TWI268910B - Method for removing boron from silicon - Google Patents

Description

1268910 九、發明說明： 【韻^明所屬交^技彻^領域】 技術領域 本發明係有關於一種可利用簡便的方法來去除金屬矽 5中的硼B之方法，且所得到的矽可藉由進一步去除硼以外的 雜質作為太陽電池的原料使用。 【先前冬餘】 背景技術 太陽電池所使用的石夕一般需具有99·9999%左右之純 10度，並要求各種金屬雜質為0.1質量ppm以下，又，Β至少也 要〇.3質量ppm以下且宜為〇」質量ppm以下。滿足該純度之 發為以西門子法所得到之半導體用石夕，即石夕氯化物於蒸餾 後熱分解所得之高純度石夕。但是，該西門子法因成本高而 不適合於需要大量石夕之太陽電池。 β 15 廉價的矽有使用電弧爐並用碳還原二氧化矽所得之金 屬矽，且純度通常為98%左右，並包含有Fe、八卜&等各 種金屬雜質、及亦作為矽的摻雜劑使用之P、B等。因此， 不可能就這樣當作太陽電池的原料使用。所以，有了許多 $以精製該廉價的金射來使用於太陽電池之方法。 0 %所於金屬石夕内含有的雜質之中，HCa等各種金屬

=貝可利用單方向凝固法來去除。即，使用於矽溶液凝固 =金屬雜質大量分布於共存的溶㈣中且在凝固石夕中只 月匕'合入一小部份之現象的精製方法。「固相矽中的雜質濃产 液相石夕♦的雜質濃度」被稱為偏析係數，但由於H 5 1268910

Ca等各種金屬雜質中的偏析係數遠小於〗，因此可利用該單 方向凝固法從矽當中去除。即，可於最後藉由濃縮這些凝 固部分中的雜質來從其他大部分的矽當中去除這些雜質。 又，可藉由於減壓下溶解矽，即真空溶解法，從矽中 5去除金屬矽中之蒸氣壓大的雜質如P、Ca、Na等。 相對於此’由於B的偏析係數接近於1且蒸氣壓亦小， 因此難以利用上述方法去除。對此已提出了各種方法。 於專利公開公報第56-32319號中，揭示有與以酸洗淨 矽之方法、真空熔解法、單方向凝固法一起，利用熔渣精 10鍊法來從矽中去除B之方法。藉此，使抽出用熔解物，詳而 言之，即由合計l〇kg的CaF2+Ca〇+si〇2構成的熔渣與5kg的 矽一起於1450〜15〇〇。(：之下熔解，可使矽中的硼8從3〇質量 Ppm降低到8質量ppm。但是，由於B的降低率小且處理之後 的B $有畺仍然很多，因此不足以作為太陽電池所使用的 15矽。又，熔渣精鍊法雖可使熔融矽中的B被熔渣吸收去除， 但上述組成的熔渣中之B分配比（熔融熔渣中的8濃度/熔融 矽中的B濃度）為很小的1375，因而有必須不斷重複進行熔 渣精鍊法的不便之處。例如，於矽中的B濃度為1〇質量 ppm，且與上述實施例相同地使用矽的2倍量之上述熔洁 20時，即使使用的熔渣中完全不含有B，若不進行3次熔渣精 鍊B便不會降到至〇·3質量ppm以下。再者，通常使用的炫逢 中至少會含有數質量ppm左右之B，且通常只能使用與矽等 Ϊ粒度以下之溶渣，因此會更增加嫁渣精鍊次數。 於專利公開公報第58_1則4號中，揭示有使含有驗土 6 1268910 T金屬或驗金屬氧化物的—者或兩者之料或職成分與 粉碎的粗製⑪(與金屬糾同純度)在細㈣烈混合後再 熔狀炼渣精鍊法。但是，一般在粉碎原料的粗製石夕上需 要花費相當成本，且粉碎時發生污染的情形也很多。再者， 5進行劇烈混合亦需要相當的成本。又，每次重複進行該精 鍊時都必須進行粉碎⑦及與熔渣之混合而變成非常地費 事基於這個理由，所以在工業程序中不宜包含粉碎步驟 及混合步驟之程序。再者，根據於專利公開公報第 58-130114號之實施例’最終得到之石夕中的Β濃度為1質量 10 PPm，並不足以作為太陽電池所使用之矽。 於專利公開公報第2003-12317號中，揭示有於金屬矽 中添加助熔劑（熔渣），並吹入氧化性氣體之熔渣精鍊法。在 «亥方法中可同時呈現容渣之高驗度與高氧分壓之狀態而 有效率地去除矽中的B。熔渣中的鹼成分可舉出如CaO、 15 CaC〇3、Na2〇，且於實施例中提及B的初期濃度從14質量 ppm降低至7.6質量ppm。但是，將氣體吹入熔融矽中係相 當困難’且特別是沒有適切的材質來構成用以吹入氣體之 貫用性噴嘴。又，最終得到之矽中的B濃度即使為7.6質量 ppm亦不足以作為太陽電池所使用之矽。 20 又’於「Si〇2飽和NaO0.5—CaO—Si02系助溶劑一懷融 矽之間的硼之分配作用」（棚橋等；資源與素材v〇l ll8，

No7，P497〜505，（2002))中亦揭露熔渣精鍊法。所使用的 溶渣為Na2〇_CaO-Si〇2，且預先以l7〇〇°C(1973K)製造該疼 渣後’再投入於初期B濃度高的金屬矽浴中進行炼渣精鍊。 7 1268910 並提及此時的B分配比之最高為3·5,係高過於之前的b分配 比之最南值2.2左右。但是，以3·5左右的B分配比在原理上 只能使矽中的Β濃度降低至〇·4質量ppm左右，而難以製造太 陽電池所使用之矽。這是由於如同後述之必定會含有丨〜數 5質量ppm的程度而無法令使用的熔渣中的B濃度為「零」之 故。 其次’將熔渣精鍊作為一般所實施之工業程序的有製

鐵程序’而由於B氧化物比起鐵的氧化物穩定的多，因此在 製鐵程序中利用以不氧化鐵而是氧化B並且以熔渣吸收所 10生成的B氧化物之方法，可輕易地去除。相對於此，B氧化 物與石夕氧化物的穩定性大致相同，且當氧化B並以熔渣吸收 日守石夕亦會氧化。如此，由於矽與鐵之特性差異很大，因此 不可能就這樣將製鐵程序中的熔渣精鍊技術應用在矽的上 面0 溶渣精鍊以外的方法中，用以去除矽中的B之方法還有 將石夕中的B氧化後再使其氣化以從矽中去除之方法。但是， 根據上述之理由，於B氧化時矽亦會氧化，因此即使為下述 之任一方法皆會有矽回收率降低之問題。 於專利公開公報第4-130009號中，揭示有可藉由於離 2〇子氣體中添加氏〇氣體或〇2、C02等氧化性氣體及Ca0、Si02 等含氧物質來有利地去除B等之方法。根據實施例，β係從 初期的8.0質量ρρπι降低至〇·2質量ρρηι。 於專利公開公報第4-228414號中亦揭示有於電漿喷注 中添加水蒸氣、二氧化矽(si〇2)來精製矽之方法。根據其實 8 1268910 施例’ B係從初期的17質量ppnl降低至1〇質量卯瓜。 於專利公開公報第5-246706號中，揭示有藉由使熔融 矽與上部電極之間產生電弧，並於容器内吹入宜為氧化性 氣體之惰性氣體來去除B之方法。 又，非利用電漿或電弧而是利用特殊噴燈之方法有美 國專利公開公報第5,972，107號、美國專利公開公報第 6,368,403號’且其中揭示於氧_氫喷燈中添加水蒸氣、义〇 來精製熔融矽之方法，且還有除si〇2之外更添加Ca〇、 BaO、CaF2來精製溶融石夕之方法。 10 15

20 專利公開公報第4-193706號所揭示的是不使用電漿、 電弧、特殊噴燈而是將B當作氧化氣體來去除之方法，該方 法係於底部具有氣體吹入風口且以二氧化矽為主成分的容 斋内溶解矽，並且從風口吹入Ar或Kb氣體或其混合氣體且 宜再混合氧化性氣體之氏〇、C〇2或〇2之一種以上之方法。 該方法係使B在氧化物氣體的形式之下去除。又，其中亦揭 露於原料矽中之B濃度高的情形之下，從風口吹入之氣體中 添加有Si〇2、CaO、CaCb、CaF2的1種以上之混合物時，有 利於去除B。根據實施例，B係從初期的25質量ppm降低至5 質量ppm。 於專利公開公報第9-202611號中，揭示有使在14〇〇t： 以下分解且產生H2〇或C〇2的一者或兩者之1種或2種以上 的固體，與載體氣體一起吹入熔融矽浴中來去除B之方法。 該方法係提及使用Ca(OH)2、CaC03、MgC03，且B為氧化 物氣體並與載體氣體一起排出。又，於實施例中提及石夕中 9 1268910 配比為在「Si〇2飽和Na〇G.5〜Ca〇—Si〇2系助熔劑一熔融矽 之間的硼之分配作用」（棚橋等；資源與素材v〇Ul8，N〇7， P497〜5G5，_2))中所揭示的目前為止之最高值3·5，在原 理上即使重複進行相當多次的溶渣精鍊(溶渣之㊀的吸收、 5分配），亦不可能使Β降低至〇·43質量ρρηι(1·5/3·5=0·43)以 下。雖然如果可以實現姆高的Β之分配比即可進一步降低 石夕中之Β ’但是到目前為止以料精鍊所得到的把分配比 中，於上述條件之下其界限值為〇·4質量ppm左右。基於該 理由，以目雨的情況僅靠第一組之方法將難以製造太陽電 10 池用石夕。 使用第二組的電漿等之方法係可氣化去除B，因此沒有 第-組的方法之原理上的困難，但由於為大規模之裝置因 此費用南而並不適用於工業上。 第二組為與氣體-起吹入溶潰原料之方法，由於溶融 15矽非常富於反應性，因此容易成為氣體導入部分之具有風 口或噴嘴的構造之额、破壞原因，而不適驗工業上。 又，以使用氣化物為主體之方法會產生含有氯化物之氣 體，因此需要進行相當的氣體排出處理而仍然不適用於工 業上。 2〇 X ’與第—組之方法相同地，即使在第二組、第三組 之方法中亦會有B的分配比低之問題。 於本發明中用以解決以上問題而提供一種可提高溶潰 精鍊中的B分配比之方法。且更提供—種制無風口及喷嘴 之極簡單的爐’並且可在進行炫渣之B吸收、分配的同時氣 11 1268910 化去除B之方法。 本發明之構造係說明如下。 (1) 一種由矽中去除硼之方法，係將含有硼作為雜質之 金屬矽加熱至熔點以上、2200°C以下之熔融狀態後，於該 溶融矽中添加以二氧化石夕為主成分之固體，及以驗金屬的 碳酸鹽或該驗金屬的碳酸鹽水合物之一者或兩者為主成分 之固體，藉此，可形成熔渣並且去除矽中的硼。

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(2) 如上述（1)之由矽中去除硼之方法，更包含排出所形 成之熔渣。 (3) 如上述(2)之由矽中去除硼之方法，係從於前述熔融 矽中添加以二氧化矽為主成分之固體及以鹼金屬的碳酸鹽 或該驗金屬的碳酸鹽水合物之一者或兩者為主成分之固體 之後，到排出所形成的溶渣之間隔為5分鐘以上。 (4) 如上述（1)〜(3)之由矽中去除硼之方法，係同時添加 以二氧化矽為主成分之固體，及以鹼金屬的碳酸鹽或該鹼 金屬的碳酸鹽水合物之一者或兩者為主成分之固體。 (5) 如上述（1)〜(3)之由矽中去除硼之方法，係分別進行 以二氧化矽為主成分之固體，及以鹼金屬的碳酸鹽或該鹼 金屬的碳酸鹽水合物之一者或兩者為主成分之固體的添 20 加。 (6) 如上述(5)之由矽中去除硼之方法，其中前述添加之 間隔係在3 0分鐘以内。 (7) 如上述（1)之由矽中去除硼之方法，係分開成2次以 上進行以二氧化矽為主成分之固體，及以鹼金屬的碳酸鹽 12 1268910 或該驗金屬的碳酸鹽水合物之一者或兩者為主成分之固體 的添加。 5

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20 (8) 如上述(7)之由矽中去除硼之方法，其中在業已排出 所形成的熔渣後，進行以二氧化矽為主成分之固體，及以 驗金屬的碳酸鹽或該驗金屬的碳酸鹽水合物之一者或兩者 為主成分之固體之新的添加。 (9) 如上述(8)之由矽中去除硼之方法，係從於前述熔融 矽中添加以二氧化矽為主成分之固體及以鹼金屬的碳酸鹽 或該驗金屬的碳酸鹽水合物之一者或兩者為主成分之固體 之後，到排出所形成的熔渣之間隔為5分鐘以上。 (10) 如上述(8)之由矽中去除硼之方法，係實施複數次 從添加以二氧化矽為主成分之固體及以鹼金屬的碳酸鹽或 該驗金屬的碳酸鹽水合物之一者或兩者為主成分之固體， 到形成溶渣後再排出嫁渔之過程。 (11) 如上述(10)之由矽中去除硼之方法，其中在實施複 數次從添加以二氧化矽為主成分之固體及以鹼金屬的碳酸 鹽或該驗金屬的碳酸鹽水合物之一者或兩者為主成分之固 體，到形成熔渣後再排出熔渣之過程中，於中途時，前述 熔融矽中的硼濃度為1質量ppm以下。 (12) 如上述（1)之由矽中去除硼之方法，其中以二氧化 石夕為主成分之固體及以驗金屬的碳酸鹽或該驗金屬的碳酸 鹽水合物之一者或兩者為主成分之固體的添加量係因形成 熔渣而不會完全覆蓋溶融石夕表面之量。 (13) 如上述（1)之由矽中去除硼之方法，其中添加二氧 13 石夕中之料耳數’係赠金屬的碳酸鹽或紐金屬的碳 夂鹽水合物之-者或兩者中之驗元素莫耳數的㈣5〜20倍。 山（14)如上述⑴之由石夕中去除爛之方法，其中驗金屬的 兔酸鹽及該鹼金屬的賴縣合物之—者或❹的驗元素 為鐘、納、或鉀之1種或2種以上者。 鍾、碳酸納、碳酸鉀、碳酸纽、碳酸氫納、碳酸氯钟、 或其水合物中之1種或2種以上者。 山（15)如上述⑽之由石夕中去除爛之方法，其中驗金屬的 碳酸鹽及該驗金屬的碳酸鹽水合物之—者或兩者為碳酸 1〇 (16)如上述（1)之由矽中去除硼之方法，更添加可提高 生成熔渣黏性之添加劑。 本發明之主要構造係說明如下。 本發明之主要構造係於熔融矽中直接添加二氧化矽及 鹼金屬的碳酸鹽之兩者，且所生成的熔渣會吸收、分配b， 15並進一步於此時氣化去除相當量之B，然後再分離矽與熔渣 之方法。於該方法中不用吹入氣體，因此不需要在爐上設 置風口或喷嘴，而可以極單純之爐來實施本發明。又，亦 可使用該碳酸鹽之水合物來取代鹼金屬之碳酸鹽，且於使 用水合物之情形亦有特殊的有利之點。 20 接下來之兩點為本發明的主要構造之重點。 第/重點為於炫融石夕中直接添加二氧化石夕與驗金屬的 碳酸鹽，即不用事先處理二氧化矽與鹼金屬的碳酸鹽使其 熔渣化。例如於先前所引用的「Si02飽和NaO0.5 —CaO — Si02系助熔劑一、熔融矽之間的硼之分配作用」（棚橋等；資 1268910 源與素材vol.118，No7，P497〜505，（2002))中，係事先在 Π00 C (1973K)之下製造由Na2〇-CaO-Si〇2所組成之熔渣 後，再投入初期B濃度高的金屬矽浴中進行熔渣精鍊。於本 發明中的實施例與比較例中亦有指出，不事先熔渣化二氧 5化矽與鹼金屬的碳酸鹽而使其維持原樣地添加至熔融矽中 係相§重要’且根據該方法可得到配比在5〜1〇以上的極 尚值，而可使B降低至〇·ι質量ppm以下。若事先熔渣化二氧

化矽與鹼金屬的碳酸鹽後再添加時，B分配比會在2左右而 停留在與先前技術相同之水平上。又，B之氣化作用亦不用 10事先熔渣化二氧化矽與鹼金屬的碳酸鹽，而只要於其維持 原樣地添加至熔融矽中之時再發揮。又，由於至今為止、々 有嘗試過本發明之不事先㈣化二氧切胁金屬的碳= 鹽而使其維持原樣地添加雄_中之方法，所以猜想^ 取本發明之方法將會產生相當激烈的反應而被大家敬而= 15之。且本發明者們在實驗前亦這麼認為，但已經證實實際 上並沒有產生這麼激烈的反應。 、不 又’在使用驗金屬的碳酸鹽水合物來取代驗金屬的後 酸鹽之情形下，反應雖呈現些許激烈但具有可更加提高= 分配比之有利點。 ％ 20 入1 Μ卜㈣T㈣金屬的碳酸鹽及驗金屬㈣ 鹽水合物亦記載為鹼金屬的碳酸鹽等。 第二重點為不可缺少添加二氧化石夕。例如於先前弓 的專利公開公報第9-202611號中揭示的，使在14〇〇它^ 分解且產生Η2〇或C〇2的一者或兩者之丨種或2種以上白 15 I2689l〇 體轉載體氣體-起吹入溶融石夕浴中來去除b之方法。該專 =公開公報第9_腦u號之方法係使用噴嘴㈣體吹人至 、奋岫矽中，因此原本就與可單純添加之本發明不同，並且 $亦無提及驗金屬之碳酸鹽，而其與本發明之決定性不同點 係無添加二氧化石夕。於本發明中，若無添加二氧化石夕而僅 ，加鹼金屬之碳酸鹽時，大部分的鹼金屬之碳酸鹽會迅速 氣化而4乎/又有开>成熔渣。又，由於迅速氣化，因此會造 成大巾田失去或許有生成些許的熔渣中之分配吸收B的功 =，或氣化B的功用。只有在與二氧化矽一起添加鹼金屬的 人酉欠i日守，才會大幅發揮熔渣中之分配吸收B的功用或氣牝 B的功用。 根據本發明，可使用極簡便的大氣溶解爐，並只要利 用於熔融矽中投入二氧化矽與鹼金屬的碳酸鹽之簡便方 法，即可從含有B之廉價的金屬矽中去除B來降低到〇3質耋 ppm以下’甚至到〇1質量p脾以下。藉由併用本方法與單 方向漩固法或真空熔解法，可精製出極廉價且可使用於木 陽電池的金屬矽之高純度矽。 I：實施方式】 實施發明之最佳型態 20 树明係於賴秒中直接添加二氧化似驗金屬的破 酸鹽或驗金屬的碳酸鹽水合物之一者或兩者，且於所生成 的熔產中吸收、分，並於此時氣化去除相當量之B，然 後再分離矽與熔渣之方法。 ‘嘁矽之溫度宜為矽的溶點（1414。〇)以上、⑽以 16 下

1268910 為超過此溫度之高溫時，炼融石夕與所添加的化石夕 及驗金屬的碳酸鹽等水合 夂口物之反應，交的激烈而並不適用於 工業上。 於投入一乳化石夕與鹼金屬的碳酸鹽等之後，經過5分鐘 左右以後再分離_與雜佳。5分鐘左右即可使這些熔潰 原料㈣之間進行某種程度之反應。X，從生產性的觀點 來看於,亥炫/查原料投入後經過2小時以後再分離溶潰較 佳。這是因為考慮到經過2小時左右反應便會大致結束之 故0 10 二氧化石夕與鹼金屬的碳酸鹽等之添加方法，以從熔融 石夕的掛禍上部投入之方法便很充分。可同時投入預定量之 二氧化矽與鹼金屬的碳酸鹽等，亦可配合裝置上的方便來 拉開些許的時間間隔。重點係可製造出二氧化矽與鹼金屬 的碳酸鹽等之共存狀態。二氧化矽與臉金屬的碳酸鹽等會 15 漸漸反應且形成熔渣，由於該反應需要數〜30分鐘左右，因 此只要在該時間内，即使是分別投入兩者，亦會呈現未反 應之二氧化矽及鹼金屬的碳酸鹽等與熔融矽之共存狀態。 此時’依照維持未反應之共存的一氣化石夕與驗金屬的礙酸 鹽等之量，可發現之後所形成的熔渣之B吸收效果或B氣化 20 效果。如此’從效率面來考慮雖然表好疋同時添加兩者， 但並不是必須的。又，二氧化矽與鹼金屬的碳酸鹽等之添 加方法亦並不限定於投入方式，只要可配合裝置上的方便 亦可為吹入等之其他方法。 於本發明中，由二氧化矽與鹼金屬的碳酸鹽等所形成 17 1268910 之熔渣的B分配比（熔融熔渣中的B濃度/熔融矽中的B濃度） 為變的極高之5〜10以上。又，由於亦同時產生b的氣化放 射’因此從石夕中去除B的效果變的極高。雖然並不明白產生 該兩種現象之理由，但發明者們認為原因係來自於鹼性硼 5 乳化物的有效形成。例如，將驗金屬的碳酸鹽當作Na2c〇3

使用時會形成NaB〇2而推定於熔渣中熔解的可能性。NaB〇2 係穩定的化合物，並且於沸點為1430°C左右的矽熔點以上 時會具有充分的蒸氣壓，因此認為十分可能在該 形態之下氣化放射。所以，推定本發明之同時添加二氧化 10矽與鹼金屬的碳酸鹽等之方法，係使熔融矽中的]5有效地轉 化成鹼性硼氧化物之方法。再者，比較鹼金屬的碳酸鹽與 其水合物時，於使用水合物之情形下分配比會高出些許。 但是，由於與矽的反應亦會劇烈些許，因此不管使用何者 或是使用兩者都應該依據裝置構造、操作環境等來作判斷。 15 特別值得一提的是，於本發明中係隨著熔融矽中的硼 濃度下降而B分配比增大。像這樣的效果至今為止完全沒有 報σ過並5忍為將^ 一氧化秒與驗金屬的碳酸鹽等作為溶、、杳 原料使用’且維持其全部的原本形態來添加至熔融矽時會 具有特殊效果。具體而言，熔融矽中的硼濃度為5〜1〇質量 2〇 ppm左右時，3分配比為5〜7左右。且即使8分配比為5〜7亦 為足夠大之值，而熔融矽中的硼濃度降低至1質量ppm左右 時，B分配比為10以上之極大值。即，隨著去除矽中的B之 進行而更加容易進一步去除B為本發明之極大的優點。 本發明者們係關於此點推定如下。如同前述地B有可能 1268910 於鹼性硼氧化物的形態之下轉移成熔渣，而所添加之二氧 化矽與鹼金屬的碳酸鹽等會與B反應且形成鹼性爛氧化 物，並且二氧化矽與鹼金屬的碳酸鹽等本身會互相反應且 形成鹼性矽酸玻璃。如果形成該鹼性硼氧化物與驗性碎酸 5玻璃之反應速度具有一定的比率，則根據該比率只能生成 一氧化石夕與驗金屬的碳酸鹽等之添加量以内的限定量之驗 性硼氧化物。因此，在B濃度高時鹼性硼氧化物之生成量有 可能出現上限值。相對地，在B濃度低時即使形成鹼性硼氧 化物與鹼性矽酸玻璃之反應速度具有一定的比率，相對於 1〇矽中的全部B量仍然有足夠比例之B可轉化成鹼性硼氧化 物，因此B分配比會變大。如此即可說明熔融矽中的硼濃度 越低則B分配比越大。再者，根據該推定可得知，矽中的硼 濃度為1質量ppm左右，且B分配比為1〇以上之極大值的現 象係生成鹼性硼氧化物之本發明的特有現象。 15 一氧化矽與鹼金屬的碳酸鹽等之投入次數並沒有特別 限制’亦可為1次或2次以上。且每i次的投入量及投入總量 亦沒有特別限制，可根據原料之金屬矽中含有的B量、最終 想達到之秒中_量、B分配比及後述之B氣化放射量來決 疋田：、、;、，亦可只投入適當次數之二氧化矽與鹼金屬的碳 2〇 I鹽等，然後排出熔渣後再進行操作投入二氧化矽與鹼金 屬的石反酸鹽等。在⑦中只要投人丨次足夠量的二氧化石夕與驗 金屬的妷酸鹽等亦可降低矽中的硼濃度至預定值 ，可以的 活複數夂重複二氧化石夕與鹼金屬的碳酸鹽等之投入及溶 渣排出之一連串精鍊較佳。然後，在熔融矽中的硼濃度為1 19 1268910 質量卿左右以下的狀態下，投人新的二氧 碳酸鹽等時，可增大B分配比且非常有利於去除^金屬的 接下來係關於B的氣化放射，若想要制 夕 放射量’則期望溶融物全體的上部炫融表T二的::: 5融石夕。於熔融㈣投入二氧切與驗金屬的碳酸鹽二： 其會斤到熔融石夕的上面，且兩者所生成之炫渣亦會 ㈣上面。其當中之少數會浮在聚集於㈣的周邊部^ 形成島狀淨出，而量多時會覆蓋住炼融物表面全體插 本發明者們之各種實驗，得知為了製造較多的乂康 10量，使溶融物表面維持於可看見溶融梦之狀態是报重： 的。例如’使用相同程度的錄及高度之_的情形，二 氧化石夕與驗金屬的碳酸鹽等之投入量到達溶融石夕質— 成左右時，-般而言表面的—部份會出賊㈣。由里 知，如在二氧化石夕與驗金屬的碳酸鹽等之總量為石夕的^旦 之下進行料精鍊時，不是將其—次投讀㈣中而= 成少量投入，於石夕上的炼渣量變成石夕的2成時，可藉由: 掛堝傾斜等來排出炫融石夕上的炫渣，並在掛 = :之㈣分成少量地投入二氧一金屬的IS 寻:如此，只要石夕中的二氧化石夕與驗金屬的碳酸鹽等之投 2〇入置在碎的2成以内’便會如同上述般經常地於炫融物表面 出現溶石夕。右進仃該操作1〇次則可使石夕的二倍量之二氧化 矽與驗金屬的碳酸鹽以總量投入，而溶融物表面的一部份 會經常露出溶融石夕，可增加B氣化放射量。雖然不清楚露= 溶融石夕面可有效增加B氣化放射量之理由，本發明者們躲 20 5

NaB〇先前本發明者們的推定有提及B的氣化種類可能為 融石夕2，例如考慮到該氣化種類之生成、氣化領域，係溶 潘 氧化石夕與驗金屬的碳酸鹽等或由其所生成的溶 大乳之多相界面時即可說明該現象。只是，B的氣化 增;^不—定，露出溶融石夕面’最終只是為了發揮相對性 ^化放射里之效果。要增加何種程度、氣化放射量係 例中說明。 化石夕=之？氧化石夕與驗金屬的碳酸鹽等之比例，宜二氧 10 莫耳無、石夕兀素莫耳數為驗金屬的碳酸鹽等當中的驗元素 例的$ 〇 〇5 2(H°。且更佳為〇·2〜4倍之範圍。在該組成比 ]的一形下可有效率地從熔融矽中去除Β。 15 之粒2切的形態為Μ喊下之細粉末狀者、數咖左右 、尚la±、更大的塊狀者、或亦可使用其混合物。但是， 匕2要較長的反應時間，因此以5咖左右町者較佳。 2屬的碳酸鹽等可使用碳酸鐘、碳_ 4酸卸、 碳酸氫鈉、碳酸氫鉀、或其水合物中之1種或2 能^。又，驗金屬的碳_及級金屬的水合物之形 ^二、’狀、塊狀、片狀者、或亦可使用其混合物。 20 本發明時之環境氣體可於惰性環境氣體中或於大 石 體中之任一者。雖然認為於大氣環境氣體中炫融 之::極少但實際上試著在大氣中進行時因為大氣而氧化 氣“二力並沒有特別限制，因此可輕易地在大 21 1268910 即，實施本發明時可使用簡便的大氣爐，只要添加至 嫁融石夕中的二氧化石夕與驗金屬的碳酸鹽等亦投入产-虫面 中，即可非常肢地實施。但是，實施本發日^條== 限定於大氣壓力之下，亦可於減壓或加壓之下實施。 5 *二氧化⑨與驗金屬的碳酸鹽等所生成之炫洁魏^ 石夕之分離法可使用—般的方法。例如，傾斜坩堝:排出: 部熔渣’並留下熔融矽，之後再將熔融矽移到預定的模具

等之方法即可。又，雖然裝置較複雜，但亦可以在賴底 部設置可開關之出水口，並維持上部溶渣殘留的狀態僅先 10 排出熔融矽。 u 15 20 又，㈣祕較高者於該情形之下將只麵融 排出，且為了這個目的，在㈣中添加些許第三成分亦 有效例如’添加一氧化石夕與驗金屬的碳酸鹽等之總量^ 成左右之Al2⑽，_純較高且射之分離性變好 此時，由於_3本身並不對於去除B造絲響，因此合. :該目的。。為了達成該目的，除了 Al2〇3之外亦可使用溶: 门過150GC左右之氧化物，及生成該氧化物之化合物， 化物有Mg〇、Zr〇2、叫只是，添加多餘的添 ㈣亦可能使包含於添加物中之B被帶入掛禍内，因隨 此以不添減_三成分為佳。即使躲加在質量上亦 相對於二氧切與驗金屬的錢㈣之總量的等量以下 且較佳為1/2以下。 貫施例 (實施例1) 22 1268910

於内徑270mm、深度250mm之石墨掛蜗中放入含有I〕 質量ppm的B之金屬石夕15kg，並於大氣中在1500°C之下、像解 後，投入含有1.5質量ppm的B之矽砂(Si〇2)7.5kg、含有〇3 質量ppm的B之粉末狀的NaKO3 7.5kg。該投入量會使炼融 5 物表面全部為熔渣。30分鐘後用直徑8mm之石英管吸出各 數g之熔融狀態的矽與熔渣來作為分析用樣本（以下稱作樣 本1)。接下來，傾斜坩堝且只排出上部熔渣。並進—步再 度投入矽砂7.5kg、粉末狀的NaWOs 7.5kg至熔融石夕上。3〇 分鐘後再次用直徑8mm之石英管吸出各數g之熔融狀態的 10秒與熔渣來作為分析用樣本（以下稱作樣本2)。最後再傾斜 掛禍且只排出上部溶渣後，將矽排出至別的模具中冷卻凝 固0 實驗後，分析試樣之矽與熔渣時，樣本1之矽中的B濃 度為1.7質量ppm，熔渣中的B濃度為12質量ppm，而樣本2 15之石夕中的B濃度為〇·29質量ppm，熔渣中的B濃度為3.2質量 PPm。由此可知，樣本i中之b分配比為大致7·ι，樣本2<β 分配比為大致11。並且，排出至模具中之矽中的8濃度與樣 本2之矽中的Β濃度相同。 又’從實驗結束後的矽與排出熔渣來尋求Β總量時，得 20知為初期B總量之大致8〇。/。，並有大致20%之Β已氣化。 (比較例1) 實施例1中所使用之矽砂i5kg與Na2C〇3 i5]^在i400°c 之下、j：容解後，冷卻凝固時可得大致23.6kg之玻璃狀固體。 且使其粉碎成數〇111之塊後，以純水洗淨並分成各1L8kg之2 23 1268910 專伤來作為精鍊用溶 >查。 之後，與貫施例1的順序相同，於石墨坩堝中放入含有 η質量PPm的B之金屬秒ISkg，並於大氣中在·之下溶 解後，投入上述精鍊用溶渣lL8kg。且3〇分鐘後用直徑8咖 5之石央官吸出各數g之熔融狀態的矽與熔渣來作為分析用 樣本（以下稱作樣本3)。接下來，傾斜坩堝且只排出上部熔 凌。並進一步再度投入上述精鍊用熔渣U 8kg至熔融矽上。 〇刀鐘後再次用直徑8mm之石英管吸出各數g之熔融狀態 〇的矽與熔渣來作為分析用樣本（以下稱作樣本4)。最後再傾 斜坩堝且只排出上部熔渣後，將矽排出至別的模具中冷卻 凝固。 κ驗後，分析試樣之石夕與溶渣時，樣本3之石夕中的B濃 度為4.8質量ppm，熔渣中的b濃度為1〇質量ppm，而樣本4 之矽中的B濃度為2.3質量ppm，熔渣中的B濃度為4·8質量 PPm。由此可知，樣本3、樣本4之β分配比皆大致為2」。並 且，排出至模具中之矽中的Β濃度與樣本4之矽中的Β濃度 相同。 又，尋求實驗結束後之Β總量時，與初期之0總量大致 相同而無從辨認Β之氣化。 如此’只有在事先熔渣化矽砂與Na2C03之點上不同卻 得到遠劣於實施例1之結果。 (比較例2) 除了未投入矽砂(Si〇2)及只投入Na2C032次以外，進行 與實施例1完全相同之實驗。 24 1268910 初次的試樣（樣本5)之石夕中的出農 渣中的B、·奠;^ r ^辰度為6.1貝里ppm，炫 /13質量啊，而第2次的試樣(樣本6)之石夕中 卜，辰又為3.3質量ppm，料中_濃度為75質量鹏。由 L了Γ，、樣本W分配比為大致2·1 ’樣本如分配比為大 .°亚且’排出至模具中之料_濃度與樣本6之石夕中 的B濃度相同。 又’攸貫驗結束後的；^與排出炼絲尋求B總量時，得 知為初期B總量之大致96%，並有大致4%之b已氣化。 如此，未添加矽砂而只添MNhCO3時，會得到3分配 10比與B氣化量皆遠劣於實施例丨之結果。 (實施例2)

進一步對於實施例1中所得之B濃度〇·29質量ppm之矽 進行精鍊。在與實施例i相同的石墨坩堝中放入實施例i中 所得之矽10kg，並於大氣中在1500。(：之下熔解後，投入含 15有h5質量PPm的B之矽砂(Si〇2)lkg、含有〇·3質量ρρη^〇Β2 粉末狀的NafO3 lkg。該1次左右的投入量可使溶融物表面 之一半左右露出熔融矽。並於30分鐘後，傾斜掛禍且只排 出上部熔渣。合計進行3次上述的投入矽砂ikg、Na2(：C)3 lkg 並於30分鐘後傾斜坩堝且只排出上部熔渣之操作，最後再 2〇將矽排出至別的模具中冷卻凝固。 實驗後，分析最後的石夕時’ B濃度為0·〇6質量ppm，而 對應其之熔渣中的B濃度為0·71質量PPm。由此可知，B分 配比為大致12。 又，從實驗結束後的矽與排出熔渣來尋求B總量時，得 25 1268910 知為初期B總量之大致35%，並有大致65%之B已氣化。 (實施例3) 除了以投入含有0.5質量ppm&B之粉末狀Na2C〇3的單 一水合物8.8kg來代替NafO3之外，進行與實施例丨完全相 5 同之實驗。 初次的試樣(樣本7)之矽中的3濃度為16質量ppm，熔 渣中的B濃度為η質量ppm，而第2次的試樣(樣本^之石夕中 的B濃度為〇·28質量ppm，、溶渣中的B濃度為μ質量啊。 可头木八本7之B分配比為大致8·1，樣本8之B分配比為 1〇大致12。並且，排出至模具中之石夕中的β濃度與樣本8之石夕 中的Β濃度相同。 又’攸貫驗結束後的石夕與排出炼渣來尋求民總量時，^ 知為初期Β總量之大致8()%，並有大致鳩之Β已氣化。于 (實施例4)

20 I、除了以投入含有0·6質量PPm的Β之粉末狀k2C〇3 9 8 Λ代9Na2C03之外，進行與實施例工完全相同之實驗。 初认的減樣(樣本9)之石夕巾的B濃度為2·〇質量ppm， /查中的B濃度為1()質量觸，而第试的試樣(樣本⑼之石夕 /辰度為0.29貝！ppm，炫潰中的β濃度為2 8質量 由此可知’樣本9之6分配比為5·〇，樣本Π)之B分配比為 ^9.7。亚且，排出至模具中之矽中的b濃度與樣本^ 中的B濃度相同。 又m结束後的#與排出熔絲尋細㈣ 知為初期B總量之大、， 件 大致80/〇，亚有大致20。/〇之B已氣化。 26 1268910 (實施例5) 除了將1次之投入量改成矽砂（Si〇2)9 0kg、粉末狀的

NaeOd.Okg之外’進行與實施例丨完全相同之實驗。 初次的試樣(樣本11)之矽中的B濃度為丨9質量ppm，熔 5渣中的B濃度為12質量Ppm，而第2次的試樣(樣本12)之矽中 的B濃度為〇·29質量ppm，溶渣中的3濃度為3.2質量ppm。 由此可知，樣本11之3分配比為6 3，樣本12之8分配比為大 致11並且’排出至模具中之矽中的B濃度與樣本12之矽中 的B濃度相同。 1 〇 5 ΛΑΑ &貫驗結束後的矽與排出熔渣來尋求B總量時，得 為初观總量之大致85%，並有大致15%之B已氣化。 產業上之可利用性 掣藉=使用本發明及單方向凝固法、真空熔解法，可精 15 '"目田廉價且可使用於太陽電池的金屬矽之高純度矽。 所侍之高純度矽並不限定為太陽電池用之矽原料，可 使用於需要高純度石夕之各種產業。 27

Claims (1)

1. 第 94106437 95. 6 介年G月6曰修(更)正本 號專利申請案 申請專利範圍替換本 十、申請專利範圍： 1. 一種由矽中去除硼之方法，係將含有硼作為雜質之金屬 矽加熱至熔點以上、2200°c以下之熔融狀態後，於該熔 融砍中添加以二氧化砍為主成分之固體’及以驗金屬的 5 竣酸鹽或該礙酸鹽的水合物之一者或兩者為主成分之 固體，藉此，可形成熔渣並且去除矽中的硼。 2. 如申請專利範圍第1項之由矽中去除硼之方法，更包含 排出所形成之溶渣。 3. 如申請專利範圍第2項之由矽中去除硼之方法，係從於 10 前述熔融矽中添加以二氧化矽為主成分之固體及以鹼 金屬的碳酸鹽或該礙酸鹽的水合物之一者或兩者為主 成分之固體之後，到排出所形成的熔渣之間隔為5分鐘 以上。 4. 如申請專利範圍第1〜3項中任一項之由矽中去除硼之方 15 法，係同時添加前述以二氧化矽為主成分之固體，及以 驗金屬的礙酸鹽或該峻酸鹽的水合物之一者或兩者為 主成分之固體。 5. 如申請專利範圍第1〜3項中任一項之由矽中去除硼之方 法，係分別進行前述以二氧化矽為主成分之固體，及以 20 驗金屬的碳酸鹽或該碳酸鹽的水合物之一者或兩者為 主成分之固體的添加。 6. 如申請專利範圍第5項之由矽中去除硼之方法，其中前 述添加之間隔係在30分鐘以内。 7. 如申請專利範圍第1項之由矽中去除硼之方法，係分開 28 成2次以上進行前述以二氧化矽為主成分之固體，及以 驗金屬的碳酸鹽或該碳酸鹽的水合物之一者或兩者為 主成分之固體的添加。 8. 如申請專利範圍第7項之由矽中去除硼之方法，係在業 已排出所形成的熔渣後，進行前述以二氧化矽為主成分 之固體，及以鹼金屬的碳酸鹽或該碳酸鹽的水合物之一 者或兩者為主成分之固體之新的添加。 9. 如申請專利範圍第8項之由矽中去除硼之方法，係從於 前述熔融矽中添加以二氧化矽為主成分之固體及以鹼 金屬的碳酸鹽或該碳酸鹽的水合物之一者或兩者為主 成分之固體之後，到排出所形成的熔渣之間隔為5分鐘 以上。 10. 如申請專利範圍第8項之由矽中去除硼之方法，係實施 複數次從添加以二氧化矽為主成分之固體及以鹼金屬 的碳酸鹽或該複酸鹽的水合物之一者或兩者為主成分 之固體，到形成溶渣後再排出溶渣之過程。 11·如申請專利範圍第10項之由矽中去除硼之方法，其中在 前述實施複數次從添加以二氧化矽為主成分之固體及 以鹼金屬的碳酸鹽或該碳酸鹽的水合物之一者或兩者 為主成分之固體，到形成熔渣後再排出熔渣之過程中， 於中途時，前述熔融矽中的硼濃度為1質量ppm以下。 12.如申請專利範圍第1項之由矽中去除硼之方法，其中前 述以二氧化矽為主成分之固體及以鹼金屬的碳酸鹽或 該碳酸鹽的水合物之一者或兩者為主成分之固體的添 1268910 加量係因形成溶潰而不會完全覆蓋溶融石夕表面之量。 13. 如申請專利範圍第1項之由矽中去除硼之方法，其中添 加二氧化石夕中之石夕莫耳數係前述以驗金屬的碳酸鹽或 該碳酸鹽的水合物之一者或兩者為主成分之固體之驗 5 金屬元素莫耳數的0.05〜20倍。 14. 如申請專利範圍第1項之由矽中去除硼之方法，其中前 述驗金屬的峻酸鹽及該壤酸鹽的水合物之驗金屬元素 為鋰、鈉、或_之1種或2種以上者。 15. 如申請專利範圍第14項之由矽中去除硼之方法，其中前 10 述驗金屬的破酸鹽及該碳酸鹽的水合物為碳酸鋰、礙酸 鈉、碳酸鉀、碳酸氳鋰、礙酸氳鈉、碳酸氳鉀、或其水 合物中之1種或2種以上者。 16. 如申請專利範圍第1項之由矽中去除硼之方法，更添加 可提高生成溶渣黏性之添加劑。