TWI523586B - A composite metal foil, a method for manufacturing the same, and a printed circuit board - Google Patents

Description

複合金屬箔、其製造方法以及印刷電路板

本發明係關於複合金屬箔及其製造方法以及印刷電路板。

近來，小型化或處理速度的提升備受要求的電子機器係使用形成有微細圖案(精細圖案(fine pattern))的多層構造的印刷電路板而以高密度構裝電子元件。

以適於形成精細圖案之印刷電路板之製造方法而言，係有將使極薄銅箔貼合在絕緣樹脂(以下僅稱之為「基材」)上所形成的覆銅層積板，藉由蝕刻法等形成圖案的方法。但是，若銅箔的厚度為12μm以下時，形成覆銅層積板時容易發生皺痕或龜裂。因此，使用在支持體(以下稱為「載體」)上層積極薄銅箔而成的複合金屬箔的覆銅層積板之製造方法已為人所知。

在專利文獻1～3中係揭示一種在載體上，隔著含有鉻(Cr)等的無機被膜、或具有置換基(官能基)的含氮化合物等有機被膜等各種剝離層而形成銅箔，在該剝離層切離而將銅箔膜轉印在基材上的方法(專利文獻1～3)。

在專利文獻4中係揭示一種在金屬製載體上，具有由被蒸鍍在與金屬製載體的界面的金屬層(I)、及藉由蒸鍍或電鍍而形成在金屬層(I)上的1層以上的金屬層(II)所構成的層積構造的易剝離金屬箔及其製造方法。

(先前技術文獻) (專利文獻)

(專利文獻1)日本特公昭56-34115號公報

(專利文獻2)日本特開平11-317574號公報

(專利文獻3)日本特開2000-315848號公報

(專利文獻4)日本特開2009-90570號公報

但是，專利文獻1至3所揭示之「剝離層」係均使用有別於轉印層的構件，因此在將極薄銅箔轉印在基材時，剝離層的一部分被轉印至基材側，會有容易形成殘渣的問題點。如上所示之剝離層的殘渣係在之後用以在極薄銅箔形成電路圖案的各種製程(遮罩製程/蝕刻製程/厚鍍敷製程等)中，容易發生各種不良情形(例如在極薄銅箔側殘留鉻的厚鍍敷製程中，厚鍍敷層會剝離等)，為防止該情形，亦會有必須要有其他用以去除殘渣的製程的情形。

另一方面，在專利文獻4所揭示之「易剝離金屬箔」中，尤其將金屬製載體與金屬層(I)與金屬層(II)全部形成為銅，而且若在金屬層(II)的鍍敷製程中使用酸性的銅鍍敷浴時，在之後的加熱壓縮製程中，由於金屬層(I)會擴散至金屬製載體側，因此具有剝離變得較為困難的問題。在專利文獻4的實施例4中，記載有為了避免該問題，使用以「氰化銅水溶液」為主成分的鍍敷液來作為鹼性的銅鍍敷浴之例。但是，氰化銅水溶液對人體有害，因此在工業上使用，並不理想。

本發明係鑑於上述情形而研創者，提供一種即使使用酸性的鍍敷浴，亦在加熱壓縮製程後容易剝離的複合金屬箔與其製造方法為主要的技術課題。

本發明之複合金屬箔，其特徵在於具有：形成在由金屬箔所構成的載體的表面，並且用以防止對構成前述載體的金屬原子的金屬擴散的擴散防止層；由藉由物理性成膜法而形成在前述擴散防止層上的金屬層所構成的剝離層；及藉由鍍敷法而形成在前述剝離層上的轉印層，前述剝離層與前述轉印層係藉由同種的金屬原子所構成。

在此，具體而言，物理性成膜法係指真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍著法等。亦即，根據上述發明之構成，藉由設置擴散防止層，不易發生因加熱壓縮製程而使構成轉印層或剝離層的金屬原子在載體側擴散而不易剝離的問題。

此時，前述擴散防止層係可形成為由包含：含有鉬或磷或該二者的鍍敷液；及由鎳、鈷之中選擇至少一者的鍍敷液的鍍敷液所析出的誘發共析膜。此外，較佳為前述金屬箔及前述剝離層均為銅。

較佳為前述擴散防止層的厚度為0.05mg/m²～1000mg/m²，前述剝離層與前述轉印層的厚度合計為0.1μm以上、12μm以下。此外，亦可在前述載體的背面側亦形成有同樣的層積膜。

本發明之複合金屬膜之製造方法，其特徵在於具有：準備由金屬箔所構成的載體的製程(S1)；在前述載體的至少一方表面形成擴散防止層而成的擴散防止層形成製程(S2)；藉由物理性成膜法，將剝離層形成在前述擴散防止層的表面而成的剝離層形成製程(S3)；及藉由鍍敷法，將轉印層形成在前述剝離層的表面而成的轉印層形成製程(S4)。

前述轉印層形成製程(S4)所使用的鍍敷法係可使用酸性鍍敷浴。其理由在於在轉印層及剝離層與載體之間設有防止金屬擴散的擴散防止層之故。

本發明之複合金屬箔之製造方法係藉由具有前述擴散防止層形成製程(S2)與前述剝離層形成製程(S3)，即使被加熱至250℃溫度領域，亦可剝離。

本發明之印刷電路板係使用在供形成印刷電路板之用的基材上，層積上述之本發明之複合金屬箔，以前述剝離層剝離而得的覆銅層積板而得者。

根據本發明之複合金屬箔，藉由設置擴散防止層，不易發生因加熱壓縮製程而使構成轉印層或剝離層的金屬原子在載體側擴散而不易剝離的問題。此外，根據藉由本發明之製造方法所得之複合金屬箔之製造方法，可使用酸性鍍敷浴來形成轉印層。因此，與使用鹼性的鍍敷浴的情形相比，並不需要特別的設備，因此可抑制製造成本。此外，若使用如上所得之複合金屬箔，即使實施用以轉印在基材側的加熱壓縮，亦藉由擴散防止層來抑制銅擴散。

以下參照圖示，說明本發明之各實施形態。但是，各實施形態及各實施例均非為在本發明之要旨認定中供予限定性解釋者。此外，關於相同或同種類的構件，係有標註相同的元件符號且省略說明的情形。

(第1實施形態)

-複合金屬箔的構造-

第1圖係顯示本發明中之複合金屬箔之一例的概略剖面圖。複合金屬箔1係由：成為層積膜之支持體的載體2；形成在載體2的表面的擴散防止層3；形成在擴散防止層3的表面的剝離層4；及形成在剝離層4的表面的轉印層5所構成。載體2若為具有假想的製程溫度內的耐熱性，而且成為形成在其上層之層積膜之支持體的構件，則未特別限定。列舉例如藉由壓延法或電解法所形成的銅箔、銅合金箔等金屬箔等。

使用銅箔作為載體2時，在處理方面，以將該銅箔的厚度形成為9～300μm為佳，形成為18～35μm為更佳。若載體未達9μm，由於容易發生皺痕或龜裂，因此不易作為載體加以使用，而若超過300μm時，腰部會過強而不易處理之故。

擴散防止層3係形成在載體2的表面的膜，為了防止因之後的熱處理製程而使構成剝離層4或轉印層5的金屬原子擴散至載體側的情形而設。以如上所示之材料而言，列舉有由包含：含有鉬或磷或該二者的鍍敷液、及由鎳、鈷之中選擇至少一者的鍍敷液的鍍敷液所析出的誘發共析膜等。

擴散防止層的厚度係以0.05mg/m²～1000mg/m²為佳。其中，之所以以附著量(平均單位面積的質量)來表示膜厚，是因為擴散防止層3的膜厚非常薄，因此並不容易作直接測定之故。

擴散防止層的膜厚非常薄時，無法發揮充分的擴散防止功能。亦即，在印刷電路板形成進行加熱壓縮時，構成剝離層4或轉印層5的金屬原子容易在載體2側擴散，而變得不易剝離之故。其中，關於該厚度，若依形成擴散防止層的金屬元素種類來作適當調整即可。但是，若超過1000mg/m²，會造成被膜形成成本上升，故較不理想。

剝離層4係藉由真空蒸鍍法或濺鍍法所形成。剝離層的厚度較佳為50以上、8000以下。若未達50，並未形成膜而形成為島狀構造，較不理想。此外，若超過8000，會造成被膜形成成本上升，故較不理想。

此外，由於使用酸性鍍敷浴作為轉印層形成浴，剝離層4會因酸性鍍敷浴而起溶解反應，因此若未達50時，會不易維持膜，故較不理想。

轉印層5係成為構成印刷電路板之基材的導體的層，若使用導電性高的金屬即可。具體而言，以銅為佳。

其中，轉印層的厚度係當被轉印在構成印刷電路板的基材時，會對電路的精細圖案化造成影響，因此以形成在預定範圍內為佳。太薄的膜不易形成被膜，相反地，若過厚時，則不易形成精細圖案之故。

以藉由硫酸銅的鍍敷浴所形成的銅膜來形成轉印層時，實驗結果，0.1μm～12μm，尤其0.1μm～9μm的範圍為較佳的範圍。若未達0.1μm，不易形成被膜，而若超過12μm，則不易形成精細圖案。

但是，在轉印層亦可局部附隨剝離層，因此關於厚度的調整，必須要注意。此外，關於擴散防止層，雖然亦有附隨於剝離層的情形，但是極為些微，並不成問題。

第2圖係顯示第1實施形態之變形例的圖。亦即，若為第1圖的複合金屬箔，係僅在載體2的其中一面形成有層積膜，但是第2圖則係在載體2的兩面形成有同樣層積膜之例。

(第2實施形態)

-複合金屬箔之製造方法-

接著，以第2實施形態而言，針對在第1實施形態中所說明的複合金屬箔之製造方法加以說明。

第3圖係顯示第2實施形態之複合金屬箔之製造方法之順序圖。第4圖係與第3圖的各步驟相對應的製程剖面圖。

-步驟S1-

首先，以載體2而言，備妥藉由壓延法或電解法所形成的金屬箔(第4圖(a))。在此使用藉由電解法所得之未處理電解銅箔(未進行表面處理的銅箔)。此外其厚度為例如35μm。

-步驟S2-

接著，在載體2的表面形成擴散防止層3(第4圖(b))。具體而言，準備供形成擴散防止層之用的鍍敷浴，使載體2的表面浸漬在該鍍敷浴中，藉由電鍍而將擴散防止層3形成在載體2的表面。擴散防止層係形成為由包含：含有鉬或磷或該二者的鍍敷液、及由鎳、鈷之中選擇至少一者的鍍敷液的鍍敷液所析出的誘發共析膜，但是在此係將藉由鎳-磷所得之合金層形成為擴散防止層。此外，其厚度為例如290mg/m²。

-步驟S3-

接著，在擴散防止層3的表面上形成剝離層4(第4圖(c))。該剝離層4的形成方法係可使用周知的真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍著法等物理性成膜法。剝離層4係以使用由與在接下來的步驟S4中所形成的轉印層5為同種的金屬原子所構成者為佳。

-步驟S4-

接著，在剝離層4的表面形成轉印層5(第4圖(d))。轉印層的形成係可使用採用鍍敷法的化學性成膜方法，例如電沈積浴。轉印層係若考慮使用銅時，在考慮到工業上的大量生產時，以使用酸性的鍍敷浴，例如「硫酸銅鍍敷浴」為佳。以硫酸銅鍍敷浴而言，例如浸漬在含有硫酸100g/l與硫酸銅5水合物250g/l的電解液而將預定電流通電，藉此以成為預定厚度的方式形成轉印層即可。藉由該步驟，即完成適於製造印刷電路板的複合金屬箔1。

藉由實驗可清楚得知藉由作為化學性成膜法之代表的鍍敷法所形成的轉印層5、與藉由物理性成膜法所形成的剝離層4係密接性低，且以一定以上的力容易剝離。萬一，即使剝離層4作為殘渣而殘留在轉印層5的表面，亦由於剝離層係與轉印層相同地由銅所構成，因此幾乎不會有不良影響。

其中，在假想後述印刷電路板的製造時，作為更進一步的步驟，為了使與構成印刷電路板的基材的密接力提升，亦可對轉印層5的表面實施粗化處理。

此時，將形成在載體2的轉印層5在硫酸銅-硫酸溶液中以界限電流密度附近進行陰極電解，藉由樹突狀或微細狀銅粉來形成粗化面即可。此時，粗化面的表面粗糙度係依基材種類或所被要求之與基材的密接力來作調整即可。較佳為表面粗度為Rz：6μm以下，若假想形成極為微細的精細圖案時，更佳為Rz：2μm以下。其中，Rz係指JIS規格B0601：1994所記載之十點平均粗糙度。

此外，為防止銅粉飛散，亦可對已實施粗化處理的轉印層，視需要進行被覆處理。

在形成後述之印刷電路板時，會有基材與轉印層的結合因供此之用的加熱壓縮製程或蝕刻製程等而降低的情形，因此以用以保持結合狀態的塗敷處理而言，亦可另外實施藉由鋅、鉻、鈷、鉬、鎳、磷、鎢等異金屬所為之塗敷處理；藉由含有重鉻酸離子的溶液所為之鉻酸鹽處理；藉由含有苯并三唑、矽烷耦合劑或該等衍生物的溶液所為之有機防鏽處理等。

(第3實施形態)

-印刷電路板之製造方法-

接著，針對用以使用複合金屬箔來製造印刷電路板的方法加以說明。第5圖係顯示將複合金屬箔轉印在印刷電路板的基材上的製程圖。第6圖係顯示在印刷電路板形成有電路圖案的態樣的剖面圖。

如第5圖(a)所示，首先，使複合金屬箔1與構成印刷電路板的基材6相向，之後使兩者相密接。接著，如第5圖(b)所示，在相密接的狀態下使其進行加熱壓縮，藉此形成複合金屬箔1與基材6的層積體。

接著，如第5圖(c)所示，由層積體剝除載體(比複合金屬箔1的剝離層4更為上層部分)，藉此形成為在基材6之上貼合轉印層5的狀態而完成覆銅層積板。

接著，如第6圖所示，形成藉由蝕刻法等而進行圖案化的轉印層5a，藉此完成形成有電路圖案的印刷電路板7。此外，亦可視需要另外層積複合層積板，而形成多層構造的印刷電路板。

由上述層積體剝除載體時的剝除強度以例如0.01～2.0N/cm為佳，較佳為0.05～1.0N/cm。其中，在剝離時，亦會有擴散防止層3的一部分成為殘渣的情形，但是確認出其量極為少許。

以下藉由實施例詳加說明。

(實施例)

(實施例1)

首先，為了形成載體2，備妥以含有硫酸100g/l與硫酸銅5水合物250g/l的電解液所充滿的電沈積浴。接著，將維持在浴溫40℃的電沈積浴以電流密度10A/dm²進行15分35秒鐘電氣分解，而形成由厚度35μm的銅箔所構成的載體(未處理電解銅箔)2(步驟S1)。在將該載體浸漬在1.8wt%硫酸60s時間後，藉由離子交換水進行15秒鐘洗淨。接著，為了形成擴散防止層3，準備調整為硫酸鎳6水合物30g/l、次亞磷酸鈉1水合物1g/l、乙酸鈉3水合物10g/l、pH4.5的鍍敷浴，浸漬載體2而以電流密度2A/dm²進行5秒鐘陰極電解，形成由鎳-磷所構成的擴散防止層3，將該銅箔藉由離子交換水進行15秒鐘洗淨而自然乾燥(步驟S2)。

接著，為了形成剝離層4，藉由濺鍍法形成0.3μm的銅層(步驟S3)。此外，為了在其表面形成轉印層5，將形成有剝離層的載體浸漬在含有硫酸100g/l與硫酸銅5水合物250g/l的電解液而以5A/dm²進行4分27秒鐘陰極電解，形成由厚度5μm的銅箔所構成的轉印層(步驟S4)。其中，剝離層5為銅層，因此若長時間浸漬，由於促進因硫酸銅鍍敷浴所造成的溶解反應而有剝離層溶解之虞，因此必須最晚在5分鐘以內開始形成轉印層5的電沈積作業。

最後對轉印層5以周知方法實施粗化處理。若基材為樹脂，以與轉印層的接著力提升為目的而進行者。此時，粗化處理係使樹突狀或微細狀銅粉析出。

以粗化處理而言，在形成微細狀銅粉時，係備妥以含有硫酸100g/l與硫酸銅5水合物50g/l的電解液所充滿的電沈積浴，將維持在浴溫40℃的電沈積浴以電流密度10A/dm²進行10秒鐘陰極電解，而使微細狀銅粉析出。

接著，為了使得已實施粗化處理的轉印層的銅粉不會脫落而飛散，形成有被覆銅。在形成被覆銅時，備妥以含有硫酸100g/l與硫酸銅5水合物250g/l的電解液所充滿的電沈積浴，將維持在浴溫40℃的電沈積浴以電流密度5A/dm²進行1分20秒鐘陰極電解。

接著，在形成有被覆銅的轉印層的表面形成鉻酸鹽被膜。具體而言，備妥含有重鉻酸鈉5g/l而調整成pH13的電沈積浴，以浴溫30℃、電流密度2A/dm²進行5秒鐘陰極電解而形成鉻酸鹽被膜。之後，準備含有γ-氨丙基三乙氧基矽烷2m/l的矽烷耦合劑層形成浴，以浴溫30℃進行15秒鐘浸漬而形成矽烷耦合劑層後，使其乾燥而得複合金屬箔。接著，以構成印刷電路板的基材而言，備妥使環氧樹脂含浸在玻璃纖維的預浸體。接著，在以轉印在基材的方式重疊複合金屬箔的狀態下以170℃‧4MPa進行60分鐘加熱壓縮，而得使轉印層與基材的表面相結合的層積體。

其中，以加熱壓縮製程中的耐熱性的涵義確認出，該實施例所記載的複合金屬箔係至少具有至250℃的耐熱性。

(實施例2)

在前述實施例1中，除了以形成擴散防止層的鍍敷而言，準備調整為硫酸鈷7水合物40g/l、鉬酸二鈉2水合物25g/l、檸檬酸鈉45g/l、pH5.5的鍍敷浴，浸漬載體而以電流密度7A/dm²進行2秒鐘陰極電解，形成由鈷-鉬所構成的擴散防止層以外，係與前述實施例1同樣地形成層積體。

(實施例3～4)

在前述實施例1～2中，除了為了形成剝離層，取代濺鍍法，而藉由周知的蒸鍍法形成0.2μm的銅層而形成為剝離層以外，係與前述實施例1～2同樣地形成層積體。

(實施例5)

在前述實施例1中，除了在形成擴散防止層時，準備調整為硫酸鎳6水合物30g/l、次亞磷酸鈉1水合物1g/l、乙酸鈉3水合物10g/l、pH4.5的鍍敷浴，浸漬載體而以電流密度2A/dm²進行20秒鐘陰極電解，形成由鎳-磷所構成的擴散防止層以外，係與實施例1同樣地獲得層積體。

(實施例6)

在前述實施例1中，除了將轉印層形成製程浸漬在含有硫酸100g/l與硫酸銅5水合物250g/l的電解液，以5A/dm²進行1分20秒鐘陰極電解，形成由厚度1.5μm的銅箔所構成的轉印層以外，係與實施例1同樣地形成層積體。

(實施例7)

在前述實施例2中，除了將轉印層形成製程浸漬在含有硫酸100g/l與硫酸銅5水合物250g/l的電解液，以5A/dm²進行8分1秒鐘陰極電解，形成由厚度9μm的銅箔所構成的轉印層以外，係與實施例2同樣地形成層積體。

(比較例1)

在前述實施例1中係在載體形成擴散防止層，但是在比較例1中並未形成擴散防止層，除此以外係與實施例1同樣地形成層積體。

(比較例2～3)

在前述實施例1～2中，除了未形成剝離層以外，係與實施例1～2同樣地形成層積體。

(比較例4)

在前述實施例1中，除了將轉印層的厚度形成為18μm以外，係與實施例1同樣地形成層積體。

(比較例5)

在前述實施例1中，除了使用濺鍍法作為形成擴散防止層的方法，將由鎳-鉻所構成的合金層形成10nm以外，係以與前述實施例1同樣的方法形成層積體。

將以上彙整後的剝離狀態調査結果顯示於表1。

(實施例8～11)

在前述實施例1～4中，使用以使轉印層與基材表面相結合的加熱壓縮條件改變而得層積體。以基材而言，準備使環氧樹脂含浸在玻璃纖維的預浸體，進行190℃‧3MPa‧100分鐘加熱，而且準備聚醯亞胺薄膜，透過接著劑進行250℃‧3MPa‧60分鐘加熱壓縮而得層積體。將伴隨加熱壓縮條件變更的剝離狀態調査結果顯示於表2。

(剝離測試評估方法)

其中，關於上述實施例及比較例中的剝離狀態的評估、剝離強度的測定及配線加工性，係以如下所示的方法進行調査。

(1)剝離狀態評估

備妥裁剪成縱100mm×橫100mm的尺寸的層積體作為試料，以目測確認出載體對該試料之轉印層的剝離狀態。其中，將載體遍及全範圍由轉印層剝離者評估為「○」，將載體一部分或完全未由轉印層剝離者評估為「╳」。

(2)剝離強度測定

根據JIS-C-6481(1996)來測定出轉印層與載體的剝除強度。

(3)配線加工性

準備裁剪成縱200mm×橫150mm的尺寸的層積體作為試料，以平常所進行的周知方法，形成線寬/線間(L：線/S：空間)為25μm/25μm的精細圖案，調查出是否漂亮地完成配線加工。若漂亮地形成有配線時評估為「○」，雖然形成有配線，但是線直線性或線寬/線間等並不良好時評估為「△」，未形成目的配線而發生配線不良時評估為「╳」。

由表1的結果可知，若將實施例與比較例相比較，當未形成擴散防止層3及剝離層4時，在加熱壓縮後不可剝離。此外，如比較例1般，確認出將習知技術的濺鍍膜形成為剝離層而未形成擴散防止層時，若使用酸系鍍敷浴，在加熱壓縮前係可剝離，但是在加熱壓縮後則會不易剝離。因此可知在載體與剝離層之間形成擴散防止層時，在加熱壓縮後亦可剝離。

此外，由表2的結果確認出，即使在變更加熱壓縮條件而提高至250℃為止的情形下，亦可得良好的剝離狀態。

(產業上可利用性)

若使用本發明之複合金屬箔時，由於剝離層為銅，因此不需要考慮到因剝離層的殘渣所造成的不良影響，而可得複合金屬箔，而且即使在轉印層形成製程中使用廉價的酸系鍍敷浴，在加熱壓縮後亦可剝離，因此可廉價地提供複合金屬箔。

1‧‧‧複合金屬箔

2‧‧‧載體

3‧‧‧擴散防止層

4‧‧‧剝離層

5‧‧‧轉印層

5a‧‧‧經圖案化的轉印層

6‧‧‧基材

7‧‧‧印刷電路板

第1圖係第1實施形態之複合金屬箔的剖面圖。

第2圖係第1實施形態之複合金屬箔的變形例。

第3圖係顯示第2實施形態之複合金屬箔之製造方法的製程圖。

第4圖(a)～(d)係與第3圖的各步驟相對應的製程剖面圖。

第5圖(a)～(c)係顯示第3實施形態之覆銅層積板之製造方法的製程圖。

第6圖係顯示第4實施形態之印刷電路板的剖面圖。

1．．．複合金屬箔

2．．．載體

3．．．擴散防止層

4．．．剝離層

5．．．轉印層

Claims (10)

1. 一種複合金屬箔，其特徵在於具有：擴散防止層，用以形成在由金屬箔所構成的載體的表面，並且防止對構成前述載體的金屬原子的金屬擴散；剝離層，由藉由物理性成膜法而形成在前述擴散防止層上的金屬層所構成；及轉印層，藉由鍍敷法，形成在前述剝離層上，前述剝離層與前述轉印層直接接觸，並且係藉由同種的金屬原子所構成。
2. 如申請專利範圍第1項之複合金屬箔，其中，前述擴散防止層係由包含：含有鉬或磷或該二者的鍍敷液；及由鎳、鈷之中選擇至少一者的鍍敷液的鍍敷液所析出的誘發共析膜。
3. 如申請專利範圍第1或2項之複合金屬箔，其中，前述金屬箔及前述剝離層均為銅。
4. 如申請專利範圍第1或2項之複合金屬箔，其中，前述擴散防止層的厚度為0.05mg/m²~1000mg/m²，前述剝離層與前述轉印層的厚度合計為0.1μm以上、12μm以下。
5. 如申請專利範圍第3項之複合金屬箔，其中，前述擴散防止層的厚度為0.05mg/m²~1000mg/m²，前述剝離層與前述轉印層的厚度合計為0.1μm以上、12μm以下。
6. 如申請專利範圍第1項之複合金屬箔，其中，在前 述載體的背面側亦形成有同樣的層積膜。
7. 一種複合金屬箔之製造方法，其特徵在於具有：準備由金屬箔所構成的載體的製程(S1)；在前述載體的至少一方表面形成擴散防止層而成的擴散防止層形成製程(S2)；藉由物理性成膜法，將剝離層形成在前述擴散防止層的表面而成的剝離層形成製程(S3)；及藉由鍍敷法，將轉印層形成在前述剝離層的表面而成的轉印層形成製程(S4)，其中前述剝離層與前述轉印層直接接觸，並且係藉由同種的金屬原子所構成。
8. 如申請專利範圍第7項之複合金屬箔之製造方法，其中，前述轉印層形成製程(S4)所使用的鍍敷法為酸性鍍敷浴。
9. 如申請專利範圍第7項之複合金屬箔之製造方法，其中，藉由具有前述擴散防止層形成製程(S2)與前述剝離層形成製程(S3)，即使被加熱至250℃溫度領域，亦可剝離。
10. 一種印刷電路板，其特徵在於：在供形成印刷電路板之用的基材上，轉印如申請專利範圍第1至6項中任一項之複合金屬箔，以前述剝離層剝離而得。