６２が配設され、この高周波印加電極２６２
は高周波電源２６３に接続されている。
図１２に示すように、その真空チャンバー２６１には、
酸素ガスを導入するためのガス導入口２６１ａと、真空
引きをするためのガス排気口２６１ｂとが設けられてお
り、また上記真空チャンバー２６１内には、半導体基板
１を載置するための基板載置台２６４が設けられ、該基
板載置台２６４上には、上記チャンバー２６１内に導入
された酸素ガスに高周波パワーを印加するための高周波
印加電極２６２が配設され、この高周波印加電極２６２
は高周波電源２６３に接続されている。
【０００９】次に製造方法について説明する。まず、図
５(a) に示す半導体基板１をスパッタ装置２１０（図７
参照）の基板載置台２１１上に配置し、装置内を所定の
ガス雰囲気で満たした後、電子銃２１２からスパッタ源
２１３に電子ビームを照射すると、スパッタ源２１３か
らスパッタ粒子２１３ａが飛び出し、これが上記半導体
基板１上に堆積して金属膜２が形成される。ここでは、
上記のようにしてＴｉを５００オングストローム、Ａｕ
を１μｍの厚さに順次形成する（図５(b) ）。
５(a) に示す半導体基板１をスパッタ装置２１０（図７
参照）の基板載置台２１１上に配置し、装置内を所定の
ガス雰囲気で満たした後、電子銃２１２からスパッタ源
２１３に電子ビームを照射すると、スパッタ源２１３か
らスパッタ粒子２１３ａが飛び出し、これが上記半導体
基板１上に堆積して金属膜２が形成される。ここでは、
上記のようにしてＴｉを５００オングストローム、Ａｕ
を１μｍの厚さに順次形成する（図５(b) ）。
【００１０】次に、上記金属膜２上にレジストマスク３
を形成する（図５(c) ）。すなわち、上記金属膜２を形
成した半導体基板１をレジスト塗布装置２２０（図８参
照）の基板搬入部２２０ａに搬入すると、これがレジス
ト塗布部２２０ｂに自動搬送される。そして半導体基板
１がレジスト塗布部２２０ｂの回転テーブル２２１ｂ上
に位置決めされると、その上の滴下ノズル２２２ｂから
液状レジスト３ａが上記半導体基板１の金属膜２上に滴
下され（図６(a) ）、続いて回転テーブル２２１ｂが回
転して上記液状レジスト３ａが半導体基板１の金属膜２
全面に広がる（図６(b) ，(c) ）。
を形成する（図５(c) ）。すなわち、上記金属膜２を形
成した半導体基板１をレジスト塗布装置２２０（図８参
照）の基板搬入部２２０ａに搬入すると、これがレジス
ト塗布部２２０ｂに自動搬送される。そして半導体基板
１がレジスト塗布部２２０ｂの回転テーブル２２１ｂ上
に位置決めされると、その上の滴下ノズル２２２ｂから
液状レジスト３ａが上記半導体基板１の金属膜２上に滴
下され（図６(a) ）、続いて回転テーブル２２１ｂが回
転して上記液状レジスト３ａが半導体基板１の金属膜２
全面に広がる（図６(b) ，(c) ）。
【００１１】このレジストの塗布が完了すると、さらに
上記半導体基板１はベーキング処理部２２０ｃに自動搬
送され、上記基板１が加熱台２２１ｃに位置決めされる
と、半導体基板１の加熱が開始され、上記金属膜２の全
面に広がった液状レジスト３ｂがベーキングされて固体
状のレジスト膜３ｃとなる（図６(d) ）。
上記半導体基板１はベーキング処理部２２０ｃに自動搬
送され、上記基板１が加熱台２２１ｃに位置決めされる
と、半導体基板１の加熱が開始され、上記金属膜２の全
面に広がった液状レジスト３ｂがベーキングされて固体
状のレジスト膜３ｃとなる（図６(d) ）。
【００１２】その後、上記半導体基板１を露光装置２３
０（図９参照）に移し、その移動載置台２３４上に配置
し、所定パターンの転写マスク２３２を用いて、所定の
露光パターンを上記レジスト膜３ｃに転写する（図６
(e) ）。
０（図９参照）に移し、その移動載置台２３４上に配置
し、所定パターンの転写マスク２３２を用いて、所定の
露光パターンを上記レジスト膜３ｃに転写する（図６
(e) ）。
【００１３】そしてさらに上記半導体基板１を現像装置
２４０（図１０参照）に移して、露光されたレジスト膜
３ｄの現像を行う。つまり現像装置２４０の回転台２４
１上に配置された上記半導体基板１のレジスト膜３ｄ上
に現像液がノズル２４２から滴下され、上記回転台２４
１の回転によりこれが上記レジスト膜３ｄの全面に広が
る。これによりレジスト膜３ｄの現像が行われ、所定パ
ターンのレジストマスク３が形成される（図６(f) ）。
その後は洗浄水をノズル２４３から半導体基板１の表面
に吹きつけて現像液を洗い流して現像処理を終える（図
５(c) ）。
２４０（図１０参照）に移して、露光されたレジスト膜
３ｄの現像を行う。つまり現像装置２４０の回転台２４
１上に配置された上記半導体基板１のレジスト膜３ｄ上
に現像液がノズル２４２から滴下され、上記回転台２４
１の回転によりこれが上記レジスト膜３ｄの全面に広が
る。これによりレジスト膜３ｄの現像が行われ、所定パ
ターンのレジストマスク３が形成される（図６(f) ）。
その後は洗浄水をノズル２４３から半導体基板１の表面
に吹きつけて現像液を洗い流して現像処理を終える（図
５(c) ）。
【００１４】次に、半導体基板１をイオンミリング装置
２５０（図１１参照）により上記金属膜２のパターニン
グを行う（図５(d) ）。このイオンミリング装置２５０
では、プラズマ閉じ込め領域から加速電極２５３により
引き出されたイオンが、基板載置台２５４上に配置した
半導体基板１に衝突し、このイオンの衝突により上記半
導体基板１上の金属膜２が選択的にエッチングされる。
２５０（図１１参照）により上記金属膜２のパターニン
グを行う（図５(d) ）。このイオンミリング装置２５０
では、プラズマ閉じ込め領域から加速電極２５３により
引き出されたイオンが、基板載置台２５４上に配置した
半導体基板１に衝突し、このイオンの衝突により上記半
導体基板１上の金属膜２が選択的にエッチングされる。
【００１５】最後に、上記レジストマスク３を酸素プラ
ズマアッシャー装置２６０（図１２参照）により除去す
る。このアッシャー装置２６０では、チャンバー２６０
ａ内の基板載置台２６４上に配置された半導体基板１上
に、酸素ガスがフラズマ化して導入され、この酸素ガス
プラズマにより基板表面のレジストマスク３が酸化され
て消失する。
ズマアッシャー装置２６０（図１２参照）により除去す
る。このアッシャー装置２６０では、チャンバー２６０
ａ内の基板載置台２６４上に配置された半導体基板１上
に、酸素ガスがフラズマ化して導入され、この酸素ガス
プラズマにより基板表面のレジストマスク３が酸化され
て消失する。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置の製
造方法における配線形成方法は以上のように構成されて
いるので、金属膜のスパッタ蒸着、レジスト塗布、パタ
ーン転写、金属膜の選択的なエッチング、レジスト除去
といった多くの基板処理工程が必要となり、配線形成プ
ロセスに多くの処理時間を要するとともに、各工程での
処理を行うための非常に高価な装置が必要となり、さら
にレジストに配線パターンを転写するための転写用マス
クも不可欠であり、この結果半導体装置の製造方法にお
ける配線形成プロセスは、半導体装置の製造コストを低
減する上で大きな障害となっていた。
造方法における配線形成方法は以上のように構成されて
いるので、金属膜のスパッタ蒸着、レジスト塗布、パタ
ーン転写、金属膜の選択的なエッチング、レジスト除去
といった多くの基板処理工程が必要となり、配線形成プ
ロセスに多くの処理時間を要するとともに、各工程での
処理を行うための非常に高価な装置が必要となり、さら
にレジストに配線パターンを転写するための転写用マス
クも不可欠であり、この結果半導体装置の製造方法にお
ける配線形成プロセスは、半導体装置の製造コストを低
減する上で大きな障害となっていた。
【００１７】ところで、特開昭63−116443号公報には、
ヘキサカルボニル金属ガス等の有機金属ガスを基板上に
吹き付けると同時に、フォーカストイオンビーム（ＦＩ
Ｂ）を照射して、ＦＩＢアシストＣＶＤにより所定パタ
ーンの金属膜を形成する方法が示されているが、このＦ
ＩＢアシストＣＶＤで形成された金属膜は、有機金属ガ
スを構成する炭素を含むこととなるため、その抵抗率が
上記有機金属ガスに含まれる金属材料自体の抵抗率より
５〜１０倍程度高く、しかも成膜時の堆積スピードが極
めて遅いためスループットの関係上その膜厚を厚くする
ことができず、この結果、この金属膜により形成した配
線は、その抵抗が非常に高くなってしまうという問題が
ある。
ヘキサカルボニル金属ガス等の有機金属ガスを基板上に
吹き付けると同時に、フォーカストイオンビーム（ＦＩ
Ｂ）を照射して、ＦＩＢアシストＣＶＤにより所定パタ
ーンの金属膜を形成する方法が示されているが、このＦ
ＩＢアシストＣＶＤで形成された金属膜は、有機金属ガ
スを構成する炭素を含むこととなるため、その抵抗率が
上記有機金属ガスに含まれる金属材料自体の抵抗率より
５〜１０倍程度高く、しかも成膜時の堆積スピードが極
めて遅いためスループットの関係上その膜厚を厚くする
ことができず、この結果、この金属膜により形成した配
線は、その抵抗が非常に高くなってしまうという問題が
ある。
【００１８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、レジストを用いた写真製版工程
を一切必要とせず、しかも金属膜のスパッタ蒸着や選択
的なエッチング処理を用いることなく、低抵抗な金属配
線を形成することができ、これにより半導体装置の製造
コストを大きく低減することができる配線形成方法を得
ることを目的とする。
ためになされたもので、レジストを用いた写真製版工程
を一切必要とせず、しかも金属膜のスパッタ蒸着や選択
的なエッチング処理を用いることなく、低抵抗な金属配
線を形成することができ、これにより半導体装置の製造
コストを大きく低減することができる配線形成方法を得
ることを目的とする。
【００１９】また、この発明は、レジストを用いた写真
製版工程等を用いずに、電子デバイス，つまり完成され
た半導体装置における既設配線層を簡単に修復すること
ができる配線修復方法を得ることを目的とする。
製版工程等を用いずに、電子デバイス，つまり完成され
た半導体装置における既設配線層を簡単に修復すること
ができる配線修復方法を得ることを目的とする。
【００２０】また、この発明は、レジストを用いた写真
製版工程等を用いずに、電子デバイスにおける既設配線
層の配線パターンを変更することができる配線パターン
変更方法を得ることを目的とする。
製版工程等を用いずに、電子デバイスにおける既設配線
層の配線パターンを変更することができる配線パターン
変更方法を得ることを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置の製造方法は、配線の下地となる配線下地層の所要領
域上に選択的にフォーカストイオンビームを照射すると
同時に、所定の金属元素を含む有機金属ガスを上記イオ
ンビームの照射領域上に吹きつけて、上記配線下地層上
に上記金属元素からなる金属膜をイオンビームアシスト
により化学的に気相成長し、その後、上記金属膜上に無
電解メッキにより低抵抗金属層を形成するものである。
置の製造方法は、配線の下地となる配線下地層の所要領
域上に選択的にフォーカストイオンビームを照射すると
同時に、所定の金属元素を含む有機金属ガスを上記イオ
ンビームの照射領域上に吹きつけて、上記配線下地層上
に上記金属元素からなる金属膜をイオンビームアシスト
により化学的に気相成長し、その後、上記金属膜上に無
電解メッキにより低抵抗金属層を形成するものである。
【００２２】この発明は上記半導体装置の製造方法にお
いて、上記有機金属ガスとして、Ｐｄ（ＯＣＯＣＨ3 ）
2 ガスまたはＣ10Ｈ14Ｏ4 Ｐｄガスを用い、上記配線下
地層上にイオンビームアシストＣＶＤによりＰｄ膜を堆
積するものである。
いて、上記有機金属ガスとして、Ｐｄ（ＯＣＯＣＨ3 ）
2 ガスまたはＣ10Ｈ14Ｏ4 Ｐｄガスを用い、上記配線下
地層上にイオンビームアシストＣＶＤによりＰｄ膜を堆
積するものである。
【００２３】この発明に係る配線修復方法は、電子デバ
イスにおける配線層の不良部分を選択的に除去した後、
フォーカストイオンビームを上記不良部分を除去した配
線下地部分に選択的に照射すると同時に、所定の金属元
素を含む有機金属ガスを上記イオンビームの照射領域に
吹きつけて、上記配線下地部分に上記金属元素からなる
金属膜をイオンビームアシストにより化学的に気相成長
し、その後該金属膜上に無電解メッキにより低抵抗金属
層を形成するものである。
イスにおける配線層の不良部分を選択的に除去した後、
フォーカストイオンビームを上記不良部分を除去した配
線下地部分に選択的に照射すると同時に、所定の金属元
素を含む有機金属ガスを上記イオンビームの照射領域に
吹きつけて、上記配線下地部分に上記金属元素からなる
金属膜をイオンビームアシストにより化学的に気相成長
し、その後該金属膜上に無電解メッキにより低抵抗金属
層を形成するものである。
【００２４】この発明に係る配線パターン変更方法は、
フォーカストイオンビームを、電子デバイスにおける既
設配線層の形成されている配線下地層の所要領域に選択
的に照射すると同時に、所定の金属元素を含む有機金属
ガスを上記イオンビームの照射領域に吹きつけて、上記
配線下地層上に上記金属元素からなる金属膜をイオンビ
ームアシストにより化学的に気相成長し、その後該金属
膜上に無電解メッキにより低抵抗金属層を形成し、これ
により上記既設配線層の配線パターンを、上記低抵抗金
属層と既設配線層とによる配線パターンに変更するもの
である。
フォーカストイオンビームを、電子デバイスにおける既
設配線層の形成されている配線下地層の所要領域に選択
的に照射すると同時に、所定の金属元素を含む有機金属
ガスを上記イオンビームの照射領域に吹きつけて、上記
配線下地層上に上記金属元素からなる金属膜をイオンビ
ームアシストにより化学的に気相成長し、その後該金属
膜上に無電解メッキにより低抵抗金属層を形成し、これ
により上記既設配線層の配線パターンを、上記低抵抗金
属層と既設配線層とによる配線パターンに変更するもの
である。
【００２５】この発明は上記配線パターン変更方法にお
いて、上記金属膜をイオンビームアシストにより形成す
る工程の前に、上記電子デバイスにおける既設配線層の
不要部分を選択的に除去するものである。
いて、上記金属膜をイオンビームアシストにより形成す
る工程の前に、上記電子デバイスにおける既設配線層の
不要部分を選択的に除去するものである。
【００２６】
【作用】この発明においては、配線層の下地となる配線
下地層の所要領域上に選択的にフォーカストイオンビー
ムを照射すると同時に、所定の金属元素を含む有機金属
ガスを、上記イオンビームの照射領域に吹きつけて、上
記配線下地層上に金属膜をイオンビームアシストにより
化学的に気相成長した後、上記金属膜上に無電解メッキ
により低抵抗金属層を形成するようにしたから、レジス
トを用いた写真製版工程を一切必要とせず、しかも金属
膜のスパッタ蒸着や選択的なエッチング処理を行うこと
なく、所定のパターンを有する低抵抗な金属配線を形成
することができ、これにより半導体装置の製造コストを
大きく低減することができる。
下地層の所要領域上に選択的にフォーカストイオンビー
ムを照射すると同時に、所定の金属元素を含む有機金属
ガスを、上記イオンビームの照射領域に吹きつけて、上
記配線下地層上に金属膜をイオンビームアシストにより
化学的に気相成長した後、上記金属膜上に無電解メッキ
により低抵抗金属層を形成するようにしたから、レジス
トを用いた写真製版工程を一切必要とせず、しかも金属
膜のスパッタ蒸着や選択的なエッチング処理を行うこと
なく、所定のパターンを有する低抵抗な金属配線を形成
することができ、これにより半導体装置の製造コストを
大きく低減することができる。
【００２７】また、この発明においては、電子デバイス
における配線層の不良部分を選択的に除去した後、フォ
ーカストイオンビームを、上記不良部分を除去した配線
下地部分に選択的に照射すると同時に、所定の金属元素
を含む有機金属ガスを上記イオンビームの照射領域に吹
きつけて、上記配線下地部分に金属膜をイオンビームア
シストにより化学的に気相成長し、その後該金属膜上に
無電解メッキにより低抵抗金属層を形成するので、レジ
ストを用いた写真製版工程等を用いずに、完成された半
導体装置等における既設配線層を簡単に修復することが
できる。
における配線層の不良部分を選択的に除去した後、フォ
ーカストイオンビームを、上記不良部分を除去した配線
下地部分に選択的に照射すると同時に、所定の金属元素
を含む有機金属ガスを上記イオンビームの照射領域に吹
きつけて、上記配線下地部分に金属膜をイオンビームア
シストにより化学的に気相成長し、その後該金属膜上に
無電解メッキにより低抵抗金属層を形成するので、レジ
ストを用いた写真製版工程等を用いずに、完成された半
導体装置等における既設配線層を簡単に修復することが
できる。
【００２８】この発明においては、フォーカストイオン
ビームを、電子デバイスにおける既設配線層の形成され
ている配線下地層の所要領域に選択的に照射すると同時
に、所定の金属元素を含む有機金属ガスを上記イオンビ
ームの照射領域に吹きつけて、上記配線下地層上に金属
膜をイオンビームアシストにより化学的に気相成長し、
その後該金属膜上に無電解メッキにより低抵抗金属層を
形成し、これにより上記既設配線層の配線パターンを、
上記低抵抗金属層と既設配線層とによる配線パターンに
変更するので、レジストを用いた写真製版工程等を用い
ずに、完成された半導体装置等における既設配線層の配
線パターンを簡単に変更することができる。
ビームを、電子デバイスにおける既設配線層の形成され
ている配線下地層の所要領域に選択的に照射すると同時
に、所定の金属元素を含む有機金属ガスを上記イオンビ
ームの照射領域に吹きつけて、上記配線下地層上に金属
膜をイオンビームアシストにより化学的に気相成長し、
その後該金属膜上に無電解メッキにより低抵抗金属層を
形成し、これにより上記既設配線層の配線パターンを、
上記低抵抗金属層と既設配線層とによる配線パターンに
変更するので、レジストを用いた写真製版工程等を用い
ずに、完成された半導体装置等における既設配線層の配
線パターンを簡単に変更することができる。
【００２９】
【実施例】実施例１．図１は本発明の第１の実施例によ
る半導体装置の製造方法に用いる配線形成方法を主要工
程順に示す模式図であり、図において、１はその上に所
定パターンの配線１１０が形成された半導体基板で、該
半導体基板１は、例えばＳｉ基板，ＧａＡｓ基板，Ｉｎ
Ｐ基板等、半導体装置を構成する半導体材料であればど
のような材料からなる基板でもよい。また上記配線１１
０は、上記半導体基板１上にＦＩＢアシストＣＶＤによ
り形成された所定パターンのＦＩＢアシスト金属膜（以
下、金属膜という。）７と、その上に無電解メッキによ
り形成された無電解メッキ金属層（以下、低抵抗金属層
ともいう。）９とから構成されており、上記低抵抗金属
層９は、例えばＮｉ，Ａｕ，あるいはＣｕ等の金属層で
ある。
る半導体装置の製造方法に用いる配線形成方法を主要工
程順に示す模式図であり、図において、１はその上に所
定パターンの配線１１０が形成された半導体基板で、該
半導体基板１は、例えばＳｉ基板，ＧａＡｓ基板，Ｉｎ
Ｐ基板等、半導体装置を構成する半導体材料であればど
のような材料からなる基板でもよい。また上記配線１１
０は、上記半導体基板１上にＦＩＢアシストＣＶＤによ
り形成された所定パターンのＦＩＢアシスト金属膜（以
下、金属膜という。）７と、その上に無電解メッキによ
り形成された無電解メッキ金属層（以下、低抵抗金属層
ともいう。）９とから構成されており、上記低抵抗金属
層９は、例えばＮｉ，Ａｕ，あるいはＣｕ等の金属層で
ある。
【００３０】４は上記半導体基板１上に所定の走査パタ
ーンに沿って照射される、例えばＧａ+ ，Ａｓ+ ，Ｓｃ
+ ，あるいはＡｒ+ 等のイオンビーム、５はＰｔ，Ｐｄ
あるいはＡｕを含む有機金属ガス６を、該イオンビーム
の照射領域上に吹きつけるための有機金属ガスノズル
で、該ノズル５は上記半導体基板１の表面近傍に位置し
ている。また８は上記半導体基板１上に上記金属膜７表
面を覆うよう滴下された無電解メッキ液である。ここで
上記有機金属ガス６に含まれる金属元素は、原理的には
上記のものに限らず、該金属元素からなる金属膜上に無
電解メッキにより金属層を形成できるものであればよい
が、実際のプロセスでは、標準水素電極に対する酸化還
元電位が＋０．８Ｖ以上であるもの、いわゆる貴金属元
素が妥当であると考えられる。ちなみにＰｔは１．１８
Ｖ、Ｐｄは０．９５１Ｖ、Ａｕは１．６９２Ｖの標準水
素電極に対する酸化還元電位を有している。
ーンに沿って照射される、例えばＧａ+ ，Ａｓ+ ，Ｓｃ
+ ，あるいはＡｒ+ 等のイオンビーム、５はＰｔ，Ｐｄ
あるいはＡｕを含む有機金属ガス６を、該イオンビーム
の照射領域上に吹きつけるための有機金属ガスノズル
で、該ノズル５は上記半導体基板１の表面近傍に位置し
ている。また８は上記半導体基板１上に上記金属膜７表
面を覆うよう滴下された無電解メッキ液である。ここで
上記有機金属ガス６に含まれる金属元素は、原理的には
上記のものに限らず、該金属元素からなる金属膜上に無
電解メッキにより金属層を形成できるものであればよい
が、実際のプロセスでは、標準水素電極に対する酸化還
元電位が＋０．８Ｖ以上であるもの、いわゆる貴金属元
素が妥当であると考えられる。ちなみにＰｔは１．１８
Ｖ、Ｐｄは０．９５１Ｖ、Ａｕは１．６９２Ｖの標準水
素電極に対する酸化還元電位を有している。
【００３１】また、図２は本実施例の配線形成方法にお
いて用いるＦＩＢアシストＣＶＤ装置の構成を模式的に
示す図であり、図において１００はＦＩＢアシストＣＶ
Ｄ装置で、その処理チャンバー１００ａ内には、半導体
基板１を配置するための基板配置台１０１が設けられ、
この基板配置台１０１上にこれに近接して上記有機金属
ガスノズル５が配置されている。また上記基板載置台１
００上方には、イオン源１０２が配置され、その下側に
は、該イオン源１０２からのイオンを加速する加速電極
１０３が配置されている。また上記基板載置台１０１と
イオン源１０２とを結ぶ直線上には、イオンビーム４を
走査するためのビーム走査電極１０４が設けられてお
り、該ビーム走査電極１０４は、イオンビーム４を所定
のパターンに沿って走査するイオンビーム走査手段１０
４ａに接続されている。
いて用いるＦＩＢアシストＣＶＤ装置の構成を模式的に
示す図であり、図において１００はＦＩＢアシストＣＶ
Ｄ装置で、その処理チャンバー１００ａ内には、半導体
基板１を配置するための基板配置台１０１が設けられ、
この基板配置台１０１上にこれに近接して上記有機金属
ガスノズル５が配置されている。また上記基板載置台１
００上方には、イオン源１０２が配置され、その下側に
は、該イオン源１０２からのイオンを加速する加速電極
１０３が配置されている。また上記基板載置台１０１と
イオン源１０２とを結ぶ直線上には、イオンビーム４を
走査するためのビーム走査電極１０４が設けられてお
り、該ビーム走査電極１０４は、イオンビーム４を所定
のパターンに沿って走査するイオンビーム走査手段１０
４ａに接続されている。
【００３２】次に製造方法について説明する。上記ＦＩ
ＢアシストＣＶＤ装置１００内の基板載置台１０１上に
配置した半導体基板１の表面上に、例えばイオン源１０
２からのＧａ+ ，Ａｓ+ ，Ｓｃ+ ，Ａｒ+ 等のイオンを
電界で加速，偏光したフォーカストイオンビーム４を所
要パターンに沿って走査しながら照射し、これと同時に
有機金属ガス６として酢酸パラジウム（Ｐｄ（ＯＣＯＣ
Ｈ3 ）2 ）ガス又はパラジウムアセチルアセナート（Ｃ
10Ｈ14Ｏ4 Ｐｄ）ガス等を上記イオンビームの照射領域
に吹きつける（図１(a)）。
ＢアシストＣＶＤ装置１００内の基板載置台１０１上に
配置した半導体基板１の表面上に、例えばイオン源１０
２からのＧａ+ ，Ａｓ+ ，Ｓｃ+ ，Ａｒ+ 等のイオンを
電界で加速，偏光したフォーカストイオンビーム４を所
要パターンに沿って走査しながら照射し、これと同時に
有機金属ガス６として酢酸パラジウム（Ｐｄ（ＯＣＯＣ
Ｈ3 ）2 ）ガス又はパラジウムアセチルアセナート（Ｃ
10Ｈ14Ｏ4 Ｐｄ）ガス等を上記イオンビームの照射領域
に吹きつける（図１(a)）。
【００３３】このような処理を行うことにより、上記半
導体基板１の主面上に上記所要パターンのＰｄ膜７をイ
オンビームアシストＣＶＤにより堆積することができる
（図１(b) ）。ここでは、上記有機金属ガスとしては、
Ｐｄを含むものを用いているが、これは、白金を含むト
リメチレンメチルシクロペンタジエニルプラチニウム
（ＣＨ3 （ＣＨ）5 ＨＰｔＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ2 ：Trimet
hylene metil cyclopentadienyl platinum）ガス，ある
いは金を含むジメチルゴールドヘキサフルオロアセチル
アセトネート（Ｃ7 Ｈ7 Ｆ6 Ｏ2 Ａｕ：dimethyl gold
hexafluoroacetylacetonate ）ガスを用いてもよく、こ
の場合、上記ＦＩＢアシストＣＶＤ金属膜として、Ｐｔ
膜、又はＡｕ膜が形成される。
導体基板１の主面上に上記所要パターンのＰｄ膜７をイ
オンビームアシストＣＶＤにより堆積することができる
（図１(b) ）。ここでは、上記有機金属ガスとしては、
Ｐｄを含むものを用いているが、これは、白金を含むト
リメチレンメチルシクロペンタジエニルプラチニウム
（ＣＨ3 （ＣＨ）5 ＨＰｔＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ2 ：Trimet
hylene metil cyclopentadienyl platinum）ガス，ある
いは金を含むジメチルゴールドヘキサフルオロアセチル
アセトネート（Ｃ7 Ｈ7 Ｆ6 Ｏ2 Ａｕ：dimethyl gold
hexafluoroacetylacetonate ）ガスを用いてもよく、こ
の場合、上記ＦＩＢアシストＣＶＤ金属膜として、Ｐｔ
膜、又はＡｕ膜が形成される。
【００３４】次に、上記半導体基板１上に例えばＮｉ，
Ａｕ，あるいはＣｕ等の無電解メッキ液８を、ＦＩＢア
シストＣＶＤにより形成した金属膜７を覆うよう塗布し
（図１(c) ）、無電解メッキにより該金属膜７上にＮ
ｉ，Ａｕ，あるいはＣｕ等の低抵抗金属層９を成長させ
る（図１(d) ）。
Ａｕ，あるいはＣｕ等の無電解メッキ液８を、ＦＩＢア
シストＣＶＤにより形成した金属膜７を覆うよう塗布し
（図１(c) ）、無電解メッキにより該金属膜７上にＮ
ｉ，Ａｕ，あるいはＣｕ等の低抵抗金属層９を成長させ
る（図１(d) ）。
【００３５】なお、上記無電解メッキ工程では、半導体
基板１上の金属膜７の部分にのみ無電解メッキ液を塗布
するようにしているが、これは、例えば無電解メッキ液
中に半導体基板１全体を浸漬するようにしてもよい。そ
の後、上記半導体基板１に洗浄水を吹き付けて上記メッ
キ液を除去する。これにより半導体基板１上に所要パタ
ーンの低抵抗配線１１０が得られる（図１(d) ）。
基板１上の金属膜７の部分にのみ無電解メッキ液を塗布
するようにしているが、これは、例えば無電解メッキ液
中に半導体基板１全体を浸漬するようにしてもよい。そ
の後、上記半導体基板１に洗浄水を吹き付けて上記メッ
キ液を除去する。これにより半導体基板１上に所要パタ
ーンの低抵抗配線１１０が得られる（図１(d) ）。
【００３６】このように本実施例では、半導体基板１上
にフォーカストイオンビーム４を照射しながら、Ｐｔ，
Ｐｄ，あるいはＡｕを含む有機金属ガス６を上記イオン
ビームの照射領域上に吹きつけて、イオンビームアシス
トＣＶＤにより上記半導体基板１上に所要パターンの金
属膜７を形成し、その後該金属膜７上に無電解メッキに
より低抵抗金属層９を成長して低抵抗配線１１０を形成
するようにしたので、レジストを用いた写真製版工程を
一切必要とせず、しかも金属膜のスパッタ蒸着や選択的
なエッチング処理を用いることなく、低抵抗な金属配線
１１０を形成することができる。この結果、半導体装置
の製造コストを大きく低減することができ、また半導体
装置において低損失の線路を実現することが可能とな
る。
にフォーカストイオンビーム４を照射しながら、Ｐｔ，
Ｐｄ，あるいはＡｕを含む有機金属ガス６を上記イオン
ビームの照射領域上に吹きつけて、イオンビームアシス
トＣＶＤにより上記半導体基板１上に所要パターンの金
属膜７を形成し、その後該金属膜７上に無電解メッキに
より低抵抗金属層９を成長して低抵抗配線１１０を形成
するようにしたので、レジストを用いた写真製版工程を
一切必要とせず、しかも金属膜のスパッタ蒸着や選択的
なエッチング処理を用いることなく、低抵抗な金属配線
１１０を形成することができる。この結果、半導体装置
の製造コストを大きく低減することができ、また半導体
装置において低損失の線路を実現することが可能とな
る。
【００３７】なお、上記実施例では、半導体基板上に配
線を形成する方法を示したが、本発明の配線形成方法
は、半導体以外の基板上に配線を形成可能なものである
ことは言うまでもない。
線を形成する方法を示したが、本発明の配線形成方法
は、半導体以外の基板上に配線を形成可能なものである
ことは言うまでもない。
【００３８】また、上記実施例では半導体装置の製造方
法において半導体基板１上にＦＩＢアシストＣＶＤ法及
び無電解メッキ法を用いて低抵抗金属配線を形成する方
法を示したが、このようにして低抵抗金属配線を形成す
る方法は、完成した半導体装置（電子デバイス）におけ
る配線を修復あるいは変更するのに用いることもでき
る。
法において半導体基板１上にＦＩＢアシストＣＶＤ法及
び無電解メッキ法を用いて低抵抗金属配線を形成する方
法を示したが、このようにして低抵抗金属配線を形成す
る方法は、完成した半導体装置（電子デバイス）におけ
る配線を修復あるいは変更するのに用いることもでき
る。
【００３９】実施例２．図３は本発明の第２の実施例に
よる配線修復方法を説明するための図であり、１２１は
完成した半導体装置における半導体基板で、その表面上
には配線層１２２が形成されている。また１２２ａは該
既設の配線層１２２の不良部分、１２２ｂは配線修正部
分のＦＩＢアシストＣＶＤによる金属膜、１２２ｃは配
線修正部分の無電解メッキによる低抵抗金属層である。
よる配線修復方法を説明するための図であり、１２１は
完成した半導体装置における半導体基板で、その表面上
には配線層１２２が形成されている。また１２２ａは該
既設の配線層１２２の不良部分、１２２ｂは配線修正部
分のＦＩＢアシストＣＶＤによる金属膜、１２２ｃは配
線修正部分の無電解メッキによる低抵抗金属層である。
【００４０】次に配線パターンの修正方法について説明
する。まず上記完成した半導体装置をＦＩＢアシストＣ
ＶＤ装置１００内に配置し、半導体基板１２１上の既設
の配線層１２２の不良部分１２２ａをイオンビーム４の
照射により選択的にエッチング除去する（図３(a) ，
(b) ）。
する。まず上記完成した半導体装置をＦＩＢアシストＣ
ＶＤ装置１００内に配置し、半導体基板１２１上の既設
の配線層１２２の不良部分１２２ａをイオンビーム４の
照射により選択的にエッチング除去する（図３(a) ，
(b) ）。
【００４１】次に、上記配線を除去した部分にイオンビ
ーム４を選択的に照射しながら、これと同時にＰｔ，Ｐ
ｄあるいはＡｕ等を含む有機金属ガス６を上記イオンビ
ームの照射領域に吹きつけて、上記半導体基板１の、配
線を除去した部分にイオンビームアシストＣＶＤにより
金属膜１２２ｂを形成する（図３(c) ）。
ーム４を選択的に照射しながら、これと同時にＰｔ，Ｐ
ｄあるいはＡｕ等を含む有機金属ガス６を上記イオンビ
ームの照射領域に吹きつけて、上記半導体基板１の、配
線を除去した部分にイオンビームアシストＣＶＤにより
金属膜１２２ｂを形成する（図３(c) ）。
【００４２】その後上記半導体基板１上に無電解メッキ
液８を、ＦＩＢアシストＣＶＤによる金属膜１２２ｂを
覆うよう塗布して、Ｎｉ，Ｃｕ，あるいはＡｕ等の無電
解メッキにより該金属膜１２２ｂ上に低抵抗金属層１２
２ｃを成長させる（図３(d)）。これにより、完成され
た半導体装置における既存配線層の不良部分１２２ａ
が、配線として良好な金属配線層に置き代わることとな
り、既存配線層の修正が行われることとなる。
液８を、ＦＩＢアシストＣＶＤによる金属膜１２２ｂを
覆うよう塗布して、Ｎｉ，Ｃｕ，あるいはＡｕ等の無電
解メッキにより該金属膜１２２ｂ上に低抵抗金属層１２
２ｃを成長させる（図３(d)）。これにより、完成され
た半導体装置における既存配線層の不良部分１２２ａ
が、配線として良好な金属配線層に置き代わることとな
り、既存配線層の修正が行われることとなる。
【００４３】このように本実施例では、半導体装置にお
ける既設配線層１２２の不良部分１２２ａを選択的に除
去した後、フォーカストイオンビームを上記配線を除去
した部分に照射しながら、有機金属ガスを上記イオンビ
ームの照射領域上に吹きつけて、上記配線を除去した部
分上に金属膜１２２ｂを形成し、その後該金属膜１２２
ｂ上に無電解メッキにより低抵抗金属層１２２ｃを形成
するので、レジストを用いた写真製版工程等を用いず
に、完成された半導体装置における既設配線を簡単に修
復することができる。
ける既設配線層１２２の不良部分１２２ａを選択的に除
去した後、フォーカストイオンビームを上記配線を除去
した部分に照射しながら、有機金属ガスを上記イオンビ
ームの照射領域上に吹きつけて、上記配線を除去した部
分上に金属膜１２２ｂを形成し、その後該金属膜１２２
ｂ上に無電解メッキにより低抵抗金属層１２２ｃを形成
するので、レジストを用いた写真製版工程等を用いず
に、完成された半導体装置における既設配線を簡単に修
復することができる。
【００４４】実施例３．図４は本発明の第３の実施例に
よる配線パターン変更方法を説明するための図であり、
１３２は完成した半導体装置における配線パターンの変
更が行われる既設の配線層で、半導体基板１３１上に形
成されている。１３２ａは上記配線層１３２の配線パタ
ーンを変更する際不要となる配線不要部分、１３２ｂは
既設配線層１３２に付加した配線部分（配線変更部分）
に形成されたＦＩＢアシストＣＶＤ金属膜、１３２ｃは
上記ＣＶＤ金属膜１３２ｂ上に無電解メッキにより形成
された低抵抗金属層、１３０は配線パターン変更後の配
線層である。
よる配線パターン変更方法を説明するための図であり、
１３２は完成した半導体装置における配線パターンの変
更が行われる既設の配線層で、半導体基板１３１上に形
成されている。１３２ａは上記配線層１３２の配線パタ
ーンを変更する際不要となる配線不要部分、１３２ｂは
既設配線層１３２に付加した配線部分（配線変更部分）
に形成されたＦＩＢアシストＣＶＤ金属膜、１３２ｃは
上記ＣＶＤ金属膜１３２ｂ上に無電解メッキにより形成
された低抵抗金属層、１３０は配線パターン変更後の配
線層である。
【００４５】次に配線パターンの変更方法について説明
する。まず、上記第２の実施例と同様、完成した半導体
装置をＦＩＢアシストＣＶＤ装置１００内に配置し、そ
の半導体基板１３１上の既存の配線１３２の不要部分１
３２ａをイオンビーム４により選択的にエッチング除去
する（図４(a) ，(b)）。
する。まず、上記第２の実施例と同様、完成した半導体
装置をＦＩＢアシストＣＶＤ装置１００内に配置し、そ
の半導体基板１３１上の既存の配線１３２の不要部分１
３２ａをイオンビーム４により選択的にエッチング除去
する（図４(a) ，(b)）。
【００４６】次に、上記半導体基板１３１の所定領域上
にイオンビーム４を照射しながら、これと同時に、有機
金属ガス６を上記イオンビームの照射領域に吹きつけ
て、上記半導体基板１上に所定パターンの金属膜１３２
ｂをイオンビームアシストＣＶＤにより堆積する（図４
(c) ）。
にイオンビーム４を照射しながら、これと同時に、有機
金属ガス６を上記イオンビームの照射領域に吹きつけ
て、上記半導体基板１上に所定パターンの金属膜１３２
ｂをイオンビームアシストＣＶＤにより堆積する（図４
(c) ）。
【００４７】その後、上記半導体基板１３１上に無電解
メッキ液８を、ＦＩＢアシストＣＶＤによる金属膜１３
２ｂを覆うよう塗布して、無電解メッキ法により該金属
膜１３２ｂ上に低抵抗金属層１３２ｃを成長させて、新
たな配線層１３０を形成する（図４(d) ）。これによ
り、完成された半導体装置における既設配線層１３２に
よる配線パターンを、上記新たな配線層１３０の配線パ
ターンに変更することができる。
メッキ液８を、ＦＩＢアシストＣＶＤによる金属膜１３
２ｂを覆うよう塗布して、無電解メッキ法により該金属
膜１３２ｂ上に低抵抗金属層１３２ｃを成長させて、新
たな配線層１３０を形成する（図４(d) ）。これによ
り、完成された半導体装置における既設配線層１３２に
よる配線パターンを、上記新たな配線層１３０の配線パ
ターンに変更することができる。
【００４８】このように本実施例では、半導体装置にお
ける既設配線層１３２の不要部分１３２ａを選択的に除
去した後、既設配線層１３２が形成されている半導体基
板１３１の所要部分にフォーカストイオンビーム４を照
射しながら、有機金属ガスを上記イオンビームの照射領
域上に吹きつけて、上記半導体基板１３１の所定領域上
にイオンアシストＣＶＤにより金属膜１３２ｂを形成
し、その後上記金属膜上に無電解メッキにより低抵抗金
属層１３２ｃを形成し、これにより上記既設配線による
配線パターンを、低抵抗金属層と既設配線とによる配線
パターンに変更するので、レジストを用いた写真製版工
程等を用いずに、完成された半導体装置に設けられてい
る既設配線１３２の配線パターンを変更することができ
る。
ける既設配線層１３２の不要部分１３２ａを選択的に除
去した後、既設配線層１３２が形成されている半導体基
板１３１の所要部分にフォーカストイオンビーム４を照
射しながら、有機金属ガスを上記イオンビームの照射領
域上に吹きつけて、上記半導体基板１３１の所定領域上
にイオンアシストＣＶＤにより金属膜１３２ｂを形成
し、その後上記金属膜上に無電解メッキにより低抵抗金
属層１３２ｃを形成し、これにより上記既設配線による
配線パターンを、低抵抗金属層と既設配線とによる配線
パターンに変更するので、レジストを用いた写真製版工
程等を用いずに、完成された半導体装置に設けられてい
る既設配線１３２の配線パターンを変更することができ
る。
【００４９】
【発明の効果】以上のようにこの発明に係る半導体装置
の製造方法によれば、配線の下地となる配線下地層の所
要領域上に選択的にフォーカストイオンビームを照射す
ると同時に、所定の金属元素を含む有機金属ガスを、上
記イオンビームの照射領域に吹きつけて、上記配線下地
層上にイオンビームアシストＣＶＤにより金属膜を堆積
し、上記金属膜上に無電解メッキにより低抵抗金属層を
形成するようにしたので、レジストを用いた写真製版工
程を一切必要とせず、しかも金属膜のスパッタ蒸着や選
択的なエッチング処理を用いることなく、所定のパター
ンを有する低抵抗な金属配線を形成することができ、こ
れにより半導体装置の製造コストを大きく低減すること
ができる効果がある。
の製造方法によれば、配線の下地となる配線下地層の所
要領域上に選択的にフォーカストイオンビームを照射す
ると同時に、所定の金属元素を含む有機金属ガスを、上
記イオンビームの照射領域に吹きつけて、上記配線下地
層上にイオンビームアシストＣＶＤにより金属膜を堆積
し、上記金属膜上に無電解メッキにより低抵抗金属層を
形成するようにしたので、レジストを用いた写真製版工
程を一切必要とせず、しかも金属膜のスパッタ蒸着や選
択的なエッチング処理を用いることなく、所定のパター
ンを有する低抵抗な金属配線を形成することができ、こ
れにより半導体装置の製造コストを大きく低減すること
ができる効果がある。
【００５０】また、この発明に係る配線修復方法によれ
ば、完成された半導体装置における既設配線層の不良部
分を選択的に除去した後、フォーカストイオンビーム
を、上記配線を除去した配線下地部分に選択的に照射す
ると同時に、所定の金属元素を含む有機金属ガスを上記
イオンビームの照射領域上に吹きつけて、上記配線下地
部分にイオンビームアシストＣＶＤにより金属膜を堆積
し、その後該金属膜上に無電解メッキにより低抵抗金属
層を形成するので、レジストを用いた写真製版工程等を
用いずに、完成された半導体装置の既設配線を簡単に修
復することができる効果がある。
ば、完成された半導体装置における既設配線層の不良部
分を選択的に除去した後、フォーカストイオンビーム
を、上記配線を除去した配線下地部分に選択的に照射す
ると同時に、所定の金属元素を含む有機金属ガスを上記
イオンビームの照射領域上に吹きつけて、上記配線下地
部分にイオンビームアシストＣＶＤにより金属膜を堆積
し、その後該金属膜上に無電解メッキにより低抵抗金属
層を形成するので、レジストを用いた写真製版工程等を
用いずに、完成された半導体装置の既設配線を簡単に修
復することができる効果がある。
【００５１】またこの発明に係る配線パターン変更方法
によれば、フォーカストイオンビームを、完成された半
導体装置における既設配線層の形成されている配線下地
層の所要領域に選択的に照射すると同時に、所定の金属
元素を含む有機金属ガスを上記イオンビームの照射領域
上に吹きつけて、上記配線下地層上にイオンビームアシ
ストＣＶＤにより金属膜を堆積し、その後該金属膜上に
無電解メッキにより低抵抗金属層を形成し、これにより
上記既設配線層の配線パターンを、上記低抵抗金属層と
既設配線層とによる配線パターンに変更するので、レジ
ストを用いた写真製版工程等を用いずに、完成された半
導体装置の既設配線層の配線パターンを簡単に変更する
ことができる効果がある。
によれば、フォーカストイオンビームを、完成された半
導体装置における既設配線層の形成されている配線下地
層の所要領域に選択的に照射すると同時に、所定の金属
元素を含む有機金属ガスを上記イオンビームの照射領域
上に吹きつけて、上記配線下地層上にイオンビームアシ
ストＣＶＤにより金属膜を堆積し、その後該金属膜上に
無電解メッキにより低抵抗金属層を形成し、これにより
上記既設配線層の配線パターンを、上記低抵抗金属層と
既設配線層とによる配線パターンに変更するので、レジ
ストを用いた写真製版工程等を用いずに、完成された半
導体装置の既設配線層の配線パターンを簡単に変更する
ことができる効果がある。
【図１】本発明の１の実施例による半導体装置の製造方
法における配線形成工程を説明するための図である。
法における配線形成工程を説明するための図である。
【図２】上記配線形成工程で用いるＦＩＢアシストＣＶ
Ｄ装置の構成を示す模式図である。
Ｄ装置の構成を示す模式図である。
【図３】本発明の第２の実施例による配線修復方法を説
明するための図である。
明するための図である。
【図４】本発明の第３の実施例による配線パターン変更
方法を説明するための図である。
方法を説明するための図である。
【図５】従来の半導体装置の製造方法に用いられる配線
形成方法の一例を説明するための図である。
形成方法の一例を説明するための図である。
【図６】上記従来の配線形成方法における写真製版工程
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図７】上記配線形成方法における金属膜形成工程で用
いるスパッタ装置の構成を示す模式図である。
いるスパッタ装置の構成を示す模式図である。
【図８】上記配線形成方法におけるレジスト塗布工程で
用いるレジスト塗布装置の構成を示す模式図である。
用いるレジスト塗布装置の構成を示す模式図である。
【図９】上記配線形成方法におけるレジスト露光工程で
用いるレジスト露光装置の構成を示す模式図である。
用いるレジスト露光装置の構成を示す模式図である。
【図１０】上記配線形成方法におけるレジスト現像工程
で用いるレジスト現像装置の構成を示す模式図である。
で用いるレジスト現像装置の構成を示す模式図である。
【図１１】上記配線形成方法における金属膜のパターニ
ング工程で用いるイオンミリング装置の構成を示す模式
図である。
ング工程で用いるイオンミリング装置の構成を示す模式
図である。
【図１２】上記配線形成方法におけるレジストマスク除
去工程で用いる酸素プラズマアッシャー装置の構成を示
す模式図である。
去工程で用いる酸素プラズマアッシャー装置の構成を示
す模式図である。
１，１２１，１３１ 半導体基板 ４ フォーカストイオンビーム
（ＦＩＢ） ５ 有機金属ガスノズル ６ 有機金属ガス ７，１２２ｂ，１３２ｂ ＦＩＢアシストＣＶＤ金属膜 ８ 無電解メッキ液 ９，１２２ｃ，１３２ｃ 低抵抗金属層 １１０ 低抵抗配線 １２２，１３２ 既設の配線層 １２２ａ 既設配線層の不良部分 １３０ 配線パターン変更後の新たな
配線層 １３２ａ 既設配線層の不要部分
（ＦＩＢ） ５ 有機金属ガスノズル ６ 有機金属ガス ７，１２２ｂ，１３２ｂ ＦＩＢアシストＣＶＤ金属膜 ８ 無電解メッキ液 ９，１２２ｃ，１３２ｃ 低抵抗金属層 １１０ 低抵抗配線 １２２，１３２ 既設の配線層 １２２ａ 既設配線層の不良部分 １３０ 配線パターン変更後の新たな
配線層 １３２ａ 既設配線層の不要部分
Claims (5)
- 【請求項１】 配線の下地となる配線下地層の所要領域
上に選択的にフォーカストイオンビームを照射すると同
時に、所定の金属元素を含む有機金属ガスを上記イオン
ビームの照射領域上に吹きつけて、上記配線下地層上に
上記金属元素からなる金属膜をイオンビームアシストに
より化学的に気相成長する工程と、 上記金属膜上に無電解メッキにより低抵抗金属層を形成
する工程とを含むことを特徴とする配線形成方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の配線形成方法において、 上記有機金属ガスとして、 Ｐｄ（ＯＣＯＣＨ3 ）2 ガスまたはＣ10Ｈ14Ｏ4 Ｐｄガ
スを用い、 上記配線下地層上にイオンビームアシストによりＰｄ膜
を堆積することを特徴とする配線形成方法。 - 【請求項３】 電子デバイスにおける既設配線層を修復
する方法において、 上記既設配線層の不良部分を選択的に除去する工程と、 フォーカストイオンビームを、上記既設配線層の不良部
分を除去した配線下地部分に選択的に照射すると同時
に、所定の金属元素を含む有機金属ガスを上記イオンビ
ームの照射領域上に吹きつけて、上記配線下地部分上に
上記金属元素からなる金属膜をイオンビームアシストに
より化学的に気相成長する工程と、 上記金属膜上に無電解メッキにより低抵抗金属層を形成
する工程とを含むことを特徴とする配線修復方法。 - 【請求項４】 電子デバイスにおける既設配線層の配線
パターンを変更する方法において、 フォーカストイオンビームを、上記既設配線層が形成さ
れている配線下地層の所要領域に選択的に照射すると同
時に、所定の金属元素を含む有機金属ガスを上記イオン
ビームの照射領域上に吹きつけて、上記配線下地層上に
上記金属元素からなる金属膜をイオンビームアシストに
より化学的に気相成長する工程と、 上記金属膜上に無電解メッキにより低抵抗金属層を形成
する工程とを含み、 上記既設配線層の配線パターンを、上記低抵抗金属層と
既設配線層とによる配線パターンに変更することを特徴
とする配線パターン変更方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の配線パターン変更方法に
おいて、 上記金属膜をイオンビームアシストにより形成する工程
の前に、上記電子デバイスにおける既設配線層の不要部
分を選択的に除去する工程を有することを特徴とする配
線パターン変更方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5181237A JPH0737887A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 配線形成方法，配線修復方法，及び配線パターン変更方法 |
| US08/278,338 US5429994A (en) | 1993-07-22 | 1994-07-21 | Wiring forming method, wiring restoring method and wiring pattern changing method |
| EP94111499A EP0635878A1 (en) | 1993-07-22 | 1994-07-22 | Wiring forming, restoring and pattern changing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5181237A JPH0737887A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 配線形成方法，配線修復方法，及び配線パターン変更方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737887A true JPH0737887A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16097201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5181237A Pending JPH0737887A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 配線形成方法，配線修復方法，及び配線パターン変更方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5429994A (ja) |
| EP (1) | EP0635878A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0737887A (ja) |
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| JP2009063395A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Japan Electronic Materials Corp | プローブの交換方法及びプローブカード |
| JP2010010290A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 柱状結晶構造体の製造方法および装置 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP4906214B2 (ja) | 2000-03-10 | 2012-03-28 | エフ イー アイ カンパニ | 差分スパッタリング速度を減少する装置及び方法 |
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