JPH0894828A - 電着転写用原版およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 線幅が微細であるとともに、膜厚も適度な微
細パターンを高い精度で効率よく形成することができる
高耐久性の電着転写用原版とその製造方法を提供する。 【構成】 少なくとも表面が導電性の基板にクロメート
処理を施して所定パターンのクロメート処理面を形成
し、このクロメート処理面上に絶縁性物質を設けて電気
絶縁性のマスキング層を形成して電着転写用原版とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電着転写用原版およびそ
の製造方法に係り、特に半導体プロセス等の微細加工工
程において被加工物に高い精度で効率よく微細パターン
を形成することができ耐久性の高い電着転写用原版およ
びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、印刷配線や回路パターンの形成、
あるいは薄膜のエッチング用レジストの形成等、微細パ
ターンの形成にはフォトリソグラフィー法、印刷法、所
定パターンのマスキング層を備える原版上に形成した微
細パターンを被加工物上に転写する転写法等がある。

【０００３】しかし、フォトリソグラフィー法は工程が
煩雑であり、また被加工物の大型化に伴って大型露光装
置を含む専用装置が必要となり、装置に要する費用が莫
大なものとなる。

【０００４】また、印刷法はインキの流動性、版の圧力
等の影響やインキの一部が被加工物に転移しないで版上
に残留してしまうこと等に起因して、印刷パターンが変
形し易く、寸法精度および再現性に劣り、画線が１００
μｍ未満の微細パターンの形成には適していないという
問題があった。

【０００５】これに対して、微細パターン転写方法は上
記のような問題がなく、線幅が微細であり膜厚も適度な
微細パターンを高い精度で効率よく形成することが可能
である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、微細パ
ターン転写方法において、同一の原版から何度も微細パ
ターンを形成する場合、原版に形成された微細パターン
を被加工物に転写する際に、被加工物と原版のマスキン
グ層との接触、あるいは被加工物上に設けられた粘着剤
層とマスキング層との接触によりマスキング層が破壊さ
れ、電気絶縁性のマスキング層により原版上に形成され
ている導電部パターンに変形が生じることがある。この
ようにマスキング層が破壊された原版を用いて、原版の
導電部パターン上に電着物質を析出させ微細パターンを
形成した場合、原版上に形成された微細パターンはマス
キング層破壊による導電部パターンの変形を忠実に再現
する。したがって、この原版上の微細パターンを被加工
物上に転写した場合、微細パターンは変形が生じた状態
で転写されてしまうため、半導体プロセス等の微細加工
において重大な欠陥を生じてしまうという問題があっ
た。

【０００７】本発明は上述のような事情に鑑みてなされ
たものであり、線幅が微細であるとともに、膜厚も適度
な微細パターンを高い精度で効率よく形成することがで
きる高耐久性の電着転写用原版とその製造方法を提供す
ることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の電着転写用原版は、少なくとも表面
が導電性の基板と、該基板の表面にクロメート処理面を
介して所定パターンで形成された絶縁性物質からなるマ
スキング層とを備えるような構成とした。

【０００９】また、本発明の電着転写用原版は、少なく
とも表面が導電性の基板と、該基板の表面に所定パター
ンで形成された凹部と、該凹部にクロメート処理面を介
して設けた絶縁性物質からなるマスキング層とを備える
ような構成とした。

【００１０】一方、本発明の電着転写用原版の製造方法
は、少なくとも表面が導電性の基板にクロメート処理を
施して所定パターンのクロメート処理面を形成し、該ク
ロメート処理面上に絶縁性物質を設けてマスキング層を
形成するような構成とした。

【００１１】また、本発明の電着転写用原版の製造方法
は、少なくとも表面が導電性の基板に所定パターンの凹
部を形成し、該凹部にクロメート処理を施してクロメー
ト処理面を形成し、その後、前記凹部に絶縁性物質を設
けてマスキング層を形成するような構成とした。

【００１２】

【作用】基板上に所定のパターンで形成されたクロメー
ト処理面、あるいは、基板に所定のパターンで設けられ
た凹部に形成されたクロメート処理面は、クロム酸塩皮
膜を有しており、上記クロメート処理面上に形成された
マスキング層は、上記のクロム酸皮膜によって基板への
密着性が大幅に向上し、さらに、上記の凹部にマスキン
グ層を形成する場合は、マスキング層と基板との接触面
積が大きくなり、マスキング層と基板との密着力が更に
向上し、基板のマスキング層非形成部（導電部パター
ン）に析出させた電着物質を被加工物に転写する際の被
加工物上に設けられた粘着剤層によるマスキング層の破
壊、および、その他の外力によるマスキング層の破壊は
極めて少ないものとなる。

【００１３】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。

【００１４】図１は本発明の電着転写用原版の一態様で
ある凹版タイプの原版を示す概略構成図である。図１に
おいて、電着転写用原版１は、少なくとも表面が導電性
を示す基板２と、この基板２に所定パターンで形成され
たクロメート処理面４と、このクロメート処理面４に形
成されたマスキング層５とを備える。図示例のように、
この電着転写用原版１では、マスキング層５はその表面
が基板２の表面よりも高く形成されている。

【００１５】また、図２は本発明の電着転写用原版の他
の態様である凸版タイプの原版を示す概略構成図であ
る。図２において、電着転写用原版１１は、少なくとも
表面が導電性を示す基板１２と、この基板１２に所定パ
ターンで形成された凹部１３と、この凹部１３にクロメ
ート処理面１４を介して形成されたマスキング層１５と
を備える。図示例のように、この電着転写用原版１１で
は、マスキング層１５はその表面が基板１２の表面より
も低く形成されている。

【００１６】電着転写用原版１あるいは電着転写用原版
１１に用いる基板２、１２としては、導電性を有するも
のであり、特に基板１２はエッチング処理等により凹部
の形成が可能なものであればよく、ステンレス、チタ
ン、ニッケル等の導電性の金属からなる基板である。こ
のような基板２、１２の厚さは０．２〜２ｍｍ程度が好
ましい。

【００１７】尚、基板２、１２の表面は、後述するメッ
キ層の被加工物への転写においてメッキ層を基板２、１
２から容易に剥離させるためにある程度の鏡面処理を施
されていることが好ましい。

【００１８】ここで、図３および図４を参照して図１に
示される凹版タイプの電着転写用原版１の製造例、図２
に示される凸版タイプの電着転写用原版１１の製造例を
それぞれ説明する。

【００１９】まず、凹版タイプの電着転写用原版１の製
造例を説明する。図３に示されるように、基板２に所定
パターンでフォトレジスト層６を形成する（図３
（ａ））。次に、基板２にクロメート処理を施して、基
板２の露出箇所にクロメート処理面４を形成する（図３
（ｂ））。その後、この基板２の全面に絶縁性物質の塗
布液を塗布して絶縁膜７を形成し（図３（ｃ））、フォ
トレジスト層６を除去すると同時にリフトオフによりフ
ォトレジスト層６上の絶縁膜７を除去して基板２の導電
部を露出する（図２（ｄ））。これにより、基板２には
クロメート処理面４上にのみ絶縁膜７が残存することに
なり、この残存している絶縁膜７を必要に応じて硬化さ
せることによりマスキング層５が形成される。

【００２０】そして、この電着転写用原版１の導電部に
メッキ層８を形成（図３（ｅ））した後、粘着剤層１０
を備えた被加工物９とメッキ層８とを密着させ（図３
（ｆ））、メッキ層８を被加工物９上に転写して微細パ
ターンを形成する（図３（ｇ））。

【００２１】上述のように、本発明の電着転写用原版１
のマスキング層５は、基板２のクロメート処理面４上に
形成されているので基板２との密着力が強い。したがっ
て、上記のような微細パターン形成においてマスキング
層５に加わる種々の外力によるマスキング層５の破壊は
極めて少ないものとなる。なお、チタン基板の場合、ク
ロメート処理前に予めＨＦ−ＮＨ₄ Ｆ液、ＨＦ液等に数
十秒間程度浸漬させることによって、基板２の露出部に
微細凹凸を形成して粗面化させるようにしてもよい。こ
のようにすることにより、クロメート処理面４上に形成
されるマスキング層５の基板２への密着性をさらに向上
させることができる。

【００２２】図３に示した電着転写用原版１の製造例で
は、フォトレジスト層６を除去して、それと同時にリフ
トオフによりフォトレジスト層６上の絶縁膜７を除去し
て基板２の導電部を露出させているが、本発明はこれに
限定されるものではない。例えば、クロメート処理面４
上に電着により電着絶縁性物質を成長させて絶縁膜７と
し、その後、フォトレジスト層６を剥離除去してもよ
い。

【００２３】次に、凸版タイプの電着転写用原版１１の
製造例を説明する。まず、基板１２に所定パターンでフ
ォトレジスト層１６を形成する（図４（ａ））。次に、
基板１２にエッチングを行い凹部１３を形成し（図４
（ｂ））、その後、基板１２にクロメート処理を施して
凹部１３内にクロメート処理面１４を形成する（図４
（ｃ））。次に、フォトレジスト層１６を電着用マスク
として凹部１３に電着膜を成長させて絶縁膜１７を形成
する（図４（ｄ））。その後、フォトレジスト層１６を
除去し、必要に応じて凹部１３内の絶縁膜１７を焼成す
ることにより絶縁性物質からなるマスキング層１５が形
成される（図４（ｅ））。

【００２４】そして、この電着転写用原版１１の導電部
にメッキ層１８を形成（図４（ｆ））した後、粘着剤層
１０を備えた被加工物９とメッキ層１８とを密着させ、
メッキ層１８を被加工物９上に転写して微細パターンを
形成する（図４（ｇ））。

【００２５】上述のように、本発明の電着転写用原版１
１のマスキング層１５は、基板１２の凹部１３に形成さ
れているので基板１２との接触面積が大きく、かつ、ク
ロメート処理面１４上に形成されているので基板１２と
の密着力が強く、また、マスキング層１５は、被加工物
９の粘着剤層１０に接触することがない。したがって、
上記のような微細パターン形成においてマスキング層１
５に加わる種々の外力によるマスキング層１５の破壊は
極めて少ないものとなる。さらに、マスキング層１５の
膜面とメッキ層１８との接触もないことにより、マスキ
ング層１５の破壊がより低減されるとともに、メッキ層
１８の被加工物９上への転写が容易になる。

【００２６】上述にように基板１２にフォトレジスト層
１６をマスクとしてエッチングを行って凹部１３を形成
するには、ディップ、スプレー等のウエットエッチング
や、ドライエッチング、サンドブラスト、機械切削等の
公知の慣用的手段を用いることができる。例えば、基板
がステンレス板の場合は塩化第二鉄液に接触（浸漬な
ど）させることにより、また、基板がチタン板の場合に
はＨＦ−Ｈ₂ Ｏ₂ −Ｈ₂Ｏ液に接触させること等によ
り、好適に行われる。なお、チタン基板の場合、エッチ
ング後にさらにＨＦ−ＮＨ₄ Ｆ液、ＨＦ液等に数十秒間
程度浸漬させることによって、凹部１３表面に微細凹凸
を形成して粗面化させるようにしてもよい。このように
することにより、凹部１３に形成されるマスキング層１
５の基板１２への密着性をさらに向上させることができ
る。

【００２７】上述のマスキング層５、１５を形成するた
めの絶縁性物質としては、アクリル系絶縁性物質、フッ
素系絶縁性物質、四フッ化エチレン分散型電着樹脂、ア
クリル主鎖または側鎖へのフッ素結合型電着樹脂、ポリ
イミド系絶縁性物質、エポキシ系絶縁性物質、熱硬化性
メラミン樹脂系絶縁性物質、ポリエステル系絶縁性物質
等を等を挙げることができる。

【００２８】図３に示した電着転写用原版１１の製造例
における凹部１３内への絶縁膜１７の他の形成方法とし
て、基板１２の全面に絶縁性物質の塗布液を塗布し、そ
の後、ドクタリングにより凹部１３以外の基板１２上の
絶縁性物質を除去してもよい。また、凹部１３を形成し
クロメート処理を施した後、電着転写用原版１の製造例
と同様に、基板１２の全面に絶縁性物質の塗布液を塗布
し、フォトレジスト層１６の除去と同時にリフトオフに
よりフォトレジスト層１６上の絶縁膜１７を除去して基
板１２の導電部を露出させ、凹部１３内にのみ絶縁膜１
７を形成してもよい。あるいは、基板１２の全面に上述
のように絶縁膜１７を形成し、次に、基板１２の表面が
露出するまで絶縁膜１７の全面にエッチングを施すこと
により凹部１３以外の基板１２上の絶縁膜１７を除去す
るようにしてもよい。また、基板１２に凹部１３が形成
され、クロメート処理が施された後、フォトレジスト層
１６をすべて除去した状態で、基板２の全面に絶縁性物
質の塗布液を塗布し、その後、ドクタリングにより凹部
１３以外の基板１２上の絶縁膜を除去して導電部を露出
してもよい。

【００２９】また、図１および図２に示した電着転写用
原版１、１１は、基板２、１２として導電性基板（基板
１２は凹部形成が可能な導電性基板）を用いたものであ
ったが、使用する基板はその表面に上記のような導電性
物質からなる導電性薄膜を形成したものでもよい。図５
および図６は、このような基板を使用した電着転写用原
版の例である。図５において、電着転写用原版２１は、
基板２２ａの表面に導電性薄膜２２ｂを形成した基板２
２を使用している。すなわち、上記の電着転写用原版１
と同様にして基板２２の薄膜２２ｂに所定パターンでク
ロメート処理面２４を形成し、このクロメート処理面２
４上にマスキング層２５が形成されている。また、図６
において、電着転写用原版３１は、基板３２ａの表面に
凹部形成可能な導電性薄膜３２ｂを形成した基板３２を
使用している。そして、上記の電着転写用原版１１と同
様にして基板３２の薄膜３２ｂに凹部３３を形成し、こ
の凹部３３内にクロメート処理面３４を形成し、このク
ロメート処理面３４上にマスキング層３５が形成されて
いる。この電着転写用原版２１、３１においては、基板
２２ａ、３２ａは導電性の基板が望ましいが、薄膜２２
ｂにクロメート処理を施した後、あるいは、薄膜３２ｂ
に凹部３３を形成しクロメート処理を施した後、各導電
部パターンに電圧降下を生じることなく通電することが
可能である場合、基板２２ａ、３２ａはガラス板、ポリ
エチレン、アクリル等の樹脂フィルム等の絶縁性基板で
あってもよい。

【００３０】図７は本発明の電着転写用原版の他の態様
である平版タイプの原版を示す概略構成図である。図７
において、電着転写用原版４１は、基板４２、この基板
４２に所定パターンで形成された凹部４３と、この凹部
４３にクロメート処理面４４を介して形成されたマスキ
ング層４５とを備える。図示例のように、この電着転写
用原版４１では、マスキング層４５の表面は基板４１の
表面とほぼ同一面をなす。

【００３１】電着転写用原版４１に用いる基板４２とし
ては、上述の電着転写用原版１、１１、２１、３１に用
いる基板として挙げたものを用いることができる。

【００３２】次に、図８を参照して図７に示される平版
タイプの電着転写用原版４１の製造例を説明する。図８
に示されるように、まず、基板４２に所定パターンでフ
ォトレジスト層４６を形成する（図８（ａ））。次に、
基板４２にエッチングを行い凹部４３を形成し、この凹
部４３にクロメート処理を施してクロメート処理面４４
を形成する（図８（ｂ））。その後、フォトレジスト層
４６を電着用マスクとして凹部４３に基板４２表面とほ
ぼ同一になるまで電着膜を成長させて絶縁膜４７を形成
する（図８（ｃ））。次に、フォトレジスト層４６を除
去し、基板４２の導電部を露出させる（図８（ｄ））。
そして、基板４２の凹部４３に存在する絶縁膜４７を必
要に応じて硬化させることによりマスキング層４５が形
成される。

【００３３】図９は本発明の電着転写用原版の他の態様
である凹版タイプの原版を示す概略構成図である。図９
において、電着転写用原版５１は、基板５２、この基板
５２の表面に所定パターンで形成された凹部５３と、こ
の凹部５３にクロメート処理面５４を介して形成された
マスキング層５５とを備える。図示例のように、この電
着転写用原版５１では、マスキング層５５の表面は基板
５２の表面よりも高いものとなっている。

【００３４】電着転写用原版５１に用いる基板５２とし
ては、上述の電着転写用原版１、１１、２１、３１に用
いる基板として挙げたものを用いることができる。

【００３５】次に、図１０を参照して図９に示される凹
版タイプの電着転写用原版５１の製造例を説明する。図
１０に示されるように、まず、基板５２に所定パターン
でフォトレジスト層５６を形成する（図１０（ａ））。
次に、基板５２にエッチングを行い凹部５３を形成し、
この凹部５３内にクロメート処理を施してクロメート処
理面５４を形成する（図１０（ｂ））。その後、この基
板５２の全面に絶縁性物質の塗布液を塗布して絶縁膜５
７を形成する（図１０（ｃ））。この絶縁膜５７の形成
は、凹部５３上の絶縁膜５７の表面が基板５２の表面よ
りも高くなるまで行う。その後、フォトレジスト層５６
を除去し、それと同時にリフトオフによりフォトレジス
ト層５６上の絶縁膜５７を除去して基板５２の導電部を
露出する（図１０（ｄ））。これにより、基板５２上に
は凹部５３のみに絶縁膜５７が残存することになり、こ
の残存している絶縁膜５７を硬化させることによりマス
キング層５５が形成される。

【００３６】尚、電着転写用原版５１の製造は、上記の
リフトオフ方式に限定されないことは勿論である。

【００３７】本発明の電着転写用原版では、マスキング
層表面と基板表面との高さの関係は、基板のエッチング
量とマスキング層の厚さにより決まり、図２、図７およ
び図９に示されるように様々な組み合わせにより版構造
が決定される。

【００３８】次に、具体的実施例を示して本発明を更に
詳細に説明する。 （実施例１）チタン（Ｔｉ）製の基板（厚さ０．４ｍ
ｍ）の表面にスピンコート法（回転数１５００r.p.m 、
４０秒間）によりフォトレジスト（東京応化工業（株）
製 ＯＦＰＲ８００）を塗布し、線幅５μｍの所定形状
のマスクを用いて露光処理、現像処理を行って所定パタ
ーンを有するフォトレジスト層（膜厚１．０μｍ）を形
成した。

【００３９】次に、ＨＦ（２．５ｗｔ％）−Ｈ₂ Ｏ₂
（１５ｗｔ％）液中でＴｉ基板の露出部をエッチング
（２分間浸漬、エッチング深さ２μｍ）し、凹部を形成
した。その後、マスキング層を構成する電着物質の基板
密着性をより向上させることを目的にＨＦ−ＮＨ₄ 液中
で凹部表面を粗面化した（３０秒間浸漬）。

【００４０】次に、上記の基板を陰極にして下記のクロ
メート処理条件により凹部面にクロメート処理を施し
た。

【００４１】クロメート処理条件 ・クロメート浴： エレコート コネクター（（株）シ
ミズ製） ・ｐＨ ： ４．５ ・液 温 ： ２５℃ ・電流密度 ： １Ａ／ｄｍ² ・時 間 ： １分 ・膜 厚 ： ０．５μｍ 次に、フォトレジスト層を電着用マスクとして凹部に四
フッ化エチレン分散型電着樹脂（（株）シミズ製 エレ
コートナイスロン）を２５ｍＡ／ｄｍ² にて下地電着
後、２０Ｖ定電圧で約９０秒間の電着を行い、上記の凹
部にＴｉ基板表面と同一になるまで電着膜（絶縁膜）を
成長させた。

【００４２】次いで、この基板に対して循環オーブン中
で１１０℃、３０分間の焼き付けを行った後、フォトレ
ジスト層のみを３０秒間アセトン浸漬にて溶解除去し
た。次に、電着樹脂のみオーブンにて焼き付け（１８０
℃、３０分間）てマスキング層とし、平版構造の電着転
写用原版を作製した。

【００４３】上記のようにして作製した電着転写用原版
の導電部に下記のメッキ条件にしたがって銅メッキを行
い、銅メッキ層（厚さ約１．５μｍ）を形成した。

【００４４】メッキ条件 ・メッキ浴組成： ピロリン酸銅 … ９４ｇ／ｌ ピロリン酸カリウム … ３４０ｇ／ｌ Ｐ比 … ７．０ ・ｐＨ ： ８．８ ・液 温 ： ５５℃ ・電流密度 ： ５Ａ／ｄｍ² ・時間 ： １．５分 その後、被加工物（ガラス板上に形成されたクロム薄
膜）にアクリル系粘着剤（日本カーバイド工業（株）製
ＰＥ−１１８）をスピンコート法（回転数３０００ｒ
ｐｍ、３０秒）で塗布し、この被加工物の粘着剤面を電
着転写用原版に密着後、原版の裏面から加圧ロールを速
度５０ｃｍ／分にて転動させて圧着後、電着転写用原版
を剥離して銅メッキ層を被加工物に転写した。このよう
にして電着転写用原版から転写して形成された銅メッキ
層からなる各微細パターンの解像度は５μｍであった。
この時、従来の方式でみられたような原版のマスキング
層の破壊は全く観察されなかった。

【００４５】その後、この電着転写用原版を用いて同様
の微細パターン形成を１００回繰り返し行った。その結
果、１００回目に形成した微細パターンは、パターンの
変形が認められず、また、解像度を測定したところ１回
目の微細パターンと同じであり、本発明の電着転写用原
版が優れた耐久性をもち、高精度の微細パターン形成が
可能であることが確認された。 （実施例２）実施例１と同様にして、Ｔｉ基板に凹部を
形成し、この凹部表面を粗面化した後、クロメート処理
を施した。

【００４６】次に、ビスフェノール型エポキシ樹脂（シ
ェル化学社製 エピコート１００１）８０重量部、テト
ラヒドロ無水フタル酸１８重量部、エチレングリコール
２重量部を主成分とする水分散型ワニスにイオン交換水
を加えて全不揮発分５％の電着液を調製した。

【００４７】次に、上記の電着液を用いフォトレジスト
層を電着用マスクとして１００Ｖ定電圧で電着を行い、
上記の凹部にＴｉ基板表面と同一になるまでエポキシ電
着樹脂からなる電着膜（絶縁膜）を成長させた。その
後、フォトレジスト層を基板から剥離し平版構造の電着
転写用原版を作製した。

【００４８】この電着転写用原版を用いて実施例１と同
様に銅メッキ層からなる微細パターンを被加工物上に転
写したところ、微細パターンの解像度は５μｍであっ
た。また、この電着転写用原版を用いて実施例と同様に
微細パターン形成を１００回繰り返し行った結果、１０
０回目に形成した微細パターンは、パターンの変形が認
められず、また、解像度を測定したところ１回目の微細
パターンと同じであり、本発明の電着転写用原版が優れ
た耐久性をもち、高精度の微細パターン形成が可能であ
ることが確認された。 （実施例３）実施例１と同様にして、Ｔｉ基板に凹部を
形成し、この凹部表面を粗面化した後、クロメート処理
を施した。

【００４９】次に、ｐ−フェニレンジアミン３．３重量
部をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアルデヒド９０重量部に溶
解し、ピロメリット酸二無水物６．７重量部を加えて室
温で１０時間反応させてポリアミック酸溶液とした後、
トリエチルアミン１．８重量部を加えて室温で１時間反
応させて、ポリアミック酸塩溶液とした。この溶液６０
重量部にメタノール４０重量部を加えて電着液とした。

【００５０】次に、上記の電着液を用いフォトレジスト
層を電着用マスクとして５０Ｖ定電圧で電着を行い、上
記の凹部にＴｉ基板表面と同一になるまでポリアミック
酸薄膜からなる電着膜（絶縁膜）を成長させた。その
後、フォトレジスト層を基板から剥離し、続いて基板を
ピリジン：無水酢酸：ベンゼン＝１：１：３（体積比）
の割合で混合した溶液中に室温で１２時間浸漬して表面
にポリイミド皮膜からなるマスキング層を有する平版構
造の電着転写用原版を作製した。

【００５１】この電着転写用原版を用いて実施例１と同
様に銅メッキ層からなる微細パターンを被加工物上に転
写したところ、微細パターンの解像度は５μｍであっ
た。また、この電着転写用原版を用いて実施例と同様に
微細パターン形成を１００回繰り返し行った結果、１０
０回目に形成した微細パターンは、パターンの変形が認
められず、また、解像度を測定したところ１回目の微細
パターンと同じであり、本発明の電着転写用原版が優れ
た耐久性をもち、高精度の微細パターン形成が可能であ
ることが確認された。 （実施例４）実施例１と同様にして、Ｔｉ基板に凹部を
形成し、この凹部表面を粗面化した後、クロメート処理
を施した。

【００５２】次に、ポリエステル樹脂（神東塗料社製）
６０重量部、メラミン樹脂（三和ケミカル社製 ニカラ
ックＭＸ−４０）１５重量部、ブチルセルソルブ４５重
量部、ｎ−ブタノール５重量部、トリエチルアミン４重
量部、イオン交換水８００重量部からなる電着液を調製
した。

【００５３】次に、上記の電着液を用いフォトレジスト
層を電着用マスクとして２０Ｖ定電圧で電着を行い、上
記の凹部にＴｉ基板表面と同一になるまでポリエステル
系メラミン電着樹脂からなる電着膜（絶縁膜）を成長さ
せた。その後、フォトレジスト層を基板から剥離し、オ
ーブン中で１７５℃、３０分間焼成を行いマスキング層
を形成することにより平版構造の電着転写用原版を作製
した。

【００５４】この電着転写用原版を用いて実施例１と同
様に銅メッキ層からなる微細パターンを被加工物上に転
写したところ、微細パターンの解像度は５μｍであっ
た。また、この電着転写用原版を用いて実施例と同様に
微細パターン形成を１００回繰り返し行った結果、１０
０回目に形成した微細パターンは、パターンの変形が認
められず、また、解像度を測定したところ１回目の微細
パターンと同じであり、本発明の電着転写用原版が優れ
た耐久性をもち、高精度の微細パターン形成が可能であ
ることが確認された。 （実施例５）実施例１と同様にして、Ｔｉ基板に凹部を
形成し、この凹部表面を粗面化した後、クロメート処理
を施した。

【００５５】次に、フォトレジスト層を電着用マスクと
して凹部にアクリル系電着樹脂（（株）シミズ製 エレ
コートＡＭ１）を２０Ｖ定電圧で約９０秒間の電着を行
い、上記の凹部にＴｉ基板表面と同一になるまでアクリ
ル系電着樹脂からなる電着膜（絶縁膜）を成長させた。
その後、この基板に対して循環オーブン中で１１０℃、
３０分間の焼き付けを行った後、フォトレジスト層のみ
を３０秒間アセトン浸漬にて溶解除去し、電着樹脂のみ
オーブンにて焼き付け（１８０℃、３０分間）てマスキ
ング層とし、平版構造の電着転写用原版を作製した。

【００５６】この電着転写用原版を用いて実施例１と同
様に銅メッキ層からなる微細パターンを被加工物上に転
写したところ、微細パターンの解像度は５μｍであっ
た。また、この電着転写用原版を用いて実施例と同様に
微細パターン形成を１００回繰り返し行った結果、１０
０回目に形成した微細パターンは、パターンの変形が認
められず、また、解像度を測定したところ１回目の微細
パターンと同じであり、本発明の電着転写用原版が優れ
た耐久性をもち、高精度の微細パターン形成が可能であ
ることが確認された。 （実施例６）実施例１と同様にして、Ｔｉ基板に凹部を
形成し、この凹部表面を粗面化した。

【００５７】次に、上記の基板を下記の条件のクロメー
ト浴中に浸漬にしてクロメート処理を施した。

【００５８】浸漬クロメート処理条件 ・クロメート浴： セフトクロメートＢＲ（（株）シミ
ズ製） ・液 温 ： ２５℃ ・浸漬時間 ： １０秒 次に、フォトレジスト層を電着用マスクとして凹部にア
クリル系電着樹脂（（株）シミズ製 エレコートＡＭ
１）を２０Ｖ定電圧で約６０秒間の電着を行い、厚み約
１μｍの電着膜（絶縁膜）を成長させた。その後、この
基板に対して循環オーブン中で１１０℃、３０分間の焼
き付けを行った後、フォトレジスト層のみを３０秒間ア
セトン浸漬にて溶解除去し、電着樹脂のみオーブンにて
焼き付け（１８０℃、３０分間）てマスキング層とし、
凸版構造の電着転写用原版を作製した。

【００５９】この電着転写用原版を用いて実施例１と同
様に銅メッキ層からなる微細パターンを被加工物上に転
写したところ、微細パターンの解像度は５μｍであっ
た。また、この電着転写用原版を用いて実施例と同様に
微細パターン形成を１００回繰り返し行った結果、１０
０回目に形成した微細パターンは、パターンの変形が認
められず、また、解像度を測定したところ１回目の微細
パターンと同じであり、本発明の電着転写用原版が優れ
た耐久性をもち、高精度の微細パターン形成が可能であ
ることが確認された。 （実施例７）実施例１と同様にしてＴｉ基板上に所定パ
ターンを有するフォトレジスト層（膜厚１．０μｍ）を
形成した。

【００６０】次に、凹部を形成することなく実施例１と
同様にしてＴｉ基板の露出部分にクロメート処理を施し
た。その後、フォトレジスト層を電着用マスクとしてク
ロメート処理面に四フッ化エチレン分散型電着樹脂
（（株）シミズ製 エレコートナイスロン）を２５ｍＡ
／ｄｍ² にて下地電着後、２０Ｖ定電圧で約９０秒間の
電着を行い、厚み２μｍの電着膜（絶縁膜）を成長させ
た。

【００６１】次いで、この基板に対して循環オーブン中
で１１０℃、３０分間の焼き付けを行った後、フォトレ
ジスト層のみを３０秒間アセトン浸漬にて溶解除去し
た。次に、電着樹脂のみオーブンにて焼き付け（１８０
℃、３０分間）てマスキング層とし、図１に示されるよ
うな凹版構造の電着転写用原版を作製した。

【００６２】この電着転写用原版を用いて実施例１と同
様に銅メッキ層からなる微細パターンを被加工物上に転
写したところ、微細パターンの解像度は５μｍであっ
た。また、この電着転写用原版を用いて実施例と同様に
微細パターン形成を１００回繰り返し行った結果、１０
０回目に形成した微細パターンは、パターンの変形が認
められず、また、解像度を測定したところ１回目の微細
パターンと同じであり、本発明の電着転写用原版が優れ
た耐久性をもち、高精度の微細パターン形成が可能であ
ることが確認された。 （実施例８）実施例６と同様にして、Ｔｉ基板に凹部を
形成し、この凹部表面を粗面化した後、クロメート処理
を施した。

【００６３】次に、フォトレジスト層を電着用マスクと
して凹部にアクリル系電着樹脂（（株）シミズ製 エレ
コートＡＭ１）を３０Ｖ定電圧で約９０秒間の電着を行
い、厚み約３μｍの電着膜（絶縁膜）を成長させた。そ
の後、この基板に対して循環オーブン中で１１０℃、３
０分間の焼き付けを行った後、フォトレジスト層のみを
３０秒間アセトン浸漬にて溶解除去し、電着樹脂のみオ
ーブンにて焼き付け（１８０℃、３０分間）てマスキン
グ層とし、図９に示されるような凹版構造の電着転写用
原版を作製した。

【００６４】この電着転写用原版を用いて実施例１と同
様に銅メッキ層からなる微細パターンを被加工物上に転
写したところ、微細パターンの解像度は５μｍであっ
た。また、この電着転写用原版を用いて実施例と同様に
微細パターン形成を１００回繰り返し行った結果、１０
０回目に形成した微細パターンは、パターンの変形が認
められず、また、解像度を測定したところ１回目の微細
パターンと同じであり、本発明の電着転写用原版が優れ
た耐久性をもち、高精度の微細パターン形成が可能であ
ることが確認された。

【００６５】（比較例）基板に凹部を設けず、かつ、ク
ロメート処理を施すことなくマスキング層を形成した以
外は上記実施例１と同様にして電着転写用原版を作製し
た。そして、実施例１と同様にして銅メッキ層形成およ
び被加工物への転写を繰り返し行ったところ、１０回目
に形成した微細パターンにおいてパターンの変形が認め
られた。

【００６６】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば基
板に所定パターンで形成されたマスキング層は、基板の
クロメート処理面上、あるいは、基板に設けられた凹部
のクロメート処理面上に形成されているため、従来の基
板表面（平面）上に形成されたマスキング層に比べて基
板との接触面積が大きく、マスキング層と基板との密着
力が強いものとなり、基板のマスキング層非形成部（導
電部パターン）に析出させた電着物質を被加工物に転写
する際のマスキング層の破壊は極めて少ないものとな
る。また、上記のマスキング層と基板との密着力の他
に、原版の構造により原版の耐久性が影響を受け、例え
ば、凸版タイプ、平版タイプの原版構造の場合、転写時
にマスキング層は原版から剥離する電着物質からの外力
を受けないため、マスキング層の破壊は低減され、耐久
性は向上し、また、凸版タイプの原版構造の場合、被加
工物上の粘着剤層とマスキング層が接触することなく転
写が行われるので、粘着剤層によるマスキング層の破壊
はなくなり、原版の耐久性がより向上する。これによ
り、膜厚が均一で線幅も一定な寸法精度の高い微細パタ
ーンを多数回に亘って被加工物に転写することのできる
優れた耐久性を備える電着転写用原版が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電着転写用原版の一態様である凹版タ
イプの原版を示す概略構成図である。

【図２】本発明の電着転写用原版の他の態様である凸版
タイプの原版を示す概略構成図である。

【図３】図１に示される原版の製造例を説明するための
図である。

【図４】図２に示される原版の製造例を説明するための
図である。

【図５】本発明の電着転写用原版の凹版タイプの他の態
様を示す概略構成図である。

【図６】本発明の電着転写用原版の凸版タイプの他の態
様を示す概略構成図である。

【図７】本発明の電着転写用原版の他の態様である平版
タイプの原版を示す概略構成図である。

【図８】図７に示される原版の製造例を説明するための
図である。

【図９】本発明の電着転写用原版の他の態様である凹版
タイプの原版を示す概略構成図である。

【図１０】図９に示される原版の製造例を説明するため
の図である。

【符号の説明】

１，１１，２１，３１，４１，５１…電着転写用原版 ２，１２，２２，３２，４２，５２…基板 １３，３３，４３，５３…凹部 ４，１４，２４，３４，４４，５４…クロメート処理面 ５，１５，２５，３５，４５，５５…マスキング層 ６，１６，４６，５６…レジスト層 ７，１７，４７，５７…絶縁膜 ８，１８…メッキ層 ９…被加工物 １０…粘着剤層

Claims (25)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも表面が導電性の基板と、該基
   板の表面にクロメート処理面を介して所定パターンで形
   成された絶縁性物質からなるマスキング層とを備えるこ
   とを特徴とする電着転写用原版。
2. 【請求項２】 少なくとも表面が導電性の基板と、該基
   板の表面に所定パターンで形成された凹部と、該凹部に
   クロメート処理面を介して設けた絶縁性物質からなるマ
   スキング層とを備えることを特徴とする電着転写用原
   版。
3. 【請求項３】 前記クロメート処理面は粗面であること
   を特徴とする請求項１または請求項２に記載の電着転写
   用原版。
4. 【請求項４】 前記マスキング層は、アクリル系絶縁性
   物質からなることを特徴とする請求項１乃至請求項３の
   いずれかに記載の電着転写用原版。
5. 【請求項５】 前記マスキング層は、フッ素系絶縁性物
   質からなることを特徴とする請求項１乃至請求項３のい
   ずれかに記載の電着転写用原版。
6. 【請求項６】 前記マスキング層は、四フッ化エチレン
   分散型電着樹脂もしくはアクリル主鎖または側鎖へのフ
   ッ素結合型電着樹脂からなることを特徴とする請求項１
   乃至請求項３のいずれかに記載の電着転写用原版。
7. 【請求項７】 前記マスキング層は、ポリイミド系絶縁
   性物質からなることを特徴とする請求項１乃至請求項３
   のいずれかに記載の電着転写用原版。
8. 【請求項８】 前記マスキング層は、エポキシ系絶縁性
   物質からなることを特徴とする請求項１乃至請求項３の
   いずれかに記載の電着転写用原版。
9. 【請求項９】 前記マスキング層は、熱硬化性メラミン
   樹脂系絶縁性物質からなることを特徴とする請求項１乃
   至請求項３のいずれかに記載の電着転写用原版。
10. 【請求項１０】 前記マスキング層は、ポリエステル系
    絶縁性物質からなることを特徴とする請求項１乃至請求
    項３のいずれかに記載の電着転写用原版。
11. 【請求項１１】 前記マスキング層は、その表面が前記
    基板の表面よりも高いことを特徴とする請求項１乃至請
    求項１０のいずれかに記載の電着転写用原版。
12. 【請求項１２】 前記マスキング層は、その表面が前記
    基板の表面とほぼ同一面をなすものであることを特徴と
    する請求項２乃至請求項１０のいずれかに記載の電着転
    写用原版。
13. 【請求項１３】 前記マスキング層は、その表面が前記
    基板の表面よりも低いことを特徴とする請求項２乃至請
    求項１０のいずれかに記載の電着転写用原版。
14. 【請求項１４】 少なくとも表面が導電性の基板にクロ
    メート処理を施して所定パターンのクロメート処理面を
    形成し、該クロメート処理面上に絶縁性物質を設けてマ
    スキング層を形成することを特徴とする電着転写用原版
    の製造方法。
15. 【請求項１５】 少なくとも表面が導電性の基板に所定
    パターンの凹部を形成し、該凹部にクロメート処理を施
    してクロメート処理面を形成し、その後、前記凹部に絶
    縁性物質を設けてマスキング層を形成することを特徴と
    する電着転写用原版の製造方法。
16. 【請求項１６】 前記基板上に所定パターンのレジスト
    を形成した後、前記基板のレジスト非形成部にエッチン
    グ法、サンドブラスト法および機械切削法のいずれかに
    より前記凹部を形成することを特徴とする請求項１５に
    記載の電着転写用原版の製造方法。
17. 【請求項１７】 前記基板上に所定パターンのレジスト
    を形成した後、前記基板のレジスト非形成部に前記クロ
    メート処理を施した後、前記クロメート処理面に電着に
    より前記絶縁性物質からなる絶縁膜を形成し、その後、
    前記レジストを剥離することを特徴とする請求項１４乃
    至請求項１６のいずれかに記載の電着転写用原版の製造
    方法。
18. 【請求項１８】 前記クロメート処理面を形成した前記
    基板の全面に前記絶縁性物質からなる絶縁膜を形成し、
    その後、前記クロメート処理面上以外の前記基板上の前
    記絶縁膜を除去することによって前記マスキング層を形
    成することを特徴とする請求項１４乃至請求項１６のい
    ずれかに記載の電着転写用原版の製造方法。
19. 【請求項１９】 前記基板の表面が露出するまで前記絶
    縁膜の全面にエッチングを施すことにより前記クロメー
    ト処理面上以外の前記基板上の前記絶縁膜を除去するこ
    とを特徴とする請求項１８に記載の電着転写用原版の製
    造方法。
20. 【請求項２０】 前記基板上に電離放射線硬化型の絶縁
    性物質からなる絶縁膜を形成し、その後、前記クロメー
    ト処理面の位置に対応する絶縁膜を硬化させ、前記クロ
    メート処理面上以外の前記基板上の前記絶縁膜を除去す
    ることを特徴とする請求項１８に記載の電着転写用原版
    の製造方法。
21. 【請求項２１】 前記クロメート処理面の位置に対応す
    るように前記絶縁膜上にフォトレジスト層を形成し、該
    フォトレジスト層をマスクとしてエッチングにより前記
    クロメート処理面上以外の前記基板上の前記絶縁膜を除
    去した後、前記フォトレジスト層を除去することを特徴
    とする請求項１８に記載の電着転写用原版の製造方法。
22. 【請求項２２】 ドクタリングにより前記クロメート処
    理面上以外の前記基板上の前記絶縁膜を除去することを
    特徴とする請求項１８に記載の電着転写用原版の製造方
    法。
23. 【請求項２３】 前記基板上に所定パターンのレジスト
    を形成した後、前記基板のレジスト非形成部に前記クロ
    メート処理を施した後、前記レジストを残した状態で前
    記基板の全面に前記絶縁性物質からなる絶縁膜を形成
    し、その後、前記レジストを剥離すると同時にリフトオ
    フにより前記レジスト上の前記絶縁膜を除去することに
    よって前記クロメート処理面に前記マスキング層を形成
    することを特徴とする請求項１４乃至請求項１６に記載
    の電着転写用原版の製造方法。
24. 【請求項２４】 前記基板の所定箇所を粗面化した後、
    該箇所にクロメート処理を施すことを特徴とする請求項
    １４または請求項１７乃至請求項２３のいずれかに記載
    の電着転写用原版の製造方法。
25. 【請求項２５】 前記凹部を粗面化した後、前記クロメ
    ート処理を施すことを特徴とする請求項１５乃至請求項
    ２３にいずれかに記載の電着転写用原版の製造方法。