CN103827981A - 导电性微粒及含有导电性微粒的各向异性导电材料 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于提供一种提高了镍层的柔性的导电性金属层。本发明的导电性微粒为具有基材粒子和包覆该基材粒子表面的导电性金属层的导电性微粒，其特征在于，所述导电性金属层包括镍层，通过粉末X射线衍射法测定的镍在[111]方向的结晶粒径为3nm以下。

Description

导电性微粒及含有导电性微粒的各向异性导电材料

技术领域

本发明涉及作为导电性金属层包括镍层的导电性微粒，特别是涉及镍层的柔性优良的导电性微粒。

背景技术

以往，在电子仪器的组装中，为了进行相向的多个电极或配线之间的电连接，采用通过各向异性导电材料的连接方式。各向异性导电材料为将导电性微粒混合到粘合剂树脂等中得到的材料，例如，有各向异性导电膏（ACP）、各向异性导电膜（ACF）、各向异性导电油墨、各向异性导电片等。此外，作为各向异性导电材料中使用的导电性微粒，使用金属粒子、或作为基材的树脂粒子的表面用导电性金属层包覆而成的微粒。

将这样的导电性微粒用于加压连接时，在使粒子压缩变形时，有时导电性金属层破裂或剥离，产生部分导电不良。因此，为了解决这样的问题，例如，专利文献1提出了一种导电性微粒，该导电性微粒包括：含有树脂的基材粒子、形成于基材粒子的表面的含有Ni等（但是，除去Ni-P合金。）的缓冲层、以及形成于缓冲层上的Au层，且所述缓冲层的结晶粒径为300nm以下。然而，专利文献1的导电性微粒中，以利用溅射法形成缓冲层为前提。此外，通过化学镀形成的Ni-P层、Ni-B层、Ni-P-B层中，即使结晶粒径为300nm以下，在压接时也产生剥离（参照专利文献1（表1））。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开平11-39937号公报

发明内容

本发明的发明人对具有镍层的导电性微粒的压缩变形行为进行了研究，确认到在测定的压缩位移曲线中，在观测到因基材粒子的破坏而产生的破坏点之前，出现拐点。该拐点是因形成于基材粒子的表面的镍层本身的破坏或损伤而产生的，认为是含有镍层的导电性金属层独自显示的行为。

并且，镍层的韧性低的情况下，观测到该拐点的压缩位移（%）变小，存在连接电阻值变高的趋势。由于镍层通常较硬难以变形，易于蓄积应力，且为低韧性，结果在达到破坏时产生的裂纹有变大的趋势，此外，由于具有难以伴随基材粒子变形且易于从基材粒子剥离的趋势，因此，认为这是导致传导被断开的部分变多的原因。

本发明鉴于上述状况，目的在于提供一种提高了镍层的柔性的导电性金属层。

解决了上述课题的本发明的导电性微粒，为具有基材粒子和包覆该基材粒子表面的导电性金属层的导电性微粒，其特征在于，所述导电性金属层包括镍镀层，通过粉末X射线衍射法测定的镍在[111]方向的结晶粒径为3nm以下。优选所述导电性微粒在通过以2.23mN/秒的荷重负荷速度进行压缩的压缩试验而得到的压缩位移曲线中，在比基材粒子发生破坏的破坏点（Y）的压缩荷重值低的压缩荷重值下，确认到因所述镍层的破坏而产生的拐点（X），以所述破坏点（Y）的压缩变形率为L2、所述拐点（X）的压缩变形率为L1时，它们的比（L1/L2）为0.3以上。此外，优选所述L2为35%-70%。优选所述镍在[111]方向的结晶粒径为1.5nm以上。优选所述基材粒子的个数平均粒径为50μm以下，个数平均粒径为3μm以下的方式、个数平均粒径为8μm以上的方式也是本发明优选的方式。此外，优选所述基材粒子的10%K值为500N/mm²以上且为30000N/mm²以下。

本发明还包括以含有所述导电性微粒为特征的各向异性导电材料。

根据本发明，通过控制镍层中的结晶粒径，能够使镍层的柔性（延展性）提高。由此，即使在镍层发生了破坏的情况下，裂纹也变得微细，此外，由于易于跟随基材粒子的变形，能够抑制剥离。因而，本发明的导电性微粒能够实现更低的连接电阻值。进一步，由于仅通过控制结晶粒径，能够使镍层发生破坏的压缩变形率（L1）和基材粒子发生破坏的压缩变形率（L2）的差变小，因而能够采用具有各种硬度的基材粒子，粒子设计变得容易。

附图说明

[图1]表示本发明的导电性微粒的压缩位移曲线。

[图2]表示使本发明的导电性微粒的粒径及结晶粒径变化时电阻的变化。

具体实施方式

1.导电性微粒

1-1.导电性金属层

本发明的导电性微粒具有基材粒子和包覆该基材粒子的表面的导电性金属层。并且，所述导电性金属层包括镍层，通过粉末X射线衍射法测定的垂直于镍晶格面（111）的方向的结晶粒径（以下将其表达为[111]方向的结晶粒径，此外，有时简称为“结晶粒径”。）为3nm以下，优选为2.9nm以下，更优选为2.8nm以下。所述结晶粒径越小，镍层柔性（延展性）越提高。另一方面，结晶粒径的下限没有特别限定，从能够降低结晶界面中的电阻值的观点出发，优选为1nm以上，更优选为1.1nm以上，进一步优选为1.2nm以上，进一步优选为1.5nm以上，更进一步优选为1.7nm以上。特别是结晶粒径为1.5nm以上时，使得空气中的湿度的影响所引起的电阻值的增大变得困难，可维持导电性微粒的耐湿性。所述结晶粒径的测定方法如后所述。

所述镍层由镍或镍合金构成。使用镍合金时，镍合金中的镍含量优选为50质量%以上，更优选为70质量%以上，进一步优选为80质量%以上，进一步优选为82质量%以上。作为所述镍合金，优选为Ni-Au、Ni-Pd、Ni-Pd-Au、Ni-Ag、Ni-P、Ni-B、Ni-Zn、Ni-Sn、Ni-W、Ni-Co、Ni-W、Ni-Ti等，它们中优选为Ni-P合金。

所述镍合金（Ni-P合金）中的P浓度优选为18质量%以下，更优选为16质量%以下，进一步优选为14质量%以下，特别优选为9.5质量%以下。P浓度越低，镍层的电阻值变得越低。而且，P浓度过低时，会产生磁性引起的凝聚，有难以将导电性微粒分散到一次粒子中的趋势。因此，P浓度优选为3质量%以上，更优选为5质量%以上，进一步优选为7质量%以上。而且，P浓度是P质量相对于镍合金中的Ni和P的合计质量的比（P/（P+Ni））以百分率表示。通常，认为P浓度会影响镍层的硬度，P浓度为上述范围（3-18质量%）时，将[111]方向的结晶粒径控制为3nm以下会使本发明的效果更加显著。

所述镍层的厚度优选为0.02μm以上，更优选为0.05μm以上，进一步优选为0.07μm以上，优选为0.3μm以下，更优选为0.25μm以下，进一步优选为0.2μm以下。所述镍层的厚度在上述范围内时，导电性微粒的导电性会变得更加良好。特别是，镍层的厚度为0.3μm以下时，导电性微粒的密度不会变得过高，能够抑制分散到粘合剂等中时的沉降，提高分散稳定性。

所述镍层在其厚度方向的断裂剖面上呈现的晶界结构没有特别限定。即，所述结晶粒径为3nm以下时，镍层柔性提高，与晶界结构无关。作为所述镍层的晶界结构，使用扫描型电子显微镜以100000倍的放大倍率，观测其厚度方向截面时，可举出晶界取向的状态（有取向）、晶界未取向的状态（无取向）、未确认到晶界的状态。所述晶界有取向时，多个直线状的晶界以平行的方式并排。此时，直线晶界的方向可举出镍层的厚度方向、层方向、斜向。此外，将一组取向于特定方向的晶界视为一个系列时，也可以存在多个取向为相同或不同方向的系列。这样的系列可以是镍层在厚度方向上并排，也可以是在镍层的层方向上并排。此外，在厚度方向上相邻接的系列的取向方向也优选为以这些境界为对称轴，形成为线对称的状态（叶脉状）。

所述导电性微粒仅由所述镍层作为导电性金属层来构成的方式是本发明的导电性微粒的优选实施方式中的一种方式，但是除了所述镍层以外，还可以层压其它的导电性金属层，导电性金属层为所述镍层与其它的导电性金属层层压的方式也是本发明的导电性微粒的优选实施方式中的一种方式。

作为构成其它的导电性金属层的金属没有特别限定，例如，可举出金、银、铜、铂、铁、铅、铝、铬、钯、铑、钌、锑、铋、锗、锡、钴、铟及镍-磷、镍-硼等的金属或金属化合物、以及它们的合金等。其中，金、钯、银因导电性良好而优选。

所述镍层可以直接形成在基材粒子上，也可以在基材粒子表面上形成其它的导电性金属层作为基底，在其上形成镍层，优选直接形成在基材粒子上。此外，导电性金属层，例如可优选举出镍层-金层、镍层-钯层、镍层-钯层-金层、镍层-银层等的组合。特别是作为最外层优选具有金层或钯层。

所述其它的导电性金属层的厚度优选比所述镍层薄。具体而言，所述其它的导电性金属层的厚度优选为所述镍层的厚度的3/4以下，更优选为1/2以下，进一步优选为1/3以下。

为了导电性金属层的耐腐食性或为了进行防氧化、防变色，所述导电性微粒可以根据需要进一步进行表面处理。作为能够有效地防止镍层氧化的方法，例如，可举出：在镍层的表面上形成含有铈或钛的金属氧化物层；用具有碳原子数为3-22的烷基的化合物进行表面处理等。

所述导电性微粒的导电性金属层的厚度（镍层和其它的金属层的合计厚度）优选为0.02μm以上、更优选为0.05μm以上、进一步优选为0.07μm以上，优选为0.3μm以下、更优选为0.25μm以下、进一步优选为0.2μm以下。所述导电性金属的厚度在上述范围内时，在粘合剂等中的分散稳定性良好、且能够得到导电性良好的导电性微粒。

所述导电性微粒的个数平均粒径优选为1μm以上、更优选为1.5μm以上、进一步优选为2μm以上，优选为50μm以下、更优选为40μm以下、进一步优选为30μm以下。此外，所述导电性微粒的粒径的个数基准的变异系数（CV值）优选为20%以下、更优选为15%以下、进一步优选为10%以下。

导电性微粒变得微小（具体而言，个数平均粒径小于10.0μm）时，为了使各向异性导电连接时的接触面积变得充分，需要将导电性微粒压缩至高的压缩变形率。即使在这样的较大的变形的情况下，由于本发明的导电性微粒的镍层具有规定的结晶粒径，镍层柔性高，因而能够实现低的连接电阻值。因此，从本发明的效果变得更加显著的理由出发，个数平均粒径优选为小于10μm、更优选为9.5μm以下、进一步优选为8μm以下、进一步优选为5μm以下、更进一步优选为3μm以下、特别优选为2.8μm以下、最优选为2.3μm以下。

详细的情况在对基材粒子的个数平均粒径进行说明时进行了详述，与基材粒子同样地，导电性微粒的个数平均粒径为3.3μm以下程度时，关于高的压缩连接时的电阻值存在特有的课题，根据本发明可以解决其课题。从解决该课题的观点出发，导电性微粒的个数平均粒径优选为3.3μm以下、更优选为3.0μm以下、进一步优选为2.7μm以下，下限例如为1.3μm以上、优选为1.8μm以上、进一步优选为2.3μm以上。

另一方面，与基材粒子同样地，导电性微粒的个数平均粒径为8.3μm以上的中值粒径的导电性微粒中，也存在关于高的压缩连接时的电阻值的特有课题，根据本发明可以解决该课题。因此，在导电性微粒的个数平均粒径例如为8.3μm以上、更优选为9.3μm以上时，可以有效地利用本发明的效果。上限优选为25μm以下、更优选为18μm以下、进一步优选为14μm以下。

此外，所述导电性微粒在以2.2295mN/秒的荷重负荷速度进行压缩的压缩试验中，优选表现出下述的破坏行为。以下，关于将导电性微粒供给到压缩试验中时的破坏行为，参照表示压缩位移曲线的图表进行说明。图1表示本发明的导电性微粒的压缩位移曲线。压缩位移曲线是指将以一定的速度提高粒子上所负荷的荷重并进行压缩时的荷重（即粒子的从开始压缩开始到该时间点的累积荷重）与粒子的变形率的关系图表化而成的曲线。

本发明的导电性微粒，在所述压缩位移曲线中，在比基材粒子发生破坏的破坏点（Y）的压缩荷重值低的压缩荷重值下，确认到因所述镍层的破坏而产生的拐点（X）。并且，以所述破坏点（Y）的压缩变形率为L2、所述拐点（X）的压缩变形率为L1时，它们的比（L1/L2）优选为0.3以上，更优选为0.35以上，进一步优选为0.4以上。所述比（L1/L2）的上限没有特别的限定，当然为小于1。

本发明中，通过使结晶粒径为所述范围能够提高镍层的柔性。因此，即使在使用柔性高的基材粒子的情况下，也能够有效地抑制镍层的剥离。因此，基材粒子的选择的余地变广，粒子设计变得容易。作为柔性高的基材粒子，优选为所述L2为35%以上、更优选为40%以上、进一步优选为45%以上，优选为70%以下、更优选为67%以下、进一步优选为65%以下。

以所述破坏点（Y）的压缩荷重值为P2、所述拐点（X）的压缩荷重值为P1时，它们的比（P1/P2）优选为0.3以上，更优选为0.38以上，进一步优选为0.4以上。所述比（P1/P2）的上限没有特别限定，通常小于1。

本发明的导电性微粒可适用于LCD用导通隔板、各向异性导电膜、各向异性导电膏、各向异性导电粘结剂、各向异性导电油墨等的各向异性导电材料。

1-2.基材粒子

所述基材粒子优选为含有树脂成分的树脂粒子。通过使用树脂粒子，可得到弹性变形特性良好的导电性微粒。作为所述树脂粒子，例如，可举出三聚氰胺甲醛树脂、三聚氰胺-苯代三聚氰胺-甲醛树脂、尿素甲醛树脂等的氨基树脂；苯乙烯系树脂、丙烯酸系树脂、苯乙烯-丙烯酸树脂等的乙烯基聚合物；聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚异丁烯、聚丁二烯等的聚烯烃；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚酯类；聚碳酸酯类；聚酰胺类；聚酰亚胺类；苯酚甲醛树脂；有机硅氧烷等。这些构成树脂粒子的材料可以单独使用，也可以并用两种以上。其中，在通过使镍在[111]方向上的结晶粒径为3nm以下所得到的效果变得更显著的观点来考虑，优选乙烯基聚合物、氨基树脂、有机硅氧烷，更优选为乙烯基聚合物及氨基树脂，特别优选为乙烯基聚合物。含有乙烯基聚合物的材料具有乙烯基聚合所形成的有机系骨架，加压连接时的弹性变形良好。特别地，含有以二乙烯基苯和/或二(甲基)丙烯酸酯作为聚合成分的乙烯基聚合物，很少出现包覆导电性金属后的粒子强度降低。

1-2-1.乙烯基聚合物粒子

乙烯基聚合物粒子由乙烯基聚合物构成。乙烯基聚合物可通过将乙烯基系单体（含乙烯基单体）聚合（自由基聚合）来形成，该乙烯基系单体分为乙烯基系交联性单体和乙烯基系非交联性单体。而且，“乙烯基”不仅指碳-碳双键，还包括(甲基)丙烯酰氧基、烯丙基、异丙烯基、乙烯基苯基、异丙烯基苯基等的官能团与聚合性碳-碳双键构成的取代基。而且，本说明书中，“(甲基)丙烯酰氧基”、“(甲基)丙烯酸酯”或“(甲基)丙烯酸”表示“丙烯酰氧基和/或甲基丙烯酰氧基”、“丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯”或“丙烯酸和/或甲基丙烯酸”。

所述乙烯基系交联性单体是指具有乙烯基并可形成交联结构的单体，具体而言，可举出1个分子中具有2个以上的乙烯基的单体（单体（1）），或者，1个分子中具有1个乙烯基和乙烯基以外的结合性官能团（羧基、羟基等的含质子氢的基团、烷氧基等的末端官能团等）的单体（单体（2））。但是，为了通过单体（2）形成交联结构，需要存在可以与该单体（2）的结合性官能团反应（结合）的对应单体。

所述乙烯基系交联性单体中，作为所述单体（1）（1个分子中具有2个以上的乙烯基的单体）的例子，例如，可举出：(甲基)丙烯酸烯丙酯等的(甲基)丙烯酸烯丙酯类；烷基二醇二(甲基)丙烯酸酯（例如，乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等）、聚亚烷基二醇二(甲基)丙烯酸酯（例如，二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、十乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、十五乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、五十乙二醇二(甲基)丙烯酸酯（ペンタコンタヘクタエチレングリコールジ（メタ）アクリレート）、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等）等的二(甲基)丙烯酸酯类；三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯等的三(甲基)丙烯酸酯类；季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯等的四(甲基)丙烯酸酯类；二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等的六(甲基)丙烯酸酯类；二乙烯基苯、二乙烯基萘、及它们的衍生物等的芳香族烃系交联剂（优选为二乙烯基苯等的苯乙烯系多官能度单体）；N,N-二乙烯基苯胺、乙烯醚、二乙烯基硫化物、二乙烯基磺酸等的含杂原子的交联剂；等。

它们中，优选为1个分子中具有2个以上的(甲基)丙烯酰基的(甲基)丙烯酸酯类（多官能度(甲基)丙烯酸酯）、或芳香族烃系交联剂（特别是苯乙烯系多官能度单体）。所述1个分子中具有2个以上的(甲基)丙烯酰基的(甲基)丙烯酸酯类（多官能度(甲基)丙烯酸酯）中，特别优选为所述1个分子中具有2个(甲基)丙烯酰基的(甲基)丙烯酸酯（二(甲基)丙烯酸酯），进一步，其中，优选为1个分子中具有2个丙烯酰基的丙烯酸酯（二丙烯酸酯）。所述苯乙烯系多官能度单体中，优选为如二乙烯基苯那样的1个分子中具有2个乙烯基的单体。单体（1）可以单独使用，也可以两种以上并用。

作为所述乙烯基系交联性单体中所述单体（2）（1个分子中具有1个乙烯基和乙烯基以外的结合性官能团的单体），例如，可举出：(甲基)丙烯酸酸等具有羧基的单体；(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丁酯等含羟基的(甲基)丙烯酸酯类，对羟基苯乙烯等含羟基的苯乙烯类等的具有羟基的单体；(甲基)丙烯酸2-甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸3-甲氧基丁酯、(甲基)丙烯酸2-丁氧基乙酯等的含烷氧基的(甲基)丙烯酸酯类，对甲氧基苯乙烯等的烷氧基苯乙烯类等的具有烷氧基的单体等。单体（2）可以单独使用，也可以两种以上并用。

作为所述乙烯基系非交联性单体，可举出1个分子中具有1个乙烯基的单体（单体（3））、或者对应单体不存在时的所述单体（2）（1个分子中具有1个乙烯基和乙烯基以外的结合性官能团的单体）。

所述乙烯基系非交联性单体中，所述单体（3）（1个分子中具有1个乙烯基的单体）包括(甲基)丙烯酸酯系单官能度单体或苯乙烯系单官能度单体。作为(甲基)丙烯酸酯系单官能度单体，例如，可举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等的(甲基)丙烯酸烷基酯类；(甲基)丙烯酸环丙酯、(甲基)丙烯酸环戊酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸环辛酯、(甲基)丙烯酸环十一烷基酯、(甲基)丙烯酸环十二烷基酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸4-叔丁基环己酯等的(甲基)丙烯酸环烷基酯类；(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苄基酯、(甲基)丙烯酸甲苯基酯、(甲基)丙烯酸苯乙基酯等的含芳香环的(甲基)丙烯酸酯类；优选为(甲基)丙烯酸甲酯等的(甲基)丙烯酸烷基酯。作为苯乙烯系单官能度单体，可举出苯乙烯；邻甲基苯乙烯、间甲基苯乙烯、对甲基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙基苯乙烯（乙基乙烯基苯）、对叔丁基苯乙烯等的烷基苯乙烯类、邻氯代苯乙烯、间氯代苯乙烯、对氯代苯乙烯等的含卤素基团的苯乙烯类等，优选为苯乙烯。单体（3）可以单独使用，也可以两种以上并用。

作为所述乙烯基系单体，优选至少含有所述乙烯基系交联性单体（1）的方式，其中，优选含有所述乙烯基系交联性单体（1）和所述乙烯基系非交联性单体（3）的方式（特别是单体（1）和单体（3）的共聚物）。具体而言，作为构成成分，优选含有选自苯乙烯系单官能度单体、苯乙烯系多官能度单体、多官能度(甲基)丙烯酸酯的至少一种的方式。进一步优选为：以苯乙烯系多官能度单体和多官能度(甲基)丙烯酸酯为必须构成成分的方式；以苯乙烯系多官能度单体和苯乙烯系单官能度单体为必须构成成分的方式；以多官能度(甲基)丙烯酸酯和苯乙烯系单官能度单体为必须构成成分的方式。上述方式中，作为苯乙烯系单官能度单体优选为苯乙烯，作为苯乙烯系多官能度单体优选为二乙烯基苯，作为多官能度(甲基)丙烯酸酯，优选为二(甲基)丙烯酸酯。因此，特别优选为：以二乙烯基苯和二(甲基)丙烯酸酯为必须构成成分的方式；以二乙烯基苯和苯乙烯为必须构成成分的方式；以二(甲基)丙烯酸酯和苯乙烯为必须构成成分的方式。

交联性单体（乙烯基系交联性单体和硅烷系交联性单体的合计）在构成所述乙烯基聚合物粒子的全部单体中占的比例，从弹性变形和恢复力良好的观点出发，优选为20质量%以上，更优选为30质量%以上，进一步优选为50质量%以上。交联性单体的比例在上述范围内时，能够维持良好的弹性变形特性，并且能够使恢复力提高。交联性单体的比例的上限没有特别限定，根据所使用的交联性单体的种类，交联性单体的比例过高时，会变得过硬，在各向异性导电连接时为了使其压缩变形有时需要较高的压力。因此，交联性单体的比例优选为95质量%以下，更优选为90质量%以下，进一步优选为85质量%以下。而且，交联性单体的比例越少，可使基材粒子的10%K值变得越小。根据目标10%K值，交联性单体的比例也可以为50质量%以下，40质量%以下，30质量%以下。

所述乙烯基聚合物粒子在不损害乙烯基聚合物的特性的范围内，也可以含有其它成分。此时，乙烯基聚合物粒子优选含有50质量%以上的乙烯基聚合物，更优选为60质量%以上，进一步优选为70质量%以上。

作为所述其它成分，没有特别限定，优选为聚硅氧烷成分。通过在乙烯基聚合物粒子上引入聚硅氧烷骨架，能够使加压连接时的弹性变形变得良好。

所述聚硅氧烷骨架可以通过使用硅烷系单体来形成，该硅烷系单体分为硅烷系交联性单体和硅烷系非交联性单体。此外，作为硅烷系单体，使用硅烷系交联性单体时，可形成交联结构。作为通过硅烷系交联性单体所形成的交联结构，可举出：使乙烯基聚合物和乙烯基聚合物交联的结构（第一方式）；使聚硅氧烷骨架和聚硅氧烷骨架交联的结构（第二方式）；使乙烯基聚合物骨架和聚硅氧烷骨架交联的结构（第三方式）。

作为可形成第一方式（乙烯基聚合物之间交联）的硅烷系交联性单体，例如，二甲基二乙烯基硅烷、甲基三乙烯基硅烷、四乙烯基硅烷等的具有2个以上的乙烯基的硅烷化合物。作为可形成第二方式（聚硅氧烷之间交联）的硅烷系交联性单体，例如，可举出四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四异丙氧基硅烷、四丁氧基硅烷等的4官能度硅烷系单体；甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷等的3官能度硅烷系单体等。作为可形成第三方式（乙烯基聚合物-聚硅氧烷之间交联）的硅烷系交联性单体，例如，可举出3-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基三乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基甲基二乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧丙基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧乙氧基丙基三甲氧基硅烷等的具有(甲基)丙烯酰基的二或三烷氧基硅烷；乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、对苯乙烯基三甲氧基硅烷等的具有乙烯基的二或三烷氧基硅烷；3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷等的具有环氧基的二或三烷氧基硅烷；3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷等具有氨基的二或三烷氧基硅烷。这些硅烷系交联性单体可以单独使用，也可以两种以上并用。

作为所述硅烷系非交联性单体，例如，可举出二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷等的二烷基硅烷等的2官能度硅烷系单体；三甲基甲氧基硅烷、三甲基乙氧基硅烷等的三烷基硅烷等的单官能度硅烷系单体等。这些硅烷系非交联性单体可以单独使用，也可以两种以上并用。

特别地，所述聚硅氧烷骨架优选为来自于具有可自由基聚合的碳-碳双键（例如(甲基)丙烯酰基等的乙烯基）的聚合性聚硅氧烷的骨架。即，聚硅氧烷骨架优选为通过将至少可形成第三方式（乙烯基聚合物-聚硅氧烷之间交联）的硅烷系交联性单体（优选为具有(甲基)丙烯酰基的单体，更优选为3-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷）作为构成成分进行水解和缩合而形成的聚硅氧烷骨架。

在所述乙烯基聚合物粒子中引入聚硅氧烷骨架时，相对于硅烷系单体100质量份，乙烯基系单体的用量优选为100质量份以上、更优选为200质量份以上、进一步优选为300质量份以上，优选为700质量份以下、更优选为600质量份以下、进一步优选为500质量份以下。

所述乙烯基聚合物粒子，例如，可通过乙烯基系单体聚合来制备，具体而言，优选：（i）使用含有乙烯基系单体作为聚合成分的单体组合物，进行以往公知的水相悬浮聚合、分散聚合、乳液聚合的方法；（ii）使用硅烷系单体得到含有乙烯基的聚硅氧烷后，将该含有乙烯基的聚硅氧烷和乙烯基系单体聚合（自由基聚合）的方法；（iii）使晶种粒子吸收乙烯基系单体后，将乙烯基系单体进行自由基聚合、即晶种聚合的方法。

所述制备方法（i）中，作为乙烯基系单体，也可以并用所述具有2个以上的乙烯基的硅烷化合物、和具有乙烯基的二或三烷氧基硅烷等的具有乙烯基的硅烷化合物。所述制备方法（ii）中，通过至少使用可形成所述第三方式的硅烷系交联性单体，可得到引入了聚硅氧烷骨架的乙烯基聚合物粒子。

所述制备方法（iii）中，作为晶种粒子，优选使用非交联或交联度较低的聚苯乙烯粒子、聚硅氧烷粒子。通过在晶种粒子中使用聚硅氧烷粒子，可在乙烯基聚合物引入聚硅氧烷骨架。

作为聚硅氧烷粒子，优选为将含有可形成所述第三方式（乙烯基聚合物-聚硅氧烷之间交联）的硅烷系交联性单体的组合物进行（共）水解缩合所得到的聚硅氧烷粒子，特别优选含有乙烯基的聚硅氧烷粒子。聚硅氧烷粒子具有乙烯基的情况下，所得到的乙烯基聚合物粒子，由于乙烯基聚合物和聚硅氧烷骨架经由构成聚硅氧烷的硅原子结合，因而弹性变形性和接触压变得特别良好。含有乙烯基的聚硅氧烷粒子，例如，可通过将含有具有乙烯基的二或三烷氧基硅烷的硅烷系单体（混合物）（共）水解缩合来制备。

此外，所述乙烯基聚合物粒子含有聚硅氧烷骨架的情况下，对基材粒子实施加热处理也是优选的方式。所述加热处理优选在空气气氛下或惰性气氛下进行，更优选在惰性气氛下（例如，氮气气氛下）进行。所述加热处理的温度优选为120℃（更优选为180℃，进一步优选为200℃）以上，热分解温度优选为（更优选为350℃，进一步优选为330℃）以下。所述加热处理的时间优选为0.3小时（更优选为0.5小时，进一步优选为0.7小时）以上，优选为10小时（更优选为5.0小时，进一步优选为3.0小时）以下。

1-2-2.氨基树脂

氨基树脂粒子优选为由氨基化合物和甲醛的缩合物构成。

作为所述氨基化合物，例如，可举出苯代三聚氰胺、环己烷羰基胍胺、环己烯羰基胍胺、乙酰胍胺、降冰片烯羰基胍胺、螺胍胺等的胍胺化合物、三聚氰胺等的具有三嗪环结构的化合物等的多官能度氨基化合物。它们中，优选为多官能度氨基化合物。更优选为具有三嗪环结构的化合物，特别优选为三聚氰胺、胍胺化合物（特别是苯代三聚氰胺）。所述氨基化合物可以仅使用一种，也可以两种以上并用。

所述氨基树脂粒子，在氨基化合物中，优选含有10质量%以上的胍胺化合物，更优选为20质量%以上，进一步优选为50质量%以上。氨基化合物中的胍胺化合物的含有比例在上述范围内时，粒度分布更窄，粒径可更精密地控制。而且，作为氨基化合物，也优选仅使用胍胺化合物。

氨基树脂粒子，例如，可通过在水性介质中使氨基化合物和甲醛反应（加成缩合反应）来得到。通常、该反应在加热下（50-100℃）进行。此外，通过在十二烷基苯磺酸、硫酸等的酸催化剂的存在下进行反应，可提高交联度。

作为氨基树脂粒子的制备方法，例如，优选适用特开2000-256432号公报、特开2002-293854号公报、特开2002-293855号公报、特开2002-293856号公报、特开2002-293857号公报、特开2003-55422号公报、特开2003-82049号公报、特开2003-138023号公报、特开2003-147039号公报、特开2003-171432号公报、特开2003-176330号公报、特开2005-97575号公报、特开2007-186716号公报、特开2008-101040号公报、特开2010-248475号公报等中记载的氨基树脂交联粒子及其制备方法。

作为具体例子，将所述多官能度氨基化合物和甲醛在水性介质（优选为碱性水性介质）中反应（加成缩合反应）生成缩合低聚物，在溶解或分散有该缩合低聚物的水性介质中混合十二烷基苯磺酸或硫酸等的酸催化剂使其固化，由此能够制备交联的氨基树脂粒子。生成缩合低聚物的步骤、形成交联结构的氨基树脂的步骤，均优选在50-100℃的温度下加热的状态下进行。此外，通过使加成缩合反应在表面活性剂的存在下进行，能够得到粒度分布窄的氨基树脂粒子。

1-2-3.有机硅氧烷粒子

有机聚硅氧烷粒子可以通过将不含有乙烯基的硅烷系单体（硅烷系交联性单体、硅烷系非交联性单体）的1种或2种以上（共）水解缩合而得到。

作为不含有所述乙烯基的硅烷系单体，例如，可举出：甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷等的3官能度硅烷系单体；3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷等具有环氧基的二或三烷氧基硅烷；3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷等具有氨基的二或三烷氧基硅烷等。

所述基材粒子的10%K值优选为500N/mm²以上且为30000N/mm²以下。基材粒子的10%K值过小时，在作为各向异性导电材料使用时，有可能不能充分地排除周围的粘合剂，或者由于与电极的咬合状况不良，有可能不能获得低的连接电阻值。另一方面，基材粒子的10%K值过大时，有可能不能确保对连接部位良好的电接触状态。基材粒子的10%K值更优选为1000N/mm²以上且为27000N/mm²以下。

而且，基材粒子的10%K值为将粒子压缩10%时（粒子的直径位移10%时）的压缩弹性率，例如，可以使用公知的小型压缩试验机（岛津制作所制“MCT-W500”等），在室温下沿粒子的中心方向以2.2295mN/秒的荷重负荷速度施加荷重，测量压缩位移直至粒径的10%为止使粒子变形时的荷重（压缩荷重：N）和位移量（压缩位移：mm），基于下述式求出。

[数学式1]

$E=\frac{3\×F}{2^{1/2}\×S^{3/2}\×R^{1/2}}$

（其中，E：压缩弹性率（N/mm²），F：压缩荷重（N），S：压缩位移（mm），R：粒子的半径（mm）。）

所述基材粒子（树脂粒子）的个数平均粒径优选为1μm以上、更优选为1.5μm以上、进一步优选为2μm以上，优选为50μm以下、更优选为40μm以下、进一步优选为30μm以下。所述基材粒子的粒径的个数基准的变异系数（CV值）优选为20%以下，更优选为15%以下，进一步优选为10%以下。

如上述那样，导电性微粒变得细小（具体而言，个数平均粒径小于10.0μm）时，本发明的效果变得更显著。因此，基材粒子的个数平均粒径优选为小于10.0μm，更优选为9.5μm以下，进一步优选为8μm以下，进一步优选为5μm以下，更进一步优选为3μm以下，再进一步优选为2.8μm以下，特别优选为2.6μm以下。

特别是镍的结晶粒径为3nm以下的本发明中，优选使基材粒子的个数平均粒径为3μm以下，更优选为2.7μm以下，进一步优选为2.4μm以下。即使这样使粒径变小，在高压缩连接时也能够维持低电阻。更详细地进行说明时，在以往的导电性微粒（镍的结晶粒径为通常情况的导电性微粒）中，使基材粒子的个数平均粒径减小至3μm以下左右时，存在以下特有的不良情况，即在高压缩连接时对镍层的负荷变大，其结果产生的导电金属层的断裂引起连接电阻值较大提高；但是根据本发明的导电性微粒，粒径为3μm以下时能够解决该特有的课题。而且，个数平均粒径的下限例如为1μm以上，优选为1.5μm以上，进一步优选为2.0μm以上。

从以这样微小的粒径降低对镍层的负荷的观点出发，此时，基材粒子的10%K值优选为3000N/mm²以上且为30000以下。更优选为4000N/mm²以上、进一步优选为5000N/mm²以上。

另一方面，使基材粒子为中值粒径、即个数平均粒径为8μm以上、更优选为9μm以上，是能够有效利用本发明的效果的一种实施方式。本发明中，由于使镍的结晶粒径为3nm以下，镍层变得柔软，可在较大范围内追随基材粒子的变形（其结果，所述比（L1/L2）变大）。因此，即使粒径变大，变形量增多，也不会产生镍电镀层的破坏或断裂，能够获得连接面积，且能够使高压缩时的连接电阻值变小。

从以这样的中值粒径可产生较大变形的观点出发，此时，基材粒子的10%K值优选较小。使基材粒子的个数平均粒径为8μm以上时的10%K值，例如为6000N/mm²以下，优选为5000N/mm²以下，进一步优选为4000N/mm²以下。

1-3.导电性微粒的制法

本发明的导电性微粒可通过化学镀方法来制备，通过控制镀镍溶液中的络合剂的种类或浓度、镀镍溶液的溶液温度等，可控制镍的结晶粒径。作为制备方法的具体例子，可举出包括第一化学镀工序及第二化学镀工序的制备方法（方式1）；包括使用特定的电镀液进行的化学镀工序的制备方法（方式2）。以下，对方式1、2的制备方法进行说明。

所述方式1、2的任意一种制备方法中，供给到化学镀工序的基材粒子均实施催化剂化处理。此外，基材粒子本身不具有亲水性，在与导电性金属层的粘附性不良的情况下，优选在催化剂化工序前设置蚀刻处理工序。

蚀刻处理

在蚀刻处理工序中，使用铬酸、铬酸酐-硫酸混合液、高锰酸等的氧化剂；盐酸、硫酸、氢氟酸、硝酸等的强酸；氢氧化钠、氢氧化钾等的强碱溶液；其它市售的各种蚀刻剂等，在基材粒子的表面赋予亲水性，提高对于之后的化学镀溶液的润湿性。此外，形成微小的凸凹，通过该凸凹的锚定效果，实现后述的化学镀后的基材粒子与导电性金属层粘附性的提高。

催化剂化处理

在所述催化剂化处理中，在基材粒子表面捕获贵金属离子后，将其还原使所述贵金属负载在基材粒子表面，在基材粒子的表面上形成可成为之后工序的化学镀的起点的催化剂层。基材粒子本身不具有贵金属离子的捕获能力时，优选在进行催化剂化之前，进行表面改性处理。表面改性处理可以使基材粒子与溶解有表面处理剂的水或有机溶剂接触来进行。

催化剂化处理，例如，在氯化钯或硝酸银等的贵金属盐的稀酸性水溶液中浸渍蚀刻后的基材粒子后，将基材粒子分离并水洗。接着分散到水中，在其中加入还原剂，进行贵金属离子的还原处理。作为所述还原剂，例如，可举出次磷酸钠、二甲胺硼烷、硼氢化钠、硼氢化钾、肼、福尔马林等。还原剂可以单独使用一种，也可以两种以上并用。

此外，也可以使用以下方法：通过使基材粒子与含有锡离子（Sn²⁺）的溶液接触，使锡离子吸附在基材粒子表面来进行敏感化处理后，通过浸渍在含有钯离子（Pd²⁺）的溶液中，在基材粒子表面使钯析出方法（敏化-活化法）等。

方式1

作为方式1的制备方法的一个例子，对所述结晶粒径为3nm以下、且镍镀层的晶界结构为叶脉状的导电性微粒的制备方法进行说明。

在第一化学镀工序及第二化学镀工序中，对如上述那样负载了贵金属的基材粒子，形成镍层。而且，在第一化学镀工序中，负载有贵金属的基材粒子的表面以达到平滑的程度来形成极薄的镍层，通过第二化学镀来调整镍层的厚度。在这些化学镀工序中，通过在溶解有镍盐、还原剂及络合剂的电镀液中浸渍基材粒子，以贵金属催化剂为起点，用还原剂将电镀液中的镍离子还原，在基材粒子表面析出镍，形成镍层。

第一化学镀工序

在第一化学镀工序中，首先，使基材粒子充分分散在水中，配制基材粒子的水性浆料。在此，为了显示稳定的导电特性，优选使基材粒子预先充分分散在进行镀覆处理的水性介质中。作为使基材粒子分散在水性介质中的方法，例如，可以采用普通搅拌装置、高速搅拌装置、胶体磨或均质机等剪切分散装置等以往公知的分散方法，还可以根据需要并用超声波或分散剂（表面活性剂等）。而且，在上述催化剂化工序中，也可以将进行还原处理后的基材粒子分散液直接作为水性浆料使用。

接着，在含有镍盐、还原剂、络合剂及各种添加剂等的化学镀溶液中添加上述配制的基材粒子的水性浆料（或者还原处理后的基材粒子分散液），形成水性悬浊液。化学镀反应在电镀液中添加催化剂化基材粒子的水性浆料时迅速开始。此外，该反应中由于伴有氢气的产生，在完全确认不到氢气的产生的时刻结束化学镀反应即可。

作为所述镍盐，可举出氯化镍、硫酸镍、乙酸镍等的镍盐等。作为所述还原剂，可使用在催化剂化处理工序中所例示的物质。

在第一化学镀工序中使用的电镀液，重要的是使用柠檬酸、羟基乙酸、酒石酸、苹果酸、乳酸、丙二酸等的有机羧酸或其盐作为络合剂。它们中，优选使用酒石酸钠。所述络合剂的浓度优选为0.001-10mol/L，更优选为0.005-5mol/L，进一步优选为0.01-2mol/L。在第一化学镀工序中使用的电镀液中的镍盐浓度优选为1.0×10^-4～1.0mol/L，更优选为1.0×10^-3～0.2mol/L。此外，还原剂的浓度优选为1.0×10^-4～3.0mol/L，更优选为1.0×10^-3～0.3mol/L。

在第一化学镀工序中，相对于负载有贵金属的基材粒子100质量份，电镀液的用量优选为200-2000000质量份，更优选为500-1000000质量份。所述电镀液中浸渍基材粒子时的溶液温度、浸渍时间可以进行适当调整，但优选溶液温度为50℃-95℃。

第二化学镀工序

在第二化学镀工序中，在所述第一化学镀工序后的水性悬浊液中添加电镀液。将在第二化学镀工序中使用的电镀液分为含有络合剂的含镍离子溶液、和含还原剂的溶液这两种液体进行调整。含镍离子溶液中，重要的是含有氨基乙酸作为络合剂。此外，相对于在第一化学镀工序中使用的络合剂，重要的是通过逐次添加氨基乙酸，在电镀液中形成络合剂的浓度梯度。所述氨基乙酸的浓度优选为0.001-10mol/L，更优选为0.01-10mol/L。在第二化学镀工序中使用的电镀液中的镍盐浓度优选为0.1-2mol/L，更优选为0.5-1.5mol/L。此外，还原剂的浓度优选为0.1-20mol/L，更优选为1-10mol/L。第二化学镀工序中使用的氨基乙酸相对于电镀液中的第一化学镀工序中使用的络合剂的比率优选为0.2-2，特别优选为0.3-1。

在所述电镀液中浸渍基材粒子时的溶液温度、浸渍时间可以进行适当调整，但优选溶液温度为50℃-95℃。第二化学镀工序结束后，从水性悬浊液中取出形成了导电性金属层的基材粒子，根据需要实施洗涤、干燥，由此得到导电性微粒。

方式2

接着，对方式2的制备方法进行说明。方式2的制备方法包括使用特定的电镀液进行的化学镀工序。

化学镀工序

在化学镀工序中，在通过所述催化剂化工序吸附有钯催化剂的催化剂化基材粒子表面形成导电性金属层。化学镀处理为：通过在溶解有还原剂和所期望的金属盐的电镀液中浸渍催化剂化基材粒子，以钯催化剂为起点，用还原剂将电镀液中的金属离子还原，在基材粒子表面上析出所期望的的金属，形成导电性金属层。在此，为了形成所述结晶粒径为3nm以下的镍层，必须使用特定的电镀液。作为这样的电镀液，可举出例如由上村工业社市售的“ニムデン（注册商标）KFJ-20-M”和“ニムデンKFJ-20-MA”、“ニムデンNKY-2-M”、“ニムデンNKY-2-A”、“ニムデンLPX-5M”、“ニムデンLPX-A”、由日本カニゼン社市售的“シューマー（注册商标）S680”。在化学镀反应结束后，从反应体系内将形成有导电性金属层的基材粒子取出，根据需要实施洗涤、干燥，由此可得到导电性微粒。

在所述方式1、2的制备方法中，通过对所得到的导电性微粒实施热处理，能够使结晶粒径变大。该方法在希望将结晶粒径控制在1.5nm以上且为3nm以下（优选为1.7nm以上且为3nm以下）的范围时特别有效。所述热处理是在非氧化性气氛下对导电性微粒实施热处理。作为所述非氧化性气氛，可举出惰性气氛或还原性气氛。作为所述惰性气氛，可举出氮气、氩气等的惰性气体气氛。

所述热处理的温度为180℃以上，优选为200℃以上，更优选为230℃以上，进一步优选为260℃以上，特别优选为280℃以上。热处理温度越高，结晶粒径变得越大。另一方面，热处理温度变得过高时，由于基材粒子会进行热分解，因此热处理温度优选为350℃以下，更优选为330℃以下，进一步优选为300℃以下。所述热处理的时间优选为0.3小时以上，更优选为0.5小时以上，进一步优选为0.7小时以上。热处理时间越长，结晶粒径变得越大。另一方面，热处理时间过长时，由于存在镍氧化的趋势，因而热处理时间优选为10小时以下，更优选为5.0小时以下，进一步优选为3.0小时以下。

2.具有突起的导电性微粒

导电性微粒的表面可以是平滑的，也可以是凸凹状的，从有效排除粘合剂树脂可与电极进行连接的观点考虑，优选具有多个突起。通过具有突起，能够提高将导电性微粒用于电极间连接时的连接可靠性。

作为使导电性微粒的表面形成突起的方法，可举出：（1）在基材粒子合成中的聚合工序中，得到利用高分子的相分离现象在表面形成突起的基材粒子后，利用化学镀形成导电性金属层的方法；（2）使基材粒子表面附着金属粒子、金属氧化物粒子等的无机粒子或有机聚合物构成的有机粒子后，利用化学镀形成导电性金属层的方法；（3）在基材粒子表面进行化学镀后，附着金属粒子、金属氧化物粒子等的无机粒子或有机聚合物构成的有机粒子，进而进行化学镀的方法；（4）利用化学镀反应时电镀液的自我分解，使成为突起的核的金属在基材粒子表面析出，进而进行化学镀，由此形成包含突起部的导电性金属层形成为连续皮膜的导电性金属层的方法；等。

所述突起的高度优选为20nm-1000nm，更优选为30nm-800nm，进一步优选为40nm-600nm，特别优选为50nm-500nm。突起的高度在所述范围时，连接可靠性进一步提高。而且，突起的高度可以用电子显微镜观察任意10个导电性微粒来求出。具体而言，对于所观察的导电性微粒的边缘部的突起，可以通过对1个导电性微粒测定任意10个突起高度，将其测定值进行平均计算来求得。

所述突起的数量没有特别限定，从确保高的连接可靠性的方面考虑，优选在用电子显微镜观察导电性微粒的表面时的任意的正投影面内，具有至少1个以上的突起，更优选为5个以上，进一步优选为10个以上。

3.绝缘包覆导电性微粒

本发明的导电性微粒可以为表面的至少一部分具有绝缘层的方式（绝缘包覆导电性微粒）。这样在表面的导电性金属层上进一步层压绝缘层时，能够防止形成高密度电路时或端子连接时等易产生的横向传导。

绝缘层的厚度优选为0.005μm-1μm，更优选为0.01μm-0.8μm。绝缘层的厚度在所述范围内时，能够良好地维持导电性微粒带来的传导特性，并且粒子间的电绝缘性变得良好。

作为所述绝缘层，只要是能够确保导电性微粒的粒子间的绝缘性，通过一定的压力和/或加热容易地使该绝缘层破坏或剥离的绝缘层，就没有特别的限定，例如，可举出聚乙烯等的聚烯烃类；聚(甲基)丙烯酸甲酯等的(甲基)丙烯酸酯聚合物及共聚物；聚苯乙烯；等的热塑性树脂或其交联物；环氧树脂、酚醛树脂、三聚氰胺树脂等的热固性树脂；聚乙烯醇等的水溶性树脂及它们的混合物；硅树脂等的有机化合物、或二氧化硅、氧化铝等的无机化合物。其中，优选为热塑性树脂或其交联物，优选为(甲基)丙烯酸酯聚合物及共聚物或其交联物。在形成(甲基)丙烯酸酯聚合物及共聚物时使交联性单体共存，能够得到所述聚合物的交联物。作为交联性单体，没有特别限定，可举出例如(甲基)丙烯酸烯丙酯等的(甲基)丙烯酸烯丙酯类；乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯等的烷基二醇二(甲基)丙烯酸酯；二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯等的聚亚烷基二醇二(甲基)丙烯酸酯等的二(甲基)丙烯酸酯类；三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯等的三(甲基)丙烯酸酯类；季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯等的四(甲基)丙烯酸酯类；二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等的六(甲基)丙烯酸酯类；二乙烯基苯、二乙烯基萘、及它们的衍生物等的芳香族烃系交联剂（优选为二乙烯基苯等的苯乙烯系多官能度单体）；N，N-二乙烯基苯胺、乙烯醚、二乙烯基硫化物、二乙烯基磺酸等的含杂原子的交联剂等。其中，优选为芳香族烃系交联剂，优选为二乙烯基苯。

作为绝缘包覆层的优选方式，为热塑性树脂通过芳香族烃系交联剂得到的交联物，作为更优选的方式，为(甲基)丙烯酸酯聚合物及共聚物通过二乙烯基苯得到的交联物。

所述绝缘层可以为单层，也可以是多层构成的绝缘层。例如，可以是形成有单一或多个皮膜状的层，也可以是在导电性金属层的表面上附着了具有绝缘性的粒状、球状、块状、鳞片状及其它形状的粒子的层，进一步，还可以是通过在导电性金属层的表面进行化学修饰而形成的层，或者，还可以是它们组合而成的绝缘层。它们中，优选在导电性金属层表面附着具有绝缘性的粒子（以下，称为“绝缘粒子”。）的方式。

绝缘粒子的平均粒径可以根据导电性微粒的平均粒径或绝缘包覆导电性微粒的用途而适当选择，绝缘粒子的平均粒径优选为0.005μm-1μm的范围，更优选为0.01μm-0.8μm。绝缘粒子的平均粒径比0.005μm小时，多个导电性微粒间的导电层之间变得容易接触，比1μm大时，在相向的电极间夹持导电性微粒时应当发挥的导电性有可能变得不充分。

绝缘粒子的平均粒径的变异系数（CV值）优选为40%以下，更优选为30%以下，最优选为20%以下。CV值超过40%时，传导性有可能变得不充分。

绝缘粒子的平均粒径优选为导电性微粒的平均粒径的1/1000以上、1/5以下。绝缘粒子的平均粒径为所述范围时，能够在导电性微粒的表面上形成均匀的绝缘粒子层。此外，可以使用粒径不同的2种以上的绝缘粒子。

绝缘粒子可以在其表面上具有用于提高对导电性微粒的粘附性的官能团。作为所述官能团，可举出氨基、环氧基、羧基、磷酸基、硅烷醇基、铵基、磺酸基、巯基、硝基、腈基、唑啉基、吡咯烷酮基、磺酰基、羟基等。

导电性微粒表面的绝缘粒子的包覆率（绝缘包覆导电性微粒的正投影面）优选为1%以上且为98%以下，更优选为5%以上且为95%以下。通过使绝缘粒子在导电性微粒上的包覆率为所述范围，能够确保充分的传导性，并且能够使相邻接的绝缘包覆导电性微粒之间切实地绝缘。而且，上述包覆率，例如可通过以下方法进行评价：使用电子显微镜观察任意100个绝缘包覆导电性微粒表面时，测定绝缘包覆导电性微粒的正投影面上的绝缘粒子所包覆的部分和树脂粒子未被包覆的部分的面积比例。

4.各向异性导电材料

本发明的导电性微粒作为各向异性导电材料是有用的。

作为所述各向异性导电材料，可举出所述导电性微粒分散到粘合剂树脂中形成的材料。各向异性导电材料的形态没有特别的限定，例如，可举出各向异性导电膜、各向异性导电膏、各向异性导电粘合剂、各向异性导电油墨等各种各样的形态。通过将这些各向异性导电材料设置在相向的基材之间或电极端子之间，可形成良好的电连接。而且，使用了本发明的导电性微粒的各向异性导电材料还包括用于液晶显示元件的传导材料（传导隔板及其组成物）。

在所述粘合剂树脂中分散导电性微粒而成的、浆料状（各向异性导电膏）或薄膜状（各向异性导电膜）的各向异性导电性材料，被广泛使用于使LCD（液晶显示器）、PDP（等离子显示面板）、OLED（有机发光二极管）等的FPD（平板显示器）的基板与向其输送图像信号的驱动IC进行粘合，形成电连接的材料。具体而言，除了使用于以下连接中，搭载了发射用于驱动面板的信号的驱动IC的、TCP（带载封装）、COF（薄膜覆晶）包等的信号输出电极与LCD面板的连接（通常称为FOG），TCP、COF等与向其输入信号的印刷基板（PWB：印刷电路板）的连接（通常称为FOB），将驱动IC以对芯片的状态下安装到LCD面板上的COG（玻璃覆晶）方式的连接等，还可使用于触摸面板引出电路和FPC（柔性印刷电路板）的连接或相机模块的连接。

在这些用途的中，本发明的各向异性导电性材料适用于FPD的FOG连接、COG连接、以及触摸面板引出电路和FPC连接用。作为各向异性导电材料的形态可以为膏状，也可以为薄膜状，从进一步提高连接可靠性的方面考虑，优选为薄膜状（各向异性导电膜）。

作为所述粘合剂树脂，只要是绝缘性的树脂就没有特别限定，例如，可举出丙烯酸树脂、苯乙烯树脂、乙烯-乙酸乙烯酯树脂、苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物等的热塑性树脂；环氧树脂、酚醛树脂、尿素树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、聚酰亚胺树脂等的热固性树脂等。

粘合剂树脂组合物可以根据需要配合填充剂、软化剂、促进剂、抗老化剂、着色剂（颜料、染料）、抗氧剂、各种偶联剂、光稳定剂、紫外线吸收剂、滑剂、防静电剂、阻燃剂、热传导改善剂、有机溶剂等。

而且，所述各向异性导电材料可通过在所述粘合剂树脂中分散导电性微粒、形成为所期望的形态来得到，但是，例如，也可以分别使用粘合剂树脂和导电性微粒，在希望连接的基材之间或电极端子之间通过使导电性微粒与粘合剂树脂一同存在来进行连接。

所述各向异性导电材料中，导电性微粒的含量可以根据用途适当确定，例如，相对于各向异性导电材料的总量优选为0.01体积%以上，更优选为0.03体积%以上，进一步优选为0.05体积%以上，优选为50体积%以下，更优选为30体积%以下，进一步优选为20体积%以下。导电性微粒的含量过少时，存在难以得到充分的电传导的情况，另一方面，导电性微粒的含量过多时，导电性微粒之间不接触，存在难以发挥作为各向异性导电材料的功能的情况。

对于所述各向异性导电材料中的膜厚、浆料或粘合剂的涂布膜厚、印刷膜厚等，优选考虑所使用的导电性微粒的粒径和应连接电极的规格，以在应连接的电极之间夹持导电性微粒、且应连接的电极所形成的接合基板之间的空隙被粘合剂树脂层充分填充的方式，来适当设定。

本申请基于2011年9月22日申请的日本专利申请第2011-207845号主张优先权利益。2011年9月22日申请的日本专利申请第2011-207845号的说明书的全部内容可作为参考援引到本申请中。

[实施例]

以下，通过列举实施例对本发明进行更具体地说明，但本发明不受下述实施例的限制，可在适合前后述的宗旨的范围内适当变更实施，它们均包含在本发明的技术范围内。

1.评价方法

1-1.个数平均粒径、变异系数（CV值）

利用粒度分布测定装置（ベックマンコールター社制，“コールターマルチサイザーIII型”）测定30000个粒子的粒径，求出个数基准的平均粒径、粒径的标准偏差，同时根据下述式计算出粒径的个数基准的CV值（变异系数）。

粒子的变异系数（%）=100×（粒径的标准偏差/个数基准平均粒径）

而且，对于基材粒子，将在基材粒子0.005份中添加表面活性剂（第一工业制药社制，“ハイテノール（注册商标）N-08”）的1%水溶液20份、用超声波分散10分钟所形成的分散液作为测定试样。对于晶种粒子，将在水解、缩合反应中得到的分散液用表面活性剂（第一工业制药社制，“ハイテノール（注册商标）N-08”）的1%水溶液稀释而成的溶液作为测定试样。

1-2.结晶粒径

使用粉末X射线衍射装置（リガク社制，“RINT（注册商标）-TTRIII”），对导电性微粒进行X射线衍射测定。接着，作为解析软件使用总粉末X射线解析软件（リガク社制，“PDKL”），从归属于米勒指数（111）的晶格面的峰（衍射线）的宽度（积分宽度），基于Scherrer式计算出与该晶格面垂直方向的结晶粒径Ds（111）。

1-3.导电性金属层截面观察

通过取导电性微粒0.1g到玛瑙研钵进行研磨，使金属层断裂。用扫面电子显微镜以100000倍的放大倍率观察研磨后的导电性金属层的金属层的厚度方向的截面。按照以下评价镍层的结构。

A：镍层的晶界在厚度方向上取向。

B：镍层上未确认到晶界。

C：镍层的晶界均未确认到A和B两者的结构。

D：镍层的晶界形成叶脉状的结构。

1-4.导电性金属层膜厚

使用流动式粒子图像解析装置（シスメックス社制，“FPIA（注册商标）-3000”），测定3000个基材粒子的粒径、3000个导电性微粒的粒径，求出基材粒子的个数平均粒径X（μm）、导电性微粒的个数平均粒径Y（μm）。然后，按照下述式计算出导电性金属层的膜厚。

导电性金属层膜厚（μm）=（Y-X）/2

1-5.磷浓度

在导电性微粒0.05g中加入王水4ml，通过在加热下搅拌，使金属层溶解并过滤。然后，使用ICP发光分析装置分析滤液中的镍及磷的含量。

1-6.压缩变形特性

以导电性微粒为试样粒子，使用岛津小型压缩试验机（岛津制作所制，“MCT-W500”），在室温（25℃）下进行测定。具体而言，对分散在试样台（材质：SKS平板）的1个试样粒子，使用直径50μm的圆形平板压头（材质：金刚石），向粒子的中心方向以一定的负荷速度（2.2295mN/秒（0.2275gf/秒））施加荷重。如图1所示，任意的粒子均显示出表示预备破坏行为的拐点X和破坏点Y的第二阶段的行为。求出拐点X的压缩荷重值P1及此时的压缩变形率L1（%）、及破坏点Y的压缩荷重值P2及此时的压缩变形率L2（%）。

P1：拐点X的压缩荷重值（mN）

P2：破坏点Y的压缩荷重值（mN）

L1：拐点X的压缩变形率（%）=压缩位移（μm）/粒径（μm）

L2：破坏点Y的压缩变形率（%）=压缩位移（μm）/粒径（μm）

1-7.压缩连接电阻值

使用岛津小型压缩试验机（岛津制作所制「MCT-W200」）电阻测定套件配套装置，在室温（25℃）下进行测定。具体而言，对分散在试样台上的1个试样粒子，使用直径50μm的圆形平板压头，向粒子的中心方向以一定的负荷速度（2.6mN/秒（0.27gf/秒））施加荷重进行测定。测定10次，求出粒径的30%压缩变形时的电阻值（A）及40%压缩变形时的电阻值（B）各自的平均值。

在此，将30%压缩连接电阻值（A）为80Ω以下的情况评价为初期电阻○、将大于80Ω的情况评价为初期电阻×。此外，将B（Ω）/A（Ω）为1.00以下的情况评价为高压缩电阻值升高◎，将大于1.00不足1.10的情况评价为高压缩电阻值升高○，将1.10以上且小于2.00的情况评价为高压缩电阻值升高×，将2.00以上的情况评价为高压缩电阻值升高××。

1-8.耐湿性试验

将导电性微粒放入开放的容器中，用恒温恒湿容器在30℃90%RH的条件下静置12小时后，测定30%压缩连接电阻值。

在此，将耐湿性试验前后的30%压缩连接电阻值（Ω）的差为5Ω以下的情况评价为耐湿性◎，将大于5Ω且15Ω以下的情况评价为耐湿性○。

1-9.基材粒子的10%K值

使用小型压缩试验机（岛津制作所制“MCT-W500”），在室温（25℃）下，对分散在试样台上的1个试样粒子，使用直径50μm的圆形平板压头，以“标准表面检测”模式向粒子的中心方向以一定的负荷速度（2.2295mN/秒）施加荷重。然后，测定压缩位移达到粒径的10%时的荷重（mN），从所得到的压缩荷重、粒子的压缩位移及粒径计算出10%K值。而且，针对各试样，测定是对不同的10个粒子进行，以平均值作为测定值。

1-10.绝缘特性的评价

以导电连接结构体作为测定试样，通过四端子法测定相邻接的电极之间的绝缘电阻。

以n=50进行测定，求出电阻值达到100MΩ以上时的比例（%）。

2.基材粒子的准备

2-1.[合成例1]氨基树脂粒子的合成

将含有三聚氰胺、苯代三聚氰胺、福尔马林及碳酸钠水溶液的水性介质在搅拌的同时加热到85℃，得到初期缩合物。另外，将非离子系表面活性剂（“エマルゲン（注册商标）430”，花王社制）水溶液在搅拌的同时加热到50℃。在该表面活性剂水溶液中投入上述初期缩合物得到乳浊液。在其中加入十二烷基苯磺酸水溶液作为固化催化剂，在50-60℃下保持3小时进行缩聚，得到固化树脂的乳浊液。使从该乳浊液中沉降分离固化树脂而得到的浆料分散到エマルゲン430和十二烷基苯磺酸水溶液中，在90℃下保持1小时后急冷。从该乳浊液中，通过沉降分离得到固化球状树脂（在此，三聚氰胺/苯代三聚氰胺/甲醛的质量比为31.5/31.5/37。）。

在上述的固化球状树脂中加入水及固化催化剂（“キャタニットA”，日东理研社制），用高压釜在170℃下加热加压处理3小时。该处理后，将粒子过滤并用纯水洗涤数次后，在160℃下干燥4小时，得到氨基树脂粒子。

所得到的氨基树脂粒子的个数平均粒径为14μm，粒径的变异系数为4.5%。

2-2.[合成例2]乙烯基聚合物粒子1的合成

在具备冷却管、温度计、滴液口的四口烧瓶中，加入离子交换水1800份、25%氨水24份、甲醇355份，在搅拌下，从滴液口添加3-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷100份及甲醇245份的混合液，进行3-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷的水解、缩合反应，配制具有甲基丙烯酰基的聚硅氧烷粒子(聚合性聚硅氧烷粒子)的乳浊液。该聚硅氧烷粒子的个数平均粒径为3.02μm。

接着，在用离子交换水400份溶解了作为乳化剂的聚氧乙烯苯乙烯化苯基醚硫酸铵盐（第一工业制药社制“ハイテノール（注册商标）NF-08”）的20%水溶液10份的溶液中，加入苯乙烯200份及DVB960（新日铁化学社制，二乙烯基苯含量为96质量%）200份和2,2’-偶氮双(2,4-二甲基戊腈）（和光纯药工业社制“V-65”）4.8份，使其乳化分散来配制单体成分的乳化液。将该乳化液搅拌2小时后，将得到的乳化液添加到上述聚硅氧烷粒子的乳浊液中，进一步进行搅拌。从添加乳化液开始1小时后，对混合液进行采样用显微镜观察后，确认到聚硅氧烷粒子吸收单体而变得肥大。

在所述混合液中加入所述聚氧乙烯苯乙烯化苯基醚硫酸铵盐的20%水溶液96份、离子交换水500份，在氮气气氛下升温至65℃，在65℃下保持2小时，进行单体成分的自由基聚合。将自由基聚合后的乳浊液进行固液分离，将所得到的滤饼用离子交换水、甲醇洗净后，在氮气气氛下、在280℃下烧结处理1小时，得到聚合物粒子，将其作为乙烯基聚合物粒子。该乙烯基聚合物粒子的个数平均粒径为6.04μm，变异系数（CV值）为3.4%。

2-3.[合成例3]乙烯基聚合物粒子2的合成

配制聚合性聚硅氧烷粒子的乳浊液时，除了在四口烧瓶中加入离子交换水1800份、25%氨水24份以及甲醇450份，在搅拌下，从滴液口添加3-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷150份及甲醇500份的混合液以外，与合成例1同样地制作乙烯基聚合物粒子2。此时聚硅氧烷粒子的个数平均粒径为1.50μm，该乙烯基聚合物粒子2的个数平均粒径为3.00μm，变异系数（CV值）为3.5%。

2-4.[合成例4]乙烯基聚合物粒子3的合成

在配制聚合性聚硅氧烷粒子的乳浊液时，除了在四口烧瓶中加入离子交换水1800份、25%氨水24份以及甲醇500份，在搅拌下，从滴液口添加3-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷100份及甲醇100份的混合液以外，与合成例1同样地制作乙烯基聚合物粒子3。此时聚硅氧烷粒子的个数平均粒径为1.35μm，该乙烯基聚合物粒子3的个数平均粒径为2.71μm，变异系数（CV值）为3.4%。

2-5.[合成例5]乙烯基聚合物粒子4的合成

在配制聚合性聚硅氧烷粒子的乳浊液时，除了在四口烧瓶中加入离子交换水1800份、25%氨水24份以及甲醇550份，在搅拌下，从滴液口添加3-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷100份及甲醇50份的混合液以外，与合成例1同样地制作乙烯基聚合物粒子4。此时聚硅氧烷粒子的个数平均粒径为1.15μm，该乙烯基聚合物粒子4的个数平均粒径为2.30μm，变异系数（CV值）为3.6%。

2-6.[合成例6]乙烯基聚合物粒子5的合成

在配制聚合性聚硅氧烷粒子的乳浊液时，除了在四口烧瓶中加入离子交换水1800份、25%氨水24份以及甲醇600份，在搅拌下，从滴液口添加3-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷100份以外，与合成例1同样地制作乙烯基聚合物粒子5。此时聚硅氧烷粒子的个数平均粒径为0.99μm，该乙烯基聚合物粒子5的个数平均粒径为2.02μm，变异系数（CV值）为3.8%。

2-7.[合成例7]乙烯基聚合物粒子6的合成

在配制吸收在聚硅氧烷粒子上的单体成分的乳化液时，除了使用苯乙烯300份和二乙烯基苯（DVB960）100份替代苯乙烯200份及二乙烯基苯（DVB960）200份以外，与合成例5同样地制作乙烯基聚合物粒子6。该乙烯基聚合物粒子6的个数平均粒径为2.31μm，变异系数（CV值）为3.9%。

2-8.[合成例8]乙烯基聚合物粒子7的合成

在配制吸收在聚硅氧烷粒子上的单体成分的乳化液时，除了使用苯乙烯400份替代苯乙烯200份及二乙烯基苯（DVB960）200份以外，与合成例5同样地制作乙烯基聚合物粒子7。该乙烯基聚合物粒子7的个数平均粒径为2.28μm，变异系数（CV值）为3.9%。

2-9.[合成例9]乙烯基聚合物粒子8的合成

在配制吸收在聚硅氧烷粒子上的单体成分的乳化液时，除了使用二乙烯基苯（DVB960）400份替代苯乙烯200份及二乙烯基苯（DVB960）200份以外，与合成例5同样地制作乙烯基聚合物粒子8。该乙烯基聚合物粒子8的个数平均粒径为3.03μm，变异系数（CV值）为3.3%。

2-10.[合成例10]乙烯基聚合物粒子9的合成

在配制聚合性聚硅氧烷粒子的乳浊液时，除了在四口烧瓶中加入离子交换水1800份、25%氨水24份以及甲醇100份，在搅拌下，从滴液口添加3-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷100份及甲醇500份的混合液以外，与合成例8同样地制作乙烯基聚合物粒子9。此时聚硅氧烷粒子的个数平均粒径为5.01μm，该乙烯基聚合物粒子9的个数平均粒径为10.02μm，变异系数（CV值）为2.1%。

2-11.[合成例11]乙烯基聚合物粒子10的合成

在配制聚合性聚硅氧烷粒子的乳浊液时，除了在四口烧瓶中加入离子交换水1800份、和25%氨水12份，在搅拌下，从滴液口添加3-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷100份及甲醇600份的混合液以外，与合成例8同样地制作乙烯基聚合物粒子10。此时聚硅氧烷粒子的个数平均粒径为10.00μm，该乙烯基聚合物粒子10的个数平均粒径为20.01μm，变异系数（CV值）为1.8%。

3.导电性微粒的制备

3-1.制备例1

通过使用氨基树脂粒子作为基材粒子，供给下述所示的电镀工序（催化剂化处理工序、镀覆膜形成工序），得到导电性微粒1。所得到的导电性微粒1的个数平均粒径为14.2μm，镍层的膜厚为120nm，磷浓度为8.9质量%。用扫描型电子显微镜以100000倍的放大倍率观察所得到的导电性微粒的镍层的厚度方向截面后，确认到晶界，取向方向相对于厚度倾斜，取向为叶脉状。

（1）催化剂化处理工序

在上述基材粒子3g中加入水40mL，进行超声波分散。将该分散液在溶液温度60℃下搅拌，同时添加氯化钯水溶液（浓度19.5g/L）0.2mL，维持5分钟，进行使基材粒子的表面捕获钯离子的活性化处理。接着，将基材粒子过滤，用70℃的温水70mL洗净后，加水20mL配制成浆料。在对该浆料照射超声波的状态下，加入二甲胺硼烷和硼酸的混合水溶液（二甲胺硼烷浓度为1g/L，硼酸浓度为9.9g/L）2mL。在常温下照射超声波2分钟，进行钯离子的还原处理。

（2）化学镀工序

将在催化剂化处理工序中的得到的还原处理后的浆料在搅拌的同时添加到加热到75℃的电镀液（酒石酸钠浓度为16.9g/L，硫酸镍浓度为1.33g/L，次磷酸钠浓度为1.85g/L）180mL中。投入浆料1分钟后，投入0.37g的次磷酸钠，进一步持续搅拌1分钟。

接着，在上述得到的浆料和电镀液的混合液中分别以3mL/分钟的添加速度添加含镍离子溶液（氨基乙酸浓度为40.5g/L，硫酸镍浓度为133.2g/L）、含还原剂的溶液（次磷酸钠浓度为1.85g/L、氢氧化钠浓度为104g/L）两溶液。添加量分别为22.4mL。添加两溶液后，将溶液温度保持在75℃，从氢气的产生结束起持续搅拌60分钟。然后，进行固液分离，将粒子用离子交换水、甲醇洗净后，用真空干燥机在100℃下干燥。由此得到实施镀镍后的导电性微粒1。

3-2.制备例2

对乙烯基聚合物粒子1利用氢氧化钠实施蚀刻处理后，通过与二氯化锡溶液接触进行敏化，接着通过浸渍在二氯化钯溶液中进行活化，形成钯核。将形成了钯核的基材粒子10份添加到离子交换水900份中，进行超声波分散处理后，作为化学镀溶液添加“ニムデン（注册商标）KFJ-20-M”（上村工业（株）制）500份、“ニムデンKFJ-20-MA”（上村工业（株）制）225份，加热到70℃，由此发生化学镀镍反应。电镀反应前的电镀液的pH为4.55。将溶液温度保持在70℃，同时从确认到氢气的产生结束起搅拌30分钟后，进行固液分离，以离子交换水、甲醇的顺序洗净后，在100℃下真空干燥2小时，得到实施了镀镍后的导电性微粒2。所得到的导电性微粒2的个数平均粒径为6.3μm，镍层的膜厚为130nm，磷浓度为12.7质量%。

3-3.制备例3

对乙烯基聚合物粒子1利用氢氧化钠实施蚀刻处理后，通过与二氯化锡溶液接触进行敏化，接着通过浸渍在二氯化钯溶液中进行活化，形成钯核。将形成了钯核的基材粒子10份添加到离子交换水900份中，进行超声波分散处理后，作为化学镀溶液添加“ニムデンNKY-2-M”（上村工业（株）制）500份、“ニムデンNKY-2-A”（上村工业（株）制）225份，加热到70℃，由此发生化学镀镍反应。电镀反应前的电镀液的pH为4.64。将溶液温度保持在70℃，同时从确认到氢气的产生结束起搅拌30分钟后，进行固液分离，以离子交换水、甲醇的顺序洗净后，在100℃下真空干燥2小时，得到实施了镀镍后的导电性微粒3。所得到的导电性微粒3的个数平均粒径为6.3μm，镍层的膜厚为160nm，磷浓度为12.4质量%。

3-4.制备例4

与制备例1同样地，使用氨基树脂粒子作为基材粒子，除了变更电镀工序中的原料、条件等以外，与制备例1同样地操作，得到导电性微粒4。所得到的导电性微粒4的个数平均粒径为14.3μm，镍层的膜厚为160nm，磷浓度为9.8质量%。

3-5.制备例5

对乙烯基聚合物粒子1利用氢氧化钠实施蚀刻处理后，通过与二氯化锡溶液接触进行敏化，接着通过浸渍在二氯化钯溶液中进行活化，形成钯核。将形成了钯核的基材粒子10份添加到离子交换水400份中，进行超声波分散处理后，用70℃的温水浴加热基材粒子悬浊液。通过在加热悬浊液的状态下，加入其它途径加热到70℃的化学镀溶液（日本カニゼン社制，“シューマー（注册商标）S680”）300份，由此发生化学镀镍反应。将溶液温度保持在70℃下，同时从确认到氢气的产生结束起搅拌30分钟后，进行固液分离，以离子交换水、甲醇的顺序洗净后，将所得到的导电性微粒在氮气（惰性）气氛下，在280℃下进行热处理2小时，得到实施了镀镍后的导电性微粒5。所得到的导电性微粒5的个数平均粒径为6.2μm，镍层的膜厚为80nm，磷浓度为9.5质量%。

3-6.制备例6

对乙烯基聚合物粒子1利用氢氧化钠实施蚀刻处理后，通过与二氯化锡溶液接触进行敏化，接着通过浸渍在二氯化钯溶液中进行活化，形成钯核。将形成了钯核的基材粒子10份添加到离子交换水400份中，进行超声波分散处理后，作为化学镀溶液添加“ニムデンLPX-5M”（上村工业（株）制）1000份、“ニムデンLPX-A”（上村工业（株）制）225份，加热到70℃，由此发生化学镀镍反应。电镀反应前的电镀液的pH为6.33。将溶液温度保持在70℃，同时从确认到氢气的产生结束起搅拌30分钟后，进行固液分离，以离子交换水、甲醇的顺序洗净后，在100℃下真空干燥2小时，得到实施了镀镍后的导电性微粒6。所得到的导电性微粒的个数平均粒径为6.4μm，镍层的膜厚为190nm，磷浓度为7.4质量%。

3-7.制备例7

与制备例1同样地使用氨基树脂粒子作为基材粒子，变更电镀工序中的原料、条件等，得到导电性微粒7。所得到的导电性微粒7的个数平均粒径为14.3μm，镍层的膜厚为160nm，磷浓度为8.0质量%。

3-8.制备例8

对乙烯基聚合物粒子1利用氢氧化钠实施蚀刻处理后，通过与二氯化锡溶液接触进行敏化，接着通过浸渍在二氯化钯溶液中，形成钯核。将形成了钯核的基材粒子10份添加到离子交换水900份中，进行超声波分散处理后，作为化学镀溶液添加“ニムデンKLP-1-MM”（上村工业（株）制）750份、“ニムデンKLP-1-MA”（上村工业（株）制）300份，加热到70℃，由此发生化学镀镍反应。电镀反应前的电镀液的pH为6.27。将溶液温度保持在70℃，同时从确认到氢气的产生结束起搅拌30分钟后，进行固液分离，以离子交换水、甲醇的顺序洗净后，在100℃下真空干燥2小时，得到实施了镀镍后的导电性微粒8。所得到的导电性微粒8的个数平均粒径为6.4μm，镍层的膜厚为160nm，磷浓度为2.8质量%。

3-9.制备例9

除了使用乙烯基聚合物粒子2作为基材粒子，调整化学镀镍溶液的添加量使镍层的膜厚为150nm以外，与制备例5同样地得到导电性微粒9。所得到的导电性微粒的个数平均粒径为3.3μm。

3-10.制备例10

除了使用乙烯基聚合物粒子3作为基材粒子，调整化学镀镍溶液的添加量使镍层的膜厚为150nm以外，与制备例5同样地得到导电性微粒10。所得到的导电性微粒的个数平均粒径为3.0μm。

3-11.制备例11

除了使用乙烯基聚合物粒子3作为基材粒子以外，与制备例2同样地得到导电性微粒11。所得到的导电性微粒的个数平均粒径为3.0μm。

3-12.制备例12

除了使用乙烯基聚合物粒子4作为基材粒子，调整化学镀镍溶液的添加量使镍层的膜厚为150nm以外，与制备例5同样地得到导电性微粒12。所得到的导电性微粒的个数平均粒径为2.6μm。

3-13.制备例13

除了使用乙烯基聚合物粒子5作为基材粒子，调整化学镀镍溶液的添加量使镍层的膜厚为150nm以外，得到与制备例5同样地得到导电性微粒13。所得到的导电性微粒的个数平均粒径为2.3μm。

3-14.制备例14

除了使用乙烯基聚合物粒子6作为基材粒子，调整化学镀镍溶液的添加量使镍层的膜厚为150nm以外，与制备例5同样地得到导电性微粒14。所得到的导电性微粒的个数平均粒径为2.6μm。

3-15.制备例15

除了使用乙烯基聚合物粒子7作为基材粒子，调整化学镀镍溶液的添加量使镍层的膜厚为150nm以外，与制备例5同样地得到导电性微粒15。所得到的导电性微粒的个数平均粒径为2.6μm。

3-16.制备例16

除了使用乙烯基聚合物粒子8作为基材粒子，调整化学镀镍溶液的添加量使镍层的膜厚为150nm以外，与制备例5同样地得到导电性微粒16。所得到的导电性微粒的个数平均粒径为2.6μm。

3-17.制备例17

除了使用乙烯基聚合物粒子2作为基材粒子，调整化学镀溶液的总添加量使镍层的膜厚为150nm以外，与制备例8同样地得到导电性微粒17。所得到的导电性微粒的个数平均粒径为3.3μm。

3-18.制备例18

除了使用乙烯基聚合物粒子4作为基材粒子，调整化学镀溶液的总添加量使镍层的膜厚为150nm以外，与制备例8同样地得到导电性微粒18。所得到的导电性微粒的个数平均粒径为2.6μm。

3-19.制备例19

除了使用乙烯基聚合物粒子5作为基材粒子，调整化学镀溶液的总添加量使镍层的膜厚为150nm以外，与制备例8同样地得到导电性微粒19。所得到的导电性微粒的个数平均粒径为2.3μm。

3-20.制备例20

除了使用乙烯基聚合物粒子9作为基材粒子，调整化学镀镍溶液的添加量使镍层的膜厚为150nm以外，与制备例5同样地得到导电性微粒20。所得到的导电性微粒的个数平均粒径为10.3μm。

3-21.制备例21

除了使用乙烯基聚合物粒子10作为基材粒子，调整化学镀镍溶液的添加量使镍层的膜厚为150nm以外，与制备例5同样地得到导电性微粒21。所得到的导电性微粒的个数平均粒径为20.3μm。

3-22.制备例22

除了使用乙烯基聚合物粒子10作为基材粒子，调整化学镀镍溶液的添加量使镍层的膜厚为150nm以外，与制备例8同样地得到导电性微粒22。所得到的导电性微粒的个数平均粒径为20.4μm。

4.突起导电性微粒的制备

4-1.制备例23

将氨基树脂微粒（日本催化剂社制，“エポスターS”，通过游标卡尺法测得的平均粒径=0.20μm，变异系数（CV）=8.0%）分散到甲醇中，使得氨基树脂微粒浓度为5.0质量%。在所得到的エポスターS分散液100份中加入50份合成例5中得到的乙烯基聚合物粒子4，均匀分散后，用蒸发器馏去甲醇，得到在乙烯基聚合物粒子4的表面上存在氨基树脂微粒而成的微粒包覆粒子（1）。

使用所得到的微粒包覆微粒（1），通过与制备例5同样的方法进行镀覆处理，得到突起导电性微粒（1）。

5.绝缘包覆导电性微粒的制备

5-1.制备例24

在具备搅拌机、温度计以及冷却机的不锈钢制的反应釜中，加入去离子水820份和十二烷基苯磺酸钠0.8份（有效成分为60质量%；以下称为“DBSNa”），将内部温度升至75℃，并保持在该温度下。

另一方面，用与上述反应釜不同的容器中，将甲基丙烯酸酸甲酯（以下称为“MMA”）140份和二乙烯基苯（有效成分为81质量%；以下称为“DVB”）60份混合，配制单体组合物200份。

将上述反应釜内用氮气置换后，将上述单体组合物20份（单体组合物总量的10质量%）、0.4质量%双氧水50份、以及0.4质量%L-抗坏血酸水溶液50份添加到上述反应釜内，进行初期聚合反应。

接着，上述单体组合物的剩余部分（单体组合物总量的90质量%）180份、0.4质量%双氧水450份、以及0.4质量%L-抗坏血酸水溶液450份通过各自不同的投料口花费6小时均匀地滴加到反应釜中。然后，将内部温度升至90℃，在该温度下保持6小时进行熟化后，将反应溶液冷却，得到分散了树脂粒子（1）的树脂粒子分散液（1）。对于该分散液中的树脂粒子（1）的粒径，用动态光散射粒度分布测定装置（ピーエスエスジャパン社制“NICOMP380”）进行测定的结果，体积平均粒径为158nm，变异系数为11%。

将树脂粒子分散液（1）用去离子水稀释使得粒子浓度为5.0质量%。

在所得到的树脂粒子分散液100份中加入50份制备例12中得到的导电性微粒12，均匀地分散后，用蒸发器馏去水，得到用树脂粒子包覆了导电性微粒的表面的绝缘包覆导电性微粒（1）。

5-2.制备例25

除了使用制备例18中得到的导电性微粒18以外，与制备例24同样地得到绝缘包覆导电性微粒（2）。

6.绝缘特性评价用各向异性导电材料的作制

将绝缘包覆导电性微粒（1）20份、作为粘合剂树脂的环氧树脂（ジャパンエポキシレジン社制“YL980”）65份、环氧固化剂（旭化成社制“ノバキュア（注册商标）HX3941HP”）35份、以及1mmφ的氧化锆珠200份混合，进行球磨分散30分钟，得到作为各向异性导电材料的各向异性导电粘合剂（1）。使用所得到的各向异性导电粘合剂制作导电连接结构体，进行下述的评价。导电连接结构体的制作，首先，在剥离膜（通过硅树脂在单面实施了剥离处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜）的剥离处理面以干燥厚度为25μm的方式涂布各向异性导电粘合剂，形成粘接层，制作在剥离膜的单面上具备粘合剂层的各向异性导电片。

接着，从所得到的各向异性导电片将剥离膜剥离，仅使粘合剂层夹持在里面上形成有具有150μm宽度的图形的ITO透明电极膜的2片带ITO的玻璃基板之间，在1MPa、185℃下加热加压15秒，得到导电连接结构体。对于导电性微粒12、18、绝缘包覆导电性微粒（2）也同样得到导电连接结构体。

对于制备例1-8中得到的导电性微粒的X射线衍射分析、压缩变形特性评价的结果表示在表1中。

[表1]

此外，对于制备例1-19、23中得到的导电性微粒的导电性试验的结果与X射线衍射分析结果一起表示在表2中。

[表2]

此外，对于作为基材的树脂粒子不同的、制备例4、7、12，14-16、20-22中得到的导电性微粒的X射线衍射分析、基材粒子的10%K值以及导电性试验的结果表示在表3中。

[表3]

将使用相同的基材粒子的制备例1、4、7或制备例2、3、5、6、8中得到的导电性微粒进行比较时，镍层的结晶粒径为3nm以下的，L1变得较大。即，可知镍层的结晶粒径为3nm的导电性微粒，镍层柔软且难以断裂。认为这是由于镍层的结晶粒径为3nm的导电性微粒，镍层与基材粒子的附着性高，在压缩变形时容易显示出与基材粒子的变形行为联动的变形行为。

从表1的压缩试验及表2的压缩连接电阻值评价的结果可知，镍层的结晶粒径为3nm以下，镍层柔软的，连接电阻值较低。此外，上述结晶粒径为3nm以下时，抑制电阻值的效果在高压缩时变得更加明确。特别是，粒径越小，抑制其电阻值的效果更显著地显现。（图2）

而且，制备例4、7均使用氨基树脂粒子作为基材粒子。结晶粒径为3nm以下的制备例4的导电性微粒，初期电阻为65Ω，显示出低电阻值，但是结晶粒径为5.85nm的制备例7的导电性微粒，初期电阻为191Ω，电阻值显著增大。由此可知，即使使用10%K值为6775N/mm²的比较硬质的氨基树脂粒子的情况下，可获得使结晶粒径为3nm以下所带来的镍层柔性提高的效果，进而可得到降低电阻值的效果。

制备例23为具有突起的导电性微粒，30%压缩连接电阻值、40%压缩连接电阻值均较低，高压缩时的电阻值被有效抑制。具有突起的导电性微粒在用于各向异性导电材料时，可利用突起排出粘合剂树脂，此外，由于突起容易与基板咬合，因而能够进一步提高连接可靠性。

制备例4、20-22的基材粒子的粒径均具有8μm以上的中值粒径。在这些导电性微粒中，制备例4的10%K值为6775N/mm²，与10%K值为3272N/mm²的制备例20、为2691N/mm²的制备例21相比为硬质。在制备例4、20、21中得到的导电性微粒中，30%压缩时的初期电阻为同等，均为较低的值。其中，使用软质的基材粒子的制备例20、21中得到的导电性微粒，与30%压缩时相比，40%压缩时进一步降低了电阻值。由此可知，在中值粒径的导电性微粒中，基材粒子为软质（例如6000N/mm²以下）时，使结晶粒径为3nm以下所带来的提高镍层柔性的效果、进而降低电阻值的效果变得更加显著。

而且，即使10%K值为2891N/mm²的软质，在结晶粒径为8.64nm的制备例22的导电性微粒中，30%压缩电阻值增大至198Ω。

对制备例12、制备例18中得到的导电性微粒、以及制备例24、制备例25中得到的绝缘包覆导电性微粒进行绝缘性的评价的结果，制备例12为90%、制备例18为89%、制备例24为100%、制备例25为95%。由此可知，对本发明的结晶粒径为3nm以下的导电性微粒进行绝缘包覆时，能够使绝缘性更加良好。

工业实用性

本发明的导电性微粒适合用于例如LCD用导通隔板、各向异性导电膜、各向异性导电膏、各向异性导电粘合剂、各向异性导电油墨等的各向异性导电材料。

附图标记说明

X：拐点，Y：破坏点，L1：确认到拐点（X）的压缩变形率，L2：确认到破坏点（Y）的压缩变形率，P1：拐点（X）的压缩荷重值，P2破坏点（Y）的压缩荷重值

Claims (9)

1.一种导电性微粒，该导电性微粒具有基材粒子和包覆该基材粒子表面的导电性金属层，其特征在于，

所述导电性金属层包括镍层，

通过粉末X射线衍射法测定的镍在[111]方向的结晶粒径为3nm以下。

2.根据权利要求1所述的导电性微粒，其中，在通过以2.23mN/秒的荷重负荷速度进行压缩的压缩试验而得到的压缩位移曲线中，

在比基材粒子发生破坏的破坏点（Y）的压缩荷重值低的压缩荷重值下，确认到因所述镍层的破坏而产生的拐点（X），

以所述破坏点（Y）的压缩变形率为L2、所述拐点（X）的压缩变形率为L1时，它们的比（L1/L2）为0.3以上。

3.根据权利要求2所述的导电性微粒，其中，所述L2为35%-70%。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的导电性微粒，其中，所述镍在[111]方向的结晶粒径为1.5nm以上。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的导电性微粒，其中，所述基材粒子的个数平均粒径为50μm以下。

6.根据权利要求1-5中任意一项所述的导电性微粒，其中，所述基材粒子的个数平均粒径为3μm以下。

7.根据权利要求1-5中任意一项所述的导电性微粒，其中，所述基材粒子的个数平均粒径为8μm以上。

8.根据权利要求1-7中任意一项所述的导电性微粒，其中，所述基材粒子的10%K值为500N/mm²以上且为30000N/mm²以下。

9.一种各向异性导电材料，其特征在于，该各向异性导电材料含有权利要求1-8中任意一项所述的导电性微粒。

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