JP2018032608A - 発光モジュール、移動体用照明装置及び移動体 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 108
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 40
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 20
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 13
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 12
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 11
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 35
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 35
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- F21V29/74—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades
- F21V29/76—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades with essentially identical parallel planar fins or blades, e.g. with comb-like cross-section
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- H01L2224/13117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
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- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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Abstract
【課題】熱伝導部材を備える発光モジュールにおいて、熱伝導部材の離脱を抑制する。
【解決手段】発光モジュール1は、一方の主面である実装面30m、及び、他方の主面である裏面30rを有し、実装面30mから裏面30rまで貫通する貫通孔38が設けられた絶縁基板30と、実装面30m上に実装された発光素子10と、貫通孔38に配置され、貫通孔38の内壁に接する熱伝導部材20とを備え、熱伝導部材20は、実装面30m側の端面21において発光素子10と熱的に接続され、かつ、熱伝導部材20の裏面30r側から実装面30m側への変位を抑制する変位抑制部24を有し、熱伝導部材20の絶縁基板30の主面に平行な断面の面積は、裏面30r側端部の方が実装面30m側の端部より大きい。
【選択図】図3
【解決手段】発光モジュール1は、一方の主面である実装面30m、及び、他方の主面である裏面30rを有し、実装面30mから裏面30rまで貫通する貫通孔38が設けられた絶縁基板30と、実装面30m上に実装された発光素子10と、貫通孔38に配置され、貫通孔38の内壁に接する熱伝導部材20とを備え、熱伝導部材20は、実装面30m側の端面21において発光素子10と熱的に接続され、かつ、熱伝導部材20の裏面30r側から実装面30m側への変位を抑制する変位抑制部24を有し、熱伝導部材20の絶縁基板30の主面に平行な断面の面積は、裏面30r側端部の方が実装面30m側の端部より大きい。
【選択図】図3
Description
本発明は、熱伝導部材を備える発光モジュール、並びに、当該発光モジュールを備える移動体用照明装置及び移動体に関する。
従来、電子機器において、発光素子、トランジスタなどの電子部品をプリント基板などの絶縁基板に実装する構成が用いられている。電子機器の高出力化及び小型化に伴い、電子部品の発熱に起因する機能低下、故障などの問題が発生し得る。このような問題を解決するために、絶縁基板に貫通孔を形成し、貫通孔に熱伝導率の高い熱伝導部材を配置する構成が提案されている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1に開示された発明においては、電子部品で発生した熱を、熱伝導部材を介して、ヒートシンクなどの放熱体に導くことで、上記問題を解決しようとしている。
特許文献1に開示された発明においては、絶縁基板に、当該絶縁基板の厚さ方向において直径が一定の貫通孔を形成し、当該貫通孔に円柱状の熱伝導部材を挿入することによって、絶縁基板の一方の主面側に配置された電子部品から発生した熱を、熱伝導部材を介して、絶縁基板の他方の主面側に配置された放熱体に導いている。
しかしながら、特許文献1に開示された発明においては、熱伝導部材が絶縁基板から離脱し得る。特に、電子機器が移動体などに使用される場合には、移動体が移動する際に生じる振動によって、熱伝導部材の離脱が促される。
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、熱伝導部材を備える発光モジュール並びに当該発光モジュールを備える移動体用照明装置及び移動体において、熱伝導部材の離脱を抑制することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明に係る発光モジュールの一態様は、一方の主面である実装面、及び、他方の主面である裏面を有し、前記実装面から前記裏面まで貫通する貫通孔が設けられた絶縁基板と、前記実装面上に実装された発光素子と、前記貫通孔に配置され、前記貫通孔の内壁に接する熱伝導部材とを備え、前記熱伝導部材は、前記実装面側の端面において前記発光素子と熱的に接続され、かつ、前記熱伝導部材の前記裏面側から前記実装面側への変位を抑制する変位抑制部を有し、前記熱伝導部材の前記絶縁基板の主面に平行な断面の面積は、前記裏面側端部の方が前記実装面側端部より大きい。
また、上記課題を解決するために、本発明に係る移動体用照明装置の一態様は、上記発光モジュールを備える。
また、上記課題を解決するために、本発明に係る移動体の一態様は、前照灯として、上記の移動体用照明装置を備える。
本発明によれば、熱伝導部材を備える発光モジュール並びに当該発光モジュールを備える移動体用照明装置及び移動体において、熱伝導部材の離脱を抑制することができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは、一例であって本発明を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
(実施の形態1)
[1−1.全体構成]
実施の形態1に係る発光モジュール1の全体構成について図面を用いて説明する。
[1−1.全体構成]
実施の形態1に係る発光モジュール1の全体構成について図面を用いて説明する。
図1及び図2は、それぞれ本実施の形態に係る発光モジュール1の外観の概要を示す斜視図及び上面図である。図3は、本実施の形態に係る発光モジュール1の主要部の構成を示す断面図である。図3においては、図2のIII−III断面が示されている。なお、各図において、発光モジュール1の光軸に平行な方向をZ軸方向、Z軸方向に垂直で互いに直交する2つの方向をX軸方向及びY軸方向としている。
図1〜図3に示される発光モジュール1は、電力が供給されることによって光を出射するモジュールである。発光モジュール1は、発光素子10と、熱伝導部材20と、絶縁基板30とを備える。本実施の形態では、図1及び図2に示されるように発光モジュール1は、端子90と、導体パターン42とをさらに備える。また、図3に示されるように発光モジュール1は、接続部材50と、放熱体60とをさらに備える。
発光素子10は、電力が供給されることによって光を出射する素子である。発光素子10は、光の出射に伴い発熱する。発光素子10は、例えば、LED(Light Emitting Diode)チップ、実装基板などを含むパッケージである。なお、発光素子10は、上記パッケージに限定されない。例えば、発光素子10は、半導体レーザ素子を含んでもよいし、有機EL(Electro Luminescence)素子を含んでもよい。
本実施の形態に係る発光素子10は、図3に示されるように、本体11と、蛍光体12と、放熱パッド14と、電極パッド15とを備える。本体11は、LEDチップ及び実装基板などを備える。LEDチップとしては、例えば、青色光を出射するLEDチップを用いることができる。蛍光体12は、LEDチップの光出射面側に配置された波長変換素子である。蛍光体12としては、例えば、LEDチップからの青色光の一部を黄色光に変換する黄色蛍光体を用いることができる。これにより、発光素子10は青色光と黄色光との混合光である白色光を出射することができる。
放熱パッド14は、発光素子10で発生した熱を放散させるための放熱部材である。放熱パッド14は、例えば、銅などの熱伝導率が比較的高い材料で形成される。また、放熱パッド14は、接合部材16を介して、熱伝導部材20に熱的及び機械的に接続される。これにより、発光素子10において発生した熱をより確実に熱伝導部材20に伝導させることができる。接合部材16は、放熱パッド14と熱伝導部材20とを接合する部材である。接合部材16を形成する材料として、例えば、半田、銅、鉄、アルミニウム、金、銀、錫、ニッケルなど金属、又は、それらの金属の合金を用いることができる。
電極パッド15は、発光素子10に電力を供給するための電極である。電極パッド15は、例えば銅などの導電性材料で形成される。また、電極パッド15は、接合部材17を介して、導体パターン42に電気的及び機械的に接続される。接合部材17は、電極パッド15と導体パターン42とを接合する部材である。接合部材17を形成する材料として、例えば、半田、銅、鉄、アルミニウム、金、銀、錫、ニッケルなど金属、又は、それらの金属の合金を用いることができる。
絶縁基板30は、一方の主面である実装面30m、及び、他方の主面である裏面30rを有し、実装面30mから裏面30rまで貫通する貫通孔38が設けられた基板である。絶縁基板30には、発光素子10が実装される。また、絶縁基板30の貫通孔38には、熱伝導部材20が挿入される。本実施の形態では、貫通孔38は、円柱状の形状を有する。
絶縁基板30として、例えば、ガラスエポキシ基板を用いることができる。なお、絶縁基板30を形成する材料は、電気絶縁性を有する材料であればよく、例えば、ガラス織布、ガラス不織布、ガラスコンポジット材、紙フェノール、エポキシ樹脂、セラミックなどであってもよい。以下、絶縁基板30の形状について図1〜図3と併せて図4も用いて詳細に説明する。
図4は、本実施の形態に係る絶縁基板30の構成を示す断面図である。図4においては、図3に示される断面図のうち絶縁基板30だけが示されている。
図4に示されるように、絶縁基板30は、貫通孔38の実装面30m側及び裏面30r側の端部にそれぞれ対応する第一開口部31及び第二開口部32を有する。第二開口部32は、第一開口部31より開口面積が大きい。本実施の形態では、貫通孔38の内壁33のうち、第二開口部32側端部に、貫通孔38の他の部分より内径が大きい大径部34が形成されている。
熱伝導部材20は、絶縁基板30の貫通孔38に配置され、貫通孔38の内壁33に接する部材である。熱伝導部材20は、裏面30r側から実装面30m側への熱伝導部材20の変位を抑制する変位抑制部24を有する。熱伝導部材20が変位抑制部24を備えることにより、熱伝導部材20が絶縁基板30の実装面30m側に離脱することを抑制できる。ここで、本実施の形態に係る熱伝導部材20の変位抑制部24などの形状について図5を用いて説明する。
図5は、本実施の形態に係る熱伝導部材20の形状を示す外観斜視図である。
図5に示されるように、本実施の形態に係る熱伝導部材20は、円柱状の形状を有する。より詳しくは、熱伝導部材20は、絶縁基板30の実装面30m側に配置される端面21と、裏面30r側に配置される端面22と、側面23と、側面23に設けられた鍔状の変位抑制部24とを有する円柱状の形状を有する。熱伝導部材20の形状は、絶縁基板30の貫通孔38の形状に対応する。また、本実施の形態では、変位抑制部24は、熱伝導部材20の裏面30r側の端面の周縁に形成された鍔状の部分である。言い換えると、変位抑制部24は、熱伝導部材20の端面22側に配置された外径がステップ状に拡大する段差形状部分からなる。鍔状の変位抑制部24が、図4に示される絶縁基板30の大径部34に配置される。本実施の形態では、このような鍔状の変位抑制部24を備えることにより、熱伝導部材20の絶縁基板30からの離脱を確実に抑制できる。
変位抑制部24の外径は、貫通孔38の内壁33の内径の最小値より大きい。これにより、熱伝導部材20が絶縁基板30から離脱することを抑制できる。本実施の形態では、貫通孔38の内壁33の大径部34以外の部分においては、変位抑制部24の外径の方が、内壁33の内径より大きい。これにより、熱伝導部材20が絶縁基板30の裏面30r側から実装面30m側へ変位することを抑制できる。なお、熱伝導部材20の形状は、円柱状に限定されない。例えば、端面22から端面21にかけて徐々に外径が縮小する円錐台状であってもよい。
また、熱伝導部材20は、絶縁基板30の実装面30m側において発光素子10と熱的に接続されている。これにより、熱伝導部材20は、発光素子10において発生した熱を熱伝導部材20の実装面30m側端部から裏面30r側端部に向けて放散できる。本実施の形態では、熱伝導部材20は実装面30m側において発光素子10と接合されている。これにより、発光素子10において発生した熱をより確実に熱伝導部材20に伝導させることができる。
また、熱伝導部材20の絶縁基板30の主面に平行な断面の面積は、裏面30r側端部の方が実装面30m側端部より大きい。本実施の形態では、熱伝導部材20の裏面30r側の端面21の面積は、実装面30m側の端面22の面積より大きい。これにより、熱伝導部材20の端面21に入力される熱が熱伝導部材20の端面22に向かって拡散し易くなるため、発光素子10の放熱を促進することができる。本実施の形態では、図3に示されるように、熱伝導部材20の端面22は、接続部材50を介して放熱体60に熱的に接続されている。これにより、熱伝導部材20に入力された熱が放熱体60に伝導するため、熱伝導部材20に熱が留まることを低減できる。したがって、熱伝導部材20の温度上昇を抑制できるため、発光素子10から熱伝導部材20への放熱効率を向上させることができる。
また、図2に示されるように、熱伝導部材20の一部は、発光素子10の少なくとも一部と絶縁基板30の平面視において重複している。図2において、熱伝導部材20のうち発光素子10と平面視において重複している部分の周縁が点線で示されている。このように、熱伝導部材20上に発光素子10が配置されるため、発光素子10と熱伝導部材20との間の距離を短くできる。したがって、発光素子10と熱伝導部材20との間の熱抵抗を低減できるため、発光素子10から熱伝導部材20への放熱効率を向上できる。
熱伝導部材20を形成する材料は、例えば、銅、鉄、アルミニウム、金、銀、錫、ニッケル、半田、高熱伝導率のプラスチックなどの絶縁基板を形成する材料より熱伝導率が高い材料であればよい。また、熱伝導部材20の製造方法は、特に限定されない。例えば、貫通孔38の内径以下の外径を有し、絶縁基板30の厚さより大きい高さを有する円柱状の金属部材を貫通孔38に挿入した状態で、プレス加工することにより、変位抑制部24を有する熱伝導部材20を形成することができる。なお、熱伝導部材20は、鋳造、機械加工などによって形成されてもよい。
導体パターン42は、絶縁基板30の実装面30mに配置された導体層である。導体パターン42は、発光素子10の電極パッド15及び端子90と電気的に接続される。これにより、端子90から導体パターン42を介して発光素子10に電力を供給することができる。また、導体パターン42を介して、発光素子10で発生した熱を拡散させることができる。また、本実施の形態では、導体パターン42と、発光素子10の電極パッド15とを接合できるため、ボンディングワイヤなどを用いる必要がない。したがって、発光素子10の実装工程を簡易化することができる。なお、本実施の形態では、導体パターン42は、実装面30mに配置されるが、実装面30m及び裏面30rの少なくとも一方に配置されればよい。例えば、導体パターン42が裏面30rに配置される場合には、導体パターン42は、絶縁基板30を貫通するビア配線などを介して発光素子10に接続されてもよい。
端子90は、発光モジュール1に電力を供給するための端子である。端子90は、電力供給用のプラグを接続できるコネクタであってもよい。
接続部材50は、図3に示されるように、絶縁基板30と放熱体60との間に配置され、熱伝導部材20と放熱体60とを熱的に接続するシート状の部材である。接続部材50を形成する材料は、絶縁基板30より熱伝導率が高い材料であればよい。接続部材50を形成する材料として、例えば、半田、銅、鉄、アルミニウム、金、銀、錫、ニッケルなど金属、又は、それらの金属の合金を用いることができる。
放熱体60は、発光素子10で発生した熱を放散する部材である。放熱体60は、熱伝導部材20と熱的に接続される。放熱体60には、熱伝導部材20を介して発光素子10で発生した熱が伝導する。つまり、発光素子10で発生した熱を、熱伝導部材20を介して放熱体60に伝導させることができるため、発光モジュール1の放熱特性を向上できる。放熱体60の構成は、熱を放散できれば特に限定されない。放熱体60は、例えば図1及び図3に示されるように、複数の放熱用フィンを備えてもよい。また、放熱体60は、さらに、放熱体60を空冷するためのファンを備えてもよい。
[1−2.まとめ]
以上のように、本実施の形態に係る発光モジュール1は、一方の主面である実装面30m、及び、他方の主面である裏面30rを有し、実装面30mから裏面30rまで貫通する貫通孔38が設けられた絶縁基板30を備える。発光モジュール1はさらに、実装面30m上に実装された発光素子10と、貫通孔38に配置され、貫通孔38の内壁33に接する熱伝導部材20とを備える。熱伝導部材20は、実装面30m側の端面21において発光素子10と熱的に接続され、かつ、熱伝導部材20の裏面30r側から実装面30m側への変位を抑制する変位抑制部24を有する。熱伝導部材20の絶縁基板30の主面に平行な断面の面積は、裏面30r側端部の方が実装面30m側端部より大きい。
以上のように、本実施の形態に係る発光モジュール1は、一方の主面である実装面30m、及び、他方の主面である裏面30rを有し、実装面30mから裏面30rまで貫通する貫通孔38が設けられた絶縁基板30を備える。発光モジュール1はさらに、実装面30m上に実装された発光素子10と、貫通孔38に配置され、貫通孔38の内壁33に接する熱伝導部材20とを備える。熱伝導部材20は、実装面30m側の端面21において発光素子10と熱的に接続され、かつ、熱伝導部材20の裏面30r側から実装面30m側への変位を抑制する変位抑制部24を有する。熱伝導部材20の絶縁基板30の主面に平行な断面の面積は、裏面30r側端部の方が実装面30m側端部より大きい。
このように、発光モジュール1においては、熱伝導部材20が変位抑制部24を備えるため、熱伝導部材20が、絶縁基板30の実装面30m側に離脱することを抑制できる。また、熱伝導部材20の裏面30r側の端面22が放熱体60などで覆われる場合には、熱伝導部材20が絶縁基板30から裏面30r側に離脱することも抑制できる。したがって、発光モジュール1が、移動体などに備えられ、移動体の移動に伴って発光モジュール1が振動する場合にも、熱伝導部材20が発光モジュール1から離脱することを抑制できる。また、熱伝導部材20の絶縁基板30の主面に平行な断面の面積が、裏面30r側端部の方が実装面30m側の端部より大きいことにより、端面21に入力される熱が端面22に向かって拡散し易くなるため、発光素子10の放熱を促進することができる。
また、本実施の形態に係る発光モジュール1において、変位抑制部24は、熱伝導部材20の裏面30r側の端面22の周縁に形成された鍔状の部分であってもよい。
これにより、熱伝導部材20が絶縁基板30から離脱することを確実に抑制できる。
また、本実施の形態に係る発光モジュール1において、熱伝導部材20は実装面30m側において発光素子10と接合されていてもよい。
これにより、発光素子10において発生した熱をより確実に熱伝導部材20に伝導させることができるため、発光素子10から熱伝導部材20への放熱効率を向上できる。
また、本実施の形態に係る発光モジュール1において、熱伝導部材20の一部は、発光素子10の少なくとも一部と絶縁基板30の平面視において重複していてもよい。
これにより、熱伝導部材20上に発光素子10が配置されるため、発光素子10と熱伝導部材20との間の距離を短くできる。したがって、発光素子10との熱伝導部材20との間の熱抵抗を低減できるため、発光素子10から熱伝導部材20への放熱効率を向上できる。
また、本実施の形態に係る発光モジュール1において、実装面30m及び裏面30rの少なくとも一方に配置された導体パターン42を備えてもよい。
これにより、発光素子10に電力を供給することができ、かつ、導体パターン42を介して、発光素子10で発生した熱を拡散させることができる。
また、本実施の形態に係る発光モジュール1において、熱伝導部材20は、裏面30r側の端面22において、放熱体60と熱的に接続されてもよい。
これにより、発光素子10で発生した熱を、熱伝導部材20を介して放熱体60に伝導させることができるため、発光モジュール1の放熱特性を向上できる。
また、本実施の形態に係る発光モジュール1は、放熱体をさらに備えてもよい。
これにより、発光素子10で発生した熱を放熱体60で放熱できるため、発光モジュール1の放熱特性を向上できる。
(実施の形態1の変形例)
実施の形態1に係る発光モジュール1の変形例について説明する。本変形例は、発光モジュールの熱伝導部材及び絶縁基板の形状において、実施の形態1と相違する。以下、本変形例について、実施の形態1との相違点を中心に図面を用いて説明する。
実施の形態1に係る発光モジュール1の変形例について説明する。本変形例は、発光モジュールの熱伝導部材及び絶縁基板の形状において、実施の形態1と相違する。以下、本変形例について、実施の形態1との相違点を中心に図面を用いて説明する。
図6A〜図6Hは、実施の形態1の変形例1〜8に係る各熱伝導部材及び各絶縁基板の構成を示す断面図である。各図においては、図3と同様の断面が示されている。図7は、実施の形態1の変形例9に係る熱伝導部材20i及び絶縁基板30iの構成を示す上面図である。図7においては、絶縁基板30iの一部が拡大されて示されている。また、各変形例に係る発光モジュールの熱伝導部材及び絶縁基板以外の各構成要素は、実施の形態1に係る発光モジュール1の各構成要素と同様の構成を有するため、図示は省略されている。
図6Aに示される変形例1に係る熱伝導部材20aは、実施の形態1に係る熱伝導部材20と同様に、鍔状の変位抑制部24aを有するが、図6Aに示される変位抑制部24aの断面の輪郭が曲率を有する点において、実施の形態1に係る熱伝導部材20aと相違する。これに対応して、図6Aに示される絶縁基板30aの大径部34aの断面の輪郭も曲率を有する。
以上のような構成を有する熱伝導部材20a及び絶縁基板30aを備える発光モジュールも、上記実施の形態1に係る発光モジュール1と同様の効果を奏する。
図6Bに示される変形例2に係る熱伝導部材20bは、実施の形態1に係る熱伝導部材20と同様に、鍔状の変位抑制部24bを有するが、変位抑制部24bが裏面30r側から実装面30m側へ近づくにしたがって外径が縮小するテーパ形状を有する。言い換えると、熱伝導部材20bは、裏面30r側から実装面30m側へ近づくにしたがって外径が縮小するテーパ形状部分を有する。これに対応して、絶縁基板30bの大径部34bも実装面30m側から裏面30r側へ近づくにしたがって径が拡大するテーパ形状を有する。
以上のような構成を有する熱伝導部材20b及び絶縁基板30bを備える発光モジュールも、上記実施の形態1に係る発光モジュール1と同様の効果を奏する。
図6Cに示される変形例3に係る熱伝導部材20cは、変形例2に係る熱伝導部材20bと同様のテーパ形状を有する変位抑制部24cを有する。これに対応して、絶縁基板30cの大径部34cも実装面30m側から裏面30r側へ近づくにしたがって径が拡大するテーパ形状を有する。熱伝導部材20cは、さらに、裏面30r側から実装面30m側へ近づくにしたがって径が拡大する逆テーパ形状部分25cを有する。これに対応して、絶縁基板30cは、裏面30r側から実装面30m側へ近づくにしたがって外径が拡大するテーパ形状を有する大径部35cをさらに備える。
以上のような構成を有する熱伝導部材20c及び絶縁基板30cを備える発光モジュールも、上記実施の形態1に係る発光モジュール1と同様の効果を奏する。さらに、本変形例においては、熱伝導部材20cが逆テーパ形状部分25cを有することにより、熱伝導部材20cが、絶縁基板30cの実装面30m側から裏面30r側へ変位することが抑制される。したがって、本変形例においては、熱伝導部材20cが絶縁基板30cから離脱することをより一層抑制できる。
図6Dに示される変形例4に係る熱伝導部材20dは、実施の形態1に係る熱伝導部材20と同様に、鍔状の変位抑制部24dを有するが、その形状において熱伝導部材20と相違する。変形例4に係る熱伝導部材20dの変位抑制部24dは、実装面30m側から裏面30r側へ近づくにしたがって外径が拡大する段差形状を有する。言い換えると、熱伝導部材20dは、実装面30m側から裏面30r側へ近づくにしたがって外径が拡大する段差形状部分を有する。これに対応して、絶縁基板30dは、実装面30m側から裏面30r側へ近づくにしたがって外径が拡大する段差形状を有する大径部34dを備える。
以上のような構成を有する熱伝導部材20d及び絶縁基板30dを備える発光モジュールも、上記実施の形態1に係る発光モジュール1と同様の効果を奏する。
図6Eに示される変形例5に係る熱伝導部材20eは、実施の形態1に係る熱伝導部材20と同様に、鍔状の変位抑制部24eを有するが、主にその配置において熱伝導部材20と相違する。変形例5に係る熱伝導部材20eの変位抑制部24eは、絶縁基板30eの厚さ方向の略中央部分に配置されている。本変形例においては、変位抑制部24eは、鍔状の形状を有する。これに対応して、絶縁基板30eは、厚さ方法の略中央部分に大径部34eを備える。
以上のような構成を有する熱伝導部材20e及び絶縁基板30eを備える発光モジュールも、上記実施の形態1に係る発光モジュール1と同様の効果を奏する。さらに、本変形例においては、熱伝導部材20eが絶縁基板30eの厚さ方向の略中央部分に変位抑制部24eを有することにより、熱伝導部材20eが、絶縁基板30eの実装面30m側から裏面30r側へ変位することが抑制される。
図6Fに示される変形例6に係る熱伝導部材20fは、変形例5に係る熱伝導部材20eと同様に、絶縁基板30fの厚さ方向の略中央部分に変位抑制部24fを有するが、図6Fに示される変位抑制部24fの断面の輪郭が曲率を有する点において、変形例5に係る熱伝導部材20eと相違する。これに対応して、図6Fに示される絶縁基板30fの大径部34fの断面の輪郭も曲率を有する。
以上のような構成を有する熱伝導部材20f及び絶縁基板30fを備える発光モジュールも、上記変形例5に係る熱伝導部材20e及び絶縁基板30eを備える発光モジュールと同様の効果を奏する。
図6Gに示される変形例7に係る熱伝導部材20gは、絶縁基板30gに設けられた貫通孔38の内壁33に対向し、かつ、内壁33から離間した離間部26を有する点において、実施の形態1に係る熱伝導部材20と相違する。本変形例においては、熱伝導部材20gの円環状の離間部26と絶縁基板30gの内壁33との間に円環状の空隙36が形成される。これにより、熱伝導部材20gから絶縁基板30gへ熱が伝導することを抑制できる。したがって、絶縁基板30gの温度上昇が抑制されるため、絶縁基板30gから発光素子10及び他の電子部品へ熱が伝導することを抑制できる。これにより、絶縁基板30gの温度上昇に伴う発光素子10などへの悪影響を抑制できる。例えば、発光素子10の温度上昇に伴う発光効率の低下などを抑制できる。離間部26の形成方法は、特に限定されない。例えば離間部26は、熱伝導部材20gの絶縁基板30gに対向する面のうち、他の部分より外径が小さい部分を設けることによって形成されてもよい。また、離間部26は、絶縁基板30gの内壁33のうち内径が大きい部分を設けることによって形成されてもよい。
図6Hに示される変形例8に係る熱伝導部材20hは、二つの離間部26a及び26bを有する点において、変形例7に係る熱伝導部材20gと相違する。本変形例においては、熱伝導部材20hの円環状の離間部26a及び26bと絶縁基板30hの内壁33との間に円環状の空隙36a及び36bが形成される。これにより、熱伝導部材20hから絶縁基板30hへ熱が伝導することをより一層抑制できる。
図7に示される変形例9に係る熱伝導部材20iは、変形例7及び8に係る各熱伝導部材と同様に離間部26iを有するが、離間部26iの形状が円環状でない点において変形例7及び8に係る各熱伝導部材と相違する。本変形例においては、絶縁基板30iの内壁33に凹凸を形成することによって、ランダムな離間部26i及び空隙36iが形成されている。本変形例に係る熱伝導部材20i及び絶縁基板30iにおいても、変形例7及び8と同様に、熱伝導部材20iから絶縁基板30iへ熱が伝導することを抑制できる。本変形例に係る絶縁基板30iの製造方法は、特に限定されない。例えば絶縁基板30iは、円柱状の貫通孔を形成した後に、当該貫通孔の内壁に凹凸を形成することによって製造されてもよい。
(実施の形態2)
実施の形態2に係る発光モジュールについて説明する。本実施の形態に係る発光モジュールは、熱伝導部材の構成及び発光素子と端子との間の電気的な接続構成において、実施の形態1に係る発光モジュール1と相違する。以下、本実施の形態に係る発光モジュールについて、実施の形態1に係る発光モジュール1との相違点を中心に図面を用いて説明する。
実施の形態2に係る発光モジュールについて説明する。本実施の形態に係る発光モジュールは、熱伝導部材の構成及び発光素子と端子との間の電気的な接続構成において、実施の形態1に係る発光モジュール1と相違する。以下、本実施の形態に係る発光モジュールについて、実施の形態1に係る発光モジュール1との相違点を中心に図面を用いて説明する。
図8及び図9は、それぞれ本実施の形態に係る発光モジュール101の外観の概要を示す斜視図及び上面図である。図10は、本実施の形態に係る発光モジュール101の主要部の構成を示す断面図である。図10においては、図9のX−X断面が示されている。
図8及び図9に示されるように、本実施の形態に係る発光モジュール101は、実施の形態1に係る発光モジュール1と同様に、発光素子110と、熱伝導部材120と、絶縁基板30と、端子90と、導体パターン42と、放熱体60とをさらに備える。また、図10に示されるように、発光モジュール101は、接続部材50をさらに備える。また、本実施の形態に発光モジュール101は、ワイヤ92をさらに備える。
ワイヤ92は、端子90に供給された電力を発光素子10に伝送するための導線である。本実施の形態では、ワイヤ92は、ボンディングワイヤであり、ワイヤ92の一方の端部が発光素子110の電極パッド(図示せず)に、他方の端部が、導体パターン42に、それぞれボンディングされる。本実施の形態では、発光素子110の電極パッドは、図10における発光素子110の上側の面、つまり、発光素子110の放熱パッド14が配置される面の裏側の面に、配置される(図示せず)。これに伴い、本実施の形態では、ワイヤ92によって、発光素子110の電極パッドと導体パターン42との間を電気的に接続している。
図9に示されるように、本実施の形態に係る発光モジュール101では、絶縁基板30の平面視において、発光素子110全体が、熱伝導部材120と重複している。つまり、発光素子110の全体が、熱伝導部材120上に配置されている。また、図10に示されるように、発光素子110の熱伝導部材120側の面のほぼ全体に、放熱パッド14が形成され、放熱パッド14の熱伝導部材120側のほぼ全面が、接合部材16によって熱伝導部材120と熱的及び機械的に接続されている。
以上のように、本実施の形態では、熱伝導部材120と接合部材16との接触面積、及び、接合部材16と放熱パッド14との接触面積を拡大することができる。これにより、発光素子110から熱伝導部材120への放熱効率を向上できる。
(実施の形態3)
実施の形態3に係る発光モジュールについて説明する。本実施の形態に係る発光モジュールは、熱伝導部材からの放熱効率を向上させるための構成をさらに備える点において、実施の形態1に係る発光モジュール1と相違する。以下、本実施の形態に係る発光モジュールの構成について、実施の形態1に係る発光モジュール1との相違点を中心に図面を用いて説明する。
実施の形態3に係る発光モジュールについて説明する。本実施の形態に係る発光モジュールは、熱伝導部材からの放熱効率を向上させるための構成をさらに備える点において、実施の形態1に係る発光モジュール1と相違する。以下、本実施の形態に係る発光モジュールの構成について、実施の形態1に係る発光モジュール1との相違点を中心に図面を用いて説明する。
図11は、本実施の形態に係る発光モジュール201の主要部の構成を示す断面図である。図11においては、発光モジュール201における図3と同様の断面が示されている。
図11に示されるように、本実施の形態に係る発光モジュール201は、実施の形態1に係る発光モジュール1に加えて、さらに、均熱層44を備える。均熱層44は、絶縁基板30の裏面30rに配置される。なお、図11には示されないが、発光モジュール201は、図11における均熱層44の下方に、実施の形態1に係る発光モジュール1と同様に、接続部材50と、放熱体60とを備えてもよい。
均熱層44は、熱伝導部材20と熱的に接続され、絶縁基板30の裏面30rに延在する層である。均熱層44は、絶縁基板30より熱伝導率が高い。このような均熱層44を備えることにより、発光モジュール201においては、発光素子10から熱伝導部材20へ伝導した熱が、均熱層44の内部に拡散する。このため、熱伝導部材20の放熱を促進することができる。さらに、均熱層44に接続部材50などを介して放熱体60を接続することにより、熱伝導部材20の放熱をより一層促進することができる。
(実施の形態4)
実施の形態4に係る移動体用照明装置について説明する。本実施の形態に係る移動体用照明装置は、移動体に設置される照明装置であって、実施の形態1〜3のいずれか一つに係る発光モジュールを備える。本実施の形態に係る移動体用照明装置は、発光モジュールの設置態様に特徴がある。以下、本実施の形態に係る移動体用照明装置について、図面を用いて説明する。
実施の形態4に係る移動体用照明装置について説明する。本実施の形態に係る移動体用照明装置は、移動体に設置される照明装置であって、実施の形態1〜3のいずれか一つに係る発光モジュールを備える。本実施の形態に係る移動体用照明装置は、発光モジュールの設置態様に特徴がある。以下、本実施の形態に係る移動体用照明装置について、図面を用いて説明する。
図12は、本実施の形態に係る移動体用照明装置301の主要部の構成を示す断面図である。図12においては、移動体用照明装置301が備える発光モジュール1における図3と同様の断面が示されている。図12において、上下方向が鉛直方向に対応し、図12の上方が鉛直方向の上方に対応する。
図12に示されるように、本実施の形態に係る移動体用照明装置301は、発光モジュール1を備える。なお、図12には図示されないが、発光モジュール1は、接続部材50及び放熱体60を備えてもよい。また、図12には図示されないが、移動体用照明装置301は、発光モジュール1の位置及び姿勢を固定するための治具などを備える。
移動体用照明装置301において、熱伝導部材20は、発光素子10より鉛直方向上方に配置される。移動体用照明装置301は、この状態を維持して移動体に取り付けられる。これにより、熱伝導部材20が発光素子10から伝導した熱によって加熱された場合に、熱伝導部材20の周囲の空気の温度が上昇する。温度が上昇した空気は、密度が低下するため浮力によって鉛直方向上方に移動する(図12の破線矢印参照)。一方、発光素子10は、熱伝導部材20より、鉛直方向下方に配置されているため、発光素子10の周囲に温度が上昇した空気が到達することが抑制される。したがって、発光素子10の周囲の空気の温度が上昇することを抑制できるため、発光素子10の温度上昇を抑制できる。
なお、本実施の形態では、移動体用照明装置301は、発光モジュール1を備えるが、発光モジュール1以外の発光モジュールを備えてもよい。例えば、実施の形態2又は実施の形態3に係る各発光モジュールを備えてもよい。
(実施の形態5)
実施の形態5に係る移動体用照明装置について説明する。本実施の形態に係る移動体用照明装置は、発光モジュールの周囲に流れる気体の流路が形成されている点、及び、発光素子10に対する熱伝導部材20の相対位置が限定されない点において、実施の形態4に係る移動体用照明装置301と相違する。以下、本実施の形態に係る移動体用照明装置について、図面を用いて説明する。
実施の形態5に係る移動体用照明装置について説明する。本実施の形態に係る移動体用照明装置は、発光モジュールの周囲に流れる気体の流路が形成されている点、及び、発光素子10に対する熱伝導部材20の相対位置が限定されない点において、実施の形態4に係る移動体用照明装置301と相違する。以下、本実施の形態に係る移動体用照明装置について、図面を用いて説明する。
図13は、本実施の形態に係る移動体用照明装置401の主要部の構成を示す断面図である。図13においては、移動体用照明装置401が備える発光モジュール1における図3と同様の断面が示されている。
本実施の形態に係る移動体用照明装置401は、発光モジュール1に加えて、リフレクタ70を備える。
リフレクタ70は、発光モジュール1から出射された光を反射する光学素子である。リフレクタ70の反射面の形状は、放物面状であってもよい。リフレクタ70は、放物面状の反射面の焦点付近に配置された発光モジュール1から出射された発散光を集光してもよい。
本実施の形態では、リフレクタ70は、発光モジュールの周囲に流れる気体の流路を形成する流路形成部として機能する。例えば、ファンなどを用いて図13の右側から左側に向かって空気を流した場合、発光モジュール1及びリフレクタ70によって、図13の破線の矢印で示されるような流路が形成される。ここで、発光モジュール1の熱伝導部材20は、発光素子10より流路形成部によって生じる流路の下流側に配置されている。これにより、発光素子10からの熱が伝導した熱伝導部材20の周囲の空気の温度が上昇しても、温度が上昇した空気が、流路の上流側に配置された発光素子10に到達することが抑制される。したがって、発光素子10の周囲の空気の温度が上昇することを抑制できるため、発光素子10の温度上昇を抑制できる。
(その他の変形例など)
以上、本発明に係る発光モジュール及び移動体用照明装置について、各実施の形態及びそれらの変形例などに基づいて説明したが、本発明は、上記各実施の形態に限定されるものではない。
以上、本発明に係る発光モジュール及び移動体用照明装置について、各実施の形態及びそれらの変形例などに基づいて説明したが、本発明は、上記各実施の形態に限定されるものではない。
例えば、上記実施の形態及び変形例に係る発光モジュール及び移動体用照明装置は、様々な機器に利用することができる。例えば、本発明の一態様は、図14に示すような移動体500としても実現することができる。図14は、本変形例に係る移動体500の外観図である。図14に示す移動体500は、例えば、前照灯として実施の形態5に係る移動体用照明装置401を備える。なお、移動体500の前照灯などに用いられる移動体用照明装置は、実施の形態5に係る移動体用照明装置401に限定されない。例えば、実施の形態4に係る移動体用照明装置301など、実施の形態1、実施の形態2若しくは実施の形態3に係る発光モジュール、又はその変形例に係る発光モジュールを備える移動体用照明装置であればよい。
その他、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態、又は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
1、101、201 発光モジュール
10、110 発光素子
20、20a、20b、20c、20d、20e、20f、20g、20h、20i、120 熱伝導部材
21、22 端面
24、24a、24b、24c、24d、24e、24f 変位抑制部
25c 逆テーパ形状部分
26、26a、26b、26i 離間部
30、30a、30b、30c、30d、30e、30f、30g、30h、30i 絶縁基板
30m 実装面
30r 裏面
33 内壁
38 貫通孔
42 導体パターン
44 均熱層
60 放熱体
301、401 移動体用照明装置
500 移動体
10、110 発光素子
20、20a、20b、20c、20d、20e、20f、20g、20h、20i、120 熱伝導部材
21、22 端面
24、24a、24b、24c、24d、24e、24f 変位抑制部
25c 逆テーパ形状部分
26、26a、26b、26i 離間部
30、30a、30b、30c、30d、30e、30f、30g、30h、30i 絶縁基板
30m 実装面
30r 裏面
33 内壁
38 貫通孔
42 導体パターン
44 均熱層
60 放熱体
301、401 移動体用照明装置
500 移動体
Claims (16)
- 一方の主面である実装面、及び、他方の主面である裏面を有し、前記実装面から前記裏面まで貫通する貫通孔が設けられた絶縁基板と、
前記実装面上に実装された発光素子と、
前記貫通孔に配置され、前記貫通孔の内壁に接する熱伝導部材とを備え、
前記熱伝導部材は、前記実装面側の端面において前記発光素子と熱的に接続され、かつ、前記熱伝導部材の前記裏面側から前記実装面側への変位を抑制する変位抑制部を有し、
前記熱伝導部材の前記絶縁基板の主面に平行な断面の面積は、前記裏面側端部の方が前記実装面側端部より大きい
発光モジュール。 - 前記変位抑制部は、前記熱伝導部材の前記裏面側の端面の周縁に形成された鍔状の部分である
請求項1に記載の発光モジュール。 - 前記変位抑制部は、前記裏面側から前記実装面側へ近づくにしたがって外径が縮小するテーパ形状を有する
請求項1又は2に記載の発光モジュール。 - 前記熱伝導部材は、前記裏面側から前記実装面側へ近づくにしたがって外径が拡大する逆テーパ形状部分を有する
請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光モジュール。 - 前記変位抑制部は、前記実装面側から前記裏面側へ近づくにしたがって外径が拡大する段差形状を有する
請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光モジュール。 - 前記熱伝導部材は前記実装面側において前記発光素子と接合されている
請求項1〜5のいずれか1項に記載の発光モジュール。 - 前記熱伝導部材は前記内壁に対向し、かつ、前記内壁から離間した離間部を有する
請求項1〜6のいずれか1項に記載の発光モジュール。 - 前記熱伝導部材の一部は、前記発光素子の少なくとも一部と前記絶縁基板の平面視において重複している
請求項1〜7のいずれか1項に記載の発光モジュール。 - 前記熱伝導部材と熱的に接続され、前記裏面に延在する均熱層を有する
請求項1〜8のいずれか1項に記載の発光モジュール。 - 前記実装面及び前記裏面の少なくとも一方に配置された導体パターンを備える
請求項1〜9のいずれか1項に記載の発光モジュール。 - 前記熱伝導部材は、前記裏面側の端面において、放熱体と熱的に接続される
請求項1〜10のいずれか1項に記載の発光モジュール。 - 前記放熱体をさらに備える
請求項11に記載の発光モジュール。 - 請求項1〜12のいずれか1項に記載の発光モジュールを備える
移動体用照明装置。 - 前記熱伝導部材は、前記発光素子より鉛直方向上方に配置される
請求項13に記載の移動体用照明装置。 - 前記発光モジュールの周囲に流れる気体の流路を形成する流路形成部をさらに備え、
前記熱伝導部材は、前記発光素子より前記流路形成部によって生じる流路の下流側に配置されている
請求項13又は14に記載の移動体用照明装置。 - 前照灯として、請求項13〜15のいずれか1項に記載の移動体用照明装置を備える
移動体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016166301A JP2018032608A (ja) | 2016-08-26 | 2016-08-26 | 発光モジュール、移動体用照明装置及び移動体 |
US15/673,959 US20180062059A1 (en) | 2016-08-26 | 2017-08-10 | Light-emitting module, lighting apparatus for mobile object, and mobile object |
DE102017119120.8A DE102017119120A1 (de) | 2016-08-26 | 2017-08-22 | Lichtemittierendes Modul, Beleuchtungsvorrichtung für ein mobiles Objekt und mobiles Objekt |
CN201710728739.8A CN108305934A (zh) | 2016-08-26 | 2017-08-23 | 发光模块、移动体用照明装置以及移动体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016166301A JP2018032608A (ja) | 2016-08-26 | 2016-08-26 | 発光モジュール、移動体用照明装置及び移動体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018032608A true JP2018032608A (ja) | 2018-03-01 |
Family
ID=61166843
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016166301A Pending JP2018032608A (ja) | 2016-08-26 | 2016-08-26 | 発光モジュール、移動体用照明装置及び移動体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20180062059A1 (ja) |
JP (1) | JP2018032608A (ja) |
CN (1) | CN108305934A (ja) |
DE (1) | DE102017119120A1 (ja) |
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Also Published As
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---|---|
US20180062059A1 (en) | 2018-03-01 |
DE102017119120A1 (de) | 2018-03-01 |
CN108305934A (zh) | 2018-07-20 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190520 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
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