TWI244133B - Method for separating semiconductor wafer from supporting member, and apparatus using the same - Google Patents

Method for separating semiconductor wafer from supporting member, and apparatus using the same Download PDF

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TWI244133B
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Yukitoshi Hase
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Description

1244133 * ϊ 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關將將切割膠帶黏貼於透過雙面黏合片而黏 貼有支撐材的半導體晶圓上且固定於切割框上，而將該半導 體晶圓與切割框一體自支撐材剝離之半導體晶圓的剝離方 法，以及使用此方法之剝離裝置。 【先前技術】 近年來，伴隨著應用上的快速發展進步，要求半導體晶圓 的薄形化，希望能薄到100 // m〜50 # m、有時甚至薄到25 φ // m程度。如此薄的半導體晶圓係脆弱且容易產生歪曲而在 使用上變得極爲困難。在此，例如，使半導體晶圓在其表面 側介由雙面黏合片黏貼保持於玻璃板等之具有強度的支擦 材上，如此般地在利用支撐材作背襯補強的基礎上，於半導 體晶圓背面施以背部硏磨處理後，將半導體晶圓從支撐材剝 離。 以往，作爲剝離介由雙面黏合片而黏貼保持於支撐材的半 導體晶圓的裝置，係依如下方式進行。作爲藉由紫外線照射 馨 雙面黏合片’以減低其黏合力的紫外線硬化型者，首先，藉 由紫外線照射以預先減低其黏合力。然後，在下一步驟藉由 上下2個作業台挾持半導體晶圓，在真空吸附的狀態下進行 加熱’利用讓雙面黏合片收縮變形而減小雙面黏合片與半導 體晶圓的接觸面積，以使半導體晶圓上浮。. 、 當收縮結束且雙面黏合片的剝離結束時，使上部作業台的 、 吸附解除而退回上側。其後，提出並實施在將半導體晶圓吸 1244133 j i 附固定於下部作業台上的狀態，利用搬運臂吸附保持構件而 使其移動並從雙面黏合片剝離半導體晶圓的裝置（例如，參 照日本國特開2 0 0 1 - 7 1 7 9號公報）。 又’以所使用之雙面黏合片方面，除了紫外線硬化型者以 外’也有使用藉由加熱進行發泡以使黏合力消失的加熱剝離 型者。 在上述以往的裝置中，具有如下的問題。 亦即’在爲使雙面黏合片経加熱發泡而使黏合力消失的加 熱剝離型的場合，若爲利用上下2個作業台來挾持半導體晶 鲁 圓而予以束縛的狀態下，則會妨礙雙面黏合片的發泡（膨脹） 而無法充分讓黏合力消失。其結果係具有無法從支撐材適切 而順利地剝離半導體晶圓的問題。 例如，若與支撐材一起將黏合力未消失的雙面黏合片從半 導體晶圓剝離，則局部剝離應力將作用於半導體晶圓上而有 產生歪曲、折損之虞。另外，還有黏合劑殘留於半導體晶圓 表面的問題。 【發明內容】 φ 本發明正是鑒於上述情況提出而完成發明者，其目的在於 提供一種可從支撐材適切地且順利剝離半導體晶圓之將半 導體晶圓自支撐材剝離之方法及剝離裝置。 本發明爲達成上述目的，採用如下的構成。 其爲讓切割膠帶黏貼於介由雙面黏合片黏貼有支撐材的 . 半導體晶圓上且固定於切割框上，將該半導體晶圓與切割框 、 呈一體自上述支撐材剝離之將半導體晶圓自支撐材剝離之 1244133 方法，上述方法包含以下的步驟： 不於厚度方向束縛上述雙面黏合片，邊減弱其黏合力邊將 上述半導體晶圓與切割框呈一體自支撐材剝離之過程。 根據本發明之將半導體晶圓自支撐材剝離之方法，因爲在 不束縛雙面黏合片的厚度方向的狀態下減弱其黏合力，因此 在黏合力減弱的過程，不會有多餘的壓力等的應力施加於雙 面黏合片。因此，可效率良好地減弱雙面黏合片的黏合力， 可充分消失黏合力。其結果，可適切而順利地將半導體晶圓 與切割框一體自支撐材剝離。 另外’本發明之將半導體晶圓自支撐材剝離之方法，將將 上述支撐材表面以朝向上面的姿勢作保持，隔著支撐材而抬 起半導體晶圓與切割框，並在該狀態下藉由減弱上述雙面黏 合片的黏合力，透過上述半導體晶圓與切割框的自重而將此 等一體地自上述支撐材剝離。 根據該方法，藉由減弱雙面黏合片的黏合力，黏合力係變 得無法承受半導體晶圓與切割框的自重而使得被抬起之此 等半導體晶圓與切割框形成一體地自支撐材剝離。因此，可 適宜地實施第1發明的方法。 另外，本發明之將半導體晶圓自支撐材剝離之方法爲，將 上述支撐材表面以朝向上面的姿勢作保持，並以非接觸狀態 使吸附裝置近接配備於上述半導體晶圓與切割框的背面 側，減弱上述雙面黏合片的黏合力，同時，藉由吸引與半導 體晶圓成爲一體的切割框，而一體地將半導體晶圓與切割框 自上述支撐材剝離。 1244133 根據該方法，在雙面黏合片的黏合力被減弱的狀態，藉由 非接觸且近接配備的吸引裝置來吸引半導體晶圓與切割框 而自支撐材積極地予以剝離。因此可效率更好地將半導體晶 圓與切割框一體地自支撐材剝離。 λ外’本發明之將半導體晶圓自支撐材剝離之方法爲，保 持上述切割框且藉由一邊減弱上述雙面黏合片一邊利用以 非接觸狀態近接配備於上述支撐材的吸引裝置來吸引支撐 材以進行剝離而將上述半導體晶圓與切割框一體自上述支 撐材剝離。 φ 根據該方法，在保持半導體晶圓與切割框的背面側的狀 態’減弱雙面黏合片的黏合力，同時，在非接觸狀態藉由吸 引裝置來吸引支撐材。亦即，因爲雙面黏合片之厚度方向的 束縛被解放，所以係解消對雙面黏合片的壓力所引起的應 力。且在維持該狀態下剝離支撐材。因此，可效率更好地將 半導體晶圓與切割框一體地自支撐材剝離。 又，最好爲利用以下構成的雙面黏合片。例如，在雙面黏 合片方面，爲藉由加熱或冷卻以減弱黏合力者。另外，在雙 ® 面黏合片方面，爲夾著薄片基材，在一面係形成會因加熱的 發泡膨脹而喪失黏合力的加熱剝離性黏合層，而在另一面係 形成紫外線硬化性黏合層。 又，在雙面黏合片爲藉由加熱以減弱黏合力者的情況’最 好在加熱上述雙面黏合片的同時也冷卻切割膠帶。根據該方 法，藉由在加熱雙面黏合片的同時也冷卻切割膠帶’係可防 止因雙面黏合片之加熱而使得切割膠帶因熱量而變形或產 1244133 生氣體的情況。因此可避免因切割膠帶的變形或產生氣體而 施加多餘的應力於雙面黏合片，可更爲順利地將半導體晶圓 與切割框一體自支撐材剝離。 另外，爲達成上述目的，還採用如下的構成。 其爲針對讓切割膠帶黏貼於介由雙面黏合片黏貼有支撐 材的半導體晶圓上且固定於切割框上的工件，將該半導體晶 圓與切割框呈一體自上述支撐材剝離之將半導體晶圓自支 撐材剝離之剝離裝置，上述裝置包含以下構成： 上述雙面黏合片爲藉由加熱而減弱黏合力者； 馨 載置保持上述工件的第1保持裝置； 以朝向上方的姿勢保持上述第1保持裝置所載置保持的 工件的支撐材的第2保持裝置； 升降移動上述第1及第2保持裝置之至少一者的驅動裝 置；及 加熱保持於上述第2保持裝置的工件的雙面黏合片的加 熱裝置； 在將工件保持於上述第2保持裝置的狀態，藉由驅動裝置 馨 相對移動第1保持裝置及第2保持裝置，將工件從第1保持 裝置分開，藉由在該狀態減弱上述雙面黏合片的黏合力，而 以半導體晶圓與切割框的自重，將此等一體自上述支撐材剝 離。 根據本發明之將半導體晶圓自支撐材剝離之剝離裝置，利 用通過加熱以減弱黏合力的雙面黏合片。在該裝置中，載置 保持於第1保持裝置的工件，係藉由第2保持裝置，以朝向 -9- 1244133 上方的姿勢保持支撐材。在該狀態下，藉由驅動裝置相對移 動第1保持裝置及第2保持裝置，將工件從第1保持裝置分 開。換言之，成爲工件的背面側被開放而未束縛雙面黏合片 的厚度方向的狀態。在該狀態下，藉由加熱裝置加熱雙面黏 合片。因此，被加熱的雙面黏合片，其黏合力變弱，半導體 晶圓與切割框成爲一體而由其自重自支撐材剝離，落下保持 於第1保持裝置。亦即，可適宜實現屬第1方法發明之將半 導體晶圓自支撐材剝離之方法。 另外，本發明之裝置還具備在加熱雙面黏合片時，從下方 · 吸引保持於上述第2保持裝置的工件的吸引裝置。 根據本發明之裝置，具備吸引工件的吸引裝置，因此在減 弱雙面黏合片的黏合力的狀態，可積極將半導體晶圓與切割 框一體剝離。 又，本發明之裝置，最好具備冷卻切割膠帶的冷卻裝置。 亦即，藉由在加熱雙面黏合片的同時，冷卻切割膠帶，可防 止因雙面黏合片之加熱而由熱量使得切割膠帶變形或產生 氣體的情況。 · 另外，本發明爲達成上述目的，還採用如下的構成。 其爲針對讓切割膠帶黏貼於介由雙面黏合片黏貼有支撐 材的半導體晶圓上且固定於切割框上的工件，將該半導體晶 圓與切割框呈一體自上述支撐材剝離之將半導體晶圓自支 撐材剝離之剝離裝置，上述裝置包含以下構成： 上述雙面黏合片爲藉由加熱而減弱黏合力者； 載置上述工件且予以吸附保持的第3保持裝置； -10- 1244133 加熱保持於上述第3保持裝置的工件的雙面黏合片的加 熱裝置；及 吸引上述工件的支撐材的吸引裝置； 藉由加熱上述雙面黏合片以減弱其黏合力，同時，讓上述 吸引裝置以非接觸狀態接近於上述支撐材進行吸引，將上述 半導體晶圓與切割框一體自上述支撐材剝離。 根據該裝置，利用藉由加熱以減弱其黏合力的雙面黏合 片。在該裝置中，載置於第3保持裝置的工件係保持爲朝向 上方開放的狀態。亦即，不束縛雙面黏合片的厚度方向而藉 φ 由加熱裝置加熱雙面黏合片。此時，藉由以非接觸狀態接近 於支撐材的吸引裝置剝離支撐材。例如，可列舉利用依吸引 裝置的吸引及藉由從支撐材表面側噴出的氣體在剝離裝置 與支撐材之間隙產生大氣壓差，在維持指定距離的空間懸垂 保持支撐材的構成等。 另外，本發明之裝置，最好還具備冷卻切割膠帶的冷卻裝 置。亦即，藉由在加熱雙面黏合片的同時，冷卻切割膠帶， 可防止因雙面黏合片之加熱而由熱量使得切割膠帶變形或 馨 產生氣體的情況。 另外，本發明爲達成上述目的，還採用如下的構成。 其爲針對讓切割膠帶黏貼於介由雙面黏合片黏貼支撐材 的半導體晶圓上且固定於切割框上的工件，將該半導體晶圓 與切割框呈一體自上述支撐材剝離之將半導體晶圓自支撐 、 材剝離之剝離裝置，上述裝置包含以下構成： 上述雙面黏合片爲藉由冷卻而減弱黏合力者； -11- 1244133 1 to 載置保持上述工件的第1保持裝置； 以朝向上方的姿勢保持上述第1保持裝置所載置保持的 工件的支撐材的第2保持裝置； 升降移動上述第1及第2保持裝置之至少任一者的驅動裝 置；及 冷卻保持於上述第2保持裝置的工件的雙面黏合片的冷 卻裝置； * 在將工件保持於上述第2保持裝置的狀態，藉由驅動裝置 相對移動第1保持裝置及第2保持裝置，將工件從第i保持 · 裝置分開，藉由在該狀態減弱上述雙面黏合片的黏合力，而 以半導體晶圓與切割框的自重，將此等一體自上述支撐材剝 離。 根據本發明之裝置，利用通過冷卻以減弱黏合力的雙面黏 合片。在該裝置中，載置保持於第1保持裝置的工件，係藉 由第2保持裝置，以朝向上方的姿勢保持支撐材。在該狀態 下，藉由驅動裝置相對移動第1保持裝置及第2保持裝置， 將工件從第1保持裝置分開。換言之，成爲工件的背面側被 · 開放而未束縛雙面黏合片的厚度方向的狀態。在該狀態下， 藉由冷卻裝置加熱雙面黏合片。因此，被冷卻的雙面黏合 片，其黏合力變弱，半導體晶圓與切割框成爲一體而由其自 重自支撐材剝離，落下保持於第1保持裝置。亦即，可適宜 實現屬第1方法發明之將半導體晶圓自支撐材剝離之方法。 另外，本發明爲達成上述目的，還採用如下的構成。 ' 其爲針對讓切割膠帶黏貼於介由雙面黏合片黏貼有支撐 -12- 1244133 · 材的半導體晶圓上且固定於切割框上的工件’將該半導體晶 圓與切割框呈一體自上述支撐材剝離之將半導體晶圓自支 撐材剝離之剝離裝置，上述裝置包含以下構成： 上述雙面黏合片爲藉由冷卻而減弱黏合力者； 載置上述工件且予以吸附保持的第3保持裝置； 冷卻保持於上述第3保持裝置的工件的雙面黏合片的冷 卻裝置；及 ' 吸引上述工件的支撐材的吸引裝置； 藉由冷卻上述雙面黏合片以減弱其黏合力，同時，讓上述 φ 吸引裝置以非接觸狀態接近於上述支撐材進行吸引，將上述 半導體晶圓與切割框一體自上述支撐材剝離。 根據該裝置，利用藉由冷卻以減弱其黏合力的雙面黏合 片。在該裝置中，載置於第3保持裝置的工件係保持爲朝向 上方開放的狀態。亦即，不束縛雙面黏合片的厚度方向而藉 由冷卻裝置加熱雙面黏合片。此時，藉由以非接觸狀態接近 於支撐材的吸引裝置剝離支撐材。例如，可列舉利用依吸引 裝置的吸引及藉由從支撐材表面側噴出的氣體在剝離裝置 鲁 與支撐材之間隙產生大氣壓差，在維持指定距離的空間懸垂 保持支撐材的構成等。 爲說明發明’雖圖示目前認爲較佳的幾個形態，但發明並 非限於如圖所示發明之構成及方法。 【實施方式】 、 以下，參照圖式說明本發明的一實施例。 <實施例1 > -13- 1244133 第1圖爲將介由雙面黏合片黏貼有玻璃板組成的支撐材2 的半導體晶圓1，介由切割膠帶4黏貼固定於切割框5的工 件W的俯視圖，第2圖爲分別顯示其縱剖視圖。另外，第3 圖爲介由雙面黏合片3黏貼有支撐材2的半導體晶圓1的側 視圖。 如第2圖所示，支撐材2係介由雙面黏合片3黏貼於半導 體晶圓1的元件形成面（表面），在利用支撐材2作背襯補強 的狀態，於背部硏磨處理中將半導體晶圓背面1硏削加工爲 指定厚度。然後，介由切割膠帶4黏貼固定於環狀的切割框 5上，搬入切割裝置。 在此，雙面黏合片3，如第3圖所示，在薄片基材3a的 兩面具備利用加熱進行發泡膨脹而喪失黏合力的加熱剝離 性黏合層3 b ;及紫外線硬化性黏合層3 c，且將支撐材2黏 貼於加熱剝離性黏合層3b，同時，將半導體晶圓1黏貼於紫 外線硬化性黏合層3 c。 在將如上述構成的工件W搬入切割裝置前，有必要將半 導體晶圓1與切割框5 —體自支撐材2剝離，以下，參照第 4圖〜第6圖說明該剝離處理行程。 如第4圖所示，工件W首先在切割膠帶4的背面（非接合 面）朝向下方的姿勢下被搬入下部吸附台6上，並介由真空 吸附部6a吸附保持於下部吸附台6上面。又，下部吸附台6 相當於本發明之第1保持裝置。 在下部吸附台6的上方，介由未圖示的驅動裝置進行升降 的上部吸附台7處於待機狀態。在該上部吸附台7的下面亘 • 14- 1244133 備真空吸附部7 a，同時，在其內部埋設有加熱器8，且上部 吸附台7由隔熱材9所覆被用以抑制來自下面以外的散熱， 並讓加熱達到指定溫度的上部吸附台7下降。又，上部吸附 台7相當於本發明之第2保持裝置。加熱器8相當於本發明 之加熱裝置。 如第5圖所示，以吸附保持工件W之支撐材2的上面的 方式使上部吸附台7下降。當藉由上部吸附台7吸附保持支 撐材2時，解除下部吸附台6的吸附。同時，如第6圖所示， 在吸附保持工件W的狀態下讓上部吸附台7上升，在離開 馨 下部吸附台6微小距離的高度處停下，並隔著支撐材2加熱 雙面黏合片3。 又，在上述上部吸附台7吸附保持工件W時，最好以不 施加多餘外力於工件W的方式，利用平衡彈簧或平衡錘將 施壓荷重保持在設定範圍（例如，500g〜lOOOg的程度）。 另外，在將耐熱性低者用於切割膠帶4的情況，最好在形 成於下部吸附台6內部的冷卻流路1 0使冷卻氣體（氣體或液 體）循環流動，以防止因來自上部吸附台7的熱量使得切割 · 膠帶4變形或產生氣體。又，冷卻流路1 0相當於本發明之 冷卻裝置。 當依上述上部吸附台7的加熱經過指定時間時，雙面黏合 片3之加熱剝離性黏合層3 b的黏合力因加熱而大爲降低或 大致消除。因此，如第7圖所示，半導體晶圓1在黏貼有雙 面黏合片3的狀態，與切割框架5 —體藉由其自重從支撐材 2剝離且落下。爲防止該落下衝擊引起半導體晶圓1的破 -15- 1244133 損’該落差以O.lmm〜1.0mm程度爲佳。 如此般，在與切割框架5 一體從支撐材2剝離的半導體晶 圓1的元件形成面，殘留具備保護片的功能的雙面黏合片 3 °因此’在實際之切割處理之前，在藉由紫外線照射以減 低黏合層3 c的黏合力的基礎上，使用屬習知裝置的表面保 護片剝離機構，剝離除去雙面黏合片3。 表面保護片剝離機構，例如，可列舉介由剝離桿或剝離滾 筒黏貼剝離膠帶於半導體晶圓1表面殘留的雙面黏合片的表 面’並將雙面黏合片與剝離膠帶一體剝離的構成。 鲁 藉由如上述的構成，在吸附保持工件W的狀態下使上部 吸附台7上升，在離開下部吸附台6微小距離的高度處停 下’加熱雙面黏合片3時，該雙面黏合片3厚度方向將不受 束縛。亦即，無妨礙藉由加熱而使加熱剝離性黏合層3b發 泡熱膨脹者，可充分消除黏合力。其結果，可適切而順利地 將半導體晶圓1與切割框5 一體剝離。 另外，藉由冷卻切割膠帶4的下面，可效率良好地防止切 割膠帶4的熱變形或氣體的產生。 · <實施例2 > 本實施例中，以切割框5的兩端部處於板材或輸送帶等的 下部保持構件的上端而載置有工件的情況爲例進行說明。 第9圖爲載置保持工件的俯視圖，第1〇圖〜第13圖爲說 明剝離裝置的剝離行程的側視圖。 如第9圖所示，以切割框5的兩端部載置於板材或輸送帶 等的下部保持構件1 1的上端的方式搬入工件W。另外，在 -16- 1244133 下部保持構件1 1間配備有冷卻台1 2。又，下部保持構件1 1 相當於本發明之第i保持裝置，冷卻台1 2相當於本發明之 冷卻裝置。 在該冷卻台1 2埋設有冷卻元件1 3，同時，上面具備冷卻 風噴出部1 4，利用從下面將冷卻風吹於切割膠帶4，防止切 割膠帶4的熱變形或產生氣體。 接著，將半導體晶圓1與切割框5 —體自支撐材2剝離。 以下，參照第1 0圖〜第1 3圖說明該剝離處理行程。 如第1 0圖所示，載置搬入下部吸附台6上。如第1 1圖所 馨 示，讓工件W之上部吸附台7下降，吸附保持支撐材2的 表面。 在完成支撐材2的吸附保持的同時，如第1 2圖所示，在 吸附保持工件W的狀態上升至指定高度，並隔著支撐材2 開始利用加熱器8的加熱雙面黏合片3的加熱。此時，從配 備於工件W下部的冷卻台1 2朝著切割膠帶4的背面方向吹 冷卻風，開始冷卻。 當加熱雙面黏合片3的加熱經過指定時間時，黏合層3b · 的黏合力變弱或大致消除，在殘留有薄片基材3 a的狀態， 工件W落下於下部保持構件。結束以上一連串的剝離步驟。 藉由如上述的構成，在厚度方向無束縛地加熱雙面黏合片 3，可使加熱剝離性黏合層3b發泡以充分消除黏合力。其結 果，可適切而順利地將半導體晶圓1與切割框5 —體自支撐 材2剝離。 另外，藉由從切割膠帶4的下面吹冷卻風，可效率良好地 -17- 1244133 防止切割膠帶4的熱變形。又，若下部保持構件1 1爲輸送 帶的話，可在該狀態下直接將工件W搬運至下一步驟，可 提高作業效率。 又，本發明還可依如下之實施形態進行變化。 (1) 上述各實施例中，可將雙面黏合片3之晶圓側黏合層 3 c與支撐材側黏合層3 b相同，利用加熱剝離性者。但是， 該情況，晶圓側黏合層3c需要選擇其黏合力之消除溫度較 支撐材側黏合層3b高者。 (2) 上述各實施例中，也可作爲藉由冷卻雙面黏合片3之 黏合層3 b、3 c以減低黏合力者，予以實施。 (3 )上述各實施例中，下部吸附台6也可爲可升降的構 成，在將支撐材2吸附保持於下降的上部吸附台7的狀態， 此解除吸附的下部吸附台6下降指定量，與上述相同進行剝 離動作。 (4) 在將半導體晶圓1與切割框5 —體剝離時，如第8圖 所示，也可於支撐材2側殘留雙面黏合片3。該情況，也可 讓兩黏合層3b、3c爲分別利用加熱剝離性者，同時，以較 支撐材側黏合層3b的低溫，讓晶圓側黏合層3c進行發泡以 消除黏合力。 (5) 上述各實施例中，係半導體晶圓1與切割框5藉由自 重落下而進行剝離的形態，但也可爲在切割框5的下部配備 吸引裝置，邊加熱雙面黏合片3邊積極吸附工件W而予以 剝離的構成。 (6) 上述各實施例中，係半導體晶圓丨與切割框5藉由自 -18- 1244133 重落下而進行剝離的形態，但也可如下述般構成。 針對吸附保持於埋設有加熱器8之下部吸附台7的工件 W，也可爲邊加熱雙面黏合片3以減弱黏合力邊使支撐材2 上浮予以剝離的構成。例如，也可爲使吸引裝置接近於支撐 材2的上方而讓支撐材2上浮的構成。另外，作爲其他的構 成，也可爲藉由從支撐材2表面側噴出的氣體，在下部吸附 台7與支撐材2之間隙產生大氣壓差，在維持指定距離的空 間懸垂保持支撐材2的構成等。藉由如此之構成，也可獲得 與上述實施例相同的效果。又，該情況之下部吸附台7相當 0 於本發明之第3保持裝置。 本發明只要未超出其思想或實質範圍，即可以其他的具體 形態予以實施，因此，發明範圍所示者，並非以上的說明， 而應參照所附申請專利範圍。 【圖式簡單說明】 第1圖爲將半導體晶圓黏貼固定於切割框的工件的俯視 圖。 第2圖爲工件的縱剖視圖。 φ 第3圖爲黏貼有支撐材的半導體晶圓的側視圖。 第4圖〜第7圖爲說明實施例1之剝離裝置的剝離行程的 側視圖。 第8圖爲說明實施例1之剝離裝置的變化例的剝離行程的 側視圖。 第9圖爲載置保持實施例2之工件的俯視圖。 第1 0圖〜第1 3圖爲說明實施例2之剝離裝置的剝離行程 -19- 1244133 的側視圖。 【元件符號說明】 W 工件 1 半導體晶圓 2 支撐材 3 雙面黏合片 3a 薄片基材 3b 加熱剝離性黏合層 3c 紫外線硬化性黏合層 β 4 切割膠帶 5 切割框 6 下部吸附台 7 上部吸附台 7 a 真空吸附部 8 加熱器 9 隔熱材 10冷卻流路 ® 11 下部保持構件 12 冷卻台 13 冷卻元件 14 冷卻風噴出部 -20 -

Claims (1)

1244133 十、申請專利範圍： 1. 一種將半導體晶圓自支撐材剝離之方法，係讓切割膠帶黏 貼於藉由雙面黏合片而黏貼有支撐材的半導體晶圓上且 固定於切割框上，再將該半導體晶圓.與切割框一體地自上 述支撐材剝離之方法，上述方法包含以下的步驟： 不於厚度方向束縛上述雙面黏合片，而一邊減弱其黏合 力一邊將上述半導體晶圓與切割框一體地自支撐材剝離 之過程。 2 .如申請專利範圍第1項之將半導體晶圓自支撐材剝離之方 鲁 法，其中，將上述支撐材表面以朝向上面的姿勢作保持， 隔著支撐材而抬起半導體晶圓與切割框， 在該狀態下藉由減弱上述雙面黏合片的黏合力，透過上 述半導體晶圓與切割框的自重而將此等一體地自上述支 撐材剝離。 3. 如申請專利範圍第1項之將半導體晶圓自支撐材剝離之方 法，其中，將上述支撐材表面以朝向上面的姿勢作保持， 以非接觸狀態使吸附裝置近接配備於上述半導體晶圓 β 與切割框的背面側，減弱上述雙面黏合片的黏合力，同 時，藉由吸引與半導體晶圓成爲一體的切割框而一體地將 半導體晶圓與切割框自上述支撐材剝離。 4. 如申請專利範圍第1項之將半導體晶圓自支撐材剝離之方 法，其中，保持上述切割框， 藉由一邊減弱上述雙面黏合片一邊利用以非接觸狀態 近接配備於上述支撐材的吸引裝置來吸引支撐材以進行 - 21- 1244133 I β 剝離而將上述半導體晶圓與切割框一體地自上述支撐材 剝離。 5·如申請專利範圍第丨項之將半導體晶圓自支撐材剝離之方 法，其中，上述雙面黏合片，係藉由加熱或冷卻以減弱黏 合力者，在上述過程中，加熱或冷卻雙面黏合片。 6·如申請專利範圍第5項之將半導體晶圓自支撐材剝離之方 法’其中，上述雙面黏合片係藉由加熱以減弱黏合力者， 在上述過程中，在加熱上述雙面黏合片的同時，冷卻切割 膠帶。 參 7 ·如申請專利範圍第1項之將半導體晶圓自支撐材剝離之方 法’其中，上述雙面黏合片係夾著薄片基材，在一面形成 會依加熱發泡膨脹而喪失黏合力的加熱剝離性黏合層，而 在另一面形成紫外線硬化性黏合層。 8 ·—種將半導體晶圓自支撐材剝離之剝離裝置，係針對將切 割膠帶黏貼於半導體晶圓上且固定於切割框上的工件，將 該半導體晶圓與切割框一體地自上述支撐材剝離，該半導 體晶圓係隔著雙面黏合片而黏貼有支撐材，該剝離裝置包 φ 含以下構成： 上述雙面黏合片爲藉由加熱而減弱黏合力者； 第1保持裝置，載置並保持上述工件； 第2保持裝置，將上述第1保持裝置所載置保持的工件的 支撐材以朝向上方的姿勢作保持； 、 驅動裝置，將上述第1及第2保持裝置之至少一者升降移 動；及 -22- 1244133 加熱裝置，將保持於上述第2保持裝置的工件的雙面黏 合片予以加熱； 在將工件保持於上述第2保持裝置的狀態，藉由驅動裝 置相對移動第1保持裝置及第2保持裝置，而將工件從第 1保持裝置分開，藉由在該狀態減弱上述雙面黏合片的黏 合力，而以半導體晶圓與切割框的自重，將此等一體地自 上述支撐材剝離。 9.如申請專利範圍第8項之將半導體晶圓自支撐材剝離之剝 離裝置，其中，還具備有吸引裝置，以在加熱上述雙面黏合 片時，從下方吸引保持於上述第2保持裝置的工件。 1 〇·如申請專利範圍第8項之將半導體晶圓自支撐材剝離之剝 離裝置，其中，還具備有冷卻切割膠帶的冷卻裝置。 1 1 · 一種將半導體晶圓自支撐材剝離之剝離裝置，係針對將切 割膠帶黏貼於半導體晶圓上且固定於切割框上的工件，將 該半導體晶圓與切割框一體地自上述支撐材剝離，該半導 體晶圓係隔著雙面黏合片而黏貼有支撐材，該剝離裝置包 含以下構成： 上述雙面黏合片爲藉由加熱而減弱黏合力者；第3保持 裝置，載置上述工件且予以吸附保持； 加熱裝置，將保持於上述第3保持裝置的工件的雙面黏 合片予以加熱；及 吸引上述工件的支撐材的吸引裝置； 藉由加熱上述雙面黏合片以減弱其黏合力，同時，讓上 述吸引裝置以非接觸狀態接近於上述支撐材以進行吸引 -23- 1244133 而將上述半導體晶圓與切割框一體地自上述支撐材剝離。 1 2 .如申請專利範圍第i 1項之將半導體晶圓自支撐材剝離之 剝離裝置，其中，還具備有冷卻切割膠帶的冷卻裝置。 1 3 . —種將半導體晶圓自支撐材剝離之剝離裝置，係針對將切 割膠帶黏貼於半導體晶圓上且固定於切割框上的工件，將 該半導體晶圓與切割框呈一體地自上述支撐材剝離，該半 導體晶圓係隔著雙面黏合片而黏貼有支撐材，該剝離裝置 包含以下構成： 上述雙面黏合片爲藉由冷卻而減弱黏合力者； 第1保持裝置，載置保持上述工件； 第2保持裝置，將上述第1保持裝置所載置保持的工件的 支撐材以朝向上方的姿勢作保持； 驅動裝置，將上述第1及第2保持裝置之至少任一升降移 動者；及 冷卻裝置，將保持於上述第2保持裝置的工件的雙面黏 合片予以冷卻； 在將工件保持於上述第2保持裝置的狀態，藉由驅動裝 置相對移動第1保持裝置及第2保持裝置而將工件從第1 保持裝置分開，藉由在該狀態減弱上述雙面黏合片的黏合 力’而以半導體晶圓與切割框的自重而將此等一體地自上 述支撐材剝離。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項之將半導體晶圓自支撐材剝離之 剝離裝置，其中，還具備有吸引裝置，其在冷卻上述雙面黏 合片時，從下方吸引保持於上述第2保持裝置的工件。 1244133 1 5 · —種將半導體晶圓自支撐材剝離之剝離裝置，係針對將切 割膠帶黏貼於半導體晶圓上且固定於切割框上的工件，將 ^牛導體晶圓與切割框呈一^體自上述支撐材剝離，該半導 體晶圓係隔著雙面黏合片而黏貼有支撐材，該剝離裝置包 含以下構成： 上述雙面黏合片爲藉由冷卻而減弱黏合力者； 第3保持裝置，載置上述工件且予以吸附保持； 冷卻裝置，將保持於上述第3保持裝置的工件的雙面黏 合片予以冷卻；及 吸引上述工件的支撐材的吸引裝置； 藉由冷卻上述雙面黏合片以減弱其黏合力，同時，讓上 述吸引裝置以非接觸狀態接近於上述支撐材以進行吸 引’而將上述半導體晶圓與切割框一體地自上述支撐材剝. 離0 -25-
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