TWI375232B - - Google Patents

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九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一導電性微粒子，其 提升而不易破裂、且基材微粒子與導：電層之耐衝擊性 並關於使用該導電性微粒子之異向性導\材之:合性優異； 【先前技術】

/¾合 '混練， 水、異向性導 的異向性導電 導電性微粒子與結合劑樹脂或黏著劑等 而廣泛使用於異向性導電糊、異向性導電墨 電黏著劑、異向性導電膜、異向性導電片等 材料。 〜此等異向性導電材料’例如於液晶顯示器]固人電腦、 行動電話等電子機哭' 1 θ ^ …电子機益錢’為了使基板間形成電氣連接、 Μ半‘體7L件等小型構件與基板形成電氣連接，係央設 於相對向基板間或電極端子間使用。

關於此等導電性微粒子’先前已提出在粒徑均勻且具 適當強度之樹脂微粒子等非導電性微粒子表面，形成金屬 鍍層作為導電性膜之導電性微粒子（如參照專利文獻υ。 專利文獻1所提出之導電性微粒子’係形成鍍鎳被膜 當作導電性膜’但在鍍鎳被膜形成過程之磷濃度低。此種 碟濃度低之鍍錄被膜會形成晶體結構之鍍鎳被膜。此種鍍 錄被膜較硬而對衝擊之耐性不足，鍍鎳被膜有破裂之慮， 基材微粒子與鍍鎳被膜之密合性不良。 針對此種問題，.專利文獻2提出一導電性微粒子，係 5 U/^232 在基材微粒子表面i古 》 (晶體粒塊朝厚戶方、向：…(未見晶體粒塊)與第2層 性微粒子，第二向所構成之㈣被膜。於此導電 ,, s可耠南基材微粒子與鍍鎳被膜之密合性 電性微粒子耐衝擊性，帛2層則提高導電性微粒 隨近年電子機器 求程度之導電性微粒 未能發揮充分之性能 能導電性微粒子之必

之急劇進步及發展，為製造符合所需 子，專利文獻2所記載之製造方法尚 ，而有以更嚴密的製造方法製造高性 要性。 [專利文獻1]特開昭63_ 19〇2〇4號公報 [專利文獻2]特開20(^-^7160號公報 【發明内容】 鑑於上述現狀，本發明之目的係提供一導電性微粒子， 其導電層之耐衝擊性提升而不易破裂，且基材微粒子盘導 電層之密合性優異；並提供使用該導電性微粒子之異向性 攀導電材料。 "

本發明之導電性微粒子，係由基材微粒子與形成於美 ·.材微粒子表面之導電層所構成，該導電層具有與基材微： 子表面接觸之非晶體結構鍍鎳層與晶體結構鍍鎳層，由X 射線繞射法測定之面·積強度比所求得之在鎳（1 }丨）面配向之 鎳晶體粒塊比率為80%以上。 【實施方式】 6 以下詳細說明本發明。 ±本發明~者等經深入探討結果得知，嚴密調整錦鑛反應 時之PH f來在基材微粒子表面形成具有非晶體結構鍍鎳 層與晶體結構鑛錦層之導電層’藉此獲得基材微粒子與導 電層之密合性優異之非晶體結構鐘錄層、及於錄⑴！）面配 向之鎳晶體粒塊之比例$ 8〇%以上之晶體結構鍍鎳層，即 可獲得基材微粒子與導電層之密合性優異及導電性、对衝 擊性等優異之導電性微粒子，如此而完成本發明。 以下詳細說明本發明。 、，本發明之導電性微粒子由基材微粒子與形成於基材微 粒子表面之導電層構成。 上述基材彳放粒子並热特別限定，只要具有適度之彈性 模數彈丨生L形性及復原性，則無機材料或有機材料均可’ 但為容易控制適度之彈性模數、彈性變形性及復原性，以 由樹脂構成之樹脂微粒子較好。 上述樹脂微粒子並無特別限定，可舉例如由聚乙烯、 永丙烯、聚笨乙烯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚四氟乙烯' 聚異丁烯、聚丁二烯等聚烯烴樹脂；聚曱基丙烯酸曱酯、 聚丙稀酸曱酿等丙烯酸樹脂；二乙稀基苯聚合樹脂；二乙 烯基苯#乙稀共聚物、二乙稀基笨_丙炼酸醋共聚物、 二乙歸基苯-丙稀酸曱酷共聚物等二乙稀基笨系共聚物樹 脂；聚烷撐對苯二曱酸醋、聚砜、聚碳酸酿、聚醯胺、笨 紛甲經樹脂、三聚氰胺曱酿樹脂、笨并脈胺甲酿樹脂、尿 素曱醛树月曰等所組成之樹脂微粒子。此等樹脂微粒子可單 7 1375232 獨使用或2種以上併用。 上述樹脂微粒子之平均粒徑並 bm、上限2〇μηι較妊〇本.告,士 艮疋，但以下限 六s ψ隹 μΠΊ ^如進行無電解鍍敷時 較難成為單粒子，而超過2 广 當作昱向性導带以或丨 夺貝丨可旎超過 之上限為20_。 ]寺之视圍。故較好 上述導電層具有與上述基材微粒子表 結構鍍鎳層與晶體結構鍍鎳層。 〗之非曰曰體 於本發明之導電性微粒子， 子表面接觸之韭曰_ 田於八有與上述基材微粒 述導電層之密合性提高，並能夠使導吏= : = :子與上 提升耐衝擊性之等電性微粒子。又…=裂’作成 鍍鎳層，能豹Α Λ、…、有上述晶體結構 、，夠作成導電性優異之導電性微粒子。 t非日日體結構鐘錄層含鱗 較好。未这3 以下限10%、上限18% 超過邮日士非曰晶體結構錄錄層過硬而容易破裂，而 與導電層之密入丨生 了此減低基材微粒子 述曰日體結構鍍鎳層之含磷率以 好。未達1%時θ w限1 /〇、上限8%較 。士 了日日肢結構鍍鎳層過硬而文5丨 %晶體結構鎮鎳層過於，墓… 易破裂’而超過8% 之性能。 、曰人導电微粒子可能無法發揮充分 述非性微粒子’其上述導電層只要具有上 上述導電層可：、層與上述晶體結構鍍鎳層即可。亦即， …’由上述非晶體結構鍍鎳層與上述晶體結構 8 1375232 鍍鎳層構成之2層構造，或亦可為具有上述非晶體結構鍍 鎳層與上述晶體結構鍍錄層及其他層t 3層以上構造，但 為使錢敷層容易製造，卩由上述非晶體結構㈣層與上述 晶體結構鍍鎳層構成之2層構造較好。 形成如上述之3層以上構造時，為提升導電性之目的， 上述其他層以含有金 '銀、銅、鉑、鋅、鐵、鉛、錫、鋁、 鈷、銦、鉻、鈦、鉍、鍺、鎘或錫-鉛合金、錫_銅合金、 錫-銀合金、錫-錯-銀合金算9 跟。隹寺2種以上金屬構成之合金 等較好。又形成其他層時以無電解鑛敷、電鍍、㈣等習 知方法形成即可。 上述非晶體結構鍍鎳層之厚度並無限定，但以下限 1 0 n m、上限1 〇 〇 n m較好。 上述晶體結構鍍鎳層之厚度並無限定，但以下限 1 〇 0 n m、上限4 0 〇 n m較好。 又自於上述非晶體結構鑛錄層之厚度對其與基材微 粒子密合性之影響大’⑥上述晶體結構鍍鎳層之厚度對導 電性之影響大，故各層厚度之比例亦重要，上述非晶體結 構鐘錄層厚度為上述晶體結構㈣層厚度< i/2q〜i/5較 好。 上述導電層厚度並無特別限但以下限ηο_、上 限5〇〇謂較好。未S 110nm時可能無法獲得所希望之導電 性，而超過則_時上述導電層容易由基材微粒子剝離。 製造本發明之導電性彳今4 性立子犄，以如後述之在鎳鍍液 中添加鑛敷安定劑較好。鑛敷安定劑可使用向來習知之硝 9 1375232 酸錯，但考誓4 τ® & β 〜’衣兄之衫響等而添加硝酸鉍及/或硝酸鉈等 較好，其結杲，μ、+. # & 4 ^ 上迷V黾層以含有鉍及/或鉈lOOOppm以 下較好。 ::發明之導電性微粒子，上述導電層表面可具有突 乂 有大起之結果，使用本發明導 電路基板等之壓拄0士 ^ 守电汪U祖于於 之& “ ，由於該突起可穿破電路基板等表面 之劇’能夠期望連接電阻之減低等。 、上述突起之形態並無特別限定，尸要且右膝士疏相 導電性微粒子央設於電路 / x之 穿破結合兩丨谢昨，..孜寺之間進仃導電壓接時能夠 β ’曰（位於導電性微粒子 能夠變形成與雷跋W… 舁电路基板寻間）、且 別限定’可舉例如以金觸广度之硬度，則無特 等導電性非仝屬Μ "屬氧化物、導電性物質（石墨 之突起。其中，：κ乙炔等之導電性聚合物等)當作芯物質 '由導電性優異之觀點以金屬較適合使用。 上述孟屬並無特別限定， 飾、鐵、紹、錫、紹、姑、銦、辞:如金、銀、銅'紐、 錢等金屬；錫-錯合金、錫…八。、：'銻'叙、錄、 錯'銀合金等2種以上金屬構成:：、锡—銀合金、錫_ 銀、金較好。 之&金等。其中以鎳、銅、 上述芯物質之形狀並盔 好 塊 狀 塊狀形狀可舉例如粒狀但以塊狀或粒狀較 無定形塊等。又粒狀形狀夕數微粒凝集成之凝集 板狀、.針狀、立方體…牛例如球狀、圓盤狀、柱 々.肢長方體等。 上述芯物質為粒狀時，芯物_ 只之80%以上與基材微粒 10 1375232 子接觸或與上述基材微粒子之距離為5nm以下較好。 由於上述芯物質與基材冑粒子接觸或存在於接近基材 微粒子位置.，使芯物質確實被導電層包覆，能夠獲得突起 t基材微粒子密合性優異之導電性微粒子。再者，藉由使 心物質與基材微粒子接觸或存在於接近基材微粒子位置， 7使突起整齊排列於基材微粒子表面上…容易議 I大小-致而獲得在基材難子表面上之突起高度一致之 導電性微粒子。 使用本發明之導電性微粒子當作異向性導電材料以連 接電極間時，導電性微粒子之導電性能偏差變小，且有導 電可靠性優異之效果。 述大起之平均回度亚無特別限定，但以下限為基材 粒子直徑之請、上限為基材微粒子直徑之25%較好。 t達〇.5%時有時不能獲得充分之樹脂排除性，而超過25% 1起深埋入電路基板等而有破損電路基板等之慮。較適 Z之下限為基材微粒子直徑之1〇%、上限為基材微粒子直 徑之】7%。 邻夕：，突起之平均高度係測定任意選取導電層上50個凸 度，取其算術平均為突起之平均高度。此時選取導 果之突起。 田作犬起，作為可獲突起賦予效 欲使本發明之導電性微粒子且 ^ 著於基材微粒子表面即可。…：二““物質附 別限定，可“h U 速附者心物質之方法並無特 了舉例如在基材微粒子分散液中添加繼物質 1375232 2电性物質，以凡得瓦（Van der Waa】s)力使芯物質聚集 ，者於基材微粒子表面上之方法；在收容基材微粒子之容 形成芯物質之導電性物質，以容器之旋轉等機械 —心物質附著於基材微粒子表面上之方法等。其中， =易控制芯物質附著量之觀點，以在分散液中基材微粒 上聚集附著芯物質之方法較適合使用。 物質：：而言，在分散液中基材微粒子表面上聚集附著芯 ^方法，以制基材微粒子平均粒徑之Μ〜洲粒徑 〜物貝較好。而以1 · 5〜1 5 %争拉 ^ . 質之八15/〇更好。又考慮芯物質對分散介 刀/性時’芯物質比重以儘量小較好。再者，為 者改變基材微粒子與芯物f '··、 " 去離子水較好。又以提升質以使用 面活性劑亦可。 ”丨之目的而使用陽離子性界 本發明之導電性微粒子在導 較好。在導…… 電層表面進-步形成金層 化防止• 層之結果’可謀求導電層之氧 連接電阻之減低化、表面之安；t化等。 上述金層之形成方法並Jfe特別（5P A 鍍敷 '置換《、電f、f $…’可舉例如無電解 :a電鍍、還原链敷、濺鍵等先前習知方法。 上述盃層之厚度並無特別限定，但以 1〇〇麵較好。未達]nm時可能較難 〈上限 权雞防止導電声ϋ斗b -Γ & 升-連接電阻值’而超過10—化且可能 使基材微粒子與導電層之密合性變劣/導電層而可能 於本發明之導電性微粒子， 之導電層、金層等之厚度以下限"、基材微粒子表面 nrn上限600nm較好。 12 未達I 1 Onm時可能益法寐彡圼& #沙 士 此…忐焱付所希望之導電性，超過600ηηι 時可能使基材微粒子與導電層之密合性變劣。 於本發明之導電性微粒子，上述導電層之各層為非曰 體結構㈣層或晶體結構制層，可進行上料電層之 射線繞射法測定。 :述導電層所含錄晶體粒塊可依上述χ射線繞射法測 疋-心如由錄（1U)面、錄（200)面、錄（22〇)面等之各曰 =面之射峰值確認。又，由各晶格面繞跑之面積;; 度比求得各晶格面之比率。 、 於本發明之導電性微粒子，以χ射線繞射法測定之面 積強度比所求得之在链Η、 80%以上。 在鎳（π面配向之鎳晶體粒塊比率為 ,於本發明’由於如後述之以嚴密之pH調整等使導電 成：基材微粒子表面，故能夠獲得含有習知無法達成 =之南度鎳晶體粒塊之導電層’其結果能夠獲得導電性 專仏異之導電性微粒子。 1 &本$明之導電性微粒子時’在基材微粒子表面， 順==體結構錢錄層、隨後再形成晶體結構鍍鎖層之 檨护禮I X敷即可。上述形成非晶體結構鍍鎳層或晶體結 、又a之方法，可舉例如控制鍍敷反應之pH之方法、 才空制鐘敷液巾域、.董# + +μ …丨 ”辰度之方法等。其中’由於控制反應優良， 二制鍍敷反應之ρΗ之方法較適合使用。 具體而言，例如採用 # . 賦予基材微4… ^方法，其包含：將觸媒 才…立子表面之步驟1;使用含有擇自檸檬酸、蘋 1375232 果酸、丁二酸、丙酸、乳酸、乙酸及此等之.鹽所構成群中 至少1種錯合劑之錄銀液，並調整錄鍍反應時之pH為49 乂下使上述基材微粒子表面形成非晶體結構鍍鎳層之步驟 &及使用含有擇自檸檬酸、蘋果酸、丁二酸、丙酸、乳 t乙k及此等之鹽所構成群中至少i種錯合劑之錄錢液， 亚調整鎳鑛反應時之pH為72〜9俾形成晶體結 之步驟3。 s 此種導電性微粒子之製造方法亦為本發明之—。 以下詳述各步驟。 本發明之導電性微粒子之製造方法包含將觸媒賦予基 材微粒子表面之步驟1。 進行上述觸媒賦予之t、m / , 之方去可舉例如，對被鹼性溶液侵 虫之基材微粒子，進行酸中* s 运仃馱中和及二虱化錫（SnCl2)溶液中敏 後’在—氣化纪（Pdc ] v六，六丄办/ ^ 合液中進行活化等之無電解鍍敷 月'j處理步驟等。 巧 又’敏化為使Sn2 +施2 « #子吸附於絕緣物質表面之步驟， 而活化為在絕緣性物質 負表面產生以Sn2 + + Pd2 + —Sn4++ Pd0 所示反應、使鈀成為盔 电解鍍敷之觸媒核之步驟。 本發明之導電性微粒 ^ ^ ^ , 之方法包含步驟2，其使 用含有擇自棹檬酸、蘋 丁一馱、丙酸、乳酸 '乙酸 及此寺之鹽所構成群中、 錄鐘反應時之阳為49/下1種錯合劑之錄鑛液’並調整 晶體結構鍍錦層。 使上述基材微粒子表面形成非 形成上述非晶體結構錄鎳層之方法以調整鎳錢反應時 14 1375232 二為4.9以下較好，具體例可列舉出：方法卜使錄錢 液PH契反應浴PH同為4.5’並使鎳鑛反應時之pH為4 η ; =2’使錄鑛液pH為8、反應浴pH為4,錦銀液滴加 速度為方法】之1/3,並使錄鍍反應時之沖為4卜 於本發明形成非晶體結構鑛錦層時，調整錄鑛反應時 =pH為4.9以下，能使基材微粒子與非晶體結構鑛錦層之 搶“生優良’並使導電性微粒子整體之耐衝擊性等優異。 形成上述非晶體結構鍍鎳層時之鎳鍍液，以含有擇自 檸檬酸、蘋杲酸、丁二酸、丙酸、乳酸、乙酸及此等之踏 所構成群中” 1種錯合劑較好。含有此種錯合劑且於上 述PH進行錄鐘反應，能夠以良好效率製作未見鎖晶體粒 塊之非晶體結構鍵鎳層。 又上述鎳鍍液，以含有硝酸鉍及/或硝酸鉈當作鍍敷安 定劑較好。 本發明之導電性微粒子之製造方法包含步驟3，其使 用含有擇自檸檬酸、蘋果酸、丁二酸、㈣、乳酸二酸 及此等之鹽所構成群中至少丨種錯合劑之錄鑛液，並調整 鎳鍍反應時之pH為7.2〜9俾形成晶體結構鍍鎳層。 形成上述晶體結構鍍鎳層之方法以調整鎳鍍反應時之 PH為7.2〜9較好，具體方法為，使鎳鍍液pH為1〇 5、反 應〉合pH為6.2，並使鎳链反應時之為7·8。 形成上述晶體結構鍍鎳層時之鎳鍍液，以含有擇自檸 檬酸、蘋果醆、丁二酸、丙酸、乳酸、乙酸及此等之鹽所 構成群中至少丨種錯合劑較好。含有此種錯合劑且於上述 1375232 PH進行鎳鍍反應，能夠以良好效率製作含有在鎳（πι)面 配向之鎳晶體粒塊比率為80%以上（以往無法達成之高度鎳 晶體粒.塊）之晶體結構鍍鎳層。 又上述鎳鍍液，以含有硝酸鉍及/或硝酸鉈當作鍍敷安 定劑較好。 將本發明之導電性微粒子分散於結合劑樹脂可製造異 向性導電材料。此種異向性導電材料亦為本發明之一。 本發明之異向性導電材料之具體例，可舉異向性導電 •糊、異向性導電墨水、異向性導電黏著劑層、異向性導電 膜、異向性導電片等。 上述結合劑樹脂並無特別限定，但使用絕緣性樹脂， I舉例如醋酸乙烯系樹脂、氣乙烯系樹脂、丙烯酸系樹脂、 本乙烯系樹脂等乙烯系樹脂；聚烯烴系樹脂、乙烯-醋酸 乙烯共聚物、聚醯胺系樹脂等熱塑性樹脂；環氧系樹脂、 ::胺酯系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、不飽和聚酯系樹脂及此 •等之硬化劑所構成之硬化性樹脂；苯乙烯_ 丁二烯-笨乙 歸嵌段共聚物、苯乙烯-異戊二烯_苯乙烯嵌段共聚物、 此等之加氫物.等熱塑性嵌段共聚物；苯乙烯_ 丁二烯共聚 橡膠、氣丁二烯橡膠、丙烯腈—苯乙烯嵌段共聚橡膠等彈 性體類（橡膠類）等。此等樹脂可單獨使用或2種以上併用。 又，上述硬化性樹脂可為常溫硬化型、熱硬化型、光 硬化型、濕氣硬化型等之任—硬化型。 本發明之異向性導電材料’除本發明之導電性微粒子 及上述結合劑樹脂外，在不妨害達成本發明之課題範圍内 16 1375232 並因應需要，上以曰 了添加如增1齊i '軟化劑（可塑劑）、點著性 … '抗氣化劑(抗老化劑）、熱安定劑、 外線吸收劑、著色劑、難燃劑、有機溶劑等各種添加劑/' 本發明之異向性導電材料之製造方法並無特別限定。 可列舉方法包会. ^ .添加本發明之導電性微粒子於絕緣性結 合劑樹脂中均勻混人公吟 ° 。刀放，作成異向性導電糊、異向 電墨水、異向性導雷勤卞丨a & 導电黏者劑層等，·或添加本發明之導電性 微粒子於絕緣性6士 Α南丨斟^ A^脂中均句溶解(分散)或加熱溶解 後，塗布於脫模紙 '脫模膜辇 既定厚度，並依需要二Γ 之脫模處理面形成 亚依而要進订乾燥或冷卻等，作成異向 膜、異向性導電片等.可科施制 電 守电片寺，可對應欲製造之異向性導 類’而採取適當之製造方法。 〆 又，不混合絕緣性結合劑樹脂與本發明之導電 子而为別使用以作成異向性導電材料亦可。 1广 U本^ ’嚴密調整錦錢反應時之PH等 面形成具有非晶體結構錢錦層與晶體結構鑛❹ 之導电層’藉此獲得基材微粒子與導電層之密合曰 非晶體結構鍍鎳層、與在鎳01υ 笑’、之 j ¢3配向之鎳晶體粒 為80%以上之極高度晶體結構鑛錄層， 鬼匕李 子與導電層之密合性優異且導電性、 又寸材微粒 性微粒子。 < 導电 依據本發明，能夠提供導電層不易 况氣而耐衝盤，14 4k 升、且基材微粒子與導電層之密合性優異棱 子，及使用該導電性微粒子之異向性導電材料。電性微粒 1375232 實施形態 以下用實施例更詳細說明本發明，但本發明不僅限定 於此等實施例。 (實施例1) 取平均粒徑3μ1Ώ、由二乙烯苯系共聚樹脂（積水化學工 業么司製、「S Ρ - 2 0 3」）所構成基材微粒子1 〇莒，依次進 行氫氧化鈉水溶液之鹼脫脂、酸中和、二氣化錫溶液中之 敏化。其次，貫施一氯化纪溶液中活化之無電解經敷前處 鲁理，過滤、洗淨得粒子表面附著纪之基材微粒子。 上得基材微粒子再以水1 200mL稀釋，添加1 g/L硝酸 鉈水溶液4mL當作鍍敷安定劑後，將含硫酸鎳450g/L、次 磷酸鈉150g/L、檸檬酸鈉（錯合劑）丨16g/L、丨g/L硝酸鉈水 溶液6mL(鍍敷安定劑）之混合溶液i2〇mL以10%硫酸調整 pH為4.5當作鎳鍍液’用定量泵以81mL/分鐘速度添加反 應浴槽中。隨後攪拌至pH安定，並確認鎳鍍反應時之pH 為4 · 5 ’再4認氫氣發泡停止，進行無電解鐘敷前處理步 籲驟，得鍍鎳微粒1。 取鍍鎳微粒1之樣品並乾燥，進行鍍鎳被膜之X射線 繞射法測定。X射線繞射法測定使用理學公司製、「X - RAY DIFFERACTOMETER RINT1400」，測定條件為管電壓： 5OkV、管電流：1 00mA、X 射線：CuKa 線、波長 λ : 1.54 1 A。 X射線繞射法測定結果，未能確認鎳之結晶峰值而破認為 非晶體結構鍍鎳層。 其次，再將含硫酸鎳450g/L、次磷酸鈉150g/L、停檬 1375232 酸鈉（錯合劑）116g/L、lg/L硝酸鉈水溶液35mL(鍍敷安定 劑）之混合溶液650mL以氨水調整pH為10_5當作鎳鍍液， 用定1泵以27mL/分鐘速度添加反應浴槽中。隨後攪拌至 pH安定，並確認鎳鍍反應時之pH為7 8，再確認氫氣發 泡停止’進行無電解鍍敷後處理步驟’得鍍鎳微粒2。 取鍍鎳微粒2之樣品並乾燥，與鍍鎳微粒丨同樣進行 鐘鎳被膜之X射線繞射法測定。X射線繞射法測定結果， 確認鎳之結晶峰值，鎳（1 i丨）面為2Θ = 44 9。、鎳（2〇〇)面為 2Θ = 51.5。、鎳（220)面為2Θ = 76.7。。又，各峰值之面積強 度比為（111)面：（200)面：（220)面=86 : 8 : 6，確認在鎳晶 體（1 1 1)面配向之晶體粒塊比率為86%。亦即確認由鎳^ ” 面之面積強度比所求得比率為80%以上。 過渡鐘敷液，以水洗淨過據物，用8 〇。〇真空乾燥機乾 燥後，再以置換鍍敷法將其表面實施鍍金，得鍍金之導電 性微粒子。 (比較例1) 與貝加例1同樣製作基材微粒子，進行無電解銀敷前 處理步驟。 除將含硫酸鎳1 70g/L、次磷酸鈉丨7〇g/L、焦磷酸鈉 340g/L、lg/L硝酸鉈水溶液6mL(鍍敷安定劑）之混合溶液 12 0mL以氣水調整pH為9·4當作鎳鍍液，用定量泵以1〇 分鐘時間添加反應浴槽中，並確認鎳鍍反應時之ρΗ為7 8 以外，其他與實施例1同樣進行，得鍍鎳微粒3。 上侍鍍鎳微粒3，與實施例丨同樣進行鍍鎳被膜之χ 射線繞射,，g,| v , '、疋。Χ射線繞射法測定結果，確認鎳之結晶 峰值而確認為晶體結構鍍鎳層。 八-人，與實施例1同樣進行無電解鍍敷後處理步驟後， .製作鑛金層，得鑛金之導電性微粒子。 (比較例2) 人μ轭例1同樣製作基材微粒子，進行無電解鍍敷前 處理步驟。 &將鎳鍍液之ρΗ及鎳鍍反應時之ρΗ調整為6 〇以外， '、^Κ施例1同樣進行無電解鍍敷前處理步驟，得鍍鎳 上得链鎖微粒4，與實施例1同樣進行鍍鎳被膜之X 射線繞射法測定。χ射線繞射法载結果，未能確認鍊之 結晶峰值，而確認為非晶體結構鍍鎳層。 其次，除使用甘胺酸當作錯合劑及調整鎳錢反應時之

為.8以外’纟他與貫施 <列1同樣進行#電解鑛敷後處 理步驟’得鍍鎳微粒5。

同樣進行鍍鎳被膜之X 上仔鑛錦微粒5，與實施例 射線繞射法敎。X射線繞射法測定結果，確認在錄晶體 ("1)面配向之晶體粒塊比率為6〇% ’而確認為晶體結構鍍 鎳層。 得鑛金之 其次，與實施例】同樣進行鍍金層之製作 導電性微粒子。 <評估> 就實施例 及比較例〗〜2所得導電性微粒子進行以 20 之評估。結果示如表i。 ⑴導電性微粒子之密合性評估

.s刀別於1 〇〇mL燒杯各取實施例1及比較例1〜2所得 ¥電性微粒子I S 谷才又入直徑I mm氧化錯球J 〇g及甲苯 2〇mL’以不鏽鋼製之4片辦姓甚μ 片祝拌葉片於300rpm攪拌3分鐘， 搜碎導電性微粒子。 此搜碎之導電性微粒子，以掃描電子顯微鏡（s關照 Μιοοο倍）計算觀察個中破裂之微粒數，進行基材 微：子與鍍敷被膜之密合性評估。又所謂破裂之微粒，乃 汁-產生導電性微粒子直徑1/2以上之裂痕或剝離之微 粒。 (2)異向性導電材料之評估 「將當作結合劑樹脂之環氧樹脂（油化殼牌環氧公司製、 田显必可828」）1 〇〇重量份、三雙甲基氨基乙基苯酚2重 里份、及f笨1〇〇重量份用行星式搜拌機充分混合後，在 脫模膜上塗布成乾燥後之厚度為1 ，並蒸發甲苯得黏 著性膜。 其次，將所得導電性微粒子添加於當作結合劑樹脂之 ^氧樹脂（油化殼牌環氧公司製、「益必可828」）1〇〇重量 伤二雙曱基氨基乙基苯酚2重量份、及甲苯1〇〇重量份， 用订星式攪拌機充分混合後，在脫模膜上塗布成乾燥後之 厚度為7μπι’並蒸發曱苯得含有導電性微粒子之黏著性膜。 又導電性微粒子之配合量為膜中含量5萬個/cm2。 將所得點著性膜與含有導電性微粒子之黏著性膜在室 1375232 溫積層’ #具有2層結構、厚度17—之異向性導電膜。 將所得異向性導電膜切成5x5mm。將此貼在一方具有 電阻測疋用線路之寬2〇〇μηι '長lmm、高〇 2μηι、L/S2(^m 鋁電極之大致中幻灸，同樣具有‘呂電極之玻璃基板以 電極間互相重疊的方式對準後貼合。 ”將此玻璃基板之接合處以40MPa、200°C壓接條件熱 I接後’進行電極間之電阻值及電極間有無洩漏電流 估。 表

實施例1 比較例1 鎳晶體（1 1 1)面配向之 錄晶體粒塊比率 86% 60% 1〇〇〇個觀察中破裂之 微粒數 〇個 10個 50個 電極間之電阻佶 】0Ω 】0Ω 〇 A 〇 j極間有無洩漏電流 '------- M. < *»、 盔 ^ U 1之導電層由於含有使用擰檬義當作錯合劑 之非晶體結構鑛鎳層，故 ："丨 易破裂而耐衝擊性接并“稅Τ處理但鑛敷被膜不 晶體結構鍍鎳声，妗A U叫』 丁衣面心成非 a文基材极粒子與導電層之密合性優異。 反之，比較例】由於導電層不含雕处 i± it ^ if3· Zrt rt F日日、，古構錄鎖層， 見鲆沒理時鍍敷被膜容易破 此基材微粗子愈導雷耐衝擊性減低，因 封等電層之密合性差。 22 1375232 '匕較例2，由於使用甘胺酸當作錯合 層成柱狀配向，铲畔姑膣六扃 β ’故錢鎳 门鍍敷被膜谷易沿縱方向產生 如進㈣碎處理時㈣被膜容易破 〜，。果’ 基材微粒子與導電層之密合性差。 < 、衝#性減低，故

依據本發明，能夠提供導電層不易_ 升且基材微粒子與導電層之密八 破裂而耐衝擊性提 σ丨王優里 及使用該導電性微粒子之異向性 〜 <導電性微粒子， 、 等電材料。 【圖式簡單說明】 無 【主要元件符號說明】 益 «««、

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Claims (1)

1375232 *» ___ 磚 101年7月3丨曰替換頁 十、申請專利範圍·· _____ 1 .種導電性微粒子，係由基材微粒子與形成於該基 材微粒子表面之導電層所構成，其特徵為： « 4導電層具有與基材微粒子表面接觸且厚度為10nm〜 ·， 1〇〇nm之非晶體結構鍍鎳層、與厚度為lOOnm〜40〇nm之晶 •體結構鍍鎳層，該導電層之厚度為U〇nm〜5〇〇nm， 由X射線繞射法測定之面積強度比，所求得之在鎳Η) 面配向之鎳晶體粒塊比率為80%以上。 • 2 .如申請專利範圍第1項之導電性微粒子，其中，該 非晶體結構鑛鎳層之含轉率為1()〜18重量％，而該晶體結 構鍵鎳層之含磷率為1〜8重量％。 士申明專利範圍第1項之導電性微粒子，其中，該 導電層含有鉍及/或鉈1000ρρηι以下。 4·如申請專利範圍第2項之導電性微粒子，其中，該 導電層含有鉍及/或鉈1〇〇〇ppm以下。 5. 如申請專利範圍第4 4項中任—項之導電性微粒 Φ 子，其中，該導電層表面具有突起。 6. 如申請專利範圍第5項之導電性微粒子，其中，該 突起具有芯物質。 〃基材微粒子接觸、或與基材微粒子之 7.如申請專利範圍第6項之導電性微粒子，其，中，該 芯物質之80%以上 距離為5nm以下。 8 .如申請專利範圍第1至 子’其中’在導電層表面進一 4項中任一 步形成金層 項之導電性微粒 24 ^,/^232 1 —-~— 101年7月q日替換頁 9 ·如申請專利範圍第5項之導電性微^ 導電層表面進一步形成金層。 ， 10 .如申請專利範圍第6項之導電性微粒子，其中， 二 在導電層表面進一步形成金層。 ， 11 ·如申請專利範圍第7項之導電性微粒子，其中， 在導電層表面進一步形成金層。 12. —種導電性微粒子之製造方法，係用來製造申請 專利範圍第1至u項中任一項之導電性微粒子，包含： 將觸媒賦予基材微粒子表面之步驟1 ; 步驟2 ’使用含有擇自擰檬酸、蘋果酸、丁二酸、丙酸、 礼馱、乙酸及此等之鹽所構成群中至少1種錯合劑之鎳鍍 液，並調整鏢鍍反應時之pH為4 9以下使基材微粒子表面 形成非晶體結構鑛錄層；及 一步驟3 ’使用含有擇自檸檬酸、蘋.果酸、丁二酸、丙酸、 乳酸 '乙酸及此等之豳所播&班+厂, 寸<1所構成群中至少丨種錯合劑之鎳鍍 液’並調整鎳鍍反應時之 Η A 7 ? 〇 , Η Α 、又 町< ρΗ馬7.2〜9俾形成晶體結構鍍 錄層。 13 .種異向性導電材料，係將申請專利範圍第1至 • U項申任項之導電性微粒子分散於結合劑樹脂而構成。 十一、圖式： 無 25