TWI685856B - 可燒結金屬粒子及其於電子應用中之用途 - Google Patents

可燒結金屬粒子及其於電子應用中之用途 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種可燒結金屬粒子及含有其之組合物。此等組合物可以多種方式使用，即，藉由替換焊料作為晶粒黏附材料。所得之經燒結組合物可在習知半導體總成中用作焊料替代品，及在高功率裝置中提供加強之熱及電傳導率。由此，本發明組合物提供一種在固化期間必須經受機械力之奈米顆粒金屬的替代方案。

Description

可燒結金屬粒子及其於電子應用中之用途
本發明係關於一種可燒結金屬粒子，及其各種用途。在一態樣中，本發明係關於含有可燒結金屬粒子之組合物。在另一態樣中，本發明係關於將金屬粒子黏附於金屬基板之方法。在又另一態樣中，本發明係關於改良金屬組件對金屬基板黏著性之方法。
為符合由各種法規機構頒布之準則(例如，危害性物質限制(Restriction of Hazardous Substances(RoHS))法規要求從電子設備中徹底消除Pb)，晶粒黏附市場正尋求含鉛焊料之替代方案。目前之候選焊料如Bi合金、Zn合金、及Au-Sn合金由於其之眾多限制，例如，電及熱傳導率不良、脆性、加工性不良、耐腐蝕性差、高成本等等而興趣不高。
市場中的另一趨勢係出現碳化矽技術來替代矽技術。為獲得更高效能，碳化矽技術在較矽技術顯著更高之溫度、功率、及電壓下操作。上文提及之候選焊料不能在高於250℃之溫度下應用。由此，除上文提及之無鉛焊料之缺點外，與含鉛焊料相比，無鉛焊料具有較低之操作溫度範圍。
燒結係藉由施加低於金屬熔點之熱使金屬粒子熔接/黏結在一起。其驅動力係由於表面積及表面自由能減小所致之自由能變化。在 燒結溫度下，擴散過程導致形成頸部，其導致此等接觸點之生長。在燒結過程完成後，相鄰金屬粒子藉由冷熔接聚集在一起。為具有良好黏著性、熱及電性質，不同粒子須幾乎完全合併在一起，從而產生具有有限數量孔隙之金屬的極緻密結構。
大多數關於金屬粒子燒結之研究係在奈米粒子上進行。關於奈米粒子之研究顯示此等材料由於其之較高表面積(其驅動燒結)而在低於習知金屬薄片之溫度下燒結。不幸地，在高溫下燒結後形成之材料仍係多孔且脆性。孔隙之存在會在導電組合物中產生空隙，其可導致其中使用該填充物粒子之半導體或微電子設備故障。為克服孔隙之存在及提升黏結強度，通常使奈米顆粒金屬在高溫下燒結同時並經受機械力以消除孔隙及達成充分緻密化來適用於半導體製造。另一有關使用奈米顆粒金屬之議題係藉此存在之可能的健康及環境挑戰。
依照本發明之一態樣，提供包括可燒結金屬粒子之組合物。此等組合物可以各種方式使用，即，藉由在晶粒黏附應用中替代焊料或藉由替代焊料作為晶粒黏附材料。所得之經燒結組合物可在習知半導體總成中用作焊料替代品，及在高功率設備中提供加強之導電率。因此，本發明組合物提供在固化期間必須經受機械力之奈米顆粒金屬的替代方案。
因此，依照本發明之一態樣，提供包括具有一定性質之金屬粒子的組合物。此等組合物顯示良好的燒結能力，產生其中具有減少孔隙出現的經燒結材料，且其不一定需在過熱下燒結及施加機械力以產生緻密結構，其導致形成具有界面及強力黏結之更多連接點。
特定而言，已發現具有以下性質組合之金屬粒子亦將具有良好的燒結性質：
1.粒子需具有特定微晶尺寸(例如，微晶尺寸可通過里特韋爾結 構精算法(Rietveld refinement method)由X射線分析獲得)。由於除結晶尺寸外之因素(晶體位錯、晶粒邊界、微應力等)亦可部分促成峰加寬，因此選用因素ψ(其係由繞射峰之峰寬(經勞倫兹(Lorentzian)函數擬合)除以不同峰之峰位置所得到的平均值)。
2.可燒結粒子需針對晶向為各向異性。晶體各向異性可定義為結晶材料在關於其晶格之主軸(或結晶平面)方向上之形狀、物理或化學性質的變化。己觀察到具有此等各向異性性質之材料展現相對於彼此之優先定向。多個粒子之此定向提供燒結之良好起始點，乃因相關平面係平行於彼此定向且將易於燒結。確定晶體是否係各向異性之一示例性方法包括將特定繞射峰之相對強度與完全各向同性材料之彼等作比較(參見例如，Yugang Sun及Younan Xia，Science，第298卷，2002，第2176-79頁)。此外，較佳超過50%之粒子展現此各向異性，尤其其中此各向異性係在相同晶向。
3.粒子應具有至少50%之結晶度。
圖1顯示作為典型可燒結金屬代表之三個示例性顆粒銀樣品之原始X射線繞射數據。
圖2顯示七個不同樣品之峰寬成各個峰位置之函數的曲線圖。注意在晶粒剪切測試中表現良好之樣品落入較低「帶」中，其對應於一般較狹窄的峰，及由此，根據謝樂(Scherrer)方程式，一般較大的晶體。
圖3顯示全部分析樣品之此「psi」參數的曲線圖。
依照本發明，提供組合物，其包括：分散於其適宜載劑中之可燒結金屬粒子，其中至少一部分該等金屬粒子之特徵為： -具有<0.0020之如由X射線繞射所定義的Ψ值，-具有至少50%結晶度，及-針對晶向為各向異性。
本文意欲使用之可燒結金屬粒子包括Ag、Cu、Au、Pd、Ni、In、Sn、Zn、Li、Mg、Al、Mo等等，以及其任何二者或更多者之混合物。在一些實施例中，可燒結金屬粒子係銀。
本文中採用Ψ值來表示繞射峰之加寬(其係歸因於儀器及樣品兩者之貢獻)。關於本申請案，「樣品加寬」係區分於「儀器加寬」。
描述繞射峰形狀之函數的慣用術語係輪廓形狀函數(PSF)。出於本揭示案之目的，本文選用勞倫兹(Lorentzian)函數來擬合該等峰。
因此，由原始數據確定「psi」參數係藉由首先獲得示例性材料之原始X射線繞射數據(例如，參見圖1)來進行。隨後獲得全部樣品之峰寬(例如，參見圖2)。
為簡化樣品表徵，可定義作為峰寬除以其峰位置之「psi」參數(因此該值係無因次)。隨後可計算各個峰之「psi」的平均值及求得最終平均值。
圖3顯示全部分析樣品之此「psi」參數的曲線圖。
注意各個樣品之「psi」仍呈現來自儀器加寬及樣品加寬兩者之貢獻。圖3中之虛線係儀器對「psi」之貢獻(其係常數，獲自在相同儀器上對作為其餘樣品之參考NAC晶體的分析)。
接著比較總「psi」因數及「psi」-*(其代表僅歸因於樣品之繞射峰加寬)。0.002之閾值區分表現良好的樣品與表現不良的樣品。
本文意欲使用之金屬粒子具有至少50%之結晶度。在一些實施例中，本文意欲使用之金屬粒子具有至少60%之結晶度；在一些實施例中，本文意欲使用之金屬粒子具有至少70%之結晶度；在一些實施例中，本文意欲使用之金屬粒子具有至少80%之結晶度；在一些實施例 中，本文意欲使用之金屬粒子具有至少90%之結晶度；在一些實施例中，本文意欲使用之金屬粒子具有至少95%之結晶度；在一些實施例中，本文意欲使用之金屬粒子具有至少98%之結晶度；在一些實施例中，本文意欲使用之金屬粒子具有至少99%之結晶度；在一些實施例中，本文意欲使用之金屬粒子具有大體上100%之結晶度。
如本文使用，晶體各向異性係指結晶材料在關於其晶格之主軸(或結晶平面)之方向之物理或化學性質的變化。眾多方法可用於確定晶體之各向異性，包括，例如，光學、磁、電或X射線繞射方法。特定而言，區分銀之晶體各向異性之後者方法之一由Yugang Sun及Younan Xia，Science，第298卷，2002，第2176-79頁提及：值得注意的是(200)與(111)繞射峰強度間之比值高於習知值(0.67相對0.4)，指示吾人之奈米立方體富含{100}面，及由此其{100}平面趨於優先平行於支撐基板(26)之表面定向(或構造)。(220)與(111)峰強度間之比值亦稍高於習知值(0.33相對0.25)，乃因在吾人之銀奈米立方體表面上{110}面之相對豐度。
依照本發明之特定態樣，發明組合物中至少20%之金屬粒子係針對晶向為各向異性。在一些實施例中，本發明組合物中至少50%之金屬粒子係針對晶向為各向異性。在一些實施例中，本發明組合物中至少60%之金屬粒子係針對晶向為各向異性。在一些實施例中，本發明組合物中至少80%之金屬粒子係針對晶向為各向異性。在一些實施例中，本發明組合物中至少95%之金屬粒子係針對晶向為各向異性。
可燒結金屬粒子通常佔該組合物之至少約20重量%，至多約其98重量%。在一些實施例中，可燒結金屬粒子佔根據本發明之組合物的約40至約98重量%；在一些實施例，可燒結金屬粒子佔根據本發明組合物之約85至約97重量%之範圍。
為實現本發明所賦予之效益，僅須要一部分本文意欲使用之金 屬粒子滿足該複數個本文闡明之準則。因此，在一些實施例中，至少5%所採用之金屬粒子滿足各個本文闡明之準則。在一些實施例中，至少10%所採用之金屬粒子滿足各個本文闡明之準則。在一些實施例中，至少20%所採用之金屬粒子滿足各個本文闡明之準則。在一些實施例中，至少30%所採用之金屬粒子滿足各個本文闡明之準則。在一些實施例中，至少40%所採用之金屬粒子滿足各個本文闡明之準則。在一些實施例中，至少50%所採用之金屬粒子滿足各個本文闡明之準則。在一些實施例中，至少60%所採用之金屬粒子滿足各個本文闡明之準則。在一些實施例中，至少70%所採用之金屬粒子滿足各個本文闡明之準則。在一些實施例中，至少80%所採用之金屬粒子滿足各個本文闡明之準則。在一些實施例中，至少90%所採用之金屬粒子滿足各個本文闡明之準則。在一些實施例中，至少95%所採用之金屬粒子滿足各個本文闡明之準則。在一些實施例中，至少98%所採用之金屬粒子滿足各個本文闡明之準則。在一些實施例中，大體上全部所採用之金屬粒子滿足各個本文闡明之準則。
本發明實踐中意欲使用之可燒結金屬粒子通常具有約100奈米至約15微米範圍內之粒子尺寸。在特定實施例中，本文意欲使用之可燒結金屬粒子具有至少200奈米之粒子尺寸。在本發明其它實施例中，本文意欲使用之可燒結金屬粒子具有至少250奈米之粒子尺寸。在特定實施例中，本文意欲使用之可燒結金屬粒子具有至少300奈米之粒子尺寸。因此，在一些實施例中，本文意欲使用具有在約200nm至10微米範圍內之粒子尺寸的可燒結金屬粒子；在一些實施例中，本文意欲使用具有在約250nm至10微米範圍內之粒子尺寸的可燒結金屬粒子；在一些實施例中，本文意欲使用具有在約300nm至10微米範圍內之粒子尺寸的可燒結金屬粒子；在一些實施例中，本文意欲使用具有在約200nm至5微米範圍內之粒子尺寸的可燒結金屬粒子；在一些實 施例中，本文意欲使用具有在約250nm至5微米範圍內之粒子尺寸的可燒結金屬粒子；在一些實施例中，本文意欲使用具有在約300nm至5微米範圍內之粒子尺寸的可燒結金屬粒子；在一些實施例中，本文意欲使用具有在約200nm至1微米範圍內之粒子尺寸的可燒結金屬粒子；在一些實施例中，本文意欲使用具有在約250nm至1微米範圍內之粒子尺寸的可燒結金屬粒子；在一些實施例中，本文意欲使用具有在約300nm至1微米範圍內之粒子尺寸的可燒結金屬粒子。
本文意欲使用之可燒結金屬粒子可以各種形狀存在，例如，大體上球形粒子、不規則形狀粒子、長方形粒子、薄片(例如，薄且扁平的單晶薄片)等等。本文意欲使用之可燒結金屬粒子包含銀塗覆/電鍍顆粒，其中底層顆粒可係任何種類材料，只要銀塗層/鍍層大體上塗覆底層顆粒，使得產生之組合物包括具有分佈於其中之銀覆蓋粒子的熱塑性基質即可。
本文意欲使用之載劑包含醇、芳烴、飽和烴、氯化烴、醚、多元醇、酯、二元酯、煤油、高沸點醇及其酯、二醇醚、酮、醯胺、雜芳族化合物等等，以及其任何二者或更多者之混合物。
本文意欲使用之示例性醇類包含第三丁醇、1-甲氧基-2-丙醇、雙丙酮醇、二丙二醇、乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、己二醇、辛二醇、2-乙基-1,3-己二醇、十三醇、1,2-辛二醇、二乙二醇丁醚、α-萜品醇、β-萜品醇等等。
本文意欲使用之示例性芳烴包含苯、甲苯、二甲苯等等。
本文意欲使用之示例性飽和烴類包含己烷、環己烷、庚烷、十四烷等等。
本文意欲使用之示例性氯化烴包含二氯乙烷、三氯乙烯、三氯甲烷、二氯甲烷等等。
本文意欲使用之示例性醚包含乙醚、四氫呋喃、二噁烷等等。
本文意欲使用之示例性酯包含乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲氧基乙酸丙酯、乙酸2-(2-丁氧乙氧基)乙酯、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇二異丁酸酯、碳酸1,2-丙二酯、卡必醇乙酸酯、丁基卡必醇、丁基卡必醇乙酸酯、乙基卡必醇乙酸酯、鄰苯二甲酸二丁酯等等。
本文意欲使用之示例性酮包含丙酮、甲基乙基酮等等。
依照本發明意欲使用之載劑量可寬廣地變化，通常在組合物之約2至約80重量%範圍內。在特定實施例中，載劑量係在全部組合物之約2至60重量%範圍內。在一些實施例中，載劑量係在全部組合物之約3至約15重量%範圍內。
依照本發明另一實施例，提供組合物，其包括：分散在其適宜載劑中之可燒結金屬粒子，其中該組合物中大體上全部該等金屬粒子之特徵為：-具有<0.0020之如由X射線繞射所定義之Ψ值，-具有至少50%結晶度，及-針對晶向為各向異性。
依照本發明又另一實施例，提供製備導電網路之方法，該方法包括：將如本文描述之組合物施加至適宜基板以將適宜組件黏結於其上，及其後燒結該組合物。
本文意欲使用多種基板，例如，陶瓷層，視情況其上具有金屬表面處理。
本文意欲使用之適宜組件包含裸晶粒，例如金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)、絕緣閘雙極電晶體(IGBT)、二極體、發光二極體(LED)等等。
根據本發明組合物之一特殊優點係其可在相對低溫下燒結，例 如，在一些實施例中在約100至350℃範圍內之溫度下。當在此等溫度下燒結時，涵蓋使該組合物暴露於燒結條件持續在0.5至約120分鐘範圍內之時間。
在特定實施例中，涵蓋燒結可在不高於約300℃之溫度下進行(通常在約150至300℃之範圍內)。當在此等溫度燒結時，涵蓋使該組合物暴露於燒結條件持續在0.1至約2小時範圍內之時間。
依照本發明又另一實施例，提供包括具有不高於1x10-4Ohms.cm電阻率之可燒結金屬粒子之經燒結陣列的導電網路。依照本發明之又另一實施例，提供包括具有不高於1x10-5Ohms.cm電阻率之可燒結金屬粒子之經燒結陣列的導電網路。
此等導電網路通常係經施加於基板，及與其顯現實質黏著。由該導電網路提供之該基板與適宜組件間的黏著性可以各種方式測定，例如，藉由晶粒剪切強度(DSS)測量、拉伸摺痕剪切強度(TLSS)測量等等。依照本發明，通常在該基板與該黏結組件間獲得至少3kg/mm2之晶粒剪切強度黏著性。
依照本發明之又另一實施例，提供將可燒結金屬粒子黏附於金屬基板之方法，該方法包括：將如本文描述之組合物施加至該基板，及其後燒結該組合物。
依照本發明之此實施例，涵蓋在低溫(例如，在不高於約150℃之溫度下，或在不高於約120℃之溫度)下燒結。
其上具有金屬表面處理之適宜基板包括陶瓷材料諸如氮化矽(SiN)、氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氧化鈹(BeO)、氫氧化鋁、矽石、蛭石、雲母、矽灰石、碳酸鈣、氧化鈦、砂、玻璃、硫酸鋇、鋯、碳黑等等。
金屬表面處理可採用選自Ag、Cu、Au、Pd、Ni、Pt、Al等等之 金屬，以各種方式施加於上述陶瓷材料。
依照本發明之又另一實施例，提供改良金屬粒子填充調配物對金屬基板之黏著性的方法，該方法包括採用特徵如下之可燒結金屬粒子作為至少一部分該金屬填充劑：-具有<0.0020之如由X射線繞射定義之Ψ值，-其之至少一部分針對晶向呈各向異性形式，及-具有至少50%結晶度。
依照本發明之又另一實施例，提供識別可燒結金屬粉末之方法，該方法包括將具有以下特徵之金屬粉末識別為可燒結：-Ψ值<0.0020，-至少50%結晶度，及-至少一部分該等金屬粒子針對晶向為各向異性。
依照本發明之又另一實施例，提供確定金屬粉末是否係可燒結之方法，該方法包括：測量其Ψ值、其結晶度及該樣品是否係各向異性，及將具有以下特徵之金屬粉末識別為可燒結：-Ψ值<0.0020，-至少50%結晶度，及-至少一部分該等金屬粒子針對晶向為各向異性。
本發明之各種態樣由以下非限制性實例來闡明。該等實例係供說明用而非要限制本發明之任何實踐。應瞭解可進行變化及修改而不脫離本發明之精神及範圍。一般熟悉此項技術者當可輕易知曉如何合成或從市面獲得本文描述之試劑及組分。
實例
實例1
表1識別數種本文採用之不同銀顆粒材料。全部銀材料係次微米 至微米尺寸之銀，除最後一項係奈米尺寸銀外。針對各銀使用相同載劑。關鍵效能性質係黏著性(DSS及TLSS)及體電導率(如由體積電阻率(Vr)指示)，參見表1。
Figure 104105949-A0202-12-0011-1
對於全部實例，晶粒及DBC(直接黏結銅)基板之表面處理係銀。測試晶粒係3x 3mm2。銀糊料係以75微米厚層絲網印刷至DBC基板及將晶粒人工放置在該銀糊料上。使結構在於15分鐘內從室溫升溫至250℃之烘箱中無壓力地燒結，同時使溫度在250℃下維持1小時。
對於TLSS(拉伸摺痕剪切強度)測試，藉由銀糊料使兩個鍍Ag之DBC燒結在一起。DBC重疊係0.8 x 0.8cm2。
示例性可燒結銀顆粒在無壓力燒結後顯示7.8kg/mm2之優良晶粒剪切強度(DSS)值。相同銀顆粒當經無壓力燒結時之TLSS係16MPa。這顯示此較佳銀顆粒材料以Ag-DBC中間相建立強力的連接。
全部其他銀顆粒具有較低黏著性值。體電導率係4.10-6 Ohm.cm。該較佳經燒結銀顆粒之形態分析顯示緻密的燒結結構。燒結係面對面及邊緣對邊緣地發生。數個符合本文闡明準則之其他可燒結金屬粒子與上述較佳材料之表現相當。
表現最差之銀具有僅0.65kg/mm2之DSS及僅4.6MPa之TLSS。電導率僅1.6 10-5Ohm.cm。此不滿足本文期望要求之銀顆粒之形態分析僅顯示有限之連接點及在不同起始粒子間之細連接點。
表現居間之銀顆粒材料具有僅約2.6kg/mm2之DSS及11.7MPa之TLSS。電導率係5 10-6Ohm.cm。形態分析顯示燒結係邊緣對邊緣地發生而較少相對相地發生。
本文研究之奈米尺寸銀顯示4.1MPa之非常低的TLSS值。形態分析顯示在一叢奈米粒子中之不同奈米粒子間之燒結非常緻密，但在不同燒結叢集之奈米粒子間形成非常弱之橋。
利用XDR(X射線繞射)比較不同銀顯示全部可燒結的銀共有以下相同特性：
1)Ψ應低於0.0020
2)(繞射峰200之峰強度與繞射峰111之峰強度)之比值應大於0.5
3)結晶度應大於50%。
實例2
樣品之非晶/結晶部分之定量
結晶度之定量可使用樣品之X射線繞射數據之Rietveld結構精算法進行，其中將待研究之樣品與100%結晶化合物以已知比例混合。出於本發明之目的，將一定量之銀樣品與完全結晶SiO2混合(二者之重量比例接近1：1)。隨後測量X射線繞射圖案及根據彼等熟悉此項技術者熟知之方法進行Rietveld分析。從已知量之銀及SiO2、及所獲得之銀重量分率，求得結晶銀之量(及分率)。亦可使用其他Rietveld結構精算法之變型、以及測定結晶分率之不同方法來獲得用於本發明目 的之結晶度。
彼等熟悉上文描述技術者當可明白除彼等本文所顯示及描述者外之本發明之各種修改。此等修改亦意欲歸屬於隨附申請專利範圍之範疇。
說明書中提及之專利及公開案係指示熟悉本發明相關技術人士之水平。此等專利及公開案係以如同各個獨立申請案或公開案經明確及獨立地以引用方式併入本文之相同程度以引用方式併入本文。
前述描述係闡明本發明之特定實施例，但並不意欲對其實踐造成限制。下文申請專利範圍，包括其全部等效內容，意欲界定本發明之範圍。

Claims (14)

  1. 一種導電黏著組合物，其包括：分散在其載劑中之可燒結銀粒子，其中至少一部分該等銀粒子之特徵為：具有<0.0020之由X射線繞射所定義之Ψ值，其中該Ψ值係所有峰的psi值之平均值，其中各峰之psi值係以下式表示：[峰寬(FWHM[度])/峰位置(2θ[度])]，具有至少50%結晶度，及具有由峰強度比[繞射峰200之峰強度/繞射峰111之峰強度]大於0.5所定義的各向異性。
  2. 如請求項1之組合物，其中該載劑係醇、芳烴、飽和烴、氯化烴、醚、多元醇、酯、二元酯、煤油、高沸點醇及其酯、二醇醚、酮、醯胺、雜芳族化合物、以及其任何二者或更多者之混合物。
  3. 如請求項2之組合物，其中該醇係二丙二醇、乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、己二醇、1-甲氧基-2-丙醇、雙丙酮醇、第三丁醇、2-乙基-1,3-己二醇、十三醇、1,2-辛二醇、二乙二醇丁醚、α-萜品醇或β-萜品醇。
  4. 如請求項2之組合物，其中該酯係乙酸2-(2-丁氧乙氧基)乙酯、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇二異丁酸酯、碳酸1,2-丙二酯、卡必醇乙酸酯、丁基卡必醇乙酸酯、丁基卡必醇、丁基卡必醇乙酸酯、乙基卡必醇乙酸酯、己二醇、或鄰苯二甲酸二丁酯。
  5. 如請求項1之組合物，其中該等銀粒子佔該組合物之約20至約98重量%之範圍。
  6. 如請求項1之組合物，其中該組合物可在100至350℃範圍內之溫度下固化，而不需施加外部機械力。
  7. 一種製備導電網路之方法，該方法包括：將如請求項1之組合物施加至基板以將組件黏結於其上，及其後燒結該組合物。
  8. 如請求項7之方法，其中該組件係裸晶粒。
  9. 如請求項7之方法，其中該燒結係在100至350℃範圍內之溫度下進行，持續在0.5至約120分鐘範圍內之時間。
  10. 如請求項7之方法，其中該燒結係在150至300℃範圍內之溫度下進行，持續在1至約90分鐘範圍內之時間。
  11. 如請求項7之方法，其中該基板係陶瓷層。
  12. 如請求項7之方法，其中該基板係引線框。
  13. 一種識別可燒結銀粉末之方法，該方法包括將具有以下特徵之銀粉末識別為可燒結：Ψ值<0.0020，其中該Ψ值係所有峰的psi值之平均值，其中各峰之psi值係以下式表示：[峰寬(FWHM[度])/峰位置(2θ[度])]，至少50%之結晶度，及由峰強度比[繞射峰200之峰強度/繞射峰111之峰強度]大於0.5所定義的各向異性。
  14. 一種確定銀粉末是否係可燒結之方法，該方法包括測量其Ψ值、其結晶度及該樣品是否係各向異性，及將具有以下特徵之銀粉末識別為可燒結：Ψ值<0.0020，其中該Ψ值係所有峰的psi值之平均值， 其中各峰之psi值係以下式表示：[峰寬(FWHM[度])/峰位置(2θ[度])]，至少50%之結晶度，及由峰強度比[繞射峰200之峰強度/繞射峰111之峰強度]大於0.5所定義的各向異性。
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