CN106443188B - 一种电阻量测探头 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体测试设备领域,尤其涉及一种电阻量测探头,包括:探头外壳,连接电阻量测设备,用以测量晶圆电阻;探针,设置于所述探头外壳底部,用以连接所述晶圆;垫片,设置于所述探头外壳底部,用以限制所述探针扎入所述晶圆的深度。本发明电阻量测探头在探头上加装垫片,结构简单,能够防止短路的产生接触,避免金属探头与晶圆,保证晶圆测量结果的准确性。

Description

一种电阻量测探头
技术领域
本发明涉及半导体测试设备领域,尤其涉及一种电阻量测探头。
背景技术
半导体测试工艺属于半导体产业的关键领域,测试晶圆表面电阻是半导体测试工艺中重要的一环,目前,常用的晶圆为硅片或者聚晶片,其中,硅片表面较硬,聚晶片表面较软。通常,采用晶圆表面电阻量测机(KLA Tencor)测试晶圆表面电阻。
图1为本发明背景技术中量测硅片表面电阻示意图,如图所示,由于硅片3表面较硬,晶圆表面电阻量测机的探针2不会完全扎入,晶圆表面电阻量测机的金属探头1的外壳不与硅片3表面接触,测量得到的的硅片3表面电阻值较为准确。
图2为本发明背景技术中量测聚晶片表面电阻示意图,如图所示,聚晶片4需先放置于一硬质板5上再进行量测,由于聚晶片4表面较软,晶圆表面电阻量测机的探针2易完全扎入,使得晶圆表面电阻量测机的金属探头1与聚晶片4表面接触,造成短路,无法对聚晶片2表面电阻进行准确测量。
因此,晶圆表面电阻量测机的探头不适用于测量聚晶片表面电阻,这制约了聚晶片的使用。
发明内容
鉴于上述技术问题,本发明旨在提供一种通用的电阻量测探头,既能量测硅片表面电阻,又能量测聚晶片表面电阻。
本发明解决上述技术问题的主要技术方案为:
一种电阻量测探头,其中,包括:
探头外壳,连接电阻量测设备,用以测量晶圆电阻;
探针,设置于所述探头外壳底部,用以连接所述晶圆;
垫片,设置于所述探头外壳底部,用以限制所述探针扎入所述晶圆的深度。
优选的,所述垫片为绝缘材料制成。
优选的,所述垫片为塑胶制成。
优选的,所述探头外壳成上大下小的圆台形,所述探头外壳底部为圆形,所述探针垂直于所述圆形的所述探头外壳底部。
优选的,所述垫片成圆片形,所述圆片形的垫片贴附于所述探头外壳底部。
优选的,所述圆片形的垫片设置有两个,两个所述圆形的垫片设置于所述探头外壳底部一条直径的两个端部。
优选的,所述垫片成圆环形,所述圆环形的垫片沿所述探头外壳底部的轮廓同心地贴附于所述探头外壳底部上。
优选的,所述垫片成圆点形凸起,所述圆点形凸起的垫片,以平整的一面贴附于所述探头外壳底部上。
优选的,所述探针设置有多个,并位于所述探头外壳底部的中央,并成一直线排列。
优选的,所述探头外壳为金属制成。
上述技术方案具有如下优点或有益效果:
本发明提出一种电阻量测探头,在探头上加装垫片,结构简单,能够防止短路的产生,避免探头与晶圆接触,保证晶圆测量结果的准确性。
附图说明
参考所附附图,以更加充分地描述本发明的实施例。然而,所附附图仅用于说明和阐述,并不构成对本发明范围的限制。
图1为现有技术中量测硅片表面电阻示意图;
图2为现有技术中量测聚晶片表面电阻示意图;
图3为一个优选的实施例中探头量测晶圆表面电阻剖面结构示意图;
图4为一个优选的实施例中垫片为圆片形探头外壳底面结构示意图;
图5为一个优选的实施例中垫片为圆环形探头外壳底面结构示意图;
图6为一个优选的实施例中垫片为圆点形探头剖面结构示意图。
具体实施方式
在下文的描述中,给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。当然除了这些详细描述外,本发明还可以具有其他实施方式。
本发明提出一种电阻量测探头,在探头上加装垫片,结构简单,能够防止短路的产生,避免金属探头与晶圆接触,保证晶圆测量结果的准确性。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明,显然,所描述的实例仅仅是本发明一部分实例,而不是全部的实例。基于本发明汇总的实例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有实例,都属于本发明保护的范围。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本发明中的实例及实例中的特征可以相互自由组合。
图3为一个优选的实施例中探头量测晶圆4表面电阻剖面结构示意图,如图所示,在一个优选的实施例中,一种电阻量测探头,其中,包括:
探头外壳7,连接电阻量测设备,用以测量晶圆4电阻;
探针2,设置于探头外壳7底部6,用以连接晶圆4;
垫片8,设置于探头外壳7底部6,用以限制探针2扎入晶圆4的深度。
上述技术方案,在探头上加装垫片86,固定探针22扎入晶圆4电阻的深度,防止短路的产生,避免探头外壳7与晶圆4接触,保证晶圆4测量结果的准确性。
在一个优选的实施例中,垫片8为绝缘材料制成,优选的,垫片8为塑胶制成。
上述技术方案,垫片8为绝缘材料制成,优选的,垫片8为塑胶制成,无论待测晶圆4质地坚硬或者柔软都能够保证探头外壳7和晶圆4之间存在绝缘间隙,避免探头外壳7和晶圆4接触进而导致短路的情况发生。
在一个优选的实施例中,探头外壳7成上大下小的圆台形,探头外壳7底部6为圆形,探针2垂直于圆形的探头外壳7底部6。
图4为一个优选的实施例中垫片8为圆片形探头外壳7底面结构示意图,如图所示,在该优选的实施例中,垫片8成圆片形,圆片形的垫片8贴附于探头外壳7底部6。
在一个优选的实施例中,圆片形的垫片8设置有两个,两个圆形的垫片8设置于探头外壳7底部6一条直径的两个端部。
上述技术方案,垫片8设置于探头外壳7底部6一条直径的两个端部,结构简单,作为进一步优选的实施方式,探头外壳7底部6可以设置多个垫片8。
图5为一个优选的实施例中垫片8为圆环形探头外壳7底面结构示意图,如图所示,在该优选的实施例中,垫片8成圆环形,圆环形的垫片8沿探头外壳7底部6的轮廓同心地贴附于探头外壳7底部6上。
图6为一个优选的实施例中垫片8为圆点形探头剖面结构示意图,如图所示,在该优选的实施例中,垫片8成圆点形凸起,圆点形凸起的垫片8,以平整的一面贴附于探头外壳7底部6上。
在一个优选的实施例中,探针2设置有多个,并位于探头外壳7底部6的中央,并成一直线排列。
在一个优选的实施例中,探头外壳7为金属外壳,聚晶片4置于一硬纸板5上,使用本发明电阻量测探头测试聚晶片4表面电阻,由于垫片8的存在,探针2并没有完全扎入聚晶片4中,只扎入一部分,如图3或5所述,避免金属探头与聚晶片4接触,从而防止短路产生,影响电阻量测结果。
综上所述,本发明提出一种电阻量测探头,在探头上加装垫片,结构简单,能够防止金属探头与晶圆接触,避免短路的产生,保证晶圆测量结果的准确性。
以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是,本发明并不局限于上述特定实施方式,其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施;任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例,这并不影响本发明的实质内容。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单的修改、等同变化及修饰,均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (6)

1.一种电阻量测探头,其特征在于,包括:
探头外壳,连接电阻量测设备,用以测量晶圆电阻;
探针,设置于所述探头外壳底部,用以连接所述晶圆;
垫片,设置于所述探头外壳底部,用以限制所述探针扎入所述晶圆的深度;
所述垫片包括至少两个,至少两个所述垫片对称设置在所述探针的周围,或者
所述垫片呈圆环形,圆环形的所述垫片沿所述探头外壳底部的轮廓同心地贴附于所述探头外壳底部上;
所述垫片为绝缘材料制成;
所述探头外壳成上大下小的圆台形,所述探头外壳底部为圆形,所述探针垂直于所述圆形的所述探头外壳底部;
所述探头外壳为金属制成。
2.如权利要求1所述电阻量测探头,其特征在于,所述垫片为塑胶制成。
3.如权利要求1所述电阻量测探头,其特征在于,所述垫片成圆片形,所述圆片形的垫片贴附于所述探头外壳底部。
4.如权利要求3所述电阻量测探头,其特征在于,所述圆片形的垫片设置有两个,两个所述圆片形的垫片设置于所述探头外壳底部一条直径的两个端部。
5.如权利要求1所述电阻量测探头,其特征在于,所述垫片成圆点形凸起,所述圆点形凸起的垫片,以平整的一面贴附于所述探头外壳底部上。
6.如权利要求1所述电阻量测探头,其特征在于,所述探针设置有多个,并位于所述探头外壳底部的中央,并成一直线排列。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001274211A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Shin Etsu Handotai Co Ltd 抵抗率測定方法
JP2004319839A (ja) * 2003-04-17 2004-11-11 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウェーハの抵抗測定方法
TWI220692B (en) * 2003-06-12 2004-09-01 Promos Technologies Inc Method and apparatus for wafer testing and method of measuring resistance of a probe card
JP4723195B2 (ja) * 2004-03-05 2011-07-13 株式会社オクテック プローブの製造方法
CN101329366B (zh) * 2007-06-22 2011-03-30 旺矽科技股份有限公司 一种探针短路防止结构的制作方法
CN101968497B (zh) * 2010-06-18 2014-07-23 常州亿晶光电科技有限公司 四探针测试仪的探针定位结构
US8832933B2 (en) * 2011-09-15 2014-09-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of fabricating a semiconductor test probe head
JP6045842B2 (ja) * 2012-07-31 2016-12-14 株式会社国際電気セミコンダクターサービス 抵抗率測定装置および方法
CN202836600U (zh) * 2012-10-25 2013-03-27 苏州工业园区世纪福科技有限公司 一种高密度连接器双头针测试装置
CN203054112U (zh) * 2012-12-20 2013-07-10 武汉天喻信息产业股份有限公司 接触式半自动ic卡检测装置
CN203672924U (zh) * 2013-12-13 2014-06-25 神讯电脑(昆山)有限公司 防短路信号测试探针
CN203941196U (zh) * 2014-05-15 2014-11-12 珠海市运泰利自动化设备有限公司 高精度测试模组
CN104345182B (zh) * 2014-10-29 2017-06-27 华中科技大学 一种多工位测试夹具
CN204719078U (zh) * 2015-04-30 2015-10-21 赵立军 一种具有清洗功能的pcb板限位测试治具

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