TWI322929B - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

Description

九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影裝置及一種用於製造設備之方 法。 【先前技術】 微影裝置係將一所要圖案應用至一基板上（一般應用至 該基板之一目標部分上）的機器。微影裝置可用於（例如）積 體電路（1C)之製造中。在彼情形中，可使用一圖案化設備 (其另外稱為光罩或主光罩）以產生一待形成於該IC之個別 層上的電路圖案。可將此圖案傳送至一基板（例如，矽晶 圓）之一目標部分（例如’包含部分、一或若干個晶粒）上。 通常經由成像至該基板上所提供之一輻射敏感材料(抗蝕 劑)層上來進行圖案之傳送。_般而t，一單個基板將含 有連續被圖案化的相鄰目標部分之一網路。吾人熟知之微 + 4置L括所明之步進器（其中藉由—次性將整個圖案曝 露至該‘目標部分上來照射每-目標部分）及所謂之掃描^ (其中藉由在一哈定太° 描，圖牵… 向)上藉由一輻射光束掃 抱6哀圖案同時平行痞 矣4 次反十仃於此方向同步掃描該基板來昭 母目&部分）。亦可藉由 該圖案自圖案化設備傳送至該基板。卩4板上而將 已提議將微影投影裝置中之基板浸沒在— 折射率的液體(例如 /、有相對阿之 元件與基板之間的1 P 錢料、統之最終 令將具有較短之波♦而使/義係由於曝光輕射在該液體 長而使成像較小特徵成為可能。(亦可 103711 .doc 將。亥液體之效果認為是增加了該系統之有效NA且亦增加 了聚焦深度。）已提議了其它浸液，包括具有懸浮於其中 之固體粒子（例如石英）的水。 而將基板或基板與基板台浸沒在一液體浸泡劑中 (例如，參見us 4,509,852，其全文以引用方式併入本文 中）’V«明存在必須於掃描曝光期間加速之大量液體。此需 要額外或更大功率之馬達，且液體中之擾動可導致不良且 不可預知之效果。 —所提議之其中一種解決方案為，液體供應系統使用一液 體限制系統而僅在基板之一限定區域及在投影系統之最終 π件與該基板之間提供液體（基板一般具有一大於投影系 統之最終元件的表面積）e w〇 99/49504中揭示了一種已提 議用於針對此進行配置之方式，言亥案之全文以引用的方式 併入本文中。如圖2及圖3中所說明，藉由至少一入口⑺而 將液體供應至基板上（較佳沿基板相對於最终元件之移動 方向），且在已穿過該投影系統之下方後藉由至少一出口 OUT而將該液體移除。即，當在該元件下於·χ方向上掃描 基板時，在該元件之+Χ側處供應液體且在_χ側加以吸 收。圖2示意性地展示了其中經由入口以供應液體且在該 元件之另-側藉由連接至一低壓源之出口謝而加以吸收 之配置。在圖2之說明中，沿基板相對於最終元件之移動 方向供應液體’儘管事實不需如此。定位於最終元件周圍 之入口及出口的多種定向及數目皆可行，圖3中說明了一 實例，其中以圍繞最終元件之規則圖案提供了在任一側上 1037! ] .doc 1322929 具有一入口及一出口之四種設定。

已提議之另-種解決方“提供具有—密封構件之液體 供應系統，該㈣構件沿投影系統之最終元件與基板台之 間之空間的邊界之至少一部分而延伸。圖4a及圖仆中說明 了此種解決方案。該密封構件在灯平面中相對於投影系 統大體上靜止，雖然在z方向上(在光轴方向上)可存在一 些相對移動。在該密封構件與該基板表面之間形成密封。 該密封較佳為諸如氣體密封之無接觸密封。在歐洲專利申 請案第03252955.4號中揭示了此種具有氣體密封之系統， 該案之全文以引用的方式併入本文中。 圖4b展示了一經組態以在投寻 牡仅〜边鏡PL下方之限定區域25 中含有浸液之密封構件12的一香a丨π 再1干12的貫例配置。該密封構件12具 有經組態以經由遽網GZ自限定1¾•试坦说V . Θ丨R疋b域25提取液體之提取 器EX。該提取器EX可提取洛坪β 如 捉取履體及軋體兩者或僅提取液 體。在提取器ΕΧ之徑向向外卢袒

Π Π外處知供凹槽RE且在該凹槽RE

之徑向向外處提供氣體密封27。該氣體密封27形成一氣體 唷射JE’其用以乾燥基板…之表面及/或減少自密封構件η 逃逸之液體的量。 在歐洲專利申請案第〇3257〇72.3號中揭示了一種複式或 又平s ’又，又微衫裝置之觀點。此裝置具有用於支撐基板之 兩個平臺。使用第—位置處之平臺執行平整性量測，而無 需浸液，且使用篦-琢占 一4置處之平臺執行曝光，其中存在浸 液。或者，該裝置僅具有一個平臺。 儘官提％ 了改良之解析度 但已發現，浸液之引入可導 I0371i.doc 1322929 致在基板上所產生之影像 間之對準誤差（意即，重疊 【發明内容】 令之誤差，包括-層與下—層 誤差）、散焦及像差。 曰 之 需要提供-種能降低由浸液引起之微影誤差的系統。 根據本發明之一態樣，提供了—種微影裝置，其包人. -照明系，統，其經組態以調節一輻射光束，·一支撐：3 : 經建構以支撐一圓案化設備，該圖案化設備能夠：該二

光束之橫截面中賦予其一圖案以形成一圖案化之輕射： 束；一基板台’其經建構以固持_基板；一投影系統，发 經組態以將該圖案化之輻射光束投影至該基板之一目棹； 分上·’ 一液體供應系、统，其經組態以使用液體至少部分^ 填充該投影系統之一最終元件與該基板之間的空間；I密 封構件’其經大體上配置以在該投影系統之該最終元件： 該基板之間的該s間内含有該液體；及—液體蒸發控制 器’其經配置以控制該液體供應系統所供應之液體的淨装 發速率^ …

根據本發明之進一步態樣，提供了 一種微影裝置，其包 含·一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一支撐 件，其經建構以支撐一圖案化設備，該圖案化設備能夠在 该輻射光束之橫截面中賦予其一圖案以形成一圖案化之輻 射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；一投影系 、·充其經組態以將該圖案化之輻射光束投影至該基板之一 ‘邛77上’一液體供應系統，其經組態以使用液體至少 P刀地填充該投影系統之—最終元件與該基板之間的空 1〇3711.do, 丄 Π ’被封構件’其經大體上配置以在該投影系統之該最 、:70件與該基板之間的該空間内含有該液體；及一基板台 掃插系統，其經配置以沿一相對於該密封構件之預定掃描 毡移動°亥基板台，藉此掃描該基板表面上之該目標部 刀，及基板加熱器，其經組態以根據該基板台相對於該 ‘封構件之位置'速度、加速度及掃描路徑、局部基板溫 度及局部基板台溫度中之至少一者來加熱該基板之至少一 部分。 根據本發明之進一步態樣，提供了 一種微影裝置，其包 3 .—照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一支撐 件，其經建構以支撐一圖案化設備，該圖案化設備能夠在 該輻射光束之橫截面中賦予其一圖案以形成一圖案化之輻 射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；一投影系 統，其經組態以將該圖案化之輻射光束投影至該基板之一 目標部分上；一液體供應系統，其經組態以使用液體至少 部分地填充該投影系統之一最終元件與該基板之間的空 間；一密封構件，其經大體上配置以在該投影系統之該最 終元件與該基板之間的該空間内含有該液體；及一氣體密 封’其經組態以控制自該密封構件逃逸穿過一由該密封構 件之一邊界而被定界於一側上且由該基板而被定界於第二 側上之間隙的液體的量，該氣體密封包含一氣體出〇 , _ 由該氣體出口將氣體供應至該間隙内之區域）及一真*排 氣入口（由該氣體出口供應之氣體經由該真空排氣入口而 得以自該間隙内之區域移除）’該氣體出口及該真空排氣 I03711.doc • U· 1322929 入口分別連接至嵌入於該密封構件中之一氣體出口管及— 真空排氣入口管，其中該密封構件進一步包含一密封構件 度穩定器。 根據本發明之進一步態樣，提供了一種微影裝置，其包 ^ ’’?、明系統，其經組態以調節一輕射光束；一支撐 件，其經建構以支樓一圖t化設肖，該案化設備能夠在 該輻射光束之橫截面中賦予其一圖案以形成一圖案化之輻 射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；一投影系 統，其經組態以將該圖案化之輻射光束投影至該基板之」 目標部分上；-液體供應系、統，其經組態以使用液體至少 P刀也真充5亥杈影系統之一最終元件與該基板之間的空 門^ S封構件，纟經大體上配置以在該投I系統之該最 :几件與D亥基板之間的言亥空㈤内含有該液體；一基板台熱 ^換流體控制器’其用於控制經配置以流經嵌入於該基板 台中之-通道網路的熱交換流體之溫度及流動速率。 根據本發明之進一步態樣，提供了一種微影裝置，其包 含.-照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一支撐 件-其：建構以支撐-圖案化設備’該圖案化設備能夠在 p亥幸田射光束之橫截面中睡、j?; # '戳囟予其一圖案以形成一圖案化之輻 射光束；一基板a，甘、 ° ”！建構以固持一基板；一投影系 統，其經組態以將兮电，， ’' ^ ®木化之輻射光束投影至該基板之一

目標部分上，其中該基板A μ ^ 攸D包含至少一整合之局部溫度控 制糸統’該局部溫度押土 π Φ糸，"先包含：一與一加熱器耦接之 >孤又感應器，該加熱器經 、-且l以*如由該溫度感應器所量 I03711.doc -13- 測之局部溫度落至一預定參考值以下時產生熱，且當該局 部溫度升至該預定參考值以上時停止產生熱。 。 根據本發明之進一步態樣，提供了一種微影裝置，其包 含：—照明系統，其經組態以調節一輻射光束；_支撐 件，其經建構以支標-圖案化設備，該圖案化設備能夠在 該輻射光束之橫截面中賦予其一圖案以形成—圖案化之輻 射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；一投影系 統，其經組態以將該圖案化之輻射光束投影至該基板之一 目裇。卩分上，至少一溫度感應器，其經組態以量測該基 板°亥基板台及一基板固持器中之至少一者的至少—部分 的溫度；及一投影系統控制器，其經組態以調整該圖案化 之輻射光束的特性以回應於由該至少一溫度感應器所量測 之該（等）溫度。 根據本發明之進一步態樣，提供了 一種微影裝置，其包 含：—照明系統，其經組態以調節一輻射光束；—支撐 件，其經建構以支撐一圖案化設備，該圖案化設備能夠在 該輻射光束之橫截面中賦予其一圖案以形成一圖案化之輻 射光束，基板台，其經建構以固持一基板；一投影系 、’先，其經組態以將該圖案化之輻射光束投影至該基板之— 目払邛分上，一液體供應系統，其經組態以使用液體至少 邛刀地填充該投影系統之一最終元件與該基板之間的空 間，一松、封構件，其經大體上配置以在該投影系統之該最 =元件與該基板之間的該空間内含有該液體；及—基板台 矛夕位系統，其經配置以沿一相對於該密封構件之預定路徑 103711 .d〇c 辛夕動遠基板台’藉此在該基板表面上移動該目標部分；及 一微波源及微波封鎖設備，其經共同組態以向該基板表面 上之液體供應熱。 根據本發明之進一步態樣’提供了 一種設備製造方法， 其包含：提供一經組態以調節一輻射光束之照明系統；提 供一經建構以支撐一圖案化設備之支撐件，該圖案化設備 能夠在該輻射光束之橫截面中賦予其一圖案以形成一圖案 化之輕射光束；提供一經建構以固持一基板之基板台；提 七、經組態以將該圖案化之轄射光束投影至該基板之一目 ‘部分上的投影系統；提供一經組態以使用液體至少部分 地填充該投影系統之一最終元件與該基板之間的空間的液 體供應系統；提供一經大體上配置以在該投影系統之該最 終元件與該基板之間的該空間内含有該液體的密封構件； 及控制該液體供應系統所供應之液體的淨蒸發速率。 根據本發明之進一步態樣，提供了 一種設備製造方法， 其包含：提供一經組態以調節一輻射光束之照明系統；提 供—經建構以支撐一圖案化設備之支撐件，該圖案化設備 能夠在該輻射光束之橫截面中賦予其一圖案以形成一圖案 化之輻射光束；提供一經建構以固持一基板之基板台；提 供一經組態以將該圖案化之輻射光束投影至該基板之一目 ‘。[5分上的投影系統；提供一經組態以使用液體至少部分 地填充該投影系統之一最終元件與該基板之間的空間的液 2供應系統；提供一經大體上配置以在該投影系統之該最 、-、7L件與該基板之間的該空間内含有該液體的密封構件； I03711.doc •15- 丄 及提供一基板台移位系統，其經配置以沿一相對於該密封 構件之預定路徑移動該基板台，藉此在該基板表面上移動 °亥目軚部分；及根據該基板台相對於該密封構件之位置、 速度、加速度及預定路徑、局部基板溫度及局部基板台溫 X中之至一者來加熱該基板之至少一部分。 根據本發明之進一步態樣，提供了一種設備製造方法， 其包含：提供一經組態以調節一輻射光束之照明系統；提 供一經建構以支撐一圖案化設備之支撐件，該圖案化設備 能夠在該輻射&束之橫截自中賦予其一圖帛以形成一圖案 化之輻射光束：提供一經建構以固持一基板之基板台；提 ::經組態以將該圖案化之輻射光束投影至該基板之一目 耗。P 77上的投影系統；提供一經組態以使用液體至少部分 地填充該投影系統之一最終元件與該基板之間的空間的液 ^供應系統；提供一經大體上配置以在該投影系統之該最 、’；元件14忒基板之間的该空間内含有該液體的密封構件； 及提供一氣體密封，其經組態以控制自該密封構件逃逸穿 過一由該密封構件之一邊界而被定界於一側上且由該基板 而被疋界於第二側上之間隙的液體的量，提供一包含一氣 體入口（經由該氣體入口可將氣體供應至該間隙内之區域） 及真空排氣入口（由該氣體入口供應之氣體經由該真空 排氣入口而得以自該間隙内之該區域移除）的氣體密封， z氣體入σ及4真空排氣出口分別連接至|人於該密封構 件中之—氣體人口管及-真空排氣出口管，且穩定該密封 構件之溫度。 103711 .doc •16· 1322929 根據本發明之進-步態樣’提供了一種設備製造方法， 其包含·提供-經組態以調節—輕射光束之照明系統；提 供一經建構以支撐一圖案化設備之支撐件，該圖案化設備 能夠在該輻射光束之橫截面中賦予其一圖案以形成—圖案 化之輻射光束；提供一經建構以固持一基板之基板台提 供-經組態以將該圖案化之輕射光束投影至該基板二目 仏部分上的投影系，统；提供—經組態以使用液體至少部分 地填充該投影系統之一最終元件與該基板之間的空間的液 體供應系統；提供-經大體上配置以在該投影系統之該最 終元件與該基板之間的該空間内含有該液體的密封構件. 提供被嵌入於該基板台中的一通道網路，及控制經配置以 流經該通道網路之熱交換流體的溫度及流動速率。 根據本發明之進-步態樣，提供了—種設備製造方法， 其包含：提供-經組態以調節—輕㈣束之照明系統 供一經建構以支撐一圖宰化 ' _茶化》又備之支撐件，該圖案化設備 在該幸畐射光束之橫截面中賦予其一圖案以形成一圖案 化之幸§射光束；提供一經建構以固持一基板之基板台；提 供—經組態以將該圖案化之輕射光束投影至該基板之一目 標部分上的投影系統，其中該基板台包含至少一整合之局 :溫度控制系統，該局部溫度控制系統包含：一與一加熱 溫度感應器，該加熱器經組態以當如由該溫度感 怎:所$測之局部溫度落至—預定參考值以下時產生熱， 且虽遠局部溫度升至該預定參考值以上時停止產生熱。 X象本七明之進-步態樣，提供了-種設備製造方法， I03711.doc •17· 其包含二im仪 一 '、一經組態以調節—輻射光束之照明系統；提 ^ 建構以支撐一圖案化設備之支撐件，該圖案化設備 4句,4輻射光束之橫載面中賦予其一圖案以形成一圖案 化之辕射光束·’提供—經建構以固持-基板之基板台·，提 IΛ工組態以將該圖案化之輻射光束投影至該基板之-目 ^ 4刀上的投影系統；提供經組態以量測該基板、該基板 * 基板固持器中之至少一者的至少一部分的溫度的至 少一溫度感應器；及調整該圖案化之輻射光束的特性以回 應於由該至少一溫度感應器所量測之該（等）溫度。 1根據本發明之進一步態樣，提供了一種設備製造方法， 其包含：提供一經組態以調節一輻射光束之照明系統；提 供-經建構以支撐一圖案化設備之支撐件，該圖案化設備 能夠在該輕射光束之橫截面中賦予其一圖案以形成一圖案 化之輻射光束；提供一經建構以固持一基板之基板台；提 供一經組態以將該圖案化之輻射光束投影至該基板2一目 標部分上的投影系統；提供一經組態以使用液體至少部分 地填充該投影系統之一最終元件與該基板之間的空間的液 體供應系統；提供一經大體上配置以在該投影系統之該最 終元件與該基板之間的該空間内含有該液體的密封構件. 及提供一基板台移位系統，其經配置以沿一相對於今密封 構件之預定路徑移動該基板台，藉此在該基板表 叫上移動 該目標部分；及使用一微波源及微波封鎖設備以向該義板 表面上之液體供應熱。 【實施方式】 10371l.doc -18 ·

圖1示意性地描繪了根據本發明之一實施例之微影裝 。該裝置包含： 如、 明系統（照明器）IL，其經組態以調節—轄射光束 B(例如’ UV輻射或DUV輻射）； -一支揮結構（例如，光罩台）MT，其經建構以支偉一圖案 化設備(例如，光罩)MA且其連接至一經組態以根據某些參 數精確定位該圖案化設備之第一定位器pM; -一 土板台（例如，晶圓臺）WT，其經建構以固持一基相 =此：覆有抗㈣之晶圓Μ其連接至-經組態二 〃 一*數精確定位該基板之第二定位器pw丨及 :::影系統(例如，折射投影透鏡系統)ps，

IS 予該輕一圖案投影至基板V 目W分C(例如，包含一或多個晶粒)上。 該:、明系統可包括多種類型之光學組件， 向、成形或控制輕射之折射、反射、磁、電二 它類型之光學組件或其任何組合。 ^電或其 =標結構支樓該圖案化設備（意即，承受其 以視该圖案化設備之定向、 - 如)是否將該圖孝化，…心裝置之“及諸如(例 定之方式來固㈣圖於真空環境中之其它條件而 真空、靜電或1Μ 該支樓結構可使用機械、 結構可為(例如;;視：來固持該圖案化設備。該支携 樓結構可確保該圖案化心：可移動之框架或台。該支 —所要位置。如）相對於該投影系統處於 中術語主光罩"或"光罩"之任何使 1〇j 71 l.doc 1322929 用認為與更通用之術語"圖案化設備"同義。 本文中所使用之術語_，圖案化設備"應廣泛解釋為是指可 :在輕射光束之橫截面中賦予其一圖案以便在該基板 T-目標部分中產生一圖案的任何設備。應注意，賦予該 韓射光束之圖案可能並不精確對應於該基板之目標部分中 :要圖案(例如’若該圖案包括相移特徵或所謂之辅助 2破）。—般而言，賦予該轄射光束之圖案將對應於該目 W刀中所產生之_裝置中的特定功能層，諸如—積體電 路。 該圖案化設備可為透射型或反射型。圖案化設備之實例 u括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化l⑶面板。光罩 在微影中已為吾人所熟知，且其包括諸如二進位型 Γ型及衰減相移型之光草類型，以及多種混合光罩類 。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之一矩陣排 別傾斜該等小鏡面之每一者以便在不同方向上反 =光束。該等傾斜之鏡面將一圖案賦予由該鏡 所反射之輻射光束中。 類ϋ文中所❹之術語mm泛解釋為涵蓋任何 投影系統，包括折射型、反射型、反射折射型、 曝光2騎電光學系統或其任何組合，如適於所使用之 本：射或適於諸如浸液之使用或真空之使用的其它因 :文中之術语|，投影透鏡"的任何使用可 之術語"投影系統"同義。 ”更通用 如此處所描繪，該裝置為透射型（例如，使用一透射型 *〇37l!.d〇c •20· 光罩）。或者，該裝置可為反射型（例如，使用如上文所涉 及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用一反射型光罩）。 °玄微影裝置可為一具有兩個（雙平臺）或兩個以上之基板 台（及/或兩個或兩個以上之光罩台）的類型。在此等"多平 臺"機器中，可並行使用額外台，或可在一或多個臺上執 订準備步驟，同時將一或多個其它台用於曝光。基板w可 由基板台WT(有時稱為鏡面塊）直接固持，且可由一基板固 持器（有時稱為樹瘤板或夾盤）來固持，該基板固持器又由 基板台WT固持。 參看圖1，知、明器IL自輻射源s〇接收一輻射光束。該輻 射源及該微影裝置可為獨立實體’例如當該輻射源為一準 分子雷射時。在此等情形中，並不認為該輻射源形成該微 〜裝置之一部分，且輻射光束借助於一光束傳遞系統 而自輻射源SO傳遞至照明器IL，其中該光束傳遞系統8〇 i a (例如）適^之導向鏡面及/或—射束放大器。在其它情 形中，該輻射源可為微影裝置之一整合部分，例如當該輻 射源為一汞燈時。輻射源8〇及照明器扎連同光束傳遞系統 (若需要）可稱為一輻射系統。 照明器IL可包含一用於調節該輻射光束之角強度分佈的 凋節器AD。一般而言，可調節該照明器之光瞳平面中強 度分佈之至少外部及/或内部徑向範圍（通常分別稱為σ_外 部及σ-内部）。另外，照明器化可包含多種其它組件，諸 如積光器IN及聚光器c〇。該照明器可用於調節輻射光束 以在其撗截面中具有一所要之均一性及強度分佈。 I0371l.doc 1322929 輻射光束B入射於被固持在支撐結構（例如，光罩台Μτ) 上之圖案化設備（例如，光罩ΜΑ)上，且由該圖案化設備加 以圖案化。在已橫穿過光罩1^八後，輻射光束Β穿過投影系 統PS，6亥投影系統PS將該光束聚焦至基板w之一目標部分 C上。借助於第二定位器Pw及位置感應器IF(例如，一干 涉量測設備、線性編碼器或電容感應器），可精確移動基 板台WT，（例如）以便在輻射光束6之路徑中定位不同的目 標部分C。類似地’第一定位器PM及另一位置感應器(其 未在圖1中明確描繪）可用於（例如）在自一光罩庫進行機械 擷取之後或在一掃描期間相對於輻射光束B之路徑精確定 位光罩MA…般而言’可借助於一長衝程模組（粗定位）及 一短衝程模組（精定位）來實現光罩台MT之移動，該等模組 形成第一定位器PM之一部分。類似地，可使用一長衝程 杈組及一短衝程模組來實現基板台WT之移動，該等模組 形成第二定位器PW之一部分。在步進器（與掃描器相對）之 =形中，光罩台MT可僅連接至一短衝程致動器，或可固 疋。可使用光罩對準標記Μ1、M2及基板對準標記p 1、p2 來對準光罩ΜΑ與基板W。儘管如所說明之該等基板對準 標記佔據了專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空 間中（此等對準標記稱為切割道對準標記）。類似地，在= 中在光罩ΜΑ上提供一個以上之晶粒的情形中，該等光罩 對準標記可位於該等晶粒之間。 所描繪之裝置可用於以下模式中之至少—者中： h在步進模式中’ & |台ΜΤ及基板台⑽保持基本上靜 103711 .d〇c -22- 止’同時將賦予輻射光束之整個圖案一次性投影至一目標 部分C上（意即，單一靜態曝光）。隨後在X及/或γ方向上移 動基板台WT，使得可曝光一不同目標部分c。在步進模式 中’曝光場之最大尺寸限定了單一靜態曝光中所成像之目 標部分C的尺寸。 2. 在掃描模式中，同步掃描光罩及基板台WT，同時 將賦予輕射光束之圖案投影至一目標部分C上（意即，單一 動態曝光）。可由投影系統PS之（縮小率）放大率及影像反轉 特徵來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在 知描模式中，曝光場之最大尺寸限定了單一動態曝光中之 目標部分的寬度（在非掃描方向上），而該掃描運動之長度 則判定了該目標部分之高度（在掃描方向上）。 3. 在另一模式中，光罩台MT保持基本上靜止以固持一可 私式化圖案化設備，且移動或掃描基板台WT同時將賦予 輻射光束之圖案投影至一目標部分〇上。在此模式中，通 常使用一脈衝輻射源並在基板台WT每次移動之後或在掃 描期間的連續㈣脈衝之間根據需要更新料程式化圖案 化設備。此操作模式可不難應用於利用可程式化圖案化設 備（諸如上文所涉及之類型的可程式化鏡面陣列）之無光罩 微影中。 用有用 亦可使用上述有用之模式的組合及/或變更或使 之完全不同的模式。

液體蒸發控制器來解決與 之重疊誤差及其它問題， •23· β液體热發控制器以基板區域中之浸液的蒸發速率為目標 並對其加以控制。液體分子自周圍環境吸收能量以便蒸 發，且尤其在被抽走時，產生之冷卻可導致諸如基板歡 關鍵，且件的/皿度發生顯著且不均句變化。熱致變形可導致 最終寫入至該基板之影像發生錯誤。舉例而言，在密封構 件12已經過之後留存於該基板上之浸液的蒸發可導致高達 3Κ之局部溫度下降。、结果’通常會導致超過2〇㈣之單機 重疊誤差。 圖5展不了根據本發明之一或多個實施例之密封構件a 的一配置。浸液被包含於一位於投影系統pL之最終元件與 基板w之間的浸沒貯器25内。浸液藉由密封構件^之本體 且藉由其較低周邊上之氣體密封27而得以包含在該浸沒貯 器25内，該氣體密封27限制了自浸沒貯器乃逃逸穿過間隙 22之浸液的量。氣體密封27連接至一加壓氣體供應系統 3〇,該加壓氣體供應系統3〇經由一加壓氣體出口 18及—加 壓氣體供應管15而向氣體密封27供應加壓氣體。經由一真 空排氣入口 1 7及一真空排氣管14而將氣體抽走。可經由真 空排氣入口 17而將在氣體密封27之區域令蒸發的浸液抽 走。或者，逃逸越過氣體密封27的液體，無論是進入間隙 22中密封構件12下方之區域中還是越過密封構件12之外部 邊緣，其均可蒸發至密封構件12外部之基板w外部的環境 中〇 在一物質同時以液體形式及氣體形式存在之情況下，事 貫通$疋將存在一動態平衡，其中液體之蒸發速率與蒸氣 I03711.doc -24 - t冷/疑速率平衡。由蒸發所引起之冷卻的量將因此由冷凝 ('、中同此氣體分子由於部分轉變至低能液態而向其周圍 袁兄產生知*昼）弓丨起之加熱抵消。冷卻能力因此取決於淨 1發速率（思即’每單位時間自液態進入氣態之分子數目 =每單位時間自氣態進入液態之分子數目之間的差異）。 冷凝及瘵發兩者皆為統計效果，且增加所涉及之分子數目 將增加任一過程之速率。因此，增加蒸氣濃度將增加冷凝 速率並^致淨蒸發速率降低。在蒸氣由水分子組成的情況 y，此浪度直接與相對濕度有關，該相對濕度被界定為水 洛礼的量，其作為可存在於一給定溫度下之最大數量的百 分數而存在。 據本發月之實施例採用此瞭解以控制由浸液之蒸發 斤引（之冷部。如圖5中所說明’提供了一加壓氣體濕度 控制器5 G，其經組態以與加壓氣體供應系統3 G相互作用從 而向氣體密封27提供罝古诎& A , ”有被控制為大於1 〇%之相對濕度的 加壓氣體。增加該氣體夕知 體之相對濕度會增加冷凝速率，並因 此降低淨蒸發速率及由此引 5丨起之冷邠。較佳地，將該相對 濕度配置在一藉由參考校正旦 可仅正里測而判定之預定範圍内。為 控制冷卻之目的，相對渴度俞古 ·，、沒忿同愈好。然而，對於極高之 相對濕度而言，密封構件1 9 J傅仟12可在其尾跡中留下過量的水。 此外’若提供了不足機橋夾田认 來用於5玄饴封構件之外徑附近的 潮濕氣體提取，則可留下潮 ^ Ζ.、·、乳體且其可干擾位置感應器 IF之運作。因此，上限一如 狀 又將取決於密封構件構造及/或組 怨之細節。另外或其它，妨 w預疋範圍可大於40%。可藉由 I03711.doc 25 1322929 使用比另外可僅為所達成之最佳 TAP 也封特性的目的而選擇之 工作壓力更低之工作壓力來達成諸 / ^ _ 此等之高的相對濕度 (通㊉可使用6巴）。理想地，應選擇 .y 伴盡可能接近大氣壓力同 時仍可為氣體軸承27提供足夠流叙1 * 列机動逮率以執行其功能的工 作墨力。當加壓氣體在離開加壓氣 !氣體供應系統3〇時膨脹的 時候’工作遷力愈低，則相對濕度將降低地愈少。 ㈣氣體濕度控制㈣可經配置以對基板職/或基板台 WT之溫度的變化作出回應」可經由配置於（例如）基板台 WT中之一或多個溫度感應器6〇來判定此等溫度變化。根 據本發明之-實施例，加壓氣體濕度控制器5()經配置以將 由該（等）溫度感應器60於一或多個點處所量測之基板職/ 或基板台WT及/或基板固持器之溫度與一或若干個目標溫 度Tt進行比較。意即，在存在一單個溫度感應器6〇的情況 下，加壓氣體濕度控制器50將此一個溫度讀數與一單個目 標溫度Tt進行比較》在存在複數個溫度感應器6〇的情況 下’加壓氣體濕度控制器50將複數個讀數與一單個目標溫 度Tt進行比較’或將其與對應於（例如）基板％之特定區域 及/或基板台/基板固持器之對應區域且因此對應於特定組 之溫度感應器磧數（在其内可使用一平均讀數）的複數個目 標溫度Tt進行比較。加壓氣體濕度控制器50接著調節加壓 氣體之相對濕度以便減少所量測之溫度與目標溫度之間的 差異’該過程之效率由諸如PID系統之反饋控制器加以控 制。 調節供應至氣體密封27中之氣體的濕度對於氣體密封27 103711.doc -26- 1322929 區域中（尤其是在真空排氡入口 18及真空排氣管14週圍）之 由蒸發所引起的冷卻而言最為有效。較佳具有一額外機構 來控制氣體密封27以外及密封構件12外部之液體淨蒸發。 圖ό中說明了根據本發明之一實施例之此配置。此處，提 供了氣體鎮射出口 70，其能夠提供一具有被控制為大於 10 /〇之相對濕度的氣流β提供了一氣體竊射濕度控制器 75，其能夠根據如由一或多個溫度感應器6〇所提供之於基 板W及/或基板台/基板固持器上的一或多個點處的溫度之

校正量測、計算或量測來調節相對濕度，並進行與一或若 干個目標溫度Tt之比較。此情形中之相對濕度的較佳範圍 為40〇/。至50%。在其中該氣體簇射濕度控制器乃經配置以 回應於溫度量測的情形中，其可調節該氣體之相對濕度以 便減少所量測之溫度與一或多個目標溫度Tt之間的差異。 思即，在存在一單個溫度感應器6〇之情況下，氣體簇射濕 度控制器75將此一個溫度讀數與一單個目標溫度Tt相比 較。在存在魏個溫度感應器6〇之情況了，氣體箱射濕度 控制器75將複數個讀數與一單個目標溫度Tt相比較，或與 對應於（例如）基板W之特定區域及/或基板台/基板固持器之 對應區域且因此對應於特定組之溫度感應器讀數（其内可 使用一平均讀數）的複數個目標溫度Tt相比較。諸如pm系 統之反饋控制器可控制該過程之效率。 氣體簇射濕度控制器75可經配置以與加壓氣體濕度控制 器50相互作用以便確保由氣體密封27及氣體㈣出口 7〇所 提供之氣體的相對濕度匹配。此特徵提供了 一機構，藉此 I03711.doc •27· 1322929 機構可控制氣體密封27外部之相對濕度的變化，且可避免 否則可能發生之對諸如用於量測基板台WT位置之干涉計 的系統的擾動。 基板台WT通常經配置以便由一基板台移位系統1 〇〇(參 見圖8)相對於投影系統PL及密封構件12來移動其，從而使 知可由圖案化之輕射光束來曝光基板W之連續目標部分。 此過程可促進少量浸液離開浸沒貯器25之界限而不管氣體 岔封2 7之運作如何。上文已論述了經配置以降低由降低浸 液蒸發所引起的組件冷卻之實施例。根據本發明之一替代 性態樣，藉由提供一基板加熱器來解決由蒸發之浸液的冷 卻效果所引起之誤差，其中該基板加熱器經組態以根據基 板台WT相對於密封構件12之位置、速度、加速度及預定 路徑及局部基板w及/或基板台w丁溫度中之至少一者來加 熱基板W之至少-部分。該基板加熱器可經由眾多機構來 提供加熱。此等機構可包括以下中之一或多者：一紅外線 發射源、-熱絲電阻加熱器及一熱氣噴嘴。在決定使用何 種加熱器時的重要因素包括需要如何精細且快速地調節加 熱功率以及可如何有效地生產呈微型形式之該加熱器。後 一因素將視該加熱器是否需要嵌人或靠近意欲調節立溫度 之材料（諸如-（例如）嵌入基板台WT之熱絲） 否在一距離處在某種程度上 …疋 又上有及（渚如—輻射發射源或溫 又乳體f射源）而定變得或多或少地重要。在一賴射 2源之情形中’應選擇該㈣之波長分佈 基板w上之抗隨组合物反應(對於大多數相關抗靡 I037ll.doc •28·

吕’紅外線II射在這方面是安全的輻射強度之選擇將 視抗㈣之光學特性（諸Μ反料）而定。此可藉由該微 衫裝置之配置序列期間之校正量測而判定。在可能存在一 過程階段依賴性(例如，歸因於反射率之變化)的之情況 下’亦可在生產序助執行校正作為每-批基板之額外量 測相。如下文將描述，本發明之若干實施例根據在一基板 曝光序列期間（意即’當密封構件12經過基板料）致動存 在之2板加熱器的至少一子集之原理而運作 '然而，在曝 光之前加熱基板w以便補償不期望^生但已發生之冷卻的 系統亦落在本發明之範嘴内。 ， 圖7及圖8展示了根據本發明之一實施例之配置，其包八

作為”局部加熱器"85而嵌入古玄其板二式 S 叩攸八忑丞板σ或作為”遠端加熱器，， 86而耿入岔封構件12或兩者之加熱器gw% — 埜& Air 示既。該

…加熱器85各自經配置以主要加熱基板…之―特定區 :士可共同用於控制基板w之至少一部分的溫度輪廓。該 4遠端加熱器86將視密封構件12相對於基板~之位置而— 加熱基板W之一不同部分。 疋 根據涉及局部加熱器85之第一操作模式， — 由1明1即母一加 二益之加熱功率及相對時序以在基板曝光週期開始之前在 -已知時間段處為該基板貿設定一開始溫度輪廓。藉由參 考由該微影裝置所產生之測試圖案的校正量測及/或分 析’可選擇-開始溫度輪廓，其可大體上補償將由於曝： 週期期間之浸液的蒸發而發生的冷卻。 此等加熱器85 根據涉及局部加熱器8 5之第二操作模式 '0371l.doc •29· 1322929 之每一者可經配置以僅當密封構件12經過其將定位以進行 加熱之區域時才切換至一發熱狀態。舉例而言，在密封構 件12(且因此該目標區域）如圖7中所示相對於基板w而沿一 初始晶粒（或目標區域）16〇至最終晶粒17〇之間的路徑15〇移 動之情形中，亦可大體上沿相同路徑15〇以一逐漸方式接 通局部加熱器85。此可藉由程式化一基板溫度控制器ιι〇 以提供-系列延時致動訊號而達成，其中對於每一局部加 熱器85而言，該等延時致動訊號緊密落在密封構件12相對 於基板台WT之期望路徑之後。該期望路徑可健存於一基 板台路徑判定設備90中。作為一種替代或額外方法，局部 力，，,、器8 5之致動順序可自該基板台路徑判定設備⑽之進一 步功能獲得。舉例而言’基板台路徑判定設備叩可包含用 於，測基板台WT之位置、速度及/或加速度（例如，基於干 涉量測學)及用於將此資訊饋入至基板溫度控制器ιι〇的構 件，其可經組態以在此點處計算何時致動每一局部加熱器 “。舉例而言，路徑判定設備9〇可經組態以當其摘測到密 封構件12正移離或移過一給定加熱器時向彼特定加执器發 送-致動訊號。由每一局部加熱器85所供應之功率可配置 為怪定或隨時間而變化且對於其它局部加熱器以而言可相 同或不同。用於母一加熱器之最佳配置為能夠最佳補償歸 因於有關區域之蒸發的功率損失之配置。在其中液體自密 封構件12損失率恒定之情形中，每-加熱器85-旦被致動 則其所供應之功率可* 士麟L丄 大體上相同（由於一旦密封構件12已 以過’則發現留在基板w±待蒸發之液體的量粗略地怪 10371 l.doc •30_ ^22929 又）或者’可發現在某些區域（諸如其_密封構件^改變 相對於基板台WT之方向的區域)令需要更高的加熱功率。 可執行校正量測以判定作為所要求之特定基板台路徑及速 率=函數之用以操作該等加熱器功率的最有效方式。

达封構件12中之遠端加熱器86可如圖8中所示較佳定位 於密封構件12之圓周周圍。此配置允許該等加熱器在緊密 接近蒸發過程可能正在提取大多數熱量之區域處運作。靠 近该外徑之置放可選擇為一折衷以避免直接圍繞氣體密封 27之區域，該區域實務上已被孔、管及管道密集地佔據。 由：其在距基板歡一距離處運作，所以加熱器機構(諸如 彼等基於輻射或熱氣喷射之加熱器機構）將是適當的。在 密封構件12之基座中產生一熱表面是一種可藉以建構一輻 射源之方法。此裝置與密封構件12之其餘部分的熱絕緣將 改良此特徵之效能。另外或其它，可使用紅外線燈泡。 如針對上文之局部加熱器85所配置，可視基板台之運動 方向而定來控制遠端加熱器86之功率。舉例而言，其可經 配置以自密封構件12之一側提供比自另一側更多之熱量。 因為冷卻之一態樣與自密封構件12逃逸之液體的蒸發有 關，所以密封構件12之後邊緣（此處浸液可能逃逸）上的遠 端加熱器8 6可經組態以發射比彼等位於密封構件丨2之前邊 緣（此處基板W仍乾燥）上的加熱器更高之加熱功率。可根據 需要藉由改變密封構件12之圓周周圍的加熱器86之功率及 /或寬度來改變遠端加熱器86之有效性。可（例如）藉由逐漸 啟動分段式加熱器86之不同段或複數個加熱器86之一加埶 103711.doc 31 器86來改變此後一參數β 雖然展示為嵌入基板台WT或密封構件12中，但應瞭 解’可將加熱器85/86定位於其可影響基板w之溫度的任何 地方。輻射發射加熱器(例如)可定位於一不同於基板台wt 及密封構件12之獨立本體中。在曝光之前加熱基板〜之情 況下，此可發生在一遠離彼用於曝光之區域的區域中，以 便更容易建構該等遠端加熱器86。 該微影裝置亦可包含局部溫度感應_，該等局部溫度 感應器60在圖8中所說明之實例中被嵌入基板台WT中。根 據本發明之一實施例，此等溫度感應器6〇經配置以量測基 板w之每一區域及/或受每—局部加熱器85影響之基板台^ 基板固持器之對應區域的溫度。將此資訊饋入至基板溫度 控制器110，該基板溫度控制器110隨後可計算如何控制局 部加熱器85及/或遠端加熱器86之輸出以便降低一或若干 目標溫度Tt與由局部溫度感應器6〇所量測之該（等）溫度之 間的差異》在此實施例中，可較佳配置加熱器85及/或86 以具有可變而非固定之輸出。在任一情形中，可使用—反 饋控制器（諸如PID)以最優化該收斂過程之效率。 調節由液體供應系統1 30所供應之液體的溫度亦可控制 基板W及/或基板台/基板固持器之溫度。舉例而言，可將 浸液加熱至一大於295 K之受控溫度。圖5展示了本發明之 一實施例，其包含一經配置以與液體供應系統13〇合作執 行此功能之浸液溫度控制器12〇。可根據校正量測或根據 一或多個溫度感應器60之讀數來實現浸液之溫度控制，以 1037 丨丨.doc •32· 1322929 便選擇一將有效補償蒸發熱量損失之浸液溫度。在後一情 形中’可控制浸液溫度控制器120之輸出以便最小化一或 若干目標溫度Tt與由溫度感應器60所提供之該（等）溫度之 間的一或若干差異，該收敛過程由諸如pjD控制器之反饋 控制器加以控制。意即，在存在一單個溫度感應器6〇的情 况下’次液溫度控制器12 〇將此一個溫度讀數與一單個目 標溫度Tt進行比較。在存在複數個溫度感應器6〇的情況

下’浸液溫度控制器120將複數個讀數與一單個目標溫度

Tt進行比較，或與（例如）對應於基板w之特定區域及/或基 板台/基板固持器之對應區域且因此對應於特定組之溫度 感應器讀數（其内可使用一平均讀數）的複數個目標溫度Tt 進行比較。

調節由加壓氣體供應系統3 〇所供應之氣體的溫度亦可控 制基板W及/或基板台/基板固持器之溫度。舉例而言，可 將加壓氣體加熱至一大於300 κ之受控溫度。由於氣體相 對於液體之較低熱容量’故此處之較低溫度下限高於上述 浸液溫度控制器120所需之溫度下限。根據本發明之一實 如例，在300 Κ至320 Κ之範圍内的溫度下提供加壓氣體。 圖5展示了本發明之一實施例，其包含一經配置以與加壓 氣！供應系統30合作執行溫度控制功能的加壓氣體溫度控 制器1 4 〇 °可根據校正量測或根據—或多個溫度感應器6 〇 之讀數來實現加壓氣體之溫度控制。在後_情形中，可控 制加壓氣體溫度控制器140之輸出以便最小化一或若干目 標溫度Tt與由溫度感應器6〇所提供之該(等)溫度之間的一 I03711.doc -33- 或若干差異’該收斂過程由諸如PID控制器之反饋控制器 加以控制。意即，在存在一單個溫度感應器6〇的情況下， 加壓氣體溫度控制器14 0將此一個溫度讀數與一單個目標 恤度Tt進行比較。在存在複數個溫度感應器6〇的情況下， 加壓氣體溫度控制器14〇將複數個讀數與一單個目標溫度 ^進行比較’或與對應於（例如）基板W之特定區域及/或基 板台/基板固持器之對應區域且因此對應於特定組之溫度 感應器讀數（其内可使用一平均讀數）的複數個目標溫度Tt 進行比較。 如已論述，基板加熱需求具有一可至少部分地由密封構 件12在基板W上之路徑判定的位置依賴性。至少已識別兩 個過程有助於該冷卻過程：基板w與密封構件12之間間隙 22中之液體的蒸發，及曝光後留在基板％上之剩餘液體的 洛發（若該曝光區域是濕的）。密封構件丨2之冷卻功率（意 即，自第一過程之冷卻）在時間上恆定，儘管其尤其取決 於密封構件12相對於基板W之速度。第二過程之冷卻功率 尤其取決於留在基板W上之液體的量。需要補償之冷卻的 量一般為兩個過程之複合函數，從而導致具有複雜位置依 賴性之冷部功率。基板w内之熱傳導亦將係一重要因素， 其意謂基板w之未曝光區域甚至將在密封構件12到達其之 刚便由於基板w之曝光部分中之冷卻而開始冷卻。一次進 行一個過程，然而，有可能作出一些估計。舉例而言’僅 考慮由基板W上之剩餘浸液之蒸發而引起的直接冷卻，經 組態以耗費約30秒之基板曝光（時間在上一次曝光與約5秒 I037ll.doc •34· 1322929 之基板卸載之間）及諸如圖7中標記為150之曝光次序，預 期由此機構在第一次曝光之位置16〇處可比在上一次曝光 之位置I7G處提取約織至观之更多熱量。在上文所描述 之包含基板加熱器85/86的某些實施例中，藉由延遲沿密 料件12之路徑的個別加熱器之動作來考慮此效果。亦可 H由、且心β基板加熱器以在基板w上之目標區域處提供一 較向加熱功率來達成—類似效果，其中該投影系統經組態 以在第-時間投影圖案化之輻射光束並在基板w上之目桿 區域處提供逐漸較低之加熱功率，其中投影系統PL經組態 以稍後投^圖案化之ϋ射光束。可改變此配置以視必須 加以補償之-特定設置的冷卻特徵而定給出—更為複雜之 位置依賴加熱。 雖然技術上有可能將女吾a μ丄+ 另』此將大里局部加熱器85定位於基板w 之眾多不同位置處’但實務上提供更為有限數目之 並定位其而大體上遵循密封構 …裔 顯著較為不昂貴。圖7中描：=徑幾乎同樣有效且 m ^ T指、，"了此類型之配置。此處，配 置了諸如熱其絲之伸長基板加熱器85，使得將一可個別㈣ 之疋件與基板W上密封構件12之主掃描或步進軸線^ 各㈣應於-列晶粒）中之—者對準。在所展示之 中，母-熱絲85經配置以便每單位長度發射 ： 率，且其經組態以使得與主掃 疋加熱功 絲具有最高加熱功率，㈣6對準之對準之熱 功率，料，逐漸降低直至達到被指派有最：：高加熱 對應於主掃描或步進軸線181的最後熱絲。-D熱功率之 10371 l.doc •35· 在於不同位置（例如，每基板之100與700之間）處提供大 量：部加熱器的情況下，較佳地盡可能靠近基板w之表面 來定位該等加熱器。然而，在圖7及圖8中所示之配置中， 在提供較少加熱器的情況下’較佳定位該等加熱器以使其 大體上離得更遠，使得每一加熱器將具有對基板w之一較 大部分之有效控制。 圖9展示了其中提供一連續熱絲加熱器85來加熱基板w 配置在所展示之貫例中，熱絲加熱器經配置以在某種 私度上遵循密封構件12之路徑’因為其具有大體上平行於 雀封構件1 2之主掃描軸線丨8丨_ 1 87(意即，垂直於掃描方向） 的較長部分1 95(如圖7中所示）。然而，如所描繪，將此等 較長部分之間的間距191_193配置為朝基板w之較低端變得 愈來愈短，此對應於其内將首次曝光基板w之區域（意即， 間距191>間距192>間距193)。此意謂可給予熱絲加熱器85 取簡單且最穩固之構造（在每單位長度之加熱功率恆定的 情況下，此在實務上可對應於恆定橫截面之伸長電阻元 件），且仍可提供朝其内將首次曝光基板W之區域愈來愈大 之加熱功率’該區域為將需要針對冷卻效果之最大校正的 基板W之區域。作為一替代及/或額外配置，熱絲加熱器85 可經配置以便每單位長度提供一沿其長度而變化之加熱功 率（例如’在所描繪之定向上朝基板貨之較低端而增加）。 在其中該熱絲藉由與一經過其長度之電流相關聯的電力消 耗而運作之情形中’可藉由改變橫截面（例如，提供一在 需要更多功率處變得更細之熱絲）或藉由改變所用之材料 1037M.doc 來達成可變加熱功率。在後一配 产π η 必須注意避免复φ 在不同組合物之材料之間形成接點的高阻點。 八 二圖η展示了其中基板加熱器包含可個別控制之加 85之-糸統的配置。在圖10中所示之實施例 2立控制之加熱㈣配置為大體上平行於主掃描㈣⑻· =二垂直於掃描方向)之伸長構件且將其限制在基板 之成何界限内加熱。然而，只要可個別地加以控制，則 加熱器之替代配置亦可與本發明之此實施助容。加熱器 陣列控制器180經由一位址匯流排而控制每一可個別控制 之加熱器85。該加熱器陣列控制器！ 8〇又自一預定演算法 190接收輸人，該預定演算法19Q描述應如何將每—個別加 熱器之加熱功率控制為一時間函數（且因此為密封構件Η 相對於所討論之個別加熱器之位置的函數）。待使用之適 當演算法可獲自校正量測及/或計算（例如，基於一預期量 之液體被預期保留在基板W上的時間量）。此方法具有不需 要溫度感應器之優點，此極大簡化了構造。 浸液之蒸發亦可導致密封構件12自身之冷卻。此效果 (例如）藉由冷卻浸液及/或加壓氣體、藉由對流及/或藉由 輻射效應而又可導致基板W之冷卻。根據本發之一態樣， 提供了一密封構件溫度穩定器以藉由此機構降低基板…之 冷卻。 一特定關心之區域圍繞真空排氣入口 17且在真空排氣管 1 4中。在此等區域中存在浸液的情況下，由於該真空系統 將使蒸氣濃度保持較低（蒸發之液體將立即被抽走），所以 10371 l.doc -37- 丄9 淨洛發將特別明顯。圖121說明了 —種可控制歸因於此機 =的密封構件12之總冷卻的方式，其中藉由—被配置於真 空排α氣管14周圍之熱絕緣套管21〇來實現該密封構件溫度 控制裔熱絕緣套管2 10應較佳由一種在該微影裝置之所 期望的運作溫度下具有極低熱傳導性之材料形成。通用塑 :、PTFE等可為用於熱絕緣套管21()之合適材料。另外或 其它全㈣構件本身可整體或部分地由熱絕緣材料建構而 成^ s對具有適當機械特性之材料的選擇可能受限，但 此方法較僅具有一熱絕緣套管21〇可更為有效且更易於實 韻外及/或替代方法為提供一專用密封構件加熱器 22〇二該專用密封構件加熱器22()經配置以向密封構件以 因：液之瘵發而冷卻的彼等區域提供一補償加熱功率。雖 ^方面被引導用於加熱密封構㈣本身，且因此間接加 基板W’但該密封構件加熱器22Q可經配置以直接加孰 基板W。此可由蚀田^ > ’、 ^ 曰 =口在上文可能之基板加熱器85/80 Γ 描述的紅外線加熱器之輕射發射加熱器來達 =圖12中所示之配置t，密封構件加熱器22。被配 ^真空排氣人σ周圍，且可遵循該真㈣氣人口在 =密封構㈣之轴線的平面中（進人所描繪之定 頁面）之幾何形狀。 的 ^構件溫度穩定器根據〇可能源中之—或 =制密封構件加熱器22〇之加熱功率 调即岔封構件加熱器功率以回應於真^ 1037 丨丨.doc -38- 速率，其可由加壓氣體供應系統30提供β此處，吾人期望 將需要用於較高流動速率的較高加熱功率。 亦可藉由參考可由一或多個溫度感應器6〇在一或多個位 置處置測之基板W及/或基板台/基板固持器之溫度來控制 ^封構件加熱11220。如先前實施例，可使用_反饋:制 器來降低該（等）所量測之基板溫度與_或多個預定目標溫 度Tt之間的差異。 恤

亦可控制密封構件加熱器220以回應於由加壓氣體出口 丨8所供應之氣體的相對濕度。此資訊可由濕度感應器提 供’該等濕度感應器可配置在該密封構件中或配置為加壓 氣體供應系統3 0之-部分（圖！ 3中說明了該後—情形卜 >最後，㈣構件溫度穩定器2〇〇可藉由纟考一具有所需 校正之校正表230來控制密封構件加熱器220之輸出，該校 正㈣〇自作為以下中之一或多者的函數的密封構件溫： ^測建構:基板溫度、加壓氣流速率、加壓氣流溫

-、真空排氣流動速率、真空排氣溫度、加壓氣體相對濕 度及浸液溫度。雖蟀必須谁铲 θ …乂殒進仃扠正量測，但此方法極大地 降低了在發貨給用戶之最終微影裝置中併入額外功 之需求。 當考慮與冷卻之密封構件12柄聯繫的基板冷卻問題時， 密封構们2之最重要區域為最#近及/或面向基板w之區 域。根據圖Η中所描繪的本發明之_實_，密封構㈣ :建構而具有被分佈於該密封構件12的最靠近基板w之部 "中的層柳中的一通道網路。密封構件溫度穩定器經 103711.doc -39· 1322929 組態以控制一熱交換流體供應系統41〇，該熱交換流體供 應系統4 1 0在一受控溫度及/或流動速率下向該網路提供一 熱交換流體。如在先前實施例中’可提供一反饋控制器從 而以一有效方式幫助控制該基板溫度。在此情形中，可調 即由流體供應系統400所提供之熱交換流體的溫度及/或流 動速率以便降低一或多個基板溫度及/或基板台溫度（如由 局4 /置度感應器6 0系統所置測）與一或若干目標溫度η 之間的一或若干差異。意即，在存在一單個溫度感應器6〇 的情況下’流體供應系統400將此一個溫度讀數與一單個 目輮溫度Tt相比較。在存在複數個溫度感應器6〇的情況 下，机體供應系統4 0 0則將複數個讀數與一單個目標溫度 Tt相比較，或與對應於（例如）基板w之特定區域及/或基板 台/基板固持器之對應區域且因此對應於特定組之溫度感 應器讀數（其内可使用一平均讀數）的複數個目標溫度〇進 行比較。亦可藉由參考一具有所需校正之校正表23〇來控 制邊流體之溫度及/或流動速率，該校正表23〇自作為以下 申之一或多者的函數的密封構件溫度之量測建構而成：基 板溫度、加壓氣流速率、加壓氣流溫度、冑空排氣流動速 率、真空排氣溫度、加麼氣體相對濕度及浸液溫度。雖然 必，進行校正量測’但此方法極大地降低了在發貨給用戶 之最終微影裝置十併入額外功能組件之需求。 >上文所描述之視位於密封搆件12中之機構而定的彼等實 把例之-般優點在&，其可在不影響基板台WT之動態效 能的情況下加以實施(此對於基於流體之系統及電系統而 I037ll.doc -40. 言皆正確）。密封構件溫度調節亦不僅改良了基板〜中之短 期（晶粒至晶粒）溫度變化’而且改良了自-基板w至下一 基板之長期溫度變化。更_般而t，與密封構件改良相關 聯之開發《本（及開料間）可&顯著低於涉及基板台资之 彼m發成本（及開發時間）。&了與控制基板台w τ之動力 學相關聯的問題外，有利於對密封構件12而非基板台WT 起作用的另-因素係關於平整度要求，對於密封構件以而 言，該等平S度要求約寬鬆100倍可能在（例如）將通道 加工成密封構件12時較重要。在該表面附近（在孔最有效 之處）引入孔往往會由於熱交換流體之壓力的可能變化（歸 因於該密封構件之外部表面與内部通道邊緣之間所留下的 材料之薄寬度的降低之硬度）而引入表面不規則（凸起）。 圖15至圖18描繪了 一亦包含一流體承載通道網路之配 置，此次該流體承載通道網路位於極為接近基板w之基板 台wt中。此通道配置經組態以控制基板w之溫度，此可 受到/X /夜自其頂表面之蒸發的不利影響。 在本g施例中，&供了 一基板台熱交換流體控制器5 1 〇 以用於控制經配置以流經通道網路5〇〇之熱交換流體的溫 度及流動速率。 如在先前實施例中，可提供一反饋控制器從而以一有效 方式幫助控制该基板溫度。在此情形中，可調節基板台熱 父換流體之溫度及/或流動速率以便降低一或多個基板溫 度及或基板σ/基板固持器溫度（如由一局部溫度感應器6〇 系統所量測）與一或若干目標溫度Tt之間的差異。 1037ll.doc 41 · 1322929 若亦包括諸如熱絲之局部基板加熱器以便實施一”推挽" 溫度控制原理，則該配置可特別有效地運作。根據此實施 例，一基板溫度控制器52〇控制一基板加熱器控制器43〇及 基板台熱交換流體控制器51〇之運作。可作為基板溫度控 制器520之一部分而包括一反饋控制器，該反饋控制器可

經組態以最小化基板溫度（如由局部溫度感應器6〇在基板w 及/或基板台/基板固持器上之一或多個位置處所量測）與一 或若干目標溫度Tt之間的一或若干差異。意即，在存在一 單個溫度感應器60的情況下，基板溫度控制器52〇將此一 個溫度讀數與-單個目標溫度^相比較。在存在複數個溫 度感應器60的情況下，基板溫度控制器52〇則將複數個讀 數與一單個目標溫度Tt相比較，或與對應於（例如）基板w

之特定區域及/或基板台/基板固持器之對應區域且因此對 應於特定組之溫度感應器讀數（其内可是用一平均讀數）的 複數個目標溫度Tt進行比較。或者，若可將熱流計算為密 封構件12相對於基板W之速度及位置的函數，則可使用I 前饋迴路。根據|，推挽|，原理，熱交換流體控制器51〇可經 配置以在一低於目標溫度Tt之溫度下提供流體，從而有效 地用來冷卻基板W。彳為如±文所提及之電阻加熱器（熱 絲)的局部基板加熱器可比熱交換流體控制器快得多地回 應蒸發速率之突然增加。其回應速度可藉由對照該熱交換 流體控制器之冷卻作用進行設；^而得到額夕卜改良。此外，' 若發生基板溫度之突肖，則冷卻#交換流體之提供將允許 比未提供額外冷卻機構之情形更快地返回至平衡狀態。 10371 l.doc •42· 1322929 為了易於加工（在其它理由之中），通道網路5〇〇包含被定 向於基板台平面中之大體上垂直的孔（可能為鑽孔）之一陣 列’如圖16中所描繪。&等垂直孔之末端必須得以連接及 封閉而不透水。此可藉由膠合在該等孔中之插塞來實現。 然而，在8 mm間距上包含4 mm通孔之一典型組離中，可 能需要80個以上之插塞。除了需要建構眾多個別元件之問 題外’此配置中還存在發生其中根本既無流體到達亦無流 體循環之死端的可能性。根據本發明之一實施例，藉由在 基板台wt之邊緣處提供一循環槽420(展示在圖16至圖18 中）來克服此等問題，所有通孔皆可以整齊之方式連接於 該循環槽420内而沒有死端。此配置具有一進一步優點在 於，可使得流體更靠近基板台WT之邊緣循環。可使用少 得多的數目之組件來密封該循環槽42〇。在所示之實施例 中，使用一密封環4 1 〇，為了便於組裝，可將該密封環4 i 〇 分裂成兩個組件且藉由膠水或某一其它標準黏合技術將其 附著至該槽。改良之流體分佈為基板台WT提供了更為均 勻且文控之冷卻，從而允許更有效之熱管理及改良之重 疊。 在上述實施例中，局部基板溫度感應器00(在包括的情 況下）已展示為嵌入靠近基板W之基板台WT中。此等感應 器可根據—般基於經校正且可再生之溫度相關特性（諸如 電阻）之量測的多種原理而運作。儘管展示為嵌入基板 中’但局部感應器亦可如圖19中所示定位於密封構件12 中。因為跨越間隙22之熱連接相對較弱（不同於嵌入基板 I03711.doc .43 - 1322929 :资時之基板w與感應器之間的熱連接，其中可 地配置-較高熱傳導性)，所以位於密封構件12中之感應 _佳藉由分析自基板W發射之轄射而運作。根據本發 明之一實施例，提供了此類型之感應器6G，其包含一能夠 判定在-波長範圍上所俘獲之輻㈣強度譜的輻射俘獲及 分析裝置。-般而t ’若選擇一寬廣範圍之波長，則可最 :確地判定溫度。然而，對於當前應用中之相關溫度而

:，選擇-圍繞及/或集中於紅外線輻射頻寬之有限波長 範圍是具成本效益的。 圊2 0展示了本發明之—音以丨 Η乃之貝她例，其中局部小型溫度控制 系統600建置於基板台资中。在所示之實例中，此等控制 系統600被定位於基板台资之凸起部分之尖端附近(樹瘤 頂640)，該等尖端又與基板w接觸。每—小型控制系統_ 均包含—可認為是—微功率積體電路溫度感應器之小型溫 度，應器610、及—可認為是一積體電路加熱器之小型加

熱益620(电阻性散熱）。小型控制系統經配置以使得當 基板之局部溫度（如由小型溫度感應器610所量測）降至一預 定臨限值以下時啟動加熱器組件620放熱。一旦增加溫度 使付其再★經過该臨限值，則組態該小型控制系統_以 將該小型加熱器關％。此配置具有由於控制系統_之微 J尺Τ而月b多句提供$度局部化之溫度控制之優點，且亦具 :要獨立外部控制系統來控制加熱器620之優點。 將僅而要兩個導線（連接63〇)來向基板台wt中之所有小型 控制系、’先600供應電壓。可藉由由矽晶圓形成基板台资來 I037ll.doc -44- 1322929 執行樹瘤頂640中之小型溫度感應器咖的建構。諸如 叫微機電系統）及CM0S(互補金氧半導體）技術之微製 造技術可用於提供標準基板台资構造之精確再生，同時 亦在每一樹瘤頂640上添加積體電路溫度感應器/加執器 610/620,且提供用於將其電連接至外部世界之構件(連接 630)。

圖21描繪了包含一投影系統控制器71〇的本發明之一實 施例，該投影系統控制器71〇經組態以調節圖案化之輕射 光束之特性以回應於由溫度感應器6 〇所進行之基板及/或 基板台溫度的量測。在所示之實施例中，複數個溫度感應 器60嵌入於基板台WT中 '然而，亦可在本發明之範嘴内 於別處提供溫度感應器（諸如在密封構件12中），及/或僅提 供一單個溫度感應器。 如上文所論述，基板貿上之浸液的蒸發可導致基板冷 卻，所得變形導致重疊誤差、散焦、像差等。根據本實施 例，投影系統控制器710能夠調整圖案化之投影光束的參 數，諸如其整體比例、位置偏移等，以補償基板w之熱致 變形。作為一簡單實例，若該投影系統控制器7丨〇自溫度 感應器60接收指示基板w大致上一律低於一目標溫度之輸 入，則其可經組態以藉由一因子來定圖案化之投影光束之 比例以便減小產生在冷卻基板貿上之影像的尺寸。在由複 數個度感應益60量測基板W及/或基板台WT之溫度以便 後得一溫度輪廓的情況下，可由投影系統控制器7丨〇實施 更為複雜之校正以減少諸如重疊誤差、散焦及像差之誤 l037U.doc -45· 1322929 f。此方法提供了一種用於回應溫度之突然改變而不必在 密封構件12或基板台WT中併入加熱元件的快速方法，其 中在密封構件12或基板台WT中併入加熱元件可能實施起 ^比較昂貴及/或干擾基板台WT之動態效能。此形式之補 償具有運作中不依賴於特定冷卻機構之附加優點，且將適 用=其中對基板W之溫度改變之至少一貢獻由於除了浸液 之一發以外之過程而發生的情形。 在Η 2 1中所示之貫她例中，亦提供了一熱致變形計算器 籲 《將由溫度感應器6〇所取得之讀數轉譯成基板…之一估計 • 變形。此係藉由首先獲得基板W之一溫度輪廓且隨後使用 已知之諸如基板材料之熱膨脹係數的基板w之熱性質來計 ； 算該熱致變形而得以達成。大致上，基板W之一部分之相 〜 對變形將與該部分之溫度與一參考操作溫度（對應於零相 • 對變形）之間的—溫度差異成比例。在所展示之實施例 中，溫度感應器60嵌入基板台WTt使得需要執行額外計 算以自該等溫度感應器讀數獲得基板溫度輪廓。下文將關 於本發明之此及其它實施例來描述是如何達成此的。 根據上文論述之若干實施例，藉由定位於基板台w丁中 之溫度感應器60來判定基板w之溫度的量測。此配置具有 構造優點，因為存在相對較多的空間來定位該等感應器， 所以其可得以穩固且精確定位，且可藉由需要任何電連接 而更容易地來服務於其。如早先所論述，將感應器定位在 基板台WT中距基板W具有一距離處亦提供每一感應器 取樣基板W之一更大區域的一種有效途徑。然而，應瞭 10371l.doc •46· 1322929 解，雖然直接圍繞溫度感應器60之材料的溫度可給出基板 W之溫度的一近似指示，但有可能藉由如下文所描述之進 一步分析而獲得基板溫度輪廓之一更精確描寫。此分析可 實施為上文描述之包含定位於基板台WT中之溫度感應器 60的任一實施例的一部分。 假定自基板表面至其中定位有溫度感應器60之基板台 WT中的階層的熱量傳送可描述為： T夾磐 τ失磐_ fYAT基板、 A〇〇 _ - ΙνΔ1 )

τ1夾磐 Τ1炎磐 其中丄〇〇 為基板W之初始溫度，1當前為由嵌入於基板台 WT中之感應器60所量測的基板之一區域的當前溫度，且 為針對所討論的區域在基板階層處的溫度差異。可 基於此關係而獲得該基板區域之溫度及該基板之整體溫度 輪廓（若需要）。舉例而言，可使用以下模型： -ΔΤ基板 /

—〇 /V 據此得出： 籲 ΔΤ基板=-γ 1η((Τί磐 一 Iff )/免)， 此僅基於參數τ及A:而為基板階層處之溫度差異提供一表達 式，其中參數τ及Α又可自測試資料加以估計。 類似分析可用於自紅外線溫度感應器訊號獲得基板溫度 之一更好量測。此處，問題在於矽（矽常用作基板材料）對 於紅外線而言顯著透明，使得定位於密封構件1 2中”俯視” 基板W之紅外線感應器將接收自基板W及直接在其下方之 基板WT所發射之輻射的混合。 103711.doc -47- 1322929 如上文所提及，當密封構件12相對於基板w而移動時， 一液體薄膜將會留在該基板w之頂表面上的密封構件12之 尾跡中。若不採取有效防範措施，則此液體之蒸發會自基 板W及/或基板台WT提取熱量。所得之基板W及/或基板台 WT之溫度降低可導致收縮，該收縮又可導致重疊誤差、 效能/解析度之整體損耗及/或待製造之積體電路之產量損 耗。上文已描述了此問題之若干解決方案，包括提供一基 板加熱通道網及/或一獨立受控電加熱器陣列。然而，難

以以此方式協調此等加熱機構之操作而使得僅在實際發生 ?备發的地方產生熱量。因此，難以確保使基板w内之溫度 梯度最小化。 根據本發明之一實施例，該微影裝置具有一使用微波輻 射來加熱留在密封構件12之尾跡中之浸液的構件。可調諧 該微波輻射之頻率以便主要直接加熱浸液，且不耗接至周 圍裝置疋件（諸如基板台WT、基板w、密封構件12等）。可

因此將加熱功率精料引至需要其的土也方且可藉此最小化 溫度梯度。原則上，蒸發液體所需之熱量可完全由微波源 提供使得不自基板W提取熱量。 一口 、，工、瓜必从何贤週 熱所用浸液之微波輻射的微波源8 0 0及一經設計以將 波輻射包含於-相關區域内(且以保護諸如其中不需 熱之浸液貯器25的區域)的微波包含箱81〇。在所示之 例中，相關《覆蓋1繞㈣構㈣絲板W之一 上環輯。可將該微波包含箱81〇所覆蓋之區域的 I037l1.doc •48· 1322929 選擇得足夠大，以使得微波輻射可在密封構件12已相對於 基板台WT移動地足夠遠而使液體可能離開曝露於微波之 區域之前將留在密封構件12之尾跡中的液體完全蒸發β微 波包含箱8 1 0之尺寸因此將為被保持在包含箱8 1〇中之微波 幸畜射之強度、密封構件12經過基板台WT之速度及預期留 在密封構件12之尾跡中之液體量之一函數。 微波包含箱810可由金屬材料形成，其具有一適合於確 保微波大體上完全反射之尺寸的開口。經由箭頭83〇示意 性地展示了微波輻射在微波包含箱内之傳播。可基於校正 置測來選擇微波源800之功率，該功率將判定留在基板w 上之液體將被加熱的速率。舉例而言，可針對眾多不同微 波源功率執行測試量測以便（例如）判定哪一功率導致最小 重疊誤差。或者，可提供溫度感應器6〇並經由資料連接 850而將其併入反饋迴路中。在密封構件12之速度隨時間 而變化的情況下及/或當逃逸出密封構件12之浸液的量變 化時，此配置是有利的。該反饋機構亦可適用於該微波加 熱配置將與其它溫度補償方法組合使用之情形，此可隨時 間而改變效率。如在上文論述之反饋配置中，此處之反饋 迴路可涉及調節微波源800之功率，以便由溫度感應器6〇 所量測之溫度向一或多個目標溫度收斂。吾人設想微波源 8〇〇將發射微波波長輻射。然而，若最有效耦合至所用浸 液之輻射的波長碰巧在一般與微波有關之習知波長範圍之 外，則應瞭解，源800可經調適以發射適當波長之輻射（例 如在紅外線或可見光譜中）。 I037ll.doc -49. 丄 y展示了-基板加熱器配置，該等基板加熱器可根據 土板溫度之空間變化來調節熱量輸出之空間變化，而不需 要溫度感應器及/或外部控制系統之複雜配置。此可藉由 在基板台wt表面附近形成與基板w有良好熱接觸之導電 來達成。舉例而言，可藉由在基板台资之頂表面上 塗覆：種導電材料來形成導電帶_。在所示之實施例 :提供外4電流源92〇(未圖示），該外部電流源920使 付恆疋電流910經過每一導電帶·。根據第一變化，提 供使付相同電流經過每一導電帶9〇〇之單一電流源畑。 或者，可提供經組態以使不同電流經過該等導電帶刪之 複數個電流源920。在任一情形中，經過每一導電帶之電 流保持怪定以使得每單位長度由電阻加熱所產生之熱量的 料僅取決於形成導電帶_之材料的局部電阻率。根據 —也例ϋ擇此材料使其具有—負面溫度相關性（意 即，使得溫度增加可導致電阻率降低），較佳具有一強烈 的負面溫度相關性’以使在每一導電帶_之較涼區域中 (旦具有較鬲電阻率)比其相對較暖區域中產生顯著更多的熱 里以此方式，更多加熱功率自然地被導引至彼等最需要 加熱之區域，因此降低了溫度梯度。詳言之，可改變電流 910曰直至較涼區域與較暖區域之間的加熱功率差異係如此 =Τ基本±補償因基板w表面上之液體蒸發所提取之熱 置(二如上文所論述，吾人預期此係基板溫度不均勻性之主 t獻者）。吾人預期在該等導電帶中之一者的任一給定 P刀中所產生之熱量與由該部分之電阻乘電流的平方成正 1037il.doc -50- 比。 在以上實施例中，藉由將導電帶900本身用作加熱器而 將該等導電帶之溫度相關電阻率直接用來提供溫度相關基 :加熱。根據本發明之一替代實施例，導電帶9〇〇可用： 恤度感應器’可能與其作為加熱元件之功能組合。圖Μ展 示了根據此實施例之—配置。此外M吏電流91〇經過一經 2置而具有一溫度相關電阻率之導電帶900。較佳地，如 前所述’該溫度相關電阻率具有強，烈貞面性，但仍可忍受 心弱^溫度相關性及/或正面溫度相關性。根據此實施 幻提供了分別由-局部化功率供應器/放大器㈣提供動 力之獨立局部基板加熱器93〇。藉由參考導電帶_之最靠 近所討論之基板加熱器930的部分中之局部電阻率量測來 =供應至每一基板加熱器930之功率。此可(例如)藉由量 測攻近的一對電極940之間的電位差而達成，咖中所 “j所述’導電帶9〇〇之局部電阻率為局部溫度之一 ，正里測可用於建立該電阻率與基板w之局部溫度之間 ，I係，且功率供應器/放大器95〇可經組態以基於所量測 :電阻率與對應於一所要溫度之電阻率之間的差異來調節 丞板加熱器930之功率。 二上：置具有不受導電帶9〇°電阻率之溫度相關的強度 =之優點，1其原則上可向基板w提供更強之空間相關 加熱功率。梧供士旦』、 八里成對之功率供應器/放大器950及基板 加熱器930允許一較高 土极 二間解析度。此外，因為經由導 10371 l.doc 1322929 電帶900之附近部分之電阻率 书丨且半的間早量測來判定待提供至 基板加熱9 3 0之加執功座，张、，山# 77 ”、、乃羊，所以在基板台階層處不需要 複雜及龐大的電子設備，亦不需要外部提供之複雜控制電 子設備。功率供應器/放大器95〇所提供之放大因子（或放大 函數：描述局部加執器功走庙^ …功羊應如何隨自所要溫度偏移的溫 度變化而變化之函數）可箱杏益丄在& 山裂預先糟由參考校正量測而加以判 定且可在硬體中提供。 圖2 5展不了本發明之_营; γ f 貫知例’其中由感應加熱器加熱 基板W。此方法具有主要在其中需要加熱的地方（例如，在 密封構件12附近）提供加熱之優.點。一感應源960用來藉由 搞接至-感應元件970而提供感應加熱㈣，該感應元件 970形成於基板台WT内且較佳在_位置中以便與基板Μ 有良好熱接觸。感應源96G之功率輸出接著由感應控制器 980控制。該感應控制器980可根據一預設例行程序（例 如，以便主要加熱基板w上密封構件12最近經過之區域）而 改變感應源96G之功率。可提供複數個空間分離之感應源 及/或元件Μ列如’其可各自組態以提供相同或不同之加 熱功率’以便可以一種降低溫度梯度之方式向基板…提供 加熱。或者，感應器控制器980可使用一反饋模型。此可 經組態以改變一或多個感應源960之輸出功率從而使得由 一或多個溫度感應器60所量測之溫度朝—或多個對應目標 溫度收斂。使用感應加熱來加熱基板台WT具有僅需對基 板台wt進行較小變更（諸如添加感應元件97〇)之進—步優 點。因此，基板台WT之機械操作並未顯著受到妨礙^感 I037ll.doc 52 1322929 應源960與感應兀件970機械地分離的事實自可升級性觀點 而言亦是有利的：每一組件在很大程度上可獨立於其它組 件進行調適。 。 如上文所梅述，一種用以降低由浸液自基板貨之表面茱 發所引起之冷卻的方法係向氣體密封27供應增濕氣體（.增 濕氣體"在寬廣意義上理解為意謂含有顯著比例之呈蒸氣 形式的浸液的氣體）。在基板w上方之大氣含有一更高比例 之浸液蒸氣的情況下，液體自基板w之蒸發與液體蒸氣在 基板W上之冷凝之間所建立的動態平衡係如此使得淨蒸發 速率低於當基板W上之大氣乾燥時（意即，不含有任何顯著 量之浸液蒸氣）的淨蒸發速率。為了使此機構能夠以可再 生且一致之方式工作，有必要提供一用於將供應至氣體密 =27之氣體增濕之可靠構件。根據圖％中示意性說明之二 貫施例，為此目的而提供了一增濕區1〇〇〇。自一純淨氣體 源(例如)經由至蒸發容器1010的管道1〇〇5而將氣體輸二至 增濕區胸。蒸發容器1010包含加熱一或多槽浸液以產生 浸液蒸氣之内部加熱元件。⑯因此而產生之浸液蒸氣與經 由f道1005供應之純淨氣體進行混合，並經由管道ι〇ΐ5而 自蒸發容II1G1G輸出。隨後將部分飽和之氣體輸入至冷凝 容器！ 0 2 0 (亦稱為"冷卻容器"），其令氣體冷卻至如此程度 以致氣體與浸液蒸氣之混合物變得過飽和且浸液自混合物 :冷凝出纟。保持為氣態形式之物在冷凝容器刪之工作 溫度下極為接近或精確地充滿1〇〇%浸液蒸氣。此飽 和氣體供應隨後經由管道1025而被輪入至混合腔室刚〇， I037il.doc -53· 此1 00〇/〇飽和氣體可在兮 在°亥〜合腔室1040中與經由管道 以一控制速率自乾焯裔駚，s 1Λ S遏1035 、日人、 乾知轧體源1030輪入之乾燥氣體之源進杆 ito d ，以便使經由營请丨Λ / c 丁 045以一受控溫度及/或受控水平 之飽和度輸出氣體成為 千 密封27。 此其隨後被供應至（例如）氣體 用於增濕氣體之替代系統為使氣體穿過一所謂之 器，該起泡器為-浸沒在-含有液體及液體蒸氣之容器中 的少孔a又備”亥氣體隨著其經過而變得愈加充滿液體。在 此配置中難以控制所吝4 γ 句所屋生之氣體的飽和度或濕度。流量、 谷裔溫度或液面之鐵4W ο 自了衫響離開該糸統之氣體中所保 留的液體瘵氣的量。詳言之，使用此方法難以達成100% 飽和。最優化此類系統之效能可能要求設計一相對複雜之 裝置，例如以確保該液體與氣體之間的充分及可再生接 觸0 如上文所描述，浸液自基板w之蒸發可對微影裝置之效 能具有負面效應。液體中之污染可引起基板w上之粒子污 染（亦熟知為水潰）。蒸發亦會因冷卻效果而負面招致重疊 效能、聚焦及光學效能。氣體密封27中之增濕氣體可用來 最小化蒸發。根據一種方法，需要100%飽和氣體以便達 成自基板W之表面的零淨蒸發。上文中已描述了一經設計 從而以一受控方式產生100%飽和氣體之實施例。然而’ 氣體之相對濕度由於氣體膨脹而不可避免地隨著其自氣體 密封27輸出而降低》實務上，此可意謂在使用時（意即’ 在基板表面處），當在基板W之工作溫度（例如22。〇下傳遞 I03711.doc •54- 氣體蚪，可達成之最大濕度可能大體上低於1 〇〇%，例如 、’勺60 /d若在基板表面上维持一小於1 〇〇%相對濕度之大 氣，則將發生一些淨蒸發。 根據圖27中示意性說明之一實施例，藉由增加供應至該 乳體搶封之氣體的溫度來控制（增加）氣體在已離開氣體密 封27且已膨脹後之濕度。

在此鉍形中，離開氣體密封27之熱氣突然曝露於一較低 /里度下之環境（意即，微影裝置之正常工作溫度）並冷卻。 冷卻傾向於增加飽和度或相對濕度。可控制整體溫度下降 以緊密地補償氣體之膨脹及相關飽和度降低。 對於維持在221之工作溫度下且供應至氣體密封27之 氣體接近飽和（例如9G%_1()()%之相對濕度）的典型系統及— 0.4巴（bar)之典型密封構件壓降而言，介於1尺與^ κ之間 的溫度偏移可足以在留在氣體密封27外部之基板W上方的 ^ Μ持接近1〇〇%之相對濕度。要求仔細設計該系統

以防止高度飽和之氣體在離開氣體密封27之前冷凝。舉例 而言，經過密封構件12而通向氣體密封27之管道的壁應熱 緣’以便將熱氣與冷的密封構件12相隔離且防止管道壁 上之冷凝。 上文提及之圖27展示了 —用於控制待供應至氣體密封^ 之氣體之溫度的例示性配置，其可定位於（例如冷 1 〇〇〇與氣體密封27之問。m h 9 “ ” ^相對杈涼之飽和氣體由管道i 〇45 供應至熱交換器1 1 00，兮為_ & 3亥熱父換器1100藉由與加熱器1110 所提供之熱交換流體交拖勒Θ 菔乂換熱置而將該飽和氡體加熱至一目 10371I.doc •55- 1322929 標溫度。加熱器1110經由輸入線1120在溫度τι下提供熱交 換流體’且經由輸入管道1130在溫度Τ2下接收熱交換流 體’其中Τ1大於Τ2。加熱器1110可措由一（例如）Peitier加 熱器來加熱έ玄熱父換流體。根據一例示性配置，提供一 Peltier加熱器’該peitier加熱器在5〇〇瓦特至1500瓦特範圍 中工作以產生精確度為.〇 1 °C且設定點為27°C的溫度受控 水。 根據圖28中示意性說明的本發明之一實施例，使用一增 濕器la 1200來產生一高度淨化之增濕氣體流，在該增濕器 箱1200中’若干個蒸發單元122〇並行用來蒸發液體。藉由 經由管道1205向每一蒸發器122〇供應一溫度受控熱交換流 體流來控制所產生之增濕氣體的溫度。該熱交換流體可由 熱交換流體源11 1 〇提供，該熱交換流體源丨丨丨〇亦可如上文 所描述用來控制正好在該飽和氣體被饋入氣體密封27之前 的度。或者，可提供一獨立熱交換流體源。該增濕且溫 度受控之氣體在經由熱交換器1100傳遞至氣體密封27之前 經由疏水性過濾器丨2丨〇而傳遞至輸出閥丨25〇。 ，改變或甚至停止來自增濕器箱12〇〇之增濕氣體流會改變 平衡’且可能在再次以一良好受控溫度及飽和程度將增濕

10371 丨.doc 間。然而，由 •之任務的動態特性，氣 時間發生顯著變化：例 之短暫週期。本實施例包 放至一外部貯器或一排氣 • 56 - 裝置的可變通風系統1240’而非調適該系統使得其可更快 地穩定（此可能需要實質且複雜之額外裝置）。可組態通風 系統⑽使得來自增濕器箱！細之流量保持怪定。此實務 上可藉由確保查過主閥⑽及通風系統⑽之總流量值定 來達成。此可藉由組態通風系統mG以具有—回應愿力計 1230之讀數的流量阻抗來加以實施，該讀數對應於增渴器 IU200之背壓”毛π言之，此壓力應保脉定。此配 置不僅提供更好之穩定性而且提供更高之生產^，因為可 避免對氣體㈣27之不同操作階段之間的穩定時間的需 要。 所有以上特欲可以任何組合來加以組合且可應用於與包 括上文之【先前技術】中所提及之彼等液體供應系統的所 有類型之液體供應系統有關之情形中。 儘管本文特定參考了微影裝置在IC製造中之使用，但應 瞭解’本文所描述之微影裝置可具有其它應用，諸如積體 光學系統、磁域記憶體之導引及㈣圖案、平板顯示器、 液日日顯不器（LCD)、薄膜磁頭等。熟習此項技術者將瞭 解，在此等替代應用之情形中，術語，，晶圓，，或”晶粒"在本 文中之任何使用可認為分別與更通用之術語"基板”或"目 ‘邰刀同義。可在曝光之前或之後在（例如）軌道（通常將 一層抗蝕劑塗覆於基板上並顯影經曝光之抗蝕劑的工 具）、計量工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基 板。t適用時，可將本文之揭示内容應用於此等及其它基 板處理工具。此外，例如，為製造多層式IC，可不止—次 I0371l.doc •57· 對該基板進行處理 已包:多個經處理之層:::所用之術語基板亦可表示- 的it:在广，微影之情形中已特定參考了本發明之實施例 =，Γ在應瞭解’本發明可用於其它應用中，例如歷 I微，5V ’且在情形*社从比 影。在’本發明並不限於光學微 上之圖案。設備中之構形界定產生在基板 、 /、化叹備之構形可按壓至被 的—抗蝕劑層令，声姑1 攸货愿主4丞板 以'"板上藉由應用電磁輻射、熱量、 座力或其組合來固化f玄枋 該圖宇化物二 ㈣卜在該抗钱劑得以固化後將 °肴移出抗蝕劑從而在其令留下一圖案。 =使用之術語”輻射”及"光束”涵蓋所有類型之電磁 射，包括紫外（u，射（例如，具有波長約365 nm、248 :二93 _、157麵或12“m)與極端紫外(EUV)輕射(例 長在5 nm_20⑽之範圍内），以及粒子束，諸如 子束或電子束。 術語"透鏡”在情形允許的情況下可表示各種類型之光學 組件中的任—種或其組合’包括折射型、反射型、磁、電 磁及靜電光學組件。 雖然上文已描述了本發明之特定實施例，但將瞭解，本 發：之實施方法亦可不同於本文所描述之實施方法。舉例 。本發明可呈一含有描述一種如上文所揭示之方法的 或夕個機|§可讀取指令序列的電腦程式之形式，或—使 此電腦裎式儲存於其中之資料儲存媒體(例如，半導體記 憶體、磁碟或光碟）的形式。 103711.doc -58- 1322929 本發明可應用於任何浸沒微影裝置，詳言之但並非排他 地，本發明彳應用於上文所提及之彼等類型的浸沒微影裝 置。 上文之描述意欲具有說明性而非限制性。因此熟習此 項技術者將瞭解’在不脫離以下闡述之中請專利範圍之範 疇的情況下，可對本發明進行修改。 【圖式簡單說明】 圖1描繪了根據本發明一實施例之微影裝置； 圖2及圖3描繪了一用於一先前技術之微影投影裝置中的 液體供應系統； 圖4a及圖4b描繪了根據另一先前技術之微影投影裝置的 液體供應系統； 圖5描繪了根據本發明之一實施例之密封構件，其展示 了與-加壓氣體濕度控制器、一浸液溫度控制器及一加壓 氣體溫度控制器之相互作用； 圖6描繪了根據本發明之—實施例之㈣構件、氣體箱 射出口及軋體鎮射出口控制器； 圖7描、.日了根據本發明之—實施例之—包含局部加熱器 及基板度控制器之系統的基板台的俯視圖； 圖8描繪了圖7之基板台之側視圖，其亦展示了複數個溫 度感應、-基板台路徑判定設備及位於該密封構件中之 基板加熱器； 圖9描繪了一基板台之俯視圖，其展示了 一經配置以在 該基板台之較低區域中消耗比較高區域中更多功率的基板 I037il.doc -59- 1322929 加熱器之幾何形狀； 圖描繪了根據本發明之 加熱器之一陣列； 實施例之可個別控制 的基板 圓11描繪了圖10之配置 器陣列控制器及預定演算 的側視圖，其亦展示了與一加熱 法輸入裝置之相互作用；

圖_繪了根據本發明之—實施例之密封構件的局部視 圖’，展不了 —用於—真空排氣人口及真空排氣管之熱絕 。彖套^及一达、封構件加熱器； 圖13描繪了根據本發明之_實施例之—密封構件與密封 構件溫度穩定器之間的相互作用； 圖14描繪了根據本發明之一實施例之一包含流體承載通 道網路及一流體供應系統的密封構件； 圖1 5描繪了一包含一流體承載通道網路及一可由一基板 溫度控制器加以個別控制之加熱器陣列的密封構件及基板 台’其中这基板溫度控制器包含一基板台熱交換流體控制 器及一基板加熱器控制器；

圖16描繪了根據本發明之一實施例之具有一通道網路及 循環槽的基板台； 圖17及圖18描繪了根據圖16之具有循環槽之基板台，該 循環槽被根據本發明之一實施例之密封環所密封； 圖19描繪了一微影裝置，其展示了溫度感應器在根據本 發明之一實施例之基板台及密封構件中的定位； 圖20描繪了基板區域中之基板台的放大視圖，其展示了 根據本發明之一實施例之微型溫度控制系統之配置； 1037U.doc •60· 1322929 圖2 1描繪了根據本發明之一實施例之投影系統控制器及 熱致變形計算器；及 圖2 2描繪了一用於加熱基板表面上之浸液的微波源及微 波包含箱； 圖23描繪了一電阻加熱帶配置及相關電流； 圖24描繪了一針對局部加熱器之一系統用作局部溫度感 應器之單個電阻帶； 圖25描繪了一用於感應加熱基板台WT之一配置； 圖26描繪了用於產生一具有受控濕度水平之氣流的裝 置； 圖2 7描繪了 一用於控制氣流溫度之熱交換器；及 圖28描繪了一用於使得一增濕器箱能夠穩定運作之通風 系統。 【主要元件符號說明】 12 密封構件 14 真空排氣管 15 加壓氣體供應管 17 真空排氣入口 18 加壓氣體出口 22 間隙 25 浸沒貯器 27 氣體密封 30 加壓氣體供應系統 50 加壓氣體濕度控制器 1037ll.doc ·61· 1322929 ❿ 60 溫度感應器 70 氣體簇射出口 75 氣體簇射濕度控制器 85 局部加熱器 86 遠端加熱器 90 基板台路徑判定設備 100 基板台移位系統 110 基板溫度控制器 120 浸液溫度控制器 130 液體供應系統 140 加壓氣體溫度控制器 150 路徑 160 初始晶粒 170 隶終晶粒 180 加熱器陣列控制器 181 至 187 主掃描或步進軸線 190 預定演算法 191 至193 間距 195 較長部分 200 密封構件溫度穩定器 210 熱絕緣套管 220 專用密封構件加熱器 230 校正表 400 流體供應系統 •62 10371l.doc 1322929 410 熱交換流體供應系統/密封環 420 循環槽 430 基板加熱器控制器 500 通道網路 510 基板台熱交換流體控制器 520 基板溫度控制器 600 局部小型溫度控制系統 610 小型溫度感應器 620 小型加熱器 630 連接 640 樹瘤頂 710 投影系統控制器 800 微波源 810 微波包含箱 830 微波輪射 850 資料連接 900 導電帶 910 電流 920 電流源 930 基板加熱器 940 電極 950 功率供應器/放大器 960 感應源 970 感應元件 I03711.doc 63- 980 1322929 1000 1005 、 1015 、 1025 、 1035 、 1045 1010 1020 1030 1040 φ 1100 1110 1120 · 1130 1200 ' 1210 1220 1230 ® 1240 1250 AD Β

BD

C

CO

IF 感應控制器 增濕區 管道 蒸發容器 冷凝容器 乾燥氣體源 混合腔室 熱交換器 加熱器 輸入線路 輸入管道 增濕器箱 疏水性過濾.器 蒸發單元 壓力計 通風系統 輸出閥 調節器 輻射光束 光束傳遞系統 目標部分 聚光器 位置感應器 10371l.doc -64- 1322929

IL 照明系統/照明器 IN 積光器 Ml、M2 光罩對準標記 MA 圖案化設備 MT 支撐結構 PI、P2 基板對準標記 PM 第一定位器 PL 投影透鏡 PS 投影系統 PW 第二定位器 SO 輻射源 W 基板 WT 基板台 GZ 濾網 EX 提取器 RE 凹槽 JE 氣體噴射 Tt 目標溫度 I0371l.doc -65-

Claims (1)

1322929 第094127593號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(98年12月） 十、申請專利範園： |片年/%，日修正本 1. 一種微影裝置，其包含： -- 一支揮件’其經建構以支撐一圖案化設備，該圖案化 設備能夠在一輻射光束之橫截面中賦予其一圖案以形成 一圖案化之輻射光束； 一基板台，其經建構以固持一基板； 一投影系統，其經組態以將該圖案化之輻射光束投影 至該基板之一目標部分上； ® 一液體供應系統，其經組態以使用液體至少部分地填 充該投影系統之一最終元件與該基板之間的一空間； 一密封構件，其實質上經配置以在該投影系統之該最 . 終兀件與該基板之間的該空間内含有該液體；及 ·· 一液體蒸發控制器’其經配置以控制該液體供應系統 • 所供應之液體的淨蒸發速率， 其中該液體蒸發控制器包含一氣體濕度控制器，該氣 Φ 體濕度控制器配置以與一氣體源互相作用，以提供一控 制相對濕度大於10%的氣體。 2.如明求項1之微影裝置，其進一步包含一連接至該氣體 源之氣體密封’該氣體密封經組態以控制自該密封構件 散逸穿過一間隙的液體的量，該間隙之一側由該密封構 件之—邊界定界且一第二側由該基板定界。 3·如請求項1之微影裝置，其中該氣體濕度控制器經組態 以產生一恆定流動速率下之一濕度受控氣體流且該氣體 源包含一氣體密封流動速率控制器，該氣體密封流動速 103711-981222.doc 1322929 率控制器經組態以自該濕度控制器接收該恆定流並藉由 選擇性地將由該濕度控制器所供應之該恆定流的一部分 排放至一外部貯器而改變至該氣體密封之氣體的該流動 速率。 4. 如請求項1之微影裝置，其中該濕度控制器包含一增濕 區，該增濕區經組態以將一氣體流增濕至一受控程度， 該增濕區包含： 一蒸發容器，其經組態以接收一相對乾燥之氣體流並 使用自至少一個槽蒸發之液體蒸氣來至少部分地增濕該 氣體流；及 一冷卻容器，其保持在一實質上低於該蒸發容器之溫 度的溫度下，且其經組態以接收並冷卻該至少部分增濕 之氣體流以便獲得一完全飽和之氣體流。 5. 如請求項4之微影裝置，其中該增濕區進一步包含一可 連接至該冷凝容器之一飽和氣體輸出端的乾燥氣體源， 且其中該氣體濕度控制器可調節將乾燥氣體與自該冷凝 容器輸出之該飽和氣體流混合的速率，以便獲得一具有 一受控相對濕度水平之氣體流。 6. 如請求項1至5中任一項之微影裝置，其中該氣體源包含 一氣體溫度控制器，該氣體溫度控制器經配置以與該氣 體源相互作用從而控制供應至該氣體密封之該氣體的該 溫度，其中將該氣體在進入該密封之前之該溫度配置成 高於該基板之該平均溫度。 7. 如請求項6之微影裝置，其中將該氣體杳進入弟氣體密 103711-981222.doc 封之則之該溫度配置在高於該基板之該平均溫度的1 κ 與5 Κ之間。 8.如請求項6之微影裝置，其中供應至該密封之該增濕氣 體之該溫度使得在該氣體於該氣體密封中之膨脹後達成 —所要水平之濕度。 9. 10. 如凊求項1至5中任-項之微影裝置，其中該氣體源提供 具有一大於40%之相對濕度的氣體。 如請求項1至5中任一項之微影裝置，其進一步包含： 至少一溫度感應器，其經組態以量測該基板、該基板 台及一基板固持器中之至少一者的至少一部分之該溫 度，其中 該濕度控制器能夠調節由該氣體源所供應之該氣體的 該相對濕度，以便降低由該至少—溫度感應器所量測之 該或該等溫度與至少一目標溫度之間的一或若干差異。 項⑴中任-項之微影裝置，其中該蒸發控制器 包含—氣體簇射出口，該氣體簇射出口經組態以將具有 p大於10 %之受控相對濕度的氣體供應至該密封構件外 部之位於該基板與該投影系統之該最終元件之間的該區 域0 口經組態以 對濕度的氣 12·如請求項11之微影裝置，其中該氣體簇射出 供應具有一在40%至50%之該範圍中的相 體0 13’如睛求項11之微影裝置，其進一步包含： 至少—溫度感應器，其經組態以量測該基板、該基板 103711-98l222.doc 〇及基板固持器中之至少一者的至少一部分之該溫 度；及 …皿 氣體無射出口控制器，其能夠調節由該氣體簇射出 口所供應之該氣體的該相對濕度，以便降低由該至少一 溫度感應器所量測之該或該等溫度與至少一目標溫度之 間的一或若干差異。 14. 如請求項1之微影裝置，其進一步包含： 連接至該氣體源之氣體密封，該氣體密封經組態以 控制自該密封構件逃逸穿過一間隙的液體的該量，該間 隙由5玄密封構件之一邊界而被定界於一側上且由該基板 而被定界於一第二側上’其中該氣體源提供具有一大於 10%之受控相對濕度的氣體；及 一氣體簇射出口，其經組態以將具有一實質上等於由 該氣體源所供應之該氣體的相對濕度之受控相對濕度的 氣體供應至該密封構件外部之位於該基板與該投影系統 之該最終元件之間的該區域。 15. 一種微影裝置，其包含： 一支撐件，其經建構以支撐一圖案化設備，該圖案化 設備能夠在一輻射光束之橫截面中賦予其一圖案以形成 一圖案化之輻射光束； 一基板台’其經建構以固持一基板； 一投影系統，其經組態以將該圖案化之輻射光束投影 至該基板之一目標部分上； 一液體供應系統，其經組態以使用液體至少部分地填 103711-981222.doc -4 - 充該投影系統之一最終元件與該基板之間的一空間； 一密封構件，其實質上經配置以在該投影系統之該最 終元件與該基板之間的該空間内含有該液體；及 一基板台移位系統，其經配置以沿一相對於該密封構 件之預定路徑移動該基板台，藉此在該基板之表面上移 動該目標部分；及 一微波源及微波封鎖設備，其經共同組態以向該基板 之該表面上的液體供應熱量。 16. 如請求項15之微影裝置，其中該微波封鎖設備包含—金 屬箱且界定由該微波源所產生之微波輻射可在其中傳播 之一體積。 17. 如請求項15或16之微影裝置，其中該微波封鎖設備相對 於該检封構件固定且該體積延伸，以在任一時間僅覆蓋 該密封構件周圍的該基板之該表面之一子區域。 18. 一種微影裝置，其包含： 一支撐件’其經建構以支撐一圖案化設備，該圖案化 設備能夠在一輻射光束之橫截面中賦予其一圖案以形成 一圖案化之輻射光束； 一基板台，其經建構以固持一基板； 一投影系統，其經組態以將該圖案化之輻射光束投影 至該基板之一目標部分上； 一液體供應系統，其經組態以使用液體至少部分地填 充該投影系統之一最終元件與該基板之間的一空間； 一密封構件，其實質上經配置以在該投影系統之該最 I03711-98J222.doc 1322929 終元件與該基板之間的該空間内含有該液體；及 一基板台移位系統，其經配置以沿一相對於該密封構 件之預定路徑移動該基板台，藉此在該基板之表面上移 動該目標部分；及 一基板加熱器，其經組態以根據該基板台相對於該密 封構件之位置、速度、加速度及該預定路徑、局部基板 溫度及局部基板台溫度中之至少一者來加熱該基板之至 少一部分。 19. 如請求項18之微影裝置，其中該基板加熱器包含以下中 之至少一者：一感應加熱器、一可見光源、一紅外線發 射源、一熱絲電阻加熱器及一溫度受控氣體喷嘴。 20. 如請求項1 9之微影裝置，其中該感應加熱器經組態以經 由一與該基板台相關聯且由一適於感應加熱之材料形成 的感應板來加熱該基板。 21. 如請求項18之微影裝置，其中該基板加熱器包含複數個 局部加熱器，其各自能夠加熱該基板之實質上獨立的部 分，其中該等局部加熱器經配置以在經定位以加熱該基 板之該密封構件已經過的一區域時被切換至一發熱狀 態，且當經定位以加熱該基板之該密封構件尚未經過的 一區域時被切換至一不發熱狀態。 22. 如請求項18之微影裝置，其進一步包含一基板台路徑判 定設備，其經組態以判定該基板台之該位置、該速度、 該加速度及該預定路徑中之至少一者。 23. 如請求項1 8之微影裝置，其中該基板加熱器包含被定位 103711-981222.doc 24. 於該密封構件之該圓周周圍的複數個遠端加熱器。 如請求項23之微影裝置，其中視由—基板台路徑判定設 備所判定之該密封構件相對於該基板台的該運動方向^ 控制該等遠端加熱器之該功率輸出。 25. 如。月求項24之微影裝置，其中在最靠近該密封構件之一 别^緣之位置處的遠端加熱器經組態以提供—低於位於 最丹近遠遂、封構件之一後邊緣之遠端加熱器的功率輸 出。 26. 如請求項23之微影裝置，其進一步包含： 至少一溫度感應器，其經組態以量測該基板、該基板 台及-基板固持器中之至少一者之至少一部分的該溫 度，及 ?板溫度控制器’其經配置以控制該等複數個遠端 m之每者的邊輸出，以便降低由該至少一溫度感 應益所ΐ測之該或該等溫度與至少―目標溫度之間的一 或若干差異。 27. 求項26之微影裝置’其中該至少一溫度感應器之至 二一者包含一輕射俘獲及分析設備，該輕射俘獲及分析 设備能夠判定在一包括 一 、，工外線之波長範圍上所俘獲之 輻射的一強度譜》 28. 如請求項Μ之微影裝置，其中該基板加熱器包含至少-局部加熱器，該至少—局部加熱器經配置以主要加熱該 曱板之—不同部分，該微影裝置進一步包含： 至少—溫度感應器，其經組態以量測該基板、該基板 103711-981222.doc 1322929 台及一基板固持器中之至少一者之至少一部分的該或該 等溫度；及 一基板溫度控制器，其經配置以控制該至少一局部加 熱器之該輸出，以便降低由該至少一溫度感應器所量測 之該或該等溫度與至少一目標溫度之間的一或若干差 異。 29. 如請求項18之微影裝置，其中該基板加熱器包含一浸液 溫度控制器，該浸液溫度控制器經配置以與該液體供應 系統相互作用，從而控制填充該投影系統之該最終元件 與該基板之間的該空間之該液體的該溫度，其中該液體 具有一大於295 K之溫度。 30. 如請求項18至29中任一項之微影裝置，其進一步包含： 一氣體密封，其經組態以控制自該密封構件逃逸穿過 一由該密封構件之一邊界而被定界於一側上且由該基板 而被定界於一第二側上之間隙的液體的該量，該氣體密 封由一加壓氣體供應系統而供應有加壓氣體，其中該基 板加熱器包含一氣體溫度控制器，該氣體溫度控制器經 配置與該加壓氣體供應系統相互作用，從而控制被供應 至該氣體密封之該加壓氣體的該溫度，其中該氣體具有 一大於300 K之溫度。 3 1.如請求項1 8之微影裝置，其中該基板加熱器經配置以： 在一基板上之目標區域處提供一較高加熱功率，此處該 投影系統經組態以首先投影該圖案化之輻射光束；及在 該相同基板上之目標區域處提供漸低之加熱功率，此處 10371 卜981222.doc 該投影系統經組態以稍後投影該圖案化之輻射光束。 32. 如請求項28之微影裝置’其中該至少一局部加熱器經配 置以實質上遵循該密封構件相對於該基板台之—預定路 徑。 33. 如請求項31之微影裝置，其中該基板加熱器包含以實質 上平行之帶而配置的伸長元件，該等帶被定向為實質上 f直於該密封構件相對於該基板台之一掃描方向，該等 帶之該間隔經配置以自一第一帶至一最終帶而逐漸增 加，其中該第一帶對應於其中該投影系統經組態以在一 第一時間段期間投影該輻射光束的一基板之一區域，該 最〜帶對應於其中該投影系統經組態以在—晚於該第一 時間段之時間段期間投影該輻射光束的該相同基板之一 區域。 34.如明求項33之微影裝置，其中每一該平行帶沿其長度提 供每一單位長度之一均勻功率。 3 5.如明求項31之微影裝置，其中該基板加熱器包含以實質 上平行之帶而配置的伸長元件，該等帶被定向為實質上 垂直於該密封構件相對於該基板台之一掃描方向，且其 中=等帶經配置以提供自一第一帶至一最終帶逐漸降低 之每一單位帶長度的一功率，其中該第一帶對應於其中 該投影系統經組態以在一第一時間段期間投影該輻射光 束的一基板之一區域，該最終帶對應於其中該投影系統 經組態以在一晚於該第一時間段之時間段期間投影該輻 射光束的該相同基板之一區域。 103711-981222.doc -9- 36. ^凊求項18之微影裝置，其中該基板加熱器包含可個別 疋址之局部加熱器之—陣列及一加熱器陣列控制哭，該 加熱器陣列控制經調適以根據—職演算法來㈣該 :叮個別定址之局部加熱器的致動，該預定演算法關於 以下中之至少一者來控制致動：加熱器位置、時序、所 產生之熱量及所產生之熱量速率。 37, 如請求項18之微影裝置，其中該基板加熱器包含： 至夕導電帶，其經配置以與該基板之一部分具有良 好的熱接觸；及 一電流源’其經組態以使一具有受控量值之電流經過 該至少一導電帶； 其中： 選擇°亥導電帶之該電阻率使得自該電流加熱之電阻在 該基板之相對較涼區域中要高於其在該基板之相對較暖 區域中。 3 8.如明求項37之微影裝置’其中該電流之該量值係使得能 最】化由液體自该基板之該表面蒸發所引起之溫度梯 度。 39. 如請求項37之微影裝置，其中該至少一導電帶由一具有 一隨溫度增加而降低之電阻的材料形成。 40. 如請求項37、38或39之微影裝置，其進一步包含： 複數個局部基板加熱器，其各自經组態以向該基板之 一局部化子區域供應熱量； 至少—局部基板加熱器控制器，其經組態以控制該等 103711-981222.doc •10· 複數個局部基板加熱器 v 子集的該輸出功率.B 複數個電阻率量測設備， ，及 ^ , 一各自經組態以量測該等導 電帶中之至少一者之至少一 /寺導 $ <王乂 。卩分的該電阻率； 其中： 根據最罪近待加熱之該局部 化于區域的該導電帶夕— 口P分的該電阻率來控制每— 功t 0部基板加熱器之該輪出 功率，且該電阻率由蟑笠啻 測。 化亥專電阻率量測裝置之-者加以量 41. 如請求項40之微影裝置，其進—步包含： -恆定電流源，其經組態以使一具有受控量值之電汽 經過該等導電帶中之至少一者；且其中 ， 該電阻率量測設備藉由量測一出現於每一該導電帶上 之至少兩個點之間的電位差而運作。 42. 一種微影裝置，其包含： 一支撐件，其經建構以支撐一圖案化設備，該圖案化 °又備此夠在一輻射光束之橫截面中賦予其一圖案以形成 一圖案化之輻射光束； 一基板台，其經建構以固持一基板； 一投影系統’其經組態以將該圖案化之輻射光束投影 至该基板之一目標部分上； 一液體供應系統’其經組態以使用液體至少部分地填 充該投影系統之—最終元件與該基板之間的一空間； 一密封構件’其實質上經配置以在該投影系統之該最 終兀件與該基板之間的該空間内含有該液體；及 103711-981222.doc 1322929 一氣體密封，其經組態以控制自該密封構件逃逸穿過 由該密封構件之一邊界而定界於一側上且由該基板而定 界於一第二侧上之一間隙的液體的量， 該氣體密封包含一加壓氣體出口及一真空排氣入口， 其中經由該加壓氣體出口將加壓氣體供應至該間隙内之 區域，由該加壓氣體出口供應之氣體經由該真空排氣入 口而得以自該間隙内之該區域移除，該加壓氣體出口及 該真空排氣入口分別連接至嵌入於該密封構件中之一加 壓氣體管及一真空排氣管，其中該密封構件進一步包含 一密封構件溫度穩定器。 43. 如請求項42之微影裝置，其中該密封構件溫度穩定器包 含一熱絕緣套管，該熱絕緣套管經配置以在該真空排氣 管與該密封構件之間提供實質熱絕緣。 44. 如請求項42之微影裝置，其中該密封構件溫度穩定器包 含一密封構件加熱器，該密封構件加熱器被定位於鄰近 該真空排氣入口處；且具有實質上遵循該真空排氣入口 在一垂直於該密封構件之該軸線之平面中的幾何形狀之 至少一部分。 45. 如請求項44之微影裝置，其中該密封構件溫度穩定器進 一步包含一密封構件加熱器控制器，其經組態以根據由 一氣體密封氣體供應控制單元所量測之該真空排氣管中 之該流動速率、該加壓氣體管中之該流動速率及由該加 壓氣體入口所供應之該氣體之該相對濕度中的至少一者 來控制該密封構件加熱器之該輸出。 103711-981222.doc -12- 1322929 46. 如請求項45之微影裝置，其進一步包含至少一溫度感應 器，該至少一溫度感應器經組態以量測該基板、該基板 台及一基板固持器中之至少一者之至少一部分的該溫 度，且其中該密封構件溫度穩定器經組態以降低由該至 少一溫度感應器所量測之該或該等溫度與至少一目標溫 度之間的一或若干差異。

47. 如請求項42之微影裝置，其中該密封構件溫度穩定器藉 由參考一校正表來控制該密封構件加熱器之該輸出，該 校正表由作為以下中之至少一者之一函數的該密封構件 溫度之量測構造而成：基板溫度、基板台溫度、加壓氣 流速率、加壓氣流溫度、真空排氣流動速率、真空排氣 溫度、加壓氣體相對濕度及浸液溫度。 48. 如請求項42至47中任一項之微影裝置，其進一步包含一 通道網路，該通道網路被配置於該密封構件内，鄰近該 密封構件最靠近該基板台之該邊界處，其中該密封構件 溫度穩定器經組態以控制一熱交換流體供應系統，從而 在一受控溫度及流動速率下向該網路提供流體。 49. 一種微影裝置，其包含： 一支撐件，其經建構以支撐一圖案化設備，該圖案化 設備能夠在一輻射光束之橫截面中賦予其一圖案以形成 一圖案化之輻射光束； 一基板台，其經建構以固持一基板； 一投影系統，其經組態以將該圖案化之輻射光束投影 至該基板之一目標部分上； 103711-981222.doc -13- 1322929 一液體供應系統，其經組態以使用液體至少部分地填 充該投影系統之一最終元件與該基板之間的一空間； 一密封構件，其實質上經配置以在該投影系統之該最 終元件與該基板之間的該空間内含有該液體； 一基板台熱交換流體控制器，其用於控制經配置以流 經嵌入於該基板台中之一通道網路的一熱交換流體的溫 度及流動速率。 50. 如請求項49之微影裝置，其中該通道網路包含被定向於 該基板台之該平面中的實質上直的扎的一陣列，該等孔 各自經配置以展開至一提供於該基板台之該周邊邊緣周 圍之周邊槽中，該微影裝置進一步包含： 一基板台通道封閉構件，其經組態而可以一合作方式 固定至該周邊槽中以便將該等實質上直的孔共同連接以 形成該通道網路。 51. 如請求項49或5 0之微影裝置，其進一步包含： 至少一溫度感應器，其經配置以量測該基板、該基板 台及一基板固持器中之至少一者之至少一部分的該溫 度，且其中該熱交換流體控制器經配置以控制該熱交換 流體之該溫度及該流動速率中之至少一者，以便降低一 目標溫度與由每一該至少一溫度感應器所量測之該或該 等溫度之間的一或若干差異。 5 2.如請求項51之微影裝置，其進一步包含： 至少一局部基板加熱器及一局部基板加熱器控制器， 該局部基板加熱器控制器經配置以控制該至少一局部基 103711-981222.doc - 14- 1322929 板加熱器之該輸出，以便降低該目標溫度與由每一該至 少一溫度感應器所量測之該或該等溫度之間的該或該等 差異。 53. —種微影裝置，其包含： 一支撐件，其經建構以支撐一圖案化設備，該圖案化 設備能夠在一輻射光束之橫截面中賦予其一圖案以形成 一圖案化之輻射光束；

一基板台，其經建構以固持一基板；及 一投影系統，其經組態以將該圖案化之輻射光束投影 至該基板之一目標部分上，其中 該基板台包含至少一整合之局部溫度控制系統，該局 部溫度控制系統包含： 與一加熱器耦接之一溫度感應器，該加熱器經組態以 當由該溫度感應器所量測之局部溫度落至一預定參考值 以下時產生熱，且當該局部溫度升至該預定參考值以上 時停止產生熱。 54. 如請求項53之微影裝置，其中該基板台包含一由一矽晶 圓形成之支撐元件，其包含待與該基板接觸並支撐該基 板之凸起部分，其中該等溫度感應器及該加熱器定位於 該等凸起部分中。 55. —種微影裝置，其包含： 一支撐件，其經建構以支撐一圖案化設備，該圖案化 設備能夠在一輻射光束之橫截面中賦予其一圖案以形成 一圖案化之輻射光束； 103711-981222.doc -15· 1322929 一基板台，其經建構以固持一基板； 一投影系統，其經組態以將該圖案化之輻射光束投影 至該基板之一目標部分上； 至少一溫度感應器，其經組態以量測該基板、該基板 台及一基板固持器中之至少一者之至少一部分的溫度； 及

一投影系統控制器，其經組態以調整該圖案化之輻射 光束的特性以回應於由該至少一溫度感應器所量測之該 或該等溫度。 5 6.如請求項55之微影裝置，其中該至少一溫度感應器嵌入 該基板台中，該投影光束控制器包含一熱致變形計算 器，該熱致變形計算器經組態以計算該溫度且藉此計算 該基板自由嵌入該基板台中之該至少一溫度感應器所量 測的該或該等溫度的該熱致變形，該投影系統控制器經 組態以調整該圖案化之輻射光束之該等特徵，從而補償 因此計算的該基板之該熱致變形。

57. —種半導體裝置的製造方法，其包含： 提供經建構以支撐一圖案化設備之一支撐件，該圖案 化設備能夠在一輻射光束之橫截面中賦予其一圖案以形 成一圖案化之輻射光束； 提供經建構以固持一基板之一基板台； 提供經組態以將該圖案化之輻射光束投影至該基板之 一目標部分上的一投影系統； 提供經組態以使用液體至少部分地填充該投影系統之 103711-981222.doc -16- 1322929 一隶終元件與該基板之間的一空間的一液體供應系統； 提供實質上經配置以在該投影系統之該最終元件與該 基板之間的該空間内含有該液體的一密封構件；及 控制由該液體供應系統所供應之液體的淨蒸發迷率， 其中控制該液體的淨蒸發速率進一步包含提供一氣體濕 度控制器，該氣體濕度控制器與一氣體源互相作用，以 提供一控制相對濕度大於1 〇%的氣體。 _ 58. —種半導體裝置的製造方法，其包含： 提供經建構以支撐一圖案化設備之一支撐件該圖案 化設備能夠在一輻射光束之橫截面中賦予其一圖案以形 成一圖案化之輻射光束； 提供經建構以固持一基板之一基板台； ： 提供經組態以將該圖案化之輻射光束投影至該基板之 一目標部分上的一投影系統； 提供經組態以使用液體至少部分地填充該投影系統之 • 1終㈣與該基板之間的-空間的-液體供應系統； 提供實質上經配置以在該投影系統之該最終元件鱼該 基板之間的該空間内含有該液體的一密封構件；及X 提供-基板台移位系統，其經配置以沿一相對於該密 封構件之敎職㈣絲板台，藉此在該基板之表面 上移動该目標部分；及 根據該基板台相對於該密封構件之位置 '速度、加束 度及該預定路徑、戶.田^ 局邛基板;^度及局部基板台溫度令 至少一者來加熱該基板之至少一部分。 103711-981222.doc • 17- 59. 一種半導體裝置的製造方法，其包含： 提供經建構以支標-圖案化設備之一支樓件，該圖案 化6又備能夠在一輻射光束之橫截面中賦予其-圖案以形 成一圖案化之輻射光束； 提供經建構以固持一基板之一基板台； 提供經組態以將該圖案化之輻射光束投影至該基板之 一目標部分上的一投影系統； 提供經組態以使用液體至少部分地填充該投影系統之 -料2件與該基板之間的—空間的—液體供應系統； 提供實質上經配置以在該投影系統之該最終元件與該 基板之間的該空間内含有該液體的一密封構件；及 办提供-氣體密封，其經組態以控制自該密封構件散逸 穿過由該密封構件之—邊界而定界於—側上且由該基板 而定界於一第二側上之一間隙的液體的量， 提供-包含-氣體入口及一真空排氣出口的氣體密 封，其中經由該氣體入口可將氣體供應至該間隙内之區 域’由該氣體入口供應之氣體經由該真空排氣出口而得 以自該間隙内之該區域移除，該氣體入口及該真空排氣 出口分別連接至嵌入於該密封構件中之一氣體入口管及 一真空排氣出口管，及 穩定該密封構件之溫度。 60. —種半導體裝置的製造方法，其包含： 提供經建構以支撐—圖案化設備之一支撐件，該圖案 化設備能夠在一輻射光束之橫截面中賦予其一圖案以形 103711-981222.doc •18· 1322929 成一圖案化之輻射光束； 提供經建構以固持一基板之一基板台； 提供經組態以將該圖案化之輻射光束投影至該基板之 一目標部分上的一投影系統； 提供經組態以使用液體至少部分地填充該投影系統之 一最終元件與該基板之間的一空間的一液體供應系統； 提供實質上經配置以在該投影系統之該最終元件與該 基板之間的該空間内含有該液體的一密封構件；

提供被嵌入於該基板台中的一通道網路，及 控制經配置以流經該通道網路之一熱交換流體的温度 及流動速率。 61. —種半導體裝置的製造方法，其包含： 提供經建構以支撐一圖案化設備之一支撐件，該圖案 化設備能夠在一輻射光束之橫截面中賦予其一圖案以形 成一圖案化之輻射光束； 提供經建構以固持一基板之一基板台； 提供經組態以將該圖案化之輻射光束投影至該基板之 一目標部分上的一投影系統，其中 該基板台包含至少一整合之局部溫度控制系統，該局 部溫度控制系統包含： 與一加熱器耦接之一溫度感應器，該加熱器經組態以 當由該溫度感應器所量測之局部溫度落至一預定參考值 以下時產生熱，且當該局部溫度升至該預定參考值以上 時停止產生熱。 103711-981222.doc •19- 1322929 62. —種半導體裝置的製造方法，其包含： 提供經建構以支撐一圖案化設備之一支撐件，該圖案 化設備能夠在一輻射光束之橫截面中賦予其一圖案以形 成一圖案化之輻射光束； 提供經建構以固持一基板之一基板台； 提供經組態以將該圖案化之輻射光束投影至該基板之 一目標部分上的一投影系統； 提供經組態以使用液體至少部分地填充該投影系統之 一最終元件與該基板之間的一空間的一液體供應系統； 提供實質上經配置以在該投影系統之該最終元件與該 基板之間的該空間内含有該液體的一密封構件；及 提供一基板台移位系統，其經配置以沿一相對於該密 封構件之預定路徑移動該基板台，藉此在該基板之表面 上移動該目標部分；及 使用一微波源及微波封鎖設備以向該基板之該表面上 的液體供應熱量。 103711-981222.doc 20- 1322929 r—--— 第094127593號專利申請案 ^年严月〆7日修正替益頁 中文圖式替換頁(卵年12月） --- -)---、圖式：

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