CN108231619B - 用于功率半导体芯片的检测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种用于功率半导体芯片的检测方法，包括如下步骤：(1)将被测产品在图示仪上进行反向击穿电压测试，测出被测产品能够承受的极限电流；(2)在被测产品能够承受的极限电流数值范围内选择测试电流；(3)在反向击穿电压测试程序中设定选择的测试电流，做小批量测试调试，根据被测产品的合格率分析被测产品的最终测试电流值；(4)采用被测产品的所述最终测试电流值对被测产品进行所述反向击穿电压测试。本发明可以检测出带有芯片正表面划伤、芯片边缘缺损、焊料外溢和金属引线中部到框架底板的距离过低等缺陷的产品。

Description

用于功率半导体芯片的检测方法
技术领域
本发明涉及一种半导体测试方法，具体涉及一种用于功率半导体芯片的检测方法。
背景技术
在功率电子器件中，经常使用半导体芯片，在使用半导体芯片之前，需要知晓半导体芯片模块或各个半导体芯片的性能是否正常以及它们是否满足预定的性能标准。在功率半导体的实际封装工艺过程中，对芯片的正表面和边缘的结构完整性有较高的要求，不可能做到100％满足产品工艺要求，这样就导致出现一定比例的缺陷产品，比如芯片正表面划伤、芯片边缘缺损、金属引线焊接焊料外溢到芯片边缘和金属引线中部到框架底板的距离过低等，然而这些缺陷采用普通的半导体芯片检测方法是无法检测出来的。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种用于功率半导体芯片的检测方法，以解决现有技术存在的不能检测出带有芯片正表面划伤、芯片边缘缺损、焊料外溢和金属引线中部到框架底板的距离过低等缺陷的产品的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种用于功率半导体芯片的检测方法，包括如下步骤：
(1)将被测产品在图示仪上进行反向击穿电压测试，测出被测产品能够承受的极限电流；
(2)在被测产品能够承受的极限电流数值范围内选择测试电流；
(3)在反向击穿电压测试程序中设定选择的测试电流，做小批量测试调试，根据被测产品的合格率分析被测产品的最终测试电流值；
(4)采用被测产品的所述最终测试电流值对被测产品进行所述反向击穿电压测试。
优选的，被测产品的所述最终测试电流值为常规反向击穿电压测试的电流的50-200倍。
本发明的有益效果在于：本发明提供的技术方案在不影响半导体器件产品正常电性能的情况下，通过增加一项反向击穿电压的测试项目，可以检测出采用常规测试方法不能测试出来的一些半导体芯片缺陷产品，该缺陷产品包括芯片2正表面划伤、芯片2边缘缺损、金属引线3焊接焊料外溢到芯片2边缘和金属引线3中部到框架底板1的距离过低，从而降低批量生产产品使用过程中早期失效的比例，提高产品整体可靠性水平，并给工艺产线质量控制提供预警信息。
附图说明
图1是根据本发明实施例的用于功率半导体芯片的检测方法的流程图。
图2是根据本发明实施例的功率半导体的内部结构图。
其中，1-框架底板，2-芯片，3-金属引线，4-框架引脚，5-框架引脚金属引线键合区，6-金属引线焊接点。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合附图及具体实施例，对本发明作进一步地详细说明。
图1是根据本发明实施例的用于功率半导体芯片的检测方法的流程图。
一种用于功率半导体芯片的检测方法，包括如下步骤：
在步骤S10中，将被测产品在图示仪上进行反向击穿电压测试，测出被测产品能够承受的极限电流；
在步骤S11中，在被测产品能够承受的极限电流数值范围内选择测试电流；
在步骤S12中，在反向击穿电压测试程序中设定选择的测试电流，做小批量测试调试，根据被测产品的合格率分析被测产品的最终测试电流值；
在步骤S13中，采用被测产品的所述最终测试电流值对被测产品进行所述反向击穿电压测试。
在本实施例中，被测产品的所述最终测试电流值为常规反向击穿电压测试的电流的50-200倍。
图2是根据本发明实施例的功率半导体的内部结构图。本发明提供的技术方案在不影响半导体器件产品正常电性能的情况下，通过增加一项反向击穿电压的测试项目，可以检测出采用常规测试方法不能测试出来的一些半导体芯片缺陷产品，该缺陷产品包括芯片2正表面划伤、芯片2边缘缺损、金属引线3焊接焊料外溢到芯片2边缘和金属引线3中部到框架底板1的距离过低，从而降低批量生产产品使用过程中早期失效的比例，提高产品整体可靠性水平，并给工艺产线质量控制提供预警信息。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

Claims (2)

1.一种用于功率半导体芯片的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将被测产品在图示仪上进行反向击穿电压测试，测出被测产品能够承受的极限电流；
(2)在被测产品能够承受的极限电流数值范围内选择测试电流；
(3)在所述反向击穿电压测试中设定选择的测试电流，做小批量测试调试，根据被测产品的合格率分析被测产品的最终测试电流值；
(4)采用被测产品的所述最终测试电流值对被测产品进行所述反向击穿电压测试。
2.如权利要求1所述的用于功率半导体芯片的检测方法，其特征在于，被测产品的所述最终测试电流值为常规反向击穿电压测试的电流的50-200倍。
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