TWI342720B - Electrooptical apparatus and method of manufacturing electrooptical apparatus - Google Patents

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TWI342720B
TWI342720B TW095111000A TW95111000A TWI342720B TW I342720 B TWI342720 B TW I342720B TW 095111000 A TW095111000 A TW 095111000A TW 95111000 A TW95111000 A TW 95111000A TW I342720 B TWI342720 B TW I342720B
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Yoshihiko Machida
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Description

M2720 (1) . 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關光電裝置及光電裝置的製造方法。 ·. - 【先前技術】 近年來’使用有機電激發光元件(以下稱爲「有機 ' EL元件」)來作爲發光元件的顯示器或印表機的光寫入 ® ·頭之光電裝置的開發正盛行。 此種的光電裝置是依構成有機EL元件的發光材料( 以下稱爲「有機EL材料」)爲高分子系有機材料或低分 子系有機材料而其製造方法會有所不同。當有機EL材料 爲高分子系有機材料時,是使該有機EL材料溶解或分散 於特定的溶媒中而形成液狀組成物,使該液狀組成物從液 滴噴頭的噴嘴噴出而塗佈於基板的特定畫素電極上,亦可 使用所謂液滴噴出法來製造。此情況,藉由使用隔壁來區 φ 劃畫素電極的周圍,可抑止所被塗佈的有機材料液體與位 於其他位置的畫素電極上所被塗佈的液狀組成物混合,而 形成高精細的圖案化。 但,上述液滴噴出法中,被塗佈於畫素電極上的液狀 '組成物中的溶媒的蒸發極快。而且,在基板上的端部(上 端、下端、右端、左端),溶媒分子分壓要比被塗佈於基 ' 板中央的液狀組成物低,因此較快開始乾。所以,被塗佈 ' 於基板的端部的液狀組成物與被塗佈於中央的液狀組成物 ,其乾燥時間產生差。如此液狀組成物的乾燥時間差會引 (2) (2)1342720 起畫素内、畫素間的有機EL元件的各層膜厚不均,造成 亮度不均等的顯示不均的原因。於是,提案一藉由在基板 上的端部周圍設置無關顯示的虛擬塗佈區域來擴大塗佈區 域,使形成基板内的溶媒的蒸氣壓均一(專利文獻1)。 並且,在此種的光電裝置或光寫入頭中,爲了提高有 機EL元件的發光效率,而於發光層與電極之間設置電洞 注入層或電子注入層。 【專利文獻1】特開2002-222695號公報 【發明內容】 (發明所欲解決的課題) 但,液狀組成物的乾燥狀態會依各隔壁的表面狀態而 受到影響。因此,即使如上述設置虛擬的塗佈區域,當各 隔壁的表面狀態不均一時,會有難以形成均一的膜之問題 〇 本發明是爲了解決上述問題點而硏發者,其目的是在 於提供一種防止構成有機發光元件的各層膜厚的不均,抑 止該膜厚的不均所引起的亮度不均或對可靠度的影響之光 電裝置及製造光電裝置的方法。更,提供一種可邊抑止亮 度不均邊高密度配置發光元件,且可描繪高精細的畫像之 光電裝置及光電裝置的製造方法。 (用以解決課題的手段) 本發明的光電裝置係具有: -6 - (3) (3)1342720 發光元件陣列,其係配列有複數發光元件;及 隔壁,其係共同圍繞上述發光元件陣列。 藉此,各發光元件不會在每個發光元件被隔壁所圍繞 。因此,例如藉由液滴噴出法來形成構成發光元件的層時 ,所被噴出的液狀組成物的乾燥時間不會有依隔壁的表面 狀態而在每個發光元件有所不同的情況發生。其結果,可 使全體的發光元件的層膜厚形成均一,因此可提供一種不 會產生亮度不均等的顯示不均之光電裝置。 在此光電裝置中,上述隔壁係以其形狀能夠仿效上述 各發光元件的形狀之方式來形成。在此所謂仿效發光元件 的形狀,是從配列於靠近隔壁的一側之發光元件的外周到 隔壁的距離大致相等。 藉此,從各發光元件到隔壁的距離,亦即圍繞發光元 件的液狀組成物的量相等,因此在各發光元件中,其各位 置的層的乾燥條件是形成相等。其結果,各發光元件内及 發光元件間的膜厚不會產生不均。 在此光電裝置中,上述複數個發光元件係以液體製程 來形成。 藉此,在發光元件的形成時,含構成發光元件的材料 (例如構成發光元件的發光層的發光材料)的液狀體會被 塗佈於以隔壁所圍繞的區域内。此刻,由於在區域内未設 有隔壁,因此被塗佈於區域内的液狀體不會受到隔壁表面 狀態的影響。其結果,無關區域内的位置,均一量的液狀 體會被塗佈於該區域内全域,因此所取得之構成發光元件 (4) (4)1342720 的層(例如發光層),其膜厚爲均一。因此,不會有畫素 内、畫素間的各層膜厚不均的情況,所以可抑止亮度不均 等的顯示不均的發生。 在此光電裝置中,上述複數個發光元件係藉由在複數 個畫素電極與分別對向配置於複數個畫素電極的共通電極 之間至少形成含發光層的機能層所形成,上述發光層係以 有機材料所構成。 藉此,可構成具備具有均一的膜厚的發光層之有機電 激發光元件。因此,可容易實現不會產生亮度不均等的顯 示不均之光電裝置。 在此光電裝置中,上述各發光元件可配列成鋸齒格子 狀。 藉由,可高密度形成發光元件。其結果,可提供一種 不會發生亮度不均等的顯示不均之高解像度的光電裝置。 在此光電裝置中,上述機能層的電阻値係配置於上述 複數個畫素電極之間的上述機能層的電阻値比配置於上述 畫素電極與上述共通電極所夾持的區域的上述機能層的電 阻値更高。 藉此,配置於複數個畫素電極的各周圍之機能層的電 阻値是比配置於畫素電極與共通電極之間的機能層更高, 因此從各畫素電極供給的載流子不會流入至相對向於隣接 的其他畫素電極的機能層,而會集中流入至位於相對向於 各畫素電極的區域内的機能層。因此,不會有供給至某畫 素電極的載流子(carrier )流入其畫素電極周圍的機能層 -8- (5) (5)[342720 的同時發光,亦即所謂發光的串訊(cross talk)發生。其 結果,可實現一種具備能夠高精細顯示的發光部單元之光 電裝置。 在此光電裝置中,上述機能層具備有機導電性層, 配置於上述複數個畫素電極之間的上述有機導電性層 的電阻値係比配置於上述複數個畫素電極與上述共通電極 所夾持的區域的上述有機導電性層的電阻値更高。 藉此,藉由設置有機導電性層,即使有機導電性層爲 導電性高的材料(低電阻材料),在配置形成於各畫素電 極周圍的有機導電性層中還是不會有載流子流入,可使集 中流入至相對向於畫素電極的區域内所配置形成的有機導 電性層。其結果,可實現一種能夠高精細顯示的光電裝置 〇 在此光電裝置中,上述有機導電性層係含聚乙烯二氧 基唾吩。 藉此’含聚乙烯二氧基噻吩(PEDOT : Poly Ethylene Dioxy Thiophene )的有機導電性層可取得高導電性及對發 光層的高電洞注入效率。因此,可以低驅動電壓來實現具 有高發光效率的發光部單元。其結果,可實現一種具備高 效率,且能夠高精細描繪的發光部單元之光電裝置。 在此光電裝置中,上述有機導電性層係含聚苯胺( polyaniline ) ° 藉此,含聚苯胺的有機導電性層爲導電性高的材料( 低電阻材料)’亦可作爲電洞注入層作用。因此,藉由設 -9- (6) 1342720 置含聚苯胺的有機導電性層,可實現具有高發光效率的發 光部單元。其結果,可實現一種具備高效率,且能夠高精 細顯示的發光部單元之光電裝置。 在此光電裝置中,上述發光元件陣列係於感光體上選 擇性地照射光。 藉此,可以在感光體上亮度不均少的高解像來進行高 強度的光寫入。
本發明之光電裝置的製造方法係具備: 形成複數個畫素電極之步驟: 形成共同圍繞上述複數個畫素電極全體的隔壁之步驟 :及 在藉由上述隔壁所爲圍繞的區域形成機能層之步驟。 藉此,各發光元件不會在每個發光元件被隔壁所圍繞 。因此,例如藉由液滴噴出法來形成構成發光元件的層時 ,所被噴出的液狀組成物的乾燥時間不會有依畫素的位置 φ 或隔壁的表面狀態而在每個發光元件有所不同的情況發生 。其結果,可使形成於1個隔壁内的全體發光元件的層膜 厚形成均一,因此可製造一種不會產生亮度不均等的顯示 不均的光電裝置》 在此光電裝置的製造方法中,上述機能層係藉由液滴 噴出法來進行。 藉此,可在不使用真空裝置等的情況下形成所望膜厚 . 的層。 在此光電裝置的製造方法中,更具備在上述機能層選 -10- (7) 1342720 擇性地照射光之步驟。 藉此,可防止供給至某畫素電極的載流子流入至周圍 的機能層*而造成其畫素電極周圍的機能層同時發光,亦 . 即所謂發光的串訊發生。 在此光電裝置的製造方法中,在配置於上述畫素電極 與畫素電極之間的區域之上述機能層選擇性地照射光。 藉此,可防止供給至某畫素電極的載流子流入至周圍 φ 的機能層,而造成其畫素電極周圍的機能層同時發光,亦 即所謂發光的串訊發生。 在此光電裝置的製造方法中,上述光可爲紫外光。 藉此,可容易提高在複數個畫素電極的各周圍所配置 形成的機能層的電阻値。 在此光電裝置的製造方法中,可在照射上述光之後, 在上述機能層進行熱處理。 藉此,在對機能層照射光之後,藉由進行熱處理,可 φ 再現性佳地提高照射光後之區域的電阻。 【實施方式】 (第1實施形態) 以下,按照各圖來説明有關本發明之一實施形態具備 光寫入頭的光電裝置,亦即光學印表機(optical printer) 。又’以下所説明的光學印表機爲可全彩顯示之串接( tandem)方式的光學印表機》 圖1是表示光學印表機的主要剖面圖。 -11 - (8)1342720
如圖1所示,光學印表機1具備作爲光寫入i 部單元之黑色用有機EL曝光頭2K、青綠色(cya 機EL曝光頭2C、品紅色用有機EL曝光頭2M、I 有機EL曝光頭2Y。並且,光學印表機1是在名 2K,2C,2M,2Y的下方分別具備黑色用感光鼓 綠色用感光鼓3C、品紅色用感光鼓3M.、黃色用感 又,光學印表機1具備驅動滾輪4、從動滾 力滾輪6 '及中間轉印帶7,該中間轉印帶7係 該張力滾輪6來施加張力而架設,一邊往圖1中 向循環驅動的。而且,各感光鼓3K,3C,3M,3 中間轉印帶7配置成特定間隔。 各感光鼓3K,3C,3M,3Y是形成可與中間奇 的驅動同步而往圖1中順時鐘方向旋轉驅動。又 頭2K,2C’ 2M,2Y是與各感光鼓3K,3C,3M 旋轉同步來依次線掃描各感光鼓3K,3C,3M,3, 面,而將對應於描繪資料的静電潛像形成於所對β 鼓 3Κ,3C,3Μ,3Υ 上。 並且,在各感光鼓3Κ,3C,3Μ,3Υ的周圍言 感光鼓3Κ,3C,3Μ,3Υ的各外周面一樣帶電的1 器 8Κ,8C,8Μ,8Υ。 又,光學印表機1在黑色用感光鼓3Κ的周^ 色用顯像裝置9Κ,在青綠色用感光鼓3C的周圍J 色用顯像裝置9C’在品紅色用感光鼓3Μ的周圍j ί及發光 Ο用有 :黃色用 -曝光頭 3IC、青 光鼓3 Y 爸5 '張 •邊藉由 [時鐘方 是針對 I印帶7 各曝光 ,3Y的 的外周 I的感光 t有使該 t暈帶電 3具備黑 I備青綠 I備品紅 -12- (9)1342720 色用顯像裝置9M,在黃色用感光鼓3Y的周圍具備黃 顯像裝置9Υ。該各顯像裝置9Κ,9C,9Μ,9Υ是藉 對應的有機EL曝光頭2Κ,2C,2Μ,2Υ來賦予對應 感光鼓3Κ,3C,3Μ,3Υ上所形成的静電潛像之顏色 像劑亦即色劑(toner )而形成可視像(色劑像)者。 ,青綠色用顯像裝置9C是藉由青綠色用有機EL曝 2C來對形成於青綠色用感光鼓3C上的静電潛像賦予 色的色劑而形成可視像(色劑像)。 更詳而言之,各顯像裝置9K,9C,9M,9Y是例 用非磁性一成分色劑作爲色劑,將該一成分顯像劑例 用供給滾輪來搬送至顯像滾輪,且使用規制刮刀來規 著於顯像滾輪表面的色劑膜厚。藉由此規制,可使顯 輪接觸或按壓於各感光鼓3K,3C,3M,3Y,而按照 於各感光鼓3K,3C,3M,3Y上的静電潛像的電位位 使顯像劑附著而作爲可視像(色劑像)顯像。 又,光學印表機1在各感光鼓3IC,3C,3M,3Y 圍具備一次轉印滾輪 10K,10C,10M,10Y,其係使 於各顯像裝置9K,9C,9M,9Y的可視像(色劑像) 轉印於一次轉印對象的中間轉印帶7。又,光學印表 在各感光鼓3K,3C,3M,3Y的周圍具備清潔裝置1 11C,11M,11Y。清潔裝置 liK,11C,11M,11Y 是 在一次轉印後去除殘留於各感光鼓3K,3C,3M,3Y 的色劑。 如此形成於各感光鼓3K,3C,3M,3Y上的黑色 色用 由所 於各 的顯 例如 光頭 青綠 如使 如使 制附 像滾 形成 準來 的周 顯像 依次 機1 ικ, 用以 表面 ,青 -13- (10)1342720
綠色’品紅’黃色的各可視像(色劑像)是藉由—次轉印 滾輪10K,10C,10M,10Y來依次一次轉印於中間轉印帶 7上。藉此一次轉印在中間轉印帶7上依次重疊而形成全 彩的可視像(色劑像)是藉由二次轉印滾輪來二次轉印於 用紙等的記錄媒體P上,通過一對的定著滚輪12來定著 於記錄媒體P上。定者有可視像(色劑像)的記錄媒體p 是藉由排紙滾輪13來引導而排出至形成於光學印表機I 上部的排紙托盤1 4上。 又’光學印表機1具備:保持多數記錄媒體p的給紙 卡匣15、由該給紙卡匣15來--供給記錄媒體P的拾取 滾輪16、及規定往二次轉印滾輪66的二次轉印部之記錄 媒體P的供給時序之閘滚輪17。又,光學印表機1具備 :和中間轉印帶7形成二次轉印部的二次轉印滾輪1 8、及 在二次轉印後除去殘留於中間轉印帶7表面的色劑之清潔 刮刀1 9。 φ 其次,說明有關有機EL曝光頭21<:,2(:,21^,2丫的 詳細。由於黑色用有機EL曝光頭2K、青綠色用有機EL 曝光頭2C、品紅色用有機EL曝光頭2M、及黃色用有機 EL曝光頭2Y是全部形成相同的構造,因此基於方便説明 ’針對黑色用有機EL曝光頭2K來進行説明,而省略其 他有機EL曝光頭2C,2M,2Y的詳細説明。 圖2是表示黑色用有機EL曝光頭2K的立體圖。黑 ' 色用有機EL曝光頭2K具備:配設於對一方向、即中間 轉印帶7的搬送方向正交的方向之箱體21、及以能夠位於 -14- (11) (11)1342720 箱體21與黑色用感光鼓3K之間的方式來支持固定於箱體 2 1之光學構件2 3。箱體2 1是在黑色用感光鼓3 Κ側具有 開口部,以能夠往該開口部射出光的方式來固定發光元件 陣歹IJ 2 2。 圖3(a)是表示發光元件陣列22的上面圖’圖3(b )是圖3(a)中a-a線剖面圖,圖3(c)是圖3(a)中 b-b線剖面圖。 如圖3 ( a )所示,發光元件陣列2 2是在基板S上配 列複數個作爲發光元件的有機電激發光元件(以下稱爲「 有機EL元件」)24。本實施形態的發光元件陣列22是等 間距配列成縱一列的複數個(本實施形態中爲1 〇個)有 機EL元件24爲2列配列。而且,各有機EL元件24是 以和隣接的其他列的有機EL元件24在縱方向僅偏移半間 距的方式來配置。亦即,各有機EL元件24是配列成鋸齒 格子狀。 並且,在複數個有機EL元件24的周圍,以能夠圍繞 該複數個有機EL元件24全體的方式來形成作爲隔壁的間 隔壁2 5。本實施形態的間隔壁2 5是如圖3 ( a )所示,以 能夠圍繞複數個有機EL元件24全體的方式來形成略四角 形狀。 如圖3 ( b ) ’ ( c )所示,間隔壁2 5是由形成於基板 S上的親液性間隔壁25a、及形成於該親液性間隔壁25a 上的撥液性間隔壁25b所構成。親液性間隔壁25a的一部 份是形成從撥液性間隔壁2 5 b突出於基板S中央側。親液 -15- (12)1342720 性間隔壁25a是原本具備親液性的材料,例如 Si 〇2 )所構成者。又’亦可爲不具備親液性者 常使用之習知的親液化處理來使表面親液化者 ’撥液性間隔壁2Sb是原本具備撥液性的材料 氟系樹脂構成者。又’亦可爲不具備撥液性者 使用之丙烯樹脂或聚醯亞胺樹脂等的有機樹脂 案’藉由CF4電漿處理等來使表面撥液化者。 又,如圖3 ( b ) . ( c )所示,藉由間隔璧 S中央形成有作爲元件形成區域的凹狀區域26 域26的底部形成有作爲陽極的畫素電極27。 的畫素電極27爲圓形形狀。又,本實施形態 2 7是形成等間距配列成縱一列的複數個(在本 爲1 0個),同時在橫方向配列成2列。而且 極27是配置成與隣接的其他列的畫素電極27 距於縱方向。各畫素電極2 7是分別經由獨立 接至未圖不的資料信號輸出驅動電路。而且, 號輸出驅動電路輸出的描繪資料信號會被供給 27 〇 並且’在凹狀區域26的底部,以能夠覆 方式來形成有發光層28。藉此,在各畫素電極 層有發光層28。而且,在撥液性間隔壁25b I 上全面形成有作爲共通電極的陰極29。此陰極 接至上述資料信號輸出驅動電路。又,在陰極 形成有密封構件3 0。然後,以上述畫素電極 以氧化矽( ,或施以通 。另一方面 ,例如可爲 ,或將通常 予以形成圖 I 25在基板 。在凹狀區 本實施形態 的畫素電極 實施形態中 ,各畫素電 僅偏移半間 的配線來連 從此資料信 至畫素電極 蓋其全面的 2 7上亦積 ^發光層2 8 2 9是被連 29上全體 27、及與上 •16- (13) (13)
1342720
述畫素電極27相對形成的陰極29、以及形成於上述畫 電極27與上述陰極29之間的發光層28來構成有機EL 件24。 具有如此構成的有機EL曝光頭2K,如圖3(b) (c )所示,發光層28的膜厚會在凹狀區域26内全域 成均一。因此,在各畫素電極27上形成有均一膜厚的 光層28。並且,形成於特定的畫素電極27上的發光層 的膜厚與形成於其他畫素電極27上的發光層28的膜厚 均一。 如圖4所示,光學構件23是位於與發光元件陣列 對向的位置。此光學構件23在内部具備複數個透鏡31 將從有機EL元件24射出的光予以集光後,自其他端側 出而照射(描繪)至黑色用感光鼓3K。 其他的有機EL曝光頭2C,2M,2Y也是同樣的, 置於該各發光元件陣列的有機EL元件的發光層的膜厚 形成均一。並且,其他的有機EL曝光頭2C,2M,2Y 由其光學構件23的另一端往所對應的各感光鼓3C,3M 3Y射出。然後,各感光鼓3K,3C,3M,3Y上的電位 準會按照所被射出的光來變化,而控制色劑的附著力, 各感光鼓3K’ 3C’ 3M,3Y上顯像根據上述描繪資料信 的可視像(色劑像)。此刻,由於設置於各有機E L曝 頭2K’ 2C’ 2M,2Y的各有機EL元件24的發光層的 厚是形成均一,因此被顯像於各感光鼓3K,3C,3M, 上的可視像(色劑像)爲無亮度不均等的顯示不均的可 素 元 形 發 28 爲 22 » 射 設 是 是 位 在 號 光 膜 3 Y 視 -17- (14) (14)1342720 像(色劑像)。 其次,按照圖5來説明有機EL曝光頭2K ’ 2C ’ 2M ,2Y的製造方法《另外,黑色用有機EL曝光頭2K、青 綠色用有機EL曝光頭2C、品紅色用有機EL曝光頭2M、 及黃色用有機EL曝光頭2Y是藉由完全相同的方法來製 造。因此,只說明黑色用有機EL曝光頭2K的製造方法 ,而省略詳細說明其他的有機EL曝光頭2C,2M,2Y。 首先,在基板S上的略中央,藉由習知的方法以能夠 配置成鋸齒格子狀的方式來使複數個畫素電極27圖案化 。接著,如圖5 (a)所示,在基板S上,於複數個畫素電 極27的周圍,以能夠圍繞複數個畫素電極27全體的方式 使氧化矽(Si02 )圖案化而形成親液性間隔壁25a。然後 ,在形成後的親液性間隔壁25a上,以親液性間隔壁25a 的一部份能夠突出於基板S中央側的方式使氟系樹脂圖案 化成例如高度爲1〜2 μιυ,而形成撥液性間隔壁2 5 b。藉此 ,在基板S上,於複轉個畫素電極27的周圍,以能夠圍 繞複數個畫素電極27全體的方式形成間隔壁25 (間隔壁 形成步驟)。其結果,在形成有畫素電極27的基板S中 央形成有凹狀區域2 6。 接著,在凹狀區域26内,藉由作爲液體製程的液滴 噴出法來形成發光層2 8 (元件形成步驟)。亦即,如圖5 (b)所示,使構成發光層28的組成物之發光材料溶解或 分散於二甲苯之特定的溶媒中而形成的液狀組成物L從噴 頭40的噴嘴N噴出。此刻,一邊使噴頭40沿著設置於噴 -18- (15) (15)1342720 頭40中的導軌4](沿著圖面的前面及後面延設)來對基 板S相對移動,--邊依次噴出液狀組成物L,而於凹狀區 域26内複數次噴出液狀組成物L。藉此,使液狀組成物L 塗佈於凹狀區域26内全面。 其次,將基板S例如載置於加熱板上,藉此加熱後使 液狀組成物L中的溶媒蒸發,於凹狀區域26的全面形成 發光層28 (參照圖5(c))。 此刻,由於在各畫素電極2 7之間無間隔壁,因此不 會像以往那樣依形成於各畫素電極2 7之間的間隔壁的表 面狀態而噴出的液狀組成物L的乾燥時間會在各畫素電極 27有所不同。所以,在乾燥後,雖發光層28會被形成於 凹狀區域26上全面,但此發光層28在凹狀區域26的全 面是形成均一的膜厚。 然後,在間隔壁25及發光層28上1藉由蒸著方法等 來積層LiF層、Ca層、A丨層等,形成陰極29。接著,在 陰極29全面形成具有光透過性之例如樹脂等所構成的密 封構件3 0 (參照圖5 ( d ))。 如上述,若利用本實施形態,則可發揮以下的效果。 (i )若利用本實施形態,則在基板S上形成圍繞複 數個有機EL元件24的畫素電極27全體之間隔壁25。然 後’在藉由間隔壁25而形成之基板S中央所形成的凹狀 區域26内全域塗佈液狀組成物L而形成發光層28。 因此’在各畫素電極27 (有機EL元件24 )無間隔壁 ’所以不會像以往那樣在各畫素電極27 (有機EL元件24 -19- (16) P42720 )依間隔壁的表面狀態而噴出的液狀組成物L的乾燥 會在各畫素電極27内有所不同。因此,發光層28會 狀區域26上全面形成均一的膜厚。其結果,形成於 壁25内的各有機EL元件24可形成無彼此亮度不均 顯示不均的可視像(色劑像)。 (2 )若利用本實施形態,則各有機EL曝光頭 2C,2M,2Y具備:具有複數個有機EL元件24的發 件陣列22、及位於與發光元件陣列22對向的位置的 構件23。然後,從各有機EL元件24射出的光是藉 學構件2 3來集光,照射至所對應的各感光鼓3 K,3 C ,3Υ上》此刻,各有機EL元件24的發光層28爲均 膜厚,因此顯像於各感光鼓3K,3C,3M,3Y上的色 是形成無亮度不均等的顯示不均的像。其結果,可提 種能夠印刷顯示品質佳的畫像之光學印表機1。 (3 )若利用本實施形態,則可藉由液滴噴出法 狀區域26内形成發光層28。因此,可不使用真空裝 ,形成所望膜厚的發光層28。又,由於液滴噴出法是 成發光層28的組成物之發光材料溶解或分散於特定 媒(例如、二甲苯)而形成的液狀組成物L噴出至凹 域26,然後在乾燥下形成發光層28,因此無關凹狀 26的形狀,可形成高精細的圖案化。 (第2實施形態) 其次,按照圖6來具體說明本發明的第2實施形 時間 在凹 間隔 等的 2K > 光元 光學 由光 ,3M —的 劑像 供一 在凹 置等 使構 的溶 狀區 區域 -20- (17) (17)1342720 在此第2實施形態中,與上述第1實施形態相同的構成構 件是賦予同樣的符號,而省略其詳細的説明。 圖6是表示第2實施形態之發光元件陣列22A的上面 圖’圖6(b)是圖6(a)中a-a線剖面圖,圖6(c)是 圖6 ( a )中b - b線剖面圖。 如圖6(a)所示,發光元件陣列22A是與上述第1 實施形態同様具有在基板S上配列複數個有機EL元件24 的構造’撥液性間隔壁2 5 b是共同圍繞發光元件陣列2 2 A 而配置。另一方面,親液性間隔壁4 5在本實施形態中是 以能夠區劃各畫素電極27的方式配置》 此親液性間隔壁4 5是例如膜厚爲5 0〜1 5 Onm,以氧 化矽(Si02 )所構成者《又,親液性間隔壁45亦可爲不 具備親液性者,或施以通常使用之習知的親液化處理來使 表面親液化者。 如此一來,可避免在畫素電極27的端部之電場的集 中。其結果,可延長有機EL元件24的壽命。 (第3實施形態) 其次,按照圖7來具體説明本發明的第3實施形態。 在此第3實施形態中,與上述第1及第2實施形態相同的 構成構件是賦予同樣的符號,而省略其詳細的説明。 圖7是表示第3實施形態的發光元件陣列22B的上面 圖。如圖7所示,發光元件陣列22B是與上述第1實施形 態同樣地以1個間隔壁50來圍繞複數個有機EL元件24 -21 - (18) (18)1342720 全體之方式形成。本實施形態的發光元件陣列22A僅形成 於基板S上的間隔壁5 0的形狀會與上述第1實施形態的 間隔壁2 5相異。亦即,如圖7所示,本實施形態的間隔 壁50是凹狀區域26的基板中央側的形狀會仿效有機EL 元件24的畫素電極27的形狀來形成。在本實施形態中’ 因爲畫素電極27爲圓形形狀,所以間隔壁50的凹狀區域 2 6的内側形狀會仿效畫素電極2 7的形狀來形成圓形形狀 。因此,從各畫素電極2 7的中心位置到間隔壁5 0的距離 會形成相等。如此一來,藉由液滴噴出法來將液狀組成物 L塗佈於凹狀區域2 6内之後,例如使用加熱板來使基板S 乾燥,但此刻在基板S上的端部(上端、下端、右端、左 端)溶媒分子分壓要比塗佈於基板S中央的液狀組成物L 低,因此會從基板S上的端側開始乾。此刻,因爲從各畫 素電極2 7的中心位置到間隔壁5 0的距離相等,所以可使 在畫素電極27上的乾燥不均降低。 如上述,若利用本實施形態,則可發揮以下的效果。 (1 )若利用本實施形態,則會仿效有機E L元件2 4 的畫素電極27的形狀來形成間隔壁50的凹狀區域26的 内側形狀。因此,從各畫素電極2 7的中心位置到間隔壁 50的距離會相等。其結果,可降低在畫素電極27上的乾 燥不均’因此可形成具有膜厚均一的發光層28之有機EL 元件2 4。 (第4實施形態) -22- (19) (19)1342720 其次,按照圖8〜圖丨1來具體説明本發明的第4實施 形態。在此第4實施形態中’與上述第1實施形態相同的 構成構件是賦予同樣的符號’而省'略其詳細的説明° 圖8(a)是表示發光元件陣列22C的上面圖,圖8( b)是圖8(a)中a-a線剖面圖。 發光元件陣列22C的有機EL元件24是其機能層除了 發光層28以外具備電洞注入層61及電子注入層62。 更詳而言之,如圖8(b)所示’在凹狀區域26的底 部,以能夠覆蓋各畫素電極27上的方式形成有電洞注入 層61。此電洞注入層61是以聚乙烯二氧基噻吩(以下記 載爲「PEDOT」)及聚苯乙烯磺酸(以下記載爲「PSS」 )的混合物所構成。另外,基於方便説明,在電洞注入層 61中,將配置於畫素電極27與陰極29所夾持的區域Q1 (形成於畫素電極27上的區域Q1)的電洞注入層61記 爲符號「61L」,將配置於複數個畫素電極27之間的區域 Q2的電洞注入層61記爲符號「61H」。 形成於各區域Q1的電洞注入層61L是具有數十〇/□ 〜數千Ω/α程度的薄片電阻率。另一方面,形成於區域Q2 的電洞注入層61Η是具有比通常的電洞注入層材料還要高 數ΜΩ/□〜數百ΜΩ/□的薄片電阻率。因此,從畫素電極 2 7供給的載流子(電洞)是幾乎不會流入電洞注入層6 1 Η ,集中流入各電洞注入層61L。 在電洞注入層61上形成有發光層28。在發光層28上 形成有電子注入層62。並且,在電子注入層62上以能夠 -23- (20) 1342720 共同覆蓋各畫素電極27及撥液性間隔壁25b的方式來形 成陰極29。 此電子注入層62爲有機導電性層,以聚對位苯基乙 • 烯(P0b ( Phenylene vinylene )系的聚合物所構成的習知 . 電子注入層材料。另外,基於方便説明,在電子注入層62 . 中,將配置於畫素電極27與陰極29所夾持的區域Q1 ( • 形成於畫素電極27上的區域Q1)的電子注入層62記爲 φ 符號「62L」’將配置於複數個畫素電極27之間的區域 Q2的電子注入層62記爲符號「62H」。 形成於各區域Q1的電子注入層62 L是具有原本含聚 對位苯基乙烯系的聚合物之電子注入材料的電阻値。另一 方面’形成於區域Q2的電子注入層6211是具有比原本含 聚對位苯基乙烯系的聚合物之電子注入層62更高的電阻 値。因此,從陰極29供給的載流子(電子)是幾乎不會 流入電子注入層62H,集中流入各電子注入層62L。 φ 在陰極29的上面全體形成有上述密封構件30 »然後 ,以電洞注入層61L、發光層28及電子注入層62L來構 成機能層。並且,藉由畫素電極27及陰極29、以及夾持 於該等間的機能層來構成發光元件的有機EL元件24。 具有如此構成的有機EL曝光頭2K,如圖8 ( b )所 示,電洞注入層61、發光層28、電子注入層62的各膜厚 會在凹狀區域26内全域形成均一。因此,在各畫素電極 ' 27上形成有均一膜厚的發光層28。 其次,按照圖9〜圖11來説明有機EL曝光頭2K, -24- (21) 1342720 2C,2M,2Y的製造方法。另外,黑色用有機EL曝光 2K、青綠色用有機EL曝光頭2C、品紅色用有機EL曝 頭2M、及黃色用有機EL曝光頭2Y是藉由完全相同的 法來製造。因此,只說明黑色用有機EL曝光頭2K的 造方法,而省略詳細說明其他的有機EL曝光頭2C,2Μ 2Υ。 首先,在基板S上的略中央,與上述第1實施形態 樣地藉由習知的方法來鋸齒格子狀地使20個畫素電極 圖案化。接著,如圖9 ( a )所示,在基板S上,以能夠 繞各畫素電極27全體的方式使氧化矽(Si02 )圖案化 形成親液性間隔壁25a。然後,在形成後的親液性間隔 2 5 a上,以親液性間隔壁2 5 a的一部份會突出於基板S 央側之方式使氟系樹脂圖案化成例如高度爲1〜2 μιη程 而形成撥液性間隔壁25b。藉此,在基板S上,以能夠 繞各畫素電極27全體的方式形成間隔壁25 (間隔壁形 步驟)。其結果,在形成有各畫素電極27的基板S中 形成有凹狀區域26。 接著,在凹狀區域26内藉由液體製程的一種液滴 出法來形成電洞注入層61。亦即,如圖9 ( b )所示, 以PEDOT/PSS爲主體的電洞注入層材料溶解或分散於 二醇(Ethylene glycol)之特定的溶媒中而形成的液狀 成物LA從噴頭65的噴嘴N噴出。此刻,一邊使噴頭 沿著設置於噴頭65中的導軌65A (沿著圖面前面及後 延設)來對基板S移動於圖面的前面及後面,一邊將液 頭 光 方 製 同 27 圍 而 壁 中 度 圍 成 央 噴 使 乙 組 65 面 狀 -25- (22) 1342720 組成物LA複數次噴出至凹狀區域26内。藉此 物LA會被塗佈於凹狀區域26内全面(機能層 〇 在本實施形態中,混合電洞注入材料之 的比率爲使用PEDOT: PSS = 1 : 5〜1 : 1〇者。 PEDOT的比率,則電阻會降低,同時可謀求形 元件的發光電壓的低電壓化或高效率化、長壽 若降低電洞注入材料的電阻,則因爲電洞注入 會作爲電極作用,所以容易發生所謂發光的 talk ),亦即使發光之發光元件的周邊部會發 數個發發光元件發光時配置於其間的發光元件 此,通常大多會使用PEDOT: PSS=1: 20程度 施形態中,由於具有使該電洞注入層6 1的一 化的步驟,因此可使用如此電阻低的電洞注入 其次,將基板S搬送至密閉容器内,使容 藉此從配置於基板S上的液狀組成物LA來除 以膜化。若減壓從大氣壓到ITorr是以30秒 的時間來進行,則可形成平坦性更高的電洞注 且,在使用複數種類的溶媒時,亦可配合所使 的蒸氣壓,以能夠在該溶媒的蒸氣壓附近保持 在複數個步驟進行減壓。如此一來,可使在配 組成物LA全面之乾燥的速度更形成均一,可 更高的膜。在本發明中,由於各畫素電極27 離間隔壁25某程度的區域,因此對配置於其 ,,液狀組成 形成步驟) PED0T/PSS 若如此提高 成後之發光 命化。但, 層的一部份 串訊 (cross 光,或使複 會發光。因 者。在本實 部份高電阻 材料。 器内減壓, 去溶媒,予 到數分程度 入層6 1 〇並 用之各溶媒 壓力的方式 置後的液狀 形成平坦性 會被配置於 上的液狀組 -26- (23) 1342720 成物LA的乾燥狀態之間隔壁25的影響會被低減,可在全 體的畫素電極27上形成平坦、膜厚均一性高的電洞注入 層6 1。 並且,亦可與第1實施形態同樣地將基板S例如載置 於加熱板上,藉此加熱而使液狀組成物LA中的溶媒蒸發 ,在凹狀區域26上全面形成電洞注入層61 (參照圖9(c
接著,如圖10(a)所示,在電洞注入層61上載置光 罩Ml。光罩Ml爲覆蓋電洞注入層61的全面之大小者, 具備對紫外光具有透過性的透過區域Ta、及遮斷紫外光 的透過之非透過區域Tb。光罩Μ 1是縱一列等間距配列 1 〇處的圓形形狀的非透過區域Tb會被配列2列。而且, 各非透過區域Tb是以和隣接的其他列的非透過區域Tb在 縱方向僅偏移半間距的方式配置。亦即,光罩Μ 1的各非 透過區域Tb是配置於相對向於畫素電極27上的區域Q1 的位置,透過區域Ta是配置於相對向於畫素電極27以外 的區域Q2的位置。因此,在形成於各畫素電極27上的區 域Q1的電洞注入層61中配置有非透過區域Tb,且在形 成於各畫素電極27上的區域Q2的電洞注入層61中配置 有透過區域Ta » 然後,如圖6(a)所示,經由光罩Ml來對電洞注入 層61全面照射紫外光R (光照射步驟)。所照射的紫外 光最好爲35〇nm以下,更理想爲250〜300nm的波長。其 結果,在位於區域Q1的電洞注入層61不會有紫外光R照 -27- (24) (24)1342720 射’僅位於區域Q2的電洞注入層6】有紫外光R照射。位 於被紫外光R照射的區域Q2之電洞注入層6 1,其結晶性 會變性’電阻値會變高。另一方面,位於未被紫外光R照 射的區域Q 1之電洞注入層6 1,其結晶性不會變性,電阻 値低。如此一來,可形成具備:具有低電阻値的電洞注入 層61L、及具有高電阻値的電洞注入層61H之電洞注入層 6 1。 更實施100°c〜150 °c,1分鐘〜數分鐘的加熱處理。 藉由進行加熱處理,以紫外光所曝光的區域的反應會更安 定進行,可提高照射再現性佳的紫外光之區域的電阻》 在本實施形態中,選擇性照射紫外光的方法,雖是記 載使用直接密著或接近基板S的光罩之方式,但可亦可使 用投影型的曝光裝置,利用形成於玻璃光罩上的光罩來選 擇性地照射紫外光。 接著,與上述第1實施形態同樣地藉由液滴噴出法來 形成發光層2 8。亦即,如圖1 0 ( c )所示,使構成發光層 28的組成物之發光材料溶解或分散於二甲苯之特定的溶媒 中而形成的液狀組成物L從噴頭4 0的噴嘴N噴出。此刻 ,一邊使噴頭4〇沿著設置於噴頭40中的上述導軌4〗來 對基板S移動於圖面的前面及後面方向,一邊依次噴出液 狀組成物L,藉而於電洞注入層6 1的全面噴出液狀組成 物L。藉此,液狀組成物L會被塗佈於電洞注入層61上 全面。 其次,與形成電洞注入層61的步驟同樣地,將基板 -28- (25) (25)1342720 S搬送至密閉容器内,使容器内減壓,藉此從配置於基板 S上的液狀組成物L來除去溶媒,予以膜化。由於各畫素 電極27會被配置於離開間隔壁25某程度的區域,因此可 在全體的畫素電極27上形成平坦、膜厚的均一性高的發 光層2 8。 並且、亦可將基板S例如載置於加熱板上,藉此加熱 使液狀組成物L中的溶媒蒸發,形成發光層28。此刻, 由於電洞注入層61是在凹狀區域26的全面形成均一的膜 厚,因此在蒸發後,此發光層28會在凹狀區域26的全面 形成均一的膜厚。 接著,在發光層28上藉由液滴噴出法來形成電子注 入層62。亦即,使構成電子注入層62的組成物之含聚對 位苯基乙烯系的聚合物的電子注入層材料溶解或分散於二 甲苯之特定的溶媒中而形成的液狀組成物從噴頭的噴嘴噴 出,對發光層28的全面噴出將電子注入層材料溶解或分 散於特定的溶媒之液狀組成物》然後,將基板S搬送至密 閉容器中,將容器内予以減壓,使液狀組成物中的溶媒蒸 發,將配置於基板S上的液狀組成物膜化。又,例如亦可 藉由載置於加熱板上來加熱而使上述電子注入層材料的液 狀組成物中的溶媒蒸發。此刻,如圖1 1 ( a )所示,由於 發光層28是在全面爲均一的膜厚,因此電子注入層62會 在凹狀區域26的全面形成均一的膜厚。 其次,如圖U(a)所示,在電子注入層62上載置光 罩M2。光罩M2爲覆蓋電子注入層62上全面的大小,與 -29- (26)1342720 上述光罩Ml同形狀。亦即,具備:對紫外光具有透過 的透過區域Ta、及遮斷紫外光的透過之非透過區域Tb 非透過區域Tb是被配置於相對向於各畫素電極27上的 域Q 1之位置,透過區域Ta是被配置於相對向於畫素電 27以外的區域Q2之位置。因此,在形成於各畫素電極 上的區域Q1之電子注入層62中配置有非透過區域Tb 且在形成於各畫素電極27上的區域Ql以外的區域Q2 電子注入層62中配置有透過區域Ta。 然後,如圖 Π ( a )所示,經由光罩M2來對電子 入層6 2全面照射紫外光R (光照射步驟)。所照射的 外光是與上述同様爲350nm以下,最好爲250〜300nm 波長者。其結果,在位於區域Q1的電子注入層62未被 射紫外光R,只在位於區域Q2的電子注入層62被照射 外光R。其結果,位於被照射紫外光R的區域Q2之電 注入層62,其結晶性會變性,電阻値會變高。另一方面 位於未被照射紫外光R的區域Q1之電子注入層62,其 晶性不會變性,電阻値低。如此一來,可形成具備:具 低電阻値的電子注入層62L、及具有高電阻値的電子注 層62H之電子注入層62 » 更實施100 °C〜150 °C,1分鐘〜數分鐘的加熱處理 藉由進行加熱處理,以紫外光所曝光的區域的反應會更 定進行,可提高照射再現性佳的紫外光之區域的電阻。 在本實施形態中,選擇性照射紫外光的方法,雖是 載使用直接密著或接近基板S的光罩之方式,但可亦可 性 > I品. 極 27 » 之 注 紫 的 昭 y*\\ 紫 子 > 結 有 入 安 記 使 •30 - (27) 1342720 用投影型的曝光裝置,利用形成於玻璃光罩上的光罩來選 擇性地照射紫外光。 接著,如圖11 (b)所示,從電洞注入層61除去光罩 , M2。然後,在間隔壁2 5及電子注入層62上,藉由習知的 蒸著方法等來積層LiF層、Ca層、A1層等,形成陰極29 。接著,與上述第1實施形態同樣在陰極29全面形成具 . 有光透過性之例如以樹脂等所構成的密封構件3 0 (參照圖 • 11(c)) > 如上述,若利用本實施形態,則可發揮以下的效果。 (1 )若利用本實施形態,則可藉由液滴噴出法在凹 狀區域26内形成電洞注入層61、發光層28、電子注入層 62。因此,可不使用真空裝置等,形成所望膜厚的電洞注 入層61、發光層28、電子注入層62。並且,藉由在凹狀 區域26内配置複數個畫素電極27,可將形成於各畫素電 極上的電洞注入層61、發光層28、電子注入層62的膜厚 φ 均一地形成於各畫素電極。 (2 )若利用本實施形態,則從各畫素電極2 7供給的 電洞、及從陰極29供給的電子不會流入夾持於各畫素電 極27與陰極29的區域Q1以外的區域Q2。其結果,在對 特定的畫素電極27上的發光層28供給電洞及電子時,可 抑止其周邊的發光層或隣接的其他畫素電極27上的發光 層28會同時發光,亦即所謂發光的串訊發生。因此,可 ' 實現能夠更高精細的描繪之有機EL曝光頭2K,2C,2M ,2Y。其結果,可實現能夠印刷高精細的畫像之光學印表 -31 - (28) (28)1342720 機1。 特別是在電子照片印表機用的光寫入頭中’各畫素的 發光光線往周邊部的擴散會導致結像於感光體上時的對比 度降低。雖提案一藉由在畫素周邊設置遮光層來防堵該畫 素周邊部的光之方法,但因爲發光光線未被有效使用’所 以光的利用效率會降低。本發明的情況,是藉由使電荷集 中於畫素電極27上的發光層28來縮小發光區域,因此可 兼顧高的光利用效率、及使結像時的高解像度。 (3 )若利用本實施形態,則可藉由選擇性照射紫外 光,在電洞注入層6〗或電子注入層62分開製作電阻高的 區域 '及電阻低的區域。因此,可在不使製造步驟複雜化 的情況下提高發光元件的發光效率、及達成高精細化。 (4 )若利用本實施形態,則即使使用薄片電阻率( Sheet Resistivity)低的電洞注入材料或電子注入材料時 ’還是能夠抑止發光的串訊。使用薄片電阻低的電洞注入 材料或電子注入材料’可期待發光電壓的低電壓化或發光 效率的提升、及發光元件的壽命提高。因此,藉由使用本 發明’可利用該等薄片電阻率低的電洞注入材料或電子注 入材料,在不使發光裝置的解像度或光利用效率降低的情 況下’謀求低電壓化或發光效率的提升 '及元件壽命的提 高。另外’在本實施形態中雖是使用畫素電極27作爲陽 極的構造’但在使用畫素電極27作爲陰極的構造中本發 明亦有效。此情況’可藉由在電子注入/輸送層選擇性地 照射紫外光’使各畫素電極27的電子注入/輸送層高電阻 -32- (29) (29)1342720 化的情況下發揮高效果。 (第5實施形態) 其次,按照圖1 2來具體説明本發明的第5實施形態 。在此第5實施形態中,除了其間隔壁的構造以外,其餘 則與上述第4實施形態相同。因此針對與上述第4實施形 態相同的構成構件賦予同樣的符號,而省略其詳細的説明 〇 圖1 2是表示第5實施形態之發光元件陣列22D的上 面圖,圖12(b)是圖12(a)中a-a線剖面圖。 如圖1 2 ( a )所示,發光元件陣列2 2 D是與上述第4 實施形態同様具有在基板S上除了發光層28以外配列複 數個具備電洞注入層61及電子注入層62的有機EL元件 24之構造,撥液性間隔壁25b是共同圍繞發光元件陣列 22D而配置。然後,位於畫素電極27上方的區域Q1的電 洞注入層61L及電子注入層62L與位於畫素電極27上方 以外的區域Q2的電洞注入層61H及電子注入層62H相較 之下,分別爲電阻低的層。 另一方面,親液性間隔壁45,在本實施形態中是以能 夠區劃各畫素電極27的方式配置。此親液性間隔壁45是 例如膜厚爲50〜150nm,以氧化矽(Si02 )所構成者。又 ’親液性間隔壁4 5亦可爲不具備親液性者,或施以通常 使用之習知的親液化處理來使表面親液化者。 如此一來,可避免在畫素電極27的端部之電場的集 -33- (30) (30)1342720 中。其結果,可延長有機EL元件24的壽命。 另外,發明的實施形態並非限於上述第1〜第5實施 形態,亦可如以下那樣實施。 在上述實施形態中主要是說明有關電子照片印表機用 的光寫入頭,但只要是具有連續的電洞注入層、電子注入 層之構造,本發明亦可有效地適用。例如,亦可使用於藉 由矩陣狀的白色發光元件中組合彩色濾光片來進行彩色化 之顯示裝置等。 〇在上述各實施形態中,雖是使用液滴噴出法來形成 電洞注入層61、電子注入層62及發光層28,但並非限於 此。例如,亦可使用分配器(dispenser)來塗佈含電洞注 入層材料、電子注入層材料及發光層材料的各液狀組成物 。如此一來,可取得與上述實施形態同様的效果。 〇在上述各實施形態中,畫素電極27爲形成圓形形 狀,但並非限於此,例如亦可爲略四角形狀。此情況,藉 由使用形成上述實施形態那樣四角形狀的間隔壁25,可形 成具有膜厚更均一的電洞注入層61、電子注入層62及發 光層28之有機EL元件24。 〇在上述各實施形態中,電洞注入層61是含PEDOT 的有機導電性層,但亦可爲不含PEDOT的有機導電性層 。又’雖電子注入層62是含聚對位苯基乙烯系的聚合物 之有機導電性層,但亦可爲不含聚苯胺的有機導電性層。 〇在上述各實施形態中,發光元件爲使用有機EL元 件,但並非限於此。總之,無論是哪種發光元件,只要至 -34- (31) 1342720 少一部份的層爲藉由液狀組成物來形成的發光元件即可。 〇在上述第4及第5實施形態中,雖是以畫素電極27 、電洞注入層61、發光層28、電子注入層62及陰極29 . 來構成有機EL元件24,但本發明並非限於此。例如,有 , 機EL元件24除了畫素電極27 '電洞注入層61、發光層 28、電子注入層62及陰極29以外,亦可在電洞注入層61 . 與發光層28之間設置電洞輸送層,且在電子注入層62與 0 陰極29之間設置電子输送層。 並且,在設置各電洞輸送層及電子輸送層時,藉由提 高位於該畫素電極27上的區域Q1以外的區域Q2之各電 洞輸送層及電子輸送層的電阻値,可使自各畫素電極27 所供給的電洞集中至形成於各畫素電極27上的區域Q1的 電洞注入層6 1 L而供給。因此,可抑止所謂發光的串訊發 生。 〇在上述第4及第5實施形態中,是提高位於畫素電 φ 極27上的區域Q1以外的區域Q2全體之電洞注入層61H 及電子注入層62H的各電阻値。亦可不是畫素電極27上 的區域Q1以外的區域Q2全體,而是僅提高位於各畫素 電極27上的區域Q1的周圍附近的區域Q2之電洞注入層 6 1及電子注入層62的電阻値。如此,可取得與上述實施 形態同樣的效果。 〇在上述第4及第5實施形態中,是在基板S上積層 畫素電極27、電洞注入層61、發光層28'電子注入層62 及陰極29,提高位於畫素電極27上的區域Q1以外的區 -35- (32) 1342720 域Q2之電洞注入層61及電子注入層62的電阻値,但形 成高電阻値的層並非限於電洞注入層61及電子注入層62 。例如,亦可在基板S上積層畫素電極27、發光層28及 • 陰極29,提高位於畫素電極27上的區域Q1以外的區域 Q2之發光層28的電阻値。如此一來,可使自各畫素電極 27所供給的電洞集中至形成於各畫素電極27上的區域Q1 的發光層28而供給,因此可抑止所謂發光的串訊發生。 φ 又,有機EL元件24除了畫素電極27、電洞注入層 61、發光層28、電子注入層62及陰極29以外,亦可在電 洞注入層61與發光層28之間設置電洞輸送層,且在電子 注入層62與陰極29之間設置電子輸送層,提高位於該畫 素電極27上的區域Q1以外的區域Q2之各電洞輸送層及 電子輸送層的電阻値。總之,只要位於畫素電極27上的 區域Q1以外的區域Q2之各層的電阻値比位於畫素電極 27上的區域Q1之各層的電阻値高即可。
# 〇在上述各實施形態中,電洞注入層61是含PEDOT 的有機導電性層,但即使是含聚苯胺的有機導電性層,亦 可取得與上述實施形態同樣的效果。 〇在上述第4及第5實施形態中,是藉由使用紫外光 R的化學反應來提高電阻値,但亦可使用紫外光R以外的 光來提高電阻値。例如,使利用碳酸雷射、準分子雷射、 YAG雷射等來照射後的區域熱變性而形成高電阻。又,亦 ' 可使用更高的能量來進行雷射照射,藉由雷射磨去來去除 照射後的區域的膜。又,亦可使用事先選擇性配置預照射 -36- (33) (33)1342720 至所欲使高電阻化的區域之雷射光的吸収率高的材料,以 適當的値在形成膜的面全面照射雷射之步驟。利用如此的 雷射之加工是在現壓環境中或惰性氣體的環境中進行,但 最好是在防止汚染或機能層劣化的情況下進行。特別是雷 射加工雖是在發光層的形成前的步驟進行,但最好爲了防 止發光層的劣化。例如,在電洞注入層上形成發光層時, 對電洞注入層進行雷射的加工。 〇在上述第4及第5實施形態中,是在基板S上積層 畫素電極27、電洞注入層61、發光層28、電子注入層62 及陰極29,在位於畫素電極27上的區域Q1以外的區域 Q2之電洞注入層61及電子注入層62照射紫外光R,藉此 來提高區域Q2内的電洞注入層61及電子注入層62的電 阻値。但,亦可在位於除了形成有畫素電極2 7的區劃區 域以外的電洞注入層61的正下方的基板S上設置吸收紫 外光R的特定材料所構成的層。並且,同樣的在位於電子 注入層62的正下方的畫素電極27上的區域Q1以外的全 區域Q2的發光層28上設置在基板S上吸收紫外光R的 特定材料所構成的層。然後’使用光罩Ml,M2來照射紫 外光R。如此一來,可在位於畫素電極27上的區域Q1以 外的全區域Q2之電洞注入層61及電子注入層62有效地 使紫外光R吸収,因此可確實地提高上述區域Q2内的電 洞注入層61及電子注入層62的電阻値。 〇在上述第4及第5實施形態中,是在畫素電極27 上設置電洞注入層61的同時’在陰極29的正下方設置電 -37- (34) 1342720 子注入層62,但本發明並非限於此。對於在畫素電極27 上形成有電子注入層,在陰極29的正下方形成有電洞注 入層的構造亦可適用。亦即,以畫素電極27作爲陰極, 以陰極29作爲陽極時,使位於該畫素電極27上的區域 Q 1以外的區域Q2之電子注入層的電阻値比區域Q 1形成 更高。又,使位於畫素電極27上的區域Q1以外的區域 Q2之電洞注入層的電阻値形成比區域Q 1更高。如此一來 ’亦可取得與上述實施形態同樣的效果。 【圖式簡單說明】 圖1是表示光學印表機的主要剖面圖。 圖2是表示黑色用有機EL曝光頭的立體圖》 ® 3 ( a )是表示第1實施形態的發光元件陣列的上面 匱1 ’ ® ( b )是表示(a )中a-a線剖面圖,圖(c )是表示 圖(a )中b-b線剖面圖。 φ 圖4是用以說明光學構件的構成。 圖5(a)〜(d)是分別用以說明有機EL曝光頭的 製造方法。 圖6 ( a )是表示第2實施形態的發光元件陣列的上面 圖’圖(b)是表示(a)中a-a線剖面圖,圖(c)是表示 圖(a )中b-b線剖面圖。 圖1 7是表示第3實施形態的發光元件陣列的上面圖。 ' ® 8 ( a )是表示第4實施形態的發光元件陣列的上面 圖’圖I ( b)是表示圖(a)中a-a線剖面圖。 -38- (35) (35)1342720 圖9 ( a )〜(c )是分別用以說明第4實施形態的有 機EL印字頭的製造方法。 圖1 0 ( a )〜(c )同樣是分別用以說明第*實施形態 的有機EL印字頭的製造方法。 圖1 1 ( a )〜(c )同樣是分別用以說明第4實施形態 的有機EL印字頭的製造方法。 圖1 2 ( a )是表示第5實施形態的發光元件陣列的上 面圖,圖(b)是表示圖(a)中a-a線剖面圖。 【主要元件符號說明】 S :基板 1:作爲光電裝置的光學印表機 2C ’ 2K,2M,2Y :作爲光寫入頭及發光部單元之青 綠色用有機EL曝光頭、黑色用有機EL曝光頭、品紅色 用有機EL曝光頭、及黃色用有機EL曝光頭 22,22A,22B,22C,22D:發光元件陣列 23 :光學構件 24:作爲發光元件的有機電激發光元件 2 5 :間隔壁 27 :畫素電極 28 :發光層 29 :作爲共通電極的陰極 61:作爲有機導電性層的電洞注入層 62:作爲有機導電性層的電子注入層 -39-

Claims (1)

1342720 年背3修(更)正本 第0951 1 1000號專利申請案中文申請專利範圍修正本 民國100年1月27日修正 十、申請專利範圍 1. 一種光電裝置’其特徵係具有: 隔壁: 凹狀區域’其係被上述隔壁包圍;
複數個畫素電極,其係被配置於上述凹狀區域内; 發光層,其係以液體吐出法來吐出液狀組成物至上述 凹狀區域内,藉此形成於上述凹狀區域内及上述複數個畫 素電極上:及 共通電極’其係形成於上述發光層的上方,以至少能 夠覆蓋形成有上述複數個畫素電極的區域之方式形成, 又,上述隔壁係以能夠仿效各個上述複數個畫素電極 的外周之方式來形成。 2.—種光電裝置,其特徵係具有:
隔壁; 凹狀區域’其係被上述隔壁包圍;及 複數個發光元件,其係配置於上述凹狀區域内, 又,上述發光元件係具有: 畫素電極,其係被配置於上述凹狀區域内; 發光層’其係以液體吐出法來吐出液狀組成物至上述 凹狀區域内,藉此形成於上述畫素電極上; 共通電極’其係形成於上述發光層的上方,以至少能 夠覆蓋形成有複數個上述畫素電極的區域之方式形成, Γ342720 又’上述隔壁係以從配列於接近該隔壁的側之上述複 數個發光元件的外周到上述隔壁的距離能夠大致相等的方 式形成。 3. 如申請專利範圍第〗或2項之光電裝置,其中上述畫 素電極係具有圓形形狀。 4. 如申請專利範圍第丨或2項之光電裝置,其中上述隔 壁係以從上述複數個畫素電極的中心位置到上述隔壁的距 離能夠相等的方式形成。 5. 如申請專利範圍第1或2項之光電裝置,其中上述複 數個畫素電極的各個之間、及上述複數個畫素電極與上述 共通電極之間至少具有上述發光層與機能層。 6 .如申請專利範圍第1或2項之光電裝置,其中上述 複數個畫素電極係配列成鋸齒格子狀。 7.如申請專利範圍第5項之光電裝置,其中上述機能 層的電阻値係配置於上述複數個畫素電極之間的上述機能 層的電阻値比配置於上述複數個畫素電極與上述共通電極 所夾持的區域的上述機能層的電阻値更高。 8 .如申請專利範圍第7項之光電裝置,其中上述機能 層具備有機導電性層, 配置於上述複數個畫素電極之間的上述有機導電性層 的電阻値係比配置於上述複數個畫素電極與上述共通電極 所夾持的區域的上述有機導電性層的電阻値更高。 9.如申請專利範圍第8項之光電裝置,其中上述有機 導電性層係含聚乙烯二氧基噻吩。 -2 - 1342720 i〇.如申請專利範圍第8項之光電裝置,其中上述有 機導電性層係含聚苯胺。 11·如申請專利範圍第1或2項之光電裝置,其中從上 述發光層射出的光係選擇性地照射感光體。 12. —種光電裝置的製造方法,其特徵係具備: 形成複數個畫素電極之步驟; 形成共同圍繞上述複數個畫素電極全體的隔壁之步驟
在藉由上述隔壁所爲圍繞的區域形成機能層之步驟; 及 在藉由上述隔壁所包圍的區域,以液體吐出法來吐出 液狀組成物,藉此於上述凹狀區域内及上述複數個畫素電 極上形成包含發光層的機能層之步驟, 又,上述隔壁係以從各上述複數個畫素電極的中心位 置到上述隔壁的距離能夠相等的方式形成。
13. 如申請專利範圍第12項之光電裝置的製造方法, 其中上述畫素電極係具有圓形形狀。 14. 如申請專利範圍第12或13項之光電裝置的製造方 法,其中更具備在上述機能層選擇性地照射光之步驟。 1 5 .如申請專利範圍第1 2或1 3項之光電裝置的製造方 法,其中在配置於上述畫素電極與畫素電極之間的區域之 上述機能層選擇性地照射光。 16.如申請專利範圍第1 5項之光電裝置的製造方法 其中上述光爲紫外光。 1342720 1 7 .如申請專利範圍第1 5項之光電裝置的製造方法, 其中在照射上述光之後,在上述機能層進行熱處理。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4857688B2 (ja) * 2005-09-29 2012-01-18 カシオ計算機株式会社 表示装置及びその製造方法
US7892059B2 (en) * 2006-05-10 2011-02-22 Casio Computer Co., Ltd. Manufacturing method for organic electroluminescent display device including etching partition wall after imparting lyophilicity to partion wall and pixel electrode
JP4333728B2 (ja) * 2006-09-14 2009-09-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法および電子機器
DE102007052133A1 (de) 2007-09-04 2009-03-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisches Bauteil, Verfahren zur Herstellung des Bauteils und optoelektronisches Bauelement mit dem Bauteil
JP4497185B2 (ja) * 2007-09-18 2010-07-07 カシオ計算機株式会社 表示装置の製造方法
CN104766929A (zh) * 2007-10-23 2015-07-08 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于照明的装置、方法和系统
WO2009125472A1 (ja) * 2008-04-07 2009-10-15 パイオニア株式会社 発光素子及び表示パネル
JP5181019B2 (ja) * 2008-04-07 2013-04-10 パイオニア株式会社 発光素子及び表示パネル
JP5350365B2 (ja) * 2008-04-07 2013-11-27 パイオニア株式会社 発光素子及び表示パネル
WO2009125471A1 (ja) 2008-04-07 2009-10-15 パイオニア株式会社 発光素子及び表示パネル
DE102009006655A1 (de) * 2009-01-29 2010-08-05 Emde Projects Gmbh Licht abstrahlende plattenförmige Anordnung
JP5982146B2 (ja) * 2011-06-16 2016-08-31 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 有機発光構造物、有機発光構造物の製造方法、有機発光表示装置、及び有機発光表示製造方法
KR101803724B1 (ko) * 2011-06-16 2017-12-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 구조물, 유기 발광 구조물의 제조 방법, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 제조 방법
JP2013045635A (ja) * 2011-08-24 2013-03-04 Sony Corp 有機el表示装置、有機el表示装置の製造方法および電子機器
US8981391B2 (en) * 2012-06-22 2015-03-17 Industrial Technology Research Institute Display panel with high transparency
US9614191B2 (en) 2013-01-17 2017-04-04 Kateeva, Inc. High resolution organic light-emitting diode devices, displays, and related methods
US9444050B2 (en) 2013-01-17 2016-09-13 Kateeva, Inc. High resolution organic light-emitting diode devices, displays, and related method
CN110120469A (zh) * 2013-01-17 2019-08-13 科迪华公司 高分辨率有机发光二极管器件
JP2015053214A (ja) * 2013-09-09 2015-03-19 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3832853A (en) * 1973-03-26 1974-09-03 T Butler Wind and solar energy conversion system for multi-story buildings
US3956902A (en) * 1975-03-25 1976-05-18 Fields Jr Joe C Heating and cooling system
US4068132A (en) * 1976-04-07 1978-01-10 Abraham Bardekoff Wind powered electrical generating plant
US4321476A (en) * 1980-06-24 1982-03-23 Buels Jesse H Bi-directional wind power generator
US5272378A (en) * 1992-08-06 1993-12-21 Wither Thomas A Apparatus for generating power
US5394016A (en) * 1993-04-22 1995-02-28 Hickey; John J. Solar and wind energy generating system for a high rise building
JPH08120228A (ja) * 1994-10-20 1996-05-14 Hitachi Ltd 導体接続構造体、その製造方法および接続部材
JP2916887B2 (ja) * 1994-11-29 1999-07-05 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源、画像形成装置の製造方法
CN101068025B (zh) 1997-08-21 2010-05-12 精工爱普生株式会社 显示装置
JP3803355B2 (ja) * 1997-08-21 2006-08-02 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
US6041596A (en) * 1998-03-23 2000-03-28 Royer; George R. Building structure for utilization of wind power
JP4114895B2 (ja) 1998-07-08 2008-07-09 Tdk株式会社 有機el表示装置
WO2000008899A1 (en) * 1998-08-03 2000-02-17 Uniax Corporation Encapsulation of polymer-based solid state devices with inorganic materials
US7288420B1 (en) * 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
JP4550958B2 (ja) * 1999-11-16 2010-09-22 株式会社沖データ 駆動回路
JP2001351787A (ja) * 2000-06-07 2001-12-21 Sharp Corp 有機led素子とその製造方法および有機ledディスプレイ
KR100403714B1 (ko) * 2000-06-10 2003-11-01 씨씨알 주식회사 웹문서 레이아웃 이미지 및 웹사이트 구조를 제공하여인터넷 검색을 용이하게 할 수 있는 시스템 및 방법
JP2002226792A (ja) * 2000-11-09 2002-08-14 Sanyo Chem Ind Ltd 異方性導電接合材形成用材料
JP3628997B2 (ja) 2000-11-27 2005-03-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP2002329576A (ja) 2001-04-27 2002-11-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2003022892A (ja) 2001-07-06 2003-01-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の製造方法
JP4766218B2 (ja) 2001-07-09 2011-09-07 セイコーエプソン株式会社 有機elアレイ露光ヘッドとその作製方法及びそれを用いた画像形成装置
US6877948B2 (en) * 2001-07-10 2005-04-12 Alan B. Cutcher Wind turbine generator
JP2003045665A (ja) * 2001-07-27 2003-02-14 Tdk Corp 有機el表示装置
KR100404204B1 (ko) * 2001-08-21 2003-11-03 엘지전자 주식회사 유기 el 소자
JP2003133070A (ja) 2001-10-30 2003-05-09 Seiko Epson Corp 積層膜の製造方法、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び電子機器
JP2003217824A (ja) * 2002-01-24 2003-07-31 Canon Inc 有機発光素子、並びに該有機発光素子を用いた発光素子アレイ、投光機、光書き込み装置、表示素子、および電子写真方式のプリンター
GB0202435D0 (en) * 2002-02-02 2002-03-20 Gordon David H Renewable energy resources
JP3975779B2 (ja) 2002-03-01 2007-09-12 株式会社日立製作所 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法
JP2003291406A (ja) * 2002-04-02 2003-10-14 Seiko Epson Corp 有機elアレイ露光ヘッド及びそれを用いた画像形成装置
JP4240198B2 (ja) * 2002-08-09 2009-03-18 セイコーエプソン株式会社 露光ヘッド及びそれを用いた画像形成装置
JP4443872B2 (ja) * 2002-08-09 2010-03-31 株式会社半導体エネルギー研究所 電界発光素子、発光装置、電気器具
US7045955B2 (en) 2002-08-09 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescence element and a light emitting device using the same
KR100491146B1 (ko) * 2002-11-04 2005-05-24 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2004167899A (ja) 2002-11-21 2004-06-17 Fuji Photo Film Co Ltd 露光装置
KR100528910B1 (ko) * 2003-01-22 2005-11-15 삼성에스디아이 주식회사 고분자 유기 전계 발광 소자
JP4100191B2 (ja) * 2003-02-21 2008-06-11 松下電器産業株式会社 電子写真装置
JP4168788B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-22 セイコーエプソン株式会社 成膜方法、カラーフィルタ基板の製造方法、エレクトロルミネッセンス装置用基板の製造方法、表示装置の製造方法
CN1638538B (zh) * 2003-12-26 2010-06-09 乐金显示有限公司 有机电致发光器件及其制造方法
US20060199035A1 (en) * 2005-03-02 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Organic electroluminescent device
US7470946B2 (en) * 2006-03-17 2008-12-30 Sharp Laboratories Of America, Inc. Triple-junction filterless CMOS color imager cell

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