JP2003347254A - ウェハ固定化用組成物およびこれを用いたウェハの加工法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体用ウェハを加工処理するときに、該ウ
ェハを硬質プレート、弾性体キャリア（バッキング材）
またはウェハ等の基体に密着させ保持することができ、
且つ被加工体のウェハが容易に剥離でき、さらにウェハ
に付着した固定化層を容易に除去および／または洗浄が
でき、被加工体のウェハに対する汚染の問題がない、特
定の液晶化合物および有機ポリマーを含有するウェハ固
定化用組成物およびこれを用いたウェハの加工法を提供
する。 【解決手段】 液晶化合物と有機ポリマーを含有するウ
ェハ固定化用組成物。この組成物は溶液の形態あるいは
フィルムの形態で提供できる。この組成物から薄膜をウ
ェハまたは基体上に形成し、ウェハと基体の少なくとも
いずれか一方に、その表面上に該薄膜を形成されたもの
を用いて、両者を密着させて固定化し、ウェハの露出面
を加工し、ウェハを基体から分離しそして洗滌すること
により、ウェハを上記課題を達成して加工することがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハ固定化用組
成物およびこれを用いたウェハの加工法に関する。さら
に詳しくは、半導体用ウェハを加工処理するときに、該
ウェハを硬質プレート、弾性体キャリア（バッキング
材）またはウェハ等の基体に密着させ固定化して保持す
るために有益なウェハ固定化用組成物およびこれを用い
たウェハの加工法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体用ウェハおよびデバイスの搭載さ
れたウェハは、その使用する目的に応じて種々の表面お
よび／または裏面の表面加工が行われる。例えば、ＣＭ
Ｐ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌ
ｉｓｈｉｎｇ）等表面加工技術によるウェハ表面および
／または裏面の均一化表面加工は、被加工物の加工され
る基準面がどこにあるか設定し且つ加工材に対して加工
時に一定の平面を保持することが必要になる。その加工
される基準面の設定として、ウェハの表面または裏面を
例えば硬質プレートおよび／または弾性体キャリア（バ
ッキング材）に密着させてウェハを保持するが、加工処
理時にウェハが厳密に保持されることが必要になる。

【０００３】ウェハの表面または裏面を例えば硬質プレ
ートおよび／または弾性体キャリア（バッキング材）お
よび／またはウェハ等基体に密着させて被加工体のウェ
ハを保持する方法として、例えば、ワックスマウンテイ
ング法と呼ばれる方法が知られている。この方法では、
ワックスを接着剤に用いてウェハの裏面と高精度の表面
を有する硬質プレート（例えば高精度平面のセラミック
スプレート）を密着させる（ウェハの裏面基準と呼ばれ
る）。この方法は、硬質プレート表面の平坦精度とワッ
クスとの厚さを管理することによって、ウェハの裏面に
倣って表面の表面加工が行われる。この方法は、表面加
工に用いる被加工体のウェハの表面が基本的に平坦であ
ることが必要で、デバイス搭載過程でのウェハ処理には
適さないと言われ、ベアシリコンの表面加工に広く用い
られている。しかし、この表面加工で接着剤として用い
るワックスは、加工処理後の洗浄が難しく汚染の問題が
あり、またワックス中の金属不純物が洗浄後の被加工体
ウェハの表面に残存し、それがウェハまたはデバイス中
に拡散（マイグレーション）する汚染の問題がある。

【０００４】シリコンウェハを含め全てのウェハ表面に
何らかの加工を施すときは、前述のＣＭＰの場合と同様
に被加工体であるウェハの加工されない面を要求される
ある特定の状態に固定して保持する必要がある。そのた
めに種々の接着剤が開発されているが、一般的に接着剤
と呼ばれる材料は加工後の被加工体であるウェハを基体
から外す時容易に剥がすことができず、ウェハが割れる
問題があった。さらに剥離したウェハ上に付着する接着
剤層の除去および／または洗浄が難しく、ウェハが汚染
される問題があった。また、同様の目的で仮止め用とし
て粘着材と呼ばれる材料も種々開発されているが、加工
時に被加工体を十分に保持し且つ容易に被加工体の剥
離、さらに被加工体上に付着する接着剤層の除去および
／または洗浄をすることができ、汚染のない満足のいく
材料は見出されていなかった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体用ウェハを加工処理するときに、該ウェハを硬質プレ
ート、弾性体キャリア（バッキング材）またはウェハ等
の基体に密着させ、固定化して保持することができ、且
つ被加工体のウェハが容易に剥離でき、さらにウェハに
付着した固定化剤層を容易に除去および／または洗浄が
でき、被加工体のウェハに対する汚染の問題がないウェ
ハ固定化用組成物およびこれを用いたウェハの加工法を
提供することにある。

【０００６】本発明の他の目的および利点は、以下の説
明から明らかになろう。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記目
的および利点は、第１に、液晶化合物と有機ポリマーを
含有することを特徴とする半導体デバイス用ウェハ加工
時のウェハ固定化用組成物によって達成される。

【０００８】また、本発明によれば、本発明の上記目的
および利点は、第２に、（１）本発明の上記ウェハ固定
化用組成物の薄膜をウェハの表面またはウェハを固定す
るための基体の表面上に形成し、（２）ウェハとそれを
固定するための基体とを、少なくともいずれか一方を表
面上に該ウェハ固定化用組成物に含有される液晶化合物
と有機ポリマーの薄膜が形成されたものとして、該液晶
化合物と該有機ポリマーの融点以上の温度で密着させて
固定し、（３）基体に固定されたウェハの露出面を該液
晶化合物と該有機ポリマーの融点より低い温度で加工処
理し、（４）基体からウェハを、該液晶化合物と該有機
ポリマーの融点以上の温度で分離せしめ、そして（５）
分離されたウェハを該液晶化合物と該有機ポリマーの溶
剤で洗滌する、ことを特徴とするウェハの加工法によっ
て達成される。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明のウェハ固定化用組成物
は、液晶化合物と有機ポリマーを含有する。

【００１０】本発明に用いることができる液晶化合物
は、異方性結晶から等方性結晶に移る転移点と等方的結
晶から等方性液体に移る融点を有するもの、および異方
性結晶から異方性液体に移る融点と異方性液体と等方性
液体に移る透明点を有するものの何れでもよい。本発明
のウェハ固定化用組成物は、基体と被加工体のウェハと
を接着させることから、基体および／またはウェハ上に
塗布し乾燥した後の状態が、室温で結晶または固体状態
である液晶化合物、具体的には融点が３５℃以上の液晶
化合物を用いるのが好ましい。

【００１１】本発明に用いることができる液晶化合物と
しては、具体的には、ｉｓｏ−酪酸ナトリウム、オレイ
ン酸ナトリウム、ヘキサヒドロ安息香酸カリウム、ステ
アリン酸ナトリウム、ミリスチン酸ナトリウム、パルミ
チン酸ナトリウム、安息香酸ナトリウム、エチル−ｐ−
アゾキシベンゾエート、１−ｎ−ドデシルピリジニウム
クロライド、１−ｎ−ドデシルピリジニウムブロマイ
ド、１−ｎ−ドデシルピリジニウムヨードダイド、２−
ｎ−トリデシルピリジニウムクロライド、３−ｎ−ドデ
シルオキシメチルピリジニウムメチルスルホネート、３
−ｎ−ドデシルオキシメチルピリジニウム−ｐ−メチル
フェニルスルホネート、４−シアノ−４’−オクチルオ
キシビフェニル、４−シアノ−４’−ドデシルオキシビ
フェニル、４−シアノ−４’−オクタノイルオキシビフ
ェニル、ｐ−オクチルオキシ安息香酸−４−シアノフェ
ニルエステル等のスメクテイック液晶；ヘプタ−２，４
−ジエン酸、オクタ−２，４−ジエン酸、ノナ−２，４
−ジエン酸、デカ−２，４−ジエン酸、ウンデカ−２，
４−ジエン酸、ノナ−２−エン−４−イン酸、ドコサン
（ベヘン）酸、１，１２−ドデカンジカルボン酸、ｐ−
ｎ−ブチル安息香酸、ｐ−ｎ−アミル安息香酸、ｐ−ｎ
−ヘキシルオキシ安息香酸、ｐ−ｎ−オクチルオキシ−
ｍ−フルオロ安息香酸、ω−ｎ−ブチルソルビン酸、
ｐ’−メトキシ−ｐ−ビフェニルカルボン酸、ｐ−アゾ
キシアニソール、ｐ−アゾキシフェネトール、アニシリ
デン−ｐ−アミノフェニルアセテート、ｐ−メトキシベ
ンジリデン−ｐ−ブチルアニリン、ｐ−エトキシベンジ
リデン−ｐ−ブチルアニリン、５−クロロ−６−ｎ−プ
ロピルオキシ−２−ナフトエ酸、１−ベンゼンアゾ−ア
ニサル−４−ナフチルアミン、ｐ−メトキシ−ｐ’−ブ
チルアゾキシベンゼン、ジヘキシルオキシアゾベンゼ
ン、ｐ−ヘキシルカルボネート−ｐ’−ヘプチルオキシ
フェニル安息香酸、ｐ−アセトキシケイヒ酸、ｐ−メト
キシ−α−ケイヒ酸、フェニルペンタジエン酸、ｐ−ｎ
−ヘキシルオキシ−ｍ−ブロモケイヒ酸、ｐ−メトキシ
−ｐ−ビフェニルカルボン酸、ｐ’−エトキシ−ｍ’−
クロロ−ｐ−ビフェニルカルボン酸、ｐ’−ブチルオキ
シ−ｍ’−ブロモ−ｐ−ビフェニルカルボン酸、ｐ’−
ｎ−プロピルオキシ−ｍ’−ニトロ−ｐ−ビフェニルカ
ルボン酸、７−メトキシ−２−フルオレン酸、６−メト
キシ−２−ナフチル酸、６−エトキシ−２−ナフチル
酸、６−ｎ−プロピルオキシ−５−クロロ−２’−ナフ
チル酸、６−ｎ−プロピルオキシ−５−ブロモ−２’−
ナフチル酸、６−ｎ−ブチルオキシ−５−クロロ−２−
ナフチル酸、６−ｎ−ブチルオキシ−５−ブロモ−２−
ナフチル酸、６−ｎ−ブチルオキシ−５−ヨード−２−
ナフチル酸、ｐ’−ｎ−ヘキシルオキシ−ｐ−ビフェニ
ルカルボン酸メチルエステル、ｐ’−ｎ−ヘキシルオキ
シ−ｐ−ビフェニルカルボン酸エチルエステル、ｐ’−
ｎ−ヘキシルオキシ−ｐ−ビフェニルカルボン酸プロピ
ルエステル、ｐ’−ｎ−ドデシルオキシ−ｍ’−クロロ
ビフェニルカルボン酸プロピルエステル、ｐ’−ｎ−ド
デシルオキシ−ｍ’−ニトロビフェニルカルボン酸プロ
ピルエステル、ｐ，ｐ’−ビフェニルジカルボン酸ビフ
ェニルエステル、ｐ，ｐ’−テルフェニルジカルボン酸
ジメチルエステル、エチレングリコールビス（ｏ―カル
ボエトキシ−ｐ−オキシフェニルエステル）、ビス（ｐ
−メトキシシンナミル）アセトン、ジアリリデンシクロ
ペンタノン−ビス（ｐ−メトキシベンザル）シクロペン
タノン、ジアリリデンシクロヘキサノン−ビス（ｐ−メ
トキシベンザル）シクロヘキサノン、ビス〔ｐ−（ベン
ゾイルオキシ）ベンザル〕−β−メチルシクロヘキサノ
ン、ｐ，ｐ’−ビス（ビフェニルカルビノール）ビフェ
ニル、１−クロロ−１，２−ビス（ｐ−アセトキシフェ
ニル）エチレン、ｐ−アセトキシベンザル−ｐ’−メト
キシアニリン、ｐ−メトキシベンザル−ｐ’−シアノア
ニリン、ｐ−メトキシベンザル−ｐ’−メトキシアニリ
ン、ｐ−メトキシシンナミル−ｐ’−メチルアニリン、
ｐ−ニトロシンナミル−ｐ’−メチルアニリン、ｐ−メ
トキシフェニルペンタジエナルアニリン、ベンザル−ｐ
−アミノ安息香酸、ｐ−シアノベンザル−ｐ−アミノ安
息香酸、ベンザル−ｐ−アミノ（β−メチル）ケイヒ
酸、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−アミノ−ｏ−メチルケ
イヒ酸、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−アミノ−ｏ−メチ
ルヒドロケイヒ酸、ｐ−エトキシベンザル−ｐ−アミノ
安息香酸エチルエステル、ｐ−エトキシベンザル−ｐ−
アミノケイヒ酸ブチルエステル、ｐ−シアノベンザル−
ｐ−アミノケイヒ酸エチルエステル、ｐ−メチルベンザ
ル−ｐ−アミノケイヒ酸アミルエステル、ｐ−メトキシ
ベンザル−ｐ−アミノメチルケイヒ酸メチルエステル、
ｐ−メトキシベンザル−ｐ−α−メチルケイヒ酸プロピ
ルエステル、ｐ−エトキシベンザル−ｐ−アミノ−α−
エチルケイヒ酸エチルエステル、ｐ−メトキシシンナミ
ル−ｐ−アミノ安息香酸エチルエステル、ｐ−メトキシ
ベンザル−ｐ−アミノビフェニル、ベンザル−ｐ−アミ
ノ−ｐ’−アセチルビフェニル、ベンザル−ｐ−アミノ
−ｐ’−ジメチルアミノビフェニル、ベンザル−ｐ−ア
ミノ−ｐ’−ホルミルアミノビフェニル、ｐ−メチルベ
ンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−アセチルアミノビフェニ
ル、ｐ−メチルベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−ベンゾイ
ルアミノビフェニル、シンナミル−ｐ−アミノ−ｐ’−
アセチルビフェニル、２−ｐ−メトキシベンザルアミノ
フルオレン、２−ｐ−メトキシベンザルアミノフェナン
スレン、２−ｐ−メトキシベンザルアミノフルオレン、
２−ｐ−ｎ―ブチルオキシベンザルアミノフルオレン、
ｐ−ノニルオキシベンザルフェニルヒドラジン、ビス
（ｐ−メトキシベンザル）−（ジメチル）アジン、ビス
（ｐ−フェニルベンザル）アジン、ｐ−メトキシフェニ
ルペンタジエナルフェニルヒドラジン、テレフタルービ
スー（ｐ−クロロアニリン）、テレフタルービス（ｐ−
アミノ安息香酸エチルエステル）、ビス（ｐ−クロロベ
ンザル）−ｐ−フェニレンジアミン、ビス（ｐ−メチル
ベンザル）−ｐ−トルイレンジアミン、ジベンザル−
ｐ，ｐ’−ジアミノビフェニル、ビス（ｏ−オキシベン
ザル）−ｐ，ｐ’−ジアミノビフェニル、ジシンナミル
−ｐ，ｐ’−ジアミノビフェニル、ビス（ｐ−メトキシ
ベンザル）−ｐ，ｐ’−ジアミノジメチルビフェニル、
ビス（ｐ−メトキシベンザル）−２，７−ジアミノフル
オレン、ビス（ｐ−メトキシベンザル）−２，７−ジア
ミノフルオレン、ビス（ｐ−メトキシベンザル）−１，
４−ジアミノナフタレン、ビス（ｐ−メトキシ−ｍ−メ
チルベンザル）−ｐ，ｐ’−ジアミノテルフェニル、ジ
シンナミル−ｐ，ｐ’−ジアミノテルフェニル、ジベン
ザル−ｐ，ｐ’−ジアミノクオーターフェニル、ｐ−メ
トキシ−ｐ’−オキシアゾベンゼン、ｐ，ｐ’−ジメト
キシアゾベンゼン、ｐ，ｐ’−ジ−ｎ−ヘキシルオキシ
アゾベンゼン、ｐ−アセトキシベンゼン−ｐ−アゾ安息
香酸エチルエステル、ベンゾイル−ｐ−オキシベンゼン
−ｐ−アゾ−α−メチルケイヒ酸アミルエステル、ｐ，
ｐ’−アゾ安息香酸モノエチルエステル、１−アセトキ
シナフタリン−４−ｐ−アセチルアゾベンゼン、ベンザ
ル−ｐ−アミノアゾベンゼン、ｐ−メトキシベンザル−
ｐ−アミノ−ｐ’−メチルアゾベンゼン、ｐ−メトキシ
ベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−エトキシアゾベンゼン、
シンナミル−ｐ−アミノアゾベンゼン、ｐ−メトキシベ
ンザル−１−アミノナフタリン−４−アゾベンゼン、ｐ
−メトキシベンザル−１−アミノナフタリン−４−
（ｐ’−アセチルアゾベンゼン）、ｐ−メチルベンザル
−１−アミノナフタリン−４−（ｐ’−メトキシアゾベ
ンゼン）、ｐ−メチルベンザル−１−アミノナフタリン
−４−（ｐ’−エトキシアゾベンゼン）、ｐ−メチルベ
ンザル−１−アミノナフタリン−４−（ｐ’−アゾ安息
香酸エチルエステル）、ｐ−シンナミル−１−アミノナ
フタリン−４−（ｐ’−アゾ安息香酸エチルエステ
ル）、ビス（ｐ−イソプロピルベンザル）−ｐ，ｐ’−
ジアミノアゾベンンゼン、（ｐ−エトキシベンゼン）−
ｐ−アゾ（ｐ−メトキシベンゾイル）−ｏ−オキシベン
ザル−（ｐ’−エトキシ）アニリン、ｐ，ｐ’−アゾベ
ンザル−ビス−アニリン、ベンザル−ｐ−アミノビフェ
ニルアゾベンゼン、テレフタルービス（ｐ−アミノアゾ
ベンゼン）、ｐ，ｐ’−ジアセトキシアゾキシベンゼ
ン、ｐ，ｐ’−ジメトキシアゾキシベンゼン（アゾキシ
アニソール）、ｐ−メトキシベンゼン−ｐ−アゾキシ安
息香酸メチルエステル、ｐ−メトキシベンゼン−ｐ−ア
ゾキシ安息香酸フェニルエステル、ｐ，ｐ’−アゾキシ
安息香酸ジメチルエステル、ｐ，ｐ’−アゾキシチオ安
息香酸ジエチルエステル、ｐ，ｐ’−アゾキシケイヒ酸
ジヘプチルエステル、ｐ，ｐ’−アゾキシ−ｏ−メチル
ケイヒ酸ジオクチルエステル、ｐ，ｐ’−アゾキシ−ｏ
−メチル−β−ブロムケイヒ酸ジエチルエステル、ｐ，
ｐ’−アゾキシ−β−メチルケイヒ酸ジメチルエステ
ル、ジ−ｐ―メトキシベンゾイルジスルフイド、炭酸メ
チルコレステリルエステル、炭酸エチルコレステリルエ
ステル、安息香酸−Δ５，６−コレステン−３β−０１
−エステル、ｐ−メトキシ安息香酸コレステリルエステ
ル、ｐ−アミノ安息香酸コレステリルエステル、ｐ−ｎ
−ヘプチル安息香酸−ｐ’−シアノフェニルエステル、
４−シアノ−４’−ペンチルジシクロヘキシル、４−ペ
ンチルシクロヘキシル−１−カルボン酸−ｐ−シアノフ
ェニルエステル、１−（ｐ−シアノフェニル）−２−
（４−ペンチルシクロヘキシル）エタン、ｐ−シアノ−
（４−ヘプチ−２，６−ジオキサシクロヘキシル）ベン
ゼン、ｐ−シアノ−（５−ペンチル−２−ピリミジル）
ベンゼン、ｐ−シアノ−〔４−（３−ペンテニル）シク
ロヘキシル〕ベンゼン、４−（ｐ−シアノフェニル）−
４’−ヘプチルビシクロヘキシル、ｐ−シアノ−（４−
ペンチルシクロヘキシル）ベンゼン、１−（ｐ−シアノ
フェニル）−２−（４’−プロピル−４−ビシクロヘキ
シル）エタン、ｐ−（４−プロピルシクロヘキシル）安
息香酸−２−シアノ−４−ペンチルフェニルエステル、
ｐ−（４−プロピルシクロヘキシル）安息香酸−２，３
−ジシアノ−４−ペンチルオキシフェニルエステル、ｐ
−（３−ペンチル−６−ピリダジニル）ペンチルオキシ
ベンゼン、ｐ−（１−シアノ−４−プロピルシクロヘキ
シル）−ｐ’−ペンチルビフェニル、２，３−ジフルオ
ロ−４−エトキシ−４’−（４−ペンチルシクロヘキシ
ル）ビフェニル、４−（３，４−ジフルオロフェニル）
−４’−ペンチルビシクロヘキシル、１−〔４−（３，
４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル〕−２−（４
−ペンチルシクロヘキシル）エタン、３，４−ジフルオ
ロ−４’−（４−ペンチルシクロヘキシル）ビフェニル
等のネマチック液晶；プロピオン酸コレステロール、安
息香酸コレステロール、パルミチン酸コレステロール、
塩化コレステロール、ギ酸コレステロール、酢酸コレス
テロール、ペラルゴン酸コレステロール、ｐ−アミノケ
イヒ酸コレステリルエステル、安息香酸−Δ５，６；
７，８−コレスタジエン−３β−０１−エステル等のコ
レステリック液晶、

【００１２】ｐ−ｎ−オクチルオキシ安息香酸、ｐ−ｎ
−オクチルオキシ−ｍ−クロル安息香酸、ｐ−ｎ−ドデ
シルオキシ安息香酸、５−クロロ−６−ｎ−ヘプチルオ
キシ−２−ナフトエ酸、ｐ−ｎ−ノニルオキシベンザル
−ｐ’−トルイジン、ミリスチン酸コレステロール、オ
クタン酸コレステロール、ｐ−ｎ−ノニルオキシ−ｍ−
フルオロ安息香酸、５−ヨード−６−ｎ−ノニル−２−
ナフトエ酸、ｎ−ノナン酸コレステロール、ｐ’−ｎ−
ヘキシルオキシ−ｍ’−ニトロ−ｐ−ビフェニルカルボ
ン酸、ｐ−ｎ−ヘキシルオキシ−ｍ−クロロケイヒ酸、
ｐ−アミロキシ−ｐ−ビフェニルカルボン酸、ｐ’−ブ
チルオキシ−ｍ’−クロロ−ｐ−ビフェニルカルボン
酸、ｐ’−ｎ−ヘキシルオキシ−ｍ’−ニトロ−ｐ−ビ
フェニルカルボン酸、７−ｎ−ヘプチルオキシ−２−フ
ルオレン酸、６−ｎ−ノニルオキシ−５−ヨード−２−
ナフチル酸、６−ｎ−ノニルオキシ−５−ニトロ−２−
ナフチル酸、７−ｎ−ヘプチルオキシ−２−フルオレン
酸プロピルエステル、２−アセチル−７−ｎ−ヘプチル
オキシフルオレン、ジ−ｐ，ｐ’−エチル−３、６−ビ
フェニルピリダジン、ジメチル−ｐ，ｐ’−ジオキシテ
ルフェニル、ｐ，ｐ’−ジアミノクオータフェニルキン
キフェニル、ｐ−ｎ−ノニルオキシベンザル−ｐ’−エ
チルアニリン、ｐ−ｎ−ノニルオキシベンザル−ｐ’−
プロピルアニリン、ｐ−ヘキシルオキシベンザル−ｐ−
アミノケイヒ酸エチルエステル、ｐ−メトキシベンザル
−ｐ−アミノケイヒ酸アミルエステル、２−ｐ−ｎ−ヘ
キシルオキシベンザルアミノフェナンスレン、ｐ−エト
キシベンザル−ｐ−アミノテルフェニル、ビス（ｐ−ア
ミノオキシベンザル）−ｐ’−フェニレンジアミン、ビ
ス（ｐ−ｎ−ブチルオキシベンザル）−ｐ，ｐ’−ジア
ミノビフェニル、ビス（ｐ−プロポキシベンザル）−
２，７−ジアミノフルオレン、ビス（ｐ−ペンチルオキ
シベンザル）−２，７−ジアミノフルオレン、ジベンザ
ル−ｐ，ｐ’−ジアミノテルフェニル、ｐ−メトキシベ
ンゼン−ｐ−アゾケイヒ酸エチルエステル、ｐ，ｐ’―
アゾケイヒ酸ジメチルエステル、（ベンゾイル）−ｐ−
オキシ−ｍ−メトキシベンゼン−ｐ’−アセチルアゾベ
ンゼン、（ベンゾイル）−ｐ−オキシ−ｏ−メトキシベ
ンゼン−ｐ’−アセチルアゾベンゼン、（ベンゾイル）
−ｐ−オキシ−ｏ−エトキシベンゼン−ｐ’−アセチル
アゾベンゼン、ｐ，ｐ’−ジヘキシルオキシアゾキシベ
ンゼン、ｐ−エトキシベンゼン−ｐ−アゾキシチオ安息
香酸エチルエステル、ｐ−エトキシベンゼン−ｐ−アゾ
キシ安息香酸（ｐ−エチル）フェニルエステル、ビス
（ｐ−エトキシベンゼン−ｐ−アゾキシ安息香酸）−ｍ
−ジオキシベンゼンエステル、４−（ｐ−フルオロフェ
ニル）−４’−ペンチルビシクロヘキシル、１−（３，
４−ジフルオロフェニル）−２−〔４−（４’−ペンチ
ルビシクロヘキシル）〕エタン、４−（ｐ−トリフルオ
ロメトキシフェニル）−４’−ペンチルビシクロヘキシ
ル、４−（ｐ−ジフルオロメトキシフェニル）−４’−
ペンチルビシクロヘキシル、４−トリフルオロメトキシ
−４’−（４−ペンチルシクロヘキシル）ビフェニル、
ｐ−トリフルオロメトキシフェニル−ｐ−（４−ペンチ
ルシクロヘキシル）フェニルアセチレン等の複合転移を
示す液晶化合物、

【００１３】１つのべンゼン環の１，３，５位にステロ
イドエステル基を有する化合物等デイスコチック液晶、
芳香族ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド等液晶性
を有する高分子液晶化合物等を用いることができる。

【００１４】これら液晶化合物は単独で用いてもよく、
２種類以上を組合せて用いてもよい。これら液晶のう
ち、単独および／または２種類以上の混合物の融点が３
５℃以上２００℃以下のものが好ましく、さらに融点が
４０℃以上１５０℃以下のものが好ましい。さらに、こ
れら液晶化合物は、溶剤に溶解した溶液状態で用いるこ
とができる。

【００１５】本発明に用いる有機ポリマーは、融点が室
温以上２００℃未満のものが好ましい。具体的には、例
えばポリ（無水アゼライン酸）、ポリ〔２，６−ビス
（ヒドロキシメチル）―４−メチルフェノール−ｃｏ−
４−ヒドロキシ安息香酸〕、ポリ（１，４−ブタンジオ
ール）ビス（４−アミノベンゾエート）、ポリ（１−ブ
テン）、ポリ（１，４−ブテンアジペート−ｃｏ−１，
４−ブチレンスクシネート）の１，６−ジイソシアネー
トヘキサン反応物、ポリ（１，４−ブチレンアジペー
ト）ジオール、ポリ（１，４−ブチレンアジペート−ｃ
ｏ−ポリカプロラクタム）、ポリ（１，４−ブチレンス
クシネート）の１，６−ジイソシアネートヘキサン反応
物、ポリ〔ブチレンテレフタレート−ｃｏ−ポリ（アル
キレングリコール）テレフタレート〕、ポリカプロラク
トンジオール、ポリカルボメチルシラン、ポリクロロプ
レン、ポリ（クロロトリフルオロエチレン−ｃｏ−ビニ
リデンフルオライド）、ポリ〔（ｏ−クレシルグリシジ
ルエーテル）−ｃｏ−ホルムアルデヒド〕、ポリ〔ジメ
チルシロキサン−ｃｏ−メチル（ステアロイルオキシア
ルキル）シロキサン〕、ポリエチレン、ポリ（エチレン
−ｃｏ−アクリル酸）、ポリ（エチレン−ｃｏ−アクリ
ル酸）のナトリウムまたは亜鉛塩、ポリ（エチレンアジ
ペート）のトリレンー２，４−ジイソシアネート反応
物、ポリ（エチレンアゼレート）、ポリ（エチレン−ｃ
ｏ−１−ブテン）、ポリ（エチレン−ｃｏ−１−ブテン
−ｃｏ−１−ヘキセン）、ポリ（エチレン−ｃｏ−ブチ
ルアクリレート−ｃｏ−カーボンモノオキシド）、ポリ
（エチレン−ｃｏ−ブチルアクリレート−ｃｏ−無水マ
レイン酸）、ポリ（エチレン−ｃｏ−ブチレン）ジオー
ル、ポリ（エチレン−ｃｏ−エチルアクリレート）、ポ
リ（エチレン−ｃｏ−エチルアクリレート−ｃｏ−無水
マレイン酸）、ポリ（エチレン−ｃｏ−グリシジルメタ
クリレート）、ポリ（エチレングリコール）、ポリエチ
レン−ｇｒａｆｔ−無水マレイン酸、ポリ（エチレン−
ｃｏ−メタクリル酸）、ポリ（エチレン−ｃｏ−メタク
リル酸）のナトリウムまたはリチウムまたは亜鉛塩、ポ
リ（エチレン−ｃｏ−メチルアクリレート）、ポリ（エ
チレン−ｃｏ−メチルアクリレート−ｃｏ−アクリル
酸）、ポリエチレンモノアルコール、ポリ（エチレン−
ｃｏ−１−オクテン）、ポリエチレンオキシド、ポリエ
チレン−ｂｌｏｃｋ−ポリ（エチレングリコール）、ポ
リ（エチレンスクシネート）、ポリ（エチレン−ｃｏ−
トリアルコキシビニルシラン）、ポリ（エチレン−ｃｏ
−酢酸ビニル）、ポリ（ヘキサフルオロプロピレンオキ
シド−ｃｏ−ジフルオロメチレンオキシド）モノアルキ
ルアミド、ポリ（１，６−ヘキサメチレンアジペー
ト）、ポリ（ヘキサメチレンカーボネート）、ポリ（３
−ヒドロキシブタン酸）、ポリイソプレン、ポリメタク
リル酸メチル、ポリラウリルラクタム−ｂｌｏｃｋ−ポ
リテトラヒドロフラン、ポリ（オキシメチレン）アセテ
ート、ポリプロピレン、ポリ（１，３−プロピレンアジ
ペート）、ポリプロピレンオキシド、ポリフェニレンオ
キシド、ポリ（プロピレン−ｃｏ−１−ブテン）、ポリ
（プロピレン−ｃｏ−エチレン）、ポリ（１，３−プロ
ピレングルタレート）、ポリ（１，３−プロピレンスク
シネート）、ポリ（無水セバシン酸）、ポリスチレン、
ポリ（ビニルアルコール−ｃｏ−エチレン）、ポリ塩化
ビニリデン、ポリ（ビニリデンクロライド−ｃｏ−メチ
ルアクリレート）、ポリ（ビニリデンクロライド−ｃｏ
−ビニルクロライド）、ポリ（ビニリデンフルオライ
ド）、ポリ（ビニリデンフルオライド−ｃｏ−ヘキサフ
ルオロプロピレン）、ポリ（ビニルーＮ−オクタデシル
カルバメート）、ポリ（ビニルトルエン−ｃｏ−α−メ
チルスチレン）、ポリ（ビスフェノール−Ａ−ｃｏ−
４，４’−ジクロロジフェニルスルホン）、フェノール
樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン等を用いることができ
る。これら有機ポリマーは、単独で用いてもよく、２種
類以上を組合せて用いてもよい。これら有機ポリマーの
うち、単独または２種類以上の混合物の融点が３５℃以
上２００℃以下のものが好ましく、さらに融点が４０℃
以上１５０℃以下のものが好ましい。さらに、これら有
機ポリマーは、溶剤に溶解した溶液状態で用いることが
できる。

【００１６】これら液晶化合物および有機ポリマーの使
用量は、本発明に用いる液晶化合物と有機ポリマーの融
点に依存するが、液晶化合物に対して有機ポリマーが１
〜２００重量％以下、好ましくは５〜１５０重量％以下
で用いることができる。

【００１７】本発明の組成物は、液晶化合物と有機ポリ
マーと溶剤とからなる溶液であることができる。用いる
ことができる溶剤は、組成物に用いる液晶化合物および
有機ポリマーが共に溶解するものであれば、何れの溶媒
も使用することができ、特に限定されるものではない
が、例えば、イソプロパノール、ブタノール、ヘキサノ
ール、オクタノール、デカノール、ウンデカノール、ベ
ンジルアルコール、エチレングリコール、ジエチレング
リコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコ
ール、フェノールの如きアルコール類；ｎ−ペンタン、
シクロペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−
ヘプタン、シクロヘプタン、ｎ−オクタン、シクロオク
タン、ｎ−デカン、シクロデカン、ジシクロペンタジエ
ン水素化物、ベンゼン、トルエン、キシレン、デュレ
ン、インデン、デカリン、テトラリン、テトラヒドロナ
フタレン、デカヒドロナフタレン、スクワラン、エチル
ベンゼン、ｔ−ブチルベンゼン、トリメチルベンゼンの
如き炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、
メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘ
キサノンの如きケトン類；エチルエーテル、エチレング
リコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチ
ルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、
ジエチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロ
フラン、ジオキサンの如きエーテル類；酢酸エチル、酢
酸ブチル、酪酸エチル、エチレングリコールモノメチル
エーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエ
ーテルアセテート、エチレングリコールモノアセテー
ト、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセ
テートの如きエステル類；ジメチルホルムアミド、ジメ
チルアセトアミド、Ｎーメチルピロリドン、ヘキサメチ
ルホスホミド、ジメチルスルホキシド、γ―ブチロラク
トン、クロロホルム、塩化メチレンの如き極性溶媒が用
いられる。これら溶媒は、単独でも２種類以上を組合せ
て用いてもよい。

【００１８】本発明の、ウェハ固定化用組成物は、組成
物の粘度を調整するために、必要に応じて酸化アルミニ
ウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ケイ素など
の金属酸化物の微粒子などと適宜混合して使用すること
ができる。

【００１９】また、本発明の固定化用組成物は、組成物
の粘度を調整するために、必要に応じて融点が２００℃
を超える有機ポリマーを添加して用いることもできる。
融点が２００℃を超える有機ポリマーとしては、例え
ば、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ（エチレン−
ａｌｔ−クロロトリフルオロエチレン）、ポリ（エチレ
ン−ｃｏ−エチルアクリレート−ｃｏ−無水マレイン
酸）、ポリ（エチレン−ａｌｔ−無水マレイン酸）、ポ
リ（エレン−ｃｏ−テトラフルオロエチレン）、ポリ
（エチレン−ｃｏ−ビニルアセテート）、ポリ（イソブ
チレン−ｃｏ−無水マレイン酸）、ポリビニルアルコー
ル、ポリビニルアセタール、ポリアクリロニトリル、ポ
リテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエ
チレン、ポリフッ化エチレン、ナイロン−６、ナイロン
−８、ナイロン−６，６、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリブチレンテレフタレート、ポリ〔ブチレンテレ
フタレート−ｃｏ−（ポリアルキレングリコール）テレ
フタレート〕、ポリカルボメチルシラン、ポリ（２，６
−ジメチル−１，４−フェニレンオキシド）、ポリカー
ボネート、ポリ−ｐ−キシリレン、ポリ（ベンゼンテト
ラカルボン酸二無水物−ｃｏ−４，４’−ジアミノジフ
ェニルエーテル）、ポリ（ベンゼンテトラカルボン酸二
無水物−ｃｏ−４，４’−ジアミノジフェニルメタ
ン）、ポリ（無水トリメリック酸クロライド−ｃｏ−
４，４’−メチレンジアニリン）、ポリベンズイミダゾ
ール、ポリアセナフチレン、ポリグリコリド、ポリラウ
リルラクタム−ｂｌｏｃｋ−ポリテトラヒドロフラン、
ポリ（４−ビニルフェノール−ｃｏ−メチルメタクリレ
ート）、ポリ（４−メチル−１−ペンテン）、ポリフェ
ニルスルホン等を挙げることができる。

【００２０】これら融点が２００℃を超える有機ポリマ
ーの添加量は、本発明に用いる液晶化合物と有機ポリマ
ーの融点に依存するが、液晶化合物に対して好ましくは
２００重量％以下、より好ましくは１５０重量％以下で
用いることができる。

【００２１】また、固定化用組成物の被加工体であるウ
ェハに対する濡れ性を改良したり、塗布性および／また
は塗布した膜のレベルリング性を改良し、塗膜のぶつぶ
つの発生、ゆず肌の発生等を防止するため、目的の機能
を損なわない範囲で必要に応じてフッ素系、シリコーン
系、非イオン系界面活性剤などの表面張力調節剤を少量
添加することができる。添加することのできる非イオン
系界面活性剤としては、フッ化アルキル基もしくはパー
フルオロアルキル基を有するフッ素系界面活性剤、また
はオキシアルキル基を有するポリエーテルアルキル系界
面活性剤を挙げることができる。前記フッ素系界面活性
剤としては、例えばＣ₉Ｆ₁₉ＣＯＮＨＣ_{1 2}Ｈ₂₅、Ｃ₈Ｆ₁₇
ＳＯ₂ＮＨ−（Ｃ₂Ｈ₄Ｏ）₆Ｈ、Ｃ₉Ｆ₁₇Ｏ（プルロニッ
クＬ−３５）Ｃ₉Ｆ₁₇、Ｃ₉Ｆ₁₇Ｏ（プルロニックＰ−８
４）Ｃ₉Ｆ₁₇などを挙げることができる。（ここで、プ
ルロニックＬ−３５：旭電化工業（株）製、ポリオキシ
プロピレン−ポリオキシエチレンブロック共重合体、平
均分子量１，９００；プルロニックＰ−８４：旭電化工
業（株）製、ポリオキシプロピレン−ポリオキシエチレ
ンブロック共重合体、平均分子量４，２００；テトロニ
ック−７０４：旭電化工業（株）製、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラキス（ポリオキシプロピレン−ポリオキシ
エチレンブロック共重合体）などを挙げることができ
る。これらのフッ素系界面活性剤の具体例としては、エ
フトップＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２（新
秋田化成（株）製）、メガファックＦ１７１、同Ｆ１７
３（大日本インキ（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０
（旭硝子（株）製）、フロラードＦＣ−１７０Ｃ、同Ｆ
Ｃ４３０、同ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、
サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ１０１、同ＳＣ１０２、
同ＳＣ１０３、同ＳＣ１０４、同ＳＣ１０５、同ＳＣ１
０６（旭硝子（株）製）、ＢＭ−１０００、同１１００
（Ｂ．Ｍ−Ｃｈｅｍｉｅ社製）、Ｓｃｈｓｅｇｏ−Ｆｌ
ｕｏｒ（Ｓｃｈｗｅｇｍａｎｎ社製）などを挙げること
がでる。又ポリエーテルアルキル系界面活性剤として
は、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシ
エチレンアリルエーテル、ポリオキシエチレンアルキル
フェノールエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステ
ル、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソ
ルビタン脂肪酸エステル、オキシエチレンオキシプロピ
レンブロックポリマーなどを挙げることができる。これ
らのポリエーテルアルキル系界面活性剤の具体例として
は、エマルゲン１０５、同４３０、同８１０、同９２
０、レオドールＳＰ−４０Ｓ、同ＴＷ−Ｌ１２０、エマ
ノール３１９９、同４１１０、エキセルＰ−４０Ｓ、ブ
リッジ３０、同５２、同７２、同９２、アラッセル２
０、エマゾール３２０、ツィーン２０、同６０、マージ
４５（いずれも（株）花王製）、ノニボール５５（三洋
化成（株）製）などを挙げることができる。上記以外の
非イオン性界面活性剤としては、例えばポリオキシエチ
レン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂
肪酸エステル、ポリアルキレンオキサイドブロック共重
合体などがあり、具体的にはケミスタット２５００（三
洋化成工業（株）製）、ＳＮ−ＥＸ９２２８（サンノプ
コ（株）製）、ノナール５３０（東邦化学工業（株）
製）などを挙げることができる。

【００２２】かくして得られた固定化用組成物は、被加
工体であるウェハまたは／およびウェハの支持体である
基体に塗布するが、塗布方法は特に限定されず刷毛塗
り、スピンコート、ディップコート、カーテンコート、
ロールコート、スプレーコート、インクジェット、印刷
法などを用いることができる。塗布は１回で、または複
数回、重ね塗りすることもできる。塗布し溶媒を飛散し
た後の好適な固定化層の厚みは塗布方法、組成物中の液
晶化合物の濃度に依存して適宜変動するが、固定化層の
厚みは０．００１〜１００μｍが好ましく、０．００５
〜５０μｍであるのがさらに好ましい。

【００２３】本発明の固定化用組成物は、本発明方法に
よれば、工程（１）において、例えば、被加工体である
ウェハまたはウェハの支持体である基体に塗布した後、
用いた溶剤を飛散させる。室温で放置して溶剤を飛散さ
せてもよく、加熱して溶剤を飛散させてもよい。加熱し
て溶剤を飛散させるときは、好ましくは組成物に用いた
液晶化合物の融点以上〜融点＋２００℃以下の温度で、
より好ましくは融点＋５℃〜融点＋１５０℃以下の温
度、さらに好ましくは融点＋１０℃〜融点＋１００℃以
下の温度がよい。

【００２４】本発明のフィルムは、本発明で用いる液晶
化合物と有機ポリマーと溶剤とからなる溶液である上記
ウェハ固定化用組成物を、フィルムにしてから半導体デ
バイス用ウェハ加工時に使用される。フィルムとしての
形態は、使用する組成物に用いた液晶化合物と有機ポリ
マーの融点に依存するが、組成物から溶剤を飛散させた
単一のフィルムでもよく、また一般にドライフィルムと
呼ばれる形態、すなわち支持フィルムとカバーフィルム
で挟み込んだ３層フィルムの形態の何れも用いることが
できる。

【００２５】ドライフィルムの形態で用いる時には、支
持フィルムとして、例えば、厚さ１０〜２００μｍのポ
リエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポ
リイミド、ポリプロピレン等のフィルムを用いることが
できる。また、カバーフィルムとしては、支持フィルム
に用いるフィルムおよびポリエチレン等を用いることが
できる。カバーフィルムの厚さは、５〜１００μｍが好
ましく、さらに１０〜５０μｍが好ましい。

【００２６】フィルムの製造方法は特に限定されるもの
ではなく、該固定化用組成物を、例えばガラス、有機ポ
リマー、セラミックス、金属等基板上に、刷毛塗り、バ
ーコート、アプリケーターコート、スピンコート、デイ
プコーテイング，印刷、カーテンコーテイング等で塗布
した後加熱して溶媒を飛散させる方法、溶媒を含まない
固定化用組成物を用いて加熱下で塗布する方法等を用い
てフィルムを製造する。

【００２７】フィルムを製造するときの固定化用組成物
の濃度は、フィルムの膜厚に依存するが液晶化合物と有
機ポリマーの合計で、好ましくは０．１〜１００％、よ
り好ましくは０．５〜８０％、さらに好ましくは１〜５
０％である。また塗布した後の溶剤を飛散させる温度
は、溶媒を含む該固定化用組成物を用いるときは、好ま
しくは室温から２００℃以下、より好ましくは１５０℃
以下、さらに好ましくは１００℃以下である。溶媒を含
まない固定化用組成物を用いるときは、用いた液晶化合
物と有機ポリマーの融点に準じて任意に選択され、液晶
化合物および有機ポリマーの融点以上の温度に加温して
支持体上に塗布する。

【００２８】本発明のフィルムをドライフィルムとして
用いるときは、前記支持フィルム上に該固定化用組成物
を、例えばガラス、有機ポリマー、セラミックス、金属
等基板上に、刷毛塗り、バーコート、アプリケーターコ
ート、スピンコート、デイプコーテイング、印刷、カー
テンコーテイング等で塗布した後加熱して溶媒を飛散さ
せ、さらに乾燥した固定化用組成物上を前記カバーフィ
ルムでカバーして製造する。

【００２９】本発明の工程（１）において、固定化用組
成物の薄膜が、被加工体であるウェハまたはウェハの基
体に形成された後、工程（２）において、被加工体であ
るウェハとウェハの基体とを圧着して張り合わせる。被
加工体であるウェハおよびウェハの基体の少なくとも一
方を固定化用組成物に用いた液晶化合物および有機ポリ
マーの融点以上の温度に加温した状態で張り合わせて両
者を密着させ固定するのが好ましい。この張り合わせる
温度は、融点＋５℃〜融点＋１５０℃以下の温度が好ま
しく、さらに好ましくは融点＋１０℃〜融点＋１００℃
以下の温度がよい。

【００３０】被加工体であるウェハとウェハの基体とを
張り合わせるときの圧力は、特に限定されるものではな
く、被加工体のウェハを加工処理するのに耐えられる密
着性が得られればよく、用いた液晶化合物によって任意
に選択することができる。

【００３１】次いで、工程（３）において、ウェハを支
持する基体に張り合わされたウェハは、そのウェハの使
用目的に応じて特定の加工処理が施される。場合によっ
ては、ウェハの基体に張り合わされたウェハは、そのま
ま場所を移す（ウェハの搬送という）ために用いること
もできる。何れの場合もその使用目的の処理が施された
後、工程（４）において、ウェハと基体とを剥離する。
このとき、被加工体であるウェハまたは／およびウェハ
の基体の少なくとも一方を加温して剥離する。ウェハと
基体を剥離するときの温度は、好ましくは融点以上の温
度、より好ましくは融点＋５℃〜融点＋１５０℃で、さ
らに好ましくは融点＋１０℃〜融点＋１００℃である。

【００３２】加工処理した後に剥離した被加工体のウェ
ハは、工程（５）において、ウェハに付着し残存した固
定化剤を溶媒で洗浄する。洗浄に用いる溶媒は、用いた
液晶化合物または液晶化合物と有機ポリマーが溶解する
溶媒が任意に選択される。

【００３３】

【実施例】以下に、本発明を実施例により詳細に説明す
るが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。

【００３４】実施例１ 固体粉末のドコサン酸（ベヘン酸）１０ｇと酢酸ビニル
の含量４０ｗｔ％および固有粘度０．７０のポリ（エチ
レン−ｃｏ−酢酸ビニル）１０ｇを秤量し８０ｇのテト
ラヒドロフランに溶解した。この溶液１ｇを４インチシ
リコンウェハ上にスピンコートで全面に均一に塗布した
後１００℃で溶媒を飛散させた。さらにこのシリコンウ
ェハを１５０℃に加熱し、市販ＣＭＰ装置の硬質プレー
ト上に張り付け、定盤上のパッドに２００ｇ／ｃｍ²の
圧力で圧着して接着させた。次に、パッド上に市販の研
磨材溶液を塗布しながら硬質プレートに張り付けた面と
反対側の面を研磨した。研磨した後、４インチシリコン
ウェハの研磨した側から１５０℃の熱風を吹き付け加温
した後、ウェハを硬質プレートから剥離した。剥離した
４インチシリコンウェハを洗浄溶剤としてテトラヒドロ
フランを用いてウェハに付着した固定化剤を洗浄し除去
した。４インチシリコンウェハの洗浄した面をＦＴ―Ｉ
Ｒで表面観察したが、有機物に帰属される吸収は一切観
察されず、張り合わせに用いた固定化剤は洗浄で除去さ
れたことを示した。

【００３５】実施例２ 実施例１のドコサン酸１０ｇの代わりに１０ｇの１，１
２−ドデカンジカルボン酸を用いた以外は、実施例１と
同様に溶液を調製し、この溶液を用いて４インチシリコ
ンウェハの表面を研磨処理した。次に、研磨したシリコ
ンウェハを実施例１と同様に剥離および洗浄した後、４
インチシリコンウェハの洗浄した面をＦＴ―ＩＲで表面
観察したが、有機物に帰属される吸収は一切観察され
ず、張り合わせに用いた固定化剤は洗浄で除去されたこ
とを示した。

【００３６】実施例３ 実施例１のポリ（エチレン−ｃｏ−酢酸ビニル）１０ｇ
の代わりに数平均分子量２５０，０００および融点４４
℃のポリイソブチレン１０ｇを用いた以外は実施例１と
同様に溶液を調整し、実施例１と同様に４インチシリコ
ンウェハの表面を研磨処理した。次に、実施例１と同様
に研磨したシリコンウェハを剥離および洗浄した後、４
インチシリコンウェハの洗浄した面をＦＴ―ＩＲで表面
観察したが、有機物に帰属される吸収は一切観察され
ず、張り合わせに用いた固定化剤は洗浄で除去されたこ
とを示した。

【００３７】実施例４ 実施例３のドコサン酸１０ｇの代わりに１０ｇの１，１
２−ドデカンジカルボン酸を用いた以外は、実施例１と
同様に溶液を調製し、この溶液を用いて４インチシリコ
ンウェハの表面を研磨処理した。次に、研磨したシリコ
ンウェハを実施例１と同様に剥離および洗浄した後、４
インチシリコンウェハの洗浄した面をＦＴ―ＩＲで表面
観察したが、有機物に帰属される吸収は一切観察され
ず、張り合わせに用いた固定化剤は洗浄で除去されたこ
とを示した。

【００３８】実施例５ 実施例１のポリ（エチレン−ｃｏ−酢酸ビニル）１０ｇ
の代わりに数平均分子量３５０，０００および融点２０
０℃のポリビニルクロライド１０ｇを用いた以外は実施
例１と同様に溶液を調製し、実施例１と同様に４インチ
シリコンウェハの表面を研磨処理した。次に、研磨した
シリコンウェハを実施例１と同様に剥離および洗浄した
後、４インチシリコンウェハの洗浄した面をＦＴ―ＩＲ
で表面観察したが、有機物に帰属される吸収は一切観察
されず、張り合わせに用いた固定化剤は洗浄で除去され
たことを示した。

【００３９】実施例６ 実施例５のドコサン酸１０ｇの代わりに１０ｇの１，１
２−ドデカンジカルボン酸を用いた以外は、実施例５と
同様に溶液を調製し、この溶液を用いて４インチシリコ
ンウェハの表面を研磨処理した。次に、研磨したシリコ
ンウェハを実施例５と同様に剥離および洗浄した後、４
インチシリコンウェハの洗浄した面をＦＴ−ＩＲで表面
観察したが、有機物に帰属される吸収は一切観察され
ず、張り合わせに用いた固定化剤は洗浄で除去されたこ
とを示した。

【００４０】実施例７ 実施例１のポリ（エチレン−ｃｏ−酢酸ビニル）１０ｇ
の代わりに数平均分子量２５０，０００および融点４４
℃のポリイソブチレン５ｇおよびポリ（エチレン−ｃｏ
−酢酸ビニル）５ｇを用いて実施例１と同様に溶液を調
製した。この溶液を用いて、実施例１と同様に４インチ
シリコンウェハの表面を研磨処理した。次に、研磨した
シリコンウェハを実施例１と同様に剥離および洗浄した
後、４インチシリコンウェハの洗浄した面をＦＴ−ＩＲ
で表面観察したが、有機物に帰属される吸収は一切観察
されず、張り合わせに用いた固定化剤は洗浄で除去され
たことを示した。

【００４１】実施例８ 実施例１で調製した溶液およびアプリケーターを用い
て、ガラス基板上に塗布し室温で１昼夜放置さらに１０
０℃で３時間乾燥させた後、ガラス基板からフィルムを
はがし膜厚２５μｍのウェハ固定化用フィルムを作製し
た。このフィルムを１００℃に加熱したシリコンウェハ
に張り付けさらに１５０℃に加熱し、市販ＣＭＰ装置の
硬質プレート上に張り付け、定盤上のパッドに２００ｇ
／ｃｍ²の圧力で圧着して固定化させた。次に、実施例
１と同様に表面研磨、剥離および洗浄した後、４インチ
シリコンウェハの洗浄した面をＦＴ−ＩＲで表面観察し
たが、有機物に帰属される吸収は一切観察されず、張り
合わせに用いたフィルムは洗浄で除去されたことを示し
た。

【００４２】実施例９ 実施例２で調製した溶液を用いて実施例８と同様に膜厚
２３μｍのウェハ固定化用フィルムを作製した後、この
フィルムを用いて実施例８と同様に表面研磨、剥離およ
び洗浄した後、４インチシリコンウェハの洗浄した面を
ＦＴ−ＩＲで表面観察したが、有機物に帰属される吸収
は一切観察されず、張り合わせに用いたフィルムは洗浄
で除去されたことを示した。

【００４３】実施例１０ 実施例５で調製した溶液を用いて実施例８と同様に膜厚
２６μｍのウェハ固定化用フィルムを作製した後、この
フィルムを用いて実施例８と同様に表面研磨、剥離およ
び洗浄した後、４インチシリコンウェハの洗浄した面を
ＦＴ−ＩＲで表面観察したが、有機物に帰属される吸収
は一切観察されず、張り合わせに用いたフィルムは洗浄
で除去されたことを示した。

【００４４】実施例１１ 実施例７で調製した溶液を用いて実施例８と同様に膜厚
２４μｍのウェハ固定化用フィルムを作製した後、この
フィルムを用いて実施例８と同様に表面研磨、剥離およ
び洗浄した後、４インチシリコンウェハの洗浄した面を
ＦＴ−ＩＲで表面観察したが、有機物に帰属される吸収
は一切観察されず、張り合わせに用いたフィルムは洗浄
で除去されたことを示した。

【００４５】比較例１ 実施例１のドコサン酸の代わりに市販のエポキシ接着剤
０．２ｇを用いた以外は実施例１と同様にシリコンウェ
ハを表面研磨した。表面研磨した後、実施例１と同様
に、硬質プレートから外そうとしたが４インチシリコン
ウェハが破損した。また、破損したが一部の剥離したシ
リコウェハのエポキシ樹脂を接着させた面をＦＴ−ＩＲ
で表面観察した所、有機物に帰属される吸収が観察さ
れ、張り合わせに用いた固定化剤が洗浄で除去しきれな
かったことを示した。

【００４６】

【発明の効果】特定の液晶化合物および有機ポリマーを
含有するウェハ固定化用組成物またはフィルムを用いる
と、該ウェハを硬質プレート、弾性体キャリア（バッキ
ング材）またはウェハ等の基体に密着させ、固定化して
保持することができ、且つ被加工体のウェハが容易に剥
離でき、さらにウェハに付着した固定化層を容易に除去
および／または洗浄ができ、被加工体のウェハに対する
汚染の問題がない、半導体用ウェハの加工処理ができ
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 横山 泰明 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AB04 CA01 DA12 4J040 DA131 ED011 EF111 EL031 HB24 HB25 HB27 HC16 HC21 HD13 JA02 JA09 LA06 LA08 NA20 5F031 CA02 HA12 HA37 HA78 MA22 MA23 PA06 PA09 PA26

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶化合物と有機ポリマーを含有するこ
   とを特徴とする半導体デバイス用ウェハ加工時のウェハ
   固定化用組成物。
2. 【請求項２】 液晶化合物の融点が３５℃よりも高い請
   求項１に記載のウェハ固定化用組成物。
3. 【請求項３】 有機ポリマーの融点が３５℃よりも高い
   請求項１に記載のウェハ固定化用組成物。
4. 【請求項４】 溶剤に溶解して溶液の形態にある請求項
   １に記載のウェハ固定化用組成物。
5. 【請求項５】 フィルムの形態にある請求項１に記載の
   ウェハ固定化用組成物。
6. 【請求項６】 （１）請求項１に記載のウェハ固定化用
   組成物の薄膜をウェハの表面またはウェハを固定するた
   めの基体の表面上に形成し、（２）ウェハとそれを固定
   するための基体とを、少なくともいずれか一方を表面上
   に該ウェハ固定化用組成物に含有される液晶化合物と有
   機ポリマーの薄膜が形成されたものとして、該液晶化合
   物と該有機ポリマーの融点以上の温度で密着させて固定
   し、（３）基体に固定されたウェハの露出面を該液晶化
   合物と該有機ポリマーの融点より低い温度で加工処理
   し、（４）基体からウェハを、該液晶化合物と該有機ポ
   リマーの融点以上の温度で分離せしめ、そして（５）分
   離されたウェハを該液晶化合物と該有機ポリマーの溶剤
   で洗滌する、ことを特徴とするウェハの加工法。
7. 【請求項７】 工程（１）における薄膜の形成を、ウェ
   ハまたはそれを固定する基体の表面上に、請求項３に記
   載の溶液として塗布したのち乾燥して行う請求項６に記
   載の方法。
8. 【請求項８】 工程（１）における薄膜の形成を、ウェ
   ハまたはそれを固定する基体の表面上に、請求項４に記
   載のフィルムを被覆して行う、請求項６に記載の方法。