JP2003197028A - 導電性微粒子、導電性微粒子の製造方法及び異方性導電材料 - Google Patents
導電性微粒子、導電性微粒子の製造方法及び異方性導電材料Info
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Abstract
少なく、かつ、圧縮荷重をかけても樹脂微粒子から被覆
層が剥離、破壊されない耐圧縮性に優れた信頼性の高い
導電性微粒子、導電性微粒子の製造方法及び異方性導電
材料を提供する。 【解決手段】 樹脂微粒子と前記樹脂微粒子の表面に形
成された金属被覆層とからなる導電性微粒子であって、
前記金属被覆層は、ニッケルを主成分としホウ素とリン
とを含有する層を有するものである導電性微粒子。
Description
し、経時的な導電性の変化が少なく、かつ、圧縮荷重を
かけても樹脂微粒子から被覆層が剥離、破壊されない耐
圧縮性に優れた信頼性の高い導電性微粒子、導電性微粒
子の製造方法及び異方性導電材料に関する。
等に混合され、導電性接着剤、導電性粘着剤等の導電材
料の構成材料として用いられるものであり、異方性導電
フィルム、異方性導電ペースト等の異方性導電材料にお
いても主要な構成材料として広く用いられている。これ
らの異方性導電材料は、例えば、液晶表示ディスプレ
イ、パーソナルコンピュータ、携帯電話等の電子機器に
おいて、基板同士を電気的に接続したり、半導体素子等
の小型部品と基板とを電気的に接続したりするために、
相対向する基板や電極端子の間に挟み込んで使用されて
いる。
ッケル等の金属粒子が用いられてきたが、比重が大き
く、形状も一定でないため、バインダー樹脂中に均一に
分散しないことがあり、導電材料の導電性にムラを生じ
させる原因となっていた。
報には、粒子径の均一なガラスビーズ、グラスファイバ
ー、プラスチックボール等の非導電性粒子の表面にニッ
ケル等の金属によるメッキを施した導電性微粒子が開示
されている。これらの導電性微粒子のうち、ニッケルを
メッキした導電性微粒子は安価に得られるが、経時的に
メッキ層が腐食して電気抵抗が増大するという問題があ
った。
ケル及び/又はコバルトからなり、1.5〜4重量%の
リンを含有する金属被覆層を樹脂微粒子の表面に設けた
導電性微粒子が開示されている。この導電性微粒子は導
電性に優れているが、金属被覆層の可とう性が充分でな
く樹脂微粒子との密着性が不充分であることから、近年
の電子機器の急速な進歩に伴う電気的接続の更なる信頼
性向上に対応できないという問題があった。
は、7〜15重量%のリンを含有するニッケルメッキ被
覆層を芯材粒子の表面に設けた導電性微粒子が開示され
ている。この導電性微粒子は被覆層と芯材粒子との密着
性に優れているが、リンの含有率が高いため導電性にお
いてやや劣るという問題があった。
鑑み、高い導電性を有し、経時的な導電性の変化が少な
く、かつ、圧縮荷重をかけても樹脂微粒子から被覆層が
剥離、破壊されない耐圧縮性に優れた信頼性の高い導電
性微粒子、導電性微粒子の製造方法及び異方性導電材料
を提供することを目的とする。
と前記樹脂微粒子の表面に形成された金属被覆層とから
なる導電性微粒子であって、前記金属被覆層は、ニッケ
ルを主成分としホウ素とリンとを含有する層を有するも
のである導電性微粒子である。本発明2は、樹脂微粒子
と前記樹脂微粒子の表面に形成された金属被覆層とから
なる導電性微粒子であって、前記金属被覆層は、ニッケ
ルを主成分としホウ素を含有する層と、ニッケルを主成
分としリンを含有する層とを有するものである導電性微
粒子である。以下に本発明を詳述する。
記樹脂微粒子の表面に形成された金属被覆層とからなる
ものである。上記樹脂微粒子としては特に限定されず、
例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリプロピ
レン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレ
フィン;ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリ
レート等のアクリル樹脂;ポリアルキレンテレフタレー
ト、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、フ
ェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデ
ヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿
素ホルムアルデヒド樹脂等からなるものが挙げられる。
これらの樹脂微粒子は、単独で用いられてもよく、2種
以上が併用されてもよい。
限は0.5μm、上限は100μmである。0.5μm
未満であると、金属被覆層を形成する際に凝集が生じや
すく、凝集を生じた樹脂微粒子から製造された導電性微
粒子は隣接電極間の短絡を引き起こすことがある。10
0μmを超えると、樹脂微粒子から製造された導電性微
粒子の金属被覆層が剥がれやすくなり信頼性が低下する
ことがある。より好ましい下限は1μm、上限は20μ
mである。
0%以下であることが好ましい。10%を超えると、樹
脂微粒子から製造された導電性微粒子が相対向する電極
間隔を任意に制御することが困難になる。なお、上記変
動係数は、粒子径分布から得られる標準偏差を平均粒子
径で除することにより求められるものである。
10%K値の好ましい下限は1000MPa、上限は1
5000MPaである。1000MPa未満であると、
樹脂微粒子は圧縮変形により破壊されやすく、この樹脂
微粒子から製造された導電性微粒子を導電材料として用
いたときに機能を果たさなくなることがある。1500
0MPaを超えると、樹脂微粒子から製造された導電性
微粒子を導電材料として用いたときに電極端子等を傷つ
けることがある。より好ましい下限は2000MPa、
上限は1万MPaである。なお、上記10%K値とは、
下記式(1)より求められるものであり、具体的には、
微小圧縮試験器(島津製作所社製、PCT−200)を
用い、圧縮速度2.6mN/秒、最大試験荷重98mN
の条件下で、直径50μmのダイアモンド製円柱からな
る平滑圧子端面により粒子を圧縮して測定される。 10%K=2.1×103・F・S-3/2・R-1/2 (1) 式中、Fは粒子を10%圧縮変形したときの荷重値
(N)、Sは粒子を10%圧縮変形したときの圧縮変位
(mm)、Rは粒子の半径(mm)を表すものである。
荷して圧縮変形させたときの変形後の回復率が20%以
上であることが好ましい。20%未満であると、樹脂微
粒子から製造された導電性微粒子を圧縮したときに導電
性微粒子が変形して元に戻らないため接続不良をおこす
ことがある。より好ましくは40%以上である。
定されないが、例えば、エチレン性不飽和基を有するモ
ノマーを公知の方法を用いて1種又は2種以上重合させ
ることにより、任意の粒子物性を有する樹脂微粒子を得
ることができる。なお、上記公知の方法としては特に限
定されず、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁
重合する方法、種粒子にラジカル重合開始剤とともにモ
ノマーを吸収させて重合する方法等が挙げられる。
としては、非架橋性のモノマーと架橋性のモノマーとが
あり、変動係数等の前述した樹脂微粒子の物性を好適な
ものとするために、樹脂微粒子全体に対して架橋性モノ
マーが5重量%以上であることが好ましい。より好まし
くは20重量%以上である。上記非架橋性のモノマーと
しては特に限定されず、例えば、スチレン、α−メチル
スチレン等のスチレン系モノマー;(メタ)アクリル
酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含
有モノマー;メチル(メタ)アクリレート、エチル(メ
タ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブ
チル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メ
タ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、セ
チル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリ
レート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボ
ルニル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アク
リレート類;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレー
ト、グリセロール(メタ)アクリレート、ポリオキシエ
チレン(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アク
リレート等の酸素原子含有(メタ)アクリレート類;
(メタ)アクリロニトリル等のニトリル含有モノマー;
メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピ
ルビニルエーテル等のビニルエーテル類;酢酸ビニル、
酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等
の酸ビニルエステル類;エチレン、プロピレン、イソプ
レン、ブタジエン等の不飽和炭化水素;トリフルオロメ
チル(メタ)アクリレート、ペンタフルオロエチル(メ
タ)アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロル
スチレン等のハロゲン含有モノマー等が挙げられる。
れず、例えば、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)
アクリレート、テトラメチロールメタントリ(メタ)ア
クリレート、テトラメチロールメタンジ(メタ)アクリ
レート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレ
ート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレ
ート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレ
ート、グリセロール(メタ)アクリレート、グリセロー
ルジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ
(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ
(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)アクリレート
類;γ−(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシ
ラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキ
シシラン等のシラン含有モノマー等;トリアリル(イ
ソ)シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニ
ルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルア
ミド、ジアリルエーテル等が挙げられる。
の表面に金属被覆層が形成されてなるものである。
被覆層は、ニッケルを主成分としホウ素とリンとを含有
する層を有するものである。また、本発明2の導電性微
粒子における上記金属被覆層は、ニッケルを主成分とし
ホウ素を含有する層と、ニッケルを主成分としリンを含
有する層とを有するものである。
覆層において、ニッケル−ホウ素合金は高い導電性に寄
与し、ニッケル−リン合金は樹脂微粒子への優れた密着
性及び可とう性に寄与している。本発明2の導電性微粒
子では、更に、これらの合金を含有する層同士による相
乗的な効果が発現されることにより、高い導電性、優れ
た密着性及び耐圧縮性に寄与する可とう性を得られるも
のと考えられる。本発明1の導電性微粒子では、更に、
ニッケル−ホウ素−リン合金が、ニッケル−ホウ素合金
とニッケル−リン合金の有するそれぞれの長所を合わせ
持ち、かつ、それらの相乗的な効果を発現することによ
り、高い導電性、優れた密着性及び耐圧縮性に寄与する
可とう性を得られるものと考えられる。
やリン以外に、ニッケルと共に共析する他の金属を含有
していてもよい。上記ニッケルと共に共析する他の金属
としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、マンガ
ン、クロム、バナジウム、モリブデン、パラジウム、
錫、タングステン、レニウム等が挙げられる。
るホウ素及びリンの含有率の好ましい下限はホウ素が
0.05重量%、かつ、リンが0.5重量%であり、上
限はホウ素が4重量%、かつ、リンが10重量%であ
る。ホウ素の含有率が0.05重量%未満又はリンの含
有率が0.5重量%未満であると、導電性は向上するも
のの可とう性が損なわれ、金属被覆層の剥離、破壊によ
る劣化が起こりやすくなる。ホウ素の含有率が4重量%
又はリンの含有率が10重量%を超えると、可とう性は
向上するものの導電性が低下することがある。より好ま
しい下限は、ホウ素が0.1重量%、かつ、リンが1重
量%であり、上限はホウ素が2重量%、かつ、リンが5
重量%であり、この範囲においてホウ素とリンとの相乗
効果が最も効果的に発現する。
ルを主成分としホウ素とリンとを含有する層は、例え
ば、図1の形態をとることができる。本発明2の導電性
微粒子において、上記ニッケルを主成分としホウ素を含
有する層と、ニッケルを主成分としリンを含有する層と
は、どちらの層が外層とされてもよく、例えば、図2や
図3の形態をとることができる。ニッケルを主成分とし
ホウ素を含有する層を外層とした場合には、特に優れた
導電性が得られ、ニッケルを主成分としリンを含有する
層を外層とした場合には、特に優れた可とう性が得られ
るので、用いられる導電材料において要求される仕様に
合わせて設計することができる。
の好ましい下限は0.005μm、上限は1μmであ
る。0.005μm未満であると、ニッケルを主成分と
する層としての充分な効果が得られないことがある。1
μmを超えると、得られる導電性微粒子の比重が高くな
りすぎたり、機械的強度や回復率等の物性が悪化するこ
とがある。より好ましい下限は0.01μm、より好ま
しい上限は0.3μmである。
ッケルを主成分としホウ素を含有する層と、ニッケルを
主成分としリンを含有する層とを有するものである場
合、その厚さの比率は10:90〜90:10であるこ
とが好ましい。この範囲外であると、それぞれの層の有
する長所を発揮しにくく、かつ、その相乗的な効果も出
にくい。より好ましくは30:70〜70:30であ
り、この範囲において、それぞれの層の有する長所の相
乗的な効果が最も発現する。
る層以外の層を有していてもよいが、導電性や耐食性を
より向上させるためには、最外層が貴金属からなること
が好ましく、最外層が金からなることがより好ましい。
具体的には、例えば、図4、図5及び図6の形態等が挙
げられる。金からなる被覆層は、無電解メッキ、置換メ
ッキ、電気メッキ、スパッタリング等の公知の方法によ
り形成することができる。
限は0.005μm、上限は1μmである。0.005
μm未満であると、被覆ムラが生じ、被覆による効果が
充分に得られないことがある。1μmを超えると、粒子
比重が大きくなりすぎるためバインダー樹脂等に分散す
る際に沈降や凝集を生じることがある。より好ましい下
限は0.01μm、上限は0.5μmである。
法としては特に限定されないが、ニッケルを主成分とす
る層の形成には、無電解ニッケルメッキを好適に用いる
ことができる。上記無電解ニッケルメッキは、その前処
理工程として、一般にエッチング工程、触媒化工程を有
する。
に微小な凹凸を形成するものであり、メッキにより形成
されるニッケルを主成分とする層の密着をよくするため
に行われる。上記エッチングを行う方法としては特に限
定されず、例えば、濃塩酸、濃硫酸、クロム酸、硫酸一
クロム酸混液、過マンガン酸溶液、水酸化ナトリウム溶
液、水酸化カリウム溶液等を用いる方法等が挙げられ
る。
チングされた樹脂微粒子の表面に、パラジウム等からな
る触媒層を形成するものであり、この触媒層は無電解ニ
ッケルメッキの起点に用いられるものである。上記触媒
化を行う方法としては特に限定されず、無電解メッキ用
として市販されている触媒化試薬を用いる方法等が挙げ
られる。具体的には、例えば、塩化パラジウムと塩化ス
ズとの混合溶液にエッチングされた樹脂微粒子を浸漬し
た後、硫酸や塩酸等の酸又は水酸化ナトリウム等のアル
カリ溶液で樹脂微粒子表面を活性化してパラジウムを析
出させる方法、硫酸パラジウム溶液にエッチングした樹
脂微粒子を浸漬した後、ジメチルアミンボラン等の還元
剤を含有する溶液で樹脂微粒子表面を活性化してパラジ
ウムを析出させる方法等が挙げられる。
において触媒が付与された樹脂微粒子を、還元剤の存在
下でニッケルイオンを含有する溶液中に浸漬し、触媒を
起点として樹脂微粒子の表面にニッケルを析出させるも
のである。
された金属被覆層とからなる導電性微粒子を製造する方
法であって、少なくとも、還元剤としてホウ素化合物及
び次亜リン酸化合物を用いる無電解ニッケルメッキ工程
を有する導電性微粒子の製造方法もまた本発明の1つで
ある。本発明1の導電性微粒子を作製する場合、上記無
電解ニッケルメッキを行う方法としては特に限定されな
いが、還元剤としてホウ素化合物及び次亜リン酸化合物
を同時に併用することが好ましく、より具体的には、例
えば、ホウ素化合物、次亜リン酸化合物及びニッケル塩
を溶解させたメッキ液に樹脂微粒子の懸濁液を添加する
方法;樹脂微粒子を予め分散させておいた懸濁液にホウ
素化合物、次亜リン酸化合物及びニッケル塩を溶解させ
たメッキ液を添加する方法;ニッケル塩を予め溶かした
溶液に樹脂微粒子を分散させた後、ホウ素化合物及び次
亜リン酸化合物を溶解した溶液を添加する方法等が挙げ
られる。
された金属被覆層とからなる導電性微粒子を製造する方
法であって、少なくとも、還元剤としてホウ素化合物を
用いる無電解ニッケルメッキ工程と、還元剤として次亜
リン酸化合物を用いる無電解ニッケルメッキ工程とを有
する導電性微粒子の製造方法もまた本発明の1つであ
る。本発明2の導電性微粒子を作製する場合、上記無電
解ニッケルメッキを行う方法としては特に限定されない
が、還元剤としてホウ素化合物を用いる無電解ニッケル
メッキ工程と、還元剤として次亜リン酸化合物を用いる
無電解ニッケルメッキ工程とにより行うことが好まし
く、より具体的には、例えば、樹脂微粒子を予め分散さ
せた懸濁液に、ホウ素化合物及びニッケル塩を溶解させ
たメッキ液を添加して樹脂微粒子の表面にニッケルを主
成分としホウ素を含有する層を形成し、ホウ素化合物が
消費された後に、次亜リン酸化合物及びニッケル塩を溶
解したメッキ液を添加して、ニッケルを主成分としホウ
素を含有する層上に、ニッケルを主成分としリンを含有
する層を形成させる方法;ホウ素化合物及びニッケル塩
を溶解させたメッキ液に、樹脂微粒子の懸濁液を添加し
て樹脂微粒子の表面にニッケルを主成分としホウ素を含
有する層を形成し、ホウ素化合物が消費された後、次亜
リン酸化合物を溶解した溶液を添加して、ニッケルを主
成分としホウ素を含有する層上に、ニッケルを主成分と
しリンを含有する層を形成させる方法;ニッケル塩を予
め溶かしたメッキ液に樹脂微粒子を分散させた後、ホウ
素化合物を溶解した溶液を添加してニッケルを主成分と
しホウ素を含有する層を形成し、ホウ素化合物が消費さ
れた後、次亜リン酸化合物を溶解した溶液を添加して、
ニッケルを主成分としホウ素を含有する層上に、ニッケ
ルを主成分としリンを含有する層を形成させる方法等が
挙げられる。また、ホウ素化合物と次亜リン酸化合物に
ついて添加する順序を入れ換えることで、ニッケルを主
成分としリンを含有する層を、ニッケルを主成分としホ
ウ素を含有する層よりも先に形成できる。
メッキ浴へのニッケル塩の添加量等により任意に調整で
きる。また、上記ニッケルを主成分とする層におけるホ
ウ素及びリンの含有量は、メッキ浴の建浴条件により任
意に調整でき、例えば、ニッケル塩、ホウ素化合物、次
亜リン酸化合物及び錯化剤の添加量や種類、pHや温度
等により調整できる。
例えば、硝酸ニッケル、硫酸ニッケル、酢酸ニッケル等
が挙げられる。メッキ浴全体に対するニッケル塩の濃度
は、他の建浴条件に応じて変更されるが、通常、ニッケ
ルに換算したときの濃度として好ましい下限は1g/
L、上限は100g/Lである。
鉛、鉄、マンガン、クロム、バナジウム、モリブデン、
パラジウム、錫、タングステン、レニウム等の塩をメッ
キ浴に含有させることによりニッケル合金をメッキする
こともできる。
元しうる還元力を有するものであれば特に限定されない
が、例えば、ジメチルアミンボラン、ジエチルアミンボ
ラン、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム
等が好適である。上記次亜リン酸化合物としては、ニッ
ケルを還元しうる還元力を有するものであれば特に限定
されないが、例えば、次亜リン酸ナトリウム、次亜リン
酸カリウム、次亜リン酸アンモニウム等の次亜リン酸塩
類が好適である。
いった還元剤のメッキ浴全体に対する濃度は、所望の被
覆層の厚さ、使用する還元剤の種類及びメッキ浴へのニ
ッケル塩や樹脂微粒子の添加量等に応じて変更される
が、一般に、ホウ素化合物であればホウ素に換算したと
きの濃度として好ましい下限は0.01g/L、上限は
50g/Lであり、より好ましい下限は0.1g/L、
上限は20g/Lであり、次亜リン酸化合物であれば次
亜リン酸に換算したときの濃度として好ましい下限は
0.01g/L、上限は100g/Lであり、より好ま
しい下限は1g/L、上限は50g/Lである。還元剤
の量が不足すると、還元反応が起こらずニッケルを主成
分とする層が充分に形成されないことがある。還元剤の
量が多すぎると、メッキ液の異常分解が生じたり、ニッ
ケルを主成分とする層におけるホウ素及び/又はリンの
含有量が多くなりすぎたりして充分な導電性を示さない
ことがある。
成するためには、樹脂微粒子を充分に分散して単粒子化
する必要がある。上記樹脂微粒子を分散させる方法とし
ては、攪拌、超音波処理、ホモジナイザー及びこれらの
併用によるもの等が挙げられる。メッキ浴全体に対する
樹脂微粒子の濃度は、他の建浴条件に応じて変更される
が、一般に好ましい下限は0.1g/L、上限は300
g/Lである。0.1g/L未満であると、メッキ浴全
体に対するメッキ出来高が低くなり過ぎコスト面から有
利でない。300g/Lを超えると、メッキの生成反応
中に粒子同士の凝集が起こり、メッキ層の厚さが不均一
となることがある。より好ましい下限は1g/L、上限
は100g/Lである。
防止するために、錯化剤を含有させてもよい。上記錯化
剤としては、ニッケルと結合しうるものであれば特に限
定されず、例えば、酢酸、蓚酸、酒石酸、クエン酸、乳
酸、マロン酸、リンゴ酸、サリチル酸、チオグリコール
酸、EDTA等のカルボン酸;ピロリン酸、ポリリン酸
等の縮合リン酸;グリシン、グルタミン酸、アスパラギ
ン酸等のアミノ酸;アンモニア、ヒドラジン、トリエタ
ノールアミン、エチレンジアミン等のアミン類等が挙げ
られる。これらは単独でも用いられてもよく、2種以上
が併用されてもよい。メッキ浴全体に対する上記錯化剤
の濃度としては、他の建浴条件に応じて変更されるが、
一般に、好ましい下限は1g/L、上限は100g/L
である。
ッキの生成反応の速度を調整するために、微量の安定剤
を含有させてもよい。上記安定剤としては、ニッケルの
析出を阻害しうるものであれば特に限定されるものでは
なく、例えば、チオ尿素やチオグリコール酸等の硫黄化
合物や鉛等の触媒毒を用いることができる。
限は3、上限は14である。上記メッキ浴のpHが、3
未満であるか又は14を超えると、ニッケルからなる層
中のホウ素及び/又はリンの含有率が充分な導電性と可
とう性とを示す好ましい範囲から外れることがある。よ
り好ましい下限は4、より好ましい上限は11である。
の構成材料として好適である。上記異方性導電材料とし
ては本発明の導電性微粒子を用いてなるものであれば特
に限定されず、さまざまな形態により相対向する基板同
士や電極端子同士を電気的に接続するものである。かか
る本発明の導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料も
また本発明の1つである。
を電気的に接続する方法としては、例えば、絶縁性のバ
インダー樹脂中に本発明の導電性微粒子を分散させて異
方性導電接着剤を作製したうえで、この異方性導電接着
剤により接続する方法;絶縁性のバインダー樹脂と導電
性微粒子とを別々に使用して接続する方法等が挙げられ
る。
ず、例えば、アクリレート樹脂、エチレン−酢酸ビニル
樹脂、スチレン−ブタジエンブロック共重合体等の熱可
塑性樹脂;グリシジル基を有するモノマーやオリゴマー
及びイソシアネート等の硬化剤との反応により得られる
硬化性樹脂組成物等の光や熱による硬化性樹脂組成物等
が挙げられる。
れず、例えば、異方性導電フィルム、異方性導電ペース
ト、異方性導電インク等が挙げられる。上記異方性導電
フィルムは、例えば、異方性導電接着剤に溶媒を加えて
溶液状にし、この溶液を離型フィルム上に流し込んだ
後、溶媒を蒸発させて異方性導電接着剤を被膜状にする
ことにより得られる。得られた異方性導電フィルムは、
例えば、接着すべき電極上に配置され、配置された異方
性導電膜上に対向電極を重ね合わせ、加熱圧縮すること
により電極間の接続に使用される。
性導電接着剤をペースト状にすることにより得られる。
得られた異方性導電ペーストは、例えば、適当なディス
ペンサーに入れられ、接続すべき電極上に所望の厚さに
塗工され、塗工された異方性導電ペースト上に対向電極
を重ね合わせ、加熱するとともに加圧して樹脂を硬化さ
せることにより、電極間の接続に使用される。
導電接着剤に溶媒を加えて印刷に適した粘度にすること
により得られる。得られた異方性導電インクは、例え
ば、接着すべき電極上にスクリーン印刷し、その溶媒を
蒸発させた後、印刷された異方性導電インクの上に対向
電極を重ね合わせ、加熱圧縮することにより電極間の接
続に使用される。
厚、塗工膜厚及び印刷膜厚は、含有する導電性微粒子の
平均粒子径と接続すべき電極の仕様とから計算し、接続
すべき電極間に導電性微粒子が挟持され、接続すべき電
極が形成された接合基板同士の空隙がバインダー樹脂層
により充分に満たされるよう設定することが好ましい。
示すばかりでなく、加熱圧縮した際にも導電被膜層が剥
離、破壊されず、相対向する電極基板間の電気的な接続
を確保することができる。また、経時安定性にも優れる
ので、長期間の使用においても導電性の低下を来すこと
なく、電極基板間の電気的な接続を堅持し信頼性の向上
を図ることができる。
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。
子径の変動係数が4.9%、10%K値が4900MP
a、回復率が60%であるジビニルベンゼンを主成分と
する樹脂微粒子(積水化学工業社製、ミクロパールSP
−205)10gを粉末メッキ用プレディップ液(奥野
製薬社製)に分散させ、30℃で30分間攪拌すること
によりエッチングした。
洗して、パラジウム触媒(アトテックジャパン社製、ネ
オガント834)を8重量%含有するパラジウム触媒化
液100mL中に添加し30℃で30分間攪拌した後、
樹脂微粒子を濾取し、水洗した。この樹脂微粒子をpH
6.0に調整された0.5重量%のジメチルアミンボラ
ン液に添加し、パラジウムにより活性化された樹脂微粒
子を得た。
に蒸留水500mLを加え、超音波処理機を用いて充分
に分散させて懸濁液とした。この懸濁液を50℃で攪拌
しながら、硫酸ニッケル6水和物50g/L、次亜リン
酸ナトリウム1水和物20g/L、ジメチルアミンボラ
ン2.5g/L、クエン酸50g/LからなるpHを
7.5に調整した無電解メッキ液Aを徐々に添加し、樹
脂微粒子の無電解ニッケルメッキを行った。この際、無
電解ニッケルメッキ中の樹脂微粒子を経時的にサンプリ
ングしてニッケルを主成分とする層の厚さを測定し、厚
さが0.10μmになった時点で無電解メッキ液Aの添
加を止め、樹脂微粒子を濾取、水洗し、アルコール置換
した後、真空乾燥し、導電性微粒子1を得た。なお、ニ
ッケルを主成分とする層の厚さtNiは下記式(2)にて
計算した。 tNi(μm)=(ρP×WNi×D)/{6×ρNi×(100−WNi)} (2) ρP:樹脂微粒子の比重 ρNi:ニッケルを主成分とする層の比重 WNi:導電性微粒子中のニッケルの含有率(重量%) D:樹脂微粒子の平均粒子径(μm)
含有されるニッケル、ホウ素及びリンの量をIPC発光
分析機にて分析し、ニッケルの含有量に対するホウ素の
含有率(B/Ni)、ニッケルの含有量に対するリンの
含有率(P/Ni)を算出し、結果を表1に示した。
エポキシ系接着剤(古川化工社製、SE−4500)に
5重量%の割合で混合し、ホモジナイザーで充分に分散
させて異方性導電接着剤Xを作製した。この異方性導電
接着剤Xにφ4.5μmのガラスファイバー(GF)を
5重量%の割合で加え、ホモジナイザーで充分に分散さ
せ、異方性導電接着剤Yを作製した。これら2種類の異
方導電接着剤を幅300μmでITO電極が直角に交差
するように重ね合わせた。これに2.9×106N/m2
の圧力を加えながら160℃で30分間加熱して圧着硬
化させた後、ITO電極が交差する部分について接触抵
抗値を4端子法により測定した。ITO電極が交差する
部分に存在する導電性微粒子1の数を光学顕微鏡にて計
数し、得られた接触抵抗値を導電性微粒子1の数で除し
たものを導電性微粒子1個当たりの接触抵抗値とした。
接触抵抗値は小さいほど導電性が高いことを意味する。
この測定を5つの試料について行い、平均値を算出し、
結果を表1に示した。
0.1gをITO電極が形成されていない平坦なガラス
基板(5cm×5cm)上に量り取り、この上から別の
ITO電極が形成されていない平坦なガラス基板を重ね
合わせ、9.8×104N/m2の荷重をかけながらゆっ
くりと2cmすり動かした。その後、この異方導電性接
着剤Xに含まれる導電性微粒子100個について光学顕
微鏡により観察し、金属被覆層の半分以上が剥離又は破
壊されている粒子数を計数し、剥離比率を求めた。剥離
比率が小さいほど金属被覆層の密着性が高いことを意味
する。この測定を5つの試料について行い、平均値を算
出し、結果を表1に示した。
酸ナトリウム1水和物の濃度を10g/Lとし、ジメチ
ルアミンボランの濃度を5g/Lとしたこと以外は実施
例1と同様にして、ニッケルを主成分とする層の厚さが
0.10μmである導電性微粒子2を得た。得られた導
電性微粒子2につき実施例1と同様にして、定量分析、
導電性測定、密着性測定を行い、その結果を表1に示し
た。
/L、次亜リン酸ナトリウム1水和物20g/L、水素
化ホウ素ナトリウム1g/L、クエン酸50g/Lから
なるpH7.5に調整した無電解メッキ液B200mL
に、実施例1と同様にして得たパラジウムを活性化させ
た微粒子懸濁液500mLを添加し、50℃にて攪拌し
ながら無電解ニッケルメッキを行った。経時的に微粒子
をサンプリングしてニッケルを主成分とする層の厚さを
測定し、厚さが0.10μmになった時点で蒸留水を加
えて反応を止め、微粒子を濾取、水洗し、アルコール置
換した後、真空乾燥させ、導電性微粒子3を得た。得ら
れた導電性微粒子3につき、実施例1と同様にして、定
量分析、導電性測定、密着性測定を行い、その結果を表
1に示した。
ムにより活性化された樹脂微粒子に蒸留水500mlを
加え、超音波処理機を用いて充分に分散させて懸濁液と
した。この懸濁液を50℃で攪拌しながら、硫酸ニッケ
ル6水和物50g/L、ジメチルアミンボラン5g/
L、クエン酸50g/LからなるpHを7.5に調整し
た無電解メッキ液Cを徐々に添加し、樹脂微粒子の無電
解ニッケルメッキを行った。この際、無電解ニッケルメ
ッキ中の樹脂微粒子を経時的にサンプリングしてニッケ
ルを主成分とする層の厚さを測定し、厚さが0.05μ
mになった時点で無電解メッキ液Cの添加を止め、代り
に、硫酸ニッケル6水和物50g/L、次亜リン酸ナト
リウム1水和物40g/L、クエン酸50g/Lからな
るpHを7.5に調整した無電解メッキ液Dを徐々に添
加して樹脂微粒子の無電解ニッケルメッキを継続した。
同様にニッケルを主成分とする層の厚さを測定し、厚さ
が合わせて0.10μmになった時点で無電解メッキ液
Dの添加を止めた。続いて、無電解ニッケルメッキされ
た樹脂微粒子を濾取、水洗し、アルコール置換した後、
真空乾燥し、導電性微粒子4を得た。得られた導電性微
粒子4につき、実施例1と同様にして、定量分析、導電
性測定、密着性測定を行い、その結果を表1に示した。
酸ナトリウム1水和物の濃度を20g/Lとしたこと以
外は実施例4と同様にして、ニッケルを主成分とする層
の厚さが0.10μmである導電性微粒子5を得た。得
られた導電性微粒子5につき実施例1と同様にして、定
量分析、導電性測定、密着性測定を行い、その結果を表
1に示した。
し、その後から無電解メッキ液Cを添加したこと以外は
実施例4と同様にして導電性微粒子6を得た。得られた
導電性微粒子6につき実施例1と同様にして、定量分
析、導電性測定、密着性測定を行い、その結果を表1に
示した。
酸ナトリウム1水和物の濃度を20g/Lとしたこと以
外は実施例6と同様にしてニッケルを主成分とする層の
厚さが0.10μmである導電性微粒子7を得た。得ら
れた導電性微粒子7につき実施例1と同様にして、定量
分析、導電性測定、密着性測定を行い、その結果を表1
に示した。
/L、クエン酸50g/LからなるpH7.5に調整さ
れた無電解メッキ液E2000mLに、実施例1と同様
にして得たパラジウムにより活性化された樹脂微粒子を
加え、超音波処理機を用いて充分に分散させることによ
り懸濁液とした。この懸濁液を50℃で攪拌しながら、
水素化ホウ素ナトリウム5g/Lからなる還元剤水溶液
を徐々に添加し無電解ニッケルメッキを行い、ニッケル
を主成分とする層の厚みが0.05μmになった時点で
還元剤溶液の添加を止め、代りに次亜リン酸ナトリウム
1水和物80g/Lからなる還元剤水溶液を徐々に添加
し、無電解ニッケルメッキを行い、ニッケルを主成分と
する層の厚さの合計が0.10μmになった時点で還元
剤溶液の添加を止め、樹脂微粒子を濾取、水洗し、アル
コール置換した後真空乾燥し、導電性微粒子8を得た。
得られた導電性微粒子8につき実施例1と同様にして、
定量分析、導電性測定、密着性測定を行い、その結果を
表1に示した。
Lに、実施例1で作製したパラジウムにより活性化され
た樹脂微粒子の懸濁液500mLを加え、50℃で攪拌
しながら無電解ニッケルメッキを行い、ニッケルを主成
分とする層が0.05μmになった時点で濾取し、水洗
した。得られた微粒子に蒸留水500mLを加え、超音
波処理機を用いて充分に分散させて再度懸濁液とした
後、無電解メッキ液D1000mLに加え、50℃で攪
拌しながら無電解ニッケルメッキを行い、ニッケルを主
成分とする層の合計が0.10μmになった時点で濾
取、水洗し、アルコール置換した後真空乾燥し、導電性
微粒子9を得た。得られた導電性微粒子9につき実施例
1と同様にして、定量分析、導電性測定、密着性測定を
行い、その結果を表1に示した。
次亜リン酸ナトリウム1水和物を加えずに、ジメチルア
ミンボランの濃度を5g/Lとした以外は実施例1と同
様にして導電性微粒子10を得た。得られた導電性微粒
子10につき実施例1と同様にして、定量分析、導電性
測定、密着性測定を行い、その結果を表1に示した。
ジメチルアミンボランを加えずに、次亜リン酸ナトリウ
ム1水和物の濃度を40g/Lとした以外は実施例1と
同様にして導電性微粒子11を得た。得られた導電性微
粒子11につき実施例1と同様にして、定量分析、導電
性測定、密着性測定を行い、その結果を表1に示した。
酸ナトリウム1水和物の濃度を20g/Lにしたこと以
外は比較例2と同様にして導電性微粒子12を得た。得
られた導電性微粒子12につき実施例1と同様にして、
定量分析、導電性測定、密着性測定を行い、その結果を
表1に示した。
g(金に換算して4g)を含有する置換金メッキ液(日
本高純度化学社製、IM−GoldST)2000ml
に実施例1で得られた導電性微粒子1を10g添加し
て、攪拌しながら70℃にて30分間反応させた。反応
終了後に置換金メッキ液における金の濃度を測定したと
ころ10ppm以下であった。反応終了後の置換金メッ
キ液から微粒子を濾取、水洗し、アルコール置換した
後、真空乾燥させ、金により被覆された導電性微粒子1
3を得た。この微粒子をエポキシ樹脂に混練し、硬化さ
せた後マイクロトームでスライスし、透過型電子顕微鏡
(TEM)で観察したところ、金が均一に0.04μm
の厚さで導電性微粒子1の表面を被覆していることが確
認できた。
気抵抗測定器(島津製作所社製、PCT−200改)を
用いて導電性微粒子13を圧縮し、粒子径が10%圧縮
された時点での接触抵抗値を測定した。この測定を試料
20個について行い、その平均値を算出し、結果を表2
に示した。また、引き続き粒子径の50%まで徐々に圧
縮したところ、その過程において突然抵抗値が10Ω以
上に増大する導電性微粒子が認められた。これらの導電
性微粒子を光学顕微鏡にて観察すると、金属被覆層の剥
離、破壊が生じていた。これらの金属被覆層の剥離、破
壊が生じた導電性微粒子の発生比率を導電性破壊比率と
して表2に示した。この値が小さいほど金属被覆層の密
着性が優れていることを意味する。
85℃、相対湿度95%の雰囲気下で1週間放置した
後、導電性測定と同様にして負荷後の接触抵抗値を測定
し、その結果を表2に示した。先に測定した接触抵抗値
との差が小さいほど、経時安定性に優れた導電性微粒子
であることを意味する。
して、実施例2〜9で得られた導電性微粒子2〜9に置
換金メッキ処理を行い、それぞれ厚さ0.04μmの金
による被覆層を有する導電性微粒子14〜21を得た。
反応終了後の置換金メッキ液中に存在する金を測定した
ところ、いずれも10ppm以下であった。これらにつ
いても実施例10と同様にして導電性、密着性及び導電
性の変化を測定し、その結果を表2に示した。
て、比較例1〜3で得られた導電性微粒子10〜12に
置換金メッキ処理を実施し、それぞれ厚さ0.04μm
の金による被覆層を有する導電性微粒子22〜24を得
た。反応終了後の置換金メッキ液中に存在する金を測定
したところ、いずれも10ppm以下であった。これら
についても実施例10と同様にして導電性、密着性及び
導電性の変化を測定し、その結果を表2に示した。
微粒子1〜9はいずれも比較例1〜3で得られた導電性
微粒子10〜12に対して、接触抵抗値(GF無)にお
いて優れていた。これは、加熱圧縮しても金属被覆層が
剥離、破壊を発生することなく導電性を維持しているこ
とを示している。一方、比較例1で得られた導電性微粒
子10は、接触抵抗値(GF有)において実施例1〜9
及び比較例1〜3で得られた導電性微粒子中で最も低い
値を示したが、接触抵抗値(GF無)においては最も高
い値を示した。これは、ガラスファイバーを加えないと
加圧圧縮により金属被覆層が破壊されることを示し、高
性能を要求される異方性導電材料に使用するうえで好ま
しくない。また、比較例2で得られた導電性微粒子11
は、剥離比率において低い値を示したが接触導電性に劣
るものであり、比較例3で得られた導電性微粒子12
は、剥離比率及び接触導電性共に劣るものであったこと
から、異方性導電材料に使用するうえで好ましくないも
のであった。
電性微粒子13〜21はいずれも比較例4で得られた導
電性微粒子22〜24に対して、負荷後の接触抵抗値に
おいて優れていた。一方、比較例4〜6で得られた導電
性微粒子22は、接触抵抗値において実施例10〜18
で得られた導電性微粒子13〜21と同様に最も低い値
を示したが、導電性破壊比率が極端に高かった。これは
圧縮により金属被覆層の破壊が生じたことを示し、高性
能を要求される異方性導電材料に使用するうえで好まし
くない。また、比較例5で得られた導電性微粒子23
は、導電性破壊比率において実施例10〜18で得られ
た導電性微粒子13〜21と同様に最も低い値を示した
が接触導電性に劣るものであり、比較例6で得られた導
電性微粒子24は、導電性破壊比率及び接触導電性共に
劣るものであったことから、異方性導電材料に使用する
うえで好ましくないものであった。
を総合的に評価すると、実施例で作製された導電性微粒
子は比較例で作製された導電性微粒子よりも優れてお
り、これらの実施例で作製された導電性微粒子を用いる
ことで、より高い性能及び信頼性を有する異方性導電材
料が得られると考えられた。
時的な導電性の変化が少なく、かつ、圧縮荷重をかけて
も樹脂微粒子から被覆層が剥離、破壊されない耐圧縮性
に優れた信頼性の高い導電性微粒子、導電性微粒子の製
造方法及び異方性導電材料を提供することができる。
した模式図である。
層とした本発明2に係る導電性微粒子の一実施形態を示
した模式図である。
とした本発明2に係る導電性微粒子の一実施形態を示し
た模式図である。
電性微粒子の一実施形態を示した模式図である。
としリンを含有する層を外層とした本発明2に係る導電
性微粒子の一実施形態を示した模式図である。
としホウ素を含有する層を外層とした本発明2に係る導
電性微粒子の一実施形態を示した模式図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 樹脂微粒子と前記樹脂微粒子の表面に形
成された金属被覆層とからなる導電性微粒子であって、
前記金属被覆層は、ニッケルを主成分としホウ素とリン
とを含有する層を有するものであることを特徴とする導
電性微粒子。 - 【請求項2】 樹脂微粒子と前記樹脂微粒子の表面に形
成された金属被覆層とからなる導電性微粒子であって、
前記金属被覆層は、ニッケルを主成分としホウ素を含有
する層と、ニッケルを主成分としリンを含有する層とを
有するものであることを特徴とする導電性微粒子。 - 【請求項3】 樹脂微粒子は、平均粒子径が0.5〜1
00μmであり、かつ、粒子径の変動係数が10%以下
であることを特徴とする請求項1又は2記載の導電性微
粒子。 - 【請求項4】 ニッケルを主成分とする層全体における
ホウ素の含有率が0.05〜4重量%であり、かつ、リ
ンの含有率が0.5〜10重量%であることを特徴とす
る請求項1、2又は3記載の導電性微粒子。 - 【請求項5】 金属被覆層は、最外層が金からなること
を特徴とする請求項1、2、3又は4記載の導電性微粒
子。 - 【請求項6】 樹脂微粒子と前記樹脂微粒子の表面に形
成された金属被覆層とからなる導電性微粒子を製造する
方法であって、少なくとも、還元剤としてホウ素化合物
及び次亜リン酸化合物を用いる無電解ニッケルメッキ工
程を有することを特徴とする導電性微粒子の製造方法。 - 【請求項7】 樹脂微粒子と前記樹脂微粒子の表面に形
成された金属被覆層とからなる導電性微粒子を製造する
方法であって、少なくとも、還元剤としてホウ素化合物
を用いる無電解ニッケルメッキ工程と、還元剤として次
亜リン酸化合物を用いる無電解ニッケルメッキ工程とを
有することを特徴とする導電性微粒子の製造方法。 - 【請求項8】 請求項1、2、3、4又は5記載の導電
性微粒子を用いてなることを特徴とする異方性導電材
料。
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