TWI250605B - Electrostatic chuck and manufacturing method for the same, and alumina sintered member and manufacturing method for the same - Google Patents

Description

九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 氧化鋁燒 本發明係關於一種靜電夾頭，其製造方法 結元件，以及其製造方法。 【先前技術】 隹牛導體製造製程或 3璃等之基板之固定，廣泛地使用靜電夾頭。靜電= t:用靜電力之基板之固定方法，-般…具有在電』 :積介電質層之構造。靜電夹頭係在载置應該固定於介 二層上之基板，利用產生於基板和電極間之稱為庫倫力 7電力，將基板固定於介電f層上。或者是靜電 "電貝層之表面和基板間之稱為約翰遜•拉伯 +在利用庫倫力之靜電夹頭（以下稱為「庫偷形式之靜 -夹頭」作為介電質層係將使用溫度 值以上之高絕緣性材料予以㈣。在利ϋ 力之靜電夾頭（以下稱為「从形式之靜電夹頭」），作為 介電質層係將使用溫度之體積固有電阻值1χ10]3ω•⑽以 下之材料予以採用。 一 :乍為介電質層之材料係知道使用聚醯亞胺等之樹脂材 料或虱化鋁（Α1Ν)或者是氧化鋁（从〇3)等之陶瓷材料。 使用水亞胺等ρ 手之树^材料之靜電夾頭係變得便宜，但 是，在性或、%性，有限度存在。例如在超過_ 7 0 6 6-6 64 8-ΡΡ Ϊ250605 ' C之鬲溫區域，使用變得困難。相、>、 氧化鋁等之陶瓷材料之靜電夹頭\ ;匕使用氮化鋁或 方面，具有良好之特性。 、在耐餘性及耐熱性之<^一 氮化鋁係究竟不容易得到 在使用作為庫儉形式之靜電夹^^體積固有電阻值， 係變得狹窄，因此，大多使用 心下，使用溫度範圍 知道作為由氧化紹所構成之:電拼二式之靜電夹頭。 成本，因此，藉由溶射法而進行貝:係為了減低製種 得到之氧化紹係體積固有電 射法所 m ’例如在 2 Ο Τ'，士、& 盡 1X10 Ω·_以下’無法得到 “ · ^ 水 < 间電阻者。因肤，担 議在入(，Ti02等之添加物， ^ 在100°C以下成為1〇9〜10"Ω 的靜電夾頭（例如參考 專利文獻1 )。此外，為了改善耐 議在氧化鋁添加^/SiC V使得在室、w 又因此，提 匕/]吏侍在至溫之體積固有電阻值成為 10〜10 n.cm的靜電夹頭（例如參考專利文獻2)。 此外，也提議使用在20(rc以下而將體積固有電阻值來 調整成為io14Hcm之氧化紹燒結體的靜電夹頭（例^ 如參考專利文獻3)。像這樣，使用f知之氧化銘來作為介 電質層之靜電夾頭係以體積固有電阻值之降低或者是耐腐 蝕性或強度之改善，來作為目的，使用加入添加物之氧化 鋁之介電質層。此外，即使是使用比較高之體積固有電阻 值之靜電夾頭，也使得氧化鋁之介電質層之體積固有電阻 值，成為1〇16Ω· cm以下。 【專利文獻1】曰本特開平3一 2〇4924號公報、申請專利範 7066-6648-PF 6 1250605 圍第1項及表3 【專利文獻2】曰本專利334814〇號、申請專利範圍第1 項、段落[0027] J文獻3】曰本特開2003 — 1 52065號公報、段落[⑽j 〇] 【發明内容】 【發明所欲解決的課題】 但是，使用陶瓷材料中之氮化鋁來作為介電質層之靜 f夹頭係具有氮化鋁之體積固有電阻值比較小之半^體性 貝，因此，電阻之溫度依附性變大，在由低溫開始一直到 高溫為止之寬廣之溫度範圍，不容易維持高度之吸附力。 此外，也不容易皇制漏| 像這樣，在使用介電質層之電阻比較小之氮化鋁之了 —R形式之靜電夾頭，無法避免漏電流之問題。另一方面， 在庫倫形式之靜電夾頭，漏電流之問題變少，但是，容易 =靜電夾頭之表面’將殘留電荷予以殘留。0此，在:電 質層之體積固有電阻值無法充分變高之狀態下，會有所謂 基板之脫合響應性變差之課題發造。 此外，添加習知之添加物而使用比較低電阻之氧化鋁 來作為介電質層之靜雷决頭得古 貝H靜电又頭係有曰曰囫巧染或漏電流之問題 ’生。此外，即使是使用比較高電阻之氧化銘來作為介電 質層之靜電夹頭’也在提高溫度時，降低其體積固有電阻 值，惡化基板之脫合響應。也就是說，在習知之靜電失頭， 會有所謂僅可以使用在狹窄之溫度範圍之課題發生。'此 外，也無法提供在寬廣之溫度範圍來維持高度之絕緣性之 7066-6648-PF 7 l25〇605 氧化鋁元件。 因此，本發明之目的係提供一種可以在寬廣之溫度範 圍來維持穩定之吸附力而減低對於基板之漏電流並且脫合 響應性良好的靜電夾頭、在寬廣之溫度範圍來維持高度之 絕緣性的氧化鋁燒結元件、以及這些之製造方法。 又 【用以解決課題的手段】 本發明之靜電夾頭，其特徵在於包括：由室溫之體積 固有1?阻值以上、3，c之體積固有電阻值 lM〇14Q，cm以上之氧化鋁燒結體所構成之陶瓷介電質層 以及形成於陶莞介電質層之某一邊之面上之面狀電極。、S 此外，本發明之其他之靜電夾頭，其特徵在於包括： 由室溫之體積固有電阻值lxmcm以上、之體積 固有電阻值wo、，以上之氧化紹燒結體所構成之陶 究介電質層以及形成於陶曼介電質層之某 狀電極。 达心曲上之面 禾精由這些靜電夾頭的話，則比起習知之氧化鋁 ^體，可=藉由在寬廣之溫度範圍具有極為高之體積固 “阻值之氧化鋁燒結體而形成陶瓷介電質層。因此，靜 夾頭係可以成為庫倫形式之靜電夾頭，在寬廣之溫戶 =提供穩定之吸附力。此外，靜電夾頭係可以減低I =頭開始至基板之漏電流。並且，靜電失頭係在陶吏 电貝層中’幾乎不存在電荷，因此，基板脫合時之塑應 度變快，可以得到良好之脫合響應性。 θ〜 此外，在使用WC之體積固有電阻值ΐχι〇ΐ4Ω•咖 7066-6648-PF 8 ^250605 化銘燒結體之靜電夹頭之狀態下，氧化 之版積固有電阻值成為以上。 果错此的話，則靜兩Α -石衫 维持” ^夹碩係可以在更加寬廣之溫度範圍， 入夺问度之吸附力，能夠減低漏電流 合響應性。 亍判良好之脫 ρ此外，即使是在任何—種靜電夾頭，氧化銘燒结體係 =好是純度99.5重量％以上、密度3 8()〜4场/⑽3。 有，此的話’則靜電夹頭係可以在寬廣之溫度範圍，且 之編有電阻值，不可能成為對於基板之污染 ’、此夠具有南度之耐腐蝕性之陶瓷介電質層。 此外，氧化鋁燒結體将导辟Η — & u 一體係取好疋在惰性氣體氣氛或還原 沉下，錯由熱沖麼法而燒成。如果藉此的話，則靜電夾 Γ'Γ包括：藉由利用熱沖壓法所施加之屋力而持有緻 二^度之脰積固有電阻值之氧化銘燒結體來構成之陶曼 介電質層。 U瓦 此外，陶竞介電質層係最好是厚度0 05職〜050刪。 :果藉此的話’則靜電夹頭係可以提高在载置於陶变介電 二層上之基板和電極間之所發生之靜電力（庫倫力），能 夠發揮高度之吸附力。 此外’靜電夹頭係可以具有透過電極而接合於陶变介 電質層之陶竞基體。在該狀態下，陶竟介電質層、電極及 陶竟基體係最好是使用熱沖壓法而燒成之—體燒結品。如 果猎此的話’則靜電夾頭係不介在接著劑層，呈無間隙地 接合陶竟介電質層、電極及陶竟基體，因此，可以提高耐 7066-6648-PF 9 1250605

腐餘性D :究基體係最好是氧化銘燒結體。如果藉此的 砰甩夾碩係陶瓷介電質層和 ^ ^， 尤基體猎由同種類之陶瓷而 二二：、:可以幾乎消除陶究介電質層和嶋體間之 二，能夠防止在兩者之接合部分，發生熱應力。 用^明之靜電夹頭之製造方法’其特徵在於包括··使 了銘99.5重量％以上之陶竟原料粉末，在惰性氣 一礼汛或逛原氣氛下，藉由熱沖 化銘燒結體之製程.以及w 成，製作氧 版I衣扭，以及形成面狀電極之製程。 如果藉由此種靜電夾頭之製造方法的話 之氧化鋁燒結體，可以得到在办 貝!比起白知 之體積固有電阻值之高純度 有極為- 妲糾从 平站^凡結體。此外，可以 =使用該氧化㈣結體來作為㈣介電質層之庫倫 广電夾頭。因此，如果藉由此種製造方法的• 二 提供能夠在寬廣之溫度範圍發揮穩^之吸、、、以 :静電夹頭開始至基板之漏電流並且顯示岸 ::靜電夹頭。此外，如果藉由此種製造方法的：:二 =陶究介電質層之純度’因此’能夠提高不成為對於 土板之污染源的靜電夾頭。 、 …此外’在本發明之靜電夹頭之製造方法，並無 述製程之順序。例如可以使用前述陶堯原料粉 :匕銘成开:體，在該氧化紹成形體之某一邊之面上，形成= 卜冋日守燒成氧化銘成形體和電極。或者是可以使 陶竟原料粉末’成形埋設有電極之氧化銘成形體，同:燒 7066-6648-PF 10 l25〇6〇5 成氧化銘成形體和電極。 瓷原料粉末所成形之氧 可以在燒成使用前述陶 之面上，形成電:繼成形體後，在燒結體之某-邊 本發明之氧化鋁燒結元件，盆 —、 固有電阻值成為1χ1〇ηΩ ζ、、5 ;.至溫之體積 值成為…6.JVTcnr上’續之體積固有電阻 件，其特徵在於:室：1=Γ之其他之氧“燒結元 以上，戰之體積固右Γ 電阻值成為1χ1〇17Ω•⑽ 積Q有電阻值成為lxl〇15Qecm 果藉由這些氧化鋁燒結 上。如

圍，維持高度之έ : ，5 ’、IJ可以在寬廣之溫度範 用在寬二二因此’氧化峨元件係可以使 ^ 度乾圍需要高度之絕緣性之各種用途上。 产 ，3〇〇C之體積固有電阻值ix10〗4：a,cm 氧化鋁燒結元件係JL 士 。 ^上之 •cm以上。如果夢疋〇〇C之體積固有電阻值…〇、 加寬廣之溫度範圍，維持高度之絕緣性，可==更 廣泛之溫度範圍需要高絕緣性之用途上。 在更加

1任何一種氧化紹燒結元件係也最好是吨产成為 99·5重量％以上，密度成為3·8〇〜:: 固有電阻值、二：寬廣之溫度範圍具有高度之體積 之氧化输元件成為污染源並且具有高度之耐編 =1匕^結70件係最好是在惰性氣體氣氛或還原氣气 燒結元件係可以包如果藉此的twi氧㈣ 匕括·错由利用熱沖壓法所造成之壓力而

7066-6648-PF 11 Ί250605 進行緻密之高度之體積固有電阻值。 本發明之氧化銘繞結元 括：藉由使用包含氧化紹99 ;4寸欲在於包 末，在惰性氣體氣氛或以1重里：以上之陶£原料粉 μ说 —Q原軋虱下，利用熱沖壓法而進行 &成’來製作室溫之體積固有電阻值成為… 上、幫之體積固有電阻值成為一 ·⑽以上：氧 鋁燒結體之製程。 以上之虱化 此外，本發明之其他之氧化紹燒結 其特徵在於包括··藉由#用4人^ 炙Ik方法， 稭由使用包含氧化鋁99_5重量 二了料粉末，在惰性氣體氣氛或還原氣氛下，利用敎沖 =進行燒成，㈣作室溫之體積固有電阻值成、為 Q.cm 以上、2〇〇〇r 夕贼士； C之體積固有電阻值成為1χΐ〇15Ω· cm以上之氧化鋁燒結體之製程。 如果藉由這些此種之氧化銘燒結元件之製造方法的 =則可以製作在寬廣之溫度範圍具有極為高之體積固有 1=:二屯度之氧化銘燒結元件。因此，如果藉由此種 一法的話，則可以提供-種能夠在寬廣之溫度範圍维 持高度之絕緣性、不可能成Λ、、兮汰冗aAp 又乾㈣、、’ 个」此成為万染源的氧化鋁燒結元 【發明之效果】 正如以上所說明的’如果藉由本發明的話，則可以提 =1 可以在寬廣之溫度範圍來維持穩定之吸附力而減低 對於基板之漏電流並且脫合響應性良好的靜電夾頭、在寬 廣之溫度範圍來維持高度之絕緣性的氧化叙燒結元： 及這些之製造方法。 7066-6648-PF 12 I2s〇6〇5 【貫施方式】 以下’參考圖式，同時，就本發明之實施形態之靜電 失頭，JL制、生一 、、，、衣&方法，氧化鋁燒結元件，以及其製造方法而 進行說明。 (靜電夾頭） 圖1係顯示本發明之實施形態之靜電夾頭10之構造之 ^ 1)俯視圖及（b)剖面圖。靜電夾頭1 〇係具備：陶竟介 電貝層3、形成於陶瓷介電質層3之某一邊之面上之面狀電 2、透過電極2而接合於陶瓷介電質層3之陶瓷基體1、 X及電極端子4。在陶瓷基體1上，配置電極2和陶瓷介電 、曰，笔極2係成為埋設於陶瓷基體1和陶瓷介電質層3 間之狀態。 、陶瓷；丨電質層3之表面係成為基板載置面3a，矽晶圓 或玻璃等之基板係載置及㈣於基板載置面仏上。陶究基 體1、陶莞介電質層3係例如正如圖丨所示，成為圓盤狀土。 此外，靜電央頭10係僅具備i個電極2之單極型。 靜電夹頭10係使用在寬廣之溫度範圍顯示極為高之體 積固有電阻值之氧化銘燒結體來作為陶竟介電質声3 倫形式之靜電夾頭。以下，更 n、曰 旯加具體地，就靜電夾頭之構 造而進行說明。 陶竞介電質層3係藉由室溫之體積固有電 lxi〇”Q,cm以上並且3〇(rc 玖為 之餵積固有電阻值成為 以上之氧化銘燒結體而形成。 成為 或者是陶兗介電質層3係可以藉由室溫之體積固有電 7066-6648-PF 13 1250605 阻值成為lxl〇i7Q，cm#上並且2⑻。c 為1χΐ〇ΐ5Ω μ ^ 積固有電阻值成 Ω Mm以上之氧化鋁燒結體而形成。 像這樣，陶瓷介電質層3係在寬廣 極為高之體積固有電阻值，因此，作為庫;：=圍，具有 頭係能夠在寬廣之溫度範圍，穩定地："'之靜電夾 :倫形式之靜電夹頭w係在電極-載置層 上之基板間，產生藉由以下之公式（ _ 曰 r y尸坏表示之吸附力 二因此’基板係藉由吸附力（F)而進行吸附。 F= ( 1/2) ε2ε0 ( V/D) 2 · · . ( i ) :公式⑴，“系陶究介電質層3之介電係數，⑼得 係數，v係施加至電極2之施加電壓，d係電極2 ::間之距離、也就是陶变介電質I 3之厚度。陶曼介 “貝層3係可以藉由在寬廣之溫度 固有電阻值，而提古八…、入隹持南度之體積 一 ^冋A式（1 )之介電係數ε。結果，籍雷 夹頭10係可以在由室溫開始 ” 之、、西庚r fi你从 L $ 300 C之所謂寬廣 ^ 南度之吸附力（F)。此外，此種陶变介 包貝層3係即使是在室溫以下，也 t ^ m 、、隹持向度之體積固 “阻值，m夠在料寬廣之溫 之吸附力。 、、隹符回度 此外’靜電夹頭10係可以在寬廣之溫度範圍，維持高 =積固有電阻值，因此，能夠減低由靜電夹頭!。開始 “It漏電流’：以幾乎完全地防止。因此，靜電夾頭 糸了以適用在微小之漏電流對於元件特性來造成影塑 之下一世代之半導體製程。 曰

7066-6648-PF 14 *1250605 在電料’靜電夹頭10係在陶究介電質層”，幾乎不存 目此’能夠使得基板脫合時之響應速度變快，顯 =子之脫合響應性。“知之庫倫形式之靜電夹頭中， …至溫具有1x1014〜lxl〇16〜程度之比較高之體 =口有電阻值之介電質層材料。❻是，即使是此種靜電爽 '’也在溫度變高日夺，降低體積固有電阻值。因此，在對 於電極之施加電壓解除祛 解U後也在介電質層，將殘留電荷予 以殘留，維持著吸附力。因此，》了脫合基板，所以，殘 留電何係必須某種程度地移動至介電質層夕卜，結果，所需 要之時間係必須至基板脫合為止。 =就是說，使用在j— R形式之靜電夾頭之具有 ,Ω cm以下之比較低之體積固有電阻值之介電質層 係迅速地流動著介電質層内之殘留電#，因此，脫合響應 時間係變短。但是，在具有lxlGl2〜lxmeii^度之比 車:高之體積固有電阻值之介電質^，在施加電壓除去後， :留：介電質層内之電荷係移動至電極側或基板側，因此 才匕費時間，使得基板之脫合響應性變差。 相對於此，靜電夾頭10係使用在室溫具有1χ1017ω· cm以上之極為高之體積固有電阻值之氧化鋁燒結體，來作 為陶瓷介電質層3，因此，基板和電極2係完全地極化，流 動在陶瓷介電質層3内之電荷係幾乎不存在。因此，在施 加電壓除去後，可以防止由於流動在陶瓷介電質層3内之 殘留電荷之影響所造成之脫合響應性之惡化。具體地說， 如果陶瓷介電質層3之體積固有電阻值成為1χ1〇ΐ7Ω·ςΠ1 7 066-664 8-PF 15 1250605 以上的活，則幾乎同時解除施加，如果成 、 1 ^ ίΐ · era 以上的話，則可以由解除施加開始，在5·6秒鐘以内，進行 基板之脫合。像這樣，靜電夾頭10係基板脫合時之響應^ 度非¥地迅速，具有良好之脫合響應性。 2外，形成3帆之體積固有電阻值lxlQ14〜m以上 之陶究介電質層3之氧化銘燒結體係最好是4 固有電阻值成Α Ί χ1η〗4η 積 值成為1X10 Ω·_以上。如果藉此的話 電夾碩1〇係可以在更加寬廣之溫度範圍，具體地說，在由 室溫以下開始至4峨之所謂寬廣之溫度範圍，維持高 吸附力’能夠減低漏電流，可以得到良好之脫合響二:。 此外，形成陶曼介電質層3之氧化紹燒結體係最好^ 3〇〇c之體積固有電阻值成為lxl〇15n,cm 疋 成陶瓷介電質層3之氧化鋁燒結體係 ^外，形 固有電阻值成為1χ1〇ΐ5Ω & 2〇〇C之體積 cm以上。如果藉由這此 則靜電夾頭10係可以更加提高脫合響應性。—— 陶瓷介電質層3之厚产η在 地說，陶…質…=好好是=比較好。具趙 承4柿相曰λ ^ 丁疋0·〇5ηιιη〜〇.5mm、 更加理想疋0.05mm〜〇.4〇mm。如果葬

7066-6648-PF 1250605 ^之體積固有電阻值。特別是氧化㈣結體係最好是 在_氛或惰性氣體氣氛中，藉由熱沖壓法而進砂成。 如果藉此㈣，則氧化在呂燒結體係可以更加確實^得 到:斤謂室温之體積固有電阻值以上並且、戰 之版積固有电阻值WO%、以上之特性或者是所謂室

=體積固有電阻值1X1❼·em以上並且翁C 有電阻值…❿，以上之特性。因此，靜電夹頭10係 藉由㈣熱㈣法所施加Μ力而變得緻密並 且由具有高度之體積固有電阻值之 陶瓷介電質層3。 一體所構成的 惰性氣體_如可以❹氮或氬。惰性氣體氣氛 t 減塵下’導入情性氣體而形成。此外，進行複數 ^:如2次）之燒成，在至少1次、例如最後（第2次） 、“，可以在還原氣氛或惰性氣體氣氛中，藉 法而進行燒成。也可以藉由這個而更加確 二:广 積固有電阻值。像這樣，藉由：仔、述體 中之熱沖壓法所造成之燒成係可 複數次之燒成之狀態τ，例如可⑽由//:人。在進行 所-生占夕法a J以精由使得利用熱沖壓法 所以成之燒成成為1次，除了這個以外成為常… 而更加簡易地進行製造。 ”、、土凡、、、口法， ❸φΓί ’氧化料結體之體仙有電阻值係複合地声塑 到(:純物之濃度）、結晶性、緻密性、結晶粒：a 數個要素。因此，調整這些要素而調整ΐ 化鋁k、，、口肢之體積固有電阻值。

7066-6648-PF 17 •1250605 好是99·5重^Ε ;Ι ι貝層3之氧化銘燒結體之純度係最 如果藉此的話= 九，密度係最好是3.8〇〜4·，/⑽3。 範11具備g #、“夾碩1(3係可以包括：在寬廣之溫度 /、備回度之體積固有電阻值、 污染源並且古Μ — 此成為對於基板之 N f腐餘性的陶瓷介電質層3。 斗寺另】疋陶瓷介電質層3 到基板，但3，& ' 土板載置面3a係直接地接觸 以上，抑制二氧化鋁燒結體之純度係高達至99.5重量％ 置於嶋電質二電夹頭10係即使是在基板直接地載 莞介電質屏；“之+蛤體心牛寺之污染。並且，陶 貝s 3、其密度係3.80〜4.00g/cm3而 及緻密，因此，靜雷十1 1Λ / 叩又侍非吊同 ^電失頭10係可以具有非常高之耐腐蝕性。 心之乳化鋁燒結體之純度係99.7重量％以上，更加 理想之氧化紹燒結體之密度係3.8。〜〜⑽、 此外’形成陶究介電質層3之氧化紹燒結體之彎曲強 度(了18 1^16〇1)在田_^曰1 )係取好疋35〇MPa以上。如果藉此的話， 則氧化鋁燒結體係I 0 & 餵係不谷易在穿孔加工等之加工時，發生破 裂等之破損。並且’使用此種氧化紹燒結體之靜電夹頭10 係也在使用中’不容易產生缺口，因此，可以防止微粒之 產生’也能_高耐久性。更加理想之彎曲強度係如跑 以上。 此外陶瓷；ί電質層3之表面粗糙度（Ra) ( JIS B0601 ) 係最子疋0.5μιη以下。如果藉此的話，則可以在基板之背

7066-6648-PF 18 1250605 面㈣£介電質層3之基板載置面3a之間而流動著後側氣 體日守，防止後側氣體之流動發生散亂，能夠使得基板之溫 度變得均勻。陶瓷介㊉所 θ 电貝層3之表面粗糙度（Ra)係最好 是越小越好，但是，Α τ Λ生丨 為了抑制加工之成本，因此，最好是 〇. 1 〜0·5μιη 〇 此外’構成陶莞介雷質居 ^ 电貝θ 3之虱化鋁燒結體之開氣孔 率係最好是〇 %。如果葬卜卜沾句1 果猎此的話，則可以使得耐電壓變大。 此外’構成陶莞介電質；3 卜_ 貝層3之乳化鋁燒結體之最大氣孔直 授係最好是1 〇〇μιη以下。如果萚 … 卜如果猎此的話，則可以使得耐雷 屬變大。最大氣孔直徑係更加理相 仅你文加理想疋50μη1以下。此外

成陶瓷介電質層3之氧化鋁焯上A 乳化鋁垸結體之耐電壓係最好是l5kv /mm以上。耐電壓係更加理想是ΐ8]^/以上。 此外，陶瓷介電質層3之直栌伤 〈直仫係取好是更加小於载置 土板載置面3a之基板之直徑。如果藉此的話，則可 载置基板時’藉由基板而覆蓋陶变介電質層3，能夠不 陶竞介電質層。因此’例如在乾式姓刻震置等之 而使用靜電夾頭10之狀態下，可 ^ ^ 防止由於電漿撞擊來硗 政陶瓷介電質層3之成分而污毕美 水氣 層3之形狀係並無特別限定，也 、 也了以配合於使用環境 有更加寬廣於基板之基板載置面3a。 一 電極2係施加電壓，產生备蕾+ 座生靜電力（庫倫力）。 係例如可以使用鉬（Mo)、鎢（w) 、wc等丄〜2 屬，其形態係並無特別限定。例如電極2係=:熔點二 由印刷、乾燥、燒成而形成包含全屬 用·藉 "金屬粉末之印刷糊膏之印 19 1250605 刷電極或者是藉由機錄或離子束蒸錄等

等之化學蒸鑛而形成之金屬薄膜 療鍍、CVD 係可以藉由钱刻等而成為特定之狀（圖：電極。金屬薄膜 電極）。或者是作為電極2係可以使用全^電極（圖案 電極）、群組金屬、金屬板茸之美辨用金，··同電極（網目狀 主屬极寺之基體金屈 印刷電極之狀態下’為了接近和陶 二’在形成 體I間之熱膨嚴係數，因此，最好是：二或陶竟基 或陶究基體Μ採用之陶究粉末 用末γ氣化紹粉末 電極2係正如圖1所示，最好是二末之印刷糊膏。 崎介電質層3間之接設在陶 之構造。如果藉此的話，則靜電夹頭^至外部 腐钱氣體氣氛中之狀態下，能夠提高其耐:在：用於 2,藉由銲料㈣翻㈣加㈣ 性。在電極 陶究基體1係由陶究燒結體所構成，：持子電：2 竞介電f^。如果陶究基體燒和陶 無限定其種類，但是，最好是氧化;^體的話，則並 ㈣電質層”，基體！係藉由同種二=陶 膨脹係數差和陶变基…之熱 膨脹係數之不同之所造a:一 結體Si:體二Π:純^99重量心上之氧化銘燒 ”之… 的話，則陶究基體1係也可以具襟 生、耐熱性、耐腐钱性。但是，

不要求相同於構成陶究介電質層3之氧化銘燒結體二樣 7066-6648-PF 20 1250605 程度之高體積固有電阻值。 社 π龙基體1係也除了氧化鋁燒 Ν / 可以使用氮化紹（Α1Ν)燒結體、氮化石夕 (Λ:。燒、!體、碳切（sic)燒結體或者是由尖晶石 g”；寺之所構成者。此外’作為基體係•了陶瓷以 所槿：可使用由金屬材料或陶究和金屬之複合材料等之 所構成者。 丁于心 沖芦：瓷：電貝層3、電極2和陶瓷基體1係最好是使用熱 冲i法而主一體地進行燒成之一 10成為藉由利用敎沖舞法戶…: 错由靜電央頭 、止 m去所造成之燒成而進行-體化之構 ::::便於使得陶£基體1和陶究介電質層3可以不透過 =層#而接合兩者之接合面’同時’呈無間隙地接合 電質層3、電極2和陶究基體1。也就是說，可以成 殘留接合之界面而進行—體化之靜電夹頭丨。。因 此句“耐腐錢。也就是說，由於能夠使得埋設之 元全地遮斷於外部氣氛，因此，靜電夾頭10係可以 對於f腐錄氣體中之使用而維持高度之耐腐兹性。 以外：：二員之構&係除了圖1所示之單極型靜電夾頭1〇 °以成為圖2所示之具有2個電極之雙極型靜電 爽頭20之構造。圖2係顯示靜電夾頭2〇之構造之⑴俯 及⑴剖面圖。靜電爽頭2〇係包括：陶变基體… 固^極〜咖及陶曼介電質層3以及2個電極端子仏、 24b 〇 弓在靜電夾頭2〇,埋設於陶竟基體1和陶兗介電質層3 間之面狀電極係分割成為2個。電極之分割方式係並無限 21 1250605 疋。例如可以將電極 π 9 〇成為2個之半圓形、2個之私 形、2個之環圈形狀。 饮廢 所千之主π 接者靜電夹頭2〇係可以使用_ 所不之+圓形或梳齒 2 u此外，電以狀寺之電極，來作為電麵 之複數個+ 係亚非2個，也可以分割成為更> 之複數個電極。在靜電夹頭20,在 更Γ 由銲錫等而連接電極端子24a、 22b，轉 _ , ^ ^ 些方面以外，挺 琶夾頭20係相同於圖1所示之靜電夾頭10。 此外，靜電夾頭係可以具有用以加熱基 件。圖3係顯示具有加埶哭 …、的兀 …的兀仵5之雙極型靜電夹頭3〇之 構之剖面圖。靜電央5苜3 口爾电又碩30係包括·陶瓷基體卜電極22a、 22b、陶究介電質層3、加熱器元件5、電極端子μ…仆 和加熱器元件端子5 a、5 b。 加熱器元件5係由於施加電壓而發熱。加熱器元件$ 係埋設在陶究基體i中。在加熱器元件5，藉由銲錫等而連 接用以供應電力之加熱器元件料5a、5b。加熱器元件端 子5a、5b係由靜電夹頭3〇之中心部來取出。 加熱器元件5係電阻發熱體，例如可以使用鉬（M〇)、 鶴（W)、WC等之高熔點金屬，其形態係並無特別限定。 例如加熱器元件5係可以使用：藉由印刷、乾燥、燒成而 幵/成包含線狀、線圈狀、帶狀之基體金屬、金屬粉末之印 刷糊膏之印刷元件或者是金屬薄膜等。除了這些、面: 外，靜電夾頭30係相同於圖2所示之靜電夹頭2〇。 (靜電夾頭之製造方法） 接著’就靜電夹頭10之製造方法而進行說明。靜電 7066-6648-PF 22 1250605 央頭1 〇係包括：择用^7人与 使用包含乳化銘99.5重量％以上之陶 料粉末，在惰性_俨_ _ 定原 虱汛或還原氣氛下，藉由熱沖壓法％ =成、::;r㈣結體之製…及形成面狀電: 足二製私之順序係並無限定。 例如可以在使用前述陶 ^ y 艽屌料粉末而成形氧化鋁成拟 脰後，在氧化鋁成形體s 夕 L ^ 某一邊之面上，形成電極，同晬 地&成氧化銘成形體和電極。 迅位：¾耆疋可以使用 料粉末，形成埋今右帝托> > < n免原 包木之氧化鋁成形體，在同時進 極之形成和成形後，同瞎 ' 寸'凡成乳化銘成形體和電極。此外， 也可以在對於使用前述陶姿原 體來進行燒成後，二=末之氧化紹成形 成後在乳化鋁成形體之某一邊之面上，开彡士 電極。 形成 此外’靜電夾頭之制生 空““、士 “方法係可以具備：使用前述陶 瓷原料粕末而成形氧化鋁成 版心衣矛壬在乳化鋁成彤鞅 上形成電極之製程、以及尤畜 ~ 以及在虱化鋁成形體及電極上 層積陶究成形體之製程；也可以 乂及 a匕枯·將埋设電極之一髀 成形體予以成形之萝藉、，v a + & 體 — 衣私以及在惰性氣體氣氛或還原廣韦 藉由熱沖壓法而燒成兮, ’、虱汛 几成-亥一體成形體之製程。如果 话，則可以提供成為陶究介電 、 瓦；丨电貝層3、電極2和陶瓷基 之一體燒結品的靜電夹頭。 或者是可以具備·祜田乂、+、a & 、 備.使用則述陶瓷原料粉末而成形氧化 銘成形體之第1成形制壬口、、陸七β 衣王、成氧化銘成形體而製作氧作 鋁燒結體之第1燒成制壬口产& 衣作乳化 几成I#王、在虱化鋁燒結體之某_ 上形成面狀電極之製寇、β γ ^ 衣私、以及在氧化鋁燒結體和電極上成

7066-6648-PF 23 1250605 Γ及層積陶£成形體之第2成形製程；也可以包括：製作 氧化鋁k結體、電極和陶瓷成形體之一體品之製程、以及 在=性氣體氣氛或還原氣氛藉由熱沖壓法而燒成該一體品 =2燒成製程。如果藉此的話，則可以提供成為陶竟介 私貝:3、電極2和陶瓷基體1之一體燒結品的靜電夾頭。 氧化鋁燒結體之體積固有電阻值係複合地影響到純产 (不純物之灌；^、 又 、、、、〇晶性、敏密性、結晶粒界肤 之複數個要素。因卜卜 又狀心寺 結體之體積固有電:信可以調整這些要素而調整氧化紹燒 粉末之純度或平均私尸 ^ 乳化銘 成時之壓力、声成方Γ ^成溫度、燒成氣氛、加壓於燒 為成次數等之燒成條件等，而成 兩至皿之體積固有電 固有電阻值1Χ10、· 以上、3〇〇。°之體積 之體積固有電阻值1χΐ=^上之減㈣結體或者是室溫 阻值1X1。、二Ω •⑽以上、贿之體積固有電 上之氧化叙燒結體。 接著，參考圖4(a)〜圖 之製造方法之芊m () 5兄明静電夾頭10 呆例子。百先，正如圖4 () 圓盤狀氧化鋁成形髀，、隹1α (a)所不，成形 該氧化紹捧处 — 仃、成，製作氧化鋁燒結體1 3。 …、…體13係最後成為陶咖質層3,作是，對 ”…削製程或熱沖厂燒成製程等，具有充一:之;: 又口此，氧化鋁燒結體〗3 之陶莞介電質層/度“好疋更加厚於最後 下，成為數―—之厚度。 為了氣作此種氧化紹燒結體13，因此，首先準備以氧

7066-6648-PF •1250605 化銘作為主成分之陶究原料粉末。作為此種陶究原料粉末 係除了氧化㈣末以外，還可以添加氧化 (Mg〇)等之 燒結助劑粉末。但是，最好是使得氧化铭粉末之含有量至 v成為99.5重量％以上。此外，最好是使用氧化銘粉末之 純度成為99·5重量％以上者。 在該陶瓷原料粉末，以既定之配合比，來調合黏合劑， 使用球磨機等而進行混合，來得到浆體。接著，乾燥繁體 而㈣造粒顆粒。使用得到之造粒顆粒而製作氧化結成形 體（第1成形製程）。例如使用模具成形法、cip (⑽

Is〇_1CP⑽ing (冷等靜幻）法、滑動禱造法等之成形 方法而製作圓盤狀之氧化鋁成形體。 v :如使用常壓燒結法等，在大氣中或惰性氣體氣氛 中，在大約1600°c〜17〇〇°C，對於得到之成形體，來進行 大…小時之燒成（第"堯成製程）。像這樣 化_體"。燒成方法係也可以使用常遷燒結法以外之 方法。取好是可以在使用㈣燒結法之狀態下，使 之設備。此外’在氮氣氛藉由常麼燒結法而製作氧化紹燒 結體13之狀態下，藉由第丨燒成製程 ^ 、 70 體13之體積固有電阻值係在 之虱化鋁燒結 ^ 值你在至瓶，成為大約 接著，正如圖4(b)所+，+ # , 1 J所不在虱化鋁燒結體13之某一 邊之面上，形成印刷…2。首先對於氧化無燒結體、 之某-邊之面進行研削加工而形成平坦之平面（平 在得到之平滑面上，藉由網版p 精由，'罔版印刷法等而印刷包含W、M。、 M〇c寻之金屬粉末之印刷糊膏，形成面狀印刷電極12，進 25 1250605 :乾燥。為了在印刷糊膏，調整燒 碇好是添加氧化鋁衿古< 了之熱收鈿率，因此， 在平滑面上 末5重量％〜50重㈣。此外，可以 等’错由濺鍍或離子束蒸鍍等之物 寺之'學蒸鍍而形成金屬薄膜之臈狀電極。里導⑽ 接著，例如安裝氧化鋁燒結體13， 呂燒結體13之上方開始，將使 ^極12和氧 製作之造粒顆粒予以填充，以便於在心=究粉末所 電極12之面。# γ^ "路出形成印刷 ^ ‘延樣，猎由模具成形法而忠犯 體1之陶瓷成开彡少成為陶瓷基 u成形體11 (第2成形製程）。 … 是混合氧化彡g t @ u D ;、顆粒係最好 化鋁粉末之純度係可以是、乍此外，氧 料結體13之氧化 1一疋取好疋99重量％以上。 藉由此種模具成形法，而正如圖4 =燒結體13、印刷電㈣及暢形 體/化铭燒結體13、印刷電極12及陶莞成形體"之一 —。口。接著’藉由熱沖麼法’而正如圖4(c)所示 :軸方向，細一體化之氧化銘燒結體"、印刷電極12 尸㈣成形體11之—體品’同時’進行燒成（第2燒成製 私燒成條件係並無限定，但是，最好是在減屢下，在 導入虱、虱寻之惰性氣體之惰性氣體氣氛中，或者是在還 原氣氛，在16〇〇°C〜17〇(rC，進行大約卜3小時之燒成。 此外，加入之壓力係、最好是5咖〜3〇Μρ”藉此而得到氧 化銘燒結體U、印刷電極12及陶究成形體n呈一體化之 一體燒結體。

7066-6648-PF 1250605 —藉由經過2次之燒成製程而使得氧化鋁燒結體I〕達到 2之體積固有電阻值1χ1〇17ω，以上並且冒c之體積 固有電阻值lxl〇14n*cm以上。 、 取後正如圖4 ( d)戶斤示，研削氧化紹燒結體13，調整 :度成為0.05〜0.50mm，得到陶瓷介電質層3。此外，進 二磨而使繼介電質層3之基板載置面之表面粗糙度 ㈧成為0.5陣以下。在陶㈣結體，形成插入電極端 菩\之孔’配合需要而將覆蓋電極端子4周圍之圓筒形陶 電括形成之孔。接著，在電極2,藉由銲錫等而連接 知子4。像廷樣而得到圖4 (d)所示之靜電夾頭忉。 ，陶瓷介電質層3係藉由氧化鋁燒結體 形成，陶咖1係藉由二Si 可以對於體而形成。此外’正如圖4(d)所示， 加工而使結體13和陶莞燒結體之側面來進行侧面 力工而使侍基板載置面之面積變窄。 如果藉由此種靜電夹頭之製造 經過2次之燒成製程而製作由在室溫具二二可以藉* 二：極為高之體積固有電阻值之氧化紹燒 竞介電質層3。此外，藉由利用第2成形製程和=旬 造成之燒成（第2燒成製程:^去所 町％乳化鋁燒社 印刷電極12及陶变成形體u，來進行—體 ：3、 結體’因A，得到不具有接合層之靜電夹頭Μ。牿：,燒 使用氧化鋁粉末來作為陶瓷成形體丨丨 '別是在 —〈原料粉末之肛、台t 下，可以使得和氧化銘燒結體13間之接合變得良好：： 7066-S648-PF 2Ί 1250605 幾乎不存在接人另 口介面之一體燒結體。 頭10係即使是使 u此侍到之靜電爽 1之用在腐蝕性氣體氣氛 由陶瓷介電質声3 4 也可以防止因為 、9 J和陶瓷基體1間之接人邱八十& 所造成之電極2夕f σ邛刀來入氣體 夂竭飯。 此外，在今'制 & η，對於其單面進?方m單獨地製作氧化紹燒結體 i甘 仃研削加工，形成平坦之平面（平取而、 在其上面，形成印 （千π面）， I刷电極12。此外，力益山 成之燒成製程後，龚士 3由熱沖壓法所造 段 猎由研削加工而最後古月敏气/u △ # 之厚度、也就是取俊凋整虱化鋁燒結體 1竞；丨電質層3之厚产。α 該製造方法的話，又 ，如果藉由 則此夠以尚精度，來控制 之厚度。因此，上工制陶是介電質層3 ^ 果藉由該製造方法的話，則可以％替η 瓷介電質層3夕后— 〜J以5周整陶 、 予又，成為〇.5mm以下而轡尸μ i — 且，能夠使得1厚声妈^ Aa 下而.艾侍極為溥，並 法的話，則能斜於括^ 、、σ果，如果藉由該製造方 、句务揮尚度之吸附力，可 附力變得均白Γ / 襄w在面内之吸 靜電夹頭10。 面円1勾性）之庫倫形式之 此外，燒成製程係不一定需要 由利用1今夕益、山 疋而要進仃2次，也可以僅藉 10。在該狀能下 成之粍成衣程而製造靜電夾頭 在"亥狀恶下，例如藉由使用模 圓般壯€儿 > < 斤塵成幵> 法而製作 ^狀#1化鋁成形體。將 ^ 他之模具底部，在里上面“銘成形體’安裝在其 基體全1。# β 如載置面狀之金網電極等之 埴=二’由氧化銘成形體和金網電極之上方開始， 藉末等之陶莞原料粉末，進行沖壓成形。可以 伃乳化銘成形體和陶£成形體呈一體化之一體成

7 066-6648 _PF 1250605 接者，精由熱沖壓法而燒成得到$ ξ.ι - # ^ ^ ^ 于到之一體成形體，得 到體燒結體。最後相同於圖4 (d)撕 a ^ am ^ )所不之製造方法，可 以施仃研削加工等，來調整 度。 瓦；丨电貝層3,成為既定之厚 此外，例如可以藉由進行複數 埶沖厚半人（例如2次）之藉由 熱冲I法所造成之燒成製程， 之4彳卜钮Μ & 木表作成為陶瓷介電質層3 之氧化4結體，而得到室溫之體積固有電阻值1χ1〇ηΩ· :二：且戰之體積固有電阻值1Χ1。、·-以上之 乳化銘k結體。例如可以藉由埶 _，拉 … I去而燒成氧化鋁成形 體猎由同時於陶瓷成形體之燒成之埶、、士两 ^ 熱冲壓法而燒成得到 之虱化鋁燒結體，進行2次之藉 „ ^ 田熱/中壓法所造成之燒成。 ，在製造具有圖3所示之加熱器元件5之靜電夹 = 之狀態下’可以藉由製作埋設線圈狀等之基體金屬之 加一件5之陶兗成形體U，或者是藉由在陶_體 上’形成印刷元件’層積陶究成形體’而製作具有加熱器 疋件5之陶瓷基體1。除了該點 以相同於靜電夾頭 10而製造靜電夾頭30。 以上，就本發明之實施形態而進行說明，但是，本發 明係並非限定於前述實施形態之記載。例如在前述實施= 悲之靜電夾頭之製造方法’陶竟基體i係也藉由使用熱沖 壓法，進行燒成，而進行製作’但是’可以僅藉由熱沖覆 法而燒成成為陶究介電質層3之氧化紹燒結體，就該陶竞 基體1而言，也可以藉由常壓燒成法等之其他之燒成方法 而進行製作。例如在使用熱沖壓法而僅製作成為陶瓷介電 7 066'6648-PF 29 •1250605 質層3之氧化鋁燒結體後，在氧化鋁燒結體之單面，使 網版印刷法或各種蒸鍍法等而形成膜狀電極。接著，可= 成為透過接著劑而接合形成膜狀電極之氧化鋁燒結體= 外製作之陶瓷燒結體之簡易構造之靜電夹頭。 此外，在前述實施形態，使用陶瓷基體卜但是，也可 以使用陶究以外之基體。例如可以使用金屬材料或陶究;口 金屬之複合材料等’來作為基體。在該狀態下，例如可以 使用絕緣性接著材料，接合形成膜狀電極之氧化㈣結體 和基體’來製作靜電夾頭。 正如以上所說明的，如果藉由此種靜電夾頭丨〇的 話，則比起習知之氧化銘燒結體，可以藉由在寬廣之溫产 範圍具有極為高之體積固有電阻值之氧化銘燒結體而形成 陶竟介電質層3。因此，靜電夾頭1〇〜3〇係可以提供穩定 於見廣之溫度範圍之吸附力’來作為庫倫形式之靜電夹 頭。此外，靜電夹頭10〜3〇係可以減低由靜電夹頭1〇〜％ 至基板之漏電流。此外，靜電夾頭ι〇〜3〇係在陶兗介電質 d 3中肖乎不存在電荷’因此，可以使得基板脫合時之 響應速度變快’得到良好之脫合響應性。 近年來’進行半導體元件之微細化’恐怕產生至基板 ，漏電流會對於半導體元件之特性來造成極大之影響之可 能性。此外，半導體製造製程或液晶顯示器製造製程係非 常多樣化’也進行其溫度條件之多樣化。如果藉由靜電夹 ^ 130的活，則可以在由低溫開始經過至高溫之寬廣之 溫度範圍，维持穩定之吸附力，漏電流係極為少。因此，

7066-6648-PF 30 •1250605 即使是對於要求徹底之治 件之製作來作為目的之下:极之抑制之以微細之半導體元 化之溫度條件，也可以：:：半導體製造製程或多樣 此外，如果藉由前逑靜 纟吊地有用。 話，則比起習知之氧化 “ ' 10〜30之製造方法的 平U匕銘燒結體， 度範圍具有極為高之體 于彳在覓廣之溫 任驊*从 有電阻值之高純度之氧化铉μ 、-、口體。此外，還可以提 虱化鋁繞 介電質層3之庫倫形式之化1呂燒結體來作為陶竟 由此種製造方法的話j η Μ〜I因此，如果藉 發揮穩定之吸附力、可以味加丄 隹見層之恤度靶圍 電流並且顯示良好之脫、】。至基板之漏 .,.曰應丨生的靜電夾頭10〜30。此 外，如果猎由此種製造方 此 B , 衣w方法的話’則為了提高陶瓷介電質 層3之純度，因此，可以接 、 電夾頭10〜30。 “於基板不成為污染源的靜 (氧化紹燒結元件及其製造方法） 前述之使用在陶变介電質層3之氧化紹燒結體係不僅 疋作為靜電夾頭H)〜3〇之陶£介電質層3，並且，也能夠 以單體或者是組合於其他元件’來使用作為氧化紹燒結元 件。也就是說’氧化銘燒結體係可以使用作為：成為室溫 之體積固有電阻值lxmem以上並且·。c之體積固有 =阻值lxl0〜.cm卩上之氧化紹燒結元件或者是成為室 恤之體積固有電阻值上並且2〇〇。〇之體積固 有甩阻值1x10 Ω· cm以上之氧化鋁燒結元件。 如果藉由此種氧化鋁燒結元件的話，則可以在寬廣之 7 066-6648-PF 31 1250605 ’氧化銘燒結元件係 之絕緣性之各種用途 溫度範圍，維持高度之絕緣性。因此 可以使用在寬廣之溫度範圍需要高度 上。 例如乳化㈣結元件係可以使用作為在半導體製造褒 置内之屬用之感受器、、加熱器基材、環圈材料、圓頂材料 寺。此外，氧化鋁燒結元件係可以使用作為以在寬廣之溫 度範圍之高絕緣性為首而要求耐熱性、耐腐钱性之元件。/皿 3〇〇°c之體積固有電阻值lxl()i4〜ema上之氧化銘燒 結元件係也最好是40(rc之體積固有電阻值成為1χ10ΜΩ· :m以上。如果藉此的話，則氧化鋁燒結元件係可以在更加 寬廣之溫度範圍，維持高度之絕緣性，能夠使用在更加廣 泛之溫度範圍需要高絕緣性之用途上。 氧2鋁燒結元件係最好是30(rc之體積固有電阻值成 為1 10 Ω · cm以上。此外，氧化鋁燒結元件係最好是2⑽。c 之體積固有電阻值成為1χΐ〇15Ω·οπι以上。

此外，氧化鋁燒結元件係最好是純度99·5重量％以 f、密度3·80〜4.〇〇g/cm3以上。如果藉此的話，則可以 提供一種*寬廣之溫度範圍具有高體積固*tP 且值、由於 純度非：鬲因此不可能成為污染源並且因*、敏密所以耐腐 蝕丨生’欠阿的虱化鋁燒結元件。因此，氧化鋁燒結元件係可 以使用，半導體製造製程等之不容許污染之用途上。更加 理想；化鋁燒結元件之純度係99 7重量％以上，更加理 想之氧化在呂燒么士分从 a 凡、、、口兀件之岔度係3·93〜4.00g/cm3 〇 此外，氧化鋁燒結元件之彎曲強度係最好是35〇Mp〖

7066-6648-PP 32 1250605 以上。如果藉此的話， 一 丰 、j虱化鋁烷結元件係不容易在加 日守’發生破裂等之破、， 工 φ 貝。亚且，氧化鋁燒結元件係也在# 用中，不容易產生缺口，因+ 1、， 在使 Λ匕豹担一 口此’可以防止微粒之發生，士 月b夠鬲耐久性。承 也 卜 加理想之彎曲強度係365MPa以上 外’氧化鋁燒結元件 ^ 上此 等係最好”门 帛虱孔率、彔大氣孔直徑、耐電壓 寺係取好疋相同於構成陶 土 充"電貝層3之氧化紹燒結體。 此外，氧化鋁燒社 ^ ..... 、、ϋ件係乘好疋在惰性氣體氣氛或還 原乳沉，藉由熱沖壓法 乂遇 ,£ ^ 走而進仃燒成。如果藉此的話，4各 、，兀、、·口兀件係可以藉由利用埶沖壓法所1 A > $ + 緻宓，呈古一 ώ …、&忐所造成之壓力而變得 "/、有尚度之體積固有電阻值。 此種氧化銘燒結元件係可以藉由包括：藉 氧化链9 9 · 5會| 〇/ η L 匕含 〇上之陶瓷原料粉末，在惰性氣俨> 或還原氣氛下，利用執沖……編“I乳氛 俨藉周古士 …、冲二法而進仃燒成，來製作室溫4 脰積固有電阻值成為117 极之 電阻值成為1Χ1〜 Μ上、戰之體積固有 作室W二 之氧化紹燒結體，或者是勢 =積固有電阻值成為lxl〜m以上 二 體積固有電阻值成為lxl〇15i^cm L之 製程的f迕方丰 之氧化銘燒結體之 “方法，以便於製造氧化紹燒結元件。 成形方法或燒成方法係可以相同於 果藉由此種氧化钮谗钍_ # )免"電貝層3。如 耗化紹燒結凡件之製造方法的話，則制 在寬廣之溫度範圍具有極為 衣作 七^ 馮回之體積固有電阻值之高绌由 氧化鋁燒結元件。因此，如 、、又 則可以楹征# 果精由此種製造方法的話， 、J 了乂 u、-種能夠在寬廣之溫度範圍維持高度 丨生不可此成為污染源並且耐熱性及耐腐蝕性良好的二

7 066-664 8-PF 33 T250605 鋁燒結元件。 【實施例] 本發！二1藉由實施例而更加詳細地說明本發明，但是， —，、凡王任何不限定在下列敘述之實施例。 <貫施例1 > 末二 粉末係使用純度99.7重量%之她粉 粉末。陶究μΠΓ成為燒結助劑之㈣粉末間之混合 u 科粉末中之Mg〇含有量係0.04重量％。在节 粉r添力…分散㈣^ ) 糟由球磨機而進行1 6 + # m ^ ., ^ j呤之甿合，製作漿體。 =實射乾“㈣於得到之㈣來進行喷霧乾燥，製作 平均粒從大約8〇μηι之造粒顆粒。 將製作之造粒顆粒，放入至橡勝模中，藉由ci? S〇staiIcPressing (冷等靜屢））裝置而施加lton =:力’來製作氧化紹成形體。在乾燥該氧化紹成形 體:=化紹製之沙羅（saya)，安裝氧化銘成形體， 和沙羅棋盤一起放入至大翕 r, 1Λ〇Γ „ 大孔怂成爐内，進行燒成。燒成係 八而由室溫開始升溫至财c為止，在則。㈠呆持 小％而除去黏合劑後，以3代八而由5〇代開始升溫至 7066-6648-PF 34 Ί250605 成為0.8μιη以下之平滑面。 混合鎢（W) 60重量％、氧化鋁粉末4〇重量％及成為 魏合劑之ι口口醇，製作印刷糊膏。使用製作之印刷糊暮: 猎由網版印刷法而正如圖4(b)所示，在氧化銘燒社：之 平滑面上’形成及乾燥Φ29()ιηιη、厚度1G_ &印刷電極 1 2 〇 然後’在模具’安裝形成有印刷電極12之氧化鋁燒姓 體13,另外填充準備之陶究原料粉末，藉由2〇〇kg八二 之壓力而進行沖麼成形。此外，填充之陶曼原料粉末係除 了不添加黏合劑以外，叆葬由妞问 制 士 r返猎由相同於製作氧化鋁燒結體13 ¥之同樣方法而進行準備。 _接著，將該成形體安裝於複製沙羅，正如圖4 (c)所 使用熱沖壓法而進行燒成。燒成係在氮加壓氣氛 (150kPa)下，以1〇购來進行加壓，同時，以30(rc八 =行升温’纟16GGt，進行2小時之保持。像這樣，得 虱化鋁燒結體13、電極2和陶瓷燒結體呈 燒結體。 心體 然後，藉由鑽石磨粒而對於經過2次之燒成製程 化鋁燒結體1 3之# ; 、# 一 τ 笋 進订平面之研削加工’使得氧化鋁 凡、、口體1 3之厚度、也就是执 沉疋甶埋δ又之電極開始至氧化鋁燒結 體13表面為止之厚声，

又成為〇.lmm。此外，還進行研磨而 使侍陶瓷介電質声3 I 、θ 土板载置面之表面粗糙度（Ra)成 冯 〇·5μπι 以下。α , 下此外，研削燒成體之側面，同時，進行必 要之牙孑L*力口工、爱:兩丄 设|電極端子4周圍之圓筒形陶瓷之安裝、 70β6-6648-ΡΡ 35 1250605 電極端子4對於電極2之連接，完成靜電夾頭ι〇。 <實施例2 > 藉由相同於實施例1之同藏 〇 ^ 貝 」 U樣順序，使用純度99.7重量 %之氧化銘粉末，製作平均粒彳呈 A、力8 〇 μηι之氧化鋁造粒顆 粒。將該氧化鋁造粒顆粒，填 Θ 丹兄主杈具中，以200kg/cm2 :纟進仃冲壓成形。在得到之氧化鋁成形體上，載 、.友餘〇〇.12mm之Mo製金網電極（網目狀電極）。此 ’在氧化銘成形體及金網電極 #觀』一 电往上，填充相同之氧化鋁造 粒顆粒，猎由200kg/ cm2之壓力 &刀而進行沖壓成形。 將付到之一體成形體安萝 而m咕、 厌製沙羅，藉由熱沖壓法 進仃k成。k成係在氮力σ遷氣, 土矾虱（150卯&)下，進行i〇MPa 之加Μ，同時，以30(rc / h 9 r , y / 11爪進仃升溫，在160(TC，進行 2小時之保持。俊诘揭，p u尸 心叮 …一 件到氧化鋁燒結體13、電極2和 陶究燒結體呈一體化之一體燒結體。 然後，藉由鑽石磨粒而對於成為 化鋁燒結體13之表面，來谁〜工工 电貝層3之乳 不進仃平面研削加工，佶 燒結體U之厚度、也就 …匕鋁 體"表面為止之厚度，成為：…極開始至氧化銘燒結 风為0.1 mm。此外，邊、社> 使得陶瓷介電質層3之基 "仃研磨而 為0·5μιη以下。此外，進行必要之穿孔加工、^ )成 子4周圍之圓筒形陶兗 伋盍電極端 ^ 文裝、電極端子4對於雷朽7 連接，完成O30〇mm之靜+ + 丁於電極2之 心带電夹頭1 〇。 〈貫施例3 > 作為陶瓷原料粉束得# ro 丁刀禾係使用純度99.7重量 里里/〇之虱化鋁粉

7〇66-6648-PF 丄250605 末（平均粒彳里1 μηι )和成為燒結助 粉末。陶究原料粉末中之Mg0含有Λ g0粉末間之混合 陶二m斗伞、古 ,κ係〇.〇4重量％。在該 η尤原科.末，添加水、分散 (PVA)，藉由球磨機而進行 為黏^之聚乙稀醇 藉由#用喑射於β j ^之混合，製作漿體。 曰甶使用嘴射乾爍器而對於得到之 在5〇〇t，保持5小時，而除㈣卜;體來進行喷霧乾燥， 一造粒顆粒。 去劑，製作平均粒徑大約 接著，將製作之造粒顆粒，放 /㈣2之壓力而進行㈣成形，^中’藉由 到之氧化銘成形體，安裝在碳製^作乳化紹成形體。將得 行婷成。婢成在.， 、准藉由熱沖壓法而進 仃粍成乜成係在氮加壓氣氛（15〇 進行加壓，同時，以則。G/ l〇MPa ^ 行™持。像這樣，得上=:所在進 結體13。 1 a)所不之氧化鋁燒 接著，對於氧化鋁燒結體，進 i>30〇mm、厚度6軸之圓盤。 “削加工，製作 進行研削加卫，而進行精加I ^ ’猎由對於某—邊之面 成為0.8㈣以下之平滑面。 使得表面粗經度（心） 混合鎢（W)60重量％、氧化銘粉末 黏合劑之萜品醇’製作印刷糊膏。里。及二為 藉由網版印刷法而正如圖 _ p刷糊t， 平滑面上，形成及乾燥Φ29=所；V在氧化銘燒結體之 12。 予度ΙΟμιη之印刷電極 然後，在模具，安梦开彡士 + 4成有印刷電極！2之氧化紹燒結

7066-6648-PF 3 7 Ί250605 體13,填充使用於氧化鋁燒結體13之造粒顆粒，藉由2⑻ /cm2之壓力而進行沖壓成形。接著，將該成形體安裝於碳 製沙羅’正如圖4 (C)所示，使用熱沖壓法而進行燒成： 燒成係在氮加壓氣氛（15QkPa)下，以丽來進行加壓， 同時，以300。〇：八來進行升溫’在i6〇〇t：，進行2小時之 保持。像這樣，得到氧化銘燒結體13、電極2 體呈一體化之一體燒結體。 免儿、，、口 然後，藉由鑽石磨粒而對於經過2次之燒成製程 化紹燒結體13之表面，、隹一 進仃平面之研削加工，使得氧化鋁 燒結體13之厚度、★林β山μ < 也就疋由埋设之電極開始至氧化鋁燒結 —Ί止之厚度’成為〇.lmm。此外，還進行研磨而 使得陶瓷介電質層3之美柘恭罢& , 基板載置面之表面粗糙度（Ra)成 亚·5μιη以下。此外’研削燒成體之側面，同時，進行必 :之穿孔加工、覆蓋電極端子4周 電極端子4對於電極2之連接，完成靜電爽頭1〇。女衣 <比較例> 作為陶瓷原料粉末伤 東〔单W " 係使用純度99·5重量％之氧化銘粉 末（平均粒徑1 μιη )和成為 成為&結助劑之MgO原料粉末間 作匕口私末。此外，陶瓷 重詈0/ f 原枓杨末中之Mg〇含有量係0.04 由纟 末，外、加黏合劑和有機溶劑，葬 由球磨機而混合16小時， 错 佶用田* I作水體。此外，作為黏合劑係 使用甲基丙烯酸異丁基 刎係 雜、—Μ ^ -日 丁基酿及硝基纖維素，作Λ右 機溶劑係使用三氯乙嫌 ^ 1卞马有 法而製作厚产0 : η 丁酉子。使用該漿體，藉由刮刀 尽度0.lmm之氧化銘之薄片狀成形體。 7066-6648-pp 38 1250605 浆邊氧化鋁之镇 實施例1〜3之同 刀斷成為Φ300ηιηι。使用相同於 鋁薄片之某一邊之 Ρ部]相同，藉由網版印刷法而在氧化 印刷電極。 ，形成及乾燥〇29〇mm、厚度之 此外，使得以相同 法所製作之薄片狀丄…法之同樣順序、藉由刮刀 乳化紹成形體複數層， 電極之氧化㈣“。使用模具沖壓，壓合整== 乳化紹薄片之層積體，來進行-體化。 · Λ 然後，將—體化之層積體，安裝在氧化紹製沙羅，在 燒成爐内’進行燒成。燒成氣氛係成為大氣中，以1〇在 ==始升溫至500t為止，在幫保持5小時而除 去黏合劑後，以3(rc/h而由峨開始升溫至16抑為 止，在wot，進行4小時之燒成。然後，進行必要之研 削加工及穿孔加工、覆蓋電極端子周圍之圓筒形陶瓷之安 裝、電極端子對於電極之連接，完成O300mm之靜電夾 1〇。 包“丑負 <評價方法> 就成為實施例1〜3及比較例之各個靜電夹頭之陶瓷介 電質層之氧化鋁燒結體而言，就氧化鋁燒結體之體積固有 電阻值、純度、密度、開氣孔率、最大氣孔直徑、熱傳導 係數、耐電壓、彎曲強度、含有之不純物而進行評價。 (1 )體積固有電阻值：藉由依照JIS C2141之方法而 進行測定。測定係在真空氣氛下，進行於室溫（25^彡、 100°C、200°C、3 00°C、400°C、500°C 之各個溫度。試驗片

7066-6648-PF 39 1250605 :係:5〇Xilmm’藉由銀膏來形成各個電極，而使得主電 極直徑成為20mm，保護電極内和成 ^ ^ 二成為3〇mm，保護電極外 仫成為40mm，施加電極直徑成

知加電壓係1000V / mm，讀取電流，算出體積固有電阻值。 (2 )純度·使用不純物之定量姓 ^ ^ „ 里、，、口果而异出氧化鋁燒結 體之純度。 (3 )密度：將純水使用在媒體 行評價。 ㈣❹阿基米德法而進 將純水使用在媒體 (4 )開氣孔率 而進行評價。 使用阿基米德法 (5 )最大氣孔直徑： 面研磨，使用光學顯微鏡 測定。 藉由對於燒結體之表面來進行鏡 ，以400倍之倍率來觀察而進行 (6) 熱傳導係數：藉由雷射閃爍沖洗法而進行測定。 (7) 耐電壓：藉由依照JISC2141之方法而進行測定。 (8) 彎曲強度：藉由依照JIS R16〇1之方法而測定室 溫四點彎曲強度。 (9 )含有之不純物之定量：藉由感應偶合電漿（) 發光光譜分析而進行定量。 此外，就實施例1〜3及比較例之靜電夾頭而評價吸附 力及脫合響應特性。具體之測定方法係正如以下。 (1 〇 )吸附力··在真空中，在靜電夾頭之基板載置面 上，接觸矽製碳針（以下稱為「矽碳針」），在靜電夾頭 之電極和矽碳針間，施加DC2000V之電壓，將矽碳針吸附 7066-6648-PF 40 1250605 及固定Φ rh » 火 在施加電壓6〇秒鐘後而仍然施加電壓 之狀恶下，沿菩由德$ 者甶胂电失頭之基板載置面來進行剝離之方 °而上拉矽碳針’在室溫（25。〇〜魏之溫度範圍 測定用以進行剝離所需要之力（吸附力）。 (U)脫合響應性：在真空中，在靜電夹頭之基板載 上，接觸矽碳針，在靜電夾頭之電極和矽碳針間，施 〇 0 0V之電壓，將矽碳針吸附及固定在靜電夾頭。在 把力山口電壓30秒鐘後’藉由5T〇rr (6 7xl〇2pa)之力而拉引 碎石反針’仍'然保持在該狀態下。錢’在施加電壓60秒鐘 後，解除電壓之施加，以剝離靜電爽頭和石夕碳針為止之所 需要之時間來作為脫合時間（sec )，測定於室溫（25艺） 〜400°C之溫度範圍。 <評價結果> (陶竟介電質之體積固有電阻值） 將體積固有電阻值之測定結果，顯示在表丨及圖5。在 圖5 ’縱軸係表示體積固有電阻值（Ω · cm )，圖形上部之 检轴係表示溫度（它），圖形下部之橫軸係表示丨〇⑽/ τ (K·1)。 【表1】 各個/m度之體積固有電阻值（Ω · cm ) 室溫 100°C 200°C 300°C 400°C 500°C 實施例1 > lxio17 > lxio17 > lxlO17 2xl016 2xl〇14 2xl013 實施例2 > lxio17 > lxio17 > lxlO17 lxlO15 lxlO14 lxlO13 實施例3 > lxio17 2xl016 2xl016 7xl〇15 5χ1012 比較例 5xl〇15 lxlO14 5xl012 — — 一 7066-6648-PF 41 1250605 正如表1及圖5之圖形所示’實施例1、實施例2之靜 電夹頭之陶瓷介電質層（氧化紹燒結體）係在室溫〜2〇〇。〇 之範圍，顯示lx 1017Ω· cm以上之高體積固有電阻值。此 外，即使是在200〇C〜300 C之溫度範圍，也顯示1χ1〇15Ω •cm以上之高體積固有電阻值，在室溫〜4〇〇艺以下之寬廣 之溫度範圍，顯示1χ1014Ω·οπι以上之高體積固有電阻值。 此外，實施例3之靜電夾頭 ι%，貝增Q氧化站 燒結體）係在室溫，顯示lx1〇i7n，cm以上之高體積固有 電阻值。此外，即使是在l〇0°C，也維持1χ1〇ΐ6Ω ·_以上 之高體積固有電阻值。此外，即使是在〜2〇〇它之溫 度範圍，也顯示1Χ1015Ω·〇Π1以上之高體積固有電阻值， 在室溫〜20CTC以下之寬廣之溫度範圍，顯示1χ1〇16

ώ C III 以上之高體積固有電阻值。 相對於此，在大氣氣氛使用常壓燒結法所製作之比較 例之氧化鋁燒結體、其室溫之體積固有電阻值係比起實施 例1〜3之室溫之體積固有電阻值，還非常地變低而成為 ixi〇15Q，cm。此外，在超過10(rc時，體積固有電阻值係 1χ1〇 Ω · cm以下，在200°C，體積固有電阻值係1〇i2Q · 級數。像這樣，在比較例，在寬廣之溫度範圍，無法維持 實施例程度之高體積固有電阻值。 (陶瓷介電質層之純度、密度、開氣孔率、最大氣孔直徑、 熱傳導係數、耐電壓、彎曲強度、含有之不純物） 將純度、密度、開氣孔率、最大氣孔直徑、熱傳導係 數、耐電壓、彎曲強度之測定結果，顯示在表2。將含有之 7066-6648-PF 42 1250605 不純物之定量結果，顯示在表3。 【表2】 實施例1 實施例2 實施例3 比較例 純度（重量％) > 99.5 >99.5 >99.5 >99.5 密度（g/cm3) 3.95 3.94 3.93 3.90 開氣孔率（％) 0.0 0.0 0.0 0.1 最大氣孔直徑（μιη) 100 10 10 200 熱傳導係數（W/mK) 30 28 29 30 耐電壓（kV/mm) 18 20 20 13 彎曲強度（MPa) 370 380 368 310 【表3】 不純物種類 實施例1 實施例2 實施例3 比較例 Si 490 495 483 450 Fe 70 78 75 70 Ca 345 350 362 914 Mg 365 360 358 344 K 30 29 29 15 Na 190 195 190 70 Cr 2 3 2 3 Μη <1 <1 <1 <1 Ni 1 1 1 1 Cu <1 <1 <1 <1 Zn 1 1 1 1 Y 160 170 175 800 單位（ppm) 正如表2所示，實施例1〜3之氧化銘燒結體之純度係 7066-6648-PF 43 * 1250605 :·5重量％以上而變得非常高。實施例μ之氧化铭燒結 肽係比起比較例而成為高密度。此外，實施例卜3之氧化 銘燒結體係開氣孔率G.G(%)，不存在開氣孔，相對地， 在比較例之氧化銘燒結體，存在有開氣孔。此外，實施例丄 :3=氧化銘燒結體之最大氣孔直徑係i〜以下，特別 疋貫施例2、3之最大氣孔直徑係變小成為10_。相對於 匕較例之虱化鋁燒結體之最大氣孔直徑係變大成為 200μπι。像這樣，启每 κ也例〜3，形成極為緻密之鋁燒結 體0 此外，實施例1〜3 得良好。此外，實施例L 运具備非常焉之耐電壓 曲強度皆超過350MPa， 得彎曲強度變得非常高 之氧化鋁燒結體係熱傳導係數也變 〜3之氧化鋁燒結體係比起比較例， 。貫施例1〜3之氧化鋁燒結體係彎 比起比較例之氧化鋁燒結體，還使 旦 一&表3所不’包含於氧化鋁燒結體之不純物 里係進仃猎由熱沖壓法 aw > - 忐所造成之燒成之實施例1〜3，不同 於進行藉由常壓燒成法 所造成之燒成之比較例。在比較例 之氧化銘燒結體，比去 入” 比起T施例1〜3之氧化鋁燒結體，還包 兮多夏之鈣（Ca、、- — 卜3 Ca)二氣化二纪（Y)。相對於此，實施例 乳化銘燒結體係C γ之A古θ Γ , La Ϊ夂5有$變少而成為高純 (吸附力、脫合響應性） 將吸附力之測定姓 _ 定結果，顯示在圖6,將脫合響應性之測 产車 、 "在圖6，縱軸係表示吸附力（Torr )， 表示溫度（。〇。在圖7,縱軸係表示脫合時間（脫 7066-6648-pp 44 .1250605 卸夹頭時間）（秒鐘），橫軸係表示溫度（。0 )。 正如圖6所示’實施例1〜3之靜電又夹頭係在由室溫開 始至300 t：為止之寬廣之溫度範圍，維持⑽ (2.66xl〇3Pa)以上之高吸附力。此外，實施例卜2之靜 電夹頭係即使是超過3G(rc，也維持高吸附力，在由室溫開 始至40(TC為止之更加寬廣之溫度範圍，維持2〇τ〇η (2.66xl〇3pa)以上之高吸附力。 此外’正如圖7所示，實施例！、2之靜電夹頭係在由 室溫開始至400X：為止之寬廣之溫度範圍，使得基板之脫合 響應時間快速至5秒鐘以内，在脫合響應性，變得非常良 好。特別是實施例1、2之靜電夾頭係可以在體積固有電阻 值成為1015Ω·οιη以上之300°C以下，瞬間地脫合基板。實 施例3之靜電夾頭係在由室溫開始至2〇(rc為止之寬廣之 溫度範圍，使得基板之脫合響應時間快速至5秒鐘以内， 在脫合響應性，變得非常良好。特別是實施例3之靜電夾 頭係可以在1 5 0 °C以下，瞬間地脫合基板。 但是’比較例之靜電夾頭係隨著溫度之上升而降低吸 附力。此外，比較例之靜電夾頭係即使是在任何一種溫产， 也比起實施例1〜3而使得脫合響應性，變得更差。特別是 比較例之靜電夾頭係在體積固有電阻值成為1〇i4Q#cm以 下之1 50°C以上，使得基板之脫合響應時間，也必須成為 3 0秒鐘以上。 【圖式簡單說明】 圖1(a)〜(b)係顯示本發明之實施形態之單極型靜電失 7066-6648-PF 45 125〇6〇5 碩之構造之俯視圖及lb—lb剖面圖。 圖2(a)〜(b)係顯示本發明之實施形態之雙極型靜電夾 碩之構造之俯視圖及2b 一 2b剖面圖。 圖3係顯示本發明之實施形態之加熱器埋設型靜電夾 頌之構造之剖面圖。 圖4(a)〜（d)係顯示本發明之實施形態之靜電夾頭之製 造方法之製程圖。 圖5係顯不靜電夾頭之體積固有電阻值之溫度依附性 之圖形圖。 圖6係顯示靜電夾頭之吸附力之溫度依附性之圖形圖。 圖7係顯示靜電夾頭之脫合響應性之溫度依附性之圖 形圖。 【主要元件符號說明】 1〜陶瓷基體； 2、22a ' 22b〜電極； 3〜陶瓷介電質層； 3a〜基板載置面； 4、24a、24b〜電極端子； 5〜加熱器元件； 5a、5b〜加熱器元件端子； 10、20、30〜靜電夾頭； 11〜陶瓷成形體； 1 2〜印刷電極； 1 3〜氧化鋁燒結體。 7066-6648-PF 46

Claims (1)

1. •1250605 申請專利範圍 1 · 一種靜電夾頭，其特徵在於包括： 陶曼介電質層，由室溫之體積固有電阻值1χ1〇1?Ω·^^ 以上、3G(rc之體積固有電阻值lxiGl4〜m以上之 = 燒結體所構成；以及 、呂 面狀電極，形成於前述陶瓷介電質層之某一邊之面上。 2.如申請專利範圍第1項之靜電夾頭，其中，前 ° 銘燒結體係400t；之體積固有電阻值成為ΐχΐ〇ΜΩ·_ 3·如申請專利範圍第1或2項之靜電夾頭，其中，前、f 乳化銘燒結體係純度99.5重量％以上、密度38〇〜L / cm3。 ·"〇§ 4_如申請專利範圍第…項之靜電夾頭，其中 氧化銘燒結體係在惰性氣體氣 迷 壓法而燒成。 ⑼乳乳或衫氣氛下，藉由熱沖 :广申請專利範圍第3項之靜電失頭，其中，化 、乂、、、口體係在惰性氣體氣氛或還 匕 而燒成。 疋原乳巩下，猎由熱沖壓法 6·如申請專利範圍第丨或2 陶咨人& 貝之静電夾頭，其中，兪；+、 陶光介電制係厚度—職〜G.5Qmm。 月』迷 7.如申睛專利範圍第3項 介雷新静电夾頭’其中，前述陶垄 "电貝層係厚度0.05mm〜〇.5〇mm。 虬陶是 8_如申請專利範圍第4項之靜電 ^ 介電質層係厚度0.05mm〜〇_5〇mm。 -中，則述陶竟 9·如申請專利範圍第5項 ^包夹頭，其中，前述陶瓷 ^^^'6648'pp 1250605 介電質層係厚度0.05mm〜〇.5〇mm。 10·:申請專利範圍第i或2項之靜電夾頭，農 有透過前述電極二 ^ 前述陶奢…於刚述陶竟介電質層之陶竟 壓 、θ則述電極及前述陶瓷基體係藉 &去而燒成之一體燒結品。 過〜h如申叫專利範圍第3項之靜電夾頭，其中， 陶==接ί於前繼介電質層之陶兗基體 而 貝θ月1」述電極及丽述陶瓷基體係藉由埶 而燒成之一體燒結品。 …、 、,」2·如申請專利範圍第4項之靜電夾頭，其中， k別述電極而接合 陶竟介電” 光介電質層之陶究基體 ，'電貝層、w述電極及前述 而燒成之一體燒結品。 猎由熱 、」3_如申請專利範圍第5項之靜電夾頭， 過則述電極而接合於前述陶瓷介電質層之陶 陶瓷介電質層、前述電極及二：土體 而燒成之-體燒結品。…基體係错由熱 14.如申請專利範圍第6項之靜電夾頭，复中， ^述電極而接合於前述陶:免介電質層 陶瓷介電質声P、十，f β、， 土體 而層^電極及料陶t基體#、藉由埶 而燒成之一體燒結品。 … — 15·如申請專利範圍第7項之靜電夾頭，复中， 過剛逑電極而接合於前述陶:是介電質層 陶瓷介電質屏、俞、_ρ φ托爲乂 瓦丞篮 貝層月,J述電極及月H光基體係藉由熱 中，具 基體’ 由熱沖 具有it ，前述 沖壓法 具有透 ，前述 沖壓法 具有透 ，前述 沖壓法 具有透 ，前述 沖壓法 具有透 ，前述 沖壓法 10 66-6648 ~pp 1250605 而燒成之一體燒結品。 16.如申請專利範 員之靜電夾頭，其中，具有遂 匕刚述％極而接合於前述八 陶奢介帝所麻、， 免"電質層之陶瓷基體，前述 π £ ;丨包貝層、丽述電極 而換成> ^ ⑴迷陶瓷基體係藉由熱沖壓法 而燒成之一體燒結品。 17·如申請專利範 义、弟項之靜電夾頭，其中，具有透 過刖述電極而接合於前述 ^£^^ , 、，+ 丨電質層之陶瓷基體，前述 ^ ^ ^ ^ 〗及則述陶瓷基體係藉由熱沖壓法 而燒成之一體燒結品。 1 8 ·如申請專利範圍第1 莞基體係氧化繼體。貞之靜電夾頭，其中，前述陶 —19.如^請專利範圍第u項之靜電爽頭 瓷基體係氧化紹燒結體。 20.如申請專利範圍第 固弟12項之靜電夾頭 瓷基體係氧化鋁燒結體。 2 1.如申請專利範圍第 阁弟13項之靜電夾頭 瓷基體係氧化紹燒結體。 22. 如申請專利範圍第14項之靜電夾頭 瓷基體係氧化鋁燒結體。 23. 如申請專利範園第15項之靜電夾頭 瓷基體係氧化鋁燒結體。 24·如申請專利範圍第16項之靜電央頭 瓷基體係氧化鋁燒結體。25.如申請專利範圍帛17項之靜電夹頭，其中 其中，前述陶 其中，前述陶 其中，前述陶 其中 前述陶 其中，前述陶 其中 前述陶 W迷陶 7066-6648-PF 49 1250605 基體係氧化鋁燒結 26·一種靜電夾頭，其特徵在於包括. 陶究介電質層，由室溫之體 以上、游c之體積固有電ρ且值i 值1 10 Ω•咖 燒結體所構成；以丨 °Ω·-以上之氧化銘 面狀電極’形成於前述陶瓷 士士 电貝增之系一邊之面上。 =·如申凊專利範圍第％項之靜 化鋁燒結體係純度99.5重量％ w μ 、，、則述虱 cm3。 里^以上、密度3.80〜4.00g// =申請專利範圍第26或27項之靜電 刚逑虱化鋁燒結體係在惰性 /、中 熱沖壓法而燒成。 〃 ^或還原氣氛下，藉由 其中 29·如申請專利範圍第％或 前述陶究介電質層係厚度〇 、评電夾頭 m 丄山 X U_〇5mm〜〇.5〇mm。 述陶 如申請專利範圍第28項 竞介電質層係厚度0.05mm〜。〜。s /、中 31·如申請專利範圍第26 具有透過前述電極而接合於：、7項之靜電爽頭’其中， 體，前述陶瓷介電質層、前:陶瓷介電質層之陶瓷基 熱沖壓法而燒成之-體燒結品及前述陶莞基體係藉由 32.如申請專利範圍 一 過前述電極而接合於前述陶兗介之:二夾頭’其中’具有透 陶竟介電質層、前述電極及層之陶竟基體，前述 而燒成之一體燒結品。 文基體係藉由熱沖壓法 7066-6648-pf 50 1250605 過·43币如申請專利範圍第29項之靜電央頭，发巾且右-秀 過别述電極而接合於前述陶t介電質声著、中具f透 陶瓷介電質層、前述電極及 s /基體，前述 而燒成之-體燒結品。 以*i基體係藉由熱沖塵法 ―从如申請專利範圍第3〇項之靜電夾頭 過前述電極而接合於前述陶:中，具有透 陶瓷介電質層、前述I 、θ之陶瓷基體，前述 … 所述陶变基體係藉由埶、W 而燒成之一體燒結品。 3由熱沖壓法 35·如申請專利範圍第31項之 瓷基體係氧化鋁燒結體。 电^"、，，、中，前述陶 36·—種靜電夹頭之製造方法，其特徵在於包括： 使用包含氧化鋁99 5重量 惰性氣體氣U、… 里心上之陶究原料粉末，在 乱體_還原氣氛下，藉由熱沖壓 製作氧化鋁燒結體之製程；以及 進仃坟成， 形成面狀電極之製程。 3 7·種氧化銘燒結元件，其特料Λ · ^ , , 17 '、特铽在於.室溫之體積固 成為二·cm以上，3〇°。。之體積固有電阻值 成為1x10 i^crn以上。 。38.如申請專利範圍第37項之氧化紹燒結元件，其中， 400 C之體積固有電阻值係成為1χΐ〇14Ωκ^以上。 39. 如申請專利範圍第37或38項之氧化紹燒結元件， 其中：純度成為99.5重量％以上，密度成為Η。〜4.〇〇g /cm3 〇 40. 如申請專利範圍第37或則之氧化銘燒結元件， 51 7066-6648-PF •1250605 其中，在惰性氣體氣氛或還原氣氛下，藉由熱沖壓法而 行燒成。 / 4 h如申請專利範圍第39項之氧化鋁燒結元件，其中， 在&性氣體氣氛或還原氣氛下，藉由熱沖壓法而進行燒成。 “ 42·一種氧化鋁燒結元件，其特徵在於··室溫之體積固 有電阻值成為1Xl〇lh.Cm以上’ 2〇〇。。之體積固有電阻值 成為ixio15i^cm以上。 么43·如申請專利範圍第42項之氧化鋁燒結元件，其中， 、、屯度成為99.5重量％以上，密度成為3.8〇〜4.〇〇g/一。 44·如中請專利範圍第42或43項之氧化銘燒結元件， 二中，、在惰性氣體氣氛或還原氣氛下，藉由熱沖壓法而進 .-種氧化銘燒結元件之製造方法，其特徵在於包 •错由使用包含氧化紹99.5重量％以上之陶兗 在惰性氣體氣氛或還原氣氛下’利用熱沖壓法而進行^成， 來製作室溫之體積固有電阻值成為1xi〇17q.c 3〇〇c之體積固有電阻值成為1χ1〇14 結體之製程。 cmu上之氣化铭燒 46· —種氧化鋁燒結元件之製造方法，其 括：主藉由使用包含氧化鋁99·5重量％以上之陶兗^料粉末匕 在惰性氣體氣氛或還原氣氛下，利用熱沖壓法而進行^成 來製作室溫之體積固有電阻值成 士 丄 ^ ώ ώ · C U V-、 2〇〇°C之體積固有電阻值成為1χ1〇15ω·^ 燒結體之製程。 之氧化i呂 7066-6648-PF 52