CN1655327A - 晶片的分割方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供晶片的分割方法，包括：保护部件粘合工序，在晶片的表面粘合保护部件；研磨工序，研磨在表面粘合了保护部件的晶片的背面；变质层形成工序，从晶片的背面侧沿分割预定线照射对晶片有透射性的脉冲激光光线，在晶片的内部沿分割预定线形成变质层；粘接片粘合工序，在晶片的背面粘合粘接片；框架保持工序，将晶片的粘接片侧，粘合在安装于环状框架的切片胶带上；分割工序，沿晶片的形成了变质层的分割预定线赋予外力，分割成单个芯片；扩张工序，将粘合了晶片的切片胶带扩张，扩宽各芯片间的间隔，由此断开粘接片；及拾起工序，从被扩张的切片胶带，将在背面粘合了粘接片的各芯片拾起。
Description
技术领域
本发明涉及晶片的分割方法，将在由在表面成格子状地形成的分割预定线区分的区域设置有功能元件的晶片，沿分割预定线分割，而且，在单个芯片的背面安装用于接合的粘接片(film)，将该被分割的单个芯片拾起。
背景技术
在半导体器件制造工序中，由在基本成圆片形状的半导体晶片的表面上布置成格子状的被称作行距(street)的分割预定线区分成多个区域，在该被区分的区域，形成IC、LSI等电路(功能元件)。然后，通过沿着分割预定线切断半导体晶片，来分割形成有电路的区域，制造单个半导体芯片。还可以通过沿着分割预定线切断在蓝宝石基片表面叠层了光电二极管等受光元件(功能元件)或激光二极管等发光元件(功能元件)等的光器件晶片，将其分隔成单个光电二极管、激光二极管等光器件，在电气设备中被广泛利用。
上述半导体晶片和光器件晶片等的沿着分割预定线的切断，一般利用被称作“划片机(dicer)”的切削装置进行。该切削装置包括：对半导体晶片或光器件晶片等被加工物进行保持的固定台(chucktable：卡紧台)、用于对被保持在该固定台上的被加工物进行切削的切削构件、以及使固定台和切削构件相对地移动的切削进给构件。切削构件包括具有驱动机构的主轴单元，该驱动机构对旋转主轴和安装在该主轴上的切削刀和旋转主轴进行旋转驱动。切削刀由圆盘状基座和安装在该基座侧面外周部的环状切刀构成，切刀例如将利用电铸将粒径3μm左右的金刚石固定在基座上、形成厚度20μm左右。
但是，由于切削刀有20μm左右的厚度，所以区分芯片的分割预定线的宽度需要在50μm左右，分割预定线相对晶片面积所占有的面积比大，故存在生产性差的问题。另外，蓝宝石基片、炭化硅基片等的莫氏(Mohs)硬度高，所以，利用上述切削刀的切断一定不容易。
另一方面，近年来分割半导体晶片等板状被加工物的方法，尝试如下激光加工方法：使用对该被加工物有透射性的脉冲激光光线，在要分割区域的内部对准聚光点照射脉冲激光光线。使用了该激光加工方法的分割方法是如下所述的方法：从被加工物的一个面侧向内部对准聚光点照射对被加工物有透射性的红外光区域的脉冲激光光线，在被加工物的内部沿着分割预定线连续形成变质层，沿着由于形成该变质层而强度降低了的分割预定线施加外力，由此来分割被加工物。
专利文献1：日本专利第3408805号公报
而且，被分割成单个的半导体芯片，在其背面安装着由环氧树脂等形成的厚度20～40μm的被称作管芯粘合胶片的用于粘片(diebonding)的粘接片，间隔着该粘接片通过加热被接合在支持半导体芯片的粘片框架上。在半导体芯片的背面安装用于粘片的粘接片的方法如下：在半导体芯片的背面粘合粘接片，间隔着该粘接片将半导体晶片粘合在切片胶带(dicing tape)上之后，沿着在半导体晶片表面形成的行距，利用切削刀与粘接片一起切断，由此形成在背面安装了粘接片的半导体芯片(例如参照专利文献2：日本特开2000-1829995号公报)。
但是，如果采用日本特开2000-182995号公报中公开的方法，则存在如下问题：利用切削刀将粘接片与半导体晶片一起切断以分割成单个半导体芯片时，在半导体芯片背面产生欠缺，在粘接片上产生须状的毛刺，这成为引线键合时断线的原因。
为了解决这样的问题，提出了如下技术：在晶片背面中间插入用于粘片的粘接片来粘合保护片，从晶片的表面侧照射脉冲激光光线，在晶片内部形成变质层，然后通过扩张保护片与粘接片一起将晶片分割成单个芯片(例如参照专利文献3：日本特开2003-228467号公报)。
然而，在日本特开2003-228467号公报所公开的技术中，由于在晶片背面中间插入用于粘片的粘接片来粘合保护片，从晶片的表面侧照射脉冲激光光线，所以不能在晶片内部均匀地形成变质层。即，在晶片的表面层叠了各种膜，其表面一定不平滑。所以，若从晶片的表面侧照射脉冲激光光线，则激光光线漫反射，使激光光线的聚光点均匀地位于晶片内部的预定位置是困难的，其结果，不能在晶片内部均匀地形成变质层。
发明内容
本发明是鉴于上述事实而被提出来的，其主要的技术课题是提供晶片的分割方法，能够确保如下处理过程：使用脉冲激光光线在晶片的内部沿着预定分割线均匀地形成变质层，沿着该变质层分割成单个芯片，而且，在单个芯片的背面安装用于粘片的粘接片，将被分割的单个芯片拾起。
为了解决上述主要的技术课题，根据第1方案的发明的晶片的分割方法，将在由在表面成格子状地形成的分割预定线区分的区域设置有功能元件的晶片，沿分割预定线分割，其特征在于包括以下工序：
保护部件粘合工序，在晶片的表面粘合保护部件；
研磨工序，对在表面粘合了保护部件的晶片的背面进行研磨；
变质层形成工序，从被研磨加工了的晶片的背面侧沿着分割预定线照射对晶片有透射性的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成变质层；
粘接片粘合工序，在沿着分割预定线形成了变质层的晶片的背面，粘合用于粘片的粘接片；
框架保持工序，将粘合了粘接片的晶片的该粘接片侧，粘合在安装于环状框架的切片胶带上；
分割工序，沿着被保持在框架上的晶片的形成了变质层的分割预定线赋予外力，将晶片沿着分割预定线分割成单个芯片；
扩张工序，将粘合了被分割成单个芯片的晶片的切片胶带扩张，扩宽各芯片间的间隔，由此断开该粘接片；及
拾起工序，从被扩张的切片胶带，将在背面粘合了该粘接片的各芯片拾起。
另外，为了解决上述主要的技术课题，根据第2方案的发明的晶片的分割方法，将在由在表面成格子状地形成的分割预定线区分的区域设置有功能元件的晶片，沿分割预定线分割，其特征在于包括以下工序：
保护部件粘合工序，在晶片的表面粘合保护部件；
研磨工序，对在表面粘合了保护部件的晶片的背面进行研磨；
变质层形成工序，从被研磨加工了的晶片的背面侧沿着分割预定线照射对晶片有透射性的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成变质层；
分割工序，沿着晶片的分割预定线赋予外力，将晶片沿着分割预定线分割成单个芯片，上述晶片沿着分割预定线形成了变质层；
粘接片粘合工序，在被分割成单个芯片的晶片的背面，粘合用于粘片的粘接片；
框架保持工序，将粘合了粘接片的晶片的该粘接片侧，粘合在安装于环状框架的切片胶带上；
扩张工序，将粘合了被分割成单个芯片的晶片的切片胶带扩张，扩宽各芯片间的间隔，由此断开该粘接片；及
拾起工序，从被扩张的切片胶带，将在背面粘合了该粘接片的各芯片拾起。
为了解决上述主要的技术课题，根据第3方案的发明的晶片的分割方法，将在由在表面成格子状地形成的分割预定线区分的区域设置有功能元件的晶片，沿分割预定线分割，其特征在于包括以下工序：
框架保持工序，将晶片的表面，粘合在安装于环状框架的切片胶带上；
研磨工序，对表面被粘合在被安装于框架的切片胶带上的晶片的背面进行研磨；
变质层形成工序，从被研磨加工了的晶片的背面侧沿着分割预定线照射对晶片有透射性的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成变质层；
粘接片粘合工序，在沿着分割预定线形成了变质层的晶片的背面，粘合用于粘片的粘接片；
分割工序，沿着被保持在框架上的晶片的形成了变质层的分割预定线赋予外力，将晶片沿着分割预定线分割成单个芯片；
扩张工序，将粘合了被分割成单个芯片的晶片的切片胶带扩张，扩宽各芯片间的间隔，由此断开该粘接片；及
拾起工序，从被扩张的切片胶带，将在背面粘合了该粘接片的各芯片拾起。
为了解决上述主要的技术课题，根据第4方案的发明的晶片的分割方法，将在由在表面成格子状地形成的分割预定线区分的区域设置有功能元件的晶片，沿分割预定线分割，其特征在于包括以下工序：
框架保持工序，将晶片的表面，粘合在安装于环状框架的切片胶带上；
研磨工序，对表面被粘合在被安装于框架的切片胶带上的晶片的背面进行研磨；
变质层形成工序，从被研磨加工了的晶片的背面侧沿着分割预定线照射对晶片有透射性的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成变质层；
分割工序，沿着被保持在框架上的晶片的形成了变质层的分割预定线赋予外力，将晶片沿着分割预定线分割成单个芯片；
粘接片粘合工序，在被分割成单个芯片的晶片的背面，粘合用于粘片的粘接片；
扩张工序，将粘合了被分割成单个芯片的晶片的切片胶带扩张，扩宽各芯片间的间隔，由此断开该粘接片；及
拾起工序，从被扩张的切片胶带，将在背面粘合了该粘接片的各芯片拾起。
优选在上述变质层形成工序中，在晶片的内部形成的变质层至少在晶片的表面露出形成。
优选上述分割工序通过在该扩张工序中扩张切片胶带来进行。
发明的效果如下：
由于本发明的晶片的分割方法由上述工序构成，所以可以确保以下处理过程：晶片在由在表面成格子状地形成的分割预定线区分的区域设置有功能元件，从晶片的背面侧沿着分割预定线照射对晶片有透射性的脉冲激光光线，由此在晶片的内部沿着分割预定线均匀地形成变质层，沿着该变质层分割成单个芯片，而且，在单个芯片的背面安装用于粘片的粘接片，将被分割的芯片拾起。
附图说明
图1是被根据本发明的分割方法分割的半导体晶片的斜视图。
图2是表示实施晶片的分割方法的第1方案的发明的保护部件粘合工序、在半导体晶片的表面粘合了保护部件的状态的斜视图。
图3是晶片的分割方法的第1方案的发明的研磨工序的说明图。
图4是实施晶片的分割方法的变质层形成工序的激光加工装置的主要部分斜视图。
图5是简要地表示图4所示激光加工装置所具备的激光光线照射构件的构成的框图。
图6是用于说明脉冲激光光线的聚光点径的简要图。
图7是晶片的分割方法的第1方案的发明的变质层形成工序的说明图。
图8是表示在图7所示的变质层形成工序中，在晶片内部层叠变质层而形成的状态的说明图。
图9是表示在实施了晶片的分割方法的第1方案的发明的变质层形成工序的晶片的背面，粘合用于粘片的粘接片的粘接片粘合工序的说明图。
图10是表示晶片的分割方法的第1方案的发明的框架保持工序的说明图。
图11是表示根据本发明的晶片的分割方法的分割工序的第1实施方式的说明图。
图12是表示根据本发明的晶片的分割方法的分割工序的第2实施方式的说明图。
图13是表示根据本发明的晶片的分割方法的分割工序的第3实施方式的说明图。
图14是表示根据本发明的晶片的分割方法的分割工序的第4实施方式的说明图。
图15是实施根据本发明的晶片的分割方法的扩张工序和拾起工序的拾起装置的斜视图。
图16是表示晶片的分割方法的第1方案的发明的扩张工序的说明图。
图17是使用图15所示的拾起装置实施分割工序和扩张工序的说明图。
图18是表示晶片的分割方法的第2方案的发明的分割工序的一实施方式的说明图。
图19是表示晶片的分割方法的第2方案的发明的粘接片粘合工序的说明图。
图20是表示晶片的分割方法的第2方案的发明的框架保持工序的说明图。
图21是表示实施晶片的分割方法的第3方案的发明的框架保持工序、将晶片的表面粘合在安装于环状框架的切片胶带上的状态的斜视图。
图22是晶片的分割方法的第3方案的发明的研磨工序的说明图。
图23是晶片的分割方法的第3方案的发明的变质层形成工序的说明图。
图24是表示晶片的分割方法的第3方案的发明的粘接片粘合工序的说明图。
图25是表示晶片的分割方法的第3方案的发明的分割工序的一实施方式的说明图。
图26是表示晶片的分割方法的第3方案的发明的扩张工序的说明图。
图27是使用图15所是的拾起装置实施第3方案的发明的分割工序和扩张工序的说明图。
图28是表示晶片的分割方法的第4方案的发明的粘接片粘合工序的说明图。
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明根据本发明的晶片的分割方法的最佳
实施方式。
在图1中，示出了作为根据本发明而被加工的晶片的半导体晶片的斜视图。图1所示的半导体晶片2由硅晶片构成，在表面2a，多条分割预定线21被形成为格子状，而且，在被多条分割预定线21区分(划分)的多个区域，形成有作为功能元件的电路22。
对将这样构成的半导体晶片2沿着多条分割预定线21分割的分割方法的第1方案的发明进行说明。
在第1方案的发明中，首先，在半导体晶片2的表面2a，如图2所示粘合保护部件3(保护部件粘合工序)。
如果通过实施保护部件粘合工序而在半导体晶片2的表面2a粘合保护部件3，则实施研磨半导体晶片2的背面2b将其加工成镜面的研磨工序。该研磨工序是为了防止从半导体晶片2的背面2b侧照射的红外线激光光线发生漫反射而实施的。即，由硅等形成的晶片中，在内部对准聚光点照射红外线激光光线的情况下，若照射红外线激光光线的面的表面粗度粗，则在表面漫反射，激光光线不到达预定的聚光点，在内部形成预定的变质层是困难的。该研磨工序在图3所示的实施方式中利用研磨装置实施。即，研磨工序首先如图3所示，将半导体晶片2的保护部件3侧放置在研磨装置4的固定台41上(因此半导体晶片2的背面2b成为上侧)，利用未图示的吸引构件将半导体晶片2吸附保持在固定台41上。然后，使固定台41例如以300rpm旋转的同时，使具备研磨磨石42的研磨工具43以6000rpm旋转，与半导体晶片2的背面2b接触，由此对半导体晶片2的背面2b进行镜面加工，研磨磨石42是在毡等柔软部件上使氧化锆等磨粒分散、用适当的粘接剂固定的研磨磨石。在该镜面加工工序中，作为加工面的半导体晶片2的背面2b被镜面加工成由JIS B0601规定的表面粗度(Ra)在0.05μm以下(Ra≤0.05μm)，优选被镜面加工成0.02μm以下(Ra≤0.02μm)。
接着，实施变质层形成工序，从被研磨加工的半导体晶片2的背面2b侧沿着分割预定线照射对晶片有透射性的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成变质层。该变质层形成工序是用图4至图6所示的激光加工装置5实施。图4至图6所示的激光加工装置5具备：保持被加工物的固定台51；将激光光线照射在保持在该固定台51上的被加工物上的激光光线照射构件52；对被保持在固定台51上的被加工物进行摄像的摄像构件53。固定台51被构成为吸引保持被加工物，利用图未示出的移动机构在图4中由箭头X表示的加工进给方向和由箭头Y表示的分度进给方向移动。
上述激光照射构件52包括基本上水平布置的圆筒状的罩壳521。如图5所示，在罩壳521内设有脉冲激光光线振荡构件522和传送光学系统523。脉冲激光光线振荡构件522包括：由YAG激光振荡器或YVO4激光振荡器构成的脉冲激光光线振荡器522a、及附设在脉冲激光光线振荡器522a上的反复频率设定构件522b。传送光学系统523包括像分光镜这样的适当的光学元件。在上述支架521的前端部安装有聚光器524，聚光器524自身是公知的方式即可，收容了由组透镜构成的聚光透镜(图未示出)。由上述脉冲激光光线振荡构件522振荡的激光光线经由传送光学系统523至聚光器524，从聚光器524以预定的聚光点径D照射到被保持在上述固定台51上的被加工物上。该聚光点径D在图6所示的表示出高斯分布的脉冲激光光线通过聚光器524的聚光物镜524a照射的情况下，D(μm)＝4×λ×f/(π×W)，其中，λ被规定为脉冲激光光线的波长(μm)，W被规定为入射物镜524a的脉冲激光光线的直径(mm)，f被规定为物镜524a的焦点距离(mm)。
在构成上述激光光线照射构件52的罩壳521的前端部安装的摄像构件53，除在图示的实施方式中利用可视光线进行摄像的摄像元件(CCD)之外，还包括将红外线照射到被加工物上的红外线照明构件、捕获由该红外线照明构件照射的红外线的光学系统、及输出与由该光学系统捕获的红外线对应的电信号的摄像元件(红外线CCD)等，将摄像了的图象信号送至后述的控制构件。
参照图4、图7和图8，说明使用如上所述的激光加工装置6实施的变质层形成工序。
该变质层形成工序，首先将背面2b被研磨加工过的半导体晶片2的保护部件3侧放置在图4所示的激光加工装置6的固定台51上(因此半导体晶片2的被研磨加工过的背面2b成为上侧)，利用图未示出的吸引构件将半导体晶片2吸附保持在固定台51上。吸引保持了半导体晶片2的固定台51通过图未示出的移动机构被置于摄像构件53的正下方。
当固定台61被置于摄像构件53的正下方时，通过摄像构件53和图未示出的控制构件来执行检测半导体晶片2的要激光加工的加工区域的校准操作。即，摄像构件53和图未示出的控制构件执行图形匹配等图像处理，进行激光光线照射位置的校准，上述图形匹配用于进行在半导体晶片2的预定方向形成的分割预定线21、与沿着分割预定线21照射激光光线的激光光线照射构件52的聚光器524的位置对准。而且，对在半导体晶片2形成的上述预定方向、对垂直延伸的分割预定线21都同样进行激光光线照射位置的校准。此时，虽然半导体晶片2的形成有分割预定线21的表面2a位于下侧，但由于摄像构件53如上所述具备红外线照明构件和捕获红外线的光学系统及输出与红外线对应的电信号的摄像元件(红外线CCD)等构成的摄像构件，所以可以从背面2b透过对分割预定线21进行摄像。
若如以上所述对在被保持在固定台51上的半导体晶片2上形成的分割预定线21进行检测，进行激光光线照射位置的校准，则由图7(a)所示使固定台51移动至照射激光光线的激光光线照射构件52的聚光器524位于的激光光线照射区域，使预定的分割预定线21的一端(图7(a)中为左端)位于激光光线照射构件52的聚光器524的正下方。然后，从聚光器524照射具有透射性的脉冲激光光线的同时，使固定台51即半导体晶片2在图7(a)中箭头X所示的方向以预定的进给速度移动。然后，如图8(b)所示，若激光光线照射构件52的聚光器524的照射位置到达分割预定线21的另一端的位置，则停止脉冲激光光线的照射，而且停止固定台51即半导体晶片2的移动。在该变质层形成工序中，通过使脉冲激光光线的聚光点P对准半导体晶片2的表面2a(下表面)附近，在表面2a(下表面)露出且从表面2a向内部形成变质层210。该变质层210形成为熔融再固化层。通过如上所述在半导体晶片2的表面2a露出地形成变质层210，通过沿着变质层210赋予外力进行的分割变得容易。
而且，上述变质层形成工序的加工条件例如如下设定：
光源 ：LD激励Q开关Nd:YVO4激光器
波长 ：1064nm的脉冲激光器
脉冲输出 ：10μJ
聚光点径 ：φ1μm
脉冲宽度 ：40ns
聚光点的峰值功率密度 ：3.2×1010W/cm2
反复频率 ：100kHz
加工进给速度 ：100mm/秒
而且，在半导体晶片2的厚度厚的情况下，通过如图8所示使聚光点P阶段地改变来多次执行上述变质层形成工序，来形成多个变质层210。而且，由于在上述加工条件中一次形成的变质层的厚度约为50μm，所以在图示的实施方式中对厚度300μm的晶片2形成6层变质层。其结果，在半导体晶片2内部形成的变质层210沿着分割预定线21从表面2a向背面2b形成。
在上述变质层形成工序中，若在半导体晶片2的内部沿着分割预定线21形成变质层210，则实施粘接片粘合工序，如图9所示在半导体晶片2的背面2b粘合用于粘片的粘接片6。而且，粘接片6在实施方式中使用厚度25μm的粘接片。而且，粘接片3可以使用例如日立化成工业(股份公司)制造销售的丙烯类粘接片(FH-800)或聚酰亚胺类粘接片(DF-400)等。
若实施了上述的粘接片粘合工序，则实施框架保持工序，将半导体晶片2的粘接片6侧粘合在安装在环状框架上的切片胶带上。框架保持工序如图10所示，将半导体晶片2的粘接片6侧粘合在被安装在环状框架7上的能伸长的切片胶带70的表面上。然后，剥离粘合在半导体晶片2的表面2a上的保护部件3。而且，上述切片胶带70在图示的实施方式中在厚度100μm的聚氯乙烯(PVC)形成的片基材的表面涂敷厚度5μm左右的丙烯树脂类的糊。该糊使用具有粘接力因紫外线等外界刺激而降低的性质的糊。
而且，在框架保持工序中，可以在半导体晶片2的背面2b安装粘接片。此时，在切片胶带上一体形成了粘接片的复合型胶带可以使用例如リンテツク(lintec股份公司)制造销售的复合胶带(LE-5000)。即，在切片胶带表面形成的粘接片上，粘合半导体晶片2的背面2b。因此，通过使用在切片胶带上一体形成了粘接片的复合胶带，可以同时实施粘接片粘合工序和框架保持工序。
若实施了上述框架保持工序，则实施分割工序，沿着分割预定线21分割半导体晶片2。
参照图11说明分割工序的第1实施方式。图11所示的分割工序的第1实施方式使用超声波分割装置8。超声波分割装置8包括圆筒状底座81和第1超声波振荡器82和第2超声波振荡器83。构成超声波分割装置8的圆筒状底座81具备在上表面放置上述框架7的放置面81a，在该放置面81a上放置框架7并由夹具84固定。该底座81被构成为通过图未示出的移动构件能在图11中沿着左右方向和垂直于纸面的方向移动，而且被构成为能旋转。构成超声波分割装置8的第1超声波振荡器82和第2超声波振荡器83在半导体晶片2(粘接片6被粘合在背面2b上)的上侧和下侧相对配置，发生预定频率的纵波(疏密波)，上述半导体晶片2间隔着切片胶带70被支持在放置于圆筒状底座81的放置面81a上的框架7上。为了使用这样构成的超声波分割装置8实施上述分割工序，将安装了切片胶带70的一侧放置在圆筒状底座81的放置面81a上(因此半导体晶片2的表面2a成为上侧)，由夹具84对间隔着切片胶带70支持了半导体晶片2(沿着分割预定线21形成了变质层210)的框架7进行固定。接着，利用图未示出的移动构件使底座81动作，使形成在半导体晶片2上的预定分割线21的一端(图12中左端)位于来自第1超声波振荡器82和第2超声波振荡器83的超声波发生作用的位置。然后，使第1超声波振荡器82和第2超声波振荡器83动作，分别发生频率例如为28kHz的纵波(疏密波)，而且，使底座81在由箭头示出的方向上例如以50～100mm/秒的速度进给。其结果，由第1超声波振荡器82和第2超声波振荡器83发生的超声波沿着半导体晶片2的分割预定线21作用于表面和背面，所以半导体晶片2沿着形成了变质层210且强度降低的分割预定线21被分割。若如上所述沿着预定的分割预定线实施了分割工序，则使底座81沿着垂直于纸面的方向分度进给相当于分割预定线21的间隔的量，实施上述分割工序。若这样沿着预定方向延伸的全部分割预定线21实施了分割工序，则使底座81旋转90度，对在半导体晶片2上沿着垂直于预定方向的方向形成的分割预定线21实施上述分割工序，由此半导体晶片2被分割成单个芯片。而且，被粘合在半导体晶片2背面上的粘接片6被断开。
接着，参照图12说明分割工序的第2实施方式。图12所示的分割工序的第2实施方式使用与上述图4至图6所示的激光加工装置一样的激光加工装置9实施。即，将切片胶带60侧放置在激光加工装置9的固定台91上(因此半导体晶片2的表面2a成为上侧)，用图未示出的吸引构件吸附保持间隔着切片胶带70被支持在框架7上的半导体晶片2(沿着分割预定线21形成了变质层210)，而且由夹具机构92固定框架7。接着，使固定台91移动到激光光线照射构件的聚光器93位于的激光光线照射区域，使预定的分割预定线21的一端(图12中为左端)位于聚光器93的正下方。然后，从聚光器93对半导体晶片2照射具有吸收性的连续波激光光线的同时，使固定台91即半导体晶片2沿着图12中由箭头X1所示的方向以预定的加工进给速度移动，若预定的分割预定线21的另一端(图12中为右端)到达聚光器93的照射位置，则停止激光光线的照射，而且停止固定台91即半导体晶片2的移动。在该分割工序中，将连续波激光光线的聚光点P对准半导体晶片2的表面2a(上表面)，通过加热形成了变质层210的分割预定线21发生热应力，赋予热冲击。其结果，半导体晶片2沿着形成了变质层210的分割预定线21形成割断部分且被分割。而且，在分割工序中，沿着形成了变质层210的分割预定线21照射的激光光线，加热半导体晶片2赋予适当的温度梯度(100～400℃)程度的输出是足够的，不会使硅熔融。
而且，上述分割工序的加工条件例如如下设定：
光源 ：LD激励Nd:YAG第二高次谐波激光器(CW)
波长 ：532nm
输出 ：10W
聚光点径 ：φ0.5mm(加热包括变质层110的较大的区域)
加工进给速度 ：100mm/秒
若实施了如上所述的分割工序，则使固定台91即半导体晶片2沿着图12中垂直于纸面的方向分度进给与分割预定线21的间隔相对应的量，再次如上所述照射连续波激光光线的同时进行加工进给。然后，若沿着形成在预定方向上的全部分割预定线21进行了上述加工进给和分度进给，则使固定台91即半导体晶片2旋转90度，沿着相对于上述预定方向垂直形成的分割预定线21实行上述加工进给和分度进给，由此沿着形成在半导体晶片2上的分割预定线21被割断被分割。而且，粘合在半导体晶片2背面的粘接片6没有断开。
接着，参照图13说明分割工序的第3实施方式。图13所示的分割工序的第3实施方式，使用由圆筒状的底座111和弯曲负载赋予构件113构成的弯曲分割装置11实施。即，将间隔着切片胶带70支持了半导体晶片2(沿着分割预定线21形成了变质层210)的框架8，以切片胶带70侧为上放置在圆筒状的底座111的放置面111a上(因此半导体晶片2的表面2a成为下侧)，利用夹具112固定。然后，将半导体晶片2的表面2a(下表面)放置在构成弯曲负载赋予构件113的相互并行排列的圆柱状的多个支持部件114上。此时，在半导体晶片2的预定方向形成的分割预定线21位于支持部件114和114之间地放置。然后，从被粘合在半导体晶片2的背面2b上的切片胶带70侧利用按压部件115沿着分割预定线21进行按压。其结果，在半导体晶片2上，弯曲负载沿着分割预定线21作用，在表面2a上发生拉伸应力，半导体晶片2沿着形成了变质层210且强度降低的分割预定线21被割断被分割。然后，若已沿着在预定方向形成的变质层210即分割预定线21分割，则使圆筒状底座111即半导体晶片2旋转90度，沿着相对于上述预定方向成直角地形成的分割预定线21实施上述分割操作，由此半导体晶片2可以分割成单个芯片。而且，粘合在半导体晶片2背面上的粘接片6，虽然有被断开的部位，但没有被完全断开。
接着，参照图14说明分割工序的第4实施方式。图14所示的分割工序的第4实施方式使用由圆筒状底座121和作为弯曲负载赋予构件的按压部件123构成的弯曲分割装置12实施。该底座121被构成为通过图未示出的移动构件能在图14中沿着左右方向和垂直于纸面的方向移动，而且被构成为能旋转。将间隔着切片胶带70支持了半导体晶片2(沿着分割预定线21形成了变质层210)的框架7放置在切片胶带70侧(因此半导体晶片2的表面2a成为上侧)，利用夹具122固定在如上构成的圆筒状底座121的放置面121a上。接着，利用图未示出的移动构件使底座121动作，使形成在半导体晶片2上的预定的分割预定线21的一端(图14中为左端)位于与按压部件123相对的位置，而且，使按压部件123在图14中向上方动作，位于按压粘合了半导体晶片2的切片胶带70的位置。然后，使底座121沿着箭头所示的方向移动。其结果，在半导体晶片2上，弯曲负载沿着被按压部件123按压的分割预定线21作用，在表面2a产生拉伸应力，半导体晶片2沿着形成了变质层210且强度降低了的分割预定线21被断开被分割。若如上所述沿着预定的分割预定线21实施了分割工序，则使底座121在垂直于纸面的方向上分度进给与分割预定线21的间隔相当的量，实施上述分割工序。若如上所述沿着在预定方向延伸的全部分割预定线21实施了分割工序，则使底座121旋转90度，在半导体晶片2上对在与预定方向垂直的方向上形成的分割预定线21实施上述分割工序，由此半导体晶片2被分割成单个芯片。而且，被粘合在半导体晶片2背面的粘接片7，虽然有被断开的部位，但没有被完全断开。
而且，在沿着分割预定线21分割半导体晶片2的分割工序中，在上述分割方法之外，可以使用如下方法：例如将被粘合在切片胶带上的半导体晶片2(在背面粘合了粘接片7)放置在柔软的橡胶片上，利用辊按压其上表面，由此沿着形成了变质层210且强度降低的分割预定线21来割断半导体晶片2。
若实施了上述分割工序，则实施扩张工序，对粘合了被分割成单个芯片的晶片的切片胶带进行扩张，扩大各芯片间的间隔，由此断开粘接片7。该扩张工序利用图15和图16所示的拾起装置13实施。这里，说明拾起装置13。图示的拾起装置13具备圆筒状底座131和扩张构件132，上述圆筒状底座131形成了放置上述框架7的放置面131a，上述扩张构件132同心地设置在该底座131内、且用于按压扩大安装在框架7上的切片胶带70。扩张构件132具备筒状的扩张部件133，扩张部件133支持上述切片胶带70的半导体晶片2存在的区域701。该扩张部件133被构成为利用图未示出的升降构件在图16(a)所示的基准位置和从该基准位置向上方的图16(b)所示的扩张位置之间能沿着上下方向(圆筒状的底座131的轴向)移动。而且，在图示的实施方式中，在扩张部件133内设置有紫外线照射灯134。
参照图15和图16说明使用如上所述的拾起装置13实施的扩张工序。
安装了粘合有如上所述被分割成单个芯片20的半导体晶片2的背面2b的切片胶带70的框架7，被放置在图15和图16(a)所示的圆筒状底座131的放置面131a上，由夹具135固定在底座131上。接着，如图16(b)所示，利用图未示出的升降构件，使对上述切片胶带70的半导体晶片2存在的区域701进行支持的扩张构件132的扩张部件133，从图16(a)的基准位置移动到上方的图16(b)所示的扩张位置。其结果，由于能伸长的切片胶带70被扩张，所以在切片胶带70和芯片20之间产生偏移，密合性降低，因此成为芯片20可以容易地从切片胶带70脱离的状态，而且在单个半导体芯片20之间形成有间隙。而且，在半导体芯片20之间形成了间隙时，粘合在半导体晶片2背面上的粘接片6沿着各半导体芯片20的各边断开。
接着，如图15所示，使布置在拾起装置13上方的拾起吸头(collet)136动作，使在背面粘合了粘接片6的单个芯片20从切片胶带70的上表面脱离，搬运到图未示出的托盘或粘片工序。此时，使设置在扩张部件133内的紫外线照射灯134点灯，在切片胶带70上照射紫外线，使切片胶带70的粘接力降低，由此能容易地脱离。
也可以通过使用如上所述的拾起装置13实施上述分割工序。即，将间隔着切片胶带70支持了图17(a)所示的实施上述分割工序之前的半导体晶片2(沿着分割预定线21形成了变质层210)的框架7放置在圆筒状底座131的放置面131a上，利用夹具135被固定在底座131上。接着，如图17(b)所示，利用图未示出的升降构件，使对上述切片胶带70的半导体晶片2存在的区域701进行支持的扩张构件132的扩张部件133，从图17(a)的基准位置移动到上方的图17(b)所示的扩张位置。其结果，由于能伸长的切片胶带70被扩张，所以粘合了切片胶带70的半导体晶片2，拉伸力放射状地作用。若如上所述拉神力在半导体晶片2上放射状地作用，则由于沿着分割预定线形成的变质层210的强度降低，所以半导体晶片2沿着变质层210被断开，被分割成单个半导体芯片20，而且，被粘合在半导体晶片2背面上的粘接片6也沿着各半导体芯片20的各边被断开。而且，上述分割工序的切片胶带70的扩张量即伸展量可以通过扩张部件133向上方的移动量调整，根据本发明人等的实验，当切片胶带70拉伸20mm左右时，可以使半导体晶片2沿着变质层210断开。通过如上所述实施分割工序，在切片胶带70和芯片20之间产生偏移，密合性降低，所以芯片20变成容易从切片胶带70上脱离的状态，而且在单个芯片20之间形成有间隙。此后，如图15所示，使布置在拾起装置13的上方的拾起吸头136动作，使背面粘合了粘接片6的单个芯片20从切片胶带70的上表面脱离，搬运到图未示出的托盘或粘片工序。
接着，说明晶片的分割方法的第2方案的发明。
第2方案的发明是改变上述第1方案的发明的粘接片粘合工序和框架保持工序及分割工序的顺序的发明。
也就是说，在第2方案的发明中，首先实施如上所述的第1方案的发明的保护部件粘合工序。保护部件粘合工序如图2所示，将保护部件3粘合在半导体晶片2的表面2a上。
若实施了保护部件粘合工序，则实施如上所述的第1方案的发明的研磨工序。即，研磨工序如图3所示，研磨半导体晶片2的背面2b，将其加工成镜面。
然后，实施变质层形成工序，从被研磨加工的半导体晶片2的背面2b侧沿着分割预定线照射对晶片有透射性的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成变质层。即，变质层形成工序与如上所述的第1方案的发明一样使用图4至图6所示的激光加工装置，将半导体晶片2保持在固定台51上，实行如上所述的校准操作，然后如图7(a)(b)所示，沿着预定的分割预定线21从聚光器524照射对半导体晶片具有透射性的脉冲激光光线，同时使固定台51沿着图7(a)中由箭头X1示出的方向进行加工进给，由此在半导体晶片2内部沿着分割预定线21形成变质层210。
如上所述，若通过实施保护部件粘合工序和研磨工序及变质层形成工序，在半导体晶片2的内部沿着分割预定线21形成了变质层210，则实施沿着分割预定线21分割半导体晶片2的分割工序。该分割工序使用上述图12所示的激光加工装置9实施。即，本实施方式的分割工序如图18所示，在激光加工装置9的固定台91上，放置沿着分割预定线21形成了变质层210的半导体晶片2的保护部件3侧(因此半导体晶片2的背面2b成为上侧)，利用图未示出的吸引构件进行吸附保持。接着，使固定台91移动到激光光线照射构件的聚光器93位于的激光光线照射区域，使预定的分割预定线21的一端(图18中为左端)位于聚光器93的正下方。然后，从聚光器93对半导体晶片2照射有吸收性的连续波激光光线的同时，使固定台91即半导体晶片2沿着图18中由箭头X1所示的方向以预定的加工进给速度移动，若预定的分割预定线21的另一端(图18中为右端)到达聚光器93的照射位置，则停止激光光线的照射，而且停止固定台91即半导体晶片2的移动。在该分割工序中，使连续波激光光线的聚光点P对准半导体晶片2的背面2b(上表面)，加热形成了变质层210的分割预定线21，由此产生热应力，赋予热冲击。其结果，沿着形成了变质层210的分割预定线21形成割断部，半导体晶片2被分割。而且，在分割工序中，沿着形成了变质层210的分割预定线21照射的激光光线，加热半导体晶片2赋予适当的温度梯度(100～400℃)程度的输出是足够的，不使硅熔融。而且，上述分割工序的加工条件与上述图19所示的实施方式相同即可。
若实施了如上所述的分割工序，则将固定台91即半导体晶片2沿着图18中垂直于纸面的方向分度进给与分割预定线21的间隔相对应的量，再度如上所述边照射连续波激光光线边加工进给。然后，若沿着形成在预定方向的全部分割预定线21进行了上述加工进给和分度进给，则使固定台91即半导体晶片2旋转90度，沿着垂直于上述预定方向形成的分割预定线21实行上述加工进给和分度进给，由此沿着形成在半导体晶片2上的分割预定线21被割断被分割。而且，通过沿着分割预定线21被割断，半导体晶片2被分割成单个芯片，但由于在半导体晶片2的背面2b粘合着保护部件3，所以没有分散，维持着晶片的形态。
而且，在沿着分割预定线21分割半导体晶片2的分割工序中，在上述分割方法之外，还可以使用如下的方法：例如将粘合在保护部件上的半导体晶片2放置在柔软的橡胶片上，利用辊按压其上表面，由此沿着形成了变质层210且强度降低的分割预定线21割断半导体晶片2。
若通过实施上述分割工序将半导体晶片2分割成单个半导体芯片，则实施粘接片粘合工序，如图19所示，将用于粘片的粘接片6粘合在被分割成单个芯片20的半导体晶片2的背面2b上。而且，粘接片6使用与上述第1方案的发明一样的粘接片即可。
若实施了上述粘接片粘合工序，则实施框架保持工序，将半导体晶片2的粘接片6侧粘合在安装在环状框架上的切片胶带上。框架保持工序如图20所示，将被分割成单个芯片20的半导体晶片2的粘接片6侧，粘合在安装在环状框架7上的能伸长的切片胶带70的表面。然后，剥离粘合在半导体晶片2的表面2a上的保护部件3。而且，上述切片胶带70是上述第1方案的发明中使用的切片胶带相同的胶带即可。
而且，在框架保持工序中，可以将粘接片安装在半导体晶片2的背面2b。此时，在切片胶带上一体地形成有粘接片的复合型胶带，例如可以使用由リンテツク(lintec股份公司)制造销售的复合胶带(LE-5000)。即，将半导体晶片2的背面2b粘合在形成在切片胶带表面的粘接片上。因此，通过使用在切片胶带上一体地形成有粘接片的复合型胶带，可以同时实施粘接片粘合工序和框架保持工序。
如果实施了上述框架保持工序，则实施扩张工序，对粘合了被分割成单个芯片的晶片的切片胶带进行扩张，来扩大各芯片间的间隔。该扩张工序与上述第1方案的发明一样使用图15所示的拾起装置13实施。即，安装有粘合了利用上述分割工序被分割成单个芯片20的半导体晶片2的背面2b的切片胶带70的框架7，被放置在图15和图16(a)所示的圆筒状的底座131的放置面131a上，由夹具135固定在底座131上。接着，如图16(b)所示，利用图未示出的升降构件，将对上述切片胶带70的半导体晶片2存在的区域701进行支持的扩张构件132的扩张部件133，从图16(a)的基准位置移动到上方的图16(b)所示的扩张位置。其结果，由于能伸长的切片胶带70被扩张，所以在切片胶带70和芯片20之间产生偏移，密合性降低，因此变成芯片20能容易地从切片胶带70脱离的状态，而且，在单个半导体芯片20之间形成了间隙。而且，在半导体芯片20之间形成间隙时，被粘合在半导体晶片2的背面的粘接片6沿着各半导体芯片20的各边被断开。
接着，与上述第1方案的发明一样，使布置在图15所示的拾起装置13上方的拾起吸头136动作，使背面粘合了粘接片6的单个芯片20从切片胶带70的上表面脱离，搬运到图未示出的托盘或粘片工序。
接着，说明晶片的分割方法的第3方案的发明。
第3方案的发明首先实施框架保持工序，将半导体晶片2的表面2a粘合在被安装在环状框架上的切片胶带上。框架保持工序如图21所示将半导体晶片2的表面2a粘合在被安装在环状框架7上的能伸长的切片胶带70的表面。而且，上述切片胶带70是与在上述第1方案的发明中使用的切片胶带相同的胶带即可。
若通过实施框架保持工序将半导体晶片2的表面粘合在被安装在环状框架7上的切片胶带70上，则实施研磨工序，研磨半导体晶片2的背面2b将其加工成镜面。该研磨工序利用上述图3所示的研磨装置4实施。即，研磨工序如图22所示，将半导体晶片2的切片胶带70侧放置在研磨装置4的固定台41上(因此半导体晶片2的背面2b成为上侧)，利用图未示出的吸引构件将半导体晶片2吸附保持在固定台41上。而且，在图22中，虽然省略了安装有切片胶带70的环状框架7进行图示，但环状框架7被保持在被设置在固定台41上的适当的夹具机构上。这样一来，若在固定台41上保持了半导体晶片2，则与上述第1方案的发明的研磨工序一样，使固定台41例如以300rpm进行旋转，同时使具有研磨石52的研磨工具53例如以6000rpm旋转来与半导体晶片2的背面2b接触，由此对半导体晶片2的背面2b进行镜面加工，所述研磨石52由在毡等柔软部件中分散了氧化锆等磨粒的适当的粘接剂固定。
接着，实施变质层形成工序，从被镜面加工了的半导体晶片2的背面2b侧沿着分割预定线照射对晶片有透射性的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成变质层。该变质层形成工序与上述第1方案的发明一样使用图4至图6所示的激光加工装置实施。该变质层形成工序首先如图23所示，将背面2b被研磨加工了的半导体晶片2的切片胶带30侧放置在激光加工装置5的固定台51上(因此半导体晶片2的被研磨加工的背面2b成为上侧)，利用图未示出的吸引构件将半导体晶片2吸附保持在固定台51上。而且，在图23中，虽然省略了安装有切片胶带70的环状框架7进行图示，但环状框架7被保持在设置在固定台51上的适当的夹具机构上。这样一来，若在固定台51上保持了半导体晶片2，则与上述第1方案的发明的变质层形成工序一样地实行上述校准操作之后，沿着预定的分割预定线21从聚光器524照射对半导体晶片有透射性的脉冲激光光线的同时对固定台51进行加工进给，由此在半导体晶片2的内部沿着分割预定线21形成变质层210。
若利用上述变质层形成工序在半导体晶片2的内部沿着分割预定线21形成变质层210，则如图24所示实施粘接片粘合工序，将用于粘片的粘接片6粘合在半导体晶片2的背面2b。而且，粘接片6是在上述第1方案的发明的粘接片相同的胶片即可。
若实施了上述粘接片粘合工序，则实施分割工序，沿着被保持在框架7上的半导体晶片2的形成有变质层210的分割预定线21赋予外力，将晶片2沿着分割预定线21分割成单个芯片。该分割工序例如可以使用上述图11所示的超声波分割装置8实施。即，如图25所示，将安装有切片胶带80一侧放置在圆筒状底座81的放置面81a上(因此半导体晶片2的在背面2b粘合了粘接片6侧成为上侧)，利用夹具84固定间隔着切片胶带70支持了半导体晶片2(沿着分割预定线21形成了变质层210)的框架7。接着，利用图未示出的移动构件使底座81动作，使在半导体晶片2形成的预定的分割预定线21的一端(图25中为左端)，位于来自第1超声波振荡器82和第2超声波振荡器83的超声波作用的位置。然后，使第1超声波振荡器82和第2超声波振荡器83动作，分别发生频率例如为28kHz的纵波(疏密波)，而且使底座81沿着箭头所示的方向以例如50～100mm/秒的速度进给。其结果，由第1超声波振荡器82和第2超声波振荡器83发生的超声波沿着半导体晶片2的分割预定线21作用于表面和背面，所以半导体晶片2沿着形成有变质层210且强度降低的分割预定线21被分割。通过沿着形成在半导体晶片2上的全部分割预定线21实施该分割工序，半导体晶片2被分割成单个芯片。而且，被粘合在半导体晶片2的背面2b上的粘接片6没有被断开。
若实施了上述分割工序，则实施扩张工序，对粘合了被分割成单个芯片的晶片的切片胶带进行扩张，扩大各芯片间的间隔，由此断开粘接片7。该扩张工序利用图15所示的拾起装置13实施。
安装了切片胶带70的框架7如图26(a)所示被放置在圆筒状的底座131的放置面131a上，由夹具155固定在底座131上，上述切片胶带70粘合了如上所述被分割成单个芯片20的半导体晶片2的背面2b。接着，如图26(b)所示，利用图未示出的升降构件使对上述切片胶带70的半导体晶片2存在的区域进行支持的扩张构件132的扩张部件133，从图26(a)的基准位置移动到上方的图26(b)所示的扩张位置。其结果，由于能伸长的切片胶带70被扩张，所以在切片胶带70和芯片20之间产生偏移，密合性降低，因此成为芯片20能容易地从切片胶带70上脱离的状态，而且在单个半导体芯片20之间形成有间隙。而且，在半导体芯片20之间形成间隙时，被粘合在半导体晶片2的背面上的粘接片6沿着各半导体芯片20的各边被断开。
接着，使在如图15所示的拾起装置13的上方布置的拾起吸头136动作，使在背面粘合了粘接片6的单个芯片20从切片胶带30的上表面脱离，翻转表面和背面，搬运到图未示出的托盘或粘片工序。此时，使布置在扩张部件133内的紫外线照射灯134点灯，在切片胶带30上照射紫外线，使切片胶带30的粘合力降低，由此可以更容易地脱离。
也可以通过使用上述拾起装置13来实施上述分割工序。即，如图27(a)所示，将间隔着切片胶带70对实施上述分割工序之前的半导体晶片2(沿着分割预定线21形成了变质层210)进行支持的框架7，放置在圆筒状的底座131的放置面131a上，由夹具135固定在底座131上。接着，如图27(b)所示，利用图未示出的升降构件，使对上述切片胶带70的半导体晶片2存在的区域701进行支持的扩张构件132的扩张部件133，从图27(a)的基准位置移动到上方的图27(b)所示的扩张位置。其结果，由于能伸长的切片胶带70被扩张，所以被粘合了切片胶带70的半导体晶片2，拉伸力放射状地作用。若拉伸力如上所述放射状地作用于半导体晶片2，则由于沿着分割预定线形成的变质层210的强度降低，所以半导体晶片2沿着变质层210断开，被分割成单个的半导体芯片20，而且，被粘合在半导体晶片2的背面的粘接片6也沿着各半导体芯片20的各边断开。通过这样实施分割工序，在切片胶带70和芯片20之间产生偏移，密合性降低，所以变成芯片20可以容易地从切片胶带70上脱离的状态，而且在单个芯片20之间形成间隙。之后，如图15所示，使在拾起装置13的上方布置的拾起吸头136动作，使在背面粘合了粘接片6的单个芯片20从切片胶带70的上表面脱离，搬运到图未示出的托盘或粘片工序。而且，由于被粘合在芯片20的背面的粘接片6侧被保持在拾起吸头136上，所以优选通过表面背面翻转构件搬运到图未示出的托盘。
接着，说明晶片的分割方法的第4方案的发明。
第4方案的发明是使上述第3方案的发明的粘接片粘合工序和分割工序的顺序相反的发明。
即，在第4方案的发明中，按照上述第3方案的发明的框架保持工序和研磨工序及变质层形成工序的顺序，顺次实施上述工序。
若通过实施上述框架保持工序和研磨工序及变质层形成工序，在半导体晶片2的内部沿着分割预定线21形成了变质层210，则实施分割工序，沿着分割预定线21分割半导体晶片2。该分割工序可以利用例如上述图11、图12、图13、图14所示的各分割装置如上所述实施。
若实施了上述分割工序，则实施粘接片粘合工序，在分割成单个芯片的晶片的背面粘合了用于粘片的粘接片。即，如图28所示，上述分割工序以被粘合在被安装在环状框架7上的切片胶带70上的状态实施，在被分割成单个芯片20的半导体晶片2的背面2b，粘合用于粘片的粘接片6。而且，粘接片6是在上述第1方案的发明中使用的粘接片相同的胶片即可。
若实施了上述粘接片粘合工序，则实施扩张工序，对粘合了被分割成单个芯片的晶片的切片胶带进行扩张，扩大各芯片间的间隔，由此断开粘接片7。该扩张工序使用图15所示的拾起装置13如图25(a)(b)所示实施。
Claims (10)
1、一种晶片的分割方法，将在由在表面成格子状地形成的分割预定线区分的区域设置了功能元件的晶片，沿分割预定线分割，其特征在于包括以下工序：
保护部件粘合工序，在晶片的表面粘合保护部件；
研磨工序，对在表面粘合了保护部件的晶片的背面进行研磨；
变质层形成工序，从被研磨加工了的晶片的背面侧沿着分割预定线照射对晶片有透射性的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成变质层；
粘接片粘合工序，在沿着分割预定线形成了变质层的晶片的背面，粘合用于粘片的粘接片；
框架保持工序，将粘合了粘接片的晶片的该粘接片侧，粘合在安装于环状框架的切片胶带上；
分割工序，沿着被保持在框架上的晶片的形成了变质层的分割预定线赋予外力，将晶片沿着分割预定线分割成单个芯片；
扩张工序，将粘合了被分割成单个芯片的晶片的切片胶带扩张，扩宽各芯片间的间隔，由此断开该粘接片；及
拾起工序，从被扩张的切片胶带，将在背面粘合了该粘接片的各芯片拾起。
2、如权利要求1所记载的晶片的分割方法，其特征在于，在该变质层形成工序中，在晶片的内部形成的变质层至少在晶片的表面露出形成。
3、如权利要求1或2所记载的晶片的分割方法，其特征在于，该分割工序通过在该扩张工序中扩张切片胶带来进行。
4、一种晶片的分割方法，将在由在表面成格子状地形成的分割预定线区分的区域设置有功能元件的晶片，沿分割预定线分割，其特征在于包括以下工序：
保护部件粘合工序，在晶片的表面粘合保护部件；
研磨工序，对在表面粘合了保护部件的晶片的背面进行研磨；
变质层形成工序，从被研磨加工了的晶片的背面侧沿着分割预定线照射对晶片有透射性的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成变质层；
分割工序，沿着晶片的分割预定线赋予外力，将晶片沿着分割预定线分割成单个芯片，上述晶片沿着分割预定线形成了变质层；
粘接片粘合工序，在被分割成单个芯片的晶片的背面，粘合用于粘片的粘接片；
框架保持工序，将粘合了粘接片的晶片的该粘接片侧，粘合在安装于环状框架的切片胶带上；
扩张工序，将粘合了被分割成单个芯片的晶片的切片胶带扩张，扩宽各芯片间的间隔，由此断开该粘接片；及
拾起工序，从被扩张的切片胶带，将在背面粘合了该粘接片的各芯片拾起。
5、如权利要求4所记载的晶片的分割方法，其特征在于，在该变质层形成工序中，在晶片的内部形成的变质层至少在晶片的表面露出形成。
6、一种晶片的分割方法，将在由在表面成格子状地形成的分割预定线区分的区域设置有功能元件的晶片，沿分割预定线分割，其特征在于包括以下工序：
框架保持工序，将晶片的表面，粘合在安装于环状框架的切片胶带上；
研磨工序，对表面被粘合在被安装于框架的切片胶带上的晶片的背面进行研磨；
变质层形成工序，从被研磨加工了的晶片的背面侧沿着分割预定线照射对晶片有透射性的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成变质层；
粘接片粘合工序，在沿着分割预定线形成了变质层的晶片的背面，粘合用于粘片的粘接片；
分割工序，沿着被保持在框架上的晶片的形成了变质层的分割预定线赋予外力，将晶片沿着分割预定线分割成单个芯片；
扩张工序，将粘合了被分割成单个芯片的晶片的切片胶带扩张，扩宽各芯片间的间隔，由此断开该粘接片；及
拾起工序，从被扩张的切片胶带，将在背面粘合了该粘接片的各芯片拾起。
7、如权利要求6所记载的晶片的分割方法，其特征在于，在该变质层形成工序中，在晶片的内部形成的变质层至少在晶片的表面露出形成。
8、如权利要求6或7所记载的晶片的分割方法，其特征在于，该分割工序通过在该扩张工序中扩张切片胶带来进行。
9、一种晶片的分割方法，将在由在表面成格子状地形成的分割预定线区分的区域设置有功能元件的晶片，沿分割预定线分割，其特征在于包括以下工序：
框架保持工序，将晶片的表面，粘合在安装于环状框架的切片胶带上；
研磨工序，对表面被粘合在被安装于框架的切片胶带上的晶片的背面进行研磨；
变质层形成工序，从被研磨加工了的晶片的背面侧沿着分割预定线照射对晶片有透射性的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成变质层；
分割工序，沿着被保持在框架上的晶片的形成了变质层的分割预定线赋予外力，将晶片沿着分割预定线分割成单个芯片；
粘接片粘合工序，在被分割成单个芯片的晶片的背面，粘合用于粘片的粘接片；
扩张工序，将粘合了被分割成单个芯片的晶片的切片胶带扩张，扩宽各芯片间的间隔，由此断开该粘接片；及
拾起工序，从被扩张的切片胶带，将在背面粘合了该粘接片的各芯片拾起。
10、如权利要求9所记载的晶片的分割方法，其特征在于，在该变质层形成工序中，在晶片的内部形成的变质层至少在晶片的表面露出形成。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |