JP2003347253A - ウェハ固定化用ペレットおよびこれを用いたウェハの加工方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体用ウェハを加工処理するときに、該ウ
ェハを硬質プレート、弾性体キャリア（バッキング材）
またはウェハ等の基体に密着させ、固定化して保持する
ことができ、且つ被加工体のウェハが容易に剥離でき、
さらにウェハに付着した固定化剤層を容易に除去、洗浄
ができ、被加工体のウェハに対する汚染の問題がない、
ウェハ固定化用ペレットおよびこれを用いたウェハの加
工方法を提供する。 【解決手段】 液晶化合物を含有する固定化用ペレッ
ト。このペレットをウェハとそれを固定するための基体
の間で加熱して融解させそして両者を密着させて固定化
する。ウェハの露出面を加工処理したのちは、両者を剥
離しそして洗浄する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハ固定化用ペ
レットおよびウェハ加工法に関する。さらに詳しくは、
半導体用ウェハを加工処理するときに、該ウェハを硬質
プレート、弾性体キャリア（バッキング材）またはウェ
ハ等の基体に密着させ固定化して保持するために有益な
ウェハ固定化用ペレットおよびこれを用いたウェハの加
工方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体用ウェハおよび／またはデバイス
の搭載されたウェハは、その使用する目的に応じて種々
の表面および／または裏面の表面加工が行われる。例え
ば、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ
Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等表面加工技術によるウェハ表
面および／または裏面の均一化表面加工は、被加工物の
加工される基準面がどこにあるか設定し且つ加工材に対
して加工時に一定の平面を保持することが必要になる。
その加工される基準面の設定として、ウェハの表面また
は裏面を例えば硬質プレートおよび／または弾性体キャ
リア（バッキング材）に密着させてウェハを保持する
が、加工処理時にウェハが厳密に保持されることが必要
になる。

【０００３】ウェハの表面または裏面を例えば硬質プレ
ートおよび／または弾性体キャリア（バッキング材）お
よび／またはウェハ等の基体に密着させて被加工体のウ
ェハを保持する方法として、例えば、ワックスマウンテ
イング法と呼ばれる方法が知られている。この方法で
は、ワックスを接着剤に用いてウェハの裏面と高精度の
表面を有する硬質プレート（例えば高精度平面のセラミ
ックスプレート）を密着させる（ウェハの裏面基準と呼
ばれる）。この方法は、硬質プレート表面の平坦精度と
ワックスとの厚さを管理することによって、ウェハの裏
面に倣って表面の表面加工が行われる。この方法は、表
面加工に用いる被加工体のウェハの表面が基本的に平坦
であることが必要で、デバイス搭載過程でのウェハ処理
には適さないと言われ、ベアシリコンの表面加工に広く
用いられている。しかし、この表面加工で接着剤として
用いるワックスは、加工処理後の洗浄が難しく汚染の問
題があり、またワックス中の金属不純物が洗浄後の被加
工体ウェハの表面に残存し、それがウェハまたはデバイ
ス中に拡散（マイグレーション）する汚染の問題があ
る。

【０００４】シリコンウェハを含め全てのウェハ表面に
何らかの加工を施すときは、前述のＣＭＰの場合と同様
に被加工体であるウェハの加工されない面を要求される
ある特定の状態に固定して保持する必要がある。そのた
めに種々の接着剤が開発されているが、一般的に接着剤
と呼ばれる材料は加工後の被加工体であるウェハを基体
から外す時容易に剥がすことができず、ウェハが割れる
問題があった。さらに剥離したウェハ上に付着する接着
剤層の除去および／または洗浄が難しく、ウェハが汚染
される問題があった。また、同様の目的で仮止め用とし
て粘着材と呼ばれる材料も種々開発されているが、加工
時に被加工体を十分に保持し且つ容易に被加工体の剥
離、さらに被加工体上に付着する接着剤層の除去および
／または洗浄をすることができ、汚染のない満足のいく
材料は見出されていなかった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体用ウェハを加工処理するときに、該ウェハを硬質プレ
ートおよび／または弾性体キャリア（バッキング材）お
よび／またはウェハ等の基体に密着させ固定化して保持
することができ、且つ被加工体のウェハが容易に剥離で
き、さらにウェハに付着した固定化剤層を容易に除去お
よび／または洗浄ができ、被加工体のウェハに対する汚
染の問題がないウェハ固定化用ペレットおよびこれを用
いたウェハの加工方法を提供することにある。

【０００６】本発明の他の目的および利点は、以下の説
明から明らかになろう。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記目
的および利点は、第１に、液晶化合物を含有することを
特徴とする、半導体デバイス用ウェハ加工時のウェハ固
定化用ペレットによって達成される。

【０００８】また、本発明によれば、本発明の上記目的
および利点は、第２に、（１）請求項１に記載のウェハ
固定化用ペレットをウェハの表面とウェハを固定するた
めの基体の表面の間に位置せしめ、（２）該固定化用ペ
レットを加熱して融解させて該ウェハと該基体とを密着
させて固定し、（３）基体に固定されたウェハの露出面
を該固定化用ペレットの融点より低い温度で加工処理
し、（４）基体からウェハを、該固定化用ペレットの融
点以上の温度で分離せしめ、そして（５）分離されたウ
ェハを該固定化用ペレットの溶剤で洗浄する、ことを特
徴とするウェハの加工法によって達成される。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明のウェハ接着用ペレット
は、好ましくは融点が３５℃以上の液晶化合物を単独ま
たは成分として含有する。

【００１０】本発明に用いることができる液晶化合物
は、異方性結晶から等方性結晶に移る転移点と等方的結
晶から等方性液体に移る融点を有するもの、および異方
性結晶から異方性液体に移る融点と異方性液体と等方性
液体に移る透明点を有するものの何れでもよい。本発明
のウェハ固定化剤は、基体と被加工体のウェハとを密着
させ固定化させることから、室温で結晶または固体状態
である液晶化合物、具体的には融点が３５℃以上の液晶
化合物を用いるのが好ましい。

【００１１】本発明に用いることができる液晶化合物と
しては、具体的には、ｉｓｏ−酪酸ナトリウム、オレイ
ン酸ナトリウム、ヘキサヒドロ安息香酸カリウム、ステ
アリン酸ナトリウム、ミリスチン酸ナトリウム、パルミ
チン酸ナトリウム、安息香酸ナトリウム、エチル−ｐ−
アゾキシベンゾエート、１−ｎ−ドデシルピリジニウム
クロライド、１−ｎ−ドデシルピリジニウムブロマイ
ド、１−ｎ−ドデシルピリジニウムヨードダイド、２−
ｎ−トリデシルピリジニウムクロライド、３−ｎ−ドデ
シルオキシメチルピリジニウムメチルスルホネート、３
−ｎ−ドデシルオキシメチルピリジニウム−ｐ−メチル
フェニルスルホネート、４−シアノ−４’−オクチルオ
キシビフェニル、４−シアノ−４’−ドデシルオキシビ
フェニル、４−シアノ−４’−オクタノイルオキシビフ
ェニル、ｐ−オクチルオキシ安息香酸−４−シアノフェ
ニルエステル等のスメクテイック液晶；

【００１２】ヘプタ−２，４−ジエン酸、オクタ−２，
４−ジエン酸、ノナ−２，４−ジエン酸、デカ−２，４
−ジエン酸、ウンデカ−２，４−ジエン酸、ノナ−２−
エン−４−イン酸、ドコサン（ベヘン）酸、１，１２−
ドデカンジカルボン酸、ｐ−ｎ−ブチル安息香酸、ｐ−
ｎ−アミル安息香酸、ｐ−ｎ−ヘキシルオキシ安息香
酸、ｐ−ｎ−オクチルオキシ−ｍ−フルオロ安息香酸、
ω−ｎ−ブチルソルビン酸、ｐ’−メトキシ−ｐ−ビフ
ェニルカルボン酸、ｐ−アゾキシアニソール、ｐ−アゾ
キシフェネトール、アニシリデン−ｐ−アミノフェニル
アセテート、ｐ−メトキシベンジリデン−ｐ−ブチルア
ニリン、ｐ−エトキシベンジリデン−ｐ−ブチルアニリ
ン、５−クロロ−６−ｎ−プロピルオキシ−２−ナフト
エ酸、１−ベンゼンアゾ−アニサル−４−ナフチルアミ
ン、ｐ−メトキシ−ｐ’−ブチルアゾキシベンゼン、ジ
ヘキシルオキシアゾベンゼン、ｐ−ヘキシルカルボネー
ト−ｐ’−ヘプチルオキシフェニル安息香酸、ｐ−アセ
トキシケイヒ酸、ｐ−メトキシ−α−ケイヒ酸、フェニ
ルペンタジエン酸、ｐ−ｎ−ヘキシルオキシ−ｍ−ブロ
モケイヒ酸、ｐ−メトキシ−ｐ−ビフェニルカルボン
酸、ｐ’−エトキシ−ｍ’−クロロ−ｐ−ビフェニルカ
ルボン酸、ｐ’−ブチルオキシ−ｍ’−ブロモ−ｐ−ビ
フェニルカルボン酸、ｐ’−ｎ−プロピルオキシ−ｍ’
−ニトロ−ｐ−ビフェニルカルボン酸、７−メトキシ−
２−フルオレン酸、６−メトキシ−２−ナフチル酸、６
−エトキシ−２−ナフチル酸、６−ｎ−プロピルオキシ
−５−クロロ−２’−ナフチル酸、６−ｎ−プロピルオ
キシ−５−ブロモ−２’−ナフチル酸、６−ｎ−ブチル
オキシ−５−クロロ−２−ナフチル酸、６−ｎ−ブチル
オキシ−５−ブロモ−２−ナフチル酸、６−ｎ−ブチル
オキシ−５−ヨード−２−ナフチル酸、ｐ’−ｎ−ヘキ
シルオキシ−ｐ−ビフェニルカルボン酸メチルエステ
ル、ｐ’−ｎ−ヘキシルオキシ−ｐ−ビフェニルカルボ
ン酸エチルエステル、ｐ’−ｎ−ヘキシルオキシ−ｐ−
ビフェニルカルボン酸プロピルエステル、ｐ’−ｎ−ド
デシルオキシ−ｍ’−クロロビフェニルカルボン酸プロ
ピルエステル、ｐ’−ｎ−ドデシルオキシ−ｍ’−ニト
ロビフェニルカルボン酸プロピルエステル、ｐ，ｐ’−
ビフェニルジカルボン酸ビフェニルエステル、ｐ，ｐ’
−テルフェニルジカルボン酸ジメチルエステル、エチレ
ングリコールビス（ｏ−カルボエトキシ−ｐ−オキシフ
ェニルエステル）、ビス（ｐ−メトキシシンナミル）ア
セトン、ジアリリデンシクロペンタノン−ビス（ｐ−メ
トキシベンザル）シクロペンタノン、ジアリリデンシク
ロヘキサノン−ビス（ｐ−メトキシベンザル）シクロヘ
キサノン、ビス〔ｐ−（ベンゾイルオキシ）ベンザル〕
−β−メチルシクロヘキサノン、ｐ，ｐ’−ビス（ビフ
ェニルカルビノール）ビフェニル、１−クロロ−１，２
−ビス（ｐ−アセトキシフェニル）エチレン、ｐ−アセ
トキシベンザル−ｐ’−メトキシアニリン、ｐ−メトキ
シベンザル−ｐ’−シアノアニリン、ｐ−メトキシベン
ザル−ｐ’−メトキシアニリン、ｐ−メトキシシンナミ
ル−ｐ’−メチルアニリン、ｐ−ニトロシンナミル−
ｐ’−メチルアニリン、ｐ−メトキシフェニルペンタジ
エナルアニリン、ベンザル−ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−
シアノベンザル−ｐ−アミノ安息香酸、ベンザル−ｐ−
アミノ（β−メチル）ケイヒ酸、ｐ−メトキシベンザル
−ｐ−アミノ−ｏ−メチルケイヒ酸、ｐ−メトキシベン
ザル−ｐ−アミノ−ｏ−メチルヒドロケイヒ酸、ｐ−エ
トキシベンザル−ｐ−アミノ安息香酸エチルエステル、
ｐ−エトキシベンザル−ｐ−アミノケイヒ酸ブチルエス
テル、ｐ−シアノベンザル−ｐ−アミノケイヒ酸エチル
エステル、ｐ−メチルベンザル−ｐ−アミノケイヒ酸ア
ミルエステル、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−アミノメチ
ルケイヒ酸メチルエステル、ｐ−メトキシベンザル−ｐ
−α−メチルケイヒ酸プロピルエステル、ｐ−エトキシ
ベンザル−ｐ−アミノ−α−エチルケイヒ酸エチルエス
テル、ｐ−メトキシシンナミル−ｐ−アミノ安息香酸エ
チルエステル、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−アミノビフ
ェニル、ベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−アセチルビフェ
ニル、ベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−ジメチルアミノビ
フェニル、ベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−ホルミルアミ
ノビフェニル、ｐ−メチルベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’
−アセチルアミノビフェニル、ｐ−メチルベンザル−ｐ
−アミノ−ｐ’−ベンゾイルアミノビフェニル、シンナ
ミル−ｐ−アミノ−ｐ’−アセチルビフェニル、２−ｐ
−メトキシベンザルアミノフルオレン、２−ｐ−メトキ
シベンザルアミノフェナンスレン、２−ｐ−メトキシベ
ンザルアミノフルオレン、２−ｐ−ｎ−ブチルオキシベ
ンザルアミノフルオレン、ｐ−ノニルオキシベンザルフ
ェニルヒドラジン、ビス（ｐ−メトキシベンザル）−
（ジメチル）アジン、ビス（ｐ−フェニルベンザル）ア
ジン、ｐ−メトキシフェニルペンタジエナルフェニルヒ
ドラジン、テレフタル−ビス−（ｐ−クロロアニリ
ン）、テレフタル−ビス（ｐ−アミノ安息香酸エチルエ
ステル）、ビス（ｐ−クロロベンザル）−ｐ−フェニレ
ンジアミン、ビス（ｐ−メチルベンザル）−ｐ−トルイ
レンジアミン、ジベンザル−ｐ，ｐ’−ジアミノビフェ
ニル、ビス（ｏ−オキシベンザル）−ｐ，ｐ’−ジアミ
ノビフェニル、ジシンナミルーｐ，ｐ’−ジアミノビフ
ェニル、ビス（ｐ−メトキシベンザル）−ｐ，ｐ’−ジ
アミノジメチルビフェニル、ビス（ｐ−メトキシベンザ
ル）−２，７−ジアミノフルオレン、ビス（ｐ−メトキ
シベンザル）−２，７−ジアミノフルオレン、ビス（ｐ
−メトキシベンザル）−１，４−ジアミノナフタレン、
ビス（ｐ−メトキシ−ｍ−メチルベンザル）−ｐ，ｐ’
−ジアミノテルフェニル、ジシンナミル−ｐ，ｐ’−ジ
アミノテルフェニル、ジベンザル−ｐ，ｐ’−ジアミノ
クオーターフェニル、ｐ−メトキシ−ｐ’−オキシアゾ
ベンゼン、ｐ，ｐ’−ジメトキシアゾベンゼン、ｐ，
ｐ’−ジ−ｎ−ヘキシルオキシアゾベンゼン、ｐ−アセ
トキシベンゼン−ｐ−アゾ安息香酸エチルエステル、ベ
ンゾイル−ｐ−オキシベンゼン−ｐ−アゾ−α−メチル
ケイヒ酸アミルエステル、ｐ，ｐ’−アゾ安息香酸モノ
エチルエステル、１−アセトキシナフタリン−４−ｐ−
アセチルアゾベンゼン、ベンザル−ｐ−アミノアゾベン
ゼン、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−メチ
ルアゾベンゼン、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−アミノ−
ｐ’−エトキシアゾベンゼン、シンナミル−ｐ−アミノ
アゾベンゼン、ｐ−メトキシベンザル−１−アミノナフ
タリン−４−アゾベンゼン、ｐ−メトキシベンザル−１
−アミノナフタリン−４−（ｐ’−アセチルアゾベンゼ
ン）、ｐ−メチルベンザル−１−アミノナフタリン−４
−（ｐ’−メトキシアゾベンゼン）、ｐ−メチルベンザ
ル−１−アミノナフタリン−４−（ｐ’−エトキシアゾ
ベンゼン）、ｐ−メチルベンザル−１−アミノナフタリ
ン−４−（ｐ’−アゾ安息香酸エチルエステル）、ｐ−
シンナミル−１−アミノナフタリン−４−（ｐ’−アゾ
安息香酸エチルエステル）、ビス（ｐ−イソプロピルベ
ンザル）−ｐ，ｐ’−ジアミノアゾベンンゼン、（ｐ−
エトキシベンゼン）−ｐ−アゾ（ｐ−メトキシベンゾイ
ル）−ｏ−オキシベンザル−（ｐ’−エトキシ）アニリ
ン、ｐ，ｐ’−アゾベンザル−ビス−アニリン、ベンザ
ル−ｐ−アミノビフェニルアゾベンゼン、テレフタル−
ビス（ｐ−アミノアゾベンゼン）、ｐ，ｐ’−ジアセト
キシアゾキシベンゼン、ｐ，ｐ’−ジメトキシアゾキシ
ベンゼン（アゾキシアニソール）、ｐ−メトキシベンゼ
ン−ｐ−アゾキシ安息香酸メチルエステル、ｐ−メトキ
シベンゼンーｐ−アゾキシ安息香酸フェニルエステル、
ｐ，ｐ’−アゾキシ安息香酸ジメチルエステル、ｐ，
ｐ’−アゾキシチオ安息香酸ジエチルエステル、ｐ，
ｐ’−アゾキシケイヒ酸ジヘプチルエステル、ｐ，ｐ’
−アゾキシ−ｏ−メチルケイヒ酸ジオクチルエステル、
ｐ，ｐ’−アゾキシ−ｏ−メチル−β−ブロムケイヒ酸
ジエチルエステル、ｐ，ｐ’−アゾキシ−β−メチルケ
イヒ酸ジメチルエステル、ジ−ｐ−メトキシベンゾイル
ジスルフイド、炭酸メチルコレステリルエステル、炭酸
エチルコレステリルエステル、安息香酸―Δ５，６―コ
レステン−３β−０１−エステル、ｐ−メトキシ安息香
酸コレステリルエステル、ｐ−アミノ安息香酸コレステ
リルエステル、ｐ−ｎ−ヘプチル安息香酸−ｐ’−シア
ノフェニルエステル、４−シアノ−４’−ペンチルジシ
クロヘキシル、４−ペンチルシクロヘキシル−１−カル
ボン酸−ｐ−シアノフェニルエステル、１−（ｐ−シア
ノフェニル）−２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エ
タン、ｐ−シアノ−（４−ヘプチル−２，６−ジオキサ
シクロヘキシル）ベンゼン、ｐ−シアノ−（５−ペンチ
ル−２−ピリミジル）ベンゼン、ｐ−シアノ−〔４−
（３−ペンテニル）シクロヘキシル〕ベンゼン、４−
（ｐ−シアノフェニル）−４’−ヘプチルビシクロヘキ
シル、ｐ−シアノ−（４−ペンチルシクロヘキシル）ベ
ンゼン、１−（ｐ−シアノフェニル）−２−（４’−プ
ロピル−４−ビシクロヘキシル）エタン、ｐ−（４−プ
ロピルシクロヘキシル）安息香酸−２−シアノ−４−ペ
ンチルフェニルエステル、ｐ−（４−プロピルシクロヘ
キシル）安息香酸−２，３−ジシアノ−４−ペンチルオ
キシフェニルエステル、ｐ−（３−ペンチル−６−ピリ
ダジニル）ペンチルオキシベンゼン、ｐ−（１−シアノ
−４−プロピルシクロヘキシル）−ｐ’−ペンチルビフ
ェニル、２，３−ジフルオロ−４−エトキシ−４’−
（４−ペンチルシクロヘキシル）ビフェニル、４−
（３，４−ジフルオロフェニル）−４’−ペンチルビシ
クロヘキシル、１−〔４−（３，４−ジフルオロフェニ
ル）シクロヘキシル〕−２−（４−ペンチルシクロヘキ
シル）エタン、３，４−ジフルオロ−４’−（４−ペン
チルシクロヘキシル）ビフェニル等のネマチック液晶、

【００１３】プロピオン酸コレステロール、安息香酸コ
レステロール、パルミチン酸コレステロール、塩化コレ
ステロール、ギ酸コレステロール、酢酸コレステロー
ル、ペラルゴン酸コレステロール、ｐ−アミノケイヒ酸
コレステリルエステル、安息香酸―Δ５，６；７，８−
コレスタジエン−３β−０１−エステル等のコレステリ
ック液晶、

【００１４】ｐ−ｎ−オクチルオキシ安息香酸、ｐ−ｎ
−オクチルオキシ−ｍ−クロル安息香酸、ｐ−ｎ−ドデ
シルオキシ安息香酸、５−クロロ−６−ｎ−ヘプチルオ
キシ−２−ナフトエ酸、ｐ−ｎ−ノニルオキシベンザル
−ｐ’−トルイジン、ミリスチン酸コレステロール、オ
クタン酸コレステロール、ｐ−ｎ−ノニルオキシ−ｍ−
フルオロ安息香酸、５−ヨード−６−ｎ−ノニル−２−
ナフトエ酸、ｎ−ノナン酸コレステロール、ｐ’−ｎ−
ヘキシルオキシ−ｍ’−ニトロ−ｐ−ビフェニルカルボ
ン酸、ｐ−ｎ−ヘキシルオキシ−ｍ−クロロケイヒ酸、
ｐ−アミロキシ−ｐ−ビフェニルカルボン酸、ｐ’−ブ
チルオキシ−ｍ’−クロロ−ｐ−ビフェニルカルボン
酸、ｐ’−ｎ−ヘキシルオキシ−ｍ’−ニトロ−ｐ−ビ
フェニルカルボン酸、７−ｎ−ヘプチルオキシ−２−フ
ルオレン酸、６−ｎ−ノニルオキシ−５−ヨード−２−
ナフチル酸、６−ｎ−ノニルオキシ−５−ニトロ−２−
ナフチル酸、７−ｎ−ヘプチルオキシ−２−フルオレン
酸プロピルエステル、２−アセチル−７−ｎ−ヘプチル
オキシフルオレン、ジ−ｐ，ｐ’−エチル−３，６−ビ
フェニルピリダジン、ジメチル−ｐ，ｐ’−ジオキシテ
ルフェニル、ｐ，ｐ’−ジアミノクオータフェニルキン
キフェニル、ｐ−ｎ−ノニルオキシベンザル−ｐ’−エ
チルアニリン、ｐ−ｎ−ノニルオキシベンザル−ｐ’−
プロピルアニリン、ｐ−ヘキシルオキシベンザル−ｐ−
アミノケイヒ酸エチルエステル、ｐ−メトキシベンザル
−ｐ−アミノケイヒ酸アミルエステル、２−ｐ−ｎ−ヘ
キシルオキシベンザルアミノフェナンスレン、ｐ−エト
キシベンザル−ｐ−アミノテルフェニル、ビス（ｐ−ア
ミノオキシベンザル）−ｐ’−フェニレンジアミン、ビ
ス（ｐ−ｎ−ブチルオキシベンザル）−ｐ，ｐ’−ジア
ミノビフェニル、ビス（ｐ−プロポキシベンザル）−
２，７−ジアミノフルオレン、ビス（ｐ−ペンチルオキ
シベンザル）−２，７−ジアミノフルオレン、ジベンザ
ル−ｐ，ｐ’−ジアミノテルフェニル、ｐ−メトキシベ
ンゼン−ｐ−アゾケイヒ酸エチルエステル、ｐ，ｐ’−
アゾケイヒ酸ジメチルエステル、（ベンゾイル）−ｐ−
オキシ−ｍ−メトキシベンゼン−ｐ’−アセチルアゾベ
ンゼン、（ベンゾイル）−ｐ−オキシ−ｏ−メトキシベ
ンゼン−ｐ’−アセチルアゾベンゼン、（ベンゾイル）
−ｐ−オキシ−ｏ−エトキシベンゼン−ｐ’−アセチル
アゾベンゼン、ｐ，ｐ’−ジヘキシルオキシアゾキシベ
ンゼン、ｐ−エトキシベンゼン−ｐ−アゾキシチオ安息
香酸エチルエステル、ｐ−エトキシベンゼン−ｐ−アゾ
キシ安息香酸（ｐ−エチル）フェニルエステル、ビス
（ｐ−エトキシベンゼン−ｐ−アゾキシ安息香酸）−ｍ
−ジオキシベンゼンエステル、４−（ｐ−フルオロフェ
ニル）−４’−ペンチルビシクロヘキシル、１−（３，
４−ジフルオロフェニル）−２−〔４−（４’−ペンチ
ルビシクロヘキシル）〕エタン、４−（ｐ−トリフルオ
ロメトキシフェニル）−４’−ペンチルビシクロヘキシ
ル、４−（ｐ−ジフルオロメトキシフェニル）−４’−
ペンチルビシクロヘキシル、４−トリフルオロメトキシ
−４’−（４−ペンチルシクロヘキシル）ビフェニル、
ｐ−トリフルオロメトキシフェニル−ｐ−（４−ペンチ
ルシクロヘキシル）フェニルアセチレン等の複合転移を
示す液晶化合物、

【００１５】１つのべンゼン環の１，３，５位にステロ
イドエステル基を有する化合物等デイスコチック液晶、
芳香族ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド等液晶性
を有する高分子液晶化合物等を用いることができる。

【００１６】これら液晶化合物は単独で用いてもよく、
２種類以上組合せて用いてもよい。これら液晶のうち、
単独および／または２種類以上の混合物の融点が３５℃
以上２００℃以下のものが好ましく、さらに融点が４０
℃以上１５０℃以下のものが好ましい。

【００１７】本発明の液晶化合物を含有するペレット
は、ペレットの融点を調整するために有機ポリマーを添
加して調製することができる。添加することのできる有
機ポリマーは、融点が室温以上２００℃未満のものが好
ましい。具体的には、例えばポリ（無水アゼライン
酸）、ポリ〔２，６−ビス（ヒドロキシメチル）−４−
メチルフェノール−ｃｏ−４−ヒドロキシ安息香酸〕、
ポリ（１，４−ブタンジオール）ビス（４−アミノベン
ゾエート）、ポリ（１−ブテン）、ポリ（１，４−ブテ
ンアジペート−ｃｏ−１，４−ブチレンスクシネート）
の１，６−ジイソシアネートヘキサン反応物、ポリ
（１，４−ブチレンアジペート）ジオール、ポリ（１，
４−ブチレンアジペート−ｃｏ−ポリカプロラクタ
ム）、ポリ（１，４−ブチレンスクシネート）の１，６
−ジイソシアネートヘキサン反応物、ポリ〔ブチレンテ
レフタレート−ｃｏ−ポリ（アルキレングリコール）テ
レフタレート〕、ポリカプロラクトンジオール、ポリカ
ルボメチルシラン、ポリクロロプレン、ポリ（クロロト
リフルオロエチレン−ｃｏ−ビニリデンフルオライ
ド）、ポリ〔（ｏ−クレシルグリシジルエーテル）−ｃ
ｏ−ホルムアルデヒド〕、ポリ〔ジメチルシロキサン−
ｃｏ−メチル（ステアロイルオキシアルキル）シロキサ
ン〕、ポリエチレン、ポリ（エチレン−ｃｏ−アクリル
酸）、ポリ（エチレン−ｃｏ−アクリル酸）のナトリウ
ムまたは亜鉛塩、ポリ（エチレンアジペート）のトリレ
ン−２，４−ジイソシアネート反応物、ポリ（エチレン
アゼレート）、ポリ（エチレン−ｃｏ−１−ブテン）、
ポリ（エチレン−ｃｏ−１−ブテン−ｃｏ−１−ヘキセ
ン）、ポリ（エチレン−ｃｏ−ブチルアクリレート−ｃ
ｏ−カーボンモノオキシド）、ポリ（エチレン−ｃｏ−
ブチルアクリレート−ｃｏ−無水マレイン酸）、ポリ
（エチレン−ｃｏ−ブチレン）ジオール、ポリ（エチレ
ン−ｃｏ−エチルアクリレート）、ポリ（エチレン−ｃ
ｏ−エチルアクリレート−ｃｏ−無水マレイン酸）、ポ
リ（エチレン−ｃｏ−グリシジルメタクリレート）、ポ
リ（エチレングリコール）、ポリエチレン−ｇｒａｆｔ
−無水マレイン酸、ポリ（エチレン−ｃｏ−メタクリル
酸）、ポリ（エチレン−ｃｏ−メタクリル酸）のナトリ
ウムまたはリチウムまたは亜鉛塩、ポリ（エチレン−ｃ
ｏ−メチルアクリレート）、ポリ（エチレン−ｃｏ−メ
チルアクリレート−ｃｏ−アクリル酸）、ポリエチレン
モノアルコール、ポリ（エチレン−ｃｏ−１−オクテ
ン）、ポリエチレンオキシド、ポリエチレン−ｂｌｏｃ
ｋ−ポリ（エチレングリコール）、ポリ（エチレンスク
シネート）、ポリ（エチレン−ｃｏ−トリアルコキシビ
ニルシラン）、ポリ（エチレン−ｃｏ−酢酸ビニル）、
ポリ（ヘキサフルオロプロピレンオキシド−ｃｏ−ジフ
ルオロメチレンオキシド）モノアルキルアミド、ポリ
（１，６−ヘキサメチレンアジペート）、ポリ（ヘキサ
メチレンカーボネート）、ポリ（３−ヒドロキシブタン
酸）、ポリイソプレン、ポリメタクリル酸メチル、ポリ
ラウリルラクタム−ｂｌｏｃｋ−ポリテトラヒドロフラ
ン、ポリ（オキシメチレン）アセテート、ポリプロピレ
ン、ポリ（１，３−プロピレンアジペート）、ポリプロ
ピレンオキシド、ポリフェニレンオキシド、ポリ（プロ
ピレン−ｃｏ−１−ブテン）、ポリ（プロピレン−ｃｏ
−エチレン）、ポリ（１，３−プロピレングルタレー
ト）、ポリ（１，３−プロピレンスクシネート）、ポリ
（無水セバシン酸）、ポリスチレン、ポリ（ビニルアル
コール−ｃｏ−エチレン）、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
（ビニリデンクロライド−ｃｏ−メチルアクリレー
ト）、ポリ（ビニリデンクロライド−ｃｏ−ビニルクロ
ライド）、ポリ（ビニリデンフルオライド）、ポリ（ビ
ニリデンフルオライド−ｃｏ−ヘキサフルオロプロピレ
ン）、ポリ（ビニル−Ｎ−オクタデシルカルバメー
ト）、ポリ（ビニルトルエン−ｃｏ−α−メチルスチレ
ン）、ポリ（ビスフェノール−Ａ−ｃｏ−４，４’−ジ
クロロジフェニルスルホン）、フェノール樹脂、尿素樹
脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ
樹脂、ポリウレタン等を用いることができる。これら有
機ポリマーは、単独で用いてもよく、２種類以上の有機
ポリマーを混合して用いてもよい。これら有機ポリマー
のうち、単独および／または２種類以上の混合物の融点
が３５℃以上２００℃以下のものが好ましく、さらに融
点が４０℃以上１５０℃以下のものが好ましい。

【００１８】これら有機ポリマーの使用量は、本発明に
用いる液晶化合物と有機ポリマーの融点に依存するが、
液晶化合物に対して有機ポリマーが１〜２００重量％以
下、好ましくは５〜１５０重量％以下で用いることがで
きる。

【００１９】本発明において、液晶化合物および有機ポ
リマーは、ペレットを製造するために溶剤を使用した溶
液として用いてもよい。この溶液に用いることができる
溶剤は、ウェハ接着用ペレットに用いる液晶化合物また
は液晶化合物および有機ポリマーが溶解するものであれ
ば、何れの溶媒も使用することができ、特に限定される
ものではない。例えば、イソプロパノール、ブタノー
ル、ヘキサノール、オクタノール、デカノール、ウンデ
カノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、
ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロ
ピレングリコール、フェノール等アルコール類、ｎ−ペ
ンタン、シクロペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサ
ン、ｎ−ヘプタン、シクロヘプタン、ｎ−オクタン、シ
クロオクタン、ｎ−デカン、シクロデカン、ジシクロペ
ンタジエン水素化物、ベンゼン、トルエン、キシレン、
デュレン、インデン、デカリン、テトラリン、テトラヒ
ドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、スクワラン、
エチルベンゼン、ｔ−ブチルベンゼン、トリメチルベン
ゼン等炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シク
ロヘキサノン等ケトン類、エチルエーテル、エチレング
リコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチ
ルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、
ジエチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン等エーテル類、酢酸エチル、酢酸ブ
チル、酪酸エチル、エチレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテ
ルアセテート、エチレングリコールモノアセテート、ジ
エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジ
エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プ
ロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、
ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート
等エステル類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセト
アミド、Ｎーメチルピロリドン、ヘキサメチルホスホミ
ド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、クロ
ロホルム、塩化メチレン等極性溶媒が用いられる。これ
ら溶媒は、単独でも２種類以上を混合して用いてもよ
い。

【００２０】本発明のウェハ固定化用ペレットは、加温
した溶融状態での粘度を調整するために、必要に応じて
酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸
化ケイ素などの金属酸化物の微粒子などと適宜混合して
使用することができる。

【００２１】さらに、本発明のウェハ固定化用ペレット
は、加温した溶融状態での粘度を調整するために、必要
に応じて融点が２００℃を超える有機ポリマーを添加し
て用いることもできる。融点が２００℃を超える有機ポ
リマーとしては、例えば、ポリスチレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ（エチレン−ａｌｔ−クロロトリフルオロエチ
レン）、ポリ（エチレン−ｃｏ−エチルアクリレート−
ｃｏ−無水マレイン酸）、ポリ（エチレン−ａｌｔ−無
水マレイン酸）、ポリ（エレン−ｃｏ−テトラフルオロ
エチレン）、ポリ（エチレン−ｃｏ−ビニルアセテー
ト）、ポリ（イソブチレン−ｃｏ−無水マレイン酸）、
ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリア
クリロニトリル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリク
ロロトリフルオロエチレン、ポリフッ化エチレン、ナイ
ロン−６、ナイロン−８、ナイロン−６，６、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポ
リ〔ブチレンテレフタレート−ｃｏ−（ポリアルキレン
グリコール）テレフタレート〕、ポリカルボメチルシラ
ン、ポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレンオキ
シド）、ポリカーボネート、ポリーｐ−キシリレン、ポ
リ（ベンゼンテトラカルボン酸二無水物−ｃｏ−４，
４’−ジアミノジフェニルエーテル）、ポリ（ベンゼン
テトラカルボン酸二無水物−ｃｏ−４，４’−ジアミノ
ジフェニルメタン）、ポリ（無水トリメリック酸クロラ
イド−ｃｏ−４，４’−メチレンジアニリン）、ポリベ
ンズイミダゾール、ポリアセナフチレン、ポリグリコリ
ド、ポリラウリルラクタム−ｂｌｏｃｋ−ポリテトラヒ
ドロフラン、ポリ（４−ビニルフェノール−ｃｏ−メチ
ルメタクリレート）、ポリ（４−メチル−１−ペンテ
ン）、ポリフェニルスルホン等を挙げることができる。

【００２２】これら融点が２００℃を超える有機ポリマ
ーの添加量は、本発明に用いる液晶化合物または液晶化
合物および有機ポリマーの融点に依存するが、液晶化合
物に対して好ましくは２００重量％以下、より好ましく
は１５０重量％以下で用いることができる。

【００２３】また、ウェハ固定化用ペレットの被加工体
であるウェハに対する濡れ性および／または接着性を改
良するため、目的とする機能を損なわない範囲で必要に
応じてフッ素系、シリコーン系、非イオン系界面活性剤
などの表面張力調節剤を少量添加することができる。添
加することの出来る非イオン系界面活性剤としては、フ
ッ化アルキル基もしくはパーフルオロアルキル基を有す
るフッ素系界面活性剤、またはオキシアルキル基を有す
るポリエーテルアルキル系界面活性剤を挙げることがで
きる。前記フッ素系界面活性剤としては、例えばＣ₉Ｆ
₁₉ＣＯＮＨＣ₁₂Ｈ₂₅、Ｃ₈Ｆ₁₇ＳＯ₂ＮＨ−（Ｃ₂Ｈ₄Ｏ）
₆Ｈ、Ｃ₉Ｆ₁₇Ｏ（プルロニックＬ−３５）Ｃ₉Ｆ₁₇、Ｃ₉
Ｆ₁₇Ｏ（プルロニックＰ−８４）Ｃ_９Ｆ_１７などを挙げ
ることができる。（ここで、プルロニックＬ−３５：旭
電化工業（株）製、ポリオキシプロピレン−ポリオキシ
エチレンブロック共重合体、平均分子量１，９００；プ
ルロニックＰ−８４：旭電化工業（株）製、ポリオキシ
プロピレン−ポリオキシエチレンブロック共重合体、平
均分子量４，２００；テトロニック−７０４：旭電化工
業（株）製、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（ポリオ
キシプロピレン−ポリオキシエチレンブロック共重合
体）などを挙げることができる。これらのフッ素系界面
活性剤の具体例としては、エフトップＥＦ３０１、同Ｅ
Ｆ３０３、同ＥＦ３５２（新秋田化成（株）製）、メガ
ファックＦ１７１、同Ｆ１７３（大日本インキ（株）
製）、アサヒガードＡＧ７１０（旭硝子（株）製）、フ
ロラードＦＣ−１７０Ｃ、同ＦＣ４３０、同ＦＣ４３１
（住友スリーエム（株）製）、サーフロンＳ−３８２、
同ＳＣ１０１、同ＳＣ１０２、同ＳＣ１０３、同ＳＣ１
０４、同ＳＣ１０５、同ＳＣ１０６（旭硝子（株）
製）、ＢＭ−１０００、同１１００（Ｂ．Ｍ−Ｃｈｅｍ
ｉｅ社製）、Ｓｃｈｓｅｇｏ−Ｆｌｕｏｒ（Ｓｃｈｗｅ
ｇｍａｎｎ社製）などを挙げることがでる。またポリエ
ーテルアルキル系界面活性剤としては、例えばポリオキ
シエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアリ
ルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエ
ーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ソルビタ
ン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪
酸エステル、オキシエチレンオキシプロピレンブロック
ポリマーなどを挙げることができる。これらのポリエー
テルアルキル系界面活性剤の具体例としては、エマルゲ
ン１０５、同４３０、同８１０、同９２０、レオドール
ＳＰ−４０Ｓ、同ＴＷ−Ｌ１２０、エマノール３１９
９、同４１１０、エキセルＰ−４０Ｓ、ブリッジ３０、
同５２、同７２、同９２、アラッセル２０、エマゾール
３２０、ツィーン２０、同６０、マージ４５（いずれも
（株）花王製）、ノニボール５５（三洋化成（株）製）
などを挙げることができる。上記以外の非イオン性界面
活性剤としては、例えばポリオキシエチレン脂肪酸エス
テル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、
ポリアルキレンオキサイドブロック共重合体などがあ
り、具体的にはケミスタット２５００（三洋化成工業
（株）製）、ＳＮ−ＥＸ９２２８（サンノプコ（株）
製）、ノナール５３０（東邦化学工業（株）製）などを
挙げることができる。

【００２４】本発明のウェハ固定化用ペレットは、射出
成型法、鋳型成型法、キャスティング法、フィルムのカ
ッテイング法等公知の方法を用いて製造することができ
る。射出成型法または鋳型成型法で製造する場合の温度
は、好ましくはウェハ接着用ペレットに用いた液晶化合
物または液晶化合物と有機ポリマーの融点〜融点＋３０
０℃、より好ましくは融点＋５℃〜融点＋２５０℃、さ
らに好ましくは融点＋１０℃〜融点＋２００℃である。
鋳型成型時の時間は、例えば１〜１２０分、好ましくは
２〜９０分、さらに好ましくは５〜６０分である。キャ
スティング時の溶媒の飛散温度は、用いた溶媒の沸点に
依存するが、好ましくは用いた溶媒の沸点〜溶媒の沸点
＋２００℃、好ましくは溶媒の沸点＋５℃〜溶媒の沸点
＋１５０℃、さらに好ましくは溶媒の沸点＋１０℃〜溶
媒の沸点＋１００℃である。

【００２５】本発明のペレットの形状は、特に限定され
ない。例えば円柱、三角柱、四角柱、五角柱、六角柱の
ような多角柱、円錐、三角錐、四角錐、五角錐、六角錐
のような多角錐、フットボール形状、立方体のような多
面体等が挙げられる。これらのうち、本発明のウェハ用
接着材として用いる場合は、被加工体のウェハと基体と
を水平に保つために円柱や多角柱が好ましく、さらに、
ペレットを作る容易さを加味すると円柱が特に好まし
い。

【００２６】かくして得られたウェハ固定化用ペレット
は、被加工体であるウェハまたは／およびウェハの支持
体である基体上にセットするが、セットする方法は特に
限定されるものではない。

【００２７】本発明の固定化用ペレットの加工法では、
工程（１）において、被加工体であるウェハの表面とウ
ェハの基体の表面との間にセットした後、工程（２）に
おいて、被加工体であるウェハとウェハの基体とを圧着
して張り合わせ、密着させて固定化する。被加工体であ
るウェハまたは／およびウェハの基体の少なくとも一方
を接着用ペレットに用いた液晶化合物または液晶化合物
と有機ポリマーの融点以上の温度に加温する。この張り
合わせる温度は、ウェハ接着用ペレットに用いた液晶化
合物または液晶化合物と有機ポリマーの融点に依存する
が、好ましくは液晶化合物または液晶化合物と有機ポリ
マーの融点〜融点＋３００℃、より好ましくは融点＋５
℃〜融点＋２５０℃、さらに好ましくは融点＋１０℃〜
融点＋２００℃である。張り合わせる時間は、例えば
０．１〜１２０分、好ましくは０．５〜９０分、さらに
好ましくは１〜６０分である。

【００２８】本発明に用いるウェハ固定化用ペレットの
重量およびサイズは、被加工体の加工面および／または
固定化面のサイズに依存し、任意に選択するが、被加工
体であるウェハとウェハの支持体である基体間に形成さ
れる固定化層または接着層の厚みが、好ましくは０．０
１μｍ〜２０ｍｍ、より好ましくは０．０５μｍ〜１５
ｍｍ、さらに好ましくは０．１μｍ〜１０ｍｍである。

【００２９】工程（２）において、被加工体であるウェ
ハとウェハの基体とを張り合わせるときの圧力は、特に
限定されるものではなく、被加工体のウェハを加工処理
するのに耐えられる密着性が得られればよく、用いた液
晶化合物または液晶化合物と有機ポリマーによって任意
に選択することができる。

【００３０】工程（３）において、ウェハを支持する基
体に張り合わされたウェハは、そのウェハの使用目的に
応じて特定の加工処理が施される。場合によっては、ウ
ェハの基体に張り合わされたウェハは、そのまま場所を
移す（ウェハの搬送という）ために用いることもでき
る。何れの場合もその使用目的の処理が施された後、工
程（４）において、ウェハと基体とを剥離する。被加工
体であるウェハまたは／およびウェハの基体の少なくと
も一方を加温して剥離する。ウェハと基体を剥離すると
きの温度は、好ましくは融点以上の温度、より好ましく
は融点＋５℃〜融点＋１５０℃で、さらに好ましくは融
点＋１０℃〜融点＋１００℃である。

【００３１】加工処理した後に剥離した被加工体のウェ
ハは、工程（５）において、ウェハに付着し残存した固
定化剤を溶媒で洗浄する。洗浄に用いる溶媒は、用いた
液晶化合物または液晶化合物と有機ポリマーが溶解する
溶媒が任意に選択される。具体的には、本発明の液晶化
合物または液晶化合物と有機ポリマーのペレットを製造
するために用いる溶剤と同じ溶媒を用いることができ
る。

【００３２】

【実施例】以下に、本発明を実施例により詳細に説明す
るが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。

【００３３】実施例１ 固体粉末のドコサン酸（ベヘン酸）０．０７５ｇを直径
１０ｍｍの柱状加圧成型器に秤量し、２００ｋｇ・ｃｍ
^-2の圧力を５分間かけ、直径１０ｍｍ厚さ１ｍｍの円柱
状ペレットを得た。このペレットを市販ＣＭＰ装置の硬
質プレート上におき、その上に４インチシリコンウェハ
を乗せ、該硬質プレートと４インチシリコンウェハを１
２０℃の熱風を吹き付け昇温した。該ペレットは８０℃
位から溶解し、溶解後１〜３分で溶融ドコサン酸が４イ
ンチウェハ全面に広がった。室温に戻した後、パッド上
に市販の研磨材溶液を塗布しながら硬質プレートに張り
付けた面と反対側の面を研磨した。研磨した後、４イン
チシリコンウェハの研磨した側から１５０℃の熱風を吹
き付け加温した後、ウェハを硬質プレートから剥離し
た。剥離した４インチシリコンウェハを洗浄溶剤として
テトラヒドロフランを用いてウェハに付着した固定化剤
を洗浄し除去した。４インチシリコンウェハの洗浄した
面をＦＴ−ＩＲで表面観察したが、有機物に帰属される
吸収は一切観察されず、張り合わせに用いた固定化剤は
洗浄で除去されたことを示した。

【００３４】実施例２ 実施例１のドコサン酸０．０７５ｇの代わりに０．０７
０ｇの１，１２−ドデカンジカルボン酸を用いたこと、
および市販ＣＭＰ装置の硬質プレート上の１，１２−ド
デカンジカルボン酸を溶融するための熱風の温度を１５
０℃にした以外は、実施例１と同様に４インチシリコン
ウェハを市販ＣＭＰ装置の硬質プレート上に貼り付け、
４インチシリコンウェハの表面を研磨処理した。研磨処
理した後、実施例１と同様に、４インチシリコンウェハ
の洗浄した面をＦＴ−ＩＲで表面観察したが、有機物に
帰属される吸収は一切観察されず、張り合わせに用いた
固定化剤は洗浄で除去されたことを示した。

【００３５】実施例３ 固体粉末のドコサン酸（ベヘン酸）１０ｇを１２０℃に
加温し溶融させた後、直径１０ｍｍの柱状成型器に溶融
ドコサン酸を注ぎ、室温に戻してから柱状成型器から固
体状のドコサン酸を抜き、直径１０ｍｍ長さ約１０ｃｍ
の円柱状ドコサン酸を得た。この円柱状ドコサン酸をダ
イヤモンドカッターを用いて厚さ１ｍｍのペレットに加
工した。この直径１０ｍｍ厚さ１ｍｍのペレットを用い
て、実施例１と同様に市販研磨機で４インチシリコンウ
ェハの表面研磨を行った。表面研磨した後、実施例１と
同様に処理し、４インチシリコンウェハの洗浄した面を
ＦＴ−ＩＲで表面観察したが、有機物に帰属される吸収
は一切観察されず、張り合わせに用いた固定化剤は洗浄
で除去されたことを示した。

【００３６】実施例４ 実施例３のドコサン酸１０ｇの代わりに１０ｇの１，１
２−ドデカンジカルボン酸を用い１５０℃に加温し溶融
した以外は実施例３と同様に、直径１０ｍｍ長さ約１０
ｃｍの円柱状ドコサン酸を得た。この円柱状１，１２−
ドデカンジカルボン酸をダイヤモンドカッターを用いて
厚さ１ｍｍのペレットに加工した。このペレットを用い
て熱風の温度を１５０℃にした以外は、実施例３と同様
に４インチシリコンウェハの表面を研磨処理した。研磨
処理した後、実施例３と同様に、４インチシリコンウェ
ハの洗浄した面をＦＴ−ＩＲで表面観察したが、有機物
に帰属される吸収は一切観察されず、張り合わせに用い
た固定化剤は洗浄で除去されたことを示した。

【００３７】実施例５ 固体粉末のドコサン酸（ベヘン酸）１０ｇとポリイソブ
チレン５ｇを秤量し、６０ｇのテトラヒドロフランに溶
解した。この溶液を、アプリケーターを用いてガラス基
板上に塗布した後、風乾し厚さ２０μｍのフィルムを作
製した。さらにこのフィルムを１片５ｃｍの正方形に切
り取り４角柱のペレットを作製した。このペレットを用
いて実施例１と同様に４インチシリコンウェハを市販Ｃ
ＭＰ装置の硬質プレート上に貼り付け、４インチシリコ
ンウェハの表面を研磨処理した。研磨処理した後、実施
例１と同様に、４インチシリコンウェハの洗浄した面を
ＦＴ−ＩＲで表面観察したが、有機物に帰属される吸収
は一切観察されず、張り合わせに用いた固定化剤は洗浄
で除去されたことを示した。

【００３８】比較例１ 実施例１のドコサン酸の代わりに市販のエポキシ接着剤
０．２ｇを用いた以外は実施例１と同様にシリコンウェ
ハを表面研磨した。表面研磨した後、実施例１と同様
に、硬質プレートから外そうとしたが４インチシリコン
ウェハが破損した。また、破損したが一部の剥離したシ
リコウェハのエポキシ樹脂を接着させた面をＦＴ−ＩＲ
で表面観察した所、有機物に帰属される吸収が観察さ
れ、張り合わせに用いた固定化剤が洗浄で除去しきれな
かったことを示した。

【００３９】

【発明の効果】特定の液晶化合物を含有する固定化用ペ
レットを用いると、該ウェハを硬質プレートおよび／ま
たは弾性体キャリア（バッキング材）および／またはウ
ェハ等の基体に密着させ固定化して保持することがで
き、且つ被加工体のウェハが容易に剥離でき、さらにウ
ェハに付着した固定化剤層を容易に除去および／または
洗浄ができ、被加工体のウェハに対する汚染の問題がな
い、半導体用ウェハの加工処理ができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 横山 泰明 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AB04 CB01 DA17

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶化合物を含有することを特徴とす
   る、半導体デバイス用ウェハ加工時のウェハ固定化用ペ
   レット。
2. 【請求項２】 液晶化合物の融点が３５℃よりも高い請
   求項１に記載のウェハ固定化用ペレット。
3. 【請求項３】 （１）請求項１に記載のウェハ固定化用
   ペレットをウェハの表面とウェハを固定するための基体
   の表面の間に位置せしめ、（２）該固定化用ペレットを
   加熱して融解させて該ウェハと該基体とを密着させて固
   定し、（３）基体に固定されたウェハの露出面を該固定
   化用ペレットの融点より低い温度で加工処理し、（４）
   基体からウェハを、該固定化用ペレットの融点以上の温
   度で分離せしめ、そして（５）分離されたウェハを該固
   定化用ペレットの溶剤で洗浄する、ことを特徴とするウ
   ェハの加工法。