JP2007073460A - 発光装置、その製造方法、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 均一な発光特性を得られる複数の発光素子を備えた発光装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の有機ＥＬ装置（発光装置）１００は、素子基板１０２上に有機ＥＬ素子３を配列してなる発光領域１０３を備え、前記発光領域１０３には、有機物隔壁２２１が設けられ、該有機物隔壁２２１の開口部２２１ａに前記有機ＥＬ素子３が形成されており、前記発光領域１０３の外側の前記素子基板１０２上に、前記発光領域１０３の有機物隔壁２２１を延設してなる隔壁を備えた第１のダミー領域１０４が設けられていることを特徴とする。
【選択図】 図３

Description

本発明は、発光装置、その製造方法、及び電子機器に関するものである。

近年、有機発光材料を含む発光部を備えた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置等の発光装置の開発が行われている。また、有機ＥＬ装置の製造方法として、有機蛍光材料等の機能材料をインク化し、該インク（組成物）を基材上に吐出する液滴吐出法によって機能材料のパターニングを行う方法が知られている。液滴吐出法は、マイクロオーダーの液滴を基体に配することが可能なため、材料の利用効率を考えると、スピンコートなどの方法に比べて有効である。

下記特許文献１には、液滴吐出法を用いた有機ＥＬ装置の製造に際して、画素領域で構成される表示領域の周辺部における溶媒の蒸発速度に差異に起因する機能層の膜厚むらを改善するために、周辺部のさらに外側に表示に寄与しないダミー領域を形成する技術が開示されている。かかるダミー領域にも機能層と同一のインクを塗布することで、機能層の膜厚むらが生じるのを防止ないし抑制するのである。
特開２００２−２５２０８３号公報

しかし、本発明者が検討を重ねたところ、上記特許文献１に開示のダミー領域を形成する技術を用いた場合にも、十分な膜厚むらの解消に至らず、発光特性が素子間でばらつく場合があることが判明した。
本発明は、かかる事情に鑑みて成されたものであって、均一な発光特性を得られる複数の発光素子を備えた発光装置、及びその製造方法を提供することを目的としている。

本発明の発光装置は、上記課題を解決するために、基板上に、発光部を挟持して対向する第１電極及び第２電極を有する発光素子を配列してなる発光領域を備え、前記発光領域に、複数の前記第１電極を区画する隔壁が設けられ、前記隔壁に囲まれる前記第１電極上に、前記発光部が形成されており、前記発光領域の外側の前記基板上には、前記隔壁を延設してなる隔壁形成領域が設けられていることを特徴とする。
この構成によれば、前記発光領域の外側に隔壁形成領域を設けたことで、前記発光領域の隔壁に対してプラズマ処理による表面処理を施すに際して、発光領域の端部においてプラズマ処理に不均一が生じるのを防止することができる。これにより、発光領域の隔壁に対して均一にプラズマ処理を施すことが可能になり、隔壁により区画された領域に形成される発光部が、発光素子間で均一なものとなる。従って本発明によれば、発光領域全体で均一な発光特性を備えた発光装置を得ることができる。

本発明の発光装置では、前記発光素子が、前記発光部に有機発光層を含んでなる有機ＥＬ素子であることが好ましい。本発明は特に発光素子として有機ＥＬ素子を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置について好適に用いることができるものである。

本発明の発光装置では、前記発光領域が、基板面内に長手方向を有して形成され、前記隔壁形成領域が、前記発光領域の長手方向外側に設けられていることが好ましい。一方向に長手の部材に対するプラズマ処理では、部材の端縁部と中央部とでプラズマ処理の程度に差異が生じやすくなる。従って、前記隔壁成形領域を設ける本発明の構成は、かかる長手方向を有する発光領域について特に有効である。

本発明の発光装置では、前記隔壁形成領域に配された前記隔壁に囲まれた領域内に、導電膜が形成されていることが好ましい。このように隔壁に囲まれる領域に導電膜を備えた構成とするならば、隔壁形成領域の表面の電気的構成を発光領域と同じくすることができるので、隔壁形成領域においてプラズマの状態に変化が生じるのを抑えることができ、さらにプラズマ処理の均一性を高めることができる。

本発明の発光装置では、前記導電膜が、前記第１電極と同層に形成された導電膜であることが好ましい。この構成によれば、前記導電膜を第１電極と同工程で形成できるので、製造コストを上昇させることなく効率よく隔壁形成領域を形成することができる。

本発明の発光装置では、前記隔壁形成領域に配された前記隔壁に囲まれた領域内に、前記発光部を構成する機能層の少なくとも一部が形成されている構成とすることもできる。すなわち、前記隔壁形成領域はダミー画素領域として用いることもできる。液相法を用いて機能層を形成する製造方法では、機能層を形成するためのインクを前記第１電極上に配置し、乾燥固化させることで発光部を形成するが、このインクを乾燥させる際に、発光領域の端部でインクに含まれる分散媒や溶媒の蒸発速度が発光領域中央部よりも速くなり、機能層に膜厚むらを生じることがある。そこで、本構成のように隔壁形成領域の隔壁に囲まれる領域内にも機能層を形成するようにすれば、発光領域端部での蒸発速度の不均一が解消され、発光領域全体で均一な膜厚の機能層を形成でき、均一な発光特性を有する発光部を形成することができる。

本発明の発光装置では、前記隔壁形成領域が、平面的に区画された第１の隔壁形成領域と第２の隔壁形成領域とを有しており、前記第１の隔壁形成領域の前記隔壁に囲まれた領域内にのみ、前記機能層が形成されている構成とすることもできる。すなわち、隔壁形成領域の一部のみをダミー画素領域として用いてもよい。

本発明の発光装置では、前記隔壁形成領域における前記隔壁の面積率が、前記発光領域における前記隔壁の面積率より大きい構成とすることもできる。このような構成とすることで、プラズマ処理の均一性をさらに高めることができる。
あるいは、本発明の発光装置では、前記隔壁形成領域における前記隔壁の平面パターン形状が、前記発光領域における前記隔壁の平面パターン形状と略同一である構成としてもよい。

本発明の発光装置では、前記基板上に、前記発光素子と直接又は他の回路素子を介して接続された外部接続端子が設けられ、前記外部接続端子が、前記発光領域の長手方向延長上に配設された前記隔壁形成領域の近傍に配置されており、前記外部接続端子の近傍における前記隔壁形成領域における前記隔壁の形成密度が、他の隔壁形成領域における前記隔壁の形成密度より大きくされている構成とすることもできる。
前記外部接続端子は、基板上において比較的大きな導電体であるため、プラズマに与える影響も相応に大きくなるものと考えれられる。そこで、この外部接続端子の近傍に前記隔壁形成領域を配置し、さらに隔壁形成領域の面積率を大きくすることで、外部接続端子がプラズマに与える影響を小さくし、発光領域におけるプラズマ処理の均一性が損なわれるのを効果的に防止することができる。

本発明の発光装置の製造方法は、基板上に、発光部を挟持して対向する第１電極及び第２電極を有する発光素子を配列してなる発光領域を設けてなる発光装置の製造方法であって、前記基板上に前記第１電極を形成する電極形成工程と、前記発光領域となる領域にて前記第１電極を区画する隔壁を形成する隔壁形成工程と、前記隔壁が形成された前記基板の表面にプラズマ処理を施す表面処理工程と、を有し、前記隔壁形成工程にて、前記隔壁を前記発光領域の外側まで延設することを特徴とする。
この製造方法によれば、前記隔壁を発光領域の外側まで設けるので、後段のプラズマ処理において発光領域の端部でプラズマ処理の程度に差異が生じるのを防止することができ、発光領域に発光素子を形成する工程で均一な発光特性を有する発光素子を形成することができるようになる。

本発明の発光装置の製造方法では、前記発光領域が前記基板上で一方向に長手に形成された発光装置を製造するに際し、前記隔壁形成工程において、前記隔壁を前記発光領域の長手方向外側に延設することもできる。本発明は特に、前記発光領域が一方向に長手の形状である場合に有効な製造方法である。

本発明の発光装置の製造方法は、基板上に、発光部を挟持して対向する第１電極及び第２電極を有する発光素子を配列してなる発光領域を設けてなる発光装置の製造方法であって、一方向に長手の前記発光領域を有する複数の前記発光装置を、該発光装置が形成される発光装置形成領域を前記長手方向と略直交する方向に配列形成してなる大型基板を用いて製造するに際し、前記大型基板上の前記各発光領域となる領域に、前記複数の第１電極を形成する電極形成工程と、前記各発光領域となる領域にて前記第１電極を区画する隔壁を前記大型基板上に形成する隔壁形成工程と、前記隔壁が形成された前記大型基板の表面にプラズマ処理を施す表面処理工程と、を有し、前記隔壁形成工程にて、前記隔壁を前記発光領域の長手方向外側まで延設することを特徴とする。すなわち本発明は、大型基板を用いて複数の発光装置を一括に製造する工程にも極めて有効な製造方法である。

本発明の発光装置の製造方法では、前記隔壁形成工程において、前記隔壁を、前記発光装置形成領域の前記長手方向外側まで延設することもできる。このような製造方法とすることで、プラズマ処理時の不均一をさらに効果的に解消することができ、発光特性の均一性に優れた発光装置を製造することができる。

本発明の発光装置の製造方法では、前記隔壁形成工程において、前記発光装置形成領域が配列形成されたさらに外側の前記大型基板上の領域であって、前記発光装置形成領域の配列方向の外側の領域に、前記発光領域に沿って延在する前記隔壁を形成することもできる。このように発光領域に沿って延在する隔壁をさらに形成することで、発光領域の延在方向のみならず、複数の発光装置間でもプラズマ処理の不均一を解消することができる。これにより、複数の発光装置を歩留まりよく効率的に製造することができる。

本発明の発光装置の製造方法は、前記電極形成工程において、前記発光領域となる領域の外側の前記基板上に、前記第１電極と同層の導電膜を形成し、前記隔壁形成工程において、前記発光領域の外側の前記隔壁を前記導電膜を区画する位置に形成する製造方法とすることもできる。この製造方法によれば、第１電極と隔壁形成領域の導電膜とを同工程で形成でき、効率的に発光装置を製造することができる。

本発明の発光装置の製造方法では、前記表面処理工程の後、液相法を用いて前記発光部を構成する機能層を前記第１電極上に形成する機能層形成工程を有しており、前記機能層形成工程において、前記機能層を形成する液体材料を、前記発光領域の外側の前記隔壁に囲まれる領域内にも配置することができる。このように発光領域の外側の領域にも前記液体材料を配置することで、発光領域に配置した液体材料の乾燥速度に差異が生じるのを防止することができ、均一な膜厚の機能層を具備した発光素子を発光領域に形成することができる。

本発明の発光装置の製造方法は、前記表面処理工程において、一方向に長手のプラズマ処理部を有するプラズマ処理装置を用いて、前記プラズマ処理部により前記基板の表面を走査することを特徴とする。この製造方法によれば、大型の基板を小型のプラズマ処理装置により均一に表面処理することができる。特に本発明に係る発光装置の製造方法では、発光領域の外側に隔壁形成領域を設けているので、プラズマの長手方向端部における処理の不均一を効果的に解消でき、発光領域の部材に対して均一なプラズマ処理が可能である。

本発明の発光装置の製造方法では、前記プラズマ処理部の走査方向が、前記大型基板における前記発光装置形成領域の配列方向と略平行であってもよい。あるいは、前記プラズマ処理部の走査方向が、前記大型基板における前記発光装置形成領域の配列方向と略直交する方向であってもよい。本発明に係る製造方法において発光領域の外側に設けられる隔壁により、上記いずれの走査方向においても均一なプラズマ処理を実現することができる。

本発明の発光装置の製造方法では、前記プラズマ処理装置が、大気圧プラズマ処理装置であることが好ましい。大気圧プラズマ処理装置を用いることで、大型の真空装置が不要になり、低コスト、高効率に発光装置を製造することができる。

次に、本発明の電子機器は、先に記載の本発明の発光装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、発光領域の全体で均一な発光特性を備えた発光装置を備えているので、均一な露光が可能な画像形成装置や、均一な表示が可能な画像表示装置を提供することができる。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。また、以下で参照する各図面においては、図面を見易くするために、各構成要素の寸法等を適宜変更して表示している。
本発明に係る発光装置の一実施形態である有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）を用いたラインヘッドについて説明する。ラインヘッドは、後述する画像形成装置の露光手段として用いられるもので、具体的にはラインヘッドを含むラインヘッドモジュールの状態で用いられる。

（ラインヘッドモジュール）
図１は、画像形成装置の露光手段として用いられるラインヘッドモジュールの側断面図である。図１に示すように、本実施形態のラインヘッドモジュール１０１は、複数の有機ＥＬ素子（発光素子）を備えたラインヘッド（有機ＥＬ装置／発光装置）１００と、ラインヘッド１００から射出された光を正立等倍結像させるＳＬ素子３１ａを整列配置したＳＬアレイ３１とを、対向配置させてヘッドケース５２に固定した構成を備えている。
ラインヘッドモジュール１０１は、ラインヘッド１００に整列配置された有機ＥＬ素子からの光をＳＬアレイ３１を構成するＳＬ素子３１ａに入射させ、図１中２点鎖線で示される感光体ドラム４１の外周面に正立等倍結像させて露光するものとなっている。

（ラインヘッド）
次に、本実施形態におけるラインヘッド１００について図２〜４を参照し説明する。
図２は、前記ラインヘッド１００を模式的に示した平面構成図である。図２に示すように、ラインヘッド１００は、長細い矩形の素子基板１０２の一面側に、複数の有機ＥＬ素子（図示略）をＹ軸方向を長手に配列してなる発光領域１０３と、発光領域１０３の各有機ＥＬ素子と電気的に接続された駆動回路１０６とを備えている。発光領域１０３を挟んだＹ軸方向両側に、第１のダミー領域（第１の隔壁形成領域）１０４，１０４が形成されており、第１のダミー領域１０４，１０４を挟んだＹ軸方向両側には、第２のダミー領域（第２の隔壁形成領域）１０５，１０５が形成されている。

素子基板１０２上には駆動回路１０６からＹ軸方向に延びる複数の接続配線１０８が形成されており、これらの接続配線１０８は、素子基板１０２の＋Ｙ側の端部であって、第２のダミー領域１０５の−Ｘ側に形成された外部接続端子群１０７と電気的に接続されている。また外部接続端子群１０７には、発光領域１０３の＋Ｙ側に設けられた第１のダミー領域１０４から導出された接続配線（陰極配線）１０９も電気的に接続されている。

図３は、図２に示すラインヘッド１００のうち、＋Ｙ側の第１のダミー領域１０４の周辺を含む部分１１０を拡大して示す平面構成図である。図３に示すように、素子基板１０２上には、発光領域１０３、第１のダミー領域１０４、及び第２のダミー領域１０５に跨ってＹ軸方向に延びる有機物隔壁２２１が形成されている。すなわち、図２に示した素子基板１０２をＹ軸方向に縦断するように有機物隔壁２２１が形成されている。
有機物隔壁２２１は、発光領域１０３において配列形成された複数の略円形状の開口部２２１ａを有しており、これらの開口部２２１ａ内に有機ＥＬ素子３が形成されている。また、発光領域１０３から外側に延びた有機物隔壁２２１には、それぞれ複数の第１のダミー開口部２２１ｂ及び第２のダミー開口部２２１ｃが形成されている。

発光領域１０３には、Ｙ軸方向に配列された略円形状の有機ＥＬ素子（発光素子）３からなる素子列が２列形成されている。これら２つの素子列は互いに半ピッチずれて配置され、Ｙ軸方向における有機ＥＬ素子３の実質的なピッチが１／２になるように配置されている。

発光領域１０３の＋Ｙ側に設けられた第１のダミー領域１０４には、略円形状の第１のダミー開口部２２１ｂが複数配列されている。第１のダミー開口部２２１ｂは、隣接する発光領域１０３に設けられた開口部２２１ａに連続して配列されており、Ｙ軸方向に関して開口部２２１ａと同一ピッチで配列されている。
第１のダミー領域１０４には、発光領域１０３から延びた陰極５０が形成されており、第１のダミー領域１０４の図示下側（−Ｘ側）の端部において上記陰極５０と前記接続配線１０９とが電気的に接続されている。陰極５０は、後述する有機ＥＬ素子３の一方の電極を成すものである。

また、第２のダミー領域１０５において延在する有機物隔壁２２１には、複数の略円形状の第２のダミー開口部２２１ｃが配列形成されている。これら第２のダミー開口部２２１ｃは第１のダミー領域１０４に設けられた第１のダミー開口部２２１ｂの列に連続して配列されており、Ｙ軸方向に関して第１のダミー開口部２２１ｂと同一ピッチ（すなわち有機ＥＬ素子３と同一ピッチ）にて配列されている。

［有機ＥＬ素子］
図４は、ラインヘッド１００の発光領域１０３における部分断面構成図である。図４に示すように、素子基板１０２の基体である基板５ａ上には、画素電極２３に接続する駆動用ＴＦＴ１２３などを含む回路部１１が形成されており、その上に有機ＥＬ素子３が設けられている。
前記有機ＥＬ素子３は、陽極として機能する画素電極（第１電極）２３と、この画素電極２３からの正孔を注入／輸送する正孔輸送層７０と、有機ＥＬ物質からなる発光層６０と、陰極（第２電極）５０とを順に積層してなる構成を備えている。前記有機ＥＬ素子３は、画素電極２３を区画する隔壁（無機物隔壁２５と有機物隔壁２２１）によって区画された領域（開口部２５ａ、２２１ａ内）に形成されている。また、前記正孔輸送層７０及び発光層６０が、有機ＥＬ素子３の発光部を構成する機能層に相当する。
上記構成を具備した有機ＥＬ素子３は、正孔輸送層７０から発光層６０に注入された正孔と陰極５０から発光層６０に注入された電子とが、発光層６０内で再結合することにより発光するようになっている。

上記有機ＥＬ素子３を構成する正孔輸送層７０及び発光層６０は、詳細は後述するが、これらの形成材料を含むインクを、液滴吐出法を用いて前記隔壁に囲まれた領域内に選択的に配置し、乾燥固化することで形成されたものである。液滴吐出法を用いて正孔輸送層７０等の機能層を形成することで、高分子材料を容易かつ正確にパターニングすることができ、また材料の利用効率を高め、低コストに有機ＥＬ素子を形成することができる。

［ダミー領域］
図３に示した第１のダミー開口部２２１ｂは、液滴吐出法を用いて有機ＥＬ素子３の正孔輸送層７０、発光層６０を形成する際に、これらを形成するためのインクないし同一の分散媒を第１のダミー開口部２２１ｂ内に吐出配置するために設けられており、ダミー開口部２２１ｂにインク等を供給することで、発光領域１０３における分散媒の蒸発速度を均一化することができる。これにより、発光領域１０３の中央部と端縁部とで分散媒の蒸発速度が異なることによる膜厚むらが生じるのを防止することができる。

第１のダミー開口部２２１ｂの具体的構成としては、種々の構成を採用することができる。例えば、第１のダミー開口部２２１ｂに、開口部２２１ａ内に形成される有機ＥＬ素子３と同一の構成の画素を形成してもよい。
あるいは、第１のダミー開口部２２１ｂとして、有機ＥＬ素子３の構成要素の一部を省略した構成とすることもできる。この場合、第１のダミー開口部２２１ｂは、上述したように分散媒の蒸発速度調整に用いられるため、少なくとも有機物隔壁２２１を備えていればよい。
本実施形態の場合、図３に示したように、第１のダミー領域１０４において素子基板１０２上の接続配線１０９と陰極５０とが接続されるようになっているので、少なくとも発光領域１０３から延出された陰極５０は、第１のダミー開口部２２１ｂ上に配置される。

また、第１のダミー開口部２２１ｂは、画素電極２３と、無機物隔壁２５と、有機物隔壁２２１とを備えた構成とすることもできる。このように画素電極２３を設ける場合には、画素電極２３が他の導電部材（配線等）と接続されていてもよく、絶縁されていてもよい。また、第１のダミー開口部２２１ｂは、図４に示した有機ＥＬ素子３から駆動用ＴＦＴ１２３を含む駆動素子のみを省略した構成とすることもできる。

第１のダミー開口部２２１ｂにおいて、正孔輸送層７０及び発光層６０は、必ずしも設けられるものではない。つまり、正孔輸送層７０及び発光層６０の形成工程において、第１のダミー開口部２２１ｂに、正孔輸送層を形成するためのインクや発光層を形成するためのインクが配置されれば、第１のダミー開口部２２１ｂには正孔輸送層７０及び発光層６０のいずれか又は両方が形成されることになるが、インクではなく分散媒のみを配置した場合には、これらの層は第１のダミー開口部２２１ｂに形成されない。

第１のダミー領域１０４のＹ軸方向の長さは、上記蒸発速度の調整機能を得られる範囲であれば特に限定はないが、例えば、発光領域１０３の長さの１％程度とすればよい。従って、発光領域１０３の長さが２００ｍｍであれば、第１のダミー領域１０４の長さは２ｍｍ程度である。

本実施形態では、第１のダミー開口部２２１ｂが、有機ＥＬ素子３とほぼ同一の平面形状である場合について図示しているが、第１のダミー開口部２２１ｂの平面形状は特に限定されない。例えば、図３のＹ軸方向に延びる長円形状を成す第１のダミー開口部２２１ｂを形成してもよく、矩形状の開口部としてもよい。

次に、第２のダミー領域１０５には、複数の第２のダミー開口部２２１ｃが形成されている。この第２のダミー領域１０５は、ラインヘッド１００の製造工程において、有機物隔壁２２１に施されるプラズマ処理を均一化するために設けられている。このプラズマ処理は、後段の「ラインヘッドの製造方法」の項に詳述しているが、正孔輸送層７０、発光層６０を形成するためのインクを、有機物隔壁２２１に囲まれる領域内に良好に閉じ込めるために、画素電極２３の表面に親液性を付与する酸素プラズマ処理等、及びアクリル樹脂等の有機物材料からなる有機物隔壁２２１の表面に撥液性を付与するフッ素系ガスプラズマ処理等である。

このように、第１のダミー領域１０４のさらに外側に素子基板１０２のＹ軸方向縁端まで延びる有機物隔壁２２１を備えた第２のダミー領域１０５が形成されていることで、素子基板１０２上の突起物であり、また絶縁物である有機物隔壁２２１の形成領域が素子基板１０２上で一様なものとなり、基板縁端でのプラズマの不均一に起因する表面処理のばらつきを抑えることができる。

従って、本実施形態のラインヘッド１００では、その製造時のプラズマ処理工程において、発光領域１０３に配置された画素電極２３の表面、及び有機物隔壁２２１の表面を均一に表面処理することができる。これにより、後段の工程で発光領域１０３の画素電極２３上に正孔輸送層７０及び発光層６０を形成するに際して、これらを形成するためのインクを、有機物隔壁２２１の開口部２２１ａ内に均一に濡れ広がらせつつ、開口部２２１ａ内に良好に閉じ込めることができ、均一な膜厚及び膜質の正孔輸送層７０、発光層６０を形成することができる。そして、発光領域１０３の有機ＥＬ素子３について、良好かつ素子間で均一な発光特性を得ることができる。

第２のダミー領域１０５は、上記第１のダミー領域１０４よりさらに簡略化された構成を備えるものであってもよい。例えば、有機物隔壁２２１のみが素子基板１０２上に設けられている構成、あるいは無機物隔壁２５と有機物隔壁２２１とが積層された隔壁が素子基板１０２上に設けられている構成が適用できる。また場合によっては、ダミー開口部２２１ｃを設けない構成も採用できる。なお、第１のダミー領域１０４と同様の構成とすることもできる。

第２のダミー領域１０５には、導電材料からなる導電膜が設けられていてもよい。例えば、第２のダミー開口部２２１ｃに、有機ＥＬ素子３の画素電極２３と同層、同一材質の導電膜を設けることができる。あるいは、有機ＥＬ素子３の下層側に形成される回路部１１の一部の配線等と同層、同一材質の導電膜を第２のダミー開口部２２１ｃに配置してもよい。

このようにダミー開口部２２１ｃに導電膜を設けておけば、第２のダミー領域１０５における素子基板１０２の表面状態は、絶縁体である有機物隔壁２２１により区画された領域に導電膜が配置された形態となり、導電体である画素電極２３を絶縁体である有機物隔壁２２１により区画している発光領域１０３と同様の形態となる。これにより、発光領域１０３上と第２のダミー領域１０５上とでプラズマの状態を同じくすることができ、これにより発光領域１０３上でのプラズマの均一性を高め、発光領域１０３の表面処理をより均一なものとすることができる。

ところで、素子基板１０２上には画素電極２３と同様に導電体である外部接続端子群１０７が設けられている。外部接続端子群１０７は、画素電極２３に比して平面積が大きいため、プラズマに与える影響も大きくなるものと考えられる。そこで、本実施形態のラインヘッド１００では、外部接続端子群１０７を第２のダミー領域１０５の近傍に配置することで、第２のダミー領域１０５によりプラズマの状態変化を緩和し、プラズマの状態変化が発光領域１０３に影響を及ぼすのを防止する構成としている。

さらに、上記外部接続端子群１０７の近傍に配される第２のダミー領域１０５において、有機物隔壁２２１の平面形状を変更してもよい。上記の如く外部接続端子群１０７は、比較的平面積が大きく、プラズマに対する影響も大きいと考えられる導電体であるから、第２のダミー領域１０５における有機物隔壁２２１の形成密度（面積率）を相対的に大きく、従ってダミー開口部２２１ｃの面積率を相対的に小さくすることが好ましい。これにより、外部接続端子群１０７からのプラズマへの影響を小さくすることができ、その結果、発光領域１０３におけるプラズマの均一性を高めることができる。

第２のダミー領域１０５の長さは、少なくとも５〜１０ｍｍ以上とされ、数ｃｍ〜１０ｃｍ程度の長さとすることが好ましい。当該領域が小さいとプラズマの均一性を向上させる効果を十分に得られないため、発光領域１０３の端縁と素子基板１０２の端縁との距離に応じて数ｃｍ程度の長さとすることが好ましい。ただし、第２のダミー領域１０５の長さを優先して大きくし過ぎると、有効領域（発光領域１０３、駆動回路１０６の形成領域）が狭くなる。

［有機ＥＬ素子の詳細構成］
次に、図４を参照して有機ＥＬ素子３の詳細な構成について説明する。
図４に示す基板５ａ上には、画素電極２３に接続する回路部１１が形成されており、その上に有機ＥＬ素子３が設けられている。前記有機ＥＬ素子３は、陽極として機能する画素電極２３と、この画素電極２３からの正孔を注入／輸送する正孔輸送層７０と、有機ＥＬ物質からなる発光層６０と、陰極５０とを順に積層してなる構成を備えている。

本実施形態の場合、有機ＥＬ素子３は、その発光光を素子基板１０２と反対側に射出する、いわゆるトップエミッション型となっていることから、素子基板１０２を構成する基板５ａとしては、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。透明基板としては、ガラスや石英、プラスチック等を用いることができ、不透明基板としては、アルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等を挙げることができる。

画素電極２３上にＳｉＯ_２等の親液性の絶縁材料からなる無機物隔壁２５が形成されており、この無機物隔壁２５は、画素電極２３上に開口部２５ａを有している。無機物隔壁２５は無機絶縁材料を用いて形成されており、画素電極２３上の正孔輸送層７０のうち、無機物隔壁２５上に乗り上げている部分には電流が流れず、有機ＥＬ素子３の発光領域（発光面積）は、この無機物隔壁２５の開口部２５ａによって規定されている。

前記画素電極２３は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置であるラインヘッド１００では、アルミニウムや銀などの光反射性の金属膜上に、仕事関数が比較的大きいＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の透明導電膜を形成してなる積層膜である。ラインヘッド１００がボトムエミッション型である場合には、画素電極２３は、ＩＴＯ等の透明導電材料を用いて形成される。

正孔輸送層７０の形成材料としては、特に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液が好適に用いられる。
なお、正孔輸送層７０の形成材料としては、前記のものに限定されることなく種々のものが使用可能である。例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体などを、適宜な分散媒、例えば前記のポリスチレンスルフォン酸に分散させたものなどが使用可能である。

発光層６０を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が用いられる。なお、本実施形態では、例えば発光波長帯域が赤色に対応した発光層が採用されるが、もちろん、発光波長帯域が緑色や青色に対応した発光層を採用するようにしてもよい。
具体的な前記発光層６０の形成材料としては、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。

また、前記発光層６０を覆って陰極５０が形成されている。陰極５０の形成材料としては、トップエミッション型のラインヘッド１００では、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化インジウム、酸化亜鉛等の透明導電材料が用いられる。本実施形態の場合、図３に示したように、陰極５０は発光領域１０３から第１の隔壁形成領域１０４まで延びている。
なお、図示は省略したが、例えばＩＴＯからなる陰極５０と発光層６０との間には、陰極５０からの電子注入口率を高めるために、例えばＣａが５ｎｍ程度の厚さに成膜されている。

陰極５０を覆って封止層５１が設けられている。この封止層５１は透光性を有する樹脂材料からなり、たとえば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などである。この場合、陰極５０上にパシベーション膜としてＳｉＮ、ＳｉＯＮなどを成膜しておくとよい。また、封止層５１は、その内側に酸素や水分が浸入するのを防止するためのものであって、これにより陰極５０及び発光層６０から構成される有機ＥＬ素子３への酸素や水分の浸入を防止し、酸素や水分による前記有機ＥＬ素子３の劣化等を抑えることができる。

この封止層５１は、例えば無機膜と合成樹脂等の接着機能を有する有機膜とを交互に複数積層してもよい。無機膜と有機膜とを複数積層することによりクラックの発生を防止することができる。また、無機膜を多層に設けてもよい。この場合、例えばＳｉＯＮを多層に設けるなど、１種類の材料からなる膜を多層に設けてもよいし、ＳｉＮとＳｉＯ_２とを積層するなど、異なる材料からなる膜を多層に設けてもよい。このように無機膜を多層にすることにより、前記有機ＥＬ素子３に対する封止性能をさらに高めることができる。

有機ＥＬ素子３の下方（基板５ａ側）には、前述したように回路部１１が設けられている。基板５ａの表面にはＳｉＯ_２を主体とする下地保護層２８１が形成されており、下地保護層２８１上に半導体層２４１が形成されている。半導体層２４１の表面には、ＳｉＯ_２及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２が形成されている。

また、半導体層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と対向する領域に駆動用ＴＦＴ１２３のチャネル領域２４１ａが形成されている。駆動用ＴＦＴ１２３はいわゆるＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有するトランジスタであり、半導体層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられている。

半導体層２４１と厚さ方向に対向するゲート電極２４２は、図示略の走査線と電気的に接続されている。ゲート電極２４２上の領域を含むゲート絶縁層２８２上には、ＳｉＯ_２等を主体とする第１層間絶縁層２８３が形成されている。第１層間絶縁層２８３には、半導体層２４１に達するコンタクトホールが開口されており、第１層間絶縁層２８３上に形成されたソース電極２４３、及びドレイン電極２４４が、前記コンタクトホールを介してそれぞれ高濃度ソース領域２４１Ｓ、及び高濃度ドレイン領域２４１Ｄと電気的に接続されている。

ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層には、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とする平坦化膜２８４が形成されている。平坦化膜２８４は、アクリル系やポリイミド系等の、耐熱性絶縁性樹脂等を用いて形成され、駆動用ＴＦＴ１２３やソース電極２４３、ドレイン電極２４４などによる表面の凹凸をなくすために形成された公知のものである。

そして、画素電極２３が、平坦化膜２８４上に形成され、画素電極２３の一部は平坦化膜２８４に貫設されたコンタクトホールを介してドレイン電極２４４と電気的に接続されている。従って、画素電極２３はドレイン電極２４４を経由して半導体層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄと電気的に接続されている。

画素電極２３が形成された平坦化膜２８４上に、画素電極２３を一部覆うようにして無機物隔壁２５が形成され、無機物隔壁２５上に有機物隔壁２２１が形成されている。そして、画素電極２３上において、無機物隔壁２５の前記開口部２５ａと、有機物隔壁２２１の開口部２２１ａとの内側に、正孔輸送層７０と発光層６０とが画素電極２３側からこの順で積層され、有機物隔壁２２１及び発光層６０を覆って陰極５０が形成されている。

（ＳＬアレイ）
図５は、ラインヘッド１００とともにラインヘッドモジュール１０１を構成するＳＬアレイ３１の斜視構成図である。ＳＬアレイ３１は、日本板硝子株式会社製のＳＬ素子３１ａを配列したものである。ＳＬ素子３１ａは、直径０．２８ｍｍ程度の円形ファイバー状に形成されている。平面視で千鳥状に配列されたＳＬ素子３１ａは、各ＳＬ素子３１ａの隙間に充填された黒色のシリコーン樹脂３２と、ＳＬ素子３１ａ及びシリコーン樹脂３２を固定するフレーム３４とにより支持されている。

ＳＬ素子３１ａは、その中心から周辺にかけて放物線上の屈折率分布を有する光学素子であり、ＳＬ素子３１ａに入射した光はその内部を一定周期で蛇行しながら進行するようになっている。ＳＬ素子３１ａの長さを調整すれば、画像を正立等倍結像させることができる。
そして、正立等倍結像するＳＬ素子３１ａを整列配置すれば、隣接するＳＬ素子３１ａの作る像を重ね合わせることが可能になり、広範囲の画像を得ることができる。従って、図５のＳＬアレイは、ラインヘッド１００全体からの光を精度よく結像させることができるようになっている。

（ラインヘッドの製造方法）
次に、上記実施形態のラインヘッド１００を製造する方法について説明する。
本実施形態では、複数のラインヘッド１００を形成可能な大型基板５００を用いている。図６（ａ）は、大型基板５００に含まれる複数の基板５ａ（素子基板１０２）を示す平面構成図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示す大型基板５００の左上角部を拡大して示す平面構成図である。
なお、大型基板５００ではなく、単体の基板５ａを用いてラインヘッド１００を製造することが可能であるのは勿論である。

ラインヘッド１００は、大型基板５００の各基板５ａに対応する領域上に、多数の有機ＥＬ素子３を有する発光領域１０３を形成した後、ダイシングラインＤＬに沿って大型基板５００を複数の基板５ａに分断することで製造できる。大型基板５００において、基板５ａに対応する領域はその幅方向（Ｘ軸方向）にストライプ状に形成されており、従って基板５ａの長さ方向（Ｙ軸方向）に沿って形成される発光領域も図６（ａ）に示すように、大型基板５００上において幅方向にストライプ状に配列形成される。

図７は、本実施形態のラインヘッドの製造工程を説明するための素子基板１０２の断面工程図である。
ラインヘッド１００を製造するには、まず、図７（ａ）に示すように、基板５ａ（大型基板５００）の表面に、下地保護層２８１を形成し、さらにこの下地保護層２８１上にポリシリコン層等を形成して、このポリシリコン層等から前記回路部１１を形成する。そして、基板５ａ上に反射性の高いＡｇやＡｌなどの金属膜とＩＴＯとを積層して形成し、これをパターニングすることで画素電極２３を形成する。このとき画素電極２３の一部が、平坦化膜２８４に形成されたコンタクトホールに埋設されてドレイン電極と電気的に接続される。
また、上記回路部１１を形成する際に、図２等に示した駆動回路１０６や外部接続端子群１０７を形成してもよく、特に駆動回路１０６を駆動用ＴＦＴ１２３等と同時に形成すれば、製造工程を効率化できる。

画素電極２３を形成したならば、次に、画素電極２３上及び平坦化膜２８４上に例えばＳｉＯ_２等の絶縁材料をＣＶＤ法等を成膜して無機物膜を形成し、続いて、この無機物膜を公知のフォトリソグラフィ技術、エッチング技術を用いてパターニングする。これにより、図７（ａ）に示すように、形成する各有機ＥＬ素子の画素領域毎に開口部２５ａを有する無機物隔壁２５を形成する。

その後、図６（ａ）に示すように、無機物隔壁２５の所定位置、詳しくは画素領域を囲む位置に樹脂等によって有機物隔壁２２１を形成する。この有機物隔壁２２１は、有機ＥＬ素子３を形成する領域を区画するものであるが、先に記載のように、本実施形態のラインヘッド１００はダミー領域１０４，１０５を備えたものであるから、かかる有機物隔壁２２１は、少なくとも基板５ａの端縁部まで延びるように形成される。本実施形態の場合、図６（ｂ）に示すように、有機物隔壁２２１は基板５ａに対応する領域の外側の領域まで延設することで、基板５ａの外側に第３のダミー領域（隔壁形成領域）１１１を形成する。

なお、図５では有機物隔壁２２１のみを示して説明したが、ダミー領域１０４〜１０６に設けられる隔壁は、有機物隔壁２２１の単層構造に限らず、発光領域１０３と同様に無機物隔壁２５と有機物隔壁２２１との積層構造としてもよい。

さらに、図６（ｂ）に示すように、大型基板５００の辺端部であって、基板５ａの＋Ｘ側（ダイシングラインＤＬの外側）に、基板５ａに沿って延びるダミー隔壁２２２を設けておくことが好ましい。このようなダミー隔壁２２２を設けることで、後段のプラズマ処理工程における基板端縁での処理のばらつきを抑えることができ、高歩留まりにラインヘッド１００を製造することができる。

ダミー隔壁２２２は、有機物隔壁２２１と同工程で同時に形成した有機物隔壁としてもよいし、無機物隔壁と有機物隔壁との積層構造としてもよい。なお、本実施形態では、基板５ａに沿った細い直線状にダミー隔壁２２２を設けているが、ダミー隔壁２２２の平面形状はこれに限定されるものではない。例えば、基板５ａと大型基板５００の辺端との間の領域を覆うようにダミー隔壁２２２を設けてもよいし、ダミー隔壁２２２が、大型基板５００の全ての辺端部に沿って平面視略矩形枠状に形成されていてもよい。

以上の回路部１１、画素電極２３、無機物隔壁２５、及び有機物隔壁２２１（及びダミー隔壁２２２）を基板５ａ上に形成したならば、次に、基板５ａの表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域とを形成するためのプラズマ処理を施す。例えばプラズマ処理工程は、予備加熱工程と、有機物隔壁２２１の表面および開口部２２１ａ〜２２１ｃの壁面ならびに画素電極２３の電極面、無機物隔壁２５の表面をそれぞれ親液性にする親液化工程と、有機物隔壁２２１の上面および開口部２２１ａ〜２２１ｃの壁面を撥液性にする撥液化工程と、冷却工程とを含む工程とすることができる。

上記プラズマ処理工程において、予備加熱工程では、基板を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱し、次いで親液化工程として大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ_２プラズマ処理）を行う。次いで、撥液化工程として大気圧下で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ_４プラズマ処理）を行い、その後、冷却工程によりプラズマ処理のために加熱された基材を室温まで冷却することで、親液性および撥液性が所定箇所に付与されることとなる。

なお、上記撥液化工程のＣＦ_４プラズマ処理においては、画素電極２３の電極面および無機物隔壁２５についても多少の影響を受けるが、画素電極２３の材料であるＩＴＯおよび無機物隔壁２５の構成材料であるＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２等はフッ素に対する親和性に乏しいため、親液化工程で付与された水酸基がフッ素基で置換されることがなく、親液性が保たれ、有機物隔壁２２１の表面のみが選択的に撥液化される。

ここで図８は、上記プラズマ処理工程に好適に用いることができる大気圧プラズマ処理装置３００の一構成例を示す図である。大気圧プラズマ処理装置３００は、下部が開口しているチャンバー３３０の内部にプラズマ発生部３３２を備えている。プラズマ発生部３３２は、放電用のガス流路３３４を形成するために１ｍｍから３ｍｍ程度のギャップを形成した一対の板状の誘電体３３６，３３６と、２枚の誘電体３３６を挟持して対向する一対の電極３３８，３４０とを備えて構成されている。これらの電極３３８，３４０は、ガス流路３３４内でグロー放電を発生させてプラズマを生成するためのもので、電極３３８，３４０に挟まれた誘電体３３６のギャップ空間がプラズマ生成領域３４２となっている。

チャンバー３３０の下部は、大型基板５００にプラズマを照射するプラズマ処理部となっており、大型基板５００を支持したテーブル３２２がプラズマ発生部３３２の下方を通過する際に、プラズマ発生部３３２から大型基板５００の表面に対してプラズマを照射するようになっている。

プラズマ発生部３３２の一方の電極３３８は接地電極となっており、他方の電極３４０には、フィルタ回路３４６とインピーダンス整合部３４８とを介した高周波電源３５０と、フィルタ回路３５２と昇圧トランス３５４とを介した低周波電源３５６とが接続されている。従って、電極３３８，３４０間には、高周波電源３５０からの高周波電圧（例えば１３．５６ＭＨｚ）と、低周波電源３５６からの電圧（例えば２０ｋＨｚ）とを重畳して印加できるようになっており、処理ガスを介した高周波放電を容易に発生させることができるようになっている。

チャンバー３３０の上部には、中間チャンバー３５８が設けられている。中間チャンバー３５８には、それぞれガス配管３６０，３６１を介して処理ガス供給部３６２，３６３が接続されており、例えば処理ガス供給部３６２から酸素を、処理ガス供給部３６３からヘリウムを中間チャンバー３５８に供給し、中間チャンバー３５８内で処理ガスを混合することができるようになっている。
中間チャンバー３５８はまた、チャンバー３３０の上面部に貫設された連通孔３６４を介してガス流路３３４と連通しており、処理ガス供給部３６２から流入する処理ガスをガス流路３３４に供給し、プラズマ発生部３３２に供給するようになっている。

上記構成の大気圧プラズマ処理装置３００による大気圧プラズマの生成は、例えば酸素プラズマの場合であれば、以下のようにして行う。
ガス流路３３４は減圧せずに大気圧に保持したまま、処理ガス供給部３６２，３６３からそれぞれ制御された流量の酸素ガスとヘリウムガスとを中間チャンバー３５８に供給し、中間チャンバー３５８で混合された処理ガスをガス流路３３４を介してプラズマ発生部３３２に供給する。プラズマ生成領域３４２に供給する処理ガスは、例えば流量比で酸素が２０％以下、ヘリウムが８０％以上のものを用いることができる。その後、ガスを流通させた状態で電極３３８，３４０間に高周波電圧を印加する。そして、プラズマ生成領域３４２にグロー放電が確認された後、放電状態を維持しつつヘリウムガスを停止し、酸素ガス単体のプラズマとする。このようにヘリウムガスをトリガとして使用することで、酸素ガスプラズマを容易に生成することができる。先の撥液化工程で用いるＣＦ_４ガスのプラズマも、上記の方法により発生させることができる。

図８に示した大気圧プラズマ処理装置３００を用いたプラズマ処理工程では、一対の誘電体３３６に挟まれたガス流路の平面形状に対応した線状（カーテン状）の酸素ガスプラズマ又はＣＦ_４ガスプラズマによって、大型基板５００の表面を走査することで所望のプラズマ処理を行う。
ここで図９は、大型基板５００のプラズマ処理工程を平面的に示す説明図である。先に記載のように、大型基板５００には、複数の基板５ａに対応する領域がストライプ状に配列されているので、プラズマの延在方向と基板５ａの延在方向との位置関係により、大型基板５００上に形成された有機物隔壁２２１等へのプラズマの照射状態に差異が生じるものと考えられる。そこで、図９（ａ）に、大型基板５００をプラズマに対して基板５ａの幅方向（Ｘ軸方向）に移動させる場合、図９（ｂ）には大型基板５００をプラズマに対して基板５ａの延在方向（Ｙ軸方向）に移動させる場合を示している。

本発明者の検討によれば、上記大気圧プラズマ処理装置３００により基板のプラズマ処理を行うと、基板上の被照射部における処理の程度において、プラズマ生成領域３４２に生じる線状のプラズマの長さ方向（図９では上下方向）で分布が生じることが分かっている。つまり、図９（ａ）に示す場合では、被照射部である有機物隔壁２２１に対する処理の程度（例えば撥液性の程度）が、Ｙ軸方向において異なることが確認されている。

これに対して、本実施形態のように各基板５ａに、第２のダミー領域１０５及び第３のダミー領域を設けた構成とした大型基板５００を、図９（ａ）に示すようにＸ軸方向に走査してプラズマ処理を行ったところ、ダミー領域１０４，１０５，１１１に挟まれた発光領域１０３においては、画素電極２３及び無機物隔壁２５における親液性、並びに有機物隔壁２２１における撥液性のいずれもが、各開口部２２１ａ間で均一なものとなることが確認された。さらに、大型基板５００の長辺端部にダミー隔壁２２２を設けることで、プラズマ処理の開始部、及び終了部であるＸ軸方向端の基板５ａにおけるプラズマ処理も均一化することができ、大型基板５００の全体で均一にプラズマ処理を行うことが可能となった。
またさらに、上記第２のダミー領域１０５のダミー開口部２２１ｃ内に導電膜を形成し、発光領域１０３の画素と同様の電気的構成（導電膜を絶縁体で区画した構成）としている場合には、さらに効果的にプラズマ処理の均一性を向上させることができることが確認された。

大型基板５００の走査方向としては、図９（ｂ）に示すように基板５ａの延在方向（Ｙ軸方向）とすることも考えられるが、この場合においても、大型基板５００の長辺端部に設けたダミー隔壁２２２、及び基板５ａの各端部に設けたダミー領域１０４，１０５，１１１の作用により、発光領域１０３全体で均一な親液／撥液処理が施された基板５ａを得られることが確認された。

本実施形態では、大型基板５００の各辺端部にダミー領域ないしダミー隔壁を設けた構成としているが、上述したように大気圧プラズマ処理装置３００を用いた場合の表面処理のばらつきは、プラズマの長さ方向において生じることが分かっているので、図９（ａ）、（ｂ）のいずれの走査方向を採用する場合にも、少なくとも、プラズマの長さ方向における大型基板５００の辺端部にダミー領域ないしダミー隔壁が設けられていればよいと考えられる。すなわち、図９（ａ）の場合であれば、ダミー領域１０５，１１１が設けられていればよく、図９（ｂ）に示す場合であれば、２本のダミー隔壁２２２が設けられていれば、発光領域１０３内でのプラズマ処理の不均一を解消する効果を得ることができる。

上記プラズマ処理工程を終了したならば、次に、図６（ｂ）に示すように、前記有機物隔壁２２１に囲まれる開口部２２１ａ内に正孔輸送層７０を形成する。正孔輸送層７０を形成するに際しては、液滴吐出法が好適に採用される。すなわち、液滴吐出法により、正孔輸送層形成材料を含むインク７０ａを電極面上に選択的に配置する。その後、乾燥処理および熱処理を行うことで、画素電極２３上に正孔輸送層７０を形成することができる。本実施形態の場合、上述したように、インク７０ａが配置される開口部２２１ａ内の親液／撥液処理が適切に、かつ発光領域１０３全体で均一に成されているので、全ての開口部２２１ａ内に均一な膜厚の正孔輸送層７０を形成することができる。
上記正孔輸送層７０の形成材料としては、例えば前述のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳをイソプロピルアルコールなどの極性溶媒に溶解させたものを用いることができる。

このインクジェット法による正孔輸送層７０の形成にあたっては、インクジェットヘッドＨＡに正孔輸送層形成材料を含むインク７０ａを充填し、図６（ｂ）に示すように、インクジェットヘッドＨＡの吐出ノズルを無機物隔壁２５に形成された前記開口部２５ａ内に位置する電極面に対向させ、インクジェットヘッドと基板５ａ（大型基板５００）とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された液滴を電極面に吐出する。次に、吐出後の液滴を乾燥処理し、前記インク７０ａに含まれる分散媒や溶媒を蒸発させることにより、正孔輸送層７０を形成する。

上記インクジェットヘッドＨＡとしては、通電により機械振動を生じる圧電素子を用いて液室内の圧力を変化させることによりノズルから液滴を吐出する方式の液滴吐出ヘッドを採用することが望ましい。なお、発熱体で液室内を局部的に加熱して気泡を発生させることによりノズルから液滴を吐出する方式の液滴吐出ヘッドを採用してもよい。これ以外にも、帯電制御型、加圧振動型といった連続方式、静電吸引方式、さらにはレーザなどの電磁波を照射して発熱させ、この発熱による作用で液状体を吐出させる方式等を採用することもできる。

吐出ノズルから吐出された液滴は、親液性処理がなされた電極面上にて広がり、無機物隔壁２５の開口部２５ａ内に満たされて該開口部２５ａ内に臨むようになる。その一方で、撥液処理された有機物隔壁２２１の上面では、液滴がはじかれて付着しない。従って、液滴が所定の吐出位置からずれて、液滴の一部が有機物隔壁２２１の表面にかかったとしても、該表面が液滴で濡れることがなく、弾かれた液滴が無機物隔壁２５の開口部２５ａ内に引き込まれる。
なお、この正孔輸送層形成工程以降では、各種の形成材料や形成した要素の酸化・吸湿を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。

上記正孔輸送層形成工程では、図３に示したように、基板５ａ上の発光領域１０３の外側には、第１のダミー領域１０４が形成されているので、第１のダミー領域１０４に設けられているダミー開口部２２１ｂに、上記インク７０ａ又はインク７０ａから正孔輸送層形成材料を除いた分散媒等を吐出配置する。これにより、ダミー開口部２２１ｂからの蒸発によって発光領域１０３の端部における分散媒等の蒸発速度が上昇するのを抑えることができ、発光領域１０３の各画素において均一な膜厚及び形状を備えた正孔輸送層７０を形成することができる。また、本実施形態の場合、第１のダミー領域１０４の外側に第２のダミー領域１０５、及び第３のダミー領域１１１が設けられているので、これらの領域に配された有機物隔壁２２１に開口部が設けられているのであれば、かかる開口部に対して前記インク７０ａを配置しても構わない。またかかるダミー領域１０５，１１１の開口部を捨て打ち領域に用いてインクジェットヘッドＨＡの吐出量の安定を図ることもできる。

次いで、図６（ｃ）に示すように、前記有機物隔壁２２１に区画された領域に発光層６０を形成する。
この発光層形成工程では、前記正孔輸送層７０を形成する工程と同様に、上述したインクジェット法が好適に採用できる。すなわち、インクジェット法により、発光層形成材料を正孔輸送層７０上に吐出し、その後、乾燥処理および熱処理を行うことにより、有機物隔壁２２１に形成された開口部２２１ａ内、すなわち画素領域上に発光層６０を形成する。発光層６０の形成に際しても、少なくとも第１のダミー領域１０４のダミー開口部２２１ｂにはインクないし分散媒等の吐出配置を行う。これにより蒸発速度の不均一に起因する発光層６０の層厚のばらつきを抑え、発光領域１０３全体で均一な発光特性を得られるようになる。

次に、前記発光層６０上に陰極５０を形成する。この陰極５０については、有機ＥＬ素子３を効率よく発光させるため、電子注入層と導電層のような積層構造を採用するのが一般的であり、本実施形態では上述したようにＣａとＩＴＯとの積層膜から構成されている。

陰極５０は、基板５ａと図示しないメタルマスクを位置合わせして蒸着法やスパッタ法等を用いて成膜することで形成することができる。本実施形態では、陰極５０を形成するに際しては、発光領域１０３の有機物隔壁２２１上のみならず、第１のダミー領域１０４の有機物隔壁２２１上まで陰極５０を延設し、この第１のダミー領域１０４に延びている陰極配線１０９に対して陰極５０を電気的に接続する。
その後、封止工程によって前記陰極５０及び有機物隔壁２２１上を含む基板５ａの全面を覆うようにして、例えばマイクロディスペンサ等を用いることで封止層５１を塗布する。

上述した工程により、大型基板５００上に、図４に示したような有機ＥＬ素子３を形成することができる。
その後、図６に示したダイシングラインＤＬに沿って、大型基板５００から複数の基板５ａ（素子基板１０２）を切り出し、各ラインヘッド毎に分断する。このダイシング工程により、基板５ａの外側に形成されていた第３のダミー領域１１１は基板５ａ上の有機物隔壁２２１から切り離され、発光領域１０３から素子基板１０２の端縁部に延びる第２のダミー領域１０５が形成されることとなる。
以上の工程により、本実施形態のラインヘッド１００を製造することができる。

以上、詳細に説明したように、本実施形態の製造方法によれば、大型基板５００上において、発光領域１０３の画素電極２３を区画する有機物隔壁２２１を、発光領域１０３の外側まで延設し、さらにラインヘッド１００の基体となる基板５ａの外側まで延設することで、プラズマ処理工程における表面処理の均一性を向上させることができる。これにより、後段の正孔輸送層形成工程、発光層形成工程において、開口部２２１ａ内に配置されるインクを良好に制御することができ、発光領域１０３の全体で均一な膜厚の正孔輸送層７０及び発光層６０を形成することができる。従って、本実施形態の製造方法によれば、発光特性の均一性に優れ、また長寿命の有機ＥＬ素子３を備えたラインヘッドを製造することができる。そして、ラインヘッド１００を備えたラインヘッドモジュール１０１を用いることにより、ラインヘッド１００から出射された輝度の高い光をＳＬアレイ３１を介することで感光体ドラム４１上を確実に露光させることができる。

上記実施形態では、プラズマ処理工程において大気圧プラズマ処理装置３００を用いる場合について説明したが、プラズマ処理工程では、大気圧プラズマ処理装置に限らず、種々のプラズマ処理装置を用いることができ、例えば誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）処理装置、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマ処理装置、マイクロ波プラズマ処理装置等を挙げることができる。

図１０は、本発明に係るラインヘッド（有機ＥＬ装置）の製造に用いることができるプラズマ処理装置（ＩＣＰ処理装置）の一構成例を示す断面構成図である。
図１０に示すプラズマ処理装置４００は、内部を真空状態に密閉するチャンバー４３０と、チャンバー４３０の内部に配設されたテーブル４６０と、チャンバー４３０の底壁部に配設された真空ポンプ４７０とを備えて構成されている。チャンバー４３０の天井壁には、誘電体壁材４２０が設けられており、この誘電体壁材４２０の外側に、チャンバー４３０の内部に高周波誘導電界を形成するコイル状のＩＣＰアンテナ４２１が配置されている。チャンバー４３０内部には、また、誘電体壁材４２０と対向するシャワープレート４４０が設けられており、シャワープレート４４０と誘電体壁材４２０との間に処理ガス流路４５０が形成されている。

ＩＣＰアンテナ４２１には、インピーダンス整合器４２２を介して高周波電源４２３が接続されており、大型基板５００を支持するテーブル４６０には、インピーダンス整合器４６１を介して高周波バイアス電源４６２が接続されている。また、処理ガス流路４５０には、当該ガス流路に処理ガスを供給するガス配管が接続され、このガス配管にはバルブ４５１を介して処理ガス供給部４５２が接続されている。

上記構成を備えたプラズマ処理装置４００によるプラズマ処理を行うには、図１０に示すように、チャンバー４３０内部のテーブル４６０に大型基板５００を支持し、チャンバー内部を所定の真空状態とした後、シャワープレート４４０を介して処理ガスをチャンバー内に導入しつつ、高周波電源４２３から供給される高周波電圧をＩＣＰアンテナ４２１に印加することで、誘電体壁材４２０の内側のチャンバー内空間にプラズマ（ＩＣＰ）を発生させる。そして、発生させたプラズマを大型基板５００に照射することで、所定のプラズマ処理を大型基板５００の表面に対して施すことができる。

（ラインヘッドモジュールの使用形態）
次に、上記ラインヘッドモジュール１０１の使用形態について説明する。上記ラインヘッドモジュール１０１は、画像形成装置における露光装置として使用される。その場合、ラインヘッドモジュールは感光体ドラムに対向配置され、ラインヘッドからの光をＳＬアレイにより感光体ドラム上に正立等倍結像させて使用する。
以下に、一例としてタンデム方式の画像形成装置に関する実施形態について説明する。

まず、タンデム方式の画像形成装置について説明する。
図１１は、タンデム方式の画像形成装置の概略構成図であり、図１１中符号８０は画像形成装置である。この画像形成装置８０は、本発明のラインヘッドモジュール１０１（本実施形態では、以下、これらをラインヘッドモジュール１０１Ｋ、１０１Ｃ、１０１Ｍ、１０１Ｙともよぶ）を、対応する同様な構成である４個の感光体ドラム（像担持体）４１Ｋ、４１Ｃ、４１Ｍ、４１Ｙの露光装置にそれぞれ配置したもので、タンデム方式のものとして構成されたものである。

この画像形成装置８０は、駆動ローラ９１と従動ローラ９２とテンションローラ９３とを備え、これら各ローラに中間転写ベルト９０を、図１１中矢印方向（反時計方向）に循環駆動するよう張架したものである。この中間転写ベルト９０に対して、感光体ドラム４１Ｋ、４１Ｃ、４１Ｍ、４１Ｙが所定間隔で配置されている。これら感光体ドラム４１Ｋ、４１Ｃ、４１Ｍ、４１Ｙは、その外周面が像担持体としての感光層となっている。

ここで、前記符号中のＫ、Ｃ、Ｍ、Ｙは、それぞれ黒、シアン、マゼンタ、イエローを意味し、それぞれ黒、シアン、マゼンタ、イエロー用の感光体であることを示している。
なお、これら符号（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の意味は、他の部材についても同様である。感光体ドラム４１Ｋ、４１Ｃ、４１Ｍ、４１Ｙは、中間転写ベルト９０の駆動と同期して、図１１中矢印方向（時計方向）に回転駆動するようになっている。

各感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の周囲には、それぞれ感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の外周面を一様に帯電させる帯電手段（コロナ帯電器）４２（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）と、この帯電手段４２（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）によって一様に帯電させられた外周面を感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の回転に同期して順次ライン走査する本発明のラインヘッドモジュール１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）とが設けられている。

また、このラインヘッドモジュール１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）で形成された静電潜像に現像剤であるトナーを付与して可視像（トナー像）とする現像装置４４（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）と、この現像装置４４（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）で現像されたトナー像を一次転写対象である中間転写ベルト９０に順次転写する転写手段としての一次転写ローラ４５（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）と、転写された後に感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の表面に残留しているトナーを除去するクリーニング手段としてのクリーニング装置４６（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）とが設けられている。

ここで、各ラインヘッドモジュール１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）は、有機ＥＬ素子の配列方向が感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の母線に沿うように設置されている。そして、各ラインヘッドモジュール１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の発光エネルギーピーク波長と、感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の感度ピーク波長とが略一致するように設定されている。

現像装置４４（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）は、例えば、現像剤として非磁性一成分トナーを用いるもので、その一成分現像剤を例えば供給ローラで現像ローラへ搬送し、現像ローラ表面に付着した現像剤の膜厚を規制ブレードで規制し、その現像ローラを感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）に接触させあるいは押圧せしめることにより、感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の電位レベルに応じて現像剤を付着させ、トナー像として現像するものである。

このような４色の単色トナー像形成ステーションにより形成された黒、シアン、マゼンタ、イエローの各トナー像は、一次転写ローラ４５（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）に印加される一次転写バイアスによって中間転写ベルト９０上に順次一次転写される。そして、中間転写ベルト９０上で順次重ね合わされてフルカラーとなったトナー像は、二次転写ローラ６６において用紙等の記録媒体Ｐに二次転写され、さらに定着部である定着ローラ対６１を通ることで記録媒体Ｐ上に定着され、その後、排紙ローラ対６２によって装置上部に形成された排紙トレイ６８上に排出される。

なお、図１１中の符号６３は多数枚の記録媒体Ｐが積層保持されている給紙カセット、６４は給紙カセット６３から記録媒体Ｐを一枚ずつ給送するピックアップローラ、６５は二次転写ローラ６６の二次転写部への記録媒体Ｐの供給タイミングを規定するゲートローラ対、６６は中間転写ベルト９０との間で二次転写部を形成する二次転写手段としての二次転写ローラ、６７は二次転写後に中間転写ベルト９０の表面に残留しているトナーを除去するクリーニング手段としてのクリーニングブレードである。

このような図１１に示した画像形成装置８０においては、図１に示したような本発明のラインヘッドモジュール１０１が露光手段として備えられている。従って、これら画像形成装置８０にあっては、前述したようにラインヘッドモジュール１０１から射出される光の均一性に優れたものであるので、画像形成装置自体の印刷性能が向上し、得られるプリントの品質も高いものとなる。
なお、ラインヘッドモジュールを備えた画像形成装置は上記に限定されることなく、例えば４サイクル方式の画像形成装置としても構成することができるのは勿論である

以上の実施の形態では、本発明に係る発光装置を、画像形成装置の露光部に用いられるラインヘッドモジュールに適用した例を挙げて説明したが、本発明に係る発光装置は、画像表示装置としても用いることができ、本発明によれば、均一な発光表示が得られる高画質の画像表示装置を提供することができる。そして、かかる画像表示装置を備えた電子機器は、表示部の表示性能に優れた高性能の電子機器となる。

画像形成装置の露光手段たるラインヘッドモジュールの側断面図。 ラインヘッドを模式的に示した平面構成図。 ラインヘッドの一部を拡大して示す平面構成図。 発光領域１０３における部分断面構成図。 ＳＬアレイの概略構造を示す斜視図。 ラインヘッドの製造に用いる大型基板の平面構成図。 ラインヘッドの製造方法を説明するための断面工程図。 大気圧プラズマ処理装置の一構成例を示す図。 プラズマ処理の複数の形態を示す平面構成図。 プラズマ処理装置の他の構成例を示す図。 画像形成装置の一例を示す概略構成図。

符号の説明

３ 有機ＥＬ素子（発光素子）、５ａ 基板、２３ 画素電極、５０ 陰極、６０ 発光層（発光部）、７０ 正孔輸送層（発光部）、１００ ラインヘッド（発光装置、有機ＥＬ装置）、１０１ ラインヘッドモジュール、１０２ 素子基板、１０３ 発光領域、１０４ 第１のダミー領域（第１の隔壁形成領域）、１０５ 第２のダミー領域（第２の隔壁形成領域）、１０６ 駆動回路、１０７ 外部接続端子群、１０８ 接続配線、１０９ 陰極配線、１１１ 第３のダミー領域（隔壁形成領域）、２５ 無機物隔壁、２５ａ 開口部、２２１ 有機物隔壁、２２１ａ 開口部、２２１ｂ 第１のダミー開口部、２２１ｃ 第２のダミー開口部、２２２ ダミー隔壁、３００，４００ プラズマ処理装置、５００ 大型基板。

Claims (19)

1. 基板上に、発光部を挟持して対向する第１電極及び第２電極を有する発光素子を配列してなる発光領域を備え、
   前記発光領域に、複数の前記第１電極を区画する隔壁が設けられ、
   前記隔壁に囲まれる前記第１電極上に、前記発光部が形成されており、
   前記発光領域の外側の前記基板上には、前記隔壁を延設してなる隔壁形成領域が設けられていることを特徴とする発光装置。
2. 前記発光素子が、前記発光部に有機発光層を含んでなる有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記発光領域が、基板面内に長手方向を有して形成され、
   前記隔壁形成領域が、前記発光領域の長手方向外側に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
4. 前記隔壁形成領域に配された前記隔壁に囲まれた領域内に、導電膜が形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置。
5. 前記導電膜が、前記第１電極と同層に形成された導電膜であることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
6. 前記隔壁形成領域に配された前記隔壁に囲まれた領域内に、前記発光部を構成する機能層の少なくとも一部が形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の発光装置。
7. 前記隔壁形成領域が、平面的に区画された第１の隔壁形成領域と第２の隔壁形成領域とを有しており、
   前記第１の隔壁形成領域の前記隔壁に囲まれた領域内にのみ、前記機能層が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
8. 前記隔壁形成領域における前記隔壁の面積率が、前記発光領域における前記隔壁の面積率より大きいことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の発光装置。
9. 前記隔壁形成領域における前記隔壁の平面パターン形状が、前記発光領域における前記隔壁の平面パターン形状と略同一であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の発光装置。
10. 前記基板上に、前記発光素子と直接又は他の回路素子を介して接続された外部接続端子が設けられ、
    前記外部接続端子が、前記発光領域の長手方向延長上に配設された前記隔壁形成領域の近傍に配置されており、
    前記外部接続端子の近傍における前記隔壁形成領域における前記隔壁の形成密度が、他の隔壁形成領域における前記隔壁の形成密度より大きくされていることを特徴とする請求項３から８のいずれか１項に記載の発光装置。
11. 基板上に、発光部を挟持して対向する第１電極及び第２電極を有する発光素子を配列してなる発光領域を設けてなる発光装置の製造方法であって、
    前記基板上に前記第１電極を形成する電極形成工程と、
    前記発光領域となる領域にて前記第１電極を区画する隔壁を形成する隔壁形成工程と、
    前記隔壁が形成された前記基板の表面にプラズマ処理を施す表面処理工程と、
    を有し、
    前記隔壁形成工程にて、前記隔壁を前記発光領域の外側まで延設することを特徴とする発光装置の製造方法。
12. 前記発光領域が前記基板上で一方向に長手に形成された発光装置を製造するに際し、
    前記隔壁形成工程にて、前記隔壁を前記発光領域の長手方向外側に延設することを特徴とする請求項１１に記載の発光装置の製造方法。
13. 基板上に、発光部を挟持して対向する第１電極及び第２電極を有する発光素子を配列してなる発光領域を設けてなる発光装置の製造方法であって、
    一方向に長手の前記発光領域を有する複数の前記発光装置を、該発光装置が形成される発光装置形成領域を前記長手方向と略直交する方向に配列形成してなる大型基板を用いて製造するに際し、
    前記大型基板上の前記各発光領域となる領域に、前記複数の第１電極を形成する電極形成工程と、
    前記各発光領域となる領域にて前記第１電極を区画する隔壁を前記大型基板上に形成する隔壁形成工程と、
    前記隔壁が形成された前記大型基板の表面にプラズマ処理を施す表面処理工程と、
    を有し、
    前記隔壁形成工程にて、前記隔壁を前記発光領域の長手方向外側まで延設することを特徴とする発光装置の製造方法。
14. 前記隔壁形成工程において、
    前記隔壁を、前記発光装置形成領域の前記長手方向外側まで延設することを特徴とする請求項１３に記載の発光装置の製造方法。
15. 前記隔壁形成工程において、
    前記発光装置形成領域が配列形成されたさらに外側の前記大型基板上の領域であって、前記発光装置形成領域の配列方向の外側の領域に、前記発光領域に沿って延在する前記隔壁を形成することを特徴とする請求項１３又は１４に記載の発光装置の製造方法。
16. 前記表面処理工程において、
    一方向に長手のプラズマ処理部を有するプラズマ処理装置を用いて、
    前記プラズマ処理部により前記基板の表面を走査することを特徴とする請求項１１から１５のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
17. 前記プラズマ処理部の走査方向が、前記大型基板における前記発光装置形成領域の配列方向と略平行であることを特徴とする請求項１６に記載の発光装置の製造方法。
18. 前記プラズマ処理部の走査方向が、前記大型基板における前記発光装置形成領域の配列方向と略直交する方向であることを特徴とする請求項１６に記載の発光装置の製造方法。
19. 請求項１から１２のいずれか１項に記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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