JP2002176178A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低コストに製造することのできる表示装置を
実現する。 【解決手段】 基板上に設けられている画素電極１０１
の周囲にソースライン１０２を設け、ソース及びゲート
となる領域を開口させた絶縁膜１０３を形成し、ソース
１０４ａ及びドレイン１０４ｂを形成し、これらソース
１０４ａ及びドレイン１０４ｂの上方に半導体膜５、ゲ
ート１０５を設ける製造方法において、略大気圧下にお
いて上記各部を形成する。略大気圧下において製造でき
るので、真空チャンバ等の特別な装置を必要とせず、表
示装置を安価に製造できる。
実現する。 【解決手段】 基板上に設けられている画素電極１０１
の周囲にソースライン１０２を設け、ソース及びゲート
となる領域を開口させた絶縁膜１０３を形成し、ソース
１０４ａ及びドレイン１０４ｂを形成し、これらソース
１０４ａ及びドレイン１０４ｂの上方に半導体膜５、ゲ
ート１０５を設ける製造方法において、略大気圧下にお
いて上記各部を形成する。略大気圧下において製造でき
るので、真空チャンバ等の特別な装置を必要とせず、表
示装置を安価に製造できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表示装置及びその製
造方法に関し、特に電気泳動インクを用いて所望の表示
を行う装置及びその製造方法に関する。
造方法に関し、特に電気泳動インクを用いて所望の表示
を行う装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子により駆動される表示装置
は、高真空装置などの高度な設備を利用することにより
製造されてきた。
は、高真空装置などの高度な設備を利用することにより
製造されてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような高度な設備を利用するため、半導体素子により駆
動される表示装置製造の製造コストがかかるという問題
がある。本発明は上述した従来技術の欠点を解決するた
めになされたものであり、その目的は低コストに製造す
ることのできる表示装置及びその製造方法を提供するこ
とである。
ような高度な設備を利用するため、半導体素子により駆
動される表示装置製造の製造コストがかかるという問題
がある。本発明は上述した従来技術の欠点を解決するた
めになされたものであり、その目的は低コストに製造す
ることのできる表示装置及びその製造方法を提供するこ
とである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明による表示装置
は、画素電極と、前記画素電極に電圧を印加するための
トランジスタと、を含む表示装置であって、少なくと
も、前記トランジスタの能動層が有機材料からなること
を特徴とする。また、前記トランジスタのゲートを保護
するフィルムと、この設けられたフィルム及び画素電極
上に設けられた電気泳動インク層を上記表示装置に追加
しても良い。このように構成されていることにより、略
大気圧下で製造できるので、真空チャンバ等の特別な装
置を必要とせず、表示装置を安価に製造できる。
は、画素電極と、前記画素電極に電圧を印加するための
トランジスタと、を含む表示装置であって、少なくと
も、前記トランジスタの能動層が有機材料からなること
を特徴とする。また、前記トランジスタのゲートを保護
するフィルムと、この設けられたフィルム及び画素電極
上に設けられた電気泳動インク層を上記表示装置に追加
しても良い。このように構成されていることにより、略
大気圧下で製造できるので、真空チャンバ等の特別な装
置を必要とせず、表示装置を安価に製造できる。
【０００５】本発明による表示装置の製造方法は、基板
上に設けられている画素電極の周囲にソースラインを設
けるステップと、ソース及びドレインとなる領域を開口
させた絶縁膜パターンを形成するステップと、ソース及
びドレインを形成するステップと、前記ソース及びドレ
インの上方に半導体膜を設けるステップと、前記半導体
膜の上方にゲートを設けるステップとを含む表示装置の
製造方法であって、略大気圧下において前記ステップそ
れぞれを行うようにしたことを特徴とする。略大気圧下
において製造できるので、真空チャンバ等の特別な装置
を必要とせず、表示装置を安価に製造できる。
上に設けられている画素電極の周囲にソースラインを設
けるステップと、ソース及びドレインとなる領域を開口
させた絶縁膜パターンを形成するステップと、ソース及
びドレインを形成するステップと、前記ソース及びドレ
インの上方に半導体膜を設けるステップと、前記半導体
膜の上方にゲートを設けるステップとを含む表示装置の
製造方法であって、略大気圧下において前記ステップそ
れぞれを行うようにしたことを特徴とする。略大気圧下
において製造できるので、真空チャンバ等の特別な装置
を必要とせず、表示装置を安価に製造できる。
【０００６】なお、前記ソースラインを電解メッキする
ステップを上記製造方法に追加しても良い。電解メッキ
を施すことにより、静電気を防止することができる。ま
た、前記ゲートを保護するフィルムを設けるステップ
と、このフィルムを設けた後に電気泳動インクを塗布す
るステップとを上記製造方法に追加しても良い。このフ
ィルムを設けることにより、トランジスタ部分を保護す
ることができる。そして、前記ゲートを保護するフィル
ムを設けるステップにおいては、ラミネートにより前記
フィルムを設ける。
ステップを上記製造方法に追加しても良い。電解メッキ
を施すことにより、静電気を防止することができる。ま
た、前記ゲートを保護するフィルムを設けるステップ
と、このフィルムを設けた後に電気泳動インクを塗布す
るステップとを上記製造方法に追加しても良い。このフ
ィルムを設けることにより、トランジスタ部分を保護す
ることができる。そして、前記ゲートを保護するフィル
ムを設けるステップにおいては、ラミネートにより前記
フィルムを設ける。
【０００７】なお、前記基板に、前記画素電極付きの樹
脂フィルムを用いれば、フレキシブルな表示装置を実現
できる。本発明による他の表示装置の製造方法は、外部
信号を入力するための端子を有する表示装置の製造方法
であって、前記端子表面に保護膜を設けるステップと、
この保護膜を設けた状態で表示領域を形成するステップ
と、前記保護膜を除去するステップとを含み、前記端子
表面を露出させるようにしたことを特徴とする。そし
て、前記保護膜は、前記端子部分に貼付されるシールで
あり、該シールを剥離して除去するか、前記保護膜は、
絶縁膜であり、前記端子部分に設けられた絶縁膜をレー
ザ照射によって除去するか、前記保護膜は、前記端子部
分に貼付されるシールであり、加熱してガスを発生させ
ることにより該シールを剥離して除去する。これらの露
出方法を採用することにより、容易に端子を露出させる
ことができる。
脂フィルムを用いれば、フレキシブルな表示装置を実現
できる。本発明による他の表示装置の製造方法は、外部
信号を入力するための端子を有する表示装置の製造方法
であって、前記端子表面に保護膜を設けるステップと、
この保護膜を設けた状態で表示領域を形成するステップ
と、前記保護膜を除去するステップとを含み、前記端子
表面を露出させるようにしたことを特徴とする。そし
て、前記保護膜は、前記端子部分に貼付されるシールで
あり、該シールを剥離して除去するか、前記保護膜は、
絶縁膜であり、前記端子部分に設けられた絶縁膜をレー
ザ照射によって除去するか、前記保護膜は、前記端子部
分に貼付されるシールであり、加熱してガスを発生させ
ることにより該シールを剥離して除去する。これらの露
出方法を採用することにより、容易に端子を露出させる
ことができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。なお、以下の説明において
参照する各図では、他の図と同等部分は同一符号によっ
て示されている。以下、（１）有機ＴＦＴ表示装置の断
面構造、（２）有機ＴＦＴ表示装置の製造方法、（３）
外部端子の露出方法、について順に説明する。
施の形態について説明する。なお、以下の説明において
参照する各図では、他の図と同等部分は同一符号によっ
て示されている。以下、（１）有機ＴＦＴ表示装置の断
面構造、（２）有機ＴＦＴ表示装置の製造方法、（３）
外部端子の露出方法、について順に説明する。
【０００９】（１）有機ＴＦＴ表示装置の断面構造 図１は本発明による表示装置の実施の一形態を示す断面
図である。同図に示されているように、本実施形態によ
る表示装置は、基板１上に、ＩＴＯ等による画素電極１
０１及びソースライン１０２、絶縁膜１０３、ソース１
０４ａ及びドレイン１０４ｂ、半導体層５、絶縁膜６、
ゲート１０５が順に積層された構成である。
図である。同図に示されているように、本実施形態によ
る表示装置は、基板１上に、ＩＴＯ等による画素電極１
０１及びソースライン１０２、絶縁膜１０３、ソース１
０４ａ及びドレイン１０４ｂ、半導体層５、絶縁膜６、
ゲート１０５が順に積層された構成である。
【００１０】また、本発明においては、ゲート１０５等
のトランジスタ部分を保護するために保護フィルム１０
６が設けられている。この保護フィルム１０６は、画素
電極１０１に相当する部分に孔１０７が設けられている
格子状のフィルムである。このフィルム１０６を貼付す
ることにより、トランジスタ部分を保護できる。そし
て、フィルム１０６の上から電気泳動インクを塗布する
ことにより、孔１０７部分にも電気泳動インクが入り込
むことになる。
のトランジスタ部分を保護するために保護フィルム１０
６が設けられている。この保護フィルム１０６は、画素
電極１０１に相当する部分に孔１０７が設けられている
格子状のフィルムである。このフィルム１０６を貼付す
ることにより、トランジスタ部分を保護できる。そし
て、フィルム１０６の上から電気泳動インクを塗布する
ことにより、孔１０７部分にも電気泳動インクが入り込
むことになる。
【００１１】電気泳動インクは直接、孔１０７に配置し
ても良いが、ここでは電気泳動インクを封入したマイク
ロカプセルに封入したものを用いている。このマイクロ
カプセルとバインダとを混ぜた液体を塗布する。電気泳
動インクを塗布した状態が図２に示されている。同図に
示されているように、電気泳動インクはマイクロカプセ
ル３３内に封入されており、このマイクロカプセル３３
が孔１０７部分にも位置している。そして、図示せぬ電
極をさらに形成し、その電極と画素電極１０１とによっ
て、マイクロカプセル３３に電圧を印加する。この電圧
印加によって、マイクロカプセル３３内の電気泳動イン
クを電気分極させ、後述するように所望の表示を行うこ
とができる。
ても良いが、ここでは電気泳動インクを封入したマイク
ロカプセルに封入したものを用いている。このマイクロ
カプセルとバインダとを混ぜた液体を塗布する。電気泳
動インクを塗布した状態が図２に示されている。同図に
示されているように、電気泳動インクはマイクロカプセ
ル３３内に封入されており、このマイクロカプセル３３
が孔１０７部分にも位置している。そして、図示せぬ電
極をさらに形成し、その電極と画素電極１０１とによっ
て、マイクロカプセル３３に電圧を印加する。この電圧
印加によって、マイクロカプセル３３内の電気泳動イン
クを電気分極させ、後述するように所望の表示を行うこ
とができる。
【００１２】保護フィルム１０６は、格子状のフィルム
であるため、表示を行うと観察者に格子が見えてしまう
おそれもあるが、大型画面の表示装置等においては画素
が大きい（孔１０７の部分が大きい）ので問題とならな
い。なお、保護フィルム１０６はラミネートで貼り付け
れば良い。この格子状の保護フィルム１０６を設けるこ
とにより、ゲート電極部分やその他の配線のショートを
防ぐことができると共に、画質を向上させ、ＴＦＴの信
頼性を向上させることができる。
であるため、表示を行うと観察者に格子が見えてしまう
おそれもあるが、大型画面の表示装置等においては画素
が大きい（孔１０７の部分が大きい）ので問題とならな
い。なお、保護フィルム１０６はラミネートで貼り付け
れば良い。この格子状の保護フィルム１０６を設けるこ
とにより、ゲート電極部分やその他の配線のショートを
防ぐことができると共に、画質を向上させ、ＴＦＴの信
頼性を向上させることができる。
【００１３】かかる構成において、ゲート１０５に電圧
を与えることにより、半導体層５にチャネルが形成され
てトランジスタがオン状態になる。これにより、ソース
１０４ａとドレイン１０４ｂとの間が導通し、画素電極
１０１と図示せぬ透明電極との間に所定電圧が印加され
る。この電圧印加により、孔１０７内の電気泳動インク
が電気分極状態となり、所望の表示がなされる。
を与えることにより、半導体層５にチャネルが形成され
てトランジスタがオン状態になる。これにより、ソース
１０４ａとドレイン１０４ｂとの間が導通し、画素電極
１０１と図示せぬ透明電極との間に所定電圧が印加され
る。この電圧印加により、孔１０７内の電気泳動インク
が電気分極状態となり、所望の表示がなされる。
【００１４】この電気分極状態について図３を参照して
説明する。同図においては、マイクロカプセル１個分に
ついての電気分極状態が示されている。同図（ａ）にお
いては、電極３４と透明電極３２との間にマイクロカプ
セル内の電気泳動インク５０が存在している。電気泳動
インク５０は、液相分散媒６１と、この液相分散媒６０
内に分散されている電気泳動粒子５１とから構成されて
いる。液相分散媒６１と電気泳動粒子５１とは、互いに
異なる着色がなされているものとする。
説明する。同図においては、マイクロカプセル１個分に
ついての電気分極状態が示されている。同図（ａ）にお
いては、電極３４と透明電極３２との間にマイクロカプ
セル内の電気泳動インク５０が存在している。電気泳動
インク５０は、液相分散媒６１と、この液相分散媒６０
内に分散されている電気泳動粒子５１とから構成されて
いる。液相分散媒６１と電気泳動粒子５１とは、互いに
異なる着色がなされているものとする。
【００１５】そして、互いに逆方向の電圧を印加するた
めの電圧源９ａ及び９ｂを、スイッチ８を介して接続し
ておく。つまり、電極３２は電圧源９ａ及び９ｂの一端
に接続され、電極３４はスイッチ８を介して電圧源９ａ
及び９ｂの他端に接続されている。このような接続をし
ておけば、スイッチ８の切換えによって印加する電圧の
方向を変えることができる。印加する電圧の方向を変え
ることにより、電気泳動分散液を分極させて所望の表示
を行うことができる。
めの電圧源９ａ及び９ｂを、スイッチ８を介して接続し
ておく。つまり、電極３２は電圧源９ａ及び９ｂの一端
に接続され、電極３４はスイッチ８を介して電圧源９ａ
及び９ｂの他端に接続されている。このような接続をし
ておけば、スイッチ８の切換えによって印加する電圧の
方向を変えることができる。印加する電圧の方向を変え
ることにより、電気泳動分散液を分極させて所望の表示
を行うことができる。
【００１６】すなわち、同図（ｂ）に示されているよう
に、電圧源９ａによる電圧を印加することによって観測
者に近い透明電極３２側に電気泳動粒子５を集めること
ができる。この状態において、観測者は電気泳動粒子５
１の色を見ることになる。一方、同図（ｃ）に示されて
いるように、電圧源９ｂによる電圧を印加することによ
って観測者から遠い電極３４側に電気泳動粒子５１を集
めることができる。この状態において、観測者は液相分
散媒６１の色を見ることになる。
に、電圧源９ａによる電圧を印加することによって観測
者に近い透明電極３２側に電気泳動粒子５を集めること
ができる。この状態において、観測者は電気泳動粒子５
１の色を見ることになる。一方、同図（ｃ）に示されて
いるように、電圧源９ｂによる電圧を印加することによ
って観測者から遠い電極３４側に電気泳動粒子５１を集
めることができる。この状態において、観測者は液相分
散媒６１の色を見ることになる。
【００１７】このように、マイクロカプセル内の電気泳
動インク５０を電気分極させることによって、電圧を印
加する方向に対応する２種類の色を表示することができ
る。このように、各画素において所望の表示を行うこと
ができるので、図１に示されている構成を全ての画素に
適用すれば、表示装置を実現することができる。さら
に、可撓性のある材質を基板１に用いれば、フレキシブ
ルな表示装置を実現することができる。
動インク５０を電気分極させることによって、電圧を印
加する方向に対応する２種類の色を表示することができ
る。このように、各画素において所望の表示を行うこと
ができるので、図１に示されている構成を全ての画素に
適用すれば、表示装置を実現することができる。さら
に、可撓性のある材質を基板１に用いれば、フレキシブ
ルな表示装置を実現することができる。
【００１８】（２）有機ＴＦＴ表示装置の製造方法 図１に示されているような断面構造を有する表示装置の
製造方法について、図４〜図７を参照して説明する。ま
ず、図４に示されているように、基板上に設けられてい
るＩＴＯ等による画素電極１０１の周囲に、ＩＴＯ等に
よるソースライン１０２を設ける。このソースライン１
０２のライン幅は、例えば２０μｍである。基板の材料
には、例えばＰＥＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅ
ｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）を用いる。なお、図中の破線
Ｈの範囲が１画素部分である。
製造方法について、図４〜図７を参照して説明する。ま
ず、図４に示されているように、基板上に設けられてい
るＩＴＯ等による画素電極１０１の周囲に、ＩＴＯ等に
よるソースライン１０２を設ける。このソースライン１
０２のライン幅は、例えば２０μｍである。基板の材料
には、例えばＰＥＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅ
ｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）を用いる。なお、図中の破線
Ｈの範囲が１画素部分である。
【００１９】画素電極１０１は、基板上に形成しても良
いし、画素電極が予め形成されている基板を購入してそ
れを用いても良い。また、ソースライン１０２に電解メ
ッキを施しても良い。これにより、配線抵抗を低下さ
せ、動作速度を向上させることができる。また、このメ
ッキは、静電気対策として機能することも期待できる。
次に、図５に示されているように、ソース及びドレイン
となる領域１０３ａ及び１０３ｂをそれぞれ開口させた
絶縁膜を形成する。この絶縁膜には、例えばポリイミド
（ｐｏｌｙ ｉｍｉｄｅ；以下ＰＩ）を用いる。
いし、画素電極が予め形成されている基板を購入してそ
れを用いても良い。また、ソースライン１０２に電解メ
ッキを施しても良い。これにより、配線抵抗を低下さ
せ、動作速度を向上させることができる。また、このメ
ッキは、静電気対策として機能することも期待できる。
次に、図５に示されているように、ソース及びドレイン
となる領域１０３ａ及び１０３ｂをそれぞれ開口させた
絶縁膜を形成する。この絶縁膜には、例えばポリイミド
（ｐｏｌｙ ｉｍｉｄｅ；以下ＰＩ）を用いる。
【００２０】さらに、図６に示されているように、開口
している領域１０３ａ及び１０３ｂにソース１０４ａ及
びドレイン１０４ｂを形成する。これらソース１０４ａ
及びドレイン１０４ｂは、材質にパラジウムを用いるこ
とができる。ここでは、領域１０３ａ及び１０３ｂに、
導電性を有する液体を注入することによって形成する。
この形成にはインクジェット法を用いることができる。
導電性を有する液体には、例えば、ポリエチレンジオキ
シチオフェン（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｄｉ ｏｘ
ｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ；以下ＰＥＤＯＴ）を溶媒に溶解
させた溶液を用いる。
している領域１０３ａ及び１０３ｂにソース１０４ａ及
びドレイン１０４ｂを形成する。これらソース１０４ａ
及びドレイン１０４ｂは、材質にパラジウムを用いるこ
とができる。ここでは、領域１０３ａ及び１０３ｂに、
導電性を有する液体を注入することによって形成する。
この形成にはインクジェット法を用いることができる。
導電性を有する液体には、例えば、ポリエチレンジオキ
シチオフェン（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｄｉ ｏｘ
ｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ；以下ＰＥＤＯＴ）を溶媒に溶解
させた溶液を用いる。
【００２１】そして、図７に示されているように、ソー
ス１０４ａ及びドレイン１０４ｂの上方に、半導体膜、
絶縁膜を順に形成する。最後に、絶縁膜の上方にゲート
１０５を形成する。半導体膜は、例えば、ペンタセンを
用いて形成する。絶縁膜には、酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2）を用いる。ゲート１０５は、例えば材質にニッケ
ルを用い、イオンビームスパッタ法によって作成する。
フォトリソグラフィ法によって作成しても良い。このゲ
ート１０５は、インクジェット法を用いて形成すること
もできる。その場合、ＰＥＤＯＴ等の導電性を有する液
体を用いることもできる。なお、ゲート１０５のライン
幅は、例えば５０μｍである。
ス１０４ａ及びドレイン１０４ｂの上方に、半導体膜、
絶縁膜を順に形成する。最後に、絶縁膜の上方にゲート
１０５を形成する。半導体膜は、例えば、ペンタセンを
用いて形成する。絶縁膜には、酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2）を用いる。ゲート１０５は、例えば材質にニッケ
ルを用い、イオンビームスパッタ法によって作成する。
フォトリソグラフィ法によって作成しても良い。このゲ
ート１０５は、インクジェット法を用いて形成すること
もできる。その場合、ＰＥＤＯＴ等の導電性を有する液
体を用いることもできる。なお、ゲート１０５のライン
幅は、例えば５０μｍである。
【００２２】図７に示されている状態において、図１を
参照して上述したように画素電極１０１に対応する部分
に孔１０７を有する格子状の保護フィルム１０６を貼付
する。そして、この貼付された保護フィルム１０６の上
から、図２を参照して上述したように電気泳動インクを
塗布する。塗布した電気泳動インクの上に更に図示せぬ
電極を設ける。そして、その図示せぬ電極と画素電極１
０１との間に上述したように電圧を印加することによ
り、所望の表示を行うことができる。
参照して上述したように画素電極１０１に対応する部分
に孔１０７を有する格子状の保護フィルム１０６を貼付
する。そして、この貼付された保護フィルム１０６の上
から、図２を参照して上述したように電気泳動インクを
塗布する。塗布した電気泳動インクの上に更に図示せぬ
電極を設ける。そして、その図示せぬ電極と画素電極１
０１との間に上述したように電圧を印加することによ
り、所望の表示を行うことができる。
【００２３】以上の工程によって有機ＴＦＴディスプレ
イ装置を製造すれば、インクジェット法等を用い、全工
程を大気圧下において行うことができる。このため、真
空チャンバ等の特別な装置を必要とせず、安価に製造を
行うことができる。なお、請求項３における「略大気圧
下」には、液中及びクリーンルーム程度の範囲も含まれ
る。
イ装置を製造すれば、インクジェット法等を用い、全工
程を大気圧下において行うことができる。このため、真
空チャンバ等の特別な装置を必要とせず、安価に製造を
行うことができる。なお、請求項３における「略大気圧
下」には、液中及びクリーンルーム程度の範囲も含まれ
る。
【００２４】ここで、図８には、図７中のＡ−Ａ部の断
面構造の概略が示されている。同図に示されているよう
に、Ａ−Ａ部は、基板１と、この基板１の上に形成され
たＰＩ等による絶縁膜２と、その絶縁膜２と同じ層に形
成されたソースライン１０２及びソース１０４ａ並びに
画素電極１０１及びドレイン１０４ｂと、半導体層５
と、絶縁層６と、ゲート１０５と、これを覆う保護フィ
ルム１０６とから構成されている。画素電極１０１の上
方は、保護フィルム１０６によって覆われておらず、こ
の部分が上述した孔１０７となる。ここで、ソース１０
４ａ及びドレイン１０４ｂの厚みは６０ｎｍ、ソース１
０４ａとドレイン１０４ｂとの間の長さは、例えば１０
０〜２００μｍである。また、半導体層５の厚みは例え
ば６０ｎｍ、絶縁膜６の厚みは例えば１μｍ、ゲート１
０５の厚みは例えば４５ｎｍである。
面構造の概略が示されている。同図に示されているよう
に、Ａ−Ａ部は、基板１と、この基板１の上に形成され
たＰＩ等による絶縁膜２と、その絶縁膜２と同じ層に形
成されたソースライン１０２及びソース１０４ａ並びに
画素電極１０１及びドレイン１０４ｂと、半導体層５
と、絶縁層６と、ゲート１０５と、これを覆う保護フィ
ルム１０６とから構成されている。画素電極１０１の上
方は、保護フィルム１０６によって覆われておらず、こ
の部分が上述した孔１０７となる。ここで、ソース１０
４ａ及びドレイン１０４ｂの厚みは６０ｎｍ、ソース１
０４ａとドレイン１０４ｂとの間の長さは、例えば１０
０〜２００μｍである。また、半導体層５の厚みは例え
ば６０ｎｍ、絶縁膜６の厚みは例えば１μｍ、ゲート１
０５の厚みは例えば４５ｎｍである。
【００２５】（３）外部端子の露出方法 ところで、上述した工程に従って製造した表示装置にお
いては、インクジェット法等によって電気泳動インクを
塗布することになるので、表示すべき信号を外部から入
力するための端子を設けておき、その端子を露出させる
ことが必要である。かかる端子を露出するには、予め端
子部分に保護膜を設けておき、保護膜を設けた状態で表
示領域等を形成するのである。そして、表示領域等を形
成した後、保護膜を除去して端子表面を露出させれば良
い。
いては、インクジェット法等によって電気泳動インクを
塗布することになるので、表示すべき信号を外部から入
力するための端子を設けておき、その端子を露出させる
ことが必要である。かかる端子を露出するには、予め端
子部分に保護膜を設けておき、保護膜を設けた状態で表
示領域等を形成するのである。そして、表示領域等を形
成した後、保護膜を除去して端子表面を露出させれば良
い。
【００２６】要するに、外部信号を入力するための端子
を有する有機ＴＦＴ表示装置の製造方法において、上記
端子表面に保護膜を設け、この保護膜を設けた状態で表
示領域を形成し、その後保護膜を除去することによっ
て、端子表面を露出させるのである。例えば、図９に示
されているように、表示装置１００の表面には、同じく
表面に設けられている表示領域９０から複数の端子Ｔが
設けられている。したがって、電気泳動インクを塗布す
る前に端子Ｔ部分を保護膜Ｓで覆い、電気泳動インクを
塗布した後に保護膜Ｓを剥がせば良い。
を有する有機ＴＦＴ表示装置の製造方法において、上記
端子表面に保護膜を設け、この保護膜を設けた状態で表
示領域を形成し、その後保護膜を除去することによっ
て、端子表面を露出させるのである。例えば、図９に示
されているように、表示装置１００の表面には、同じく
表面に設けられている表示領域９０から複数の端子Ｔが
設けられている。したがって、電気泳動インクを塗布す
る前に端子Ｔ部分を保護膜Ｓで覆い、電気泳動インクを
塗布した後に保護膜Ｓを剥がせば良い。
【００２７】この保護膜には、例えば保護シート（いわ
ゆるシール）を用いれば良い。つまり、シートを貼付し
ておくことにより、端子部分をマスキングし、表示領域
等の形成後に、そのシートを剥離するのである。この場
合、保護シートには、例えば日東電工株式会社製の熱剥
離シートであるリバアルファ（商品名）を用いる。この
熱剥離シートは、ポリエステル基材に熱剥離値着剤が塗
布されたものである。そして、貼付後９０℃程度の熱を
加えることにより、接着力がなくなって剥離する。
ゆるシール）を用いれば良い。つまり、シートを貼付し
ておくことにより、端子部分をマスキングし、表示領域
等の形成後に、そのシートを剥離するのである。この場
合、保護シートには、例えば日東電工株式会社製の熱剥
離シートであるリバアルファ（商品名）を用いる。この
熱剥離シートは、ポリエステル基材に熱剥離値着剤が塗
布されたものである。そして、貼付後９０℃程度の熱を
加えることにより、接着力がなくなって剥離する。
【００２８】また、端子Ｔ部分に絶縁膜を形成してお
き、後にレーザ照射等によってその絶縁膜を除去しても
良い。以上の露出方法を採用すれば、フォトリソグラフ
ィ技術を用いずに、端子を容易に露出させることができ
る。なお、以上説明した外部端子の露出方法は、電気泳
動インクのみならず、液体を塗布する工程を含む表示装
置の製造方法について広く適用できることは明らかであ
る。
き、後にレーザ照射等によってその絶縁膜を除去しても
良い。以上の露出方法を採用すれば、フォトリソグラフ
ィ技術を用いずに、端子を容易に露出させることができ
る。なお、以上説明した外部端子の露出方法は、電気泳
動インクのみならず、液体を塗布する工程を含む表示装
置の製造方法について広く適用できることは明らかであ
る。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、上述した
断面構造を採用し、上述した方法によって製造し、上述
した方法で外部端子を露出させることにより、真空チャ
ンバ等の特別な装置を使用せずに全ての製造工程を略大
気圧下において行うことができるので、有機ＴＦＴ表示
装置を低コストに製造することができるという効果があ
る。
断面構造を採用し、上述した方法によって製造し、上述
した方法で外部端子を露出させることにより、真空チャ
ンバ等の特別な装置を使用せずに全ての製造工程を略大
気圧下において行うことができるので、有機ＴＦＴ表示
装置を低コストに製造することができるという効果があ
る。
【図１】本発明による表示装置の実施の一形態を示す断
面図である。
面図である。
【図２】電気泳動インクを塗布した状態を示す図であ
る。
る。
【図３】電子泳動インクを用いた表示装置における表示
原理を示す図である。
原理を示す図である。
【図４】図１に示されている断面構造を有する表示装置
の製造方法を示す工程図である。
の製造方法を示す工程図である。
【図５】図１に示されている断面構造を有する表示装置
の製造方法を示す工程図である。
の製造方法を示す工程図である。
【図６】図１に示されている断面構造を有する表示装置
の製造方法を示す工程図である。
の製造方法を示す工程図である。
【図７】図１に示されている断面構造を有する表示装置
の製造方法を示す工程図である。
の製造方法を示す工程図である。
【図８】図７中のＡ−Ａ部の断面構造を示す図である。
【図９】電子泳動インクを用いた表示装置における外部
端子の露出方法を示す図である。
端子の露出方法を示す図である。
１ 基板 ５ 半導体層 ６ 絶縁膜 １０１ 画素電極 １０２ ソースライン １０３ 絶縁膜 １０４ａ ソース １０４ｂ ドレイン １０５ ゲート １０６ 保護フィルム １０７ 孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/78 ６２６Ｃ
Claims (11)
- 【請求項１】 画素電極と、前記画素電極に電圧を印加
するためのトランジスタと、を含む表示装置であって、
少なくとも、前記トランジスタの能動層が有機材料から
なることを特徴とする表示装置。 - 【請求項２】 前記トランジスタのゲートを保護するフ
ィルムと、この設けられたフィルム及び画素電極上に設
けられた電気泳動インク層を更に含むことを特徴とする
請求項１記載の表示装置。 - 【請求項３】 基板上に設けられている画素電極の周囲
にソースラインを設けるステップと、ソース及びドレイ
ンとなる領域を開口させた絶縁膜パターンを形成するス
テップと、ソース及びドレインを形成するステップと、
前記ソース及びドレインの上方に半導体膜を設けるステ
ップと、前記半導体膜の上方にゲートを設けるステップ
とを含む表示装置の製造方法であって、略大気圧下にお
いて前記ステップそれぞれを行うようにしたことを特徴
とする製造方法。 - 【請求項４】 前記ソースラインを電解メッキするステ
ップを更に含むことを特徴とする請求項３記載の製造方
法。 - 【請求項５】 前記ゲートを保護するフィルムを設ける
ステップと、このフィルムを設けた後に電気泳動インク
を塗布するステップとを更に含むことを特徴とする請求
項３又は４記載の製造方法。 - 【請求項６】 前記ゲートを保護するフィルムを設ける
ステップにおいては、ラミネートにより前記フィルムを
設けることを特徴とする請求項５記載の製造方法。 - 【請求項７】 前記基板は、前記画素電極付きの樹脂フ
ィルムであることを特徴とする請求項３〜６のいずれか
に記載の製造方法。 - 【請求項８】 外部信号を入力するための端子を有する
表示装置の製造方法であって、前記端子表面に保護膜を
設けるステップと、この保護膜を設けた状態で表示領域
を形成するステップと、前記保護膜を除去するステップ
とを含み、前記端子表面を露出させるようにしたことを
特徴とする表示装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記保護膜は、前記端子部分に貼付され
るシールであり、該シールを剥離して除去するようにし
たことを特徴とする請求項８記載の製造方法。 - 【請求項１０】 前記保護膜は、絶縁膜であり、前記端
子部分に設けられた絶縁膜をレーザ照射によって除去す
るようにしたことを特徴とする請求項８記載の製造方
法。 - 【請求項１１】 前記保護膜は、前記端子部分に貼付さ
れるシールであり、加熱してガスを発生させることによ
り該シールを剥離して除去するようにしたことを特徴と
する請求項８記載の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000372219A JP2002176178A (ja) | 2000-12-07 | 2000-12-07 | 表示装置及びその製造方法 |
| US09/999,163 US6806496B2 (en) | 2000-12-07 | 2001-11-30 | Display device and manufacturing method for the same |
| US10/775,894 US7022538B2 (en) | 2000-12-07 | 2004-02-10 | Display device and manufacturing method for the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000372219A JP2002176178A (ja) | 2000-12-07 | 2000-12-07 | 表示装置及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006034955A Division JP4449916B2 (ja) | 2006-02-13 | 2006-02-13 | 半導体素子の製造方法、表示装置の製造方法、半導体素子、及び表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002176178A true JP2002176178A (ja) | 2002-06-21 |
Family
ID=18841799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000372219A Pending JP2002176178A (ja) | 2000-12-07 | 2000-12-07 | 表示装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2002176178A (ja) |
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| JP2006253674A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
| JP2006332660A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、これを備えた有機電界発光表示装置 |
| US7286281B2 (en) | 2004-12-28 | 2007-10-23 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Electrophoretic display and method of manufacturing thereof |
| US7361927B2 (en) | 2004-02-09 | 2008-04-22 | Seiko Epson Corporation | Transistor, circuit board, display and electronic equipment |
| JP2011211185A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-10-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
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| CN100459060C (zh) * | 2003-02-05 | 2009-02-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置的制造方法 |
| EP1592052A4 (en) * | 2003-02-05 | 2014-04-23 | Semiconductor Energy Lab | PROCESS FOR DISPLAY PRODUCTION |
| WO2004070823A1 (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 表示装置の作製方法 |
| JP4437544B2 (ja) * | 2003-02-05 | 2010-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| CN100472731C (zh) * | 2003-02-06 | 2009-03-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体制造装置 |
| JP4748990B2 (ja) * | 2003-02-06 | 2011-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2004070809A1 (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 表示装置の作製方法 |
| WO2004070821A1 (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 表示装置の作製方法 |
| JP5054954B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2012-10-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2009117181A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| KR101774757B1 (ko) * | 2011-10-13 | 2017-09-07 | 한국전자통신연구원 | 가스 센서, 그의 제조 및 사용 방법 |
| CN103294249B (zh) * | 2012-08-17 | 2016-05-18 | 上海天马微电子有限公司 | 触摸屏的制造方法 |
| JP6917779B2 (ja) | 2017-05-29 | 2021-08-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
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| JP4619462B2 (ja) * | 1996-08-27 | 2011-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜素子の転写方法 |
| KR100481994B1 (ko) * | 1996-08-27 | 2005-12-01 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 박리방법,박막디바이스의전사방법,및그것을이용하여제조되는박막디바이스,박막집적회로장치및액정표시장치 |
| US5917199A (en) * | 1998-05-15 | 1999-06-29 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | Solid state imager including TFTS with variably doped contact layer system for reducing TFT leakage current and increasing mobility and method of making same |
-
2000
- 2000-12-07 JP JP2000372219A patent/JP2002176178A/ja active Pending
-
2001
- 2001-11-30 US US09/999,163 patent/US6806496B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-02-10 US US10/775,894 patent/US7022538B2/en not_active Expired - Fee Related
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