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Description

1379080 半導體曰B片之檢查用電極而連接之凸塊之前端面形成凹 凸進而於專利文獻3亦提出有與專利文獻2同種之接觸 ϋ及接觸lit %成方法。於該等專利文獻中所提出之凸塊 亦與專利文獻1之情形同樣，藉由凸塊前端面之凹凸突破電 極墊之氧化膜的技術。 專利文獻日本專利特開平11-〇51970號公報 專利文獻2.日本專利特開平〇8·3〇6749號公報
專利文獻3.日本專利特開平⑺·】號公報 [發明所欲解決之問題] 然而 / ，隨著積體電路之高功能化及高速化，配
構之微、，田化、薄膜化急逮發展，配線層亦變得極盆薄， 故當施加針壓於先前之專利文獻^中揭示之探針並實行檢 -夺探針不僅貫通氧化膜，亦貫通配線層，又，藉由來 自探針之集t應力，有可能會損傷配線層或絕緣層。相反 穩/降低針壓時’探針與電極墊之導通有可能會變得不 又，於專利文獻2、3中揭示之凸塊，雖可藉由凹凸 ㈣之氧化膜’但與專利文獻1之情形相同， 猎由淺村能會損傷配線層或絕緣層。 =發明係馨於上述問題開發而成者，其目的在於提供一 實且藉” “方法，其可以突破氧化膜，確 貫且穩疋地檢查被檢查體。 一 f發明内容】 本發明係一種探針，i牯 兩〆 7具特倣在於·其係於實行祐拾冻_ 之電氣特性檢杳時，盥入“ 夏订被祆查體 —予與上述破檢查體電性 I00154.doc 1379080 成°又’於本實施形態中，接觸部11A藉由與探針本體^ 相同之導電金屬而形成，但亦可藉由其他導電金屬而形 成。導電粒子12藉由硬於接觸部11A之材料或者具有優良耐 藥品性之材料，例如導電金剛石、奈米碳管或者納米級金 屬而形成，並埋設於接觸部i i A内。又，晶圓買之IC晶片之 電極墊P藉由例如鋁或鋼等導電金屬而形成。再者，於圖丨^) 中’ I係保護膜。 如圖1(b)所示，於接觸部11A，以與電極墊p之上面大致 平仃之方式形成有下述與電極墊p接觸之接觸面UB。複數 個導電粒子12之尖端部12A以自接觸部llA之接觸面11B突 出特定尺寸，於檢查時突破電極墊？之氧化膜〇,與電極墊 P電性接觸，進而實現探針10與1(:晶片間之電性導通的方式 而形成。又，當將探針1〇之導電粒子12之尖端部i2a刺入電 極墊P時，接觸面11]3與電極墊p接觸並起到擋止膜之功能， 從而可避免尖端部12A超過特定深度而刺入。 於本實施形態中，例如探針本體21之接觸面丨丨形成為大 致圓形，其直徑形成為約3〇 μ之大小，導電粒子丨2之尖端 部12Α自接觸面11Β突出約〇 3 μβ另一方面，電極墊卩以例 如紹金屬層之厚度為卜左右之方式形成，於其表面形成有 0.1 μ左右之氧化膜〇。 於使用本實施形態之探針1〇實行晶圓琛之電氣特性檢查 之情形時，如圖1⑷所示，於載置台3〇上载置晶圓w，並將 載置台30於水平方向移動，如圖1(b)所示，達到晶圓w之檢 查位置之正下方。繼而，當載置台3〇上升時，探針1〇之導 J00i54.doc -J0- 1379080 電粒子12之夹端部12A與晶圓w内之電極墊卩接觸之後，載 置台30過載，於探針10與電極墊？之間施加例如i gf/根之針 壓。 藉由載置台30之過載，如圖2所示’探針1〇之自接觸部iia 大出之導電粒子12的尖端部12A突破電極墊p之氧化膜〇， 進入電極墊P内，從而使探針1〇與電極墊卩電性連接。當導 電粒子12之尖端部12A到達電極墊p内之特定深度時，接觸 部11A藉由接觸面11B與電極墊p面接觸，由此接觸部uA無 法再進入電極墊卩内。因此，由於薄膜化電極墊卩並使接觸 部11A之接觸面11B起到擋止膜之功能，故可防止探針1〇損 傷電極墊P，並可確實且穩定地實行1(2晶片之電氣特性檢 查。 又，本實施形態之探針1 〇例如可藉由使用微影技術之微 電子機械系統（卜1*0616(^01146(：1^114&13丫316:£3)製程等微細 加工技術而形成。因此，參照圖3(a)〜（e)，並就本發明之 探針之製造方法加以概括說明。於本發明之製造方法中， 除於探針10之接觸部11A内埋設導電粒子12以外，可使用先 前眾所周知之微細加工技術。 於製造探針之情形時，首先於矽基板之表面塗布光阻並 形成光阻膜’介以光罩曝光光阻膜後，顯像，於光阻膜之 製造探針本體11之接觸部丨丨A之模具的部位形成開口部。其 後，如圖3(a)所示’將光阻膜作為掩模，對矽基板1〇〇實施 触刻’形成用以形成接觸部ΠΑ之模具ιοί後，除去光阻膜。 此時’使模具1 01配合接觸器2 1之探針1 〇的之排列圖案，形 100154.doc 1379080 成於矽基板100之複數處。 繼而，於矽基板之表面實施濺鍍處理形成金屬薄膜後， 如圖3(b)所不’於矽基板1〇〇之模具1〇〗内投入複數個導電粒 子〗2。於此狀態中，如圖3(c)所示，對矽基板實施電鍍 處理於模具内填充錦等金屬，形成探針本體1丨之接觸 部11A。此時，如該圖所示，可將探針本體】】與接觸部 /成又，可根據需要於形成接觸部ι〗α後，藉由與接 觸部11Α相同之材料或者不同之材料形成探針本體11。 然後，如圖3(d)所示，自矽基板1〇〇剝離探針本體u及接 觸部11A作為探針❶於該狀態中，由於導電粒子〗2仍埋沒於 接觸部11A内，因此如圖3(e)所示，可將接觸部UA浸潰於 蝕刻液，除去接觸部11A之下端部並使導電粒子12之尖端部 12A突出，並且形成接觸面。去〜冬―部12八之突出尺寸設定為 破壞電極墊之氧化膜之深度（例如約〇 3 μ)。於接觸部11A形 成尖端部12A後，將探針轉印於陶瓷基板特定處，作為接觸 器21而完成。為使導電粒子12之尖端部12A自接觸部UA突 出’可削去接觸部11A之下部。 如以上所說明般，根據本實施形態之探針丨〇，由於其具 有探針本體11以及具有自該探針本體^之接觸部11A突出 之尖端部12A的複數個導電粒子12，故若於探針1〇施加特定 之針壓，則複數個導電粒子U之尖碑部nA於複數處突破電 極墊P之氧化膜〇’確實地使探針1〇與電極塾p電性連接， 從而可確實且穩定地實行晶圓W之1C晶片之檢查。此時， 於接觸部11A形成有接觸面11B，故接觸面11B起到擋止膜 100154.doc -12· 1379080 圖2係表示圖1所示之探針與電極墊電性接觸之狀態的剖 面圖。 圖3(a)〜（e)係表示圖1所示之探針之製造步驟之要部的 剖面圖。 【主要元件符號說明】 10 探針 11 探針本體 11A 接觸部 11B 接觸面 12 導電粒子 12A 尖端部 100154.doc J4-

Claims (1)

1379080 * ，第‘094106626號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(100年4月） 十、申請專利範圍： 一種探針，其於進行被檢查體之電氣特性檢查時，與上 述被檢查體電性接觸，且包含： 探針本體，其形成有與上述被檢查體接觸之接觸部， 以及複數個導電性材料，其具有自該探針本體之接觸部 突出之尖端部，其中 上述導電性材料埋設於上述接觸部中且係由比上述接 觸部硬之材科所構成；且 上述接觸部具有與上述被檢查體接觸之接觸面，上述 穴端邛係自上述接觸面突出而形成，上述尖端部之突出 長度大於上述被檢查體之電極之表面上所形成之氧化膜 之厚度’且上述接觸面係實f上與上述電極之表面平行 2形成’並與上述電極之上述表面上之上述氧化膜接 7，'在上述尖端部穿透上述氧化物膜到達上述電極 時’做為上述尖端部之阻擔層。 2.如吻求項1之探針，其中上述導電性姑钮4入·s 电性材科包含導電性金剛 石或者奈米級金屬。 J00154-1000427.doc
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