TWI345437B - Wired circuit board - Google Patents

Description

1345437 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於配線電路基板，詳言之，係關於用在電 子機器等之配線電路基板。 【先前技術】 可撓性（flexible)配線電路基板等的配線電路基板通常 係具有：基底絕緣層、形成在該基底絕緣層上的導體圖案、 以及以被覆該導體圖案的方式形成在基底絕緣層上之覆蓋 絕緣層。 在该種配線電路基板係被要求；對應導體圖案的細微 間距化’而提昇導體圖案對基底絕緣層之密著性，以防止 導體圖案從基底絕緣層之剝離。 例如，已提案有一種技術，係藉由將以熱硬化性樹脂 作為主要成分的樹脂薄膜黏貼在基板，而將 狀態的絕緣層形成在基板表面，接 i ge) 按者，在5亥絕緣層表面利 _，鍍復形成電路後，施加壓力以使電路埋入絕緣層，最後， 2由使絕緣層完全硬化到€階段狀g，j^保電路對㈣ 層之密著性（例如，參照日本特開2〇〇心！ 1號公報）。 卜而且，在該種配線電路基板，導體圖案係部分性地從 =緣層露出，而該露出部分被當作用以 接的連接端子部。 每于連 在該種配線電路基板 靠性，或為了防止腐蝕， 的金層鍍覆之技術已為 ’為了提昇與外部料的連接可 在〃表面形成録錦層或鑛金層等 人所知（例如，參照日本特開 317130 5 2002-185133 號公報）。 八…而’在4種配線電路基板，於形成金魏覆層時， 冒有在金屬鍍覆層鱼某庙绍+田 I 1、基底絕緣層之界面滲人鐘覆液，而殘 =覆液’以致鑛覆液中的氣離子等之離子性雜質殘留 成殘渣的情形。當殘留有兮蘇矣 、 ,,, 田炊邊有5亥種殘渣時，在高溫高濕下，經 長月通電的話，則合吝4问她 . ' 生口離子遷移而造成的短路，以致 形成絕緣不良的不佳情況。 ^此’在日本特開2_]79341號公報記載的方法 ，雖可相提昇基I絕緣層與導體圖案 但難以防止因上述離子遷移所引起的短路。 【發明内容】 明之目的係在於提供—種配線電路基板，即使以 =距形成導體圖案，亦能提昇導體圖案與絕緣層之間 、在者性’而且在金屬鐘覆層與絕緣層之間，防止鐘覆液 二殘^而得以防止離子性雜質以殘㈣方式殘留，其結 ⑧溫㈣下’即使經過長期通電也能抑制離子遷移 導致的紐路，而可降低絕緣不良。 έ X月之配線包路基板係具有絕緣層、及形成於前述 "之上的導體圖案，而該配線電路基板的特徵在於， 圖案係含有端子部’而在前述端子部的表面形成 η覆層’前述端子部與前述金屬錄覆層係部份埋入 前述絕緣層。 再者’方；本發明之配線電路基板中，前述金屬鍵覆層 係以破覆前述端子部的側面及上面之方式設置，前述端子 317130 .1*345437 部，前述絕緣層側的端部、及前述金屬鍍覆層的側面之前 述絕緣層側的端部係埋入前述絕緣層。 r ^依據本發明之配線電路基板，端子部與金屬鍍覆層均 钻局部埋設在絕緣層。因此，在該配線電路基板中，即使 以細=距形成導體圖案，亦能提昇導體圖案與絕緣層之 =的密著性’同時在形成金屬鍍覆料，於金屬鐘覆層與 絕緣層之間，也可防止鍍覆液渗入。因此，於金屬鐘覆層 緣層之間，可防止鍍覆液中的離子性雜質以殘渣的方 ^歹乂逼’其結果’在高溫高濕下，即使經過長期通電也能 I3制離子遷移導致的短路，而可降低絕緣不良。 【貫施方式】 έ弟1圖係顯示作為本發明之配線電路基板的可撓性配 線基板之一實施形態，其中，⑷係主要部分平面圖、⑻ 係⑷的Α — Α，線剖面圖、（C)係⑷的Β — Β，線主要部分剖面 圖〇 • 4可撓性配線電路基板！係形成朝長度方向延伸的帶 $狀’而如第！圖⑻所示，具有：作為絕緣層的基底絕緣 二二、形成在該基底絕緣層2上的導體圖案3、及以被覆該 ^月豆圖案3的方式形成在基底絕緣層2之覆蓋絕緣層4。 再者，如第I圖（a)所示，基底絕緣層2在其長度方向 勺多而係形成俯視為略呈矩形者，導體圖案3係在該基 底、邑.豪層2之上形成有複數條配線3a ' 3b、3c及3d的圖 案。 _ Ί 3 a 3 b、3 c及3 d係沿該可撓性配線電路基板 317130 7 1345437 1的長度方向，延伸料撓性配線電路基板丨的長戶方向 之-端緣附近，且在寬度方向（與可撓性配線電路基^的 長度方向正交的方向)中，以相互隔以間隔的方式形成並排 配置。 覆蓋絕緣層4係在基底絕緣層2之上，在從可挽性配 線電路基板！的長度方向之一端緣朝長度方向的另:端側 隔有間隔之位置，朝長度方向的另一端側、以 配線3a、3b、3c及％之方式而形成。 料，從可撓性配線電路基板！的長度方向之一端緣 到覆蓋絕緣層4的長度方向之一端緣之間，並未形成有覆 蓋絕緣層4,而基底絕緣層2及複數條配線3a、3b、孔及 3d係從覆蓋絕緣層4露出，而各配線“、3b、孔及％的 露出部分係設為從俯視觀之呈大致矩形狀的端子部5。 · 再者’在各端子部5的表面，亦即在露出的上面、寬 度方向的兩側面及長度方向的一側面係形成有金屬鐘覆層 〇 而於該可撓性配線電路基板丨中，如第}圖⑻及第i 圖（C)所示，係在各端子部5中，將各端子部5的下端部（基 底絕緣層2側的端部），以及被覆各端子部5的金屬錢覆^ 6之側面(寬度方向的兩側面及長度方向的一側面)的下‘ 部（基底絕緣層2側的端部）埋設於基底絕緣層2。 其次’爹照第2圖就上述可撓性配線電路基板i的製 造方法加以說明’同時’對於將上述各端子部5的下端部 及金屬鍵覆層6之側㈣下端部埋設於基底絕緣層2進; 1345437 詳述。 在本製造方法中’首先如第2圖⑷所示，製備基底絕 緣層2。基底絕緣層2只要是能作為可撓性配線電路基板1 的基底絕緣層2使用，並血4生v丨4 , 工…、特別限制，例如可使用：聚醯 亞胺樹脂、$峨亞胺樹脂、丙軸脂、《腈樹脂、 聚、聚對苯二甲酸乙二(_封脂、聚對萘二甲 酸乙二⑻酯樹脂、聚氯乙烯樹脂等合成樹脂薄膜。從作 業I·生的觀點來看’較理想是使用玻璃變移溫度（丁 g)為W 00 C者X伙而才熱性的觀點來看，較理想是使用聚酿 亞胺樹脂薄膜。基底絕緣層2之厚度例如為5至⑺， 最好是10至30/im。 ，著，在本製造方法中，如第2圖⑻所示，於基底絕 之上形成導體圖案導體圖案3之形成並無特別 例如可使用加成（Add]tlve)法或減成（細的比叫 法寺周知的圖案化法。 膜之在加成法中’首先於整個基底絕緣層2形成種 :之金屬薄膜。金屬薄膜係可使用峨等的薄膜形成 全由鉻、鎳、銅及該等金屬的合金等來形成。接著 金屬薄膜的表面，以導I#圖奎q 办丨θ也 社 (Dlat. ‘ 圖案3的顛倒圖案形成防鍍膜 presm)。防㈣可使用乾膜阻劑等，以周知的方法 :成。之後’在從防鍍膜露出的基底絕緣層2之表 * 可由銅等’以電解錢覆方式形 佼，利用蝕刻或剝離來去除防鍍膜，並 去除從導體圖案3露出的金屬薄膜。 ^靖 317130 9 1345437 ^ 再者，在減成法中，首先於整個基底絕緣層2，依據 需要而透過接著劑層積層銅箔等的金屬箔。又，亦可使^ 預先在金屬箔之上積層有基底絕緣層2之周知的雙層基 村。接S，在該金屬结之表面以對應導體圖案3的圖案形 成阻蝕膜（etclnng resist)。阻蝕膜可使用乾膜阻劑等，以周 知的方法來形成。之後，钱刻從阻餘膜露出的金屬综。然 後，藉由钱刻或剝離來去除阻姓膜。 • 透過上述方法，形成由上述複數條配線3a、3b、3c 及3d構成之圖案來作為導體圖案3。又，複數條配線 3b、3c及3d的寬度例如為1〇至2〇〇#爪，較理相是μ至 5〇#爪，相互鄰接的間隔例如是10至2〇〇#m，‘較理想是 15至5〇Am。此外，導體圖案3的厚度例如為3至5〇/im， 車父理想是5至2 0 # rn。 繼之，在本製造方法中 絕緣層4。 如第2圖（c)所示，形成覆蓋 1覆蓋絕緣層4係使用和基底絕緣層2相同的合成樹 脂，又例如也可使用環氧樹脂或尿烧樹脂等。最好在上述 合成樹脂中㈣屬於感光性樹脂者，更好是使用感光性聚 醯亞胺，前驅體樹脂（聚醯胺酸（p〇】yamic MW))。 覆盍絕緣層4之形成，例如在將感光性樹脂的清漆塗 布在含導體圖案3之整個基底絕緣層2後，經介光罩曝光t 之後透過顯影，在可撓性配線電路基板1的長度方向之一 端部’以從清漆露*基底絕緣層2及導體圖案3的方式（亦 即，在可撓性配線電路基板的長度方向之—端部未形成有 3)7*30 10 1345437 覆蓋絕緣層4的方式）進行圖案化。 然後，於乾燥清漆後，藉由加 在基底絕緣層2之上，更化的话，即可 的長度方向之一〜I T形成在可撓性配線電路基板 絕緣層4。而。、方式’形成被覆導體圖案3的覆蓋 透過Si先二 = 彖層4亦可不使用感光性樹脂，而例如 層以不被覆可撓性配線電路㈣Μ長度妾^ 的方=在含有導體圖案3的覆蓋絕緣層：上而：部 復盍絕緣層4的厚度（經介接著劑層 / 的厚度），係例如為3 $ π , 。亥接者劑層 為3至5〇…較理想是5至3〇心。 ^糟此方式，在可撓性配線電路基板】的_ 彖層4露出的導體圖案3之各配線I : 5。的路出部分係設為由俯視觀之大致呈矩形狀的端子0 表面接:即Ϊ = ，如第2圖⑷所示’在各端子部5 的-側二=、寬度方向的兩側面及長度方向 W面浴成金屬鍍覆層6。 金屬鑛覆層6例如由金或錢耸M + 覆或益電解铲费、，，或·臬寻構成，例如利用電解鍍 妒：二，覆讀覆方式來形成。而最好是使用 Γ孟或…毛解鍍鎳。金屬鍍覆層6的厚度，例如 4為0.1至I//m ;在鑛錄層時例如為〇 $至“層 於却*、本方去中’如第2圖⑷所示，將各端子部5的下 而。、Μ被覆各端子部5的金屬鑛覆層6之各側面的下端 Π 317)30 1345437 部，一起埋設在基底絕緣層2 可撓性配線電路基板卜 +度方向内側，從而獲得 ==各端子部5的下端部、及金心覆層6之各側 面的下螭部時，例如從被覆各端 ,^ ^ ^ 而卞邛5的金屬鍍覆層ό之 緣層2進行熱沖壓。熱沖壓例如以形成基 二,合成樹脂的玻璃變移溫度以上之溫度(最好 ^50至靴的溫度）、以及以〇至刪W的壓力（最 ,好為〇.3至5kN/cm2的壓力}進行加熱加壓。 各端子部5的下端部、與金屬鎮覆層6之各側面的下 :二埋設於基底絕緣層2之量，例如在一以上，並在 層：之厚度的’Μ下。當埋設量小於此_ Ml會有因離子遷移造成短路之情形，另—方面，告大 交深)時’埋設時端子部5會貫穿基底絕緣；2 之厚度方向，或使基底絕緣層2產生變形的情況。 在以上述方式所獲得的可撓性配線電路基板】中，各 =部5的下端部係被埋設在基底絕緣層2之厚度方向的 内側。因&，在該可撓性配線電路基板丨中，即使 間距形成導體圖案3，也可達成提昇導底: 緣層2之間的密著性。 ，、基底絕 而且，在料撓性配線電路基板丨巾，被覆各端子部 的金屬㈣層6之各側面的下端部也和各端子部$的下 端部-起被埋設在基底絕緣層2之厚度方向的内側。因 即使以細微間距形成導體圖案3,在形成金屬鑛覆層6 可防止鍍覆液滲入金屬鍍覆層6與基底絕緣層2之間， 317130 12 止在至屬鍍覆層6與基底絕緣層2之間殘留 成殘逢。其結果，即使該可撓性= 南濕下經長期通電，也可抑制離子遷 考夕抬致的短路，而能降低絕緣不良。 遷 再者’於上述第2圖所示方法中，也可由玻璃變移^ 度不同的複數層形成基底絕緣層2。若由玻璃變移溫产: 同的複數層形成基底絕緣層2，則可 :二 及金屬鍍覆層ό之各側面的下端呷山 口 、碥部 、 j r 5而。卩以南精確度的埋設量加 以埋設。 、，亦即於以上述方式形成可撓性配線電路基板】時， 百先如第3圖⑷所示’準備玻璃變移溫度較高的下絕緣層 7作為基底絕緣層2,再如第3圖⑻所*，在該下絕緣層7 之上積層玻璃變移溫度較低的上絕緣層8,以形成基底絕 緣層2。 下絕緣層7係使用玻璃變移溫度較形成上絕緣層8的 鲁δ成树脂之玻璃變移溫度為高的合成樹脂，更具體言之， 玻璃變移溫度例如可使用25CTC以上，更好為使用280。(：以 上之合成樹脂。 再者，上絕緣層8係使用玻璃變移溫度較形成下絕緣 層7的合成樹脂之玻璃變移溫度為低的合成樹脂，更具體 言之’玻璃變移溫度例如可使用150至30(TC，更好為使 用150至250t之合成樹脂。 對於下絕緣層7的積層上絕緣層8的方法，係例如可 使用壓鑄（casting)法。又下絕緣層7及上絕緣層8的厚度 317130 ，且上絕緣層8的厚度係設成較端子部5= 金屬鍍覆層6之夂伽；ΑΑ 丁 ] Μ而邛及 Α爭戸 σ側面的下端部埋沒入基底絕緣層2之量 ;二上絕緣層8的厚度更具體而纟，係設成為了使由 =7保持基底絕緣層2之物性，而最好相對於= %緣層2之厚度係為5至5G%。 =在上述方法中’與上述第！圖所示的方法相同，係 — /成妗肢圖案3後（參照第3圖（c)), 盍絕緣層4(參照第3圖⑷）。接著，在各端子部5 表面形成金屬鐘覆層6後(參照第3圖⑷)，如第3_ ，藉由將各端子部5的增，和被覆各端子部5的 屬鑛覆層6之各側面的下端部—起埋設在基底絕緣声2 ^上絕緣層8的厚度方向⑽，即可獲得可撓性配線電路 基板1。 在該埋設步驟中，最好是在形成上絕緣層8的合成樹 •脂之玻璃變移溫度以上的溫度，而在形成下絕緣層7的人 成樹脂之玻璃變移溫度以下的溫度下進行熱沖壓。如此I 來’可將各端子部5的下端部及金屬鐘覆層6之各側面的 下端部，於上絕緣層8的厚度方向内側，在從上絕緣層8 的表面到下絕緣層7的表面之間，以確實並精確度佳的曰埋 沒量加以埋設。 而且，以上述方式所獲得的可撓性配線電路基板丨也 和上述一樣’可達到提昇導體圖案3與基底絕緣層2之間 的密著性，同時，在形成金屬鍍覆層6時，也可防止鍍覆 Η 317130 1345437 液冷入金屬鍍覆層6與基底絕緣層2之間，其結果，在高 溫高濕下，即使經長期通電也可抑制離子遷移導致的短 路’而能降低絕緣不良。 又在上述說明中’雖係以單面可撓性配線電路基板來 說明本發明的配線電路基板，但本發明的配線電路基板也 可適用在雙面可撓性配線電路基板，甚至亦可適用在硬式 可撓性配線電路基板或硬式配線電路基板。 (實施例） 以下，提出實施例及比較例更具體性地說明本發明。 弟1實施例 " 準備厚度25 // m、玻璃變移溫度23〇。〇 樹脂薄膜構成的基底絕緣層（參照第2圖（a)) 其：’在基底絕緣層的表面’藉由連續濺鍍厚〇 03" ::的鉻薄膜，及厚0.10/im的銅薄膜而形成金屬薄膜。接 者，在金屬薄膜之上，以導體圖案的顛倒圖案 I後，在從防鍍膜露出的基底絕緣層表 1、

成由銅構成的導體圖案。之後，剝::二電;= 式钱刻除去從導體圖案露出的金屬薄膜。藉此， U 的導體圖案係形成為由複數條配線構成、且各配：：二 隔為30/zm之圖案（參照第2圖（]3))。 、…ϋ日’ 接著，將聚酿胺酸樹脂的清漆塗布在含有導 個基底絕緣層，並利用光罩曝光清漆，之後 ^ 在可撓性配線電路基板的長度方向 ：由“， 4一漆路出基底絕緣層及導體圖案(端子部^之後j 317ΡλΠ 15 1345437 乾燥清漆後，藉由利用加熱使其硬化，而在基底絕緣層2 也成由用以被覆導體圖案、厚】5 #⑴之聚酿亞胺樹脂 所構成的覆蓋絕緣（參照第2圖（c))。 然後’在各端子部的表面（上面、寬度方向的兩側面及 長度方向的一側面)形成厚〇5//m之鍍金層後(參照第2圖 ⑷)’從被覆各端子部的鍍金層之上面，朝向基底絕緣層， 的溫度' 〇 3kN/cm2的塵力熱沖廢ι〇秒鐘的時二， 糟此而獲得可撓性配線電路基板（參照第2圖（e))。 所心彳寸的可撓性配線電路基板之各端子部的下端部及 鍍金層的各側面之下端部對基底絕緣層之埋入量，係 弟2貫施例 製備好在厚20/zm、玻璃變移溫度35代、由聚 胺樹脂薄膜構成的下絕緣層（參照第3圖（&))之上，積層有 =厚5_、玻璃變移溫度2赃 ' 由聚酿亞胺樹脂薄^ 齡成的上絕緣層組成之基底絕緣層（參照第3圖（b))。 接著，藉由和第〗實施例相同的方法，將厚心 導』案形成為由複數條配線構成、且各配線間的間隔曰 成30以m的圖案（參照第3圖（c))。 阳疋 再來’藉由和第1實施例相同的方孕 夕卜形士 m J乃在’在基底絕緣層 之上形成用以被覆導體圖案、由厚15 谌士沾脅“ M m之承§迪亞胺樹脂 構成的彳是盍絕緣層（參照第3圖（d))。 然後，藉由和第1實施例相同的方 矣而犯A r 万法在各端子部的 表面形成厚0_5 A m之鍍金層後（參照 、、弟3圖（e))，從被覆各 317130 16 1345437 端子部的鑛金層之上面朝向基底絕緣層，以和第ι實施例 相同的方法進行熱沖m獲得可撓性配線電路基板（參 照第3圖（f))。 所獲得的可撓性配線電路基板之各端子部的下端部及 料層的各側面之下端部對基底絕緣層之埋人量係2_ I ]比軔例 除了省略攸被覆各端子部的鐘令岛々^4 — I w緞金層之上面朝基底絕緣 層進行熱沖壓的製程之外，係藉由 匕“ 了精由和苐1實施例相同的方 法獲得可撓性配線電路基板。 急_ 2比歹ι| 除了於形成覆蓋絕緣層之後，從各端子部的上面朝基 f絕緣層，利用2抓的溫度HNW的壓力熱沖壓 1 〇秒鐘的時間後，在各端子部的表 』衣面（上面、寬度方向的 兩侧面及長度方向的一側面），形忐 ^ ^ ；烙成0.5wm厚度的鍍金層 反料由和第1實施例相同的方法獲得可撓性配線電 ☆所獲得的可撓性配線電路基板其鎮金層之各側面的下 全而部並未埋設在基底絕緣層，只有各 j^子。I5的下端部埋設 在基底絕緣層’而其埋入量係2 # m。 SM. 上=所獲得的各實施例及比較例之可撓性配 、在电路基板,又置在6(TC、95%RH的高溫高濕環境下，以 =加30V的電壓進行通電，藉此測試絕緣電阻 Π以下的經過時間（到因遷移而導致短路的時間），而為由該 317130 17 1.345437 經過犄間來评鑑電性可靠性。苴紝 第1實施例 細、^ ”〇果如下所不。 第2實施例 :間_小時 第1比較例 :*時 第2比較例 兮間600小時 過蚪間400小時 再者，上述說明係提供 態 釋 例 但該實施形態僅是例為本土明的例示之實施形 由該技術㈣之業者㈣+’並不能作輕錢的解 传包含在後、f的由、^出的鮮員然為本發明之變形 知匕3在後迷的申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示作為本發明之 線基板之一實施形態，其t 基板的可撓性配 Ο)係主要部分平面圖、 (b)係（a)的A—A，線剖面圖、 ⑷係⑷的B-B，線主要部分剖面圖。 第2圖係顯示第工圖所示 f方法的製造步驟圖，其中 -己線电路基板之製造 (a) 係製備基底絕緣層之步驟、 (b) 係在基底絕緣層上形成導體圖案之、

(c) 係形成覆蓋絕緣層之步驟、 K ⑷係在各端子部表面形成金屬鑛覆層之牛驟 (:顯示將各端子部的下端部及金二“ 々面下端部埋設在基底、絕緣層之步驟。日Κ 3圖ϋ頒示弟2圖所示可於性㊉的 方法的A仙杂# 才几f配'•泉毛路基板之f遠 >、他λ轭形態（以複數層形成基 、 办欣丞底絕緣層的態樣)之 18

，其中 (a) 係製備下絕緣層之步驟 絕緣層，以形成基底絕緣層 (b) 係在T —層上積層上 之步騾、 (c)係在基底絕緣芦 ^ _L s上升/成^體圖案之步驟、 ⑷：形成覆蓋絕緣層之步驟、 〇了在各ί而子部表面形成 (f)係顯示將夂… 步 ^ σ而子J的下端部及金屬鍍覆層的夂伽 面下端部埋設在基底絕緣層之步驟。 °側 主要兀件符號說明】 配線電路基板 導體圖案 覆蓋絕緣層 金屬鍍覆層 上絕緣層 基底絕緣層 3b、3c、 3d 酉己矣氣 端子部 下絕緣層 2 3a 5 7 317130 19

Claims (1)

1345437 第94125737號專利申請案 . 一 1〇〇年4月20日修正替換頁 十、申請專利範圍·· -- -1. 一種配線電路基板’係具備有基底絕緣層、形成於前述 •基底絕緣層之上的導體圖案、及以被覆前述導體圖案之 方式形成於刚述基底絕緣層上的覆蓋絕緣層，甘中 在前述配線電路基板的至少一部份未形成前述覆 蓋絕緣層，而使前述導體圖案從前述覆蓋絕緣層露出； 前述導體圖案之從前述覆蓋絕緣層露出之部分係 形成為端子部， _ 前述端子部的表面形成有金屬鍍覆層， 只有從前述覆蓋絕緣層露出之前述端子部與前述 金屬鍍覆層係部份埋入前述基底絕緣層。 2.如申請專利範圍第1項之配線電路基板，其中， . 前述金屬鍍覆層係以被覆前述端子部的側面及上 面之方式設置， 前述料部m㈣侧的端部、及前述金屬艘 #覆層的側面之前述絕緣層侧的端部係埋人前述絕緣層。 317130修正版 20