1277148 (1) 玖、發明說明 【發明所屬技術領域】 本發明係有關將2個固體相互且暫時地固定之 及爲此之組成物。更詳細地說，係有關在加工處理 體裝置的固體時，相對基體將該固體固定來進行加 ’使加工處理後的固體可容易地從基體解放般的相 時地固定2個固體之方法以及爲此之組成物。 【先前技術】 將1個固體堅固地固定於其他固體上，然後施 的加工等之某些處理，隨後必須再次分離此2個固 況，常見於現代經濟活動的地方。 例如，在建築物等的壁面產生裂痕破裂、空隙 修補工法中，爲了防止由注入部分或其周邊部分注 脂類漏出，可進行所謂在裂痕破裂、空隙等之上貼 封條後，注入樹脂並使其硬化後，再撕掉止洩封條 。此時，若使用以往所知的膠黏劑，則在除去封條 損傷到壁面。 此時，具備可耐修補用樹脂注入壓力之附著強 施工後可容易剝離之機能的兩機能之固定化方法將 (參照特開2002 — 24976 1號公報）。 又，就各種材料的表面微細加工處理、美術工 作時之木模的止洩封條等而言，將1個固體堅固地 其他固體上，然後施以固體的加工等之某些處理， 方法以 如半導 工處理 互且暫 以固體 體之情 等時之 入的樹 上止洩 之方法 時將會 度，與 被要求 藝品製 固定於 隨後必 -5 (2) 1277148 須再次分離此2個固體之情況雖然常見，然而 無提出在此情況下同時具有堅強固定性與易分 體的固定化劑，以及固體的固定化方法及分離 更者，在半導體裝置的情形下，於製造半 中，雖可在略呈圓板形狀之半導體晶圓的表面 子狀之多數的區域上形成1C、LSI等的電路， 定的切斷線切割該電路所形成的各區域來製造 體元件，然而爲了改良半導體元件的放熱性以 話等之行動機器小型化，使半導體元件的厚度 可能地變薄之事已被期待。爲此，將半導體晶 個元件前，硏削其內部並加工成所預定的厚度 硏削製程中，雖必須將半導體元件堅固地固定 固定基盤等上，然而硏削終了後亦需將半導體 機上分離出來。但是，薄化的半導體晶圓或半 不僅剛性降低容易損壞，而且在分離製程中亦 題。 此時，因硏削製程時堅固的固定，以及硏 後易分離性皆需，故兩者皆具之固定化方法及 要求（參照特開2002 — 669 1 1號公報）。 亦即，相應其使用目的，半導體用晶圓上 設備的晶圓，將進行各種表面以及/或內部之 例如，藉由化學機械硏磨（CMP，Chemical Polishing )等的表面加工技術之表面以及/或 化表面加工，係設定被加工物的被加工基準面 至今爲止尙 離特性之固 方法。 導體之製程 上排列成格 再藉由沿所 各自的半導 及使攜帶電 於形成時儘 圓分割成各 。此時，在 於硏削機的 元件由硏削 導體元件， 有破損的問 削製程終了 分離方法被 乂及/或裝載 表面加工。 Mechanical 內部的均一 於何處，且 -6 (3) 1277148 在相對加工材料加工時必須使其保持一定的平面。使晶圓 的表面或內部密著於例如硬質板以及/或彈性體載體（塡 料材）上來保持晶圓雖可作爲其被加工基準面之設定，然 而加工處理時嚴密地保持晶圓是必要的。 作爲使晶圓的表面或內部密著於例如硬質板以及/或 彈性體載體（塡料材）、玻璃或陶瓷基板以及/或晶圓等 的基體上來保持加工體的晶圓之方法者，可舉出如石蠟固 定法°此石蠟固定法，係以石蠟作爲膠黏劑來使具高精度 表面的硬質板（例如高精度平面的陶瓷板）與晶圓的內部 密著（稱爲晶圓的內部基準）。此法係藉由管理硬質板表 面的平坦精度與石蠟的厚度，仿照晶圓的內部來進行表面 的表面加工。此方法因其表面加工所用的被加工體之晶圓 的表面基本上必須平坦，故不適用於設備裝載過程之晶圓 處理’而廣泛地使用於裸矽的表面加工。然而，在表面加 工中作爲膠黏劑來使用的石蠟，因其加工處理後的洗滌困 難’故有污染的問題，又石蠟中的金屬雜質殘留於洗滌後 的被加工體晶圓的表面，進而擴散（移動）至晶圓或裝置 中而發生污染的問題。 在含有矽晶圓之全部的晶圓表面施以某些加工時，與 前述CMP的情況相同地，必須將被加工體之晶圓的未加 X面保持於某一特定狀態。爲此，雖開發了各種的膠黏劑 ’然而在由基體剝離加工後之被加工體的晶圓時，一般被 稱爲膠黏劑的材料無法容易地加以剝離，且會損壞到晶圓 。更者，因很難除去以及/或洗滌已剝離之晶圓上所黏附 (4) 1277148 的膠黏劑層，故有污染晶圓的問體。特別是在加工處理表 面上具有半導體元件之晶圓的內部時，雖在黏合基體與晶 圓的表面後加工處理內部，然而表面的元件（例如圖案或 孔洞等）或被在加工處理內部時所產生的壓力破壞，或於 加工處理後的剝離時被破壞。特別是在硏磨後的晶圓薄至 數1 Ομπι〜2 00μιη時，剝離時晶圓的破裂以及/或元件的破 壞將成爲問題。在同樣目的下所使用作爲止洩封條的各種 黏著材料雖已被開發，然而至今仍無發現可滿足加工時充 分地保持被加工體，且容易由被加工體上剝離，更者可除 去以及/或洗滌被加工體上所黏附的膠黏劑層，無表面之 半導體元件的破壞以及污染之幾種材料。 更者，即使可剝離例如極薄的晶圓，在剝離後的搬 運步驟以及/或洗滌步驟中晶圓亦有或破裂或變形的問題 【發明的內容】 本發明的目的係提供將1個固體堅固地固定於其他固 體上，其後可容易分離的暫時性固定化劑、使用其暫時性 固定化劑之固體的暫時固定方法以及分離方法。 本發明的其他目的係提供在加工處理半導體用晶圓時 ，可使該晶圓密著·固定於硬質板、彈性體載體（塡料材 )或晶圓等之基體上來保持，且其後可容易分離被加工體 的晶圓，更者可容易除去以及/或洗滌晶圓上所黏附的固 定化劑層，不會引起污染被加工體的晶圓之問題，適用於 •8 (5) 1277148 半導體用晶圓的加工處理之暫時性固定化劑，使用此固定 化劑之暫時固定方法以及分離方法。 本發明的其他目的係提供可容易地將CMP用塡料（ pad )嚴密、確實地固定於定盤上，而且塡料交換時其分 離（剝離）容易且適用於CMP塡料的暫時固定之固定化 劑，以及使用其暫時固定化劑的CMP用塡料之暫時固定 方法以及分離方法。 本發明的其他目的係提供藉由上記方法，將半導體用 晶圓固定於定盤上所固定之的CMP用塡料上，然後進行 加工之方法。 本發明更進一步的目的係提供處理在加工處理表面具 半導體元件（例如圖案或孔洞等）之半導體用晶圓的內部 時使該晶圓密著於基體上保持、而內部加工時無表面元件 的破壞、且可將被加工體的晶圓容易地剝離、更者可容易 除去以及/或洗滌晶圓上所黏附的固定化劑層、而不引起 被加工體晶圓之污染的問題等之晶圓內部的加工方法。 本發明更進一步的目的係提供於進行硏磨晶圓表面等 的加工處理後，特別是硏磨後的晶圓極薄時，使該晶圓密 著於有機聚合物上保持，而洗滌時無表面元件的損壞，且 不會產生該晶圓的破裂以及/或變形等之晶圓搬運方法。 本發明更進一步的目的及優點，可從以下的說明來加 以瞭解。 第1、若依據本發明，則本發明上記的目的及優點可 藉由使用液晶化合物或含有液晶化合物的組成物來將2個 -9 (6) 1277148 固體相互且暫時地固定爲特徵之2個固體的暫時性固定方 法來達成。 第2、若依據本發明，則本發明上記的目的及優點可 藉由含有以液晶化合物作爲欲相互且暫時地固定2個固體 之暫時性固定化劑爲特徵之暫時性固定用組成物來達成。 第3、若依據本發明，則本發明上記的目的及優點可 藉由在2個固體間使液晶化合物或含有液晶化合物的組成 物緊密地接觸’再以該液晶化合物或該組成物相互且暫時 地固定2個固體之暫時性固定化劑爲特徵之2個固體的暫 時性固定方法來達成來達成。 又’第4、若依據本發明，則本發明上記的目的及優 點可藉由將本發明上記暫時性固定法所得之相互且暫時地 固定的2個固體間之液晶化合物熔解，再分離成獨立的2 個固體爲特徵之2個固體的分離法來達成。 第5、若依據本發明，則本發明上記的目的及優點可 藉由 (1 )在半導體裝置用晶圓之化學機械硏磨用塡料的 表面與欲固疋其之疋盤的表面間，施以液晶化合物或含有 其的組成物，然後 (2 )加熱至可熔解該液晶化合物的溫度以上，其次 冷卻至固化後’將該化學機械硏磨用塡料固定於該定盤的 表面 爲特徵之化學機械硏磨用塡料的暫時性固定法來達成 -10 (7) !277148 更者’第6、若依據本發明，則本發明上記的目的及 優點可藉由 (1)在半導體裝置用晶圓的表面與欲固定其之基體 的表面間，施以液晶化合物或含有其的組成物，然後 (2 )加熱至可熔解該液晶化合物的溫度以上，其次 冷卻至固化後，將該半導體裝置用晶圓固定於該基體的表 面， (3 )加工處理所固定之該半導體裝置用晶圓的露出 表面， (4 )加熱該半導體裝置用晶圓至該液晶化合物熔點 以上的溫度，再使其從該基體上分離，然後 (5 )使用溶解液晶化合物或含有其的組成物之溶劑 來洗滌所分離的該半導體裝置用晶圓 爲特徵之半導體裝置用晶圓的加工法來達成。 【實施方式】 以下將更進一步地詳述本發明。 本發明的暫時性固定法係以液晶化合物或含有液晶化 合物的組成物作爲欲相互且暫時地固定2個固體之暫時性 固定化劑來使用。 作爲液晶化合物者，可使用具有由各向異性結晶移至 各向同性結晶之轉移點與由各向同性結晶移至各向同性液 體之熔點者，以及具有由各向異性結晶移至各向異性液體 之熔點與由異向同性液體移至各向同性液體之透明點者之 -11 (8) 1277148 任一者。在本發明中所爲暫時性固定係指預定將1個固體 堅固地固定於其他固體上，然後施以固體的加工等之某些 處理’隨後必須再次分離此2個固體之意。從如此的定義 可知’在本發明中最好使用室溫下呈結晶或固體狀態之液 晶化合物，具體而言係熔點爲3 5 °C以上的液晶化合物。 作爲可使用於本發明之液晶化合物者，具體而言，可 使用如異丁酸鈉、油酸鈉、六氫苯甲酸鈉、硬脂酸鈉、十 四烷酸鈉、棕櫚酸鈉、苯甲酸鈉、乙基-對氧化偶氮基苯 甲酸酯、1 一正十二烷基吡啶鑰氯化物、1 -正十二烷基吡 啶鑰溴化物、1 -正十二烷基吡啶鑰碘化物、2 -正十三烷 基吡啶鑰氯化物、3 -正十二烷基羥甲基吡啶鑰甲基磺酸 鹽、3 -正十二烷基羥甲基吡啶鎗對甲基苯基磺酸鹽、4 -氰基一 4, 一辛基羥基聯苯、4一氰基一 4’ 一十二烷基羥基 聯苯、4一氰基一 4’ -辛醯基羥基聯苯、對辛基羥基苯甲 酸- 4~氰基苯基酯等之蝶狀液晶； 2,4 一庚二烯酸、2,4一辛二烯酸、2,4 一壬二烯酸、 2,4 一癸二烯酸、2,4 —十一烷二烯酸、壬—2—烯基—4 一 炔酸、二十二烷酸、1，1 2 —十二烷二羧酸、對正丁基苯甲 酸、對正胺基苯甲酸、對正己基羥基苯甲酸、對正辛基羥 基—間氟代苯甲酸、w—正丁基山梨酸、p’ 一甲氧基一對 聯苯基羧酸、對氧化偶氮基苯甲醚、對氧化偶氮基苯乙醚 、甲氧苯亞甲基-對胺基苯基乙酸鹽、對甲氧基亞苄一對 丁基苯胺、對乙氧基亞苄-對丁基苯胺、5-氯- 6-正丙 基羥基—2 —萘酸、1 一苯基偶氮—甲氧苯亞甲基一 4 一萘 -12 1277148
基胺、對甲氧基-對丁基氧化偶氮基苯、二己基羥基偶氮 苯、對己基羰酯- P’ -庚基羥苯基苯甲酸、對乙醯氧基 肉桂酸、對甲氧基—α —肉桂酸、苯基戊二烯酸、對正己 基羥基-間溴代肉桂酸、對甲氧基-對聯苯基羧酸、Ρ ’ 一乙氧基一πι’ 一氯—對聯苯基殘酸、ρ’ 一丁基羥基一 m’ 一溴一對聯苯基羧酸、P ’ 一正丙基羥基一 m ’ 一硝基一對 聯苯基羧酸、7—甲氧基〜2 -芴酸、6—甲氧基一 2 —萘酸 、6-乙氧基—2-萘酸、6一正丙基羥基—5_氯—2，_ 萘酸、6 —正丙基經基一 5〜溴一 2，—萘酸、6 —正丁基羥 基一 5 —氯一 2 —萘酸、6〜正丁基羥基一 5 一溴—2—萘酸 、6—正丁基羥基—5—碘〜2一萘酸、p，—正己基羥基一 對聯苯基羧酸甲基酯、ρ ’〜正己基羥基一對聯苯基羧酸 乙基酯、P —正己基羥對聯苯基羧酸丙基酯、p，一 正十一烷基羥基-m -氯代對聯苯基羧酸丙基酯、ρ，— 正十一 k基羥基- m -硝基對聯苯基羧酸丙基酯、p，p， 一對聯苯基二竣酸對聯苯、P，P，—三聯苯基二竣酸二 甲基酯、乙一醇雙（郧乙氧羰基一對羥苯基酯）、雙（對 甲氧基肉桂基）丙酮、〜烯丙叉環戊酮一雙（對甲氧基亞 下）環戊酮、一烯丙叉5我己酮_冑（對甲氧基亞苄）環己 酮、雙〔對（苯醯基）亞节〕〜卜甲基環己嗣、p，p,_ 雙（聯本甲醇）耳節本、1、氯叫，2 _雙（對乙釀氧基苯基 )乙；It'd乙醯羁基亞甲氧基苯胺、對甲氧基 亞卞- P -氰基本胺、對甲氧基亞苄一甲氧基苯胺 、封甲氧基肉桂基一 P〜申基苯胺、對硝基基肉桂基一 -13 (10) 1277148 p’ 一甲基苯胺、對甲氧基苯基戊二烯基苯胺、亞苄-對 胺基苯甲酸、對氰基亞苄-對胺基苯甲酸、亞苄-對胺基 (冷一甲基）肉桂酸、對甲氧基亞苄一對胺基鄰甲基肉桂 酸、對甲氧基亞苄-對胺基鄰甲基羥基肉桂酸、對乙氧基 亞苄一對胺基苯甲酸乙基酯、對乙氧基亞苄-對胺基肉桂 酸丁基酯、對氰基亞苄-對胺基肉桂酸乙基酯、對甲基亞 苄一對胺基肉桂酸胺基酯、對乙氧基亞苄-對胺基甲基肉 桂酸甲基酯、對甲氧基亞苄-對胺基一 α —甲基肉桂酸丙 基酯、對乙氧基亞苄一對胺基一 α 一乙基肉桂酸乙基酯、 對甲氧基肉桂基-胺基苯甲酸乙基酯、對甲氧基亞苄一對 胺基聯苯、亞苄一對胺基- ρ ’ 一乙醯聯苯、亞苄一對胺 基一 Ρ’ 一二甲基胺基聯苯、亞苄一對胺基—ρ，一甲醯基 胺基聯苯、對甲基亞苄-對胺基- Ρ ’ 一乙醯基胺基聯苯 、對甲基亞苄一對胺基- Ρ ’ 一乙醯基胺基聯苯、對甲基 亞苄-對胺基一 Ρ ’ 一苯醯基胺基聯苯、肉桂基一對胺基 一 Ρ’ 一乙醯基聯苯、2—對甲氧基亞苄胺基芴、2一對甲 氧基亞苄胺基菲、2—對甲氧基亞苄胺基芴、2一對正丁基 羥基亞苄胺基芴、對壬基羥基亞苄苯基聯胺、雙（對甲氧 基亞苄）一（二甲基）吖嗪、雙（對苯基亞苄）吖嗪、對 甲氧基本基戊一嫌基苯基聯胺、對苯二甲基-雙（對氯 苯胺）、對苯二甲基一雙（對胺基苯甲酸乙基酯）、雙（ 對氯亞苄）-對伸苯基二胺、雙（對甲基亞苄）一對伸甲 苯基二胺、二亞苄一 ρ，ρ，一二胺基聯苯、雙（鄰羥基亞苄 )一 Ρ，Ρ，一二胺基聯苯、二肉桂基一 ρ，ρ，一二胺基聯苯、 -14 (11) 1277148 雙（對甲氧基亞苄）一 p，p ’ 一二胺基二甲基聯苯、雙（對 甲氧基亞苄）一 2,7—二胺基芴、雙（對甲氧基亞苄）一 1，4 一二胺基萘、雙（對甲氧基—間甲基亞苄）一 p，p’ 一 二胺基三聯苯、肉桂基一 p，p ’ 一二胺基三聯苯、二亞苄一 P，P ’ 一二胺基對聯四苯、對甲氧基一 p ’ 一羥基偶氮苯、 P，P’ 一二甲氧基偶氮苯、p，p’ —二正己基羥基偶氮苯、對 乙醯氧基苯基一對偶氮苯甲酸乙基酯、苯醯基一對羥基苯 基一對偶氮一 α —甲基肉桂酸胺基酯、p，p’ 一偶氮苯甲酸 單乙基酯、1 一乙醯氧基萘一 4一對乙醯基偶氮苯、亞苄— 對胺基偶氮苯、對甲氧基亞苄-對胺基- P ’ -甲基偶氮 苯、對甲氧基亞苄-對胺基-P’ -乙氧基偶氮苯、肉桂 基-對胺基偶氮苯、對甲氧基亞苄-1—胺基萘一 4-偶氮 苯、對甲氧基亞苄一 1—胺基萘—4_ (p’ 一乙醯偶氮苯 )、對甲基亞苄—1—胺基萘—4 一（〆一甲氧基偶氮苯 )、對甲基亞苄一 1 一胺基萘一 4 一（p’_乙氧基偶氮苯 )、對甲基亞苄一 1 一胺基萘_4— (p’ 一甲氧基偶氮苯 )、對甲基亞苄一 1 一胺基萘一 4— (p’_偶氮苯甲酸乙 基酯）、對肉桂基—1 一胺基萘—4— (p’ —偶氮苯甲酸 乙基酯）、雙（對異丙基亞苄）一 P，P ’ 一二胺基偶氮苯、 (對乙氧基苯）-對偶氮（對甲氧基苯醯基）-鄰羥基亞 苄—（P’ 一乙氧基）苯胺、p，p’ —偶氮亞苄一雙苯胺、 亞苄-對胺基聯苯基偶氮苯、對苯二甲基-雙（對胺基偶 氮苯）、p，p’一二乙醯氧基氧化偶氮苯、P，P’ 一二甲氧基 氧化偶氮苯（氧化偶氮苯甲醚）、對甲氧基苯一對氧化偶 -15 (12) 1277148 氮苯甲酸甲基酯、對甲氧基苯一對氧化偶氮苯甲酸苯基酯 、p，p ’ 一氧化偶氮苯甲酸二甲基酯、P，P ’ 一氧化偶氮硫代 苯甲酸二乙基酯、p，p ’ —氧化偶氮肉桂酸二庚基酯、p，p ’ 一氧化偶氮鄰甲基肉桂酸二辛基酯、P，P ’ —氧化偶氮鄰甲 基一 Θ —溴代肉桂酸二乙基酯、P，P ’ 一氧化偶氮一 Θ —甲 基肉桂酸二甲基酯、二對甲氧基苯醯基二硫化物、碳酸甲 基膽巢基酯、碳酸乙基膽巢基酯、苯甲酸-△ 5，6 -膽巢烯 一 3/3 — 01 —酯、對甲氧基苯甲酸膽巢基酯、對胺基苯甲 酸膽巢基酯、對正庚基苯甲酸- P’ 一氰基苯基酯、4 一氰 基一 4，一戊基二環己酯、4 —戊基環己基一 1 一羧酸一對 氰基苯基酯、1 一（對氰基苯基）一 2—（戊基環己基）乙 烷、對氰基—（4 —庚基一 2，6-二羥基環己基）苯、對氰 基一（5 -戊基一 2_嘧啶基）苯、對氰基—〔4一（3-戊 烯基）環己基〕苯、4一（對氰基苯基）一 4’ 一庚基二環 己酯、對氰基一（4 —戊基環己基）苯、1 一（對氰基苯基 )一 2-（4, 一丙基一 4 —二環己基）乙烷、對（4 —丙基 環己基）苯甲酸—2 —氰基—4 —戊基苯基酯、對（4 一丙 基環己基）苯甲酸一 2,3 -二氰基—4 一戊基羥苯基酯、對 (3 -戊基一 6 —噠嗪基）戊基羥基苯、對（1 一氰基—4 一 丙基環己基）—P’一戊基聯苯、2,3 —二氟—4 —乙氧基一 4’ —（4 —戊基環己基）聯苯、4— (3，4一二氟苯基）一 4’ 一戊基二環己酯、1 一〔4一（3，4 一二氟苯基）環己基 〕一2_ (4 —戊基環己基）乙烷、3,4一二氟—4’一（4 一 戊基環己基）聯苯等之向列液晶； -16 (13) 1277148 丙酸膽固醇、苯甲酸膽固醇、棕櫚酸膽固醇、氯化膽 固醇、甲酸膽固醇、乙酸膽固醇、壬酸膽固醇、對胺基肉 桂酸膽巢基酯 '苯甲酸一 Δ5,6; 7,8 —膽巢烷二烯一 3泠 一 〇 1 —酯等之膽固醇型液晶； 顯示對正辛基羥基苯甲酸、對正辛基羥基-間氯代苯 甲酸、對正辛基羥基苯甲酸、5-氯一 6 -正庚基羥基- 2 -萘酸、對正壬基經基亞节一 p’ -甲苯胺、十四院酸膽 固醇、辛酸膽固醇、對正壬酸羥基-間氟苯甲酸、5 -碘 一 6_正壬基一 2 —萘酸、正壬酸膽固醇、p，一正己基羥 基一 m ’ 一硝基一對聯苯羧酸、p —正己基羥基—m —氯代 肉桂酸、對氧化澱粉一對聯苯羧酸、p ’ 一丁基羥基- m ’ 一氯一對聯苯羧酸、P ’ 一正己基羥基一 m ’ 一硝基一對聯 苯羧酸、7 —正庚基羥基一 2 -芴酸、6 —正壬基羥基一 5 — 碘—2 —萘酸、6_正壬基羥基一 5 —硝基—2 -萘酸、7 — 正庚基羥基一 2 -芴酸丙基酯、2-乙醯基一 7 —正庚基羥 基芴酸、二一 p，p，一乙基一 3,6—聯苯噠嗪、二甲基一p， p ’ 一二羥基三聯苯、p，p ’ —二胺基對聯四苯聯五苯、對 正壬基經基亞节- P —乙基苯胺、對正壬基經基亞节-P ’ -丙基苯胺、對己基羥基亞苄-對胺基肉桂酸乙基酯 、對甲氧基亞苄-對胺基肉桂酸胺基酯、2 -對己基羥基 亞苄胺基菲、對乙氧基亞苄-對胺基三聯苯、雙（對胺基 羥基亞苄）一 p’ 一伸苯基二胺、雙（對正丁基羥基亞苄 )一 Ρ，Ρ’〜二胺基聯苯、雙（對丙氧基亞苄）一 2,7—二 胺基芴、雙（對戊基烴基亞苄）一 2,7 -二胺基芴、二亞 -17 (14) 1277148 苄一 p，p，一二胺基三聯苯、對甲氧基苯一對偶氮肉桂酸乙 基酯、P，P，一偶氮肉桂酸二甲基酯、（苯醯基）一對烴基 一間甲氧基苯一P，一乙醯基偶氮苯、（苯釀基）對’工 基一鄰甲氧基苯一 P’ 一乙醯基偶氮苯、（苯醯基）一對 烴基一鄰乙氧基苯一 P，一乙醯基偶氮苯、p，p，一二己基 羥基氧化偶氮苯、對乙氧基苯一對氧化偶氮硫化苯甲酸乙 基酯、對乙氧基苯一對氧化偶氮苯甲酸（對乙基）苯基醋 、雙（對乙氧基苯-對氧化偶氮苯甲酸）一間一經基本酉曰 、4—(對氟苯基）一 4，一戊基一環己酯、1 一（3,4 一 氟苯基）一 2—〔4一（4，一戊基一環己基）〕乙火兀 4 (對三氟甲氧基苯基）一 4，一戊基二環己酯、4一 （對一 氟甲氧基苯基）—4，一戊基二環己酯、4 一三氟甲氧基一 4，一（4 一戊基環己基）聯苯、對三氟甲氧基苯基-對（ 4 一戊基環己基）苯基乙炔等之複合轉移的液晶化合物； 在1個苯環的1，3,5位置上具有類固醇酯基的化合物等之 盤狀（disco tic )液晶，具有芳香族聚酯、聚醯胺、聚醯 亞胺等液晶性之高分子液晶化合物等。 這些液晶化合物可單獨使用，亦可混合2種類以上的 液晶化合物來使用。這些液晶化合物中’係以單獨或2種 類以上的混合物之熔點爲35°C〜200 °C者爲佳’更佳者爲 4 0 °C〜150 °C。更者，這些液晶化合物可在溶解於溶劑之 溶液狀態下使用。 在本發明中，爲了調整液晶化合物的熔點’可混合液 晶化合物與有機聚合物作爲組成物來使用。 -18 (15) 1277148 具體而言，可使用聚（壬二酸酐）、聚（2,6-雙（ 羥甲基）一 4 —甲基苯酚一 co — 4 —羥基苯甲酸）、聚（ 1，4 一丁二醇）雙（4 一胺基苯甲酸酯）、聚（1— 丁烯） 、聚（1，4 一 丁烯己二酸酯—co - 1，4_ 丁烯琥珀酸酯）的 1，6—二異氰酸酯己烷反應物、聚（1，4 一丁烯己二酸酯） 二醇、聚（1，4 一 丁烯己二酸酯一co—聚己內醯胺）、聚 (1，4 一丁烯琥珀酸酯）的1,6-二異氰酸酯己烷反應物、 聚〔丁烯對苯二甲酯—co —對（伸烷基二醇）對苯二甲酯 〕、聚己內醯二醇、聚羰基甲基矽烷、聚氯丁烯、聚（一 氯三氟乙烯一 co-乙烯叉熒石）、聚〔（鄰甲苯基縮水甘 油醚）_ co—甲醛〕、聚〔二甲基矽氧烷一co —甲基（硬 脂醯羥基烷基）矽氧烷〕、聚乙烯、聚（乙烯—co -丙烯 酸）、聚（乙烯一co —丙烯酸）的鈉或鋅鹽、聚（乙烯己 二酸酯）的伸苄一 2,4 一二異氰酸酯反應物、聚（壬二酸 酯）、聚（乙烯一 co — 1 一丁烯）、聚（乙烯一 co— 1 — 丁 烯一co— 1—己烯）、聚（乙烯—co- 丁基丙烯酸酯一 co 一碳素單氧化物）、聚（乙烯—co — 丁基丙烯酸酯—co 一 馬來酸酐）、聚（乙烯一 co — 丁烯）二醇、聚（乙烯—co 一乙基丙烯酸酯）、聚（乙烯一 co -乙基丙烯酸酯- co — 馬來酸酐）、聚（乙烯一 c〇 —縮水甘油基甲基丙烯酸酯） 、聚（乙二醇）、聚乙烯一graft —馬來酸酐、聚（乙烯一 co —甲基丙烯酸酯）、聚（乙烯一co —甲基丙烯酸酯）的 鈉或鋰或鋅鹽、聚（乙烯一c〇 —甲基丙烯酸酯）、聚（乙 烯一 co -甲基丙烯酸酯一 co—丙烯酸酯）、聚乙烯單乙醇 -19 (16) 1277148 、聚（乙稀—c〇 — 1 一学細）、聚環氧乙院、聚乙嫌一 block —聚（乙二醇）、聚（琥珀酸酯）、聚（乙嫌一 co —三烷氧基乙烯矽烷）、聚（乙烯—co—乙酸乙嫌）、聚 (六氟烷氧丙烷一 co —二氟環氧甲烷）單烷基醯胺、聚（ 1，6 —六乙細己一酸醋）、聚（八乙細碳酸醋）、聚（3— 羥基丁酸）、聚異丁烷、聚甲基丙烯酸甲酯、聚月桂基內 醯胺一 block—聚四氫呋喃、聚（羥基伸甲基）乙酸鹽、 聚丙烯、聚（1，3 -丙烯己二酸酯）、聚環氧丙烷、聚苯 醚、聚（丙烯一 co— 1 — 丁烯）、聚（丙烯—co —乙烯） 、聚（1，3—丙烯戊二酯）、聚（1，3-丙烯基琥珀酸酯） 、聚（癸二酸酐）、聚苯乙烯、聚（乙烯醇—co —乙烯） 、聚氯化乙烯叉、聚（乙烯叉氯化物- c 〇 -甲基丙烯酸酯 )、聚（乙烯叉氯化物一 co —乙烯氯化物）、聚（乙烯叉 熒石）、聚（乙烯叉熒石—co —六氟丙烯）、聚（乙烯一 N —十八烷基胺基甲醯酯）、聚（乙烯基甲苯一 co—a — 甲基苯乙烯）、聚（雙酚A—co-4,4’—二氯二苯基砚） 、苯酚樹指、尿素樹指、三聚氰酸樹酯、不飽和聚酯樹酯 、環氧樹酯、聚胺酯等。
這些有機聚合物可單獨使用，亦可混合2種類以上來 使用。這些有機聚合物中，係以單獨或2種類以上的混合 物之熔點爲3 5 °C〜2 0 0 °C者爲佳，更佳者爲4 0 °C〜1 5 0 °C 〇 這些有機聚合物的使用量，雖依存於一起使用的液晶 化合物與有機聚合物的熔點，然而相對於液晶化合物，有 -20 5〜 (17) !277148 機聚合物的使用量係以1〜2 Ο 0重量％爲佳，最佳爲 1 5 0重量％ 。 又，在本發明中，爲了調整加溫溶融狀態下之液 合物及含其之組成物的黏度，相應於需要，可適宜地 氧化鋁、氧化锆、氧化鈦、氧化矽等之金屬氧化物的 子等來使用，更者，爲了調整加溫溶融狀態下的黏度 應於需要，亦可混合熔點超過200 °C的有機聚合物來 〇 作爲熔點超過2 0 0 °C的有機聚合物者，可舉出例 苯乙烯、聚氯化乙烯、聚（乙烯一 alt--氯三氟乙 、聚（乙烯一 co —乙基丙烯酸酯一 co —馬來酸酐）、 乙烯一 alt —馬來酸酐）、聚（乙烯一co —四氟乙烯） (乙烯一co —乙烯乙酸鹽）、聚（異丁烯一 co —馬來 )、聚乙烯醇、聚乙烯縮醛酯、聚丙烯腈、聚四氟乙 聚一氯三氟乙烯、聚氟化乙烯、耐綸一 6、耐綸一 8、 一 6,6、聚乙烯對苯二甲酯、聚丁烯對苯二甲酯、聚 丁烯對苯二甲酯一 co—(伸烷基二醇）對苯二甲酯〕 羰基甲基矽烷、聚（2,6—二甲基一丨，4 一伸苯氧化物 聚碳酸酯、聚對苯二甲酯、聚（苯四羧酸二酐—co 一 一二胺基二苯基醚）、聚（苯四殘酸二酐一 e〇— 4，4’ 胺基二苯基甲烷）、聚（偏苯三酸酐氯化物一 c 0 一 4: 伸甲基二苯胺）、聚苯并咪唑、聚苊烯、聚乙交酯、 桂基內醯胺一block—聚四氫呋喃、聚（4 —乙烯基® 一甲基甲基丙烯酸酯）、聚（4 一甲基一1 一戊烯）、 -21 晶化 混合 微粒 ，相 使用 如聚 烯） 聚（ 、聚 酸酐 烯、 耐綸 〔聚 、聚 )' 4,4 ’ 4，一 聚月 一 c 〇 聚苯 (18) 1277148 基硕等。 這些熔點超過200 °C的有機聚合物之使用量，雖依存 於所使用的液晶化合物或液晶化合物與有機聚合物的熔點 ’然而相對於液晶化合物，有機聚合物的使用量係以200 重量％以下，最佳爲1 5 0重量％以下。 又，在本發明中，爲了改良相對於相互固定之2個固 體的濕潤性以及/或固定性能，在不損及目的機能的範圍 下，可相應於需要，將氟系、矽系、非離子系表面活性劑 等之表面張力調節劑少量地混合於液晶化合物及含其之組 成物中。作爲所謂非離子系表面活性劑者，可舉出例如具 有氟化院基或全氟院基之氟系表面活性劑、或者是具有羥 烷基之聚醚烷基系表面活性劑。作爲前記氟系表面活性劑 者，可舉出例如c9f19conhc12h25、
CsF17S02NH-(C2H40) 6H、C9F170(布魯羅尼克-35)C9F17、 C9F170(布魯羅尼克P— 84) C9F17等（在此，布魯羅尼 克—35:旭電化工業（股份公司）製、聚羥基丙烯一聚羥 基乙烯嵌段共聚物、平均分子量1900;布魯羅尼克P— 84 :旭電化工業（股份公司）製、聚羥基丙烯-聚羥基乙烯 嵌段共聚物、平均分子量4200 )。作爲這些氟系表面活 性劑的具體例者，可舉出例如埃夫多布EF3 01、同EF3 03 、同EF3 52 (新秋田化成（股份有限）製），美卡發克 F171、同F173(大日本墨水（股份有限）製），、阿撒 于卡多AG710 (旭硝子（股份有限）製），弗隆賴道FC —170C、同FC43 0、同FC431 (住友斯里埃母（股份有限 -22 (19) 1277148 )製），薩弗隆 S— 3 82、同 SC101、同 SC102、同 SC103 、同SC104、同SC105、同SC106(旭硝子（股份有限） 製），BM — 1000、同 ll〇〇(B.M— Chemie 社製）、 Schsego — Fluor ( Schwegmann 社製）等。 又，作爲聚醚烷基系表面活性劑者，可舉出例如聚羥 基乙烯烷基醚、聚羥基乙烯烯丙醚、聚羥基乙烯烷基苯基 醚、聚羥基乙烯脂肪酸酯、山梨糖醇酐脂肪酸酯、聚羥基 乙烯山梨糖醇酐脂肪酸酯、羥基乙烯羥基丙烯嵌段共聚物 等。作爲這些聚醚烷基系表面活性劑的具體例者，可舉出 例如埃瑪魯健 105、同 430、同 810、同 920、雷歐道魯 SP— 40S、同 TW— L120、埃瑪弄魯 3199、同 4110、埃梯 西魯P— 401S、布里基30、同52、同72、同92、阿拉西 魯20、埃瑪索爾320、西印20、同60、瑪基45(皆爲（ 股份有限）花王製）、諾尼波魯5 5 (三洋化成（股份有 限）製）等。 作爲上記以外的非離子系表面活性劑者，有聚羥基乙 烯脂肪酸酯、聚羥基乙烯山梨糖醇酐脂肪酸酯、聚伸烷基 氧化物嫌肷段共聚物等，具體而言，可舉出如Chemistat 2500(三洋化成（股份有限）製）、sn— EX9228 (珊諾 布克（股份有限）製）、諾那爾5 3 0 (東邦化學工業（股 份有限）製）等。 如以上般地’作爲暫時性固定化劑，本發明中的液晶 化合物能以單獨液晶化合物或複數液晶化合物之混合物、 或者是含有液晶化合物與任意添加其他添加劑之組成物的 -23 (20) 1277148 形態來使用。這些暫時性固定化劑能以原封不動的狀態來 使用’亦能以溶解或分散於適當溶劑之液狀體的狀態來使 用，甚者可成形爲顆粒狀或膜狀來使用。 作爲溶液者，雖以溶解所使用的液晶化合物或液晶化 合物與有機聚合物者爲佳，然而任何溶劑皆可使用，無特 別地限制。可使用例如異丙醇、丁醇、己醇、辛醇、癸醇 、十一烷醇、苄醇、乙二醇、二甘醇、丙二醇、一縮丙二 醇、苯酚等之醇類，正戊烷、環戊烷、正己烷、環己烷、 正辛烷、環辛烷、正癸烷、環癸烷、二環戊二烯氫化物， 苯、甲苯、二甲苯、硬炔、茚、萘烷、萘滿、四氫萘、十 氫萘、三十碳烷、乙基苯、叔丁基苯、三甲基苯等之碳水 化合物系溶劑； 丙酮、丁酮、甲基異丁酮、環庚酮、環己酮等之酮類 ，乙基醚、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、二甘醇二 甲基醚、二甘醇二乙基醚、四氫呋喃、二噁烷等之醚類； 乙酸乙酯、乙酸丁酯、酪酸乙酯、乙二醇單甲基醚乙 酸酯、乙二醇單乙基醚乙酸酯、乙二醇單乙酸酯、二甘醇 單甲基醚乙酸酯、二甘醇單乙基醚乙酸酯、丙二醇單乙基 醚乙酸酯、丙二醇單乙酸酯、一縮丙二醇單乙基醚乙酸酯 、一縮丙二醇單乙酸酯等之酯類； 二甲基甲醯胺、二乙基甲醯胺、N—甲基吡咯烷酮、 六甲基磷醯胺、二甲基亞硕、r 一丁內酯、氯仿、氯化乙 烯等之極性溶劑。這些溶劑可單獨亦可混合2種類以上來 使用。 -24 (21) 1277148 將本發明的暫時性固定化劑成形爲顆粒狀時，可使用 射出成ϋ法、_型成型法、鑄塑法、薄膜的切割法等之公 矢勺方法以射出成型法或鑄型成型法成形時的溫度，係 以暫時性固定化劑所使用的液晶化合物或含有液晶化合物 與有機聚合物的組成物之熔點〜熔點+ 3〇(rc爲佳，較佳 者爲熔點+ 5。(：〜熔點+ 25〇r，最佳者爲熔點+ 1〇t：〜熔 點+ 2〇〇°C。鑄型成型時的時間，係以例如1〜120分爲佳 ’較佳者爲2〜90分，最佳者爲5〜60分。鑄塑法時之溶 劑的飛散溫度雖依存於所使用之溶劑的沸點，然而係以所 使用溶劑的沸點〜溶劑的沸點+ 2 〇 〇它爲佳，較佳者爲溶 劑的沸點+ 5 T：〜溶劑的沸點+ 1 5 〇它，最佳者爲溶劑的沸 點+ 1 0 °C〜溶劑的沸點十丨〇 〇艺。 顆粒的形狀無特別地限制。例如，可舉出如圓柱、三 角柱、四角柱、五角柱、六角柱般的多角柱，如圓錐、三 角錐、四角錐、五角錐、六角錐般的多角錐，如足球形狀 、立方體般的多面體等。這些之中，爲了保持暫時性固定 之2個固體固定面間隙的平衡，最好使用圓柱或多角柱， 更者若考慮製作顆粒之容易度，則最好使用圓柱。 將本發明的暫時性固定化劑成形爲薄膜狀時，使含有 '液晶化合物、有機聚合物與溶劑之溶液的組成物形成爲薄 膜。薄膜的型態雖依存於所使用之液晶化合物與有機聚合 物的沸點，然而使溶劑由組成物中飛散所形成之薄膜本身 亦可，或使其成爲一般稱爲乾燥薄膜之型態，亦即將此薄 膜挾入支持薄膜與覆蓋薄膜間而形成3層薄膜之型態亦可 -25 (22) 1277148 使用乾燥薄膜的型態時，可使用例如聚乙烯對苯二甲 酯、聚醚硕、聚醯亞胺、聚丙烯等之薄膜來作爲支持薄膜 。支持薄膜的厚度係以10〜200μηι爲佳。又，亦可使用 同於支持薄膜所用之薄膜以及聚乙烯薄膜等來作爲覆蓋薄 膜。覆蓋薄膜的厚度係以5〜100 μηι爲佳，更佳者爲10〜 5 0 μπι 〇 薄膜的製造方法無特別地限制。可使用藉由刷塗、棒 塗抹、塗布機塗抹、旋轉塗抹、浸漬塗抹、印刷、簾流塗 抹等，將上記組成物塗抹於例如玻璃、有機聚合物、陶瓷 、金屬等基板上後，再加熱使溶劑飛散之方法，或者是使 用不含溶劑的組成物，於加熱下進行塗抹之方法等來製造 薄膜。 製造薄膜時，組成物雖依存於薄膜的厚度，然而與液 晶化合物及有機聚合物之合計，係以0.1〜100重量％爲 佳，較佳爲0.5〜80重量，最佳爲1〜50重量％ 。又，使 用含溶劑之組成物時，使塗抹後溶劑飛散之溫度係以室溫 〜200°C以下爲佳，較佳爲15(TC以下，最佳爲100°C以下 。在使用不含溶劑之組成物時，以所用的液晶化合物與有 機聚合物的熔點爲標準任意選擇，加溫至液晶化合物及有 機聚合物的熔點以上之溫度後，再塗抹於支持體上。 乾燥薄膜係在前記支持薄膜上，藉由刷塗、棒塗抹、 塗布機塗抹、旋轉塗抹、浸漬塗抹、印刷、簾流塗抹等， 將上記組成物塗抹於例如玻璃、有機聚合物、陶瓷、金屬 -26 (23) 1277148 等基板上後，再加熱使溶劑飛散，更進一步地施以乾燥後 ’以組成物作爲薄膜，將前記覆蓋薄膜覆蓋於其上來製造 〇 若依據本發明方法，則可藉由作爲暫時性固定化劑的 上記液晶化合物或含其之組成物來相互且暫時性地固定2 個固體。亦即，可藉由在2個固體間使液晶化合物或含其 之組成物緊密地接觸，再以該液晶化合物或含其之組成物 相互且暫時地固定2個固體。 欲在2個固體間使暫時性固定化劑緊密地接觸，可使 用例如在2個固體間，將粉末、顆粒、薄膜等之型態的暫 時性固定化劑加熱至液晶化合物熔點以上的溫度，再使其 熔解，其後冷卻至比熔點更低的溫度之方法，或者是在2 個固體間，藉由溶液的型態，以塗抹使暫時性固定化劑定 fu ’其次在2個固體間將溶劑由溶液中除去，再依需要更 進一步地加熱使其溶解後再冷卻之方法等較佳。在2個固 體間使暫時性固定化劑熔解上，最好將至少任一固體加溫 至暫時性固定化劑所用的液晶化合物或者是液晶化合物與 有機聚合物的熔點以上之溫度後，再將暫時性固定化劑注 入其間並壓者使其黏合。此黏合的溫度雖依存於暫時性固 定化劑所使用的液晶化合物或者是液晶化合物與有機聚合 物的熔點’然而係以液晶化合物或者是液晶化合物與有機 聚合物的熔點〜熔點+ 3〇(TC爲佳，較佳者爲熔點+ 5t：〜 溶點+ 2 5 0 C ’最佳者爲溶點+ 1 〇 〜熔點+ 2 〇 〇 °c。黏合 的時間，係以1〜12 0分爲佳，較佳者爲2〜9 〇分，最佳 -27 (24) 1277148 者爲5〜60分。 暫時性固定化劑的使用量依存於使用固體之接觸面大 小，可任意地選擇。2個固體間所形成之暫時性固定化劑 層的厚度，最好使用成爲〇.〇1μιη〜20mm者爲佳，0·05μηι 〜10mm更佳，最佳者爲Ο.ίμιη〜5mm。 黏合2個固體時的壓力並無特別地限制。其次只要獲 得對如實施以下所記述般之加工製程〜處理製程具耐性之 密著性即可。此外，依據所用的液晶化合物或者是液晶化 合物與有機聚合物，亦可任意地選擇。 相互被固定之2個固體的材質並無特別地限制。例如 可爲金屬、玻璃、陶瓷、磁器、塑膠、橡膠、木材、紙或 布。相互被固定之2個固體的材質，可相同亦可相異。 如上記般地進行處理而被固定，然後經過所規定之加 工製程至處理製程後的2個固體，係使其間的液晶化合物 熔解’即可分離成爲獨立的2個固體。在此分離的情況下 ’最好加溫2個中之至少一個，再使其熔解分離。分離時 的加熱溫度係以固體的固定化劑所使用的液晶化合物或者 是液晶化合物與有機聚合物的熔點，然而係以液晶化合物 或者是液晶化合物與有機聚合物之熔點以上的溫度爲佳， 較佳者爲熔點+ 5°C〜熔點+ 150。(：，最佳者爲熔點+ 1(Γ(： 〜熔點+ 1 0 〇 °C。 於分離後之被固定面上，在暫時性固定化劑殘存的情 況下，可藉由丨谷劑洗滌來除去殘存的暫時性固定化劑。作 爲可使用於洗滌之溶劑者，雖可使用溶解液晶化合物或者 -28 (25) 1277148 是液晶化合物與有機聚合物之溶劑，然而具體而言，作爲 可使用於溶解暫時性固定化劑之溶劑者，可使用如前述所 示例之相同溶劑。又，除此之外亦可使用如氫氧化鉀般的 無機鹼水溶液、如四甲基銨氫氧化物般的有機鹼基的水溶 液 '如鹽酸般的無機酸水溶液、如醋酸般的有機酸水溶液 。相應於需要，這些無機或有機化合物的水溶液亦可含有 適當的有機溶液，例如像甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、二 噁烷、四氫呋喃、二甲基亞硕、r - 丁內酯般的水溶性有 機溶劑。 以下，將針對本發明較佳的具體實施狀態來更進一步 地說明。藉由此說明，可更廣泛且詳細地理解前記本發明 的實施狀態。 在本發明的具體實施狀態之一中，2個固體係由半導 體裝置用晶圓之化學機械硏磨用塡料與固定其之定盤所_ 成。此時，若依據本發明，則可提供 (1 )在半導體裝置用晶圓之化學機械硏磨用填料的 表面與欲固定其之定盤的表面間，施以液晶化合物或含胃 其的組成物，然後 (2 )加熱至可熔解該液晶化合物的溫度以上，# # 冷卻至固化後，將該化學機械硏磨用塡料固定於該定g @ 表面 爲特徵之化學機械硏磨用塡料的暫時性固定法。& τ ，可將化學機械硏磨稱爲CMP。 在製程（1 )中，於CMP用塡料的表面與定盤袠面間 -29 (26) 1277148 ’施以由液晶化合物或含其的組成物所構成之暫時性固定 化劑，然後在製程（2 )中，加熱該暫時性固定化劑使其 熔解’再冷卻使其固化後，將該塡料固定於該定盤上。 在上記製程（1 )中使暫時性固定化劑定位於CMP用 塡料的表面與定盤表面間之方法並無特別地限制。通常， 藉由分散、塗抹、靜置等適宜的方法，將暫時性固定化劑 定位於CMP用塡料以及/或定盤上，隨後可藉由合倂Cmp 用塡料與定盤的面來實現。其詳細的方法如前所述。那些 之中’特別是製程（1 )的實行，最好藉由使液晶化合物 或含有其的組成物成爲固體粉末來分散於半導體裝置用晶 圓之化學機械硏磨用塡料的表面與欲固定其的定盤之至少 一方的表面，或形成顆粒或薄膜來配置於半導體裝置用晶 圓之化學機械硏磨用塡料的表面與欲固定其的定盤之至少 一方的表面，或者是成爲溶劑中溶液來塗抹於半導體裝置 用晶圓之化學機械硏磨用塡料的表面與欲固定其的定盤之 至少一方的表面後，再除去溶劑之任一方法來進行。 作爲CMP用塡料並無特別地限制，只要是市販的不 織布類型、絨布類型、人工皮革、發泡類型、黏合纖維層 的複合類型之塡料等，任何一種皆可使用。作爲這些材質 ，可舉出聚胺酯、聚酯樹酯、聚醯胺、丁二烯系橡膠、 EPDM等。此外，亦可將這些材料單獨或2種類以上合倂 做成層狀或不織布狀來使用。 使暫時性固定化劑定位於C Μ P用塡料與定盤間後， 於製程（2 )中加熱該暫時性固定化劑使其熔解，再冷卻 -30 (27) 1277148 使其固化後 將該桃料固定於該定盤上 。此時，最好將
聚合物的熔點 π卩、」慨日日儿口抑攻者是液晶化合物與有機 然而係以液晶化合物或者是液晶化合物與 有機聚合物的熔點〜熔點+ 3 00。^圭，較佳者爲熔點+ 5 C〜熔點+ 25 0 °c，最佳者爲熔點+ lot：〜熔點+ 20(TC。 黏合的時間，係以！〜120分爲佳，較佳者爲2〜9〇分， 最佳者爲5〜60分。 暫日寸性固定化劑的使用量雖依存於使用CMP用塡料 之接觸面大小’而可任意地選擇，然而塡料與定盤間所形 成之暫時性固定化劑層的厚度，最好使用成爲〇 . 〇〗μιη〜 20ram者爲佳，〇·〇5μιη〜l〇mm更佳，最佳者爲〇.1μηι〜 5 mm ° 黏合CMP用塡料與定盤時的壓力並無特別地限制， 其次只要獲得對所實施的化學機械硏磨製程具耐性之密著 性即可，而依據所用的液晶化合物或者是液晶化合物與有 機聚合物，亦可任意地選擇。 因此使用定盤上所固定的CMP用塡料，再藉由通常 的化學機械硏磨製程，即可進行半導體裝置用晶圓之加工 處理。在此，化學機械硏磨製程最好以低於所使用的液晶 化合物或者是液晶化合物與有機聚合物的熔點溫度來實施 -31 (28) 1277148 此外，在此’化學機械硏磨製程可藉由公知的方法， 使用適^的在此’化學機械硏磨用生料，於適當的條件下 實施。 如上記般地進行’在進行一定枚數之晶圓的硏磨後， 將定盤上所固定、化學機械硏磨製程所使用的CMP用塡 料剝離，然後必須進行新塡料的交換。在此剝離製程時， 最好加溫C Μ P用塡料與定盤中至少一方後，再進行剝離 。剝離時的加熱溫度係以液晶化合物或者是液晶化合物與 有機聚合物的熔點以上的溫度爲佳，較佳者爲熔點+ 5 t 〜熔點+ 1 5 0 °C，最佳者爲熔點+ 1 0 °C〜熔點+ 1 0 0。〇。 將CMP用塡料剝離後之定盤，於暫時性固定化劑殘 存的情形下，可藉由溶劑洗滌來除去。在此，可使用於洗 滌之溶劑如上所述。此外，有關C Μ P用塡料的暫時性固 定法，在此無記載的事項可原封不動地採用前記的事項或 加上該業者自明的變更而適用者。 在本發明之具體實施狀態的另一個中，2個固體係由 半導體裝置用晶圓與欲固定其之定盤所構成。此時，若 依據本發明，則可提供 (1)在半導體裝置用晶圓的表面與欲固定其之基體 的表面間，施以液晶化合物或含有其的組成物，然後 (2 )加熱至可熔解該液晶化合物的溫度以上，其次 冷卻至固化後，將該半導體裝置用晶圓固定於該基體的表 面， (3 )加工處理所固定之該半導體裝置用晶圓的露出 -32 (29) 1277148 表面， (4)加熱該半導體裝置用晶圓至該液晶化合物溶點 以上的溫度，再使其從該基體上分離，然後 (5 )使用溶解液晶化合物或含有其的組成物之溶劑 來洗滌所分離的該半導體裝置用晶圓 爲特徵之半導體裝置用晶圓的加工法。 在製程（1 )的實行，最好藉由使液晶化合物或含有 其的組成物成爲固體粉末來分散於半導體裝置用晶圓與欲 固定其的定盤之至少一方的表面，或形成顆粒或薄膜來配 置於半導體裝置用晶圓與欲固定其的定盤之至少一方的表 面’或者是成爲溶劑中溶液來塗抹於半導體裝置用晶圓與 欲固定其的定盤之至少一方的表面後，再除去溶劑之任一 方法來進行。 塗抹時’塗抹方法無特別地限制，可使用藉由刷塗、 旋轉塗抹、浸漬塗抹、簾流塗抹、滾筒塗抹、噴淋塗抹、 油墨噴射、印刷等。塗抹可採取一次、多次或重複塗抹之 方法。使塗抹的溶劑飛散後之最適薄膜層的厚度，依存於 塗抹方法、溶液組成物中之液晶化合物的濃度，可做適宜 的變動。薄膜層的厚度係以0·001〜100μηι爲佳，最佳者 爲0·005〜50^m。使所用的溶劑飛散之乾燥方法，可採用 置於室溫下使溶劑飛散，或加熱使溶劑飛散之方法。加熱 ί吏溶劑飛散時’最好以溶液組成物中所使用之液晶化合物 的熔點以上〜熔點+ 20(rc以下的溫度，較佳爲熔點+ 5t： 〜熔點+ 1 5 0 °C以下的溫度，最佳者爲熔點+ 1 0 °c〜熔點 -33 (30) 1277148 + 100°c以下的溫度來進行乾燥。 又，此時，預先使塗抹所用組成物的溫度成爲液晶化 合物熔點以上的溫度，將使塗抹後的乾燥更容易。 其次，在製程（2 )中，使半導體裝置用晶圓與欲固 定其的定盤之至少一方的表面上形成液晶化合物的薄膜後 ，加熱至該液晶化合物之熔點以上的溫度，其次冷卻固化 後，再藉上述過程使其密著來進行固定。因此，將兩者置 於加溫至所用液晶化合物之熔點以上的溫度之狀態下進行 黏合者最佳。此黏合的溫度係以加溫至熔點+ 5 °C〜熔點 + 1 5 0 °C以下的溫度爲佳，最佳者爲熔點+ 1 0 °C〜熔點+ 1 〇 〇 °c以下的溫度。 黏合被加工體晶圓與晶圓基體時的壓力並無特別地限 制，只要獲得對加工處理被加工體晶圓製程具耐性之密著 性即可，而依據所用的液晶化合物，亦可任意地選擇。 黏合於支持晶圓之基體上的晶圓，於製程（3 )中， 相應其晶圓之使用目的，將實施特定的加工處理。例如， 在製程（3)中之半導體裝置用晶圓的暴露表面爲不具半 導體元件之內面時’加工處理可視爲此內面的硏磨。依據 場所，黏合於晶圓基體上的晶圓，亦可原封不動地移動場 所（亦即所謂晶圓的搬送）來使用。爲了其使用目的的處 理，無論何種情況皆以低於液晶化合物之熔點的溫度來進 行加工處理。於實施那些處理後，在製程（4 )中晶圓與 基體雖被分離，然而加溫被加工體的晶圓或/以及晶圓的 基體之至少一方來進行分離。剝離晶圓與基體時的溫度係 -34 (31) 1277148 以溶點以上的溫度，較佳爲熔點+ 5 °C〜熔點+ 1 5 0 °C，更 佳爲熔點+ 1 0 °C〜熔點+ 1 〇 〇艺。 其次，在製程（5 )中，藉由可溶解於液晶化合物中 的溶劑進行洗滌來除去被分離的晶圓。除上記製程（1 ) 〜（5 )外，相應於合理需要，亦可附加其自體公知的製 程來實施。 例如，如上述般，製程（3 )的加工處理爲晶圓之內 面硏磨時，實施製程（3 )後，在進行製程（4 )前，實施 將切割膠布貼附於半導體裝置用晶圓的被硏磨內面之製程 (3 ’.），然後在製程（4 )中可同時地將該半導體裝置用 晶圓與切割膠布由基體上分離。然後，在製程（5 )中洗 條原封不動貼附切割膠布之半導體裝置用晶圓，在於製程 (5 )之後’亦可更進一步地實施切割貼附切割膠布之半 導體裝置用晶圓之製程（6 )。 又’例如同樣地，製程（3 )的加工處理爲晶圓之內 面硏磨時’實施製程（3 )後，在進行製程（4 )前，實施 藉由 '液晶化合物或含其的組成物將有機聚合薄膜暫時性固 定於半導體裝置用晶圓的被硏磨內面之製程（3’’），然 後在製程（4 )中可同時地將該半導體裝置用晶圓與有機 聚合薄膜由基體上分離。 然後’在製程（5 )中洗滌原封不動固定有機聚合薄 膜之半導體裝置用晶圓，在於製程（5 )之後，亦可更進 一步*地實施切割固定有機聚合薄膜之半導體裝置用晶圓之 製程（6 ’）。 -35 (32) 1277148 上記製程（3 ’）中所使用的切割膠布，並無特別地 限制’只要爲一*般巾販的切自ϋ膠布即可。 作爲所謂切割膠布可爲紫外線硬化型及非紫外線硬化 型之任一種，例如可舉出古河電氣工業股份有限公司製切 割膠布 UC — 110Μ — 120、UC — 120Μ — 120、uc — 128Μ — 90、UC—228W-110、UC-353EP-110、UC-334EP — 85、UC - 337ΕΡ — 110、UC - 321ΕΡ-85、UC - 3 29ΕΡ -85、FC— 217Μ — 170、FC - 220Μ - 120，日東電工（股份 有限）製「利巴阿爾發」Νο·3193Μ、3193MS、3194Μ、 3194MS、3194Η、3194HS、3 195、3195Μ、3195MS、 3195Η、3195HS、3 19 6、3198LS、3 1 9 8 Μ、3 1 9 8 M S、 3198Η、3198HS，住友貝克拉德股份有限公司製切割膠布 「斯米來司—FSL」FSL — Ν4000等。 在上記製程（3 ’）中將切割膠布黏合於硏磨面後， 在製程（4 )中，爲了將黏合切割膠布的晶圓加溫至顯示 液晶性之化合物的熔點以上之溫度，再由基體上拆下，故 切割膠布需選擇對該加熱溫度具有耐熱性者。切割膠布的 黏合溫度及壓力等，可依所選擇之切割膠布的做法爲基準 任意地選擇。 因此’在製程（6 )中，雖將切割貼附切割膠布的晶 圓’然而切割的方法及切割後的洗滌等可依目的爲基準任 意地選擇，並無特別地限制。 其次’將針對製程（3 ’，）加以說明。在製程（3，’ )中’藉由液晶化合物或含其的組成物將有機聚合薄膜暫 -36 (33) 1277148 時性固定於半導體裝置用晶圓的被硏磨內面。又，其彳轰， 在製程（4)中同時地將該半導體裝置用晶圓與有機 薄膜由基體上分離。然後，可依據製程（5)對原封+ _ 固定有機聚合薄膜之半導體裝置用晶圓進行洗滌，其g # 可更進一步地實施切割製程（6 )。 在製程（4 )之後、製程（5 )之後或製程（6 )之％ ，於半導體裝置用晶圓與有機聚合薄膜成爲一體的狀態τ 可將其移動至別的場所（搬送）。搬運的場所依目的爲^ 準可任意地選擇，並無特別地限制。又，製程（6 )中；^ 切割的方法及其後的洗滌等可相應於目的適宜地進行。 作爲在製程（3 中所使用之有機聚合薄膜的材料 者，並無特別地限制，可使用一般市販的有機聚合物。亦 即，可使用於本發明中之有機聚合薄膜，只要對暫時性固 定化劑具有化學的耐性以及耐的住其溶融溫度者，使用任 一種皆可。例如，可使用聚乙烯氯化物、聚乙烯醇、聚乙 酸乙烯酯、聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯對苯二甲酯、聚醚碼 、聚醯亞胺、聚- 1,2 - 丁二烯、以及環狀烯烴系聚合物 〇 作爲上記環狀烯烴系聚合物，如作爲構成聚合物的單 體者，可舉出例如三環〔4.3.0.12’5〕癸一 3-烯、1 一甲基 三環〔4.3.0.12’5〕癸一3 —烯、1 一甲氧基三環〔4·3·0·12,5 〕癸一 3 —烯、2 —甲基三環〔4.3.0.12,5〕癸一 3 —烯、5 — 甲基三環〔4·3·0·12,5〕癸一 3 —烯、6 —甲基三環〔 4.3.0.12,5〕癸—3 —烯、6 —乙基三環〔4·3·〇·12,5〕癸一3 -37 (34) 1277148 —烯、9 —甲基三環〔4.3.0.12,5〕癸一3 —烯、9 —乙基三 環〔4.3.0.12,5〕癸一 3 —烯、10 —甲基三環〔4.3.0.I2,5〕 癸一3 —烯、10 —乙基三環〔4.3.0.12,5〕癸—3 —烯、10 — 苯基三環〔4.3.0.12’5〕癸—3 —烯、10 —環己基三環〔 4.3.0. 12.5〕癸一 3 -烯、三環〔4.2.0.12,5〕壬一 3 -烯、2 一甲基三環〔4.2.0.12,5〕壬一 3 —烯、7 —甲基三環〔 4·2·0·12,5〕壬一 3—烯、三環〔4.4.0.12,5〕十一一 3-烯、 1 一甲基三環〔4.4.0.12’5〕十一 一3 —烯、2 —甲基三環〔 4.4.0. 12.5〕十一一 3 —烯、2 —乙基三環〔4.4.0.12,5〕十一 —3 —儲、8 —甲基二環〔4.4.0.12’5〕~\ 3 —燃、二環 〔6.4.0.12,5〕十三一 3—烯、2—甲基三環〔6.4.0.12,5〕十 三一3 —烯、8—甲基三環〔6.4.0·12,5〕十三—3 —烯、 三環〔4.3.0.12’5〕癸一3,7 —二烯、1—甲基三環〔 4·3·0·12,5〕癸一 3,7 — 二烯、2—甲基三環〔4.3.0.12,5〕癸 一 3,7 — 二烯、2 —乙基三環〔4.3.0.I2,5〕癸—3,7 —二烯 、5 —甲基三環〔4.3.0.12,5〕癸一3,7 —二烯、6—甲基三 環〔4.3.0.12,5〕癸 一3,7 —二烯、6 —乙基三環〔4.3.0.12,5 〕癸—3,7 —二烯、10—甲基三環〔4.3.0.12,5〕癸一3,7 — 二烯、10 —乙基三環〔4.3.0.12,5〕癸 一3,7—二烯、10 — 苯基三環〔4.3.0.12,5〕癸一3,7—二烯、10—環己基三環 〔4.3.0.12,5〕癸一3,7 — 二烯、三環〔4.4.0.12,5〕十—— 3,7 - 二烯、1 一甲基三環〔4.4.0.12,5〕十一一 3,7 — 二烯 、2 —甲基三環〔4·4·0·12,5〕十——3,7—二烯、2 —乙基 三環〔4·4·0·12,5〕-(---3,7 —二烯、7 —氯代三環〔 -38 (35) 1277148 4.4.0. 12.5〕十一一 3,7 —二烯、7 —氟三環〔4.4.0.12,5〕十 一一 3,7 — 二烯、8 —甲基三環〔4.4.0.12,5〕十一 一3,7 — 二烯、三環〔4.4.0.1 2,5〕十一一 3,8 —二烯、1 一甲基三環 〔4·4·0·12,5〕十一 一3,8 —二烯、2—甲基三環〔4.4.0.12,5 〕-(---3,8 —二烯、2— 乙基三環〔4.4.0.12,5〕十一一 3,8—二烯、8—甲基三環〔4.4.0.12,5〕十一一3,8—二烯 、三環〔6.4.0.I2,5〕十三—3, 11 一二烯、2 —甲基三環〔 6.4.0. 12.5〕十三—3，11一 二烯、8 —甲基三環〔6.4.0.12,5 〕十三—3，11—二烯、三環〔6.4.0.12,5〕十三一 3,10 —二 烯、2 —甲基三環〔6.4·0·12,5〕十三一3,10 —二烯、8 —甲 基三環〔6.4.0.12,5〕十三—3，10 — 二烯、三環〔6.4.0.12,5 〕十三一 3,9 一二烯、2 —甲基三環〔6.4.0.12,5〕十三一 3,9一 二烯、9 一甲基三環〔6.4.0。12,5〕十三一3,9 —二烯 二環〔2·2·1〕庚一2 —矯、5 —甲基—一^環〔2.2.1〕 庚—2 —燒、5 —乙基——·環〔2.2.1〕庚—2-稀、5 —丙 基—二環〔2.2.1〕庚一 2 —嫌、5 -丁基—二環〔2.2.1〕 庚—2 —燃、 5 —戊基—二環〔2.2.1〕庚一 2—燒、5 -己基—二環 〔2.2.1〕庚—2 —燃、5 —庚基一一環〔2.2_1〕庚一 2 —儲 、5 —辛基-二環〔2.2.1〕庚—2 —烯、5 —癸基—二環〔 2.2.1〕庚—2- 燒、5 —十一院基一一環〔2.2.1〕庚—2 — 燦、5,6 —二甲基一一環〔2.2.1〕庚一2—嫌、5—甲基一5 一乙基一二環〔2.2.1〕庚—2 —烯、5 —苯基一二環〔 -39 (36) 1277148 2.2.1〕庚—2-嫌、5 —環己基—一環〔2.2.1〕庚—2 —少希 、5 —環辛基一二環〔2.2.1〕庚—2-烯、5 —氟—二環〔 2.2.1〕庚一 2-靖、5- 氯代一 一環〔2.2.1〕庚—2 —嫌、 四環〔4.4.0.12’5.17’1()〕十二一3 —烯、8 —甲基一四環〔 4·4·0·12,5·17，1()〕十二一3 —烯、8 —乙基一四環〔 4·4·0·12,5·17，1()〕十二—3 —烯、 二環〔2.2.1〕庚一 5 -烯—2- 羧酸、二環〔2.2.1〕 庚一5 —烯一2 —羧酸甲酯、二環〔2·2·1〕庚一 5 —烯—2 —羧酸乙酯、二環〔2.2.1〕庚—5 -烯—2 —羧酸丁酯、2 —甲基—二環〔2.2.1〕庚—5 —烯—2 —羧酸、2 —甲基一 二環〔2.2.1〕庚一5 —儲一 2 —殘酸甲醋、2—甲基一一環 〔2.2.1〕庚一5 —烯一2 —羧酸乙酯、2 —甲基一二環〔 2·2·1〕庚—5 -嫌一2-殘酸丙酯、2 —甲基一二環〔2。2.1 〕庚一 5 —烯—2-羧酸丁酯、2-乙基一二環〔2.2.1〕庚 —5 —烯一2 —羧酸甲酯、2 —甲基—二環〔2.2.1〕庚—5 —烯一2 —羧酸三氯乙酯、2 —甲基一二環〔2.2.1〕庚—5 一烯一2 —烯基乙酸乙酯、丙烯酸一2 —甲基一二環〔 2.2.1〕庚一5 —烯、甲基丙烯酸一 2 —甲基一二環〔2.2.1 〕庚一 5 - {希、二環〔2.2.1〕庚—5 —燃—2,3 - 二竣酸二 甲酯、二環〔2.2.1〕庚一 5—烯一2,3 —二羧酸二乙酯、3 一甲基一四環〔4·4·0·12’5·Γ’1()〕十二一 8 — 烯一3 —羧酸 、四環〔4·4·0·12’5·Γ’1()〕十二一8 —烯一3 —羧酸、3 —甲 基—四環〔4·4·0·12’5·17’1()〕十二一8 -烯一3 —羧酸甲酯 、3—甲基一四環〔4·4·0·12’5.Γ’1()〕十二一8—烯一 3—羧 -40 (37) 1277148 酸乙酯、5 —三甲氧基甲矽烷基一二環〔2.2.1〕庚一2 — 傭、5 —二甲氧基氯代甲5夕院基一二環〔2.2_1〕庚一 2-烯、5 —甲氧基氯代甲基甲矽烷基一二環〔2.2.1〕庚一2 一烯、5 —二甲氧基氯代甲矽烷基一二環〔2.2.1〕庚一 2 一烯、5 —甲氧基氫化甲基甲矽烷基一二環〔2.2.1〕庚一 2—烯、5 —二甲氧基氫化甲矽烷基一二環〔2.2.1〕庚一 2 —烯、5 —甲氧基二甲基甲矽烷基—二環〔2.2.1〕庚一 2 一矯、5 —二乙氧基甲5夕垸基一 _^環〔2.2.1〕庚一 2 —嫌 5 -二乙氧基氯代甲矽烷基一二環〔2·2·1〕庚一2 -烯、5 —乙氧基氯代甲基甲矽烷基一二環〔2.2.1〕庚一 2 —烯、5 —乙氧基氫化甲基甲矽烷基一二環〔2.2.1〕庚一 2—烯、5—乙氧基二甲基甲矽烷基一二環〔2.2.1〕庚一2 —烯、5 —乙氧基二乙基甲矽烷基一二環〔2.2.1〕庚—2 —烯、5 —丙氧基二甲基甲矽烷基—二環〔2.2.1〕庚—2 一烯、5 -三丙氧基甲矽烷基一二環〔2.2.1〕庚一 2 —烯 、5 -三苯氧基甲矽烷基—二環〔2.2.1〕庚一 2-烯、5 — 三甲氧基甲矽烷基甲基一二環〔2.2.1〕庚一2 —烯、5 — 二甲基氯代甲石夕院基一 一·環〔2.2.1〕庚—2 —嫌、5 —甲 基二氯代甲Ϊ夕院基—二環〔2.2.1〕庚—2-嫌、5 —二氯 代甲矽烷基一二環〔2.2.1〕庚一 2-烯、 5 —二乙基氯代甲矽烷基一二環〔2.2.1〕庚一 2-烯 、5 —乙基二氯代甲矽烷基—二環〔2.2.1〕庚—2—烯、5 一 （2 —三甲氧基甲矽烷基）乙基—二環〔2.2.1〕庚一 2 -41 (38) 1277148 一烯、5 — （2 —二甲氧基氯代甲矽烷基）乙基一二環〔 2.2.1〕庚一2 —烯、5— (1 —三甲氧基甲矽烷基）乙基一 二環〔2.2.1〕庚—2 —綠、 5 — （2 —三甲氧基甲矽烷基）丙基一二環〔2.2.1〕 庚一2—烯、5—（1 一二甲氧基甲砂院基）丙基—一環〔 2.2.1〕庚一2 —燒、5 —二乙氧基甲砂院基乙基一 一環〔 2.2.1〕庚一 2 —烯、5 —二甲氧基甲基甲矽烷基甲基一二 環〔2·2·1〕庚一2 —烯、5 —三甲氧基丙基甲矽烷基一二 環〔2.2.1〕庚—2 —烯、8 —三乙氧基甲矽烷基一四環〔 4·4·0·12’5.17’1()〕十二一 3 —烯、8 —甲基二甲氧基甲矽烷 基·—四環〔4.4.0.12’5.17’1()〕十 一 —3 —矯、5— 〔 1 —甲 基一 2，，5’一二氧一 1’ —矽環戊基〕—二環〔2.2.1〕庚— 2 —烯、5— 〔 1’ 一甲基一3’，3’，4 ’，4’ 一四苯基一2’，5’ —二氧—1’ 一矽環戊基〕一二環〔2.2.1〕庚—2 —烯、5 —〔1，一甲基一3’，3’，4’，4’一四甲基一2’，5’一二氧一 1 — 5夕環戊基〕——·環〔2.2.1〕庚—2 —矯、5—〔1 — 苯基—2 ，5 - 一氧—1 —砍環戊基〕—二環〔2.2.1〕庚 一2_烯、5 -〔 1’ 一乙基—2’，5’ 一二氧—1，一矽環戊基 〕一二環〔2.2.1〕庚—2—烯、5—〔1’，3’ —二甲基—2, ，5’ —二氧—1’ —矽環戊基〕—二環〔2.2.1〕庚—2 —烯 、5 —〔1 —甲基一3 ，4 — 一 甲基一2 ，5 — 一《氧一1 — 石夕環戊基〕一一環〔2.2.1〕庚—2—燒、5—〔1 —甲基 —2’，6 —二氧一 1 一 5夕環己基〕一二環〔2.2.1〕庚一 2 —烯、5— 〔1’一乙基一2’，6’ —二氧一1’一矽環己基〕 -42 (39) 1277148 —二環〔2.2.1〕庚一2 —烯、5—〔 1’，3，—二甲基—2’， 6’ 一二氧一1 —石夕環己基〕—二環〔2.2.1〕庚—2 —儲、 5 — 〔1 —甲基一4 ，4 — _甲基—2 ，6 — _氧一1 —石夕 環己基〕—一環〔2.2.1〕庚一2 —矯、5—〔1 一甲基一 4 ’，4’一二甲基一 2’，6’ 一二氧—1’ 一矽環己基〕甲基— 二環〔2.2.1〕庚一2 —烯、5—〔1’一甲基一4’，4’一二甲 基一2 ，6 —二氧—1 一石夕環己基〕乙基—二環〔2.2.1〕 庚一2 —嫌、5—〔1 —苯基—4 ，4 — _«甲基—2 ，6 — 二氧_1 — 5夕環己基〕—二環〔2.2.1〕庚—2 —儲、5 — 〔1’ —甲基一4’ 一苯基—2’，6’ —二氧一1’ 一矽環己基 〕一—^環〔2.2.1〕庚一2 —嫌、5—〔1 —甲基一4 —螺 環己基一 2’，6’一二氧一 1’ —矽環己基〕—二環〔2·2·1〕 庚一2 —嫌、5—〔1 —甲基一 4 —乙基一 4 —丁基—2 ，6’ —二氧一1’一矽環己基〕甲基一二環〔2.2.1〕庚—2 —烯、5— 〔1’一甲基一3’，3’一二甲基一5’一伸甲基一 2 ’，6，—二氧—1，一矽環己基〕—二環〔2.2.1〕庚—2 -烯、5—〔1’ —苯基—2,，6’ —二氧—1’ —矽環己基〕— 二環〔2.2.1〕庚—2 —燒、5—〔1 一甲基—3 —苯基一 2 ’，6’ —二氧—1’ —矽環己基〕—二環〔2.2.1〕庚—2 — 烯、5—〔1’ —甲基一4’，4’一二甲基一2’，6’一二氧一1’ 一石夕環己基〕一7— 一氧—一環〔2.2.1〕庚一 2—嫌、5 — 〔1，—甲基一2’，6’ 一二氧一 1，—矽環己基〕一7——氧 —二環〔2.2.1〕庚—2— 烯、5—〔1’一甲基—2’，7，一二 氧一 1 —砂環丁基〕乙基—二環〔2.2.1〕庚—2 —矯、3 -43 (40) 1277148 —〔厂—甲基—厂^’一二甲基一厂…’一二氧—厂—矽 環己基〕—四環〔4·4·〇·12,5·17，1()〕十二—8一烯、3-〔 1’一甲基一2’，6，一二氧一H’一矽環己基〕—四環〔 4·4·0·12,5·Γ，1()〕十二一 8- 烯等。 環狀烯烴系聚合物，除構成上記環狀烯烴系聚合物之 單體外，亦可爲特定的α 一烯烴化合物’例如以乙燦、丙 烯、1 一 丁燒、1 一己烯、1 一辛烯、三甲基甲矽院基乙嫌 、三乙基甲砂院基乙_、苯乙嫌、4一甲基苯乙儲、2一甲 基苯乙烯、4 -乙基苯乙烯等作爲聚合物構成單體的一個 來使用之共聚物。 作爲環狀烯烴系聚合物的具體例者’可舉出例如聚{ 7,9 — ( 4 —甲基一 4 一甲氧基羰基〔4·3·0·12,5〕三環癸烷 )—co —乙；(:希}、聚{二環〔2.2.1〕庚—2 —嫌一 co —三 環〔4·3.0.1 2,5〕癸一3—烯一 co— 5 —三乙氧基甲矽烷基一 二環〔2.2.1〕庚—2— 烯丨、聚{二環〔2.2.1〕庚—2 — 條一co — 5 —己基—二環〔2.2.1〕庚—2—嫌}等。這些薄 膜相應於使用目的，可任意地選擇。 在製程（3 中，固定有機聚合薄膜於硏磨加工處 理的內面時之黏合溫度雖依存於所使用的液晶化合物或者 是液晶化合物與有機聚合物的熔點，然而係以液晶化合物 或者是液晶化合物與添加的有機聚合物的熔點〜熔點+ 3〇〇°C爲佳，較佳者爲熔點+ 5°C〜熔點+ 25〇。(：，最佳者 爲熔點+ 10°C〜熔點+ 200°C。黏合的時間，係以1〜12〇 分爲佳，較佳者爲2〜90分，最佳者爲5〜60分。 -44 1277148 (41) 又’黏合硏磨過的晶圓與有機聚合薄膜時 导寸別地限制，可依據所用的液晶化合物或者是 與有機聚合物來任意地選擇。 在製程（4 )中，將黏合有機聚合薄膜的 上分離。然後，在製程（5 )中使用溶劑洗滌 上之殘存的暫時性固定化劑。此時，殘存暫時 之晶圓面爲具有半導體元件之表面時，必須徹 入元件中的暫時性固定化劑。作爲此洗滌所使 ’只要是可溶解所用的液晶化合物或者是液晶 機聚合物之溶劑，即可選擇來使用。具體而言 前述相同的溶劑。 〔實施例〕 以下，雖藉由實施例來更詳細地說明本發 發明並非僅限於這些實施例。 實施例1 在直徑2Gmm的柱狀加壓成型器上秤量 體粉末的二十二烷酸（二十二烷酸），然後友 cm— 2的壓力3分鐘，即可獲得直徑20mm、 的圓柱狀顆粒。將此顆粒置於厚度0.7mm、 的正方形玻璃基板上，再於其上搭載6英吋ί 6 5 Ομιη)，藉由溫風加熱器，對該基板吹拂奏 板加熱至12(TC。該顆粒在80°C左右開始溶 分鐘內溶融二十二烷酸擴散至6英吋晶圓全i 的壓力並無 液晶化合物 晶圓由基體 附著於晶圓 性固定化劑 底地洗掉進 用的溶劑者 化合物與有 ，可使用與 明，然而本 〇.547g之固 以 200kg · 厚度 0· 7 mm -邊長 20cm ’晶圓（厚度 1風使玻璃基 解，於2〜3 :面。溫度降 -45 (42) 1277148 至室溫後，再使用市販的硏磨裝置硏磨矽晶圓。硏磨後， 再藉由溫風加熱器，從6英吋矽晶圓的硏磨側吹拂熱風來 進行加溫後，將晶圓由玻璃基板上剝離，再使用2%作爲 洗滌溶劑之含1 〇%異丙醇的四甲基銨氫氧化物水溶液來 洗滌固定矽晶圓的表面。在測定此6英吋矽晶圓的厚度上 ，相對於硏磨前的厚度6 5 0μιη，其厚度爲25 0μηι，面內厚 度的偏差爲± 5 μ m，此結果顯示硏磨的效果極佳。此外， 雖使用反射型FT — IR表面觀察6英吋矽晶圓的洗滌面， 然而完全無法觀察到有機物所歸屬的吸收，此結果顯示於 洗滌中已除去黏合所用的膠黏劑。 實施例2 在實施例1中，除使用6英吋鋁基板取代6英吋矽晶 圓，0.547g的1，12—十二烷二羧酸取代〇.547g的二十二 烷酸，以及使欲溶解1，1 2 -十二烷二羧酸之溫度變成爲 1 5 0°C外，其餘皆以同於實施例1之方法來進行，亦即將 鋁基板黏合於玻璃基板上後，硏磨鋁基板，其後剝離。更 者，使用5 %的四甲基銨氫氧化物水溶液來洗滌被固定的 表面。在測定此6英吋鋁基板的厚度上，相對於硏磨前的 厚度3mm，其厚度爲2.5mm，面內厚度的偏差爲io.oimm ’此結果顯不硏磨的效果極佳。此外，雖使用反射型FT - IR表面觀察6英吋鋁基板的洗滌面，然而完全無法觀 察到有機物所歸屬的吸收，此結果顯示於洗滌中已除去黏 合所用的膠黏劑。 -46 (43) 1277148 實施例3 在實施例1中，除使用厚度25μηι而一邊長I3cm的 正方形之聚乙燒對苯二甲酯（PET) 6英吋基板取代6英 吋矽晶圓外，其餘皆以同於實施例1之方法來進行，亦即 將塑膠基板黏合於玻璃基板上後硏磨，其後剝離，洗滌。 在測定硏磨處理後的6英吋塑膠基板的厚度上，相對於硏 磨前的厚度25 μηι，其厚度爲18 μπι，面內厚度的偏差爲土 0.5 μηι，此結果顯示硏磨的效果極佳。此外，雖使用反射 型FT- IR表面觀察塑膠基板的被固定面，然而完全無法 觀察到有機物所歸屬的吸收，此結果顯示於洗滌中已除去 黏合所用的膠黏劑。 實施例4 在實施例2中，除使用6英吋矽晶圓（厚度65 0μιη) 取代6英吋鋁基板，以及使橡膠（JE SR (股份有限）製 ，商品號碼「EP01P」）成形爲厚度2mm而一邊長20cm 的正方形之橡膠片取代玻璃基板外，其餘皆以同於實施例 2之方法來進行’亦即將矽晶圓黏合於橡膠片上後，進行. 硏磨、剝離、洗漉。在測定此6英吋砂晶圓的厚度上，相 對於硏磨前的厚度650 μηι，其厚度爲400 μηι，面內厚度的 偏差爲± 5 μηι，此結果顯示硏磨的效果極佳。此外，雖使 用反射型FT - IR表面觀察6英吋矽晶圓的被固定面，然 而完全無法觀察到有機物所歸屬的吸收，此結果顯示於洗 -47 (44) 1277148 滌中已除去黏合所用的膠黏劑。 比較例1 除使用巾販的環氧膠黏劑取代實施例1的二十二院酸 外’其餘皆以同於貫施例1之方法來進行，亦即將矽晶圓 黏合於玻璃基板上後，表面硏磨6英吋砂晶圓。表面硏磨 後，如同實施例1 一般，雖可將其由基板上剝離，然而將 會損壞6英吋矽晶圓。又，使用5 %的四甲基銨氫氧化物 的二甲基亞硕溶液來洗滌膠黏部分剝離而破損之矽晶圓的 環氧樹酯之表面後，在使用反射型FT - IR表面觀察時， 將會觀察到有機物所歸屬的吸收，此結果顯示無法藉由洗 滌來完全除去黏合所用的膠黏劑。 實施例5 將〇 . 5 g之固體粉末的二十二烷酸（二十二烷酸）全 面且均一地散佈於6英吋矽晶圓後，加熱至1 5 〇 °C，再將 其貼附於巾販CMP裝置的硬質板上，然後以200kg/cm2 的壓力壓著使其與定盤上的塡料膠黏。其後，一邊在塡料 上塗抹市販的硏磨材溶液，一邊硏磨貼附於硬質板之正面 與反面。硏磨後，從6英吋矽晶圓的硏磨側吹拂1 5 0 °C的 熱風來進行加溫後，將晶圓由硬質板上剝離，再以剝離的 6英吋矽晶圓作爲洗滌溶劑，使用四氫呋喃來洗滌除去附 著於晶圓上的固定化劑。然後雖使用反射型FT - IR表面 觀察6英吋矽晶圓的洗滌面，然而完全無法觀察到有機物 -48 (45) 1277148 所歸屬的吸收，此結果顯示於洗滌中已除去黏合所用的膠 黏劑。 實施例6 除使用〇.5g的M2-十二烷二羧酸取代〇.2g實施例 5的二十二烷酸外，其餘皆以同於實施例5之方法來進行 ，亦即硏磨處理6英吋矽晶圓的表面。硏磨處理後，如同 實施例5 —般，雖使用反射型FT — IR表面觀察6英吋矽 晶圓的洗滌面，然而完全無法觀察到有機物所歸屬的吸收 ，此結果顯示於洗滌中已除去黏合所用的膠黏劑。 實施例7 除藉由旋轉塗抹，將取代實施例5的二十二烷酸之 1 Og的二十二烷酸之5%四氫呋喃/甲苯（容積比、80/20 )混合溶液塗抹於6英吋矽晶圓上外，其餘皆以同於實施 例5之方法來進行’亦即表面硏磨砍晶圓的表面。表面硏 磨後’如同實施例5 —般，雖使用反射型FT - IR表面觀 察6英时* 5夕晶圓的洗滌面，然而完全無法觀察到有機物所 歸屬的吸收：’此結果顯示於洗滌中已除去黏合所用的膠黏 劑。 實施例8 除藉由旋轉塗抹來塗抹1〇g的Μ 2—十二烷二羧酸之 5%正己院溶液來取代實施例5之二十二烷酸散佈外 -49 (46) 1277148 ’其餘皆以同於實施例5之方法來進行，亦即硏磨處理6 英吋矽晶圓的表面。硏磨處理後，如同實施例5 —般，雖 使用反射型FT - IR表面觀察6英吋矽晶圓的洗滌面，然 而完全無法觀察到有機物所歸屬的吸收，此結果顯示於洗 滌中已除去黏合所用的膠黏劑。 實施例9 將〇 · 5 g的二十二烷酸全面且均一地散佈於6英吋矽 晶圓上後，於greenoven中、120°C下加熱1小時。在加 熱後取出晶圓，將塗抹6英吋砂晶圓的二十二院酸之面黏 合於另一個加熱至120 °C之一邊長30cm的正方形玻璃基 板上。更者，將一邊長3 0 cm的正方形玻璃基板搭載於無 塗抹已黏合6英吋矽晶圓的二十二烷酸之面（加工處理的 面）上，然後於其上搭載5 0 g的重物，在室溫下放置1小 時。1小時後，取下搭載於無塗抹之6英吋矽晶圓的面（ 加工處理的面）上之玻璃基板，將黏合6英吋矽晶圓的玻 璃基板保持於專用的玻璃固定夾具（j i g )中。其次，一 邊在6英吋矽晶圓上塗抹市販的硏磨材一邊使用硏磨機來 硏磨晶圓上。硏磨後，由固定夾具中取下附有6英吋矽晶 圓之一邊長30cm的正方形玻璃基板，於greenoven中、
1 20 °C下加溫30分鐘後，將6英吋矽晶圓由一邊長30cm 的正方形玻璃基板上取下，更者使用作爲洗滌溶液之四氫 呋喃/甲苯（容積比、80/20 )混合溶液來洗滌除去附著於 6英吋矽晶圓上的固定化劑。然後雖使用反射型FT — IR -50 (47) 1277148 表面觀察6英吋砂晶圓的洗·面，然而完全無法觀察到有 機物所歸屬的吸收，此結果顯示於洗滌中已除去黏合所用 的膠黏劑。 實施例1 0 除使用〇.5g的1，12-十二烷二羧酸取代〇.5g實施例 9的二十二烷酸外，其餘皆以同於實施例9之方法來進行 ，亦即硏磨處理6英吋砂晶圓的表面。硏磨處理後，如同 實施例9 一般，雖使用反射型FT — IR表面觀察6英吋砂 晶圓的洗滌面，然而完全無法觀察到有機物所歸屬的D及收 ，此結果顯示於洗滌中已除去黏合所用的膠黏劑。 實施例1 1 除藉由旋轉塗抹，將取代0 · 5 g實施例9的二十二烷 酸之l〇g的二十二烷酸之5%四氫呋喃/甲苯（容積比、 8 0/20 )混合溶液塗抹於6英吋矽晶圓上外，其餘皆以同 於實施例9之方法來進行，亦即硏磨處理6英吋矽晶圓的 表面。表面硏磨後，如同實施例9 5 —般，雖使用反射型 FT- IR表面觀察6英吋矽晶圓的洗滌面，然而完全無法 觀察到有機物所歸屬的吸收，此結果顯示於洗滌中已除去 黏合所用的膠黏劑。 實施例1 2 除藉由旋轉塗抹來塗抹l〇g的1，12—十二烷二羧酸之 -51 (48) 1277148 5%正己烷/乙酸丁酯（容積比、5 0/50 )混合溶液來取代 〇.5g實施例10之1，12_十二烷二羧酸外，其餘皆以同於 實施例1 〇之方法來進行，亦即硏磨處理6英吋矽晶圓的 表面。硏磨處理後，如同實施例1 〇 —般，雖使用反射型 FT — IR表面觀察6英吋矽晶圓的洗滌面，然而完全無法 觀察到有機物所歸屬的吸收，此結果顯示於洗滌中已除去 黏合所用的膠黏劑。 比較例2 除使用〇.2g市販的環氧膠黏劑來取代實施例5的二 十二烷酸外，其餘皆以同於實施例5之方法來進行，亦即 表面硏磨矽晶圓。表面硏磨後，如同實施例5 —般，雖可 將其由硬質板上剝離，然而將會損壞6英吋矽晶圓。又， 使用反射型FT — IR來表面觀察膠黏已破損或部分剝離之 矽晶圓的環氧樹酯之表面時，將會觀察到有機物所歸屬的 吸收，此結果顯示無法藉由洗滌來完全除去黏合所用的膠 黏劑。 實施例1 3 在直徑10mm的柱狀加壓成型器上秤量〇.〇75g之固 體粉末的二十二烷酸（二十二烷酸），然後施以200kg · cm - 2的壓力5分鐘，即可獲得直徑10mm、厚度1mm的 圓柱狀顆粒。將此顆粒置於市販CMP裝置的硬質板上， 再於其上搭載4英吋矽晶圓，吹拂120 °C的熱風來昇溫該 -52 (49) 1277148 硬質板與4英吋矽晶圓。該顆粒在8 0 °C左右開始溶解， 溶解後於1〜3分鐘內溶融二十二烷酸擴散至4英吋晶圓 全表面。溫度降至室溫後，一邊將市販的硏磨材溶液塗抹 於塡料上一邊硏磨貼附於硬質板之正面與反面。硏磨後， 從4英吋矽晶圓的硏磨側吹拂1 5 0 °C的熱風來進行加溫後 ，將晶圓由硬質板上剝離。再以剝離的4英吋矽晶圓作爲 洗滌溶劑，使用四氫呋喃來洗滌除去附著於晶圓上的固定 化劑。然後雖使用反射型FT - IR表面觀察4英吋矽晶圓 的洗滌面，然而完全無法觀察到有機物所歸屬的吸收，此 結果顯示於洗滌中已除去黏合所用的膠黏劑。 實施例1 4 除使用〇』70g的1,12—十二烷二羧酸來取代〇i075g 實施例1 3的二十二烷酸，以及使欲溶解市販CMP裝置的 硬質板上之1，12—十二烷二羧酸的熱風溫度變成爲150°C 外，其餘皆以同於實施例1 3之方法來進行，亦即將4英 吋矽晶圓黏合於市販CMP裝置的硬質板上後，硏磨處理 4英吋矽晶圓的表面。硏磨處理後，如同實施例13 —般 ，雖使用FT - IR來表面觀察4英吋矽晶圓的洗滌面，然 而完全無法觀察到有機物所歸屬的吸收，此結果顯示於洗 滌中已除去黏合所用的膠黏劑。 實施例1 5 將1 〇g之固體粉末的二十二烷酸（二十二烷酸）加溫 -53 1277148 (50) 至1 20 °c使其溶融後，將溶融的二十二烷酸注入直徑 1 0 m m的柱狀成型器中，回溫至室溫後由柱狀成型器中拔 出固體狀的二十二烷酸，即可獲得直徑1 0mm、長度約 1 0cm的圓柱狀二十二烷酸。使用金鋼石美工刀將此圓柱 狀二十二院酸加工成厚度1 m m的顆粒。使用此直徑1 〇 m m 、厚度1 m m的顆粒，如同實施例1 3般地，以市販硏磨機 進行4英吋砂晶圓的表面硏磨。表面硏磨後，如同實施例 1 3 —般，雖使用F T — IR來表面觀察4英吋矽晶圓的洗滌 面，然而完全無法觀察到有機物所歸屬的吸收，此結果顯 示於洗滌中已除去黏合所用的膠黏劑。 實施例1 6 除使用10 g的1，12—十二烷二羧酸來取代i〇g實施 例1 5的二十二烷酸，並加溫至1 5 0 °C使其溶融外，其餘 皆以同於實施例1 5之方法來進行，即可獲得直徑1 〇mm 、長度約l〇cm的圓柱狀1，12 —十二烷二羧酸。使用金鋼 石美工刀將此圓柱狀1，12 -十二烷二羧酸加工成厚度 1mm的顆粒。除使用此顆粒使熱風溫度變爲15〇 °C外，其 餘皆同於實施例1 5，硏磨處理4英吋矽晶圓的表面。硏 磨處理後，如同實施例1 5 —般，雖使用F T — IR來表面觀 察4英吋矽晶圓的洗滌面，然而完全無法觀察到有機物所 歸屬的吸收，此結果顯示於洗滌中已除去黏合所用的膠黏 劑。 -54 (51) 1277148 實施例1 7 秤量1 〇g之固體粉末的二十二烷酸（二十二烷酸 5g的聚異丁烯，然後將其溶解於60g的四氫呋喃中 使用塗抹機將此溶液塗抹於玻璃基板上後風乾，製作 2 Ομπχ的薄膜。更者，將此薄膜切取成一邊長5cm的 形來製作4角柱的顆粒。使用此顆粒，如同實施例] 地，將4英吋矽晶圓黏合於市販CMP裝置的硬質板 ，硏磨處理4英吋矽晶圓的表面。硏磨處理後，如同 例13 —般，雖使用FT— IR來表面觀察4英吋矽晶圓 滌面，然而完全無法觀察到有機物所歸屬的吸收，此 顯示於洗滌中已除去黏合所用的膠黏劑。 比較例3 除使用〇.2g市販的環氧膠黏劑來取代實施例13 十二烷酸外，其餘皆以同於實施例1 3之方法來表面 矽晶圓。表面硏磨後，如同實施例1 3 —般，雖可將 硬質板上剝離，然而將會損壞4英吋砍晶圓。又， FT - IR來表面觀察膠黏已破損或部分剝離之矽晶圓 氧樹酯之表面時，將會觀察到有機物所歸屬的吸收， 果顯示無法藉由洗滌來完全除去黏合所用的膠黏劑。 實施例1 8 秤量l〇g之固體粉末的二十二烷酸（二十二烷 1 Og含4〇wt%乙酸乙烯及固有黏度〇·70的聚（乙 )與 〇再 厚度 正方 3般 上後 實施 的洗 結果 的二 硏磨 其由 使用 的環 此結 )與 —c 〇 -55 (52) 1277148 一乙酸乙烯），然後將其溶解於80g的四氫呋喃中。藉由 旋轉塗抹，將1 g的此溶液全面且均一地塗抹於4英吋石夕 晶圓上後，於1 〇(TC下使溶劑飛散。更者，加熱此矽晶圓 至1 50°C後，將其貼附於市販CMP裝置的硬質板上，然 後以200kg/cm2的壓力壓著使其與定盤上的塡料膠黏。其 後，一邊在塡料上塗抹市販的硏磨材溶液，一邊硏磨貼附 於硬質板之正面與反面。硏磨後，從4英吋矽晶圓的硏磨 側吹拂1 5 0 °C的熱風來進行加溫後，將晶圓由硬質板上剝 離。再以剝離的4英吋矽晶圓作爲洗滌溶劑，使用四氫呋 喃來洗滌除去附著於晶圓上的固定化劑。然後雖使用FT 一 IR表面觀察4英吋矽晶圓的洗滌面，然而完全無法觀 察到有機物所歸屬的吸收，此結果顯示於洗滌中已除去黏 合所用的膠黏劑。 實施例1 9 除使用l〇g的1，12-十二烷二羧酸來取代l〇g實施例 1 8的二十二烷酸外，其餘皆以同於實施例1 8之方法來調 製溶液，使用此溶液硏磨處理4英吋矽晶圓的表面。其次 ，如同實施例1 8般地，剝離及洗滌硏磨的矽晶圓後，雖 使用FT - IR來表面觀察4英吋矽晶圓的洗滌面，然而完 全無法觀察到有機物所歸屬的吸收，此結果顯示於洗滌中 已除去黏合所用的膠黏劑。 實施例20 -56 (53) 1277148 除使用lOg之數平均分子量250000及熔點44t的聚 異丁烯來取代1 0g之實施例1 8的聚（乙烯一 co -乙酸乙 烯）外，其餘皆以同於實施例1 8之方法來調製溶液，硏 磨處理4英吋矽晶圓的表面。其次，如同實施例1 8般地 ，剝離及洗滌硏磨的矽晶圓後，雖使用FT - IR來表面觀 察4英吋矽晶圓的洗滌面，然而完全無法觀察到有機物所 歸屬的吸收，此結果顯示於洗滌中已除去黏合所用的膠黏 劑。 實施例2 1 除使用l〇g的1，12-十二烷二羧酸來取代10g實施例 20的二十二烷酸外，其餘皆以同於實施例20之方法來調 製溶液，使用此溶液硏磨處理4英吋矽晶圓的表面。其次 ，如同實施例20般地，剝離及洗滌硏磨的矽晶圓後，雖 使用FT — IR來表面觀察4英吋矽晶圓的洗滌面，然而完 全無法觀察到有機物所歸屬的吸收，此結果顯示於洗滌中 已除去黏合所用的膠黏劑。 實施例22 除使用l〇g之數平均分子量350000及熔點200 °C的 聚乙烯氯化物來取代1 0g之實施例1 8的聚（乙烯—co -乙酸乙烯）外’其餘皆以同於實施例1 8之方法來調製溶 液，硏磨處理4英吋矽晶圓的表面。其次，如同實施例 1 8般地，剝離及洗滌硏磨的矽晶圓後，雖使用FT - IR來 -57 (54) 1277148 表面觀祭4央吋砂晶圓的洗滌面，然而完全無法觀察 機物所歸屬的吸收，此結果顯示於洗滌中已除去黏合 的膠黏劑。 實施例23 除使用i〇g的ι，ΐ2—十二烷二羧酸來取代1〇g實 22的二十二烷酸外，其餘皆以同於實施例22之方法 製溶液’使用此溶液硏磨處理4英吋矽晶圓的表面。 ’如问實施例22般地，剝離及洗滌硏磨的矽晶圓後 使用FT — IR來表面觀察4英吋矽晶圓的洗滌面，然 全無法觀察到有機物所歸屬的吸收，此結果顯示於洗 已除去黏合所用的膠黏劑。 實施例24 除使用5g之數平均分子量250000及熔點44 °C 異丁燒以及5 g的聚（乙燦一 co—乙酸乙嫌）來取代 之實施例1 8的聚（乙烯一 c 〇 —乙酸乙烯）外，其餘 同於實施例1 8之方法來調製溶液。如同實施例i 8般 使用此溶液硏磨處理4英吋矽晶圓的表面。其次，如 施例1 8般地，剝離及洗滌硏磨的矽晶圓後，雖使用 IR來表面觀察4英吋矽晶圓的洗滌面，然而完全無 察到有機物所歸屬的吸收’此結果顯示於洗滌中已除 合所用的膠黏劑。 到有 所用 施例 來調 其次 ，雖 而完 滌中 的聚 l〇g 皆以 地， 同實 FT - 法觀 去黏 -58 (55) 1277148 實施例25 使用實施例1 8中所調製的溶液以及塗抹機，將其塗 抹於玻璃基板上，然後於室溫下放置一晝夜，更者於1 〇 0 °C下使其乾燥3小時後，由玻璃基板上剝下薄膜，即可製 作膜厚2 5 μπι的晶圓固定用薄膜。將此薄膜貼附於加熱至 1 〇〇 °C的矽晶圓上，更者加熱至1 50 °C後，將其貼附於市 販CMP裝置的硬質板上，然後以200kg/cm2的壓力壓著 使其固定於定盤上的塡料中。其次，如同實施例1 8般地 ，於表面硏磨、剝離及洗滌後，雖使用FT - IR來表面觀 察4英吋矽晶圓的洗滌面，然而完全無法觀察到有機物所 歸屬的吸收，此結果顯示於洗滌中已除去黏合所用的膠黏 劑。 實施例26 使用實施例1 9中所調製的溶液，如同實施例2 5般地 ，製作膜厚23 μπι的晶圓固定用薄膜後，使用此薄膜，如 同實施例2 5般地進行表面硏磨、剝離及洗滌後，雖使用 FT - IR來表面觀察4英吋矽晶圓的洗滌面，然而完全無 法觀察到有機物所歸屬的吸收’此結果顯示於洗滌中已除 去黏合所用的膠黏劑。 實施例27 使用實施例22中所調製的溶液’如同實施例25般地 ，製作膜厚26 μπι的晶圓固定用薄膜後，使用此薄膜，如 -59 1277148 (56) 同實施例25般地進行表面硏磨、剝離及洗滌後 FT - IR來表面觀察4英吋矽晶圓的洗滌面，然 法觀察到有機物所歸屬的吸收，此結果顯示於洗 去黏合所用的膠黏劑。 實施例2 8 使用實施例24中所調製的溶液，如同實施它 ，製作膜厚24μπι的晶圓固定用薄膜後，使用此 同實施例25般地進行表面硏磨、剝離及洗滌後 FT — IR來表面觀察4英吋矽晶圓的洗滌面，然 法觀察到有機物所歸屬的吸收，此結果顯示於洗 去黏合所用的膠黏劑。 實施例29 將14.8g之固體粉末的二十二烷酸（二十二 佈於市販CMP裝置（（股份有限）荏原製作所 「EP01 12」）的定盤上，再於其上搭載除去內 膠布之直徑787mm、厚度2.5mm的尿烷系塡料 .日達社製、商品號碼「1C 1 000」），在該塡料 風加熱器吹拂1〇〇 °C的熱風來昇溫。該固體粉末: 右開始溶解，2〜3分鐘內溶融二十二烷酸藉由 的重量全面且均一地擴散至塡料中。其後，藉由 溫來將塡料固定於定盤上。此時，塡料與定盤間 定化劑層的厚度爲0 _ 0 3 0 (計算値）。 ，雖使用 而完全無 滌中已除 !ί 2 5般地 薄膜，如 ，雖使用 而完全無 滌中已除 烷酸）散 製，形式 面的兩面 (羅鐵爾 上藉由溫 在8(TC左 塡料本身 放冷至室 之塡料固 -60 (57) 1277148 因此’黯由本發明的方法，於定盤上所固定的CMP 用塡料上，使用矽生料（JESR (股份有限）製、商品號 碼「CMS 1 1 0 1」），在下記的條件下化學機械地硏磨英吋 矽晶圓。
載體負重：300g/cm2 載體回轉數：50rpm 定盤回轉數：1 0 0 r p m 生料供給量：2 Ο 0 m L / m i η 硏磨時間：3分鐘 硏磨溫度：25°C 在硏磨製程中，CMP用塡料一直固定於定盤上，不 會由定盤上剝離下來。硏磨終了後，在C Μ P用塡料上吹 拂120 °C的熱風來昇溫後，塡料才由定盤上剝離。其後， 使用作爲洗滌溶劑的四氫呋喃來洗滌除去定盤上附著、殘 留的CMP用塡料固定化劑。 在本實施例的方法中定盤上所固定的CMP用塡料可 藉由加熱使其容易剝離。又在剝離CMP用塡料之定盤上 沒有觀察到有機物。 實施例3 0 在實施例29中，除使用14.9 g的1，12 —十二烷二羧 酸來取代1 4 · 8 g的二十二烷酸，並使欲溶解1，1 2 —十二烷 二羧酸的熱風溫度變成爲1 5 0 °C外，其餘皆以同於實施例 29之方法，將CMP用塡料固定於定盤上。此時之塡料與 (58) 1277148 定盤間之塡料固定化劑層的厚度爲Ο · Ο 3 0 mm (計算値）。 因此，於定盤上所固定的CMP用塡料上，以同於實 施例2 9之方法，進行化學機械硏磨。在硏磨製程中， CMP用塡料一直固定於定盤上，不會由定盤上剝離下來 。硏磨終了後，在CMP用塡料上吹拂150艺的熱風來昇 溫後’塡料才由定盤上剝離。其後，使用作爲洗滌溶劑的 四氫呋喃來洗滌除去定盤上附著、殘留的CMp用塡料固 定化劑。 在實施例30的方法中定盤上所固定的CMP用塡料可 藉由加熱使其容易剝離。又在剝離CMP用塡料之定盤上 沒有觀察到有機物。 實施例3 1 在直徑50mm的柱狀加壓成型器上秤量14.8g之固體 粉末的二十二烷酸（二十二烷酸），然後施以200kg · —2的壓力5分鐘，即可獲得直徑50mm、厚度7.5mm的圓 柱狀顆粒。將此顆粒置於市販CMP裝置（（股份有限） 荏原製作所製，形式「EP01 12」）的定盤上，再於其上 搭載除去內面的兩面膠布之直徑787mm、厚度2.5mm的 尿烷系塡料（羅鐵爾·日達社製、商品號碼r IC1 〇〇〇」） ，在該塡料上藉由溫風加熱器吹拂1 0 0 °C的熱風來昇溫。 該固體粉末在8 0 °C左右開始溶解，2〜3分鐘內溶融二 十二烷酸全面且均一地擴散至塡料中。此時，塡料與定盤 間之塡料固定化劑層的厚度爲〇 · 〇 3 0mm (計算値）。 -62 (59) 1277148 如此般地在所固定的CMP用塡料上，以同於實施例 29之方法，進行化學機械硏磨。在硏磨製程中，CMP用 塡料一直固定於定盤上，不會由定盤上剝離下來。硏磨終 了後，在CMP用塡料上吹拂120°C的熱風來昇溫後，塡 料才由定盤上剝離。其後，使用作爲洗滌溶劑的四氫呋喃 來洗滌除去定盤上附著、殘留的CMP用塡料固定化劑。 在本實施例的方法中定盤上所固定的C Μ P用塡料可 藉由加熱使其容易剝離，又在剝離CMP用塡料之定盤上 沒有觀察到有機物。 實施例3 2 在實施例3 1中，除使用1 5 ·0 g的1，1 2 -十二烷二羧 酸來取代1 4 · 8 g的二十二烷酸，並將柱狀加壓成型器的直 徑改爲20mm，更進一步地使欲溶解1，12-十二烷二羧酸 的熱風溫度變成爲1 5 0 °C外，其餘皆以同於實施例3 1之 方法，將塡料固定於定盤上。此時之塡料與定盤間之塡料 固定化劑層的厚度爲0.03 0mm (計算値）。 如此般地在所固定的CMP用塡料上，以同於實施例 2 9之方法，進行化學機械硏磨。在硏磨製程中，c Μ P用 塡料一直固定於定盤上，不會由定盤上剝離下來。硏磨終 了後，在CMP用塡料上吹拂150°C的熱風來昇溫後，塡 料才由定盤上剝離。其後，使用作爲洗滌溶劑的四氫呋喃 來洗滌除去定盤上附著、殘留的CMP用塡料固定化劑。 在本實施例的方法中定盤上所固定的CMP用塡料.可 -63 (60) 1277148 藉由加熱使其容易剝離，又在剝離CMP用塡料之定盤上 沒有觀察到有機物。 比較例4 在實施例29中，除塗抹15.0g市販的環氧膠黏劑來 取代二十二烷酸散佈外，其餘皆以同於實施例29之方法 ，將塡料固定於定盤上。 如此般地在所固定的CMP用塡料上，以同於實施例 29之方法，進行化學機械硏磨。在硏磨製程中，CMP用 塡料一直固定於定盤上，不會由定盤上剝離下來。化學機 械硏磨終了後，雖欲將CMP用塡料由定盤上剝離，然而 無法容易地剝離。 實施例3 3 在經 STI製程而形成具有溝間距 500μηι之寬度 25 0μηι、溝深0 · 8 μιη的溝之矽基板上所形成層積膜厚2 μιη ，其中0.9μπι爲TEOS (三乙氧基矽烷）膜之6英吋矽晶 圓（SKW社製）的全表面上，均一地散佈0.547 g之固體 粉末的二十二烷酸（二十二烷酸）（熔點=74〜80°C )後 ，加熱至120 °C後，將其貼附於市販CMP裝置的硬質板 上，然後以200 kg/cm2的壓力壓著使其與定盤上的塡料膠 黏。其後，一邊在塡料上塗抹市販的硏磨材溶液一邊硏磨 貼附於硬質板之正面與反面。硏磨條件係於JESR (股份 有限）製生料-商品號碼「C M S 1 1 0 1」、化學機械硏磨裝 -64 ^(61) 1277148 置形式「EP0112」、生料供給量 200mL/min、硏磨負重 40 Og/cm2、定盤回轉數70rpm的條件下由表面硏磨lOOnm 厚度。硏磨後，從6英吋矽晶圓的硏磨側吹拂1 20 °C的熱 風來進行加溫後，將晶圓由硬質板上剝離。再以剝離的6 英吋矽晶圓作爲洗滌溶劑，使用2重量％的四甲基銨氫氧 化物水溶液來洗滌除去附著於晶圓上的固定化劑。然後雖 使用FT— IR及ESCA來表面觀察具有6英吋矽晶圓的洗 滌型板之面，然而完全無法觀察到有機物所歸屬的吸收， 此結果顯示於洗滌中已除去黏合所用之晶圓固定化劑。其 次，在以S EM觀察具該晶圓的型板之斷面上，可確認在 型板中及整個基板上完全沒有殘留固定化劑。又，與黏合 前的型板之SEM照片相比較，兩者的型板相同，故可確 認在本加工處理中不會發生型板的破壞及變形。 實施例3 4 除使用〇.5 47g的1，1〇一癸二羧酸（十二烷酸）（熔 點=1 2 8〜1 3 1 °C )來取代〇 . 5 4 7 g實施例3 3的二十二烷酸 ’以及使用1 5 0 °C的加熱溫度外，其餘皆以同於實施例3 3 之方法來硏磨處理6英吋矽晶圓的表面。硏磨處理後，如 同實施例33 —般，然後雖使用FT — IR及ESCA來表面觀 察具有6英吋矽晶圓的洗滌型板之面，然而完全無法觀察 到有機物所歸屬的吸收，此結果顯示於洗滌中已除去黏合 所用之晶圓固定化劑。其次，在以S EM觀察具該晶圓的 型板之斷面上，可確認在型板中及整個基板上完全沒有殘 -65 (62) 1277148 留固疋化劑。又’與黏合前的型板之S e μ照 兩者的型板相同，故可確認在本加工處理中不 的破壞及變形。 實施例3 5 除藉由旋轉塗抹，將取代實施例3 3的二 10g的二十二烷酸之5重量％四氫呋喃/甲苯 8 0/20 )混合溶液塗抹於6英吋砂晶圓上， /3 Omin乾燥後，再度加溫使其黏合外，其餘 施例3 3之方法來表面硏磨6英吋矽晶圓的表 磨後，如同實施例3 3 —般，然後雖使用；p T -來表面觀察具有6英吋矽晶圓的洗滌型板之面 無法觀察到有機物所歸屬的吸收，此結果顯示 除去黏合所用之晶圓固定化劑。 其次，在以SEM觀察具該晶圓的型板之 確認在型板中及整個基板上完全沒有殘留固定 與黏合前的型板之SEM照片相比較，兩者的 故可確認在本加工處理中不會發生型板的破壞 實施例3 6 在直徑20mm的柱狀加壓成型器上秤量丨 體粉末的二十二烷酸（二十二烷酸），然後施 cm— 2的壓力 5分鐘，即可獲得直徑20mm、 的圓柱狀顆粒。將此顆粒置於實施例3 3中所 片相比較， 會發生型板 十二烷酸之 (容積比、 並以 1 2 0 〇C 皆以同於實 面。表面硏 IR 及 ESCA ，然而完全 於洗滌中已 斷面上，可 化劑。又， 型板相同， 及變形。 〇.547g之固 以 200kg · 厚度 1.7mm 用的晶圓上 -66 (63) 1277148 ，再與實施例3 3同樣地將其黏合於硬質板上。該固體粉 末在80°C左右開始溶解，2〜3分鐘內溶融二十二烷酸 將擴散至6英吋矽晶圓的全表面。在溫度降至室溫後，如 同實施例3 3般地硏磨貼附面與反面。硏磨後，從6英吋 矽晶圓的硏磨側吹拂1 20 °C的熱風來進行加溫後，將晶圓 由硬質板上剝離。再以剝離的6英吋矽晶圓作爲洗滌溶劑 ，使用2重量％的四甲基銨氫氧化物水溶液來洗滌除去附 著於晶圓上的固定化劑。然後雖使用FT — IR及ESCA來 表面觀察具有6英吋矽晶圓的洗滌型板之面，然而完全無 法觀察到有機物所歸屬的吸收，此結果顯示於洗滌中已除 去黏合所用之晶圓固定化劑。其次，在以SEM觀察具該 晶圓的型板之斷面上，可確認在型板中及整個基板上完全 沒有殘留固定化劑。又，與黏合前的型板之SEM照片相 比較，兩者的型板相同，故可確認在本加工處理中不會發 生型板的破壞及變形。 實施例3 7 除使用〇 · 5 4 7 g的1，1 0 —癸二羧酸來取代〇 . 5 4 7 g實施 例3 6的二十二烷酸，以及使欲溶解1，1 0 —癸二羧酸的熱 風溫度變成爲150°C外，其餘皆以同於實施例36之方法 ，亦即將6英吋矽晶圓貼附於市販CMP裝置的硬質板上 ，硏磨處理6英吋矽晶圓的表面。硏磨處理後，如同實施 例36 —般，然後雖使用FT — IR及ESCA來表面觀察具有 6英吋矽晶圓的洗滌型板之面，然而完全無法觀察到有機 -67 (64) 1277148 物所歸屬的吸收，此結果顯示於洗滌中已除去黏合所用之 晶圓固定化劑。其次，在以SEM觀察具該晶圓的型板之 斷面上，可確認在型板中及整個基板上完全沒有殘留固定 化劑。又，與黏合前的型板之SEM照片相比較，兩者的 型板相同，故可確認在本加工處理中不會發生型板的破壞 及變形。 實施例3 8 將1 〇 g之固體粉末的二十二烷酸（二十二烷酸）加溫 至 1 2 0 °C使其溶融後，將溶融的二十二烷酸注入直徑 10mm的柱狀成型器中，回溫至室溫後由柱狀成型器中拔 出固體狀的二十二烷酸，即可獲得直徑10mm、長度約 1 〇cm的圓柱狀二十二烷酸。使用金鋼石美工刀將此圓柱 狀二十二烷酸加工成厚度3mm的顆粒。使用此直徑i〇rnm 、厚度3 mm的顆粒，如同實施例3 6般地，以市販硏磨機 進行6英吋砂晶圓的表面硏磨。表面硏磨後，如同實施例 36 —般’然而完全無法觀察到有機物所歸屬的吸收，此 結果顯示於洗滌中已除去黏合所用之晶圓固定化劑。其次 ，在以SEM觀察具該晶圓的型板之斷面上，可確認在型 板中及整個基板上完全沒有殘留固定化劑。又，與黏合前 的型板之S EM照片相比較，雨者的型板相同，故可確認 在本加工處理中不會發生型板的破壞及變形。 實施例3 9 除使用1 〇 g的1，1 〇 —癸二殘酸來取代1 〇 g實施例3 8 -68 1277148 (65) 的二十二烷酸，並加溫至1 5 0 °C使其溶融外，其餘皆以同 於實施例3 8之方法來進行，即可獲得直徑丨0mm、長度 約1 Ocm的圓柱狀1，1 0 —癸二羧酸。使用金鋼石美工刀將 此圓柱狀1，1 〇 —癸二羧酸加工成厚度3 mm的顆粒。除使 用此顆粒使熱風溫度變爲1 5 0 °C外，其餘皆同於實施例3 5 ，硏磨處理6英吋矽晶圓的表面。硏磨處理後，如同實施 例3 8 —般，然而完全無法觀察到有機物所歸屬的吸收， 此結果顯示於洗滌中已除去黏合所用之晶圓固定化劑。其 次，在以S EM觀察具該晶圓的型板之斷面上，可確認在 型板中及整個基板上完全沒有殘留固定化劑。又，與黏合 前的型板之S EM照片相比較，兩者的型板相同，故可確 認在本加工處理中不會發生型板的破壞及變形。 比較例5 除使用〇.547g市販的環氧膠黏劑〔賽美達（股份有 限）製，「EP 1 60」〕來取代實施例3 3的二十二烷酸外， 其餘皆以同於實施例3 3之方法來表面硏磨6英吋矽晶圓 。表面硏磨後，如同實施例3 3 —般，雖可將其由硬質板 上剝離，然而將會損壞6英吋矽晶圓。又，使用FT — IR 來表面觀察膠黏已破損或部分剝離之砂晶圓的環氧樹酯之 表面時，將會觀察到有機物所歸屬的吸收，此結果顯示無 法藉由洗滌來完全除去黏合所用的膠黏劑。 實施例40 -69 (66) 1277148 將Ο · 5 4 7 g之，固體粉末的二十二烷酸（二十二烷酸） (熔點=74〜80 °C )均一地塗抹於6英吋矽晶圓的全表面 後’加熱至12 0 °C，再黏合另一枚6英吋矽晶圓。使用化 學機械硏磨裝置形式「ΕΡ Ο 1 1 2」，於使用硏磨條件係於 JESR (股份有限）製生料一商品號碼「CMS1 101」、生料 供給量 200mL/min、硏磨負重 400g/cm2、定盤回轉數 7 Orpm作爲硏磨條件下，將此黏合的矽晶圓的厚度硏磨至 1 5 0 μιη。水洗、風乾硏磨面後，將日東電工（股份有限） 製切割膠布「利巴阿爾發」Ν 〇 · 3 1 9 5黏合於硏磨面。其次 ’於黏合切割膠布之面與反對側之6英吋矽晶圓的表面上 吹拂90 °C的熱風來進行加溫後，於不使晶圓破損與變形 的前提下’剝離沒有硏磨的晶圓與貼附切割膠布的晶圓。 其次’再以黏著於切割膠布貼附之晶圓的剝離面之固定化 劑作爲洗滌溶劑，使用2重量％的四甲基銨氫氧化物水溶 液來洗滌除去附著於晶圓上的固定化劑。然後雖使用FT 一 IR及ESCA來表面觀察6英吋矽晶圓的洗滌面，然而 完全無法觀察到有機物所歸屬的吸收，此結果顯示於洗滌 中已除去黏合所用之晶圓固定化劑。其次，使用市販的切 割裝置，且以切割膠布的做法爲基準來進行切割上，沒有 晶圓破損與變形產生，可得到小片的晶圓。 實施例4 1 在直徑20mm的柱狀加壓成型器上秤量〇.547g之固 體粉末的二十二烷酸（二十二烷酸），然後施以200kg· -70 (67) 1277148 cm— 2的壓力5分鐘，即可獲得直徑20mm、厚度 的圓柱狀顆粒。將此顆粒置於實施例40中所用的 ’再與實施例40同樣地將其黏合於硬質板上。該 末在8 0 °C左右開始溶解，2〜3分鐘內溶融二十 將擴散至6英吋矽晶圓的全表面。在溫度降至室溫 同實施例40般地硏磨貼附面與反面至厚度ΙΟΟμηι 硏磨後，如同實施例4 0般地黏合切割膠布後，雖 離、洗滌以及切割，然而如同實施例40般地沒有 損與變形產生，可得到小片的晶圓。 實施例42 除將實施例41的二十二烷酸改爲0.5 47g的十 酸（熔點=1 2 8〜1 3 1 °C )顆粒，使晶圓黏合時的加 變爲140°C，以及使用日東電工（股份有限）製切 「利巴阿爾發」Νο·3194Η作爲切割膠布外，其餘 於實施例4 1之方法來進行，亦即將6英吋矽晶圓 吋玻璃晶圓黏合後，硏磨矽晶圓至厚度120μπι爲 後黏合切割膠布至硏磨面。更者，如同實施例4 0 雖進行剝離、洗以及切割，然而沒有晶圓破損與 生，可得到小片的晶圓。 實施例43 除將實施例41的二十二烷酸改爲〇.547g的棕 熔點=60〜63 °C )顆粒，使晶圓黏合時的加溫溫 1.7mm 晶圓上 固體粉 二烷酸 後，如 爲止。 進行剝 晶圓破 二烷二 溫溫度 割膠布 皆以同 與6英 止，然 般地， 變形產 櫚酸（ 度變爲 -71 (68) 1277148 7 5 °C，以及使用日東電工（股份有限）製切割 阿爾發」No.3195作爲切割膠布外，其餘皆以 41之方法來進行，亦即黏合2枚6英吋矽晶 矽晶圓至厚度175 μιη爲止，然後黏合切割膠 。更者，如同實施例41般地，雖進行剝離、 割，然而沒有晶圓破損與變形產生，可得到小 實施例44 將〇.547g之固體粉末的二十二烷酸（二 (熔點=74〜8 0°C )均一地塗抹於6英吋矽晶 後，加熱至120 °C，再黏合另一枚6英吋矽晶 學機械硏磨裝置形式「EP01 12」，於硏磨條付 股份有限）製生料—商品號碼「CMS1101」、 200mL/min、硏磨負重400g/cm2、定盤回轉數 硏磨條件下，將此黏合的矽晶圓的厚度硏磨至 洗、風乾硏磨面後，使用厚度50μιη的聚乙烯 (PET)薄膜之市販品與0.54 7g的十二烷二 128〜13 1 °C )並將其加熱至140 °C後，黏合於 次，於黏合PET薄膜之面與反對側之無黏合 圓的表面上吹拂9 0 °C的熱風來進行加溫後， 破損與變形的前提下，剝離黏合晶圓與PET 。其次，再以黏著於PET薄膜貼附之晶圓的 定化劑作爲洗滌溶劑，使用2重量％的四甲基 水溶液來洗滌除去附著於晶圓上的固定化劑。 膠布「利巴 同於實施例 圓，並硏磨 布至硏磨面 洗滌以及切 片的晶圓。 十二烷酸） 圓的全表面 圓。使用化 :爲 JESR ( 生料供給量 70rpm作爲 1 5 0 μ m ° 7_Κ 對苯二甲酯 酸（熔點= 硏磨面。其 6英吋矽晶 於不使晶圓 薄膜之晶圓 剝離面之固 銨氫氧化物 其次，雖將 -72 1277148 (69) 黏合PET薄膜之6英吋矽晶圓搬送至切割裝置的切割階 段’然而能於無晶圓破損與變形下進行搬送。 實施例4 5 在直徑20mm的柱狀加壓成型器上秤量〇.547g之固 體粉末的二十二烷酸（二十二烷酸），然後施以200kg· cm— 2的壓力 5分鐘，即可獲得直徑20mm、厚度1 .7mm 的圓柱狀顆粒。將此顆粒置於實施例1中所用的晶圓上， 再與實施例44同樣地將其黏合於6英吋矽晶圓上。該固 體粉末在80°C左右開始溶解，2〜3分鐘內溶融二十二 烷酸將擴散至6英吋矽晶圓的全表面。在溫度降至室溫後 ，如同實施例44般地硏磨一方的矽晶圓至厚度ΙΟΟμιη爲 止。硏磨後，如同實施例44般地黏合50μιη的PET薄膜 後，雖進行剝離、洗滌以及搬送至切割裝置的切割階段， 然而能於無晶圓破損與變形下進行搬送。 實施例46 除將實施例45的二十二烷酸改爲0.547g的十二烷二 酸顆粒，使晶圓黏合時的加溫溫度變爲140 °C，以及使用 聚丨7,9— (4 一甲基一 4 一甲氧基羰基〔4.3.0.12,5〕三環 癸烷）一 co-乙烯}聚合物的薄膜（膜厚25μιη ; JESR ( 股份有限）製，商品名安頓），作爲有機聚合物薄膜外’ 其餘皆以同於實施例45之方法來進行，亦即將6英吋矽 晶圓與6英吋玻璃晶圓黏合後，硏磨一方矽晶圓至厚度 -73 (70) 1277148 120μιη爲止，然後黏合安頓薄膜（JESR (股份有限）製， 降茨烷系樹脂薄膜）至硏磨面。更者，如同實施例4 5般 地，雖進行剝離、洗滌以及搬送至切割裝置的切割階段， 然而能於無晶圓破損與變形下進行搬送。 實施例47 除將實施例45的二十二烷酸改爲0.5 47g的棕櫚酸（ 熔點=60〜63 °C )顆粒，使晶圓黏合時的加溫溫度變爲 7 5°C，以及使用JESR (股份有限）製之安頓薄膜作爲切 割膠布外，其餘皆以同於實施例45之方法來進行，亦即 黏合2枚6英吋矽晶圓，並硏磨矽晶圓至厚度1 75 μιη爲 止，然後黏合安頓薄膜至硏磨面。更者，如同實施例45 般地，雖進行剝離、洗滌以及搬送至切割裝置的切割階段 ，然而能於無晶圓破損與變形下進行搬送。 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