TWI365011B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TWI365011B
TWI365011B TW094110792A TW94110792A TWI365011B TW I365011 B TWI365011 B TW I365011B TW 094110792 A TW094110792 A TW 094110792A TW 94110792 A TW94110792 A TW 94110792A TW I365011 B TWI365011 B TW I365011B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
emitting element
insulating substrate
conductor
columnar conductor
Prior art date
Application number
TW094110792A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200541415A (en
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2004130901A external-priority patent/JP4776175B2/ja
Priority claimed from JP2004219779A external-priority patent/JP4780939B2/ja
Priority claimed from JP2004242224A external-priority patent/JP2006066409A/ja
Priority claimed from JP2004247203A external-priority patent/JP2006066630A/ja
Priority claimed from JP2004279513A external-priority patent/JP2006093565A/ja
Priority claimed from JP2004338867A external-priority patent/JP2006147999A/ja
Priority claimed from JP2004340339A external-priority patent/JP2006156447A/ja
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of TW200541415A publication Critical patent/TW200541415A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI365011B publication Critical patent/TWI365011B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/0204—Cooling of mounted components using means for thermal conduction connection in the thickness direction of the substrate
    • H05K1/0206—Cooling of mounted components using means for thermal conduction connection in the thickness direction of the substrate by printed thermal vias
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
    • H05K3/4053—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
    • H05K3/4061—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in inorganic insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets

Description

1365011 Λ ，二 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於用來裝載發光二極體（LED)等的發光元 件之發光元件用配線基板。 【先前技術】 以往’在配線基板上裝載led而構成之發光裝置，因 發光效率非常高’且相較於白熾燈泡等其發光伴生之熱量 小’故逐漸使用於各種用途。另一方面，這種發光裝置， • 由於其發光量比白熾燈泡或螢光燈等為小，以往並非於照 明’而是當作顯示用的光源，其通電量不過是30mA左右。 這種發光裝置，由於通電量小且發熱量小，故主要採用的 ·» - 構造為將發光元件（LED)埋設於樹脂製絕緣基板之所謂砲 - 彈型構裝構造（參照專利文獻1)。 近年來’伴隨高亮度、白色化之發光元件之開發，在 行動電話及大型液晶電視等的背光單元大量採用發光裝 置。然而’隨著發光元件之高亮度化，發光裝置產生的熱 •也增多’為了防止發光元件之亮度降低，必須使用具有高 政熱性（散熱性比發光元件佳）之發光元件用配線基板（參照 . 專利文獻2、3)。 . 專利文獻1 :日本特開2002-124790號公報 專利文獻2 :曰本特開平n _丨丨2〇25號公報 專利文獻3 :日本特開2003-347600號公報 【發明内容】 發光元件用配線基板，係在平板狀絕緣基板的表面或 ⑧ 5 1365011 内部具有導體層，在該絕緣基板之一面裝載發光元件而構 成。這種配線基板所使用之絕緣基板，大多為氧化銘製， 該氧化鋁製絕緣基板之熱膨脹係數為7.〇xl〇-6/(>c左右，由 於與印刷基板之熱膨脹係數差小到不致產生實用上問題的 程度’故兩者的連接可靠性優異。然而，由於氧化鋁之熱 傳導率只有約15W/m.K，因此其替代品之具有高熱傳導 率的氮化紹開始受到注意。然而，氮化銘的缺點包含：原 料成本高，難燒結而必須進行高溫燒結，製造成本高等等。 又’由於熱膨脹係數只有4〜5xl〇-V°C，當採用氮化鋁製絕 緣基板之配線基板構裝在汎用的印刷基板（熱膨脹係數i 〇χ l〇-6/°C以上）時，因熱膨脹係數差會有連接可靠性變差的問 題。 另一方面，樹脂製之絕緣基板，由於熱膨脹係數接近 印刷基板’並不會產生印刷基板之構裝可靠性上的問題， 但因熱傳導率只有0 05w/m . κ，其完全無法對應於散熱 上的問題，且在近紫外波段長期間使用時，絕緣基板會持 續黑色化，而產生發光元件之亮度減低之問題。 如此般，目前的現狀，尚無法提供出低成本、熱傳導 眭優異且構裝可靠性優異之發光元件用配線基板。 本發明之目的係提供出低成本、熱傳導性優異且構裝 可靠性優異之發光元件用配線基板。 本發明之另一目的，係提供在上述配線基板裝載發光 元件而構成之發光裝置。 依據本發明之發光元件用配線基板，係具備：陶瓷製
6 1365011 絕緣基板、及形成於該絕緣基板之表面或内部之導體層， 在S玄絕緣基板之一面具有發光元件裝載用之裝載區域；其 特徵在於，在該絕緣基板，設置熱傳導率比絕緣基板高之 傳熱性柱狀導體；該傳熱性柱狀導體，係從該絕緣基板之 發光元件裝載區域朝貫穿絕緣基板之厚度方向延伸，且與 該絕緣基板同時燒結而形成出。 本發明之發光元件用配線基板’由於貫穿該絕緣基板 而置熱傳導率比絕緣基板高之傳熱性柱狀導體，故可使 發光元件產生的熱迅速逸散至配線基板外。因此，能有效 抑制發光元件之過加熱’能防止發光元件之亮度降低，進 而提昇發光元件之亮度。 由於絕緣基板是陶瓷製，其熱傳導率比樹脂製模塑基 板向，故絕緣基板本身的散熱性優異，且歷長期間也不會 發生因光源發熱或光源發光所致之分子構造改變，幾乎不 會產生色調變化（黑色化等）、特性劣化等，而具有高可靠 性。 本發明中，該絕緣基板能藉任意溫度的燒結來形成出， 當使用燒結溫度高於105(TC之高溫燒結絕緣基板時，有助 於提高熱傳導率；當使用燒結溫纟⑼吖以下之低溫燒結 絕緣基板時’能與金、纟、銅等的低電阻導體製配線層藉 由同時燒結來形成出。 又’前述絕緣基板之發光元件裝載區域側表面，較佳 為具有 70%以上的令及射座，益& 耵生夂射旱藉此，可防止發光元件之發 光穿透絕緣基板或被絕緣基板吸收，故能提昇發光效率。 7 ⑧ 1365011 月，J述傳熱性柱狀導體，為了使發光元件產生的熱迅速 逸散’係從發光元件裝載區域朝貫穿絕緣基板的方向延 伸’該傳熱性柱狀導體較佳為，其俯視截面積比該發光元 件之裝載面(相當於發光元件底面)為大。藉此可增加散 熱部分，而使發光元件之熱更迅速的逸散。
又，在該傳熱性柱狀導體之端面與該絕緣基板表面之 邊界部及其附近，較佳為用邊界保護層（由擇自金屬、陶究 及樹脂所構成群甲之至少i種所形成）覆蓋。藉由設置這種 邊界保護層’可緩和該柱狀導體與絕緣基板間之熱膨脹 差’而抑制邊界間之裂痕產生。 "亥傳熱丨生柱狀導體之裝載區域側的端面（上部側的 端，）及其周緣部’較佳為藉由含有金屬或樹脂之被覆層所 覆蓋1¾傳熱性柱狀導體之裝載區域側相反側之端面（下部 側的端面）及其周緣部’較佳為藉由含有擇自金屬、陶究及 樹脂所構成群中至少、！種之被覆層所覆蓋。藉由將這種被 覆層叹於傳熱性柱狀導體之上部側端面或下部側端面，亦 可緩和5亥柱狀導體與絕緣基板間之熱膨脹差，而抑制柱狀 導體端面與絕緣基板的邊界間之裂痕產生。 又，该傳熱性柱狀導體較佳為具有80w/m . κ以上之 熱傳導帛，匕可使發光元件i生的熱迅速逸散。 又°亥傳熱性柱狀導體，較佳為金屬材料與陶瓷材料 所形成。藉由使用這種金屬_陶瓷製之柱狀導體，例如熱膨 脹係數之控制變容易，藉由使其熱膨脹係數與絕緣基板接 近，即可抑制因熱膨脹之失配所致之裂痕產生。又，藉此 8 ⑧ 1365011 也能提昇該柱狀導體與絕緣基板之接合強度，且其能與絕 緣基板進行同時燒結。 本發明中，可將該傳熱性柱狀導體編入電路之一部分， 這牯，導通端子變得不需要，而有助於發光元件用配線基 板之小型化。 又，該傳熱性柱狀導體，可由熱膨脹率或熱傳導率不 同之複數層所形成。以這種積層構造來形成傳熱性柱狀導 體時，可改變各層之熱膨脹率、熱傳導率，例如只要使裝 載區域側層與所裝載之發光元件的熱膨脹差變小，其下側 層不梵熱膨脹係數之限制而能作成高熱傳導率，如此可確 保可靠性並提昇散熱性。 上述般在本發明之發光元件用配線基板上裝載發光元 件而成之發光裝置，由於能使發光元件之發熱迅速逸散至 裝置外，故能抑制發光元件之發熱所致之亮度減低。 【實施方式】 璧1光元件用配飨篡始 圖1(a)、（b)顯示本發明的發光元件用配線基板之代表 構造，配線基板η係具備：陶莞製絕緣基板i，形成於絕 緣基板1之—面13之導體層（連接端子）3a、3b，形成於絕 緣基板1之另—面1b之導體層（外部電極端子）5,以及貫 穿絕緣純1而設之導通導體用來使導體層3a、3b# 導體層5形成電氣連接）。 在絕緣基板1之面la上’在一導體層3a與另一導體 層3b之間，形成有供裝载發光元件之裝載區域9。亦即， L/丄丄 i=、l、3a、3b，係分別與裝載區域9所裝載之發光元件(圖 巾未圖示）形成電氣連接，而具備連接端子的作用。 體層5係與印刷基板等的外部電路基板形成電氣連 二具備外部電極端子的作用。因&，如後述般，裝載 …戶斤裝載之發光元件’係透過導體層3a、3b、導通導 體7~及導體層5而與外部電路基板形成電氣連接。因此， ，下4明中’將導體層3a、3b稱為連接端子，將導體層$ 稱為外部連接端子。 上述連接端子3a、3b及外部連接端子5，能以各種金 屬來形成，通常是以擇自w、M〇、Cu、Ag中之至少i種 為主成分。以這種金屬材料來形成連接端子3a、补及外部 連接端子5時，除能與絕緣基板1進行同時燒成外，亦能 低成本且迅速地製作出發光元件用配線基板11。 本發明中，如圖1(b)所示，能以包圍裝載區域9及導 體層3a、3b之方式設置框體13(用來收納所裝載之發光元 件）。藉由框體13,可保護裝載區域9所裝載之發光元件， 而容易在發光元件周邊配置螢光體等。又，發光元件的發 光能被框體13反射而朝既定方向誘導。該框體13,為了 抑制發光元件之發光穿透或被吸收以確保高亮度，其内壁 面之反射率範圍在70%以上，較佳為8〇%以上，更佳為85% 以}" 〇 jl熱性柱狀導體1 〇 本發明之重點為，在該裝載區域9上，設有貫穿絕緣 基板1而延伸之傳熱性柱狀導體10。該傳熱性柱狀導體 1365011 1〇,係用比絕緣基板1形成材料之㈣更高熱傳導率的材 料、具體而言為w、Mo、Cu、Ag等金屬來形成(也能以後 述之金屬與陶瓷的複合體來形成）。 D如圖1(a) ' (b)所示般， 從裝載區域9至絕緣基板丨之相 久例的面1 b，係沿厚度方 向貫穿絕緣基板1。該傳熱性柱狀導 住狀等體1 0，係和絕緣基板 1同時經由燒結而形成出。亦即，本發明之配線基板，由 於柱狀導體ΠΚ熱傳導率比絕緣基板從裝載區域9貫 穿絕緣基板1而延伸，能以該柱狀導體10為傳熱路徑而 使發光元件發生的熱迅速地逸散，其結果，可防止發光元 件之過度加熱’而能防止發光元件之亮度減低。 這種柱狀導體1〇,如圖1⑷、⑻所示，係直徑500 " …之塊狀者，將其1個或複數個以上方端面位於裝載 &域9的方式配置。該社壯道麒 罝項往狀導體10之俯視截面形狀，可 為圓形、槽圓形、方形、多角形等等。 ，該塊狀的柱狀導體10’係將柱狀導體1〇用導體糊所 製成之導體月，以貫穿陶㈣片的方式塵嵌於陶㈣片 内’將該複合成形體藉由同時燒結而形成出（該方法容後詳 述）&種塊狀之柱狀導體10，相較於所謂熱導通型者（其 ，小與所裝載之發光元件相同，例如直徑超過卿㈣， 能實現更高的散熱性。特別是’為獲得高散熱性，較佳為， 塊狀柱狀導體H)之俯視截面積（裝載區域9側的端面面積） 比配線基板η上所裝載之發光元件裝載面積(相當於底面 積）為大I佳為1.2倍以上。藉由將塊狀柱狀導體之俯視 截面積加大’可增加散熱部分，而使發光元件產生的熱更 11 ⑧ 1365011 迅速地逸散。 上述圖1(a)、（b)所示之柱狀導體1〇，由於具導電性， 可编入電路之一部分。例如，藉由將所裝載的發光元件與 柱狀導體ίο直接作電氣連接，連接端子3a、3b&導通導 體7均變得不需要，而能謀求發光元件用配線基板u之 小型化。又，當該傳熱性柱狀導體丨〇與電路分別獨立設 置時，由於該傳熱性柱狀導體丨〇與印刷基板等的外部電 路基板未形成電氣連接，故其構裝可靠性提高。 本發明中，上述柱狀導體1〇之熱傳導率比絕緣基板1 呵，其熱傳導率範圍在8〇W/m . K以上，較佳為1〇〇 w/m · K以上，更佳為120 W/m . K以上，最佳為16〇 w/m · κ 乂上。藉由设置傳熱性良好的柱狀導體1〇，可使發光元件 產生的熱直接且迅速地逸散，故能更安定地維持發光元件 之穩定發光，而能防止發光元件之亮度減低。柱狀導體1〇 之熱傳導率，可藉由適當選擇構成金屬的種類來作控制。 例如，使用具有高熱傳導率的Cu或Cu_w來形成柱狀導 體10時，可提高柱狀導體的熱傳導率，而為了確保上述 般之高熱傳導率，柱狀導體10中之Cu含量宜為40體積％ 以上，較佳為50體積％以上，更佳為6〇體積％以上。 為了 昇柱狀導體1 〇與絕緣基板1間之接合可靠性， 枉狀導體10之熱膨脹係數（40〜4〇〇°c )以接近絕緣基板】的 熱膨脹係數為佳，例如可調整柱狀導體10之熱膨脹係數， 而使絕緣基板1與柱狀導體丨〇之熱膨脹係數差Δα在4.Οχ 10 6/°c以下，較佳為2 0xl0-6/〇c以下，更佳為丨〇xi〇-6/〇c 12 13()5011 '藉由防止兩者之熱膨脹不-致，可獲得高可靠性之 =元件用配線基板u。柱狀導體10之熱膨脹係數，可 ^選擇金屬種類等來作調整，例如1 cu(高熱傳 =二金屬中熱膨膜係數較低者）組合使料，所形成的杜 狀導體H)具有高熱傳導率，且能控制其與絕緣基板 之熱膨脹係數差。又，丨、，人s ^ 又以金屬與陶瓷之複合體來形成柱狀 10 %，也能調整兩者的熱膨脹係數差。 本發明中上述的柱狀導體1〇,係將既定的金屬粉末（例 如Cu、W的粉末）與適量的有機結合劑及有機溶劑混合而 調製出’只要能碟保比絕緣基板i高的熱傳導率，將上述 金屬粉末加陶竞粉末（例如絕緣基板1形成用的陶曼粉末） 而、-且成的混合粉末、與有機結合劑及有機溶劑混合，藉此 周製出亦可使用這種混合粉末構成的導體糊時，藉由 與陶究述片進行同時燒結，可在柱狀導體ig與絕緣基板1 开/成良好的接合強度’且該柱狀導體1〇係由金屬與陶瓷 之複合體所構成。這時，藉由調整金屬粉末與陶究粉末之 混合比’㉟簡單地㈣熱膨脹餘’而使柱狀導體ι〇之 熱膨脹係數接近絕緣基& i，故能抑制絕緣基板ι與柱狀 導體10之熱膨脹不-致所造成之裂痕產生。混合粉末中 之陶瓷粉末含量（相當於柱狀導體10中之陶瓷含量），為了 確保向熱傳導率’一般是在5體積％以下，較佳為4體積 %以下’更佳^ 3體積％以下。這種陶瓷，當然以使用絕 緣基板1形成用的陶曼為最佳。 本發明中，如圖2所示，可設置邊界保護層丨5，以覆
13 1365011 蓋該傳熱性柱狀導體之端面與該絕緣基板表面之邊界部及 其附近。該邊界保護層15，係由擇自金屬、陶莞及樹脂所 構成群令之至少1種所形成。藉由設置這種邊界保護層15, 可缓和柱狀導冑H)與絕緣基&丨fa1之熱膨㈣，而抑制 邊界之裂痕產生。 邊界保護層15，可考慮柱狀導體1〇與絕緣基板1之 熱膨腸差來適當地改變其組成，例如用金屬或陶究來形成 邊界保護層15時，可藉由與絕緣基板丨及柱狀導體ι〇進 行同時燒結來設置邊界保護層15。關於陶瓷，基於燒結性、 與邊界保護層15及絕緣練丨之接合性的觀點;0以使用 與絕緣基1形成用的陶究具有同樣組成者為佳。關於金 屬，藉由使用與柱狀導體1〇相同組成的金屬，雖可提昇 燒結性、與邊界保護層15及柱狀導體ig之接合性，作基 =保熱循環時的可靠性之觀點，以㈣熱膨脹係數比^ ，，土板1小的金屬為佳。例如，當絕緣基板 的金屬…或Μ。為佳。使心 ::成邊界保護層15日夺，較佳為併用陶竞，如此即可， 制燒結狀態及熱膨脹係數。 二 炉成:形成邊界保護層15時’係、藉由同時燒結來 柱柱狀導體10後，以填塞絕緣基板丨與 即可形成邊界保㈣15。又，使用樹脂來 15時，除樹脂成分外，若進…右1〇〗/邊界保邊層 古日, 步含有10〜15體積％之陶瓷 也末，則可提昇邊界保護層15之耐水性及散熱性。
14 UCOUii 上述邊界保護層15，也能採 展馗造。“ - b採用不同材質層所構成之積
增構政 例如，在金屬式输签M L i屬或陶瓷層上積層樹脂層而構成邊界 保護….就算在絕緣基板，與柱狀導㈣=產界 π能防止裂痕進展至表層，因此這種積層構 又，圖3(a)、⑻顯示本發明的發光元件用 之另一例。 本發明中，例如像圖3⑷所示，可設置被覆層心， 以完全覆蓋住柱狀導體10之裝載…形成側的端面及 緣：。：於ί側端面之該被覆層係含有樹脂或 ’-日由叹置這種被覆層16a，亦可緩和柱狀導體盥 絕緣基板Ws1之熱膨脹差，而抑制柱狀導體U)端面盘絕 緣基板1的邊界間之裂痕產生。又，藉由這種被覆層旧， 也能將後述之發光元件21固定於裝載區域9。特別是用金 ，來形成該被覆^ 16aa夺，由於被覆層…之熱傳導率比 邑、彖基板1同’因此能使發光元件21的熱迅速逸散。使 用樹脂來形成被覆層16a時，可防止柱狀導體10與連接端 子3a、3b間之短路。 “又，如3(b)所示，也能設置被覆層⑽，以完全覆 蓋住柱狀導體1G之與裝載區域9形成側相反側的端面及 其周緣部。設於下側端面之該被覆層⑹，係含有擇自金 屬、陶曼及樹脂所構成群中之任一種，藉由設置這種被覆 層16b’亦可緩和枉狀導體1Q與絕緣基板1間之熱膨服差， 抑制柱狀導體10端面與絕緣基板1的邊界間之裂痕產
15 1365011 生。用金屬來形成該被覆層16b時，由於被覆層wb之熱 傳導率比絕緣基板1高，因此能使發光元件21的熱迅速 逸散。使用陶瓷或樹脂來形成被覆層丨6b時，可防止柱狀 導體10與外部端子5間之短路。特別是以陶瓷來形成被 覆層16b時，由於能與絕緣基板1及柱狀導體1〇進行同 時燒結，基於生產性的觀點相當有利。 根據上述說明可知，在上面設置樹脂所形成的被覆層 16a，且在下面設陶瓷或樹脂所形成的被覆層16b的情形， 將該配線基板11上裝載有發光元件21而成之發光裝置構 裝於印刷基板等時，可在柱狀導體1〇的正下方配置配線， 而有利於機器的小型化。 上述被覆層16a、16b，係將含金屬或陶瓷之糊劑、或 含樹脂之塗布液塗布於該當部分，再進行燒結或燒附，藉 此即可容易地形成出。又，被覆層16a、16b形成用之金屬 或陶瓷，可使用與前述邊界保護層15形成用相同者。 又，本發明中，藉由使上述柱狀導體1〇之側面形成傾 斜面、或在該側面形成段差，能提昇柱狀導體1〇(特別是 大口徑塊狀之柱狀導體10)與絕緣基板丨之接合強度，而 能牢固地將柱狀導體10編入絕緣基板1内。 例如像圖4⑷所示，藉由使柱狀導體1〇之側面形成傾 =面10a，可增大柱狀導體1〇與絕緣基板i之接觸面積， 藉此，絕緣基板1與柱狀導體1〇之接合強度提高。又， 圖示之例中’柱狀導體10之裝載區$ 9側端面比另一端 面為小，藉此使其側面形成傾斜面，但將柱狀導體1 〇之 1365011 裝載區域9侧端面作成比另一端面大，藉此來形成傾斜面 虽然也可以。但基於散熱性的觀點，以柱狀導體丨〇之裝 載區域9側端面比另一側面為小較佳。 又，如圖4(b)所示，可在柱狀導體1〇之側面形成段差 10b。亦即，延時也是，相較於柱狀導體1〇的側面呈筆直 的情形，由於柱狀導體10與絕緣基板丨之接觸面積增大， 故柱狀導體10與絕緣基板丨之接合強度提昇。又，本圖 之例子，雖柱狀導體10之裝載區域9側端面比另一端面 •為小，但相反地，將柱狀導體10之裝載區域9側端面作 成比另一端面大來形成段差亦可。然而，基於散熱性的觀 •點，以柱狀導體10之裝載區域9側端面比另一側面小來 . 形成段差10b較佳。 又，在圖4(b)的例子，雖在柱狀導體1〇b之側面形成 1個段差10b，但像圖4(c)所示形成複數個段差1〇b亦可。 亦即，在圖4(c)，係在柱狀導體1〇b之側面形成兩個段差 1〇b，藉此在柱狀導體1之側面形成凸部1〇c。因此，不 僅柱狀導體l〇b與絕緣基板1之接觸面積增大，且柱狀導 體l〇b之側面與絕緣基板丨會牢固地嚙合，因此能顯著提 _ 昇兩者的接合強度。又圖4(e)中，雖是以兩個段差10b來 • 在側面形成凸部l〇c，但藉由兩個段差10b來在側面形成 凹部當然也可以。然而，基於散熱性之觀點，以形成凸部 10c為佳。 上述圖4(b)及（c)之例中，基於提昇接合強度之觀點， 段差10b長度L 一般為1〇〇 μ m，以2〇〇 # m以上為佳。 17 ⑧ 1365011 又，在圖4(a)〜(c)之例中，基於確保高散熱性之觀點， 柱狀導體10之俯視截面積（特別是裝載區域9側端面的面 積）較佳為大於所裝載之發光元件之裝載面積。 又，如圖4(b)及（c)所示，在柱狀導體1〇側面形成段 差10b時，例如像圖5所示，以從段差引出導體層丨4為 佳。亦即，當柱狀導體1〇側面形成段差1〇b時因絕緣 基板1與柱狀導體10間之熱膨脹差所產生之應力，將集 中於段差10b附近，結果，當裝載發光元件並使發光元件 反覆作動時，基於發光所伴生之發熱容易在段差10b附近 產生裂痕。因此，藉由形成導體層14，可減少應力集中在 段差1 〇b附近部位的情形，而有效抑制住裂痕的產生。又， 該導體層14係用和柱狀導體1〇相同的材料形成藉此可 進一步提昇散熱性。 又’圖5中’當柱狀導體1〇側面形成段差i〇b時，一 般的情形，絕緣基板丨具有複數個絕緣層所積層而成之積 層構造（圖5係絕緣層la、lb所構成之2層構造”段差 則形成於該絕緣層la、lb之積層界面（參照後述之柱狀導 體ίο形成方法卜因此，導體層14係從段差1〇b端緣順沿 絕緣層la、lb之積層界面延伸。這時導體層14從段差⑺匕 端緣突出的長度W，為了確保充分的應力緩和，可為5〇# m以上，較佳為2〇〇 # m以上’更佳為4〇〇 " m以上。又， 導體層14由於是用和柱狀導體1〇同樣的材料來形成，如 圖5所示，能以穿過柱狀導體1〇的方式貫穿柱狀導體1〇 來設置。 18 ⑧ Ι3(65〇1ΐ . 在圖5中，雖針對圖4(b)所示之在柱狀導體1〇側面形 成1個段差l〇b的情形顯示形成導體層14的狀態，但針 • 對像圖4(c)所示之形成複數段差l〇b的情形，較佳為從複 • 數個段差1 Ob分別引出導體層14。 邀緣基板1及配線某；te 11之製造 本發明中，如前述般絕緣基板1係陶瓷製，這種絕緣 基板1之熱傳導率為30w/m . κ以上，較佳為35w/m · κ 以上，更佳為40W/m · K以上，特佳為45W/m . K以上。 ® 熱傳導率越高，絕緣基板1之散熱性越佳，其抑制發光元 件之亮度降低效果越大。例如，陶瓷材料使用純度99%以 - 上之高純度氧化鋁時’可製作出熱傳導率為30w/m . K以 • 上之絕緣基板，藉由使用MgO，則可製作出熱傳導率 40W/m . K以上之絕緣基板！。 絕緣基板1之熱膨脹係數（室溫〜4〇0°c)為8·5χ1〇-6/Χ： 以上，較佳為9.0x10-6/1以上，更佳為1〇 〇χ1〇-6/χ：以上。 φ亦即，陶瓷製絕緣基板1之熱膨脹係數越高，絕緣基板1 與柱狀導體10或構裝於外部之印刷基板間之熱膨脹差越 卜’而能顯著地提昇絕緣基板1與柱狀導體1 〇或印刷基 • 板間之接合可靠性，且能提昇其與封裝樹脂（用來封裝所裝 • 载的發光元件）之接合可靠性。例如，陶瓷材料使用鎂橄欖 石時’可製作出熱膨脹係數8·5X 1 〇-6/。〇以上之絕緣基板1， 又藉由使用MgO ’可製作出熱膨脹係數以上 之絕緣基板1。 又’絕緣基板1之全反射率為7〇%以上，較佳為72〇/〇 ^65011 以上，更佳為80%以上，特佳為83%以上。藉由提高反射 率’可防止發光元件之發光穿透絕緣基板1或被絕緣基板 1吸收’而能獲得發光效率良好的發光元件用配線基板u。 例如’反射率高達83%以上之絕緣基板1，可藉由使用純 度99%之高純度氧化鋁、或添加燒結助劑Y203之MgO來 製作出。 絕緣基板1之3點彎曲強度為350MPa OOMPa以上，更佳為450MPa以上。藉由使用高強度的絕 緣基板1 ’可防止將發光裝置（在該絕緣基板1 1上裝載發 光元件而成）構裝於印刷基板等外部電路基板時之應力所致 之基板裂痕。這種高強度的絕緣基板丨，可使用氧化鋁或 MgO作為陶瓷材料而製得。 根據上述說明可知，用來形成絕緣基板丨之陶瓷材料， 必須考慮冑述之熱料率、熱膨服係數、纟等斗勿性等來加 以選擇。例如，Mg〇製絕緣基板丨，係由主結晶相為Mg〇 之Mg^)質燒結體所構成，其熱膨脹係數（室溫〜彻。〇高達 ιοχΐο-6/t： ’不僅可提昇構裝於汎用印刷基板(熱膨脹係數 ^―外以幻時之構裝可靠^且熱傳導率高達卿^· K以上，又全反射率及3點彎曲強度均夠高。 又，主結晶相為Mg〇之Mg〇質燒結體，係在X射線 :射：所檢測出的主峰為Mg〇蜂者，其邮結晶之體積 比例較佳含量為50體積％以上。 :種Mg0製絕緣基板卜例如在平均粒徑ο "” 度以上之Mg〇粉末中添加燒結助劑（擇自稀土類 20 1365011 氧化物（γ2〇3、Yb2〇3 等）、Ai2o3、si〇2、Ca0、Sr〇、Ba〇、 B2〇3、Zr〇2群t之至少】種）或填料粉末（平均粒徑〇i〜8“ m)，使用該混合粉末而成形出陶竞述片，將該陶究趣片以 高於测。C之溫度、較佳為！！雇。c的溫度範圍進行 燒結而製得。在上述混合粉末中，亦可添加含有Mg〇之 MgAl〇4、Mg〇 . Si〇2系之複合氧化物。 y為獲得主結晶為Mg0之緻密燒結體，燒結助劑等添加 成分之量，基於降低燒結溫度之觀點，較佳為佔混合粉末口 中3質量％以上’更佳為5質量％以上；而基於大量析出 Mg〇結晶之觀點，較佳為佔混合粉末中3〇質量。乂以下， 更佳為20質量％以下。特別是，當添加劑量為1〇質量。: 以下時，能獲得大部分均由MgQ結晶形成之絕緣基板i。 又’氧化銘製之絕緣基板卜係主結晶相為Al2〇之 體結體所構成。主結晶相為A03之A12〇3質燒結 體’係在X射線繞射下所檢測出的主峰為Ai2〇3峰者，其 Al2〇3結晶之體積比例較佳含量為5〇體積％以上。 、 這種氧化銘製絕緣基板i，例如在平均粒徑 m之純度99%以上之Al2〇3粉末 .·认 2 3物禾中添加燒結助劑（擇自 二、S1〇2、Mg0 ' Ca〇、Sr〇群中之至少i種)的粉末(平 均粒徑1 ·〇〜2.〇 # ，使用該混合 份末而成形出陶瓷坯片， 將違陶竞达片以1〇5(rc以上之
的、、®卉r 又較佳為1300〜1500°C 的，皿度圍進行燒結而製得。 如此般製造氧化鋁製絕緣基板 之混人私士 极1時，陶瓷坯片成形用 口-中之燒結助劑等添加劑的量’基於降低燒結溫 21 13:65011 又之觀點，較佳為佔混合粉末中5質量％以上，更佳為7 、里乂上，而基於獲得主結晶為Al2〇3之緻密燒結體之 觀點較佳為佔混合粉末中【5質量0/。以下，更佳為⑺質 量％以下。藉此，能獲得大部分均由八丨2〇3結晶所形成之 絕緣基板1。 又，上述雖是針對Mg0製及氧化鋁製絕緣基板丨作說 明/旦適用於本發明之絕緣基板i並不限於此，關於陶究， 也能採用主結晶為模來石、尖晶石、鎂撖欖石等之燒結體。 以也能以所謂的玻璃㈣來形成絕緣基板！。這種玻璃陶 究製絕緣基板i，能以⑻代以下之低溫燒結來製作，特 別當連接端子3a、3b、外部電極端子5、導通導體7等是 用Ag'Cu等的低電阻導體來形成時，由於藉由同時燒結 能獲得緻密且具有平滑面之絕緣基板i，故其特別適用。 該玻璃陶究製絕緣基板丨，例如使用在玻璃粉末中混 合粉末等填料粉末而構成混合粉末，和上述同樣地形 成陶究坦片，以1050。(：以上、較佳為85〇〜1〇5〇〇c之溫产 範圍燒結而製作出。又，混合粉末中填料的含量，雖依； 璃組成等會有不同’但為了製作出高強度的絕緣基板】， 一般佔30〜60質量％，較佳為35〜55質量％。 又’製作上述各種絕緣基板i時，使用原料混合粉末 來形成陶竟达片之方法’能以公知的方法來進行例如在 含有或⑽等的陶竞材之混合粉末中，添加結合劑、 溶劑等而製作出成形用毅料，使用該漿料，藉由刮刀法等 手段而製得片狀成形體之陶瓷坯片。 ⑧ 22 二因此，在製造配線基板n時，係藉由雷射加工等而在 陶瓷坯片之既定位置形成對應於導通導體7之貫穿孔，將 導體糊(使金屬粉末分散於適當的結合劑或溶劑中而構成) 貫穿孔’並在表面之以位置印刷圖案狀 t對應於連接端子3a、3b、外部電極端子5)之導體糊，接 著將對應於柱狀導體10之導體圖案編入陶究坯片，以此 狀態進行燒結（同時燒結），而製得配線基板u(在絕緣基板 ί表面、内部形成連接端子3a、3b、導通導體7,且具備 柱狀導體10)。又，連接端子3a、3b、外部電極端子5， 可將金屬箱轉印於陶瓷述片而形成出’或藉由蒸鍍等的薄 膜形成法而直接形成於絕緣基板1表面。 又，依照以下的方式’將對應於柱狀導體1 〇之導體圖 案編入陶瓷坯片。 例如，當柱狀導體10呈圖1(a)所示的形狀時，和形成 導通導體7的情形相同’在坯片之既定位置形成貫穿孔， 在該貫穿孔内充填導體糊（含柱狀導體10用的金屬粉末）， 即可將柱狀導體10用的導體圖案編入陶瓷坯片。 又’當柱狀導體10呈圖1(b)所示的塊狀時，將對應於 柱狀導體10之導體片壓嵌入陶瓷坯片之既定位置，即可 編入柱狀導體10用的導體圖案。圖6顯示這種導體圖案 的形成方法之一例。 亦即，如圖6(a)所示，在具備衝孔37之模具39上面， 配置陶瓷坯片40。 然後’如圖6(b)所示，將柱狀導體10用的導體片43 23 ⑤ 1365011 宜在陶瓷场片40上。該導體片43，較佳為厚度與陶瓷坯 片4〇大致相同。該導體片43，係將前述柱狀導體1〇形成 用的金屬粉末（或該金屬粉末與陶瓷粉末之混合粉末）與有 機結合劑及溶劑混合’使用所調製成之導體漿料，藉由刮 刀法等的板片成形法而製作出。 然後’如圖6(c)所示，用模塞35，將導體片43壓入 陶竞培片40。藉此，導體片43的一部分被壓入陶瓷坯片 4〇内而形成嵌入狀態。 接著’將未被壓入陶莞堪片40内之局部導體片43除 去，同時將被導體片43擠出之局部陶瓷坯片4〇除去，藉 此’如圖6(d)所示’即形成以貫穿陶瓷坯片4〇的方式嵌 入導體片43之複合片50。亦即，圖6(d)之嵌入複合片5〇 的導體片43,係構成對應於柱狀導體1〇之導體圖案，在 該複合片（坯片）50上，如前所述，可形成對應於連接端子 3a' 3b'外部電極端子5或導通導體7之導體圖案，而以 該狀態進行燒結。 又，要形成圖4(a)所示之側面具有傾斜面丨〇a之柱狀 導體1〇時，如圖7所示，係依前述方法製作出嵌有小徑 導體片43之複合片5〇a、及嵌有大徑導體片43之複合片 50b，將該複合片5〇a、5〇b實施壓接而製作出積層體。該 積層體中，在複合片5〇a之小徑導體片43、與複合片5〇b 之大徑導體片43之對向部分的端部形成段差i〇b，藉由燒 …玄積層體’即可在絕緣基& 1中形成圖4(b)所示之柱狀 導體 這寺，絕緣基板1係2層絕緣層所積層而成之積 24 ⑧ 1365011 3 層構造。又，要形成圖5所示之導體層14時，只要在複 合片50a或複合片50b之積層界面，以對應導體層14的方 式用網版印刷法塗布導體糊即可。 又’要形成圖4(c)所示在側面具有複數個段差1 〇b之 柱狀導體10時，準備出嵌有大徑導體片43之複合片50b， 用2片複合片50a(嵌有小徑導體片43者）夾住而製作出3 層構造積層體，再進行燒結即可。這時，所製作出之絕緣 基板1 ’係3層絕緣層所構成之積層構造。 圖7之例子，係為了形成具有段差10b之柱狀導體1〇 ’ 而製作出複合片50的積層體，但為了形成不具段差1〇b 之柱狀導體10，當然也能製作出複合片50的積層體再將 其燒結。這時，藉由使各複合片5〇中導體片43的組成互 不相同可形成由不@熱膨脹率及熱傳導率之複數層所構 成的柱狀導體10。例如，將埋設有導體片(Cu : 40體積。/〇， 。60體積％)之第i複合片、與埋設有導體片: 體 積。W 50體積％)之第2複合片積層，以第1複合片妒 載區域9、第2複合片在相反側的方式來形成柱狀導體ι〇: =匕般’第1複合片之導體片層(裝載區域9側)，其熱膨 Ί ’與裝载之發光元件間之熱膨脹率差變小，另一方 复s片之導體片層（裝載區域9側之相反側），其 高，熱傳導率大。如此可知，只要裝載區域9側 膨脹率小者，則不須考慮裝載區@ 9相反側之執 二丰*而能配置高熱傳導率的層，藉此 兀件之連接可靠性，並顯著提昇散熱性。 發先
25 又在上述複合片50中（或複合片50的積層體中）之 導體片43露出面（相當於柱狀導體1〇端面）、及坯片與 導體片43的界面上，能以網版印刷等塗布含金屬之糊、 例如M〇糊，之後實施燒結，即可在柱狀導體10的上側端 面或下側端面形成圖3(a)、（b)所示之被覆層丨6a、丨6b。又， 將組成與坯片40相同之糊，和上述金屬糊同樣地塗布於 歿合片之既定位置並燒結，即可形成圖2所示之邊界 思 1C 〇叉 B 又’使用樹脂來形成被覆層16a、16b、邊界保護層 日守八要在複合片之燒結後，將含樹脂之塗布液塗布於 既定位置並進行乾燥及硬化即可。 上述陶竟述片（或複合片）之燒結，係在脫結合劑後， 於氧化氣氛、還原氣氛或非活性氣氛下以既定燒結溫度加 ^來進行。特別是使用Cu等易氧化的材料作為金屬粉末 犄，須在還原氣氛或非活性氣氛下進行燒結。 上述燒結後，視需要，可在連接端子3a、3b、外部電 極知子5及柱狀導體1〇的表面實施鍍A1或等，如此 可提高這些構件的反射率而使亮度提昇。特別是，若在接 端子3a、3b、柱狀導體1〇及框體内壁面13a所形成之金 屬化（metalizing)層上，依序形成鍍鎳、鍍金、鍍銀層，則 可使咼反射率的鍍銀層強固地結合。特別是，若在框體内 壁面13a上形成這種鍍銀層，則發光元件的光在框體内壁 面13a能以高反射率反射而向外射出。 又，§形成鍍鎳層作為底層時，若在鍍鎳層上直接鍍 銀，因鍍鎳層之鎳會在鍍銀浴中析出，而被覆於配線導體 ⑧ 26 1365011 « 或裝載區域之鑛銀層上，或在鑛銀處理前因搬送之振動等 而使錄粒子脫離鍵錄層後附著於配線導體或裝載區域，作 只要在鍍鎳層上被覆鐘金層，即可避免上述問肖，而防止 發光70件之構裝性及接合性變差。. 、本發明中’用來保護所裝載的發光元件之框^ 13，係 以陶莞材料或金屬材料來形成，以陶㈣料來形成框體U 時，藉由同時燒結，能與上述絕緣基板i、連接端子〜外、 外部電極端子5及柱狀導體i"一起來形成框體η，故 有助於生產性的提昇。又，這種陶究製的框體13，由於耐 熱性、耐濕性優異，就算長期間使用或在惡劣條件下使用， 仍具有優異的耐久性。X，在這種陶£製框體13之内壁 面！3a上，使用前述形成連接端子3a、3b等所用之導體糊， 藉由進打同時燒結來形成金屬化層（未圖示），如此可更加 提昇耐久性並提昇反射率。在這種金屬化層上，可形成Ni、 Au、Ag等所構成的鍍敷層（未圖示），藉由形成這種金屬化 層及鍍敷層，可將框體12内壁面13a之反射率調整成7〇% 以上、較佳為80以上、更佳為85%以上，以抑制發光元 件之發光穿透或被吸收以確保高亮度。特別是反射率 以上之框體13内壁面13a，可藉由實施鍍光澤銀來實現。 又，金屬製之框體13,其本身具有高反射率，若使用 A1或Fe-Nl-Co合金等的金屬，則可降低成本且加工性優 異。在該金屬製框體"之内壁面13a，和前述相同地可形 成Ni、Au、Ag等所構成的鍍敷層（未圖示 種錢敷層，可進-步提高内壁面13a之全反射率 27 1365011 出例如85%以上之全反射率。這種金屬製框體〗3，例如可 在別述燒結所得之絕緣基板丨的面la上事先形成導體層 1 Μ ’透過共晶Ag-CU焊料等構成之焊料，而將導體層17 與框體13焊接在一起。 又’在圖1(b)等的例子中，框體Η之内壁面13a雖為 直立面，但並不限於這種直立面，内壁面13a也能形成喇 叭狀的曲率面，或上部直徑較大之傾斜面。藉由將内壁面 ^作成曲率面或傾斜面，有助於將發光元件之發光向外部 誘導。 〔發光裝置〕 在上述製作出之本發明的發光元件用配線基板n上， 在其裝載區域9構裝發光元件，即可製得發光裝置。 圖8(a)及圖8(b)顯示這種發光裝置之截面構造，發光 裝置25，係在配線基板丨丨之裝載區域9上構裝led晶片 等的發光το件21而構成。圖8(a)所示的發光裝置25，係 在圖1(a)的配線基板丨丨上構裝發光元件以而構成；圖 所不的發光裝置25，係在圖丨的配線基板丨丨上構裝發 光元件21而構成。 發光裝置25，係透過適當的黏著材29將發光元件21 黏著固定在配線基板U之裝載區域9,並藉由接合線U 連接於配線基板11之連接端子3a、3b。從連接端子以、补 透過接合線23供電給發光元件21，而使發光元件2ι作動。 發光7G件21，也能不使用黏著材29 ,而藉由所謂覆晶連 接來連接固定於裝載區域9。這時，不須經由接合線， ⑧ ^.6501! 例如能從連接端子3a、3b直接供給給發光元件2 i。 配線基板11上裝載的發光元件21，係用透明樹脂材 料等構成的模塑材31來密封，可取代這種模塑材31，而 • 使用透光性材料（例如玻璃）構成的蓋體來密封發光元件 21。該模塑材31中，也能添加螢光體，其可使發光元件21 之發光產生波長改變。 這種發光裝置25,由於發光元件21之發熱能從傳熱 性柱狀導體10迅速地逸散’可有效防止發熱所致之亮度 降低’而3b長期間維持穩定的面亮度發光。又可省略散熱 器（heat sink)等的散熱構件，而有助於構裝有這種發光裝 - 置25之電氣機器的小型化。 • 又，發光裝置25之發光，經由絕緣基板1表面或框體 13内面之反射能朝既定方向誘導，因此能提昇發光效率。 又，該發光裝置25，一般是透過外部連接端子5構裝 於印刷基板等的外部電路基板（未圖示），藉由使絕緣基板 1之熱膨脹係數接近印刷基板，可抑制其與印刷基板或模 塑材31之熱膨脹係數不一致，因此能構成接合可靠性良 好的發光裝置25。 - 【圖式簡單說明】 • 圖1 (a)、（b)分別顯示本發明的發光元件用配線基板之 代表構造一例之截面圖。 圖2係顯示本發明的發光元件用配線基板之另一例之 截面圖。 圖3(a)、（b)係顯示本發明的發光元件用配線基板之另 ⑧ 29 1365011 • 一例之截面圖。 圖4(a)〜(c)係顯示本發明的發光元件用配線基板上形 " 成的傳熱性柱狀導體侧面形狀之例。 • 圖5係顯示在傳熱性柱狀導體側面形成段差時所設的 導體層。 圖6係用來說明在本發明的發光元件用配線基板之絕 緣基板編入柱狀導體的方法之一例。 圖7係用來說明在本發明的發光元件用配線基板之絕 _ 緣基板編入柱狀導體的方法之另一例。 圖8係顯示在圖1的發光元件用配線基板上裝載發光 • 元件而成之發光裝置截面構造。 . 【主要元件符號說明】 - 1…絕緣基板 la…絕緣基板之一面 lb…絕緣基板之另一面 3a ' 3b…連接端子 ® 5…外部電極端子 7…導通導體 - 9…裝載區域 - 1〇…傳熱性柱狀導體 10a…傾斜面 10b…段差 10 c…凸部 11…配線基板 ⑧ 1365011 - 13…框體 13a···框體内壁面 14…導體層 15…邊界保護層 1 6a ' 16b…被覆層 17..·導體層 21…發光元件 23…接合線 Φ 25...發光裝置 29…黏著材 _ 31..·模塑材 35···模塞 3 7 · · ·衝孔 39…模具 40…陶瓷坯片 43···導體片 ® 50、50a、50b..·複合片 L…段差10b長度 - W…導體層14從段差10b端緣突出的長度 31 ⑧

Claims (1)

1365011 第094110792號專利申請案， 申請專利範圍修正/替換本_ 十、申請專利範園： 卜-種發光元件用配線基板，係具備：陶㈣絕緣基 板、及形成於㈣緣基板之表面或内部之導體層在該絕 緣基板之-面具有發光元件裝載用之裝載區域；其特徵在 於： 在該絕緣基板，設置熱傳導率比絕緣基板高之傳熱性 柱狀導體； 該傳熱性柱狀導體，係從該絕緣基板之形成有發光元 籲件裝載區域之側之面朝貫穿絕緣基板之厚度方向延伸， 該傳熱性柱狀導體之裝載區域側端面的面積，比裝載 區域的面積為大， 該傳熱！·生柱狀導體的裝載區域側端面具有由金屬所構 成之鑛敷廣，該金屬對於來自該發光元件之放射光之反射 率咼於該傳熱性柱狀導體， 且省裝載區域位於該傳熱性柱狀導體之裝載區域側的 端面上，a亥傳熱性柱狀導體與該絕緣基板同時燒結而形成 • 出。 2、 如申請專利範圍第1項之發光元件用配線基板，其 中°玄絕緣基板，係用高於l〇50°C的溫度燒結來形成。 3、 如申請專利範圍第1項之發光元件用配線基板，其 中該絕緣基板’係用1 〇5〇t以下的溫度燒結來形成。 4、 如申睛專利範圍第1項之發光元件用配線基板，其 中’該絕緣基板之發光元件裝載區域側的表面，係具有70% 以上的全反射率。 1365011 5、 如申明專利範圍第1項之發光元件用配線基板，其 中，在該傳熱性枉狀導體之端面與該絕緣基 部及其附近，係用由擇自金屬、陶究及樹脂所== 至少1種所形成之邊界保護層覆蓋。 6、 -種發光X件用配線基板，係、具備：陶究製絕緣基 板、及形成於該絕緣基板之表面或内部之導體層，在該絕 緣基板之一面具有發光元件裝載用之裝載區域；其特徵在 於： 鲁 在該絕緣基板，設置熱傳導率比絕緣基板高之傳熱性 柱狀導體； 該傳熱性柱狀導體，係從該絕緣基板之形成有發光元 - 件裝載區域之側之面朝貫穿絕緣基板之厚度方向延伸， — 該傳熱性柱狀導體之裴載區域側端面的面積，比裝載 區域的面積為大， ^ °玄傳熱性柱狀導體之裝載區域側的端面及其周緣部， _ 係藉由含有樹脂之被覆層所覆蓋， 且該裝載區域位於該傳熱性柱狀導體之裝載區域側的 端面上，該傳熱性柱狀導體與該絕緣基板同時燒結而形成 出。 中 如申凊專利範圍第1項之發光元件用配線基板，其 緣 傳熱丨生柱狀導體之裝載區域側相反側之端面及其周 ’係藉由含有擇自金屬、陶瓷及樹脂所構成群中至少1 種之被覆層所覆蓋。 8、如申請專利範圍第丨項之發光元件用配線基板，其 33 1365011 中該傳熱性柱狀導體，係具有80W/m .K以上之熱傳導率。 9、 如申諳專利範圍第1項之發光元件用配線基板，其 中5亥傳熱性柱狀導體之裝載區域側的端面之直徑為1 〇〇〇以 m以上。 10、 如申請專利範圍第丨項之發光元件用配線基板， 其中該傳熱性柱狀導體，係編入電路的一部分。 11、 如申請專利範圍第1項之發光元件用配線基板， 其中該傳熱性柱狀導體，係熱膨脹率或熱傳導率不同之複 •數層所構成。 12、 如申請專利範圍第1項之發光元件用配線基板， ”中’该傳熱性柱狀導體的側面係形成傾斜面。 13、 如申請專利範圍第1項之發光元件用配線基板， 其中’在該傳熱性柱狀導體的側面形成段差。 14、 如申請專利範圍第13項之發光元件用配線基板， 其中’該絕緣基板具有複數個絕緣層所構成之積層構造， • °亥傳熱〖生柱狀導體侧面所形成的段差，係位於相鄰絕緣層 間之界面；從段差端緣順沿絕緣層間之界面形成導體層。 15、 如申請專利範圍第14項之發光元件用配線基板， 其中該導體層，係從段差端緣以50 // m以上的長度延伸。 16、 如申請專利範圍第1項之發光元件用配線基板， 其中在該絕緣基板上，以包圍發光元件裝載區域的方式形 成用來保護所裝载的發光元件之框體。 17、 如申請專利範圍第16項之發光元件用配線基板， 其中該框體的内壁面，係具有7〇%以上的全反射率。 34 8 如申請專利範圍第〗6項之發光元件用配線基板， /、中該框體Μ + 狀 的内壁面，係呈上端内徑比下端内徑大的形 有朝3载區域侧鼓起的曲率面β 19、 如申請專利範圍第16項之發光元件用配線基板， ^中，在該框體内壁面上，係設置由鍍金層、及其上方之 鍵銀層所構成的光反射層。 20、 一種發光裝置，其特徵在於：係在申請專利範圍 第1項之發光元件用配線基板之裝載區域上裝載發光元件 而構成。 十一、圖式： 如次頁
35
TW094110792A 2004-04-27 2005-04-06 Wiring board for light emitting element TW200541415A (en)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004130901A JP4776175B2 (ja) 2004-04-27 2004-04-27 発光素子収納用パッケージおよびその製造方法および発光装置および照明装置
JP2004219779A JP4780939B2 (ja) 2004-07-28 2004-07-28 発光装置
JP2004242224A JP2006066409A (ja) 2004-07-28 2004-08-23 発光素子用配線基板および発光装置ならびに発光素子用配線基板の製造方法
JP2004247203A JP2006066630A (ja) 2004-08-26 2004-08-26 配線基板および電気装置並びに発光装置
JP2004279513A JP2006093565A (ja) 2004-09-27 2004-09-27 発光素子用配線基板ならびに発光装置およびその製造方法
JP2004338867A JP2006147999A (ja) 2004-11-24 2004-11-24 発光素子用配線基板並びに発光装置
JP2004340339A JP2006156447A (ja) 2004-11-25 2004-11-25 発光素子用配線基板ならびに発光装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200541415A TW200541415A (en) 2005-12-16
TWI365011B true TWI365011B (zh) 2012-05-21

Family

ID=35241945

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094110792A TW200541415A (en) 2004-04-27 2005-04-06 Wiring board for light emitting element

Country Status (3)

Country Link
US (2) US20080043444A1 (zh)
TW (1) TW200541415A (zh)
WO (1) WO2005106973A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI648884B (zh) * 2014-01-24 2019-01-21 日商Ａｇｃ股份有限公司 Substrate for light-emitting element and light-emitting device

Families Citing this family (101)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101154801B1 (ko) * 2004-12-03 2012-07-03 엔지케이 스파크 플러그 캄파니 리미티드 세라믹 기판 및 발광 소자 수납용 세라믹 패키지
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
KR100631993B1 (ko) * 2005-07-20 2006-10-09 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
US7550319B2 (en) * 2005-09-01 2009-06-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Low temperature co-fired ceramic (LTCC) tape compositions, light emitting diode (LED) modules, lighting devices and method of forming thereof
KR101241650B1 (ko) 2005-10-19 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 엘이디 패키지
JP4654942B2 (ja) * 2006-02-28 2011-03-23 ミネベア株式会社 面状照明装置
JP2007305844A (ja) * 2006-05-12 2007-11-22 Stanley Electric Co Ltd 発光装置とその製造方法
US7808013B2 (en) * 2006-10-31 2010-10-05 Cree, Inc. Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
TWI348230B (en) * 2007-08-08 2011-09-01 Huga Optotech Inc Semiconductor light-emitting device with high heat-dissipation efficiency and method of fabricating the same
US8212271B2 (en) * 2007-10-11 2012-07-03 Hitachi Chemical Co., Ltd. Substrate for mounting an optical semiconductor element, manufacturing method thereof, an optical semiconductor device, and manufacturing method thereof
EP2267799A1 (en) * 2008-04-18 2010-12-29 Asahi Glass Company, Limited Light-emitting diode package
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
CN101740678A (zh) * 2008-11-10 2010-06-16 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 固态发光元件及光源模组
JP5359734B2 (ja) * 2008-11-20 2013-12-04 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
CN101761795B (zh) * 2008-12-23 2011-12-28 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管照明装置及其封装方法
JP2010171157A (ja) * 2009-01-22 2010-08-05 Sanyo Electric Co Ltd 電子素子用パッケージ及び電子部品
JP4780203B2 (ja) 2009-02-10 2011-09-28 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
KR101064026B1 (ko) * 2009-02-17 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 디바이스 패키지 및 그 제조방법
KR20100094246A (ko) * 2009-02-18 2010-08-26 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
CN101539250A (zh) * 2009-04-21 2009-09-23 薛信培 一种大功率led灯
JP2011014890A (ja) 2009-06-02 2011-01-20 Mitsubishi Chemicals Corp 金属基板及び光源装置
TWI405307B (zh) * 2009-09-18 2013-08-11 Novatek Microelectronics Corp 晶片封裝及其製程
US8101962B2 (en) * 2009-10-06 2012-01-24 Kuang Hong Precision Co., Ltd. Carrying structure of semiconductor
US20120199857A1 (en) * 2009-10-07 2012-08-09 Digitaloptics Corporation East Wafer-Scale Emitter Package Including Thermal Vias
US8902382B2 (en) * 2009-12-22 2014-12-02 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting diode element, light source device, surface light source illumination device, and liquid crystal display device
US8339471B2 (en) 2009-12-31 2012-12-25 DigitalOptics Corporation Europe Limited Auto white balance algorithm using RGB product measure
US8174044B2 (en) * 2010-01-14 2012-05-08 Shang-Yi Wu Light emitting diode package and method for forming the same
JP5035356B2 (ja) * 2010-01-26 2012-09-26 株式会社デンソー 樹脂封止型電子装置およびその製造方法
JP5640632B2 (ja) * 2010-03-12 2014-12-17 旭硝子株式会社 発光装置
CN102201524A (zh) * 2010-03-24 2011-09-28 旭硝子株式会社 发光元件用基板及发光装置
CN102201520A (zh) * 2010-03-26 2011-09-28 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 Led封装结构及其制造方法
US8507940B2 (en) 2010-04-05 2013-08-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Heat dissipation by through silicon plugs
TW201138165A (en) * 2010-04-23 2011-11-01 yi-zhang Chen High heat-dissipation LED non-metal substrate and manufacturing method thereof and high heat-dissipation LED component and manufacturing method thereof
US9240526B2 (en) * 2010-04-23 2016-01-19 Cree, Inc. Solid state light emitting diode packages with leadframes and ceramic material
CN102893418B (zh) 2010-04-26 2015-07-22 松下电器产业株式会社 发光单元、照明装置
TWI485823B (zh) * 2010-07-08 2015-05-21 Subtron Technology Co Ltd 半導體封裝結構及半導體封裝結構的製作方法
CN102315135B (zh) * 2010-07-09 2014-08-20 联咏科技股份有限公司 芯片封装及其制作工艺
TWI424593B (zh) * 2010-09-10 2014-01-21 Ho Cheng Ind Co Ltd Light - emitting diodes of the thermal substrate and thermal module structure
EP2437581A1 (de) * 2010-09-30 2012-04-04 Odelo GmbH Leuchtdiode auf Keramiksubstratbasis
US10267506B2 (en) 2010-11-22 2019-04-23 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses with non-uniformly spaced emitters for improved heat distribution, system having the same, and methods having the same
WO2012070648A1 (ja) 2010-11-25 2012-05-31 京セラ株式会社 発光素子実装用基体および発光装置
TWI472423B (zh) * 2010-12-23 2015-02-11 Compal Electronics Inc 殼體結構及電子裝置殼體結構製造方法
CN102148315A (zh) * 2010-12-31 2011-08-10 深圳市安培盛科技有限公司 一种低成本高可靠的led陶瓷基板
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
CN102751419A (zh) * 2011-04-21 2012-10-24 瑷司柏电子股份有限公司 具有内建散热部的共烧陶瓷基板及具该基板的发光二极管
US10842016B2 (en) 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
WO2013015073A1 (ja) * 2011-07-22 2013-01-31 京セラ株式会社 配線基板および電子装置
CN103035814A (zh) * 2011-10-10 2013-04-10 宁波瑞昀光电照明科技有限公司 高散热铝基板
CN103094464B (zh) * 2011-10-28 2016-06-29 瑷司柏电子股份有限公司 高导热基板及具该基板的发光二极管元件与制作方法
JP5873108B2 (ja) * 2011-12-22 2016-03-01 京セラ株式会社 配線基板および電子装置
US20130214418A1 (en) * 2012-01-12 2013-08-22 King Dragon International Inc. Semiconductor Device Package with Slanting Structures
KR101933189B1 (ko) * 2012-01-31 2019-04-05 서울반도체 주식회사 발광다이오드 패키지
US9806246B2 (en) 2012-02-07 2017-10-31 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components, and methods
US9786825B2 (en) 2012-02-07 2017-10-10 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components, and methods
WO2013136758A1 (ja) * 2012-03-15 2013-09-19 パナソニック株式会社 Ｌｅｄ用基板、ｌｅｄモジュールおよびｌｅｄ電球
US9538590B2 (en) * 2012-03-30 2017-01-03 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses, systems, and related methods
TWM441212U (en) * 2012-04-12 2012-11-11 Jin-Huan Ni New plasticized ceramic heat dissipation module
JP6225453B2 (ja) * 2012-05-24 2017-11-08 日亜化学工業株式会社 半導体装置
US20130314920A1 (en) * 2012-05-25 2013-11-28 Myung Ho Park Direct Heat Sink Technology for LEDs and Driving Circuits
KR101973395B1 (ko) * 2012-08-09 2019-04-29 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈
DE102012108107A1 (de) 2012-08-31 2014-03-27 Epcos Ag Leuchtdiodenvorrichtung
JP2014082453A (ja) * 2012-09-25 2014-05-08 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置の製造方法
KR20140039740A (ko) 2012-09-25 2014-04-02 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US9357677B2 (en) * 2012-09-26 2016-05-31 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Electronic device with efficient heat radiation structure for electronic components
CN103700747B (zh) * 2012-09-27 2017-08-22 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其制造方法
JP6125527B2 (ja) 2012-11-06 2017-05-10 日本碍子株式会社 発光ダイオード用基板および発光ダイオード用基板の製造方法
TWI550920B (zh) * 2012-12-13 2016-09-21 鴻海精密工業股份有限公司 發光二極體
DE102012113014A1 (de) * 2012-12-21 2014-06-26 Epcos Ag Bauelementträger und Bauelementträgeranordnung
TW201432961A (zh) * 2013-02-05 2014-08-16 Lextar Electronics Corp 基板結構
DE102013203664A1 (de) * 2013-03-04 2014-09-04 Osram Gmbh Substrat für Leuchtvorrichtung mit Keramikbereich
US9502628B2 (en) 2013-11-06 2016-11-22 Starlite Led Inc. LED package and method of manufacturing the same
WO2015142537A1 (en) * 2014-03-05 2015-09-24 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses,systems, and related methods
DE102014108282A1 (de) 2014-06-12 2015-12-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements sowie Lichtquelle mit einem optoelektronischen Halbleiterbauelement
US10433413B2 (en) * 2014-08-15 2019-10-01 Unimicron Technology Corp. Manufacturing method of circuit structure embedded with heat-dissipation block
US20160064630A1 (en) * 2014-08-26 2016-03-03 Texas Instruments Incorporated Flip chip led package
US9826581B2 (en) 2014-12-05 2017-11-21 Cree, Inc. Voltage configurable solid state lighting apparatuses, systems, and related methods
CN104953017B (zh) * 2015-05-05 2018-05-22 广州普希思智能科技有限公司 基于倒置涂粉带二次配光加固一体led封装件及生产工艺
CN105140371A (zh) * 2015-07-07 2015-12-09 宏齐光电子(深圳)有限公司 一种led基板及led封装
KR102216506B1 (ko) * 2015-11-10 2021-02-17 삼성전기주식회사 방열부재 및 이를 구비한 인쇄회로기판
WO2017086095A1 (ja) 2015-11-17 2017-05-26 株式会社村田製作所 多層基板及び電子機器
TWI568972B (zh) * 2015-11-25 2017-02-01 綠點高新科技股份有限公司 具鏡面效果的照明裝置及其製法
US10381523B2 (en) * 2015-12-30 2019-08-13 Rayvio Corporation Package for ultraviolet emitting devices
JP2018032608A (ja) * 2016-08-26 2018-03-01 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光モジュール、移動体用照明装置及び移動体
CN109152214B (zh) * 2017-06-19 2023-02-24 松下知识产权经营株式会社 布线基板及其制造方法
KR102455086B1 (ko) * 2017-09-12 2022-10-17 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 광원장치
CN107437575B (zh) * 2017-09-22 2019-07-19 苏州轻光材料科技有限公司 一种紫外激发钙钛矿荧光粉的白光led灯珠
KR20190037741A (ko) * 2017-09-29 2019-04-08 서울반도체 주식회사 발광 다이오드, 발광 다이오드 모듈 및 그것을 갖는 표시 장치
DE102017126268A1 (de) * 2017-11-09 2019-05-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Träger, Anordnung mit einem Substrat und einem Träger und Verfahren zum Herstellen eines Trägers
JP2019114624A (ja) * 2017-12-22 2019-07-11 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
TWI804567B (zh) 2018-01-26 2023-06-11 日商丸文股份有限公司 深紫外ｌｅｄ及其製造方法
DE102018204552A1 (de) * 2018-03-26 2019-09-26 Schweizer Electronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte und Leiterplatte
TWI659839B (zh) * 2018-03-30 2019-05-21 同泰電子科技股份有限公司 用於顯示器的封裝結構
CN208062105U (zh) * 2018-05-10 2018-11-06 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管、背光源和显示装置
DE202019104925U1 (de) * 2018-09-20 2020-01-29 Johnson Electric International AG Motor, Leiterplatte, und den Motor aufweisendes Antriebsmotorkühllüftermodul
CN110972414B (zh) * 2018-09-29 2022-09-20 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 复合电路板及其制造方法
EP3863071A4 (en) * 2018-10-03 2022-07-06 Citizen Electronics Co., Ltd. EMBEDDED SUBSTRATE AND LIGHT EMITTING DEVICE IN WHICH IT IS USED
US11508641B2 (en) * 2019-02-01 2022-11-22 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Thermally conductive and electrically insulative material
DE102020201868A1 (de) * 2020-02-14 2021-08-19 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Schaltungsträger mit einem wärmeleitfähigen gedruckten Metall-Inlay
US20220029050A1 (en) * 2020-07-21 2022-01-27 Lumileds Llc Methods of manufacturing a light-emitting device with metal inlay and top contacts

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63197369A (ja) 1987-02-12 1988-08-16 Fujitsu Ltd 半導体装置とその製造方法
JPS63197369U (zh) * 1987-06-11 1988-12-19
JP2699581B2 (ja) * 1989-10-03 1998-01-19 富士通株式会社 窒化アルミニウム基板のビア形成方法
JPH03272197A (ja) * 1990-03-22 1991-12-03 Fujitsu Ltd 多層ガラスセラミック回路基板の製造方法
US5285352A (en) * 1992-07-15 1994-02-08 Motorola, Inc. Pad array semiconductor device with thermal conductor and process for making the same
JPH06237081A (ja) * 1993-02-10 1994-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多層セラミック基板の製造方法
US5386339A (en) * 1993-07-29 1995-01-31 Hughes Aircraft Company Monolithic microelectronic circuit package including low-temperature-cofired-ceramic (LTCC) tape dielectric structure and in-situ heat sink
JP3671457B2 (ja) * 1995-06-07 2005-07-13 株式会社デンソー 多層基板
JPH09153679A (ja) * 1995-11-30 1997-06-10 Kyocera Corp 積層ガラスセラミック回路基板
JPH11103141A (ja) * 1997-09-26 1999-04-13 Kyocera Corp 配線基板
DE19861398B4 (de) * 1997-10-03 2010-12-09 Rohm Co. Ltd., Kyoto Licht abstrahlende Halbleitervorrichtung
US6156980A (en) * 1998-06-04 2000-12-05 Delco Electronics Corp. Flip chip on circuit board with enhanced heat dissipation and method therefor
US6329065B1 (en) * 1998-08-31 2001-12-11 Kyocera Corporation Wire board and method of producing the same
JP3405402B2 (ja) * 1999-06-23 2003-05-12 日本電気株式会社 並列伝送型光モジュールおよびその製造方法
JP2001185838A (ja) * 1999-12-22 2001-07-06 Kyocera Corp セラミック配線基板
JP2001203393A (ja) * 2000-01-19 2001-07-27 Matsushita Electric Works Ltd 発光ダイオード
JP2002198660A (ja) * 2000-12-27 2002-07-12 Kyocera Corp 回路基板及びその製造方法
US6874910B2 (en) * 2001-04-12 2005-04-05 Matsushita Electric Works, Ltd. Light source device using LED, and method of producing same
ATE551731T1 (de) * 2001-04-23 2012-04-15 Panasonic Corp Lichtemittierende einrichtung mit einem leuchtdioden-chip
KR100419611B1 (ko) * 2001-05-24 2004-02-25 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법
JP4114364B2 (ja) * 2001-11-08 2008-07-09 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2003243718A (ja) * 2002-02-14 2003-08-29 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP4379769B2 (ja) * 2002-03-04 2009-12-09 日立金属株式会社 セラミック積層基板およびこれを用いたセラミック積層電子部品
JP2004083325A (ja) * 2002-08-26 2004-03-18 Nec Schott Components Corp セラミクス複合基板およびその気密封止パッケージ、並びにそれらの製作方法
JP4407204B2 (ja) * 2002-08-30 2010-02-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2005035864A (ja) * 2002-10-15 2005-02-10 Kenichiro Miyahara 発光素子搭載用基板
US7095053B2 (en) * 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
US7854535B2 (en) * 2003-09-23 2010-12-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Ceramic packaging for high brightness LED devices
US7321098B2 (en) * 2004-04-21 2008-01-22 Delphi Technologies, Inc. Laminate ceramic circuit board and process therefor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI648884B (zh) * 2014-01-24 2019-01-21 日商Ａｇｃ股份有限公司 Substrate for light-emitting element and light-emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
US8314346B2 (en) 2012-11-20
US20110169037A1 (en) 2011-07-14
TW200541415A (en) 2005-12-16
WO2005106973A1 (ja) 2005-11-10
US20080043444A1 (en) 2008-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI365011B (zh)
KR100954657B1 (ko) 저온 동시소성 세라믹 (ｌｔｃｃ) 테이프 조성물, 발광다이오드 (ｌｅｄ) 모듈, 조명 장치 및 이들의 형성 방법
JP5640632B2 (ja) 発光装置
US8684562B2 (en) Semiconductor light emitting apparatus and light source apparatus using the same
CN103943734B (zh) 光半导体装置
JP4915058B2 (ja) Ｌｅｄ部品およびその製造方法
JP4804109B2 (ja) 発光素子用配線基板および発光装置並びに発光素子用配線基板の製造方法
TW200952222A (en) Semiconductor light-emitting device as well as light source device and lighting system including the same
JP2008109079A (ja) 表面実装型発光素子用配線基板および発光装置
JP2007266172A (ja) 発光素子用配線基板ならびに発光装置
CN104409616A (zh) 一种覆晶led集成光源结构及其制备方法
JP4780939B2 (ja) 発光装置
JP2014187081A (ja) 発光装置
JP6010333B2 (ja) 配線基板および電子装置
CN102194964A (zh) 化合物半导体封装结构及其制造方法
JP2006156447A (ja) 発光素子用配線基板ならびに発光装置およびその製造方法
JP2006128265A (ja) 発光素子用配線基板ならびに発光装置
JP2006066409A (ja) 発光素子用配線基板および発光装置ならびに発光素子用配線基板の製造方法
JP2006100364A (ja) 発光素子用配線基板および発光装置ならびに発光素子用配線基板の製造方法
JP2011071554A (ja) 発光素子用配線基板ならびに発光装置
JP2004172462A (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2011181910A (ja) 発光ダイオード収納用パッケージ及びその製造方法
TW201205882A (en) Manufacturing method for LED light emitting device
JP5773630B2 (ja) 発光素子搭載用基板およびその製造方法
JP2006066630A (ja) 配線基板および電気装置並びに発光装置