WO2007072912A1 - 導電性微粒子及び異方性導電材料 - Google Patents

導電性微粒子及び異方性導電材料 Download PDF

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WO2007072912A1
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nickel
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Xiaoge Wang
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Sekisui Chemical Co., Ltd.
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    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0218—Composite particles, i.e. first metal coated with second metal

Definitions

  • the present invention uses conductive fine particles that suppress peeling of a conductive layer during production and thermocompression bonding and migration during use, and have high corrosion resistance and low electrical resistance, and the conductive fine particles.
  • the present invention relates to an anisotropic conductive material.
  • Conductive fine particles are generally mixed in a binder resin and the like, for example, anisotropic conductive base, anisotropic conductive ink, anisotropic conductive adhesive, anisotropic conductive film, different conductive films.
  • anisotropic conductive material such as isotropic conductive sheet.
  • these anisotropic conductive materials electrically connect the wiring circuit boards in an electronic device such as a liquid crystal display, a personal computer, and a mobile phone, and electrically connect small components such as semiconductor elements to the wiring circuit board. In order to make connections, it is sandwiched between printed circuit boards and electrode terminals.
  • conductive fine particles suitable for anisotropic conductive materials non-conductive fine particles having uniform particle diameters and non-conductive fine particles such as glass beads have been used as the base fine particles.
  • Conductive fine particles have been reported in which a metal plating such as nickel is formed.
  • the nickel-plated conductive fine particles have a problem that the plating layer corrodes with time and the electric resistance increases.
  • Patent Document 1 discloses conductive fine particles in which a nickel layer is formed by electroless plating on the surface of a substantially spherical resin fine particle, and then a gold layer is formed using gold cyanide. Has been. Further, for example, in Patent Document 2, a nickel layer by an electroless plating and a copper layer covering the nickel layer are formed on the surface of the base material fine particles, and further, by a substitution reaction of copper and silver by the electroless silver plating. A conductive fine particle having a silver layer formed thereon is disclosed.
  • the conductive fine particles in which a gold layer is formed on the surface of the nickel layer have connection stability. There was a problem of excellent power and high electrical resistance.
  • the conductive fine particles having a silver layer formed on the surface of the nickel layer are suitably used for thermocompression bonding of a substrate or the like having a lower electrical resistance than the conductive fine particles having a gold layer formed on the surface of the nickel layer.
  • Patent Document 3 discloses that a silver layer is formed on the surface of a substrate fine particle, and a gold layer is further formed. Conductive fine particles are disclosed. However, since the adhesion between the substrate fine particles and the silver layer is poor, the layer may be peeled off at the time of production and thermocompression bonding of a substrate or the like.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 8-311655
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 11-61424
  • Patent Document 3 JP 2002-270038 A
  • the present invention suppresses the peeling of the conductive layer during production and thermocompression bonding and migration during use, and also has conductive fine particles having high corrosion resistance and low electrical resistance.
  • the present invention is a conductive fine particle having a conductive layer in which a nickel layer, a silver layer, and a noble metal layer nobler than silver are sequentially formed on the surface.
  • the present inventors sequentially formed a nickel layer, a silver layer, and a noble metal layer noble from silver (hereinafter, these three layers are also referred to as a conductive layer) on the surface of the base particle.
  • a nickel layer a nickel layer
  • silver layer a silver layer
  • a noble metal layer noble from silver hereinafter, these three layers are also referred to as a conductive layer
  • the inventors have found that conductive fine particles having low connection resistance are obtained while suppressing migration at the time, and the present invention has been completed.
  • the conductive fine particles of the present invention comprise substrate fine particles and a conductive layer formed on the surface of the substrate fine particles.
  • the substrate fine particles are not particularly limited, and may be an inorganic material or an organic material as long as they have an appropriate elastic modulus, elastic deformability, and recoverability. Since it is easy to control the rate, elastic deformability, and restoring property, it is preferable that the fine particles are made of coconut resin.
  • the fine resin particles are not particularly limited, and examples thereof include polyolefins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinyl chloride, polyvinylidene, polytetrafluoroethylene, polyisobutylene, and polybutadiene; polymethyl Acrylic resin such as metatalylate and polymethyl acrylate; dibule benzene polymerized resin; dibule benzene styrene copolymer, dibule benzene acrylate copolymer, dibule benzene methacrylate polymer, etc.
  • polyolefins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinyl chloride, polyvinylidene, polytetrafluoroethylene, polyisobutylene, and polybutadiene
  • polymethyl Acrylic resin such as metatalylate and polymethyl acrylate
  • Dibutene benzene copolymer resin polyalkylene terephthalate, polysulfone, polycarbonate, polyamide, phenol formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin Kakara made things, and the like. These fine resin particles may be used alone or in combination of two or more.
  • the average particle size of the substrate fine particles is not particularly limited.
  • the lower limit of U is preferably 1 ⁇ m, and the upper limit is preferably 20 m. If it is less than 1 ⁇ m, for example, it may become difficult to agglomerate or quickly become single particles when electroless plating is performed, and if it exceeds, the range used between the substrate electrodes as an anisotropic conductive material may be reduced. It may exceed.
  • a more preferred upper limit is 10 / z m.
  • the conductive layer has a nickel layer in contact with the surface of the substrate fine particles.
  • the nickel layer is formed for the purpose of increasing the adhesion between the substrate fine particles and the conductive layer and suppressing the peeling of the conductive layer during production and thermocompression bonding of a substrate or the like. .
  • the thickness of the nickel layer is not particularly limited, but a preferred lower limit is 5 nm and a preferred upper limit is 2000 nm. If it is less than 5 nm, the desired adhesion may not be obtained. If it exceeds 2000 nm, the above-mentioned nickel The layer may be easily peeled off.
  • a more preferred lower limit is 10 nm, a more preferred upper limit is 500 nm, a still more preferred lower limit is 50 nm, and a still more preferred upper limit is lOOnm.
  • the thickness of the nickel layer is the thickness obtained by measuring 10 randomly selected particles and arithmetically averaging them.
  • the conductive layer has a silver layer in contact with the surface of the nickel layer.
  • the silver layer is formed for the purpose of reducing the resistance value of the conductive layer.
  • conductivity can be maintained even if the thickness of the gold layer is reduced, so that it is excellent in terms of cost.
  • the silver layer may be a silver alloy layer composed of silver and at least one metal selected from the group consisting of copper, iron ⁇ radium, tin, cobalt, iron, nickel, bismuth. .
  • the thickness of the silver layer is not particularly limited, but a preferred lower limit is 5 nm and a preferred upper limit is lOOOnm. If the thickness is less than 5 nm, the desired conductivity may not be obtained. If the thickness exceeds 1000 nm, migration tends to occur during use, and the cost is increased. It is the thickness obtained by measuring 10 particles selected for the work and calculating the arithmetic average.
  • the conductive layer has a noble metal layer nobler than silver in contact with the surface of the silver layer.
  • the noble metal more precious than silver include gold, noradium, and platinum.
  • the noble metal layer nobler than silver is formed for the purpose of suppressing the occurrence of migration with use and improving the corrosion resistance after thermocompression bonding of a substrate or the like.
  • the noble metal layer nobler than silver is an alloy layer comprising noble metal nobler than silver and at least one metal selected from the group consisting of copper, cobalt, rhodium, nickel, tin, and silver. Also good.
  • the purity of the noble metal precious than silver is preferably 99% or more.
  • the thickness of the noble metal layer nobler than the silver is not particularly limited, but a preferred lower limit is 5 nm and a preferred upper limit is 50 nm. If the thickness is less than 5 nm, it may be difficult to prevent the conductive layer from being oxidized or migrated. If the thickness exceeds 50 nm, no further acid-resistant effect can be expected, and the cost increases.
  • the thickness of the noble metal layer nobler than the above silver is the thickness obtained by measuring 10 randomly selected particles and arithmetically averaging them.
  • the thickness of the conductive layer covering the surface of the substrate fine particles is not particularly limited, but a preferred lower limit is 15 nm and a preferred upper limit is 3050 nm. If it is less than 15 nm, desired conductivity may not be obtained. If it exceeds 3050 nm, the adhesion between the fine particles of the substrate and the conductive layer may be deteriorated, and the cost is increased.
  • the method for producing conductive fine particles of the present invention is not particularly limited. For example, a step of forming a nickel layer on the surface of the substrate fine particles by electroless nickel plating, and an electroless silver plating on the surface of the nickel layer. And a step of forming a noble metal layer nobler than silver by a conventionally known method on the surface of the silver layer. Details of each step will be described below.
  • the method for forming the nickel layer is not particularly limited.
  • the catalyst-supplied substrate fine particles are immersed in a solution containing nickel ions in the presence of a reducing agent, and the catalyst is used as a starting point.
  • Examples thereof include a method of depositing nickel on the surface of the material fine particles.
  • Examples include a method for performing a pretreatment step.
  • Sensitizing is a process of adsorbing Sn 2+ ions on the surface of an insulating material. Actuating is Sn 2+ + Pd 2+ ⁇ Sn 4+ + Pd ° on the surface of an insulating material. In this process, the reaction shown in the figure is used to make palladium the catalyst nucleus of electroless plating.
  • the method for forming the silver layer by the electroless silver plating is not particularly limited, and is not particularly limited as long as the silver layer is formed on the surface of the nickel layer.
  • a method using a base catalyst type reduced electroless silver plating is preferably used.
  • the method using the autocatalytic type reducing electroless silver plating and the method using the substitution type electroless silver plating may be used in combination. Good.
  • the nickel in the nickel layer is contacted.
  • a silver layer is deposited as a medium.
  • a reducing agent that causes an acid-sodium reaction on the surface of the nickel layer and does not cause an acid-sodium reaction on the surface of the deposited metal silver is present on the surface of the nickel layer.
  • a silver plating film can be formed by reducing the silver salt in the electroless silver plating solution and precipitating silver.
  • the electroless silver plating solution used for the electroless silver plating is not particularly limited, and, like a general electroless silver plating solution, a water-soluble silver salt as a silver ion source and silver ions can be stably dissolved. And those containing a complexing agent for the purpose.
  • the water-soluble silver salt is not particularly limited as long as it exhibits water-solubility, and examples thereof include non-cyanide silver salts such as silver nitrate and silver sulfate; cyan-based silver salts such as cyan silver silver and the like. It is done. Of these, Norcian silver salt is preferred from the viewpoint of environmental issues.
  • the method for forming the noble metal layer noble from silver is not particularly limited, and examples thereof include conventionally known methods such as electroless plating, substitution plating, electric plating, reduction plating, and sputtering.
  • the conductive fine particles of the present invention have the above-described configuration, thereby suppressing the peeling of the mesh during manufacturing and thermocompression bonding and migration during use, and having a low resistance value.
  • An anisotropic conductive material can be produced by dispersing the conductive fine particles of the present invention in a binder resin. Such an anisotropic conductive material is also one aspect of the present invention.
  • anisotropic conductive material of the present invention include, for example, anisotropic conductive paste, anisotropic conductive ink, anisotropic conductive adhesive layer, anisotropic conductive film, anisotropic Examples thereof include a conductive sheet.
  • the resin binder is not particularly limited, but an insulating resin is used.
  • vinyl resin such as butyl acetate resin, salt resin resin, acrylic resin, styrene resin; polyolefin resin, ethylene acetate copolymer, polyamide resin
  • Thermoplastic resins such as epoxy resins, urethane resins, polyimide resins, unsaturated polyester resins and their hardeners; styrene resins, butadiene, styrene block copolymers, styrene Isoprene styrene block copolymers, thermoplastic block copolymers such as hydrogenated products thereof; elastomers such as styrene butadiene copolymer rubber, chloroprene rubber, acrylonitrile-styrene block copolymer rubber (rubbers), etc. .
  • These coffins may be used alone or in combination of two or more.
  • the curable resin may be any one of a room temperature curable type, a thermosetting type, a photo curable type, and a moisture curable type.
  • the anisotropic conductive material of the present invention includes, for example, an increased amount within a range that does not hinder the achievement of the present invention.
  • Additives, softeners (plasticizers), tackifiers, antioxidants (anti-aging agents), heat stabilizers, light stabilizers, UV absorbers, colorants, flame retardants, organic solvents, etc. May be added.
  • the method for producing the anisotropic conductive material of the present invention is not particularly limited.
  • the conductive fine particles of the present invention are added to an insulating resin binder and uniformly mixed and dispersed.
  • an anisotropic conductive paste, an anisotropic conductive ink, an anisotropic conductive adhesive, etc. or the conductive fine particles of the present invention are added to an insulating resin binder and dissolved uniformly ( Or by heating and dissolving, and coating the release material surface of the release material such as release paper and release film to a predetermined film thickness, and drying or cooling as necessary.
  • an anisotropic conductive film, an anisotropic conductive sheet, or the like can be used, and an appropriate manufacturing method may be adopted corresponding to the type of anisotropic conductive material to be manufactured. .
  • the conductive fine particles having a high corrosion resistance and a low resistance value as well as the conductive fine particles having a high resistance to corrosion as well as the peeling of the conductive layer during manufacturing and thermocompression bonding and the use are suppressed.
  • An anisotropic conductive material using conductive fine particles can be provided.
  • a solution containing 1% sodium succinate and 500 mL of ion-exchanged water was prepared, mixed with 10 g of substrate fine particles to prepare a slurry, and sulfuric acid was further added to adjust the pH of the slurry to 5.
  • a nickel solution containing 10% nickel sulfate, 10% sodium hypophosphite, 4% sodium hydroxide, and 20% sodium succinate was prepared as a nickel plating solution.
  • the slurry was brought to 80 ° C., and the prepared nickel solution was continuously added dropwise thereto and stirred for 20 minutes to cause a reaction. During this plating reaction, it was confirmed that hydrogen generation without any significant aggregation disappeared, and the plating reaction was terminated.
  • a late nickel solution containing 20% nickel sulfate, 5% dimethylamine borane, and 5% sodium hydroxide was prepared, and a late nickel solution was prepared. Thereafter, the late nickel solution prepared in the solution after completion of the early nickel solution reaction was continuously dropped and stirred for 1 hour to cause a reaction.
  • a solution containing 10 g of sodium chloroaurate and lOOOmL of ion-exchanged water was prepared, and 15 g of the obtained particles having a nickel plating film and a silver plating film were sequentially mixed to prepare an aqueous suspension.
  • aqueous suspension prepared.
  • 15 g of ammonium thiosulfate, 80 g of ammonium sulfite, and 40 g of ammonium hydrogenphosphate were added to prepare a solution.
  • the pH is adjusted to 9 using ammonia
  • the bath temperature is 60 ° C
  • the reaction is carried out for about 15-20 minutes to form a gold plating film on the outermost layer.
  • Conductive fine particles were obtained.
  • a plating solution was prepared by mixing 15 g of the particles on which the nickel plating film and the silver plating film were sequentially formed. Ammonia is added to the obtained plating solution, the pH is adjusted to 7.5, the bath temperature is set to 65 ° C, and the reaction is carried out for about 15 to 20 minutes, so that a conductive film with a radium plating film formed on the outermost layer is obtained. Fine particles were obtained.
  • a solution containing 10 g of sodium chloroaurate and lOOOmL of ion-exchanged water was prepared, and 12 g of particles having the same nickel plating film as in Example 1 were mixed to prepare an aqueous suspension.
  • an aqueous suspension To the obtained aqueous suspension, 30 g of ammonium thiosulfate, 80 g of ammonium sulfite, and 40 g of ammonium hydrogenphosphate were added to prepare a solution.
  • METSUKI liquid salt hydrolamine lOg After adding the obtained METSUKI liquid salt hydrolamine lOg, adjusting the pH to 10 with ammonia, setting the bath temperature to 60 ° C, and reacting for about 15 to 20 minutes, a gold plating film is formed on the outermost layer. Conductive particles I got a child.
  • the particles were separated by filtering with a Buchner funnel, and about lOOOmL of pure water was sprinkled and washed on the separated particles. Thereafter, alcohol substitution was carried out, followed by drying at 80 ° C. for 2 hours with a vacuum dryer, to obtain conductive fine particles having a silver plating film formed on the outermost layer.
  • Substrate fine particles carrying palladium were obtained by performing a reduction treatment, filtering and washing.
  • a solution containing 1% sodium succinate and 500 mL of ion-exchanged water was prepared, and a slurry was prepared by mixing the substrate fine particles lOg, and sulfuric acid was further added to adjust the pH of the slurry to 6.5.
  • a solution containing sodium salt oxalate lOg and ion-exchanged water lOOOmL was prepared, and 15 g of the particles having a silver plating film formed thereon were mixed to prepare an aqueous suspension.
  • 15 g of ammonium thiosulfate, 80 g of ammonium sulfite and 40 g of ammonium hydrogenphosphate were added to prepare a solution.
  • use ammonia! ⁇ Combine pH 9 and bath temperature 60 ° C for 15 to 20 minutes. As a result, conductive fine particles having formed therein were obtained.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a comb-shaped copper pattern with a minimum LZS of 20 ⁇ m / 20 ⁇ m with NiZAu electroless plating on the surface.

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Abstract

本発明は、製造時及び熱圧着時の導電層の剥がれや、使用時のマイグレーションを抑制するとともに、耐食性が高く抵抗値が低い導電性微粒子、並びに、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料を提供することを目的とする。 本発明は、表面にニッケル層、銀層、銀より貴な貴金属層が順次形成された導電層を有する基材微粒子からなる導電性微粒子である。

Description

明 細 書
導電性微粒子及び異方性導電材料
技術分野
[0001] 本発明は、製造時及び熱圧着時の導電層の剥がれや、使用時のマイグレーションを 抑制するとともに、耐食性が高く電気抵抗が低い導電性微粒子、並びに、該導電性 微粒子を用いてなる異方性導電材料に関する。
背景技術
[0002] 導電性微粒子は、一般に、バインダー榭脂等に混合され、例えば、異方性導電べ一 スト、異方性導電インク、異方性導電粘接着剤、異方性導電フィルム、異方性導電シ ート等の異方性導電材料として広く用いられている。これらの異方性導電材料は、例 えば、液晶ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、携帯電話等の電子機器において 、配線回路基板同士を電気的に接続したり、半導体素子等の小型部品を配線回路 基板に電気的に接続したりするために、配線回路基板や電極端子の間に挟み込ん で使用している。
[0003] 従来、異方性導電材料に対して好適な導電性微粒子として、粒子径の均一な榭脂 微粒子やガラスビーズ等の非導電性微粒子を基材微粒子として用い、基材微粒子 の表面にニッケル等の金属によるメツキを形成させた導電性微粒子が報告されてい た。し力しながら、ニッケルメツキされた導電性微粒子は経時的にメツキ層が腐食して 電気抵抗が増大するという問題があった。
[0004] このような問題に対し、ニッケルメツキされた導電性微粒子の表面に、更に金層又は 銀層を形成させた導電性微粒子が報告されている。例えば、特許文献 1には、実質 的に球状な榭脂微粒子の表面に、無電解メツキによりニッケル層を形成させた後、シ アン化金を用いて金層を形成させた導電性微粒子が開示されている。また、例えば、 特許文献 2には、基材微粒子の表面に、無電解メツキによるニッケル層と、ニッケル 層を覆う銅層とを形成させ、更に無電解銀メツキによる銅と銀との置換反応により銀層 を形成させた導電性微粒子が開示されている。
[0005] しかしながら、ニッケル層の表面に金層を形成させた導電性微粒子は、接続安定性 には優れる力 電気抵抗が高いという問題があった。
一方、ニッケル層の表面に銀層を形成させた導電性微粒子は、ニッケル層の表面に 金層を形成させた導電性微粒子よりも電気抵抗が低ぐ基板等の熱圧着には好適に 用いられる力 電流を流し使用しているうちにマイグレーションが起こり、断線の原因 となるという問題があった。
[0006] そこで、安定した導通性と電気抵抗の低減化を目指した導電性微粒子として、例え ば、特許文献 3には、基材微粒子の表面に銀層を形成し、更に金層を形成させた導 電性微粒子が開示されている。しかしながら、基材微粒子と銀層との密着性が悪いた め、製造時及び基板等の熱圧着時に層が剥がれることがあった。
特許文献 1：特開平 8— 311655号公報
特許文献 2：特開平 11— 61424号公報
特許文献 3：特開 2002— 270038号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0007] 本発明は、上記現状に鑑み、製造時及び熱圧着時の導電層の剥がれや、使用時の マイグレーションを抑制するとともに、耐食性が高く電気抵抗が低い導電性微粒子、 並びに、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料を提供することを目的とする 課題を解決するための手段
[0008] 本発明は、表面にニッケル層、銀層、銀より貴な貴金属層が順次形成された導電層 を有する基材微粒子カゝらなる導電性微粒子である。
以下に本発明を詳述する。
[0009] 本発明者らは、鋭意検討の結果、基材微粒子の表面に、ニッケル層、銀層、銀より貴 な貴金属層（以下、この 3層を併せて導電層ともいう）を順次形成させることにより、従 来不可能であった、基材微粒子と導電層との高い密着性、低抵抗、高耐食性を兼ね 備えることができ、製造時及び熱圧着時の導電層の剥がれや、使用時のマイグレー シヨンを抑制するとともに、接続抵抗が低い導電性微粒子となるということを見出し、 本発明を完成させるに至った。 [0010] 本発明の導電性微粒子は、基材微粒子と、上記基材微粒子の表面に形成された導 電層とからなる。
[0011] 上記基材微粒子としては特に限定されず、適度な弾性率、弾性変形性及び復元性 を有するものであれば、無機材料であっても有機材料であってもよいが、適度な弾性 率、弾性変形性及び復元性を制御しやすいため、榭脂からなる榭脂微粒子であるこ とが好ましい。
[0012] 上記榭脂微粒子としては特に限定されず、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ リスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩ィ匕ビニリデン、ポリテトラフルォロエチレン、ポリイソ ブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフイン；ポリメチルメタタリレート、ポリメチルアタリ レート等のアクリル榭脂；ジビュルベンゼン重合榭脂；ジビュルベンゼン スチレン共 重合体、ジビュルベンゼン アクリル酸エステル共重合体、ジビュルベンゼン メタ クリル酸エステル共重合体等のジビュルベンゼン系共重合榭脂；ポリアルキレンテレ フタレート、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、フエノールホルムアルデヒド榭 脂、メラミンホルムアルデヒド榭脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド榭脂、尿素ホル ムアルデヒド榭脂等カゝらなるものが挙げられる。これらの榭脂微粒子は、単独で用い られてもよく、 2種以上が併用されてもよい。
[0013] 上記基材微粒子の平均粒子径としては特に限定されな!ヽが、好ま Uヽ下限は 1 μ m 、好ましい上限は 20 mである。 1 μ m未満であると、例えば、無電解メツキをする際 に凝集しやすぐ単粒子としにくくなることがあり、 を超えると、異方性導電材 料として基板電極間等で用いられる範囲を超えてしまうことがある。より好ましい上限 は 10 /z mである。
[0014] 上記導電層は、上記基材微粒子の表面に接するニッケル層を有する。
本発明において、上記ニッケル層は、上記基材微粒子と上記導電層との密着性を高 め、製造時及び基板等の熱圧着時に導電層の剥がれが発生するのを抑制する目的 で形成される。
[0015] 上記ニッケル層の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は 5nm、好ましい 上限は 2000nmである。 5nm未満であると、所望の密着性が得られないことがあり、 2000nmを超えると、基材微粒子とニッケル層との熱膨張率の差から、上記ニッケル 層が剥離しやすくなることがある。より好ましい下限は 10nm、より好ましい上限は 500 nmであり、更に好ましい下限は 50nm、更に好ましい上限は lOOnmである。
なお、上記ニッケル層の厚さは、無作為に選んだ 10個の粒子について測定し、これ らを算術平均した厚さである。
[0016] 上記導電層は、上記ニッケル層の表面に接する銀層を有する。
本発明において、上記銀層は、上記導電層の抵抗値を低下させる目的で形成される 。また、従来のニッケル層の表面に金層を施した導電性微粒子よりも、金層の厚さを 薄くしても導電性を保つことができるため、コスト面でも優れる。
なお、上記銀層は、銀と、銅、ノ《ラジウム、錫、コバルト、鉄、ニッケル、ビスマスからな る群より選択される少なくとも 1種の金属とからなる銀の合金層であってもよい。
[0017] 上記銀層の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は 5nm、好ましい上限 は lOOOnmである。 5nm未満であると、所望の導電性が得られないことがあり、 1000 nmを超えると、使用時にマイグレーションが発生しやすくなり、また、コストが高くなる なお、上記銀層の厚さは、無作為に選んだ 10個の粒子について測定し、これらを算 術平均した厚さである。
[0018] 上記導電層は、上記銀層の表面に接する銀より貴な貴金属層を有する。銀より貴な 貴金属としては、具体的には、金、ノラジウム、又は、白金等が挙げられる。
本発明において、上記銀より貴な貴金属層は、基板等の熱圧着後、使用とともにマイ グレーシヨンが発生するのを抑制するとともに、耐食性を高める目的で形成される。 なお、上記銀より貴な貴金属層は、銀より貴な貴金属と、銅、コバルト、ロジウム、ニッ ケル、錫、銀力もなる群より選択される少なくとも 1種の金属とからなる合金層であって もよい。ただし、高い耐酸ィ匕効果が必要である場合は、銀より貴な貴金属の純度は 9 9%以上であることが好まし 、。
[0019] 上記銀より貴な貴金属層の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は 5nm、 好ましい上限は 50nmである。 5nm未満であると、導電層の酸化やマイグレーション の発生を防止することが困難となることがあり、 50nmを超えても、それ以上の耐酸ィ匕 効果が望めず、また、コストが高くなる。 なお、上記銀より貴な貴金属層の厚さは、無作為に選んだ 10個の粒子について測 定し、これらを算術平均した厚さである。
[0020] 上記基材微粒子の表面を被覆している導電層の厚さとしては特に限定されないが、 好ましい下限は 15nm、好ましい上限は 3050nmである。 15nm未満であると、所望 の導電性が得られないことがあり、 3050nmを超えると、基材微粒子と導電層との密 着性が悪くなることがあり、また、コストも高くなる。
[0021] 本発明の導電性微粒子の製造方法としては特に限定されず、例えば、基材微粒子 の表面に無電解ニッケルメツキによりニッケル層を形成する工程と、上記ニッケル層 の表面に無電解銀メツキにより銀層を形成する工程と、上記銀層の表面に従来公知 の方法により銀より貴な貴金属層を形成する工程とからなる方法が挙げられる。 以下に、各工程の詳細を説明する。
[0022] 上記ニッケル層を形成する方法としては特に限定されず、例えば、触媒付与された 基材微粒子を、還元剤の存在下でニッケルイオンを含有する溶液中に浸漬し、触媒 を起点として基材微粒子の表面にニッケルを析出させる方法等が挙げられる。
ここで、上記触媒付与を行う方法としては、例えば、アルカリ溶液でエッチングされた 基材微粒子に酸中和、及び、二塩化スズ (SnCl )
2溶液におけるセンシタイジングを 行い、二塩ィ匕パラジウム（PdCl )溶液におけるァクチべイジングを行う無電解メツキ
2
前処理工程を行う方法等が挙げられる。
なお、センシタイジングとは、絶縁物質の表面に Sn2+イオンを吸着させる工程であり 、ァクチべイチングとは、絶縁性物質表面に Sn2+ + Pd2+→Sn4+ + Pd°で示される反 応を起こしてパラジウムを無電解メツキの触媒核とする工程である。
[0023] 上記無電解銀メツキにより銀層を形成する方法としては特に限定されず、上記-ッケ ル層の表面に銀層が形成される方法であれば特に限定されな ヽが、ニッケル層と銀 層との密着性が優れたものとなるため、例えば、下地触媒型の還元型無電解銀メツキ による方法が好適に用いられる。また、下地触媒型の還元型無電解銀メツキによる方 法に加えて、例えば、自己触媒型の還元型無電解銀メツキによる方法、及び、置換 型無電解銀メツキによる方法等を併用してもよい。
[0024] 上記下地触媒型の還元型無電解銀メツキによる方法は、ニッケル層のニッケルを触 媒として銀層を析出させる方法である。
下地触媒型の還元型無電解銀メツキによる方法では、ニッケル層の表面で酸ィ匕反応 を起こし析出金属である銀の表面では酸ィ匕反応を起こさない還元剤をニッケル層の 表面に存在させ、無電解銀メツキ液中の銀塩を還元させて銀を析出させることにより 銀メツキ被膜を形成することができる。
[0025] 上記無電解銀メツキに用いる無電解銀メツキ液としては特に限定されず、一般の無電 解銀メツキ液と同様に、銀イオン源として水溶性銀塩と、銀イオンを安定して溶解させ るための錯化剤とを含むものが挙げられる。
[0026] 上記水溶性銀塩としては、水溶性を示すものであれば特に限定されず、例えば、硝 酸銀、硫酸銀等のノーシアン銀塩;シアンィ匕銀等のシアン系銀塩等が挙げられる。な かでも、環境問題等の観点よりノーシアン銀塩が好まし 、。
上記ノーシアン銀塩を用いることにより、ノーシアン無電解銀メツキを行うことができ、 シアン浴のように強アルカリで用いられることがな 、ため基材微粒子等への浸食がな ぐ環境にも配慮したものとなる。上記ノーシアン銀塩のなかでも、水への溶解性を考 慮すると硝酸銀が好ましい。
[0027] 上記銀より貴な貴金属層を形成する方法としては特に限定されず、例えば、無電解メ ツキ、置換メツキ、電気メツキ、還元メツキ、スパッタリング等の従来公知の方法が挙げ られる。
[0028] 本発明の導電性微粒子は、上記構成カゝらなることにより、製造時及び熱圧着時のメッ キ剥がれや、使用時のマイグレーションを抑制するとともに、抵抗値が低いものとなる
[0029] また、本発明の導電性微粒子をバインダー榭脂に分散させることにより異方性導電 材料を製造することができる。このような異方性導電材料もまた、本発明の 1つである
[0030] 本発明の異方性導電材料の具体的な例としては、例えば、異方性導電ペースト、異 方性導電インク、異方性導電粘着剤層、異方性導電フィルム、異方性導電シート等 が挙げられる。
[0031] 上記榭脂バインダーとしては特に限定されないが、絶縁性の樹脂が用いられ、例え ば、酢酸ビュル系榭脂、塩ィ匕ビュル系榭脂、アクリル系榭脂、スチレン系榭脂等のビ 二ル系榭脂；ポリオレフイン系榭脂、エチレン 酢酸ビュル共重合体、ポリアミド系榭 脂等の熱可塑性榭脂;エポキシ系榭脂、ウレタン系榭脂、ポリイミド系榭脂、不飽和ポ リエステル系榭脂及びこれらの硬化剤力 なる硬化性榭脂;スチレン ブタジエン スチレンブロック共重合体、スチレン イソプレン スチレンブロック共重合体、これら の水素添加物等の熱可塑性ブロック共重合体;スチレン ブタジエン共重合ゴム、ク ロロプレンゴム、アクリロニトリル一スチレンブロック共重合ゴム等のエラストマ一類（ゴ ム類)等が挙げられる。これらの榭脂は、単独で用いられてもよいし、 2種以上が併用 されてちょい。
また、上記硬化性榭脂は、常温硬化型、熱硬化型、光硬化型、湿気硬化型のいずれ の硬化型であってもよい。
[0032] 本発明の異方性導電材料には、本発明の導電性微粒子、及び、上記榭脂バインダ 一の他に、本発明の課題達成を阻害しない範囲で必要に応じて、例えば、増量剤、 軟化剤 (可塑剤)、粘接着性向上剤、酸化防止剤 (老化防止剤)、熱安定剤、光安定 剤、紫外線吸収剤、着色剤、難燃剤、有機溶媒等の各種添加剤を添加してもよい。
[0033] 本発明の異方性導電材料の製造方法としては特に限定されず、例えば、絶縁性の 榭脂バインダー中に本発明の導電性微粒子を添加し、均一に混合して分散させ、例 えば、異方性導電ペースト、異方性導電インク、異方性導電粘接着剤等とする方法 や、絶縁性の榭脂バインダー中に本発明の導電性微粒子を添加し、均一に溶解 (分 散）させるか、又は、加熱溶解させて、離型紙や離型フィルム等の離型材の離型処理 面に所定のフィルム厚さとなるように塗工し、必要に応じて乾燥や冷却等を行って、 例えば、異方性導電フィルム、異方性導電シート等とする方法等が挙げられ、製造し ようとする異方性導電材料の種類に対応して、適宜の製造方法をとればよい。
また、絶縁性の榭脂バインダーと、本発明の導電性微粒子とを混合することなぐ別 々に用いて異方性導電材料としてもよい。
発明の効果
[0034] 本発明によれば、製造時及び熱圧着時の導電層の剥がれや、使用時のマイグレー シヨンを抑制するとともに、耐食性が高く抵抗値が低い導電性微粒子、並びに、該導 電性微粒子を用いてなる異方性導電材料を提供することができる。
発明を実施するための最良の形態
[0035] 以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみ に限定されるものではない。
[0036] (実施例 1)
(無電解ニッケルメツキ）
粒径 4 mのジビュルベンゼン榭脂粒子を、イオン吸着剤の 10%溶液で 5分間処理 し、その後、硫酸パラジウム 0. 01%水溶液で 5分間処理し、更にジメチルァミンボラ ンを加えて還元処理を施し、ろ過、洗浄することにより、パラジウムを担持した基材微 粒子を得た。
次に、コハク酸ナトリウム 1%とイオン交換水 500mLとを含む溶液を調製し、基材微 粒子 10gと混合してスラリーを調製し、更に硫酸を添加してスラリーの pHを 5に調整し た。一方、ニッケルメツキ液として、硫酸ニッケル 10%、次亜リン酸ナトリウム 10%、水 酸ィ匕ナトリウム 4%及びコハク酸ナトリウム 20%を含む前期ニッケル溶液を調製した。 スラリーを 80°Cにし、これに作製した前期ニッケル溶液を連続的に滴下し、 20分間 攪拌することによりメツキ反応させた。このメツキ反応中に、著しい凝集はなぐ水素の 発生がなくなることを確認してメツキ反応を終了させた。
次に、硫酸ニッケル 20%、ジメチルァミンボラン 5%、水酸ィ匕ナトリウム 5%を含む後 期ニッケル溶液を調製し、後期ニッケル液を調製した。その後、前期ニッケル液反応 終了後の溶液に作製した後期ニッケル液を連続的に滴下し、 1時間攪拌することによ りメツキ反応させた。
[0037] (無電解銀メツキ）
次に、銀塩として硝酸銀 4. 25gを純水 1180mLに室温で溶解した溶液に、還元剤と してべンズイミダゾール 15gをカ卩えて溶解し、当初生成した沈殿が完全に溶解したの を確認した後、錯化剤としてアンモニア 6g、クェン酸 1水和物 6gを溶解し、その後、 結晶調整剤としてダリオキシル酸 10gを投入し完全溶解させ無電解銀メツキ液を調製 した。
次に、得られたニッケルメツキ被膜が形成された粒子 10gを無電解銀メツキ液に投入 し、この溶液を攪拌しながら加熱して温度を 50°Cに保った。その後、ブフナー漏斗で 濾別して粒子を分離し、銀メツキ被膜が形成された粒子を得た。
[0038] (無電解金メッキ）
次に、塩ィ匕金酸ナトリウム 10gとイオン交換水 lOOOmLとを含む溶液を調製し、得ら れたニッケルメツキ被膜及び銀メツキ被膜が順次形成された粒子 15gを混合して水性 懸濁液を調製した。得られた水性懸濁液に、チォ硫酸アンモ-ゥム 15g、亜硫酸アン モ -ゥム 80g、及び、リン酸水素アンモ-ゥム 40gを投入しメツキ液を調製した。得ら れたメツキ液にヒドロキシルァミン 4gを投入後、アンモニアを用い pHを 9に合わせ、浴 温を 60°Cにし、 15〜20分程度反応させることにより最外層に金メッキ被膜が形成さ れた導電性微粒子を得た。
[0039] (実施例 2)
実施例 1と同様にしてニッケルメツキ被膜及び銀メツキ被膜が順次形成された粒子を 作製した。
[0040] (無電解パラジウムメツキ）
次に、テトラクロ口パラジウム 9g、エチレンジァミン 10. lg、アミノビリジン 5. 3g、次亜 ジン ナ卜ジクム 17. 8g、ポジエチレングジ 一ノレ 20g、 び、ィ: ^ン lOOOml^ を含む溶液を調製し、得られたニッケルメツキ被膜及び銀メツキ被膜が順次形成され た粒子 15gを混合してメツキ液を調製した。得られたメツキ液にアンモニアをカ卩ぇ pH を 7. 5に合わせ、浴温を 65°Cにし、 15〜20分程度反応させることにより、最外層に ノ《ラジウムメツキ被膜が形成された導電性微粒子を得た。
[0041] (比較例 1)
(NiZAuからなる導電層を有する導電性微粒子）
塩ィ匕金酸ナトリウム 10gとイオン交換水 lOOOmLとを含む溶液を調製し、実施例 1と 同様のニッケルメツキ被膜が形成された粒子 12gを混合して水性懸濁液を調製した。 得られた水性懸濁液に、チォ硫酸アンモ-ゥム 30g、亜硫酸アンモ-ゥム 80g、及び 、リン酸水素アンモ-ゥム 40gを投入しメツキ液を調製した。得られたメツキ液〖こヒドロ キシルァミン lOgを投入後、アンモニアを用い pHを 10に合わせ、浴温を 60°Cにし、 1 5〜20分程度反応させることにより、最外層に金メッキ被膜が形成された導電性微粒 子を得た。
[0042] (比較例 2)
(NiZAgからなる導電層を有する導電性微粒子）
実施例 1と同様にして、無電解ニッケルメツキを行い、ニッケルメツキ被膜が形成され た粒子を得た。
次に、銀塩として硝酸銀 4. 25gを純水 1180mLに室温で溶解した溶液に、還元剤と してべンズイミダゾール 15gをカ卩えて溶解し、当初生成した沈殿が完全に溶解したの を確認した後、錯化剤としてアンモニア 6g、クェン酸 1水和物 6gを溶解し、その後、 結晶調整剤としてダリオキシル酸 10gを投入し完全溶解させ無電解銀メツキ液を調製 した。次に、得られたニッケルメツキ被膜が形成された粒子を無電解銀メツキ液に投 入し、この溶液を攪拌しながら加熱して温度を 50°Cに保った。その後、ブフナー漏斗 で濾別して粒子を分離し、分離した粒子に純水約 lOOOmLを振り掛け洗浄した。そ の後、アルコール置換を行い、真空乾燥機で 80°C2時間乾燥し、最外層に銀メツキ 被膜が形成された導電性微粒子を得た。
[0043] (比較例 3)
(AgZAuからなる導電層を有する導電性微粒子）
粒径 4 mのジビュルベンゼン榭脂粒子を、イオン吸着剤の 10%溶液で 5分間処理 し、その後、硫酸パラジウム 0. 01%水溶液で 5分間処理し、更にジメチルァミンボラ ンを加えて還元処理を施し、ろ過、洗浄することにより、パラジウムを担持した基材微 粒子を得た。次に、コハク酸ナトリウム 1%とイオン交換水 500mL含む溶液を調製し 、基材微粒子 lOgとを混合してスラリーを調製し、更に硫酸を添加してスラリーの pH6 . 5に調整した。
次に、銀塩として硝酸銀 8. 5gを純水 2360mLに室温で溶解した溶液に、還元剤と してべンズイミダゾール 30gをカ卩えて溶解し、当初生成した沈殿が完全に溶解したの を確認した後、錯化剤としてアンモニア 12g、クェン酸 1水和物 12gを溶解し、その後 、結晶調整剤としてダリオキシル酸 20gを投入し完全溶解させ無電解銀メツキ液を調 製した。この溶液を基材微粒子を含むスラリーに連続的に滴下し、 1時間攪拌するこ とによりメツキ反応させた。 次に、塩ィ匕金酸ナトリウム lOgとイオン交換水 lOOOmLとを含む溶液を調製し、得ら れた銀メツキ被膜が形成された粒子 15gを混合して水性懸濁液を調製した。得られ た水性懸濁液に、チォ硫酸アンモ-ゥム 15g、亜硫酸アンモ-ゥム 80g、及び、リン 酸水素アンモ-ゥム 40gを投入しメツキ液を調製した。得られたメツキ液にヒドロキシ ノレァミン 4gを投人後、アンモニアを用!ヽ pHを 9【こ合わせ、浴温を 60°C【こし、 15〜20 分程度反応させることにより、最外層に金メッキ被膜が形成された導電性微粒子を得 た。
[0044] <評価 >
実施例 1〜2及び比較例 1〜3で得られた導電性微粒子について以下の評価を行つ た。結果を表 1に示した。
[0045] (1)導電性微粒子の密着性評価
実施例 1〜2及び比較例 1〜3で得られたそれぞれの導電性微粒子にっ 、て、 100 mLのビーカーに、導電性微粒子 lg、直径 lmmのジルコユアボール 40g、及び、ェ タノール 20mLを投入し、ステンレス製の 4枚攪拌羽根により 400rpmで 2分間攪拌し 、ろ過乾燥を行い、導電性微粒子の解砕を行った。
解砕を行った導電性微粒子について、走査電子顕微鏡 (SEM)写真（1000倍）にて 5枚撮影し、 1000個観察中の割れた粒子数をカウントして、基材微粒子とメツキ被膜 との密着性の評価を行った。なお、割れた粒子数は、導電性微粒子の直径の 1Z2 以上のひびや剥がれをおこしたものをカウントした。
[0046] (2)抵抗評価
L/S100 μ m/100 μ mの銅パターンを持つ基板 2枚の交差部を導電性微粒子と 榭脂との混合ペーストで接続し、加熱硬化後、抵抗を四端子法にて測定し、評価した
[0047] (3)耐食性評価
表面に NiZAu無電解メツキを施した LZS100 μ m/100 μ mの銅パターンを持つ 基板 2枚の交差部を導電性微粒子と榭脂との混合ペーストで接続し、加熱硬化させ 、 85°C85%RH環境で lOOOh放置した。放置前後の抵抗を四端子法にて測定し、 耐食性を評価した。 [0048] (4)マイグレーション評価
図 1に示すような表面に NiZAu無電解メツキを施した最小 LZS20 /Z πιΖ20 /ζ mの 櫛型銅パターンの表面に導電性微粒子と榭脂との混合ペーストを塗布し、導電性微 粒子を電極に確実に接触させるためにペーストの上力 アルカリフリーガラス板を圧 着し、加熱硬化させ、電極間 5Vのバイアスを印加しながら 85°C85%RH環境で 100 Oh放置した。放置前後の電極間の絶縁抵抗を測定し、かつ、電極表面の外観変化（ マイナス電極表面でのデントライト発生の有無）を観察することでマイグレーション耐 性を評価した。
[0049] [表 1]
Figure imgf000014_0001
産業上の利用可能性
[0050] 本発明によれば、製造時及び熱圧着時の導電層の剥がれや、使用時のマイグレー シヨンを抑制するとともに、耐食性が高く抵抗値が低い導電性微粒子、並びに、該導 電性微粒子を用いてなる異方性導電材料を提供することができる。
図面の簡単な説明
[0051] [図 1]表面に NiZAu無電解メツキを施した最小 LZS20 μ m/20 μ mの櫛型銅パタ ーンの一例を示す模式図である。

Claims

請求の範囲
[1] 表面にニッケル層、銀層、銀より貴な貴金属層が順次形成された導電層を有する基 材微粒子カゝらなることを特徴とする導電性微粒子。
[2] 銀より貴な貴金属は、金、パラジウム、又は、白金であることを特徴とする請求項 1記 載の導電性微粒子。
[3] 請求項 1又は 2記載の導電性微粒子が榭脂バインダーに分散されてなることを特徴と する異方性導電材料。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010073578A (ja) * 2008-09-19 2010-04-02 Sekisui Chem Co Ltd 導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体
JP2016006764A (ja) * 2014-05-27 2016-01-14 積水化学工業株式会社 導電性粒子、導電材料及び接続構造体

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8506850B2 (en) * 2009-03-31 2013-08-13 Sekisui Chemical Co., Ltd. Conductive fine particles, anisotropic conductive element, and connection structure

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61231066A (ja) * 1985-04-06 1986-10-15 Fujikura Kasei Kk 異方導電性ホツトメルト接着剤
JPH07118866A (ja) * 1993-10-21 1995-05-09 Nippon Chem Ind Co Ltd 分散性に優れた球状無電解めっき粉末、導電性材料およびその製造方法
JPH08176836A (ja) * 1994-12-26 1996-07-09 Nippon Chem Ind Co Ltd 導電性無電解めっき粉体
JPH08311655A (ja) * 1995-05-16 1996-11-26 Nippon Chem Ind Co Ltd 導電性無電解めっき粉体
JP2004152660A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Shin Etsu Chem Co Ltd 導電性粉体及びその製造方法並びに導電性シリコーンゴム組成物
JP2005149764A (ja) * 2003-11-11 2005-06-09 Sekisui Chem Co Ltd 被覆導電粒子、異方性導電材料及び導電接続構造体
JP2005216753A (ja) * 2004-01-30 2005-08-11 Sekisui Chem Co Ltd 導電性微粒子及び異方性導電材料

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61231066A (ja) * 1985-04-06 1986-10-15 Fujikura Kasei Kk 異方導電性ホツトメルト接着剤
JPH07118866A (ja) * 1993-10-21 1995-05-09 Nippon Chem Ind Co Ltd 分散性に優れた球状無電解めっき粉末、導電性材料およびその製造方法
JPH08176836A (ja) * 1994-12-26 1996-07-09 Nippon Chem Ind Co Ltd 導電性無電解めっき粉体
JPH08311655A (ja) * 1995-05-16 1996-11-26 Nippon Chem Ind Co Ltd 導電性無電解めっき粉体
JP2004152660A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Shin Etsu Chem Co Ltd 導電性粉体及びその製造方法並びに導電性シリコーンゴム組成物
JP2005149764A (ja) * 2003-11-11 2005-06-09 Sekisui Chem Co Ltd 被覆導電粒子、異方性導電材料及び導電接続構造体
JP2005216753A (ja) * 2004-01-30 2005-08-11 Sekisui Chem Co Ltd 導電性微粒子及び異方性導電材料

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010073578A (ja) * 2008-09-19 2010-04-02 Sekisui Chem Co Ltd 導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体
JP2016006764A (ja) * 2014-05-27 2016-01-14 積水化学工業株式会社 導電性粒子、導電材料及び接続構造体

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