CN1606132A - 将半导体晶片与支承件分离的方法以及使用该方法的装置 - Google Patents

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Abstract

一种工件由来自支承件的表面侧的上部吸附台吸附保持，被向上移动到预定高度，并被加热到双面粘合片的厚度方向不被限制的状态，且切割带被冷却。在预定的加热时间流逝之后，工件与粘合强度被削弱的双面粘合片分离，并落到下部吸附台上。

Description

将半导体晶片与支承件分离的方法以及使用该方法的装置
发明背景
发明领域
本发明涉及半导体晶片分离方法以及用于该方法的分离装置，该方法用于将切割带(dicing tape)接合到半导体晶片上，其中支承件经由双面粘合片接合到该半导体晶片上，将该产物固定到切割框架上，以及整体地使半导体晶片和切割框架与支承件分离。
相关技术的描述
近些年，随着应用的快速发展，需要半导体晶片的厚度降低到100μm到50μm，在某些场合中甚至到25μm。这种薄半导体晶片是易碎的并易于变形且其处理是极其困难的。结果，通过经由双面粘合片被接合到具有一定强度的支承件的表面侧上来保持半导体晶片，该支承件诸如玻璃板。在通过如上所述用支承件支持而加强半导体晶片后，在半导体晶片的背面上执行背面研磨过程，且将半导体晶片与支承件分离。
至今，用于分离通过经由双面粘合片接合到支承件上而被保持的半导体晶片的装置如下操作。使用紫外线固化类型的双面粘合片，其粘合强度通过紫外线辐射而被削弱。首先，通过用紫外线辐射，初步降低粘合强度。在后续过程中，半导体晶片由上下两个工作台夹住并在真空状态下被加热从而收缩变形，由此减少双面粘合片和半导体晶片之间的接触面积，且半导体晶片被浮动。
在完成双面粘合片的收缩和分离后，取消上工作台的吸附并上工作台被收回到上侧。此后，在半导体晶片被吸附固定在下工作台上的状态下，通过传送臂吸附和移动保持部件，从而使半导体晶片与双面粘合片分离。这种装置被提出和实施(例如，参见JP-A2001-7179)。
作为所使用的双面粘合片，可以使用紫外线固化类型的双面粘合片以及具有加热可分离性的双面粘合片，后者在被加热时起泡并降低其粘合强度。
常规的装置具有以下问题。
在双面粘合片具有加热可分离性从而在被加热时该片起泡且其粘合强度消失的情况下，如果通过上下两个工作台来约束半导体晶片，则会干扰双面粘合片的起泡(膨胀)且不能充分地降低粘合强度。结果，问题产生，从而半导体晶片不能平滑地与支承件分离。
例如，当粘合强度未消失的双面粘合片与支承件一起与半导体晶片分离时，就可能有局部分离应力作用于半导体晶片上并产生卷曲或损坏。还存在一个问题，即粘合剂残留在半导体晶片的表面上。
发明概述
本发明考虑了上述情况，其目的在于提供用于将半导体晶片与支承件分离的方法和装置，它能平滑地使半导体晶片与切割框架一起与支承件分离而没有应力。
为了实现以上目的，本发明采用以下配置：
一种方法，它用于将切割带接合到半导体晶片上，其中支承件经由双面粘合片接合到该半导体晶片上，将产物固定到切割框架上，并将半导体晶片与切割框架一起整体地与支承件分离，该方法包括以下步骤：
在削弱双面粘合片的粘合强度而不在厚度方向上限制该双面粘合片的同时，将半导体晶片与切割框架一起整体地与支承件分离。
根据该方法，在不限制双面粘合片的厚度方向的状态下削弱粘合强度，从而在削弱粘合强度的过程中，不会将诸如边缘压力的应力施加到双面粘合片上。因此，可以有效地削弱双面粘合片的粘合强度，且可以充分地降低粘合强度。结果，可以整体地平滑地将半导体晶片和切割框架与支承件分离而没有应力。
在根据本发明的方法中，通过将支承件保持成支承件的表面朝上的姿势，经由支承件将半导体晶片和切割框架提起，以及通过在这种状态下削弱双面粘合片的粘合强度，通过半导体晶片和切割框架的自重使得半导体晶片和切割框架整体地与支承件分离。
根据该方法，通过削弱双面粘合片的粘合强度，粘合强度变得比半导体晶片和切割框架的自重更弱，且已被提起的半导体晶片和切割框架被整体地与支承件分离。因此，可以较佳地实施根据本发明第一方面的方法。
在根据本发明的方法中，支承件被保持成其表面朝上的姿势，吸附装置以非接触方式置于靠近半导体晶片和切割框架的背面侧，以及通过削弱双面粘合片的粘合强度和吸附与半导体晶片接合的切割框架，可以将半导体晶片和切割框架整体地与支承件分离。
根据该方法，在双面粘合片的粘合强度被削弱的状态下，半导体晶片和切割框架由以非接触方式靠近半导体晶片和切割框架的吸附装置吸附，从而半导体晶片和切割框架被积极地与支承件分离。因此，半导体晶片和切割框架更有效地被整体与支承件分离。
在根据本发明的方法中，保持切割框架，以及在削弱双面粘合片的粘合强度时，支承件通过以非接触方式置于靠近支承件的吸附装置被吸附并被分离，从而将半导体晶片和切割框架整体地与支承件分离。
根据这种方法，在保持半导体晶片和切割框架的背面侧的状态下，削弱双面粘合片的粘合强度并通过吸附装置以非接触方式吸附支承件。这样，由于取消了双面粘合片的厚度方向上的限制，除去了诸如对双面粘合片的压力的应力。同时保持该状态，分离支承件。因此，可以更有效地将半导体晶片和切割框架与支承件分离。
作为双面粘合片，优选使用以下的：一种粘合强度通过加热或冷却而削弱的双面粘合片；以及一种双面粘合片，其中粘合层具有加热可分离性，在被加热时它起泡和膨胀并失去粘合强度，该粘合层形成于片基底材料的一个面上，而紫外线固化粘合层形成于片基底材料的另一个面上。
在双面粘合片是粘合强度通过加热削弱的双面粘合片的情况下，优选加热双面粘合片，以及冷却切割带。根据该方法，通过加热双面粘合片以及冷却切割带，可以避免由于加热双面粘合片引起的热量和气体生成造成的切割带变形。因此，可以避免切割带的变形和气体生成引起的双面粘合片的边缘压力施加，且可以更平滑地整体地将半导体晶片和切割框架与支承件分离。
为了实现以上目的，本发明还采用以下配置：
一种装置，它用于将半导体晶片和工件的切割框架整体地与支承件分离，该工件是通过将切割带接合到半导体晶片上，其中支承件经由双面粘合片接合到该半导体晶片上，以及通过将产物固定到切割框架上而获得的，该装置包括：
双面粘合片，其粘合强度通过加热而被削弱；
第一保持装置，工件被安装和保持在该第一保持装置上；
第二保持装置，用于以支承件的表面朝上的姿势保持第一保持装置上安装和保持的工件的支承件；
驱动装置，用于在垂直方向上移动第一和第二保持装置中的至少一个；以及
加热装置，用于加热由第二保持装置保持的工件的双面粘合片，其中
在工件由第二保持装置保持的状态下，通过驱动装置使第一和第二保持装置相互移动，以使工件离开第一保持装置，并通过在这种状态下削弱双面粘合片的粘合强度，使半导体晶片和切割框架通过其自重整体地与支承件分离。
根据该装置，使用一种双面粘合片，其粘合强度通过加热而被削弱。在该装置中，安装和保持在第一保持装置上的工件以支承件朝上的姿势由第二保持装置保持。在这种状态下，通过驱动装置相对地移动第一和第二保持装置，且工件离开第一保持装置。换句话说，工件的背面侧是开放的且双面粘合片的厚度方向不被限制。在这种状态下通过加热装置加热双面粘合片。因此，被加热的双面粘合片的粘合强度被削弱，半导体晶片和切割框架通过其自重整体地与支承件分离，并由第一保持装置保持。以这种方式，可以较佳地实现根据本发明第一方面的方法。
较佳地，根据本发明的装置进一步包括吸附装置，它用于在加热双面粘合片的时候从下面吸附由第二保持装置保持的工件。
根据该装置，通过提供吸附装置用于吸附工件，在双面粘合片的粘合强度被削弱的状态下，可以整体且积极地分离半导体晶片和切割框架。
较佳地，根据本发明的装置进一步包括用于冷却切割带的冷却装置。具体地，通过加热双面粘合片和冷却切割带，可以避免由于加热双面粘合片时的热量造成的切割带的变形和气体的生成。
为了实现以上目的，本发明还采用以下配置：
一种装置，它用于将半导体晶片和工件的切割框架整体地与支承件分离，该工件是通过将切割带接合到半导体晶片上，其中支承件经由双面粘合片接合到该半导体晶片上，以及通过将产物固定到切割框架上而获得的，其特征在于，该装置包括：
双面粘合片，其粘合强度通过加热而被削弱；
第三保持装置，其上安装工件并吸附保持该工件；
加热装置，用于加热由第三保持装置保持的工件的双面粘合片；
吸附装置，用于吸附工件的支承件，
其中，将双面粘合片加热以削弱其粘合强度，且吸附装置以非接触方式被移动到靠近支承件并吸附该支承件，从而整体地将半导体晶片和切割框架与支承件分离。
根据该装置，使用一种双面粘合片，其粘合强度通过加热而被削弱。在该装置中，在顶部开放的状态下保持安装在第三保持装置上的工件。即，通过加热装置加热双面粘合片而不限制双面粘合片的厚度方向。此时，支承件由以非接触方式靠近支承件的吸附装置分离。例如，可以采用一种配置，从而通过吸附装置的吸附或者从支承件的表面侧喷射的气体，来自大气的差压产生于分离装置和支承件之间的间隙中，且支承件被悬浮保持于维持预定距离的空间中。
较佳地，本发明的装置进一步包括用于冷却切割带的冷却装置。具体地，通过加热双面粘合片以及冷却切割带，可以避免加热双面粘合片时热量引起的切割带变形和气体生成。
为了实现以上目的，本发明还采用以下配置：
一种装置，它用于将半导体晶片和工件的切割框架整体地与支承件分离，该工件是通过将切割带接合到半导体晶片上，其中支承件经由双面粘合片接合到该半导体晶片上，以及通过将产物固定到切割框架上而获得的，该装置包括：
双面粘合片，其粘合强度通过冷却而被削弱；
第一保持装置，工件被安装和保持在该第一保持装置上；
第二保持装置，用于以支承件的表面朝上的姿势保持第一保持装置上安装和保持的工件的支承件；
驱动装置，用于在垂直方向上移动第一和第二保持装置中的至少一个；以及
冷却装置，用于冷却由第二保持装置保持的工件的双面粘合片，其中
在工件由第二保持装置保持的状态下，通过驱动装置使第一和第二保持装置相对移动，以使得工件离开第一保持装置，且通过在这种状态下削弱双面粘合片的粘合强度，半导体晶片和切割框架通过其自重整体地与支承件分离。
根据该装置，使用一种双面粘合片，其粘合强度通过加热而被削弱。在该装置中，安装和保持在第一保持装置上的工件由第二保持装置保持成支承件朝上的姿势。在这种状态下，通过驱动装置使第一和第二保持装置相对移动，且工件离开第一保持装置。换句话说，工件的背面侧是开放的且双面粘合片的厚度方向不被限制。在这种状态下，通过冷却装置冷却双面粘合片。因此，削弱被冷却的双面粘合片的粘合强度，半导体晶片和切割框架通过其自重整体地与支承件分离，落下，并由第一保持装置保持。以这种方式，可以较佳地实现根据本发明第一方面的方法。
为了实现以上目的，本发明还采用以下配置：
一种装置，它用于将半导体晶片和工件的切割框架整体地与支承件分离，该工件是通过将切割带接合到半导体晶片上，其中支承件经由双面粘合片接合到该半导体晶片上，以及通过将产物固定到切割框架上而获得的，该装置包括：
双面粘合片，其粘合强度通过冷却而被削弱；
第三保持装置，其上安装工件并吸附保持该工件；
冷却装置，用于冷却由第三保持装置保持的工件的双面粘合片；以及
吸附装置，用于吸附工件的支承件，其中
将双面粘合片冷却以削弱其粘合强度，且吸附装置以非接触方式被移动到靠近支承件并吸附该支承件，从而整体地将半导体晶片和切割框架与支承件分离。
根据该装置，使用一种双面粘合片，其粘合强度通过冷却被削弱。在这种装置中，安装在第三保持装置上的工件保持于顶部开放的状态。即，双面粘合片由冷却装置冷却而不限制双面粘合片的厚度方向。此时，支承件通过以非接触方式靠近支承件的吸附装置分离。例如，可以采用一种配置，从而通过吸附装置的吸附或者从支承件的表面侧喷射的气体，来自大气的差压产生于分离装置和支承件之间的间隙中，且支承件被悬浮保持于维持预定距离的空间中。
附图概述
为了说明本发明，附图中示出了几种形式，可以理解，它们是优选的，但是本发明不限于所示的准确结构和手段。
图1是工件的平面图，其中半导体晶片通过与切割框架接合而被固定；
图2是工件的垂直剖视图；
图3半导体晶片的侧视图，其中支承件接合到该半导体晶片上；
图4到7是侧视图，示出由第一实施例的分离装置执行的分离过程；
图8是示出由第一实施例的分离装置的变型执行的分离过程的侧视图；
图9是示出安装了第二实施例的工件的状态的平面图；以及
图10到13是侧视图，示出第二实施例的分离装置执行的分离过程。
具体实施方式
以下将参考附图描述本发明的实施例。
第一实施例
图1是通过经由切割带4将半导体晶片1接合和固定到切割框架5上而获得的工件W的平面图，其中采用玻璃板形式的支承件2经由双面粘合片被接合到半导体晶片1上。图2是工件W的垂直剖视图。图3是半导体晶片1的侧视图，其中支承件2经由双面粘合片3被接合到该半导体晶片1上。
如图2所示，支承件2经由双面粘合片3被接合到半导体晶片1的装置形成面(表面)上。在半导体晶片1的背面由支承件2背部加强的情况下，半导体晶片1的背面在背部研磨过程中被研磨到所需厚度。此后，半导体晶片1经由切割带4被接合和固定到环形的切割框架5上，并被加载入切割装置。
这里，如图3所示，通过在片基底材料3a的两侧上提供具有加热可分离性的粘合层3b和紫外线硬化的粘合层3c构成双面粘合片3，其中粘合层3b在被加热时起泡和膨胀并失去其粘合强度。将支承件2接合到具有加热可分离性的粘合层3b上，并将半导体晶片1接合到紫外线硬化的粘合层3c上。
在如上所述构建的工件W被加载入切割装置之前，与切割框架5整合的半导体晶片1必须与支承件2分离。将参考图4到6描述该分离过程。
如图4所示，首先，以切割带4的背面(非粘合面)朝下的姿势将工件W加载到下部吸附台6上，并经由真空吸附部分6a由下部吸附台6的顶面吸附保持。下部吸附台6对应于本发明的第一保持装置。
在下部吸附台6之上，经由驱动装置(未示出)在垂直方向上移动的上部吸附台7等待。真空吸附部分7a设置于上部吸附台7的底面中。在上部吸附台7中埋入加热器8。上部吸附台7由绝热材料9覆盖，以便抑制来自底面之外的部分的散热，从而被加热到预定温度的上部吸附台7不下降。上部吸附台7对应于本发明的第二保持装置。加热器8对应于本发明的加热装置。
如图5所示，将上部吸附台7向下移动以吸附保持工件W的支承件2的顶面。当支承件2由上部吸附台7吸附保持时，取消下部吸附台6的吸附。同时，如图6所示，在工件W被吸附保持的状态下，上部吸附台7向上移动并在离下部吸附台6较小距离的高度上停住，且经由支承件2加热双面粘合片3。
较佳地，通过使用游丝或配重使得压力负荷处于设定范围(例如，约500g到1000g)内，从而在上部吸附台7吸附保持工件W时不会将过多的力施加到工件W上。
在使用具有较低热阻的切割带4的情况下，较佳地，冷却流体(气体或液体)在下部吸附台6内形成的冷却通道10中循环，以防止切割带4由于来自上部吸附台7的热量而变形或者防止气体的产生。冷却通路10对应于本发明的冷却装置。
在通过上部吸附台7加热的预定时间流逝后，双面粘合片3中具有加热可分离性的粘合层3b的粘合强度通过加热而大大降低或几乎消失。结果，如图7所示，与双面粘合片3接合的半导体晶片1被分离并与切割框架5一起通过其自重整体地从支承件2落下。为了避免由于下落冲击引起的半导体晶片1的损坏，合适的落差约为0.1mm到1.0mm。
在以这种方式与切割框架5一起整体地从支承件2分离的半导体晶片1的装置形成面上，残留具有保护片功能的双面粘合片3。因此，在实际切割处理之前，通过用紫外线照射削弱粘合层3c的粘合强度，此后，通过使用诸如常规装置的表面保护片分离机构分离和除去双面粘合片3。
例如，表面保护片分离机构通过分离棒或分离滚筒将分离带接合到半导体晶片1的表面上残留的双面粘合片的表面上，并与分离带一起整体地将双面粘合片分离。
采用以上配置，在工件W被吸附保持的状态下向上移动上部吸附台7，并将其停止在离开下部吸附台6距离较小的高度处。结果，在加热双面粘合片3时，双面粘合片3不限于其厚度方向上。具体地说，没有东西干扰由加热引起的具有加热分离性的粘合层3b的起泡和热膨胀，从而可以使得粘合强度充分消失。结果，可以整体地平滑分离半导体晶片1和切割框架5而无应力。
通过冷却切割带4的底面，可以有效地避免切割带4的热变形和气体产生。
第二实施例
在第二实施例中，切割框架5的两端被安装在诸如板材、传输带等的下部保持部件的上端上的情况将被描述为实例。
图9是示出工件被安装和保持的状态的平面图，图10到13是示出由分离装置执行的分离过程的侧视图。
如图9所示，加载工件W，从而切割框架5的两端都被安装到诸如板材、传送带等的下部保持部件11的上端上。冷却台12置于下部保持部件11之间。下部保持部件11对应于本发明的第一保持装置，且冷却台12对应于冷却装置。
冷却装置13埋于冷却台12中，且冷却空气注入部分14设置于冷却台12的上面上。通过将冷却空气吹到切割带4的底面，可以避免切割带4的热变形或者气体的产生。
随后，与切割框架5接合的半导体晶片1与支承件2分离。将参考图10到13描述分离过程。
如图10所示，加载安装于下部保持部件11上的工件W。随后，如图11所示，工件W的上部吸附台7向下移动并吸附保持支承件2的表面。
在支承件2的吸附保持完成时，如图12所示，工件W被吸附保持状态下的上部吸附台7向上移动，随后，停止于预定高度处，并开始通过加热器8并经由支承件2加热双面粘合片3。此时，从工件W下设置的冷却台12将冷却空气吹向切割带4的背面，从而开始冷却。
在双面粘合片3的加热的预定时间流逝后，粘合层3b的粘合强度被削弱或几乎消失，且工件W落到下部保持部件上，其中残留片基底材料3a。这一系列分离过程完成。
采用上述配置，在加热双面粘合片3而不在其厚度方向上限制双面粘合片3以使得具有加热可分离性的粘合层3b起泡时，可以使得粘合强度充分消失。结果，可以整体且平滑地将半导体晶片1和切割框架5与支承件2分离而无应力。
通过将冷却空气吹向切割带4的底面，可以有效地避免切割带4的热变形。此外，在下部支承件11是传送带时，可以传送工件W至后续过程，从而还可以改善工作效率。
还可以如下修改本发明。
(1)在每个前述实施例中，可以使用具有与支承件侧上的粘合层3b类似的加热分离性的粘合层作为双面粘合片3中晶片侧上的粘合层3c。在这种情况中，必须选择晶片侧上的粘合层3c，其粘合强度在比支承件侧上的粘合层3b的温度更高的温度下失去。
(2)可以在假定通过冷却削弱双面粘合片3中粘合层3b和3c的粘合强度的状态下实施每一个前述实施例。
(3)在第一实施例中，下部吸附台6在垂直方向上是可活动的。在支承件2由已被向下移动的上部吸附台7吸附保持的状态下，可以将取消吸附的下部吸附台6向下移动预定距离并允许执行与以上类似的分离操作。
(4)在半导体晶片1和切割框架5被整体地分离时，如图8所示，双面粘合片3可以保留于支承件2侧上。在这种情况中，使用具有加热可分离性的粘合层作为粘合层3b和3c是足够的，且同样，使得晶片侧上的粘合层3c在比使得支承件侧上的粘合层3b起泡的温度更低的温度处起泡，从而失去粘合强度。
(5)虽然在前述实施例中半导体晶片1和切割框架5通过自重落下并被分离，也可以在切割框架5下设置吸附装置以积极地吸附工件W，从而分离工件W同时加热双面粘合片3。
(6)虽然在前述实施例中半导体晶片1和切割框架5通过自重落下并被分离，也可以采用以下的配置。
对于由其中埋入加热器8的下部吸附台7吸附保持的工件W，同时通过加热双面粘合片3削弱粘合强度，可以浮动和分离支承件2。例如，吸附装置可以被移动到支承件2之上和附近的位置以使得支承件2浮动。作为另一种配置，通过从支承件2的表面侧喷射的气体，在下部吸附台7和支承件2之间的间隙中产生来自大气压的差压。且支承件2被悬浮保持在维持预定距离的空间中。采用这些结构，可以呈现类似于前述实施例的效果。这种情况中的下部吸附台7对应于本发明的第三保持装置。
本发明可以体现于其它具体形式中而不背离其精神或基本属性，因此，应参考所附权利要求书来表明本发明的范围，而不是参考以上的说明书。

Claims (15)

1.一种方法，它用于将切割带接合到半导体晶片上，其中支承件经由双面粘合片接合到该半导体晶片上，将产物固定到切割框架上，并将半导体晶片与切割框架一起整体地与支承件分离，其特征在于，该方法包括以下步骤：
在削弱双面粘合片的粘合强度而不在厚度方向上限制该双面粘合片的同时，将半导体晶片与切割框架一起整体地与支承件分离。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
通过将支承件保持成支承件的表面朝上的姿势，经由支承件将半导体晶片和切割框架提起，以及
通过在这种状态下削弱双面粘合片的粘合强度，通过半导体晶片和切割框架的自重使得半导体晶片和切割框架整体地与支承件分离。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
支承件被保持成其表面朝上的姿势；
吸附装置以非接触方式置于靠近半导体晶片和切割框架的背面侧，以及
通过削弱双面粘合片的粘合强度，以及，吸附与半导体晶片接合的切割框架，可以将半导体晶片和切割框架整体地与支承件分离。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
保持切割框架，以及
在削弱双面粘合片的粘合强度时，支承件通过以非接触方式置于靠近支承件的吸附装置被吸附并被分离，由此将半导体晶片和切割框架整体地与支承件分离。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
通过加热或冷却来削弱双面粘合片的粘合强度，以及
在该步骤中，加热或冷却双面粘合片。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，
通过加热削弱双面粘合片的粘合强度，以及
加热双面粘合片，以及冷却切割带。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
在双面粘合片中，在片基底材料的一个面上形成具有加热可分离性的粘合层，在被加热时它起泡和膨胀并失去其粘合强度，以及在片基底材料的另一个面上形成紫外线固化粘合层。
8.一种装置，它用于将半导体晶片和工件的切割框架整体地与支承件分离，该工件是通过将切割带接合到半导体晶片上，其中支承件经由双面粘合片接合到该半导体晶片上，以及通过将产物固定到切割框架上而获得的，该装置包括：
双面粘合片，其粘合强度通过加热而被削弱；
第一保持装置，工件被安装和保持在该第一保持装置上；
第二保持装置，用于以支承件的表面朝上的姿势保持第一保持装置上安装和保持的工件的支承件；
驱动装置，用于在垂直方向上移动第一和第二保持装置中的至少一个；以及
加热装置，用于加热由第二保持装置保持的工件的双面粘合片，其中
在工件由第二保持装置保持的状态下，通过驱动装置使第一和第二保持装置相互移动，以使工件离开第一保持装置，并通过在这种状态下削弱双面粘合片的粘合强度，使半导体晶片和切割框架通过其自重整体地与支承件分离。
9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，进一步包括：
吸附装置，用于在加热双面粘合片的时候从下面吸附由第二保持装置保持的工件。
10.如权利要求8所述的装置，其特征在于，进一步包括：
冷却装置，用于冷却切割带。
11.一种装置，它用于将半导体晶片和工件的切割框架整体地与支承件分离，该工件是通过将切割带接合到半导体晶片上，其中支承件经由双面粘合片接合到该半导体晶片上，以及通过将产物固定到切割框架上而获得的，该装置包括：
双面粘合片，其粘合强度通过加热而被削弱；
第三保持装置，其上安装工件并吸附保持该工件；
加热装置，用于加热由第三保持装置保持的工件的双面粘合片；
吸附装置，用于吸附工件的支承件，
其中，将双面粘合片加热以削弱其粘合强度，且吸附装置以非接触方式被移动到靠近支承件并吸附该支承件，从而整体地将半导体晶片和切割框架与支承件分离。
12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，进一步包括：
冷却装置，用于冷却切割带。
13.一种装置，它用于将半导体晶片和工件的切割框架整体地与支承件分离，该工件是通过将切割带接合到半导体晶片上，其中支承件经由双面粘合片接合到该半导体晶片上，以及通过将产物固定到切割框架上而获得的，该装置包括：
双面粘合片，其粘合强度通过冷却而被削弱；
第一保持装置，工件被安装和保持在该第一保持装置上；
第二保持装置，用于以支承件的表面朝上的姿势保持第一保持装置上安装和保持的工件的支承件；
驱动装置，用于在垂直方向上移动第一和第二保持装置中的至少一个；以及
冷却装置，用于冷却由第二保持装置保持的工件的双面粘合片，其中
在工件由第二保持装置保持的状态下，通过驱动装置使第一和第二保持装置相对移动，以使得工件离开第一保持装置，且通过在这种状态下削弱双面粘合片的粘合强度，半导体晶片和切割框架通过其自重整体地与支承件分离。
14.如权利要求13所述的装置，其特征在于，进一步包括：
吸附装置，用于在冷却双面粘合片的时候从下面吸附由第二保持装置保持的工件。
15.一种装置，它用于将半导体晶片和工件的切割框架整体地与支承件分离，该工件是通过将切割带接合到半导体晶片上，其中支承件经由双面粘合片接合到该半导体晶片上，以及通过将产物固定到切割框架上而获得的，该装置包括：
双面粘合片，其粘合强度通过冷却而被削弱；
第三保持装置，其上安装工件并吸附保持该工件；
冷却装置，用于冷却由第三保持装置保持的工件的双面粘合片；以及
吸附装置，用于吸附工件的支承件，其中
将双面粘合片冷却以削弱其粘合强度，且吸附装置以非接触方式被移动到靠近支承件并吸附该支承件，从而整体地将半导体晶片和切割框架与支承件分离。
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