JP2005216753A

JP2005216753A - 導電性微粒子及び異方性導電材料

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Publication number: JP2005216753A
Application number: JP2004024067A
Authority: JP
Inventors: Masahiko Tateno; 舘野　　晶彦; Manabu Matsubara; 学松原
Original assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Current assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date: 2004-01-30
Filing date: 2004-01-30
Publication date: 2005-08-11
Anticipated expiration: 2024-01-30
Also published as: JP3914206B2

Abstract

【課題】接続抵抗値が低く導電信頼性に優れた導電性微粒子を提供する。また、該導電性微粒子を用いた、接続抵抗値が低く導電信頼性に優れた異方性導電材料を提供する。
【解決手段】球状の基材微粒子の表面にＮｉ層が形成され、更に最外層にＡｕ層が形成されてなる導電性微粒子であって、上記Ｎｉ層中にＡｇ、Ｃｕ及びＣｏから選ばれる少なくとも１種の金属（Ｍ）を含有してなる導電性微粒子、好ましくは上記Ｎｉ層中の金属（Ｍ）は、Ｎｉ層を海成分、金属（Ｍ）を島成分とする海島構造として存在するものである導電性微粒子、好ましくは上記Ｎｉ層は、基材微粒子の粒子直径に対し０．５〜２５％の範囲内に収まる平均高さの、最外層のＡｕ層を突出させる凸部を有し、上記凸部に金属（Ｍ）を含有してなるものである導電性微粒子、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料。
【選択図】図１

Description

本発明は、接続抵抗値が低く導電信頼性に優れた導電性微粒子、及び該導電性微粒子を用いた異方性導電材料に関する。

導電性微粒子は、バインダー樹脂や粘接着剤等と混合（混練）することにより、例えば、異方性導電ペースト、異方性導電インク、異方性導電粘接着剤、異方性導電フィルム、異方性導電シート等の異方性導電材料として広く用いられている。

これらの異方性導電材料は、例えば、液晶ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、携帯電話等の電子機器において、基板同士を電気的に接続したり、半導体素子等の小型部品を基板に電気的に接着したりするために、相対向する基板や電極端子の間に挟み込んで使用されている。

上記異方性導電材料に用いられる導電性微粒子としては、従来から、金（以下Ａｕとも表す）、銀（以下Ａｇとも表す）、ニッケル（以下Ｎｉとも表す）等の金属粒子が一般的に用いられてきたが、金属粒子は、比重が大きく、形状も不定形であるため、バインダー樹脂中や粘接着剤中に不均一な状態で存在（分散）しやすくなり、得られる異方性導電材料の導電性にムラを生じさせる原因になるという問題点がある。

このため、金属粒子の代わりに、粒子直径が均一で、適度な強度を有する樹脂微粒子等の非導電性微粒子の表面に例えば無電解Ｎｉメッキを施して、金属メッキ層（導電層）を形成させた導電性微粒子が用いられてきている。ところが、Ｎｉは接続抵抗が高く、高温高湿下に長時間さらされると変質し、接続導通性を更に悪化させるという問題点があった。このような問題点を解決するために、球状の芯材粒子表面上に無電解Ｎｉメッキを施し、さらにその上層にＡｕメッキ層を形成させた導電性微粒子が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

しかしながら、近年の電子機器の急激な進歩や発展に伴って、異方性導電材料として用いられる導電性微粒子の接続抵抗において、更なる低減化が求められてきているのが現状である。

特開平７−１１８８６６号公報（第２頁特許請求の範囲等）

上記導電性微粒子の接続抵抗を低減化するため、導電層を全てＡｕにするとコストが非常に高くなる。また、Ａｕよりも抵抗値の低いＡｇ（銀）やＣｕ（銅）を導電層の最外層にすると酸化による抵抗値の上昇が起こったり、Ａｕ層の内層にＡｕ層／Ａｇ層又はＡｕ層／Ｃｕ層を連続させた構成ではマイグレーションを起こしたりする問題がある。

本発明の目的は、上述した現状に鑑み、球状の基材微粒子の表面にＮｉ層が形成され、更に最外層にＡｕ層が形成されてなる導電性微粒子であって、接続抵抗値が低く導電信頼性に優れた導電性微粒子を提供することにある。また、該導電性微粒子を用いた、接続抵抗値が低く導電信頼性に優れた異方性導電材料を提供することにある。

上記目的を達成するために請求項１記載の発明は、球状の基材微粒子の表面にＮｉ層が形成され、更に最外層にＡｕ層が形成されてなる導電性微粒子であって、上記Ｎｉ層中にＡｇ、Ｃｕ及びＣｏから選ばれる少なくとも１種の金属（Ｍ）を含有してなる導電性微粒子を提供する。

また、請求項２記載の発明は、上記Ｎｉ層中のＡｇ、Ｃｕ及びＣｏから選ばれる少なくとも１種の金属（Ｍ）は、Ｎｉ層を海成分、金属（Ｍ）を島成分とする海島構造として存在するものである請求項１記載の導電性微粒子を提供する。

また、請求項３記載の発明は、上記Ｎｉ層は、基材微粒子の粒子直径に対し０．５〜２５％の範囲内に収まる平均高さの、最外層のＡｕ層を突出させる凸部を有し、上記凸部にＡｇ、Ｃｕ及びＣｏから選ばれる少なくとも１種の金属（Ｍ）を含有してなるものである請求項１又は２記載の導電性微粒子を提供する。

また、請求項４記載の発明は、請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料を提供する。

以下、本発明の詳細を説明する。
本発明の導電性微粒子は、球状の基材微粒子の表面にＮｉ層が形成され、更に最外層にＡｕ層が形成されてなるものである。

上記球状の基材微粒子としては、適度な弾性率、弾性変形性及び復元性を有するものであれば無機、有機を問わず特に限定されないが、樹脂からなる樹脂微粒子が好適である。

上記樹脂微粒子としては特に限定されず、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン；ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；アクリレートとジビニルベンゼンとの共重合樹脂、ポリアルキレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂等からなるものが挙げられる。これらの樹脂微粒子は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記球状の基材微粒子の平均粒子直径は１〜２０μｍが好ましい。１μｍ未満であると、Ｎｉ層を形成する際に凝集しやすく、単粒子としにくくなることがあり、２０μｍを超えると、異方性導電材料として基板電極間等で用いられる範囲を超えてしまうことがある。より好ましい平均粒子直径は１〜１０μｍである。

本発明の導電性微粒子は、上記基材微粒子の表面にＮｉ層が形成されているものである。上記Ｎｉ層の形成には、無電解Ｎｉメッキを好適に用いることができる。更に、本発明の導電性微粒子は、最外層にＡｕ層が形成されてなるものである。

最外層にＡｕ層を形成することにより、抵抗値の低減化や表面の安定化を図ることができる。

上記Ａｕ層は、無電解メッキ、置換メッキ、電気メッキ、スパッタリング等の公知の方法により形成することができる。

上記Ｎｉ層の平均膜厚としては特に限定されないが、導電接続材料として必要な導電性を発揮するためには１０ｎｍ〜１μｍが好ましい。１０ｎｍ未満であると、基材微粒子上にＮｉ層が形成されていない部分が生じたり、また、抵抗が大きくなったりすることがある。１μｍを超えると、Ｎｉ層が硬くなり基材微粒子の変形に追従できず破壊が進みやすくなったり、基材微粒子の変形を妨げるため接続電極を破壊したり、接触面積が大きくならなかったりして、接続抵抗値が高くなったり接続不良が発生しやすくなることがある。より好ましくは１０〜５００ｎｍである。

上記Ａｕ層の平均膜厚としては特に限定されないが、１〜１００ｎｍが好ましい。１ｎｍ未満であると、下地Ｎｉ層の酸化を防止することができなくなり、接続抵抗値が高くなったりすることがある。１００ｎｍを超えると、置換型メッキの場合下地Ｎｉ層を侵食し基材微粒子と下地Ｎｉ層との密着を悪くすることがある。より好ましくは１〜５０ｎｍである。

本発明の導電性微粒子は、上記Ｎｉ層中にＡｇ（銀）、Ｃｕ（銅）及びＣｏ（コバルト）から選ばれる少なくとも１種の金属（Ｍ）を含有していることが必要である。

上記金属（Ｍ）は、抵抗値がＮｉに比べ低いため、Ｎｉ層中に金属（Ｍ）を存在させることにより、よりＮｉ層の抵抗値を低減化させようとするものである。また、Ｎｉと金属（Ｍ）はマイグレーションを起こさないため、Ｎｉ層中に安定に存在させることができる。

本発明の導電性微粒子は、上記Ｎｉ層中の金属（Ｍ）が、Ｎｉ層を海成分、金属（Ｍ）を島成分とする海島構造として存在するものであることが好ましい。

本発明において、海島構造とは、海成分と島成分が相分離した状態で存在し、海成分の中に島成分が分散状態にあるものをいう。

上記金属（Ｍ）の分散状態の分散粒径としては、０．１ｎｍ以上であることが好ましい。０．１ｎｍ未満であると、金属（Ｍ）の存在による抵抗値低減化の効果が得られ難くなることがある。また、基材微粒子の粒子直径に対して２５％以内に収まる粒径を超えると、Ｎｉ層中に分散させることが困難となることがある。より好ましくは１ｎｍ以上である。

本発明の導電性微粒子は、上記Ｎｉ層が、基材微粒子の粒子直径に対し０．５〜２５％の範囲内に収まる平均高さの、最外層のＡｕ層を突出させる凸部を有し、上記凸部に金属（Ｍ）を含有してなるものであることが好ましい。

上記凸部は、導電性微粒子の最外層のＡｕ層を突出させる。すなわち、Ｎｉ層の凸部は、導電性微粒子の最外層に凸部として現れる。

上記Ｎｉ層が凸部を有していると、本発明の導電性微粒子を異方性導電材料として用いた接続時に、凸部がバインダー樹脂や粘接着剤等を排除しやすく、良好な接続安定性を得られる効果がある。なお、上記凸部に金属（Ｍ）を含有すると、より低抵抗化が図れるので好ましい。

上記凸部の平均高さは、基材微粒子の粒子直径に対し０．５〜２５％の範囲内の高さに収まることが好ましい。上記凸部の平均高さが、基材微粒子の粒子直径に対し０．５％未満であると、凸部を付与した効果が得られにくく、２５％を超えると、凸部が折れやすくなったり電極に深くめり込み破損したりするおそれがある。

本発明における導電性微粒子の各種特性、例えば、Ｎｉ層及びＡｕ層の平均膜厚、海島構造、金属（Ｍ）の分散粒径、凸部の平均高さ等は、電子顕微鏡による導電性微粒子の断面観察により得ることができる。

上記断面観察を行うための試料の作製法としては、導電性微粒子を熱硬化型の樹脂に埋め込み加熱硬化させ、所定の研磨紙や研磨剤を用いて観察可能な鏡面状態にまで試料を研磨する方法等が挙げられる。

また、測定は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）又は透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）により行い、倍率としては、観察しやすい倍率を選べばよいが、例えば、５万倍により行う。

上記導電性微粒子のＮｉ層及びＡｕ層の平均膜厚は、無作為に選んだ１０個の粒子について測定し、それを算術平均した膜厚である。なお、個々の導電性微粒子の膜厚にむらがある場合には、その最大膜厚と最小膜厚を測定し、算術平均した値を膜厚とする。

上記金属（Ｍ）の分散粒径は、無作為に選んだ５０個の島成分である金属（Ｍ）の分散粒径を測定し、それを算術平均して分散粒径とする。このとき、金属（Ｍ）の分散粒子が球状と見なせない場合には、その長径と短径を測定し、算術平均した値を分散粒径とする。

上記凸部の平均高さは、無作為に選んだ５０個のＮｉ層上にある凸部の高さを測定し、それを算術平均して凸部の平均高さとする。このとき、凸部を付与した効果が得られるものとして、基材微粒子の粒子直径に対し０．５％以上の高さのものを凸部として選ぶものとする。

本発明におけるＮｉ層の形成は、例えば、無電解Ｎｉメッキ法により形成することができる。上記無電解Ｎｉメッキを行う方法としては、例えば、次亜りん酸ナトリウムを還元剤として構成される無電解Ｎｉメッキ液を所定の方法にしたがって建浴、加温したところに、触媒付与された基材微粒子を浸漬し、Ｎｉ²⁺＋Ｈ₂ＰＯ₂ ^-＋Ｈ₂Ｏ→Ｎｉ＋Ｈ₂ＰＯ₃ ^-＋２Ｈ⁺ からなる還元反応でＮｉ層を析出させる方法等が挙げられる。

上記触媒付与を行う方法としては、例えば、樹脂からなる基材微粒子に、アルカリ脱脂、酸中和、ＳｎＣｌ₂ 溶液におけるセンシタイジング、ＰｄＣｌ₂ 溶液におけるアクチベイチングからなる無電解メッキ前処理工程を行う方法等が挙げられる。なお、センシタイジングとは、絶縁物質の表面にＳｎ²⁺イオンを吸着させる工程であり、アクチベイチングとは、Ｓｎ²⁺＋Ｐｄ²⁺→Ｓｎ⁴⁺＋Ｐｄ⁰ なる反応を絶縁物質表面に起こしてＰｄを無電解メッキの触媒核とする工程である。

また、上記Ｎｉ層に金属（Ｍ）を含有させる方法としては、例えば、無電解Ｎｉメッキ液中に金属（Ｍ）を分散添加し金属（Ｍ）が懸濁状態で含有している無電解Ｎｉメッキ浴に、触媒付与された基材微粒子を浸漬して無電解メッキを行う方法；無電解Ｎｉメッキ液中に金属（Ｍ）イオンを添加した無電解Ｎｉメッキ浴に、触媒付与された基材微粒子を浸漬して無電解メッキを行う方法等が挙げられる。

上記Ｎｉ層に凸部を形成する方法としては、例えば、上述の無電解Ｎｉメッキ液中に金属（Ｍ）を分散添加し金属（Ｍ）が懸濁状態で含有している無電解Ｎｉメッキ浴に、触媒付与された基材微粒子を浸漬して無電解メッキを行う方法が挙げられる。このとき金属（Ｍ）は同時にＮｉ層に取り込まれ共析状態となり凸部を有したＮｉ層を得ることができる。
また、その他の上記Ｎｉ層に凸部を形成する方法としては、例えば、基材微粒子上へのＮｉ皮膜の形成とメッキ浴の自己分解とを同時に起こして、この自己分解物を凸部の核とし、次いで、構成成分が少なくとも２液に分離した無電解メッキ液により無電解メッキを行うことにより、凸部の成長とＮｉ皮膜の成長とを同時に行う方法；基材微粒子表面にＰｄを形成する工程において、Ｐｄを不均一に付着させＰｄの多い部分でメッキ層を成長させて凸部を設ける方法；基材微粒子表面にハイブリダイゼーション等の各種方法により凸部を設ける方法等が挙げられる。

次に、本発明の異方性導電材料は、上述した本発明の導電性微粒子を用いて作製されている。

上記異方性導電材料としては、例えば、異方性導電ペースト、異方性導電インク、異方性導電粘接着剤、異方性導電フィルム、異方性導電シート等が挙げられるが、これらの異方性導電材料のみに限定されるものではなく、導電性微粒子を用いて作製されるものであれば如何なる異方性導電材料であってもよい。

本発明の異方性導電材料の作製方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、絶縁性のバインダー樹脂中や絶縁性の粘接着剤中に本発明の導電性微粒子を添加し、均一に混合して分散させ、例えば、異方性導電ペースト、異方性導電インク、異方性導電粘接着剤等とする方法や、絶縁性のバインダー樹脂中や絶縁性の粘接着剤中に本発明の導電性微粒子を添加し、均一に混合して導電性組成物を作製した後、この導電性組成物を必要に応じて有機溶媒中に均一に溶解（分散）させるか、または、加熱溶融させて、離型紙や離型フィルム等の離型材の離型処理面に所定のフィルム厚さとなるように塗工し、必要に応じて乾燥や冷却等を行って、例えば、異方性導電フィルム、異方性導電シート等とする方法等が挙げられ、作製しようとする異方性導電材料の種類に対応して、適宜の作製方法をとればよい。また、絶縁性のバインダー樹脂や絶縁性の粘接着剤と、本発明の導電性微粒子とを、混合することなく、別々に用いて異方性導電材料としてもよい。

上記絶縁性のバインダー樹脂としては、特に限定されるものではないが、例えば、酢酸ビニル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂等のビニル系樹脂；ポリオレフィン系樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド系樹脂等の熱可塑性樹脂；エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂及びこれらの硬化剤からなる硬化性樹脂；スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、これらの水素添加物等の熱可塑性ブロック共重合体；スチレン−ブタジエン共重合ゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等のエラストマー類（ゴム類）等が挙げられる。これらの絶縁性のバインダー樹脂は、単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。また、上記硬化性樹脂は、常温硬化型、熱硬化型、光硬化型、湿気硬化型等のいずれの硬化形態であってもよい。

上記絶縁性の粘接着剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、上記絶縁性のバインダー樹脂を主成分としてなる粘接着剤や、公知の各種粘接着剤等が挙げられる。これらの絶縁性の粘接着剤は、単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。また、上記絶縁性のバインダー樹脂及び絶縁性の粘接着剤は、それぞれ単独で用いられてもよいし、両者が併用されてもよい。

本発明の異方性導電材料には、絶縁性のバインダー樹脂及び／又は絶縁性の粘接着剤、並びに、本発明の導電性微粒子に加えるに、本発明の課題達成を阻害しない範囲で必要に応じて、例えば、増量剤、軟化剤（可塑剤）、粘接着性向上剤、酸化防止剤（老化防止剤）、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、着色剤、難燃剤、有機溶媒等の各種添加剤の１種又は２種以上が併用されてもよい。

本発明は、上述の構成よりなるので、接続抵抗値が低く導電信頼性に優れた導電性微粒子を得ることができる。また、該導電性微粒子を用いた、接続抵抗値が低く導電信頼性に優れた異方性導電材料を得ることが可能となった。

以下、本発明の導電性微粒子について図面を参照して説明する。
図１に示した導電性微粒子は、基材微粒子１の表面に、Ｎｉ層２が形成され、更に最外層にＡｕ層３が形成されている。また、Ｎｉ層２中には、Ａｇ、Ｃｕ及びＣｏから選ばれる少なくとも１種の金属（Ｍ）４が含有されている。
また、Ｎｉ層２中の、Ａｇ、Ｃｕ及びＣｏから選ばれる少なくとも１種の金属（Ｍ）４は、Ｎｉ層２を海成分、金属（Ｍ）４を島成分とする海島構造となっている。

また、図２はＮｉ層が凸部を有した導電性微粒子の断面の一部を拡大した模式図である。図２に示した導電性微粒子は、基材微粒子５の表面に、Ｎｉ層６が形成され、更に最外層にＡｕ層７が形成されている。また、Ｎｉ層６中には、金属（Ｍ）８が含有され、Ｎｉ層６を海成分、金属（Ｍ）８を島成分とする海島構造となっている。更に、Ｎｉ層６には最外層のＡｕ層７を突出させる凸部があり、凸部に金属（Ｍ）８を含有している状態が示されている。

以下、実施例を挙げて本発明をより詳しく説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
（Ｎｉ層が凸部を有し凸部にＣｕを含有する導電性微粒子の作製）
平均粒子直径５μｍのテトラメチロールメタンテトラアクリレートとジビニルベンゼンとの共重合樹脂からなる基材微粒子に、アルカリ脱脂、酸中和、ＳｎＣｌ₂ 溶液におけるセンシタイジング、ＰｄＣｌ₂ 溶液におけるアクチベイチングからなる無電解メッキ前処理工程を行った。
無電解メッキ前処理工程を施した基材微粒子を、所定の方法にしたがって建浴、加温されたＣｕ微粉末を分散した無電解Ｎｉメッキ浴に浸漬して無電解Ｎｉメッキを行った。無電解Ｎｉメッキ浴としては奥野製薬工業社製「トップニコロンＭＸ」を使用し、Ｃｕ微粉末としては粒径４０ｎｍの微粒子を使用した。
その後、更に、置換メッキ法により表面にＡｕメッキを施し、導電性微粒子を得た。
得られた導電性微粒子のＮｉメッキ膜厚は８０ｎｍであり、Ａｕメッキの膜厚は４０ｎｍであった。
日本電子データム社製透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）による断面観察をしたところ、Ｎｉ層が凸部を有し、Ｎｉ層中にＣｕ（金属（Ｍ））を含有していた。また、Ｃｕは、Ｎｉ層を海成分、Ｃｕを島成分とする海島構造となっており、Ｃｕの分散粒径は４０ｎｍであることが確認された。また、Ｎｉ層の凸部の平均高さは２００ｎｍであり、基材微粒子の粒子直径に対し４％であった。

（実施例２）
（Ｎｉ層が平滑でＣｕを含有する導電性微粒子の作製）
実施例１と同様にして無電解メッキ前処理工程を行った。
無電解メッキ前処理工程を施した基材微粒子を、所定の方法にしたがって建浴、加温されたＣｕイオンを添加した無電解Ｎｉメッキ浴に浸漬して無電解Ｎｉメッキを行った。無電解Ｎｉメッキ浴としては奥野製薬工業社製「トップニコロンＭＸ」を使用し、ＣｕイオンとしてはＣｕ₂Ｐ₂Ｏ₇・３Ｈ₂Ｏを使用した。
その後、更に、置換メッキ法により表面にＡｕメッキを施し、導電性微粒子を得た。
得られた導電性微粒子のＮｉメッキ膜厚は８０ｎｍであり、Ａｕメッキの膜厚は４０ｎｍであった。
日本電子データム社製透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）による断面観察をしたところ、Ｎｉ層が平滑で、Ｎｉ層中にＣｕ（金属（Ｍ））を含有していた。また、Ｃｕは、Ｎｉ層を海成分、Ｃｕを島成分とする海島構造となっており、Ｃｕの状態は不定形であり、大きさも不均一に存在していた。

（比較例１）
実施例１と同様にして無電解メッキ前処理工程を行った。
無電解メッキ前処理工程を施した基材微粒子を、所定の方法にしたがって建浴、加温された無電解Ｎｉメッキ浴に浸漬して無電解Ｎｉメッキを行った。無電解Ｎｉメッキ浴としては奥野製薬工業社製「トップニコロンＭＸ」を使用した。
その後、更に、置換メッキ法により表面にＡｕメッキを施し、導電性微粒子を得た。
得られた導電性微粒子のＮｉメッキ膜厚は８０ｎｍであり、Ａｕメッキの膜厚は４０ｎｍであった。
日本電子データム社製透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）による断面観察をしたところ、Ｎｉ層が平滑にメッキされていた。

（異方性導電材料（異方性導電フィルム）の作製）
バインダー樹脂としてエポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製：「エピコート８２８」）１００重量部及びトリスジメチルアミノエチルフェノール３重量部、トルエン１００重量部を、遊星式攪拌機を用い、充分に分散混合させ、離型フィルム上に乾燥後の厚さが１０μｍとなるように一定の厚さで塗布し、トルエンを蒸発させ、導電性微粒子を含有しない接着性フィルムを得た。
また、バインダー樹脂としてエポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製：「エピコート８２８」）１００重量部及びトリスジメチルアミノエチルフェノール３重量部、トルエン１００重量部に実施例１、実施例２又は比較例１で得られた導電性微粒子を添加し、遊星式攪拌機を用い、充分に分散混合させ、バインダー樹脂分散体を得た後、離型フィルム上に乾燥後の厚さが７μｍとなるように一定の厚さで塗布し、トルエンを蒸発させ、導電性微粒子を含有する接着性フィルムを得た。なお、導電性微粒子の添加量は、異方性導電フィルム中の含有量が２０万個／ｃｍ² となるように設定した。
得られた導電性微粒子を含有する接着性フィルムに導電性微粒子を含有しない接着性フィルムを常温でラミネートすることにより、２層構造を有する厚さ１７μｍの異方性導電フィルムを得た。

（接続抵抗値の測定）
得られた異方性導電フィルムを用い、２００×２００μｍの接合配線パターンを有するフレキシブルプリント回路板間に挟み、熱圧着した状態で接続抵抗値を測定した。
これらの結果を表１に示した。

表１より、Ｎｉ層中に金属（Ｍ）を含有してなるものは、接続抵抗値が低いことがわかる。

本発明によれば、接続抵抗値が低く導電信頼性に優れた導電性微粒子、及び異方性導電材料を提供できる。

本発明の導電性微粒子における一つの実施例で、導電性微粒子の断面の模式図である。本発明の導電性微粒子における他の実施例で、Ｎｉ層が凸部を有した導電性微粒子の断面の一部を拡大した模式図である。

符号の説明

１基材微粒子
２Ｎｉ層
３Ａｕ層
４Ａｇ、Ｃｕ及びＣｏから選ばれる少なくとも１種の金属（Ｍ）
５基材微粒子
６Ｎｉ層
７Ａｕ層
８Ａｇ、Ｃｕ及びＣｏから選ばれる少なくとも１種の金属（Ｍ）

Claims

球状の基材微粒子の表面にＮｉ層が形成され、更に最外層にＡｕ層が形成されてなる導電性微粒子であって、上記Ｎｉ層中にＡｇ、Ｃｕ及びＣｏから選ばれる少なくとも１種の金属（Ｍ）を含有してなることを特徴とする導電性微粒子。
上記Ｎｉ層中のＡｇ、Ｃｕ及びＣｏから選ばれる少なくとも１種の金属（Ｍ）は、Ｎｉ層を海成分、金属（Ｍ）を島成分とする海島構造として存在するものであることを特徴とする請求項１記載の導電性微粒子。
上記Ｎｉ層は、基材微粒子の粒子直径に対し０．５〜２５％の範囲内に収まる平均高さの、最外層のＡｕ層を突出させる凸部を有し、上記凸部にＡｇ、Ｃｕ及びＣｏから選ばれる少なくとも１種の金属（Ｍ）を含有してなるものであることを特徴とする請求項１又は２記載の導電性微粒子。
請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性微粒子を用いてなることを特徴とする異方性導電材料。