CN108344936B - 一种功率半导体器件的测试方法 - Google Patents

一种功率半导体器件的测试方法 Download PDF

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    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices

Abstract

本发明提供一种功率半导体器件的测试方法，在常规测试反向漏电流的项目中，增加±IGSS和IDSS项目设定，所述±IGSS和IDSS项目设定为在±IGSS和IDSS测定电压条件下测试反向漏电流，所述功率半导体的测试方法包括如下步骤：步骤1、确定±IGSS测试电压值；步骤2、确定IDSS测试电压值；步骤3、采用确定的±IGSS和IDSS测定电压值对被测产品进行所述反向漏电流测试。通过本发明，以解决现有技术存在的不能检测出带有芯片结构不均匀或者完整性缺陷的功率半导体器件的问题。

Description

一种功率半导体器件的测试方法
技术领域
本发明涉及半导体领域，具体涉及一种功率半导体器件的测试方法。
背景技术
功率半导体器件工作在大电流和高电压的条件下，对功率半导体芯片的内部结构均匀性和完整性有较高的要求；然而在芯片实际生产过程中，由于加工制造流程长，生产过程会有不确定因素的引入，无法100％保证所有芯片内部结构完好，会有一定比例的功率半导体器件存在芯片内部结构不均匀或者结构完整性缺陷，这些有缺陷的芯片在使用过程中容易发生失效；而这些存在结构不均匀或者完整性缺陷的器件采用普通的半导体测试方法是无法检测出来的。
发明内容
本发明提供一种功率半导体器件的测试方法，以解决现有技术存在的不能检测出带有芯片结构不均匀或者完整性缺陷的功率半导体器件的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种功率半导体器件的测试方法，在常规测试反向漏电流的项目中，增加±IGSS和IDSS测试项目，所述±IGSS和IDSS项目设定为在±IGSS和IDSS测定电压条件下测试反向漏电流，所述功率半导体的测试方法包括如下步骤：
步骤1：确定±IGSS测试电压值；
步骤2：确定IDSS测试电压值；
步骤3：采用确定的±IGSS和IDSS测定电压值对被测产品进行所述反向漏电流测试。
进一步地，所述确定±IGSS测试电压值的步骤如下：
(1)将被测产品在图示仪上进行反向击穿电压测试，测出被测产品能够承受的极限电压；
(2)在被测产品能够承受的极限电压数值范围内选择测试电压；
(3)在所述反向击穿电压测试中设定选择的测试电压，做批量测试调试，根据被测产品的合格率分析被测产品的最终测试电压值。
进一步地，所述步骤(2)中选择的测试电压为被测产品能够承受的极限电压的60％-80％。
进一步地，所述确定IDSS测试电压值的步骤如下：
(1)用常规测试程序测试批量产品，通过统计测试数据确定被测产品BVDSS参数数值
分布；
(2)根据BVDSS参数数值分布情况，选择一个电压数值；
(3)在反向击穿电压测试程序中设定选择的测试电压，做批量测试调试，根据被测产品
的合格率分析被测产品的最终测试电压值。
进一步地，所述步骤(2)中选择的电压数值大于BVDSS参数数值分布的最大值。
本发明的有益效果在于：本发明提供的功率半导体器件的测试方法在不影响半导体器件产品正常电性能的情况下，通过增加三项测试反向漏电流的测试项目，可以检测出采用常规测试方法不能测试出来的一些带有芯片内部结构不均匀或者结构完整性缺陷的半导体器件，从而降低批量生产产品使用过程中早期失效比例，提高产品整体可靠性水平。
附图说明
图1是根据本发明实施例的功率半导体器件的测试方法的流程图。
图2是根据本发明实施例的功率半导体器件的内部结构图。
其中，1-框架底板，2-芯片，3-金属引线，4-框架引脚，5-框架引脚金属引线键合区，6-金属引线焊接点，7-金属引线焊接区域G极，8-金属引线焊接区域S极。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合附图及具体实施例，对本发明作进一步地详细说明。
图1是根据本发明实施例的功率半导体器件的测试方法的流程图。本发明提供一种功率半导体器件的测试方法，在常规测试反向漏电流的项目中，增加±IGSS和IDSS测试项目，所述±IGSS和IDSS项目设定为在±IGSS和IDSS测定电压条件下测试反向漏电流，所述的功率半导体的测试方法包括如下步骤：
在步骤S10中，确定±IGSS测试电压值。
(1)将被测产品在图示仪上进行反向击穿电压测试，测出被测产品能够承受的极限电压；
(2)在被测产品能够承受的极限电压数值范围内选择测试电压，选择的测试电压为被测产品能够承受的极限电压的60％-80％；
(3)在所述反向击穿电压测试中设定选择的测试电压，做批量测试调试，根据被测产品的合格率分析被测产品的最终测试电压值。
在步骤S11中，确定IDSS测试电压值。
(1)用常规测试程序测试批量产品，通过统计测试数据确定被测产品BVDSS参数数值分布；
(2)根据BVDSS参数数值分布情况，选择一个电压数值，选择的电压数值大于BVDSS参数数值分布的最大值；
(3)在反向击穿电压测试程序中设定选择的测试电压，做批量测试调试，根据被测产品的合格率分析被测产品的最终测试电压值。
在步骤S11中，采用确定的±IGSS和IDSS测定电压值对被测产品进行所述反向漏电流测试。
图2是根据本发明实施例的功率半导体器件的内部结构图。本发明提供的功率半导体器件的测试方法在不影响半导体器件产品正常电性能的情况下，通过增加±IGSS和IDSS测试反向漏电流的测试项目，可以检测出采用常规测试方法不能测试出来的半导体器件的某些缺陷，包括芯片内部结构不均匀或者结构完整性缺陷的半导体器件，从而降低产品在终端使用过程中早期失效的比例，提高产品整体可靠性水平。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

Claims (4)

1.一种功率半导体器件的测试方法，其特征在于，在常规测试反向漏电流的项目中，增加±IGSS和IDSS测试项目，所述±IGSS和IDSS项目设定为在±IGSS和IDSS测定电压条件下测试反向漏电流，所述功率半导体的测试方法包括如下步骤：
步骤1：确定±IGSS测试电压值；所述确定±IGSS测试电压值的步骤如下：
(1)将被测产品在图示仪上进行反向击穿电压测试，测出被测产品能够承受的极限电压；
(2)在被测产品能够承受的极限电压数值范围内选择测试电压；
(3)在所述反向击穿电压测试中设定选择的测试电压，做批量测试调试，根据被测产品的合格率分析被测产品的最终测试电压值；
步骤2：确定IDSS测试电压值；
步骤3：采用确定的±IGSS和IDSS测定电压值对被测产品进行所述反向漏电流测试。
2.如权利要求1所述的功率半导体器件的测试方法，其特征在于，所述步骤(2)中选择的测试电压为被测产品能够承受的极限电压的60％-80％。
3.如权利要求1所述的功率半导体器件的测试方法，其特征在于，所述确定IDSS测试电压值的步骤如下：
(1)用常规测试程序测试批量产品，通过统计测试数据确定被测产品BVDSS参数数值分布；
(2)根据BVDSS参数数值分布情况，选择一个电压数值；
(3)在反向击穿电压测试程序中设定选择的测试电压，做批量测试调试，根据被测产品的合格率分析被测产品的最终测试电压值。
4.如权利要求3所述的功率半导体器件的测试方法，其特征在于，所述步骤(2)中选择的电压数值大于BVDSS参数数值分布的最大值。
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