CN104937494B - 用于光刻设备的衬底支撑件和光刻设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于将EUV辐射束投影到衬底(400)的目标部分上的所述类型的设备的衬底支撑件。该衬底支撑件包括：构造成保持衬底的衬底台；用于支撑衬底台的支撑块(420)；以及设置成围绕衬底台的盖板(450’)。盖板的顶表面和安装在衬底台上的衬底的顶表面都大致处于同一高度水平。至少一个传感器单元(430)定位在衬底支撑件上，并且其顶表面也处于与盖板和衬底的顶表面相同的高度水平上。另外，公开了一种包括这样的衬底支撑件的EUV光刻设备。

Description

用于光刻设备的衬底支撑件和光刻设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2012年12月17日递交的美国临时申请61/738,344以及于2013年9月4日递交的美国临时申请61/873,806的权益，其在此通过引用将它们的全文并入本文中。

技术领域

本发明涉及光刻设备和用于光刻设备的衬底支撑件。

背景技术

光刻设备是一种将期望的图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成将要在所述IC的单层上形成的电路图案。这种图案可以被转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一部分管芯、一个或若干个管芯)上。通常，图案转移是通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来实现的。通常，单个衬底将包含被连续形成图案的相邻的目标部分的网络。

光刻术被广泛地看作是制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。

图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式(1)所示：

其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，k₁是依赖于过程的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)知道，减小特征的最小可印刷尺寸可以由三种途径实现：通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小k₁的值。

为了缩短曝光波长，并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有在5-20nm范围内波长的电磁辐射，例如在13-14nm范围内。另外已经提出可以使用波长小于10nm的EUV辐射，例如在5-10nm范围内，诸如6.7nm或6.8nm。这样的辐射被用术语极紫外辐射或软x射线辐射来表示。可能的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于通过电子存储环提供的同步加速器辐射的源。

可以通过使用等离子体来产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器和用于容纳等离子体的源收集器设备。例如可以通过将激光束引导至诸如合适材料(例如锡)的颗粒或者合适气体或蒸汽(例如氙气或锂蒸汽)的束流等燃料来产生等离子体。所形成的等离子体发出输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器来收集。辐射收集器可以是反射镜式正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦成束。源收集器设备可以包括包围结构或腔室，布置成提供真空环境以支持等离子体。这种辐射系统通常被用术语激光产生的等离子体(LPP)源来表示。

包含投影光学装置的腔和包含晶片台和支撑件的环境可以通过气锁机构来分离开，其防止来自晶片台环境的污染物进入到投影光学装置腔中。气流被从气锁机构发射到下面的晶片平台上，这将热负载引入到晶片平台上。该热负载可能在晶片平台之上不总是恒定的，并且可能依赖于晶片平台的位置而变化。例如，当气锁机构在传感器(例如透射图像传感器TIS板)的上方时，可以看到热负载比较高。

发明内容

期望减小由于从气锁机构发射到晶片平台的元件(诸如传感器和/或晶片本身)上的气体所造成的热负载。

第一实施例提供了用于将具有在EUV范围内的波长或更短波长的辐射束投影到衬底的目标部分上的所述类型的设备的衬底支撑件，所述衬底支撑件包括：衬底台，构造成保持衬底；支撑块，用于支撑衬底台；至少一个传感器单元；和盖板，设置成围绕衬底台和传感器单元，使得盖板的顶表面、传感器单元的顶表面和在被安装在衬底台上时衬底的顶表面都处于大致同一高度水平。此处的EUV范围是指波长在5-20nm范围内的电磁辐射。

另一实施例提供了一种光刻设备，包括：根据第一方面的衬底支撑件；投影系统，在投影腔内并且配置成将EUV辐射束投影到由衬底支撑件支承的衬底的目标部分上；气锁机构，用于限制污染物进入投影腔，同时透射来自投影腔的EUV辐射束。

另一实施例提供了一种设备，包括：

衬底支撑件，包括：

衬底台，构造成保持衬底；

支撑块，配置成支撑衬底台；

至少一个传感器单元；和

盖板，设置成围绕衬底台和至少一个传感器单元，所述盖板被定位成且配置成导致对于在衬底台上的气流的阻力增大；

光学系统，在腔内；和

气锁机构，用于限制污染物进入所述腔。

此处的光刻设备是在光刻过程中使用的任何设备，包括例如用于量测/检查的那些设备。

本发明的其他特征和优点以及本发明多种实施例的结构和操作在下文中参照附图详细地说明。注意的是，本发明不限于此处描述的具体实施例。这些实施例在此处给出仅是为了说明的目的。附加的实施例基于此处所包含的教导对于相关领域技术人员来说是显而易见的。

附图说明

此处并入并且形成说明书的一部分的附图示出本发明，并且与说明书一起进一步用以解释本发明的原理，并且能够使得相关领域技术人员制造和使用本发明。仅通过举例的方式，参照附图描述本发明的实施例，在附图中：

图1示意性地示出了根据本发明的实施例的具有反射型投影光学装置的光刻设备；

图2是图1的设备的更加详细的视图；

图3示意性地示出了可替代图2所示的源布置的源布置；

图4a显示了一种已知的衬底支撑件布置的示例；

图4b图示在具有图4a的衬底支撑件布置的情况下的气流；

图5a和5b显示根据本发明的实施例的衬底支撑件布置；

图6a和6b显示根据本发明的其他实施例的衬底支撑件布置；

图7a、7b和7c显示根据本发明的另外的实施例的衬底支撑件布置；

图8a、8b和8c显示根据本发明的另外的实施例的衬底支撑件布置；和

图9a和9b显示根据本发明的另外的实施例的衬底支撑件布置。

本发明的特征和优点在结合附图、通过下文给出的详细说明将变得更加清楚，其中在整个说明书中相同的附图标记表示对应的元件。在附图中，相同的附图标记通常表示相同的、功能类似和/或结构类似的元件。

具体实施方式

本说明书公开一个或更多个包含本发明的特征的实施例。这些公开的实施例仅给出本发明的示例。本发明的范围不限于公开的实施例。本发明由随附的权利要求限定。

所述的实施例以及在说明书中提到的“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等表明，所描述的实施例可以包括特定的特征、结构或特性，但是每个实施例不必包括特定的特征、结构或特性。而且，这些措辞不必表示同一实施例。此外，当结合实施例描述特定特征、结构或特性时，应该理解，结合不管是否被明确示出的其他实施例来实现这样的特征、结构或特性，是在本领域技术人员的知识范围内的。

本发明的实施例可以在硬件、固件、软件或其任何组合中实施。本发明实施例还可以实施为存储在机器可读介质上的指令，其可以通过一个或更多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括任何用于以机器(例如计算装置)可读形式存储或传送信息的机构。例如，机器可读介质可以包括：只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁盘存储介质；光学存储介质；闪存装置；电、光、声或其他形式的传播信号以及其他。此外，这里可以将固件、软件、例行程序、指令描述成执行特定动作。然而，应该认识到，这样的描述仅为了方便并且这些动作实际上由计算装置、处理器、控制器或用于执行所述固件、软件、例行程序、指令等的其他装置来完成。

然而，在更详细描述这样的实施例之前，给出可以实施本发明的多个实施例的示例性环境是有指导意义的。

图1示意性地示出根据本发明一个实施例的包括源收集器模块SO的光刻设备LAP。所述光刻设备包括：照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B(例如，EUV辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，构造用于支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA并与配置用于精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和投影系统(例如反射式投影系统)PS，所述投影系统PS配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。

所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。

支撑结构MT以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如例如图案形成装置是否保持在真空环境中等其它条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。

术语“图案形成装置”应该被广义地解释为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。被赋予辐射束的图案可以与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。

图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。

如同照射系统，投影系统可以包括多种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型和静电型或其他类型光学部件、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用真空之类的其他因素所适合的。可以希望对EUV辐射使用真空，因为其他气体可能会吸收太多的辐射。因而可以借助真空壁和真空泵对整个束路径提供真空环境。

如这里所示的，所述设备是是反射型的(例如，采用反射式掩模)。

所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。

参照图1，照射器IL接收来自源收集器模块SO的极紫外(EUV)辐射束。用以产生EUV光的方法包括但不必限于将材料转换为等离子体状态，该材料具有在EUV范围内的一个或更多个发射线的至少一种元素，例如氙、锂或锡。在通常用术语激光产生等离子体(“LPP”)表示的一种这样的方法中，所需的等离子体可以通过使用激光束照射燃料(例如具有所需发射线元素的材料的液滴、流或簇)来产生。源收集器模块SO可以是包括激光器(在图1中未示出)的EUV辐射系统的一部分，用于提供用于激发燃料的激光束。所获得的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用设置在源收集器模块中的辐射收集器收集。激光器和源收集器模块可以是分立的实体，例如当使用CO₂激光器提供激光束用于燃料激发时。

在这种情况下，所述激光器不被认为形成光刻设备的一部分，并且借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统，辐射束被从激光器传递至源收集器模块。在其他的情形下，所述源可以是源收集器模块的组成部分，例如当所述源是放电产生等离子体EUV生成器(通常用术语DPP源表示)时。

照射器IL可以包括调节器，用于调节辐射束的角度强度分布。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如琢面(多小面)场反射镜装置和琢面光瞳反射镜装置。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。

所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经由图案形成装置(例如，掩模)MA反射之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感PS2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器PS1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。

可以将所述设备用于以下模式中的至少一种中：

1.在步进模式中，在将支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。

2.在扫描模式中，在对支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。

3.在另一种模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台)MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。

图2更详细地示出设备100，包括源收集器模块SO、照射系统IL以及投影系统PS。源收集器模块SO构造并布置成使得在源收集器模块SO的包围结构220内可以保持真空环境。系统IL和PS同样包含在他们自己的真空环境内。发射EUV辐射的等离子体2可以通过激光产生的LPP等离子体源来形成。源收集器模块SO的功能是传输来自等离子体2的EUV辐射束20，使得它聚焦到虚源点上。该虚源点通常称为中间焦点(IF)，源收集器模块布置成使得中间焦点IF定位在包围结构220中的孔阑或开口221处或附近。虚源点IF是发射辐射的等离子体2的像。

从在中间焦点IF处的开口221，辐射横穿照射系统IL，其在这一示例中包括琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24。这些装置形成所谓的“飞眼”照射器，其被布置成提供在图案形成装置MA处的辐射束21的期望角分布以及在图案形成装置MA处的期望的辐射强度均匀性。在所述束21在由支撑结构(掩模台)MT保持的图案形成装置MA处反射时，形成图案化的束26，并且所述图案化的束26通过投影系统PS、经由反射元件28、30成像到由晶片平台或衬底台WT保持的衬底W上。为了曝光衬底W上的目标部分C，在衬底台WT上产生辐射的脉冲，掩模台MT执行同步的移动266、268，以通过照射的狭缝扫描图案形成装置MA上的图案。

每一系统IL和PS布置在其自己的真空或近似真空的环境中，由类似于包围结构220的包围结构限定。通常比图示更多的元件可以设置在照射系统IL和投影系统PS中。另外，可以设置比图中所示的那些反射镜更多的反射镜。例如，除了图2中所显示的那些之外，可以在照射系统IL和/或投影系统PS中设置1至6个额外的反射元件。

更加详细考虑源收集器模块SO，包括激光器223的激光能量源被布置成将激光能量224沉积到燃料(诸如氙(Xe)、锡(Sn)或锂(Li))中，从而产生了电子温度为数十eV的高度电离的等离子体2。更高能量的EUV辐射可以用其它的燃料材料产生，例如Tb和Gd。在这些离子的去激励和再结合期间所产生的高能辐射由所述等离子体发射出，通过近似正入射收集器3收集，并且聚焦到开口221上。等离子体2和开口221分别定位在收集器CO的第一和第二焦点处。

虽然在图2中示出的收集器3是单曲面的反射镜，但是收集器可以采用其它的形式。例如，收集器可以是具有两个辐射收集表面的施瓦兹齐德(Schwarzschild)收集器。在一个实施例中，收集器可以是掠入射收集器，其包括彼此嵌套的多个大体圆柱形反射器。掠入射收集器可能适合于用在DPP源中。

为了传送例如是液体锡的燃料，液滴产生器226布置在包围结构220中，布置成朝向等离子体2的期望位置发射高频的液滴流228。在操作中，激光能量224被与液滴产生器226的操作同步地传送，用于传送辐射的脉冲而将每一燃料液滴转变成等离子体2。液滴的传送频率可以是几千赫兹，例如50kHz。激光能量224可以被以至少两个脉冲传送，以增强转换效率：在到达等离子体位置之前，具有有限能量的预先脉冲被传送至液滴，以便将燃料材料蒸发成小的云，之后激光能量224的主要脉冲被传送至在期望位置的云，以产生等离子体2。预先脉冲和主要脉冲可以由同一激光源或由不同的激光源传送。捕获构件230设置在包围结构220的相反侧上，以捕获不论由于什么原因而没有转变成等离子体的燃料。

在可替代的配置(未图示)中，EUV辐射可以通过使得放电的部分电离的等离子体在光轴上坍塌(例如经由箍锁效应)来产生。该源可以被称为放电产生等离子体(DPP)源。例如分压为10Pa的Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合适的气体或蒸汽可以用于产生发射EUV辐射的等离子体。

图3显示可替代的LPP源布置，其可以用于替代图2所示的源布置。主要区别是主脉冲激光束被从中间焦点IF的方向引导到燃料液滴，使得所述收集的EUV辐射是大体在主激光脉冲被接收的方向上发射的EUV辐射。图3显示所述主激光器30，发射经由至少一个光学元件(诸如透镜或折叠反射镜)33传送至等离子体产生地点32的主脉冲束31。EUV辐射34通过诸如在放电产生的等离子体(DPP)源中使用的收集器等掠入射收集器35而被收集。另外，图示了碎片捕获构件36，其可以包括一个或更多的静止的翼片阱和/或旋转翼片阱，以及能够操作以发射预先脉冲激光束38的预先脉冲激光器37。

如熟悉技术的读者将认知到的，参考轴X、Y和Z可以被定义用于测量和描述所述设备、它的各种部件以及辐射束20、21、26的几何构型和行为。在所述设备的每一部分，可以定义X、Y和Z轴的局部参考系。Z轴广义地与所述系统中的给定点处的方向光轴O一致，并且大致垂直于图案形成装置(掩模版)MA的平面且垂直于衬底W的平面。在源收集器模块中，X轴广义地与燃料流228的方向一致，同时Y轴垂直于如图2所示的朝页面外面指向的方向。另一方面，在保持掩模版MA的支撑结构MT的附近，X轴大体横截与Y轴对齐的扫描方向。为了简便，在图2的示意图的这一区域中，再次标记出朝页面外面指向的X轴。这些指定在本领域中是惯用的，且在此处为了简便而被采用。原理上，可以选用任何参考系来描述所述设备和其行为。

对于源收集器模块和整个光刻设备的操作来说是关键的诸多额外的部件在典型的设备中被设置，尽管在此处没有图示出。这些部件包括用于减小或减轻在包围的真空中的污染效应的布置，例如防止燃料材料的沉积物损坏或损害收集器3和其他光学装置的性能。设置有、但是未被详细描述的其它特征是在控制光刻设备的各个部件和子系统中所涉及的所有传感器、控制器和致动器。

在使用激光产生的等离子体(LPP)源或放电产生的等离子体(DPP)源时，可以产生污染物，成诸如快速离子和/或中性颗粒(例如锡(Sn))等碎片的形式。这样的碎片可能在收集器3的反射表面上聚集，从而导致了收集器失去反射性，并且由此降低了收集器的效率。由于碎片导致的污染还可能使得光刻设备的其它反射部件(例如反射镜22、24、28和30或图案形成装置MA)随着时间的流逝而失去反射性。光刻设备的生产量依赖于EUV辐射的强度，该EUV辐射入射到被曝光的衬底上。由于碎片在光刻设备的收集器或其它反射表面上聚集所引起的任何反射性的降低可能降低光刻设备的生产量。

诸如动态气锁(DGL)等气锁机构是在以其它方式分开的投影光学装置(PO)腔环境(其是包括用于图2中的投影系统PS的光学装置的腔)和晶片平台(WS)环境之间共享的开口。进一步地在称为DGL的气锁机构上可以具有中空的主体，包括第一和第二端，所述主体大体围绕EUV辐射束的路径从第一端延伸至第二端。中空的主体可以与配置成在主体内产生气流的气流单元连通。通过使用这样的气流单元，可以将气流提供至中空主体，所述气流经由第一和第二端从中空主体流出，即朝向PO腔环境和WS环境两者。结果，在中空主体内的气体提供了在PO腔环境和WS环境之间的气体类型的阻挡件。

投影系统可以由反射光学装置(例如反射镜)构成，该反射光学装置具有被控制处于原子水平的表面平坦度。这样的光学装置可能会容易被进入投影光学装置腔的分子损坏并且所述分子污染光学装置的表面。因此，虽然PO腔和晶片平台环境两者可以在操作期间处于非常高的真空水平(例如在2至15Pa的范围内)，但是投影光学装置PO腔可能维持在比晶片平台环境更高的压力下，以防止污染物从晶片平台(例如从抗蚀剂的排气)进入投影光学装置腔。可替代地，可以通过将气体注射到DGL中来防止污染物进入晶片平台环境中。应当使得在DGL中采用的气体基本上不吸收在投影束(例如EUV)中的辐射，同时对于污染物具有基本上低的扩散效率。可以用在DGL中的这样的气体的示例包括氢气、氩气、氪气和氦气。

DGL产生对晶片(和晶片台-通常称为夹持装置)和任何邻近的传感器支撑件/板(诸如透射图像传感器(TIS)板)的热负载，依赖于上述两者中的哪一个定位在DGL开口的下面。TIS板是传感器单元，其包括用在透射图像感测系统中的标识和一个或更多的传感器，被用于相对于光刻系统的投影透镜系统PS和掩模MA的位置精确地定位晶片。该热负载的主要目标(cause)是将气体冲击到所述表面上，即将气流单元的上述的气流朝向WS环境冲击。由这一气体产生的绝对热负载分别依赖于冲击晶片或TIS板的气体的流量和温度。所述流量依赖于在朝向投影光学装置侧的气流(通常向上的气流)和朝向晶片平台侧的气流(通常向下的气流)之间的DGL气流的分布。

图1中的定位装置PW和晶片台WT的布置可以包括由支撑块支撑的晶片台，在支撑块下面的致动器用于移动支撑块和晶片台。在实施例中，支撑块可以包括玻璃块，其具有用于反射进行位置感测的激光束的反射涂层，通常称为反射镜块。“f-系数”是从DGL到晶片平台的流量与注射到DGL中的流量相比的比。所述f-系数和因此投影光学装置侧和晶片平台侧之间的气流分布依赖于由向下的(WS侧)气流所经历的流阻，并且因此依赖于支撑块的位置。

如图4a所见，TIS板430和晶片/晶片夹持装置从支撑块表面突出。有诸多原因说明为什么这可能看上去是优选的。这样的设计导致较低的流阻和因此从DGL向下的较高的气体流量，并且结果导致对污染物较好的阻止。另外，模块(传感器、缆线和管线)容易接近和维修。然而，因为TIS板和晶片/晶片夹持装置两者从支撑块表面突出，并且TIS板比晶片台小，所以当TIS定位在DGL的下面时向下引导的DGL气流将显著地比在晶片定位在DGL下面时的大。这是因为在DGL在TIS板的上方时，气流经历较小的流阻。这样的结果是在TIS板上的大的热负载，其妨碍对准和批量(lot)校正。

图4a和4b图示了这一问题。图4a显示了已知的EUV晶片平台布置的示例。它包括在晶片台410上的晶片400，其被安装在支撑块(或支撑块)420上。另外如所示，在支撑块420上设置TIS板430。虽然TIS传感器板在此显示为了图示，但是本文的构思无论如何不限于任何特定的传感器类型，并且可以包括具有替代一个或两个TIS板430的不同的传感器单元的布置。这样的传感器单元可以因此耦接至支撑块420，并且可以甚至集成到支撑块中。

图4b显示图4a的布置(以穿过AA线的横截面)，在第一位置(实线)的DGL440在晶片400上方，在第二位置(虚线)的DGL’在TIS板430上方。箭头445表示当DGL定位在晶片400的上方时从DGL的向下(WS侧)的气流。箭头445’表示当DGL定位在TIS板430的上方时从DGL的向下(WS侧)的气流。可见，气流图案445不同于气流图案445’。这导致了在DGL440在晶片400上方时与它在TIS板430上方时相比更大的流阻。

当晶片边缘定位在DGL的下方时，导致了类似的情形。流阻在晶片边缘处与在晶片的中心处相比被减小，因此就增大了所述热负载。事实上，至晶片平台的大量的气流和因此在晶片上的热负载是依赖于管芯的，其导致了在曝光期间的动态的非均匀的热负载。

图5a和5b显示试图解决上述问题的卡盘布置。这样的布置由图1中的定位装置PW和支撑结构WT表示。这显示出具有增设在支撑块420上的盖板450的卡片布置。盖板450包括用于晶片台410和TIS板430的开口。盖板450的顶表面可以与TIS板430和晶片400平齐，以便使得支撑块组件的顶表面平整。盖板450被与支撑块420分离地形成，且由支撑块420支撑。图5b显示的箭头图示出典型的DGL 440气流。用于此处的板450的术语“盖”因此具有覆盖晶片平台的一部分的含义，以便于围绕晶片平台元件(在设置了的情况下，传感器、晶片)。

盖板450的增设帮助使得在TIS在DGL 440的下面和当晶片(不论是中心或是边缘)在DGL 440的下面时所遇到的流阻相等。其通过在TIS板430在DGL 440的下面时与图4b的布置相比增大所遇到的流阻来实现，导致了在支撑块组件的整个顶表面上方的更加均匀的f-系数。结果，在TIS处的流量降低，导致了在TIS板430上的更小的热负载效应，其导致了改善的对准精度(因此有利于重叠)。

盖板还防止当DGL 440被从晶片400移动至TIS板430时DGL 440的气流直接撞击支撑块420的顶表面和晶片台410和TIS板430的侧壁。这帮助防止各种动态边缘效应和降低了朝向这些边缘的热传递。

更加稳定的向下的气流还导致了朝向投影光学装置腔的更加稳定的气流，其稳定投影光学装置腔的温度和可能减小污染(当气流变化发生时从表面释放的污染物)。另外，所述气流可以是更加可预测的，导致了改善的设计。

除了增设平坦的盖板之外，还可以给盖板的顶表面增设额外的结构。这样的结构可以包括表面微结构(粗糙度)，以例如在热适应系数方面影响所述气流。这些微结构可以具有任何数量的不同的形状或尺寸。这样的表面微结构可以在一个特定的例子中包括沟槽表面。在一个例子中，结构的高度可以是在微米量级上。在另一例子中，它们可以是在气体分子的平均自由行程的量级上，即高至几毫米。或者它们可以是任何其他的合适的尺寸，图6a显示带有具有这样的表面轮廓的盖板450’的卡盘布置。

当DGL在TIS上方时，还可以增设宏观结构，诸如例如具有围绕TIS(或任何其他传感器)的高度台阶或轮廓的边缘，以进一步减小f系数。这是可行的，因为当DGL在TIS上方时抗蚀剂污染物是不相关的，并且因此可以安全地降低f系数。这就是当DGL在任何传感器上方的情形，因此任何传感器可以受益于这样的边缘。图6b显示了具有围绕每一个TIS板430的边缘455的卡盘布置。

盖板的引入提供了另外的功能性的可能性。图7a至7c图示了已经提供了这样的另外的功能性的三个例子。

图7a显示了另外的传感器460包含在盖板450内的情形的例子。这样的传感器可以包括校准传感器、温度传感器、压力传感器、热通量传感器和/或污染传感器(“嗅探器”)。这些传感器仅通过举例的方式被提及，应当认识到这一列表不是穷尽的。

图7b显示了盖板450包括布置用以提供热控制的调节元件的情形的例子，例如一个或更多的调节导管470。这样的调节导管可以包括热管或冷却管。可替代地或另外地，盖板450可以包括局部加热器或(帕尔贴)冷却器以调整局部的温度。

图7c显示了盖板450被提供用于气体抽取的情形的例子。盖板包括用于抽取气体(箭头指示在抽取期间的气体方向)的气体抽取通道475。气体可以被在板中抽取，以便于移除污染物(来自排气和WS两者)和颗粒(来自晶片台)。气体还可以被抽取以移除热量并且降低在盖板450和晶片400之间的任何温度差。抽取气体的另一原因可能是调整在期望的方向上的气流。

作为气体抽取的替代方案，具有通道475的同一盖板可以用于吹送气体(即，箭头可以是相反的)。这可能更容易实施，因为由于其低的压力而难以从晶片台环境进行抽取。这样的吹送可以缓冲在支撑块组件表面中(例如在盖板450和TIS板430/晶片400之间)的间隙。

可以设置穿过盖板450的蓄意的气流，例如围绕TIS板430或其他地方，用于减轻在不曝光晶片时从DGL 440向下的气流的热效应。

为了在晶片位置处过滤掉DUV(深紫外)或其它的带外辐射(除EUV之外的辐射)，提议包含在DGL组件上的用于过滤DUV和/或带外辐射的过滤元件，诸如过滤隔膜。这样的隔膜非常薄，并且可能潜在地被在机器中的通风动作(即，将空气或另一类型的气体引入到机器中的动作，以使得所述设备达到大气压)损坏。为了克服这一问题，已经提议可拆卸的隔膜。为了实施可拆卸的隔膜，应当设置用于隔膜的保存位置和隔膜保持器。

图8a显示了一种支撑块组件布置，具有位于DGL 440处的这样的可拆卸的过滤隔膜(具有保持器)485和在隔板450内用于过滤隔膜485的保存围室480。将隔膜485保存在围室480的内部使得在通风的状态中移动晶片平台期间保护了隔膜，并且因此在其被夹持在其保持器中时在通风和其他维修动作期间保护了隔膜485。图8b显示了隔膜485被保存在围室480内部中的细节。

在被保存在保持器中之后，隔膜和保持器485可以在正常操作期间被附连至DGL440，例如通过(电)磁体。它可以通过使用“e销”结构而被安装在DGL上，类似于在一些晶片台上使用的那些部件，以帮助晶片的装载/卸载。E销或e销结构在此处用于表示提升结构，以帮助物体的装载/卸载操作，例如至物体台的装载/从物体台的卸载。这样的提升结构可以包括一个或更多的细长的元件(诸如销)，其可以可选择地在卸载期间从晶片台或物体台的上表面延伸，由此提升晶片或物体，并且缩回与在其他时间的晶片台的上表面平齐或低于所述上表面。

图8c图示使用e销490将隔膜485附连至DGL 440的特定的例子。在这一例子中，提供了三个e-销(尽管不同数量是可行的)。E销490包含在环(e-环)内，与隔膜保持器的周边形状相同或保形。E销490延伸以朝向DGL 440推动隔膜485，以便于部署它(例如磁性地，使得DGL或隔膜保持器之一包括一个或多个(电)磁体以吸引DGL或隔膜保持器中的另一个)。

可选地，设想在盖板中具有冗余的(例如两个或更多的)围室480，使得在失效的情况下具有可利用的备用的隔膜485，因此可以推迟物理的更换直到下一次维修动作为止。

虽然上文的实施例已经显示盖板与支撑所述盖板的支撑块是分离的，但是应该认识到，盖板和支撑块可以是单个集成的单元。

另外，虽然从DGL的向下的气流的热效应是在晶片平台上的热负载的主要构成之一，但是可能期望平衡其他的热负载构成、以实现沿着整个晶片平台的更好的热均匀性。

图9a和9b显示了上文显示的EUV晶片平台布置的另一实施例。它们显示在晶片400上方的冷却元件，诸如冷却盘900。冷却盘900通过帕尔贴冷却器910和热管920保持在低温(对冷却盘900的冷却可以通过可替代的方式执行)。另外示出用于提供局部化的加热的快速切换主动加热装置。在图9a中示出的特定例子中，加热装置包括发射辐射940的LED源930。然而，可以使用其他装置，假设它们是充分快速地切换的。例如，替代地，可以使用MEMS装置。图9b显示可替代的加热布置，其中使用了快速切换的薄膜加热器950。在薄膜加热器950和冷却盘900之间的是绝缘材料960。

晶片经受热负载，其导致了晶片的变形。已经显示这些热负载在晶片上是不均匀的，而是连续的区域经受交替的较高和较低的热负载。这一效应很大程度由扫描图案和热负载的打开和关闭驱动或促成。所述结果是在晶片上的区域具有“棋盘”图案的特点，其在不同的测量的重叠特征之间交替。例如，可以看到显示出大约+2nm的测量重叠的区域与显示出大约-2nm的测量重叠的区域交替。

图9a和9b的布置通过直接调节晶片温度而减小了晶片的变形，而不是通过晶片平台来实现这一目的。冷却盘900位于晶片400的上方，其保持在低温(例如小于10摄氏度、可能是小于5摄氏度)。结果是，冷却盘900在晶片上赋予(恒定的)负热负载。这一负的热负载导致了远离晶片400的热流和朝向冷却盘900的热流，从而从晶片400移除了能量。一种热传递机制是经由冷却盘和晶片表面之间的气体介质的对流，其来自DGL的气流。另一种热传递机制是辐射。关于后者，应当考虑冷却盘900的发射率。使冷却盘900设置有高发射率涂层能够增大热传递，并且因此增大了负的热负载的大小。然而，这意味着：需要温度传感器以适应所述盘的温度，因为晶片的发射率可能对于不同的曝光层而改变。可替代地，可以在冷却盘900上使用低发射率的涂层。这帮助使得所述配置对于晶片层的变化的发射率是具有鲁棒性的。

这一冷却盘900帮助防止“第一晶片效应”。这样的效应是源自不同的热条件的效应，其可以在停工之后的第一测量-曝光循环和随后的测量-曝光循环期间经历的。对于在第一测量-曝光循环之后的每一测量-曝光循环，来自前一循环的余热，与在第一循环期间所经历的相比，可能不同地影响晶片温度。这可能在3倍的τ大于曝光之间的时间段时发生，热时间常数τ表示系统的步进响应达到其最终的(渐进的)值的1-1/e～63.2％所花费的时间。这意味着：在第一层和其他层之间的不同夹持行为的可能性，导致了重叠的惩罚。冷却盘降低了在所述台上的净能量，其忽略了对于在所述夹持装置中的激进(主动)冷却的需要(其可能导致来自冷却介质流的由流引起的振动)或甚至对在所述夹持装置中的主动控制部分的需要。

然而，负的热负载的恒定的(DC)行为和EUV曝光负载的开关行为意味着：将在单独使用冷却盘900时保留所述棋盘图案。这一问题通过LED可切换热源930、950来解决，其提供了在曝光热负载低或被关闭的时间期间的对晶片的主动的、快速切换的和直接的加热。注意到，作为提供对晶片的直接加热的替代方案，LED切换热源还可以被配置成提供对冷却盘900的局部加热。为了补偿这一额外的正的热负载，与如果在没有主动加热的情况下使用所需要的负载相比，冷却盘900应当提供更大的负的负载。这可以通过(例如)增大盘900的面积来实现，保持所述盘900在较低的温度或增大DGL的气流(并且因此在盘900和晶片400之间的气压)。在薄膜加热源950的例子中，这一负的热负载可以变得大于LED加热源930的例子的负热负载，以补偿(非常小的)绝缘效应960。还可以为了相应的效应，将可切换的热负载施加至盖板。

应当选择由LED加热装置930发射的波长，使得光在晶片中被吸收。LED加热装置930在图9a中被图示出在冷却盘900的上方。在这一例子中，冷却盘900包括薄硅盘，其充分地传导以将盘表面热连接至热管920，同时允许辐射940穿过。作为替代，辐射束可以被设置成来自不同的角度，诸如设置成来自所述一侧。另一可替代的方案将是从卡盘上的源发射辐射并且从位于投影光学装置盒上的反射镜反射辐射、使其离开。

冷却盘900的实施例受益于结合盖板450的实施，该盖板具有用于冷却盖板450(如图7b所示的)的调节导管470。在晶片上方的冷却盘900和在支撑块420处的盖板450之间的温差将热流从盖板450引导至冷却盘900。如果盖板450没有被冷却，那么它将缓慢地改变其温度。这可能潜在地通过辐射或通过盖板450的膨胀导致支撑块420中的应力。

在其他的实施例中，冷却盘900和主动热源930被设置，而没有盖板450。

虽然具体地结合LPP源描述了本发明所公开的设想，但是它们也可以应用于其它类型的源，诸如DPP源。虽然在将光刻设备用在制造集成电路中的上下文中进行了详细的说明，但是应该理解，这里所述的光刻设备可以具有其他应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员将会认识到，在这样替换的应用情形中，此处使用的任何术语“晶片”或“管芯”可以分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将本文的公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。

在允许的情况下，术语“透镜”可以表示不同类型的光学构件中的任何一种或其组合，包括折射式的、反射式的、磁性的、电磁的以及静电的光学构件。

本发明的各实施例还可以由下述的方面限定：

1、一种衬底支撑件，所述衬底支撑件用于将具有在EUV范围内的波长或更小波长的辐射束投影到衬底的目标部分上的类型的设备，所述衬底支撑件包括：

衬底台，构造成保持衬底；

支撑块，用于支撑所述衬底台；

至少一个传感器单元；和

盖板，被设置成围绕所述衬底台和所述至少一个传感器单元，所述盖板定位和配置成导致对于在所述衬底台上的气流的阻力增大。

2、根据方面1所述的衬底支撑件，配置成使得所述盖板的顶表面、所述传感器单元的顶表面和在被安装在所述衬底台上时的衬底的顶表面都大体处于同一高度水平。

3、根据方面1或2所述的衬底支撑件，其中所述至少一个传感器单元中的一个或更多个由所述支撑块支撑。

4、根据方面1或2所述的衬底支撑件，其中所述至少一个传感器单元中的一个或更多个安装在所述盖板内。

5、根据前述方面中任一方面所述的衬底支撑件，其中所述盖板包括在其顶表面上用于所述衬底台和所述至少一个传感器单元的开口。

6、根据前述方面中任一方面所述的衬底支撑件，其中所述盖板包括具有围绕所述传感器单元的升高的或台阶状的轮廓的边缘。

7、根据前述方面中任一方面所述的衬底支撑件，其中所述传感器单元包括定位传感器单元、对准传感器单元、校准传感器单元、温度传感器单元、压力传感器单元、热通量传感器单元和/或污染传感器单元中的一个或更多个。

8、根据前述方面中任一方面所述的衬底支撑件，其中所述盖板与所述支撑块是分离的并且由所述支撑块支撑。

9、根据方面1-7中任一方面所述的衬底支撑件，其中所述盖板和支撑块包括单个集成的单元。

10、根据前述方面中任一方面所述的衬底支撑件，其中所述盖板包括调节元件。

11、根据方面10所述的衬底支撑件，其中所述调节元件包括用于承载热交换流体的一个或更多的导管。

12、根据前述方面中任一方面所述的衬底支撑件，其中所述盖板包括用于建立位于所述盖板正上方的区域和在所述盖板内或下面的一个或更多的导管之间的气流的装置。

13、根据方面12所述的衬底支撑件，其中所述气流能够操作以将气体吹送通过所述盖板和安装在所述衬底台上的所述衬底之间的间隙和/或在所述盖板和任意的传感器单元之间的间隙，以用作缓冲件。

14、根据方面12所述的衬底支撑件，其中所述气流能够操作以将气体从处于所述盖板正上方的区域、经由所述盖板和安装在所述衬底台上的所述衬底之间的间隙和/或在所述盖板和任意的传感器单元之间的间隙抽取到所述一个或更多的导管中。

15、根据前述方面中任一方面所述的衬底支撑件，其中所述盖板的顶表面包括表面微结构。

16、根据方面15所述的衬底支撑件，其中所述表面微结构包括沟槽表面。

17、根据前述方面中任一方面所述的衬底支撑件，其中所述盖板的顶表面包括一个或更多的宏观尺寸的结构。

18、一种衬底支撑件布置，包括：

根据前述方面中任一方面所述的衬底支撑件；和

冷却元件，位于所述衬底支撑件的上方且能够操作以将直接的负热负载赋予由所述衬底支撑件支撑的衬底上。

19、根据方面18所述的衬底支撑件布置，其中所述冷却元件被定位以便于至少部分地限制在所述冷却元件和衬底表面之间的气体，所述气体用作从衬底至冷却元件的热传递的介质。

20、根据方面18或19所述的衬底支撑件布置，其中所述冷却元件包括硅盘。

21、根据方面18、19或20所述的衬底支撑件布置，包括一个或更多的可切换的加热源，所述加热源能够操作以提供在由所述衬底支撑件所支撑的衬底上的局部的可切换的热负载。

22、根据方面21所述的衬底支撑件布置，其中所述加热源位于所述冷却元件的上方，使得由所述加热源发射的辐射透射通过所述冷却元件。

23、根据方面21或22所述的衬底支撑件布置，其中所述加热源包括发光二极管器件，能够操作以发射用于局部加热所述衬底的束。

24、根据方面21或22所述的衬底支撑件布置，其中所述加热源包括微机电(MEMS)装置，能够操作以发射用于局部加热所述衬底的束。

25、根据方面21所述的衬底支撑件布置，其中所述加热源包括薄膜加热器。

26、根据方面21-25中任一方面所述的衬底支撑件布置，其中所述加热源能够操作以在具有在所述EUV范围内的波长或更小波长的所述辐射束没有被投影到所述衬底上时的时间段期间局部地加热所述衬底的多个部分。

27、一种衬底支撑件布置，用于将具有在EUV范围内的波长或更小波长的辐射束投影到衬底的目标部分上的类型的设备，所述衬底支撑件布置包括：

衬底支撑件，构造成保持衬底；

冷却元件，位于所述衬底支撑件的上方并且能够操作以将直接的负热负载赋予由所述衬底支撑件支撑的衬底上；和

一个或更多的可切换加热源，能够操作以在由所述衬底支撑件所支撑的衬底上提供局部化的可切换的热负载。

28、根据方面27所述的衬底支撑件布置，其中所述冷却元件被定位成以便于限制在所述冷却元件和衬底表面之间的气体，所述气体用作从衬底至冷却元件的热传递的介质。

29、根据方面27或28所述的衬底支撑件布置，其中所述冷却元件包括硅盘。

30、根据方面29所述的衬底支撑件布置，其中所述加热源位于所述冷却元件的上方，使得由所述加热源发射的辐射透射通过所述冷却元件。

31、根据方面27-30中任一方面所述的衬底支撑件布置，其中所述加热源包括发光二极管器件，能够操作以发射用于局部加热所述衬底的束。

32、根据方面27-30中任一方面所述的衬底支撑件布置，其中所述加热源包括微机电(MEMS)装置，能够操作以发射用于局部加热所述衬底的束。

33、根据方面27、28或29所述的衬底支撑件布置，其中所述加热源包括薄膜加热器。

34、根据方面27-33中任一方面所述的衬底支撑件布置，其中所述加热源能够操作以在具有在所述EUV范围内的波长或更小波长的所述辐射束没有被投影到所述衬底上时的时间段期间局部地加热所述衬底的多个部分。

35、一种光刻设备，包括：

根据方面1-17中任一方面所述的衬底支撑件或根据方面18-34中任一方面所述的衬底支撑件布置；

投影系统，在投影腔内并且配置成将EUV辐射束投影到由所述衬底支撑件支撑的衬底的目标部分上；和

气锁机构，用于限制污染物进入所述投影腔内，同时透射来自所述投影腔的所述EUV辐射束。

36、根据方面35所述的光刻设备，其中所述气锁机构包括：

中空主体，包括第一端和第二端，所述主体大体围绕所述EUV辐射束的路径从所述第一端延伸至所述第二端；和

气流单元，与所述主体连通并且配置成产生在所述主体内的气流，所述气流限制污染物进入所述投影腔，所述气体大体对于所述EUV辐射的至少一部分是透射的。

37、根据方面35或36所述的光刻设备，其中所述气锁机构包括过滤元件，并且所述盖板包括至少一个用于保存在没有被布置时的所述过滤元件的围室。

38、根据方面37所述的光刻设备，其中所述围室包括用于将所述过滤元件布置在所述气锁机构上的可伸展的销。

39、根据方面37或38所述的光刻设备，其中所述盖板包括多个过滤元件围室。

40、根据方面35-39中任一方面所述的光刻设备，其中当所述支撑件被定位成使得所述盖板在所述气锁机构的正下方时，与在所述支撑件处于同一位置时没有盖板的情况下所遇到的流阻相比，所述盖板增大了对于从所述气锁机构发射出的气体的流阻。

41、根据方面35-40中任一方面所述的光刻设备，其中从所述气锁机构发射出的气体的流阻在所述衬底支撑件的顶表面上且远离其周边是大体恒定的。

42、根据方面35-41中任一方面所述的光刻设备，还包括：

辐射源，配置成产生EUV辐射束；

照射系统，配置成调节所述辐射束；和

支撑件，构造成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束，以形成图案化的辐射束。

虽然上面已经描述了本发明的具体实施例，但是应该认识到，本发明可以以上述不同的方式实施。上面的说明书是为了说明，而不是限制性的。因此，本领域技术人员应当理解，在不背离下文所阐述的权利要求的范围情况下可以对所述的本发明进行修改。

Claims (13)

1.一种衬底支撑件，所述衬底支撑件用于将具有在EUV范围内的波长或更小波长的辐射束投影到衬底的目标部分上的类型的设备，所述衬底支撑件包括：

衬底台，构造成保持衬底；

支撑块，配置成支撑所述衬底台；

至少一个传感器单元；和

盖板，被设置成围绕所述衬底台和所述至少一个传感器单元，所述盖板定位和配置成导致对于在所述衬底台上的气流的阻力增大；

其中所述盖板包括配置成建立在所述盖板正上方的区域和在所述盖板内或下面的一个或更多的导管之间的气流的装置。

2.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述盖板包括具有围绕所述至少一个传感器单元的升高的或台阶状的轮廓的边缘。

3.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述盖板包括调节元件。

4.根据权利要求3所述的衬底支撑件，其中所述调节元件包括用于承载热交换流体的一个或更多的导管。

5.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述气流能够操作以将气体吹送通过在所述盖板和安装在所述衬底台上的衬底之间的间隙或在所述盖板和所述至少一个传感器单元之间的间隙，以用作缓冲件。

6.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述气流能够操作以将气体从所述盖板正上方的区域、经由在所述盖板和安装在所述衬底台上的衬底之间的间隙和/或在所述盖板和所述至少一个传感器单元之间的间隙抽取到所述一个或更多的导管中。

7.根据权利要求1所述的衬底支撑件，还包括：冷却元件，位于所述衬底支撑件的上方且能够操作以将直接的负热负载赋予由所述衬底支撑件支撑的衬底上。

8.根据权利要求7所述的衬底支撑件，其中所述冷却元件被定位用于至少部分地限制在所述冷却元件和衬底表面之间的气体，所述气体用作从衬底至冷却元件的热传递的介质。

9.根据权利要求7所述的衬底支撑件，包括一个或更多的可切换的加热源，所述加热源能够操作以提供在由所述衬底支撑件所支撑的衬底上的局部的可切换的热负载。

10.根据权利要求9所述的衬底支撑件，其中所述加热源能够操作以在具有在所述EUV范围内的波长或更小波长的辐射束没有被投影到所述衬底上时的时间段期间局部地加热所述衬底的多个部分。

11.一种光刻设备，包括：

衬底支撑件，所述衬底支撑件包括：

衬底台，构造成保持衬底；

支撑块，配置成支撑所述衬底台；

至少一个传感器单元；和

盖板，被设置成围绕所述衬底台和所述至少一个传感器单元，所述盖板定位和配置成导致对于在所述衬底台上的气流的阻力增大；

光学系统，在腔内；和

气锁机构，用于限制污染物进入所述腔内；

其中所述盖板包括配置成建立在所述盖板正上方的区域和在所述盖板内或下面的一个或更多的导管之间的气流的装置。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述气锁机构包括过滤元件，并且所述盖板包括至少一个用于在过滤元件没有被调动时保存过滤元件的围室。

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述过滤元件为隔膜。