JP2003332278A - ウェハの加工法およびそのためのウェハ固定化剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体用ウェハを加工処理するときに、該ウ
ェハを硬質プレート、弾性体キャリア（バッキング材）
またはウェハ等の基体に密着させ、固定化して保持する
ことができ、且つ被加工体のウェハが容易に剥離でき、
さらにウェハに付着した固定化剤層を容易に除去、洗浄
ができ、被加工体のウェハに対する汚染の問題がない、
ウェハ固定化剤、ウェハ固定化剤用組成物、並びにこれ
を用いたウェハの加工方法を提供する。 【解決手段】 液晶化合物を固定化剤として用いる。ま
た、液晶化合物を含有する固定化用組成物。これらを用
いてウェハまたは基体の表面上に液晶化合物の薄膜を形
成し、ウェハと基体の少なくともいずれか一方に、その
表面上に該薄膜を形成されたものを用いて、両者を密着
させて固定化し、ウェハの露出面を加工し、ウェハを基
体から分離しそして洗滌することにより、ウェハを上記
課題を達成して加工することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はウェハの加工法およ
びそのための固定化剤に関する。さらに詳しくは、半導
体用ウェハを加工処理するときに、該ウェハを基体に密
着させて固定して保持するために有用なウェハ固定化剤
およびウェハ固定化剤用組成物、並びにこれを用いたウ
ェハの加工方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体用ウェハおよび／またはデバイス
の搭載されたウェハは、その使用する目的に応じて種々
の表面および／または裏面の表面加工が行われる。例え
ば、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ
Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等表面加工技術によるウェハ表
面および／または裏面の均一化表面加工には、被加工物
の加工される基準面がどこにあるかを設定し且つ加工材
に対して加工時に一定の平面を保持することが必要にな
る。その加工される基準面の設定として、ウェハの表面
または裏面を例えば硬質プレートおよび／または弾性体
キャリア（バッキング材）に密着させてウェハを保持す
るが、加工処理時にウェハが厳密に固定されて保持され
ることが必要になる。

【０００３】ウェハの表面または裏面を例えば硬質プレ
ートおよび／または弾性体キャリア（バッキング材）お
よび／またはウェハ等の基体に密着させて被加工体のウ
ェハを固定して保持する方法として、ワックスマウンテ
イング法と呼ばれる方法が知られている。この方法で
は、ワックスを接着剤にしてウェハの裏面と高精度の表
面を有する硬質プレート（例えば高精度平面のセラミッ
クスプレート）を密着させる（ウェハの裏面基準と呼ば
れる）。

【０００４】この方法は、硬質プレート表面の平坦精度
とワックスとの厚さを管理することによって、ウェハの
裏面に倣って表面の表面加工が行われる。従って、この
方法では、表面加工に用いる被加工体のウェハの表面が
基本的に平坦であることが必要で、デバイス搭載過程で
のウェハ処理には適さないと言われ、ベアシリコンの表
面加工に広く用いられている。しかし、この表面加工で
接着剤あるいは固定化剤として用いられるワックスは、
加工処理後の洗滌が難しく汚染の問題があり、またワッ
クス中の金属不純物が洗滌後の被加工体ウェハの表面に
残存し、それがウェハまたはデバイス中に拡散（マイグ
レーション）して汚染する問題がある。

【０００５】シリコンウェハを含め全てのウェハ表面に
何らかの加工を施すときは、前述のＣＭＰの場合と同様
に被加工体であるウェハの加工されない面を要求される
ある特定の状態に固定して保持する必要がある。そのた
めに種々の接着剤が開発されている。一般的に接着剤と
呼ばれる材料は加工後の被加工体であるウェハを基体か
ら外す時容易に剥がすことができず、ウェハが割れる問
題があった。さらに剥離したウェハ上に付着する接着剤
層の除去および／または洗滌が難しく、ウェハが汚染さ
れる問題があった。また、同様の目的で仮止め用として
粘着材と呼ばれる材料も種々開発されているが、加工時
に被加工体を十分に保持し且つ容易に被加工体の剥離、
さらに被加工体上に付着する接着剤層の除去および／ま
たは洗滌をすることができ、汚染のない満足のいく材料
は見出されていなかった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体用ウェハを加工処理するときに、該ウェハを硬質プレ
ートおよび／または弾性体キャリア（バッキング材）お
よび／またはウェハ等の基体に密着させ固定して保持す
ることができ、且つ被加工体のウェハが容易に剥離で
き、さらにウェハに付着した固定化剤層を容易に除去お
よび／または洗滌ができ、被加工体のウェハに対する汚
染の問題がないウェハ固定化剤およびウェハ固定化剤用
組成物、並びにこれを用いたウェハの加工方法を提供す
ることにある。

【０００７】本発明の他の目的および利点は、以下の説
明から明らかになろう。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記目
的および利点は、第１に、半導体デバイス用ウェハ加工
時のウェハ固定化剤としての液晶化合物の用途によって
達成される。

【０００９】本発明によれば、本発明の上記目的および
利点は、第２に、液晶化合物が溶剤中に溶解された溶液
からなることを特徴とするウェハ固定化用組成物によっ
て達成される。

【００１０】本発明によれば、本発明の上記目的および
利点は、第３に、（１）液晶化合物の薄膜をウェハの表
面またはウェハを固定するための基体の表面上に形成
し、（２）ウェハとそれを固定するための基体とを、少
なくともいずれか一方を表面上に液晶化合物の薄膜が形
成されたものとして、該液晶化合物の融点以上の温度で
密着させて固定し、（３）基体に固定されたウェハの露
出面を該液晶化合物の融点より低い温度で加工処理し、
（４）基体からウェハを、該液晶化合物の融点以上の温
度で分離せしめ、そして（５）分離されたウェハを該液
晶化合物の溶剤で洗滌する、ことを特徴とするウェハの
加工法によって達成される。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明に用いられる液晶化合物
は、異方性結晶から等方性結晶に移る転移点と等方性結
晶から等方性液体に移る融点を有するもの、および異方
性結晶から異方性液体に移る融点と異方性液体と等方性
液体に移る透明点を有するものの何れでもよい。本発明
のウェハ固定剤は、室温で基体と被加工体のウェハとを
密着して固定化させることから、液晶化合物としては、
室温で結晶または固体状態である液晶化合物、具体的に
は融点が３５℃以上の液晶化合物を用いるのが好まし
い。

【００１２】本発明に用いることができる液晶化合物と
しては、具体的には、ｉｓｏ−酪酸ナトリウム、オレイ
ン酸ナトリウム、ヘキサヒドロ安息香酸カリウム、ステ
アリン酸ナトリウム、ミリスチン酸ナトリウム、パルミ
チン酸ナトリウム、安息香酸ナトリウム、エチル−ｐ−
アゾキシベンゾエート、１−ｎ−ドデシルピリジニウム
クロライド、１−ｎ−ドデシルピリジニウムブロマイ
ド、１−ｎ−ドデシルピリジニウムヨードダイド、２−
ｎ−トリデシルピリジニウムクロライド、３−ｎ−ドデ
シルオキシメチルピリジニウムメチルスルホネート、３
−ｎ−ドデシルオキシメチルピリジニウム−ｐ−メチル
フェニルスルホネート、４−シアノ−４’−オクチルオ
キシビフェニル、４−シアノ−４’−ドデシルオキシビ
フェニル、４−シアノ−４’−オクタノイルオキシビフ
ェニル、ｐ−オクチルオキシ安息香酸−４−シアノフェ
ニルエステル等のスメクテイック液晶；

【００１３】ヘプタ−２，４−ジエン酸、オクタ−２，
４−ジエン酸、ノナ−２，４−ジエン酸、デカ−２，４
−ジエン酸、ウンデカ−２，４−ジエン酸、ノナ−２−
エン−４−イン酸、ドコサン酸（ベヘン）酸、１，１２
−ドデカンジカルボン酸、ｐ−ｎ―ブチル安息香酸、ｐ
−ｎ−アミル安息香酸、ｐ−ｎ−ヘキシルオキシ安息香
酸、ｐ−ｎ−オクチルオキシ−ｍ−フルオロ安息香酸、
ω−ｎ−ブチルソルビン酸、ｐ’−メトキシ−ｐ−ビフ
ェニルカルボン酸、ｐ−アゾキシアニソール、ｐ−アゾ
キシフェネトール、アニシリデン−ｐ−アミノフェニル
アセテート、ｐ−メトキシベンジリデン−ｐ−ブチルア
ニリン、ｐ−エトキシベンジリデン−ｐ−ブチルアニリ
ン、５−クロロ−６−ｎ−プロピルオキシ−２−ナフト
エ酸、１−ベンゼンアゾ−アニサル−４−ナフチルアミ
ン、ｐ−メトキシ−ｐ’−ブチルアゾキシベンゼン、ジ
ヘキシルオキシアゾベンゼン、ｐ−ヘキシルカルボネー
ト−ｐ’−ヘプチルオキシフェニル安息香酸、ｐ−アセ
トキシケイヒ酸、ｐ−メトキシ−α−ケイヒ酸、フェニ
ルペンタジエン酸、ｐ−ｎ−ヘキシルオキシ−ｍ−ブロ
モケイヒ酸、ｐ−メトキシ−ｐ−ビフェニルカルボン
酸、ｐ’−エトキシ−ｍ’−クロロ−ｐ−ビフェニルカ
ルボン酸、ｐ’−ブチルオキシ−ｍ’−ブロモ−ｐ−ビ
フェニルカルボン酸、ｐ’−ｎ−プロピルオキシ−ｍ’
−ニトロ−ｐ−ビフェニルカルボン酸、７−メトキシ−
２−フルオレン酸、６−メトキシ−２−ナフチル酸、６
−エトキシ−２−ナフチル酸、６−ｎ−プロピルオキシ
−５−クロロ−２’−ナフチル酸、６−ｎ−プロピルオ
キシ−５−ブロモー２’−ナフチル酸、６−ｎ−ブチル
オキシ−５−クロロ−２−ナフチル酸、６−ｎ−ブチル
オキシ−５−ブロモ−２−ナフチル酸、６−ｎ−ブチル
オキシ−５−ヨード−２−ナフチル酸、ｐ’−ｎ−ヘキ
シルオキシ−ｐ−ビフェニルカルボン酸メチルエステ
ル、ｐ’−ｎ−ヘキシルオキシ−ｐ−ビフェニルカルボ
ン酸エチルエステル、ｐ’−ｎ−ヘキシルオキシ−ｐ−
ビフェニルカルボン酸プロピルエステル、ｐ’−ｎ−ド
デシルオキシ−ｍ’−クロロビフェニルカルボン酸プロ
ピルエステル、ｐ’−ｎ−ドデシルオキシ−ｍ’−ニト
ロビフェニルカルボン酸プロピルエステル、ｐ，ｐ’−
ビフェニルジカルボン酸ビフェニルエステル、ｐ，ｐ’
−テルフェニルジカルボン酸ジメチルエステル、エチレ
ングリコールビス（ｏ−カルボエトキシ−ｐ−オキシフ
ェニルエステル）、ビス（ｐ−メトキシシンナミル）ア
セトン、ジアリリデンシクロペンタノン−ビス（ｐ−メ
トキシベンザル）シクロペンタノン、ジアリリデンシク
ロヘキサノン−ビス（ｐ−メトキシベンザル）シクロヘ
キサノン、ビス〔ｐ−（ベンゾイルオキシ）ベンザル〕
−β−メチルシクロヘキサノン、ｐ、ｐ’−ビス（ビフ
ェニルカルビノール）ビフェニル、１−クロロ−１，２
−ビス（ｐ−アセトキシフェニル）エチレン、ｐ−アセ
トキシベンザル−ｐ’−メトキシアニリン、ｐ−メトキ
シベンザル−ｐ’−シアノアニリン、ｐ−メトキシベン
ザル−ｐ’−メトキシアニリン、ｐ−メトキシシンナミ
ル−ｐ’−メチルアニリン、ｐ−ニトロシンナミル−
ｐ’−メチルアニリン、ｐ−メトキシフェニルペンタジ
エナルアニリン、ベンザル−ｐ−アミノ安息香酸ｐ−シ
アノベンザル−ｐ−アミノ安息香酸、ベンザル−ｐ−ア
ミノ（β―メチル）ケイヒ酸、ｐ−メトキシベンザル−
ｐ−アミノ−ｏ−メチルケイヒ酸、ｐ−メトキシベンザ
ル−ｐ−アミノ−ｏ−メチルヒドロケイヒ酸、ｐ−エト
キシベンザル−ｐ−アミノ安息香酸エチルエステル、ｐ
−エトキシベンザル−ｐ−アミノケイヒ酸ブチルエステ
ル、ｐ−シアノベンザル−ｐ−アミノケイヒ酸エチルエ
ステル、ｐ−メチルベンザル−ｐ−アミノケイヒ酸アミ
ルエステル、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−アミノメチル
ケイヒ酸メチルエステル、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−
α−メチルケイヒ酸プロピルエステル、ｐ−エトキシベ
ンザル−ｐ−アミノ−α−エチルケイヒ酸エチルエステ
ル、ｐ−メトキシシンナミル−ｐ−アミノ安息香酸エチ
ルエステル、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−アミノビフェ
ニル、ベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−アセチルビフェニ
ル、ベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−ジメチルアミノビフ
ェニル、ベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−ホルミルアミノ
ビフェニル、ｐ−メチルベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−
アセチルアミノビフェニル、ｐ−メチルベンザル−ｐ−
アミノ−ｐ’−ベンゾイルアミノビフェニル、シンナミ
ル−ｐ−アミノ−ｐ’−アセチルビフェニル、２−ｐ−
メトキシベンザルアミノフルオレン、２−ｐ−メトキシ
ベンザルアミノフェナンスレン、２−ｐ−メトキシベン
ザルアミノフルオレン、２−ｐ−ｎ−ブチルオキシベン
ザルアミノフルオレン、ｐ−ノニルオキシベンザルフェ
ニルヒドラジン、ビス（ｐ−メトキシベンザル）−（ジ
メチル）アジン、ビス（ｐ−フェニルベンザル）アジ
ン、ｐ−メトキシフェニルペンタジエナルフェニルヒド
ラジン、テレフタル−ビス−（ｐ−クロロアニリン）、
テレフタル−ビス（ｐ−アミノ安息香酸エチルエステ
ル）、ビス（ｐ−クロロベンザル）−ｐ−フェニレンジ
アミン、ビス（ｐ−メチルベンザル）−ｐ−トルイレン
ジアミン、ジベンザル−ｐ，ｐ’−ジアミノビフェニ
ル、ビス（ｏ−オキシベンザル）−ｐ，ｐ’−ジアミノ
ビフェニル、ジシンナミル−ｐ，ｐ’−ジアミノビフェ
ニル、ビス（ｐ−メトキシベンザル）−ｐ，ｐ’−ジア
ミノジメチルビフェニル、ビス（ｐ−メトキシベンザ
ル）−２，７−ジアミノフルオレン、ビス（ｐ−メトキ
シベンザル）−２，７−ジアミノフルオレン、ビス（ｐ
−メトキシベンザル）−１，４−ジアミノナフタレン、
ビス（ｐ−メトキシ−ｍ−メチルベンザル）−ｐ，ｐ’
−ジアミノテルフェニル、ジシンナミル−ｐ，ｐ’−ジ
アミノテルフェニル、ジベンザル−ｐ，ｐ’−ジアミノ
クオーターフェニル、ｐ−メトキシ−ｐ’−オキシアゾ
ベンゼン、ｐ，ｐ’−ジメトキシアゾベンゼン、ｐ，
ｐ’−ジ−ｎ−ヘキシルオキシアゾベンゼン、ｐ−アセ
トキシベンゼン−ｐ−アゾ安息香酸エチルエステル、ベ
ンゾイル−ｐ−オキシベンゼン−ｐ−アゾ−α−メチル
ケイヒ酸アミルエステル、ｐ，ｐ’−アゾ安息香酸モノ
エチルエステル、１−アセトキシナフタリン−４−ｐ−
アセチルアゾベンゼン、ベンザル−ｐ−アミノアゾベン
ゼン、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−メチ
ルアゾベンゼン、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−アミノ−
ｐ’−エトキシアゾベンゼン、シンナミル−ｐ−アミノ
アゾベンゼン、ｐ−メトキシベンザル−１−アミノナフ
タリン−４−アゾベンゼン、ｐ−メトキシベンザル−１
−アミノナフタリン−４−（ｐ’−アセチルアゾベンゼ
ン）、ｐ−メチルベンザル−１−アミノナフタリン−４
−（ｐ’−メトキシアゾベンゼン）、ｐ−メチルベンザ
ル−１−アミノナフタリン−４−（ｐ’−エトキシアゾ
ベンゼン）、ｐ−メチルベンザル−１−アミノナフタリ
ン−４−（ｐ’−アゾ安息香酸エチルエステル）、ｐ−
シンナミル−１−アミノナフタリン−４−（ｐ’−アゾ
安息香酸エチルエステル）、ビス（ｐ−イソプロピルベ
ンザル）−ｐ、ｐ’−ジアミノアゾベンンゼン、（ｐ−
エトキシベンゼン）−ｐ−アゾ（ｐ−メトキシベンゾイ
ル）−ｏ−オキシベンザル−（ｐ’−エトキシ）アニリ
ン、ｐ，ｐ’−アゾベンザル−ビス−アニリン、ベンザ
ル−ｐ−アミノビフェニルアゾベンゼン、テレフタル−
ビス（ｐ−アミノアゾベンゼン）、ｐ，ｐ’−ジアセト
キシアゾキシベンゼン、ｐ，ｐ’−ジメトキシアゾキシ
ベンゼン（アゾキシアニソール）、ｐ−メトキシベンゼ
ン−ｐ−アゾキシ安息香酸メチルエステル、ｐ−メトキ
シベンゼン−ｐ−アゾキシ安息香酸フェニルエステル、
ｐ，ｐ’−アゾキシ安息香酸ジメチルエステル、ｐ，
ｐ’−アゾキシチオ安息香酸ジエチルエステル、ｐ，
ｐ’−アゾキシケイヒ酸ジヘプチルエステル、ｐ，ｐ’
−アゾキシ−ｏ−メチルケイヒ酸ジオクチルエステル、
ｐ，ｐ’−アゾキシ−ｏ−メチル−β−ブロムケイヒ酸
ジエチルエステル、ｐ，ｐ’−アゾキシ−β−メチルケ
イヒ酸ジメチルエステル、ジ−ｐ−メトキシベンゾイル
ジスルフイド、炭酸メチルコレステリルエステル、炭酸
エチルコレステリルエステル、安息香酸―Δ５，６−コ
レステン−３β−０１−エステル、ｐ−メトキシ安息香
酸コレステリルエステル、ｐ−アミノ安息香酸コレステ
リルエステル、ｐ−ｎ−ヘプチル安息香酸ｐ’−シアノ
フェニルエステル、４−シアノ−４’−ペンチルジシク
ロヘキシル、４−ペンチルシクロヘキシル−１−カルボ
ン酸−ｐ−シアノフェニルエステル、１−（ｐ−シアノ
フェニル）−２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エタ
ン、ｐ−シアノ−（４−ヘプチル−２，６−ジオキサシ
クロヘキシル）ベンゼン、ｐ−シアノ−（５−ペンチル
−２−ピリミジル）ベンゼン、ｐ−シアノ−〔４−（３
−ペンテニル）シクロヘキシル〕ベンゼン、４−（ｐ−
シアノフェニル）−４’−ヘプチルビシクロヘキシル、
ｐ−シアノ−（４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゼ
ン、１−（ｐ−シアノフェニル）−２−（４’−プロピ
ル−４−ビシクロヘキシル）エタン、ｐ−（４−プロピ
ルシクロヘキシル）安息香酸−２−シアノ−４−ペンチ
ルフェニルエステル、ｐ−（４−プロピルシクロヘキシ
ル）安息香酸−２，３−ジシアノー４−ペンチルオキシ
フェニルエステル、ｐ−（３−ペンチル−６−ピリダジ
ニル）ペンチルオキシベンゼン、ｐ−（１−シアノ−４
−プロピルシクロヘキシル）−ｐ’−ペンチルビフェニ
ル、２，３−ジフルオロ−４−エトキシ−４’−（４−
ペンチルシクロヘキシル）ビフェニル、４−（３，４−
ジフルオロフェニル）−４’−ペンチルビシクロヘキシ
ル、１−〔４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロ
ヘキシル〕−２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エタ
ン、３，４−ジフルオロ−４’−（４−ペンチルシクロ
ヘキシル）ビフェニル等のネマチック液晶、

【００１４】プロピオン酸コレステロール、安息香酸コ
レステロール、パルミチン酸コレステロール、塩化コレ
ステロール、ギ酸コレステロール、酢酸コレステロー
ル、ペラルゴン酸コレステロール、ｐ−アミノケイヒ酸
コレステリルエステル、安息香酸−Δ５，６；７，８−
コレスタジエン−３β−０１−エステル等のコレステリ
ック液晶、

【００１５】ｐ−ｎ−オクチルオキシ安息香酸、ｐ−ｎ
−オクチルオキシ−ｍ−クロル安息香酸、ｐ−ｎ−ドデ
シルオキシ安息香酸、５−クロロ−６−ｎ−ヘプチルオ
キシ−２−ナフトエ酸、ｐ−ｎ−ノニルオキシベンザル
−ｐ’−トルイジン、ミリスチン酸コレステロール、オ
クタン酸コレステロール、ｐ−ｎ−ノニルオキシ−ｍ−
フルオロ安息香酸、５−ヨード−６−ｎ−ノニル−２−
ナフトエ酸、ｎ−ノナン酸コレステロール、ｐ’−ｎ−
ヘキシルオキシ−ｍ’−ニトロ−ｐ−ビフェニルカルボ
ン酸、ｐ−ｎ−ヘキシルオキシ−ｍ−クロロケイヒ酸、
ｐ−アミロキシーｐ−ビフェニルカルボン酸、ｐ’−ブ
チルオキシ−ｍ’−クロロ−ｐ−ビフェニルカルボン
酸、ｐ’−ｎ−ヘキシルオキシ−ｍ’−ニトロ−ｐ−ビ
フェニルカルボン酸、７−ｎ−ヘプチルオキシ−２−フ
ルオレン酸、６−ｎ−ノニルオキシ−５−ヨード−２−
ナフチル酸、６−ｎ−ノニルオキシ−５−ニトロ−２−
ナフチル酸、７−ｎ−ヘプチルオキシ−２−フルオレン
酸プロピルエステル、２−アセチル−７−ｎ−ヘプチル
オキシフルオレン、ジ−ｐ，ｐ’−エチル−３，６−ビ
フェニルピリダジン、ジメチル−ｐ，ｐ’−ジオキシテ
ルフェニル、ｐ，ｐ’−ジアミノクオータフェニルキン
キフェニル、ｐ−ｎ−ノニルオキシベンザル−ｐ’−エ
チルアニリン、ｐ−ｎ−ノニルオキシベンザル−ｐ’−
プロピルアニリン、ｐ−ヘキシルオキシベンザル−ｐ−
アミノケイヒ酸エチルエステル、ｐ−メトキシベンザル
−ｐ−アミノケイヒ酸アミルエステル、２−ｐ−ｎ−ヘ
キシルオキシベンザルアミノフェナンスレン、ｐ−エト
キシベンザル−ｐ−アミノテルフェニル、ビス（ｐ−ア
ミノオキシベンザル）−ｐ’−フェニレンジアミン、ビ
ス（ｐ−ｎ−ブチルオキシベンザル）−ｐ，ｐ’−ジア
ミノビフェニル、ビス（ｐ−プロポキシベンザル）−
２，７−ジアミノフルオレン、ビス（ｐ−ペンチルオキ
シベンザル）−２，７−ジアミノフルオレン、ジベンザ
ル−ｐ，ｐ’−ジアミノテルフェニル、ｐ−メトキシベ
ンゼン−ｐ−アゾケイヒ酸エチルエステル、ｐ，ｐ’−
アゾケイヒ酸ジメチルエステル、（ベンゾイル）−ｐ−
オキシ−ｍ−メトキシベンゼン−ｐ’−アセチルアゾベ
ンゼン、（ベンゾイル）−ｐ−オキシ−ｏ−メトキシベ
ンゼン−ｐ’−アセチルアゾベンゼン、（ベンゾイル）
−ｐ−オキシ−ｏ−エトキシベンゼン−ｐ’−アセチル
アゾベンゼン、ｐ，ｐ’−ジヘキシルオキシアゾキシベ
ンゼン、ｐ−エトキシベンゼン−ｐ−アゾキシチオ安息
香酸エチルエステル、ｐ−エトキシベンゼン−ｐ−アゾ
キシ安息香酸（ｐ−エチル）フェニルエステル、ビス
（ｐ−エトキシベンゼン−ｐ−アゾキシ安息香酸）−ｍ
−ジオキシベンゼンエステル、４−（ｐ−フルオロフェ
ニル）−４’−ペンチルビシクロヘキシル、１−（３，
４−ジフルオロフェニル）−２−〔４−（４’−ペンチ
ルビシクロヘキシル）〕エタン、４−（ｐ−トリフルオ
ロメトキシフェニル）−４’−ペンチルビシクロヘキシ
ル、４−（ｐ−ジフルオロメトキシフェニル）−４’−
ペンチルビシクロヘキシル、４−トリフルオロメトキシ
−４’−（４−ペンチルシクロヘキシル）ビフェニル、
ｐ−トリフルオロメトキシフェニル−ｐ−（４−ペンチ
ルシクロヘキシル）フェニルアセチレン等の複合転移を
示す液晶化合物、

【００１６】１つのべンゼン環の１，３，５位にステロ
イドエステル基を有する化合物等デイスコチック液晶、
芳香族ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド等液晶性
を有する高分子液晶化合物等を用いることができる。

【００１７】これら液晶化合物は単独で用いてもよく、
２種類以上組合せて用いてもよい。これら液晶化合物の
うち、単独および／または２種類以上の混合物の融点が
３５℃以上２００℃以下のものが好ましく、さらに融点
が４０℃以上１５０℃以下のものが好ましい。さらに、
これら液晶化合物は、溶剤に溶解した溶液状態で用いる
ことができる。

【００１８】液晶化合物を溶剤に溶解してなる溶液であ
る本発明のウェハ固定化用組成物に用いることができる
溶剤は、組成物に用いる液晶化合物が溶解するものであ
れば、何れの溶媒も使用することができ、特に限定され
るものではないが、例えば、イソプロパノール、ブタノ
ール、ヘキサノール、オクタノール、デカノール、ウン
デカノール、ベンジルアルコール、エチレングリコー
ル、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジ
プロピレングリコール、フェノールの如きアルコール
類；ｎ−ペンタン、シクロペンタン、ｎ−ヘキサン、シ
クロヘキサン、ｎ−ヘプタン、シクロヘプタン、ｎ−オ
クタン、シクロオクタン、ｎ−デカン、シクロデカン、
ジシクロペンタジエン水素化物、ベンゼン、トルエン、
キシレン、デュレン、インデン、デカリン、テトラリ
ン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、
スクワラン、エチルベンゼン、ｔ−ブチルベンゼン、ト
リメチルベンゼンの如き炭化水素系溶媒；アセトン、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペ
ンタノン、シクロヘキサノンの如きケトン類；エチルエ
ーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレ
ングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコール
ジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエー
テル、テトラヒドロフラン、ジオキサンの如きエーテル
類；酢酸エチル、酢酸ブチル、酪酸エチル、エチレング
リコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコ
ールモノアセテート、ジエチレングリコールモノメチル
エーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチル
エーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチル
エーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチル
エーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエ
チルエーテルアセテートの如きエステル類；ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎーメチルピロリ
ドン、ヘキサメチルホスホミド、ジメチルスルホキシ
ド、γ―ブチロラクトン、クロロホルム、塩化メチレン
の如き極性溶媒が用いられる。これら溶媒は、単独でも
２種類以上を一緒にして用いてもよい。

【００１９】本発明の、ウェハ固定化剤およびウェハ固
定化用組成物は、それらの粘度を調整するために、必要
に応じて酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チ
タン、酸化ケイ素などの金属酸化物の微粒子などと適宜
混合して使用することができる。

【００２０】また、本発明のウェハ固定化剤およびウェ
ハ固定化用組成物は、それらの粘度を調整するために、
さらに必要に応じて有機ポリマー、例えばポリ（無水ア
ゼライン酸）、ポリ〔２，６−ビス（ヒドロキシメチ
ル）−４−メチルフェノール−ｃｏ−４−ヒドロキシ安
息香酸〕、ポリ（１，４−ブタンジオール）ビス（４−
アミノベンゾエート）、ポリ（１−ブテン）、ポリ
（１，４−ブテンアジペート−ｃｏ−１，４−ブチレン
スクシネート）の１，６−ジイソシアネートヘキサン反
応物、ポリ（１，４−ブチレンアジペート）ジオール、
ポリ（１，４−ブチレンアジペート−ｃｏ−ポリカプロ
ラクタム）、ポリ（１，４−ブチレンスクシネート）の
１，６−ジイソシアネートヘキサン反応物、ポリ〔ブチ
レンテレフタレート−ｃｏ−ポリ（アルキレングリコー
ル）テレフタレート〕、ポリカプロラクトンジオール、
ポリカルボメチルシラン、ポリクロロプレン、ポリ（ク
ロロトリフルオロエチレン−ｃｏ−ビニリデンフルオラ
イド）、ポリ〔（ｏ−クレシルグリシジルエーテル）−
ｃｏ−ホルムアルデヒド〕、ポリ〔ジメチルシロキサン
−ｃｏ−メチル（ステアロイルオキシアルキル）シロキ
サン〕、ポリエチレン、ポリ（エチレン−ｃｏ−アクリ
ル酸）、ポリ（エチレン−ｃｏ−アクリル酸）のナトリ
ウムまたは亜鉛塩、ポリ（エチレンアジペート）のトリ
レン−２，４−ジイソシアネート反応物、ポリ（エチレ
ンアゼレート）、ポリ（エチレン−ｃｏ−１−ブテ
ン）、ポリ（エチレン−ｃｏ−１−ブテン−ｃｏ−１−
ヘキセン）、ポリ（エチレン−ｃｏ−ブチルアクリレー
ト−ｃｏ−カーボンモノオキシド）、ポリ（エチレン−
ｃｏ−ブチルアクリレート−ｃｏ−無水マレイン酸）、
ポリ（エチレン−ｃｏ−ブチレン）ジオール、ポリ（エ
チレン−ｃｏ−エチルアクリレート）、ポリ（エチレン
−ｃｏ−エチルアクリレート−ｃｏ−無水マレイン
酸）、ポリ（エチレン−ｃｏ−グリシジルメタクリレー
ト）、ポリ（エチレングリコール）、ポリエチレン−ｇ
ｒａｆｔ−無水マレイン酸、ポリ（エチレン−ｃｏ−メ
タクリル酸）、ポリ（エチレン−ｃｏ−メタクリル酸）
のナトリウムまたはリチウムまたは亜鉛塩、ポリ（エチ
レン−ｃｏ−メチルアクリレート）、ポリ（エチレン−
ｃｏ−メチルアクリレート−ｃｏ−アクリル酸）、ポリ
エチレンモノアルコール、ポリ（エチレン−ｃｏ−１−
オクテン）、ポリエチレンオキシド、ポリエチレン−ｂ
ｌｏｃｋ−ポリエチレングリコール、ポリ（エチレンス
クシネート）、ポリ（エチレン−ｃｏ−トリアルコキシ
ビニルシラン）、ポリ（エチレン−ｃｏ−酢酸ビニ
ル）、ポリ（ヘキサフルオロプロピレンオキシド−ｃｏ
−ジフルオロメチレンオキシド）モノアルキルアミド、
ポリ（１，６−ヘキサメチレンアジペート）、ポリ（ヘ
キサメチレンカーボネート）、ポリ（３−ヒドロキシブ
タン酸）、ポリイソプレン、ポリラウリルラクタム−ｂ
ｌｏｃｋ−ポリテトラヒドロフラン、ポリ（オキシメチ
レン）アセテート、ポリプロピレン、ポリ（１，３−プ
ロピレンアジペート）、ポリ（プロピレン−ｃｏ−１−
ブテン）、ポリ（プロピレン−ｃｏ−エチレン）、ポリ
（１，３−プロピレングルタレート）、ポリ（１，３−
プロピレンスクシネート）、ポリ（無水セバシン酸）、
ポリスチレン、ポリ（ビニルアルコール−ｃｏ−エチレ
ン）、ポリ（ビニリデンクロライド−ｃｏ−メチルアク
リレート）、ポリ（ビニリデンクロライド−ｃｏ−ビニ
ルクロライド）、ポリ（ビニリデンフルオライド）、ポ
リ（ビニリデンフルオライド−ｃｏ−ヘキサフルオロプ
ロピレン）、ポリ（ビニル−Ｎ−オクタデシルカルバメ
ート）、ポリ（ビニルトルエン−ｃｏ−α−メチルスチ
レン）等を含有させて用いてもよい。これら有機ポリマ
ーの添加量は、本発明に用いる液晶化合物の融点に依存
するが、液晶化合物に対して２００重量％以下、好まし
くは１５０重量％以下で用いることができる。

【００２１】また、固定化剤および固定化用組成物の被
加工体であるウェハに対する濡れ性を改良したり、塗布
性および／または塗布した膜のレベルリング性を改良
し、塗膜のぶつぶつの発生、ゆず肌の発生等を防止する
ため、目的の機能を損なわない範囲で必要に応じてフッ
素系、シリコーン系、非イオン系界面活性剤などの表面
張力調節剤を少量添加することができる。添加すること
のできる非イオン系界面活性剤としては、例えばフッ化
アルキル基もしくはパーフルオロアルキル基を有するフ
ッ素系界面活性剤、またはオキシアルキル基を有するポ
リエーテルアルキル系界面活性剤を挙げることができ
る。前記フッ素系界面活性剤としては、Ｃ₉Ｆ₁₉ＣＯＮ
ＨＣ₁₂Ｈ₂₅、Ｃ₈Ｆ₁₇ＳＯ₂ＮＨ−（Ｃ₂Ｈ₄Ｏ）₆Ｈ、Ｃ₉
Ｆ₁₇Ｏ（プルロニックＬ−３５）Ｃ９Ｆ１７、Ｃ₉Ｆ₁₇
Ｏ（プルロニックＰ−８４）Ｃ９Ｆ１７などを挙げるこ
とができる。（ここで、プルロニックＬ−３５：旭電化
工業（株）製、ポリオキシプロピレン−ポリオキシエチ
レンブロック共重合体、平均分子量１，９００；プルロ
ニックＰ−８４：旭電化工業（株）製、ポリオキシプロ
ピレン−ポリオキシエチレンブロック共重合体、平均分
子量４，２００；テトロニック−７０４：旭電化工業
（株）製、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（ポリオキ
シプロピレン−ポリオキシエチレンブロック共重合
体）、平均分子量５，０００）などを挙げることができ
る。これらのフッ素系界面活性剤の具体例としては、エ
フトップＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２（新
秋田化成（株）製）、メガファックＦ１７１、同Ｆ１７
３（大日本インキ（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０
（旭硝子（株）製）、フロラードＦＣ−１７０Ｃ、同Ｆ
Ｃ４３０、同ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、
サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ１０１、同ＳＣ１０２、
同ＳＣ１０３、同ＳＣ１０４、同ＳＣ１０５、同ＳＣ１
０６（旭硝子（株）製）、ＢＭ−１０００、同１１００
（Ｂ．Ｍ−Ｃｈｅｍｉｅ社製）、Ｓｃｈｓｅｇｏ−Ｆｌ
ｕｏｒ（Ｓｃｈｗｅｇｍａｎｎ社製）などを挙げること
がでる。又ポリエーテルアルキル系界面活性剤として
は、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシ
エチレンアリルエーテル、ポリオキシエチレンアルキル
フェノールエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステ
ル、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソ
ルビタン脂肪酸エステル、オキシエチレンオキシプロピ
レンブロックポリマーなどを挙げることができる。これ
らのポリエーテルアルキル系界面活性剤の具体例として
は、エマルゲン１０５、同４３０、同８１０、同９２
０、レオドールＳＰ−４０Ｓ、同ＴＷ−Ｌ１２０、エマ
ノール３１９９、同４１１０、エキセルＰ−４０Ｓ、ブ
リッジ３０、同５２、同７２、同９２、アラッセル２
０、エマゾール３２０、ツィーン２０、同６０、マージ
４５（いずれも（株）花王製）、ノニボール５５（三洋
化成（株）製）などを挙げることができる。上記以外の
非イオン性界面活性剤としては、例えばポリオキシエチ
レン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂
肪酸エステル、ポリアルキレンオキサイドブロック共重
合体などがあり、具体的にはケミスタット２５００（三
洋化成工業（株）製）、ＳＮ−ＥＸ９２２８（サンノプ
コ（株）製）、ノナール５３０（東邦化学工業（株）
製）などを挙げることができる。

【００２２】本発明の固定化剤および固定化用組成物
は、本発明の加工法によれば、まず、工程（１）におい
てウェハまたはウェハを固定するための基体の表面上に
液晶化合物の薄膜を形成するために用いられる。工程
（１）における薄膜の形成を、ウェハまたはそれを固定
する基体の表面上に、液晶化合物からなる本発明の固定
化剤を固体粉末として散布したのちその融点以上の温度
に加熱して行うか、あるいは本発明の固定化用組成物を
塗布したのち、乾燥して行うことができる。

【００２３】後者の場合、塗布方法は特に限定されず刷
毛塗り、スピンコート、ディップコート、カーテンコー
ト、ロールコート、スプレーコート、インクジェット、
印刷法などを用いることができる。塗布は１回で、また
は複数回、重ね塗りすることもできる。塗布し溶媒を飛
散した後の好適な薄膜層の厚みは塗布方法、固定化用組
成物中の液晶化合物の濃度に依存して適宜変動する。薄
膜層の厚みは０．００１〜１００μｍが好ましく、０．
００５〜５０μｍであるのがさらに好ましい。用いた溶
剤を飛散させる乾燥は、室温で放置して溶剤を飛散させ
てもよく、加熱して溶剤を飛散させてもよい。加熱して
溶剤を飛散させるときは、好ましくは、組成物に用いた
液晶化合物の融点以上〜融点＋２００℃以下の温度で、
より好ましくは融点＋５℃〜融点＋１５０℃以下の温
度、さらに好ましくは融点＋１０℃〜融点＋１００℃以
下の温度で乾燥を行うのがよい。

【００２４】また、この場合、塗布に用いる組成物の温
度を、予め液晶化合物の融点以上の温度にしておき、塗
布後の乾燥を容易とすることもできる。

【００２５】次に、工程（２）において、ウェハまたは
それを固定する基体とを、少なくともいずれか一方をそ
の表面上に液晶化合物の薄膜が形成されたものとして、
該液晶化合物の融点以上の温度で密着させて固定する。
そのためには、両者を用いた液晶化合物の融点以上の温
度に加温した状態で張り合わせるのが好ましい。この張
り合わせる温度は、融点＋５℃〜融点＋１５０℃以下の
温度が好ましく、さらに好ましくは融点＋１０℃〜融点
＋１００℃以下の温度に加温するのが良い。

【００２６】被加工体であるウェハとウェハの基体とを
張り合わせるときの圧力は、特に限定されるものではな
く、被加工体のウェハを加工処理するのに耐えられる密
着性が得られればよく、用いた液晶化合物によって任意
に選択することができる。

【００２７】ウェハを支持する基体に張り合わされたウ
ェハは、工程（３）において、そのウェハの使用目的に
応じて特定の加工処理が施される。場合によっては、ウ
ェハの基体に張り合わされたウェハは、そのまま場所を
移す（ウェハの搬送という）ために用いることもでき
る。何れの場合もその使用目的の処理のため、液晶化合
物の融点より低い温度で加工処理される。それらの処理
が施された後、工程（４）においてウェハと基体とが分
離されるが、被加工体であるウェハまたは／およびウェ
ハの基体の少なくとも一方を加温して分離する。ウェハ
と基体を剥離するときの温度は、融点以上の温度、好ま
しくは融点＋５℃〜融点＋１５０℃で、さらに好ましく
は融点＋１０℃〜融点＋１００℃である。

【００２８】次いで、工程（５）において、分離された
ウェハを、液晶化合物に溶解しうる溶剤で洗滌して除去
する。上記工程（１）〜（５）の他に適宜必要に応じそ
れ自体公知の工程を付加して実施することができる。

【００２９】

【実施例】以下に、本発明を実施例により詳細に説明す
るが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。

【００３０】実施例１ 固体粉末のドコサン酸（ベヘン）酸０．５ｇを６インチ
シリコンウェハ上に全面に均一に塗布した後１５０℃に
加熱し、市販ＣＭＰ装置の硬質プレート上に張り付け、
定盤上のパッドに２００ｇ／ｃｍ²の圧力で圧着して接
着させた。次に、パッド上に市販の研磨材溶液を塗布し
ながら硬質プレートに張り付けた面と反対側の面を研磨
した。研磨した後、６インチシリコンウェハの研磨した
側から１５０℃の熱風を吹き付け加温した後、ウェハを
硬質プレートから剥離した。剥離した６インチシリコン
ウェハを洗滌溶剤としてテトラヒドロフランを用いてウ
ェハに付着した固定化剤を洗滌し除去した。６インチシ
リコンウェハの洗滌した面をＦＴ―ＩＲで表面観察した
が、有機物に帰属される吸収は一切観察されず、張り合
わせに用いた固定化剤は洗滌で除去されたことを示し
た。

【００３１】実施例２ 実施例１のドコサン酸０．２ｇの代わりに０．５ｇの
１，１２−ドデカンジカルボン酸を用いた以外は、実施
例１と同様に６インチシリコンウェハの表面を研磨処理
した。研磨処理した後、実施例１と同様に、６インチシ
リコンウェハの洗滌した面をＦＴ―ＩＲで表面観察した
が、有機物に帰属される吸収は一切観察されず、張り合
わせに用いた固定化剤は洗滌で除去されたことを示し
た。

【００３２】実施例３ 実施例１のドコサン酸の代わりにドコサン酸の５％テト
ラヒドロフラン／トルエン（容積比、８０／２０）混合
溶液１０ｇをスピンコートで６インチシリコンウェハに
塗布した以外は、実施例１と同様にシリコンウェハを表
面研磨した。表面研磨した後、実施例１と同様に、６イ
ンチシリコンウェハの洗滌した面をＦＴ―ＩＲで表面観
察したが、有機物に帰属される吸収は一切観察されず、
張り合わせに用いた固定化剤は洗滌で除去されたことを
示した。

【００３３】実施例４ 実施例１のドコサン酸０．５ｇの代わりに１０ｇの１，
１２−ドデカンジカルボン酸の５％ｎ−ヘキサン溶液を
スピンコートで塗布した以外は、実施例１と同様に６イ
ンチシリコンウェハの表面を研磨処理した。研磨処理し
た後、実施例１と同様に、６インチシリコンウェハの洗
滌した面をＦＴ―ＩＲで表面観察したが、有機物に帰属
される吸収は一切観察されず、張り合わせに用いた固定
化剤は洗滌で除去されたことを示した。

【００３４】実施例５ ０．５ｇのドコサン酸を６インチシリコンウェハ上に全
面に均一に塗布した後、クリーンオーブン中で基板を１
２０℃に１時間加熱した。加熱後に基板を取り出し、６
インチシリコンウェハのドコサン酸を塗布した面を、別
途１２０℃に加熱した一辺３０ｃｍの正方形のガラス基
板上に張り合わせた。さらに、張り合わせた６インチシ
リコンウェハのドコサン酸（ベヘン）酸を塗布していな
い面（加工処理する面）上に一辺３０ｃｍの正方形のガ
ラス基板をのせ、その上に５０ｇの重りをのせ、室温で
１時間放置した。１時間後に６インチシリコンウェハの
塗布していない面（加工処理する面）上にのせたガラス
基板を外し、６インチシリコンウェハを張り合わせたガ
ラス基板を専用のガラス固定ジグに保持した。次に、６
インチシリコンウェハ上に市販の研磨材を塗布しながら
研磨機を用いてウェハ上を研磨した。研磨した後、固定
ジグから６インチシリコンウェハ付き一辺３０ｃｍの正
方形のガラス基板を外し、クリーオーブン中１２０℃で
３０分間加温した後、６インチシリコンウェハを一辺３
０ｃｍの正方形のガラス基板から外し、さらに洗滌溶剤
としてテトラヒドロフラン／トルエン（容積比、８０／
２０）混合溶液を用いて、６インチシリコンウェハに付
着した固定化剤を洗滌し除去した。６インチシリコンウ
ェハの洗滌した面をＦＴ―ＩＲで表面観察したが、有機
物に帰属される吸収は一切観察されず、張り合わせに用
いた固定化剤は洗滌で除去されたことを示した。

【００３５】実施例６ 実施例５のドコサン酸０．５ｇの代わりに０．５ｇの
１，１２−ドデカンジカルボン酸を用いた以外は、実施
例５と同様に６インチシリコンウェハの表面を研磨処理
した。表面研磨した後、実施例５と同様に、６インチシ
リコンウェハの洗滌した面をＦＴ―ＩＲで表面観察した
が、有機物に帰属される吸収は一切観察されず、張り合
わせに用いた固定化剤は洗滌で除去されたことを示し
た。

【００３６】実施例７ 実施例５のドコサン酸０．５ｇの代わりにドコサン酸の
５％テトラヒドロフラン／トルエン（容積比、８０／２
０）混合溶液１０ｇを用いてスピンコートで塗布した以
外は、実施例５と同様に６インチシリコンウェハの表面
を研磨処理した。表面処理した後、実施例５と同様に、
６インチシリコンウェハの洗滌した面をＦＴ―ＩＲで表
面観察したが、有機物に帰属される吸収は一切観察され
ず、張り合わせに用いた固定化剤は洗滌で除去されたこ
とを示した。

【００３７】実施例８ 実施例６の１，１２−ドデカンジカルボン酸０．５ｇの
代わりに１，１２−ドデカンジカルボン酸の５％ｎ−ヘ
キサン／酢酸ブチル（容積比、５０／５０）混合溶液１
０ｇを用いてスピンコートで塗布した以外は、実施例６
と同様に６インチシリコンウェハの表面を研磨処理し
た。表面研磨した後、実施例６と同様に、６インチシリ
コンウェハの洗滌した面をＦＴ―ＩＲで表面観察した
が、有機物に帰属される吸収は一切観察されず、張り合
わせに用いた固定化剤は洗滌で除去されたことを示し
た。

【００３８】比較例１ 実施例１のドコサン酸の代わりに市販のエポキシ接着剤
０．２ｇを用いた以外は実施例１と同様にシリコンウェ
ハを表面研磨した。表面研磨した後、実施例１と同様
に、硬質プレートから外そうとしたが６インチシリコン
ウェハが破損した。また、破損したが一部の剥離したシ
リコウェハのエポキシ樹脂を接着させた面をＦＴ―ＩＲ
で表面観察した所、有機物に帰属される吸収が観察さ
れ、張り合わせに用いた接着剤が洗滌で除去しきれなか
ったことを示した。

【００３９】

【発明の効果】液晶化合物を含有する固定化剤または固
定化用組成物を用いると、該ウェハを硬質プレート、弾
性体キャリア（バッキング材）またはウェハ等の基体に
密着させ、固定化させて保持することができ、且つ被加
工体のウェハを容易に剥離でき、さらにウェハに付着し
た固定化剤層を容易に除去、洗滌ができ、被加工体のウ
ェハに対する汚染の問題がない、半導体用ウェハの加工
処理ができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 横山 泰明 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AB04 CB01 CB04 DA17

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体デバイス用ウェハ加工時のウェハ
   固定化剤としての液晶化合物の用途。
2. 【請求項２】 液晶化合物の融点が３５℃よりも高い請
   求項１に記載の用途。
3. 【請求項３】 液晶化合物が溶剤中に溶解された溶液か
   らなることを特徴とするウェハ固定化用組成物。
4. 【請求項４】 液晶化合物の融点が３５℃よりも高い請
   求項３に記載の組成物。
5. 【請求項５】 （１）液晶化合物の薄膜をウェハの表面
   またはウェハを固定するための基体の表面上に形成し、
   （２）ウェハとそれを固定するための基体とを、少なく
   ともいずれか一方を表面上に液晶化合物の薄膜が形成さ
   れたものとして、該液晶化合物の融点以上の温度で密着
   させて固定し、（３）基体に固定されたウェハの露出面
   を該液晶化合物の融点より低い温度で加工処理し、
   （４）基体からウェハを、該液晶化合物の融点以上の温
   度で分離せしめ、そして（５）分離されたウェハを該液
   晶化合物の溶剤で洗滌する、ことを特徴とするウェハの
   加工法。
6. 【請求項６】 工程（１）における薄膜の形成を、ウェ
   ハまたはそれを固定する基体の表面上に、液晶化合物を
   固体粉末として散布したのちその融点以上の温度に加熱
   して行う請求項５に記載の方法。
7. 【請求項７】 工程（１）における薄膜の形成を、ウェ
   ハまたはそれを固定する基体の表面上に、請求項３に記
   載の組成物を塗布したのち乾燥して行う、請求項５に記
   載の方法。
8. 【請求項８】 請求項３に記載の組成物がそれに含有さ
   れる液晶化合物の融点以上の温度にある請求項７に記載
   の方法。