TWI286663B - Method for manufacturing gray tone mask, and gray tone mask - Google Patents

Description

1286663 正型光阻膜7曝光、顯影，形成覆蓋著TFT通道部、源極 汲極形成區域、及資料線形成區域，且通道形成區域較薄 於源極汲極形成區域的第1阻蝕劑圖案7 a (圖1 0 ( 2 ))。其 次，以第1阻蝕劑圖案7 a為罩幕，對源極汲極用金屬膜6 及第2、第1半導體膜5、4施行蝕刻處理（圖1 0 (3 ))。其 次，藉由以氧施行的灰化（ashing)，去除通道形成區域之 較薄的阻蝕劑膜，形成第2阻蝕劑圖案7 b (圖1 1 (1 ))。然 後，以第2阻蝕劑圖案7 b為罩幕，對源極汲極用金屬膜6 進行蝕刻，形成源極/汲極6 a、6 b，接著對第2半導體膜5 進行蝕刻（圖1 1 ( 2 ))，最後剝離殘存的第2阻蝕劑圖案 7b(圖 11(3))。 此處所使用的灰階罩幕1 0係如圖1 2所示，具有對應於 源極/汲極的遮光部1 1 a、1 1 b ;透光部1 2 ;以及對應於通 道部的半透光部（灰階部）1 3。半透光部1 3係形成有由使用 灰階罩幕的大型LCD用曝光機之解像極限以下之細微圖案 所構成之遮光圖案13a的區域。遮光部11a、lib與遮光圖 案1 3 a，通常均由鉻或鉻化合物等相同材料所構成之相同 厚度的膜所形成。使用灰階罩幕的大型LCD用曝光機之解 像極限，若為步進式（s t e p)曝光機便為約3 // m，若為投影 式（m i r r 〇 r p r 〇 j e c t i ο η )曝光機便為約4 // m。所以，例如 將圖12的半透光部13之穿透部13b之間隔寬度設定為未 滿3 // m，將遮光圖案1 3 a的線寬設定為曝光機解像極限以 下的未滿3 // m。 (專利文獻1 ) 312/發明說明書(補件)/93-09/93118772 1286663 日本專利特開2 Ο Ο Ο - 1 1 1 9 5 8號公報 (非專利文獻1 ) 「月刊 FPD·智能（FPD Intelligence)」， 1999 与 ρ· 3 卜 35 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 上述細微圖案式的半透光部，必須考慮灰階部分 之後才執行設計，具體而言有：用以使其具有遮光部 部之中間的半色調效果之細微圖案，選擇線路空間 a n d s p a c e )式或點陣（網點）式，或是否有其他圖案 擇；此外，於線路空間式之情況，線寬設為何種程 穿透部分與遮光部分的比率為何；整體穿透率等設 種程度等非常多的事項。又，在罩幕製造中，亦要 之中心值的管理、以及罩幕内的線寬誤差管理等非 的生產技術。 所以，習知便有將欲半色調曝光的部分作成半穿 色調膜（半透光膜）的提案。藉由使用此半色調膜， 半色調部分的曝光量並進行半色調曝光。藉由變更 調膜，在設計方面僅需探討整體穿透率必須設為何 便可，在罩幕方面只要隨半色調膜種類而選擇膜厚 行罩幕的生產。所以，在罩幕製造方面，僅需施行 膜之膜厚控制便可，比較容易管理。又，於利用半 形成TFT的通道部之情況，因為若屬於半色調膜的 利用微影步驟輕易地圖案化，故通道部形狀亦可設 312/發明說明書(補件)/93-09/93118772 5月， 的設計 與透光 (line 之選 度；光 計為何 求線寬 常困難 透性半 可減少 為半色 種程度 便可進 半色調 透光部 話便可 計為複 8 1286663 雜的形狀。 習知，半色調膜式的灰階罩幕係以如下方式進行製造。 在此舉出如圖1所示T F T基板的圖案1 0 0為例進行說明。 圖案1 0 0係由：由對應於T F T基板之源極與汲極的圖案 10 1a、1 0 1 b構成之遮光部1 0 1 ;由對應於TF T基板之通道 部的圖案構成之半透光部1 0 3 ;及形成於該等圖案周圍的 透光部1 0 2所構成。 首先，準備在透明基板上依序形成半透光膜與遮光膜的 罩幕述板（m a s k b 1 a n k )，並在此罩幕远板上形成阻#劑 膜。其次，施行圖案描繪，經由顯影，在對應於上述圖案 1 0 0的遮光部1 0 1與半透光部1 0 3的區域形成阻蝕劑圖 案。其次，藉由採用適當的方法進行蝕刻，去除對應於未 形成有上述阻蝕劑圖案的透光部1 0 2之區域的遮光膜、與 其下層的半透光層，形成如圖13(1)所示之圖案。即，形 成透光部202，同時形成對應於上述圖案100之遮光部與 半透光部之區域的遮光圖案2 0 1。在去除殘存之阻蝕劑圖 案之後，再度於基板上形成阻蝕劑膜，並施行圖案描繪， 經由顯影，在對應於上述圖案1 0 0之遮光部1 0 1之區域形 成阻蝕劑圖案。其次，藉由適當的蝕刻處理，僅去除未形 成有阻蝕劑圖案的半透光部區域的遮光膜。藉此，如圖 1 3 ( 2 )所示，形成上述圖案1 0 0所對應的圖案。即，利用半 透光膜的圖案203而形成半透光部，同時形成遮光部的圖 案 201a 、 201b 。 但是，若利用此種習知之罩幕製造方法，因為在第1次 9 312/發明說明書(補件)/93-09/93118772 1286663 的形成透光部之微影步驟與第2次的形成半透光部之 步驟中，分別施行圖案描繪，故第2次的描繪必須施 準（a 1 i g n m e η ΐ )，俾不與第1次之描繪間發生圖案偏；I 是即使提昇對準的精度，實際上仍非常難以完全消除 偏差。例如圖1 4 ( a )所示，於因對準偏差而使半透光 圖案2 0 3朝圖示X方向偏移形成之情況，對應於T F T 之源極/汲極之遮光部的面積會不同於設計值，導致名 T F T特性改變的不良情況。又，如圖1 4 ( b )所示，於因 偏差而使半透光部的圖案2 0 3朝圖示Y方向偏移形成 況，將因T F T基板之源極與汲極間的短路（s h 〇 r t )而發 良情況。不管何種情況，此種習知的罩幕製造方法， 以精度佳地形成在T F T中特別重要的通道部分。 所以，本發明之目的在於解決習知之問題點，提供 可製造高品質TFT的半色調膜式灰階罩幕之製造方法 (解決問題之手段） 為解決上述問題，本發明具有下述構造。 (構造1 ) 一種灰階罩幕之製造方法，係於具有由遮 部、透光部、及半透光部所構成之圖案的灰階罩幕之 方法中，其特徵為包含有：準備在透明基板上依序至少 有半透光膜及遮光膜之罩幕坯板的步驟；在上述罩幕 上形成對應於上述遮光部之區域的阻蝕劑圖案，並以 蝕劑圖案作為罩幕，對露出的遮光膜進行蝕刻，藉以 透光膜上形成遮光部的遮光部圖案形成步驟；以及接 至少包含上述半透光部的區域形成阻蝕劑圖案，並以 312/發明說明書(補件)/93-09/93118772 微影 行對 .，但 對準 部的 基板 合生 對準 之情 生不 均難 一種 製造 形成 坯板 該阻 在半 著在 該阻 10 1286663 蝕劑圖案作為罩幕，對露出的半透光膜進行蝕刻，藉以形 成半透光部與透光部的半透光部圖案形成步驟。 (構造2 ) —種灰階罩幕之製造方法，係於具有由遮光 部、透光部、及半透光部所構成之圖案的灰階罩幕之製造 方法中，其特徵為包含有：準備在透明基板上至少形成有穿 透率具膜厚依存性之遮光膜之罩幕坯板的步驟；在上述罩 幕坯板上形成對應於上述遮光部之區域的阻蝕劑圖案，並 以該阻蝕劑圖案作為罩幕，將露出的遮光膜半蝕刻成可獲 得既定穿透率的膜厚，藉以在基板上形成遮光部的遮光部 圖案形成步驟；以及接著在至少包含上述半透光部與遮光 部的區域形成阻蝕劑圖案，並以該阻蝕劑圖案作為罩幕， 將露出之經半蝕刻的遮光膜進一步施行蝕刻而去除，藉以 形成半透光部與透光部的半透光部圖案形成步驟。 (構造3 ) —種灰階罩幕之製造方法，係於具有由遮光 部、透光部、及半透光部所構成的圖案，且對應於上述薄 膜電晶體基板的源極與汲極之圖案係由上述遮光部所形 成，而對應於通道部之圖案係由上述半透光部所形成的薄 膜電晶體基板之製造步驟中所使用的灰階罩幕之製造方法 中，其特徵為，於具有在透明基板上形成由遮光部、透光 部、及半透光部所構成之圖案的步驟之灰階罩幕之製造方 法中，形成上述圖案的步驟係包含有：包括在透明基板上形 成用以形成遮光部的遮光部形成用阻蝕劑圖案，並以該阻 蝕劑圖案作為罩幕，對遮光膜進行蝕刻之步驟的遮光部圖 案形成步驟，以及包括在透明基板上至少形成用以形成半 312/發明說明書(補件)/93-09/93118772 11 1286663 透光部的半透光部形成用阻蝕劑圖案，並以該阻蝕劑圖案 作為罩幕，對半透光膜進行蝕刻之步驟的半透光部圖案形 成步驟；在上述遮光部圖案形成步驟之後，才施行半透光 部圖案形成步驟。 (構造4 ) 一種灰階罩幕之製造方法，係於具有由遮光 部、透光部、及半透光部所構成的圖案，且對應於上述薄 膜電晶體基板的源極與汲極之圖案係由上述遮光部所形 成，而對應於通道部之圖案係由上述半透光部所形成的薄 膜電晶體基板之製造步驟中所使用的灰階罩幕之製造方法 中，其特徵為包含有：準備在透明基板上依序至少形成有半 透光膜及遮光膜之罩幕坯板的步驟；在上述罩幕坯板上形 成對應於上述源極與汲極之圖案的阻蝕劑圖案，並以該阻 蝕劑圖案作為罩幕，將露出的遮光膜蝕刻，藉以在半透光 膜上形成由對應於源極與汲極之圖案所構成的遮光部的遮 光部圖案形成步驟；以及接著在至少包含上述通道部的區 域形成阻蝕劑圖案，並以該阻蝕劑圖案作為罩幕，將露出 的半透光膜蝕刻，藉以形成對應於通道部之半透光部的半 透光部圖案形成步驟。 (構造5 ) —種灰階罩幕之製造方法，係於具有由遮光 部、透光部、及半透光部，且對應於上述薄膜電晶體基板 的源極與汲極之圖案係由上述遮光部所形成，而對應於通 道部之圖案係由上述半透光部所形成的薄膜電晶體基板之 製造步驟中所使用的灰階罩幕之製造方法中，其特徵為包 含有：準備在透明基板上至少形成有穿透率具膜厚依存性 12 312/發明說明書(補件)/93-09/931 ] 8772 1286663 之遮光膜之罩幕坯板的步驟；在上述罩幕坯板上形成對應 於上述源極與汲極之圖案的阻蝕劑圖案，並以該阻蝕劑圖 案作為罩幕，將露出的遮光膜半蝕刻成可獲得既定穿透率 的膜厚，藉以形成由對應於源極與汲極之圖案構成之遮光 部的遮光部圖案形成步驟；以及接著在至少包含上述通道 部的區域形成阻蝕劑圖案，並以該阻蝕劑圖案作為罩幕， 將露出之經半蝕刻的遮光膜進一步施行蝕刻而去除，藉以 形成對應於通道部之半透光部的半透光部圖案形成步驟。 (構造6 ) —種灰階罩幕之製造方法，係於具有由遮光 部、透光部、及半透光部，且對應於上述薄膜電晶體基板 的源極與汲極之圖案係由上述遮光部所形成，而對應於通 道部之圖案係由上述半透光部所形成的薄膜電晶體基板之 製造步驟中所使用的灰階罩幕之製造方法中，其特徵為包 含有：準備在透明基板上至少形成有遮光膜之罩幕坯板的 步驟；在上述罩幕坯板上形成對應於上述源極與汲極之圖 案的阻蝕劑圖案，並以該阻蝕劑圖案作為罩幕，將露出的 遮光膜蝕刻，藉以在透明基板上形成遮光部的遮光部圖案 形成步驟；其次，在已形成上述遮光部的透明基板上形成 半透光膜的步驟；以及接著在至少包含上述通道部的區域 形成阻蝕劑圖案，並以該阻蝕劑圖案作為罩幕，將露出的 半透光膜蝕刻，藉以形成半透光部與透光部的半透光部圖 案形成步驟。 (構造7)如構造1或4之灰階罩幕之製造方法，其中， 在上述罩幕坯板的半透光膜與遮光膜之間，設置有在利用 13 312/發明說明書(補件)/93-09/93118772 1286663 蝕刻去除遮光膜之際，用以保護半透光膜用的緩衝膜。 (構造8 ) —種灰階罩幕製造方法，其特徵為，上述灰階 罩幕係具有遮光部與半透光部之鄰接部；且在上述半透光 部圖案形成步驟中，用以形成鄰接於上述遮光部的半透光 部之半透光部形成用阻蝕劑圖案，係使用較對應於經對遮 光部側附加至少所需邊限區域的半透光部之區域更大的半 透光部形成用阻蝕劑圖案。 (構造9 ) 一種灰階罩幕製造方法，係在上述灰階罩幕之 製造方法中，於上述半透光部圖案形成步驟中，用以形成 對應於通道部之半透光部之半透光部形成用阻蝕劑圖案， 採使用較對應於經對通道部所對應區域附加至少所需邊限 區域的通道部之區域更大的半透光部形成用阻蝕劑圖案。 (構造1 0 )如上述構造1〜6之灰階罩幕之製造方法，其 中，由上述遮光部、透光部、及半透光部所構成之圖案， 係將使用上述灰階罩幕施行曝光的被處理體之感光性材料 層的曝光量，於上述遮光部、透光部、及半透光部分別互 異，藉以在被處理體上獲得用以對由不同膜厚之感光性材 料層所構成之被處理體施行處理之罩幕層的圖案。 (構造1 1 ) 一種灰階罩幕，係於具有遮光部、透光部、及 半透光部，且對應於上述薄膜電晶體基板的源極與汲極之 圖案係由上述遮光部所形成，對應於通道部之圖案係由上 述半透光部所形成之薄膜電晶體基板之製造步驟中所使用 的灰階罩幕中，其特徵為，在上述通道部中，形成較對應 於經對通道部所對應之區域附加所需邊限區域的通道部之 14 312/發明說明書(補件)/93-09/93118772 1286663 區域更大的半透光膜。 依照構造1，本發明的灰階罩幕之製造方法係包含有： 使用在透明基板上依序至少形成有半透光膜及遮光膜的罩 幕坯板，在該罩幕坯板上形成對應於遮光部之區域的阻蝕 劑圖案，並以該阻蝕劑圖案作為罩幕且施行蝕刻，藉以在 半透光膜上形成遮光部的遮光部圖案形成步驟；以及接著 在至少包含半透光部的區域形成阻蝕劑圖案，並以該阻蝕 劑圖案作為罩幕施行蝕刻，藉以形成半透光部與透光部的 半透光部圖案形成步驟。 所以，微影步驟雖施行2次，但是因為在第1次的微影 步驟中僅對構成遮光部的部分施行圖案化，因此在此時 點，會形成透光部、與包含其以外之構成半透光部之部分 在内的區域。結果，因為遮光部與半透光部間之位置關係、 大小等係由第1次的圖案化決定，所以遮光部與半透光部 之位置精度等，可利用1次描繪之精度予以保障。故，可 防止發生如習知因第2次微影步驟之描繪時的對準偏差等 影響而導致品質惡化的情況。依此，依照構造1之方法， 因為可充分確保罩幕的品質，因而特別適用於對遮光部與 半透光部之位置精度、大小、尺寸等要求較高圖案精度的 灰階罩幕之製造。例如，特別適用於TFT基板製造用之灰 階罩幕之製造。 依照構造2，灰階罩幕之製造方法係包含有：使用在透明 基板上至少形成有遮光膜之罩幕坯板，在該罩幕坯板上形 成對應於遮光部之區域的阻蝕劑圖案，並以該阻蝕劑圖案 15 312/發明說明補件)/93-09/93118772 1286663 作為罩幕，藉由對遮光膜施行半蝕刻而形成遮光部的遮光 部圖案形成步驟；以及接著在至少包含半透光部與遮光部 的區域上形成阻蝕劑圖案，並以該阻蝕劑圖案作為罩幕， 對經半蝕刻的遮光膜進一步蝕刻，形成半透光部與透光部 的半透光部圖案形成步驟。 本構造中所使用的罩幕坯板，於透明基板上所設置的遮 光膜基本上可為具有遮光性，且隨膜厚其穿透率特性不同 的材質。即，在透明基板上依穿透率大概為〇 %的膜厚形成 遮光膜，除遮光部以外的區域若利用半蝕刻而將遮光膜膜 厚變薄的話，便可獲得半透光部所需要的略5 0 %之穿透 率。依照本構造，如同上述構造1，可獲得圖案精度較高 的灰階罩幕。除此之外，因為所使用之灰階罩幕的層構造 簡單，因而具有容易製造的優點。 依照構造3，係TFT基板之製造步驟中所使用的灰階罩 幕，在對應於TFT基板的源極與汲極之圖案係由遮光部所 形成，而對應於源極與汲極間之通道部之圖案係由半透光 部所形成的灰階罩幕之製造方法中，在上述遮光部圖案形 成步驟之後，施行半透光部圖案形成步驟。 即，在第1次的微影步驟中，對構成對應於源極/汲極 之遮光部的部分施行圖案化，藉以形成此遮光部。為確保 高品質之TFT特性，源極與汲極間之通道部的圖案精度特 別重要。依照本構造方法，對應於源極與汲極之遮光部、 及此源極與汲極間之通道部的間隙（g a p )，可利用第1次之 描繪一次製成，其位置精度等可以1次的描繪精度予以保 16 312/發明說明書(補件)/93-09/93118772 1286663 障。所以，可防止因第2次微影步驟之描繪時的對準偏差 等之影響而造成品質惡化的情況，可確保要求較高圖案精 度之TFT基板製造用灰階罩幕的充分品質。 依照構造4，係T F T基板之製造步驟中所使用的灰階罩 幕，在對應於TFT基板的源極與汲極之圖案係由遮光部所 形成，而對應於源極與汲極間之通道部之圖案係由半透光 部所形成的灰階罩幕之製造方法中，包含有：使用在透明基 板上依序至少形成有半透光膜及遮光膜之罩幕坯板，在該 罩幕坯板上形成對應於上述源極與汲極之圖案的阻蝕劑圖 案，並以該阻蝕劑圖案作為罩幕而施行蝕刻，藉以在半透 光膜上形成由對應於源極與汲極之圖案構成的遮光部的遮 光部圖案形成步驟；以及接著在至少包含上述通道部的區 域形成阻蝕劑圖案，並以該阻蝕劑圖案作為罩幕而施行蝕 刻，藉以形成對應於通道部之半透光部的半透光部圖案形 成步驟。 即，如同構造3，因為在上述遮光部圖案形成步驟之後 施行半透光部圖案形成步驟，因此如同構造3，可防止因 第2次微影步驟之描繪時的對準偏差等之影響所造成之品 質惡化的情況，可確保要求較高圖案精度之T F T基板製造 用灰階罩幕的充分品質。 依照構造5，係TF T基板之製造步驟中所使用的灰階罩 幕，在對應於TFT .基板的源極與汲極之圖案係由遮光部所 形成，而對應於源極與汲極間之通道部之圖案係由半透光 部形成的灰階罩幕之製造方法中，包含有：使用在透明基板 17 312/發明說明書(補件)/93-09/93118772 1286663 上至少形成有穿透率具膜厚依存性之遮光膜之罩幕坯板， 在該罩幕坯板上形成對應於上述源極與汲極之圖案的阻蝕 劑圖案，並以該阻蝕劑圖案作為罩幕，將露出的遮光膜半 蝕刻成可獲得既定穿透率的狀態，藉以在透明基板上形成 由對應於源極與汲極之圖案所構成之遮光部的遮光部圖案 形成步驟；以及接著在至少包含上述通道部的區域形成阻 蝕劑圖案，並以該阻蝕劑圖案作為罩幕，將露出之經半蝕 刻的遮光膜進一步蝕刻，藉以形成對應於通道部之半透光 部的半透光部圖案形成步驟。 即，如同構造3，因為在上述遮光部圖案形成步驟之後 施行半透光部圖案形成步驟，因此如同構造3，可防止因 第2次微影步驟之描繪時的對準偏差等之影響所造成之品 質惡化的情況，可確保要求較高圖案精度之T F T基板製造 用灰階罩幕的充分品質。 依照構造6，係T F T基板之製造步驟中所使用的灰階罩 幕，在對應於TFT基板的源極與汲極之圖案係由遮光部所 形成，而對應於源極與汲極間之通道部之圖案係由半透光 部所形成的灰階罩幕之製造方法中，係準備至少形成有遮 光膜之罩幕坯板，在此罩幕坯板上形成對應於上述源極與 汲極之區域的阻蝕劑圖案，並以該阻蝕劑圖案作為罩幕， 將露出的遮光膜施行蝕刻，藉以先在透明基板上形成用以 形成遮光部的遮光部圖案，其次，在形成有上述遮光部的 透明基板上形成半透光膜，在至少包含對應於上述通道部 之圖案的區域形成阻蝕劑圖案，並以該阻蝕劑圖案作為罩 18 312/發明說明書(補件)/93-09/93118772 1286663 幕，將露出的半透光膜蝕刻，藉以形成半透光部與透光部。 即，因為未使用半透光膜與遮光膜為積層構造的罩幕坯 板，而是先使用僅形成遮光膜的罩幕坯板來形成對應於源 極與汲極之遮光部圖案，所以在此時點便決定源極與汲極 的位置，其次藉由形成半透光膜之成膜、蝕刻，如同構造 3，在上述遮光部圖案形成步驟之後施行半透光部圖案形成 步驟，因此如同構造3，可防止因第2次微影步驟之描繪 時的對準偏差等之影響所造成之品質惡化的情況，可確保 要求較高圖案精度之T F T基板製造用灰階罩幕的充分品 質。 依照構造7，因為在上述罩幕坯板的半透光膜與遮光膜 之間，設置有當利用蝕刻而去除遮光膜之際用以保護半透 光膜之具有所謂蝕刻終止功能的緩衝膜，故在第1次之微 影步驟中，於將未形成有阻蝕劑圖案的區域之遮光膜以蝕 刻而去除之際，可防止下層之半透光膜發生膜減少等損 傷。另外，為了在構成半透光部的區域中不損及下層半透 光膜的穿透率，緩衝膜通常最好去除，但是視緩衝膜的材 質，當透明性高，即便未去除仍不損及半透光部穿透性的 情況，亦可留下緩衝膜。 依照構造8，上述灰階罩幕具有遮光部與半透光部之鄰 接部，且上述半透光部圖案形成步驟係在上述遮光部與半 透光部之鄰接部中，使用較對應於經對遮光部側附加至少 所需邊限區域的半透光部之區域更大的半透光膜形成用阻 I虫劑圖案，施行蚀刻加工。 19 312/發明說明書(補件)/93-09/93118772 1286663 當在以第1次之描繪形成之遮光部圖案的所需開口部形 成半透光部圖案之際，考慮位置偏差、對準偏差，形成覆 蓋（ο V e r 1 a p )遮光部側的半透光部形成用阻蝕劑圖案，藉 此，即便發生少許位置偏差、對準偏差之情況，仍可防止 損及半透光部圖案的位置精度。依照本方法，因為可依高 精度形成例如於T F T特性上重要的圖案，因此可提供高品 質灰階罩幕。故而，本發明特別適合於要求高圖案精度的 丁FT基板製造用灰階罩幕之製造。 依造構造9，因為使用較對應於經對通道部所對應區域 附加至少所需邊限區域的通道部之區域更大的半透光部形 成用阻蝕劑圖案，施行蝕刻加工，因此即便發生少許位置 偏差、對準偏差的情況，仍可防止損及通道部間隙的半透 光部圖案位置精度，可確保要求高圖案精度的T F T基板製 造用灰階罩幕之充分品質。 依照構造1 0，由上述遮光部、透光部、及半透光部所構 成之圖案，係將使用上述灰階罩幕施行曝光的被處理體之 感光性材料層之曝光量，於上述遮光部、透光部、及半透 光部分別互異，藉以在被處理體上獲得用以對由不同膜厚 之感光性材料層所構成之被處理體施行處理之罩幕層的圖 案；具有此圖案的灰階罩幕適用於構造1〜6的製造方法。 依照構造1 1，係薄膜電晶體基板之製造步驟中所使用的 灰階罩幕，於具有遮光部、透光部、及半透光部，對應於 上述薄膜電晶體基板的源極與汲極之圖案係由上述遮光部 所形成，對應於通道部之圖案係由上述半透光部所形成之 20 312/發明說明書(補件)/93-09/93 ] 18772 1286663 灰階罩幕，構成為在上述通道部中，形成經對通道部所對 應之區域附加所需邊限區域之較大之半透光膜的構造。 即，即便發生少許位置偏差、對準偏差的情況，仍可防 止損及通道部之間隙的半透光部圖案之位置精度，可確保 要求高圖案精度的TFT基板製造用灰階罩幕之充分品質。 【實施方式】 以下，利用實施形態詳細說明本發明。 圖2係顯示本發明之灰階罩幕之製造方法的第1實施形 態，為依序圖示其製造步驟的概略剖視圖。 另外，本實施形態中，係以形成上述圖1所示之TFT基 板用之圖案1 0 0之情況為例而進行說明。 本實施形態中所使用的灰階罩幕，係如圖2 ( a )所示，在 石英等透明基板21上，依序形成半透光膜22及遮光膜 2 3。其中，遮光膜2 3的材質最好為薄膜且可獲得較高遮光 性者，可舉例如：C r、S i、W、A 1等。又，半透光膜2 2材 質最好為薄膜，且當將透光部穿透率設為1 0 0 %時，可獲得 穿透率5 0 %左右之半穿透性者，可舉例如：C r化合物（C r的 氧化物、氮化物、氮氧化物、氟化物等）、Μ 〇 S i、S i、W、 A 1等。S i、W、A1等係隨其膜厚可獲得較高遮光性，或者 可獲得半穿透性的材質。又，所形成之遮罩的遮光部因為 成為半透光膜22與遮光膜23的積層，即便無法單獨以遮 光膜滿足遮光性，但是在配合半透光膜的情況可獲得遮光 性的話便可。另外，此處所謂「穿透率」係指相對於使用 灰階罩幕之如大型LCD用曝光機之曝光光波長的穿透率。 21 312/發明說明書(補件)/93-09/93118772 1286663 又，半透光膜之穿透率並不一定要限定在50%左右。半透 光部之穿透性需設定於何種程度，係設計上的問題。 又，相關上述遮光膜23與半透光膜22的材質組合，最 好相互間膜的蝕刻特性不同，其中一膜在另一膜的蝕刻環 境中必需具有耐性。例如，遮光膜2 3由C r形成，而半透 光膜2 2由Μ 〇 S i形成的情況，若將C r遮光膜使用氯系氣體 予以乾式蝕刻，或使用將硝酸鈽銨與過氧化氣混合並稀釋 的蝕刻液施行濕式蝕刻，因為在與底層的Μ 〇 S i半透光膜之 間可獲得較高的蝕刻選擇比，因此便可在幾乎不對Μ 〇 S i 半透光膜造成損傷的情況下，藉由蝕刻而僅去除Cr遮光 膜。此外，上述遮光膜23與半透光膜22最好在基板上成 膜之時呈密接性良好狀態。 上述罩幕坯板可藉由在透明基板21上依序形成半透光 膜2 2與遮光膜2 3而獲得，成膜方法可採用如蒸鍍法、濺 鍍法、C V D (化學氣相沉積）法等，只要適當選擇適合膜種類 之方法的話便可。又，關於膜厚並無特別限制，只要能形 成可獲得良好之遮光性或半透光性之最佳化膜厚的話便 'oj* 〇 其次，針對使用此罩幕坯板的灰階罩幕之製造步驟進行 說明。 首先，在此罩幕坯板上，塗布如電子束或雷射描繪用正 型阻蝕劑，並施行烘烤，形成阻蝕劑膜2 4。其次，使用電 子束描繪機或雷射描繪機等施行描繪。描繪資料係對應於 圖1所示源極/汲極之圖案1 0 1 a、1 0 1 b之遮光部1 0 1之圖 22 312/發明說明書(補件)/93-09/93118772 1286663 光部與透光部劃分開，形成半透光部與透光部（參照圖 2(e))。在此，雖在遮光膜的圖案23a、23b上並未形成阻 蝕劑圖案，但是在本實施形態中，因為所使用之罩幕坯板 的遮光膜2 3與半透光膜2 2係由蝕刻特性互異的材質所形 成，因此在對半透光膜2 2蝕刻的環境中，遮光膜幾乎未遭 蝕刻。此時，遮光膜的圖案2 3 a、2 3 b成為蝕刻罩幕（阻蝕 劑），而半透光膜2 2被蝕刻。但是，為確實防止遮光膜發 生損傷情況，亦可在含有遮光膜圖案2 3 a、2 3 b的區域中形 成上述阻蝕劑圖案2 4 b。另外，殘存的阻蝕劑圖案係採用 氧灰化加工等而去除。 依上述便完成本實施形態的灰階罩幕2 0。圖3 ( 2 )係此 罩幕的平面圖，沿其I - I線的截面係對應於圖2 ( e )。所獲 得之罩幕係具備有對應於圖1所示之T F T基板用圖案的源 極與汲極101a、101b之遮光膜圖案23a、23b，以及對應 於通道部103之半透光膜圖案22a，且其周圍形成露出透 明基板21的透光部21。依照本發明方法，因為可以高精 度形成如T F T特性上重要的圖案，因此可提供高品質灰階 罩幕。故而，本發明特別適合於要求高圖案精度的T F T基 板製造用灰階罩幕之製造方面。 另外，在上述實施形態中，當於形成透光部的第2次之 微影步驟中形成阻蝕劑膜並施行描繪之際，亦可在略大於 必要尺寸的邊限區域（如0 · 1〜1 // in左右）中，設定描繪區域 並施行描繪。即，TFT基板製造用灰階罩幕，一般因為在 大型基板（例如一邊或短邊為3 0 0 m m以上的正方形或長方 24 312/發明說明書(補件)/93-09/93118772 1286663 形基板）上，重複形成由對應於T F T基板之像素圖案的必要 遮光部、透光部、及半透光部所構成的單位圖案，因而描 繪精度發生面内分布的可能性頗高。又，亦需要考慮重複 描繪時的對準精度極限。雖必需在覆蓋著於第1次描繪精 度佳量位出之半透光部的區域中，形成阻蝕劑圖案2 4 b， 但是即便第2次描繪發生位置偏差或對準偏差，為能確保 半透光部的圖案精度，係例如圖4 ( 1 )所示，將描繪區域設 定為形成下述阻蝕劑圖案2 4 b的·狀態，該阻蝕劑圖案2 4 b 係對形成通道部的半透光部，附加上經考慮圖示X與Y方 向的描繪精度與對準精度而所決定的邊限區域，且各自稍 大（較廣闊）覆蓋著。 此情況，若對露出之半透光膜2 2施行蝕刻，去除阻蝕 劑圖案2 4 b，則如圖4 ( 2 )所示，半透光膜之圖案2 2 a形成 朝圖示X與Y方向稍微突出的狀態，但是因為遮光部依照 設計圖案形成，半透光部的通道部間隙亦依照設計形成， 因此在使用此罩幕所製得TFT的特性上完全無問題。 圖5所示係本發明灰階罩幕之製造方法的第2實施形 態，依序圖示其製造步驟的概略剖視圖。 本實施形態中所使用的罩幕坯板，如同圖（a)所示，係 在透明基板21上，依序形成半透光膜22、緩衝膜25及遮 光膜23。即，因為在半透光膜22與遮光膜23之間設置具 有蝕刻終止功能的緩衝膜2 5，因而在第1次的微影步驟 中，當將未形成有阻蝕劑圖案之區域的遮光膜利用蝕刻而 去除之際，可確實防止下層半透光膜發生膜減少等損傷情 25 312/發明說明書(補件)/93-09/93118772 1286663 況。故，因為設置緩衝膜，遮光膜2 3與半透光膜2 2 蝕刻特性相似的材質（例如相同材料的膜、或主成分相 材料的膜等）構成。另外，緩衝膜的材質，係選自對蝕 光膜2 3的環境具有耐性的材質。此外，於需要去除半 部之緩衝膜之情況，亦要求能在乾式蝕刻等方法中不 層的半透光膜2 2造成損傷地去除的材質。緩衝膜可採 Si〇2或SOG(Spin On Glass)等。該等材質係當遮光港 Cr系材料構成之情況，在與遮光膜之間可獲得較高蝕 擇比。此外，該等材質穿透性良好，因為即便隔著半 部仍未損及穿透特性，因而亦可不要去除。 採用此種罩幕坯板製造灰階罩幕的方法，乃如同上 1實施形態。 即，首先在罩幕坯板上形成阻蝕劑膜2 4，並施行既 繪、顯影，在遮光部所對應的區域中形成阻蝕劑圖案 2 4 a (參照圖 5 ( a )、（ b ))。 其次，以所形成之阻蝕劑圖案2 4 a作為罩幕，對露 遮光膜2 3施行乾式蝕刻，形成對應於遮光部之圖案 2 3 b。接著，對露出的緩衝膜2 5施行乾式蝕刻，形成 2 5 a、2 5 b (參照同圖（c ))。另外，將殘存之阻蝕劑圖赛' 利用氧灰化加工等方法去除，但是亦可在上述對遮光 施行蝕刻的階段中去除。遮光膜2 3與緩衝膜2 5因為 特性不同，因此以形成之遮光膜圖案2 3 a、2 3 b作為 便可進行緩衝膜2 5的蝕刻。 其次，再度形成阻蝕劑膜，並施行既定描繪、顯影 312/發明說明書(補件)/93-09/93118772 可由 同之 刻遮 透光 對底 用如 !由 刻選 透光 述第 定描 出的 23a、 圖案 ^ 24a 膜23 I虫刻 L幕， ，在 26 1286663 對應於半透光部與遮光部之區域中形成阻蝕劑圖案 24c(參照同圖（d))。另外，於遮光膜23與半透光膜22的 蝕刻特性相似之情況，因為在接著所進行的半透光膜2 2 蝕刻時，遮光膜圖案2 3 a、2 3 b會遭受損傷，因而在對應於 遮光部之區域中亦需要形成阻蝕劑圖案2 4 c。 其次，以此阻蝕劑圖案2 4 c作為罩幕，對露出的半透光 膜2 2施行乾式蝕刻而去除，形成露出透明基板21的透光 部。殘存的阻蝕劑圖案2 4 c係利用氧灰化加工等方式而去 除。 依此，獲得如圖5(e)所示之由遮光膜圖案23a、23b所 構成之遮光部、由半透光膜圖案22a所構成之半透光部、 以及透光部分別以高圖案精度形成的本實施形態灰階罩幕 20A。 圖6所示係本發明灰階罩幕之製造方法的第3實施形 態，依序圖示其製造步驟的概略剖視圖。 本實施形態中所使用的罩幕坯板，如同圖（a)所示，係 在透明基板2 1上形成遮光膜2 3。藉此，將遮光膜膜厚利 用蝕刻處理形成部分不同狀態，膜厚較厚的部分為遮光 部，膜厚較薄的部分為半透光部。此情況的遮光膜2 3材質 並無特別限制，但是若為因遮光性偏高而將可獲得穿透率 大致為0 %的膜厚變薄之材質的話，在對其施行部分半蝕刻 而形成半透光部方面將較為困難。反之，若為因遮光性並 不太高而將可獲得穿透率大致為0%之膜厚增厚之材質的 話，雖然比較容易施行半蝕刻，但是因為遮光部的圖案高 27 312/發明說明書(補件)/93-09/93118772 1286663 度較厚，圖案形狀與圖案精度有惡化之虞。所以，在本實 施形態中，遮光膜2 3最好選擇在1 0 0 0〜2 Ο Ο Ο A左右的膜厚 範圍内可獲得良好遮光性與半穿透性的材質。 使用此種罩幕坯板製造灰階罩幕的方法，乃如同上述第 1實施形態。 即，首先在罩幕坯板上形成阻蝕劑膜2 4，並施行既定描 繪、顯影，在對應於遮光部之區域中形成阻蝕劑圖案 2 4 a (參照圖 6 ( a )、（ b ))。 其次，以此阻蝕劑圖案2 4 a為罩幕，對露出的遮光膜2 3 施行半蝕刻，直到獲得半透光性的適當膜厚為止，形成對 應於遮光部之圖案2 3 a、23 b (同圖（c ))。另外，將殘存阻 蝕劑圖案2 4 a利用氧灰化加工等方法而去除。 其次，再度形成阻蝕劑膜，並施行既定描繪、顯影，在 對應於半透光部與遮光部之區域中形成阻蝕劑圖案 2 4 c (參照同圖（d))。另外，為使接下來進一步蝕刻半蝕刻 膜時，遮光膜圖案23a、23b不致遭受損傷，因而預先在遮 光膜圖案2 3 a、2 3 b上形成阻蝕劑圖案2 4 c。 依此，獲得如圖6(e)所示之由遮光膜圖案23a、23b所 構成之遮光部、由經半蝕刻而形成的較薄遮光膜圖案2 3 c 所構成之半透光部、及透光部，分別以高圖案精度形成的 本實施形態灰階罩幕2 Ο B。 圖7所示係本發明之灰階罩幕之製造方法的第4實施形 態，依序圖示其製造步驟的概略剖視圖。以下，說明本實 施形態的灰階罩幕之製造步驟。 28 312/發明說明書(補件)/93-09/93 Π 8772 1286663 本實施形態首先如圖7 ( a)所示，使用透明基板2 1上形 成有遮光膜23者。 在此罩幕坯板上，塗布如雷射或電子束描繪用正型阻蝕 劑，並施行烘烤而形成阻蝕劑膜2 4。其次，使用電子束描 繪機或雷射描繪機等施行描繪。描繪資料係對應於圖1所 示源極/汲極圖案1 0 1 a、1 0 1 b之遮光部1 0 1之圖案資料。 經描繪後，對其施行顯影，在罩幕坯板上形成對應於遮光 部的阻蝕劑圖案2 4 a (參照圖7 ( b ))。 其次，以所形成之阻蝕劑圖案2 4 a作為罩幕，對遮光膜 2 3施行濕式或乾式蝕刻，形成對應於遮光部的遮光膜圖案 2 3 a、2 3 b (參照圖7 ( c ))。於遮光膜2 3係由C r系材料構成 之情況，當施行濕式蝕刻時，可使用例如將硝酸鈽銨與過 氧化氯混合並稀釋的蝕刻液，而施行乾式蝕刻時，則可採 用含有C 12 + 0 2等氣系氣體的乾式蝕刻氣體。殘存的阻蝕劑 圖案2 4 a則採用氧灰化加工、或濃硫酸等而去除。 其次，於整面形成半透光膜2 2 (參照圖7 ( d ))。其次， 在半透光膜2 2上塗布上述阻蝕劑而形成阻蝕劑膜。然後， 施行第2次的描繪。此時的描繪資料係至少包含有對應於 圖1所示之源極與汲極間之通道部之半透光部1 0 3的圖案 資料。經描繪後，對其施行顯影，至少形成對應於半透光 部的阻蝕劑圖案2 4 b (參照圖7 ( e ))。 其次，以所形成的阻蝕劑圖案2 4 b作為罩幕，將構成遮 光部之區域的半透光膜2 2利用濕式或乾式蝕刻而去除。本 實施形態中，因為遮光膜2 3與半透光膜2 2係由蝕刻特性 29 312/發明說明書(補件)/93·09/93118772 1286663 互異的材質所形成，故在對半透光膜2 2施行蝕刻處理的環 境中，遮光膜幾乎未遭受蝕刻。藉此，劃分出半透光部與 透光部，形成半透光部與透光部（參照圖7 ( f ))。在此雖於 遮光膜圖案23a、23b上並未形成阻蝕劑圖案，但是在本實 施形態中，因為所使用罩幕坯板的遮光膜2 3與半透光膜 2 2係由蝕刻特性互異之材質所形成，因此在對半透光膜2 2 施行蝕刻處理的環境中，遮光膜幾乎未遭受蝕刻。另外， 殘存的阻蝕劑圖案則利用氧灰化加工等而去除。 依上述，便完成本實施形態的灰階罩幕2 0 C。依照本發 明方法，因為可以高精度形成TFT特性上重要的圖案，因 此可提供高品質灰階罩幕。故而，本發明特別適合於要求 高圖案精度的TFT基板製造用灰階罩幕之製造方面。 再者，阻蝕劑圖案2 4 b亦可如圖4，設定成稍大於必要 尺寸的描繪區域進行描繪。雖必需在覆蓋著依第1次描繪 而精度佳量位出半透光部的區域中形成阻蝕劑圖案2 4 b， 但是即便於第2次描繪發生位置偏差或對準偏差之情況， 為能確保半透光部的圖案精度，便如圖8 (1 )平面圖、與圖 8 ( 2 )所示圖8 ( 1 )之A A ’線剖視圖，將描繪區域設定為形成 下述阻蝕劑圖案2 4 b的狀態，該阻蝕劑圖案2 4 b係對形成 通道部的半透光部附加上經考慮圖示X與Y方向的描繪精 度與對準精度而所決定的邊限區域26a與26b，且各自稍 大（較廣闊）覆蓋著。 另外，為確實防止遮光膜的損傷，亦可將上述阻蝕劑圖 案24b形成於包含遮光膜圖案23a、23b在内的區域，使用 30 312/發明說明書(補件)/93-09/93118772 1286663 該阻蝕劑圖案2 4 b對半透光膜施行蝕刻，在遮光膜整面上 形成半透光膜（參照圖9 ( 1 ))。此情況，於在第2次描繪中 發生位置偏差或對準偏差之情況，因為在遮光部與透光部 的邊界處，半透光膜有突出之虞，故半透光膜的形成最好 扣除經考慮描繪精度與對準精度而決定的邊限區域26a與 2 6 b (參照圖9 ( 2 ))。此外，於利用半透光膜覆蓋遮光膜整 面之情況，遮光膜與半透光膜可設定為蝕刻特性相同或相 類似，且在半透光膜的蝕刻處理中，遮光膜未具耐性的材 質。 (發明效果） 如上述所詳細說明，依照本發明灰階罩幕之製造方法， 即便在第2次微影步驟中發生描繪時的對準偏差等情況， 仍可藉由本方法防止品質惡化的情況發生。所以，可確保 罩幕的充分品質，特別適用於對遮光部與半透光部間之位 置精度、大小、尺寸等要求高圖案精度的灰階罩幕製造方 面〇 此外，依照本發明灰階罩幕之製造方法，因為可以高精 度形成TFT特性上重要的圖案，故而特別適合為要求高圖 案精度的TFT基板製造用灰階罩幕。 此外，依照本發明灰階罩幕，因為在用以確保高品質TFT 特性上特別重要的源極與汲極間之通道部圖案，可精度佳 地形成，故而可確保要求高圖案精度的T F T基板製造用灰 階罩幕。 【圖式簡單說明】 31 312/發明說明書(補件)/93-09/93 ]] 8772 1286663 圖1為T F T基板製造用灰階罩幕之一例圖。 圖2 ( a )〜（e )為本發明第1實施形態之製造方法步驟順 序概略剖視圖。 圖3 ( 1 )、（ 2 )為本發明第1實施形態之部分步驟的平面 圖。 圖4 ( 1 )、（ 2 )為用以說明將阻蝕劑圖案形成稍微大於半 透光部的實施形態的概略平面圖。 圖5 ( a )〜（e )為本發明第2實施形態之製造方法步驟順 序概略剖視圖。 圖6 ( a )〜（e )為本發明第3實施形態之製造方法步驟順 序概略剖視圖。 圖7 ( a )〜（f )為本發明第3實施形態之製造方法步驟順 序概略剖視圖。 圖8 ( 1 )、（ 2 )為本發明第3實施形態的灰階罩幕一例之 平面圖與概略剖視圖。 圖9 ( 1 )、（ 2 )為本發明第3實施形態的灰階罩幕一例之 概略剖視圖。 圖1 0 ( 1 )〜（3 )為使用灰階罩幕的TFT基板之製造步驟概 略剖視圖。 圖1 1 ( 1 )〜（3 )為使用灰階罩幕的TF T基板之製造步驟 (接續圖1 0的製造步驟）概略剖視圖。 圖1 2為習知細微圖案的灰階罩幕一例圖。 圖1 3 ( 1 )、（ 2 )為說明習知灰階罩幕之製造方法的概略平 面圖。 32 312/發明說明書(補件)/93-09/93118772 1286663 圖1 4 ( a )、（ b )為說明因習知製造方法所發生灰階罩幕之 不良情況的概略平面圖。 (元件符號說明） 1 玻 璃 基 板 2 閘 極 3 閘 絕 緣 膜 4 第 1 半 導 體 膜 5 第 2 半 導 體 膜 6 源 極 汲 極 用 金 屬 膜 6a， 6b 源 極 /汲極 7 正 型 光 阻 膜 7a 第 1 阻 ik 劑 圖 案 7b 第 2 阻 姓 劑 圖 案 10, 2 0, 2 0 A， 20B, 20C 灰 階 罩 幕 11， 11a， lib ,1 0 1 遮 光 部 12, 102, 202 透 光 部 13, 33,1 03 半 透 光 部 13a ，201 遮 光 圖 案 13b 穿 透 部 21 透 明 基 板 22 半 透 光 膜 22a 半 透 光 膜 圖 案 23 遮 光 膜 23a ，23b ，23 C 遮 光 膜 圖 312/發明說明書(補件)/93-09/93118772 33 1286663 2 4 阻蝕劑膜 24a, 24b, 24c 阻蝕劑圖案 2 5, 2 5 a 緩衝膜 2 6 a，2 6 b邊限區域 100, 101a， 101b， 201a， 201b， 203 圖案

312/發明說明書(補件)/93-09/93118772 34

Claims (1)

1. QCT ^ i ζ- 2006 1 5 MAY * 替換本 只8_6^修(更)正本 拾、申請專利範圍： 1 . 一種灰階罩幕之製造方法，係用以製造具有由遮光 部、透光部及半透光部所構成之圖案的灰階罩幕者，其特 徵為包含有： 準備在透明基板上依序至少形成有半透光膜及遮光膜 之罩幕坯板的步驟；

   在上述罩幕坯板上形成對應於上述遮光部之區域的阻 蝕劑圖案，並以該阻蝕劑圖案作為罩幕，對露出的遮光膜 進行蝕刻，藉以在半透光膜上形成遮光部的遮光部圖案形 成步驟；以及 接著，在至少包含上述半透光部的區域形成阻蝕劑圖 案，並以該阻蝕劑圖案作為罩幕，對露出的半透光膜進行 蝕刻，藉以形成半透光部與透光部的半透光部圖案形成步 驟。

   2 · —種灰階罩幕之製造方法，係用以製造具有由遮光 部、透光部及半透光部所構成之圖案的灰階罩幕者，其特 徵為包含有： 準備在透明基板上至少形成有穿透率具膜厚依存性之 遮光膜之罩幕坯板的步驟； 在上述罩幕坯板上形成對應於上述遮光部之區域的阻 蝕劑圖案，並以該阻蝕劑圖案作為罩幕，將露出的遮光膜 半蝕刻成可獲得既定穿透率的膜厚，藉以在基板上形成遮 光部的遮光部圖案形成步驟；以及 接著，在至少包含上述半透光部與遮光部的區域形成阻 35 326\總檔\93\93118772\93118772(替換)-1 1286663 蝕劑圖案，並以該阻蝕劑圖案作為罩幕，將露出之經 刻的遮光膜進一步施行蝕刻而去除，藉以形成半透光 透光部的半透光部圖案形成步驟。 3. —種灰階罩幕之製造方法，係用以製造薄膜電晶 板之製造步驟中所使用，且具有由遮光部、透光部及 光部所構成的圖案，對應於上述薄膜電晶體基板的源 汲極之圖案係由上述遮光部所形成，而對應於通道部 案係由上述半透光部所形成的灰階罩幕者，其特徵為 於具有在透明基板上形成由遮光部、透光部及半透 所構成之圖案的步驟之灰階罩幕之製造方法中， 形成上述圖案的步驟係包含有： 遮光部圖案形成步驟，係包括在透明基板上形成用 成遮光部的遮光部形成用阻蝕劑圖案，並以該阻蝕劑 作為罩幕，對遮光膜進行蝕刻之步驟；以及 半透光部圖案形成步驟，係包括在透明基板上至少 用以形成半透光部的半透光部形成用阻蝕劑圖案，並 阻蝕劑圖案作為罩幕，對半透光膜進行蝕刻之步驟； 在上述遮光部圖案形成步驟之後，才施行半透光部 形成步驟。 4. 一種灰階罩幕之製造方法，係用以製造薄膜電晶 板之製造步驟中所使用，且具有由遮光部、透光部及 光部所構成的圖案，對應於上述薄膜電晶體基板的源 汲極之圖案係由上述遮光部所形成，而對應於通道部 案係由上述半透光部所形成的灰階罩幕者，其特徵為 326\總檔\93\93118772\93118772(替換)-1 半14 部與 體基 半透 極與 之圖 光部 以形 圖案 形成 以該 圖案 體基 半透 極與 之圖 包含 36 1286663 有： 準備在透明基板上依序至少形成有半透光膜及遮光膜 之罩幕坯板的步驟； 在上述罩幕坯板上形成對應於上述源極與汲極之圖案 的阻蝕劑圖案，並以該阻蝕劑圖案作為罩幕，將露出的遮 光膜蝕刻，藉以在半透光膜上形成由對應於源極與汲極之 圖案所構成的遮光部的遮光部圖案形成步驟；以及 接著，在至少包含上述通道部的區域形成阻蝕劑圖案， 並以該阻蝕劑圖案作為罩幕，將露出的半透光膜蝕刻，藉 以形成對應於通道部之半透光部的半透光部圖案形成步 驟。 5. —種灰階罩幕之製造方法，係用以製造薄膜電晶體基 板之製造步驟中所使用，且具有遮光部、透光部及半透光 部，對應於上述薄膜電晶體基板的源極與汲極之圖案係由 上述遮光部所形成，而對應於通道部之圖案係由上述半透 光部所形成的灰階罩幕者，其特徵為包含有： 準備在透明基板上至少形成有穿透率具膜厚依存性之 遮光膜之罩幕坯板的步驟； 在上述罩幕坯板上形成對應於上述源極與汲極之圖案 的阻蝕劑圖案，並以該阻蝕劑圖案作為罩幕，將露出的遮 光膜半蝕刻成可獲得既定穿透率的膜厚，藉以形成由對應 於源極與汲極之圖案構成之遮光部的遮光部圖案形成步 驟；以及 接著，在至少包含上述通道部的區域形成阻蝕劑圖案， 37 326\總檔\93\93118772\93118772(替換)-1 1286663 並以該阻蝕劑圖案作為罩幕，將露出之經半蝕刻的遮光膜 進一步施行蝕刻而去除，藉以形成對應於通道部之半透光 部的半透光部圖案形成步驟。 6 . —種灰階罩幕之製造方法，係用以製造薄膜電晶體基 板之製造步驟中所使用，且具有遮光部、透光部及半透光 部，對應於上述薄膜電晶體基板的源極與汲極之圖案係由 上述遮光部所形成，而對應於通道部之圖案係由上述半透 光部所形成的灰階罩幕者，其特徵為包含有： 準備在透明基板上至少形成有遮光膜之罩幕坯板的步 驟； 在上述罩幕坯板上形成對應於上述源極與汲極之圖案 的阻蝕劑圖案，並以該阻蝕劑圖案作為罩幕，將露出的遮 光膜蝕刻，藉以在透明基板上形成遮光部的遮光部圖案形 成步驟； 其次，在已形成上述遮光部的透明基板上形成半透光膜 的步驟；以及 接著，在至少包含上述通道部的區域形成阻蝕劑圖案， 並以該阻蝕劑圖案作為罩幕，將露出的半透光膜蝕刻，藉 以形成半透光部與透光部的半透光部圖案形成步驟。 7.如申請專利範圍第1或4項之灰階罩幕之製造方法， 其中，在上述罩幕坯板的半透光膜與遮光膜之間設置有缓 衝膜，其係用以在利用蝕刻去除遮光膜之際保護半透光膜。 8 . —種灰階罩幕之製造方法，其特徵為，於申請專利範 圍第1至6項中任一項之灰階罩幕之製造方法中， 326\總檔\93\93118772W3118772(替換)-1 38 1286663 上述灰階罩幕係具有遮光部與半透光部之鄰接部； 在上述半透光部圖案形成步驟中，作為用以形成鄰 上述遮光部的半透光部之半透光部形成用阻蝕劑圖案 使用較對應於經對遮光部側附加至少所需邊限區域的 光部之區域更大的半透光部形成用阻蝕劑圖案。 9 . 一種灰階罩幕之製造方法，係於申請專利範圍第 6項中任一項之灰階罩幕之製造方法中， 於上述半透光部圖案形成步驟中，作為用以形成對 通道部之半透光部之半透光部形成用阻蝕劑圖案，係 較對應於經對通道部所對應區域附加至少所需邊限區 通道部之區域更大的半透光部形成用阻蝕劑圖案。 1 0 .如申請專利範圍第1至6項中任一項之灰階罩』 製造方法，其中，由上述遮光部、透光部及半透光部 成之圖案，係將使用上述灰階罩幕施行曝光的被處理 感光性材料層的曝光量，於上述遮光部、透光部及半 部中分別互異，藉以在被處理體上獲得用以對由不同 之感光性材料層所構成之被處理體施行處理之罩幕層 案。 1 1 . 一種灰階罩幕，係薄膜電晶體基板之製造步驟t 使用，且具有遮光部、透光部及半透光部，對應於上 膜電晶體基板的源極與汲極之圖案係由上述遮光部所 成，對應於通道部之圖案係由上述半透光部所形成者 特徵為， 在上述通道部中，形成較對應於經對通道部所對應 326\總檔\93\93118772\93118772(替換)-1 接於 ，係 半透 3至 應於 使用 域的 k之 所構 體之 透光 膜厚 的圖 7所 述薄 形 ，其 之區 39 1286663 域附加所需邊限區域的通道部之區域更大的半透光膜。 326\總檔\93\93118772\93118772(替換)-1 40