TWI313894B - Apparatus and method for substrate processing - Google Patents

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TWI313894B
TWI313894B TW092131951A TW92131951A TWI313894B TW I313894 B TWI313894 B TW I313894B TW 092131951 A TW092131951 A TW 092131951A TW 92131951 A TW92131951 A TW 92131951A TW I313894 B TWI313894 B TW I313894B
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processing
treatment
cleaning
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Seiji Katsuoka
Masahiko Sekimoto
Toshio Yokoyama
Teruyuki Watanabe
Takahiro Ogawa
Kenichi Kobayashi
Mitsuru Miyazaki
Yasuyuki Motoshiima
Akira Owatari
Naoki Dai
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Ebara Corp
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Description

1313894 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種適用於對基板進行電鍍處理、或將 基板浸潰於處理液以進行處理之基板處理裝置。 再者’本發明係關於：在設於半導體晶圓等基板表面 之配線用微細凹部中埋設銅、銀或金等導電體而構成之埋 設配線的露出表面’例如以無電解電鍍形成配線保護層時 所使用於電鍍前處理單元之基板處理方法以及裝置。 此外’本發明係關於：適用於以電鍍液或其他處理液 處理基板之被處理面的基板保持裝置；以該基板保持裝置 構成之基板處理裝置；以及基板保持裝置之基板裝卸方法。 【先前技術】 作為半導體基板之配線形成步驟，一直以來係使用一 種將金屬（導電體）埋設於配線溝以及接觸孔之步驟（所 謂的金屬鑲嵌法）。該步驟係將鋁、或近年來經常使用之 銅、銀等金屬以電鍍之方式埋設於預先形成於層間絕緣膜 之配線溝或接觸孔後’再利用化學機械研磨（c MP )法去除多餘的金屬使其平坦化之技術。 該種配線、例如為使用銅作為配線材料之銅配線時， 係在平坦化步驟後，由銅所構成之配線的表面會露出於外 部，為防止配線（銅）產生熱擴散，例如在疊層之後的氧 化性環境的絕緣膜（氧化膜）後形成多層配線構造之半導 體基板等時，為防止配線（銅）產生氧化，而以由c〇合 金或Νι合金等所構成之配線保護層（蓋材）選擇性地覆蓋 6 315249(修正版) 1313894 露出配線的表面，藉此以防止配線產生熱擴散以及氧化。 L之Co 口金或Νι合金’例如係利用無電解電鍍而獲得。
例如.如第1圖所示’在堆積於半導體晶圓等基板W 表面之由Si02等所構成之絕緣膜2的内部，形成配線用的 微細凹部4 ’並在表面形成由TaN所構成之阻障層6後， 例如施以銅電鍵’使銅膜在基板W的表面成膜而埋設於凹 部4的内部（金屬鑲嵌步驟）。之後，在基板W的表面進 订CMP (化學機械研磨）使其平坦化，藉此在絕緣膜2的 内部形成由銅膜所構成之配線8，並在該配線（銅膜）8 的表面’選擇性地形成例如由無電解電鑛所獲得之 合金膜所構成之配線保護層（蓋材）9以保護配線8(覆蓋 電鍍步驟）。 兹說明利用一般的無電解電鍵，在配線8的表面選擇 ㈣形成由上述之Cg.W_P合金膜所構成之配線保護層（蓋 =9之步驟。首先’使完成CMp處理之半導體晶圓等的 土板w，以i分鐘左右的時間接觸液溫為乃它之0 的 Η州等的酸溶液（第i處理液），去除殘留於絕緣膜：的 表面之鋼等的CMP_。之後’以超純水等的清洗液（第 处理液）清洗（前清洗處理步驟）基板w的表面，接著， 使土板W接觸液溫為25<>C之000.5g/L的PdCl2與〇.2ml/L =HCL等的混合液（第1處理液）達！分鐘左右的時間，藉 此’使作為催化劑之Pd附著於配線8的表面而使配線8 的露出Y l I ,Α 理、、/性化。之後，以超純水等的清洗液（第2處 理液）清洗（第i前處理步驟）基板w的表面，接著，使 315249(修正版) 7 1313894 基板W接觸液溫為抑之鄭L的Na3C6H5y (棒 檬酸鈉）等的溶液（第—處理液），在配線8表面進行中和 f二之後’以超純水等的清洗液（第2處理液）清洗（第 2刖處理步驟）基板w 的表面，接者，將基板w浸潰於例 如液溫約80°C之Co-W t» & a +丄 、 '電鍵液中約12 0秒的時間，在活 性化之配線8的表面進行
Co-w-p覆蓋詩），之^擇的無電解電鑛（無電解 m)，之後，以超純水等的清洗液清洗（電 :處理步驟）基板w的表面。藉此，在該配線8的表面， 選擇性地形成由x 仅罐& 〇_W-P合金膜所構成之配線保護層9以 保#蔓配線8。 種上述電鍍處理步驟或進行電鍍處理所附帶之各 晉:』雷蚀驟或清洗步驟而需具備多數裝置之基板處理裝 :裝置)’除了必須能夠確實執行前述各 還必=龍置整體之小型化以及裝置成本的低廉化。 结仅罐#電解電鑛，形成由C〇-w_p合金膜所構成之配 線保護層（罢姑）„士 ，2 丨傅取I配 例如施加p二催㈣’在配線的表面，需施以 在絕緣膜切成配:加催化劑處理。此外’為防止 由銅等所m 護層，必須去除殘留於絕緣膜上之 成之CMP殘渣，殘留物的去除一般係使 H2S〇4 ik Rn ^ 取1尔1定用 ^ 等的無機酸來進行。另一方面， 液，一般係丨V从…、包胖^鍍 必須進行所構成’因此，在進行電錄處理前 和V驟以使電鍍步驟穩定化。 二、 ''上迷之電錢前處理步驟，並在基杯矣& Μ 範圍進行確實㈣M J卫在基板表面的必要 ,句勻電鍍處理，在施加催化劑處理♦，必 315249(修正版） 1313894 湏使催化劑確實地施加在該範圍（電鍍範圍），同時必須在 施加催化劑的整體範圍内進行中和處理。 然而，先前之一般電鍍裝置，一般多使用具備相同構 造之裝置’作為施加催化劑前之前清洗處理（藥液清洗） 裝置加催化劑處理以及施加催化劑後之清洗處理 之裝置。因此，會形成前清洗（藥液清洗）' 施加催化劑以 | &劑後之清洗（中和處理清洗範圍完全相同 的狀况^ 旦因裳置誤差或保持基板時所產生之基板的位置 偏移，會使應施加催化劑的範圍無法進行前清& (藥液清 洗），施加催化劑的整體範圍在施加催化劑後無法進行清洗 (中和處理），進而導致無法在基板表面的必要範圍進行確 實的電鍍處理。 乂在在進行穩疋且均勻之基板電鍵（例如無電解電 鍍）處理’或穩定且均勻之基板的前處理方法上，一般係 使用將基板浸潰於處理液而使處理液得以接觸該被處理面 之汉/貝處理方式。利用該浸潰處理方式時，如何去除滞留 於基板之被處理表面的氣泡，是進行穩定且均勻之各種處 理時最重要的課題。亦即’以平彳（水平）的方式將基板 浸潰於處理液時，會使氣泡附著於基板的被處理面表面而 造成不良之影響。因此，針對氣泡的去除方法，而提出一 種將基板傾斜並使之浸漬於處理液中，之後再將基板回復 到水平狀態之處理方法。 然而，使用上述之使上述基板傾斜之方法時，必須於 基板保持裝置加裝傾斜機構，如此一來不但會使得裝置變 315249(修正版) 9 1313894 '複# ’亦會增加裝置的重量’同時產生無法降低成 本之問題。 〗述第1 4處理步驟之催化劑施加處理後的狀態，會 對後續進行之發處理造成極大的景彡響。因此，在該施加 催化劑處理步料必須進行敎且確實的施加催化劑處 理。:往，作為進行穩定且均勻之基板的施加催化劑處理 、!处理方法，—般多使用將基板浸潰於處理液而使處 理液侍以接觸該被處理面之浸潰處理方式。此外，在將基 板浸潰於處理液之處理過程中，如何去除附著於被處理面 上之氣泡，是進行穩定且均勻之基板處理時最重要的課 題，但長久以來對此問題並未提出根本的解決之道。 在進行上述電鍍處理等之基板處理裝置中，一般多使 用吸附基板的背面以保持基板之基板保持裝置。該基板保 持裝置係具有：板狀的吸附頭，該裝置除了可真空吸附基 板的背面使其保持於安裝在該吸附頭下面之吸附墊之外， 尚可藉由該裝置使電鍍液等的各種處理液接觸基板的被處 理面以進行電鍍等各種處理。 s亥吸附墊一般係以真空吸引基板之背面整體之方式構 成。如上所述，藉由真空吸引基板之背面整體（儘可能將 其吸引至最邊緣）’即可儘量防止處理液附著於基板的背 面。 然而，如該吸附墊，在墊的内侧整體形成真空狀態之 吸附機構中’在以真空吸附之方式保持基板時，由於該真 空吸附力使基板由基板中心至外周部產生很大的彎·曲，此 315249(修正版) 10 1313894 一現象對均勻的電鍍處理將造成不良之影響，進而導致基 板破損等問題。此外前述吸附墊之墊片，兼作為密封墊材 時，一般係使用橡膠，但橡膠材因長年的變化而容易接合 於基板，因此基板只要吸附於吸附墊後即不易從吸附墊中 剝離，如此將對基板的裝卸造成不良之影響。 【發明内容】 有鑑於上述問題，本發明之第丨目的係在於提供一種 :確實地進行高品質之基板處理，且可實現裝置整體之精 簡化、裝置成本低廉化之基板處理裝置。 本發明之第2目的在於提供一種可確實進行用以在基 板表面之必要範圍進行均勻之電鍍處理之電鍍前處理的基 板處理裝置以及基板處理方法。 本發明之第3目的在於提供一種即使在水平狀態下將 基板浸潰於處理液時，亦可輕易地將滯留於 面上的氣' 泡予以去除的基板處理裝置以及基板處理2理 本發明之第4目的在於提供一種由於可輕易且確實地 去除附著於基板之被處理面上之處理液中的氣泡，因而得 以進行穩定且確實之處理面處理的基板處理裝置以及基板 處理方法。 本發明之第5目的在於提供一種真空吸附之基板不會 因真空吸附力而產生彎曲，且不受密封塾材之材質的影 響’而得以確實地進行基板之剝離的基板保持裝置、以及 使用該基板保持裝置之基板處理裝置、以及基板保持裝置 之基板裝卸方法。 315249(修正版) 11 1313894 ,為達成上述目的，本發明之基板處理裝置係具有··進 :基板之取出放人之裝載·卸載區；清洗基板之清洗區；進 :基板之電鍍處理的電鍍處理區；其中，在前述裝栽-卸栽 品 有一有複數個乾式機械手之載運基板機器人.其 載基板收㈣之裝载σ ;及將基板由面朝上切 朝; 之乾式反轉機。 卸朝下 由於在裝載_卸载區設置反轉機，因此可省略因裁運美 板機器人的機械手轉動而進行之基板的轉動，$而得二 免載運基板機器人在搬送基板時發生基板脫落等危險。 本發明之其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出 放入之裝載載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之電 又处理之電鍍處理區，其中，在前述裝載_卸載區設置有： 具有乾式機械手、濕式機械手以及背面吸附式機械手之載 運基板機n人；利用前述電錢處理區進行電錢處理前之基 板^洗之“洗早％ ;及利用前述電鑛處理區進行電錄處 理後之基板清洗之後清洗單元。 由於係將進行料洗與後清洗之裝置作為一單元設置 於清洗區，故得以達到基板裝置整體之精簡化。 前述後清洗單元係以具備有滾刷單元與旋轉乾燥機較 為理想。制不同構造之清洗用裝置進行基板的清洗可以 進一步地提昇清洗效果。 _本發明之理想實施形態，係在前述清洗區設置：具備 在雨述裝載·卸載區與前述清洗區之間進行基板的授受時 用以暫置基板之升降功能之乾式基板暫置台；在前述電鍍 315249(修正版) 12 1313894 處理區將完成電鍍處理後被移送至前述清洗區之基板由面 朝下切換為面朝上之濕式反轉機。 藉由在清洗區設置基板暫置台’即可順暢地進行裝載_ 卸載區與清洗區間之基板的授受。此外，藉由在裝載-卸載 區設置反轉機，即可省略因載運基板機器人的機械臂轉動 而進行之基板的轉動，進而得以避免載運基板機器人在進 行基板搬送時所發生之基板脫落等危險。 本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之 取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；進行基板之 電鍍處理之電鍍處理區；其中，在前述電鍍處理區係設置 、用X及附基板之方面以保持基板之具備複數個吸附臂 的載運基板機器人；在基板的表面進行施加催化劑處理之 第1前處理單元；進行施加催化劑後之基板表面之藥液處 理的第2前處理單元；進行電鍍處理之電鍍處理單元。 由於係將進行施加催化劑處理之裝置、進行施加催化 劑後之基板表面之藥液處理之裝置以及進行電鍍處理之裝 置分別作成單元設置於電鍍處理區，而得以達到基板裝置 整體之小型化。 一本發明之理想實施形態係具備複數個前述電鍍處理單 其中，Μ述電鑛處理區上設置有提供電鑛I給前述 後數個電錢處理單元之電鍍液供給單元，如此一來即不需 另订設置電鍍液供給單元’而得以達到基板處理裝置整體 之小型化。 本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之 315249(修正版) 13 1313894 取出放入之择普 a加 、_ p载區：清洗基板. 之電鑛處理之電鍍處理m 及進行基板 係用以使第丨處理= 該第1處理液喷射部 ^ 1處理液接觸在f 基板並進行清冼·户庶w, 逆仃冤鍍處理刖之 前述容号之門保持裝置所保持之基板移動至 °汗1 口部的狀態下封閉該開口部上方之蓋槿袢. 以及具有第2處理 方之盍構件， 液噴射部係搭载…構：…洗早70 ’該第2處理 部的肤能〜1 並在以蓋構件封閉前述開口 '心使第2處理液接觸前述基板以進行清洗。 以上述方式構成前清洗單元時，即使在—個裝置内以 稷數個處理液违杆其4老 入 進仃基板處理，亦可確實地避免處理液的混 :㈣可達到裝置設置面積之小型化及裝置成本之低廉 ，並稭此達到基板處理裝置整體之小型化與裝置成本之 低廉化。 本發月之又之其他基板處理裝置係具有：進行基板 之取出放入之裝載_卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基 板之電鍍處理之電鍍處理區；其中，在前述清洗區係設有： 用以進行電鍍前之基板清洗之前清洗單元，該前清洗單元 之結構係令分別設置於前述清洗區與前述電鍍處理區之載 運基板機器人的機械手可由左右方向伸入以進行基板授 受。 利用上述構成方式，即可藉由清洗區之載運基板機器 人與電鍍處理區之載運基板機器人順暢地進行基板前清洗 單元的收納與取出。 14 315249(修正版) 1313894 取企於日月之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之 之雷2之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板 有：爾又处理之電鍵處理區；其中在前述電錢處理區係設置 射w ^收納第1處理液喷射部之容器’該第1處理液嗔 進；=以使第1處理液接觸於進行電鑛處理前的基板以 述理’在使由基板保持裝置所保持之基板移動至前 及二Ϊ開口部上方的狀態下封閉該開口部之蓋構件；以 理單_弟2處理液嘴射部之第1前處理單元以及苐2前處 蓋構：二！；處理液嘴射部係搭載於該蓋構件，並在以 板以進行料。 狀‘。下使4 2處理液接觸前述基 構成上述之第丨箭_ j田m _ 即使在以収第2前處理單元時， 實地避旁：複數個處理液進行基爽處理，亦可確 τ地避免處理液的混合，同 化、裝置成本之低廉化，並“二置面積之小型 精簡化” m 冑此達到基板處理裝置整體之 褒置成本之低廉化。 取出mr—其他基板處理裝置係具有：進行基板之 裝載-卸载區；清洗基板之清洗區；及進行 之電鍍處理之電鑛處理區及進订基板 罟古.Μ 一 /、中在剛迷電鑛處理區係嗖 .啫存電鍍液之處理槽；在 ’、 之其刼狡I 使由基板保持裝置所保持 土板移動至前述容器之開口 部之蓋禮杜.、 1上万的狀悲下封閉該開口 严理r +，q具有處理輯射部之電料理單元，兮 二理液贺射部係搭載於該蓋構件，並在以 處理槽夕Μ n ArT 卞到^閉月1j ” β的狀態下使處理液接觸前述基板以進行清 315249(修正版) 15 1313894 洗。 以上述之方式構成電鍍處理單元時，即使是在同一裝 置内利用電鍍液與清洗液進行電鍍處理與清洗處理，亦可 確只地避免電鍍液與清洗液的混合，同時可實現裝置設置 面積之小型化、裝置成本之低廉化，並藉此達到基板處理 裝置整體的精簡化與裝置成本的低廉化。 本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板 取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板 之電鍍處理之電鍍處理區；其中，在前述清洗區係設置有： 清洗2前述電鍍處理區進行電鍍處理後之基板之後清洗單 元；。清洗在前述電鍍處理區進行電鑛處理前之基板之前清 洗單元；&分別提供清洗用藥液給前述前清洗單元與前述 後清洗單元之藥液供給單元。 由於係將進行前清洗之裝|、進行後清洗之裝置以及 供給藥液之裝置作為一個單元設置於清洗區，故得以達到 基板處理裝置整體的精簡化。此 藥液供給單元，而得以達到基板處理裝置整置 本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之 取出放人之裝載·卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板 之電鑛處理之電鍍處理區；其中’在前述電錢處理區係設 置有：使處理液接觸於進行電鍍前之基板以進行前處理之 第1 f處理單元；使不同的接觸液接觸完成第！前處理單 兀之前處理的基板以進行前處理之第2前處理單元；及用 以供給使用於前述笫I w 0〇 + m W第1以及弟2别處理單元之處理液用藥 315249(修正版) 16 1313894 液之藥液供給單元。 之裝= 第2前處理之裝置與提供藥液 到基板而設置於電鍍處㈣，故得以達 :I體的精簡化。此外，由於不需要另行設 樂：仪給早疋’而得以達到基板處理裝置整體精簡化。 取出放！：Γ—其他基板處理裝置係具有：進行基板之 裝載-卸載區，·清洗基板之清洗區；及進行基板 蓄古本目-錄處理區’其中，在前述裝載-卸載區係設 有未具有移動軸之固定式載運基板機器人。 由於係-種無移動軸之固定式載運基板機器人，而得 =防止移動軸之滑動部所產生之微粒子，使在裝載-卸載區 中進灯基板的處理時得以隨時保持清潔的環境。 本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之 取出放入之裝載_卸載區·清洗基板之清洗區；及進行基板 :電錄處理之電鐘處理區；其中，在前述清洗區係設置有 支,械臂上安裝有複數個機械手之载運基板機器人。 藉此，一台載運基板機器人可具備配合多種用途之多 數個機械手。 本土月之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之 取出放入之裝载-卸載區；清洗基板之清洗區；&進行基板 之電鍍處理之電鍍處理區；其中，在前述清洗區及/或前述 電鍍處理區係設置有具有背面吸附型真空臂之載運基板機 益人該背面吸附型真空臂係以表面朝下形式保持基板以 進行基板的搬送。 315249(修正版) 17 1313894 在基板處理裝置内，為避免微粒子對基板造成不良之 影響，具有經常向下流動之氣流，在以表面朝上（面朝上) 之方式保持並搬送基板時，雖在處理裝置間進行基板搬送 時會使基板被處理面乾燥，但相較於以表面朝下（面朝下） 之方式保持並搬送基板，可抑制空氣的之下流動之影響， 並得以在充分乾燥的狀態下搬送濕的基板，以維持裝置内 的良好環境。 本發明之又一其他基板處理襞置係具有：進行基板之 取出放入之裝载-卸載區；清洗基板之清洗區；進行基板之 電鑛處理之電鍍處理區；其巾，在前述電_理區係設置 有具備真空臂之載運基板機器人。該真空臂係具有：具備 基板吸附面並以可自由伸縮於基板吸时向之方式構成之 基板吸附t;及設置於該基板吸附塾周目，並於其表面設 置基準面’藉由縮小吸附基板之基板吸附墊使基板抵接於 前述基準面以進行基板定位之固定構件。 吸附基板的背面以保持基板時，首先基板吸附面必須 吸附於基板的背面，之後藉由縮小基板吸附墊使基板抵接 於固定構件之基準面以進行基板的定位。 本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之 取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板 之電鍍處理之電鍍處理區；其中，在前述電鍍處理區係設 置有儲存電鍍液之處理槽；在使由基板保持裝置所保持 之基:反移動至前述容器之開口部上方的狀態下封閉該開口 4之蓋構件，以及複數台具有處理液喷射部之電鍍處理單 315249(修正版) 18 1313894 疋’該處理液噴射部係搭載於該蓋構件，並在以蓋構件封 閉刖述處理槽的開口部的狀態下使清洗液接觸於前述基板 以進行清洗。 由於係在處理槽的内部與上部進行複數個基板處理步 驟，而得以達到裝置之小型化。此外因設置多數台的電鍍 處理單元，故得以實現基板處理的效率化。 本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之 取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板 之電鍍處理之電鍍處理區；其中’在設置於前述洗淨區且 用以洗淨在前述電鍍處理區進行電鍍處理前之基板之前洗 淨裝置、设置於前述電鍍處理區並且使處理液接觸於電鍍 處理前之基板以進行前處理之前處理單元'或設置於前述 電鍍處理區且對完成前處理之基板進行電鍍處理之電鍍處 理單元的至少其中一個裝置中，設置喷霧喷嘴以進行基板 之被處理面之處理用或洗淨用液體之噴霧，該噴霧喷嘴係 叹置於複數位置，俾將前述處理用或洗淨用的液體均勻地 喷在基板被處理面的整體領域。 藉此即可進行基板的被處理面之均均處理與洗淨。 本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之 取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及具有進行 基板的電鍍處理之處理槽之電鍍處理區，其中，在前述電 鍵處理區係％置有電鍍液供給單元，而該電鑛液供給單元 係具備：儲存有電鍍液使電鍍液於前述處理槽之間進行循 環之電鍍液循環槽；加熱電鍍液循環槽内之電鍍液之加熱 315249(修正版) 19 1313894 π ’ /則疋儲存方；電鍍夜循環槽内之電鑛液之溫度之溫度 a十’測疋處理槽之電鍍液溫度之溫度計；及控制循環於前 述電锻液循環槽與前述處理槽之間的電鐘液的循環量，以 使刚述處理槽内的電錢液的溫度適於進行電鍵之電链液供 給用泵^ '' 藉由將電鍍液的循環量控制在最適當的狀態以減少 電鍍液的恤度變化，提昇加熱部與電鑛液的溫度控制的反 應藉此提昇電鍍液的循環電鑛内的全領域的溫度均—性。 本發明之又—其他基板處理裝置係具有：進行基板之 取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；具有進行基 板的電鍵處理之處理槽以及儲存電鑛液使電鑛液循環於前 述處理才曰之間之電鍍液循環槽之電鑛處理區；其中，在前 述電鍵液處理槽係設置有將電錢的濃度設定在適性濃度之 電鍍液濃度稀釋裝置。 無電解電鍍處理步驟之電鍍液的使用溫度（例如無電 解電鑛），-般而言係7(rc至8(rc的高溫。因此，由於其 係：高溫下使用因而電鍍液中的水分會產生蒸發的現象， 而導致每一次的基板處理濃度發生變化，造成每一基板的 處理產生不均的問題。因此，藉由利用電鍍液濃度稀釋裝 置補充必要里的液體（純水等），即可將電鍍液保持在最適 當的濃度。 本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之 取出放入之裝載_卸載區；清洗基板之清洗區·具有用以進 行基板之電鍍處理之複數個電鍍處理單元之電鍍處理區， 315249(修正版) 20 1313894 其中，在前述電鍍處理區係設置有電鍍液供給單元，而該 電鍵液供給單元係具備：分別將電魏提供至前述多數電 鍵處理單元之複數個電鍍液供給用泵。 因此，即使萬一電鍍液供給泵的其中之一因故障而停 止’同樣可以在連接其他可運轉之讀液供給I的電^ 理單元巾進行魏處理。或者，即使_液處理裝置的其 中之-因㈣而停止’亦可將電鍍液提供給可運轉之電錢 處理單元，以避免電鍍處理本身發生停止的現象。 又 本發明之又一其他基板處理襄置係具有：進行基板之 取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及具有進行 基板的電鍍處理之電鍍處理單元之電鍍處理區；其中，在 前述電鑛處理區係設置有電鍍液供給單元。該電鑛液供給 單元係利用由直立式離n所構成之液供給用栗將電 鏡液提供至前述電鍍處理單元。 相較於使用磁泵或風箱泵的情況，利用直立式離心果 可將空穴現象（cavitation)抑制在最小的限度。此外，相較 於上述之栗，目空氣與液體之間的授掉作用較小而得以 避免空氣過度地溶解於電鍵液中，以將溶解氧量設定在最 適當的範圍。 本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之 取出放人之裝載.㈣區；清洗基板之清洗區；及進行基板 的電鍍處理之電鍍處理區；*中，在前述電鍍處理區中設 有：在將吸附頭所保持之基板插人處理槽内部的狀態下進 行基板被處理面之電鍍液接觸處理 的電錄處理單元，前述 315249(修正版) 21 1313894 吸附頭係在基部的下面外周安裝環狀之基板吸附部而構 成，而該基板吸附部係將基板的背面以環狀方式真空吸附 以防止電鍍液滲入基板背面之真空吸附部分的内側並加以 密封，在前述基板設置有吸附於基板吸附部之基板與開放 前述基部之間的空間的開口部。 吸附頭的基部因設置有開口部，故基部、基板吸附部 以及基板所形成之空間不會形成密閉狀態，而得以防止因 空間内部之熱氣所導致之空氣膨脹的現象，藉此即可避免 對基板造成不良的影響（彎曲等），並可實現均勻的電鍍。 此外，因具有開口部，而得以實現吸附頭的輕量化。 本發明之理想之一實施形態係設置可使真空吸附基板 之前述吸附頭進行高速旋轉之驅動部。 藉由高速旋轉基板，即可以急速飛散之方式將殘留於 電鍍處理後之基板表面的處理液以及清洗液去除。藉此， 即可避免使用之處理液、清洗液等多餘的排出。 本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之 取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；進行基板之 電鍍處理之電鍍處理區；其中，在前述電鍍處理區係設置 有：在將由吸附頭所保持之基板插入處理槽内部的狀態下 進行基板的被處理面之電鍍液接觸處理之電鍍處理單元， 前述吸附頭係具備環狀之基板吸附部，而該基板吸附部係 將基板的背面以環狀方式真空吸附以防止電鍍液滲入基板 背面之真空吸附部分的内側並加以密封，前述基板吸附部 吸附於前述基板之位置，係在基板外周附近未形成裝置之 315249(修正版) 22 1313894 部分的背面。 根據上述構成，基板吸附部接觸基板的部分，係形成 基板裝置範圍外的背面，因此可在利用加熱進行基板之電 锻處理時將吸附所造成的影響抑制在最小程度内。 本發明之又一其他基板處理襞置係具有：進行基板之 取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板 之電鍍處理之電鍍處理區；其中，在前述電鍍處理區係設 置有.在將由吸附頭所保持之基板在插入處理槽内部的狀 態下進行基板的被處理面之電鍍液接觸處理之電鍍處理單 元在A述吸附頭中係配設有基板吸附部，而該基板吸附 β係具有基板吸附溝，且將真空供給線連接於該基板吸附 溝以真空吸附基板背面之基板吸附部，而前述真空供給 線，除了進行真空吸引外另供給惰性氣體及/或清洗液，同 時在基板吸附部附近設置清洗用喷霧噴嘴，在利用清洗用 噴霧喷嘴由外部清洗基板吸附部的时，由真空供給線提 仏h |·生氣體或清洗液給基板吸附溝，藉此以清洗真空供給 線以及基板吸附溝的内部。 通常，接觸電鍍液的部分，在經過一段時間之後因電 鍍成分產生結晶化現象而析出，會對基板處理造成不良之 影響。根據本發明’利用清洗用喷霧喷嘴即可清洗基板吸 附部的外肖，同時可清洗真空供給線以及基板吸附溝的内 部。 ，〜人一丹他丞板處理裝置係具有：進行基 取出放人H卸載區；清洗基板之清洗區；及進行 315249(修正版) 23 1313894 之電鍍處理之電鍍處理區；其中，在前述電鍍處理區係設 置有.將基板插入處理槽内使基板的被處理面接觸電鍍液 以進行電鍍處理之電鍍處理單元；在前述電鍍處理單元的 處理槽係没置有喷霧噴嘴，以將清洗液噴霧於電鍵處理後 的基板表面。 在完成電鍍處理後，即使從電鍍液中將基板取出，在 基板之被處理面依然會殘留少量的電鍍液。在電鍍液殘留 於基板表面的狀態下進行基板表面的電鍍處理時，即無法 獲得均勻的電鍍膜。因此，藉由噴霧喷嘴的設置，可在電 鍍處理後馬上將清洗液喷霧在基板表面，如此即可排除殘 留於基板表面之電鍍液。此外，利用清洗液的喷霧急速冷 郃基板使電鍍停止，藉此即可獲得均勻的電鍍膜。 本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之 取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板 =電鑛處理之電鍍處理區；《中，在前述清洗區係設置有 前清洗單元，該前清洗單元係將在前述電鍍處理區進行電鍍 處理後之基板收納於容器内並予以清洗之裝置，在前述電 鍍處理區係、設置有前處理單元，該裝置係將在前述前清洗 單元進行清洗之基板收納於容器内並進行前處s，另在前 述前述清洗單元的容器内部及/或前述前處理單元的容器 内部則設置有容器内清洗用的噴霧喷嘴。 藉此，即可清洗前清洗單元的容器内部及/或前處理單 元的容器内部。藉由該清洗步驟，即可防止容哭内壁產生 乾燥現象進而防止微粒子的發生。此外，τ防止處理液的 315249(修正版) 24 1313894 /文/貝所發生之各構件的劣化等問題。 本發明之又—其他基板處理裝置係具有：進行基板之 取出放入之裝载-卸載區；清洗基板之清洗區；及具有進行 基板的電鑛處理之處理槽之電鑛處理區；纟中，在前述電 鑛處理區係&置有.對前述處理槽供給電鑛液並使其德環 之電鐘液循環槽，肖電鍍液循環槽中係設置有：使於管内 加熱之流動體所構成之熱媒體進行循環，藉此達到間接加 熱電鍍液之目的之間接加熱部。 為對應性質十分纖細之電鍍液，不以熱源直接加熱電 鍍液，本發明係利用熱媒體的循環進行間接加熱，藉由縮 小電鍍液與加熱裝置間的溫度差，即可避免對電鍍液的溫 度產生不良之影響。 本發明之其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出 放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及具有進行基板 的電鍍處理之處理槽之電鍍處理區；其中，在前述電鍍處 理區係設置有：對前述處理槽提供電鍍液並使其循環之電 鍍液循環槽，該電鍍液處理槽係以至少二層以上的槽構造 所構成。 藉此’即可達到與外氣隔離之目的，以維持一定的電 鍍液溫度。此外，因其為二層以上之構造，因此對於電鍍 液循環槽的破損亦具有較高的安全性。 本發明之其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出 放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及具有進行基板 的電鍍處理之處理槽之電鍍處理區；其中，在前述處理槽 25 315249(修正版) U13894 ά載有用以測定處理槽内的電鍍液溫度之温度計。 猎此’即可將處理槽内的電鍍液的溫度控制在預定的溫 又’亚將使用時點之電鑛液的溫度維持在穩定的狀態。 =發明之又-其他基板處理裝置係具有：進行基板之 之雷护步梗今兩 月冼基板之^月洗區；及進行基板 置右二…鍍處理區；其中，在前述電鍍處理區係設 直有刖處理早元，贫益_畑〇〇 ^ 理兄„ °处早兀係使處理液接觸於電鍍處 卢里二，以進行前處理，而該前處理單元係具有：儲存 二：：：理槽，在將由基板固定頭所保持之基板移動於 ^處^的.部上方的狀態下封閉該開π部之蓋構 件=處理液喷射部，該處理液喷射部係搭載於該蓋構 牛’並在以1構件封閉前述處理槽之開σ部的 2接觸前述基板以進行清洗，且在前職定 設有傾斜機構。 疋頌甲配 2中藉由傾斜機構即可使基板在傾斜的狀態下浸潰 = 而使基板的被處理面的氣泡容易被排除。 取出放入之裝載-卸.生味八有.進仃基板之 《褒載卸载Q，清洗基板之清洗區；及 基板的電鍍處理之處理槽之電鍍處理區、 ^ F& IB I- /V /、T 在刖述電 4里區係設置有：對前述處理槽提供電鍍 之電鍍液循環槽，在前述處理槽至電錢液循 鍍液產生循環之配管中係設置有氣 ^ 溶入防止部係用以防止在電鑛液流入；=部，該氣泡 產生之氣泡溶人。 &入電鑛液循環槽内時所 315249(修正版) 26 1313894 藉此，即可將電鍍液中的溶解氧控制在適當的範圍内。 本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之 取出放入之裝載_卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板 之電艘處理之電鍵處理區；其中，係在下述供給線中至少 其中一條供給線設置用以擷取定量之液體的取樣口：設置 於前清洗區，使清洗液接觸在前述電鍍處理區進行電鍍處 理前的基板以進行清洗之前;青洗單元之前述處理液的供給 線；設置於前述電鍍處理區，使處理液接觸電鍍處理前之 基板以進行前處理之前處理單元之前述處理液之供給線； 設置於前述電錢處理區，使電鍍液接觸已完成前處理之基 板以進行電鑛處理之電鍵處理單元之前述電鑛液之供給 線；另設置液體補充部’將相當於所採取之液體量的液體， 提供給前清洗單元、前處理單元或電鑛處理單元的至少i 個裝置。 藉此，即可取出流通於供給線之液體，進行液體的成 分分析。 本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之 取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板 之電鍍處理之電鍍處理區；並φ总士 心王匕，具中係在下述供給線中至少1 尹一條供給線串聯設置有褶數個 穷複数個過濾器：設置於前清洗 區，使清洗液接觸在前述電餹虚 I电鍍處理區之電鍍處理前的基板 以進行清洗之前清洗單元之前、、主、土 — (別Μ洗液的供給線；設置於前 述電鍍處理區’使處理液接觸雷姑士 從接觸電鍍處理前之基板以進行前 處理之前處理單元之前述虚理、右& J边處理液的供給線；設置於前述電 315249(修正版) 27 1313894 鍍處理區，使電鍍液接觸已完成前處理之基板以進行電铲 處理之電鍍處理單元之前述電鍍液的供給線。 使複數個過濾器串聯連接於供給線，藉此，即可進— 確實地進行液體過濾。 仃 本發月之基板處理方法為在基板表面施加無電解電穿 之剛，在進行清洗處理與施加催化劑處理之前處理時，在 比以施加催化劑處理對基板表面施加催化劑之範圍更瘙 的範圍内進行清洗處理。 s *藉此，例如：在應施加催化劑的整體範圍進行前清洗 (藥液清洗），並在施加催化劑後，在施加催化劑之整^範 圍進订清洗（中和處理），如此即可在基板表面的必要範圍 確實地進行電鑛處理。 —利用前述施加催化劑處理將催化劑施加於基板表面之 範=以必須在基板表面進行均勻的電鍍處理之範圍相同 之f圍為佳。如此一來’因不需進行基板表面的電錢處理 之部分亦施加有催化劑’而得以避免之後的電鍍處理。 本發明之理想實施形態中，作為前述電鍍前處理之清 洗處理係包含：在前述施加催化劑處理前所進行之前清洗 =在=加催化劑處理後之清洗；該電鑛前處理係依^前 (樂品清洗）、施加催化劑處理以及清洗（中和處理） 的順：進行，之後，藉由使基板表面接觸無電解電鍍液， 以進行無電解電鍍之電鍍處理。 構件本發明之又一其他的基板處理裝置係具有：利用密封 牛达、封基板表面的周緣部使該表面接觸電錢前處理液， 315249(修正版) 28 1313894 以進行電鍍前處理之清洗處理之清洗處理裝置；以及進行 施加催化劑處理之施加催化劑處理單元；前述清洗處理裝 置係對利用前述施加催化劑處理單元在比施加催化劑的範 圍更廣泛的範圍進行清洗處理。 本發明之理想之實施形態為利用前述施加催化劑處理 單元在基板表面施加催化劑的範圍，係與必須在基板表面 進行均勻電鍍處理的範圍相同。 本發明之理想實施形態徵為前述清洗處理裝置與前述 =加催化劑處理單元，&了使用具有不同開口面積的前述 在封構件外，係相同之構成1 &，可達到裝置共通化之 目的。 本發明之又一其他的基板處理方法為將基板水平浸潰 ;處理液内纟處理液接觸基板下面的被處理面時使滞留 於該處理面表面之氣泡，得以利用由被處理面的中央朝外 周方向流動之處理液加以去除。 β因形成由被處理面的中央朝外周方向流動之處理液， 而得以在使基板水平浸潰於處理液的狀態下去除滯留於基 板的被處理面上之氣泡。 土 本發月之理想貫轭形態為藉由使由被處理面之下方产 向該被處理面之處理液’通過形成於基板的被處理面之： 周附近之圓周狀開縫，即可加速處理液在前述被處理面上 之流速，並藉此去除被處理面上之氣泡。 之間 藉由使處理液通過形成於基板的被處理面之外周 縫以增加處理液的流速’故處理液的流動可成為 附近 有效 315249(修正版) 29 1313894 去除氣泡之流動。 本發明之其他基板處理裝置係具備：儲存處理液之處 理槽，使基板保持於下面，在水平之狀態下使所保持之基 板浸潰於前述處理液之基板保持裝置；其中，在前述處理 槽設置有氣泡去除部，該氣泡去除部係在使中前述基板保 持裝置所保持之基板的下面的被處理面接觸於處理液的狀 態下，使被處理面上之處理液由基板的中央流向外周方向。 如此利用氣泡去除部即可形成由被處理面的中央流 向外周方向之處理液的流動，藉由該流動即可在水平狀態 下使基板浸潰於處理液時去除滞留於基板被處理面上之^ 泡。 月ή就泡去除部，最好係在處理槽設置圓周狀的緣 部，以使浸潰於處理液之基板的被處理面的外周附近得以 形成圓周狀的開縫。藉由使處理液通過形成於基板的被處 Ζ之外周附近之開縫以增加處理液的流速，故處理液的 μ動可成為有效去除氣泡之流動。 前述緣部最好是：以與外用 ^ Μ 興外周緣重豐之方式配設在處理 槽之外周緣的内側的第 ,的弟2槽的上端邊或處理槽的外周緣的 上知遭。由於係以處理枠 柁的外周緣或設置於内部之第2槽 構成緣部，故得以輕县 成開縫。 易也在基板的被處理面的外周附近形 在則述處理槽的外周緣的 收溝係用以回收溢流於外周緣 易地進行電鍍液的循環使用。 外周最好設置回收溝，該回 上之處理液。藉此，即可輕 315249(修正版) 30 1313894 在保持前述基板保持裝置之底面之基板部分的 =好設置逸退溝，該逸退溝❹以使自基板中央流向 向之處理液流通。藉此，即可使自開縫 順暢地流出於外側。 印之處理液 液之=之又一其他的基板處理裝置係具備··儲存處理 地槽，保持基板之基板保持H ;在使由前述基板 ，持裝置所保持之基板的被處理面傾斜的狀態下接觸前述 處理液以進行處理之基板保持驅動部。 处产在水平狀態下使基板的被處理面浸潰於處理液時，因 空氣等的氣體會滞留於基板與被處理液之間，故無法達成 穩定且適當的接液處理。相對於此，在本發明巾，由於係 在使基板的被處理面傾斜的狀態下進行接㈣理，因此’，、 接觸處理液之基板的被處理面上的氣泡，會由深處朝淺處 自然:排出’藉此’即可進行穩定且適當的接液處理 别，處理液之基板的被處理面的處理，例如係電鍍前 處理。藉此即可進行穩定且適當之施加催化劑等電鍍=前 立本發明之理想之實施形態之為在前述基板保持裝置驅 動υ可在〇至丄00%的範圍内調整接觸前述基板的被 處理面之接液領域調節部。 藉由'•亥接液領域調節部，使基板的被處理面的其中一 部伤不接觸處王里& ’並旋轉基板反覆進行與被處理面的接 液與離液’如此一來即使處理液中之基板的被處理面附著 有氣泡（亦即僅利用前述傾斜無法完全去除之氣泡），在離 315249(修正版) 31 1313894 液至接液之間藉由與外氣接觸亦可將氣泡去除。 本發明之理想之實施形態為設置有吸引部。該吸引部 係在使基板傾斜於處理液的狀態下，在基板接觸處理液時 吸引並強制排除滯留於被處理面與處理液之間的空氣。如 此即可將殘留於基板的被處理面與處理液之間的空氣強制 地排除於外部’順利達成基板與被處理面的接液。 本發月之理想之實施形癌為設置處理液供給部。該處 理液供給部係沿著接觸前述處理液之基板的被處理面的傾 斜面，形成由深側至淺側之處理液的流動。藉此，在朝向 基板的離液側形成處理液的流動，處理液中之基板的被處 理面上的氣泡群會被推押至基板的脫離區域的空間，確實 地排出於大氣中。 ' 在保持基板保持裝置的底面的基板之部分的外周，最 好設置逸退溝，該逸退溝係在基板接觸處理液時用以使滯 召於土板下面的空氣排出。藉此’在將基板浸潰於處理液 時可將滯留於基板下面之空氣順利地排出於外部，該逸退 17成由處理液中的基板的被處理面排出之氣泡的逸退 通路。 明之其它基板處理方法為’在使基板之被處理面 傾斜的狀態下接觸處理液。 :此接觸處理液之基板的被處理面上的氣泡，由於 被處理面傾斜阳1 並進… 深處至淺處自然地將氣泡排出， 並進灯穩定且適當之接液處理。 本么明之理想實施形態為在傾斜狀態下使前述基板旋 315249(修正版) 32 1313894 轉，同時使基板的被處理面的一部分接液以進行處理。 使基板的被處理面的一部分接液並使基板轉動，藉此 即可反覆地進行與被處理面的接液與離液，如此一來，即 使處理液中之基板的被處理面附著有氣泡（亦即僅利用前 述傾斜無法完全去除之氣泡)，在離液至接液之間藉由與外 氣接觸亦可將氣泡去除。 前述處理液之基板的被處理面之處理，例如係電㈣ 處理。藉& ’即可進行穩定且適當之施加催化劑等電鑛的 前處理。 在使基板傾斜於處理液進行接液時，最好利用吸引將 滯留於基板的被處理面與處理液之間的空氣強制地排出。 藉此即可將滯留於基板的被處理面以及處理液之間的处 氣強制地排出於外部，易地達成與被處理面之順暢的: 液。 最好沿著浸潰於前述處理液之基板的被處理面的傾斜 由深側至淺側形成處理液的流動，藉此去除基板的被處理 面上之氣泡。藉此’在面向基板的離液側形成處理液的流 動處理液中之基板的被處理面上的氣泡群會被推押於基 板的脫離區域的空間，更確實地排出於大氣中。土 發月之又一其他的基板處理裝置係具有：儲存處理 液之處理槽’保持基板之基板保持褒置；進行接液處理之 基板保持裳置驅動部；該基板保持裝置驅動部係在使由前 d基板保持裝置所保持之基板的被處理面傾斜的狀態下使 基板接觸則述處理液後再使其回復水平狀態，其中，設置 315249(修正版) 33 1313894 有吸引部，該吸引部係在使基板傾斜接觸處理液後回復為 水平狀態時，吸引並強制排出滯留於基板的被處理面與處 理液間之空氣。 在使前述基板保持裝置所保持之基板的被處理面傾斜 的狀下使基板接觸則述處理液後再回復水平狀態以進行 接液處理之基板處理裝置，亦可在基板傾斜接觸處理液之 後回復為水平狀態時，順利地將滯留於基板的被處理面與 處理液間之空氣強制排出，在基板回復為水平狀態後因基 板的被處理面上不會有氣泡的殘留，而得以達成基板的被 處理面之順暢的接液處理。 本發明之其他的基板處理裝置係具有：儲存處理液之 處理槽；保持基板之基板保持裝置；進行接液處理之基板 保持裝置驅動部；該基板保持裝置驅動部係在使由前述基 板保持裝置所保持之基板的被處理面傾斜的狀態下使基板 接觸前述處理液後再使其回復水平狀態，其特徵為：設置 處理液供給部，該處理液供給部係在使基板傾斜於處理液 的狀態下使基板接觸前述處理液後再回復水平狀態時，沿 著基板的被處理面的傾冑由深側至淺側形成處理；的流。 動。 如此，面肖基板的離液側形成處理;夜_動，將處理 液中之基板的被處理面上之氣泡群，會被押流至基板的脫 離區域的空間’於是使基板成為水平狀態冬在被處理面 上不會殘留氣泡’而得以達成與基板的被處理面之順暢的 接液處理。 315249(修正版) 34 1313894 本發明之又一之其他基板處理裝置係具有：儲存處理 液之處理槽；保持基板之基板保持裝置；進行接液處理之 基板保持裝置驅動部；該基板保持裝置驅動部係在使由前 述基板保持裝置所保持之基板的被處理面傾斜的狀態下使 基板接觸前述處理液後使其回復水平狀態，其中，在保持 基板保持政置的底面的基板之部分的外周，設置逸退溝， 而該逸退溝係在使基板傾斜於處理液的狀態下使基板進行 接液後再回復水平狀態時，使滞留於基板的被處理面與處 理液之間的空氣排出。 如此，在傾斜之狀態下使基板浸潰於處理液後使基板 回復水平狀態時，可使滯留於基板下面的空氣順暢地排出 於外部，基板在變換為水平狀態後，在基板之被處理面上 不會殘留氣泡，而得以達成與基板的被處理面之順暢的接 液處理。 本毛明之基板處理方法係一種使基板的被處理面傾斜 的狀態下接觸處理液後再回復水平狀態以進行接液處理之 基板處理方法，其中，當基板在傾斜的狀態下與處理液接 觸後再回復水平狀態時，可使滞留於基板的被處理面與處 理液之間的空氣藉由吸附強制地排除。 藉此，當使基板傾斜於處理液的狀態下接觸處理液後 再回復到水平狀態時，可強制地將滯留於基板的被處理面 與處理液之間的空氣順利排出於外部，當基板變為水平狀 怨後，在基板之被處理面上不會殘留氣泡，而得以達成基 板的被處理面之順暢的接液處理。 315249(修正版) 35 1313894 本發明之其他基板處理方法係一種使基板的被處理面 傾斜的狀態下接觸處理液後再回復水平狀態以進行接液處 土板處理方法，其中，當基板在傾斜於處理液的狀態 下進行接液後再回復水平狀態時，沿著基板的被處理面的 傾斜面由深側至淺側形成處理液的流動，以去除基板的被 處理面上的氣泡。 、如此，面向基板的離液側形成處理液的流動，將處理 液中之基板的被處理面上之氣泡群，押流至基板的脫離區 域的空严曰1，並將其確實地排出於大氣令，纟基板變為水平 狀心後在基板的被處理面上不會殘留氣泡，而得以達成 與基板的被處理面之順暢的接液處理。 本毛明之基板保持裝置，係一種將基板的背面吸附於 吸附頭的下面以保持基板之基板保持裝置，其甲，在前述 基板保持裝置卡係設置有環狀的基板吸附部，該基板吸附 部係位於前述吸附頭的下面外周，而以環狀之方式真空吸 附基板的煮面，並防止處理液由基板背面的真空吸附部分 滲入於内側；且安裝有用以將吸附於前述基板吸附部之基 板推壓至遠離於吸附頭的方向之推壓件。 由於係利用環狀的密封材使基板吸附部吸附於基板的 背面，故得以防止處理液滲入於基板的背面，同時可大幅 細小吸附寬度，故得以減少吸附對基板所造成之影響（例 如基板產生幫曲等）。 此外’由於係利用推壓件將吸附於基板吸附部之基板 由吸附頭中脫離，因此例如基板吸附部所使用之橡膠材等 36 315249(修正版) 1313894 即使因長年的變化而容易黏合於基板，而造成吸附於基板 吸附部之基板不易自基板吸附部剝離，藉由推壓件即可確 實地將該基板剝離，輕易地進行基板的裝卸。推壓件可以 為1個或複數個。 本發明之理想之實施形態為前述推壓件係連接於真空 供給線，該推壓件係利用真空供給線之真空吸附拉入至吸 附頭側，並藉由真空供給線之氣體供給，由吸附頭突出以 推壓保持於吸附頭之基板的背面。藉此:利用真空吸附與 氣體的供給，即可使推壓件確實地進行作動。 拉入至吸附頭側之推壓件之構成方式，最好係以不與 吸附保持於吸附頭下面之基板的背面接觸之方式構成為 佳。藉此，推壓件接觸於基板背面，如此即可避免進行基 板處理時之處理液的溫度傳達至與推壓件的接觸面。土 前述真空供給線，最好連接於前述推壓件，且連接於 前述基板吸附部。如上所述，藉由共用真空供給線，即可 達到簡化基板保持裝置之構造之目的。 本發明之基板處理裝置係具備：環狀的基板吸附部， 該基板吸附部係位於吸附頭的下面外周，而以環狀之方式 真空吸附基板的背面，並防止處理液由基板的背面的真空 吸附部分滲入内侧並加以密封；以及將吸附於前述基板吸 附部之基板推壓於遠離吸附頭方向之推壓件；其中具備： 將基板的背面吸附保持於吸附頭的下面之基板保持裝置； 及對於利用前述基板保持裝置料u板的被處理面進行 處理液之接液處理之基板處理部。 315249(修正版) 37 1313894 本發明之基板保持裝置之基板裝卸方法，係一種可在 將基板背面吸附於基板保持裝置的吸附頭下面的同時進行 離脫之基板保持裝置之基板的裝卸方法，其中，將基板吸 附於前述吸附頭下面之方法，係藉由―面以環狀密封基板 的背面-面進行真空吸附的方式進行，在此同日夺，將基板 從前述吸附頭下面離脫之方法，係藉由自前述環狀真空吸 附之部分喷出氣體的同時，利用推壓件推壓位於前述環狀 真空吸附之部分内側之基板背面的方式來進行。 【實施方式】 以下，參照附圖詳細說明本發明之理想實施形態。 第2圖為本發明之實施形態之基板處理裝置丨的整體 概略俯視圖。如第2圖所示該基板處理裝置丨係具備：裝 載、卸載區100、清洗區200與電鍍處理區3〇〇三個處理 區。而裝載、卸載區1〇〇係設置有：兩個裝載口 11〇、第i 載運基板機器人130以及第i反轉機15〇β在清洗區2〇〇 又置有基板暫置台210、第2載運基板機器人230、前清洗 單元240'第2反轉機250以及兩組後清洗單元26〇、26〇。 在電鍍處理區300設置有第3載運基板機器人31〇、3組第 1月!|處理單元320、2組第2前處理單元34〇、3組電鍍處 理單το 3 60以及電鍍液供給單元3 9〇。以下針對各構造部 分進行說明。 (載運基板機器人） 在該基板處理裝置1上之各個區域1〇〇、2〇〇、3〇〇， 搭栽有可保持基板w並使其表面（被處理面）朝上，也就 38 315249(修正版) 1313894 是所謂的面朝上；或是保持基板w並使其表面（被處理面） 朝下，也就是所謂的面朝下方式來進行載運之載 =:3°、23。—採取面朝上或是面朝下，採取乾步幾 驟或疋濕步驟，必須視各步驟來進行選擇， 土板機态人130 ' 23〇、31〇之機械手，搭載有對應步驟形 態的機械手。因為在本基板處理裝置丨中載運基板機器人 13〇、23j、310不會藉由旋轉機械臂來反轉基板w，故可 避免在猎由各载運基板機器人13G 23g、3ig之機械手進 行基板W載運時發生基板w脫落等的情況。以下，針對 各載運基板機器人丨30、230、31〇進行說明。 (1)關於第1載運基板機器人130 第3圖顯示設置於裝載、卸載區1〇〇之第}載運 ，板機器人13G的要部俯視圖（载運有基板w的狀態）， 第3圖B為第丄載運基板機器人13〇之要部側視圖（益載 運基板W的狀態）’第3圖C為自第3圖A的箭頭a方向 所見之概略側視圖。第i載運基板機器人13〇係載運完全 乾燥狀態之基板〜之機器人，如第3圖A以及第3圖B 所示，設置於機器人主们31上之具有複數個關節的複數 組（2幻懸臂133、135前端’分別以上下重疊之方式安 裝有乾式的機械手137、139。兩機械手均為薄型落入式。 機器人本體系如第3圖。所示，安裝在裝設於基台132 之兩支懸臂132a、132b前端，使其可在懸臂⑽前端轉 動’精此如f 3圖C中實線以及虛線所示，機器人本體i3i 可移動至各場所。藉此即可在不移動整個帛i載運基板機 315249(修正版) 39 1313894 器人130的狀態下，在組裝於裝載口 110、11〇之基板收納 匣、第1反轉機150與基板暫置台2丨〇之間進行乾燥狀熊 基板W的收付。 〜 此外，該第1載運基板機器人13〇並無行走軸，此係 基於以下的理由。亦即，以往係藉由行走軸使第丨載運基 板機器人130動作，以進行基板w的收付。行走軸採用球 形螺絲、線性馬達等的驅動方式，但不論哪種情況均須具 有滑動部（例如LM引導件），然而該滑動部卻成為微粒^ 的發生原因。因此在本發明+，藉由設置不需具有行走轴 的固定式機器人作為第【載運基板機器人13〇，即可防止 微粒子的發生m載區⑽中，可經常保持進行處 理的基板W所需要之清潔環境。 (2)關於第2載運基板機器人23〇 …清洗區2G0之基板w的載運，因混合存在有基板％ 為：或:’、的狀恕’以及面朝上或是面朝下的不同狀態，因 Μ _所❹之第2載運基板機器人23 有2組懸臂且為3個機 係搭載 第2#、… 械械手方式之裝置。第4圖A為顯示 土板機器人230之俯視圖(其中省略上段上臂237 的。己載’而顯示上段下臂 圖 保持基板W㈤狀態），第4
第2載運基板機器人230之側視圖（益 狀態），第4 FI r & & 口、"、、保待基板W 237 θ為第2載運基板機器人230之上段上臂 要。Ρ俯視圖（保持基板 2載運基板機器人咖之下為第 基板W之狀又# 241之要部俯視圖（保持 狀心）。如第4圖A至第4圖D所示，第2載運 315249(修正版) 40 1313894 2板機器人230，在設置於機器人本體231上具有複數關 甿的複數組（2組）懸臂233、235其中之一的懸臂前 端，以上下重疊之方式安裝上段上臂237與上段下臂Μ” 在另一懸臂235的前端則安裝有下段臂241。 ^上段上臂237係：將在後清洗單元260完成處理後的 乾，板w裁運至基板暫置台21〇之機械手，係面朝上的薄 型落入式乾式機械手。而上段下臂239係：將由裝載、卸 載區100載運至基板暫置台21G的基板w載運至前清洗單 儿240的乾式機械手，在面朝下的薄型真空抽吸型式中係 0寸土板W的5面以保持基板w之機械手（背面吸附型 真空機械手）。下段臂241係··將自電鑛處理區300載運至 第2反轉機25()之基板|分別載運至後清洗單元26〇 與第2清洗部之機械手，且為濕式面朝 上厚型洛入式機械手。 裁二，主在’月洗區200中’將基板W從基板暫置台2 1 〇 下的狀:广洗單元240的過程，是在基板W為乾燥且面朝 250載運，在電鑛處理後將基板W從第2反轉機 =運至广清洗部270的過程以及從…洗部"Ο 面朝乾燥部290的過程，是在基…濕潤且 運將基板w從第2清洗乾燥部㈣裁 運至基板暫置台210的β 戰 進杆,^ 疋在乾耜且面朝上的狀態下 丁。上/之載運狀態係各處理裝置之間為配合基板w之 =:適在當2載運狀態’為了達到上述之基板W之最適當 〜 支懸臂233、235上具備有上述3種類之臂 315249(修正版) 41 1313894 237 ' 239 ' 241 °使1支懸臂233具備有乾式的2種類之臂 237、239 ’藉此即可使1台第2載運基板機器人230具有 可對應多種用途的多數臂。 (3)關於第3載運基板機器人 第5圖A為顯示設置於電鍍處理區3 00之第3載運基 板機器人3 1 0的要部側視圖（保持基板W之狀態），第5 圖B為第3載運基板機器人310之真空臂337、339的要 部俯視圖（保持基板w之狀態），第5圖c為第3載運基 板機器人310的真空臂337(或339)前端部分的放大剖視 圖。因在電鑛處理區3〇〇的基板載運過程全部為面朝下， 第3載運基板機器人31〇，在設置於機器人本體331上具 有複數關節的複數（2組）懸臂333、335 (懸臂335無圖 示）荊細，分別以上下重疊之方式安裝構成有背面吸附式 真空臂337、339。兩真空臂337、339均為厚型真空臂且 為真空吸附力強之高剛性型，以避免發生基板裝卸時發生 問題。亦即，在下述前清洗單元24〇、第1處理裝置32〇 以及第2前處理單元340，以面朝下狀態完成前清洗或前 處理，從上述裝置中將基板W取出時，基板w有時會附 著於下述基板固定壓頭560之密封構件575 (參照第u圖 A以及第11圖B )。因此藉由使用真空吸附力強的高剛性 機械手作為真空臂337、339,在基板貿附著於密封構件 575時也可自基板固定壓頭56〇將基板w取出，以確實進 行載運。 真空臂337 (或339)之前端部分係如第5圖c所示， 315249(修正版) 42 1313894 藉由在基板吸附面337b周圍設置蛇腹部337c，而具備有： 自基板吸附面3 3 7 b朝向基板吸附方向構成伸縮自如的基 板吸附墊337a;設置在基板吸附墊337a周圍與此基板吸 附墊33 7a進行氣密式固定’並在其表面設置進行基板评 上下方向之定位的平坦基準面337g所構成之固定構件 337f。基板吸附墊33>7a係與延伸於真空臂3;37 (或339 ) 内4之真空線337h，337i連通’並在基板吸附面337b設置 有凹狀吸附口 337d。此外，在吸附保持基板w背面時， 首先基板吸附面337b會吸附於基板w背面，此時即使基 板w傾斜於真空臂337 (或339 )，藉由彎曲蛇腹部337〇 亦可使基板吸附面337b產生傾斜且輕易地吸附於基板w 的背面，此外藉由基板吸附墊337a的收縮可使基板w背 面與固定構件的基準面337g相抵接而呈水平狀態， 以進行基板W上下方向的定位。 如月』所述在本實施形態中，係使用以面朝下的方式 保：基板W之背面吸附型真空臂作為安裝於第3載運基板
機器人310之真空臂337(戋33 、兮你古如A 、·339 )，该種真空臂之使用係 基於以下的理由。亦卽，箕把占 _ 土板處理裝置1内為了避免微粒 子對基板W造成不良之影塑，叙a ^, a 。工吊有下流的空氣流動，當 基板W以面朝上的方式進杆 丁载運日守，處理裝置間在進行基 板w載運途中被處理面會 |言乾知。為了防止此種情況，一般 會將基板W保持在十分濕 ^ ^ 9狀態，但是如此一來會發生 液體滴洛在裝置内等問題， 而對裝置造成不良之影響。因 此糟由保持吸附基板w背 成面中央部在不接觸基板w的被 315249(修正版) 43 1313894 處理面且以面朝下的方式進行栽運，即可抑制空氣下流的 机動影響，使基板w能在濕潤但極力進行乾燥後的狀態下 進行載運，保持裝置内環境良好。此外清洗區2〇〇的第2 載運基板機器人230之上段下臂239亦具有相同之效果。 (反轉機） 在邊基板處理裝置1中，係將可使基板w進行i 8〇度 反轉之反轉機150、250分別搭載於裝載、卸載區1〇〇與^ 洗區200,使基板，得以在面朝上或面朝下的狀態下進行 載運。 (1)關於第1反轉機150 第6圖A係顯示設置於裝載、卸載區1〇〇之第}反轉 機150之概略平剖視圖，第6圖B為第i反轉機15〇之概 略側剖視圖。如第6圖A所示，帛【反轉機15〇係藉由驅 動基板裝卸用汽缸151使兩基板裝卸懸臂i53、i53朝箭頭 A的方向進行開關，如第6冑B所示，藉由驅動反轉用馬 達155使兩基板裝卸懸臂153、153向箭號b方向迴轉刚 度使，反轉。反轉用馬達155舉例來說，可使用步進馬達。 也就是首先將基板W設置於呈開啟狀態的兩基板裝卸用 懸臂153、153之間’接著關閉兩基板裝卸懸臂153、153 藉由配設於兩基板炎4辟* 取戎卸懸臂153、153的曲柄銷154把持基 板w外圍’之後驅動反轉用馬達155進行刚度的轉動使 基板W反轉後，開啟 文兩基板裝卸懸# 1 5 3、1 5 3並放開其 板W。 (2)關於針對第2反轉機25〇 315249(修正版) 44 1313894 第7圖A係顯示設置於清洗區200之第2反轉機25〇 枝略側αΗ見圖’第7圖B為顯示第2反轉機之基板 裝卸懸臂253、253的概略俯視圖。第2反轉機25〇與第丨 轉機150相同，係藉由未顯示於圖中之裝卸用汽缸與反 轉用馬達’—對兩基板裝㈣臂253、253進行開閉、反轉驅 動。而該第2反轉機25〇，由於係在步驟中進行基板％的 處理而必須防止基板W產生乾燥的現象’因此在基板w 上下位置安裝有朝基板兩面噴射純水等處理液之噴灑 嘴251 、 251 。 、工貝 (基板暫置台） 第8圖A係顯示基板暫置台21〇之概略正視圖，第8 圖B為基板暫置台210的概略側視圖，第8圖c為基板暫 置台210之概略俯視圖。如第8圖A至第8圖C所示，基 板暫置台2 1 0係藉由線性引導件2丨3、2丨3以可上下自由移 動之方式設置升降板211，且藉由升降用馬達214與球形 螺絲215所構成之升降機構216使該升降板211得以進行 上下移動，此外，在升降板2 11上部以上下兩段之方式設 置上#又暫置台217與下段暫置台219。下段暫置台219放 置處理前之基板W，上段暫置台放置處理後之清潔基板 W。在兩暫置台217、219的上面突設置有用以支撐基板w 外圍之4支的支撐棒221，基板W係支撐於其上。暫時放 置基板W時’如第8圖C所示’將搭載有基板w的機械 手移動至任一暫置台217或219上’藉由驅動升降機構216 使暫置台217、219稍微上升，藉此將基板w放置於支樓 315249(修正版) 45 U13894 反之’欲將基板W從暫置 則以相反之方式執行上述 2 221上，之後再拉出機械手。 台217或219移至機械手上時， 動作。 (各種前處理單元） 各種前處理單元俜咅& ^ „ 係心私則清洗單元24〇、第1前處理 早疋（細•加催化劑梦罟、^ 〇 Λ 清、、壯 以及第2前處理單元（藥液 β，先（中和）裝置）34〇。上 — 县 述之刚處理早兀的構造基本上 疋相同的。第9圖為顯示進行 1 - 仃各種則處理所使用之前處理 早兀500的斜視圖。如 a 〗处里 備右.f· ; μ 圖所不，刖處理單元500係具 .®開放且内部設置有噴霧噴嘴（處理 520之圓筒狀的容器51〇;宓封六„。u如 53〇 · - ^ 山封令益5 1 0上部開口之蓋構件 f女、；盍構件上面之噴霧噴嘴（處理液噴射部）54〇 ^照第10圖A與第1〇ΒΙ B);旋轉蓋構件別之蓋構 半驅動機構550;在完51 ς;1Λ L Α ° 1 0上σ卩保持基板W之基板固定 壓頭560 ;旋轉A拓m^ 轉基板固疋壓頭560之壓頭旋轉用馬達58〇; 壓頭旋轉用馬達等進行升降之壓頭升降機構⑼〇。此 基板保持裝置係由：基板固定壓頭560 ;以及安裝於 驅動基板固定壓頭56G之壓頭旋轉用馬達· 579之構件所構成。 展σ 弟10圖Α為顯示利用蓋構件53〇使容器51〇呈關閉 狀態時^容器510與蓋構件530之概略側剖視圖，第1〇 圖B為弟10圖A之概略俯視圖’第1〇圖C為開啟容器 510時之概略側剖視圖，第10® D為S 10圖c之概略平 面圖（不過省略蓋構件530之記載）。 315249(修正版) 46 Ϊ313894 现構件53〇係藉由連結帛9圖所示之具襟汽缸之蓋構 驅動機構550以及該蓋構件驅動機構55〇與蓋構件53〇 ，間的連結機構555’而如第10圖a所示，驅動至封住容 今5 1 〇開口的位置，或是如第^ 〇圖 示 器川分離打開其開口的位置。 外叹置於容器510内的喷霧喷嘴52〇係如第1〇圖c以 及第10圖D所不，在以板狀形成之噴嘴固定構件丨上， 以面朝上設置複數個（19個）之喷嘴⑵。上述之複數個 (19個）噴嘴523係在保持於基板固定壓頭5仰之基板貿 下降至容器510内之例如第1〇圖c所示之位置的狀態下， 利用上述之複數（19個）喷嘴523同時進行處理液（第1 處理液）的噴務’藉此使基板w的被處理面（下面）全域 可受到均勻地喷霧，且基板w被處理面所受到的喷霧墨也 接近均等的位置。如此一來即可獲得無參差、均等之基板 w的處理。此外’噴嘴523因存在有處理液的噴霧角：， 因此為了使基板W被處理面全域可受到均等的處理液^ 霧，必須正確地規定喷嘴523至基板w的距離，故基板保 持壓頭560必須為可在上下方向正確定位之構造。：外:、 因喷嘴523的喷霧角度會因喷霧壓力而產生變化，因此在 決定上下位置時可採用電性回授（祠服控制），利用適告卢 理壓力時之喷霧角度，使基❹的被處理面全 = 液體。 啊 此外在容器510内部的上部，設置面向圓周方向進行 清洗液喷霧之複數（4個）容器内清洗用噴霧噴嘴515 315249(修正版) 47 1313894 "； ；, , 5 , ο 方向角度之構i ’ +二各賀霧嘴嘴515為可調整噴霧 液，产容哭 &喷務贺嘴515喷出的純水或其他清洗 行内錢i之4壁的接線方向由上部向下部流動，可進 壁藉由該清洗動作即可防止容器510内 ι、’、 防止微粒子發生。此外，亦可防止因為&声 :液而造成的各構件惡化。藉由喷霧喷嘴515之=内= °在各基板W處理後（-片或固定片數後） 仃 $在維修處理時也要進行清洗處理。 方面安裝於盍體材53 0上面之喷霧喷嘴54〇的 各喷嘴543 ’也以面朝上之方式設置有複數個（b個）嘴 嘴β543 °上述之複數（19個）噴嘴543係在保持於基板固 之£頭560之基板|位於封住容器51〇上之蓋體材別的 上4的狀L下，由上述之複數（丨9個）的喷嘴543同時噴 ㈣2處理液’藉此使處理液得以均句地喷霧於基板w被 處理面（下面）全域，且施加於基板W之被處理面的噴霧 壓也會位在均等的位置。藉此，即可實現沒有參差且均等 的基板w處理。此外複數個噴嘴543如第1〇圖b虛線所 不，係沿著螺旋線設置，藉此使各喷嘴543至蓋構件53〇 中心的距離有所差距，如此一來在基板w的被處理面全域 即可進行均勻的處理液噴霧。此外喷嘴543亦存在有處理 液的喷霧角度，因此為了使基板w被處理面全域可受到均 勻的處理液喷霧’必須正確地規定喷嘴543至基板w的距 離’故基板保持壓頭560必須為可在上下方向正確定位之 48 315249(修正版) 1313894 構 '而疋位上下位置時則可採用電性回授（飼服控制）。 第11圖A為顯不基板固定壓頭560以及壓頭旋轉用 馬達580的部分之概略側剖視圖，第u圖b為第"圖a 中刀的放大圖。如第Π圖a所示，基板固定壓頭56〇 係：在下方開口且側壁具有開口 ％ ^之箱體内部設置 推堅構件565所構成。箱體563係連結於壓頭旋轉用馬達 580之中空輸出軸567。推壓構件…係在其中央部與轴 ^69連結，該軸569係通過輸出軸567内部的中空部分而 大出於上方，此突出端係藉由軸承部571以可自由旋轉之 方式支撐。輪出軸567的中空部分與軸569之間，係藉由 花鍵嵌合同時進行旋轉，但轴_係獨立於輸出轴W轴 :以可上下移動之方式構成。此外在箱體563下端，設有
大出於内側之環狀的基板保持部573，在基板保持部W 的内周側上σ卩，女裝有放置基板w並加以密封之環狀的密 封構件575。箱體563的外徑比前述容器、51〇内徑稱小， 為幾乎可封住容器510開口之尺寸形狀。另一方面在第n 圖B令，推！構件565係在圓板狀之支持器59i的外周下 f安裝有内部具有收納部595之基板固定環593，在收納 部595内藉由彈簧597在其下收納環狀的推壓件599，推 壓件599之推壓部599a會從設於基板固定環593下面之孔 突出。 軸承部571係固定於使該軸承部571上下移動之汽缸 機構5 7 7 (參照第9圖、第12圖A )的桿部5 7 8，此外汽 缸機構577本身係固定於放置前述壓頭旋轉用馬達等 315249(修正版) 49 1313894 之女裝台579。第12圖A為顯示壓頭（安裝台）升降機構 6 00之側視圖，第1 2圖B為由後側所見之壓頭升降機構 600的斜視圖。如第12圖A、第12圖B以及第9圖所示， 壓頭升降機構000係藉由壓頭升降用滑動部601以上下移 動自如之方式將安裝台579安裝在支柱（固定側構件） 650、650,且該安裝台579可利用升降機構66〇自由升降。 亦即，升降機構660係具備：固定於傳送至兩支柱65〇、 650間的安裝板651之壓頭升降用馬達661;與由球形螺絲 螺帽665a以及螺絲轴665b所構成之壓頭升降用球形螺絲 665，其係由在安裝在壓頭升降用馬達661驅動轴之滑輪 667與安裝於螺絲軸665b端部之滑輪667間捲掛皮帶 所構成。此外，安裝於基板固定壓頭56〇或壓頭旋轉用馬 達580等之安裝台579整體（也就是基板保持裝置），亦可 藉由驅動壓頭升降機構660之壓頭升降用馬達66 1上下移 動。朝上下方向移動之移動量，係由壓頭升降用馬達661 所控制藉此，可任意設定基板W的被處理面與噴霧噴嘴 52〇、540的位置關係（間隔距離）。另一方面推壓構件gw 可藉由驅動汽缸機構577使箱體563單獨進行上下移動， 此外箱體563可利用壓頭旋轉用馬達⑽進行旋轉驅動。 -接著，說明該前處理單元500的動作。首先如第9圖 所示，基板固定壓頭560上升至容器51〇上方，且在基板 固2壓頭560内部，如第U圖A以及第u圖b所示^係 設定為推壓部# 565上升的狀態。接著，利用第4圖所示 之上段下臂239，或第5圖A乃至第5圊c所示之真空臂 315249(修正版) 50 1313894 337或339,將以面朝下之方式保持之基板w’如第u圖 A以及第11圖B所示，自箱體563的側壁開口 561插入 並解除其真空吸附，藉此，即可將基板w放置於其直徑比 基板w之外徑小數mm之環狀的密封構件575上。接著， 利用驅動汽缸機構577使推壓構件565下降，如第13圖所 示，利用推壓部材565之基板固定環593下面與推壓件5的 的推壓部599a推壓基板W的上面外周，將基板w下面（被 處理面）外周推在至密封構件575，以固定基板w。密封 構件575同蚪亦具有防止處理液回流至基板w背面之密封 功能。 接著，利用驅動壓頭升降用馬達661使固定有基板w :基板固定壓帛560下降插入容器51〇之開口内，在此狀 態下，設置於容器510内的噴霧噴嘴52〇會喷射第i處理 液以接觸基板W之被處理面（了面）進行基板㈣處理。 接著，利用驅動壓頭升降用馬達661，使基板固定壓頭56〇 上升移動至比容器更上方處後，驅動第9圖所示之蓋構件 機構560，藉此旋轉蓋構件53 0並封住容器5丨0的開 口 J參照第10圖A)。之後，從設置於蓋構件53〇上面之 喷霧喷背540會噴射第2處理液，使其接觸基板W之被處 理面以進行基板W之處理，完成基板W的處理。 〜m此外，在利用噴霧喷嘴520進行基板w處理時，由於 ” ^ 5 1 〇成乎被基板固定壓頭5 6 0所封住，因此與基 板1接觸之第1處理液沉積於容器510内，而由第10圖 第圖8第10圖C以及第10圖D所示之排水口 315249(修正版) 51 1313894 511排放。此外，利用喷霧噴嘴540進行基板處理時，由 於容器510被蓋體材530所封住，因此與基板玫接觸之第 2處理液，因無法進入容器5丨〇内而流入其外部，並由未 顯示於圖中之其他排水口排放至外部。藉此，即可避免第 1處理液以及第2處理液的混合。 之後，利用驅動汽缸機構577使推壓構件565上升， 以解除基板w的固定，從箱體563側壁開口 561插入第4 圖B所示之上段下臂239、或第5圖A至第5圖e所示之 真空臂337或339,並真空吸附基板w之上面並將其取出 至外部後，移行到下一個步驟。 此外，在該例中，藉由使用任意大小的密封構件575, 使士板W的被處理^ (下面）之處理範圍得以視各種處理 内谷而有所不同。亦即，在箭、、备、、朱昆；，μ 〇〇 在則/月冼早70 240以及第2前處 理單元（藥液清洗（中和）裝置）34〇令，如第Μ圖Α所 在密封構件575a係使用具有開口面積者，俾可進行比 猎由第1前處理單元（施加催化劑裝置）施加催化劑之施 加催化劑之範圍31更廣的清洗範仏之清洗處理。亦即， 由該密封構件575a所包圍的領域係清洗範圍1係如下所 二由：2前處理單元32〇所使用之密封構件⑽(參照 所包圍之領域為施加催化劑範圍Si，該清洗 範圍2係比施加催化劑範圍&更廣。 =，前清洗單元24G可在帛丨前處理單元32〇所進 催化劑的範圍進行前清洗（藥液清洗），而第2 則…-亦可…前處理單元320所進行之施加催化 315249(修正版) 52 1313894 劑的範圍進行清洗（中和處理）。 另一方面，在第1前處理單元中，密封構件575b係使 用：有！前清洗單元242以及第2前處理單元340所清洗 之π洗圍S2小，且與在基板表面進行之均句電鐘處理範 圍相同的範圍係施加催化劑範圍S1之開口面積的密封構 件。 亦即，該密封構件575b所包圍的領域為施加催化劑範 圍Si，如别所述，以前洗淨裝置242以及第2前處理單元 340所使用之密封構件575a所包圍的領域為清洗範圍 但該施加催化劑範圍Si係比清洗範圍h狹小，且與在基 板表面進行均勻電鍍處理的範圍一致。 藉此，即可避免在基板表面不需要電鍍的場所被施加 催化劑，並進行電鍍處理，且如前所述，前清洗單元24〇 可在第1岫處理單元32〇所進行之施加催化劑的範圍進行 刖π洗（藥液清洗），而第2前處理單元34〇亦可在第1 丽處理單元320所進行之施加催化劑的範圍進行清洗（中 和處理）’藉此即可在基板表面的必要範圍確實地進行電鍍 處理。 (電鍍處理單元） 第1 5圖Α為顯示電鍍處理單元3 6〇之側視圖，第i 5 圖B為第15圖A之概略側剖視圖。如第15圖a以及第 1 5圖B所示’電鍍處理單元360係具備：在内部儲存電鍍 液（處理液）Q進行基板w浸潰處理之處理槽（電鍍處理 槽）7 1 0 ’封住處理槽7丨〇之開口部7丨丨之蓋構件74〇 ;安 53 315249(修正版) 1313894 Μ 士 广構件74G上面之噴霧噴嘴（處理液噴射部）7⑼；驅 =轉）蓋構件74G之驅動機構Μ;保持基板w的基 伴！：裝置780;以及驅動基板保持裝置780整體之基板 呆持裝置驅動機構810。 处理肖71〇係具備：用以儲存電鍍液（處理液）q之 狀的處理槽本體713 ;設置於處理槽本體713上端 :部分’且用以回收自處理槽本體713溢流之電錢液q :外周溝715 ;圍繞外周溝715之外周側且以筒狀向上突 之覆蓋部717。在處理槽本體？13之底面中央設有電鍍 ，夜供給口 7 2 1。 第16圖A為處理槽71〇之俯視圖，第16圖6為處理 曹之上部剖視圖（第16圖A之E_E線剖視圖）。如第 圖A以及第16圖B所示，在處理槽71〇之覆蓋部η?， :裝有自覆蓋部717内側壁向開口部711集中喷射清洗液 純水）之複數個（_雙）沖洗用喷霧噴嘴723。電鑛處 Z後，即使基板保持裝置78〇上升且基板w自電鍍液〇 刀離’在基板被處理面仍會殘留有少量電鍍液。在殘留有 電鍍液的狀態下，進行基板W表面的電鍍時，即無法獲得 均勻的電鑛膜。在本發明中，係在處理槽m設置複數個 噴霧噴嘴.電鍍處理後立刻對基板…表面進行清洗液 的噴霧㈣，藉此即可排除殘留於基板表面的電鑛液。此 ^卜，藉由清洗液的噴霧，可急速冷卻基板w使電鍍停止進 /亍此外由於電鍍液的使用溫度一般都在7〇度至 左右，因此電鍵液中的水分會蒸發，而無法保二 315249(修正版) 54 1313894 錢液濃度’但在電錢處理德民μ 使馬上進行清洗液（純水）噴霧 即可補充蒸發的水分。渣：φ汸认+ _ 、 β洗液的贺霧量，應先計算需要補 充的量再設定適當之喷霧量。 第17圖為以蓋體材740 44/+ + 封住處理槽7 1 〇之開口部7 11 狀態下之剖視圖（第16圖雄却八 _ t線部分之剖視圖）。空轉時， 在未進行處理時，可藉由蓋體材740封住處理槽710之開 口部711以防止電錄液Q無謂的蒸發。在本實施形態中， 在處理槽71G的覆蓋部717上’安裝有由通路719a以及接 口 4 719b所構成，且將氣體（惰性氣體，例如氮）喷出供 給至處理槽710内部之氣體注入部719。此外，在利用蓋 構件74。封住之處理槽71q的㈣，利用氣體注人部719
喷出供給氣體（惰性裔_g* . , , ^ N 軋體，例如氮），並藉由將此氣體封入 ^理槽川内，即可將内部的空氣環境由空氣轉換成此氣 體。藉此電鍍液Q與氧氣將不會接觸，可防止電鍵液Q的 作用降低使基板w得以隨時接觸到正常的電鐘液〇。 回到第15圖A以及第15圖B，電鍍液供給單元39〇 係，溢流至前述處理槽71〇之外周溝715的電鍛液’利用 配g 口收至電鍍液供給用槽（電鑛液循環槽）Μ卜將電鍵 夜i…用；^ 391内儲存的電鑛液，藉由電鑛液供給用栗p f給至處理槽本體713之電錢液供給口 721，並使電鍍液 / :循％。因此’在處理槽本體713内電鍍液q經常保 /、:與單純地儲存電鍍液Q的情況相較可減少電鍍液 成刀辰度降低的機率，並增加可處理基板的數量。再者， 為使電鑛'夜Q之流動穩定’在處理槽本體71 3内部設置整 55 315249(修正版) 1313894 "“反714。整流板714之構造係在圓形平板中設有多數 穿的小孔，俾使電鍍液得以流通。 蓋構件740係由可密封處理槽71〇開口部7ιι之大小 眢邱=斤構成’在盍構件740的兩側面，安裝有板狀的懸 45,其前端附近部分係以可自由轉動之方式軸承在 ^又置於處理槽710之大略中央兩側部分之軸承部747。而 懸臂部745的前端係固定於驅動機構77〇的連結懸臂 的前端。 喷務噴嘴（處理液喷射部）76()，其個數與設置位置係 ^弟10圖B所示之噴霧喷嘴⑽相同。複數個喷嘴… 710之H反Γ持裝置78G所保持之基板…位於封住處理槽 _ 4 740上部的狀態下，由上述之複數個喷嘴763 ㈣進仃清洗液（處理液）之喷霧，使基板w的被處理面 (下面）全域得以受到均勾喷霧，且施加於基板w被處理 面的噴霧壓也位於均等的位置。 置猎此可獲得無參差異且均 專的基板W之清洗處理。 驅動機構770係由：蓋構件旋轉用汽缸771; 件旋轉用汽缸活塞連結之桿773;與桿773的前： 結成可自由旋轉的連結懸臂775所構成。蓋構件旋轉用汽 缸771的下端部’❹自由轉動之方式支擇於^側構件。 第18圖A為基板保持裝置78〇之概略側剖視圖，第 18圖B為第18圖八之〇部分放大圖。如第18圖A所示，
基板保持裝置780係呈備.其拉，士 A 八備·基板保持部781與基板保持部 驅動部刚。基板保持部781係以將大略圓形的吸附頭789 315249(修正版） 56 1313894 收納於下面開放之大略圓筒狀之基板座783内部的方式構 成。基板座783由下端面朝内側突設有可暫放基板w之暫 放部785 ’此外，在其外周側面設置有基板插入口 787。吸 附頭789具備有在内部設有真空供給線之大略圓板狀 基部791、以及在基部791下面外周以環狀之方式安裝之 基板吸附部795。 在基部791設有可打開吸附於基板吸附部了乃之基板 W與刖述基部791之間空間的複數個（圓中僅示一個）抽 出空氣用之開口部790。基板吸附部795係由密封材（例 如橡膠材料等）所構成，將其前端自基部791的下面突出， 藉此以吸附與該基部791下面抵接之基板1背面，並達到 防止電鍍液滲人到基板Wf面之真空吸附部分内側之密 封效果。 關於基板吸附部795的形狀，並未侷限為第18圖B 所示之形狀’只要是可在圓周寬度進行吸附的形狀即可 。此外在與基板吸附部795之基板w接觸的部分，嗖置有 基板吸附溝（吸附及拉開用孔）797，並使其與前述真空供 給線793才目連接’藉此以進行基板吸附冑797對基板％之 吸附與分離。料’除了真空之外也可對真空供給線州 供給惰性氣體或是清洗液。 …另:方面，基板保持驅動部謂係具備：旋轉驅 述吸附頭789之基板旋轉馬達（驅動部）8 1 ’ Μ及驅動前 述基板座783使其位於上下指定位置（ 座驅動用汽缸8G3。此夕卜，吸附頭789係藉由基板旋轉馬 315249(修正版) 57 1313894 達801旋轉驅動，而基板座783則藉由基板座驅動用汽缸 803上下移動。亦即，吸附頭789僅進行旋轉而無法上下 移動’而基板座783僅能上下移動而無法旋轉。 說明基板保持裝置780的動作。首先，如第18圖A 所示，在不旋轉吸附頭789的狀態下，將基板座783移動 到最下方的位置（基板收付位置），並透過基板插入口 7 87，將第5S1 A至第5圖C所示之第3載運基板機器人 310之真空臂337或339所吸附保持的基板w插入基板座 783内部，藉由解除真空臂337或339的吸附，將基板w 放置於暫放部785上。此時基板W係保持於面朝下的狀 態，其被處理為面朝下的狀態。之後再將真空臂337或339 自基板插入口 787拔出。 接著，如第19圖A與第19圖B所示，使基板座783 上升並將基板吸附部795之前端抵接推壓至基板w外周背 面（上面），並藉由從基板吸附溝797進行真空抽吸，使基 板W能吸附保持於基板吸附部795。此時，真空力發生於 與基板吸附部795之基板W接觸部分之内部的基板吸附溝 797内。將此時之基板座783的位置設定為基板固定位置。 藉此，基板W的背側部分（與被處理面之相反側之面）， 因基板吸附部795的密封而與被處理面侧分隔。 一般來說，以真空吸附基板霤時，以往係使用吸附 頭。但是，為了能在極靠近基板w邊緣處吸附保持基板， 並防止處理液的滲入，如吸附墊般，在墊片内側整體為真 空狀怨之吸附機構中，從中心部到外周部基板w會產生大 315249(修正版) 58 1313894 的電鍍處理之不良 幅彎曲，如此不但會導致無法進行均勾 影響，亦可能造成基板w的破損。 因此在本發明中，係藉由環狀寬 ^. 見又較小（直徑方向） 之基板吸附部795的密封吸附基板w 步ώ时，π 的外周’藉此將吸附 見度降到*低’以減少對於基板w的影響（彎曲等）。此 外’只有基板w背面之外周部會與基板吸附冑795接觸， 故不會發生基板處理時藥液溫度傳導 寸守玍與基板吸附部795 之接觸面導致溫度下降的問題。 在本發明中，吸附頭789之基板吸附部州的基板w 吸附位置，為基板W外周附近，且其表面（下面）未形成 裝置之部分的背面。具體來說，為基板w背面（上面”卜 圍寬度5mm以内的領域。採用此種構造’與基板w接觸 的部分將會是基板W裝置範圍外的背面，在加熱進行基板 W之電鍍處理時能將吸附所造成的影響降到最小。 接著，如第20圖A以及第2〇圖B所示，將基板座 783稍微（例如數mm )下降使基板w離開暫放部。
將此時之基板座783的位置設定為基板處理位置。在該狀 怨下將基板保持裝置780整體下降使其浸泡在如第丨5圖A 以及第15圖B所示之處理槽71〇的電鍍液Q中，如此一 來由於僅吸附保持基板W的背面’故基板w的被處理 面全域以及邊緣部份，均可浸潰於電鍍液中進行處理。 此外將基板座783降下使其離開基板w，由於僅吸附 保持基板W的背面’故即使浸潰於電鍍液Q，亦不會對基 板W之電鍍液Q的流動L (參照第20圖B )造成妨害， 59 315249(修正版) 1313894 而得以在基板w被處理面全域形成均勻的電鍍液Q之流 動。此外在該電鍍液Q流動的同時，可將被捲入基板 處理面上之氣泡'或因電鍍而產生之氣泡從基板w被處理 面上排到處理槽7丨〇内的其他部分。 ^藉此，即可解決對電鍍產生不良影響之流動不均以及 氣泡的問題，且在包含有基板w邊緣的被處理面全域可進 行均勻的電鍍。此外，由於在基板w背面成環狀進行真空 吸附部分的内側係藉由基板吸附部795的密封而與被處理 面側隔開，故得以防止處理液流入基板w背面的基板吸附 部795内側。 在本發明中，因在吸附頭789的基部791設置有開口 部790，基部791、基板吸附部795與基板w所形成之空 間不會疋岔閉狀態，在此空間内可防止因熱所造成的空氣 膨脹，如此即可避免對基板w造成不良之影響（彎曲等）， 以貫現均勻的電鍍。再者，因具有開口部79〇，而得以達 到吸附頭789的輕量化之目的，在僅以基板吸附部795進 行吸附的狀態下’亦可利用基板旋轉馬達（驅動部）8 〇 j 進行基板w的高速旋轉（例如1〇〇〇rpm)。藉由高速旋轉 基板W’可將電鍍處理後殘留於基板冒表面的處理液以及 β洗液減:散出。如此即可避免使用之處理液或清洗液無謂 的排出。 接著’在完成基板W處理後，使基板座783上升至第 ^圖Α以及第19圖β所示之基板固定位置，並將基板w 故置於暫放部785上，從基板吸附溝797噴出氣體（惰性 60 315249(修正版) 1313894 氣體’例如氮氣），並使基板W由基板吸附部795分開。 同日守’如第圖A以及第18圖B所示，使基板座783下 降至基板收付位置，而第3載運基板機器人31〇則從基板 插入口 787插入真空臂337或339 (參照第5圖A至第5 圖C)’並將基板评拉出玄外部。 在本發明中’如前所述’係構成除了對真空供給線793 供給真空外還供給惰性氣體或清洗液之構造，此外，在基 板吸附部795的外側附近（吸附頭789的外周附近）尚設 置有清洗用噴霧噴嘴805。視不同之需求，在利用清洗用 喷霧喷嘴805進行基板吸附部795前端之外側與吸附頭 789之外周側面之清洗時’亦可自真空供給線793將惰性 氣體或清洗液供給至基板吸附溝797，以清洗真空供給線 793以及基板吸附溝797的内部。 此係基於以下的理由《亦即，通常與電鍍液接觸的部 分’在經_過一段時間後均會析出並產生電鍍液成分結晶化 之現象。在基板吸附部795、特別是與基板w接觸的部分， 析出電鍍液成分時’不但無法達到良好的基板w吸附效 果，也會因析出物附著於基板w上等，而對基板處理造成 不良的影響。 因此在本發明中’藉由在封住處理槽710之開口部711 的蓋構件740上部安裝之喷霧喷嘴76〇，不但可清洗基板 吸附部795下面，也可藉由前述清洗用噴霧喷嘴8〇5進行 基板吸附部795之外周侧面的清洗，此外吸附基板w的真 空供給線793以及基板吸附溝797，除了注入吸附用的真 61 315249(修正版) 1313894 空外’也可注入惰性氣體或清洗液（例如純水）等，在此 構造下真空供給線793以及基板吸附溝797内部也得以進 行清洗。 第2 1圖為基板保持裝置驅動機構8 1 0内部構造之概略 側視圖。如第2 1圖所示，基板保持裝置驅動機構8丨〇係具 備.搖動基板保持裝置78〇整體使其傾斜的傾斜機構8 1 ^ 旋轉基板保持裝置78〇以及傾斜機構8丨丨整體之旋轉機構 821 ;以及使基板保持裝置780、傾斜機構811以及旋轉機 構821整體升降之升降機構831。第22圖A為顯示傾斜機 構8 11之概略側視圖（但是也有基板保持裝置78〇之記 載）’第22圖B為第22圖A之右側視圖（省略基板保持 裝置780 )。 如第22圖A以及第22圖B所示，傾斜機構8丨丨係具 備：固定於基板保持裝置78〇之拖架813;固定於拖架813, 且以可自由轉動之方式軸承於固定側之傾斜軸用軸承8 Μ 之傾斜軸815;壓頭傾斜用汽缸817，一端以可自由旋轉的 方式安裝於壓頭傾斜用汽缸817之驅動軸818側部，另一 端固定於傾斜軸815之連結板819。驅動壓頭傾斜用汽缸 817,將其驅動軸818朝第22圖Β所示之箭號η方向移動， 此時傾斜轴8 1 5利用連結板8丨5旋轉預定的角度，藉此， 搖動基板保持裝置780，將保持於基板保持裝置78〇之基 板W從水平位置變更為自水平位置傾斜預定角度之傾斜 位置。 基板保持裝置780的傾斜角度，可利用機械擋止器進 315249(修正版) 62 1313894 行任意的角度調整。另一方面， 奴轉機構821係如第21 圖所示，具備有壓頭旋轉用伺服馬達 1以及错由該壓頭 紅轉用伺服馬達823進行旋轉的旋韓 & .« η 疋锝釉825，前述傾斜機 構川係、固定於旋轉軸825之上端。升降機構83ι星備有 壓頭升降用汽缸833以及藉由壓頭升降用汽紅833進行升 降之桿835 ’前述旋轉機構821係固定在安裝於桿⑶前 端的支柱837。 接著，說明此電鍍處理單元36〇整體的動作。第Η 圖…第15圖8係顯示：旋轉蓋構件74〇開啟處理槽 川之開〇部川，且將基板保持裂置78〇上升之狀態。亦 即，蓋構件740移動至位於處理槽71〇側部之待避位置。 此時電錄供給裝置390受到驅動，電鑛"維持在指定溫 度並在處理槽71〇與電鍍液供給用槽（電鑛液循環槽）391 間進行循環。 在上述之狀態中，首先將未處理的基板w，以第Η 圖A至第2G圖B所示之方法將基板w吸附保持於吸附頭 789。接著，利用傾斜機構8ιι，搖動基板保持裝置7肋整 體使基板W自水平位置傾斜預定的角度，在該狀態下，驅 動升降機構831 (參照第21圖）將基板保持裝置下降 至第23圖A以及第23圖B所示之位置並浸潰於電鍍液 Q。浸潰基wt，利用傾斜裝£ 811搖動基板保持裝置 780整體使其回到原來的位置，並將基板％回復至水平位 置，並在此狀態下進行無電解電鍍處理 。此時藉由驅動第20圖所示之基板旋轉馬達8〇1，預先使 63 315249(修正版) 1313894 基板w轉動。 在上述之電鍍處理單元360中，由於係在基板W由水 平的位置傾斜預定角度的狀態下將基板浸潰於電鍍液Q 中’故可防止在基板W的被處理面上混入空氣等的氣體。 亦即’基板W如以水平狀態浸潰於電鍍液q中時，因空 氣等的氣體會滯留於基板W與電鍍液Q之間，而無法獲 得均勻的電錢。因此在上述之電鍍處理單元36〇中，在將 基板W浸潰於電鍍液q時，係藉由使基板w傾斜以防止 空氣等氣體的進入，並達到均勻的電鍵效果。 依照上述之方式，在預定時間内進行基板W被處理面 (下面）的無電解電鍍後，驅動升降機構831 (參照第21 圖）將基板保持裝置780上升至第15圖A以及第15圖B 所示之位置。在使基板W上升的途中，藉由從設置在處理 槽710之清洗用噴嘴723,朝上升中的基板w的被處理面 集中喷射清洗液（純水）以進行冷卻，中止無電解電鑛的 進行。接著，利用驅動驅動機構77〇，旋轉蓋構件74〇，如 第24圖所不，以蓋構件740封住處理槽7丨〇之開口部7 i。 接著，從蓋構件740上之噴霧噴嘴76〇的各噴嘴763 朝正上方喷霧清洗液（純水），以進行基板w之被處理面 的清洗。此時之處理槽7 1 0之開口部7 n，因由蓋構件74〇 所覆蓋，故清洗液無法進入處理槽71〇内，由於處理槽71〇 内部的電鍍液Q不會被稀釋，故可進行電鍍液q的循環使 用。清洗基板W後的清洗液，係藉由未顯示於圖中之排水 口排出。完成清洗的基板w係如前所述，利用第3載運基 315249(修正版) 64 1313894 板機器人31〇之真空臂337或339 (參昭 圖C)由基板保持裝置78〇取出 、—至弟5 基板W會再裝載至基板保持裝置個未處理的 清洗步驟。 X進行電鍍以及 在上述電錢處理單元36〇中，係在處理槽η。 電鍍:Q以進行無電解電鍍處理，但亦可藉由在處理样 内設置陽極’同時使陰極電極連接於基板％，以進行 基板W被處理面的電解電鑛。 (清洗單元） 第25圖係顯示後清洗單元26〇之外觀圖。後清洗單元 260係併設有帛【清洗部27〇與第2清洗乾燥部扇的單 -裝置。在第i清洗部27〇以及第2清洗乾燥部29〇，分 別設置有基板插人窗271、291，上述之基^27卜 291可藉由播板273、293進行開關。 第1清洗部270係一種使用滾刷單元之清洗單元。第 26圖為顯示使用滾刷單元之清洗單元的基本構造概略 圖。亦即，第1清洗部270係藉由複數個滾輪279保持基 板w的外周部，並藉由旋轉驅動滾輪279旋轉基板^ 一方面，在基板W的正背面，分別設置有滾輪狀的刷子（例 如旋轉式海綿）275、277,利用未顯示於圖中之驅動機構， 使兩滾輪狀刷子275、277朝上下方向進行相互靠近與相互 分離的移動。之後使由旋轉滚輪2 7 9所保持之基板w旋 轉’並從設置於基板W正背面之藥液用噴嘴281、283咬 純水用噴嘴285、287 ’視實際之需求分別提供處理液，在 315249(修正版) 65 1313894 中利用前述驅動機構使兩滾輪狀刷子 並進二Γ::ΐ住基板w’藉由適當的壓力夹住基板-、'進“洗。此時藉由獨立旋轉兩滾輪狀刷子⑺ 可更加提升清洗效果。 第27圖為第2清洗乾燥部29〇之側剖視圖。如第π 圖所不，f 2清洗乾燥部綱係使用自旋乾燥機之清洗單 兀’其構成係具備：把持基板W外周部之箱位電路機構 ⑼；固定於籍位電路機請之主轴292;旋轉藤動主轴 逝之主軸驅動用馬達293;設置於箱位電路機構外用以防 止處理液㈣之清洗杯294 :將清洗杯⑼移動至箱 路機構⑼周圍位置或比其更下方位置之清洗杯升降用汽 缸2% ;以及配設於基板w上部之筆式清洗單元296。筆 式清洗單元296係以由懸臂297前端朝下方突出於清洗海 綿（清洗點）298之方式構成，清洗海綿298可進行旋轉 驅動’此外’㈣297以及清洗㈣携可進行升降動作 與在基板W面上的水平面内之搖晃動作。 之後，保持於箝位電路機構291之基板w係藉由主軸 驅動用馬達293進行旋轉，在由基板w的正背面供給藥液 或純水的同時，使其與在基板w上旋轉之清洗海綿298相 抵接以進行清洗。在使用藥液之化學清洗以及使用純水之 純水清洗結束後，可利用高速旋轉箝位電路機構291進行 基板w的完全乾燥。此外在該第2清洗乾燥部29〇中，利 用超音波震盪器將超音波傳達至通過特殊噴嘴的純水以提 咼清洗效果之超級噴嘴299係搭載於懸臂297之前端附 315249(修正版) 66 1313894 f。由該超級喷嘴299所噴射出的純水係供給至清洗海綿 :8。此外，亦可在該第2清洗乾燥冑290搭載利用空六現 象之空穴喷射功能。 (電鍍液供給單元） 第28圖為電㈣供給單元（電舰供給單幻別之 系統構造圖。如第28圖所示，電鑛液供給單& _係具備： 儲存電鐘液Qii循環供給電財< Q至各電鑛處理單元36〇 的處理槽7 1 0之電液供田扯/-- 仏、、，°用槽（電鍍液循環槽）391 ;加 熱部393 ;供給並循環電鍍液Q至各處理槽川之電鍵液 供給用泵p;豸電鍍液供給用槽391内之電鍍液q濃度調 整為適當濃度之電鍍液濃度稀釋裝置4〇3 ;以及電鍍液攪 拌裝置4 1 0。 加熱部393係使用水作為熱媒體，使藉由另設之加熱 器395加熱升溫的水，通過將複數個管線成束插入至電鍵 液供給用# 391之熱交換器397並在其中進行循環，藉此 使利用該熱交換器397加熱之水的熱與電鍍液㈣行熱交 換’利用間接加熱電㈣Q之方式進行電鍍液㈣溫度管 理。也就是說該加熱部393係—種將熱交換器397設置於 電鍍液Q中之運用間接加熱方法之間接加熱部。 為對應品質非常精細的電鍍液Q，必需盡可能加大熱 交換器397的導熱面積’藉由減少電鍍液Q與熱交換器397 間的溫度差，以避免對電鍍液（^的使用壽命造成不良影 響。此外，利用沸點下的熱源進行電鍍液Q的溫度管理， 亦 < 避免對電錢液Q的成分造成不良影響。除此之外，為 315249(修正版) 67 1313894 防止電鍍液Q使用菁命的降低，熱交換器397的複數個管 之間的間隙也必須適當。如果各管彼此相接觸，則在接觸 的部分會產生熱點’此部分電鍍液Q會比其他部分受到更 多加熱，導致電鍍液Q使用壽命降低。此外，上述的間接 加熱方式中，與直接加熱方式相較，可避免其他雜質混入 非常精密的電鍍液Q中。 本實施形態之基板處理裝置丨係如第2圖所示，為達 到基板處理的合理化、量產化，係藉由搭載複數個電鍍處 理單元360，以達到生產量的提昇。另一方面，電鍍液供 給用槽391為單一的電鍍液供給用槽，其構成方式係分別 使用不同的電鍍液供給用泵P供給電鍍液Q並使之循環於 複數個電鍍處理單元360之處理槽7丨〇。因此，即使電鍍 供給泵P的其中一個因故障而停止運作，仍可在與可運轉 之其他電鍍液供給用泵P相連的電鍍處理單元36〇中進行 電鍍處理。或是即使電鍍處理單元36〇的其中一個發生故 障停止運作時，亦可將電鍍液提供給可進行運轉之電鍍處 理單元360,以避免電鍍處理本身發生停止的狀況。 電鍍液供給用泵P，例如係以直立式離心泵所構成。 相較於使用磁泵或風箱泵，藉由使用直立式離心泵，可將 空穴現象抑制在最小程度，此外與上述之栗相比較空氣與 液體的攪拌作用較小，故可控制過剩的空氣溶入於電鍍液 中’並將溶解氧量控制在適當的範圍。 電鍍液Q的溫度管理，在電鍍步驟中亦是一重要要素 因此在σ亥電鍍液供給單元390中，除了設置有溫度計 315249(修正版) 68 1313894 406、407以測定公則μ + μ Λ 刀別儲存农電鍍液供給用槽（電鍍液循環 槽）39 1與處理槽7 ! 〇 之電錢液Q的、皿度外，可藉由將盆 輸出輸入至溫度調節器州、401，再將溫度調節器39/、、 4〇1的輪出輪入至加熱部393以控制加熱部393,而使電鍍 液供給用槽391内ήίιΦ站、六^ 円的電鍍液Q溫度與處理槽71〇内的電鍍 液Q溫度維持在預定的溫度。再者，利用溫度調節写399、 •控制電鍍液供給用果Ρ之反向器ΙΝ，並調節流入各 處理槽71G之電链液Q的量，藉此使處理槽71G内的電鍍 液Q的溫度維持在預定的溫度。 亦即，電鍍液供給用泵P ,可以反向器IN等控制電鍍 液Q的循環量。在利用電鍍處理單元3 60進行電铲理 時：舉例來說可以不到21/min的低流量使電鍍液Q循環。 在進行電鍍處理後的清洗步驟時，因係在以蓋構件740封 住處理槽710之開口部711的狀態下進行純水等的噴霧， 故處理槽71〇内&電鍵液Q溫度會降低。在進行上述之清 洗步驟後，為了使接著進行電鍍處理的下一片基板W在同 —溫度下進行電鍍處理，在進行清洗處理時，舉例來說可 將電鍍液Q的循環量控制在2至301/min範圍内以進行處 f槽710内之電鍍液Q的溫度管理。藉由將電鍍液q的流 里控制在適當的流量，以減少電鍍液的溫度變化，提升加 熱部393與電鍍液q的溫度管理反應，進而達到提升電鑛 液 Q循環電路整體的溫度均勻性。 溫度計407係如第15圖B所示’設置於處理槽本體 7 1 3 ,·— 之電錢液供給口 721部分。因在處理槽71〇搭載有用 315249(修正版) 69 1313894
之溫度計407，故為使 預定之溫度，可藉由控 Q溫度或使用電鍍液供 讓使用時點之電鍍液Q 以測量處理槽7 1 〇内電鍍液q溫度 處理槽710之電鍍液Q的溫度成為 制電鍍液供給用槽3 9 1内的電鍍液 給用泵P控制電鍍液Q的循環量， 的溫度維持穩定。 本發明之電鍵液供給用们91係如帛28圖所示，為外 槽408與内槽409之雙重槽構造，4〇8係由隔献材， 最好使用高強度且隔熱性佳的隔熱材，例如具有良好的耐 熱性之玻璃布與特殊樹脂的積層板所構成。内槽4〇9係由 可保持電鍍液Q穩定的材質’例如敗樹脂所構成。亦即， 為了盡可能使電鑛液Q的溫度維持—定，電鐘液用供仏样 391採用雙重以上的構造，藉此達到與外界空氣隔絕之目Η 的。由於其係雙重以上之構造，故電鑛液供給用槽39i對 於破損等的安全性也會提高。 電鍍液濃度稀釋裝置403係利用液面感測器411測量 電鍍液供給用槽391内的電鍍液q之容量’藉此求得稀釋 所必須的稀釋液（純水）之量，由稀釋液供給線4〇5將稀 釋液供給至電鍍液供給用槽391内，使電鍍液q成為適當 之濃度。電鍍處理中的電鍍液的使用溫度（例如無電解^ 鍍），舉例來說一般為70度至80度的高溫，但是高溫下的 使用經常會導致電鑛液中的水分蒸發，進行基板w的處理 時如果每次電鍍液的濃度均不相同，將導致每次的基板w 的處理產生不均的問題。因此可根據水分蒸發量減少在電 鍍處理後利用前述喷霧喷嘴723對基板被處理面喷淋的純 315249(修正版) 70 1313894 3釋對於蒸發量不足的水分必須藉由電錄液濃 又 、 補充至電鍍液供給用槽39!。此外，電鍍 係藉由以反向器1Ν°旋轉驅動…。授： :心：用，391内的電鍍液Q ’使電鍍 溫 濃度能夠達到均勻。 χ 在電鍍處理巾，去除基板處料基板表面的氣泡，是 =穩定的電㈣所不可或缺的步驟，但另—方面將存在 於β·鍵液中之溶解氧量控制在適當的範圍，在電鍵處理中 也是一個重要的課題。因此’在從電鍍液供給用槽391至 广處理槽710至電鍍液供給用槽391的循環路 徑中’设有防止氣泡溶入電鍍液供給用槽391内之電鍍液 的氣泡溶入防止都。女Bri ,.,,,, 亦P，使例如在將溢流至處理槽71 〇 外周溝715之電錢液導入至電鑛液供給用槽的配管 413之電鍍液供給用# 391的端部，如第μ圖c所示稍微 傾斜，並將管路内的流速設定在〇 3一以下，如此即可 防止電鑛液流入電鍍液供給用槽391内之電鑛液㈣，因 衝擊而產生的氣泡溶入。 如第29圖B所不，在配管4 j 3指定位置設置排出氣 ’包用開:部415 ’藉此即可將在配管413内與電艘液同時 /狀動的氣在由該開π部4! 5排出，或是如第29圖a所示， 在配管413前端以縱向分割之方式設置複數條的排氣泡用 開縫417 ’藉此使配管413内與電鐘液同時流動之氣泡由 開縫41 7排出。 第 圖A係.在前清洗單元240、第1前處理單元 315249(修正版) 71 1313894 32〇、第2前處理單元34〇或是電鍍處理單元36〇的至少一 個裝置中，顯示設置於其供給使用液體之供給線42丨之取 樣口 420的正視圖，第30圖B為取樣口 420之斜視圖。 如第3〇® A以及第30圖輯示’取樣口 42〇係在液體供 給f (具體來說，為前清洗單元240的清洗液供給線、第 1前處理單元32〇的清洗液供給線、第2前處理單元34〇 :處理液供給線、或是電鍍處理單元36〇的電鍍液處理線 當中至少一條供給線）421安裝閥門423,藉由操作閥門 423’從流動於供給線421的液體中取出一定量至採取用瓶 425,以進行液體成分等的分析。計算此時的採樣量（舉例 來說：各裝置240、320、340、380内的液體量—採取量= 補充置），藉由另外設置的液體補充裝置，將與採樣量相當 的液體補充至各裝置240、32〇、34〇、36〇。 第31圖A係：在前清洗單元24〇、第i前處理單元 320、第2前處理單元3 4〇或是電鍍處理單元36〇中的至少 一個裝置中，顯示設置於提供液體以供使用之液體供給線 421之過濾态430-1、430-2之斜視圖，第31圖B為配管 圖如第31圖A以及第31圖B所示，2個過濾器43 0-1、 430-2係並聯5又置於各裝置24〇、32〇、34〇、360之外部。 在液體供給線（具體來說，為前清洗單元24〇的清洗液供 2線、第1前處理單元320的清洗液供給線、第2前處理 單元340的處理液供給線、或是電鍍處理單元的電鍍 液處理線中的至少—條供給線）上，以丰聯方式連接2台 過濾器430-1、430-2與閥門431，此外惰性氣體供給線 72 315249(修正版) 1313894 440'純水供給線445以及廢液排出線450等亦以並聯方式 與2台過濾器430-1 ' 430-2相連接。 在各線440、445、450中，分別安裝有閥門料卜442、 446、447、448、451、452。藉由串聯連接複數台的過渡器 430-1、430-2，即可確實進行液體的過濾。對於過遽器 43 0-1、43 0-2的配列，例如在無電解電鍍裝置中，為防止 配線間產生短路’進行確實之液體過濾也是相當重要，以 愈接近使用點的過濾器其過濾精密度愈越高者為佳（第3丄 圖中為過濾器430-1 )，但至少應設置具有同樣過濾精密度 的過濾器43 0-1、43 0-2。此外過濾器43 0-1、43 0-2係在使 用純水供給線445與廢液排出線450進行沖洗的同時，係 藉由使用惰性氣體供給線440形成可進行惰性氣體淨化之 電路，藉此達到在維修時防止藥液自過濾器“Ο」、43〇_2 流出之保障作業的安全性。此外過濾器如果有3個以上當 然效果更佳。 在第9圖所示之前處理單元5〇〇中，在設置喷霧喷嘴 520的容器510上部設置基板固定壓頭56〇，由喷霧喷嘴 ，進行處理⑨（第i處理液）的噴霧，藉此進行保持於 基板固定壓頭560之基板W的下面處理，但是㈣處理的 内容不同，取代設置具有上述之喷霧噴嘴520的容器510, 第5圖所示可6又置内部儲存有處理液之處理槽 特別是在使催化劑附著之第i前處理單元，為使催 化劑確實且均勻地附著，係以使用可使基板w浸潰於處理 液之處理槽71 〇較為理想。 315249(修正版) 73 1313894 為了在上述步驟中進行穩定之處理，與電鍛處理情形 相同，必須排除進行處理時產生於基板…之被處理面的氣 泡。因此在使用與處理槽710相同構造之處理槽之前處理 單元時，肖電鍍處理單元360相同地，最好在基板固定壓 頭560上設置傾斜機構，並如第32圖所示，在傾斜的狀態 下旋轉（箭號D)基板W使基板|約6〇%的部分浸潰於 處理液，而將氣泡群從未受浸潰的領域排出至外部。 此外，也可藉由抽氣機（空氣吸引機）等，從未浸潰 的領域強制排除空氣。再者，亦可藉由在處理槽71〇内的 所希望位置6又置複數個未顯示於圖中之循環噴嘴，如第3 2 圖所不，在前號C所顯不之方向（由傾斜基板界被處理面 的深往淺方向，也就是氣泡排出方向）形成處理液的流動， 以排除滯留於被處理面上的氣泡群。此時處理液的液面係 如虛線所示會產生上升的現象，而得以有效地排除氣泡 群。此外，為使氣泡群能順利排除至外部，也可在基板固 定壓頭560的外周下面依直徑方向切割出氣泡的逸退溝 562 〇 接著，說明第2圖所示之基板處理裝置〗整體的動作。 首先’藉由第1載運基板機器人13〇從裝載於裝載口 ιι〇 的基板E取出基板W。取出的基板w係在傳送至第丨反轉 機150進行反轉且被處理面被轉向至下侧後，利用第^載 運基板機器人130放置於基板暫置台210的下段暫置么 219 (參照第8圖A以及第8圖C)。 接著’藉由第2載運基板機器人230將該基板冒載運 315249(修正版) 74 1313894 至前清洗單元240’在前清洗單元24〇進行前清洗（前清 洗處理步驟）。完成前清洗的基板W係藉由第3載運基板 機器人310移送至第1前處理單元32〇β在此，前處二單 元240係設置於：分別設置於清洗區2〇〇與電鍍處理區3〇〇 的载運基板機器人23 0、3 10的機械手能從其左右接觸進行 基板w收付的位置。之後移送至第i前處理單元32〇的基 板W，係在第1前處理單元32〇中進行第1前處理（第工 前處理步驟）。 結束第1前處理的基板W係藉由第3載運基板機器人 3 10移送至第2前處理單元340，在第2前處理單元34〇 進行第2前處理（第2前處理步驟）。結束第2前處理的基 板W係藉由第3載運基板機器人31〇移送至電鍍處理單元 360 ’以進行電鍍處理。 送至結束電鍍處理之基板W係藉由第3載運基板機器人移 ^ ^2>反轉機並進行反轉後，再藉由第2載運基板機器 後，^移送至後清洗單元260的第1清洗部270進行清洗 290 由、f 2載運基板機器人230移送至第2清洗乾燥部 利用第^ ^洗、乾燥。之後完成清洗、乾燥的基板W，係 段暫置:栽運基板機器人230暫放於基板暫置台210的上 裝載於# 217後，再藉由第1載運基板機器人BO收納在 ";裝栽口 110之基板匣中。 第 3 3 、 1 -2之整圖為顯示本發明其他實施形態中基板處理裝置 體概略俯視圖。第33圖所示之基板處理裝置1_2 * 興前彳水给 弟2圖所示基板處理裝置丨相同或是相當的部 315249(修正版) 75 1313894 分係標記相同符號並省略其說明。第33圖所示之基板處理 裝置1 2與苐2圖所示之基板處理裝置1之相異處在於： 只設定一組設置於清洗區2〇〇之後清洗單元26〇，取而代 之°又置藥液供給單元9 0 0，以及分別減少設置於電鍍處理 區3〇〇内的第！前處理單元320、第2前處理單元34〇以 及電鍍處理單元360的台數，而設置藥液供給單元9〇2。 上述之藥液供給單元900、902係將藥液（原液）稀釋 為使用濃度後再將其供給至各裝置之裝置，藥液供給單元 9〇〇係用以分別提供清洗區2〇〇内之前清洗單元24〇、第^ 清洗部270以及第2清洗部29〇所使用的藥液，而藥液供 給單元902係用以分別供給電鍍處理區3〇〇内之第工前處 理單το 3 20、第2前處理單元34〇以及電鍍處理單元36〇 所使用之藥液。 如上所述，在基板處理裝置丨_2内設置藥液供給單元 900、902以作為單元，藉此即不需另行配設藥液供給單 兀，而達到整體系統小型化之目的。此外，亦可從工廠生 產線等直接供給該基板處理裝置1-2所需之藥液（原液）。 如以上詳細之說明，根據本發明，不但可確實進行各種 高品質的基板處理，亦可達到裝置整體之小型化與裝置成 本之低價化的目的。 第34圖A係顯不適用於電鍍處理單元之本發明之其 他實施形態之基板處理裝置的侧視圖，第34圖=為第 圖A之概略侧剖視圖。如第34圖A以及第34圖B所示， 電鍍處理單元（基板處理襞置）係具備：在内部儲存電鍍 315249(修正版) 76 1313894 液（處理液）〇、、 住處理槽9 ! Q、進仃基板W β潰處理之處理槽9 1 ο :封 汗口部9 11的蓋構件9 4 〇 ;安梦於定冰 上面之噴霧噴 旰940’女衣於盍構件94〇 、霄（處理液噴射部）960 .蜓叙r 0 ±± 件940之驅動施槐n · ) 960，驅動（疑轉）蓋構 使基板保持裝 70，保持基板W之基板保持裝置980 ; 第12圖980整體升降’且與前述第^圖A以及 τ之裝置具有相同構成之美杯彳單姓壯 機構600 ;循+ 再成之基扳保持裝置升降 傾％處理槽91 0内之雷蚀、* n AA忐 置390。以下缸 u内之電鍍液Q的處理液循環裝 裝置升降機構2各構造部分進行說明。此外，基板保持 圖B ’因為構造與前述第12圖A以及第12 片 相冋，在此省略其說明。 第mV:圖為處理槽91°的放大剖視圖。如第35圖以及 所不，處理槽910係具備：儲存電 容 器形狀之處理样太駚〇1〇 ^ 灰谷 々 a本體9Π ;設置於構成處理槽本體913外 周之第1# 93G之外周，用以回收溢流於第1槽930外周 邊緣^端邊之緣部93 1上的電鑛液Q的回收溝（溢流溝） 91 5 ’ ί衣繞回收溝9丨5之外周以筒狀方式朝上方突出之覆蓋 部917 ;設置於處理槽本體913内部的上部與下部，且在 處理槽本體913 β部形成均勻的電鍍液q流動之整流板 937 939，具有比第1槽930内徑小的外徑，且設置於第 1槽930内側使其與該第i槽93〇成為雙重環狀之第2槽 941。在處理槽本體913的底面中央設置有電鍍液供給口 921 ° 整流板937、939係藉由在圓形平板設置多數小貫穿孔 9 3 7 a、9 3 9 a ’使電錢液供給口 9 2 1所提供之電錢液q得以 77 315249(修正版) 1313894 朝上方以相同的流速流動於各處。第2槽941係突出固定 於整流板93 7上方，其上端邊之緣部943的高度比第1槽 930邊緣部93丨的高度稍低，且緣部943的直徑尺寸比第1 槽930的緣部931小。此外，在比整流板937之第2槽941 更外側的部分設置貫穿孔937a，藉此使電鍍液Q全部通過 第2槽941之内側。 回到第34圖A，處理液循環處理裝置39〇係將溢流至 處理槽910之回收溝915的電鍍液Q藉由配管送回供給槽 391 ’並藉由泵P將儲存於供給槽391内的電鍍液供給至 處理槽本體9 1 3之電鍍液供給口 92 1，使電鍍液Q進行循 裒彳’、給槽391中設置有：使提供給處理槽91〇内的電鍵 液Q的度維持在預定溫度之加熱器393。 蓋構件940係由可封住處理槽91〇之開口部911大小 之板材所構成’其兩側面安裝有板狀懸臂部945，而其前 端附近部分則以可自由轉動之方式支撐於設置於處理槽 910兩側部分的軸承部947。懸臂部945的前端係固定於驅 動機構970的連結懸臂975之前端。 、務喷嘴960係以朝上之方式在蓋構件94〇上安裝 數個噴㈣。在本實施形態中，噴嘴⑹會朝正上方 行β洗液（純水）的喷霧處理。 :驅動機構970係具備：蓋構件旋轉用汽缸971;連 於盍構件旋轉用今主 得用^虹971之活塞之桿973 ;以可自由 之方式連接於桿97 7 j.. 、 3的刚知之連結懸臂975。蓋構件旋 用汽紅9 7 1的下独如 4你以可自由轉動之方式軸承於固定 315249(修正版) 78 1313894 襌件。 弟36圖A為顯示基板保持裝置98〇 達5 80部分夕、 及其方疋轉用馬 刀之概略側剖視圖，第36圖B 、 分放大圖。如第36円 .、、、苐30圖A的部 開口，並在側=有二：，基板保持…。在下方 構件985。箱體983^1之相體983内部設置有推屋 相體983與旋轉用馬達58〇之 連接。推壓構件+ 甲二輪出軸987 稱件985係在其令央與轴989的下嫂'44立 轴989通過輪屮u A 的下知連接’此 ^過輪出軸987内部的中空部分而向上方％ 突出部係以可自由榦動之古彳红 上方犬出，該 987夕^ #動 式轴承於軸承部99卜輪出轴 W之中空部分與軸989之間 』出軸 但鈾~re 3由化鍵肷合同時旋轉， -軸9可獨立於輸出軸㈣進行上下移動。 在箱體9 8 3下端，設有向内側 # 93在基板保持# 993的内周側上部 板W並進行密封之環狀的 Μ放置基 ^ ^ 再仟995。在基板保持部993 下面，如弟37圖所示，自中心朝 W平田射狀方向（法綠f A、 設有複數條逸退溝994 »箱體983的π ^ β 肢8 j的外徑係如第35圖所示 比緣部93 1的内徑小，為幾乎 戍卞j封住處理槽本體913之開 :的大小形狀。另一方面，推壓構件985係在圓板狀之支 h州的下面外周安裂有基板固定環999。在基板固定 ί衣999的下面外周，則設置有向 卜方突出的推壓部999a。 軸承部9 9 1係固定於可#马· ^ 7 疋J使°亥軸承手段991上下移動之 汽缸機構577的桿部578上（參照第12圖a以及第_ 本身係固定於放置前述旋轉用馬達 580等的安裝台579上（參照第12圖A以及第12圖B)。 315249(修正版) 79 1313894 "接著’說明該電鑛處理單^(基板處理裝置）的動作。 百先如弟34圖Α以及第34圖Β所示，基板保持裝置_ 上升至處理槽910的上方’如第㈣Β中虛線所示，在 2板保持裝置980内部將推壓構件985設定為已上升的狀 悲。之後，藉由第3載運基板機器人31〇的真空臂或 339 (參照第5圖Α至第5圖c)將保持在面朝下狀態的 基板^自箱則壁之開口 981插入，並解除其真空吸 附’措此將基板W放置於具有比基板w外徑小數麗之 直控的環狀的密封構件995上。接著藉由驅動汽缸機構 使推壓構件985下降，如此即可如㈣圖B實線所示， 使推壓構件985之基板固定環999的推壓部999a推麼基板 W的上面外周，而將基板W的下面（亦即被處理面）的外 周往密封構件995推屋，以固定基板w。同時，密封構件 995亦具備有可防止電鍍液流入至基板w背面（上面）之 密封功能。 在處理槽910中’藉由驅動第34圖所示之泵’由電鍍 液供給口 92丨提供電鍍液Q使其循環於處理槽91〇内後， 使電鐘液溢流於第i槽93〇的外周上端邊的緣部931，之 後將其回收至回收溝915再回到供給槽。此時之處理 槽内9 1 0内的％鑛液的流動狀態係如帛3 8 _ A、第3 8圖 B所不此外，在第3 8圖A、第3 8圖B十，係顯示基板 保持名置98G下降浸潰於電鍍液Q前的狀態。如第38圖 A、第38圖B所示’電鑛液Q係以由電錄液供給口 921 朝上方之方式供給，並通過整流板州，藉此使電 80 315249(修正版) 1313894 锻液Q各部的流動均一化後，通過第2槽941的緣部943 的上部使電鍍液溢流於第i槽93〇的緣部931，之後再將 其回收至回收溝9 1 5。 接著，藉由驅動升降用馬達661 (參照第12圖， 如第39圖A以及第39B圖所示，在水平保持基板w的狀 態下使基板保持裝置980下降，將其下面（被處理面）浸 潰於電鍍液中，接著再將基板保持裝置98〇下降至比下述 之基板處理位置（第40圖A以及4〇圖B所示之位置）更 低的位置，使基板w的被處理面接近第2槽941的緣部 943，在基板W的被處理面的外周附近與緣部943之間形 成狹窄（間隙程度約lmm的程度）圓周狀的開縫。藉此， 通過整流板937的電鍍液Q會通過該開缝，通過該開縫之 電鍍液Q的流速會增加而形成流動快速的電鍍液。 此時在位於保持基板保持裝置98〇的底面的基板w的 部分外周之基板保持部993的下面，如前所述因設置有複
數條呈放射狀的逸退溝994，故通過前述開縫之電鍍液Q 會通過該逸退溝994，得以順利地由基板保持裝置98〇的 底面完全地流出至外周方向。因此，如箭頭3所示，在基 板W的被處理面上，由被處理面的中央朝向外周方向沿著 破處理面朝基板W的外周方向，形成電鍍液Q的快速流 動體，當基板W下面的被處理面接觸電鍍液Q時，滯留 於該被處理面表面之氣泡得以藉由快速流動之電鍍液排 出。 亦即，在本實施形態中，為在浸潰於電鍍液Q之基板 81 315249(修正版) 1313894 w的被處理面的外周附近形成圓周狀的開縫，係以在處理 槽9H)設置圓周狀的緣部943之方式構成氣泡去除部藉 由使由基板W的被處理面的下方朝被處理面流動之電鍍 液通過該開縫，增加電艘液W被處理面上的流速，以去 除被處理面上之氣泡。 結束氣泡的排出後，藉由驅動升降用馬達661 (參照 第12B圖），使基板保持裂置98〇上升至第4〇b a以及第 40圖B所示之-般的基板處理位置，並使基板w的被處 理面與第2槽941的緣部943之間的空隙變寬，在使電鐘 液Q沿著基板W的被處理面流動的同時，進行一般的無 電解電鍍。在上述之基板處理位置中，基板w、緣部943 以及基板保持部993之間因保有充分的空陽:，而得以實現 電鍍液之穩定流動。 接著藉由驅動升降用馬達66丨（參照第i2a圖），將基 板保持裝置980上升至第34圖a以及第“圖B所示之位 置，藉由將其移動至比處理槽91〇更上方的位置以結束前 述無電解電^接著，II由驅動驅動機構97g，旋轉蓋構 件940’如第41圖A以及第41圖β所示，封住處理槽91〇 的開口部911。之後，&固定於蓋構件94Q的上面,之喷霧 :嘴960的各個喷嘴963朝正上方噴霧清洗液（純水）以 /月洗基板W的處理面（電鍍面）。此時處理槽9丨〇的開口 I5 911因自盖構件94〇所覆i，因此不會有清洗液流入處 理槽910的問題發生，處理槽91〇内部的電鍍液q不會被 稀釋，電鍍液Q得以循環使用。此外，清洗基板w後之 315249(修正版) 82 1313894 -洗:夜係由未顯示於圖中之排水口排出至外部。 =上述之方式在結束基板％的清洗後，如第㈣ m，推壓構件985會上升，使第3載運基板機 :)由:〇的真空臂337咖參照第…乃至第5圖 相體983側壁的開口981插入内部而吸附基板w之 :再由前述開口 981取出至外部。接著將下一個尚 仃處理的基板w安裝於基板保持袭置98〇，再次進行 月|J述電鍍以及清洗步驟。 在上述之實施形態中，係將電鑛液Q儲存於處理槽 91〇以進行無電解電錄處理，但亦可藉由在處理槽91〇内 設置陽極，並使陰極電極與基板评連接之構成方式，進行 基板W之被處理面的電解電鍍。此外，除了將該基板處理 裝置作為電鍍處理單元使料，亦可將其作為進行其它藥 液處理（例如電鍍的前處理或後處理）之基板處理裝來利 用。此外，利用噴霧喷嘴960所進行之基板w的處理亦不 侷限於清洗液之清洗處理步驟，亦可進行其他各種藥液的 處理。 第42圖A係：顯示本發明之其他實施形態之基板處 理裝置（電鍍處理單元）的處理槽91〇_2與基板保持裝置 980之基板保持裝置980下降且基板w浸潰於電鍍液卩前 的狀態之概略剖視圖，第42圖B為放大顯示第42圖A之 處理槽910-2的第丨槽930的緣部931的附近部分之要部 放大概略剖視圖。如第42圖A以及第42圖B所示，在該 處理槽910-2中’係省略第38圖A以及第38圖B之第2 83 315249(修正版) 1313894 槽941，而以第i槽93〇進行第2槽9 〜丨用。因此，
在該處理槽91〇_2中，#將第1播A 甲係將弟1槽930的緣部931 設定為比基板W的外徑小，並在第i槽93〇的緣部gw = 基板W的背面的外周附近之間形成開缝。此外處理槽’、 910-2以外的各部分的構造係與第34圖A以及^ 圖b 所示之基板處理裝置的各部構造相同。 說明上述範例之基板處理裝置的動作。首先如第Μ 圖A以及第芯圖B所示，在處理槽91〇_2中， 第34圖所示之泵p，由電鍍液供給口 921提供電鍍液q， 並使其循環於處理槽910_2後，使電鍍液溢流於第上槽 的外周上端邊的緣部931。此時如第42圖B所示，電胃鍍液 Q的表面，因表面張力而上升至比緣部931的上端更上方 的方向。接著，使保持基板W之基板保持裝置98〇下降， 使基板W維持水平的狀態，由上方推壓使基板w浸潰於 電鍍液Q中，使基板|的被處理面（下面）接近第1槽 930的緣部931，如第43圖A以及第43圖B所示，在基 板w的被處理面的外周附近與緣部93丨之間形成狹窄（間 隙程度約lmm的程度）圓周狀的開縫。藉此，通過整流板 937的電鍍液Q會通過該開縫，通過該開縫之電鍍液〇的 流速會增加而形成流動快速的電錄液。 此時在位於保持基板保持裝置9 8 0的底面的基板w的 4为外周之基板保持部9 9 3的下面，因設置有複數條呈放 射狀的逸退溝994 ’故通過前述開縫之電鍍液q會通過該 逸退溝994，得以順利地由基板保持裝置98〇的底面完全 84 315249(修正版) 1313894 地流出至外周方向。因此’如箭頭c所示，在基板w的被 處理面上’由被處理面的中央朝向外周方向沿著被處理面 朝基板的外周方向，形成電鍍液Q的快速流動體，當基板 W^F面的被處理面接觸電鍍液Q時，滯留於被處理面表面 之氣泡彳于以藉由快速流動之電鍍液排出。 在本實施形態中，為在浸潰於電鍍液Q之基板冒的 被處理面的外周附近形成圓周狀的開縫，而以在處理槽 91 〇 - 2設置圓周狀的緣部9 4 3之方式構成氣泡去除部 ，使由基板W的被處理面的下方朝被處理面流動之電鍍液 Q通過該開縫，藉此增加電鍍液Q在被處理面上的流速， 以去除被處理面上之氣泡。 結束氣泡的排出後，由第43圖A以及第43圖b所示 之狀態，使基板保持裝置980微微上升，將基板w的被處 理面與緣部931之間的空隙變寬，在使電鍍液Q流動於基 板W的被處理面流動的同時，進行一般的無電解電鍍。 接著，使基板保持裝置980上升（參照第34圖a以 及第34圖B)，藉由將其移動至比處理槽91〇_2更上方的 位置以結束前述無電解電鍍。以下之步驟因與前述實施形 態相同故省略其說明。 如以上之詳細說明，根據本發明，即使在基板水平浸 潰於處理液的狀態下，亦可輕易地去除滯留於基板的被處 理面上之氣泡。
第44圖A為顯示適用於各種前處理單元之本發明之 又一之其他實施形態之基板處理裝置之側視圖，第44圖B 85 315249(修正版) 1313894 為弟44圖A之概略側剖視圖。如第 B 』士 圖A以及第44圖 β所不，基板處理裝置（前處理單元） 邱# f 士 構成係具備：内
#儲存有處理液（第】前處理液）Q ^ 堪仃基板W的浸潰 處理之處理槽10〗0;封住處理槽1〇1〇 、 m /iL 97閉口部1 Ο 11之蓋 構件】040，·安裝於蓋構件1040上面 Φ Λ 賀霧贺嘴C處理液 噴射。㈠觀，·驅動（旋轉）該蓋構件1〇4〇之驅動機構 7〇 ’保持基板…之基板保持裝置1〇8〇;轉動、以 ，升降基板保持裝置1080整體之基板保持裝置驅動部 1600，使處理槽1〇1〇内的處理 iatjkR 1/lcn V運仃循％之處理液循 %部ICO。以下說明各構成部分。 第45圖為處理们〇1〇的放大剖視圖。如第c圖以及 第44圖B所示，處理槽1〇1〇係具備：儲存電錢液q之容 器形狀的處理槽本體1013 ;用以回收溢流於處理槽本體 則之外周邊緣上端邊之電鍍液Μ㈣溝（溢流溝） 1015’環繞回收溝1015外周以筒狀方式朝上方突出之覆蓋 部設置於處理槽本體1G13内部，用以使處理槽本 體1〇13内部形成均勻之電鍍液Q流動的整流板1〇37。在 處理槽本體二13的底面中央設有電錢液供給口 ι〇2ΐ。整 流板1 037係藉由在圓形平板上設置多數的小貫穿孔 1037a，使電鍍液供給口 1G21所提供之電鍍液q得以朝上 方以相同的流速流動於久邱汾。aL . ^ 莉谷邛伤。此外，在處理槽主體1013 的上4内周侧面，叹置將儲存於處理槽主體⑻3内的處理 液Q朝處理槽本體1013之中央方向之斜上方喷射的處理 液供給喷嘴（處理液供給部）1 〇 3 9。 315249(修正版) 86 1313894 ^回到第44圖A以及苐44圖B，處理液循環部145〇 係將溢流至處理槽的回收溝1()15的電鑛液q藉由配 官輸送至供給槽】451，並藉由泵P將储存於供給槽“Η 之電鍍液Q供給至處理槽本豸1〇13之電链液供給口 使電鍍液Q進行循環。亦即’在該基板處理裝置中，噔常 由處理槽的底部提供處理液使其循環於處理槽 後’藉由設置於處理槽1〇1〇外周部之回收溝ι〇ι二收溢 流之液體，並將該處理液回收至供給槽ΐ45ι。 蓋體材1040係由可封住處理槽1〇1〇之開口部 大小之板材所構成’其兩側面安裝有板狀懸臂部 其前端附近部分則以可自由轉動之方式支撑於設置在處理 ，1〇1〇兩側部分的軸承部购。懸臂部⑽的前端係固 定於驅動機構1070的連結懸臂1〇75前端。 噴霧喷嘴1060係以朝上之方式在蓋體材ι〇4〇 :數個噴嘴1063。在本實施形態中，噴嘴"Μ係朝、 方進行清洗液（純水）的噴霧。 驅動機構1070係具備：蓋構件旋轉用汽缸1〇7 妾於盖構件旋轉用汽缸1071的活塞之桿1〇73;以可自由 轉動之方式連接於桿1073的前端之連結懸 件旌艘—々 心 5。盖構 牛紋轉用971的下端部係以可 固定側構件。 得勤之方式軸承於 基板保持以驅動部咖係、由：&轉驅動基板保持裝 置1080之旋轉用馬達1400 ;搖 ' 盥铪，松 双你符裝置1080，且
，、刖达第22圖A以及第22圖B <展置具有相同構成 315249(修正版) 87 1313894 之傾斜機構8 11 1831所構成。 使基板保持裝置 1080升降之升降機構 第46圖A為顯示基板保持裝置108〇以 達疋轉用馬 的4刀之概略側剖視圖，第46 的部分放大圖。如第46圖A所干，…姓為第46圖A 下方Spq 所不基板保持裝置1080在 口狀且在側壁具有開口 _之箱體 置，構件_。箱體1083係與以飼服馬達 ？ 疋轉用馬達（旋轉部）丨4〇〇 掩廒摄a 町甲二輸出軸1087相連接。 推[構件咖係在其中央安裝有軸刪 i〇89通過輪出舳inS7由加& + 下^ 該轴 秭出軸1087内部的中空部分並向上 突出端係以可自由韓動之方± πχ 於軸承部加。輸出軸 的中玉部分與軸丨089之間，可藉 的細人门± J猎由化鍵嵌合與軸承 的組合同時進行旋轉，但軸1089可獨立於輪出車“〇 行上下移動。 史 ^箱體刚之下端，設有向内側突出之環狀基板保持 ° ，在基板保持部1 093的内周側上部，安裝有放置 基板W並進行密封之環狀密封構件则。在基板保持部 1093下面’如第47圖所示’自中心朝輕射方向（法線方 向）設有複數條逸退溝1094。箱體1〇83的外徑係比第45 圖所示之處理槽主體1〇13的上部的内徑小，並構成幾乎可 封住處理槽本體丨〇丨3之開口大小的形狀。 另一方面，在第46圖A以及第46圖B中推壓構件 1085之構成係在圓板狀支持器1〇97的下面外周安裝有 内部具有收納部i 098之基板固定環！ 〇99，並在收納部咖 315249(修正版) 88 1313894 内藉由彈簧198卜在其下方收納環狀的推壓件1983，使推 壓件1983的押壓部1985由設在基板固定環1〇99下面的孔 中突出。軸承部1091係連接於可使該軸承部ι〇9ΐ上下移 動之上下驅動機構1911，此外，該上下驅動機構1911本 身係固定於載置前述旋轉用馬達！彻等安裳台ι9ΐ5側的 構件。此外，押壓構件1G85係藉由驅動上下驅動機構 1川’對箱體聰等進行獨立的上下移動。此外，箱體 ion係利用旋轉用馬達14〇〇進行旋轉驅動。 第44WA以及第44圖B所示之升降機構則，係 可使傾斜機構811進行上下移動之機構。此外，安裝 ::機構咖以及旋轉用馬達14〇。等之安裝台i9i二 翻·構川整體可藉由驅動升降機構朗進行上下移動。 :上下方向移動之移動量可藉由升降機構ΐ83ι來控 _，係在使由基板保持=二及升降機構 處理面傾斜的狀態下，使基板接㈣理 2 置驅動部16GG。此外，構成*、+、其^ Q基板保持裝 , 構成則这基板保持裝置驅動部1600 :升降機構1831係接液領域調節部， 斜之基板W之被處理面接觸的領域設定為^將與傾 的範圍進行調節之構成。 _ 100% 接著說明該基板處理裝置（前處理單元） ，如弟44圖A以及第44圖 百 j-.. 所不使基板保持裝置10 上升到處理槽1010的上方， ^ h 弟 圖A以及第46 m 所不—般，設定成在基板保持 圖 子衷置1080之内部使推壓構 315249(修正版) 89 1313894 刪上升的狀態。然後’藉由第3基板搬送機器人3i〇之 真空臂337以及339(參照第5圖A乃至第5圖〇,將保 持在面朝下狀態下的基板w，由箱體1〇83側壁之開口 ι〇8ΐ 插順，再解除其真空吸附，藉此，以將基板W載置於 外控比基板W之外徑小數mm之環狀密封構件⑽$上。 接著’藉由驅動汽紅機構19U ’在推壓構件⑽5下降後， 如第48圖所示-般’利用推壓構件1〇85之基板固定環 刪之推壓部1985推壓基板w之上面外周，使基板〜之 下面(亦即處理面)之外周推押於密封構件1〇95,以固定基 板W。在此同時密封構件测亦可發揮防止處理液流入 基板W之背面（上面）的密封功能。 夺在處理槽1 0 1 0中，係藉由驅動第44圖B所示 之泵p，得以形成以下循環：亦即由處理液供給口 1〇21供 給處理液Q使之在處理槽1〇1〇内循環後，溢流於處理槽 1010之外周緣上端邊1031，並回收到回收溝1015後再返 回供給槽145 1。 ^接著，驅動壓頭傾斜用汽缸817(參照第22圖A以及 弟22圖B)，一體搖動安裝台1915與基板保持裝置1〇8〇， 使2板保持裝置1〇8〇所保持之基板w由水平位置傾斜成 預疋角度，接著驅動第46圖A所示之旋轉用馬達1 4〇〇， ^方疋轉基板保持裝置l080與基板W。然後藉由驅動第料 圖A ^及第44圖B所示之升降機構！ 83 !，使傾斜之基板 保持裝置1080直接下降並浸潰於處理槽ι〇ι〇之處理液ρ 夺的/文 >貝狀態係如第49圖所示。如第49圖所示一 90 315249(修正版) 1313894 般基板W並非全部而只有一部分浸潰於處理液Q中。基 板接液範圍（面積）只要超過基板W整體面積50%即可，但 以超過60%為佳。此外’基板w的接液範圍，可藉由升 降機構1 83 1任意設定。此時基板w係處於旋轉狀態。如 所述一般’藉由在基板W傾斜之狀態下且基板臀之被處 理面僅部分受到浸潰下進行處理，基板W下面的被處理面 可反覆接液與離液的動作。 此時’基板W之被處理面上的氣泡，可藉由被處理面 之傾斜由深部往淺部自然排出（該作用對於浸潰基板w時 滞留於被處理面上之氣泡或附著於浸潰後之氣泡皆相 同）。此外在本實施形態中，萬一在處理液Q中氣泡仍然 附著於傾斜之基板w的被處理面上時（亦即只有在前述之 傾斜下無法去除的氣泡），亦可藉由基板W之旋轉，在離 液到接液之間使之與外部空氣接觸，而將氣泡排除。此外 在本實施形態中，係在基板保持裝置丨080之下部外周朝著 法線方向形成複數個逸退溝1094，因此將基板w浸潰於 處理液Q時，可使原本滯留於基板w下面的空氣順利地 逸出，因此不僅不會妨礙處理液Q的流動，還會形成由前 述基板W之被處理面上排出之氣泡的排出路徑。 此外在本實施形態中，在進行基板W之接液處理時， 係藉由第45圖所不之處理液供給噴嘴丨〇3 9 ,使滯留於處 槽本體1013内的處理液q得以從處理液供給噴嘴ION 的邛刀朝著處理槽本體1〇13的中央方向往斜上方噴射，並 藉此在該噴射方向形成處理液卩的流動。該處理液卩之流 91 315249(修正版) 1313894 動的方向係叹疋成沿著浸潰於處理液Q之基板w傾斜 之被處理面的方向，藉此，可如第50圖之箭頭C所示一 般’沿著基板W之被處理面的傾斜而形成由深側往淺側流 動之處理液Q的流動。亦即朝著基板w之離液側形成處 理液Q之流動，藉此，可使處理液Q中的基板w的被處 理面上的氣泡群，往基板w之離液領域之空間流出，並進 一步確實地排出至大氣中。 如第5 1圖所示之實施形態，在基板W之離液領域空 間中配置抽氣機1570等抽吸裝置，即可將滞留於基板w 之背處理面與處理液q之間（離液領域）的空氣強制性地排 出至外部，而順利完成基板W之被處理面的接液。 士上所述’藉由使處理液Q與基板W之被處理面接 觸一定之時間以進行電鍍之第丨前處理後，藉由驅動升降 機構1831使基板保持裝置1〇8〇上升至第44圖以及第 斤示之位置以L束第1别處理，在此同時藉由驅動傾斜機 構8 11，使基板保持裝置1 〇 8 〇回復到水平狀態。接著，藉 由驅動驅動機構1070 ,使蓋構件1〇4〇旋轉，並如第52圖 所不一般將處理嘈1010之開口部1〇11塞住。接著，由固 定在蓋構件1040上面的噴霧喷嘴1060的各個噴嘴1〇63 朝正上方喷霧洗淨液（純水）以清洗基版w之被處理面。此 時，處理槽1〇1〇的開口部1011係由蓋構件1〇4〇所覆蓋， 口此洗淨’夜無法進入到處理槽1 0 1 〇内，且處理槽1 〇 1 〇内 之處理液Q不會被稀釋，而得以循環使用處理液Q。 此外’洗淨基板w後的洗淨液係由無圖示之排水口排 315249(修正版) 92 1313894 出。依照上述方法結束基板w之洗淨處理後，如第46圖 B所π 一般，推壓部1〇85會上升’並將第3載運基板機器 人^1〇之真空臂337或339(參照第5圖A乃至第5圖c) 由箱，1083側壁開σ 1〇81插人’以吸附基板w背面中央 ，由剛述開口 1〇81取出到外部。㈣將下—未處理基板^ 安裝在基板保持裝置1〇8〇，並再度進行前述第i前處理以 及洗淨步驟。 此外，在上述貫施形態中，係在處理槽丨〇丨〇中儲存第 1二處理液以進行第丨前處理，但亦可在處理槽ι〇ι〇内儲 存第2前處理液以進行第2前處理。&外，除了將該基板 處理裝置作為電鑛之前處理單元使用彳，亦可將其作為進 二其他藥液處理的基板處理裝置使用。另彳，利用嗔霧喷 觜1 060所進行之基板w的處理，並不限於利用洗淨液之 洗淨處理步驟’亦可用在其他各種藥液處理上。此外，適 用本發明之基板處理裝置，並未限定於上述構造之基板處 理裝置，例如亦可適用於在上下位置以外之其他場進行利 用刖處理液之接液處理與洗淨處理之構造的基板處理裝 置。 在上述實施形態中，係構成使保持在基板保持裝置
1080之基板W的被處理面呈傾斜的狀態下進行處理液Q 之接液處理，但本發明同樣適用於：在使保持於基板保持 裝置1080之基板W的被處理面傾斜的狀態下使之與處理 液Q接觸後，再使處理面維持水平α進行接液處理的基板 處理裝置。 93 315249(修正版) 1313894 亦P I第44圖A以及第44圖B所示之基 置中，係藉由傾斜機構川使保持未處理之基板”」 保持裝置⑽〇由水平位置傾斜預定角度，接著在利用ς 用馬達剛使基板保持裝置刪與基板w保持旋 態下，藉由升降機構831使基板保持裝置1〇8〇直接在 狀態下下降並浸潰於處理槽1010之處理液q中，使之與 基板w之被處理面接觸。接著，藉由傾斜機構811使基板 保持裝置1080以及基板W的被處理面回復到水平狀離， 並在水平狀態下進行基板W之被處理面的接液處理。如上 所述完成接液處理後，藉由驅動升降機構83丨使基板保持 裝置1080上升到第44圖a以及第扨圖b所示的位置並 結束接液處理，再藉由驅動驅動機構1〇7〇使蓋構件丨〇仂 旋轉以封住處理槽1010的開口部1〇u。以下的洗淨步驟 與前述實施形態相同故省略其說明。 然後，在進行上述基板w之接液時，如第44圖所示一 般，在基板保持裝置1〇80之底面保持基板w的部分的外 周，使基板W在傾斜的狀態下與處理液Q接觸後再使之 回復到水平狀態時，因設有可使滯留於基板W之被處理面 與處理液Q之間的空氣排出的逸退溝i 〇94，因此可使該空 氣順利地排出到外部，同時可使基板w在回復到水平後不 會在基板w之被處理面上殘留氣泡，而得以在基板w之 被處理面上進行順利之接液處理。 同樣地’如第45圖所示’在使基板w接觸處理液時， 預先s又置沿著基板W之被處理面之傾斜形成有由深側至 94 315249(修正版) 1313894 淺側之處理液Q之流動的處理液供給噴嘴(處理液供紙 部）1039的話，如第50圖所示，朝 、、σ 士老* 基板W之離液側形成 :處理液Q之流動’藉此可使處理液Q中之基板…之被 處理面上的氣泡群流出至基板w之離液領域空間，且在美 板W呈水平狀態後，在基之被處理面上不 土 ，包，可順利進行基板W之被處理面的接液處理。 :樣地，如第51圖所示，在基板〜傾斜於處理液q 狀怎下接觸處理液Q後再回復到水平時，若設 滯留於基板W之被處理面與處理液Q之間的空氣並強制 性地將其排除的抽氣機157G等抽吸裝置的話，藉由在美板 W傾斜於處理液Q之狀態下接觸處理液。後，—面將二留 於基板W之被處理面與處理液Q之間的空氣強制性地排 除到外部-面使基板回復到水平’則在呈水平狀之基板的 破處理面與處理液Q之Μ會殘留氣泡，㈣以順利進行 基板W之被處理面的接液處理。 、如上所詳述，根據本發明，在進行基板與處理液之接 液處理時’不僅可輕易且4實地去除附著於基板被處理面 上的處理液中的氣泡，同時可藉此完成穩定且確實之處理 面的接液處理。 ' 第53圖Α係顯示使用在前處理單元或電鍍處理單元 等之各種裝置之本發明之實施形態的基板保持裝置2〇8〇 的概略。彳視圖，第53圖B為第53圖A的A部分放大圖。 如第53圖A所示，基板保持裝置2〇8〇具備有基板保持部 208丨與基板保持部驅動部2120。基板保持部2081係形成 315249(修正版) 95 1313894 在下面開放之大略圓筒狀的基板座2 Ο 8 3的内部收納大略 圓形之吸附頭2089的構造。基板座2083係由下端面朝内 側突設暫放基板W的暫放部2085，並在其外周側面設置 基板插入口 2 0 8 7。 第54圖係由下面側觀察吸附頭2089時的斜視圖。如 第54圖、第53圖Α以及第53圖Β所示，吸附頭2089， 係設置有：在内部設置真空供給線（真空兼氣體供給 線）2093之大略圓板狀之基部2091 ;在基部2091下面安裳 成環狀之基板吸附部2095;安裝於環狀之基板吸附部2〇95 内側的推壓件2 1 00 ;由貫通前述基部2〇9 1之開口所形成 之通氣部2099。 基板吸附部2095係由密封材（例如橡膠材料等）所形 成，其具有：可藉由使其前端由基部2091之下面突出，而 將與基部2091相抵接之下記基板W的背面吸附成環狀， 並防止電鍵液侵入基板背面（藉由基板吸附部2〇95形成環 狀密封之内側部分）的密封功能。亦即，係構成在基板吸附 部2095之與基板W接觸的部分設置基板吸附溝（吸附及分 離用孔）2097，並藉由在此連接前述真空供給線2〇93，而 在該基板吸附溝2097中進行基板W之吸附以及分離。基 板吸附部2095的形狀並未受第53圖a以及第53圖B所 示之形狀限制，只要依照預定圓周寬度吸附成環狀者，任 何形狀均無妨。 推壓件2 1 00係藉由：在上面開放之圓筒箱型之箱體 2101内部所設置之收納部2103中，收納推壓件本體211〇 315249(修正版) 96 1313894 後，再藉由固定具2107將由盒體2101之外周突出的鍔部 2 1 05固定在基部209丨而構成。推壓件本體2丨丨〇係利用可 伸縮之彈性材（例如氟樹脂合成橡膠材料）所形成，並在形 成蛇腹狀之外周壁2111的前端，設置推壓部2113而構成。 此外，前述推壓部2113係以可自由進出之方式插入在設於 盒體2102的貫穿孔2109中。此時推壓部2113之下面位置 係位於比基板吸附部2095之下面位置略為上方處。 此外，藉由將真空供給線2093連接在推壓件本體211〇 的背面側’對真空供給線2093供給真空壓時，推壓件本體 2 11 0内部係形成真空狀態’而當推壓件本體2丨丨〇的外周 壁2111内縮且推壓部2113被拉入盒體21〇1内（如第53圖 B之狀態）’而使氣體供給到真空供給線2〇93時，推壓件 本體2110之外周壁2111會伸展而使推壓部2i13突出於盒 體2101外部（如第57圖之狀態）。 基板保持部驅動部2 12 0具備有：在其内部用以旋轉驅 動吸附頭2089的基板旋轉用馬達212K以及使基板座2〇83 往上下之預定位置（至少3個位置）驅動之基板座驅動用汽 缸2 1 23。吸附頭2089係藉由基板旋轉用馬達2丨2 }旋轉驅 動。而基板座2083係藉由基板座驅動用汽缸2123上下移 動。亦即’吸附頭2089只能旋轉而不能上下移動，而基板 座1 083則只能上下移動而無法旋轉。 接著’說明基板保持裝置2080之動作。首先如第53 圖A所示’在不使吸附頭2089旋轉的狀態下，將基板座 2083移到最下方的位置（基板交付位置），再藉由基板插入 315249(修正版) 97 1313894 口 2087將基板搬送臂2127所吸附之基板w插入基板座 208 3之内部，並藉由解除基板搬送臂2127的吸附將基板 W載置在暫放部2085上。此時，基板w之被處理面係朝 下。然後將基板搬送臂2 1 2 7由基板插入口 2 0 8 7中拔出。 接著’如第55圖A以及第55圖B所示，藉由使基板 座2083上升並使基板吸附部2095之前端抵接並推壓至基 板W之背面（上面）外周’而由基板吸附溝2〇97進行真空 吸引’藉此將基板W吸附在基板吸附部2095。此時，真 空力只會產生於與基板吸附部2095之基板W接觸之部分 内部的基板吸附溝2097中。以此時的基板座2083的位置 作為基板固定位置《藉此，由基板W之背面（被處理面與 相反側之面）的基板吸附部2095所包圍的部分，係藉由基 板吸附部2 0 9 5所形成的密封而與被處理面隔開。 如前述一般，藉由真空吸附基板W時，以往一般係使 用吸附頭’且吸附頭的内側整體係呈真空狀態，因此基板 W會由中心往外周部大幅彎曲，不僅造成無法進行均勻電 鑛處理等不良影響’同時也會導致基板W產生破損的情 形。 因此在本發明中，係藉由以環狀之小幅（直徑方向）的 密封帶吸附基板W的外周，以儘量縮小吸附寬度，而消除 其對基板w的影響（彎曲等）。具體而言，基板吸附部2〇95 的寬度十分狹窄’且基板吸附部2095與基板W接觸的部 分為從基板W外周至其内側5mm之間的部分。由於只有 基板W背面之外周部與基板吸附部2095接觸，因此可避 98 315249(修正版) 1313894 免進仃下述基板處理時之藥液溫度傳導到基板吸附部 2095之接觸面而造成溫度下降之情形。 接著’如第56圖A以及第56圖B所示，使基板座 2〇83略為下降（例如數mm)而將基板W從暫放部2〇85分 離:以此時的基板座2〇83的位置作為基板處理位置。在該 狀匕、下，使基板保持裝置2080整体下降，並將其浸潰於無 圖不之電鍍液中時，由於僅吸附保持基板w之背面，而得 以使基板W之被處理面以及其邊緣部份完全浸潰於電鍍 液中’並進行該處理。 基板W由於只有其背面受到吸附保持，因此即使侵潰 ;電鑛液Q中電錢液q在基板W上的流動l (參照第5 6 圖B)也不會叉到阻礙，而得以在整個被處理面上形成均勻 的電鍍液之流動。此外，隨著該電鍍液之流動，形成於基 板W之被處理面上的氣泡，或因電鍍而產生的氣泡可由基 板W之被處理面上朝上方排出。 藉此，可解決會對電鍍造成不良影響之不均勻流動或 氣泡的影響，而在包含邊緣的整個被處理面上進行均勻的 電鍍。此外，基板W背面之環狀真空吸附部分的内側係 藉由基板吸附部2 0 9 5所形成之密封而與被處理面分隔’因 此可避免處理液侵入基板W背面之基板吸附部2〇95的内 側。 此時，如第56圖B所示，與真空供給線2〇93相連接 之推壓件2100的推壓件本體211〇，係藉由真空吸引使該 推壓部2 113拉入至盒體2 1 〇 1側，而與基板w背面僅分隔 99 315249(修正版) 1313894 預定之狹窄間隔。因此，藉由使推壓部2 11 3與基板W背 面接觸’可避免處理基板時之溫度非傳導到推壓部2丨；[3 的接觸面而造成溫度下降。 此時，由於係在吸附頭2089之基部2091中設有通氣 部2099,因此基部2091與基板W以及由基板吸附部2095 所圍住的基板W背面的空間不會形成密閉空間，因此即使 將基板W浸潰於電鑛液中’而導致前述空間内的氣體產生 膨脹或收縮’基板W也不會因此而產生彎曲。 完成基板W之電鍍處理後，使基板座2083上升到第 55圖A以及第55圖B所示之基板固定位置並將基板w載 置於暫放部2085，藉由對真空供給線2093供給（惰性氣 體、例如氮氣），而由基板吸附溝2097中喷出該氣體，同 日守藉由该氣體之供給壓力對推壓件2 1 〇 〇之推壓件本體 2110内加壓而使推壓部2113由盒體21〇ι突出，並由其背 面推壓基板w。同時，藉由使基板座2083下降，而如第 57圖所示使基板w由基板吸附部2〇95分離，然後，再使 基板座2083下降到第53圖A以及第53圖B所示之基板 父付位置。接著，由基板插入口 2〇87將基板搬送臂2127 插入，並將基板W拉出到外部。 如此’由於係形成由基板吸附溝2〇97噴出氣體的同 日守，藉由推壓件2 1 00之推壓部2丨丨3推壓基板w之背面的 構k因此舉例而言，即使由密封材（例如橡膠材料等）所 形成之基板吸附部2095因長時間變化而易於與基板黏 接，且一旦吸附於基板吸附部2〇95的基板w也難以只藉 100 315249(修正版) 1313894 由基板吸附溝2097的氣體噴出而剝除，但藉由推 之推壓部2113所進行之基板w的背面推壓，同樣可輕易 且確實地將基板〜剝除。亦即處理後的基板w的制除+ 驟’只需藉由對真空供給線2G93供給氣體，即可利用推壓 件100之推壓以及形成環狀密封之基板吸附冑2〇9 喷出確實地進行。 — 本發明之基板保持裝置係如第2圖所示，可作為前清 洗早兀240或前處理單元32〇、34〇,甚至電鍍處理單元 等之基板處理裝置來使用，但並未限定於該等裝置，其同 樣適用於各種構造之基板處理裝置或基板處理機構。 此外，在础述推壓件21 〇〇之形狀以及構造上當然可有 各種變化。例如亦可在前述推壓件本體2UG内收=使推 壓部2113朝由盒體2101突出的方向或向盒體2101内縮入 的方向彈壓的線圈彈簧等彈壓裝置。 如上所詳述一般’根據本發明，不僅經真空吸附之基 板不會產生彎曲’並具備有不論密封材之材質為何均能： 實地剝除基板的優良效果。 [圖式簡單說明】 第1圖為半導體基板的要部放大剖視圖。 第2圖為顯示本發明之實施形態之基板處理裝置的整 體之俯視圖。 第3圖A係在載置保持基板的狀態下顯示第1載運基 板機器人之要部之俯視圖。 第3圖B係在未載置保持基板的狀態下顯示第丨載運 315249(修正版) 101 弟5圖C為第 放大剖視圖。 1313894 基板機益人之要部之側視圖。 第3圖C為由第3圖A的箭頭A方向所 基板機器人之概略側視圖。 第4圖A係省略上段上機械手的記載， 手保持基板的狀態下顯示第2載運基板機器 第4圖B係在未保持基板的狀態下顯示 機器人的側視圖。 第4圖C係在保持基板的狀態下顯示第 益人的上段上機械手的要部俯視圖。 β第4圖D係在保持基板的狀態下顯示第 器人的下段機械手的要部俯視圖。 。。第5圖Α係在保持基板的狀態下顯示第 器人的要部側視圖。 第圖B係在保持基板的狀態下顯示第 器人的直空譬+ & ” ’之要部俯視圖。 基板搬送機器的真空臂 弟6圖a五_ 為.4不第1反轉機之概略平面 第6圖β為題 — ，項不苐1反轉機之剖視圖。 弟7圖a兔 _ 宜n ‘·、'颂示第2反轉機之側剖視圖 第7圖b a货。 ‘、"弟2反轉機之基板裝卸臂部 第8圖A為| 1 * — 〜基板暫置台之概略正視圖。 弟8圖β為 !板暫置台之概略側視圖。 見之第1载運 在上段下機械 人之俯視圖。 第2載運基板 2載運基板機 2載運基板機 3載運基板機 3載運基板機 的前端部分的 1剖視圖。 〇 分之概略俯視 315249(修正版) 102 1313894 第8圖C為基板暫置台之概略俯視圖。 第9圖為顯不前處理單元之斜視圖。 弟10圖A係顯示利用蓋構件使容器處於封閉狀態之 容器與蓋構件之概略側剖視圖。 第10圖B為弟1〇圖八之概略俯視圖。
第10圖C為以蓋構件開啟容器時之概略側剖視圖。 第10圖D為顯示省略第1G圖c之蓋構件之概略俯視 第11圖A為顯示基板固定壓頭以及 之概略側剖視圖。 灰得用馬運 第 11 圖 B 為第 巧罘〗丨圖A的D部分的放大圖。 第12圖A為顯示麼通f攻驻a、 % 12 IS! R ^ (裝。）升降機構之側視圖c 第圖B為由後側所見之壓頭f 6姑A、 之斜視圖。 U員（文裝台）升降機構 第13圖為基板固定壓頭之動作說明圖。 第14圖A為顯示在前處理牛_^ 置之圖。 v驟中密封構件之密封位 在前處理步驟 第14圖B為顯示 密封位置之圖。 中其他之密封構件之 理槽的上部剖视 示電鍍處1 里單元之側視圖 15圖A之剖視圖。 理槽的俯視圖。 第15圖A為顯 第15圖B為第 第16圖A為處 第16圖B為處
線剖視圖）。 圖（第15圖A的E-E 315249(修正版) 103 1313894 弟17圖為在以蓋構件密封處理槽的開口部之狀態下 之剖視圖（第16圖A的F p括 ^ π 線剖視圖）。 第1 8圖A為基板保持裝置之概略側剖視圖。 圖B為第18圖八的〇部分的放大圖。 第1 9圖a為基板保持|置的動作說明圖。 第19BB為第19圖A的〇部分的放大圖。 第2〇圖A為基板保持裝置的動作說明圖。 f 20圖B為第20圖八的〇部分的放大圖。 第21圖為基板保持裝置驅動機構的内部構造之概略 側視圖。 第22圖A為將傾斜機構與基板保持裝置共同顯示之 概略側視圖。 第22圖B為省略第22圖A之基板保持裝置之右側視 圖。 第23圖A為電錢處理單元的動作說明圖。 第23圖B為第23圖A的剖視圖。 第24圖A為電鍍處理單元的動作說明圖。 第24圖B為第24圖A的剖視圖。 第25圖為後清洗單元的外觀圖。 第26圖為第！清洗部之清洗單元之概略圖。 第2 7圖為帛2音洗乾燥部的側剖視圖。 弟2 8圖為電液Yj£置7Γ 6A — 坂從仏、，，口早兀的糸統構成圖。 =29圖A至C為顯不連接在不同之電録液供給用槽 之配管的連接構造之圖。 315249(修正版) 104 1313894 第30圖A為!員示取樣口之正視圖。 第30圖B為顯示取樣口之斜視圖。 第31圖A為_示過濾器之斜視圖。 第31圖B $ _示過遽器之配管圖。 圖 第32圖為顯示第1前處理單元之其他前處理方法之 第33圖為顯示太甘 τ本發明之其他實施形態之基板處理 置的整體之俯視圖。 & 第34圖A為適用於本發明之其他實施形態之無電 電鍍裝置之基板處理裝置之側視圖。 第34圖B為第34圖A之側剖視圖。 第35圖為處理槽之放大剖視圖。 第36圖A為_ + A /里# 1不基板保持裝置以及其旋轉用馬達的 部分之概略側剖視圖。 第36圖Β為第36圖八的Α部分的放大圖。 第37圖為顯示基板保持部的下面之圖。 第38圖八為顯示基板浸潰於電鑛液前之處理槽内的 電鍍液的流通狀態之概略剖視圖。 、 第38圖B為放大顯干筮q 穴.，肩不第38圖A的邊緣部附近部 要部放大概略剖視圖。 第3 9圖A係在基板浸潰於 、^ 狀態下，顯示處理槽内之…：錄液中且接近邊緣部的 之電鍍夜的流通狀態之概略剖視圖。 ㈣ 大顯示第39圖A的邊緣部附近部分之 要部放大概略剖視圖。 、丨刀之 315249(修正版) 105 1313894 ^第於電舰之基板在位於基板處理位 置時〜員不處理槽内的電链液的流通狀態之概略剖視圖。 第40圖Β為放大顯示第40圖Α的邊緣部附近部分之 要部放大概略剖視圖。 :“圖Α為用以說明基板處理裝置的動作之側視圖。 第41圖b為第4丨圖A的概略側剖視圖。 第/2圖a係在基板浸潰於電鍍液前之狀態下，顯示 其他形態之處理槽内的電鑛液的流通狀態之概略气視圖= 第“圖B為放大顯示第42圖入的邊緣部附近部分之 要部放大概略剖視圖。 第43圖A係在基板浸潰於電鍛液中且接近邊緣部的 狀態下，顯不處理槽内之電鍍液的流通狀態之概略剖視圖。 第43圖B為放大顯示第43圖A的邊緣部附近部分之 要部放大概略剖視圖。 ^44圖A為顯示適用於本發明之其他實施形態之前 處理單兀之基板處理裝置的側視圖。 第44圖B為第44圖A的概略側剖視圖。 第45圖為處理槽的放大剖視圖。 第46圖A為顯示基板保持裝置以及旋轉用馬達的部 分之概略側剖視圖。 第46圖B為第46圖A的A部分的放大圖。 第47圖為顯示基板保持部的下面之圖。 第48圖為用以說明基板處理裝置的動作之圖 第49圖為顯示基板的接液處理方法之圖。 315249(修正版) 106 1313894 第50圖為顯示基板的其他接液處理方法之圖。 第51圖為顯示基板的其他接液處理方法之圖。 第52圖A為用以說明基板處理裝置的動作之側視圖 第5 2圖B為第5 2圖a的概略側剖視圖。 第3圖A為顯示本發明之實施形態之基板保持裝 之剖視圖。 第53圖B為第„圖人的A部分的放大圖。 第54圖為由下面側所見之吸附頭的斜視圖。 第55圖A為說明基板保持裝置之動作的圖。 第55圖B為放大第55圖八之要部的要部放大圖。 第56圖A為說明基板保持裝置之動作的圖。 第56圖B為放大第56圖八之要部的要部放大圖。 第57圖為說明基板保持裴置之動作的圖。 【主要元件符號說明】 1 基板處理裝置 100 裝載卸載區 110 裝載口 130、 230 、 310 載運基板機器人 131 機器人主體 132 基台 132a ' 132b > 133 ' 135、 233 、 235 、 297 懸臂 137、 139 機械手 150 第1反轉機 151 基板裝卸用汽缸 153 基板裝卸懸臂 154 曲柄銷 155 反轉用馬達 200 清洗區 315249(修正版) 107 1313894 210 基板暫置台 213 線性引導件 215 球形螺絲 217 上段暫置台 221 支撐棒 239 下段下臂 241 下段臂 251 喷灑式噴嘴 270 第1清洗部 273、 293 275 ' 277 279 281、 283 285 > 287 290 第2清洗乾燥部 292 主轴 294 清洗杯 296 筆式清洗單元 299 超級喷嘴 320 第1前處理單元 337a 基板吸附墊 337c 蛇腹部 337h 、337i 337g 基準面 升降板 升降用馬達 升降機構 下段置置台 上段上臂 前清洗單元 第2反轉機 後清洗單元 2 9 1基板插入窗 擋板 滾輪狀刷子 滾輪 藥液用噴嘴 純水用噴嘴 箝位電路機構 主轴驅動用馬達 清洗杯升降用汽缸 清洗海線 電鍍處理區 339真空臂 基板吸附面 凹狀吸附口 真空線 第2前處理單元 108 315249(修正版) 1313894 360 電鍍處理單元 390 電鍍供給裝置 391 電鑛液供給用槽 393 ' 395加熱部 397 熱交換器 399 ' 401溫度調節管 403 電鍍液濃度稀釋裝置 406 ' 407 溫度計 409 内槽 410 電鍍液攪拌裝置 411 液面感測器 413 配管 415 開口部 417 開縫 420 取樣口 421 供給線 423 閥門 425 採取用瓶 430-1 ' 430-2 過濾、器 431 閥門 440 惰性氣體供給 441、 442 ； 446 ' 447 ' 448 > 451 ' 452 閥門 445 純水供給線 450 廢液排出線 500 前處理單元 510 容器 515 ' 520 、 540 ' 723 > 760 噴霧喷嘴 521 喷嘴固定構件 523、 543喷嘴 530 ' 740 蓋構件 550 蓋構件驅動機構 555 連結機構 560 基板固定壓頭 561 開口 562 逸退溝 563 箱體 565 推壓構件 109 315249(修正版) 567 571 575 578 580 593 597 599a 600 650 660 665 665a 667 710 713 715 719 719b 740 747 770 773 780 ' 1313894 輸出軸 軸承部 密封構件 桿部 壓頭旋轉用馬達 基板固定環 彈簧 推壓部 壓頭升降機構（基 支柱 升降機構 壓頭升降用球形 球形螺絲螺帽 滑輪 處理槽 處理槽本體 外周部 氣體注入部 接合部 蓋構件 幸由承部 驅動機構 桿 2080 569 軸 573 基板保持部 577 汽缸機構 579 安裝台 591 支持器 595 收納部 599 推壓件 &保持裝 置升降機構） 651 安裝板 661 壓頭升降用馬達 ‘絲 665b 螺絲轴 670 皮帶 711 開口部 717 覆蓋部 719a 通路 721 電鑛液供給口 745 懸臂部 763 喷嘴 771 蓋構件旋轉用汽紅 775 懸臂 基板保持裝置 315249(修正版) 110 1313894 781 ' 208 1 基板保持部 783、 2083 基板座 785 > 2085 暫放部 787 > 2087 基板插入口 789、 2089 吸附頭 791 ' 2091 基部 793、 2093 真空供給線 795、 2095 基板吸附部 797 ' 2097 基板吸附溝 800、 1000 ' 2120 基板保持驅動部 801、 2121 基板旋轉用馬達 803 > 2123 基板座驅動用汽缸 805 清洗用喷霧喷嘴 810 基板保持裝置驅動機構 811 傾斜機構 813 拖架 814 傾斜用轴承 815 傾斜軸 817 壓頭傾斜用汽缸 818 驅動轴 819 連結板 821 旋轉機構 823 壓頭旋轉用伺服馬達 825 旋轉軸 831 ' 1831升降機構 833 壓頭升降用汽缸 835 桿 837 支柱 900 ' 902藥液供給單元 910、 1010 處理槽 911、 1101 開口部 913 ' 1013 處理槽本體 111 315249(修正版) 1313894 915、 1015 回收溝 917 ' 1017 覆蓋部 921 電鍍液供給口 930 第1槽 931、 943 緣部 937、 939 ' 1037 整流板 937a 、939a 、 1037a 貫穿子L 940 ' 1040 蓋構件 941 第2槽 945 ' 1045 懸臂部 947、 991 、 1047 、 1911 軸承部 960 ' 1060 喷霧噴嘴 963 ' 1063 喷嘴 970 ' 1070 驅動機構 971、 1071 蓋構件旋轉用汽缸 973 ' 1073 桿 975 > 1075 連結懸臂 980 ' 1080 基板保持裝置 981 ' 1081 開口 983、 1083 箱體 985 ' 1085 推壓構件 987 > 1087 輸出軸 989、 1089 轴 993、 1093 基板保持部 994 ' 1094 逸退溝 112 315249(修正版) 1313894 995 ' 1095 密封構件 997 ' 1097 支持器 999 ' 1099 基板固定環 999a 、1985 、 2113 推壓部 1021 處理液供給口 1031 外周緣上端邊 1039 處理液供給噴嘴 1400 旋轉用馬達 1450 處理液循環部 1451 供給槽 1570 -抽氣機 1911 上下驅動機構（汽缸機構） 1915 安裝台 1981 彈簧 1983 推壓件 2099 通氣孔 2100 推壓件 2101 盒體 2107 固定具 2110 推壓件本體 2111 外周壁 2127 基板搬送臂 W 基板 Q 電鍍液 L 電鍍液之流動 P 電鍍液供給用泵 IN 反向器 113 315249(修正版)

Claims (1)

1313894 第921；B1951號專利申請案 (98 年 2 月 27 :; 拾、申請專利範圍： 1. 一種基板保持裝置，係將基板的背面吸附於吸附頭下面 以保持基板者， 鈿述基板保持裝置係設有：位於前述吸附頭的下面 外周，並以環狀方式真空吸附基板的背面外周，並且防 止處理液由基板背面的真空吸附部分滲入内側而予以 密封之環狀基板吸附部；以及位於前述基板吸附部之内 侧而將吸附於前述基板吸附部之基板朝拉離吸附頭的 方向推壓之推壓件。 、 如申請專利範圍第！項之基.板保持裝置，其中，前述推 屢件係與真空供給線連接，並㈣冑空供給線之真空吸 附拉入吸附頭側，而藉由真空供給線之氣體的供給，由 吸附頭突出以推Μ由吸附頭所保持之基板的背面。 3·如申請專利範圍第2項之基板保持裝置，其中，被拉入 吸附頭侧之前述推壓件係形成與吸附保持於吸附頭下 面之基板背面不接觸的構造。 4.如申請專利第2項之基板保持裝置，其中，前述異空 給線係連接於前述推壓件， J連接於則述基板吸附部 卜種基板處理裝置，係具備：位於吸附頭之下面外周 以環狀方式真空吸阳_其& A板昔、土板的老面外周，並防止處理液这 基板#面的真空吸附部分滲入内側而 ^ 的基板吸附部；以及位於勹 在封之裱艰 附於舒、… 板吸附部之内側而使残 的推壓件，· 雕次附碩的方向推壓 (修正本)315249 114 1313894 第92131951號專利中請案 (98年2月27曰) 且具備將基板背面吸 板保持裝置； 附保持於吸附頭之下面的基 二對前述基板保持裝置所保持之基板的被處理面進 行處理液之接液處理的基板處理部。 6. -種基板保持裝置之基板裝卸方法，係可使基板的背面 吸附或離脫基板保持裝置之吸附頭之下面的方法， 將基板吸附於前述吸附頭下面之方法，係藉由對基 板之背面外周一面以環狀進行密封—面進行真空吸附 的方式進行； 將基板從前述吸附頭下面離脫之方式，係藉由利用 推壓件推壓位於前述環狀真空吸附部分内侧的基板背 面來進行。 7. 如申請專利第6項之基板保持裝置之基板裝卸方法，其 中，將基板從前述吸附頭下面離脫之方式，係進一步藉 由自前述環狀真空吸附之部分噴出氣體來進行。 (修正本)315249 115 1313894 柒、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第（2)圖。 (二） 本代表圖之元件代表符號簡單說明: 捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： 100 裝載卸載區 110 裝載口 130、 230、310 載運基板機器人 150 第1反轉機 200 清洗區 210 基板暫置台 240 前清洗單元 250 第2反轉機 260 後清洗單元 270 第1清洗部 290 第2清洗乾燥部 300 電鍍處理區 320 第1前處理單元 340 第2前處理單元 360 電鍍處理單元 390 電鍍供給裝置 5 315249(修正版）
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI583606B (zh) * 2013-02-06 2017-05-21 山葉發動機股份有限公司 基板固定裝置、基板作業裝置、及基板固定方法

Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101052319B1 (ko) * 2002-11-15 2011-07-27 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판처리장치 및 기판처리방법
WO2005064642A1 (en) * 2003-12-25 2005-07-14 Ebara Corporation Substrate holding apparatus, substrate holding method, and substrate processing apparatus
KR101140770B1 (ko) * 2004-04-28 2012-05-03 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판처리유닛 및 기판처리장치와 기판 유지장치 및 기판 유지방법
JP4872199B2 (ja) * 2004-09-06 2012-02-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体製造装置
US8619860B2 (en) * 2005-05-03 2013-12-31 Qualcomm Incorporated System and method for scalable encoding and decoding of multimedia data using multiple layers
TWI343840B (en) * 2005-07-06 2011-06-21 Applied Materials Inc Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
GB0515744D0 (en) * 2005-07-30 2005-09-07 Dyson Technology Ltd Dryer
GB0515750D0 (en) 2005-07-30 2005-09-07 Dyson Technology Ltd Drying apparatus
GB0515749D0 (en) 2005-07-30 2005-09-07 Dyson Technology Ltd Drying apparatus
GB0515754D0 (en) 2005-07-30 2005-09-07 Dyson Technology Ltd Drying apparatus
GB2428569B (en) 2005-07-30 2009-04-29 Dyson Technology Ltd Dryer
GB2434094A (en) 2006-01-12 2007-07-18 Dyson Technology Ltd Drying apparatus with sound-absorbing material
KR100814238B1 (ko) * 2006-05-03 2008-03-17 위순임 기판 반송 장치 및 이를 이용한 기판 처리 시스템
JP2008010606A (ja) * 2006-06-29 2008-01-17 Nec Lcd Technologies Ltd 基板用カセット保持装置、その保持方法およびその保管方法
KR100832705B1 (ko) * 2006-12-23 2008-05-28 동부일렉트로닉스 주식회사 시스템 인 패키지의 비아 도금방법 및 그 시스템
JP4744426B2 (ja) * 2006-12-27 2011-08-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4744425B2 (ja) * 2006-12-27 2011-08-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US9050634B2 (en) * 2007-02-15 2015-06-09 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP4992668B2 (ja) * 2007-10-31 2012-08-08 旭硝子株式会社 容器交換装置および容器交換方法
KR101958874B1 (ko) 2008-06-04 2019-03-15 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판처리장치, 기판처리방법, 기판 파지기구, 및 기판 파지방법
JP4770938B2 (ja) * 2009-02-10 2011-09-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR101578079B1 (ko) * 2009-02-13 2015-12-16 주식회사 뉴파워 프라즈마 기판 도금 장치
JP5835722B2 (ja) * 2009-12-10 2015-12-24 オルボテック エルティ ソラー，エルエルシー 自動順位付け多方向直列型処理装置
US20110143553A1 (en) * 2009-12-11 2011-06-16 Lam Research Corporation Integrated tool sets and process to keep substrate surface wet during plating and clean in fabrication of advanced nano-electronic devices
JP5535687B2 (ja) * 2010-03-01 2014-07-02 株式会社荏原製作所 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
US9646859B2 (en) 2010-04-30 2017-05-09 Applied Materials, Inc. Disk-brush cleaner module with fluid jet
US20120088370A1 (en) * 2010-10-06 2012-04-12 Lam Research Corporation Substrate Processing System with Multiple Processing Devices Deployed in Shared Ambient Environment and Associated Methods
JP5321574B2 (ja) * 2010-12-17 2013-10-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体製造装置の動作方法及び半導体装置の製造方法
TWI514089B (zh) * 2011-04-28 2015-12-21 Mapper Lithography Ip Bv 在微影系統中用於轉移基板的設備
US8459276B2 (en) 2011-05-24 2013-06-11 Orbotech LT Solar, LLC. Broken wafer recovery system
TWM418398U (en) * 2011-08-10 2011-12-11 Manz Taiwan Ltd Elevation Conveying type Chemical bath deposition apparatus
JP5766587B2 (ja) * 2011-11-16 2015-08-19 株式会社荏原製作所 無電解めっき装置
JP5959914B2 (ja) 2012-04-18 2016-08-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板搬送方法および記憶媒体
JP6009832B2 (ja) * 2012-06-18 2016-10-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US9408968B2 (en) * 2012-06-24 2016-08-09 Zevex, Inc. Method and apparatus for detection and management of air-in-line
JP5959381B2 (ja) * 2012-09-20 2016-08-02 ヒューグルエレクトロニクス株式会社 基板ケース洗浄装置
JP6025250B2 (ja) * 2012-09-20 2016-11-16 ヒューグルエレクトロニクス株式会社 基板ケース洗浄装置
JP6105982B2 (ja) * 2012-09-21 2017-03-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス スケジュール作成装置、基板処理装置、スケジュール作成プログラム、スケジュール作成方法、および基板処理方法
JP6295023B2 (ja) * 2012-10-03 2018-03-14 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置、基板洗浄方法、および研磨装置
US10297472B2 (en) * 2012-11-28 2019-05-21 Acm Research (Shanghai) Inc. Method and apparatus for cleaning semiconductor wafer
KR101990555B1 (ko) * 2012-12-24 2019-06-19 삼성디스플레이 주식회사 박막봉지 제조장치 및 박막봉지 제조방법
CN103041999A (zh) * 2013-01-04 2013-04-17 深圳顺络电子股份有限公司 一种叠层线圈元器件的陶瓷生带通孔表面清理装置和方法
CN103103503B (zh) * 2013-01-24 2014-11-05 北京大学 一种在管式基底上制备半导体薄膜的生产设备
KR102057220B1 (ko) * 2013-02-19 2020-01-22 삼성전자주식회사 약액 공급기, 약액 공급기를 구비하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판의 처리방법
CN104230173B (zh) * 2013-06-17 2018-04-10 株式会社太星技研 钢化玻璃加工系统
KR101864327B1 (ko) * 2013-09-30 2018-06-05 한화에어로스페이스 주식회사 패키지 운반 어셈블리
CN103706510B (zh) * 2013-12-17 2016-03-09 惠州市易晖太阳能科技有限公司 大面积、连续式浸渍提拉镀膜生产线及其方法
JP6295107B2 (ja) 2014-03-07 2018-03-14 株式会社荏原製作所 基板処理システムおよび基板処理方法
JP2017513036A (ja) * 2014-11-14 2017-05-25 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． 貨物固定システムおよびリソグラフィシステム内で基板を移送するための方法
US10954597B2 (en) * 2015-03-17 2021-03-23 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition apparatus
JP5938506B1 (ja) * 2015-09-17 2016-06-22 株式会社日立国際電気 基板処理システム、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体
US10562209B2 (en) * 2016-02-04 2020-02-18 The Aerospace Corporation Deposition assembly and methods for depositing mold release layers on substrates
JP6675257B2 (ja) * 2016-04-14 2020-04-01 株式会社荏原製作所 めっき装置及びめっき方法
JP6799395B2 (ja) * 2016-06-30 2020-12-16 株式会社荏原製作所 基板ホルダ、電子デバイス製造装置において基板を搬送する搬送システム、および電子デバイス製造装置
JP6698446B2 (ja) * 2016-07-05 2020-05-27 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
JP6727117B2 (ja) * 2016-12-22 2020-07-22 株式会社荏原製作所 基板着脱装置、めっき装置、基板着脱装置の制御装置、基板着脱装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体
JP6878056B2 (ja) * 2017-03-14 2021-05-26 株式会社荏原製作所 めっき方法
JP6948860B2 (ja) 2017-07-14 2021-10-13 株式会社荏原製作所 基板保持装置
JP6920133B2 (ja) 2017-08-23 2021-08-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液供給装置
JP7055467B2 (ja) * 2017-09-08 2022-04-18 エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド 半導体ウェハの洗浄方法及び洗浄装置
CN109509696B (zh) * 2017-09-15 2020-12-22 上海新昇半导体科技有限公司 一种用于预清洗机的水道装置、预清洗机以及预清洗方法
JP6939335B2 (ja) * 2017-09-27 2021-09-22 Tdk株式会社 ロードポート装置、ロードポート装置の駆動方法
JP6953992B2 (ja) * 2017-10-19 2021-10-27 住友金属鉱山株式会社 キャンロールと長尺基板処理装置および長尺基板処理装置の管理方法
TWI776991B (zh) 2017-11-28 2022-09-11 日商東京威力科創股份有限公司 基板液處理裝置，基板液處理方法及記錄媒體
CN108922858A (zh) * 2018-06-25 2018-11-30 世巨科技（合肥）有限公司 一种单晶圆清洗设备用试剂可控旋转喷雾装置
KR102158908B1 (ko) * 2018-07-18 2020-09-22 오성종 반도체 웨이퍼의 도금장치
KR102580832B1 (ko) * 2018-09-03 2023-09-20 삼성전기주식회사 컨택트 구조체 및 이를 포함하는 기판 홀더
WO2020153219A1 (ja) * 2019-01-24 2020-07-30 東京エレクトロン株式会社 加工装置及び加工方法
JP7127732B2 (ja) * 2019-02-22 2022-08-30 村田機械株式会社 蓋開閉装置
JP7160725B2 (ja) * 2019-03-06 2022-10-25 株式会社荏原製作所 基板処理装置
US11352711B2 (en) 2019-07-16 2022-06-07 Applied Materials, Inc. Fluid recovery in semiconductor processing
CN110465922A (zh) * 2019-08-02 2019-11-19 合肥嘉东光学股份有限公司 一种便于基片自动翻转的镀膜机件
TWI718794B (zh) * 2019-10-08 2021-02-11 辛耘企業股份有限公司 濕製程裝置
TWI739361B (zh) * 2020-03-26 2021-09-11 南茂科技股份有限公司 清潔裝置及捲帶自動接合封裝結構的製造設備
JP2022143176A (ja) * 2021-03-17 2022-10-03 芝浦メカトロニクス株式会社 測定ツール、基板処理装置及び基板製造方法
KR102493757B1 (ko) * 2021-06-11 2023-02-06 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금 장치
KR20220167698A (ko) * 2021-06-14 2022-12-21 삼성전자주식회사 유체 공급 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
TWI809425B (zh) * 2021-06-16 2023-07-21 日商荏原製作所股份有限公司 鍍覆裝置
CN116262983A (zh) * 2021-12-14 2023-06-16 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 电镀装置
CN114369858B (zh) * 2022-02-16 2022-11-01 东莞市群联五金制品有限公司 一种连续垂直电镀线
TWI820938B (zh) * 2022-09-29 2023-11-01 強茂股份有限公司 晶粒吸取輔助裝置
CN117966237B (zh) * 2024-03-28 2024-05-31 合肥先进封装陶瓷有限公司 一种陶瓷封装基座的镀金设备
CN118028943B (zh) * 2024-04-09 2024-06-21 苏州太阳井新能源有限公司 电镀喷头以及电化学3d打印装置

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3489608A (en) * 1965-10-26 1970-01-13 Kulicke & Soffa Ind Inc Method and apparatus for treating semiconductor wafers
US3916937A (en) * 1974-07-08 1975-11-04 Bror Erik Nystrom Apparatus for surface processing
US4174261A (en) * 1976-07-16 1979-11-13 Pellegrino Peter P Apparatus for electroplating, deplating or etching
DE2849184A1 (de) * 1978-11-13 1980-05-22 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zur herstellung eines scheibenfoermigen silizium-halbleiterbauelementes mit negativer anschraegung
JPS63177049U (zh) * 1987-05-08 1988-11-16
US5235995A (en) * 1989-03-27 1993-08-17 Semitool, Inc. Semiconductor processor apparatus with dynamic wafer vapor treatment and particulate volatilization
US5222310A (en) 1990-05-18 1993-06-29 Semitool, Inc. Single wafer processor with a frame
JP2584997Y2 (ja) * 1992-02-04 1998-11-11 株式会社東京精密 プロービング装置用半導体ウエハステージ
US5795215A (en) * 1995-06-09 1998-08-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for using a retaining ring to control the edge effect
TW334359B (en) * 1995-12-04 1998-06-21 Dai Nippon Scolin Seizo Kk Apparatus and method for treating substrates
US5792343A (en) * 1996-09-12 1998-08-11 Hoshizaki Denki Kabushiki Kaisha Brine supply system
US6017437A (en) * 1997-08-22 2000-01-25 Cutek Research, Inc. Process chamber and method for depositing and/or removing material on a substrate
TW405158B (en) * 1997-09-17 2000-09-11 Ebara Corp Plating apparatus for semiconductor wafer processing
JPH11195696A (ja) * 1997-12-26 1999-07-21 Canon Inc 基板支持台及び基板処理装置
US6390904B1 (en) * 1998-05-21 2002-05-21 Applied Materials, Inc. Retainers and non-abrasive liners used in chemical mechanical polishing
JP3368828B2 (ja) * 1998-06-09 2003-01-20 日立電線株式会社 無電解めっき装置
US6074544A (en) * 1998-07-22 2000-06-13 Novellus Systems, Inc. Method of electroplating semiconductor wafer using variable currents and mass transfer to obtain uniform plated layer
TW428223B (en) * 1998-10-05 2001-04-01 Ebara Corp Apparatus for plating a substrate
US6258220B1 (en) * 1998-11-30 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition system
CH694619A5 (de) * 1999-07-12 2005-04-29 Wmv Appbau Gmbh & Co Kg Verfahren und Vorrichtung zur elektrochemischen Behandlung.
US6352623B1 (en) * 1999-12-17 2002-03-05 Nutool, Inc. Vertically configured chamber used for multiple processes
CN1319130C (zh) * 1999-12-24 2007-05-30 株式会社荏原制作所 半导体基片处理装置及处理方法
JP2001234394A (ja) * 2000-02-28 2001-08-31 Tokyo Electron Ltd ウェハーめっき装置
WO2001084621A1 (en) * 2000-04-27 2001-11-08 Ebara Corporation Rotation holding device and semiconductor substrate processing device
JP2001316881A (ja) 2000-05-08 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
JP3854083B2 (ja) * 2000-10-12 2006-12-06 株式会社荏原製作所 半導体基板製造装置
KR20020074175A (ko) * 2000-10-26 2002-09-28 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 무전해도금장치 및 방법
JP4108941B2 (ja) 2000-10-31 2008-06-25 株式会社荏原製作所 基板の把持装置、処理装置、及び把持方法
US6964792B1 (en) * 2000-11-03 2005-11-15 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for controlling electrolyte flow for uniform plating
JP3772973B2 (ja) * 2000-12-11 2006-05-10 株式会社荏原製作所 無電解めっき装置
JP2002184751A (ja) * 2000-12-14 2002-06-28 Ebara Corp エッチング方法およびその装置
JP2002249896A (ja) * 2001-02-26 2002-09-06 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法
US6855037B2 (en) * 2001-03-12 2005-02-15 Asm-Nutool, Inc. Method of sealing wafer backside for full-face electrochemical plating
JP4064132B2 (ja) 2002-03-18 2008-03-19 株式会社荏原製作所 基板処理装置及び基板処理方法
EP1532668A4 (en) 2002-06-06 2009-09-23 Ebara Corp SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
KR101052319B1 (ko) * 2002-11-15 2011-07-27 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판처리장치 및 기판처리방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI583606B (zh) * 2013-02-06 2017-05-21 山葉發動機股份有限公司 基板固定裝置、基板作業裝置、及基板固定方法
US9668393B2 (en) 2013-02-06 2017-05-30 Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha Substrate fixing apparatus and substrate working apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP4574644B2 (ja) 2010-11-04
US7087117B2 (en) 2006-08-08
KR101052319B1 (ko) 2011-07-27
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US7442257B2 (en) 2008-10-28
JPWO2004046418A1 (ja) 2006-03-16
JP4425801B2 (ja) 2010-03-03
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TW201635367A (zh) 2016-10-01
TW200416861A (en) 2004-09-01
TWI591710B (zh) 2017-07-11
TWI601199B (zh) 2017-10-01
US7575636B2 (en) 2009-08-18
KR101087633B1 (ko) 2011-11-30
EP1577421A1 (en) 2005-09-21
US20060243204A1 (en) 2006-11-02
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