JPH03203393A - 配線版の製造法 - Google Patents
配線版の製造法Info
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- JPH03203393A JPH03203393A JP1343352A JP34335289A JPH03203393A JP H03203393 A JPH03203393 A JP H03203393A JP 1343352 A JP1343352 A JP 1343352A JP 34335289 A JP34335289 A JP 34335289A JP H03203393 A JPH03203393 A JP H03203393A
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、抵抗素子及び磁性素子等の機能素子を有する
配線板の製造法に関する。
配線板の製造法に関する。
（従来の技術）
従来、抵抗素子に代表される機能素子を有する配線板と
しては、直接機能部品を搭載したもの、耐熱性の良い基
板上にスクリーン印刷法で各種べ−ストを印刷した後、
加熱処理を施したものなどがあった。
しては、直接機能部品を搭載したもの、耐熱性の良い基
板上にスクリーン印刷法で各種べ−ストを印刷した後、
加熱処理を施したものなどがあった。
電子機器の小型・高密度化が進むにつれて、機能素子に
対する高密度化、高精度化の強い要求があり、アルミナ
基板や耐熱性ポリイミドフィルムなどに真空蒸着法やス
パッタリング法等の薄膜技術により各種機能膜、導体膜
を成膜後、フォトリソグラフィー技術を用いて、導体膜
、機能膜の順でパターニングを行い機能素子を形成した
ものがあった。
対する高密度化、高精度化の強い要求があり、アルミナ
基板や耐熱性ポリイミドフィルムなどに真空蒸着法やス
パッタリング法等の薄膜技術により各種機能膜、導体膜
を成膜後、フォトリソグラフィー技術を用いて、導体膜
、機能膜の順でパターニングを行い機能素子を形成した
ものがあった。
また、抵抗素子に関しては、銅箔上にめっきや真空蒸着
法により抵抗膜を成膜後、該抵抗膜を内側にして他の配
線板用絶縁基材と積層し、銅箔パターン、抵抗パターン
の順でバターニングを行い、抵抗素子を形成したものが
提案されている（特開昭６２−２５７７０２号公報）。
法により抵抗膜を成膜後、該抵抗膜を内側にして他の配
線板用絶縁基材と積層し、銅箔パターン、抵抗パターン
の順でバターニングを行い、抵抗素子を形成したものが
提案されている（特開昭６２−２５７７０２号公報）。
（発明が解決しようとする課題）
ガラス布−エポキシ基材やガラス布−ポリイミド基材等
の汎用の配線板用有機基材をベースの絶縁基板とした場
合、有機基材の耐熱性が低いためスクリーン印刷法及び
薄膜法の適用は困難であり、部品搭載法が一般的であり
、配線板の高密度化は望めない。
の汎用の配線板用有機基材をベースの絶縁基板とした場
合、有機基材の耐熱性が低いためスクリーン印刷法及び
薄膜法の適用は困難であり、部品搭載法が一般的であり
、配線板の高密度化は望めない。
一方、銅箔上に抵抗膜を形成後有機基材と積層する方法
は、部品搭載法に比べれば高密度化に適した方法である
が、（１）使用する銅箔の厚さが１８〜３５μｍと厚い
ため、配線形成時にサイドエツチングが問題となり微細
化に限界があること、（２）主に銅箔の粗化面に抵抗膜
を形成するためガラス布−プリプレグ等と積層する場合
、特にガラス布の交点部分で抵抗膜にクラックが生じる
こと、（３）積層時に、最外層となる銅箔表面の“焼け
”のため、レジスト形成用に該銅箔の表面処理が必要な
ことなどの問題があり、真に高密度な抵抗素子を安定的
に形成することが困難であった。
は、部品搭載法に比べれば高密度化に適した方法である
が、（１）使用する銅箔の厚さが１８〜３５μｍと厚い
ため、配線形成時にサイドエツチングが問題となり微細
化に限界があること、（２）主に銅箔の粗化面に抵抗膜
を形成するためガラス布−プリプレグ等と積層する場合
、特にガラス布の交点部分で抵抗膜にクラックが生じる
こと、（３）積層時に、最外層となる銅箔表面の“焼け
”のため、レジスト形成用に該銅箔の表面処理が必要な
ことなどの問題があり、真に高密度な抵抗素子を安定的
に形成することが困難であった。
本発明は、高密度化を可能とする機能素子を有する配線
板の製造法を提供するものである。
板の製造法を提供するものである。
（問題を解決するための手段）
本発明は、Ａ、仮基板上に、真空成膜法により配線部と
なるパターンを構成する銅層を形成後、銅層上に銅層と
は別の機能を有するパターンを構成する一層以上の金属
薄層を形成する工程と、Ｂ、金属薄層を内側にして絶縁
基板材料と積層一体化した後仮基板を剥離し銅層及び金
属薄層を絶縁基板に転写する工程と、 Ｃ１転写された銅層の表面に第一のレジストパターンを
形成し、銅めっきを施した後、第一のレジストパターン
を剥離する工程と、 ９０表面に露出している銅層のうち所望する量をエツチ
ング除去した後、第二のレジストパターンを形成し、エ
ツチングにより一層以上の金属薄層を所定のパターンに
加工する工程 とからなることを特徴とするものである。
なるパターンを構成する銅層を形成後、銅層上に銅層と
は別の機能を有するパターンを構成する一層以上の金属
薄層を形成する工程と、Ｂ、金属薄層を内側にして絶縁
基板材料と積層一体化した後仮基板を剥離し銅層及び金
属薄層を絶縁基板に転写する工程と、 Ｃ１転写された銅層の表面に第一のレジストパターンを
形成し、銅めっきを施した後、第一のレジストパターン
を剥離する工程と、 ９０表面に露出している銅層のうち所望する量をエツチ
ング除去した後、第二のレジストパターンを形成し、エ
ツチングにより一層以上の金属薄層を所定のパターンに
加工する工程 とからなることを特徴とするものである。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例を説明する断
面図である。第１図（ａ）に示すように、仮基板である
厚さ７５μｍのポリイミドフィルム（Ｄｕｐｏｎ社製、
商品名ＫＡＰＴＯＮ Ｒ） １の片側表面にスパッタリ
ング装置（日本真空（株）社製、型式ＭＬＨ−６３１５
Ｄ）を用いて次の条件で厚さ１μｍの銅層２を形成した
。
面図である。第１図（ａ）に示すように、仮基板である
厚さ７５μｍのポリイミドフィルム（Ｄｕｐｏｎ社製、
商品名ＫＡＰＴＯＮ Ｒ） １の片側表面にスパッタリ
ング装置（日本真空（株）社製、型式ＭＬＨ−６３１５
Ｄ）を用いて次の条件で厚さ１μｍの銅層２を形成した
。
出 力 １．５ｋＷ
基板加熱 １５０℃、２０分
圧 力 ５Ｘ１０−３ＴｏｒｒＡｒガス
流量 ３５３ＣＣＭ 使用できる仮基板としては、例えば、表面粗さが２．０
μｍ以下に調整された厚さ２０μｍのステンレス箔や厚
さ２５〜２００μｍのテフロンフィルム、ポリエチレン
フィルム等の合成樹脂フィルムが挙げられる。
流量 ３５３ＣＣＭ 使用できる仮基板としては、例えば、表面粗さが２．０
μｍ以下に調整された厚さ２０μｍのステンレス箔や厚
さ２５〜２００μｍのテフロンフィルム、ポリエチレン
フィルム等の合成樹脂フィルムが挙げられる。
続いて、同じスパッタリング装置を用いて、ニクロム抵
抗ｌＩ３ （厚さ： ５００Ａ、 Ｎｉ：Ｃｒ４０：２
０）を成膜し、２００℃で１時間加熱処理を施した（第
１図（ｂ））。銅層２及び抵抗膜３の形成法としてはス
パッタリング法の他に真空蒸着法、イオンクラスタービ
ーム法などが適用できる。この場合、特に銅層２と仮基
板１間の剥離性を良好に保ためには、銅層形成時の銅の
エネルギーを１ｅＶ〜５０ｅＶの範囲にすることが望ま
しい。また、成膜する抵抗膜は特に限定しないが、Ｔａ
、 ＮｉＣｒ−３ｉ、 Ｔａ−５ｉ、 Ｎｂ−３ｉ、
Ｃｒ５ｉｎ２、Ｔａ−８ｉｎ２等が適用可能である。
抗ｌＩ３ （厚さ： ５００Ａ、 Ｎｉ：Ｃｒ４０：２
０）を成膜し、２００℃で１時間加熱処理を施した（第
１図（ｂ））。銅層２及び抵抗膜３の形成法としてはス
パッタリング法の他に真空蒸着法、イオンクラスタービ
ーム法などが適用できる。この場合、特に銅層２と仮基
板１間の剥離性を良好に保ためには、銅層形成時の銅の
エネルギーを１ｅＶ〜５０ｅＶの範囲にすることが望ま
しい。また、成膜する抵抗膜は特に限定しないが、Ｔａ
、 ＮｉＣｒ−３ｉ、 Ｔａ−５ｉ、 Ｎｂ−３ｉ、
Ｃｒ５ｉｎ２、Ｔａ−８ｉｎ２等が適用可能である。
次に、ニクロム膜を内側にしてガラス布エボキシブリブ
レグ４（日立化成工業（株）社製、ＧＥＡ−６７−Ｎ）
と１７０℃、４０ｋｇｆ／ｃｍ２で４０分間加熱圧着後
（第１図（Ｃ））ポリイミドフィルムを引き剥がした。
レグ４（日立化成工業（株）社製、ＧＥＡ−６７−Ｎ）
と１７０℃、４０ｋｇｆ／ｃｍ２で４０分間加熱圧着後
（第１図（Ｃ））ポリイミドフィルムを引き剥がした。
なお積層する絶縁基板としては、有機基材の他にアル
ミニウム等の金属板やアルミナ等のセラミックス基板も
用いることができる。
ミニウム等の金属板やアルミナ等のセラミックス基板も
用いることができる。
次に、ポジ型液状レジストＴＦ−２０（Ｓｈｉｐｌｅｙ
社製、商品名）で第一のレジストパターン５を形成後、
硫酸銅めっきにより抵抗素子用電極パターンを含む配線
パターン６（厚さ１０μｍ）を形成した（第１図（ｄ）
）。レジストのプリベークは８０℃で１５分間施し、露
光量４００ｍＪ／ｃｍ２でコンタクト露光し、専用液で
現像した。次に、レジストパターン５をアセトンで除去
した後、過硫酸アンモニウム溶液（液温度：４０℃、濃
度： １００ｇ／ｌ）でニクロム層３の所望するパター
ン（硫酸銅めっきを施さなかった部分）が露出するよう
に銅層２の一部分をクイックエツチングした。更に、必
要な部分に第二のレジストパターン７を形成しく第１図
（ｅ））、所望する部分のニクロムを塩酸溶液（液温度
：３５℃、濃度：１８％）でクイックエツチングして抵
抗素子８を得た（第１図（ｆ））。
社製、商品名）で第一のレジストパターン５を形成後、
硫酸銅めっきにより抵抗素子用電極パターンを含む配線
パターン６（厚さ１０μｍ）を形成した（第１図（ｄ）
）。レジストのプリベークは８０℃で１５分間施し、露
光量４００ｍＪ／ｃｍ２でコンタクト露光し、専用液で
現像した。次に、レジストパターン５をアセトンで除去
した後、過硫酸アンモニウム溶液（液温度：４０℃、濃
度： １００ｇ／ｌ）でニクロム層３の所望するパター
ン（硫酸銅めっきを施さなかった部分）が露出するよう
に銅層２の一部分をクイックエツチングした。更に、必
要な部分に第二のレジストパターン７を形成しく第１図
（ｅ））、所望する部分のニクロムを塩酸溶液（液温度
：３５℃、濃度：１８％）でクイックエツチングして抵
抗素子８を得た（第１図（ｆ））。
以上抵抗素子の製造のみに限定されるものではなく、機
能性を有する薄膜としてパーマロイやコバルト系の磁性
膜を使用することも可能であり、又目的に応じた高密度
機能素子の金属膜を形成することもできる。
能性を有する薄膜としてパーマロイやコバルト系の磁性
膜を使用することも可能であり、又目的に応じた高密度
機能素子の金属膜を形成することもできる。
（発明の効果）
本発明により、高密度化された機能素子を汎用の有機配
線基板上に安定して形成することが可能となった。
線基板上に安定して形成することが可能となった。
ポリイミドフィルム（仮基板）
銅層
ニクロム層
プリプレグ
第一のレジストパターン
６、配線パターン
７、第二のレジストパターン
８、抵抗素子
Claims (5)
- １．Ａ．仮基板上に、真空成膜法により配線部となるパ
ターンを構成する銅層を形成後、銅層上に銅層とは別の
機能を有するパターンを構成する一層以上の金属薄層を
形成する工程と、 Ｂ．金属薄層を内側にして絶縁基板材料と積層一体化し
た後仮基板を剥離し銅層及び金属薄層を絶縁基板に転写
する工程と、 Ｃ．転写された銅層の表面に第一のレジストパターンを
形成し、銅めっきを施した後、第一のレジストパターン
を剥離する工程と、 Ｄ．表面に露出している銅層のうち所望する量をエッチ
ング除去した後、第二のレジストパターンを形成し、エ
ッチングにより一層以上の金属薄層を所定のパターンに
加工する工程 とからなることを特徴とする配線板の製造法。 - ２．仮基板が、表面粗さが２．０μｍ以下に調整された
厚さ２０〜５０μｍのステンレス箔、又は厚さ２５〜２
００μｍの高分子フィルムである請求項１記載の配線板
の製造法。 - ３．銅層を形成する真空成膜法に於いて、銅粒子のエネ
ルギー範囲が１ｅＶ〜５０ｅＶである請求項１又は２記
載の配線板の製造法。 - ４．金属薄層がニッケル、クロム、タンタル及びニオブ
から選ばれた少なくとも一種の抵抗膜である請求項１、
２、又は３記載の配線板の製造法。 - ５．金属薄層がパーマロイ及びコバルトから選ばれた少
なくとも一種の磁性膜である請求項１、２、又は３記載
の配線板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1343352A JPH03203393A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 配線版の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1343352A JPH03203393A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 配線版の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03203393A true JPH03203393A (ja) | 1991-09-05 |
Family
ID=18360859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1343352A Pending JPH03203393A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 配線版の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03203393A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005002303A1 (ja) * | 2003-06-30 | 2006-11-24 | イビデン株式会社 | プリント配線板 |
| JP2008201117A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-09-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂付き金属薄膜、印刷回路板及びその製造方法、並びに、多層配線板及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-12-29 JP JP1343352A patent/JPH03203393A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005002303A1 (ja) * | 2003-06-30 | 2006-11-24 | イビデン株式会社 | プリント配線板 |
| JP4606329B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2011-01-05 | イビデン株式会社 | プリント配線板 |
| JP2008201117A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-09-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂付き金属薄膜、印刷回路板及びその製造方法、並びに、多層配線板及びその製造方法 |
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