JP2014001409A - ステンレス基板への高分子化合物層と金めっきパターンの形成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高分子化合物層と、薄く欠陥のない金めっき層のパターンとをステンレス基板の所望部位に形成する方法を提供する。
【解決手段】第１めっき工程にて、ステンレス基板１に前処理を施した後、全面あるいは所望の部位に塩酸めっき液を用いて第１金めっき層１１を形成し、高分子化合物層形成工程にて、第１金めっき層上の所望の部位に高分子化合物を溶融圧着して高分子化合物層１５を設け、第２めっき工程にて、高分子化合物層の存在しない領域の第１金めっき層上に、マスクめっきにより所望のパターンで第２金めっき層１２を形成し、その後、剥離工程にて、第２金めっき層および高分子化合物層の存在しない領域の第１金めっき層を、アルカリ系剥離液を用いて剥離除去して、部分金めっきパターン１０を形成する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、ステンレス鋼、特にステンレス基板の所望部位への高分子化合物層の形成と、部分的に金めっきパターンを形成する方法に関する。

従来から、ステンレス鋼は基板等の形態としてコネクタ、燃料電池、ハードディスクサスペンション、デバイスケース等の種々の製品に用いられている。そして、ステンレス基板の耐食性を部分的に高めたり、外部接続導通のために、例えば、ステンレス基板に表面粗化を施した後、銅、ニッケル、銀、金等の導電性材料を析出させることが行われている（特許文献１）。

また、所望の高分子化合物層をステンレス基板上に配設することにより、表面緩衝機能、制振機能、表面めっきエリアの制限機能等を付与することが行われている。例えば、ハードディスクサスペンションでは、ステンレス鋼からなるロードビーム上に、樹脂フィルムからなる拘束体と接着剤からなる粘弾性体とが積層されてなる高分子化合物層が貼合され、制振機能が付与されている（特許文献２〜６）。また、ステンレス基板上に表面粗度の大きい導電性金属層を形成し、この導電性金属層上にポリイミド系樹脂等の絶縁体層、電気回路形成用の金属箔層を積層したハードディスクサスペンション用材料が知られている（特許文献７）。さらに、磁気ディスク装置ケースのトップカバーに取り付ける呼吸フィルター装置であって、ケースに作用する振動を抑制するための制振部材を備えた呼吸フィルター装置が開発されている（特許文献８）。
一方、ステンレス基板の表面に存在する不動態被膜と樹脂との接着性が低いため、ステンレス基板表面にレーザー加工を施したり、無機珪素化合物を含むプライマー層を設けることにより、樹脂との接着性を向上させることが行われている（特許文献９、１０）。

特開２００３−２４７０９７号公報 特開平１０−１６２５３２号公報 特開平１１−１８５４１５号公報 特開平１１−６６７８０号公報 特開２００１−８２５３７号公報 特開２０１０−２０８２７号公報 特開２００７−２２０７８５号公報 特開２０００−２２２８７３号公報 特開２０１０−１６７４７５号公報 特開２０１０−２２８２５７号公報

しかし、例えば、拘束体と粘弾性体とを積層した高分子化合物層であって、粘弾性体に接着剤を使用したものをステンレス基板に貼り付けた後、当該高分子化合物層に隣接するように、部分的に金めっきパターンを形成する場合、ウエットプロセスであるめっき処理中に、高分子化合物層を構成する粘弾性体が溶解して、ステンレス基板に対する密着性が低下するおそれがある。また、拘束体と粘弾性体の界面でも、ウエットプロセス中に粘弾性体の溶解が進んで、両者の剥離を起すおそれがある。
一方、ステンレス基板上に予め形成した導電性金属層上への高分子化合物層の形成は、不動態被膜が存在するステンレス基板表面に直接高分子化合物層を形成する場合に比べて、密着性が高いものとなる。しかし、当該高分子化合物層に隣接するように、部分的に金めっきパターンを形成するには、ウエットプロセスであるめっき処理が必要であり、高分子化合物層が粘弾性体を備える場合、上記と同様に、粘弾性体の溶解が生じるおそれがある。また、粘弾性体を備えない高分子化合物層であっても、ウエットプロセスであるめっき処理におけるアルカリ系剥離液により、導電性金属層に対する密着性が低下するおそれがある。

また、上記のようなステンレス基板上への導電性金属層の形成では、ステンレス基板表面に存在する不動態被膜の除去が必要であるが、ステンレス基板の不動態被膜の除去処理が不十分であると、導電性金属層の密着性が不均一となったり、密着不良が発生する。逆に、不動態被膜の除去処理が過度になるとステンレス基板の表面腐蝕が発生するという問題があった。このため、ステンレス基板表面に存在する不動態被膜を除去しながら導電性金属層を形成できるめっき処理が最も有効的であると考えられるが、このようなめっき種は限定され、単層での導電性金属層形成には大きな制約が存在する。一方、良好な密着性が得られるめっき種を用いて中間層を形成し、この中間層上に所望の導電性金属層を形成することとなれば、工程数が多くなり、生産効率に影響を及ぼすことになる。

また、特許文献７に記載のように、表面粗度の大きい導電性金属膜を形成するためには、めっき層を厚くする必要があるが、めっき層を厚くすると、めっき処理時間が長くなり、ステンレス基板上の不動態被膜の局所的な除去作用が生じ、めっき層の密着性が向上する半面、選択的に鉄成分を溶解させるような孔蝕現象が発生するという問題があった。
本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、高分子化合物層と、薄く欠陥のない金めっき層のパターンとをステンレス基板の所望部位に形成する方法を提供することを目的とする。

このような課題を解決するために、本発明は、ステンレス基板に前処理を施した後、該ステンレス基板の全面、あるいは、所望の部位に、塩酸めっき液を用いて第１金めっき層を形成する第１めっき工程と、該第１金めっき層上の所望の部位に高分子化合物を溶融圧着して高分子化合物層を設ける高分子化合物層形成工程と、該高分子化合物層の存在しない領域の前記第１金めっき層上に、マスクめっきにより所望のパターンで第２金めっき層を形成する第２めっき工程と、該第２金めっき層および前記高分子化合物層の存在しない領域の前記第１金めっき層を、アルカリ系剥離液を用いて剥離除去する剥離工程と、を有するような構成とした。

また、本発明は、ステンレス基板に前処理を施した後、該ステンレス基板の全面、あるいは、所望の部位に、塩酸めっき液を用いて第１金めっき層を形成する第１めっき工程と、該第１金めっき層の所望の部位のみが露出するように高分子化合物を溶融圧着してめっきマスクを形成するマスク形成工程と、該めっきマスクの存在しない領域の前記第１金めっき層上に第２金めっき層を形成する第２めっき工程と、所望部位を残すように前記めっきマスクを溶解除去し、該所望部位を高分子化合物層として前記第１金めっき層上に位置させる高分子化合物層形成工程と、該高分子化合物層および前記第２金めっき層の存在しない領域の前記第１金めっき層を、アルカリ系剥離液を用いて剥離除去する剥離工程と、を有するような構成とした。

本発明の他の態様として、前記第１金めっき工程では、ステンレス基板の所望の部位を露出させ、かつ、形成する第１金めっき層の厚みよりも厚くなるようにレジストパターンを形成し、該レジストパターンを介して第１金めっき層を形成するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記第２めっき工程では、シアン系めっき液を使用するような構成とし、また、前記第１金めっき層の厚みを０．０１０μｍ以上０．１０μｍ未満の範囲とするような構成とした。
本発明の他の態様として、前記第２めっき工程では、塩酸系めっき液を使用するような構成とし、また、前記第１金めっき層の厚みを０．０１５μｍ以上０．１０μｍ未満の範囲とするような構成とした。
本発明の他の態様として、前記第１めっき工程におけるステンレス基板の前処理は、アルカリ洗浄処理と塩酸浸漬処理を含むような構成とした。
本発明の他の態様として、前記第１めっき工程の後、前記第２めっき工程の後に、金イオン回収を行うような構成とした。

本発明の他の態様として、前記第２めっき工程で形成する第２金めっき層は、前記第１めっき工程で形成する第１金めっき層より厚く形成されるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記ステンレス基板として、対向する主平面と、該主平面とは異なる面で構成される加工部位とを有するステンレス基板を使用するような構成とし、また、前記加工部位は、凹部および／または貫通孔であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記第２めっき工程では、前記主平面における前記加工部位の面積より小さい面積の開口部を有するマスクを使用し、前記加工部位にのみ第２金めっき層を形成するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記剥離工程後における部分金めっきパターンの厚みを、前記高分子化合物層の厚みに比べ１／１０未満とするような構成とした。

本発明によれば、前処理を施したステンレス基板の全面、あるいは、所望の部位に、第１金めっき層を塩酸めっき液を用いて形成するので、ステンレス基板と第１金めっき層との密着性が良好なものとなる。また、第１金めっき層上に高分子化合物を溶融圧着して高分子化合物層を設けるので、ステンレス基板上に直接高分子化合物層を形成する場合に比べて、良好な密着性が得られるとともに、その後の第２金めっき層形成であるウエットプロセスでの密着性低下が抑制される。さらに、第１金めっき層の所望の部位にのみ、所望のパターンで第２金めっき層を形成し、その後、アルカリ系剥離液を用いて第１金めっき層を剥離除去するので、ステンレス基板の侵食が防止される。また、第１金めっき層と第２金めっき層との間にイオン化傾向の差異が存在しないので、第２金めっき層の侵食が発生せず、第２金めっき層の厚みを薄くすることができる。これにより、ステンレス基板への１μｍ以下の薄膜パターン形成が可能となる。また、形成された金めっき層のパターンは２層構造でありながら２層とも金めっき層であるため、層間での電池反応も起きない安定した被膜となる。さらに、ステンレス基板が金めっきパターンの不要な部位を有する場合には、この部位を露出させることができるので、予めステンレス基板に加工が施されている場合であっても、この加工部位の活用に支障を来すことがない。また、レジストパターンを用いて所望の部位にのみ金めっき層を形成する場合には、金使用量を抑えることができ、効率的に金めっきパターンを形成することができる。

本発明のステンレス基板への高分子化合物層と部分金めっきパターンの形成方法の一実施形態を説明するための工程図である。 加工部位を有するステンレス基板の他の例を示す部分断面図である。 本発明のステンレス基板への高分子化合物層と部分金めっきパターンの形成方法の他の実施形態を説明するための工程図である。本発明の部分金めっきパターンの形成方法の一例を説明するための工程図である。 部分金めっきパターンの形成方法の他の例を説明するための図である。 本発明のステンレス基板への高分子化合物層と部分金めっきパターンの形成方法の他の実施形態を説明するための工程図である。

以下、本発明の実施形態について説明する。
＜第１の実施形態＞
図１は、ステンレス基板への高分子化合物層と部分金めっきパターンの形成方法の一実施形態を説明するための工程図である。
本実施形態では、第１めっき工程にて、ステンレス基板１に前処理を施した後、このステンレス基板１の全面に塩酸めっき液を用いて第１金めっき層１１を直接形成する（図１（Ａ））。
ステンレス基板１のステンレス鋼には特に制限はなく、例えば、オーステナイト系、フェライト系のステンレス鋼からなるものであってよい。図示例のステンレス基板１は、対向する主平面１ａ，１ｂを有し、この主平面１ａ，１ｂとは異なる壁面２ａで構成される貫通孔２を加工部位として有しており、主平面１ａ，１ｂと、加工部位である貫通孔２を構成する壁面２ａに第１金めっき層１１が形成される。加工部位としての貫通孔２は、その数、位置、大きさ、形状には制限はない。
尚、本発明において主平面とは、エッチング加工やプレス加工等の加工を施す前の状態において、ステンレス基板の厚み方向で対向する一対の平面のことである。

ステンレス基板１に対する前処理は、表面の脱脂、不動態被膜を除去して活性化することが目的であり、例えば、アルカリ浸漬処理、アルカリ電解処理、酸電解処理、酸浸漬処理等の処理方法から適宜選択して行うことができる。尚、前処理を施した後、第１金めっき層１１の形成までの移行時間は、ステンレス基板１に不動態被膜が再形成されない程度の範囲とする。
また、第１金めっき層１１の形成は、塩酸めっき液を用いて行われる。使用する塩酸めっき液は、ステンレス基板１の侵食防止とめっき時間の短縮化とを考慮したものを使用することが好ましい。例えば、対象となるステンレス基板１の表面への微小孔蝕の発生程度が単位面積（ｍｍ²）当り２個以下となるように調製された塩酸めっき液を使用することができる。ここで、微小孔蝕の測定は、塩酸めっき液中にステンレス基板を１０秒間浸漬し、水洗して乾燥させた後に走査電子顕微鏡で観察して測定する。このような塩酸めっき液を使用することにより、金めっき中に、同時作用としてステンレス基板１の表面に適度の溶解が生じ、これにより第１金めっき層１１とステンレス基板１との密着性は良好なものとなる。

形成する第１金めっき層１１の厚みの上限は０．１５μｍとすることができ、０．１０μｍ未満とすることが好ましい。第１金めっき層１１の厚みが０．１０μｍ以上となると、剥離工程における第１金めっき層１１の剥離効率が低下し、剥離に要する時間が長くなり、あるいは、高濃度の剥離液が必要となり、好ましくない。また、形成する第１金めっき層１１の厚みの下限は、第２めっき工程で使用するめっき液に応じて設定することが好ましい。すなわち、第２めっき工程でシアン系めっき液を使用する場合、第１金めっき層１１の厚みの下限は、均一な膜厚制御が可能であることを考慮して、０．０１０μｍとする。また、第２めっき工程で塩酸系めっき液を使用する場合、第１金めっき層１１の厚みの下限は、第２めっき工程での塩酸系めっき液によるステンレス基板の腐蝕を防止することを考慮して、０．０１５μｍとする。

ここで、第１金めっき層、および、後述する第２金めっき層の厚みの測定は、以下のように行うものとする。すなわち、各々のめっき層形成後、セイコーインスツル（株）製の蛍光Ｘ線膜厚測定装置を使いて測定を行う。尚、前もって、測定したい膜厚目標値を包含するような、これよりも薄い標準箔と厚い標準箔を準備し、少なくともこれら２つの標準箔を用いて、Ｘ線出力と膜厚との検量線を事前に作成しておく。また、ＦＩＢ（集束イオンビーム）による断面加工を行った後、ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）にて断面を観察し、撮影される倍率に応じたスケールをもとに、断面に現れている金粒子の大きさが異なる層毎の厚みの確認を行う。
尚、第１めっき工程で形成した第１金めっき層１１の活性化を目的として、中和処理を施してもよい。このような活性化を行うことにより、後工程での高分子化合物層および第２金めっき層の密着性が更に向上する。

次に、高分子化合物層形成工程にて、第１金めっき層１１上の所望の部位に高分子化合物を溶融圧着して高分子化合物層１５を設ける（図１（Ｂ））。使用する高分子化合物としては、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリプロピレン、ポリアミド、アクリル樹脂等が挙げられる。溶融圧着では、所望の形状を有する高分子化合物フィルムを第１金めっき層１１上に載置し、高分子化合物が圧着可能な温度、例えば、使用する高分子化合物の融点よりも１０〜５０℃程度高い温度で高分子化合物フィルムを加熱しながら第１金めっき層に圧着し、その後、固化することにより高分子化合物層１５を形成することができる。また、第１金めっき層１１上に高分子化合物を溶融状態の供給して所望の形状の高分子化合物膜を形成し、押圧可能な状態まで冷却した後に、当該高分子化合物膜を第１金めっき層に圧着し、その後、固化することにより高分子化合物層１５を形成することができる。圧着手段としては、例えば、シリコンローラー２本を１対として構成したロールラミネータや、真空プレス方式のラミネータ、さらには、当該高分子化合物層だけを局所的に圧着するために、熱ヒータを具備するプレート型ヒータ等を使用することができ、圧着条件は、例えば、１×１０⁵〜５×１０⁵Ｎ／ｍ²の範囲で設定することができる。また、溶融圧着時に、超音波振動接合等を併用してもよい。
尚、第１金めっき層１１上での高分子化合物層１５の形成位置、形状、寸法は特に制限はなく、高分子化合物層１５に要求される機能等により適宜設定することができる。例えば、高分子化合物層１５の厚みは２０〜２００μｍの範囲で適宜設定することができる。

次に、第２めっき工程にて、開口部１７を有するマスク１６と開口部１７′を有するマスク１６′を使用したマスクめっき（図１（Ｃ））により、高分子化合物層１５が存在しない第１金めっき層１１の所望部位に第２金めっき層１２を形成する（図１（Ｄ））。図示例では、ステンレス基板１の加工部位である貫通孔２の壁面を被覆する第１金めっき層１１上、および、加工部位と高分子化合物層１５との間に位置する第１金めっき層１１上に第２金めっき層１２が形成されている。

第２めっき工程のマスクめっきに使用するマスク１６′は、その開口部１７′の面積Ｓ１が、ステンレス基板１の主平面１ｂにおける貫通孔２（加工部位）の面積Ｓ２よりも小さいものとすることができる。このように、開口部１７′の面積Ｓ１が、加工部位の面積Ｓ２よりも小さいマスクを使用することにより、ステンレス基板１の主平面１ｂ側の第１金めっき層１１に不要な第２金めっき層が形成されることが防止される。したがって、凹部および開口部のコーナーへ厚めっき層が形成されるという従来のめっき形成断面の発生を抑制することができ、第２金めっき層の形成制御に有利である。また、使用するマスクの精度も余裕を持たせることが可能となり、安価で簡易的なめっき層を形成することができる。この場合のマスク１６′の開口部１７′の面積Ｓ１は、加工部位の面積や、めっき液の条件、マスクの配置の精度などを考慮し、適宜適切な値を設定することができ、例えば、加工部位の開口面積Ｓ２の９０〜５０％の範囲となるように設定することが望ましい。
尚、上記の例では、マスク１６は貫通孔２（加工部位）の面積Ｓ２よりも大きな開口部１７を有しているが、ステンレス基板１の主平面１ａには金めっきパターンを形成せず、貫通孔２（加工部位）の壁面にのみ金めっきパターンを形成する場合には、マスク１６もマスク１６′と同様の開口部を備えたものを使用することができる。
このようなマスク１６，１６′の材質は、電気絶縁性であれば特に制限はなく、例えば、信越化学工業（株）製のめっき用シリコンマスク等であってよい。

この第２めっき工程で使用するめっき液は、シアン系めっき液および塩酸系めっき液のいずれであってもよい。使用するシアン系めっき液は、特に制限はなく、公知のめっき液を使用することができる。また、使用する塩酸系めっき液は、第１めっき工程のような制限はなく、公知のめっき液を使用することができる。
形成する第２金めっき層１２の厚みは、形成する金めっき層のパターンの用途に応じて適宜設定することができるが、本発明では、第１金めっき層１１との総厚みが１μｍ以下の薄膜となるように第２金めっき層１２の厚みを設定することが可能である。

次に、剥離工程にて、第２金めっき層１２と高分子化合物層１５が存在しない領域の第１金めっき層１１を、アルカリ系剥離液を用いて剥離除去する。これにより、加工部位である貫通孔２の壁面２ａ、および、ステンレス基板１の主平面１ａの所望部位に、金めっきパターン１０を形成する（図１（Ｅ））。上記のように、本発明では、第１金めっき層１１と第２金めっき層１２との総厚みを１μｍ以下に設定することが可能であるので、形成した金めっきパターン１０の厚みを、高分子化合物層１５の厚みに比べ、１／１０未満とすることができる。

剥離工程で使用するアルカリ系剥離液としては、エボニック デグサ ジャパン（株）製のゴールドストリッパー６４５やメルテックス（株）製のエンストリップＡＵ−７８Ｍ等を挙げることができ、これらの任意の１種を使用して、スプレー噴霧、浸漬等により第１金めっき層を剥離することができる。
上記の実施形態では、金めっきパターン１０が高分子化合物層１５の一部に隣接しているが、高分子化合物層１５を囲むように金めっきパターン１０を隣接させて形成してもよく、また、高分子化合物層１５から離間するように金めっきパターン１０を形成してもよい。尚、本発明においてパターンとは、所望の線、円、楕円、角形、模様等の図形であってよく、例えば、所望の電気配線形状、凸部形状等が含まれる。

このような本発明では、第１めっき工程にて、前処理を施したステンレス基板の全面に第１金めっき層を塩酸めっき液を用いて形成するので、ステンレス基板と第１金めっき層との密着性が良好なものとなる。また、高分子層化合物形成工程にて、第１金めっき層上に高分子化合物を溶融圧着して高分子化合物層を設けるので、ステンレス基板上に直接高分子化合物層を形成する場合に比べて、良好な密着性が得られるとともに、その後の第２金めっき層形成であるウエットプロセスでの密着性低下が抑制される。また、第２めっき工程にて、第１金めっき層の所望の部位にのみ、マスクめっきにより所望のパターンで第２金めっき層を形成し、その後、剥離工程にて、アルカリ系剥離液を用いて第１金めっき層を剥離除去するので、ステンレス基板の侵食が防止される。また、第１金めっき層と第２金めっき層との間にイオン化傾向の差異が存在しないので、第２金めっき層の侵食が発生せず、第２金めっき層の厚みを薄くすることができる。これにより、ステンレス基板への１μｍ以下の薄膜パターン形成が可能となる。

尚、形成する金めっきパターンの厚みは、電気的導通の信頼性の観点から０．１５μｍ以上であることが好ましく、一方、金めっきを使用する製造コストの観点から１μｍ以下であることが好ましい。また、形成された金めっきパターンは２層構造でありながら２層とも金めっき層であるため、層間での電池反応も起きない安定した被膜となる。さらに、ステンレス基板が金めっきパターンの形成が不要な部位を有する場合には、この加工部位を露出させることができるので、加工部位の目的に応じた活用に支障を来すことがない。
また、ステンレス基板にエッチング加工やプレス加工等で形成された加工部位に、従来の方法で金めっき層のパターンを形成すると、加工部位のエッチ箇所では電流密度が高く、局所的に金めっき層が厚膜となる。しかし、本発明では、剥離工程にて第２金めっき層の存在しない領域の第１金めっき層をアルカリ系剥離液を用いて剥離除去し、この際、第２金めっき層もアルカリ系剥離液により侵食を受けるので、加工部位を被覆している部分金めっきパターンは滑らかであり、局所的に金めっき層が厚膜になっていないことも外観上の特徴である。

上記の実施形態では、加工部位として貫通孔２を有するステンレス基板１を使用しているが、加工部位には特に制限はなく、例えば、図２に示されるように、対向する主平面２１ａ，２１ｂを有し、主平面２１ａとは異なる底面２２ａ、壁面２２ｂで構成される凹部２２であってもよい。ステンレス基板にエッチング加工、プレス加工等によって形成された加工部位である凹部、溝の形状としては、所望の線、円、楕円、角形、模様等の図形であってよく、例えば、所望の電気配線形状、凸部形状等が含まれる。
また、ステンレス基板として、上述のような加工部位を備えていないようなステンレス基板も使用できる。

＜第２の実施形態＞
図３は、ステンレス基板への高分子化合物層と部分金めっきパターンの形成方法の他の実施形態を説明するための工程図である。
本実施形態は、上述のステンレス基板１と同じステンレス基板を使用した例として説明する。
まず、第１めっき工程において、少なくとも加工部位が露出するようにステンレス基板上にレジストパターンを形成し、次いで、露出しているステンレス基板面に塩酸めっき液を用いて第１金めっき層を直接形成する。すなわち、第１めっき工程では、対向する主平面１ａ，１ｂと、この主平面１ａ，１ｂとは異なる壁面２ａで構成される貫通孔２を加工部位として有するステンレス基板１に前処理を施す。その後、第２金めっき層を形成する貫通孔２（加工部位）、および、高分子化合物層を形成する部位が少なくとも露出するように、主平面１ａ，１ｂにレジストパターン３６，３６′を形成する。
レジストパターン３６，３６′は、例えば、ドライフィルムレジストをラミネートしてフォトリソグラフィーでパターンニングすることにより形成することができる。この際、めっきにおける給電のために、ステンレス基板１の一部を露出させておく。例えば、ステンレス基板１の外周部を露出させる、あるいは、外周部に設けた給電用パターンを露出させればよい。

次に、露出しているステンレス基板の主平面１ａ，１ｂと、加工部位である貫通孔２を構成する壁面２ａに第１金めっき層３１を形成する（図３（Ａ））。尚、前処理を施した後のレジストパターン３６，３６′の形成は、ステンレス基板１に不動態被膜が再形成されないよう早期に行う。また、その後の第１金めっき層３１の形成までの移行時間も、ステンレス基板１に不動態被膜が再形成されない程度の範囲とする。
尚、この第１金めっき層３１の形成は、塩酸めっき液を用いて行われ、上述の第１の実施形態における第１金めっき層１１の形成と同様とすることができ、ここでの説明は省略する。
次に、高分子化合物層形成工程にて、第１金めっき層３１上の所望の部位に高分子化合物を溶融圧着して高分子化合物層３５を設ける（図３（Ｂ））。この高分子化合物層３５の形成は、上述の第１の実施形態における高分子化合物層１５の形成と同様とすることができ、ここでの説明は省略する。

次に、第２めっき工程にて、開口部３８を有するマスク３７，３７を載置し（図３（Ｃ））、このマスク３７，３７を使用したマスクめっきにより、ステンレス基板１の加工部位である貫通孔２の壁面を被覆する第１金めっき層３１上にのみ、所望のパターンで第２金めっき層３２を形成する。その後、マスク３７，３７を除去し、レジストパターン３６，３６′を剥離する（図３（Ｄ））。第２金めっき層３２の形成は、上述の第１の実施形態における第２金めっき層１２の形成と同様とすることができ、ここでの説明は省略する。
レジストパターン３６，３６′の剥離では、アルカリ系剥離液を使用することができるが、第１金めっき層３１は剥離除去し得ないようなアルカリ系剥離液を使用することが好ましい。これは、レジストパターン３６，３６′とともに第１金めっき層３１が同時に剥離されると、後述するような金イオンの回収効率が低下するので、これを防止するためである。尚、溶融圧着により第１金めっき層３１上に設けられている高分子化合物層３５は、例えば、第１金めっき層３１を剥離除去し得ないよう１０％未満の濃度に調整されたアルカリ系剥離液に対して、十分な剥離耐性を具備している。

次いで、剥離工程にて、第２金めっき層３２および高分子化合物層３５が存在しない領域の第１金めっき層３１をアルカリ系剥離液を用いて剥離除去する。これにより、加工部位である貫通孔２の壁面２ａのみに、金めっきパターン３０を形成する（図３（Ｅ））。
この実施形態では、レジストパターン３６，３６′は、第１金めっき層３１よりも厚くなるように形成することが好ましい。これは、レジストパターン３６，３６′上に第１金めっき層３１が乗り上がることを防止し、レジストパターン３６，３６′の剥離除去を容易なものとするためである。
また、マスク３７，３７を使用したマスクめっきを行う前に、レジストパターン３６，３６′を剥離してもよい。図４は、このように、レジストパターン３６，３６′を剥離した後にマスク３７，３７を配置した状態を示す図であり、上述の図３（Ｃ）に対応する。
また、図３（Ｄ）の段階でレジストパターン３６，３６′を剥離せずに、次の剥離工程にて、第１金めっき層３１を剥離除去し、その後、レジストパターン３６，３６′を剥離してもよい。
この実施形態においても、図２に示したような他の加工部位を有するステンレス基板が使用可能であり、また、加工部位を具備していないステンレス基板も使用可能である。

このような本発明では、第１めっき工程にて、前処理を施したステンレス基板の所望の部位に第１金めっき層を塩酸めっき液を用いて形成するので、ステンレス基板と第１金めっき層との密着性が良好なものとなる。また、高分子層化合物形成工程にて、第１金めっき層上に高分子化合物を溶融圧着して高分子化合物層を設けるので、ステンレス基板上に直接高分子化合物層を形成する場合に比べて、良好な密着性が得られるとともに、その後の第２金めっき層形成であるウエットプロセスでの密着性低下が抑制される。また、第２めっき工程にて、第１金めっき層の所望の部位にのみ、マスクめっきにより所望のパターンで第２金めっき層を形成し、その後、剥離工程にて、アルカリ系剥離液を用いて第１金めっき層を剥離除去するので、ステンレス基板の侵食が防止される。また、第１金めっき層と第２金めっき層との間にイオン化傾向の差異が存在しないので、第２金めっき層の侵食が発生せず、第２金めっき層の厚みを薄くすることができる。これにより、ステンレス基板への１μｍ以下の薄膜パターン形成が可能となる。

＜第３の実施形態＞
図５は、ステンレス基板への高分子化合物層と部分金めっきパターンの形成方法の他の実施形態を説明するための工程図である。
本実施形態は、上述のステンレス基板１を使用した例であり、上述の第１の実施形態と同様に、第１めっき工程において、ステンレス基板１に前処理を施した後、このステンレス基板１の全面に塩酸めっき液を用いて第１金めっき層１１を直接形成する（図５（Ａ））。

次に、マスク形成工程にて、第１金めっき層１１の所望の部位のみが露出するように高分子化合物を溶融圧着して、主平面１ａ側にめっきマスク１９、主平面１ｂ側にめっきマスク１９′を形成する（図５（Ｂ））。めっきマスク１９，１９′の形成に使用する高分子化合物としては、後工程においてめっきマスク１９，１９′の不要な部位を溶解除去して、残部を高分子化合物層とすることができる化合物を使用することができ、例えば、永久レジストと呼ばれるアクリル樹脂を主成分としたソルダーレジストが挙げられる。溶融圧着では、後工程において第２金めっき層を形成する部位が露出するような所望の形状を有する高分子化合物フィルムを第１金めっき層１１上に載置し、高分子化合物が圧着可能な温度、例えば、使用する高分子化合物フィルムのメーカ推奨の温度条件（例えば、１００〜１５０℃程度）で、当該高分子化合物フィルムを加熱しながら第１金めっき層に圧着し、その後、メーカ推奨の紫外線露光条件で硬化することにより、めっきマスク１９，１９′を形成することができる。また、めっきマスク１９，１９′の厚みは、後工程で形成される高分子化合物層１５に要求される厚みに応じて設定することができるが、後工程で形成する第２金めっき層１２よりも厚くなるように設定することが好ましい。これは、めっきマスク１９，１９′上に第２金めっき層１２が乗り上がることを防止し、後工程においてめっきマスク１９，１９′の不要部位の溶解除去を容易なものとするためである。
尚、圧着条件は、例えば、真空方式のラミネータを使って１×１０⁵〜５×１０⁵Ｎ／ｍ²の範囲で設定することができる。また、溶融圧着時に、超音波振動接合等を併用してもよい。

次に、第２めっき工程にて、めっきマスク１９，１９′を介して第１金めっき層１１上に第２金めっき層１２を形成する（図５（Ｃ））。この第２めっき工程で使用するめっき液は、上述の第１の実施形態、第２の実施形態と同様に、シアン系めっき液および塩酸系めっき液のいずれであってもよい。形成する第２金めっき層１２の厚みは、形成する金めっき層のパターンの用途に応じて適宜設定することができ、本発明では、第１金めっき層１１との総厚みが１μｍ以下の薄膜となるように第２金めっき層１２の厚みを設定することが可能である。
次いで、高分子化合物層形成工程にて、めっきマスク１９，１９′の不要な部位を溶解除去して、残部を高分子化合物層１５として第１金めっき層１１上に位置させる（図５（Ｄ））。めっきマスク１９，１９′の不要な部位の溶解除去は、例えば、濃度１０％未満のアルカリ系水溶液を使用して行うことができる。
次いで、剥離工程にて、第２金めっき層１２および高分子化合物層１５が存在しない領域の第１金めっき層１１をアルカリ系剥離液を用いて剥離除去する。これにより、加工部位である貫通孔２の壁面２ａ、および、ステンレス基板１の主平面１ａの所望部位に、金めっきパターン１０を形成する（図５（Ｅ））。尚、加工部位である貫通孔２の壁面２ａにのみ金めっきパターン１０を形成してもよいことは勿論である。

この実施形態においても、図２に示したような他の加工部位を有するステンレス基板が使用可能であり、また、加工部位を具備していないステンレス基板も使用可能である。
また、第１めっき工程において、上述の第２の実施形態のようにレジストパターンを使用することにより、ステンレス基板の所望の部位に第１金めっき層を形成してもよい。この場合、マスク形成工程では、第１めっき工程に使用したレジストパターンを残した状態で、形成された第１金めっき層の所望の部位が露出するようにめっきマスク１９，１９′を形成する。

このような本発明では、第１めっき工程にて、前処理を施したステンレス基板の全面、あるいは、所望の部位に第１金めっき層を塩酸めっき液を用いて形成するので、ステンレス基板と第１金めっき層との密着性が良好なものとなる。マスク形成工程にて、第１金めっき層上に高分子化合物を溶融圧着してめっきマスクを設けるので、ステンレス基板上に直接高分子化合物からなるめっきマスクを形成する場合に比べて、良好な密着性が得られるとともに、その後の第２金めっき層形成であるウエットプロセスでのめっきマスクの密着性低下が抑制される。そして、第２めっき工程にて第２金めっき層を形成した後に、めっきマスクの不要部位を溶解除去して高分子化合物層とするので、ステンレス基板に対する密着性が良好な高分子化合物層が得られる。最後に、剥離工程にて、アルカリ系剥離液を用いて第１金めっき層を剥離除去するので、金めっきパターンと高分子化合物層の形成工程におけるステンレス基板の侵食が防止される。また、第１金めっき層と第２金めっき層との間にイオン化傾向の差異が存在しないので、第２金めっき層の侵食が発生せず、第２金めっき層の厚みを薄くすることができる。これにより、ステンレス基板への１μｍ以下の薄膜パターン形成が可能となる。

上述の本発明の実施形態は例示であり、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。
また、上述の各図に示されるステンレス基板、加工部位、第１金めっき層、第２金めっき層、高分子化合物層、マスク等の寸法は、便宜的に記載したものであり、本発明を限定するものではない。

次に、より具体的な実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。
［実施例１］
ステンレス基板として、厚み０．１５ｍｍのＳＵＳ３１６材（１５０ｍｍ×１５０ｍｍ）を準備した。
＜第１めっき工程＞
塩酸めっき液として、下記の組成の塩酸めっき液Ａを調製した。
（塩酸めっき液Ａの組成）
・金属金 … ２．０ｇ／ｍＬ
・塩酸 … ４０ｇ／ｍＬ
・コバルト … ０．１ｇ／ｍＬ

上記のステンレス基板に前処理として、アルカリ洗浄処理（常温、３０秒間）を施し、次いで、塩酸浸漬処理（１０％塩酸水溶液に３０秒間浸漬）を施した。この前処理後に水洗と乾燥を行い、その後、ステンレス基板の両面にドライフィルムレジストをラミネートし、このドライフィルムレジストをフォトリソグラフィーによりパターニングして、直径が３ｍｍの円形開口を１０個有し、厚みが１５μｍのレジストパターンを形成した。このようにレジストパターンを形成したステンレス基板を、上記の塩酸めっき液Ａに１０秒間浸漬し、水洗した後、走査電子顕微鏡で観察した結果、ステンレス基板の表面への微小孔蝕の発生程度は単位面積（ｍｍ²）当り２個以下であることを確認した。
また、上記のようにレジストパターンを形成したステンレス基板に塩酸浸漬処理（１０％塩酸水溶液に３０秒間浸漬）を施した後、水洗し、その直後に、上記の塩酸めっき液Ａを用いて、下記の条件で第１金めっき層をステンレス基板の露出面に形成した。この第１金めっき層の形成では、めっき処理時間を調節することにより、下記の表１に示すように６種（試料１−１〜試料１−６）の厚みで第１金めっき層を形成した。
（第１金めっきの条件）
・電流密度 ： ３Ａ／ｄｍ²
・処理時間 ： ５〜１５秒

＜高分子化合物層形成工程＞
上記の６種の試料（試料１−１〜試料１−６）において、レジストパターンの直径３ｍｍの円形開口内のステンレス基板上に形成された第１金めっき層（片面１０個、計２０個）のうち、片面５個、計１０個の金めっき層上に、接着層としての熱可塑性ポリイミド樹脂とポリイミド樹脂の積層からなる直径３ｍｍのシート（厚み２５μｍ）を載置し、熱ヒータを具備するプレート型ヒータを２３０℃に加熱し、２．５×１０⁵Ｎ／ｍ²の圧着条件で溶融圧着して、高分子化合物層を形成した。尚、使用した接着層としての熱可塑性ポリイミド樹脂は、ガラス転移温度が２１５℃であるため、上記の溶融圧着時の加熱温度は、当該ガラス転移温度に対して１５℃高く設定した。
また、レジストパターンを形成した後、上記の第１金めっき層を形成しない試料（試料１−７）を準備した。この試料１−７において、上記と同様の条件で溶融圧着して、高分子化合物層をステンレス基板に直接形成した。

＜第２めっき工程＞
シアンめっき液として、下記の組成のシアンめっき液を調製した。
（シアンめっき液の組成）
・金属金 … ６．０ｇ／ｍＬ
・コバルト … ０．５ｇ／ｍＬ
次に、直径が２ｍｍの円形開口部を５個有するマスク（材質は汎用めっき向けで使用されるシリコン）を準備した。そして、試料１−１〜試料１−６においては、高分子化合物層が形成されずに第１金めっき層（直径３ｍｍの円形）が露出しているレジストパターンの５個の円形開口の中心に、マスクの円形開口部の中心が一致するように、ステンレス基板の両面にマスクを配置した。また、試料１−７においては、高分子化合物層が形成されずにステンレス基板（直径３ｍｍの円形）が露出しているレジストパターンの５個の円形開口の中心に、マスクの円形開口部の中心が一致するように、ステンレス基板の両面にマスクを配置した。そして、これらのマスクを介して、上記のシアンめっき液を使用し、下記の条件で第２金めっき層（厚み０．２５μｍ）を形成した。尚、処理時間は、第２金めっき層の厚みが厚み０．２５μｍとなるように、下記の範囲で適宜設定した。
（第２金めっきの条件）
・電流密度 ： １２Ａ／ｄｍ²
・処理時間 ： ３〜１０秒
その後、マスクを除去し、剥離液としてアルカリ系剥離液（３％水酸化ナトリウム水溶液）を調製し、この剥離液（液温５０℃）にステンレス基板を３０秒間浸漬し、その後、水洗した。これにより、レジストパターンを剥離除去した。

＜剥離工程＞
試料１−１〜試料１−６について、剥離液としてアルカリ系剥離液（エボニック デグサ ジャパン（株）製のゴールドストリッパー６４５）を用い、この剥離液（液温２５〜３５℃）にステンレス基板を１０秒間浸漬し、その後、水洗した。これにより、第２金めっき層および高分子化合物層の存在しない領域の第１金めっき層が剥離され、直径２ｍｍの円形の金めっきパターンと、直径３ｍｍの高分子化合物層をステンレス基板上に形成することができた。

＜評 価＞
（高分子化合物層の密着性テスト）
高分子化合物層と金めっきパターンを形成したステンレス基板を８５℃、８５％の高温高湿槽で２４時間保持し、常温に戻した後、高分子化合物層における異常（膨れ、剥がれ、クラックのいずれかの発生）の有無を顕微鏡で観察して、下記の表１に示した。
（金めっきパターンの密着性テスト）
高分子化合物層と金めっきパターンを形成したステンレス基板を３５０℃で５分間保持し、常温に戻した後、金めっきパターンにおける異常（膨れ、クラックのいずれかの発生）の有無を顕微鏡で観察して、下記の表１に示した。尚、この密着性テストでは、３５０℃保持による高分子化合物層への影響は無視している。
（テープ剥離試験）
粘着テープ（住友スリーエム（株）製 ６００番）を使用し、高分子化合物層および金めっきパターンに対してテープ剥離試験を行い、高分子化合物層、金めっきパターンの剥離の有無を下記の表１に示した。
（基板侵食）
剥離工程において第１金めっき層を剥離して露出したステンレス基板の表面を顕微鏡で観察し、侵食の有無を評価して結果を下記の表１に示した。

表１に示されるように、試料１−１〜試料１−６では、ステンレス基板に高分子化合物層を形成することができ、かつ、形成された高分子化合物層はステンレス基板に対して優れた密着性を示した。また、試料１−１〜試料１−６では、ステンレス基板に１μｍ以下の薄膜の部分金めっきパターンを直接形成することができ、かつ、形成された金めっきパターンはステンレス基板に対して優れた密着性を示し、ステンレス基板の侵食もないことが確認された。しかし、試料１−５、試料１−６では、剥離工程における第１金めっき層の剥離に要する時間が、試料１−１〜試料１−４に比べて、大幅に長く、例えば、試料１−４に比べて、試料１−５では２倍、試料１−６では３倍の剥離時間を要した。

［実施例２］
実施例１同様に、ステンレス基板を準備した。
＜第１めっき工程＞
実施例１と同様に、ステンレス基板に前処理を施した後、水洗し、直後にレジストパターンを形成し、その直後に、実施例１と同じ塩酸めっき液Ａを使用し、実施例１と同じめっき条件で第１金めっき層をステンレス基板の露出面に形成した。この第１金めっき層の形成では、めっき処理時間を調節することにより、下記の表２に示すように６種（試料２−１〜試料２−６）の厚みで第１金めっき層を形成した。

＜高分子化合物層形成工程＞
上記の６種の試料（試料２−１〜試料２−６）において、レジストパターンの直径３ｍｍの円形開口内のステンレス基板上に形成された第１金めっき層（片面１０個、計２０個）のうち、片面５個、計１０個の金めっき層上に、接着層としての熱可塑性ポリイミド樹脂とポリイミド樹脂の積層からなる直径３ｍｍのシート（厚み２５μｍ）を載置し、熱ヒータを具備するプレート型ヒータを２３０℃に加熱し、２．５×１０⁵Ｎ／ｍ²の圧着条件で溶融圧着して、高分子化合物層を形成した。尚、使用した接着層としての熱可塑性ポリイミド樹脂は、ガラス転移温度が２１５℃であるため、上記の溶融圧着時の加熱温度は、当該ガラス転移温度に対して１５℃高く設定した。
また、レジストパターンを形成した後、上記の第１金めっき層を形成しない試料（試料２−７）を準備した。この試料２−７において、上記と同様の条件で溶融圧着して、高分子化合物層をステンレス基板に直接形成した。

＜第２めっき工程＞
塩酸めっき液として、下記の組成の塩酸めっき液Ｂを調製した。
（塩酸めっき液Ｂの組成）
・金属金 … ４．０ｇ／ｍＬ
・塩酸 … ６０ｇ／ｍＬ
・コバルト … ０．１ｇ／ｍＬ
尚、第１めっき工程におけるめっき処理前の、上記のレジストパターンを形成した状態のステンレス基板を、この塩酸めっき液Ｂに１０秒間浸漬し、水洗した後、走査電子顕微鏡で観察した結果、ステンレス基板の表面への微小孔蝕の発生程度は単位面積（ｍｍ²）当り５個を超える（１０〜１５個）ことを確認した。

次に、直径が２ｍｍの円形開口部を有するマスク（材質は汎用めっき向けで使用されるシリコン）を準備した。そして、試料２−１〜試料２−６においては、高分子化合物層が形成されずに第１金めっき層（直径３ｍｍの円形）が露出しているレジストパターンの５個の円形開口の中心に、マスクの円形開口部の中心が一致するように、ステンレス基板の両面にマスクを配置した。また、試料２−７においては、高分子化合物層が形成されずにステンレス基板（直径３ｍｍの円形）が露出しているレジストパターンの５個の円形開口の中心に、マスクの円形開口部の中心が一致するように、ステンレス基板の両面にマスクを配置した。そして、これらのマスクを介して、上記の塩酸めっき液Ｂを使用し、下記の条件で第２金めっき層（厚み０．２５μｍ）を形成した。尚、処理時間は、第２金めっき層の厚みが厚み０．２５μｍとなるように、下記の範囲で適宜設定した。
（第２金めっきの条件）
・電流密度 ： ３Ａ／ｄｍ²
・処理時間 ： ５０〜６０秒
その後、マスクを除去し、実施例１と同様にして、レジストパターンを剥離除去した。

＜剥離工程＞
試料２−１〜試料２−６について、実施例１と同様にして、露出している第１金めっき層を剥離した。これにより、第２金めっき層および高分子化合物層の存在しない領域の第１金めっき層が剥離され、直径２ｍｍの円形の金めっきパターンと、直径３ｍｍの高分子化合物層をステンレス基板上に形成することができた。

＜評 価＞
実施例１と同様にして、密着性テスト、テープ剥離試験および基板侵食の評価を行い、結果を下記の表２に示した。

表２に示されるように、第２めっき工程で塩酸めっき液を使用する場合、第１めっき工程で形成する第１金めっき層の厚みは０．０１５μｍ以上であることが好ましい。また、第１金めっき層の厚みが０．０１５μｍ以上である試料２−２〜試料２−６では、ステンレス基板の侵食を生じることなく１μｍ以下の薄膜の金めっきパターンをステンレス基板に直接形成することができ、かつ、形成された金めっきパターンはステンレス基板に対して優れた密着性を示し、かつ、ステンレス基板の侵食もないことが確認された。また、これらの試料２−２〜試料２−６では、ステンレス基板に高分子化合物層を形成することができ、かつ、形成された高分子化合物層はステンレス基板に対して優れた密着性を示した。しかし、試料２−５、試料２−６では、剥離工程における第１金めっき層の剥離に要する時間が、試料２−１〜試料２−４に比べて、大幅に長く、例えば、試料２−４に比べて、試料２−５では２倍、試料２−６では３倍の剥離時間を要した。

［実施例３］
ステンレス基板として、厚み０．１５ｍｍのＳＵＳ３１６Ｌ材（１５０ｍｍ×１５０ｍｍ）を使用した他は、実施例１と同様にして、試料１−１〜試料１−７に対応した試料３−１〜試料３−７を作製した。
作製した７種の試料（試料３−１〜試料３−７）について、実施例１と同様にして、密着性テスト、テープ剥離試験および基板侵食の評価を行ったところ、試料３−１〜試料３−６については、実施例１と同様の結果（密着性テストにおける異常なし、テープ剥離試験における剥離なし、ステンレス基板の侵食なし）が得られた。また、試料３−５、試料３−６では、剥離工程における第１金めっき層の剥離に要する時間が、試料３−１〜試料３−４に比べて、大幅に長いことが確認された。

［実施例４］
ステンレス基板として、厚み０．１５ｍｍのＳＵＳ３１６Ｌ材（１５０ｍｍ×１５０ｍｍ）を使用した他は、実施例２と同様にして、試料２−１〜試料２−７に対応した試料４−１〜試料４−７を作製した。
作製した７種の試料（試料４−１〜試料４−７）について、実施例１と同様にして、密着性テスト、テープ剥離試験および基板侵食の評価を行ったところ、実施例２と同様の結果（第１金めっき層の厚みが０．０１５μｍ以上である試料４−２〜試料４−６では、密着性テストにおける異常なし、テープ剥離試験における剥離なし、ステンレス基板の侵食なし）が得られた。また、試料４−５、試料４−６では、剥離工程における第１金めっき層の剥離に要する時間が、試料４−１〜試料４−４に比べて、大幅に長いことが確認された。

［実施例５］
ステンレス基板として、厚み０．１５ｍｍのＳＵＳ３０４材およびＳＵＳ３０４Ｌ材（１５０ｍｍ×１５０ｍｍ）を使用した他は、実施例１と同様にして、試料１−１〜試料１−７に対応した試料５−１〜試料５−７（ＳＵＳ３０４材使用）、および、試料５−１′〜試料５−７′（ＳＵＳ３０４Ｌ材使用）を作製した。
作製した１４種の試料（試料５−１〜試料５−７、試料５−１′〜試料５−７′）について、実施例１と同様にして、密着性テスト、テープ剥離試験および基板侵食の評価を行ったところ、試料５−１〜試料５−６、試料５−１′〜試料５−６′については、実施例１の試料１−１〜１−６と同様の結果（密着性テストにおける異常なし、テープ剥離試験における剥離なし、ステンレス基板の侵食なし）が得られた。また、試料５−５、試料５−６および試料５−５′、試料５−６′では、剥離工程における第１金めっき層の剥離に要する時間が、試料５−１〜試料５−４、試料５−１′〜試料５−４′に比べて、大幅に長いことが確認された。

［実施例６］
ステンレス基板として、厚み０．１５ｍｍのＳＵＳ３０４材およびＳＵＳ３０４Ｌ材（１５０ｍｍ×１５０ｍｍ））を使用した他は、実施例２と同様にして、試料２−１〜試料２−７に対応した試料６−１〜試料６−７、および、試料６−１′〜試料６−７′（ＳＵＳ３０４Ｌ材使用）を作製した。
作製した１４種の試料（試料６−１〜試料６−７、および、試料６−１′〜試料６−７′）について、実施例１と同様にして、密着性テスト、テープ剥離試験および基板侵食の評価を行ったところ、実施例２と同様の結果（第１金めっき層の厚みが０．０１５μｍ以上である試料６−２〜試料６−６、および、試料６−２′〜試料６−６′では、密着性テストにおける異常なし、テープ剥離試験における剥離なし、ステンレス基板の侵食なし）が得られた。また、試料６−５、試料６−６および試料６−５′、試料６−６′では、剥離工程における第１金めっき層の剥離に要する時間が、試料６−１〜試料６−４、試料６−１′〜試料６−４′に比べて、大幅に長いことが確認された。

ステンレス鋼に金めっきパターンの形成を必要とする種々の製造分野に利用することができる。

１，２１…ステンレス基板
１ａ，１ｂ，２１ａ，２１ｂ…主平面
２…貫通孔
１２…凹部
１０，３０…金めっきパターン
１１，３１…第１金めっき層
１２，３２…第２金めっき層
１５，３５…高分子化合物層
１６，１６′，３７…マスク
１７，１７′，３８…開口部
１９，１９′…マスク

Claims (14)

1. ステンレス基板に前処理を施した後、該ステンレス基板の全面、あるいは、所望の部位に、塩酸めっき液を用いて第１金めっき層を形成する第１めっき工程と、
   該第１金めっき層上の所望の部位に高分子化合物を溶融圧着して高分子化合物層を設ける高分子化合物層形成工程と、
   該高分子化合物層の存在しない領域の前記第１金めっき層上に、マスクめっきにより所望のパターンで第２金めっき層を形成する第２めっき工程と、
   該第２金めっき層および前記高分子化合物層の存在しない領域の前記第１金めっき層を、アルカリ系剥離液を用いて剥離除去する剥離工程と、を有することを特徴とするステンレス基板への高分子化合物層と部分金めっきパターンの形成方法。
2. ステンレス基板に前処理を施した後、該ステンレス基板の全面、あるいは、所望の部位に、塩酸めっき液を用いて第１金めっき層を形成する第１めっき工程と、
   該第１金めっき層の所望の部位のみが露出するように高分子化合物を溶融圧着してめっきマスクを形成するマスク形成工程と、
   該めっきマスクの存在しない領域の前記第１金めっき層上に第２金めっき層を形成する第２めっき工程と、
   所望部位を残すように前記めっきマスクを溶解除去し、該所望部位を高分子化合物層として前記第１金めっき層上に位置させる高分子化合物層形成工程と、
   該高分子化合物層および前記第２金めっき層の存在しない領域の前記第１金めっき層を、アルカリ系剥離液を用いて剥離除去する剥離工程と、を有することを特徴とするステンレス基板への高分子化合物層と部分金めっきパターンの形成方法。
3. 前記第１金めっき工程では、ステンレス基板の所望の部位を露出させ、かつ、形成する第１金めっき層の厚みよりも厚くなるようにレジストパターンを形成し、該レジストパターンを介して第１金めっき層を形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のステンレス基板への高分子化合物層と部分金めっきパターンの形成方法。
4. 前記第２めっき工程では、シアン系めっき液を使用することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のステンレス基板への高分子化合物層と部分金めっきパターンの形成方法。
5. 前記第１金めっき層の厚みを０．０１０μｍ以上０．１０μｍ未満の範囲とすることを特徴とする請求項４に記載のステンレス基板への高分子化合物層と部分金めっきパターンの形成方法。
6. 前記第２めっき工程では、塩酸系めっき液を使用することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のステンレス基板への高分子化合物層と部分金めっきパターンの形成方法。
7. 前記第１金めっき層の厚みを０．０１５μｍ以上０．１０μｍ未満の範囲とすることを特徴とする請求項６に記載のステンレス基板への高分子化合物層と部分金めっきパターンの形成方法。
8. 前記第１めっき工程におけるステンレス基板の前処理は、アルカリ洗浄処理と塩酸浸漬処理を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載のステンレス基板への高分子化合物層と部分金めっきパターンの形成方法。
9. 前記第１めっき工程の後、前記第２めっき工程の後に、金イオン回収を行うことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載のステンレス基板への高分子化合物層と部分金めっきパターンの形成方法。
10. 前記第２めっき工程で形成する第２金めっき層は、前記第１めっき工程で形成する第１金めっき層より厚く形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれかに記載のステンレス基板への高分子化合物層と部分金めっきパターンの形成方法。
11. 前記ステンレス基板として、対向する主平面と、該主平面とは異なる面で構成される加工部位とを有するステンレス基板を使用することを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載のステンレス基板への高分子化合物層と部分金めっきパターンの形成方法。
12. 前記加工部位は、凹部および／または貫通孔であることを特徴とする請求項１１に記載のステンレス基板への高分子化合物層と部分金めっきパターンの形成方法。
13. 前記第２めっき工程では、前記主平面における前記加工部位の面積より小さい面積の開口部を有するマスクを使用し、前記加工部位にのみ第２金めっき層を形成することを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載のステンレス基板への高分子化合物層と部分金めっきパターンの形成方法。
14. 前記剥離工程後における部分金めっきパターンの厚みを、前記高分子化合物層の厚みに比べ１／１０未満とすることを特徴とする請求項１乃至請求項１３のいずれかに記載のステンレス基板への高分子化合物層と部分金めっきパターンの形成方法。

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