1276374 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關印刷電路板，更詳細而言係有關内建電阻 元件之印刷電路板。 【先前技^衧】 自以往已將内建電阻元件之印刷電路板實用化。作為此 内建於印刷電路板之電阻元件，電阻元件有藉由絲網印刷 所形成者、藉由蝕刻形成者及藉由電鍍法形成者。 藉由絲網印刷所形成之電阻元件係例如··如以下形成（表 考專利文獻1)。首先，疊層絕緣體材料層及導體材料層之 後，藉由光蝕刻法，在絕緣體材料層上形成期望之導體圖 案。接著，在形成於絕緣體材料層之特定導體圖案間，形 成底塗層。而且，於底塗層及鄰接於該底塗層之導體圖案 之端部上，絲網印刷碳糊，配設電阻元件。如此，形成内 建於印刷電路板之電阻元件（以下稱「以往例丨」）。再者， 亦有不形成底塗層，直接在樹脂塗佈糊之方式。 又，作為藉由絲網印刷而形成之電阻元件之形成方法， 於銅fl上，藉由採用例如：LaB6所組成之油墨之絲網印刷 配設f阻元件之後’在㈣上覆蓋電阻元件而形成絕緣 膜’將该銅Μ刻，形成期望之導體圖案之方法亦為人所 知（以下稱「以往例2」、參考非專利文獻丨）。 又，藉由姓刻形成之電阻元件係例如··如以下形 專利文獻2)。首先，疊層絕緣材料層、電阻材料層及導電 材料層之後，於導電材料層上，形成按照期望之電阻元件 93988.doc 1276374 $狀之第一光阻，藉由餃刻選擇性除去導體材料層。接著， 在第一光阻殘存之狀態下，藉由蝕刻，將導體材料層之已 選擇性除去之區域之電阻材料層選擇性除去。其次，剝離 第一光阻之後’形成按照期望之導體圖案之形狀之第一光 阻，藉由蝕刻選擇性除去導體材料層。如此，形成内建於 印刷電路板之電阻元件（以下稱r以往例3」）。 又，藉由電鍍形成之電阻元件係例如··如以下形成（參考 專利文獻4)。首先，疊層絕緣體材料層及導體材料層之後， 藉由光儀刻法’在絕緣體材料層上形成期望之導體圖案。 接著’在形成於絕緣體材料層之特定導體圖案間，藉由電 鍍法形成電阻元件。形成此電阻元件之際，在特定導體圖 案間之絕緣層上及該特定導體圖案之端部上施加電鍍。如 此’开》成内建於印刷電路板之電阻元件（以下稱「以往例 4」）。 專利文獻1 :特開平11-4056號公報 專利文獻2:特開平4_147695號公報 專利文獻3 :美國專利第6281090號 非專利文獻1 :杜邦公司、”杜邦電子材料印刷基板内 建元件、[線上]’ 2002·2· 15，[2003年4月16曰檢索]、網際 網路〈URL:http://www.dupont.co.jp/mcm/apri/print/ER.html〉 【發明内容】 上述以往例1至以往例4之技術，由均可簡單地形成内建 於印刷電路板之電阻元件之觀點來考量，為優異之技術。 但如以往例1或以往例2，藉由絲網印刷技術所形成之電阻 93988.doc 1276374 元件（以下稱「印刷電阻元件」）由於印刷後液狀糊流動，或 樹脂或接著劑等之熱硬化之際之收縮，印刷電阻元件之厚 度或寬度變動，或由於滲透而形狀容易變化，其結果，難 以精度良好地控制電阻值。並且，由於表面處理時所施加 之熱’或對於電阻元件上部經由預浸體（Prepreg)疊層其他 層之際所施加之熱或壓力，電阻值亦容易變化，變動傾向 變大。又，於以往例1之技術，由於電阻元件内殘留樹脂成 分，因此於各種電子零件安裝於印刷電路板，實際使用之 中’由於基板或電子零件等之發熱，容易產生溫度漂移， 難以維持安定之電阻值。又，於以往例2之技術，以高溫燒 結LaB6而形成電阻元件，但此時容易產生體積收縮。因此， LaB0雖可部分密接於銅羯表面，但大多未充分追隨銅箱表 面。例如：由於形成電阻元件後所施加之熱或形成中所使 用之酸或鹼等藥液，Lai與銅荡表面之接合部之強度容易 下降。因此，採用以往例“戈以往例2之技術，無法以良好 精度’將電阻元件之電阻值形成期望值。X ’於以往们 或以往例2之技術，無法維持安定之電阻值。 又，於以㈣3，進行2次導體材料層之姑刻、！次電阻材 料層之钱刻等合計3次_。於此以往例3，料體材料層 進行第-次㈣’除去電阻材料層之應成為電阻元件之區 域以外之區域上之導體層之後，藉由㈣除去露出之電阻 材料層之區域，從而形成必要 文 < 电阻7〇件。然而，此電阻 材料層姓刻時’亦钱刻到存在 j j仔在於精由第一次蝕刻所未除去 之¥體層區域下，應成為最線 〜升/成之電阻元件之電阻元件 93988.doc 1276374 材料層之區域側面。 少。 因此，最終形$ <電阻元件 電阻-杜於以在例3之技術，無法說可以良好精度，將内建 :阻-件之電阻值形成為期望值。再者，於以往例3,以防 比側面❹所造成之電阻值精度下降更重大之精度下降 要因之電阻元件上面之侵餘為目的，於導體材料層之第二 次餘刻時，使用不侵料阻材料之㈣液1而，於以往 例3’如上述之電阻元件之侧面由於㈣而侵敍，因此難以 為了獲得高電阻值，採用微細寬度形成長的電阻元件。 >於以彺例4’必須在絕緣層上及導體圖案上之有階差區域 她加電1$。在此’壓合或塗佈感光性乾膜或液狀之光阻掩 模’藉由光钱刻形成開口部。光餘刻之曝光之際，由於與 導體圖案之P白差’難以以充分精度形成開口部，特別是絕 緣層上之開口部。又，於以往例4之技術，導體與電阻元件 之界面大致是彎曲成直角之形態。因&，於後續之熱處理 工序或實際使用之際施加熱應力之情況，容易產生龜裂， 難以維持女定之電阻值。又，由於必須在導體圖案之間隙 部形成電阻元件，因此難以自由形成電阻元件之形狀。 本發明係有鑑於上述事由所實現者，其目的在於提供一 種印刷電路板，其係内建具有在廣泛之電阻值範圍内安 定、精度良好之電阻值之電阻元件者。 本發明之印刷電路板具備：絕緣層；至少1個電阻元件， 其係以金屬為主成分，一方側表面被粗面化，具有前述粗 面之5〜50%之平均厚度，同時埋入前述絕緣層之前述一方 93988.doc 1276374 側表面附近者；及暮駚 &、、 v體圖案，其係形成於由前述絕緣層之 月’J述方側表面及前流雷1：日-μ 及引迷電阻疋件之前述一方側表面所形成 之導體圖案電路面上，盥 上與别迹電阻元件之各端子部連接者。 、，於此印刷電路板，電阻元件之-方側表面被粗化，並且 平句厚度為方側表面之算術平均高度⑽之5〜抓。因 =可持續確保連接於電阻元件兩端之導體圖案（以下亦稱 /極」）間之電阻元件之電流路徑長度，並確保作為電阻 疋件之具有安定性之平均厚度。亦即，形成低電阻值之電 阻兀件之情況’藉由使電阻元件之平面形狀為電流路徑寬 度廣且電流路徑長度短，同時使電阻元件之平均厚度以電 阻元件之方側表面之平均算術高度⑽）之為上限而 增厚，可形成安定性及電卩域精度良狀t阻元件。又， 形成高電阻值之電阻元件之情況，藉由使電阻元件之平面 形狀為電流路徑寬度窄且電流路徑長度長，同時使電阻元 件之平均厚度以一方側表面之平均算術高度（Ra)之5%為下 限而變薄，可形成安定性及電阻值精度良好之電阻元件。 在此，异術平均南度（Ra)係指一般作為表面粗度之尺度 而使用，藉由了13 3 0601-2001(根據1804287-1997)所定義之 量0 又’於此印刷電路板，電阻元件埋入絕緣層之一方側表 面附近’電阻元件之一方側表面係與絕緣層之一方側表面 共同形成導體圖案電路面。因此，即使於該導體圖案電路 面配設銅箔等導電材料層，藉由光蝕刻法等形成導體圖 案，電阻元件側面仍不致被蝕刻液侵蝕。 93988.doc •10- 1276374 又，於此印刷電路板，電阻元件之平均厚度為作為電阻 元件之-方側表面粗度之算術平均高度陶之5()%以内，因 此與絕緣層之接觸面之電阻元件之另一方側表面亦具有起 伏。因此，電阻元件與絕緣層係以良好密接性而連接。 又’於此印刷電路板，電阻元件之_方側表面與電極之 另一方側表面接觸。結果，電極與電阻元件係以大面積接 觸。因此，即使印刷電路板由於熱而收縮時，仍可持續接 觸。又，由於在接觸部分不會折曲，因此可成為集甲應力 不易施加之㈣，因此可提升連接強度之可靠度。並且， 即使在印刷電路板產生彎曲之情況，仍可防止電阻元件或 電極在接觸面彎曲。 故，根據本發明之印刷電路板，可實現—種印刷電路板， 其係内建具有在廣泛之電阻值範圍内安定、精度良好之電 阻值之電阻元件者。 又’於此印刷電路板，前述粗面具有〇 5〜5 _之算術平 均高度。成為此範圍’可容易將上述電阻元件之表面粗化， 形成安定性良好之電阻元件。 於本發明之印刷電路板，前述電阻元件之主成分之金屬 可為選自鎳、鈷、鉻、銦、鑭、鋰、錫、鈕、鉑、鐵、鈀、 飢、鈦及錯所組成之群之至少丨種，尤㈣、鉻及鐵為佳。 若使用此等金屬，可製造具有各種電阻值、在高溫下電阻 值變動仍少之電阻元件。 在此，前述電阻元件能以對於其總重量含有5〜15%之磷 之錄合金形成。 93988.doc -11 - 1276374 又，於本發明之印刷電路板，可在前述電阻元件之前述 一方側表面，形成有具有蝕刻耐性之材料所組成之保護用 覆膜。於該情況，可減低由於導體圖案形成時所進行之蝕 刻所造成之電阻元件之一方側表面之侵蝕。故，可實現一 種印刷電路板，其係内建具有精度更良好之電阻值之電阻 元件者。 再者，於本發明之印刷電路板，電阻元件可藉由電鍍法、 c VD、PVD等各種方法所形成，但基於可形成緻密、強固 之膜，因此以藉由電鍍法形成為佳。 【發明效果】 如以上說明，根據本發明之印刷電路板，可發揮提供一 種印刷電路板，其係内建具有在廣泛之電阻值範圍内安 定、精度良好之電阻值之電阻元件者之效果。 【實施方式】 以下，參考圖1〜圖10，說明本發明之一實施型態。 圖1係以XZ剖面圖，表示本發明之一實施型態之印刷電 路板10之構成。此印刷電路板10係内建2個電阻元件之印刷 電路板。 如圖1所示，此印刷電路板10係具備：（a)絕緣層u ;及（b) 導體圖案，其係形成於絕緣層丨丨之+z方向側表面，沿著+z 方向依序疊層導體圖案21及導體圖案22U所形成者（以下標 不為「導體圖案21、22U」）。在此，導體圖案21及導體圖 案22U係具有同一 XY平面形狀。 又，印刷電路板10係具備：（c)絕緣層13，其係形成於絕 93988.doc -12- 1276374 緣層11及導體圖案21、22U之+Z方向側表面上者；及（(1)導 體圖案，其係形成於絕緣層13之+2方向側表面，沿著+2方 向依序疊層導體圖案353及導體圖案25U所形成者（以下標 不為「導體圖案353、25U」）。在此，導體圖案353及導體 圖案25U係具有同一 χγ平面形狀。 又，印刷電路板10係具備··（e)電阻元件31ι，其係埋入絕 緣層11之-Z方向側表面附近之第一電阻元件；導體圖 案，其係絕緣層11之-Z方向側表面及電阻元件3丨〗之-Z方向 側表面所形成之圖案電路面之7方向側，形成於該圖案電 路面上，沿著_z方向依序疊層導體圖案35ι及導體圖案22l 所形成者（以下標示為「導體圖案35i、22L」）；及（g)絕緣 層12，其係开》成於絕緣層丨丨之_z方向側表面、電阻元件3丄1 之-2方向側表面及導體圖案35!、22L之-Z方向側表面者。 在此，導體圖案35i及導體圖案22L具有同一χγ平面形狀。 又，印刷電路板10係具備：（h)電阻元件312，其係埋入絕 緣層12之-Z方向侧表面附近之第二電阻元件；及⑴導體圖 ^八係、、巴緣層12之"·2方向側表面及電阻元件312之_Z方向 側表面所形成之圖案電路面之·ζ方向側，形成於該圖案配 線面上，沿著-Ζ方向依序疊層導體圖案352及導體圖案ML 所形成者（以下標示為「導體圖案％、25L」）在此，導體圖 案352及導體圖案25L具有同一χγ平面形狀。 Ρ刷私路板1 〇係具備··（k)以ζ軸方向貫穿印刷電路 一之為了層間電路之微孔29ι及微孔。於此等微孔Μι U孔29〗刀別之内壁，形成有導體層，而且於微孔Μ〗及微 93988.doc -13- 1276374 孔分別之+Z方向側端部及_z方向側端部，形成有形成圓 形圖案之導體圖案。再者，微孔29ι及微孔292分別之内壁之 導體層與形成圓形圖案之導體圖案係電性地導通。 又，印刷電路板ίο係具備··（111)防焊掩模27u，其係形成 於絶緣層13之+Z方向側表面上及導體圖案Μ;、25U之+2方 向側表面上者，及（n)防焊掩模27L，其係形成於絕緣層以 之-z方向側表面上及導體圖案35〗、25L之+z方向側表面上 者。再者，於微孔29l及微孔292分別之+2方向側圓形圖案 上，未形成防焊掩模27U，而且於微孔29〗及微孔292分別之 7方向側圓形圖案上，未形成防焊掩模27[。 作為絕緣層11、12、13之材料，可使用環氧樹脂、將玻 璃布含浸環氧樹脂者（以下亦稱「玻璃環氧」或「預浸體」）、 來醯亞胺等’由尺寸安定性、量產性及熱安定性等觀點考 里，使用玻璃環氧較佳。再者，絕緣層丨丨、丨2、丨3可採用 選自上述材料之同一材料，或採用互異之材料形成。 作為導體圖案21、22、23之材料，可使用銅、銘、不銹 鋼等導體金屬，由加工性的觀點考量，宜使用銅。 於圖2概略表示印刷電路板1〇之製造所使用之電阻元件 31ι、312之構成。在此，於圖2A，電阻元件31山.=1〜2)及其 周邊之XZ剖面圖係以強調出電阻元件％之表面粗度之態 樣而表示。又，於圖2B表示具有高電阻值之電阻元件3ΐι 之平面形狀之例，於圖2C係表示具有低電阻值之電阻元件 312之平面形狀之例。 如圖2A所示，於電阻元件31』之+2方向側表面及_z方向侧 93988.doc -14- 1276374 表面，遍及全面形成起伏。在此，電阻元件31』之_2方向側 表面之异術平均尚度（Ra)為0.5〜5 μιη之算術平均高度 (Ra)。而且，電阻元件31]之2；軸向厚度為算術平均高度化… 之5〜50% 〇 作為此電阻元件31j之主成分之金屬宜選自鎳、鈷、鉻、 姻、鑭、經、錫、组、翻、鐵、把、飢、鈦及錯所組成之 群之至夕1種，尤以録、鉻及鐵為佳。此係根據以下2個理 由。第一，上述金屬即使在20(rc以上之高溫條件下，仍難 以氧化。第二，由於此等金屬具有5μΩ(：ηΐΗ上之較高相對 電阻（以下亦稱「高相對電阻金屬」），與上述以外之金屬較 易製成合金，因此可獲得具有各種相對電阻者。例如：與 銅或鋁等具有5 μΩ(：ηι以下之相對電阻之金屬（以下亦稱 「低相對電阻金屬」）製成合金之情況，若此等低相對電阻 金屬之比率未滿合金主體之丨〇重量％，可獲得不使相對電 阻極端變小而獲得高耐蝕性之效果。 在此，使電阻元件％之厚度為算術平均高度（Ra)之 5〜50%係根據以下理由。亦即，在5%以上係根據一般而言， 厚度薄可獲得高電阻，但在未滿算術平均高度（Ra)之5%之 厚度，強度下降，因此無法獲得具有安定電阻值之電流路 徑之長的電阻元件。又，在5G%以下係根據若超過5〇%，粗 面表面之起伏被掩蓋，因此不僅無法獲得高電阻，而且與 絕緣體11(12)之密接性下降。又，算術平均高度若為〇·5〜％ μ.可容易使上述電阻元件表面粗化，提升安定性及電阻 精度。 93988.doc -15- 1276374 於本實施型態，圖2B所示之電阻元件川之平面形狀之圖 案係成為在圖案形成面為平面時，圖案寬度為5〇陶、圖案 長約100 mm之曲流圖案（Meander pattern)。再者於本實 施例，電阻元件31ι具有〇.2μιη之Z軸向平均厚度。 於本實施型態，圖2C所示之電阻元件3h之平面形狀之圖 案係成為纟圖案形成面為平面日夺，圖#寬度為1〇〇_、圖 案長約500 mm之矩形圖案。再者，於本實施例，電阻元件 3 12具有0·4 μιη之Z軸向平均厚度。 上述電阻元件3 1』可藉由電鍍法、CVD法、pVD法等形成， 但以使用可形成緻密、強固之膜之電鍍法尤佳。但於藉由 電鍍法之情況，按照電阻元件31j之組成，適當使用電解電 鍍或無電解電鍍。電鍍槽適當調製上述各種金屬或溶解複 數含有此等之合金之組成之槽使用即可。 於電鍍法中，最適於使用採用鎳電鍍槽之方法（以下稱 「鎳電鍍」）。特別是在鎳電鍍槽中，對於金屬及磷之合計 重量，宜預先添加5〜15重量％之磷。將磷之含有率設定在 此範圍係根據鱗含有率未滿5重量％的話，前述電阻元件容 易產生針孔，電阻值容易變化，而且由於鎳結晶間之结合 強度變小，因此對於熱或酸、驗等藥液之耐姓性傾向降低。 相反地，若超過15重量％，鎳内之磷容易由於氧而氧化， 在高溫之空氣氣氛下使用時，唯恐電阻值變化。 其次，說明印刷電路板10之製造工序。 首先，製造圖3A所示之電阻元件模組30!及圖沾所示之電 阻元件模組302。在此’電阻元件模組30!係具備··（丨）附導 93988.doc -16- 1276374 體膜載體36l，其係於支持構件（以下亦稱「載體構件」或「載 體」）34,之+2方向側表面，疊層銅膜等導體膜33ι者；及⑴) 電阻元件31〗’其係於導體膜331之+2方向側表面上形成 者。在此，於導體膜331之+2方向側表面，施加粗面化處理， 以使异術平均高度（Ra)成為特定值。於圖16表示導體膜Μι 之已粗化之表面33S!之電子顯微鏡照片。 附導體膜載體36l亦可於支持構件341之+2方向側表面 上，壓接貼附導體膜33!而製造，亦可適當選擇市售品而使 用。市售品可舉例如：Micro_Thin(x井金屬礦業股份有限 公司製）、XTR(〇lin-Brass股份有限公司製）、 uTC-F〇i1(METFOILS公司製）等。作為附導體膜載體3心之 例，於圖17表示Micro-Thin(三井金屬礦業股份有限公司製） 之剖面圖之顯微鏡照片。此附導體膜載體係導體膜Μι經由 接著層而貼附於載體3七。 又，電阻元件模組3〇2係具備：⑴附導體膜載體％〗，其 係於與支持構件3七相同之支持構件342之+2方向側表面， 疊層與導體膜33l相同之導體膜332者；及（ii)電阻元件〗^， 其係於導體膜332之+Z方向側表面上形成者。 附導體膜載體362可與附導體膜載體36ι相同，於支持構 件之+Z方向側表面上，壓接貼附導體膜而製造，亦 可適當選擇市售品而使用。市售品可採用與附導體膜載體 3 6 i之情況相同者。 製造電阻元件模組3〇1之際，首先準備附導體膜載體 361(參考圖4A)。接|於導體膜331之+2方向側表面塗佈液 93988.doc -17- 1276374 =光阻，形成乾光阻層41(參考圖叫。在此，作為形成乾 "阻層41之液體光阻，可採用例如：pER_2Q(太陽油墨股份 有限公司製）等。 立/、人除去電阻兀件形成區域上之乾光阻層4丨，形成凹 =46^，使電阻元件形成區域之導體膜33<+z方向側W 路出期望之大小（參考圖4C)。該電阻元件形成區域上之乾 光阻之除去係採用習知之光微影法等進行。 从其次’用具有期望之組成之槽 < 電鍍法，或pvD、CVD 寺手法，於如上述露出之導體膜331上形成電阻元件3“。藉 由電鍍法時由適當調整槽之組成及電鍍條件（pH、溫 度^電解電鍍時之電流密度及通電時間），可形成具有期望 之電鍍厚度，亦即電阻值之電阻元件31ι(參考圖5A)。例 如·採用使用下述組成之槽之硫酸鎳槽（pH4〜5)，以特定條 件，例如：40〜60°C、電流密度約2〜ό A/dm2，進行1分鐘之 笔链’可形成平均厚度0.20 μιη之電阻元件。 〔表1 姐 約300 約50 j：解鎳槽組成 硫酸錄 氣化錄 爛酸__約40 接著’由導體膜33ii+Z方向側表面上，除去乾光阻 4Μ參考圖5B)。如此，製造電阻元件模組3〇i。 電阻元件模組3〇2係與電阻元件模組3〇1同樣地製造。 再者，形成乾光阻層41之際，可使用壓合乾膜光阻之方 93988.doc -18- 1276374 乍為此類乾膜光阻，可舉例如··籠44〇(日立化成股份 有限公司製）等。 作為電鑛法’亦可使用採用下述表2之電鍍槽之無電 解電鍍法。 〔表2 —磷槽組成 硫酸鎳 次亞碟酸納 21 〜26 16 〜21 醋酸鋼 檸檬酸鈉 約25 約15 硼酸 再者，亦可形成複數之複數凹部46i，形成 電阻值互異之 電阻元件’又，亦可藉由物理性之氣相沈積法(pvD)、化學 性之氣相沈積法(CVD)等蒸鍍法，將金、銀、鉻、鐵、釩等 蒸錄於導體膜33l、33々ζ方向侧表面上，形成電阻元件 3 11、3 12。 藉由在如上述製造之電阻元件模組3〇』之+2方向側表面 上，配設絕緣構件，於此絕緣構件之+2方向重疊導體膜 21Α，在特定條件下處理，例如：以185。〇、4〇 kg/cm2加壓 處理1小牯，石著+Z方向依序疊層絕緣層丨丨及導體膜2丨A(參 考圖6A)。結果，將電阻元件31ι埋入絕緣層丨丨之^方向側 表面附近。在此，絕緣構件1丨可舉例如：GEA_67N(日立化 成股份有限公司製）、R1661(松下電工股份有限公司製）等預 浸體。又，導體膜21A係以同於上述導體膜33ι、332之材料 93988.doc -19- 1276374 構成。 其後’將載體構件3七剝離除去（參考圖6B)。 其次’於導體膜21A之+Z方向側表面之全面，壓合乾膜 光阻42U ’同時於導體膜33ii_z方向壓合乾膜光阻42L(參 考圖6C)。 其次’藉由習知之光微影法，由導體膜42U之+Z方向側 表面上之應形成上述導體圖案21之區域除去光阻，形成凹 部47U ’同時由導體膜42L之-Z方向側表面上之應形成上述 導體圖案22之區域，除去光阻，形成凹部47L(參考圖7A)。 其次’藉由採用期望之槽之電鍍法，於凹部47U、47L施 加期望之厚度之電鍍，以便形成導體圖案22U、22L(參考圖 7B)。接著，除去乾膜光阻42u(參考圖7C)。 其次’於導體膜21A及導體圖案22U之+Z方向側表面全面 塗佈光阻劑，形成光阻4311。又，於導體膜33ι及導體圖案 22L之-Z方向侧表面之全面塗佈光阻劑，形成光阻4几（參考 圖8A)。接著，藉由習知之光微影法，由形成導體圖案22u、 22L以外之區域部分，除去光阻43u、43L。使該區域部分 之導體膜21A、33ι露出（參考圖8B)。 其次，於絕緣層11之+Z方向側，藉由蝕刻除去露出之區 域部分之導體膜21A，直到絕緣層η之+z方向表面露出為 止。另一方面，於絕緣層11之-Z方向，藉由蝕刻除去露出 之區域部分之導體膜3 3!，直到絕緣層11之-z方向表面及電 阻元件3 1!之-Z方向表面露出為止。如此，在埋入電阻元件 3 11於-Z方向側表面附近之絕緣層11之+z方向側表面上，形 93988.doc -20- 1276374 成導體圖案21、22U，獲得在絕緣層n及電阻元件31ι之·z 方向側表面上形成導體圖案33i、22L之構件5〇(參考圖 8C)。在此，由於電阻元件31iiXZ面及γζ面埋入於絕緣層 Π，因此不會受到蝕刻侵蝕。結果，根據設計值而形成之 電阻元件模組3(^之製造時之電阻元件311係以良好精度維 持其電阻值而安裝於構件5〇。 接著為了提幵導體圖案21、22U與接著要形成之絕緣層 13之密接性，以及導體圖案33i、22L與接著要形成之絕緣 層12之密接性，進行導體圖案21、22U及導體圖案33ι、22ί 之黑化處理。該黑化處理係藉由在導體圖案21、22u及導體 圖案33P22L之表面，以驗溶液處理而進行。 其次，於構件50之+Z方向側表面上，形成絕緣層13。在 此，作為絕緣層13，亦可使用與為了形成上述絕緣層 使用之相同材料，而亦可使用其他材料。另一方面，於構 件50之-Z方向側表面上亦形成絕緣層12。絕緣層12可使用 與上述絕緣層13相同之材料形成。 其次，於絕緣層13之+Z方向側表面上，將與前述附導體 膜載體36丨相同構成之附導體膜載體36s，以導體膜與絕 緣層13之+Z方向側表面對向之方式而重疊。另一方面，於 絕緣層12之·Ζ方向側表面上，將前述電阻元件模組3〇2，以 電阻元件312與絕緣層12之-Ζ方向側表面對向之方式而重 疊（參考圖9Α)。 接著’在期望之條件下，例如：約185°C、約40 kg/m2加 壓1小時後，將支持構件3、及支持構件剝離除去，形成 93988.doc -21 - 1276374 疊層體51(參考圖9B)。 "人於唛層體51，採用鑽頭形成貫通孔49ι及貫通孔 92(芩考圖1〇A)。接著，於疊層體51之+Z方向側表面及-z 置向側表面之全面，以及貫通孔49丨及貫通孔4心之内壁，在 』差之條件下’藉由採用例如：下述表3之電鍍槽之電鍍 法以期2之條件，在其全面施加電鍍，形成電鍵膜25A。 八體而σ，藉由形成化學鋼1〜2 μιη及電解銅13〜14 μπι厚度 笔鑛 了使笔鍍膜25Α之厚度約在15 μηι(參考圖10Β)。 接著，於含有貫通孔49l及貫通孔492之+2方向側端部之 電鍍膜25A之+Z方向側表面之全面，壓合乾膜光阻441;。 又於含有貝通孔49!及貫通孔492之_冗方向側端部之電鍍膜 25 A之-Z方向侧表面之全面，壓合乾膜光阻44L(參考圖 A)而且猎由省知之光微影法，除去貫通孔49!及貫通 孔之+Z方向側端部區域及前述導體圖案35]、25U之形成 區域以外之區域部分上之乾膜光阻44U，及貫通孔49i及貫 通孔之-Z方向側端部區域及前述導體圖案352、25L之形 成區域以外之區域部分上之乾膜光阻44L，使其等區域部分 之電鍍膜25八露出（圖113)。 其次，藉由習知之蝕刻法，除去露出之區域部分之電鍍 膜25A及導體膜33r 333，形成導體圖案35s、25U、導體圖 案352、25、微孔2L及微孔29K參考圖12A)。接著，於微孔 29!及微孔雙方之+Z方向側端部及-Z方向側端部除外之 +Z方向側表面及-Z方向側表面之全面，形成防焊掩才莫 27U、27L。如此製造印刷電路板10。 93988.doc -22- 1276374 此後，亦可於内建本發明之電阻元件之印刷電路板，根 期望’進—步進行鎳電鐘或焊接電鍍等處理。 如以上說明，於本實施型態，電阻元件311、312係於_2 :向側表面’具有0.5〜5_之算術平均高度㈣之表面粗 度’同時具有該算術平均高度（Ra)之5〜5q%之平均厚度。因 此’可持續確保連接於電阻元件A、％兩端之導體圖案間 之電阻元件31l、3l2之電流路徑之長度，可確保作為電阻元 件31丨、312之具有安定性之平均厚度。 、又，電阻元件3h、3l2埋入絕緣層u、mz方向表面附 近，電阻元件31、3l2之·z方向側表面係與絕緣㈣、12 方向側表面共同形成導體圖案電路面。因此，即使於 該導體圖案電路面配設導電材料層，藉由光微影法等形成 導體圖案，電阻元件31l、3l2側面仍不受蝕刻液侵蝕。 又，電阻元件31丨、3丨2之平均厚度在作為電阻元件31丨、 3 12之-Z方向側表面粗度之算術平均高度（R &)之$ 〇 %以内， 因此與絕緣層11、12之接觸面之電阻元件31i、3l2之+z方 向側表面亦具有起伏。因此，電阻元件31i、3l2與絕緣層η、 12係以良好密接性而連接。 故，根據本實施例，可獲得一種印刷電路板，其係内建 具有在廣泛之電阻值範圍内安定、精度良好之電阻值之電 阻兀*件者。 再者’限疋電阻元件數而進行說明，但電阻元件數並不 特別限定於此。 又龟阻元件3 lj(j — 1、2)之-Ζ方向側表面亦能以對於圖 93988.doc -23- 1276374 8C之蝕刻或圖12A之蝕刻具有耐性之保護膜所覆蓋而構 成。在此，保護膜形成對於電阻元件31j之電阻值不造成實 質影響之厚度。 内建有形成此保護膜之電阻元件3lj之印刷電路板係如 其次製造。 百先，製造圖13A所示之電阻元件模組3〇ι，及圖UB所示 電阻το件模組3〇2,。在此，相較於上述電阻元件模組3〇〆參 考圖3A及圖3B)，電阻元件模組3〇j，之相異點僅在於在導體 膜33』及電阻元件31j之間形成保護膜32]。在此，作為保護膜 32』之材料，在導體膜33】為銅膜時，可使用鉻（c〇、鐵（^^)、 銀（Ag)、金（Au)、釩（v)等。又，在導體膜33碘銀膜時，可 使用鉻（Cr)、鐵（Fe)、金（Au)、飢（v)等 製造電阻元件模組3〇11之際，與電阻元件模組3〇1之情況 相同，準備附導體膜載體361(參考圖14A)，於導體膜之 +z方向側表面塗佈液體光阻，形成乾光阻層41(參考圖 14B)，除去電阻元件形成區域上之乾光阻層“，形成凹部 46】’使電阻元件形成區域之導體膜叫之+z方向側表面露 出期望之大小（參考圖14C)。 其次，採用電鍍法、CVD法、PVD法等，於凹部叫内之 導體膜331之+Z方向側表面上，形成保護膜321(參考圖 15A)。在此，形成極薄之保護膜η〗時，適於使用法之 一種之濺鍍法。 其次，與電阻元件模組3〇1之情況相同，於保護膜32ι之 +Z方向側表面上，藉由電鍍法形成電阻元件31丨(參考圖 93988.doc -24- 1276374 15B)。而且，由導體膜331之+2方向側表面上，除去乾光阻 41ι(參考圖15C)。如此而製造電阻元件模組3〇ι,。 電阻元件模組3〇2,係與電阻元件模組3〇1同樣地製造。 【實施例】 以下，以實施例，詳細說明本發明之印刷電路板之製造 方法及製造之印刷電路板之特性。再者，於本實施例，舉 例藉由鎳電鍍等之電阻元件（參考表8、9)之形成而說明，但 本發明不受以下實施例任何限制。 〔1〕實施例1用電阻元件之製造 (1-1)實施例1-1用電阻元件之製造 作為支持構件，使用表面已粗化之附載體導體膜之附載 體極薄銅箱（三井金屬礦業股份有限公司製、Micro-Thin)。 此附載體極薄銅箔形成3 · 5 μηι厚之銅層。此銅層表面之算 術平均高度（Ra)為1.2 μηι。 將乾膜光阻（曰立化成股份有限公司製、HW440)壓合於 此銅層上，在光量110 mJ、顯影液為Na2c〇3、30秒顯影之 條件下進行光微影，形成寬度約5〇 、長度約1 〇〇 mm之 曲流圖案’並形成約1 ·2 mmx4.5 mm之開口部。 接著’採用下述表3所示組成之次亞磷酸還原槽（pH 4〜5) ’在約9〇°C、1〜2分鐘之條件下，進行無電解鎳電鍍。 藉此’形成含有10重量％之磷之無電解鎳膜。此膜之平均 厚度為0·2 μηι，對於Ra之比例為16.7%。 93988.doc -25- 1276374 〔表3〕 無電解鎳一·鱗槽組成 含有量(g/L) 硫酸鎳濃度 21 〜26 次亞磷酸納 16 〜21 醋酸納 約25 擰檬酸鈉 約15 硼酸 適量 (1-2)實施例1-2用電阻元件之製造 如以下製造具有比上述（1-丨）所製造之電阻元件電阻值低 之電阻元件之印刷電路板。 作為支持構件，使用表面已粗化之附載體極薄銅箔（三井 金屬礦業股份有限公司製、Mi⑽_Thin)。此附載體極薄銅 箔係於35 nm厚之電解銅箔載體342,經由有機接著層而形 成5 μη!厚之銅層332者，此銅層表面之算術平均高度&句為 3.8 μιη。圖17係將圖16所示之附載體極薄銅箔表面，作為 剖面照片表示者。於此表面，直徑卜2 μιη之銅粒子係重疊 而存在，形成富於起伏之表面。以下，稱此表面為「導體 表面」。 於此附載體極薄銅箱之單面，塗佈液體光阻（太陽油黑股 份有限公司製、服-2〇)，於電阻元件區域上形成光阻。接 著’將此光阻進行絲刻而除去，使上述導體表面以寬_ μιη、長900 μηι之大小露出於開口部。 其-人，抓用下述表4所示組成之硫酸鎳槽（ρΗ4〜5)，在 4〇〜啊、電流密度約2〜6A/dm2、約i分鐘之條件下，進;于 93988.doc •26 - 1276374 鎳電鍍，形成電阻元件。在此，形成之鎳電鍍之平均厚度 為0.40 μιη，對於Ra之比例為10.5%。 〔表4〕_ 硫酸鎳槽組成 各成分含有量(g/L) 硫酸鎳 約300 氯化鎳 約50 硼酸 約40 再者，此後以光阻剝離液剝離光阻，製造電阻元件模組 302。 (1-3)實施例1-3用電阻元件之製造 採用下述表5所示組成之硫酸鉻槽（pH 2.0〜2.7)，在30〜55 °C、電流密度約18〜48 A/dm2、約1分鐘之條件下，進行鉻 電鍍，除此之外均與上述（1-2)相同，形成實施例2用之電阻 元件。在此，形成之鉻電鍵之平均厚度為1.6 μπι，對於Ra 之比例為42%。 〔表5〕 鉻槽組成 各成分含有量(g/L) 硫酸鉻 180〜220 尿素 210〜264 硫酸姜安 396〜飽和濃度 (1-4)實施例1-4用電阻元件之製造 作為支持構件，使用表面已粗化之附載體極薄銅箔（三井 金屬礦業股份有限公司製、Micro-Thin)。此附載體極薄銅 箔係於35 μιη厚之電解銅箔載體342，經由有機接著層而形 93988.doc -27- 1276374 成5 μιη厚之銅層332者，此銅層表面之算術平均高度（Ra)為 3·8 μιη 〇 於此銅層上，壓合乾膜光阻（日立化成股份有限公司製、 HW440)，在光量110 mJ、顯影液為Na2C03、30秒顯影之條 件下進行光微影，形成寬度約50 μιη、長度約1 〇〇 mm之曲 流圖案，並形成約1.2 mmx4.5 mm之開口部。 接著，採用上述表3所示組成之次亞磷酸還原槽（pH 4〜5) ’在約90°C、1〜2分鐘之條件下，進行無電解鎳電鑛。 藉此’形成含有10重量％之磷之無電解鎳膜。此膜之平均 厚度為0.19 μιη，對於Ra之比例為5.0%。 (1-5)實施例1-5用電阻元件之製造 在約90°C、5分鐘之條件下，進行無電解鎳電鍍，除此之 外與上述（1 -1)同樣，製造實施例1 _5用電阻元件，形成含有 10重量％之磷之無電解鎳膜。此膜之平均厚度為〇·6 μιη，對 於Ra之比例為50.0%。 〔2〕實施例2-1〜2_5用電阻元件之製造 採用上述表3所示組成之次亞磷酸還原槽4〜5)，在約 90°C、1〜5分鐘之條件下，進行無電解鎳電鍍，除此之外均 與上述（1-1)相同，形成含有5〜15重量％之磷之無電解鎳膜。 實施例2-1〜2-5用之電阻元件之電鍍平均厚度及對於心 之比例係如後述表10所示，為8.3〜16.7〇/〇。 〔3〕實施例3-1〜3-12用電阻元件之製造 用以取代鎳，使用表丨丨所示之各種金屬進行無電解電 鍍，除此之外均與上述（2)同樣，製造實施例夂丨〜3_12之電 93988.doc -28- 1276374 阻元件。電鍍槽組成係如下述表6,電鍍槽係在pH3〜5、電 鑛溫度50〜90°C、1〜2分鐘之條件下進行電_。 再者，下述金屬槽所使用之表叫示金屬化合物，除了 硫酸鈷、硫酸銦、硫酸仲銦、硫酸鋰、硫酸鈦、硫酸鉻、 硫酸錫、硫酸鐵、硫酸鈀、硫酸錯等硫酸類化合物以外， 亦可適當選擇氣化鐵、氯化鉑、氯化鉻等氯化物類化合物、 氧化鈕等氧化物。 〔表6〕
金屬槽組成 各成分含有量(g/L) 表11所示金屬化合物 10 〜30 g/L 次亞鱗酸鈉 10〜20 g/L 〔4〕比較例用電阻元件之製造 (4-1)比較例1用電阻元件之製造 作為支持構件，使用算術平均高度7 μπι之附載體極薄銅 箔（Olin-Brass股份有限公司製、附載體極薄銅箔）或3·8 μιη 之附載體極薄銅箔（三井金屬礦業股份有限公司製、 Micro-Thin) 〇 其次’採用上述表4所示組成之硫酸鎳槽（pH 4〜5)，在 40〜60°C、密度約為2〜6 A/dm2、約1分鐘之條件下進行鎳電 鍍，製造比較例1用電阻元件。 於表8表示所製造之比較例1用電阻元件之鎳電鍍之平均 厚度及對於Ra之比例。比較例1用電阻元件之電鍍平均厚度 為2 _ 8 μπι，電鑛平均厚度對於Ra之比例為7 3.7 %。 (4-2)比較例2用電阻元件之製造 93988.doc -29- 1276374 使用與實施例Μ用電阻元件之製造所用相同之表面粗 化之附載體極薄銅箔（三井金屬礦業股份有限公司製、 Micro-Thin) 〇 採用上述表3所示組成之次亞磷酸還原槽（pH 4〜5)，在約 90°C、1〜5分鐘的條件下，對於此等進行無電解鎳電鍍，除 此之外，均與製造實施例1-1用之電阻元件時相同地處理。 藉此，形成含有3〜17重量％之磷之無電解鎳膜。於表1〇表 示此等膜之平均厚度及對於Ra之比例。比較例2用電阻元件 之電鏟平均厚度為〇·03 μιη，電鍍平均厚度相對於尺&之比例 為 2.5%。 〔5〕參考例1用電阻元件之製造 (5-1)參考例1用電阻元件之製造 作為支持構件，使用算術平均高度7 μηι之附載體極薄銅 羯（〇1比31^8股份有限公司製、附載體極薄銅箱）或3.8叫1 之附載體極薄銅箱（三井金屬礦業股份有限公司製、
Micro-Thin)。 其次，採用上述表4所示組成之硫酸鎳槽（pH 4〜5)，在 40〜60°C、密度約為2〜6 A/dm2、约】八 、，々1勿鐘之條件下進行鎳電 鍵’製造參考例1用電阻元件。 於表9表示在此所形成之鎳電鍍之平均厚度及對於以之 比例。參考m用電阻㈣之電鍍平均厚度為2 3_，電鍍 平均厚度對於Ra之比例為32 9〇/。。 (5_2)參考例2及3用電阻元件之製造 作為支持構件，使用與實施例電阻元件之製造所用 93988.doc -30 - 1276374 相同之表面粗化之附載體極薄銅箔（三井金屬礦業股份有 限公司製、Micro_Thin)。 將附載體極薄銅箔，採用上述表3所示組成次亞磷酸還原 槽（pH 4〜5)，在約90°C、1〜5分鐘之條件下，對於此等進行 無電解鎳電鍍，除此之外，均與實施例1-1同樣地處理，製 造參考例2及3用電阻元件。藉此，形成含有3〜17重量％之 磷之無電解鎳膜。在此，於表1〇表示形成之膜之平均厚度 及對於Ra之比例。參考例2及3用電阻元件之電鍍平均厚度 均為0·2 μιη，電鍍平均厚度對於Ra之比例為16 7〇/〇。 〔6〕實施例1-1〜3-12、比較例1〜2及參考例1〜3之印刷電路 板之製造及平均電阻值之測定 (6 1)貝施例1 -1〜3 -12、比較例1〜2及參考例1〜3之印刷電路 板之製造 如上述製造各電阻元件，在1片支持體上形成1〇〇個或2〇〇 個電阻元件，作為實施例丨_丨〜3_12、比較例1〜2及參考例1〜3 之印刷電路板製造用模組3〇2。 為了於此母材上形成絕緣層丨丨，以與電阻元件3丨i或3 i 2 對向之方式，配置厚度60 μπι之預浸體（日立化成股份有限 么司製、GEA-67N)。接著，於此預浸體之未與電阻元件對 向之面上，進一步載置銅箔21Α(三井金屬股份有限公司 ‘尽度 12 μπι、3EC_III)，以 185°C、40 kg/cm2加壓 1 小時。 預浸體硬化後，機械式地將載體構件341剝離除去。 接著’將上述載體構件3—同樣除去，於此兩面，以壓合 機將丙稀酸樹脂類之乾膜光阻（日立化成股份有限公司 93988.doc -31 - 1276374 製、HW440)加壓。此後，進行光微影，設置如圖7A所示之 凹部47U。 其次，採用下述表7所示組成之電鍍槽，以硫酸銅電鍍槽 進行銅電鍍，形成厚度15 μιη之電鍍層作為導體圖案22U及 22L。 〔表7〕 銅電鍍槽組成 各成分含有量(g/L) 硫酸銅 125〜250 硫酸 30〜100 接著，藉由光微影除去乾膜光阻42U及42L，其次藉由壓 合機或滾筒式塗裝機（Roller Coater)等，如圖8 Α所示，於銅 箔21A之+Z方向形成光阻層43U，於銅箔33!i-Z方向形成 光阻層43U。此後，藉由光微影，從未被電鍍膜（導體圖 案）22U及22L所覆蓋之區域除去光阻層，進行銅箔33!之蝕 刻，直到電阻元件3 1 i露出為止。 如以上，形成圖8C所示之導體圖案22U、22L。 針對各母材進行以上處理，製造實施例1-1〜1-5、比較例 1〜2及參考例1〜3之印刷電路板各30片。 形成絕緣層41及43之前，為了提昇絕緣層與電路61及電 極22a之密接性，以50°C、10%之NaOH溶液，將如上述製作 之各電阻元件黑化處理，。 (6-2)多層印刷電路板之製造 如圖9A重疊以上述製造之母材、預浸體13(日立化成股份 有限公司製、GEA-67N)、附載體銅箔363(三井金屬股份有 93988.doc -32- 1276374 限公司製、厚度12 μπι、3EC-III)及如上述製造之302,以185 °C、40 kg/cm2，加壓沖壓1小時，形成絕緣層12及13。 接著，將載體342及343剝離除去，形成如圖9B所示之疊 層體5 1。接著，如圖10 A所示，在特定位置，以鑽頭形成通 孔，以下述表8所示電鍍條件，於包含不具有如上述形成之 通孔之表面在内，於上述疊層體全面施加厚度15 μιη之銅電 鍍（參考圖10Β)。 〔表8〕 銅電鍍槽組成 各成分含有量(g/L) 硫酸銅 125 〜250 硫酸 30〜100 接著，如圖11Α所示，於施加銅電鍍之疊層體兩面，以壓 合機塗佈丙烯酸樹脂類之乾膜光阻（日立化成股份有限公 司製、HW440)，形成光阻層44。在30秒淋灑Na2C03之條件 下進行光微影，形成圖11B所示之開口部25A，採用鹼蝕刻 劑蝕刻，形成25U及353、25L及352所組成之電極。 其次，以絲網印刷將太陽油墨股份有限公司製AUS503塗 佈於此兩面，通孔之開口部除外，形成防焊掩模層27U及 27L，製造實施例1-1〜3-12、比較例1〜2及參考例1〜3之多層 電路板10。 (6-3)各種條件下之電阻值、偏差量等之測定 (6-3-1)電阻元件之電阻值之測定 採用電阻測定機（HIOKI股份有限公司製、3244 Hi TESTER)，以200°C測定上述實施例1-1〜2-5、比較例1及2 93988.doc -33- 1276374 及參考例1〜3之電阻元件之實際電阻值。其測定結果（電阻 值1)表示於表9及表10。
93988.doc -34- 1276374 9 表 *1 *2 10次〆zaont -灸50〇°黔婶漭^+甚硇诨瘅， 和辨译it本^衅涅碑词寐(11麴睬)界^召£1:莽贫^篷抑商翕觯*1; 260rf;^-t谭谇(Q ) *4 :銻3*»/裨译飧会赉(次) p ^ Μ ^ 浸油試驗“ 丨電阻變化係數(PP®/C>| 電阻變化率(%> 1 ,電阻値3硌 偏差畺<幻 電阻値^士幼（⑴ (¾) 電阻數 s 咏 播 1 電阻材料形成法 使用元件 電鍍平均厚廢"Ra (%) |電鍍平均厚度 ,電阻面Ha (私ώ 900/2.6 »fx CO J9.9k im ift 6k士0.58k 2,76 tsd s fil 户 ¢0 I 實施例1 900/1.6 cn J^v cn Cn> oa η-* cn 〇 ^ 25.4±a 51 2.0 ^5* <〇 as S' 鵄蜜 «κ> Μ cn COi 〇〇 cs» 900/0.5 70.6 _ 5"^ ¢3 CO cn 11.8 土a 38 3.2 i o 鉻電鍍 CO Od Ξ： 〇〇 2 900/3.9 r- ! 39.4±0. 29 3.0 穹 >〇 無電解m電鍍 S2 a 19 fw> oo uL 900Α 7 69.1 J£ 52*4 2-40 ίδΙ.4±α32 1 Π I Mm» Cd hMM» s ；p> er» ts9 _Λ 1 户* oo •Mb 65.4 4 90 \ 614±a 53 4 92 g 〇 .miPP • 32.9 |S» CO 叫 mi ψ I 900/3Λ 2 〇〇 OQ — CJI _ 8.7k I 12· 50 1 λ 6±ft 30 a 33 IbM o GO 73.7 ao QO 比較1 比較例 900/75 I [1 I J f» J25ic±5. ik 4.8 I 111 CO cn 0. 03 ^M· tsd |比鉸2 93988.doc 35- 1276374 * 一 ” lo^^NaoH t -δ50οο^婶荈~ +遂猗谇a *2 :妒癖诨~丰夂_厘踌诨命(|1銪|*)眾^否窆砩赛象^玺榨薛參瞅4 *3 : 26°ac 岑nMi( ko) *4 :銻嗨烊/搏词«$#-(次) 浸油，試驗，4 電阻變化係數 (wmA：) 1電阻變化率㈤1 電阻値3的 Μ m _ ： 恣 電阻値USD 0δΩ> (¾) 電阻數 磷含有率獅> 1 1電阻材料形成法 使用元件 電鑛平均厚度/Ra⑻ 1電鍍平均厚度⑽ 電阻面SaUm) 900/2.3 ―!2 166 36.7 b 丨 3M土 Li a 05 «Ο ο «•Μ» 無電解Ni電鑛 &α 〇9 > in» CO 實施例2 900/2.9 70,2 2.40 100 ιατ±α 42 2.51 运 ο» «•μ . 丨·” ?» Γ"*- CO 以 CO 900A 2 73,6 2.34 26,2 1 25· δ±α 46 L80 xs> s r ο» 16.7 > IS» CO 900/3.8 71.2 2.6S 46.4 CO ία 9±0.31 2*85 容 cn Ρ； "4 CsS Ϊ 900/3-6 2.70 η $mm 29,3 土 d 39 2/79 ts» Ρ^Λ cn CO ςο ·〇 fis3 OO ώ 900Λ 5 β CO ： 4 86 Ww ί4 4 士 0.53 a 68 is> <=» CO 無電解Ni電鍍 eg 16.7 R to 参考2 ψ 900/1L 3 i 丨s 1 4 92 40.5 — OO 38. 6±0. 86 2.23 I ts3 crx CO Ρ> s j 参考3 93988.doc -36- 1276374 實施例卜1〜1-5之電阻值之標準偏差為2.〇〜3.2%。相對於 此，參考例1之電阻值之標準偏差為4.92%，比較例1及2之 電阻值之標準偏差高，分別為8.33%及4.8%。 (6-3-2)印刷電路板之電阻值偏差量之測定 採用電阻測定機（ΗΙΟΚΙ股份有限公司製、3244沿 。在於上述 求出此測定 而表示於表 TESTER)，測定如上述製作之多層印刷電路板 (6-1)測定之各電阻元件之電阻值為目標值時， 結果與目標值之偏差程度，作為偏差量（％) 9〜1 1 〇 93988.doc •37- 1276374 * 1:¾^¾'綠汐畛舶 *2 : #綠+苏钿淬(公曰) *3 : 10次卜Na0H+ - δ 50o0Jii3it.41 -f-芯构谭命 *4 :栌硇}a^丰从碲莖瞬诨ii (Επιδ昧)岑-:t^s癖靱：&炒蓋^:薛翁啉j： *5 : 2600〇專^鰣3谇(〇) *6 :翁部辣/辩词飧合赉(次) 浸油試驗姑 W BM 〇商 ω tn 識 ft _ a 電阻値1ΥΩ) 電阻數 银| i| 使用元件丨 H 9\ 一？0 d» 職平均厚度 電阻面Ra {Mil) 1金屬” 900/2.9 24.9k *^φ 244k 無電解Ni電鍍 a 63 f=> |MNi» |M«* ϊ 實施例3 900/2.8 2.04 55.0k C» 53,9k i t^O S» 〇> f=> •ΙΜ» iMM* 淫 «Α> (S^ 900A 2 S 3&0k 1 __i t— s 35.4k CO cs OJ ί» 〇〇 «ΚΜ m ΠΠ3 Ζβ> ci> 900A 0 Ϊ™** .S 73.8 j 2.00 72.4 ts» s eg PQ OA 丨p W 丄 900/2.7 * to ca 67.8 c» CO P〇 P Hmm tsa CO tn 900/3.1 2,07 29.5k j 170 1 2& 9k ca ί» 09 ；S=> 丨雜 Od <k 900/2.3 <JS> 7a 8 | 189 j s Ci9 CO ?=» ί to 豳 Od 900/2,5 tu 33.4 」〇fl !---1 317 j i l»p^ Ξ r· Css m CO oo 900A3 2.03 100.3 丨S Ρ» 〇〇 IN? s Ca> oo Ca» :p «Ml ts& ’ 攤 CO 900/2.8 | 2.25 45.5k «AM • 44 5k | 1 CO o «Aft P*> ο» isd m 3-10 900A 9 UM 104 3 卜 102.3 Cs£ g 9° oo f=> 3-11 900A 6 2.17 80. Ik 180 78,4k «·〇 〇 〇> ca i»mtk 5» CO i R丨 KS3 酿 3-12 93988.doc -38- 1276374 若上述電阻值之偏差量在5%以下，可判定為良好，實施 例1-1〜3-12為止之各電阻元件及參考例1〜3之電阻元件之 偏差量均在5%以下，判定為良好。此等中，實施例 之電阻元件顯示出3%以下之低數值，判定為非常良好。另 一方面，比較例1及2之電阻元件之偏差量超過5%，不能判 疋為良好。 (6-3-3)高溫下之電阻值之測定 採用電阻測定機（HIOKI股份有限公司製、3244 m TESTER)，測定上述實施例、比較例及參考例之電阻元件 在溫度260°C下之電阻值（電阻值3)。 由各電阻值之值，算出以電阻值1為基準時之電阻變化率 (A) ’其結果作為實施例1 _ 1〜3_ 12、比較例1〜2及參考例1〜3 之測疋結果（電阻值3、電阻變化率），表示於表9、表1 q及表 11。電阻變化係數係針對實施例u〜2_5之電阻元件，實施 測定。 若電阻變化率在5%以下可判定為良好，採用實施例 1 1〜3 -12之電阻元件及參考例1〜3之電阻元件時之電阻變 化率小’均在5%以下，判定為良好。此等中，實施例1β1〜3_12 之電阻το件顯示出3〇/。以下之更低數值，判定為非常良好。 另一方面’比較例2之電阻元件無法測定，比較例1之電阻 元件雖在5°/。以下，但上述電阻值丨之變動大，而且在後述 之浸油試驗之電阻變化率變大，不能判定為良好。 根據以上，實施例^丨〜弘丨]之電阻元件顯示出電阻值之 安定性極高。 93988.doc -39- 1276374 再者’若查看電阻變化係數（ppm/°C )，以實施例最低， 其次是參考例、比較例之順序而數值變高。 (6~3_4)連接構造之安定性試驗 將實施例1-1〜3-12、比較例1及2、以及參考例u之各疊 層體作為被測體，進行浸油試驗，試驗連接構造之安定性。 次油試驗係以浸潰在260°C之油中20秒為1循環，進行9〇0 循環，測定循環結束後之電阻值。求出此測定值之電阻值i 相對於電阻值之變化率，表示於表9〜11。 且層體之浸油試驗中之電阻值變化率在12%以下，可判 疋為良好，但如表9及1〇所示，採用實施例M〜2巧及參考 例1〜3之任一電阻元件之情況，均判定為良好。 之其中又以採用實施例之電阻元件及採用實施例 〜2-5之電阻元件時，均在5%以下，顯示出非常良好之結 另一方面，採用比較例1及2之電阻元件時，成為3〇%以 上之極高值，不能判定為良好。 根據以上，在使用實施例^〜丨_5之電阻元件之疊層體， 顯示出高度之連接構造之安定性。 只％例2-1〜2-5之磷含有量為5〜15重量％，參考例2及3之 =層體之縣有量為3重量％及17重量％。由上述浸油試驗 '之電阻變化率顯示，若磷之含有量為5〜15%，可製造誤 差更少、構造安定性高之疊層體。 、
又，使用表11所示之金屬進行電鍍之電阻元件之情況， 阻變化率(%)亦在5%以下，浸油試驗後之電ρ且變化率亦 93988.doc 1276374 在5%以下，表示可製造安定性高之疊層體。 【產業上之利用可能性】 如以上說明，本發明之印刷電路板可提供内建具有安 定、精度良好之電阻值之電阻元件之印刷電路板，因此作 為用於通訊機器等電子機器之印刷電路板係有用。 【圖式簡單說明】 圖係表示本發明之印刷電路板之一實施型態之概略構 成之剖面圖。 圖2 A係為了說明圖1之第一及第二電阻元件之形狀之圖。 0 2B係為了說明圖i之第一電•阻元件之形狀之圖。 圖2C係為了說明圖1之第二電阻元件之形狀之圖。 圖3A係表示圖1之印刷電路板之製造所使用之第一電阻 元件模組之概略構成圖。 圖3B係表7F圖i之印刷電路板之製造所使用之第二電阻 元件模組之概略構成圖。 圖4A係為了說明圖3A之電阻元件模組之製造工序之圖 (其一）。 ° 係為了說明圖3 Α之電阻元件模組之製造工序之圖 (其二）。 圖4C#炎 '、馬了說明圖3A之電阻元件模組之製造工序之圖 (其三）。 圖5 A传发 '、馬了說明圖3A之電阻元件模組之製造工序之圖 (其四）。 圖56係发7 、兮了說明圖3A之電阻元件模組之製造工序之圖 93988.doc -41 - 1276374 (其五）。 圖6A係為了說明圖1之印刷電路板之製造工序之圖（其 一）。 圖6B係為了說明圖1之印刷電路板之製造工序之圖（其 二）。 圖6C係為了說明圖1之印刷電路板之製造工序之圖（其 三） 。 圖7A係為了說明圖1之印刷電路板之製造工序之圖（其 四） 。 圖7B係為了說明圖1之印刷電路板之製造工序之圖（其 五） 。 圖7C係為了說明圖1之印刷電路板之製造工序之圖（其 六） 。 圖8 A係為了說明圖1之印刷電路板之製造工序之圖（其 七） 。 圖8B係為了說明圖1之印刷電路板之製造工序之圖（其 八） 〇 圖8C係為了說明圖1之印刷電路板之製造工序之圖（其 九） 。 圖9A係為了說明圖1之印刷電路板之製造工序之圖（其 十）。 圖9B係為了說明圖1之印刷電路板之製造工序之圖（其十 一）。 圖10A係為了說明圖1之印刷電路板之製造工序之圖（其 93988.doc -42- 1276374 圖1 OB係為了說明圖1之印刷電路板之製造工序之圖（其 十三）。 圖11A係為了說明圖1之印刷電路板之製造工序之圖（其 十四）。 圖11B係為了說明圖1之印刷電路板之製造工序之圖（其 十五）。 圖12 A係為了說明圖1之印刷電路板之製造工序之圖（其 十六）。 圖12B係為了說明圖1之印刷電路板之製造工序之圖（其 十七）。 圖13 A係表示變形例之印刷電路板之製造所使用之第一 電阻元件模組之概略構成圖。 圖13B係表示變形例之印刷電路板之製造所使用之第二 電阻元件模組之概略構成圖。 圖14A係為了說明圖13A之電阻元件模組之製造工序之 圖（其一）。 圖14B係為了說明圖13A之電阻元件模組之製造工序之 圖（其二）。 圖14C係為了說明圖13A之電阻元件模組之製造工序之 圖（其三）。 圖15A係為了說明圖13A之電阻元件模組之製造工序之 圖（其四）。 圖15B係為了說明圖13A之電阻元件模組之製造；片之 93988.doc -43- 1276374 圖（其五）。 圖15C係為了說明圖13 A之電阻元件模組之製造工序之 圖（其六）。 圖16係表示銅箔（導體膜）33丨之表面33Si2圖式代用照片 (顯微鏡照片）。 圖17係表示銅箔（導體膜）33!之剖面之圖式代用照片（顯 微鏡照片）。 【主要元件符號說明】 1 電阻值 10 印刷電路板 11 、 12 、 13 絕緣層 21 、 22 、 22L 、 導體圖案 22U、23、25、 25L ^ 25U ^ 35ι > 352 ^ 353 21A、33i、332、 導體膜 33」·、333 22a 電極 25A 電鍍膜（開口部） 27L、27U 防焊掩模 29ι > 292 微孔 3〇! ^ 302 > 30Γ > 電阻元件模組 302,、30』 3h、312、31」 電阻元件 93988.doc -44- 1276374 32j > 32j 保護膜 33! ^ 332 銅層（銅箔） 33Si 表面 34i、342、343 支持構件（載體） 36!、362 附導體膜載體 363 附載體銅猪 41、4“ 乾光阻 42L、42U 乾膜光阻（導體膜） 43L、43U 光阻 44L、44U 乾膜光阻 46i、47U 凹部 49i、492 貫通孔 50 構件 51 疊層體 61 電路 93988.doc -45-