TW200541415A - Wiring board for light emitting element - Google Patents

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TW200541415A TW094110792A TW94110792A TW200541415A TW 200541415 A TW200541415 A TW 200541415A TW 094110792 A TW094110792 A TW 094110792A TW 94110792 A TW94110792 A TW 94110792A TW 200541415 A TW200541415 A TW 200541415A
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Minako Izumi
Yasuhiro Sasaki
Noriaki Hamada
Takuji Okamura
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Description

200541415 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於用來裝載發光二極體（LED)等的發光元 件之發光元件用配線基板。 【先前技術】
以往，在配線基板上裝載LED而構成之發光裝置，因 發光效率非常高，且相較於白熾燈泡等其發光伴生之熱量 小，故逐漸使用於各種用途。另一方面，這種發光裝置， 由於其發光量比白熾燈泡或螢光燈等為小，以往並非於照 明，而疋當作顯示用的光源，其通電量不過是3〇mA左右。 這種毛光破置，由於通電量小且發熱量小，故主要採用的 構k為將發光凡件（LED)埋設於樹脂製絕緣基板之所謂砲 彈型構裝構造（參照專利文獻1 )。 近年來，伴隨高亮度、白色化之發光元件之開發，在 行動電話及大型液晶電視等的背光單元大量採用發光裝 置。然而，隨著發光元件之高亮度化，發光裝置產生的熱 也牦夕，為了防止發光元件之亮度降低，必須使用具有高 政熱性（散熱性比發光元件佳）之發光元件用配線基板（參照 專利文獻2、3)。 專利文獻1 : 專利文獻2 : 專利文獻3 : 【發明内容】 曰本特開2002-124790號公報 曰本特開平1 1-1 12025號公報 曰本特開2003-347600號公報 ^光元件用配線基板，係在平板狀絕緣基板的表面或 5 200541415 内部具有導體層，在該絕緣基板之一面裝載發光元件而構 成。這種配線基板所使用之絕緣基板，大多為氧化銘製， 該氧化鋁製絕緣基板之熱膨脹係數為7.0x1 〇-6/°C左右，由 於與印刷基板之熱膨脹係數差小到不致產生實用上問題的 程度，故兩者的連接可靠性優異。然而，由於氧化鋁 傳導率只有約1 5 W/m · K，因此其替代品之具有高熱傳導 率的氮化铭開始受到注意。然而，氮化鋁的缺點包含：原 料成本高，難燒結而必須進行高溫燒結，製造成本高等等。 又，由於熱膨脹係數只有4〜5xl0-6/t，當採用氮化鋁製絕 緣基板之配線基板構裝在汎用的印刷基板（熱膨脹係數i 〇χ 1 〇 / C以上）時，因熱膨脹係數差會有連接可靠性變差的問 題0
另一方面’樹脂製之絕緣基板，由於熱膨脹係數接近 印刷基板’並不會產生印刷基板之構裝可靠性上的問題， 但因熱傳導率只有G.Q5W/m.K，其完全無法對應於散熱 勺門通且在近紫外波段長期間使用時，絕緣基板會持 續黑色化’而產生發光元件之亮度減低之問題。 如此般，目前的現狀，尚無法提供出低成本' 熱傳導 性優異且構裝可靠性優異之發光it件用配線基板。 本么明之目的係提供出低成本、熱傳導性優異且構裝 可靠性優異之發光元件用配線基板。 本發日月夕β 一 <另一目的，係提供在上述配線基板裝載發光 元件而構成之發光裝置。 依據本發明之發光元件用配線基板，係具備··陶瓷製 6 200541415 絶緣基板、及形成於該絕緣基板之表面或内部之導體層， 在該絕緣基板之一面具有發光元件裝載用之裝載區域；其 特徵在於，在該絕緣基板，設置熱傳導率比絕緣基板高之 傳熱性柱狀導體；該傳熱性柱狀導體，係從該絕緣基板之 發光元件裝載區域朝貫穿絕緣基板之厚度方向延伸，且與 該絕緣基板同時燒結而形成出。 本發明之發光元件用配線基板，由於貫穿該絕緣基板 而5又置熱傳導率比絕緣基板高之傳熱性柱狀導體，故可使 發光元件產生的熱迅速逸散至配線基板外。因此，能有效 抑制發光元件之過加熱，能防止發光元件之亮度降低，進 而提昇發光元件之亮度。 由於絕緣基板是陶瓷製，其熱傳導率比樹脂製模塑基 =高，故絕緣基板本身的散熱性優異，且歷長期間也不會 發生因考源發熱或光源發光所致之分子構造改變，幾乎不 會產生色調變化（黑色化等）、特性劣化等，而具有高可靠 ^本發明中，該絕緣基板能藉任意温度的燒結來形成出， 幻^燒結溫度高⑨！㈣。c之高溫燒結絕緣基板時，有助 =提高熱傳導率；當使用燒結溫纟刪。㈢下之低溫燒結 :、彖基板％ ’能與金、纟、銅等的低電阻導體製配線層藉 由同時燒結來形成出。 八，則迷絕緣基板 发 Μ匕㈧衣卸，較佳 马具有70%以上的全反射率，拉 ^羊錯此，可防止發光元件之發 牙心、毒基板或被絕緣基板吸收，故能提昇發光效率。 7 200541415 前述傳熱性柱狀導體，或7 ☆ 為了使發光元件產生的熱迅速 逸散，係從發光元件裝截f ^ ά ^ 戟&域朝貫穿絕緣基板的方向延 伸，該傳熱性柱狀導體較伴发 ^為’其俯視截面積比該發光元 件之裝載面（相當於發弁开放^ 、 件底面）為大。藉此，可增加散 熱部分’而使發光元件之熱更迅速的逸散。 又，在該傳熱性柱狀導w 狀v肢之端面與該絕緣基板表面之 邊界部及其附近，較佳鼻、真 馮用邊界保護層（由擇自金屬、陶堯 及樹脂所構成群中之至少丨 ^ ®所形成）覆盍。糟由設置這
邊界保護層，可緩和兮^ M 、， ‘體與絕緣基板間之熱膨脹 是，而抑制邊界間之裂痕產生。 又’ 5亥傳熱性柱狀導體 餸之凌載區域側的端面（上部側的 而面）及其周緣部，較佳 罗 勹稭甶s有金屬或樹脂之被覆層所 復皿° δ亥傳熱性柱狀導體 <展載區域側相反側之端面（下部 側的端面）及其周緣部，条 家『#乂么為猎由含有擇自金屬、陶究及 ::構成群中至少1種之被覆層所覆蓋。藉由將這種被 =設於傳熱性柱狀導體之上部側端面或下部側端面，亦 二 =狀導體與絕緣基板間之熱膨脹差，而抑制柱狀 知面與絕緣基板的邊界間之裂痕產生。 又。亥傳熱性柱狀導體較佳為具有8〇w/m . κ以上 熱傳導率1此可使發光元件產生的熱迅速逸散。 所 J專’、’、〖生柱狀導體，較佳為金屬材料與陶瓷材料 脹係數二由二Γ金屬-賴之柱狀導體，例如熱膨 近，即可抑制因熱膨服之失配所致之裂痕產生。又= 8 200541415 也能提昇該柱狀導體與絕緣基板之接合強度，且其能與絕 緣基板進行同時燒結。 本發明中，可將該傳熱性柱狀導體編入電路之一部分， 這時，導通端子變得不需要，而有助於發光元件用配：基 板之小型化。 又，該傳熱性柱狀導體，可由熱膨脹率或熱傳導率不 同之複數層所形成。以這種積層構造來形成傳熱性柱狀導 體時，可改變各層之熱膨脹率、熱傳導率，例如只要使裝 >載區域側層與所裝載之發光元件的熱膨脹差變小，其下側 層不文熱膨脹係數之限制而能作成高熱傳導率，如此可確 保可靠性並提昇散熱性。 上述般在本發明之發光元件用配線基板上裝載發光元 件而成之發光裝置，由於能使發光元件之發熱迅速逸散至 裝置外，故能抑制發、光元件之發熱所致之亮度減低。 【實施方式】 發光元件用配線篡柘 B 圖1 (a)、（b)顯示本發明的發光元件用配線基板之代表 構造，配線基板1 1係具備：陶瓷製絕緣基板丨，形成於絕 緣基板1之一面la之導體層（連接端子）3a、3b，形成於絕 緣基板1之另一面lb之導體層（外部電極端子）5，以及貫 穿絕緣基板1而設之導通導體7(用來使導體層3a、3b與 導體層5形成電氣連接）。 在絕緣基板1之面la上，在一導體層3a與另一導體 層3b之間，形成有供裝載發光元件之裝載區域9。亦即， 9 200541415 =:Γ係分別與裝載區域9所裝載之發光元件(圖 又，導體> )形成電氣連接，而具備連接端子的作用。 s s 5 #、與印刷基板等的外部f路基板形成電 接，而具備外邻帝大 包連 … 外p电極糕子的作用。因此，如後述般，F# W 9所|載之發光元件，係透過導體層^、外、導 體7及導體層5而與外部電路基板形成電氣連接=
Si:::，將導體層3…稱為連接端子，將導體層：
%為外部連接端子。 上述連接料3a、3b及外料接料5，能以各種金 屬來形成，通常是以擇自W、M〇、Cu、α§中之至少^種 為主j"7 °以這種金屬材料來形成連接端？ 3a、3b及外部 連接立而子5時，除能與絕緣基板丨進行同時燒成外，亦能 低成本且迅速地製作出發光元件用配線基板^ ^。 顺本發明中，如圖1(b)所示，能以包圍裝載區及導 體層^、儿之方式設置框體13(用來收納所裝載之發光元 牛)一藉由框體1 3 ’可保護裝載區域9所裝載之發光元件， 二容易在發光元件周邊配置螢光體等。又，發光元件的發 光處被框體13反射而朝既定方向誘導。該框體13，為了 抑制發光兀件之發光穿透或被吸收以確保高亮度，其内壁 、之反射率範圍在70%以上，較佳為8〇%以上，更佳為85% 从上·。 熱性枝妝導體1 〇 本％明之重點為’在該裝載區域9上，設有貫穿絕緣 基板i而延伸之傳熱性柱狀導體1G。該傳熱性柱狀導體 200541415 1 ο，係用比絕緣基板1形成材料之陶瓷更高熱傳導率的材 料、具體而言為w、Mo、Cu、Ag等金屬來形成（也能以後 述之金屬與陶瓷的複合體來形成）。如圖1(a)、（…所示般， 從裝載區域9至絕緣基板1之相反側的面1 ^，係沿厚度方 向貫穿絕緣基板1。該傳熱性柱狀導體丨〇，係和絕緣基板 1同％經由燒結而形成出。亦即，本發明之配線基板，由 於柱狀導體10(熱傳導率比絕緣基板〗高）從裝載區域9貫 穿絕緣基板1而延伸，能以該柱狀導體1〇為傳熱路徑而 使發光元件發生的熱迅速地逸散，其結果，可防止發光元 件之過度加熱，而能防止發光元件之亮度減低。 、這種柱狀導體10,如圖i⑷、（b)所示，係直徑500 " m以上之塊狀者，將其i個或複數個以上方端面位於裝载 區域9的方式配置。該柱狀導體1〇之俯視截面形狀，可 為圓形、楕圓形、方形、多角形等等。
=狀的柱狀導體1G，係將柱狀導體1Q用導體糊所 衣之^體片’以貫穿陶瓷坯片的方式壓嵌於陶瓷坯片 :’將該複合成形體藉由同時燒結而形成出（該方法容後詳 述）。這種塊狀之柱狀導體1〇,相較於所謂熱導通 裝載之發光元件相同，例如直徑超過麵吵、 ::見=的散熱性。特別是，為獲得高散熱性，較佳為， 比=導體10之俯視截面積(裝載…側的端面 比配線基板1 1上所奘哉 、 積）為大，更佳為iΛ 光元件裝載面積（相當於底面 截 ’、。以上。藉由將塊狀柱狀導體之俯視 截面積加大，可增加散熱部分，而使發光元件產生的熱更見 200541415 迅速地逸散。 上述圖1 (a)、（b)所示之柱狀導體丨〇，由於具導電性， 可編入電路之一部分0办丨上 ^ 刀 例如’精由將所裝載的發光元件與 柱狀i to 10直接作電氣連接，連接端子3a、3b及導通導 體7均變得不需要，而能謀求發光元件用配線基板^之 •I里化X s „玄傳熱性柱狀導體！ 〇與電路分別獨立設 置，由於5亥傳熱性柱狀導體j 〇與印刷基板等的外部電 路基板未形成電氣連接，故其構裝可靠性提高。 本！X明中，上述;^狀導體丨Q之熱傳導率比絕緣基板^ 高，其熱傳導率範圍在8GW/m.K以上，較佳為 κ以上，更佳為120 w/m. κ以上，最佳為i6〇 w/m. κ 以上。藉由設置傳熱性良好的柱狀導冑iq，可使發光元件 產生的熱直接且迅速地逸散，故能更安定地維持發光元件 之穩定發光，而能防止發光元件之亮度減低。柱狀導體ι〇 之熱傳導率，可藉由適當選擇構成金屬的種類來作控制。 例如’使用具有高熱傳導㈣Cu $ a,來形成柱狀導 體10時，可提高柱狀導體的熱傳導率，而為了確保上述 般之南熱傳導率，才主狀莫雕 、 冷1 0中之Cu含量宜為4〇體積％ 以上’較佳為5G體積％以上，更佳為6G體積％以上。 為了提昇柱狀導體10與絕緣基板丨間之接合可靠性， 柱狀導體H)之熱膨脹絲⑽〜彻t)以接近絕緣基板"勺 熱膨脹係數為佳，例如可調整柱狀導體1〇之熱膨脹係數， 而使絕緣基板丨與柱狀導體1G之熱膨脹縣差“在4〇χ i〇6/c以下，較佳為2加〇.6/。〇以下，更佳為ι 〇χ靠 12 200541415 以下一。藉由防止兩者之熱膨脹不-致，可獲得高可靠性之 發光兀件用配線基板n。柱狀導體ι〇之熱膨膜係數，可 適當選擇金屬種類等來作調整，例如，將Cu(高熱傳導率） 與W(金屬中熱膨脹係數較低者）組合使用日夺，所形成的柱 狀導體I 0具有高熱傳導率，且能控制其與絕緣基板 之熱膨騰係數差。又，LV人屈彳 以孟屬與陶瓷之複合體來形成柱狀 V肢1 0 %，也能調整兩者的熱膨脹係數差。
本發明中上述的柱狀導體10,係將既定的金屬粉末（例 如Cu、w的粉末）與適量的有機結合劑及有機溶劑混合而 調製出，只要能確保比絕緣基板丨高的熱傳導率，將上述 金屬粉末加陶兗粉末（例如絕緣基板i形成用的陶竟粉末） 而、、且成的此合粉末、與有機結合劑及有機溶劑混合，藉此 匕凋衣出亦可。使用這種混合粉末構成的導體糊時，藉由 與陶究坯片進行同時燒結，可在柱狀導體10與絕緣基板i 形成良好的接合強度，且該柱狀導體10係由金屬與陶瓷 之複合體所構成。這時，藉由調整金屬粉末與陶瓷粉末之 混合比，能簡單地控制熱膨脹係數，而使柱狀導體之 熱膨脹係數接近絕緣基板i，故能抑制絕緣基板1與柱狀 導體1 0之熱膨脹不一致所造成之裂痕產生。混合粉末中 之陶瓷粉末含量（相當於柱狀導體10中之陶瓷含量），為了 確保高熱傳導率，-般是纟5體積％以下，較佳為4體積 %以下，更佳| 3體積。/。以下。這種陶:是，當然以使用絕 緣基板1形成用的陶瓷為最佳。 本發明中，如圖2所示，可設置邊界保護層15，以覆 13 200541415 蓋該傳熱性柱狀導體之端面與該絕緣基板表面之邊界部及 其附近。該邊界保護層〗5,係由擇自金屬、陶竟及樹脂所 構成群中之至少1種所形成。藉由設置這種邊界保❹15, 可缓和柱狀導體H)與絕緣基板〗 邊界之裂痕產生。 …私脹差，而抑制 邊界保護層15,可考慮柱狀導體1〇與絕緣基板 邊二地改變其組成’例如用金屬或陶兗來形成 邊界保4層日守，可藉由與絕緣基板！及柱狀導體 行同時燒結來設置邊界保護層15。關於陶究，基於燒結性、 與邊界保護層15及絕緣基板！之接合性的觀點，以使用 與絕緣基板i形成用的陶_是具有同樣組成者為 屬，藉由使用與柱狀導體10相同組成的金屬，雖可提: 燒結性、與邊界保護層15及柱狀導體ι〇之接合 ： ==„的可靠性之觀點，以使用熱膨脹係數二 j 屬為佳。例如’當絕緣基板1為氧化紹製 r邊界保護層用的金屬以CU_W4 M0為佳。使用 二邊界保護層15 a夺，較佳為併用陶竟，如此 制燒結狀態及熱膨脹係數。 工 使用樹脂來形成邊界保護層15時，係藉由同時燒沾來 基板1與柱狀導體10後，以填塞絕緣基板1與 即=10的邊界之方式印刷樹脂’再進行硬化處理等 15 界保護層15。又’使用樹脂來形成邊界保護層 ”脂成分外’若進—步含有1〇〜15體積 和末’則可提昇邊界保護層15之耐水性及散 14 200541415 上述邊界保護層15，也能採用不同材 層構造。例如，在金眉或陶这思l ，傅取（積 —纟層上積層樹脂層巾構成邊界 τ，就算在絕緣基板1與柱狀導體⑺之邊界產 生裂痕，仍能防止裂痕進展 當好用。 退展至表層’因此這種積層構造相
又 圖3 (a)、（ b)顯示本發明沾旅止一丄 ^ ^ 不&明的發先凡件用配線基板U 之另一例。 本發明中，例如像一 、 彳冢圓3(a)所不，可設置被覆層16a， 以完全覆蓋住柱狀導體1 〇 ^ 夺版10之I载區域9形成側的端面及 二、二°又於上側端面之該被覆層16a’係含有樹脂或 =错由設置這種被覆層16a，亦可緩和柱狀導體丨。與 、、、巴緣基板 1間之敎膨胳莫 4 緣7 …為服差，而抑制柱狀導體10端面與絕 、，象基板1的邊界間之琴j、: / 、、 乂、產生。又，藉由這種被覆層16a， 也月b將後述之發光元件2 1因定古'壯 仟21固疋於裝載區域9。特別是用金 屬來形成該被覆層l6a時，由 由方、破覆層16a之熱傳導率比 、、、巴緣基板1高，因此能佶蛴去 么先兀件21的熱迅速逸散。使 用樹脂來形成被覆層！ 6卑， ^ 了防止柱狀導體10與連接端 十3a、3b間之短路。 .. + _ 3(b)所不’也能設置被覆層16b，以完全覆 =絲導體1〇之與裝載區域9形成側相反側的端面及 尸…緣部。設於下側端面之該被覆層⑽，係含有擇自金 :::究及樹脂所構成群中之任-種，藉由設置刪 續16b，亦可緩和柱狀導 ^ 4 等體10與、，、巴緣基板1間之熱膨脹差， 而抑制柱狀導體1〇端盥 而面〃、、，巴、，彖基板1的邊界間之裂痕產 15 200541415 生。用金屬來形成該被覆層丨6b時，由於被覆層丨6b之熱 傳導率比絕緣基板丨高，因此能使發光元件21的熱迅速 逸散。使用陶瓷或樹脂來形成被覆層1 6b時，可防止柱狀 導體10與外部端子5間之短路。特別是以陶瓷來形成被 覆層16b時，由於能與絕緣基板丨及柱狀導體丨〇進行同 時燒結，基於生產性的觀點相當有利。 根據上述說明可知，在上面設置樹脂所形成的被覆層 1 6a，且在下面設陶瓷或樹脂所形成的被覆層丨6b的情形， 將该配線基板1 1上裝載有發光元件2丨而成之發光裝置構 裝於印刷基板等時，可在柱狀導體1〇的正下方配置配線， 而有利於機器的小型化。 上述被覆層162、16b，係將含金屬或陶瓷之糊劑、或 含樹脂之塗布液塗布於該#部分，再進行燒結或燒附，藉 此即可令易地形成出。又’被覆層i 6a、i 6b形成用之金屬 或陶瓷，可使用與前述邊界保護層丨5形成用相同者。
:又，本發明中，藉由使上述柱狀導體1〇之側面形成傾 斜面、或在該側面形成段差’能提昇柱狀導體ig(特別是 $ 口徑塊狀之柱狀導體10)與絕緣基板1之接合強度，而 能牢固地將柱狀導體10編入絕緣基板丨内。 /例如像圖4⑷所示，藉由使柱狀導體1〇之側面形成傾 =面l〇a’可增大柱狀導體10與絕緣基板i之接觸面積， 糟此，絕緣基板i與柱狀導體1〇之接合強度提高… 圖示之例中，柱狀導體10之裝載區域9側端面比另一端 面為小，藉此使其側面形成傾斜面，但將柱狀導體ι〇之 16 200541415 裝載區域9側端面作成比另—端面大，藉此來形成傾斜面 當然也可以。但基於散熱性的觀點，以柱狀導體10之震 載區域9側端面比另一側面為小較佳。 又’如圖4(b)所示，可在柱狀導體1〇之側面形成段差 i〇b。亦即，這時也是，相較於柱狀導體ι〇的側面呈筆直 的情形，由於柱狀導體10與絕緣基板！之接觸面積增大， 故柱狀導冑1G與絕緣基板！之接合強度提昇。又，本圖 之例子，雖柱狀㈣1G之裝載區域9側端面比另一端面 為小’但相反地，將柱狀導體1〇之裝載區域9側端面作 成比另-端面大來形成段差亦可。然而，基於散熱性的觀 點，以柱狀㈣10之裝載區;或9側端面比另一側面小來 形成段差1 0 b較佳。
又’在圖4(b)的例子，雖在柱狀導體⑽之側面形成 1個段差10b，但像圖4(c)所示形成複數個段差⑽亦可。 亦即，在圖4(c)’係在柱狀導體⑽之側面形成兩個段差 l〇b ’藉此在柱狀導體10b之側面形成凸部i〇c。因此，不 僅柱狀導n _與絕緣基板丨之接觸面積增A，且柱狀導 體10b之側面與絕緣基板i會牢固地4合，因此能顯著提 昇兩者的接合強度。又 在側面形成凸部 10c， 圖4(C)中，雖是以兩個段差1〇b來 但藉由兩個段差i 〇b來在側面形成 凹部當然也可以 '然而’基於散熱性之觀點，以形成凸部 1 0 c為佳。 上述圖4(b)及⑷之例中，基於提昇接合強度之觀點 段差10b長度L 一般為100以m，以2〇〇从爪以上為佳。 17 200541415 又，在圖4(a)〜（c)之例中，基於確保高散熱性之觀點， 柱狀導體10之俯視截面積（特別是裝載區域9侧端面的面 積）較佳為大於所I載之發光元件之裝載面積。 又，如圖4(b)及（c)所示，在柱狀導體1〇側面形成段 差10b時，例如像圖5所示，以從段差引出導體層14為 佳。亦即，當柱狀導體10側面形成段差1〇b時，因絕緣 基板1與柱狀導體10間之熱膨脹差所產生之應力，將集 中於段差10b附近’結果，當襄載發光元件並使發光元件 反覆作動時’基於發光所伴生之發熱容易在段$⑽附近 產生裂痕。因此，藉由形成導體& 14，可減少應力集中在 段差1 Ob附近部位的愔开彡，工士 ^ α ^ 4 Μ正日]b形，而有效抑制住裂痕的產生。又， 石玄導體層1 4係用和；J：主壯道挪Λ α 1亍用}狂狀V體10相同的材料形成，藉此可 進一步提昇散熱性。 又 s柱狀導體10側面形成段差i〇b時，一 般的情形，絕緣基板彳I/ 土板1具有禝數個絕緣層所積層而成之積 層構造（圖/係絕緣層la、lb所構成之2層構造），段差議 則开巴緣層la、lb之積層界面（參照後述之柱狀導 體10形成方法）。a 、,· , )因此，導體層Μ係從段差10b端緣順沿 、、’巴、、象 1 3·、1 h EL m 積層界面延伸。這時導體層14從段差10b 端緣突出的長声w & ^ ^ ^ ，為了確保充分的應力緩和，可為 m以上，較伟盔，λλ 门 μ 蓮坤爲14 心以上，更佳為400_以上。又， 月豆層 14由方^^ β田 p, '疋用和柱狀導體同樣的材料來形成，如 圖 5所不，能ιν办 來設置。 牙匕桎狀導體〗0的方式貫穿柱狀導體10 18 200541415 在圖5中，雖针對圖4(b)所示之在柱狀導體側面形 成1個段差1 〇b的情形顯示形成導體層14的狀態，但針 對像圖4(c)所示之形成複數段差10b的情形，較佳為從複 數個段差1 〇b分別引出導體層14。 A邑緣基板-1及配線基板11之製造 本發明中，如前述般絕緣基板丨係陶瓷製，這種絕緣 基板1之熱傳導率為30w/m· κ以上，較佳為35W/m · κ 以上，更佳為40W/m · κ以上，特佳為45w/m · κ以上。 熱傳導率越高，絕緣基板丨之散熱性越佳，其抑制發光元 件之7C度降低效果越大。例如，陶瓷材料使用純度99%以 上之高純度氧化鋁時，可製作出熱傳導率為3〇w/m · κ以 上之絕緣基板，藉由使用MgO，則可製作出熱傳導率 40W/m · κ以上之絕緣基板1。 絕緣基板1之熱膨脹係數（室溫〜4〇(rc)為8·5χΐ〇力。c 以上，較佳為9·0χ1〇·6Γ(：以上，更佳為ι〇 〇χΐ〇 π以上。 亦即m製絕緣基板丨之熱膨脹係數越高，絕緣基板！ 〇柱狀導冑1G或構裝於外部之印刷基板間之熱膨騰差越 J、’而能顯著地提昇絕緣基板丨與柱狀導體1〇或印刷基 反門之接口可罪性，且能提昇其與封裝樹脂（用來封裝所裝 載的發光元件）之接合可靠性。例如，陶㈣料使用鎮橄禮 石^可製作出熱膨脹係數8·5χ1〇·6Λ(：以上之絕緣基板！， ""使用Mg0，可製作出熱膨脹係數10.0x1 〇-6/艽以上 之絕緣基板1。 巴基板1之全反射率為7Q%以上，較佳為 19 200541415 以上，更佳為80%以上，特佳為83%以上。藉由提高反射 率’可防止發光元件之發光穿透絕緣基板1或被絕緣基板 1吸收，而能獲得發光效率良好的發光元件用配線基板丨】。 例如，反射率高達83%以上之絕緣基板1，可藉由使用純 度99%之高純度氧化鋁、或添加燒結助劑γ〗〇3之Mg〇來 製作出。 絕緣基板1之3點彎曲強度為350MPa以上，較佳為 400MPa以上，更佳為45QMPa以上。藉由使用高強度的絕 緣基板1，可防止將發光裝置（在該絕緣基板u上裝載發 光兀件而成）構裝於印刷基板等外部電路基板時之應力所致 之基板裂痕。這種高強度的絕緣基板1，可使用氧化紹或
MgO作為陶瓷材料而製得。 根據上述說明可知，用來形成絕緣基板1之㈣材料， 必須考慮前述之埶值逡銮 ^ ^ ^ … ，、、、傳導羊、熱膨脹係數、#等物性等來加 k擇例如，Mg〇製絕緣基板1，係由主結晶相為MgO 之質燒結體所構成，其熱膨服係數（室溫〜侧。c)高達 10x10 6/C以上）時之椹壯π止t 衣可罪性，且熱傳導率高達30W/m · K以上’又全反射率及3點彎曲強度均夠高。 站射下所=' D| BS相4 Mg〇之Mg〇質燒結冑’係纟X射線 繞射下所檢測出的主峰為Mg 比例較佳含量為5()體積％以上。〃扣、，”日之肢積 這種MgO製絕緣 ^ 之純度，“上之M二二例如在平均粒徑0·1加 物末中添加燒結助劑（擇自稀土類 20 200541415 氧化物（Υ203、Yb2〇3 等）、Al2〇3、Si02、、c 、、r〇、Ba〇、 B2〇3、Zr〇2群中之至少1種）或填料粉末（平均粒和8 m)，使用該混合粉末而成形出陶㈣片，將該陶Μ片： 南於1500 C之溫度、較佳為⑽㈡川吖的溫度範圍進行 燒結而製得。在上述混合粉末中’亦可添加含有Μ§〇 : MgAl〇4、MgO · Si02系之複合氧化物。
為獲得主結晶為MgO之緻密燒結體，燒結助劑等添加 成分之量，基於降低燒結溫度之觀點，較佳為佔混合= 中3質量％以上，更佳$ 5質量％以上；而基於大量析出
MgO結晶之觀點，較佳為佔混合粉末中3〇質量％以下， 更佳為20質量％以下。特別是，當添加劑量為ι〇質量％ 以下時，能獲得大部分均由Mg〇結晶形成之絕緣基板i。 又：氧化鋁製之絕緣基板i，係主結晶相為ΑΙΑ之 ^2〇3質燒結體所構成。主結晶相為刈2〇3之Ai2〇3質燒結 體，係在X射線繞射下所檢測出的主峰為A12…峰者，其 Al2〇3結晶之體積比例較佳含量為5〇體積％以上。 α 這種氧化鋁製絕緣基板1，例如在平均粒徑1 〇〜2〇 # m之純度99%以上之A12〇3粉末中添加燒結助劑（擇自 =办、S1〇2、Mg0、Ca0、Sr0群中之至少i種）的粉末（平 句粒L 1 .〇〜2.〇 μ ’使用該混合粉末而成形出陶瓷坯片， 將該陶兗坯片以105(rc以上之溫度、較佳為l3〇〇〜i5〇(rc 的溫度範圍進行燒結而製得。 此般製造氧化紹製絕緣基板1時，陶曼链片成形用 之此合粉末中之燒結助劑等添加劑的4，基於降低燒結溫 21 200541415 度之觀點，較佳為佔混合粉末中5質量％以上，更佳為，丨 裇1 /〇以上，而基於獲得主結晶為入丨2〇3之敏密燒結體之 觀點，較佳為佔混合粉末中丨5質量％以下，更佳為丨〇質 里％以下。藉此，能獲得大部分均由ai2o3結晶所形成之 矣巴緣基板1。
又’上述雖是針對Mg〇製及氧化鋁製絕緣基板1作說 4適用方；本發明之絕緣基板1並不限於此，關於陶兗， 也旎採用主結晶為模來石、尖晶石、鎂橄欖石等之燒結體。 以也能以所謂的玻璃陶究來形成絕緣基板丨。這種玻璃陶 瓷製絕緣基板i，能以1050t以下之低溫燒結來製作，特 別當連接端子3a、3b、外部電極端子5、導通導體7等是 用Ag、CU等的低電阻導體來形成時，由於藉由同時燒結 月b後付緻密且具有平滑面之絕緣基板丨，故其特別適用。 一忒玻璃陶瓷製絕緣基板1，例如使用在玻璃粉末中、、曰 合s1〇2粉末等填料粉末而構成混合粉末，和上述同樣地: ί ，卩1G5Gt以上、較佳為85G〜1G5Gt之溫度 :圍L结而製作出。又，混合粉末中填料的含量，雖依破 玉組成等會有不同，但為了製作出高強度的絕緣基板 —般伯30〜60質量％，較佳為35〜55質量％。 又’製作上述各種絕緣基板丨時，使 :形济…之方法，能以公知的方法來進行+:= :=g〇:Al2〇3等的陶竟材之混合粉末中，添加結合劑、 寺而製作出成形用漿料’使用該衆料，藉由刮 手段而製得片狀成形體之陶瓷坯片。 去奏 22 200541415 因此，在製造配線基板1 ] ^ . u k，係藉由雷射加工等而在 陶究坯片之既定位置形成對 A t導通導體7之貫穿孔，將 ¥脰糊（使金屬粉末分散於去 ,. 田的結合劑或溶劑中而構成） 充填於貫穿孔，並在陶瓷坯月 月表面之既定位置印刷圖案狀 (子應於連接端子3a、3b、外却+ 士 # 卜°卩電極端子5)之導體糊，接 者將對應於柱狀導體丨〇之導 體圖案編入陶瓷坯片，以此 狀恶進仃燒結（同時燒結），而勢 阳表付配線基板11(在絕緣基板 1表面、内部形成連接端子3a、 外導通導體7，且具備 柱狀導體1〇)。又，連接端 接而子3a、3b、外部電極端子5， 可將金屬箔轉印於陶瓷坯片而 Β,, 月而形成出，或藉由蒸鍍等的薄 月旲形成法而直接形成於絕緣基板丨表面。
又，依照以下.的方式，將蚪_ μ L 八將對應於柱狀導體1〇 案編入陶瓷坯片。： U之導體圖 例如，當柱狀導體10呈圖u 王口 Ua)所不的形狀時， 導通導體7的情形相同，在链片之既定位置形成貫穿孔 在該貫穿孔内充填導體糊(含柱狀導體1〇用 即可將柱狀導體1〇用的導體圖案編入陶究柱片。-末）， 又，當柱狀導體10呈圖1(b)所示的塊 柱狀導體10《導體片壓嵌入陶瓷 ：’：對應於 <既疋位置，gp ΤΓ 編入柱狀導體1 〇用的導體圖案。圖 口 υ㈣不這種導體阁 的形成方法之一例。 裡等體圖案 亦即，如圖6(a)所示，在具備衝孔
夂俱具1 Q μ I 配置陶瓷坯片40。 、 上面’ 然後，如圖6(b)所示，將柱狀導體1〇 用的導體片43 23 200541415 疊在陶瓷坯片4f)卜 ^ 。该導體片43，較佳為厚度與陶瓷坯 片40大致相同。咭道 ϋ V月息片43，係將前述柱狀導體！ 〇 $ # 用的金屬粉末形成 VA 3至屬粉末與陶瓷粉末之混合粉末 機結合劑及溶劑混合，4吏用所調製成之導體漿料，藉由刮 刀法等的板片成形法而製作出。 错由刮 然後，如圖W r、 口 6(C)所示，用模塞35，將導體片43壓 陶瓷坯片40。藉此，谐 稽此導體片43的一部分被壓入陶瓷坯片 40内而形成嵌入狀態。 " 接著*未破壓人4Q内之局部導體# 去’同時將被導體月4 ” 43擠出之局部陶瓷坯片40除去，葬 此，如圖 6 (d)所千，β 9 ’、P形成以貫穿陶瓷坯片40的方式私 入導體片43之複合片 人 文σ乃5〇。亦即，圖6(d)之嵌入複合片5〇 的導體片43，係構成m + 、. 十應於柱狀導體1 〇之導體圖案，在 該複合片（坯片）50上 ，如前所述，可形成對應於連接端子 3a、3b、外部電極端子 5或導通導體7之導體圖案，而以 該狀態進行燒結。 又，要形成圖& > η 口 4(a)所不之側面具有傾斜面1〇a之柱 導體10時，如圖7戶斤-沒分乂 狀 、 汁不，係依珂述方法製作出嵌有小徑 導體片43之複合片5〇a芬山古丄一 及肷有大徑導體片43之複合片 50b ’將該複合片5〇a 與 50b貝加昼接而製作出積層體。該 積層=，在複…0a之小徑導體片43、與複合片_ 之f位“豆片43之對向部分的端部形成段差10b，藉由燒 結5玄積層體’即可在續续I^ 、巴緣基板1中形成圖4(b)所示之柱狀 導體10。這時，絕緣I 4 ，及 ^ ’、層絕緣層所積層而成之積 24 200541415 層構造。又，要形成圖5所示之導體層丨4時，只要在複 合片50a或複合片50b之積層界面，以對應導體層14的方 式用網版印刷法塗布導體糊即可。
又，要形成圖4(c)所不在側面具有複數個段差}⑽之 柱狀導體10時，準備出嵌有大徑導體片43之複合片5讣， 用2片複合片50a(嵌有小徑導體片43者)夾住而製作出3 層構造積層體，再進行燒結即可。這時，$製作出之絕緣 基板1，係3層絕緣層所構成之積層構造。 圖7之例子係為了形成具有段差^ 之柱狀導體1 〇， 而製作出複合# 50的積層體，但為了形成不具段差⑽ 之柱狀導η 1 0 ’當然也能製作出複合片5〇的積層體再將 /、&蚪，藉由使各複合片50中導體片43的組成互 :相@ ’可形成由不同熱膨騰率及熱傳導率之複數層所構 的柱狀導體1〇。例如，將埋設有導體MCu: 40體積％， w · 60體積％)之第 ^ ^弟1禝合片、與埋設有導體片（Cu : 50體 積％，W : 50體藉〇乂、令铉1 、—人， )之弟2禝5片積層，以第丨複合片裝 載&域9、第9爺人u丄 5片在相反側的方式來形成柱狀導體10， 如此般，輦 1 …人 弟1復合片之導體片層（裝載區域9側），其熱膨 ^、_，與裝載之發光元件間之熱膨脹 面，第2複人h 曾丛 導體片層（裝載區域9側之相反側），j： 熱膨脹率宾，也冰、， 目汉W J具 。 …、傳導率大。如此可知， 的層為熱膨脹率以… 要衣載£域9側 膨脹率，处 ，則不須考慮裝載區域9相反側之熱 元件之i &配置局熱傳導率的層’藉此可確保其與發光 可罪性，並顯著提昇散熱性。 25 200541415 又，在上述複合片50中（或複合片5〇的積層體中）之 導體片43露出面（相當於柱狀導體1〇端面）、及任片4〇與 導月丑片43的界面上，能以網版印刷等塗布含金屬之糊、 例如Mo糊，之後實施燒結，即可在柱狀導體㈣上側端 面或下側端面形成圖3(a)、（b)所示之被覆層l6a、i6b。又， 將組成與链片40相同之糊，和上述金屬糊同樣地塗布於 複合片之既定位置並燒結，即可形成圖2所示之邊界保護 籲層15。X，使用樹脂來形成被覆層…⑽、邊界保護層 ^ /、要在複合片之燒結後，將含樹脂之塗布液塗布於 既疋位置並進行乾燥及硬化即可。 上述陶瓷坯片（或複合片）之燒結，係在脫結合劑後， 、氧化氣氛、選原氣氛或非活性氣氛下以既定燒結溫度加 ^來進行。特別是使用Cu等易氧化的材料作為金屬粉末 日T須在遇原氣氛或非活性氣氛下進行燒結。 上述燒結後，視需要，可在連接端子3a、3b、外部電 •極端子5及柱狀導體10的表面實施鍍A1或Ag等，如此 :提高這些構件的反射率而使亮度提昇。特別1，若在接 而子3a 3b、柱狀導體10及框體内壁面13a所形成之金 :匕(metahzing)層上’依序形成鍍鎳、鍍金、鍍銀層，則 :使冋反射率的鍍銀層強固地結合。特別&，若在框體内 土面13a上形成這種鍍銀層，則發光元件的光在框體内壁 面能以高反射率反射而向外射出。 又，昌形成鍍鎳層作為底層時，若在鍍鎳層上直接鍍 ^ 口鍍鎳層之鎳會在鍍銀浴中析出，而被覆於配線導體 26 200541415 或裝載區域之鍍銀層上，或在鍍銀處理前因搬送之振動等 而使鎳粒子脫離鑛鎳層後附著於配線導體或裝載區域，但 只要在鍍鎳層上被覆鍍金層’即可避免上述問冑，而防止 發光元件之構裝性及接合性變差。 本發明中，用來保護所裝載的發光元件之框冑13，係 :陶莞材料或金屬材料來形成’以陶兗材料來形成框體η 時’藉由同時燒結，能與上述絕緣基板卜連接端+
外部電極端子5及柱狀導體1G等—起來形成框體η，故 :助於生產性的提昇。又’這種陶瓷製的框體Η，由於耐 錢、耐濕性優異，就算長期間使用或在惡劣條件下使用， 仍具有優異的耐久性。又 y»、山 又在廷種陶瓷製框體13之内辟 心亡，使用前述形成連接端子3a、3b等所用之導體糊： :由進订同時燒結來形成金屬化層(未圖示），如此可更加 昇耐久性並提昇反射率。在這種金屬化層上，可形成N1、 u、Ag等所構成的鑛敷層（未圖示），藉由形成這種金屬化
二：鑛敷可將框體12内壁面13a之反射率調整成70% 上較彳土為80以上、更佳為 件之如為85/°以上，以抑制發光元 山透或被吸收以確保高亮度。特別是反射率抓 之框體13内壁面13a，可藉由實施鍍光澤銀來實現。 又，金屬製之框體13，苴★包 A1或Fe-Nl_C。合全等的八屈本身具“反射率，若使用 金寺的金屬，則可降低成本且加工性優 成^該金屬製框體13之内壁面⑴’和前述相同地可形 : ::、Ag等所構成的鑛敷層(未圖示)，藉 種錄敷層，可進一步提高内壁自⑴之全反射率 27 200541415 出例如85 /〇以上之全反射率。這種金屬製框體1 3，例如可 在A述:、、σ所彳于之絕緣基板丨的面丨&上事先形成導體層 17，透過共晶Ag-Cu焊料等構成之焊料，而將導體層17 與框體1 3焊接在一起。 又’在圖1(b)等的例子中，框體13之内壁面i3a雖為 直立面，但並不限於這種直立面，内壁自…也能形成制 狀的曲率面或上部直控較大之傾斜面。藉由將内壁面 13作成曲率面或傾斜面，有助於將發光元件之發光向外部 胃誘導。 〔發光裝置〕 在上述製作出之本發明的發光元件用配線基板1 1上， 在其奴載區域9構裝發光元件，即可製得發光裝置。 圖8(a)及圖8(b)顯示這種發光裝置之截面構造，發光 裝置25，係在配線基板i i之裝載區域9上構裝咖晶片 等的發光元件21而構成。圖8(a)所示的發光裝置25，係 籲在圖1(Μ的配線基板n上構裳發光元件η而構成；圖叫 所不的發光裝置25，係在圖1(b)的配線基板u上構裝發 光元件21而構成。 發光裝置25，係透過適當的黏著材29將發光元件2工 黏著固定在配線基板丨丨之裝載區域9，並藉由接合線U 連接於配線基板U之連接端子3a、3b。從連接端子h、补 透過接合線23供電給發光元件2丨，而使發光元件2丨作動。 發光tl件2 1，也能不使用黏著材29，而藉由所謂覆晶連 接來連接固定於装載區域9。這時，不須經由接合線U， 28 200541415 例如能從連接端子3a、3b直接供給給發光元件μ。 配線基板u上裝载的發光元件21，係用透明樹脂材 料等構成的模塑材3!來密封，可取代這__ 31，而 使用透光性材料（例如破璃）構成的蓋體來密封發光元件 21。該模塑#31巾，也能添加螢光體’其可使發光元件以 之發光產生波長改變。 、種毛光衣置25 ’由於發光元件2 j之發熱能從傳熱 性柱狀㈣H)迅速地逸散，可有效防止發熱所致之亮度 降低’而能長期間維持穩定的高亮度發光。又可省略散孰 器（heat Slnk)等的散熱構件，而有助於構裝有這種發光裝 置25之電氣機器的小型化。 又’發光裝置25之發光，經由絕緣基板i表面或框體 B内面之反射能朝既^方向誘導，因此能提昇發光效率。 又，該發光裝置25, 一般是透過外部連接端子5構裝 於印刷基板等的外部電路基板（未圖示），藉由使絕緣基板 1之熱膨脹係數接近印刷基板’可抑制其與印刷基板或模 塑材31之熱膨脹係數不一致，因此能構成接合可靠性良 好的發光裝置25。 【圖式簡單說明】 圖1U)、（b)分別顯示本發明的發光元件用配線基板之 代表構造一例之截面圖。 圖2係顯示本發明的發光元件用配線基板之另一例之 截面圖。 圖3(a)、（b)係顯示本發明的發光元件用i線基板之另 29 200541415 一例之截面圖。 圖4(a)〜（c)係顯示本發明的發光元件用配線基板上形 成的傳熱性柱狀導體側面形狀之例。 圖5係顯示在傳熱性柱狀導體側面形成段差時所設的 導體層。 圖6係用來說明在本發明的發光元件用配線基板之絕 緣基板編入柱狀導體的方法之一例。 _ 圖7係用來說明在本發明的發光元件用配線基板之絕 緣基板編入柱狀導體的方法之另一例。 圖8係顯示在圖1的發光元件用配線基板上裝載發光 元件而成之發光裝置截面構造。 【主要元件符號說明】 1…絕緣基板 1 a···絕緣基板之一面 lb…絕緣基板之另一面 | 3a、3b···連接端子 5…外部電極端子 7…導通導體 9…裝載區域 10…傳熱性柱狀導體 l〇a···傾斜面 10b···段差 1 〇c···凸部 11…配線基板 30 200541415 13…框體 1 3 a…框體内壁面 14…導體層 15…邊界保護層 1 6a、1 6b…被覆層 17…導體層 21…發光元件 2 3…接合線 25…發光裝置 29…黏著材 31…模塑材 35…模塞 37…衝孔 39…模具 40…陶瓷坯片 43…導體片 50、50a、50b···複合片 L…段差10b長度 W…導體層14從段差10b端緣突出的長度 31

Claims (1)

  1. 200541415 十、申請專利範圍： 1、 一種發光7L件用配線基板，係具備：陶瓷製絕緣基 板及开y成於4絕緣基板之表面或内部之導體層，在該絕 緣基板之-面具有發光元件裝載用之裝載區域；其特徵在 於： 在該絕緣基板’設置熱傳導率比絕緣基板高之傳熱性 柱狀導體；該傳熱性柱狀導體，係從該絕緣基板之發光元 件装載區域朝貝穿絕緣基板之厚度方向延伸，且與該絕緣 ♦基板同時燒結而形成出。 2、 如申請專利範圍第1項之發光元件用配線基板，其 中該絕緣基板，係用高於1050°C的溫度燒結來形成。 3、 如申請專利範圍第1項之發光元件用配線基板，其 中该絕緣基板，係用1 〇5(TC以下的溫度燒結來形成。 4、 如申請專利範圍第1項之發光元件用配線基板，其 中’該絕緣基板之發光元件裝載區域側的表面，係具有70% 以上的全反射率。 _ 5、如申請專利範圍第1項之發光元件用配線基板，其 中°玄傳熱性柱狀導體，其俯視截面積比該發光元件之裝載 面為大。 6、 如申請專利範圍第〗項之發光元件用配線基板，其 中’在該傳熱性柱狀導體之端面與該絕緣基板表面之邊界 部及其附近，係用邊界保護層（由擇自金屬、陶瓷及樹脂所 構成群中之至少1種所形成）覆蓋。 7、 如申請專利範圍第1項之發光元件用配線基板，其 32 200541415 中°亥傳熱性柱狀導體之裝載區域側的端面及其周緣部， 係藉由含有金屬或樹脂之被覆層所覆蓋。 8、 如申请專利範圍第1項之發光元件用配線基板，其 申，忒傳熱性柱狀導體之裝載區域側相反側之端面及其周 緣部，係藉由含有擇自金屬、陶瓷及樹脂所構成群中至少 1種之被覆層所覆蓋。 9、 如申請專利範圍第丨項之發光元件用配線基板，其 φ t該傳熱性柱狀導體，係具有8〇w/m · κ以上之熱傳導率。 10、 如申請專利範圍第i項之發光元件用配線基板， ’、中忒傳熱性柱狀導體，係由金屬材料與陶瓷材料所形 成。 Π、如申請專利範圍第丨項之發光元件用配線基板， 其中该傳熱性柱狀導體，係編入電路的一部分。 12、 如申請專利範圍第丨項之發光元件用配線基板， 其中该傳熱性柱狀導體，係熱膨脹率或熱傳導率不同之複 _ 數層所構成。 13、 如申請專利範圍第丨項之發光元件用配線基板， 其中’該傳熱性柱狀導體的側面係形成傾斜面。 14、 如申請專利範圍第丨項之發光元件用配線基板， 其中，在該傳熱性柱狀導體的側面形成段差。 15、 如申請專利範圍第14項之發光元件用配線基板， 其中，該絕緣基板具有複數個絕緣層所構成之積層構造， 該傳熱性柱狀導體側面所形成的段差，係位於相鄰絕緣層 間之界面；從段差端緣順沿絕緣層間之界面形成導體層。 33 200541415 16、 如中請專利範圍第15項之發光it件用配線基板， 其中該導體層，係從段差端緣以5〇…上的長度延伸。 17、 如中請專利範圍第1項之發光it件用配線基板， 〃中在A、、、巴緣基板上’以包圍發光元件裝載區域的方式形 成框體（用來保護所裝載的發光元件）。 8 士申明專利範圍第17項之發光元件用配線基板， 其中該框體的内壁面，係具有70%以上的全反射率。 鲁 19、如巾請專利範圍第17項之發光元判配線基板， ^中4框的内壁面，係呈上端内徑比下端内徑大的形 狀，且具有朝裝載區域側鼓起的曲率面。 复20、如申請專利範圍第17項之發光元件用配線基板， /、中，在該框體内壁面上，係設置由鍍金層、及其上方之 錢報層所構成的光反射層。 2 1、一種發光裝置，其特徵在於：係在申請專利範圍 1項之發光元件用配線基板之裝載區域上裝載發光元件 _ 而構成。 十〜、圖式： 如次頁 34
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