TWI234273B - Semiconductor device and its manufacturing method - Google Patents

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TWI234273B
TWI234273B TW091102479A TW91102479A TWI234273B TW I234273 B TWI234273 B TW I234273B TW 091102479 A TW091102479 A TW 091102479A TW 91102479 A TW91102479 A TW 91102479A TW I234273 B TWI234273 B TW I234273B
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TW
Taiwan
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substrate
patent application
scope
item
card
Prior art date
Application number
TW091102479A
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English (en)
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Tamaki Wada
Hirotaka Nishizawa
Masachika Masuda
Kenji Osawa
Junichiro Osako
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Ulsi Sys Co Ltd
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Description

1234273 ΑΊ Β7__ 五、發明説明（1 ) 本發明係關於半導體裝置及其製造技術，例如，應用 在半導體記憶卡（以後，簡稱爲記憶卡）時很有效之技術 〇 如多媒體卡（美國廿> 亍'彳又夕公司）或S D卡（ Panasonic、東芝、廿等之記憶卡，係一種在其內 部之半導體晶片記憶資訊之記憶裝置。此記憶卡係在形成 於半導體晶片之非揮發性記憶體，直接，且以電氣方式存 取，因爲沒有機械式之控制動作，較之其他記憶裝置，寫 入、讀出之速朦1央:，不僅如此，可以更換記憶媒體。同時 ，由於形狀比較小型、重量輕，因此主要是使用在攜帶型 個人電腦、攜帶式電話或數位攝影機等之需要具有移動性 之機器之輔助記憶裝置。近年來，該等機器之小型化一直 在進展，隨之也要求記憶卡之進一步之小型化。同時，記 憶卡係新技術，其尺寸上之規格未完全統一。 但是，要縮小記憶卡之尺寸時，或因不同國家而尺寸 不同時，如何保持與現有之記憶卡之尺寸上之互換性，使 其也可以在現有之記憶卡之機器上使用，便成爲很重要之 課題。 本發明之目的在提供，能夠提高半導體裝置之廣泛應 用性之技術。 本發明之上述及其他目的以及新穎之特徵，可以從本 說明書之記述及附圖獲得進一步之瞭解。 兹簡單說明本發明所揭不之發明中具代表性者之槪要 如下。 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210 X 297公釐） C請先閱讀背面之注意事項存填寫本貰) hi. i# 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4- 1234273 Μ Β7 五、發明説明（2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 亦即，本發明係在外殼本體配設截面凸狀之裝設部， 可藉由嵌合於用以變更內設半導體晶片之樹脂製之外殼本 體之平面尺寸之金屬製輔助器具之凹部，將上述輔助器具 成裝卸自如狀安裝於上述外殼本體。 同時，本發明具有一基板，其面積等於覆蓋搭載半導 體晶片之基板之零件搭載面狀被覆之樹脂製外殻本體之平 面積之一半或一半以下。 同時，本發明含有，使用下模之模腔之深度較上模之 模腔之深度大之模塑用金屬模具，成型覆蓋在搭載半導體 晶片之基板之零件搭載面之外殻本體之製程。 同時，本發明具備有：外殼本體；形成在上述外殼本 體之一面之溝；以零件搭載面朝向上述溝內之狀態安裝之 基板；及搭載於上述零件搭載面之多數半導體晶片，而在 上述溝及上述基板，沿上述外殻本體之長度方向之長度， 較上述外殻本體之長度方向之全長爲短，在上述溝及上述 基板，位於外殻本體之中央側之角部之角被去除，形成去 角咅β。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在以下之實施形態，爲了方便而有其必要性時，會分 成多數段落或實施形態進行說明，但除了特別明示時以外 ，該等並非相互無關連，而是，其一方與另一方之一部分 或全部有變形例、詳細、補充說明等之關係。 同時，在以下之實施形態，當言及要素之數目等（包 含，個數、數値、量、範圍等）時，除了特別明示，或原 理上很淸楚是限定在特定數時等以外，不限定在該特定數 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -5- 1234273 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（3 ) ，可以是特定數以上或以下。 而且，在以下之實施形態，其構成要素（也包含要素 步驟等）在除了有特別明示，或原理上很淸楚是必須時等 以外，當然是不一定必要。 同樣，在以下之實施形態，當言及要素之形狀、位置 關係等時，除了特別明示時，或原理上很淸楚是被認爲不 是如此時等以外，應包含實質上近似或類似其形狀者等。 這對上述數値及範圍也相同。 同時/在說明本實施形態用之所有圖式，具有相同功 能者標示同一記號，省略返覆之說明。 同時，本實施形態所用之圖式，爲了使其容易暸解， 有時平面圖也會晝上斜線。 茲參照附圖詳細說明本發明之實施形態如下。 (實施形態1 ) 第1圖係本發明一實施形態之半導體裝置及輔助器具 之斜視圖，第2圖（a) 、 （b)係表示第1圖之半導體 裝置之表面側及裏面側之外觀之斜視圖，第3圖（a )係 第1圖之半導體裝置之表面側之平面圖，第3圖（b )係 (a )之半導體裝置之側面圖，第3圖（c )係（a )之 半導體裝置之背面圖，第3圖（d)係（a)之半導體裝 置之裏面側之平面圖，第4圖（a )係第1圖之半導體裝 置之長度方向之輔助器具裝設部之主要部分放大截面圖， 第4圖（b)係第1圖之半導體裝置之短方向之輔助器具 ^--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 i# 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6 - 1234273 Α7 Β7 五、發明説明（4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝設部之主要部分放大截面圖，第5圖（a )係第3圖（ a )之半導體裝置之短方向（A - A線）之截面圖，第5 圖（b)係（a )之主要部分放大截面圖，第6圖係第1 圖之半導體裝置之底座基板之平面圖。 本實施形態之半導體裝置，係可以作爲例如資訊機器 或通信機器等之電子裝置之補助記憶裝置使用之記憶卡1 。此記憶卡1係由例如平面矩形狀之小薄板形成，其外形 尺寸係例如長邊2 4mm前後、短邊1 8mm前後、厚度 1 . 4 m m前後。如果是這種外形尺寸，可以在例如攜帶 式電話機或數位相機等之小型電子裝置使用，若再裝設金 屬製之配件（輔助器具）2，便也可以在例如攜帶式個人 電腦等之相對大型之電子裝置使用。再者，能夠使用在上 述大型之電子裝置之記憶卡稱作全尺寸之記憶卡，可在上 述小型之電子裝置使用之本實施形態之記憶卡1稱做半尺 寸之記憶卡。 形成此記憶卡1之外形之外蓋（C a p -外殼本體） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3係從例如輕量化、易加工性及柔軟性之觀點，而使用 A B S樹脂或P P E (Poly Phenylen Ether)等之具有絕緣 性之樹脂形成，而以覆蓋底座基板4之安裝有半導體晶片 (以下簡稱爲晶片）5 a 、5 b之零件搭載面側狀被覆在 底座基板4。在外蓋3，於記憶卡1之背面側之兩角部之 兩處形成有截面凸狀之配件裝設部3 a。此配件裝設部 3 a係用以嵌合配件2之凹部2 a之部位，係藉由令外蓋 3之表面、側面及裏面，較外蓋3之配件裝設部3 a以外 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） _Ί _ 1234273 A7 B7 五、發明説明（5 ) 之部分之表面、側面及裏面凹下配件2之厚度分，而形成 。亦即，配件裝設部3 a之厚度較記憶卡1之厚度稍薄。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本實施形態，由於使形成在記憶卡1之外蓋3之配 件裝設部3 a呈截面凸狀，較之使配件裝設部3 a呈凹狀 時，可以使配件裝設部3 a之機械強度提高兩倍或兩倍以 上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 配件裝設部3 a呈截面凹狀時，必須在記憶卡1之厚 度方向設兩個凸部。惟，記憶卡1之厚度有上限，因此不 太容易確保各個凸部之厚度。因爲從輕量化、易加工性及 柔軟性等之觀點，而以樹脂構成，因此，如果構成配件裝 設部之凹部之各個凸部之厚度太薄，便無法保持機械強度 。另一方面，若使該凹部之各個凸部太厚，形成凹部本身 時便有困難。對此，如本實施形態使配件裝設部3 a呈截 面凸狀時，只要在記憶卡1之厚度方向設1個配件裝設部 3 a便可以。亦即，可以將以凹部形成配件裝設部3 a時 之各個凸部集中於一處，形成相對厚之凸部。在此，可以 使截面凸狀之配件裝設部3 a之厚度之一半（d 1/2 ) ，與凹陷部厚度d 2相當。亦即，可以使其成爲M a X ( dl/2)=d2(參照第3圖（a)〜（c)、第4圖 (a ))。因此，可以使配件裝設部3 a較厚，縱使是以 外蓋3之一部分構成配件裝設部3 a，仍可確保其機械強 度。同時，配件裝設部3 a是截面凸狀，因此也容易形成 ，同時，若考慮以同一樹脂形成配件2與外蓋3時，可以 確保與d 1二d 2同程度之強度，使d 1較薄，亦即d 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8- 1234273 A7 ___B7 _ 五、發明説明（6 ) =d / 3。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 同時，在本實施形態，由於將配件裝設部3 a配設在 記憶卡1之背面側之兩角部之兩處，可以將配件2牢固嵌 合於記憶卡1之背面側之長度方向兩端部，因此可以提高 將配件2裝設在記憶卡1時之穩定性。 同時，在本實施形態，外蓋3之上述兩角部之配件裝 設部3 a、3 a所夾之部位，亦即，在記憶卡1之背面側 之長度方向中央，其厚度與記憶卡1之厚度差不多同厚， 較配件裝設部3 a厚。藉此，較之使記憶卡1之背面側沿 記憶卡1之長度方向全部變薄時，可以提高外蓋3與配件 2之接合處所之機械強度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 同時，在本實施形態，由於使配件裝設部3 a之截面 呈凸狀，因而得確保配件裝設部3 a之長度（記憶卡1之 短方向之長度）L 1，亦即，將配件2之凹部2 a嵌合於 配件裝設部3 a之方向之長度，即該凹部2 a平面重疊於 配件裝設部3 a之部分有充分之長度。使配件裝設部3 a 之截面呈凹狀時，如上述考慮確保該凹部之各個凸部之強 度時，上述長度L 1不能太長。對此，本實施形態可以確 保配件裝設部3 a之厚度，確保配件裝設部3 a之機械強 度，因此，上述長度L1可有某種程度之長度。在此之長 度L 1較配件裝設部3 a之厚度d 1大。亦即，可使其 L 1 > d 1。如此，使配件裝設部3 a之長度L 1較長，因 此記憶卡1之配件裝設部3 a在配件2之凹部2 a被緊緊 擠壓，可以確保記憶卡1與配件2之結合部之剛性。因此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐_) Z—' ' 1234273 A7 B7 五、發明説明（7 ) ，可以減輕或防止起因於撓曲等使記憶卡1與配件2之結 合部折斷之不妥。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 同時，在本實施形態，在記憶卡1之表面與裏面之配 件裝設部3 a之狀態成非對稱狀。具體上是，配件裝設部 3 a之寬度（記憶卡1之長度方向之長度）W1 、W2成 非對稱狀，其各個寬度W1、W2之尺寸不同（參照第3 圖）。在此，例如表面側之寬度W 1較裏面側之寬度W 2 爲寬。這是要避免弄錯配件2之裝設方向。亦即，由於配 件裝設部3 a之寬度W1 、W2之尺寸不相同，因此，弄 錯配件2之裝設方向，便無法裝設配件2。藉此，可以防 止起因於配件2之裝置錯誤致使記憶卡1發生損傷或破壞 。同時，由於不必特別注意配件2之裝置方向之正誤，因 此可以輕鬆將配件2安裝在記憶卡1，同時，可以在卡片 安裝機器穩定進行處理。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 同時，在本實施形態，記憶卡1之裏面之背面側近旁 ，於記憶卡1之長度方向中央，形成有配件爪裝設部3 b 。此配件爪裝設部3 b係用以鉤住配件2之爪部2 b的部 位，設有凹部3 b 1及溝部3 b 2。凹部3 b 1係在記憶 卡1之背面至溝部3 b 2之範圍，使外蓋3之裏面凹陷相 當於配件2之厚度而形成。而溝部3 b 2係藉由較凹部 2 b 1更深之凹陷形成。因此配件2之爪部2 b進入此溝 部3 b 2內，可以使記憶卡1與配件2緊緊結合固定一起 〇 同時，在記憶卡1之表面之背面側近旁，於記憶卡1 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210>< 297公釐） 1234273 A7 B7 五、發明説明（8 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之長度方向中央，形成有卡片取出溝3 c。此卡片取出溝 3 c係在從上述電子裝置取出記憶卡1時，供輔助用者。 亦即，在將手指抵在該卡片取出溝3 c之狀態下，將指頭 在外蓋3表面平行拉動，便可以從上述電子裝置抽出記憶 卡1。上述記憶卡1之裏面之溝部3 b 2之深度d 2，較 記憶卡1表面之卡片取出溝3 c之深度d 3爲深（參照第 5 圖（b ))。 再者，從容易辨認記憶卡1之安裝方向之觀點，記憶 卡1前面側之角部被切除。同時，在記憶卡1之外蓋3之 表面，於記憶卡1之前面近旁側，形成有將記憶卡1安裝 進上述電子裝置時表示插入方向之平面三角形狀之標記 3 d ° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 安裝在上述記憶卡1之底座基板4上之兩片晶片5 a 、5 a有同一外形尺寸，形成有同一記憶容量之快閃記憶 器（EEPR〇M)。此等晶片5a、5a係以另一方重 疊在一方之上部之狀態安裝在底座基板4上。下層之晶片 5 a係以接合劑等接合在底座基板4之上面。另一方面， 控制器用之晶片5 b係安裝在記憶用之晶片5 a之附近之 底座基板4上，同樣以接合劑等接合在底座基板4之上面 。此等3片之晶片5 a、5 a 、5 b均以主面（元件形成 面）朝上之狀態安裝在底座基板4。 形成有快閃記憶器（E E P R〇Μ )之兩片晶片5 a 、5 a之各主面，沿其一邊成一列形成有多數焊接墊。亦 即，記憶用之晶片5 a係在元件形成面之周邊部形成焊接 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X：297公釐） 1234273 A7 B7 五、發明説明（9 ) 墊，且採沿此等焊接墊之一邊配置一列之單邊焊接墊方式 。另一方面，控制益用之晶片5 b之主面，則例如沿著成 面對面之兩長邊各形成一列之多數焊接墊。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 兩片晶片5 a ' 5 a係以相互朝向同一方向之狀態重 疊，一方之晶片5 a之焊接墊與另一方之晶片5 a之焊接 墊靠近配置。同時，上層之晶片5 a係以其一部分向與下 層之晶片5 a之一邊平行之方向（X方向），及與此垂直 之方向（Y方向）錯開之狀態配置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述晶片5 a、5b近旁之底座基板4上形成有多數 電極，各晶片5 a、5 a、5 b之焊接墊與對應之電極以 金（A u )等形成之焊接線6以電氣方式連接在一起。晶 片5 a之焊接墊係經由上述電極，及以電氣方式連接在電 極之底座基板4之配線，連接在電氣方式連接在形成於底 座基板4之一主面一端之連接端子7，及形成在另一端之 測試墊8。連接端子7被用作將此記憶卡1安裝在上述電 子機器時之連接端子，經由通孔1 0以電器方式連接在底 座基板4下面之外部連接端子9。同時，測試墊8在此記 憶卡1之裝配製程等時，使用以測量電氣特性。這種晶片 5 a、5 b、焊接線6及底座基板4之零件搭載面之一大 半（連接端子7及測試墊8及其配置領域之周邊除外）， 係由例如環氧系之樹脂等構成之封裝樹脂1 1被覆。 其次說明上述配件2。第7圖（a )係配件2之表面 側之平面圖，（b )係（a )之配件2之側面圖，（c ) 係（a )之配件2之前面圖，（d )係（a )之配件2之 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1234273 A7 B7 五、發明説明（10) 裏面側之平面圖，（e )係（a )之配件2之爪部2 b及 支持部2 c之主要部分放大截面圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 配件2可以用樹脂材料形成，但是用剛性更高之，例 如不銹鋼、鈦（Ti)、鐵（Fe)或含鐵之合金等之金 屬板構成。選擇不銹鋼作爲配件2之材料時，因爲其耐腐 蝕性高，因此不必在其表面施加電鍍等之表面處理。因此 ，很容易形成。同時可以降低成本。另一方面，如果選擇 鐵等作爲配件2之材料時，在其表面施加電鍍處理便可以 提高耐腐鈾性。 而配件2之凹部2 a係將配件2之長度方向之兩端彎 折使其兩端略呈截面U字狀而形成。因此，配件2在其厚 度方向具有某種程度之空領域。也可以將配件2形成空心 狀。 如此，在本實施形態，配件2係彎折1片金屬板，或 在該金屬板形成溝2 d或孔2 e而成。亦即，不使用需要 精密加工之金屬之切削技術等。同時，零件數較少。因此 ，可以降低配件2之成本。 在配件2，從其前面沿配件之短方向（第7圖（a ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、（d)之上下方向），至其短方向之中途平面位置形成 有平行延伸之兩條帶狀之上述之溝2 d。此兩條之溝2 d 在平面上所夾之部分（配件2之長度方向中央），形成上 述支持部2 c。支持部2 c之起端與配件2接合成一體。 支持部2 c之另一端形成有上述爪部2 b。支持部2 c具 有板條彈簧（彈性體）之功能，在平面上形成爲矩形狀， -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1234273 A7 B7 五、發明説明（11) 同時，截面上是從配件2之表面向裏面逐漸彎折，亦即， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以具有撓曲之狀態成形。如此，藉由使支持部2 c撓曲以 提高彈性及作爲彈性體之耐久性。如此，支持部2 c之長 度最好設計成能具有適當彈性之長度。 同時，在配件2之背面近旁，開設有孔2 e。在將配 件2安裝於上述記憶卡1之狀態，將此裝設於電子裝置後 ，從電子裝置取出該記憶卡1，而無法很順利取出等時， 可以將指甲或工具鉤住此孔2 e取出記憶卡1 。孔2 e也 可以是溝等之縮口形狀。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第8圖表示在上述記憶卡1裝設上述配件2之狀態。 第8圖（a )係該記憶卡1及配件2之表面之平面圖，（ b )係（a )之側面圖，（c )係（a )之裏面之平面圖 。第9圖係爲了比較而表示上述全尺寸之記憶卡5 0。第 9圖（a )係記憶卡5 0之表面之平面圖，（b )係其側 面圖，（c)係其裏面之平面圖。第10圖（a)表示記 憶卡1之配件爪裝設部3 b與配件2之爪部2 b之接合部 之截面圖，（b )係記憶卡1之配件裝設部3 a與配件2 之凹部2 a之接合部之截面圖。 配件2在其凹部2 a內嵌合有記憶卡1之配件裝設部 3 a，且以，配件2之支持部2 c之前端之爪部2 b嵌合 於記憶卡1之配件爪裝設部3 b之溝部3 b 2內之狀態， 裝設在記憶卡1。特別是，配件2之支持部2 c係以從記 憶卡1之表面側進入裏面側之狀態，裝設在記憶卡1 °由 於在記憶卡1裝設配件2，可以使其尺寸與全尺寸之記憶 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 1234273 A7 B7 五、發明説明（12) 卡5 0之尺寸同等（例如3 2mmx 2 4mmx 1 · 4mm )。因此，可以將使用在上述小型電子裝置之半尺寸之記 憶卡1，使用在全尺寸之記憶卡5 0用之上述大型之電子 裝置。亦即，可以提高半尺寸之記憶卡1之廣泛使用性。 配件2之爪部2 b係以在第1 0圖（a )之上方，亦 即在面對外蓋3之方向具有彈性力之狀態，牢固嵌合在記 憶卡1之配件裝設部3 a之溝部3 b 2內。藉此，可以將 記憶卡1與配件2確實結合在一起。同時，在配件2之凹 部2 a嵌合有記憶卡1之配件裝設部3 a。藉此，能夠以 良好之穩定性結合記憶卡1與配件2。 從記憶卡1卸下配件2時，只要將配件2之支持部 2 c從配件2之表面側推下裏面之方向，從記憶卡1之配 件爪裝設部3 b卸下支持部2 c之爪部2 b便可以。因此 ，一隻手也能夠簡單卸下配件2，可以很容易進行其卸下 作業。因此，裝設時能夠從記憶卡1之表面觀察到之支持 部2c之長度最好是手指頭可進入之程度。再者，支持部 2 c係如上述具有彈性，因此卸下配件2後會回到原來之 形狀。 其次說明形成記憶卡1之外蓋3時使用之金屬模具之 一個例子。第1 1圖係該金屬模具1 5之截面圖，表示與 第5圖相同之部位之截面圖。同時，第1 2圖係第1 1圖 之主要部分放大截面圖，（a )係外蓋3之背面側之與第 5圖（b )相同部位之截面圖，（b )係對應外蓋3之背 面側之配件裝設部3 a之部位之截面圖，（c )係外蓋3 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15- 1234273 A7 B7 五、發明説明（U) 之前面側之與第5圖相同之部位之截面圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在下模具1 5 a與上模具1 5 b重疊之部分形成有成 型外蓋3用之模腔1 5 c。本實施形態之面向模腔1 5 c 之金屬模具1 5 (下模具1 5 a及上模具1 5b)之角部 αΐ〜all等在9 0°或以上（參照第12圖）。藉此， 可以使外蓋3之成型較容易。假設上述角部a 1〜a 1 1等 較9 0 °小，成型外蓋3後，從金屬模具1 5剝離外蓋3 會很難，必須一個一個形成外蓋3，或需要特別之金屬模 具，因此成本會很高。對此，本實施形態因爲令角度al〜 al 1等爲9 0°或以上，不會有上述不妥，因此可以量產 ，也不需要特殊的模具構造。因此，可以降低記憶卡1之 成本。以這種金屬模具1 5形成之外蓋3之表面、側面及 裏面之角部之角度係9 0°或9 0°以上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 同時，本實施形態之形成外蓋3之內側面之下模具 1 5 a之模腔1 5 c之深度（大致上是厚度d 5 + d6) ，較形成外蓋3之外側表面之上模具1 5 b側之模腔 1 5 c之深度（大致上是等於厚度d7)爲深。而，在相 當於厚度d 6之部分形成，大半在下模具1 5 a側之流入 樹脂用之閘口。下模具1 5 a側之模腔1 5 c之深度較深 之原因是，下模具1 5 a側之模腔1 5 c內側（底面側） 之凹凸及台階差較多，沒有某種程度之容量便無法迅速塡 充樹脂之故。同時，在厚度d 5〜d7，厚度d 6之尺寸 最大。這是爲了提高從閘口至模腔1 5 c內之樹脂之塡充 性。亦即，如果此厚度d 6太薄，將無法使樹脂通過閘口 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1234273 A7 B7 五、發明説明（14 ) 流入模腔1 5 C內。在此，厚度d 5係例如〇 · 5 m m左 右，厚度d6係例如0 · 6mm左右，厚度d7係0 · 3 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) m m左右。 本實施形態係將樹脂塡充在這種金屬模具1 5之模腔 內以形成外蓋3後，將此外蓋3以覆蓋搭載晶.片5 a、 5 b之底座基板4之零件搭載面狀被覆，製成上述記憶卡 1 〇 其次說明本實施形態之半導體裝置之裝配方法之一個 例子。第1 3圖係說明用之圖，（a )係記憶卡1之整體 平面圖，（b )係將記憶卡1之底座基板4裝配在全尺寸 之記憶卡使用時之整體平面圖。網目部分表示底座基板4 之平面。 在本實施形態，係將裝配半尺寸之記憶卡1·時使用之 底座基板4 (已安裝有晶片5 a等之狀態之底座基板4 ) ，直接使用在全尺寸之記憶卡1 A °亦即，共用平面尺寸 不相同之記憶卡1、1 A之部分。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 記憶卡之成本之一大半是底座基板4之成本，因此， 降低底座基板4之成本對降低記憶卡1之成本上很有幫助 。惟，對半尺寸之記憶卡1與全尺寸之記憶卡1 A分別製 造底座基板4時，分別需要個別之製程、製造裝置及人員 等，因此會增加底座基板4之成本，使記憶卡之成本昇高 。對此，若共用記憶卡1、1 A之底座基板4，便不需要 分別有配設半尺寸及全尺寸之底座基板4之製程、製造裝 置及人員，因此，可以大幅度降低記憶卡1 ' 1 A之成本 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇>< 297公釐） 1234273 Μ Β7 五、發明説明（15) 〇 採用這種裝配方法時，如第1 3圖（b )所示，在記 憶卡1 A裝設其外蓋1 6之平面積之一半或以下之平面積 之底座基板4。 (實施形態2 ) 第1 4圖係本發明之其他實施形態之半導體裝置及輔 助器具之斜視圖，第1 5圖（a ) 、（ b )係表示第1 4 圖之半導體裝置之表面側及裏面側之外觀之斜視圖，第 1 6圖（a )係第1 4圖之半導體裝置之表面側之平面圖 ，第1 6圖（b )係（a )之半導體裝置之側面圖，第 16圖（c)係（a)之半導體裝置之背面圖，第16圖 (d)係（a )之半導體裝置之裏面側之平面圖，第1 7 圖（a )係第1 4圖之半導體裝置及輔助器具之表面之平 面圖，（b )係（a )之側面圖，（c )係（a )之裏面 之平面圖。 本實施形態除了記憶卡1與配件2之結合部位之形狀 與上述實施形態1不同以外，其餘均與實施形態1相同。 亦即，記憶卡1之配件裝設部3 a之側面與記憶卡1之側 面在同一平面。亦即，配件裝設部3 a之側面部分未凹陷 。同時，在嵌合於此配件裝設部3 a之配件2之凹部2 a 之部分，成部分狀形成有配件裝設部3 a之側面部分也可 以進入記憶卡1之側面之溝2 a 1。 在這種狀態時，仍可如第1 7圖所示，不會在記憶卡 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 OX 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 丁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 18- 1234273 A7 B7 五、發明説明（16 ) 1與配件2之結合側面產生凹凸或其他不妥，能以良好之 狀態，將配件2裝設在記憶卡1。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如此構成之本實施形態，也可以獲得與上述實施形態 1同樣之效果。 (實施形態3 ) 第1 8圖係本發明之再一其他實施形態之半導體裝置 之裏面側之平面圖。本實施形態係在記憶卡1之背面側， 於配件裝設部3 a之近旁，沿著記憶卡1之長度方向有規 則地並排配置多數連接端子1 7。連接端子1 7係設在底 座基板4之裏面側，通過底座基板4之配線成電氣方式連 接在形成於底座基板4上之記憶電路。此連接端子1 7係 上述記憶電路之測試用或追加功能用之端子。 (實施形態4 ) 首先，參照第1 9圖〜第2 3圖說明在本發明人所檢 討之技術中，本發明人初次發現之課題。 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 第1 9圖及第2 0圖分別表示上述底座基板4之表面 (零件搭載面）及裏面（外部連接端子形成面）之平面圖 。底座基板4形成爲平面矩形狀，其中之一個角部被去消 而形成去角部（第3去角部）4 a。去角部4 a係沿形成 在記憶卡之前面前端（裝設面）之索引用之去角部。 第2 1圖及第2 2圖分別表示本發明人所檢討之上述 全尺寸之記憶卡用之外蓋（第1外殻本體）16之表面及 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐） 1234273 A7 ____B7 五、發明説明（π ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裏面之平面圖。此外蓋1 6係使用與上述半尺寸用之外蓋 3相同之樹脂等形成。在外蓋1 6，記憶卡之前面側角部 之一方形成有，上述索引用之去角部（第2去角部） 1 6 a。此去角部1 6 a係從容易辨認全尺寸之記憶卡之 裝設方向等之觀點所配設。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印紫 同時，在外蓋1 6之裏面，於上述記憶卡之前面側形 成有溝1 6 b。此溝1 6 b係用以將底座基板4安裝在外 蓋1 6之溝，佔有外蓋1 6之前端附近至較外蓋1 6之長 度方向之一半稍短之位置。溝1 6 b之平面形狀及尺寸係 以可以收容底座基板4而與之嵌合之與底座基板4同一平 面形狀，且尺寸較底座基板4稍大之平面尺寸形成。因此 ，在溝1 6 b，外蓋1 6之前面側之一方之角部，係以沿 外蓋1 6之去角部1 6 a狀削掉角部而形成去角部 1 6b 1。同時，溝1 6b之兩個長邊中之形成在外蓋 1 6之長度方向中央側之長邊，與溝1 6 b之兩個短邊垂 直相交。再者，在溝1 6 b之領域內之外周形成有，較其 內側稍厚，且，較溝1 6 b之外側稍薄之台階差1 6 e。 刻劃在此台階差1 6 e之多數刮痕1 6 f係在使用模具成 形外蓋1 6後從模具取出時，頂出梢接觸到之痕跡。 同時，在外蓋1 6之表面及裏面，於背面側近旁形成 有卡片取出溝16cl、16c2。此卡片取出溝 1 6 c 1 、1 6 c 2係具有與上述實施形態1所說明之卡 片取出溝3 c (參照第1圖）同樣之功能之溝。裏面側之 溝部1 6 c 2之深度，較表面側之卡片取出溝1 6 c 1深 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1234273 A7 __B7 五、發明説明（18 ) 。此卡片取出溝1 6 c 1、1 6 C 2也可以僅設在一方。 同時，在外蓋1 6之表面，於其前面近旁側，形成有表示 將全尺寸之記憶卡裝設在上述電子裝置時之插入方向之平 面三角形狀之標記1 6 d。同時，在外蓋1 6之表面之大 半部分，形成有平面角部圓弧狀之長方形狀之淺凹陷 1 6 g。此凹陷1 6 g係用以黏貼表示記憶卡之分類等記 載各種資訊之標籤等。 第2 3圖係將第1 9圖及第2 0圖所示之底座基板安 裝在第2 1圖及第2 2圖所示外蓋1 6之溝1 6 b後之全 尺寸之記憶卡1 A之裏面之平面圖。底座基板4係良好安 裝在外蓋1 6之長度方向之大致上單側一半之領域。 本發明人對第2 3圖所示之全尺寸之記憶卡1 A進行 彎曲強度試驗。此彎曲強度試驗係例如下述。首先，以記 憶卡1 A之裏面面向試驗台上面之狀態將記憶卡1 A載置 於試驗台上。這時，在記憶卡1 A之長度方向之兩端近旁 之兩處，於記憶卡1 A之裏面與試驗台之上面間夾裝支持 構件，使其在記憶卡1 A之裏面，與試驗台之上面之間形 成一定尺寸之間隙。在此狀態下，在記憶卡1 A之表面， 於長度方向中央加上一定量之負荷，使記憶卡1 A撓曲以 評估破壞強度。 本發明人在此項試驗之結果，第1次發現，第2 3圖 所示之記憶卡1 A較之全尺寸之記憶卡之底座基板與外蓋 之平面尺寸相同程度之構造者，彎曲強度較弱，會在記憶 卡1 A之裏面中央，於外蓋1 6與底座基板4之境界部（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) !·裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210>< 297公釐） -21 - 1234273 A7 B7 五、發明説明（19) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 空隙部），發生底座基板4剝離，或以形成於外蓋1 6之 溝1 6 b之長邊中之外蓋1 6之長度方向中央側之長邊， 與溝1 6 b之兩個短邊垂直相交之部分爲起點，在外蓋 1 6產生龜裂等現象。 因此，本實施形態則對底座基板之平面尺寸爲外蓋之 平面尺寸之一半程度之全尺寸之記憶卡，採可以提高上述 彎曲強度之構造。具體上是如下述。 第2 4圖及第2 5圖分別表示本實施形態4之底座基 板4之表面（零件搭載面）及裏面（外部連接端子形成面 )之平面圖。在本實施形態4之底座基板4，除了上述去 角部4 a以外，另在兩個角部之該部位去除角部形成去角 部（第1去角部）4 b、4 c。此去角部4 b、4 c之弧 部較去角部4 a小，並以同一大小及形狀形成，使其成左 右對稱。除此之外，與上述實施形態1、第1 9圖及第 2〇圖所說明者相同。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第2 6圖及第2 7圖係搭載第24圖及第2 5圖所示 底座基板4之全尺寸之記憶卡用之外蓋1 6表面及裏面（ 底座基板裝設面）之平面圖。本實施形態4之外蓋1 6係 安裝底座基板4之溝（第1溝）1 6 b之形狀與上述者不 同。其餘之架構與在上述實施形態1、第2 1圖及第2 2 圖所說明者相同。亦即，在本實施形態4，溝1 6 b之平 面形狀及尺寸與底座基板4成同一平面形狀，可以良好嵌 合第2 4及第2 5圖所示之底座基板4 ,且其平面尺寸較 底座基板4稍大。因此，形成在溝1 6 b之兩長邊中之外 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22- 1234273 A7 B7 五、發明説明（20 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 蓋16之長度方向中央側之長邊16b 2，與溝16b之 兩短邊中之短邊16b3、16b3並未垂直相交，其本 來要垂直相交之部分之角部被去掉，形成去角部（第1去 角部）1 6 b 4、1 6 b 5。亦即，溝1 6 b之構造是， 其長邊1 6 b 2與短邊1 6 b 3之相互間可以介由對其斜 向交叉之去角部16b4、16b5逐漸切換。或者，溝 1 6 b之構造是，直角等邊三角形狀之補強部1 6 h 1、 1 6 h 2，以對準直角部之狀態，配置在本來形成在外蓋 1 6之長度方向中央側之兩個角部。此去角部1 6 b 4、 1 6 b 5較去角部1 6 a小，並以同一大小及平面形狀形 成，相互成左右對稱狀。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第2 8圖係將第2 4圖及第2 5圖所示之底座基板4 安裝在第2 6圖及第2 7圖所示外蓋1 6後之全尺寸之記 憶卡1 A之裏面之平面圖。第2 9圖表示第2 8圖之A 1 一 A 1線之截面圖。本實施形態4之底座基板4，係將其 表面朝向外蓋1 6之裏面之溝1 6 b側，且令底座基板4 之去角部4b、4c分別面向溝16b之去角部16b4 、Γ 6 b 5之狀態。裝設在溝1 6 b內。底座基板4係以 表面外周部接觸於外蓋1 6之溝1 6 b內之台階差1 6 e 之狀態支持之。 在本實施形態4，因爲可以使底座基板4與溝1 6 b 之接觸長度較第2 3圖所不者爲長，因此可以局底座基 板4與外蓋1 6之接合強度。同時，在底座基板4設去角 部4b、4c，並在溝16b設去角部16b4、 23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1234273 A7 B7 五、發明説明（21) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 6 b 5，去除應力容易集中之直角部，因此可以分散應 力。因之，可以在上述彎曲強度試驗時，抑制或防止底座 基板4之剝離，同時，可以抑制或防止在外蓋1 6發生龜 裂。 同時，提高上述彎曲強度之構造並不是追加其他新構 件，而只是使底座基板4之角部及外蓋1 6之溝1 6 b之 角部成去角狀之單純之構造，要形成很容易。因此，不會 阻礙生產力，可提高可靠性很高之全尺寸之記憶卡1 A。 同時，本實施形態4之全尺寸之記憶卡1 A之構造對 靜電破壞試驗也很有利。此靜電破壞試驗係將記憶卡1 A 裝設在試驗裝置，以此狀態，從背面側施加靜電。在全尺 寸之記憶卡，若底座基板與外蓋之平面尺寸是同程度之構 造，底座基板是配設至記憶卡之背面側之附近，因此記憶 卡之背面側至前面側之晶片之導電路徑之距灕很短。對此 ，本實施形態4之記憶卡1 A之背面至長度方向之大致一 半左右是以絕緣性之外蓋1 6形成，因此，從其背面側至 前面側之晶片之導電路徑之距離較長，是在靜電破壞試驗 時不易發生破壞之構造。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而且，在全尺寸之記憶卡1 A，若底座基板4之平面 尺寸是外蓋16之平面尺寸之一半左右，則較之底座基板 與外蓋之平面尺寸是同程度之構造，可以使底座基板4之 面積及封裝樹脂1 1之體積較小，因此，可以減輕全尺寸 之記憶卡1 A之重量。尤其是，本實施形態4之記憶卡 1 A係如上述，進一步使底座基板4之角部成去角形，可 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ " 1234273 A7 B7 五、發明説明（22 ) 以促進輕量化。因此，可以提高全尺寸之記憶卡1 A之攜 帶性。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第3 0圖〜第3 2圖表示第2 3圖所示記憶卡1A之 彎曲強度試驗之結果之說明圖。可以看出此構造之記憶卡 1A之外蓋16之長度方向之大致中央之底座基板4與外 蓋1 6之境界處（位置b 3、b 4 )彎曲強度成急遽且矩 形狀大幅度下降。再者，記號b 1〜b 4表示位置，使其 在第3 0圖〜第3 2圖可以淸楚看出相互間之位置關係。 另一方面，第33圖〜第35圖係表示本實施形態4 之示於第2 8圖等之記憶卡1 A之彎曲強度試驗之結果之 說明圖。可以看出，在本實施形態4之記憶卡1 A，外蓋 1 6之長度方向之大致中央之底座基板4與外蓋1 6之境 界處（位置b 5、b 6、b 4 )之彎曲強度之下降比較緩 和，同時，其最低値較第31圖及第32圖時爲高。亦即 ，可以提高全尺寸之記憶卡1 A之彎曲強度。 其次，參照第3 6圖及第3 7圖，說明本實施形態4 之全尺寸之記憶卡1 A之尺寸上之定義等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第3 6圖表示本實施形態4之外蓋16之裏面之平面 圖。溝1 6 d之短方向之長度（亦即，大致上等於底座基 板4之短方向之尺寸）XI較外蓋1 6之長度方向之全長 X2之一半小（Χ1<Χ2/2)。這是爲了要使底座基 板4在全尺寸及半尺寸都能使用。亦即，寬度X 1較全長 X2之一半長時，便無法將該底座基板使用在上述實施形 態1說明之半尺寸之記憶卡1 。長度X 1係例如1 4 . 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -25- 1234273 A7 B7 五、發明説明（23 ) m m前後，全長X 2係在例如3 2 m m前後。 同時，在本實施形態4，於去角部1 6 b 4、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 16b5，使外蓋16之長度方向之長度X3，與外蓋 16之短方向之長度Y1相等（X3=Y1)。因此，角 度Θ係4 5°左右。因爲在理論上，這個時候可以整體上提 高角部領域之彎曲強度。同時，根據本發明人之檢討，使 Υ 1 > X 3時也可以獲得彎曲強調度上良好之結果。長度 X 3、Υ 1係例如2 m m前後。 而，去角部16 3之長度1^2較長度又3、丫1爲長 (L 2 > X 3 ^ Y 1 )。這是因爲，如果長度X3、Y1 太長，底座基板4之面積會太小，無法搭載晶片。長度 L 2係例如5 . 6 6 m m前後。 同時，此長度X3、Y1較厚度d8、d9、dl〇 爲大（X3、Yl>d8、d9、dl〇)。這是因爲， 如果長度X 3、Y 1 較厚度d 8〜d 1 〇小，去角量太小，無法獲得充分 大之彎曲強度之故。厚度d8係例如1mm前後，厚度 d 9、d 1〇係例如〇 · 6 m m前後。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而第3 7圖係本發明實施形態4之記憶卡1 A之主要 部分放大截面圖。記憶卡1 A之總厚度相當於外蓋1 6之 厚度dll。此厚度dll與厚度dl2相同，或以上（ d 1 1 ^ d 1 2 )。厚度d 12係從外蓋16之表面至底 座基板4之裏面之厚度。上述之尺寸規定之理由是，此厚 度d 1 2若較d 1 1爲厚，便不符記憶卡之規格。深度 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -26- 1234273 A7 B7 五、發明説明（24 ) d 1 3表示溝1 6 b之深度。厚度d ；[ 1係例如1 · 4 m m前後。厚度d 1 2係例如1 · 4 m m前後或以下。深 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 度d 1 3係例如1 · 〇 4 m m前後，厚度d 1 4係例如 〇 , 2 8 m m 前後。 其次參照第38圖說明，形成第26圖〜第29圖等 所示之全尺寸用之外蓋i 6時使用之金屬模具之〜個例子 。第3 8圖係該金屬模具1 5之截面圖。其構造與在上述 實施形Is 1之弟11圖及第12圖（a) 、（c)所說明 者大致上相同。不同的是模腔1 5 c之長度方向之長度較 第1 5圖所說明者長。亦即，形成模腔1 5 c之長度方向 之中央至外蓋1 6之背面部部分之長度較第1 1圖及第 1 2圖所示者長。 其次再參照第3 9圖〜第4 0圖，說明本實施形態4 之底座基板4之晶片之配置例子。第3 9圖及第4 0圖係 表示本實施形態4之底座基板4之表面（零件搭載面）之 平面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本實施形態4，底座基板4之表面搭載有1個記憶 用之晶片5 a及1個控制用之晶片5 b等。此兩個晶片 5 a、5 b係沿底座基板4之長度方向（亦即，配置多數 外部連接端子9 (參照第2 5圖、第2 8圖）之方向）並 排配置。相對大之記憶用晶片5 a係配置在遠離索引側之 去角部4 a之位置。另一方面，相對小之控制用之晶片 5 b則配置在接近索引側之去角部4 a之位置。因爲如此 配置，可以實現精緻而大容量之記憶卡。 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1234273 Α7 Β7 五、發明説明（25) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在上述記憶用之晶片5 a，形成有例如1 6 Μ，32 位元組之記憶容量之記憶電路。記憶用之晶片5 a較控制 用之晶片5 b接近正方形之形狀。記憶用之晶片5 a之一 邊之長度L3，較控制用之晶片5b之長度方向延伸之一 邊之長度L 4爲長。在記憶用之晶片5 a之主面，於一邊 之近旁，沿其一邊配置有多數焊接墊2 0 a。記憶用之晶 片5 a係搭載成，其配置多數焊接墊2 0 a之一邊配置在 底座基板4之長度方向中央側，亦即，配置在控制用之晶 片5 b側。此焊接墊2 0 a係通過焊接線6與底座基板4 表面之配線成電氣方式連接。 另一方面，在控制用之晶片5b之主面，於兩個長邊 之近旁，沿其長邊配置多數焊接墊2 0 b。控制用之晶片 5 b係以其長邊，與配置記憶用之晶片5 a之多數焊接墊 2 0 a之一邊，大致成平行狀搭載於底座基板4之表面上 。此焊接墊2 0 b係通過焊接線6與底座基板4表面之配 線成電氣方式連接。這種晶片5 a、5b之配置，也可以 適用於上述實施形態1〜3。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，底座基板4之表面之長度方向之前端側（形成 去角部4 a之一側），形成有藉由鍍金等形成之金屬層 2 1。此金屬層2 1係封裝晶片5 a、5 b畤配置模具之 閘口之部分。亦即，在形成封裝樹脂1 1 (參照第2 9圖 )時，使樹脂從該金屬層2 1側經由控制用之晶片5 b之 配置領域向記憶用之晶片5 a之配置領域流動。 接著，說明本實施形態4之半導體裝置之裝配方法之 -28- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ：297公釐） 1234273 A7 ______B7 _ 五、發明説明（26 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一個例子。此項裝配製程與在上述實施形態1之第1 3圖 所說明者相同。以下參照第4 2圖〜第4 6圖說明第4 1 圖之裝配製程之流程圖。再者，第4 2圖〜第4 6圖係其 裝配製程中之底座基板41之表面之平面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先，準備如第4 2圖所示之底座基板形成體2 2。 此底座基板形成體2 2之框體2 2 a，已有多數底座基板 4經由連接在各底座基板4之兩個短邊中央之細微之連結 部2 2 b連接在一起。在此階段，框體2 2 a、連結部 22b及底座基板4係形成爲一體。同時，底座基板4之 去角部4b'4c也已形成。接著，如第43圖所示，在 底座基板形成體2 2之各底座基板4之表面上搭載晶片 5 a、5 b (第4 1圖之製程1 〇 〇 )。這時，將相對大 之記憶用晶片5 a搭載於遠離去角部4 a之位置.，將相對 小之控制用之晶片5 b搭載於接近去角部4 a之位置。然 後，爲了淸淨底座基板4及晶片5 a、5 b之配線、電極 (包含焊接墊2 0 a、2 0 b )之表面，施加例如電漿淸 淨處理（第4 1圖之製程1 〇 1 )。此項製程之主要目的 是，藉由淸淨薄鍍金層之表面，使緊接在此製程之線焊接 製程時之焊接線與鍍金層間有良好之連接狀態。 接者，如第4 4圖所不，在各底座基板4，通過焊接 線6，以電氣方式連接晶片5 a、5 b之焊接墊2 0 a、 2 0 b與底座基板4之配線或電極（第4 1圖之製程 10 2)。接著，如第45圖所示，在各底座基板4，藉 轉換彳旲駿法封裝晶片5 a、5 b及焊接線6 (第4 1圖之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -29- 1234273 A7 B7 五、發明説明（27 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Μ程1 0 3 )。上述線焊接製程後，於模塑製程前，從提 高封裝樹脂1 1之接合性之觀點，也可以對底座基板4施 加上述淸淨處理。然後，如第4 6圖所示，切斷連結部 2 2 b，藉此將底座基板4從底座基板形成體2 2分離開 (第4 1圖之製程χ 〇 4 )。如此形成底座基板4。 接著，製造全尺寸（F S )之記憶卡1 A時，將上述 記憶卡1 A安裝在第2 6圖及第2 7圖所示之外蓋1 6之 溝16b內，以接合劑固定之（第41圖之製程i〇5A )。另一方面，製造半尺寸（HS)(或縮小形（RS) )之記憶卡1時，係將底座基板4安裝在，上述實施形態 1之第1圖〜第5圖等所說明之外蓋3之裏面之溝（在此 之溝之平面形狀係呈第2 7圖〜第2 9圖所說明之形狀） 內，以接合劑等固定之（第4 1圖之製程1 0 5 B )。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此，在本實施形態，1個底座基板4可以製造全尺 寸及半尺寸之記憶卡1、1 A。亦即，可以將全尺寸及半 尺寸之記憶卡1 、1 A之製程及構件之一部分共同化，因 此，較之分開製造時，可以簡化製程、縮短製造時間及降 低製造成本。 (實施形態5 ) 在本實施形態5，係說明底座基板之平面尺寸在外蓋 之平面尺寸之一半程度之全尺寸之記憶卡，其可以提高上 述彎曲強度之構造之變形例子。 第4 7圖表示本實施形態5之全尺寸記憶卡1 A之裏 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐 -30 1234273 A7 ___B7_ 五、發明説明（28 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 面之平面圖，第4 8圖表示第4 7圖之領域Z 1之放大平 面圖。在本實施形態5，於底座基板4，位於全尺寸之外 蓋16之長度方向中央側之兩角部近旁形成有細微之長方 形狀之凹凸4 d，對應此之外蓋1 6之溝1 6 b之角部近 旁也形成有可以正確嵌合於底座基板4之細微之凹凸4 d 之細微之長方形狀之凹凸1 6 b 7。此細微之凹凸4 d、 1 6 b 7係形成爲在第4 7圖上成左右對稱狀。除此之外 ，則與上述實施形態1〜4所說明者相同。上述凹凸4 d 、16b7也可以設在溝16b之長邊16b2及對應此 之底座基板4之長邊側。 在本實施形態5，也可以在強度相對弱之角部增大底 座基板4與外蓋1 6之接觸面積，因此可以抑制或防止外 蓋1 6之龜裂或底座基板4之剝離，可以提高上述彎曲強 度。 (實施形態6 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本實施形態6，係說明底座基板之平面尺寸在外蓋 之平面尺寸之一半程度之全尺寸之記憶卡，其可以提高上 述彎曲強度之構造之另一變形例子。 第4 9圖表示本實施形態6之全尺寸記憶卡1 A之裏 面之平面圖，第5 0圖表示第4 9圖之領域Z 2之放大平 面圖。本實施形態6也與上述實施形態5 —樣，於底座基 板4之角部近旁及與其對應之外蓋1 6之溝1 6 b之角部 近旁形成有細微之凹凸4 d、1 6 b 7。與上述實施形態 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公^ ' " 1234273 A7 B7 五、發明説明（29) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 5不同的是，在各個細微之凹凸4 d、1 6 b 7之側面形 成有斜面。這時，底座基板4之細微之凹凸4d，與外蓋 1 6之溝1 6 b之細微之凹凸4 d較上述實施形態5時容 易嵌合。除此之外則與上述實施形態1〜5所說明者相同 。上述凹凸4d、16b7也可以設在溝16b之長邊 1 6 b 2及對應此之底座基板4之長邊側。 (實施形態7 ) 在本實施形態7，係說明底座基板之平面尺寸在外蓋 之平面尺寸之一半程度之全尺寸之記憶卡，其可以提高上 述彎曲強度之構造之另一變形例子。 第5 1圖表示本實施形態6之全尺寸記憶卡1 A之裏 面之平面圖7。在本實施形態7，於底座基板4，在位於 全尺寸之外蓋1 6之長度方向中央側之長邊及與此垂直相 交之短邊之兩角部近旁形成有鋸齒狀之細微之凹凸4 d， 在對應此之外蓋1 6之溝1 6 b之長邊及短邊也形成有可 以良好嵌合於底座基板4之細微之凹凸4 d之細微之凹凸 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 6 b 7。其餘則與在實施形態1〜4說明者相同。而， 本實施形態7也可以收到與上述實施形態4〜6同樣之彎 曲強度上之效果。 (實施形態8 ) 在本實施形態8，係說明使用在上述實施形態4以第 2 4圖及第2 5圖等所示之底座基板之半尺寸之記憶卡。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -32- 1234273 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（3〇） 第5 2圖及第5 3圖分別表示本實施形態8之半尺寸 之記憶卡1之表面及裏面之平面圖。在記憶卡1之外蓋（ 第2外殼本體）3之前面，一方之角部被去角形成上述索 引用之去角部3 e。此去角部3 e係從易辨認記憶卡1之 裝設方向之觀點所配設。同時，在外蓋3之表面，於去角 部3 e側，形成有從記憶卡1之背面向前面延伸之箭頭形 之標記3 d 2。此標記3 d 2表示將記憶卡1裝設在上述 電子裝置時之插入方向。本實施形態8之半尺寸之記憶卡 1係以其短方向之前端作爲前面裝設於電子裝置，但因一 般之記憶卡有以其長度方向之前端爲前面裝設於電子裝置 之固定觀念，因此以較大之標記3 d 2以防發生錯誤。同 時，在外蓋3表面之離開去角部3 e之領域形成有平面四 方形之淺溝3 f 。此淺溝3 f係供黏貼印有記憶卡1之記 錄資料之內容等之標籤之領域。 同時，在本實施形態8之外蓋3之裏面形成有，可以 良好嵌合於第2 4圖及第2 5圖所示之底座基板4之與該 底座基板4相同平面形狀，且具有較底座基板4稍大之平 面尺寸之溝（第2溝）3 g。因此，這時在溝3 g，記憶 卡1之背面近旁側之長邊3 g 1，與溝3 g之兩個短邊 3g2、3g2並非成垂直相交，其本來成垂直相交之部 分被去角而形成去角部（第1去角部）3g3、3g4。 此溝3g之構造（含去角部3g3、3g4)，與上述實 施形態4所說明之全尺寸之外蓋1 6之溝1 6 b相同。因 此，也可以將底座基板4適用在全尺寸及半尺寸。同時， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ··裝. 訂 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -33 1234273 A7 B7 五、發明説明（31 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在溝3 g之底座基板4之安裝狀態也與在上述實施形態4 說明者一樣。而，外蓋3之裏面之上述溝部3 b 2也具有 從電子裝置取出記憶卡1時之掛鉤用溝之功能。 (實施形態9 ) 在本實施形態9說明因記憶卡之規格，裏面之外部連 接端子9之數目改變時之對應例子。 第5 4圖例示將本實施形態9之記憶卡1之外部連接 端子9之數目，配合SD卡（Panasonic、東芝、廿〉亍'彳又夕 )之外部連接端子數時之情开彡。記憶卡1之裏面（底座基 板4之裏面）配置有全部9個之外部連接端子9。同時， 第5 5圖係例示將本實施形態9之記憶卡1之外部連接端 子9之數目，配合I C卡之外部連接端子之數目畤之情形 。記憶卡1之裏面（底座基板4之裏面）配置有全部1 3 個之一部分成兩行之外部連接端子9。那一種情形均毫無 問題可以因應。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (實施形態1 0 ) 在實施形態1 0說明底座基板之平面尺寸在外蓋之平 面尺寸之一半前後之全尺寸之記憶卡，其可以提高上述彎 曲強度之構造之另一其他變形例子。 第5 6圖表示本實施形態1 〇之全尺寸之記憶卡1 A 之截面圖，第5 7圖表示第5 6圖之主要放大截面圖。本 實施形態1 0在外蓋1 6之溝1 6 b之長邊1 6 b 2成一 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1234273 A7 B7 五、發明説明（32) 體配設突緣部1 6 i 。突緣部1 6 i可以沿長邊1 6 b 2 延伸，也可以分散形成在長邊1 6 b 2之一部分。如此， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 由於配設突緣部1 6 i (亦即，由於配設補強構件），在 溝1 6 b之長邊1 6 b 2側之側面形成有凹部1 6 j 。而 在此凹部1 6 j內嵌合底座基板4之背面側之一部分，可 以牢固固定底座基板4。在此，爲了將底座基板4嵌合於 凹部1 6 j，底座基板4之背面側之一部分被半蝕刻而變 薄。由於採這種構造，可以提高上述彎曲強度，因此，可 以抑制或防止底座基板4之剝離或外蓋1 6之破壞。採用 本實施形態1 0之構造時，溝1 6 b可以不配設去角部 16b4、16b5，但若配設去角部16b4、 1 6 b 5可以進一步提高彎曲強度。這時也可以將突緣部 16i設在該去角部16b4、16b5處。 以上係依據實施形態具體說明本發明人所完成之發明 ，但本發明並不限定如上述實施形態，當然可以在不脫離 其主旨之範圍內作各種變更。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 例如，配件之支持部之形狀或數目不限定如上述實施 形態，可以作各種變更。 同時，晶片除了藉由線焊接方式連接外，也可以採用 使用突塊電極之連接方式。 以上之說明主要是針對由本發明人所完成之發明應用 在成爲其背景之利用領域之內部配設快閃記憶器（ E E P R〇Μ )之記憶卡時之情形，但本發明並不限定如 此，應可以應用在內部配設其他，例如，S R A M ( StaUc 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） -35- 1234273 Α7 Β7 五、發明説明（33 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
Random Access Memory) 、 FR AM (Ferroelectric Random Access Memory ) 、M R A M ( Magnetic Random Access Memory)等之記憶體之記憶卡。同時，也可以應用在不具記 憶電路之 I C (Integrated Circuit)卡。 再簡單說明可由本發明之一實施形態獲得之效果如下 〇 亦即，由於配設截面凸狀之裝設部，可將用以增大上 述外殻本體之平面尺寸之金屬製輔助器具之凹部，嵌合於 內部配設半導體晶片之上述外殼本體之一部分，因此可以 提高半導體裝置之廣泛應用性。 同時，由於使基板及安裝此之外殻本體之溝之位於外 殼本體中央側之角部成去角狀，可以提高半導體裝置之彎 曲強度。 本發明可以適用於半導體裝置及其製造方法。 圖式之簡單說明 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1圖係本發明一實施形態之半導體裝置及輔助器具 之斜視圖。 第2圖（a )係表示第1圖之半導體裝置之表面側之 外觀之斜視圖，（b )係該半導體裝置之裏面側之外觀之 斜視圖。 第3圖（a )係第1圖之半導體裝置之表面側之平面 圖，（b )係（a )之半導體裝置之側面圖，（c )係（ a)之半導體裝置之背面圖，（d)係（a)之半導體裝 本紙張尺Μ财關家縣（CNS ) A4規格（210X 297公羡) ' -36 - 1234273 A7 B7 五、發明説明（34 ) 置之裏面側之平面圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第4圖（a )係第1圖之半導體裝置之長度方向之輔 助器具裝設部之主要部分放大截面圖，（b)係第1圖之 半導體裝置之短方向之輔助器具裝設部之主要部分放大截 面圖。 第5圖（a)係第3圖（a)之A-A線之截面圖， (b )係（a )之主要部分放大截面圖。 第6圖係第1圖之半導體裝置之底座基板之平面圖。 第7圖（a )係第1圖之輔助器具之表面側之平面圖 ，（b )係（a )之輔助器具之側面圖，（c )係（a ) 之輔助器具之背面圖，（d)係（a)之輔助器具之裏面 側之平面圖，（e )係（a )之輔助器具之爪部及支持部 之主要部分放大截面圖。 第8圖（a )係第1圖之半導體裝置及輔助器具之表 面之平面圖，（b )係（a )之側面圖，（c )係（a ) 之裏面之平面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第9圖（a )係現有之全尺寸之半導體裝置之表面之 平面圖，（b )係（a )之側面圖，（c )係（a )之裏 面之平面圖。 第1 0圖（a )係第8圖之狀態之半導體裝置之輔助 器具安裝部，與輔助器具之爪部之接合部之主要部分放大 截面圖，（b )係弟8圖之狀態之半導體裝置之輔助器具 安裝部，與輔助器具之凹部之接合部之主要部分放大截面 圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -37- 1234273 A7 ____ _B7____ 五、發明説明（35 ) 第1 1圖係成形第1圖之半導體裝置之一構件之金屬 模具之截面圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1 2圖（a )〜rc )係第1 1圖之主要部分放大 截面圖。 第13圖（a)係半導體裝置之整體平面圖，（b) 係將（a )之半導體裝置之基板裝配在全尺寸之半導體裝 置使用時之整體平面圖。 第1 4圖係本發明之其他實施形態之半導體裝置及輔 助器具之斜視圖。 第15圖（a) 、 （b)係表示第14圖之半導體裝 置之表面側及裏面側之外觀之斜視圖。 第1 6圖（a )係第1 4圖之半導體裝置之表面側之 平面圖，（b )係（a )之半導體裝置之側面圖，(c ) 係（a )之半導體裝置之背面圖，（d )係（a )之半導 體裝置之裏面側之平面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1 7圖（a )係第1 4圖之半導體裝置及輔助器具 之表面之平面圖，（b )係（a )之側面圖，（c )係（ a)之裏面之平面圖。 第1 8圖係本發明之再一其他實施形態之半導體裝置 之裏面側之平面圖。 第1 9圖係本發明人所檢討之半導體裝置之底座基板 之表面之平面圖。 第2 0圖係第1 9圖之底座基板之裏面之平面圖。 第2 1圖係本發明人所檢討之全尺寸之半導體裝置用 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1234273 A7 B7 五、發明説明（36 ) 之外蓋之表面之平面圖。 第2 2圖係第2 1圖之外蓋之裏面之平面圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第2 3圖係將第1 9圖及第2 0圖所示之底座基板安 裝在第2 1圖及第2 2圖所示外蓋之溝後之全尺寸之半導 體裝置之裏面之平面圖。 第2 4圖係構成本發明之一實施形態之半導體裝置之 底座基板之表面之平面圖。 第2 5圖係第2 4圖之底座基板之裏面之平面圖。 第2 6圖係搭載第2 4圖及第2 5圖所示底座基板之 全尺寸之半導體裝置用之外蓋之表面之平面圖。 第2 7圖係第2 6圖之外蓋之裏面之平面圖。 第2 8圖係將第2 4圖及第2 5圖所示之底座基板安 裝在第2 6圖及第2 7圖所示外蓋後之全尺寸之半導體裝 置之裏面之平面圖。 第2 9圖係第2 6圖之A 1 — A 1線之截面圖。 第3 0圖係第2 3圖所示之半導體裝置之彎曲強度試 驗之結果之說明圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第3 1圖係第2 3圖所示之半導體裝置之彎曲強度試 驗之結果之說明圖。 第3 2圖係第2 3圖所示之半導體裝置之彎曲強度試 驗之結果之說明圖。 第3 3圖係本發明一實施形態之半導體裝置之彎曲強 度試驗之結果之說明圖。 第3 4圖係本發明一實施形態之半導體裝置之彎曲強 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X ：297公釐） •39- 1234273 A7 B7 五、發明説明（37) 度試驗之結果之說明圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第3 5圖係本發明一實施形態之半導體裝置之彎曲強 度試驗之結果之說明圖。 第3 6圖係本發明一實施形態之半導體裝置之外蓋之 裏面之平面圖。 第3 7圖係本發明之一其他實施形態之半導體裝置之 主要部分放大截面圖。 第3 8圖係成形第2 6圖〜第2 9圖所示半導體裝置 之外蓋之金屬模具之一個例子之截面圖。 第3 9圖係表示本發明一實施形態之半導體裝置之晶 片之配置例子之底座基板之表面之平面圖。 第4 0圖係表示本發明一實施形態之半導體裝置之晶 片之配置例子之底座基板之表面之平面圖。 第4 1圖係本發明一實施形態之半導體裝置之裝配製 程之流程圖。 第4 2圖係第4 1圖之半導體裝置之裝配製程中之底 座基板之表面之平面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第4 3圖係緊接在第4 2圖之半導體裝置之裝配製程 中之底座基板之表面之平面圖。 桌4 4圖係緊接在第4 3圖之半導體裝置之裝配製程 中之底座基板之表面之平面圖。 第4 5圖係緊接在第4 4圖之半導體裝置之裝配製程 中之底座基板之表面之平面圖。 第4 6圖係緊接在第4 5圖之半導體裝置之裝配製程 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -40- 1234273 _B7_ 五、發明説明（38 ) 中之底座基板之表面之平面圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第4 7圖係本發明其他實施形態之全尺寸之半導體裝 置之外蓋之裏面之平面圖。 第4 8圖係第4 7圖之領域Z 1之放大平面圖。 第4 9圖係本發明其他實施形態之全尺寸之半導體裝 置之裏面之平面圖。 第5 0圖係第4 9圖之領域Z 2之放大平面圖。 第5 1圖係本發明其他實施形態之全尺寸之半導體裝 置之裏面之平面圖。 第5 2圖係本發明其他實施形態之半尺寸之半導體裝 置之表面之平面圖。 第5 3圖係第5 2圖之半導體裝置之裏面之平面圖。 第5 4圖係本發明其他實施形態之半尺寸之半導體裝 置之裏面之平面圖。 第5 5圖係本發明再一其他實施形態之半尺寸之半導 體裝置之裏面之平面圖。 第5 6圖係本發明其他實施形態之全尺寸之半導體裝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 置之截面圖。 第5 7圖係第5 6圖之主要放大截面圖。 主要元件對照表 1、1A 記憶卡 2 配件 2 a 凹部 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -41 - 1234273 A7 B7 五、發明説明（39) 2 b 爪部 2 c 支持部 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 d、1 6 b 溝 2 e 孔 3、1 6 外蓋 3 a 配件裝設部 3b 配件爪裝設部 3 c 卡片取出溝 3d 標記 3 e 去角部 4 底座基板 5 a、5 b 晶片 6 焊接線 7 連接端子 8 測試墊 9 外部連接端子 10 通孔 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 11 封裝樹脂 15 金屬模具 15a 下模具 15b 上模具 15c 模腔 16a 去角部 16c 卡片取出溝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -42- 1234273 A7 B7 五、發明説明（4〇） 1 7 連 接 端 子 2 0 a 、2 〇 b 焊 接墊 2 1 金 屬 層 2 2 底 座 基 板形 成 體 2 2 a 框 體 2 2 b 連 結 部 5 〇 記 憶 卡 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）

Claims (1)

1234273 A8 B8 C8 D8 __ 六、申請專利範圍 第9 1 1 02479號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國94~% 2 _ 2 Ef修正 修 jL 本 1·一種半導體裝置，其特徵在於，配設有截面凸狀 之裝設部，能夠將用以使上述外殻本體之平面尺寸增大之 金屬製輔助器具之凹部，嵌合在覆蓋搭載半導體晶片之基 板之零件搭載面狀被覆之樹脂製外殼本體之一部分。 2 .如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中，上 述截面凸狀之裝設部係在外殼本體之厚度方向配設一個。 3 .如申請專利範圍第1或2項之半導體裝置，在上 述截面凸狀之裝設部，嵌合上述輔助器具之凹部之方向之 長度，較上述截面凸狀之安裝部之厚度大。 4 .如申請專利範圍第1或2項之半導體裝置，其中 ，上述截面凸狀之裝設部之狀態，在上述外殻本體之表面 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 中 其 置 裝 墜 導 半 之 項 2 或 1± 第 。圍 狀範 稱利 對專 非請 成申 側如 面 · 裏 5 與 側 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本 殻 外 述 上 殼 外 述 上 較 ΙΕΙ 度部 寬設 之裝 部之 設狀 裝凸 之面 狀截 凸述 面上 截之 述面 上對 之相 側之 面面 表表 之體 體本 上 在 置 裝 SB 導 半 之 項 2 或 IX 第 圍 範 利 專 請 。 申 寬如 爲 · 度 6 寬 之 部殻 溝外 之述 體上 本在 殻定 外固 述態 上狀 在之 設如 住自 鉤卸 以裝 用成 ，具 部器 爪助 設輔 配述 具上 器將 助此。 輔藉體 述，本 準 標 家 國 國 中 一用 j適 -尺 7張 -紙 本 一嗜一祕 29 1234273 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 7 .如申請專利範圍第1或2項之半導體裝置，將上 述爪部設在形成於輔助器具之支持部前端。 8 .如申請專利範圍第1或2項之半導體裝置，其中 ，上述支持部具有彈性力。 9 .如申請專利範圍第1或2項之半導體裝置，其中 ，上述支持部以板條彈簧形成。 1 0 .如申請專利範圍第1或2項之半導體裝置，其 中，上述爪部及支持部，與上述輔助器具形成爲一整體。 1 1 ·如申請專利範圍第1或2項之半導體裝置，其 中，上述截面凸狀之裝設部係在上述外殼本體，配設於嵌 合上述輔助器具之一面之兩角部之兩處。 1 2 ·如申請專利範圍第1或2項之半導體裝置，上 述截面凸狀之裝設部所夾之部分，較其裝設部之厚度相對 的厚。 1 3 ·如申請專利範圍第1或2項之半導體裝置，在 上述截面凸狀之裝設部所夾之部分配設可鉤住上述輔助器 具之爪部，將上述輔助器具成裝卸自如之狀態固定在上述 外殼本體用之溝部。 1 4 ·如申請專利範圍第1或2項之半導體裝置，其 中，上述半導體晶片形成有記憶電路。 i 5 •—種半導體裝置，其特徵在於，在上述外殼本 體配設用以嵌合上述輔助器具之凹部之截面凸狀之裝設部 ，使其能夠將用以使上述外殻本體之平面尺寸增大之金屬 製輔助器具，成裝卸自如狀被覆於搭載半導體晶片之基板 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -2- -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 [234273 A8 B8 C8 D8 ^、申請專利範圍 之零件搭載面之外殻本體 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 6 · —種半導體裝置，其特徵在於，備有，覆蓋搭 載半導體晶片之基板之零件搭載面狀被覆之樹脂製之外殻 本體，上述基板之面積在上述外殻本體之面積之一半或一 半以下。 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項之半導體裝置，其中 ，上述半導體晶片形成有記憶電路。 1 8 · —種半導體裝置之製造方法，其特徵在於，具 有，在成型用以覆蓋搭載半導體晶片之基板之零件搭載面 之樹脂製外殻本體時，使用，形成上述外殼本體之內側面 之下模之模腔之深度，較形成上述外殼本體之外側表面之 上模之模腔之深度大之模塑用金屬模具之製程。 1 9 ·如申請專利範圍第1 8項之半導體裝置之製造 方法，係將令樹脂流入模腔時成爲通路之閘門之一大半， 配設在上述下模側。 2 0 ·如申請專利範圍第1 9項之半導體裝置之製造 方法，係使上述閘門所處位置之模腔部分之厚度，較其上 下之模腔部分之厚度爲厚。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 1 ·如申請專利範圍第1 8項之半導體裝置之製造 方法，在上述外殼本體配設，用以嵌合上述輔助器具之凹 部之截面凸狀之裝設部，使其能夠以裝卸自如狀在上述外 殻本體安裝，用以將上述外殼本體之平面尺寸增大之金屬 製輔助器具。 2 2 · —種半導體裝置，其特徵在於，具備有：外殻 本紙張尺度適用中國國家襟準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1234273 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 本體；形成在上述外殼本體之一面之溝；以零件搭載面朝 向上述溝內之狀態安裝之基板；及搭載於上述零件搭載面 之多數半導體晶片； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 前述基板係前述溝之底面被覆前述基板之零件搭載面 地加以配置，前述基板之零件搭載面之相反側之面乃由前 述外殼本體露出， 在上述溝及上述基板，沿上述外殼本體之長度方向之 長度，較上述外殻本體之長度方向之全長爲短， 在上述溝及上述基板，位於上述外殼本體之中央側之 兩角部之角被去除，形成第1去角部。 2 3 ·如申請專利範圍第2 2項之半導體裝置，在上 述第1去角部，沿上述外殼本體之長度方向之長度，及垂 直於此方向之長度，較去除上述外殻本體之前面側之一方 之角部而形成之第2去角部之傾斜面之長度小。 2 4 ·如申請專利範圍第2 2項之半導體裝置，在上 述第1去角部，沿上述外殼本體之長度方向之長度，與垂 直於此之方向之長度相等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 5 ·如申請專利範圍第2 2項之半導體裝置，將上 述兩角部之上述第1去角部形成爲相互左右對稱狀。 2 6 ·如申請專利範圍第2 2項之半導體裝置，將上 述多數半導體晶片係並排配置在與上述外殼本體之長度方 向交叉之方向。 2 7 ·如申請專利範圍第2 6項之半導體裝置，上述 基板之前面側之一方角部之角被去除，形成第3去角部， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4 - [234273 A8 B8 C8 D8 ^、申請專利範圍 在上述零件搭載面，於離開上述第3去角部處，搭載具有 由上述控制電路控制動作之記憶電路之半導體晶片。 2 8 .如申請專利範圍第2 6項之半導體裝置，上述 基板之前面側之一方角部之角被去除，形成第3去角部， 在上述零件搭載面，於上述第3去角部之近旁處，搭載上 述多數半導體晶片中之相對小之半導體晶片，於離開上述 第3去角部處，搭載上述多數半導體晶片中之相對大之半 導體晶片。 2 9 ·如申請專利範圍第2 8項之半導體裝置，在上 述相對小之半導體晶片形成控制電路，在上述相對大之半 導體晶片則形成由上述控制電路控制其動作之記憶電路。 3 0 . —種半導體裝置，其特徵在於，具備 本體；形成在上述外殻本體之一面之溝；以零件 有：外殼 搭載面朝 件搭載面 向上述溝內之狀態安裝之基板；及搭載於上述零 之多數半導體晶片； 在上述溝及上述基板，沿上述外殻本體之長度方向之 長度，較上述外殻本體之長度方向之全長爲短， 在上述溝及上述基板，位於上述外殼本體之中央側之 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 邊之至少一部分形成凹凸。 3 1 .如申請專利範圍第3 0項之半導體裝 述多數半導體晶片係並排配置在與上述外殻本體 向交叉之方向。 3 2 ·如申請專利範圍第3 1項之半導體裝 置，將上 之長度方 置，上述 基板之前面側之一方角部之角被去除，形成桌3去角部， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
表紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 5- 1234273 ί88 C8 D8 六、申請專利範圍 在上述零件搭載面，於上述第3去角部之近旁處，搭載具 有控制電路之半導體晶片，於離開上述第3去角部處，搭 載具有由上述控制電路控制其動作之記憶電路之半導體晶 片。 3 3 .如申請專利範圍第3 1項之半導體裝置，上述 基板之前面側之—方角部之角被去除，形成第3去角部， 在上述零件搭載面，於上述第3去角部之近旁處，搭載上 述多數半導體晶片中之相對小之半導體晶片，於離開上述 第3去角部處，搭載上述多數半導體晶片中之相對大之半 導體晶片。 3 4 .如申請專利範圍第3 3項之半導體裝置，在上 述相對小之半導體晶片形成控制電路，在上述相對大之半 導體晶片則形成由上述控制電路控制其動作之記憶電路。 3 5 · —種半導體裝置，其特徵在於，具備有：外殻 本體；形成在上述外殼本體之一面之溝；以零件搭載面朝 向上述溝內之狀態安裝之基板；及搭載於上述零件搭載面 之多數半導體晶片； 在上述溝及上述基板，沿上述外殼本體之長度方向之 長度，較上述外殼本體之長度方向之全長爲短， 上述多數半導體晶片係配置在沿交叉於上述外殼本體 之長度方向之方向。 3 6 ·如申請專利範圍第3 5項之半導體裝置，上述 基板之前面側之一方角部之角被去除，形成第3去角部， 在上述零件搭載面，於上述第3去角部之近旁處，搭載具 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -6- 1234273 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 有控制電路之半導體晶片，於離開上述第3去角部處，搭 載具有由上述控制電路控制其動作之記憶電路之半導體晶 片。 3 7 ·如申請專利範圍第3 5項之半導體裝置，上述 基板之前面側之一方角部之角被去除，形成第3去角部， 在上述零件搭載面，於上述第3去角部之近旁處，搭載上 述多數半導體晶片中之相對小之半導體晶片，於離開上述 第3去角部處，搭載上述多數半導體晶片中之相對大之半 導體晶片。 3 8 ·如申請專利範圍第3 7項之半導體裝置，在上 述相對小之半導體晶片形成控制電路，在上述相對大之半 導體晶片則形成由上述控制電路控制其動作之記憶電路。 3 9 . —種半導體裝置之製造方法，其特徵在於，具 備有： (a )準備成一體狀具有多數基板之基板形成體之製 程； (b) 在上述基板形成體之各基板之零件搭載面上搭 載多數半導體晶片之製程； (c) 在上述各基板，以電氣方式連接上述多數半導 體晶片與基板之製程； (d) 在上述各基板，封裝上述多數半導體晶片之製 程； (e )從上述（d )製程後之上述基板形成體切出各 基板之製程； (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -7 - 1234273 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (f )將上述（e )製程後之基板安裝在第1外殼本 體之製程； (S)將上述（e )製程後之基板安裝在平面尺寸較 上述第1外殻小之第2外殼本體之製程， 上述（f)製程具有： (f 1 )準備具有，用以安裝在上述基板而形成在上 述第1外殻本體之一面，沿上述第1外殼本體之長度方向 之邊之長度，較上述第1外殻本體之長度方向之全長短之 第1溝之第1外殼之製程； (f 2 )將上述零件搭載面朝向上述第1溝內之狀態 安裝基板之製程； 上述（g )製程具有： (g1)準備具有與上述第1溝同樣之第2溝之上述 第2外殻本體之製程； (g 2 )將上述零件搭載面朝向上述第2溝內之狀態 安裝基板之製程。 4 0 .如申請專利範圍第3 9項之半導體裝置之製造 方法，其中，上述第2外殻之平面尺寸係上述第1外殼之 一半。 4 1 ·如申請專利範圍第3 9項之半導體裝置之製造 方法，其中，上述第1 、第2溝及位於上述各基板之上述 第1外殻本體之中央側之兩角部，其角被去除而形成第1 去角部。 4 2 ·如申請專利範圍第3 9項之半導體裝置之製造 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇><297公釐） -8 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、?τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1234273 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 方法，其中，上述第1、第2溝及位於上述各基板之上述 第1外殼本體之中央側之邊之至少一部分，形成有凹凸。 4 3 ·如申請專利範圍第3 9項之半導體裝置之製造 方法，上述（b )製程係將上述多數半導體晶片，沿著上 述各基板之長度方向排列搭載。 4 4 .如申請專利範圍第4 3項之半導體裝置之製造 方法，上述各基板之前面側之一方之角部被去角，形成第 3去角部，在上述零件搭載面，於上述第3去角部之近旁 ，搭載具有控制器電路之半導體晶片，在離開上述第3去 角部之部位搭載，具有藉由上述控制電路控制其動作之記 憶電路之半導體晶片。 4 5 ·如申請專利範圍第4 3項之半導體裝置之製造 方法，上述基板之前面側之一方之角部被去角，形成第3 去角部，在上述零件搭載面，於上述第3去角部之近旁， 搭載上述多數半導體晶片中相對小之半導體晶片，在離開 上述第3去角部之部位，搭載上述多數半導體晶片中相對 大之半導體晶片。 4 6 ·如申請專利範圍第4 5項之半導體裝置之製造 方法，在上述相對小之半導體晶片形成控制電路，在上述 相對大之半導體晶片則形成由上述控制電路控制其動作之 記憶電路。 4 7 ·如申請專利範圍第2 2項之半導體裝置，其中 ’前述溝及前述基板中，位於前述外殻本體之外側的兩角 部，乃一方之角部被取下角部形成第2之倒角部，另一方 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 具 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 [234273 as C8 D8 六、申請專利範圍 之角部則不進行倒角處理。 4 8 . —種半導體裝置，其特徵係具有於該 有溝之樹脂製外殻， 和於該主面搭載半導體晶片，於前述主面和相反側之 背面，具有與前述半導體晶片電氣性連接之複數之外部端 子的配線基板； 前述配線基板乃前述主面面向前述樹脂外殼之溝之底 面，且前述背面之複數之外部端子則由前述樹脂製外殼露 出地，配置於前述樹脂製外殻之溝內， 前述溝及前述配線基板乃較沿前述樹脂製外殼之長度 方向的長度爲短地加以形成， 前述溝及前述配線基板乃位於前述樹脂製外殼之中央 側的兩角部，角部被直線性處理，形成第1之倒角部。 4 9 . 一種多媒體卡，包含： 一卡本體，具有： 一基板，具有形成於其一表面上的複數外部端子； 一半導體晶片，設置於該基板的另一表面，且電性連 接於該複數外部端子；及 一蓋構件，形成於該基板的該另一表面，以覆蓋該半 導體晶片；及 一轉接器構件，連附於該卡本體以增大該卡本體之尺 寸，並調整該卡本體在一多媒體卡內之標準外部尺寸。 5 0 .如申請專利範圍第4 9項之多媒體卡，其中， 該轉接器構件係由不銹鋼所成型。 木紙張又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -1〇 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
[234273 as B8 C8 _____ D8 六、申請專利範圍 51· —種多媒體卡，包含： —^本體，具有： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一基板，具有形成於其一表面上的複數外部端子； 一半導體晶片，設置於該基板的另一表面，且電性連 接於該複數外部端子；及 一樹脂蓋構件，形成於該基板的該另一表面，以覆蓋 該半導體晶片；及 一金屬轉接器構件，連附於該卡本體； 其中，該蓋構件具有一第一部和第二部，該第一部具 有定義一多媒體卡厚度的一第一厚度，而該第二部從該第 一部突出，且具有較該第一部之該第一厚度薄的一第二厚 度； 其中，該轉接器構件具有一連接部，以結合該第二部 和該蓋構件。 5 2 ·如申請專利範圍第5 1項之多媒體卡，其中， 從剖面圖中，該轉接器構件之該連接部係圍繞者該室構件 的該第二部。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 3 ·如申請專利範圍第5 1項之多媒體卡，其中， 該轉接器構件之該連接部具有設於該基板的該一表面之一 側的一第一部，及設於該基板的該另一表面之一側的一第 二部，及 其中，該轉接器構件之該連接部的該第一、二部之長 度彼此不同。 5 4 · —種多媒體卡’包含： Μ氏張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 1234273 A8 B8 C8 ______D8 _一 六、申請專利範圍 --^本體，具有： 一基板’具有形成於其一表面上的複數外部端子； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一半導體晶片，設置於該基板的另一表面，且電性連 接於該複數外部端子；及 一蓋構件，形成於該基板的該另一表面，以覆蓋該半 導體晶片；及 一轉接器構件，連附於該卡本體； 其中，該轉接器構件具有一段差部，以從一卡槽抽出 該卡本體。 5 5 ·如申請專利範圍第5 4項之多媒體卡，其中’ 該段差部係成型於該轉接器構件的兩側。 56 · —種多媒體卡，包含： 一卡本體，具有： 一基板’具有形成於其一表面上的複數外部端子； 一半導體晶片，設置於該基板的另一表面，且電性連 接於該複數外部端子；及 —蓋構件，形成於該基板的該另一表面，以覆蓋該半 導體晶片；及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一轉接器構件，連附於該卡本體； 其中，該轉接器構件於該第一部的兩側，具有一第一 連接部和一第二連接部； 其中，該轉接器構件的該第一連接部和該第二連接部 藉由形成於其間的切口而相互分離；且 其中，該該轉接器構件之第一連接部具有一段差部， 私紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12 _ 1234273 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 以從該卡本體的一前表面側，延伸至該卡本體的一後表面 側。 5 7 ·如申請專利範圍第5 6項之多媒體卡，其中， 該轉接器構件的該第一連接部，藉由其彈性變形連附於該 卡本體，且 其中，藉由將該轉接器構件之該第一連接部，從該卡 本體的該前表面側，推向該卡本體的該後表面側，而將該 轉接器構件拆離該卡本體。 58· —種多媒體卡，包含： 一蓋體，具有一槽： 一基板，具有一前表面，一後表面，及設於該後表面 上的外部端子； 一'半導體晶片’設置於該基板的該前表面上； 其中，該基板和該半導體晶片設於該槽內；及 其中，該基板的長度較該記憶卡縱向長度的一半還短 〇 59.—種多媒體卡，包含： 一前表面； 一後表面； 一前面； 一後面； 一蓋體，具有一前表面，一後表面，及位於其後表面 上的一槽： 一基板，具有一前表面，一後表面，及設於該後表面 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
1234273 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 上的外部端子； 一半導體晶片，設置於該基板的該前表面上，且與該 外部端子電性連接； 其中，該基板和該半導體晶片設於該槽內；及 其中，該槽係形成於該後表面一半的一前面側。 6 〇 ·如申請專利範圍第5 9項之多媒體卡，其中， 在平面圖中，該基板的一後表面側和該槽係被倒角。 6 1 ·如申請專利範圍第5 9項之多媒體卡，其中， 該蓋體係由具絕緣性質的樹脂所成型。 6 2 如申請專利範圍第5 9項之多媒體卡，更包含 在該記億卡之一後側附近，形成於該蓋體之一後表面上的 第一卡移除槽。 6 3 ·如申請專利範圍第6 2項之多媒體卡，更包含 在該記憶卡之一後側附近，形成於該蓋體之一前表面上的 第二卡移除槽。 6 4 ·如申請專利範圍第6 3項之多媒體卡，更包含 一蓋體，具有一槽： 一基板，具有一前表面’一後表面； 一半導體晶片，設置於該基板的該前表面上，且與該 外部端子電性連接； 其中，該十三外部端子形成於該基板的該後表面上； 其中，該半導體晶片和該基板係設置於該槽內；及 其中，在平面圖中’該基板的一後表面側和該槽係被 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 [234273 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 倒角。 6 5 · —種多媒體卡，包含： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一基板，具有安裝於其零件組裝表面上的半導體晶片 ，該基板具有於一第一方向延伸的一對相反邊’及於大致 垂直該第一方向的一第二方向延伸的一第二對相反邊； 複數外部端子，形成於該基板的該後表面，且被設置 於該基板的該第一對相反邊之一邊附近； 一蓋體，覆蓋該基板之該零件組裝表面； 一卡合槽，形成於該蓋體的一後表面，且被設置於該 基板的該第一對相反邊之另一邊附近，並位於該基板的該 第二對相反邊之間的一大致中央位置。 66· —種多媒體卡，包含： 一基板，具有安裝於其零件組裝表面上的半導體晶片 ，且具有形成於該基板的該後表面之一第一長邊附近的複 數外部端子； 一蓋體，覆蓋該基板之該零件組裝表面； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中，一卡合槽形成於該蓋體的一後表面上，正對該 第一長邊的一第二長邊附近，且在該蓋體的該縱向中心。 67· —種多媒體卡，包含： 一基板，具有安裝於其零件組裝表面上的半導體晶片 ，且具有形成於該基板的該後表面之一第一長邊附近的複 數外部端子；及 一蓋體，覆蓋該基板之該零件組裝表面； 其中，用以指示該記憶卡插入方向的具有箭頭形狀的 1234273 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 記號’形成在該蓋體的一表面上。 6 8 · —種多媒體卡，包含： 一基板’具有安裝於其零件組裝表面上的半導體晶片 ’且具有形成於該基板的該後表面之一第一長邊附近的複 數外部端子；及 一蓋體，覆蓋該基板之該零件組裝表面； 其中，供一手指處按以移除卡的一槽，形成於該蓋體 的一前表面，正對該第一長邊的一第二長邊附近，且在該 盖體的該縱向中心。 6 9 ·——種多媒體卡，包含： 一基板，具有安裝於其零件組裝表面上的半導體晶片 ，且具有形成於該基板的該後表面之一第一長邊附近的複 數外部端子；及 一蓋體，覆蓋該基板之該零件組裝表面； 其中，該基板具有兩倒角部，消除該基板正對該第一 長邊之一第二長邊的兩角落。 7 〇 · —種製造一多媒體卡的方法，包含下列步驟： (a )準備一體成型的一基板成型體，其具有複數基 板和相隨之一支架本體，藉由細小的連接部將該等基板連 接於該支架本體，該等細小連接部係連接於各基板之兩短 邊中心；且該支架本體、該連接部及該等基板係一體成型 (b )安裝複數半導體晶片於該基板成型體之每一基 板的零件組裝表面上； 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 16 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1234273 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (C )經由結合導線電性連接每一基板上之複數半導 體晶片於基板； (d )以一轉換模密封每一基板上的複數半導體晶片 ， (e )藉由切斷該連接部，以將每一基板與該基板成 型體分離。 71.—種多媒體卡，包含： 一基板，具有安裝於其零件組裝表面上的一記憶晶片 和一控制晶片，且具有形成於該基板的該後表面之一第一 長邊附近的複數外部端子；及 一蓋體，覆蓋該基板之該零件組裝表面； 其中，該記憶晶片和該控制晶片沿該基板之縱向平行 設置。 7 2 .如申請專利範圍第7 1項之多媒體卡，其中， 該記憶晶片和該控制晶片沿該外部端子設置的方向平行設 置。 7 3 ·如申請專利範圍第2 3項之半導體裝置，其中 ，沿該基板之該第一長邊，一角落部形成一倒角部；且該 記憶晶片設置於相對遠離該倒角部的一位置；而該控制晶 片設置在相對接近該倒角部的一位置。 74.—種多媒體卡，包含： 一卡本體，具有： 一基板，具有形成於其一表面上的複數外部端子； 一第一半導體晶片，設置於該基板的另一表面，且電 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17 - 1234273 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 性連接於該複數外部端子，該第一半導體晶片包含一控制 電路； 一第二半導體晶片，設置於該基板的另一表面，且電 性連接於該第一半導體晶片，該第二半導體晶片包含一記 億電路，其係於該第一半導體晶片之該控制電路下； 一蓋構件，形成於該基板的該另一表面，以覆蓋該第 一、二半導體晶片； 其中，在平面圖中，該第一半導體晶片係設置於該基 板的該複數外部端子和該第二半導體晶片間。 7 5 .如申請專利範圍第74項之多媒體卡，其中， 該第二半導體晶片包含一快閃記億電路。 7 6 .如申請專利範圍第7 5項之多媒體卡，更包含 與該第二半導體晶片具相同功能的一第三半導體晶片，且 其中該第三半導體晶片堆疊於該第二半導體晶片上。 7 7 ·如申請專利範圍第7 6項之多媒體卡，其中每 一該第二和第三半導體晶片包含複數結合墊，且其中每一 該第二和第三半導體晶片之複數結合墊，藉由複數第一結 合導線，電性連接於形成在該基板之另一表面上的複數電 極。 7 8 ·如申請專利範圍第7 7項之多媒體卡，其中該 第一半導體晶片包含複數結合墊，且其中該第一半導體晶 片之複數結合墊，藉由複數第二結合導線，電性連接於形 成在該基板之另一表面上的複數電極。 7 9 . —種多媒體卡，包含： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18 - 1234273 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一卡本體，具有一上表面和與其正對之一後表面，該 卡本體具有於一第一方向延伸的一對相反邊，及於大致垂 直該第一方向的一第二方向延伸的一第二對相反邊； 複數外部端子，形成於該卡本體的該後表面，且被設 置於該卡本體的該第一對相反邊之一邊附近； 一卡合槽，形成於該卡本體的一後表面，且被設置於 該卡本體的該第一對相反邊之另一邊附近，並位於該基板 的該第二對相反邊之間的一大致中央位置。 80.—種多媒體卡，包含： 一卡本體，具有一上表面和與其正對之一後表面，該 卡本體具有於一第一方向延伸的一對相反邊，及於大致垂 直該第一方向的一第二方向延伸的一第二對相反邊； 複數外部端子，形成於該卡本體的該後表面’且被設 置於該卡本體的該第一對相反邊之一邊附近； 其中，該卡本體具有一第一厚度，其定義該多媒體卡 的一標準厚度； 其中，該卡本體在該第一對相反邊的兩端部具有變薄 部；且 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中，該變薄部具有較該卡本體之該第一厚度更薄的 一第二厚度。 8 1 ·如申請專利範圍第8 0項之多媒體卡，其中該 變薄部是由形成在該卡本體之該上表面和該後表面兩邊的 凹穴所定義，且其中該凹穴在該第二方向的長度彼此不同 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） 1234273 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 8 2 ·如申請專利範圍第8 1項之多媒體卡’其中在 該卡本體上表面之該凹穴的長度，較在該卡本體後表面之 該凹穴的長度更長。 8 3 .如申請專利範圍第8 0項之多媒體卡，其中在 平面圖中，該變薄部之側表面，從該卡本體之該第二對相 反邊向該卡本體的內側傾斜。 8 4 · —種記憶卡，包含： 一底座基板，具有一半導體晶片安裝在其一部件安裝 面上，該底座基板具有延伸於一第一方’向之一第一對之相 對側； 多數外部端子，形成在該該底座基板的一背面並被安 排在該底座基板之第一對相對側之一側的附近； 一蓋部構件，覆蓋底座基板的該部件安裝面；及 一扣接用凹槽被形成在該蓋部之一面並安排在該底座 基板的第一對相對側的另一側的附近。 8 5 ·如申請專利範圍第8 4項所述之記憶卡，更包 含一密封樹脂用以覆蓋該半導體晶片。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 6 ·如申請專利範圍第8 4項所述之記憶卡，其中 該蓋部係由與密封樹脂不同材料作成。 8 7 ·如申請專利範圍第8 6項所述之記憶卡，其中 該蓋部係由絕緣樹脂作成。 8 8 ·如申請專利範圍第8 7項所述之記憶卡，其中 該密封樹脂係由環氧爲主樹脂所作成。 8 9 ·如申請專利範圍第8 8項所述之記憶卡，其中 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20 - 1234273 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 該蓋部定義該記憶卡的剖面輪廓。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 9 0 ·如申請專利範圍第8 9項所述之記億卡，其中 該蓋部係由A B S樹脂或聚苯醚（P p E )。 9 1 .如申請專利範圍第8 4 — 9 0項中任一項所述 之記憶卡，其中更包含一轉接器構件，附著至該卡本體。 9 2 ·如申請專利範圍第9 1項所述之記憶卡，其中 該轉接器構件具有一爪部，配合入該扣接用凹槽之內側。 9 3 ·如申請專利範圍第9 2項所述之記憶卡，其中 該爪部係由金屬作成。 9 4 ·如申請專利範圍第9 3項所述之記憶卡，其中 該蓋部構件具有一第一部件，具有一定義一記憶卡厚度的 第一厚度及具有多數第二部件，其由該第一部件突出並具 有一較該第一部件之第一厚度爲薄之第二厚度， 其中該轉接器部件具有一連接部份，以繫住該蓋部構 件的該第二部件。 9 5 ·如申請專利範圍第9 4項所述之記憶卡，其中 該轉接器構件之連接部份由一剖面看來，係被形成以包圍 該蓋部構件之第二部件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9 6 ·如申請專利範圍第9 5項所述之記憶卡，其中 該轉接器構件之連接部份具有一第一部件，安排在該記憶 卡的一表面上’以及，一弟一部件’女排在該記憶卡的另 一表面上，該另一表面係爲該一表面的相反面，及 其中該轉接器構件的連接部份之第一及第二部件的長 度係彼此不同。 本紙張尺度適用中國國家樵準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 〇1 _ —
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Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3822768B2 (ja) * 1999-12-03 2006-09-20 株式会社ルネサステクノロジ Ｉｃカードの製造方法
WO2002082364A1 (fr) * 2001-04-02 2002-10-17 Hitachi, Ltd. Dispositif semi-conducteur et son procédé de production
JP3850812B2 (ja) * 2003-05-23 2006-11-29 三和電気工業株式会社 メモリカード用アダプタ
JP2003258033A (ja) * 2002-03-06 2003-09-12 Seiko Epson Corp 電子デバイス及びその製造方法並びに電子機器
JP2006509277A (ja) * 2002-11-18 2006-03-16 ストーカード・インコーポレーテッド 大容量記憶ボリュームを有する安全なトランザクション・カード
CN1287455C (zh) * 2002-11-29 2006-11-29 株式会社东芝 半导体集成电路装置及使用它的电子卡
CN1311398C (zh) * 2003-06-04 2007-04-18 三和电气工业株式会社 存储器卡用适配器
AU2003304308A1 (en) 2003-07-03 2005-01-21 Renesas Technology Corp. Multi-function card device
JP4347018B2 (ja) * 2003-10-24 2009-10-21 モレックス インコーポレイテド メモリーカード用互換装置およびメモリーカードモジュール
US20050155787A1 (en) * 2004-01-20 2005-07-21 Pierre Liu Transparent small memory card
JP4651332B2 (ja) * 2004-04-26 2011-03-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 メモリカード
TWI257583B (en) * 2004-07-28 2006-07-01 C One Technology Corp Expandable reduced-size memory card and corresponding extended memory card
KR100599341B1 (ko) 2004-07-30 2006-08-14 (주)테라빛 실장효율이 높은 메모리 카드를 제조하는 방법
US20060027906A1 (en) * 2004-08-03 2006-02-09 Sheng-Chih Hsu Exclusive memory structure applicable for multi media card and secure digital card
US7055751B2 (en) * 2004-08-09 2006-06-06 Chong-Ia Precision Industry Co. Ltd. Extension piece for length-reduced memory card
FR2875625B1 (fr) * 2004-09-20 2006-12-08 Gemplus Sa Support adaptateur de carte a puce deverrouillable et procede de fabrication du support
JP2006092094A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 Sony Corp メモリカード
JP4506389B2 (ja) * 2004-09-30 2010-07-21 ソニー株式会社 カード型周辺装置
JP2006128459A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
KR100574996B1 (ko) * 2004-11-25 2006-05-02 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 이를 이용한 메모리 카드, 및 이의제조에 이용되는 몰드
JP2006155521A (ja) * 2004-12-01 2006-06-15 Oki Electric Ind Co Ltd Ｉｃカード
CN1864979A (zh) * 2005-05-10 2006-11-22 刘钦栋 记忆卡封装方法
TWI249772B (en) * 2005-06-07 2006-02-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor device for accommodating large chip, fabrication method thereof, and carrier used in the semiconductor device
US7345848B2 (en) * 2005-11-14 2008-03-18 Sun-Light Electronic Technologies Inc. Packaging structure of mini SD memory card
JP4815212B2 (ja) * 2005-12-26 2011-11-16 株式会社ディスコ メモリーカードの製造方法
JP2007179176A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Disco Abrasive Syst Ltd 配線基板及びメモリーカードの製造方法
CN101405752B (zh) * 2006-04-21 2012-05-09 松下电器产业株式会社 存储卡
KR100828956B1 (ko) * 2006-06-27 2008-05-13 하나 마이크론(주) Ｕｓｂ 메모리 패키지 및 그 제조 방법
WO2008017063A2 (en) * 2006-08-03 2008-02-07 Inphase Technologies, Inc. Miniature single actuator scanner for angle multiplexing with circularizing and pitch correction capability
US7705475B2 (en) * 2006-08-03 2010-04-27 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system
WO2008027882A2 (en) 2006-08-28 2008-03-06 Inphase Technologies, Inc. A new type of fourier transform (ft) lens (204) is provided that improves phase conjugation in holographic data systems this typ ft lens has a uniquely large isoplanatic patch this enables relaxed assembly tolerances, asymmetric reader/writer architectures, an compensation for tilted plate aberration in the media
US7738153B2 (en) * 2006-09-29 2010-06-15 Inphase Technologies, Inc. Magnetic field position feedback for holographic storage scanner
US7950586B2 (en) * 2006-10-26 2011-05-31 Sandisk Il Ltd. SIM card handle
US20080102895A1 (en) * 2006-10-26 2008-05-01 Sandisk Il Ltd. Method Of Extracting A Smart Card From A Smart Card Socket
US20080239428A1 (en) * 2007-04-02 2008-10-02 Inphase Technologies, Inc. Non-ft plane angular filters
EP2183776A1 (en) * 2007-07-10 2010-05-12 InPhase Technologies, Inc. Enabling holographic media backwards compatibility with dual-use media card connector
US8141782B2 (en) * 2007-07-10 2012-03-27 Inphase Technologies, Inc. Dual-use media card connector for backwards compatible holographic media card
US7872483B2 (en) 2007-12-12 2011-01-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Circuit board having bypass pad
TWI358911B (en) * 2007-12-24 2012-02-21 Ind Tech Res Inst Receiver with discrete-time down-conversion and fi
TWI347097B (en) * 2007-12-31 2011-08-11 Ind Tech Res Inst Circuit with programmable signal bandwidth and method thereof
KR20100041514A (ko) * 2008-10-14 2010-04-22 삼성전자주식회사 검사시간을 단축할 수 있는 솔리드 스테이트 드라이브 장치및 그 검사방법
KR20100041515A (ko) * 2008-10-14 2010-04-22 삼성전자주식회사 제거 가능한 보조 검사단자를 갖는 솔리드 스테이트 드라이브의 검사방법
JP2011048756A (ja) 2009-08-28 2011-03-10 Toshiba Corp メモリモジュール
US8469280B2 (en) 2009-10-22 2013-06-25 Intellipaper, Llc Programming devices and programming methods
US8469271B2 (en) 2009-10-22 2013-06-25 Intellipaper, Llc Electronic storage devices, programming methods, and device manufacturing methods
US8523071B2 (en) 2009-10-22 2013-09-03 Intellipaper, Llc Electronic assemblies and methods of forming electronic assemblies
WO2011127183A2 (en) 2010-04-07 2011-10-13 Intellipaper , Llc Memomy programming methods and memory programming devices
USD667830S1 (en) * 2011-11-29 2012-09-25 Samsung Electronics Co., Ltd. SD memory card
USD669479S1 (en) * 2012-01-13 2012-10-23 Research In Motion Limited Device smart card
USD669478S1 (en) * 2012-01-13 2012-10-23 Research In Motion Limited Device smart card
US20130258576A1 (en) * 2012-03-29 2013-10-03 Gadi Ben-Gad Memory Card
US9136621B1 (en) * 2012-08-14 2015-09-15 Ciena Corporation Guides and tab arrangement to retain a card having an edge connector and method of use
KR101893032B1 (ko) 2012-11-08 2018-10-04 삼성전자주식회사 메모리 카드 어댑터
US9722653B2 (en) 2012-11-08 2017-08-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory card adapter
USD707682S1 (en) * 2012-12-05 2014-06-24 Logomotion, S.R.O. Memory card
JP5942078B2 (ja) * 2013-01-28 2016-06-29 本多通信工業株式会社 カード用コネクタ
US9647997B2 (en) 2013-03-13 2017-05-09 Nagrastar, Llc USB interface for performing transport I/O
USD729808S1 (en) 2013-03-13 2015-05-19 Nagrastar Llc Smart card interface
US9888283B2 (en) 2013-03-13 2018-02-06 Nagrastar Llc Systems and methods for performing transport I/O
USD758372S1 (en) * 2013-03-13 2016-06-07 Nagrastar Llc Smart card interface
USD759022S1 (en) 2013-03-13 2016-06-14 Nagrastar Llc Smart card interface
EP2982225A4 (en) * 2013-04-05 2017-05-17 PNY Technologies, Inc. Reduced length memory card
USD734756S1 (en) * 2014-04-04 2015-07-21 Pny Technologies, Inc. Reduced length memory card
USD732038S1 (en) * 2014-05-04 2015-06-16 Pierce Schiller Memory card component
USD780763S1 (en) 2015-03-20 2017-03-07 Nagrastar Llc Smart card interface
USD864968S1 (en) 2015-04-30 2019-10-29 Echostar Technologies L.L.C. Smart card interface
KR102409892B1 (ko) 2015-08-20 2022-06-15 삼성전자주식회사 메모리 카드 어댑터 및 메모리 장치
US11093811B2 (en) 2017-06-05 2021-08-17 Kioxia Corporation Memory card with multiple modes, and host device corresponding to the memory card
US11166363B2 (en) 2019-01-11 2021-11-02 Tactotek Oy Electrical node, method for manufacturing electrical node and multilayer structure comprising electrical node
US11653463B2 (en) * 2020-05-20 2023-05-16 Western Digital Technologies, Inc. Removable memory card with efficient card lock mechanism and pads layout

Family Cites Families (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE368082C (de) * 1913-11-19 1923-02-20 George Bloesy Verfahren zur Herstellung von hydraulischen Kalken und Zementen aus den Rueckstaenden von Feuerungsanlagen aller Art
CA1204213A (en) * 1982-09-09 1986-05-06 Masahiro Takeda Memory card having static electricity protection
US4727246A (en) * 1984-08-31 1988-02-23 Casio Computer Co., Ltd. IC card
JPS62183396A (ja) 1986-02-07 1987-08-11 株式会社日立製作所 外部記憶カ−ド
JPS636872U (zh) 1986-06-27 1988-01-18
JPS639586A (ja) * 1986-06-30 1988-01-16 株式会社東芝 メモリカ−ド
JPS63212595A (ja) 1987-03-02 1988-09-05 三菱電機株式会社 半導体モジユ−ル製造用基板
JPH01184192A (ja) 1988-01-20 1989-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｉｃカード用モジュールの製造方法
JPH0719859B2 (ja) 1988-12-12 1995-03-06 松下電器産業株式会社 Ｉｃカード用モジュールの製造方法
JPH02158394A (ja) 1988-12-13 1990-06-18 Fujitsu Ltd Ｉｃカード用半導体ｉｃデバイス
JPH02301155A (ja) 1989-05-16 1990-12-13 Citizen Watch Co Ltd Ｉｃモジュールの固定方法
JPH03114788A (ja) 1989-09-29 1991-05-15 Citizen Watch Co Ltd Ｉｃカード構造
JPH03158297A (ja) 1989-11-15 1991-07-08 Sharp Corp Ｉｃカード
JP2560895B2 (ja) 1990-07-25 1996-12-04 三菱電機株式会社 Ｉｃカードの製造方法およびｉｃカード
DE4105869C2 (de) 1991-02-25 2000-05-18 Edgar Schneider IC-Karte und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP2672924B2 (ja) * 1992-07-30 1997-11-05 三菱電機株式会社 非接触ｉｃカードとその製造方法及びテスト方法
US5341141A (en) * 1993-03-09 1994-08-23 Hughes Missile Systems Company Three dimensional imaging radar
JPH06318390A (ja) 1993-03-11 1994-11-15 Toshiba Corp Ｉｃメモリカード
JPH0668865U (ja) 1993-03-11 1994-09-27 セイコーエプソン株式会社 Ｉｃカード
JPH0737049A (ja) 1993-07-23 1995-02-07 Toshiba Corp 外部記憶装置
US5887145A (en) * 1993-09-01 1999-03-23 Sandisk Corporation Removable mother/daughter peripheral card
US7137011B1 (en) * 1993-09-01 2006-11-14 Sandisk Corporation Removable mother/daughter peripheral card
JPH07117385A (ja) 1993-09-01 1995-05-09 Toshiba Corp 薄型ｉｃカードおよび薄型ｉｃカードの製造方法
JPH07210645A (ja) * 1994-01-24 1995-08-11 Sony Corp メモリカード
JPH07214957A (ja) * 1994-01-31 1995-08-15 Mitsubishi Electric Corp Ｉｃカード
USD368082S (en) 1994-05-07 1996-03-19 Sony Corporation Memory card
JP3256374B2 (ja) * 1994-05-27 2002-02-12 本田技研工業株式会社 マルチビーム・レーダ装置
JP3660382B2 (ja) 1995-02-03 2005-06-15 株式会社東芝 情報記憶装置およびそれに用いるコネクタ部
AU704645B2 (en) * 1995-04-13 1999-04-29 Dainippon Printing Co. Ltd. IC card and IC module
US5663825A (en) * 1995-06-07 1997-09-02 Martin Marietta Corporation Stabilized step/stare scanning device
JPH09147545A (ja) * 1995-09-19 1997-06-06 Ricoh Co Ltd メモリカードおよび情報処理装置
JPH09147068A (ja) * 1995-11-17 1997-06-06 Toshiba Corp Ｉｃカード読取書込装置
JPH09171863A (ja) * 1995-12-19 1997-06-30 Mitsubishi Electric Corp Ｉｃカード用アダプタ及び該アダプタとｉｃカードとの接続構造
DE19606789C2 (de) * 1996-02-23 1998-07-09 Orga Kartensysteme Gmbh Kunststoffkarte mit aus dieser heraustrennbarer Minichipkarte
JPH09286187A (ja) 1996-04-22 1997-11-04 Toppan Printing Co Ltd Ｉｃカード、ｉｃカード製造用中間体およびｉｃカードの製造方法
JPH09315061A (ja) * 1996-06-03 1997-12-09 Minolta Co Ltd Ｉｃカードおよびｉｃカード装着装置
DE19626791C2 (de) * 1996-07-03 2002-10-31 Gemplus Gmbh Chipkarte sowie Verfahren zur Herstellung einer Chipkarte
JPH1095031A (ja) * 1996-09-24 1998-04-14 Dainippon Printing Co Ltd 情報カードの成形金型及び成形方法並びに情報カード
DE19713641A1 (de) * 1997-04-02 1998-10-08 Ods Gmbh & Co Kg Minichipkarte sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
KR100255108B1 (en) 1997-06-18 2000-05-01 Samsung Electronics Co Ltd Chip card
JPH1131207A (ja) * 1997-07-11 1999-02-02 Toppan Printing Co Ltd 非接触型ｉｃカードとその非常時読出方法
US5987357A (en) * 1997-07-30 1999-11-16 Intermedics Inc. Stackable microelectronic components with self-addressing scheme
JP2000011130A (ja) 1998-03-26 2000-01-14 Toshiba Corp 記憶装置、カ―ド型記憶装置、および電子装置
TW407364B (en) * 1998-03-26 2000-10-01 Toshiba Corp Memory apparatus, card type memory apparatus, and electronic apparatus
US6040622A (en) 1998-06-11 2000-03-21 Sandisk Corporation Semiconductor package using terminals formed on a conductive layer of a circuit board
US6193163B1 (en) * 1998-08-31 2001-02-27 The Standard Register Company Smart card with replaceable chip
US6279114B1 (en) * 1998-11-04 2001-08-21 Sandisk Corporation Voltage negotiation in a single host multiple cards system
JP2000148953A (ja) * 1998-11-16 2000-05-30 Hitachi Ltd メモリカード
JP3391375B2 (ja) * 1999-03-02 2003-03-31 日本電気株式会社 Ｉｃカードを備えた携帯電話機用バッテリ
FI107973B (fi) 1999-03-11 2001-10-31 Nokia Mobile Phones Ltd Menetelmä ja välineet lisäkorttien käyttämiseksi matkaviestimessä
JP2000276573A (ja) * 1999-03-23 2000-10-06 Hitachi Ferrite Electronics Ltd メモリーカード及びメモリーカードアダプタ
JP3590543B2 (ja) 1999-04-09 2004-11-17 新日本製鐵株式会社 高炉への含鉄粉吹き込み方法
JP2000305662A (ja) * 1999-04-23 2000-11-02 Jst Mfg Co Ltd カード接続用アダプタ
DE19922063A1 (de) * 1999-05-14 2000-11-23 Bosch Gmbh Robert Adapterkarte und Kommunikationsvorrichtung
DE19929912A1 (de) * 1999-06-29 2001-01-18 Orga Kartensysteme Gmbh Trägerelement für einen IC-Baustein
JP2001043700A (ja) * 1999-08-02 2001-02-16 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
FI109447B (fi) * 1999-08-10 2002-07-31 Nokia Corp Korttisovitin
JP2001067303A (ja) * 1999-08-24 2001-03-16 Toshiba Corp カード利用装置及び同装置におけるカード利用方法
JP3822768B2 (ja) 1999-12-03 2006-09-20 株式会社ルネサステクノロジ Ｉｃカードの製造方法
JP2001184475A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Hitachi Ltd メモリカード
JP3768761B2 (ja) 2000-01-31 2006-04-19 株式会社日立製作所 半導体装置およびその製造方法
KR100335717B1 (ko) 2000-02-18 2002-05-08 윤종용 고용량 메모리 카드
JP2001297307A (ja) * 2000-04-12 2001-10-26 Sony Corp アダプタおよび電子カードモジュール
KR100335716B1 (ko) 2000-05-23 2002-05-08 윤종용 메모리 카드
US7107378B1 (en) * 2000-09-01 2006-09-12 Sandisk Corporation Cooperative interconnection and operation of a non-volatile memory card and an input-output card
US6624005B1 (en) 2000-09-06 2003-09-23 Amkor Technology, Inc. Semiconductor memory cards and method of making same
US6462273B1 (en) 2001-03-16 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Semiconductor card and method of fabrication
WO2002082364A1 (fr) * 2001-04-02 2002-10-17 Hitachi, Ltd. Dispositif semi-conducteur et son procédé de production
US6774851B1 (en) * 2001-09-28 2004-08-10 Her Majesty In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of Industry Antenna with variable phase shift
WO2008057286A2 (en) * 2006-10-27 2008-05-15 Clariant Technologies Corp. Method and apparatus for microwave and millimeter-wave imaging

Also Published As

Publication number Publication date
EP1376452A4 (en) 2005-04-13
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CN1855132A (zh) 2006-11-01
ATE360859T1 (de) 2007-05-15
EP1788512A1 (en) 2007-05-23
US7271475B2 (en) 2007-09-18
DE60128151T2 (de) 2008-01-03
US20060033191A1 (en) 2006-02-16
CN1439144A (zh) 2003-08-27
US7294918B2 (en) 2007-11-13
JPWO2002082364A1 (ja) 2004-07-29
US7239011B2 (en) 2007-07-03
US20030117785A1 (en) 2003-06-26
CN100435170C (zh) 2008-11-19
CN1855133A (zh) 2006-11-01
WO2002082364A1 (fr) 2002-10-17
US20060220203A1 (en) 2006-10-05
CN1866277A (zh) 2006-11-22
JP3943502B2 (ja) 2007-07-11
KR20030090486A (ko) 2003-11-28
US20090283885A1 (en) 2009-11-19
EP1376452B1 (en) 2007-04-25
US20030034552A1 (en) 2003-02-20
US7053471B2 (en) 2006-05-30

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