TWI282478B - Amorphous silicon thin film transistor-liquid crystal display device and method of manufacturing the same - Google Patents

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Description

1282478 玖、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明） C發明所屬之技術領域2 發明領域 此揭示發明係論及一種液晶顯示器（“LCD”）裝置和其 製作方法，以及係特別論及一其中有一閘極驅動電路積 體被製作於一非晶矽薄膜電晶體（“TFT”）基體上面之非晶 石夕薄膜電晶體液晶顯示器裝置（“TFT-LCD”），和其之製作 方法。
t先前技術J 10 發明背景 在此資訊時代中，隨著資訊傳輸媒體和各種電子顯示 裝置之廣泛應用於工業設備和家用電器，彼等電子顯示裝 置正變得日益重要。此種電子顯示裝置，係不斷受到改進 ，使具有一些能適合資訊界之不同需求的新功能。 15 通常，彼等電子顯示裝置，可顯示及傳送各種資訊段 ，給一些要利用此等資訊之使用者。亦即，該等電子顯示 裝置，可將彼等電子設備所輸出之電氣資訊信號，轉換成 彼等使用者可透過彼等之眼睛加以辨認的光波資訊信號。 彼等電子顯示裝置，可被分類成-發射型顯示裝置之 類型，和-非發射型顯示裝置之類型，其中，一發射型顧 示裝置，係透過-光發射現象，來顯示一些光波資訊信號 、’以及一非發射型顯示裝置，係透過-反射、散射、或干 汐作用乾„負不6亥等光波資訊信號。上述發射型顯示裝置 之類型，舉例而言，可能包括：-陰極射線管（“CRT”）、 20 1282478 玖、發明說明 一電漿顯示面板（“PDP”）、一光發射二極體（“LED，，）、和/或 一電致發光顯示器（“ELD”）。彼等發射型顯示裝置，亦被 稱作主動性顯示裝置。 該等亦被稱作被動性顯示裝置之非發射型顯示裝置， 5舉例而言，可能包括·· 一液晶顯示器（“LCD”）、一電化學 顯示器（“ECD”）、和/或一電泳影像顯示器（“EpiD，，）。 CRT早已被通用作一電視接收顯示器和一電腦所需之 監視态。CRT由於其通常具有一相當高之品質和低製作成 本，已被使用有一段很長之時間。然而，CRT係具有某些 1〇類似重量笨重、體積龐大、和功率消耗高等為例之缺點。 近年來，有關對一些先進電子顯示器裝置之要求，已 導致大幅關注於一些類似平板顯示器等之裝置，彼等可提 供一些包括厚度薄、重量輕、驅動電壓低、和功率消耗低 等優異之特性。此種平板顯示器裝置，可依據一先進之半 15 導體技術，來加以製作。 在該等平板裝置中，一液晶顯示器（“LCD”）裝置，業 已廣泛被利用於多種電子裝置中，因為LCD裝置可提供一 薄厚度和低功率消耗，同時可保持-大約可與CRT者相抗 衡之相當而的顯示品質。此外，LCD裝置可在一低驅動電 2〇壓下運作，以及可輕易被製作成，以致LCD裝置已廣泛被 使用於多種之電子設備中。 LCD典型地係包括兩個基體，每—基體係具有一電極 ，其間係4有-液晶層。在_LCD中，係有—電壓施加橫 跨該等電極兩端，藉以使其液晶分子重新對齊’以及控制 1282478 玖、發明說明 光波穿過該等分子之量。 就一典型之LCD而言，其裝置典型地係包括兩個形成 在母一基體上面之電極’和一可切換一施加至每一電極之 電壓的薄膜電晶體。通常，此薄膜電晶體，係形成在兩基 5 體中的一個上面。 該等在一圖素區域中利用薄膜電晶體之LCD裝置類型 ，可被分類成一非晶矽型TFT-LCD，和一多晶石夕型TFT_ LCD。一多晶裝置，係具有一相當低之功率消 耗和成本，但此多晶矽型TFT-LCD之製作程序，係較一非 10晶矽型tft-lcd裝置為複雜。因此，多晶矽1^丁丄(：1)，主 要係使用在一些類似行動電話等為例之小型顯示器中。一 非晶矽TFT-LCD，係適合大型之顯示器，以及係具有一高 產率，以致其係被用於一具有大螢幕之顯示器，舉例而言 ，諸如筆記型個人電腦（“PC，，）、LCD監視器、高晝質電視 15 (“HDTV”)接收監視器、等等。 誠如第1圖中所示，就一典型之多晶矽TFT_LCD裝置 而a ’在一上面形成有一些圖素陣列之玻璃基體1〇上面， 係形成有一資料驅動電路和一閘極驅動電路14。其一端 子16係透過一薄膜纜線18，連接至一積體印刷電路板 (“PCB’’)2〇。此一結構可藉由積體製作其驅動電路，而降 低其之製作成本，以及極小化其之功率損失。 誠如第2圖中所示，就一典型之非晶矽tft_lcd裝置 而吕，其一資料驅動晶片34，係藉由一晶片上薄膜 (C〇F”）法，形成在一撓曲性pcB 32上面，以及其一資料 1282478 玖、發明說明 PCB 36，係透過此撓曲性PCB 32，連接至一圖素陣列之資 料線端子。此外，其一閘極驅動晶片40，係藉由上述之 COF法，形成在一撓曲性PCB 38上面，以及其一閘極PCB 42，係透過此撓曲性PCB 38，連接至一圖素陣列之閘極線 5 端子。 有一新近被建議之方法，係一種積體製作式PCB之技 術，其中係將一閘極電源供應器，安裝在一資料PCB上面 ，藉以消除一閘極PCB。韓國專利公報第2000-66493號， 揭示了 一種採用一可自其移除閘極PCB之積體製作式PCB 10 的LCD模組。 然而，即使是採用上述之積體製作式PCB，一其上形 成有一閘極驅動電路之撓曲性PCB，係仍要被使用。因此 ，由於一要在一玻璃基體上面組合多數撓曲性PCB之程序 ，係在彼等非晶矽TFT-LCD裝置之製作中被完成，其一外 15 部引線接合（“OLB”）程序，相較於上述之多晶矽TFT-LCD ，係更為複雜，因而提高了其之製作成本。 【發明内容】 發明概要 此揭示實施例，提供了一種非晶矽TFT-LCD裝置，其 20 中有一閘極驅動電路，積體製作在一非晶矽TFT基體上面 。此揭示發明亦提供了 一種可製作一其中有一閘極驅動電 路被積體製作在一非晶矽TFT基體上面之非晶矽TFT-LCD 裝置的方法。 在其所提供之一實施例中，一非晶矽TFT-LCD裝置， 1282478 玖、發明說明 係包括-絕緣基體，其係具有一其上形成有一圖素陣列之 顯不區域，和一其上形成有多數移位暫存器之驅動電路區 域有閘極樣式，係形成在其基體上面，以及係包括一 閘極線和-閘極電極。其閘極絕緣薄膜上面，係形成有一 5主動性薄層樣心以及該等基體和主動性薄層樣式上面， 係形成有一資料樣式。此資料樣式係包括··一與其主動性 薄層樣式之第一區域相接觸的源極電極、一與其主動性薄 層樣式之第二區域相接觸的汲極電極、和-連接至此沒極 電極之貝料線。其一鈍化薄層，係形成在上述包括其資料 樣式之基體上面，以及係具有··一可暴露其顯示區域之沒 極電極的第-接點孔、一可暴露每一移位暫存器之第一電 日日體的閘極電極之第二接點孔、和一可暴露其第一電晶體 之源極與沒極電極的第三接點孔。其一電極樣式，係形成 在其鈍化薄層上面，以及係包括一可透過其第一接點孔連 15接至其顯示區域之汲極電極的第一電極，和一可使其閘極 電極透過其第一和第二接點孔與其第一電晶體之源極和沒 極彼此相連接的第二電極。 20 此外，此揭示發明之一實施例，在實現上係藉由一非 晶石夕tft.lcdm，錢n隸體·成，後者係包 括一其上形成有多數閘極線和資料線之顯示區域，和一閘 極驅動電路區域。在其閘極驅動電路區域之基體上面，係 形成有-些移位暫存器，彼料包括許多具有_閘極電極 和一些源極和汲極之薄膜電晶體。此等移位暫存器，可循 序地選擇彼等閘極線。有-些主接線，係佈置在其間極驅
9 1282478 玖、發明說明 . 10 15 20 動電路區域之基體上面，可將一信號施加給每一移位暫存 器，以及係自其第一移位暫存器至最後之移位暫存器，由 同一層所形成。其一鈍化薄層，係形成在其包括移位暫存 為和主接線之基體上自，以及係具有：一可部份暴露其顯 不區域之資料線的第一接點孔、一可暴露每一移位暫存器 之第一電晶體的閘極電極的第二接點孔、和一可暴露其第 一電晶體之源極與汲極電極的第三接點孔。其一電極樣式 係形成在其鈍化薄層上面，以及係包括一可透過其第一 接點孔連接至其顯示區域之資料線的第—電極，和一可使 其閘極電極透過其第二和第三接點孔與其第一電晶體之源 極和汲極彼此相連接的第二電極。 其亦提供有一可製作一非晶矽TFT-LCD裝置之方法。 广包括閘極線和閘極電極之閘極樣式形成在一具有一 其上形^有—圖素陣列之顯示區域和-其上形成有多數移 ^暫存⑨之驅動電路區域的絕緣基體上面後，其—問極絕 緣/專膝’係形成在上述包括閘極樣式之基體上面。其-主 —曰樣式係形成在其閘極電極上方之閘極絕緣薄膜 "貝料樣式，係形成在其基體和主動性薄層樣式 上面。此資料樣式係包括一與其主動㈣層樣式之第一 _相接觸的源極電極、—與其主動性薄層樣式之第二區 二妾觸m電極、和_連接至此汲極電極之資料線。 =一鈍化薄層形成在其包括資料樣式之基體上面後，該 昊’广4層和問極絕緣薄膜，將會受侧，以形成一^ 暴路其顯示區域之㈣電極的第-接點孔一可暴露每- 10 1282478 玖、發明說明 移位暫存器之第-電晶體的間極電極之第二接點孔、和一 可暴露其第-電晶體之源極與沒極電極的第三接點孔。其 後:其-電極樣式，係形成在其純化薄層上面，此電極樣 式係包括可透過其第—接點孔連接至其顯示區域之沒極 5電極的第—電極，和一可使其閉極電極透過其第二和第三 妾.’έ孔 >、其第電曰曰體之源極和汲極彼此相連接的第二電 〇 此外，其提供有一可製作一其中形成有 10 15 非晶石夕TFT_LCD裝置的方法。其閘極樣式，係形成在一具 有一其上形成有-圖素陣列之顯示區域和_其上形成有多 數移位暫存n之驅動電路區域的絕緣基體上面，在將一間 極絕緣薄膜形成在上述包括其閘極樣式之基體上面後，其 係使用-光罩，在此閘極絕緣薄膜上面，形成—主動性薄 層樣式和-資料樣式。此資料樣式係包括：一與其主動性 薄曰樣式之第-區域相接觸的源極電極、—與其主動性薄 層樣式之第二區域相接觸的汲極電極、和-連接至此汲極 電極之資料線。其-聽薄層係形成在上述包括其資料樣 式之基體上面，該等鈍化薄層和閘極絕緣薄膜，將會受到 蝕刻以形成一可暴露其顯示區域之汲極電極的第一接點 々、一可暴露每一移位暫存器之第一電晶體的閘極電極之 H點孔、和_可暴露其第—電晶體之源極與汲極電極 的第二接點孔。接著，有-電極樣^，會形成在其純化薄 層上面，此電極樣式係包括一可透過其第一接點孔連接至 其顯不區域之汲極電極的第_電極，和—可使其閘極電極 20 1282478 玖、發明說明 透過其第一和弟三接點孔與其第一電晶體之源極和沒極彼 此相連接的第二電極。 依據此揭示發明之非晶石夕TFT-LCD裝置，毋須額外之 程序，其包括移位暫存器和接線之閘極驅動電路，便可被 積體製作在其上形成有一圖素陣列之絕緣基體上面。亦即 ，數片可由相同材料構成之薄層，係使由同_薄層來形成 、:因而可減少其光罩之數目。此外，其圖素電極所需之傳 導性薄膜，可使其閘極電極與其構成閘極驅動電路中之移 位暫存器的第一電晶體之源極和汲極彼此相連接，因而可 10 簡化其之製作程序。 此外，其可施加一信號給每一移位暫存器之主接線， 係由其自第一移位暫存器至最後之移位暫存器的同一薄層 所形成，以致此主接線之電阻值，可使極小化，而增加其 非晶矽TFT-LCD之場效應移動率。 15 圖式簡單說明 此揭示發明以上和其他之特徵和優點，將藉由下文配 合所附諸圖對其較佳實施例之詳細說明，而更臻明確，其 中： 第1圖係一可示意例示一傳統式多晶矽TFT-LCD裝置 20 之平面圖； 第2圖係一可示意例示一傳統式非晶石夕tfT-LCD裝置 之平面圖； 苐3圖係一依據此揭示發明之一實施例將一些移位暫 存器施加至一非晶石夕TFT-LCD裝置中之閘極驅動電路區域 12 1282478 玖、發明說明 的電路圖； 第4圖係第3圖之移位暫存器的一個方塊圖； 第5圖係一依據此揭示發明之一實施例的非晶矽TFT_ LCD裝置之剖視圖； 5 第6圖係一依據此揭示發明之一實施例的非晶矽TFT- LCD裝置之閘極驅動電路區域的平面圖； 第7圖係一依據此揭示發明之一實施例的非晶％tft_ LCD裝置之顯示區域的平面圖；而 第8A至11B圖係一些可例示一依據此揭示發明之一實 10施例的非晶矽TFT-LCD裝置之製作方法的平面圖。 L·實施方式1 較佳實施例之詳細說明 就依據此揭示發明之一實施例的非晶石夕tft-LCD裝 置型之乾例而言，其一方法在提供上，係可使其驅動電路 15和圖素陣列，同時形成在一基體上面，因而可使其組合處 理步驟之數目，降低至與一多晶矽TFT-LCD裝置類型者相 當之數目。T文中，將參照其所附諸圖，詳細說明此揭示 發明之一較佳實施例。 第3圖係一依據此揭示發明之一實施例將一移位暫存 2〇器施加至一非晶矽TFT-LCD裝置中之閘極驅動電路區域的 電路圖。第4圖係第3圖之移位暫存器的一個方塊圖。 參照第3和4圖，其閘極驅動電路，係具有多數從屬地 連接之移位暫存器（SRl，SR2，."SRi93)。亦即，每一移位暫 存器之輪出端子（“0UT”），係被連接至其次一移位暫存器 13 1282478 玖、發明說明 其下拉驅動區段196，係連接至其下拉區段192之輪入 節點，而使其可響應上述輸入信號之結束，來啟通其下拉 區段192，以及可響應其次一移位暫存器之輸出信號的結 束，來啟斷其下拉區段192。 5 其上拉區段190係包括：一具有一連接其時鐘信號輸 入端子CK之汲極的第一驅動電晶體T1、一連接至第三節 點N3之閘極、和一連接至其輸出端子〇UT2源極。 其下拉區段192係包括：一具有一連接其輸出端子 OUT之汲極的第二驅動電晶體Τ2、一連接至其第四節點^^ 10之閘極、和一連接至其時鐘信號輸入端子CK之源極。 其上拉驅動區段194，係包括一電容器c，和三個控制 電晶體T3、T4、和T5。其電容器C係連接於該等第三節點 N3與輸出端子〇UT之間。其一第三控制電晶體丁3係具有： 一連接至其第二電源VDD之汲極、一連接至其輸入端子爪 15之閘極、和一連接至其第三節點N3之源極。其一第四控制 電晶體T4係具有：一連接至其第三節點N3之汲極、一連 接至其控制端子CT之閘極、和一連接至其第一電源VSS之 源極。其一第五控制電晶體T5係具有：一連接至其第三節 點N3之汲極、一連接至其第四節點^^之閘極、和一連接 20 至其第一電源VSS之源極。 其下拉驅動區段196，係包括兩個控制電晶體T6和T7 。其第六控制電晶體T6之汲極和閘極，係共同連接至其第 二電源VDD’同時’此第六控制電晶體T6之源極，係連接 至其第四節點N4。其第七控制電晶體T7係具有··一連接 15 1282478 玖、發明說明 114上面，係佈置有一些包括第一摻雜區域 第二摻雜區域118b和118d、和一些形成於此等第一摻雜區 域與第二摻雜區域間之通道區域116a和116b的主動性薄層 樣式。其通道區域116a和116b，係由一非晶矽所構成，以 5及係具有一大約200A之厚度，以及其第一和第二摻雜區域 118a' 118b、118c、和118d，係由一η·型非晶矽所構成， 以及係具有一大約5〇〇Α之厚度。 10 15 20 彼等資料樣式 120a、120b、12〇c、I20e、12〇f、120h 、和120i，係佈置在該等主動性薄層樣式上面。此等資料 樣式係包括：一些分別與該等第一摻雜區域丨丨“和丨丨以相 接觸之源極電極12Ga和12Ge、-些分別與該等第二捧雜區 域118b和118d相接觸之源極電極12(^和n〇e之汲極電極 120b和120f、和一連接至該等源極電極丨加和丨心及在形 成上垂直於其閘極線112g之資料線12〇i。 電極⑽的上方，係佈置有-由_其間嵌有上㈣極^ 薄膜114之資料樣式中的同—薄層所構成之電容器的上部 電極120e。在該等顯示區域與閘極驅動電路區域間之塾片 區域上面，係形成有一由其資料樣式中之同一薄層所構成 之資料墊片12(Μ°此等資料樣式120a、⑽、12〇e、120d 、120e、120f、和 i2〇p，屏虹於· 8取好係由一厚度大約1500A至大 約4000A之鉻（“Cr”）薄膜來構成。 上述由其間極驅會^雷▼欠p > 勒玉路£域之溥膜電晶體所構成之閘 極電極ii2d ’係形成為_框結構，以及該等源極和汲極電 極120e和120f，係形忐盔 々 成為一夕通道之叉指型結構。在彼此 17 1282478 玖、發明說明 區域中，或使位於此封合線下方，藉以避免上述封合線暴 露在一外在大氣中所造成之金屬腐蝕。 在一傳輸型LCD裝置中，該等電極樣式14〇和142，係 由一透明傳導性薄膜所形成，舉例而言，一銦錫氧化物 5 薄膜，或一銦鋅氧化物（“IZ〇，，）薄膜。在一反射型 LCD裝置中，該等電極樣式係由一具有高反射率之不透明 傳導性薄膜所形成，舉例而言，鋁合金薄膜或銀薄膜。 下文中，將參照其所附諸圖，詳細說明一依據此揭示 發明之非晶矽TFT-LCD裝置的製作方法。 1〇 第8A至11B圖係一些可解釋一依據此揭示發明之非晶 石夕TFT-LCD裝置的製作方法之平面圖。在此，每一標示 A之數子，係一可例示一閘極驅動電路區域中之單元操 作程序的平面圖，以及每一標示“B”之數字，係一可例示 一顯示區域中之單元操作程序的平面圖。 15 參照第8A和8B圖，一厚度約為50〇A之鉻（“Cl·，，）薄層和 厚度約為2500A之鋁-歛（“AINd”）薄層所組成的金屬薄膜， 係澱積在一由類似玻璃、石英、或陶瓷等絕緣材料所組成 之基體上面。接著，此金屬薄膜，係使用一第一光罩，透 過一照相平版印刷程序，來加以樣式化，藉以形成一些閘 20 極樣式112。 其顯示區域中之閘極樣式U2係包括··一佈置在一第 一方向（例如，水平方向）中之閘極線U2g、一佈置在此等 相鄰閘極線112g間而在排列上與此等閘極線丨12§相平行之 電容器下部接線112h、一與此電容器下部接線相重疊及形 21 1282478 玖、發明說明 m 8) ’係使用—第二光罩，透過_照相平版印刷程 序，形成在其閘極絕緣薄膜114上面。特言之，一非晶矽 薄膜，係藉由PECVD，殿積在其閘極絕緣薄膜114上面， 而達一大約2000A之厚度，以及非晶石夕薄膜，係藉由 V〇瓜積在上述之非晶石夕薄膜上面，而達一大約 5〇〇A之厚m，其使用上述之第二光罩，透過一照相 平版印刷程序，來樣式化該等薄膜，藉以形成該等包括一 由非sa石夕薄膜所構成之通道區域i〗6和一些由η'非晶石夕薄 膜所構成之第一和第二摻雜區域（例如，源極和汲極區域 w )118的主動性薄層樣式。在此，該等連接至其閘極驅動電 路區域之輸出端子的第一和第二驅動電晶體之主動性薄層 樣式，係具有一寬於該等第三至第七控制電晶體之主動性 薄層樣式者的線。 接著’在其包括主動性樣式116和118之基體的整個表 15面上，澱積一厚度約1500Α之鉻（“Cr，，）薄膜後，此鉻薄膜 係使用一第三光罩，透過一照相平版印刷程序，來加以樣 式化。結果，會有一些資料樣式12〇形成，彼等係包括一 佈置在一垂直於其閘極線112g之第二方向（例如，垂直方 向）的資料線120i，和一些分別與該等第一和第二摻雜區域 20 118&和118b相重疊之源極和汲極電極12〇&和12〇b。在此， 為確保有充分之容量，該等汲極電極12〇1)在形成上，係如 第9A和9B圖中所示，與其電容器下部電極112i相重疊。 誠如第9A圖中所示’一與其閘極塾片丨丨2C相鄰之資料 塾片120d ’係形成在其閘極驅動電路區域上面。此等閘極 23 1282478 玖、發明說明 塾片112c和資料塾片12〇d，係藉由一可與其顯示區域之圖 素電極一起形成之接點樣式，彼此形成電氣連接。此外， 在其閘極驅動電路區域之基體上面，上述由其資料樣式 120中之同一薄層所構成的支接線16〇，在形成上係與其主 5接線150相交。為降低其主接線150之電容值，其支接線 160在該等支接線160和主接線15〇彼此相交處之部分，在 形成上係具有一窄線寬。 母佈置在其閘極驅動電路區域中之移位暫存器的第 一驅動電晶體T1和第二驅動電晶體T2之源極和汲極電極 10 120e*120f，在形成上最好係具有一叉指型結構。換言之 ，該等偶數電極120e，係共同連接至其右側汲極墊片，以 及該等奇數電極120f，係共同連接至其左侧源極墊片。該 等偶數電極120e，係佈置在該等奇數電極12〇f之間。該等 第一驅動電晶體T1和第二驅動電晶體T2之源極和汲極電極 15 12以和12时的叉指型結構，將會增加其有限面積内之驅動 電晶體的通道寬度，以致其由非晶矽所構成之電晶體的驅 動邊力’將可充分地得以確保。 參照第10A和10B圖，在以上所述形成該等資料樣式 !2〇和支接線16〇之後，在其最終結構之整個表面上，係形 2〇成有一鈍化薄層130。此鈍化薄層130係由一類似氧化矽、 鼠化矽、或彼等之結合體等無機絕緣材料、或一光敏性有 機絕緣材料所形成。 接者，δ亥鈍化薄層13 〇，係使用一第四光罩，透過一 照相平版印刷程序，而部份地使餘刻掉，藉以形成彼等接 24 1282478 玖、發明說明 在上述之光罩中，彼等光屏蔽區域係對應於彼等源極 、汲極、和通道區域，以及彼等光透射區域，係對應於其 他區域特0之，該等通道區域與源極區域間之光透射區 域，和該等通道區域與汲極區域間之光透射區域，係具有 - 5 -狹縫結構。由於通過此等狹縫之光波會被繞射，此等狹 . 縫之間隙，係加以控制使較窄於其通道區域。其通過此狹 縫之紫外線，將會被繞射，而曝露出上述位於其通道區域 上面之光敏性薄膜。同時另一區域暴露出之光敏性薄膜， 將會暴露至該等UV射線。 · 1〇 此暴露之光敏性薄膜，將會被顯影，以形成一光敏性 樣式，其中，一對應於其通道區域之部分，將會被移除而 達一預定之深度。當使用此光敏性樣< ,作為一餘刻光罩 ’來執行其乾姓刻程序時，其上無光敏性薄膜之暴露的金 屬薄膜將會被塗敷，以及其下層之本徵性非晶石夕薄膜和非 15本徵性非晶石夕薄膜，將會被移除。此時，其通道區域上面 之光敏性薄膜樣式亦會被移除，因為其在顯影程序期間， 係具有-極薄之厚度。 _ 其次，其通道區域之暴露的金屬薄層，和其下層之非 本徵性非晶梦薄膜，將會藉由__選擇性刻㈣被完^料 w，同時’其下層之本徵性非㈣薄膜，將會被移除而達 預定之深度。其後，該等源極和没極區域上面之光敏性薄 - 膜樣式，將會使用-光罩程序來加以移除，而同時形成該 - 等包括源極和汲極電極之主動性樣式和資料樣式。 依據以上所描述之揭示發明，毋須一額外之程序，便 27 1282478 玖、發明說明 可將其包括移位暫存器和接線之閑極驅動電路，積體製作 至其上形成有-圖素陣列之絕緣基體上面。亦即，數層可 由相同之材料構成的薄層，係由同一薄層所形成，㈣可 減少其光罩之數目。此外，彼等圖素電極有關之傳導性薄 5膜’可使上述由其閘極驅動電路中之移位暫存器所組成的 第一電晶體之源極和沒極電極，彼此相連接，因而可簡化 其製作程序。 此外，其可施加信號給該等移位暫存器之主接線，自 其第-移位暫存器至最後之移位暫存器，係由同一薄層形 10成，以致其主接線之電阻，可使極小化，而增加其非晶石夕 TFT-LCD之場效應移動率。 雖然業已描述了此揭示發明之範例性較佳實施例，理 應瞭解的是，此揭示發明不應受限於此等較佳實施例，本 技藝之專業人員，將可在此揭示内容和下文之申請專利範 15圍的精神與界定範圍内，完成各種之變更形式和修飾體。 【圖式簡單彰L明】 此揭示發明以上和其他之特徵和優點，將藉由下文配 合所附諸圖對其較佳實施例之詳細說明，而更臻明確，其 中： 20 第1圖係一可示意例示一傳統式多晶矽TFT-LCD裝置 之平面圖； 第2圖係一可示意例示一傳統式非晶矽tfT-LCD裝置 之平面圖； 第3圖係一依據此揭示發明之一實施例將一些移位暫 28 1282478 玖、發明說明 118b，118d···第二摻雜區域 120a…源極電極 120a，120b，120c，120e，120f， 120g，120h，120i…資料樣式 120b…汲極電極 120d···資料墊片 130···鈍化薄層 140···圖素電極（第一電極） 140,142,143···電極樣式 142···第二電極 143…第三電極 144···第四電極 150···主接線 160···支接線 190···上拉區段 192···下拉區段 194···上拉驅動區段 19 6…下拉驅動區段
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Claims (1)

1282478 拾、申請專利範圍 1· 一種非晶矽薄膜電晶體液晶顯示器裝置，其係包括： 一絕緣基體，其係包括一其上形成有一圖素陣列 之顯示區域，和一其上形成有多數移位暫存器之驅動 電路區域； 一些閘極樣式，彼等係形成在其基體上面，此等 閘極樣式，係包括一閘極線和一閘極電極； 一主動性薄層樣式，其係形成在其閘極絕緣薄膜 上面； 一些資料樣式，彼等係形成在該等基體和主動性 薄層樣式上面，此等資料樣式係包括··一與其主動性 薄層樣式之第一區域相接觸的源極電極、一與其主動 陡薄層樣式之第二區域相接觸的汲極電極、和一連接 至此沒極電極之資料線； 一鈍化薄層，其係形成在上述包括資料樣式之基 體上面，此鈍化薄層係具有··一可暴露其顯示區域之 汲極電極的第一接點孔、一可暴露每一移位暫存器之 第電晶體的閘極電極之第二接點孔、和一可暴露其 第一電晶體之源極與汲極電極的第三接點孔；和 些電極樣式，彼等係形成在其鈍化薄層上面， 以及係包括-可透過其第一接點孔連接至其顯示區域 线極電極的第-電極，和一可使其閘極電極透過其 第二和第三接點孔與其第-電晶體之源極和汲極相連 接的第二電極。 2.如申請專利範圍第1項之裝置，其進一步係包括一些佈 31 1282478 5 10 15 20 拾、申請專利範圍 置在其驅動電路區域之基體上面的主接線，彼等可施 加信號給每-移位暫存器，此等移位暫存器之主接線 ，係由一單一薄層所形成。 3·如申請專利範圍以項之裝置，其進—步係包括一些佈 置在其驅動電路區域之基體上面而與該等主接線相交 的支接線，彼等可使該等主接線，連結至其驅動電路 區域中之每一移位暫存器的一個電晶體。 4·如申請專利範圍第3項之裝置，其中之支接線在該等支 接線與主接線彼此相交之處的部分，係具有一較其主 接線為窄之線寬度。 5. 如申請專利範圍第3項之裝置，其中之主接線係由一 不同於其支接線之薄層所形成。 6. 2請專利範圍第5項之裝置，其中之主接線，係由— 二同該等間極樣式中之薄層所形成，而該等主接線， 係由-如同該等資料樣式中之薄層所形成。 •=請專利範圍第5項之裝置，其中之主接 如同該等資料揭斗、 田 係由—I 中之薄層所形成’而該等主接線， 、 等間極樣式中之薄層所形成。 .如申請專利範圍第3項之裝 —步包括_第_^ 〃中之電極樣式，係進面之第四接^ 其係透過—形成在—主接線上 點孔，使—和—形成在一支接線上面之第五接 主接線與一支接線相連接。 •如申請專利範圍第8項之裝置，呈中之 孔，係具有一妒兮玺士 ，、 四和弟五接點 車乂该專支接線之線寬度為大的尺度。
32 I282478 拾、申請專利範圍 〇.如申請專利範圍第旧之裝置，其中之驅動電路區域中 的驅動電晶體之開極電極，係具有一框結構，以及盆 之源極和沒極，係具有一叉指型結構。 ’、 申明專利範圍第1項之裝置，其中進-步係包括一電 ™下α卩電極，其係形成在其顯示區域之基體上面， 、及係與其閘極線平行相隔，此電容器下部電極，係 由如同該等閘極電極中之薄層所形成。 12·—種非晶石夕薄膜電晶體液晶顯示器裝置，其係包括： 10 15 20 一絕緣基體’其係包括-其上形成有多數問極線 #夕數貝料線之顯示區域’和_閘極驅動電路區域； 多數之移位暫存器，彼等係形成在其開極驅動電 路區域上面’此等移位暫存器，係包括許多具有一閉 極電極和-些源極和没極電極之薄膜電晶體，此等移 位暫存器，係接續地選擇多數之間極線； 二主接線，彼等係佈置在其閘極驅動電路區域 土 _ Φ #以;fc加信號給每_移位暫存器，此等 移位暫存盗之主接線，係由一單—薄層所形成； 鈍化薄層’其係形成在上述包括移位暫存器和 主接線之基體上面，此鈍化薄層係具有：一可暴露立 顯不區域之資料線的一部分之第-接點孔、-可暴露 移位暫存益之第一電晶體的閘極電極之第二接點 孔、和一可暴露其第-電晶體之源極與沒極電極的第 二接點孔；和 -些電極樣式，彼等係形成在其純化薄層上面， 33 1282478 拾、申請專利範圍 此等電極樣式係包括一可透過其第一接點孔連接至其 顯示區域之資料線的第一電極，和一可使其閘極電極 透過其第二和第三接點孔與其第一電晶體之源極和汲 極相連接的第二電極。 13.如申請專利範圍第12項之裝置，其中進一步係包括一 些佈置在其驅動電路區域之基體上面而與該等主接線 相父的支接線，彼等可使此等主接線，連結至其每一 移位暫存器之電晶體。 支接線與主接線彼此相交之處的部分，係具有^ 主接線為窄之線寬度。 15. 如申請專利範圍第13項之裝置，其中之主接線，係 一不同於其支接線之薄層所形成。 15 20
16. 如申請專利範圍第15項之裝置，其中之主接線，係 一如同該等閘極線中之薄層所形成，而該等主接線 係由一如同該等資料線中之薄層所形成。 17. 如申請專利範圍第15項之裝置，其中之主接線係 -如同該等資料線中之薄層所形成，而該等主接線 係由一如同該等閘極線令之薄層所形成。 18.如申請專利範圍第13項之裝置，Μ之電極樣式叫 進—步包括-第三電極，其係透過一形成在一主接必 上面之第四接點孔，和—形成在一支接線上面之第玉 接點孔，使一主接線與-支接線相連接。 19.如申請專利範圍第18項之 ，、T之弟四和第五接 34 1282478 拾、申請專利範圍 點孔’係具有—較該等支接線之線寬度為大的尺度。 20.如申#專利犯圍第12項之裝置，其中之藤動電路區域 中的驅動電晶體之閘極電極，係具有一框結構’以及 其之源極和沒極，係具有一又指型結構。 5 21. 一種非晶矽薄膜電晶體液晶顯示器裝置之製作方法， 其包括之步驟有： 使些包括閘極線和閘極電極之閘極樣式，形成 在具有一其上形成有一圖素陣列之顯示區域和一其 上形成有多數移位暫存器之驅動電路區域的絕緣基體 10 上面； 在其包括閘極樣式之基體上面，形成一閘極絕緣 薄臈； 在該等閘極電極上方之閘極絕緣薄膜上面，形成 一些主動性薄層樣式； 在该4基體和主動性薄層樣式上面，形成一些資 料樣式，此等資料樣式係包括··一與其主動性薄層樣 式之第一區域相接觸的源極電極、一與其主動性薄層 樣式之第二區域相接觸的汲極電極、和一連接至此沒 極電極之資料線； :〇 在上述包括資料樣式之基體上面，形成一鈍化薄 層； 钱刻該等鈍化薄層和閘極絕緣薄膜，以形成一可 暴露其顯示區域之汲極電極的第一接點孔、一可暴露 每一移位暫存器之第一電晶體的閘極電極之第二接點 35 1282478 拾、申請專利範圍 V +路之金屬薄層和其下層之掺雜式非晶石夕薄層 與非晶石夕薄層，藉以形成該等主動性薄層樣式和資料 樣式。 36·如申明專利範圍第29項之方法，纟中之電容器下部電 極，係在形成該等閘極樣式之步驟中，形成在其顯示 區域之基體上面，以及係與其閘極線平行相隔，此電 谷态下部電極’係由一如同其閘極電極中之薄層所形
成。 37. 10 如申請專利範圍第29項之方法，其中之 驅動電路區域 中之驅動電晶體的閘極電極，係具有—框結構，以及 其之源極和汲極，係具有一叉指型結構。
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