KR100599341B1 - 실장효율이 높은 메모리 카드를 제조하는 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 베이스 카드와 칩 패키지를 포함하는 멀티미디어 카드 제조 방법에 관한 것이다. 베이스 카드는 서로 마주보는 제1 측벽과 제2 측벽, 서로 마주보는 제3 측벽과 제4 측벽을 포함하며, 제1 측벽과 제3 측벽은 이것과 각각 마주보는 제2 측벽, 제4 측벽보다 길이가 더 짧고, 제1 측벽과 제3 측벽 사이에는 메모리 카드의 방향성을 나타내는 카드 챔퍼가 구성된다. 제1∼4 측벽 및 카드 챔퍼는 칩 패키지가 실장될 수용부를 형성하고, 제1∼4 측벽과 카드 챔퍼는 수용부의 밑면에서 수직 방향으로 일직선으로 뻗어 있으며, 칩 패키지는 메모리 카드의 외부 전기 접속부를 구성하는 복수의 핀을 포함하고, 베이스 카드의 수용부에 끼움 실장되고, 복수의 핀이 형성된 면의 반대쪽 밑면이 베이스 카드의 수용부의 밑면에 직접 접착된다. 본 발명에 따른 메모리 카드 제조 방법은 회로기판의 개별 패키지 영역의 칩 실장 영역에 메모리 칩과 제어 칩을 부착하는 제1 단계와, 메모리 칩, 제어 칩의 전극 패드를 회로기판의 본딩 패드에 와이어 본딩하는 제2 단계와, 패키지 몸체를 형성한 다음 패키지 몸체와 회로기판을 상기 개별 패키지 영역으로 절단 분리한 후 분리하는 제3 단계와, 상기 분리된 복수의 개별 칩 패키지들을 일정한 각도로 기울어진 상태로 메트릭스를 형성하도록 배치하는 제4 단계와, 제4 단계에서 메트릭스 형태로 배치된 복수의 개별 칩 패키지들을 수평방향으로 절단하여 패키지 챔퍼를 형성하는 제5 단계를 포함한다.
Description
도 1은 본 발명에 따른 메모리 카드의 구조를 나타내는 사시도,
도 2a와 도 2b는 베이스 카드에 칩 패키지가 실장된 후의 메모리 카드 앞면과 뒷면을 보여주는 평면도,
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 메모리 카드에 사용하기에 적합한 베이스 카드의 구조를 나타내는 평면도와 단면도,
도 4는 본 발명의 메모리 카드에 사용하기에 적합한 칩 패키지의 구조도,
도 5a는 본 발명의 칩 패키지를 제조하는 과정을 설명하기 위한 PCB 구조도이고 도 5b는 도 5a의 PCB 기판의 밑면 구조를 나타내는 평면도,
도 6은 본 발명의 칩 패키지를 제조하는 과정을 설명하기 위한 평면도,
도 7은 13-핀 메모리 카드에 본 발명이 적용되는 사례를 보여주기 위한 사시도.
<도면의 주요 부호에 대한 설명>
10: 베이스 카드 12, 14, 16, 18: 측벽
20: 카드 챔퍼(card champer) 50, 150: 칩 패키지
52, 54, 56, 58: 면 60: 패키지 챔퍼
70: 메모리 칩 74: 제어 칩
72, 76: 전극 패드 84: 본딩 패드
86: 본딩 와이어 90: 회로기판
본 발명은 메모리 카드 기술에 관한 것으로서, 실장효율이 크게 개선된 메모리 카드를 제조하는 방법에 관한 것이다.
메모리 카드 특히, 멀티미디어 카드(MMC; MultiMedia Card)는 휴대폰, 디지털 카메라, PDA (Personal Digital Assistant)에 사용하도록 고안된 초소형의 기록 매체이다. MMC 카드는 용량이 1G 바이트까지 증가하였고 낮은 전압(예컨대, 1.65∼1.95V)으로 고속 동작(예컨대, 52MB/s)이 가능하기 때문에, 휴대용 통신기기나 디지털 영상기기 등에 널리 사용되고 있다. MMC 카드는 데이터를 쓰고 지우기 위해서는 플래시 메모리 기술을 이용하고, 읽기 전용 기능을 구현하기 위해서는 ROM 기술을 이용한다.
MMC 카드를 구성하는 플라스틱 수지 몰딩 패키지에는 휴대용 기기에 사용되는 대부분의 하드웨어 플랫폼과 쉽게 결합되도록 7개의 패드(또는 핀)로 된 직렬 인터페이스가 표준으로 적용되어 왔다. 이러한 7-핀 표준 MMC 카드는 크기가 24×32×1.4㎜인데, 이와 다른 새로운 규격으로는 다음과 같은 것들이 있다.
(1) 7-핀 소형 MMC 카드 (RS-MMC: Reduced Size MultiMedia Card) (24×18×1.4㎜)
(2) 13-핀 고속 MMC 카드 (HS-MMC: High-Speed MultiMedia Card)
(3) 이중 전압 MMC 카드 (1.8V와 3V 호스트에서 모두 동작)
(4) 보안 MMC 카드
이러한 메모리 카드는 집적회로 칩이 내장된 칩 패키지와 이 칩 패키지가 수용되는 베이스 카드로 구성되는데, 메모리 카드는 그 용량이 증가하는 쪽으로 기술개발이 이루어지고 있는 반면 이 메모리 카드를 사용하는 전자기기는 고성능화, 소형화함에 따라 메모리 카드의 실장 밀도를 높이는 것이 매우 중요하다.
메모리 카드 특히, 멀티미디어 카드(MMC; MultiMedia Card)는 휴대폰, 디지털 카메라, PDA (Personal Digital Assistant)에 사용하도록 고안된 초소형의 기록 매체이다. MMC 카드는 용량이 1G 바이트까지 증가하였고 낮은 전압(예컨대, 1.65∼1.95V)으로 고속 동작(예컨대, 52MB/s)이 가능하기 때문에, 휴대용 통신기기나 디지털 영상기기 등에 널리 사용되고 있다. MMC 카드는 데이터를 쓰고 지우기 위해서는 플래시 메모리 기술을 이용하고, 읽기 전용 기능을 구현하기 위해서는 ROM 기술을 이용한다.
MMC 카드를 구성하는 플라스틱 수지 몰딩 패키지에는 휴대용 기기에 사용되는 대부분의 하드웨어 플랫폼과 쉽게 결합되도록 7개의 패드(또는 핀)로 된 직렬 인터페이스가 표준으로 적용되어 왔다. 이러한 7-핀 표준 MMC 카드는 크기가 24×32×1.4㎜인데, 이와 다른 새로운 규격으로는 다음과 같은 것들이 있다.
(1) 7-핀 소형 MMC 카드 (RS-MMC: Reduced Size MultiMedia Card) (24×18×1.4㎜)
(2) 13-핀 고속 MMC 카드 (HS-MMC: High-Speed MultiMedia Card)
(3) 이중 전압 MMC 카드 (1.8V와 3V 호스트에서 모두 동작)
(4) 보안 MMC 카드
이러한 메모리 카드는 집적회로 칩이 내장된 칩 패키지와 이 칩 패키지가 수용되는 베이스 카드로 구성되는데, 메모리 카드는 그 용량이 증가하는 쪽으로 기술개발이 이루어지고 있는 반면 이 메모리 카드를 사용하는 전자기기는 고성능화, 소형화함에 따라 메모리 카드의 실장 밀도를 높이는 것이 매우 중요하다.
본 발명의 목적은 메모리 카드의 실장 밀도와 실장 효율을 높이는 것이다.
본 발명에 따른 방법은 베이스 카드와 칩 패키지를 포함하는 메모리 카드의 제조 방법으로서, 베이스 카드는 서로 마주보는 제1 측벽과 제2 측벽, 서로 마주보는 제3 측벽과 제4 측벽을 포함하며, 제1 측벽과 제3 측벽은 이것과 각각 마주보는 제2 측벽, 제4 측벽보다 길이가 더 짧고, 제1 측벽과 제3 측벽 사이에는 메모리 카드의 방향성을 나타내는 카드 챔퍼가 구성된다. 제1∼4 측벽 및 카드 챔퍼는 칩 패키지가 실장될 수용부를 형성하고, 제1∼4 측벽과 카드 챔퍼는 수용부의 밑면에서 수직 방향으로 일직선으로 뻗어 있으며, 칩 패키지는 메모리 카드의 외부 전기 접속부를 구성하는 복수의 핀을 포함하고, 베이스 카드의 수용부에 끼움 실장되고, 복수의 핀이 형성된 면의 반대쪽 밑면이 베이스 카드의 수용부의 밑면에 직접 접착된다. 본 발명에 따른 메모리 카드 제조 방법은 회로기판의 개별 패키지 영역의 칩 실장 영역에 메모리 칩과 제어 칩을 부착하는 제1 단계와, 메모리 칩, 제어 칩의 전극 패드를 회로기판의 본딩 패드에 와이어 본딩하는 제2 단계와, 패키지 몸체를 형성한 다음 패키지 몸체와 회로기판을 상기 개별 패키지 영역으로 절단 분리한 후 분리하는 제3 단계와, 상기 분리된 복수의 개별 칩 패키지들을 일정한 각도로 기울어진 상태로 메트릭스를 형성하도록 배치하는 제4 단계와, 제4 단계에서 메트릭스 형태로 배치된 복수의 개별 칩 패키지들을 수평방향으로 절단하여 패키지 챔퍼를 형성하는 제5 단계를 포함한다.
구현예
도 1은 본 발명에 따른 메모리 카드의 구조를 나타내는 사시도이고, 도 2a와 도 2b는 베이스 카드에 칩 패키지가 실장된 후의 메모리 카드 앞면과 뒷면을 보여주는 평면도이며, 도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 메모리 카드에 사용하기에 적합한 베이스 카드의 구조를 나타내는 평면도와 단면도들이다.
도 1 내지 도 3에서 보는 것처럼, 메모리 카드(100)는 베이스 카드(10)와 칩 패키지(50)로 구성되어 있다.
베이스 카드(10)는 칩 패키지(50)가 실장되는 면(이를 '앞면'이라 함)을 기준으로 보았을 때 서로 마주보는 2쌍의 측벽(12, 14; 16, 18)을 포함한다. 길이가 긴 1쌍의 측벽을 제1 측벽(12), 제2 측벽(14)이라고 하고, 길이가 짧은 1쌍의 측벽을 제3 측벽(16), 제4 측벽(18)이라고 했을 때, 제1 측벽(12)과 제3 측벽(16)은 이것과 각각 마주보는 제2 측벽(14)과 제4 측벽(18) 보다 길이가 더 짧고 그 사이에는 카드 챔퍼(20, champter)가 구성되어 있다. 제1 측벽(12)과 제3 측벽(16)의 길이를 같게 하는 것도 가능하다.
카드 챔퍼(20)는 메모리 카드(100)의 방향성을 나타내기 위한 것으로 모따기를 한 것처럼 양 측벽(12, 16) 사이에 연결되어 있다. 카드 챔퍼(20)는 예컨대, 측벽(12, 16) 사이에 내각이 45도가 되도록 연결되어 있다. 카드 챔퍼(20)에 가까운 곳에 칩 패키지(10)의 1번 핀이 배치된다. 도 2b에서 보는 것처럼, 베이스 카드(10)의 뒷면(32)에는 라벨링 영역(30)이 형성되어 있다.
칩 패키지(50)는 베이스 카드(10)의 측벽(12∼18)에 각각 대응되는 4개의 면(52, 54, 56, 58) 및 카드 챔퍼(20)에 대응되는 패키지 챔퍼(60)를 포함한다. 따라서, 칩 패키지의 제1 면(52)과 제3 면(56)은 이것과 각각 마주보는 제2 면(54)과 제4 면(18)보다 길이가 더 짧고 그 사이에 패키지 챔퍼(60)가 배치되어 있다. 칩 패키지(50)는 베이스 카드(10)의 4개의 측벽(12∼18)과 카드 챔퍼(20)에 의해 형성된 수용부(15)에 실장되는데, 이때 베이스 카드(10) 앞쪽의 밑면(22)에 칩 패키지(50)가 접착 고정된다. 또한, 칩 패키지의 제1∼4 면(52∼58) 및 패키지 챔퍼(60)는 각각 베이스 카드(10)의 제1∼4 측벽(12∼18) 및 카드 챔퍼(20)에 접촉된다. 칩 패키지(50)의 표면에는 핀(61)이 배치되어 있는데, 도 1 및 도 2에 나타낸 칩 패키지(50)에는 메모리 카드의 외부 전기 접속부 역할을 하는 7개의 핀이 배치되어 있다. 베이스 카드(10)의 밑면(22)에 직접 접착되는 칩 패키지(50)의 접착면은 핀(62)이 배치되어 있는 면의 반대면이다.
본 발명의 메모리 카드(100)는 베이스 카드(10)의 측벽들(12∼18) 및 카드 챔퍼(20)가 베이스 카드(10)의 밑면(22)에서 수직 방향으로 일직선으로 뻗어 있고, 이 측벽들(12∼18)과 카드 챔퍼(20)에 의해 형성되는 수용부(15)에 칩 패키지(50)가 끼워맞춤식으로 실장된다는 점에 특징이 있다. 또한, 본 발명의 메모리 카드(100)는 칩 패키지(50)가 직사각형이 아닌 패키지 챔퍼(60)를 포함하는 구조로 되어 있으면서 칩 패키지(50)의 면이 베이스 카드(10)의 밑면(22)에 직접 접촉한다는 점에 특징이 있다. 즉, 본 발명의 메모리 카드(100)에서는 칩 패키지(50)가 다른 매개물(예컨대, PCB 베이스)을 통하지 아니하고 베이스 카드(10)에 바로 실장된다.
칩 패키지(50)는 예컨대, 도 4에 나타낸 것처럼 플래시 메모리 칩(70)과 제어 칩(74, controller)을 패키지한 것이다. 도 4의 개별 칩 패키지(50)는 도 5a에 나타낸 PCB 기판(90)에 있는 여러 개의 칩 패키지 영역(92) 중 하나에 형성된다. 여기서 주의할 점은 도 4에 나타낸 칩 패키지와 도 5a에 나타낸 칩 패키지는 그 구조가 동일하지 않다는 것이다. 즉, 도 4에 나타낸 칩 패키지는 RS-MMC(P 타입) 7-COB(Chip on Board) 패키지이며, 도 5a에 나타낸 PCB 기판에 형성될 칩 패키지는 2GB RS-MMC-COB이다. 도 4와 도 5a에서 칩 패키지의 유형을 다르게 표시한 것은 본 발명이 다양한 구조의 칩 패키지에 적용될 수 있다는 점을 보여주기 위한 것이다.
도 4와 도 5a를 참조하면, PCB 기판(90)의 개별 패키지 영역(92)의 해당 칩 실장 영역에 메모리 칩(70)과 제어 칩(74)을 비전도성 접착제로 본딩하고(다이 부착 (die attach) 공정), 메모리 칩(70)의 전극 패드(72)와 제어 칩(74)의 전극 패드(76)를 PCB 기판(90)의 해당 본딩 패드(84)에 본딩 와이어(86)로 본딩한다(와이어 본딩 공정). 그 다음, 몰딩 게이트(96)를 통해 용융 상태의 플라스틱 수지를 주입하여 패키지 몸체를 형성한다. 패키지 몸체가 형성되면 기판(90) 위의 표지(94)로 정의되는 개별 패키지 영역(92)을 기준으로 패키지 몸체와 회로기판을 절단하여 개별 칩 패키지(50)로 분리한다.
한편 도 5b를 참조하면, 회로기판(90)의 뒷면(95, 즉 도 5a에 나타낸 면의 반대면)에는 개별 패키지 영역(92)에 복수의 핀(62)이 배치되어 있고 패키지 챔퍼(60)가 생성될 영역을 표시하는 금속 가이드 라인(97)이 형성되어 있다. 이 금속 가이드 라인(97)은 회로기판(90)을 제조할 때 형성할 수 있으며, 도 6의 패키지 챔퍼(60) 가공을 할 때 이 라인(97)을 기준으로 쉽게 패키지 챔퍼(60) 가공을 할 수 있다. 또한, 금속 가이드 라인(97)은 육안으로도 식별이 가능하므로, 본 발명이 적용되는 회로기판(90)과 다른 PCB를 쉽게 구별할 수 있고 육안 제품 검사에서도 편리하다.
한편, 금속 가이드 라인(97)으로부터 일정한 거리 예컨대, 0.3 ㎜ 이내의 영역에는 회로기판(90)의 배선(wiring)을 배치하지 않는 것이 바람직하다. 이 거리는 도 6의 패키지 챔퍼(60) 가공을 할 때 생길 수 있는 공차나 PCB, 패키지의 위치 공차에 따라 정해진다.
분리된 개별 칩 패키지(50)들을 도 6에 나타낸 것처럼 일정한 각도(예컨대, 45도)로 기울어진 상태로 메트릭스(matrix)를 형성하도록 배치한 다음, 수평방향으로 평행하게 배열된 절단선(110)을 따라 패키지 몸체의 일부를 절단한다. 이렇게 하면 도 4에 나타낸 것과 같이 패키지 챔퍼(60)가 형성된 칩 패키지(50)가 만들어진다. 도 4에서 보는 것처럼, 칩 패키지(50)의 몸체는 종래 기술에서와 같이 점선(88)으로 된 영역 내부에 형성되는 것이 아니라 이보다 더 넓은 제1 면 내지 제4 면(52∼58) 및 패키지 챔퍼(60)로 이루어지는 실선 영역에 형성되기 때문에, 칩 패키지(50)에 칩(70), 74) 실장을 위한 영역을 넓게 확보할 수 있다.
따라서, 메모리 카드를 본 발명과 같이 구성하면, 칩 패키지(50)에 포함되어 있는 칩 소자를 위한 공간을 많이 확보할 수 있으므로 메모리 카드의 실장효율을 크게 높일 수 있다.
본 발명의 메모리 카드는 앞에서 설명했던 7-핀 표준 메모리 카드에만 적용될 수 있는 것이 아니라, 7-핀 소형 메모리 카드, 13-핀 고속 메모리 카드, 이중 전압 메모리 카드, 보안 메모리 카드에도 적용될 수 있다는 사실은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 쉽게 이해할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명의 메모리 카드는 하나의 메모리 칩만 포함된 칩 패키지에만 적용되는 것이 아니라, 2개 또는 4개의 메모리 칩이 적층된 구조의 칩 패키지에도 적용할 수 있다.
예컨대, 13-핀 메모리 카드에 본 발명을 적용한 예는 도 7에 나타내었다. 도 7의 메모리 카드(200)는 도 1의 메모리 카드(100)와 마찬가지로 베이스 카드(10)의 4개의 측벽(12∼18)에 각각 대응되는 4개의 면(152, 154, 156, 158) 및 챔퍼(20)에 대응되는 패키지 챔퍼(160)를 갖는 칩 패키지(150)를 포함한다. 칩 패키지(150)의 표면에는 핀(162)이 배치되어 있는데, 도 1 및 도 2에 나타낸 칩 패키지(50)와 달리 칩 패키지(150)에는 13개의 핀이 배치되어 있다.
구현예
도 1은 본 발명에 따른 메모리 카드의 구조를 나타내는 사시도이고, 도 2a와 도 2b는 베이스 카드에 칩 패키지가 실장된 후의 메모리 카드 앞면과 뒷면을 보여주는 평면도이며, 도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 메모리 카드에 사용하기에 적합한 베이스 카드의 구조를 나타내는 평면도와 단면도들이다.
도 1 내지 도 3에서 보는 것처럼, 메모리 카드(100)는 베이스 카드(10)와 칩 패키지(50)로 구성되어 있다.
베이스 카드(10)는 칩 패키지(50)가 실장되는 면(이를 '앞면'이라 함)을 기준으로 보았을 때 서로 마주보는 2쌍의 측벽(12, 14; 16, 18)을 포함한다. 길이가 긴 1쌍의 측벽을 제1 측벽(12), 제2 측벽(14)이라고 하고, 길이가 짧은 1쌍의 측벽을 제3 측벽(16), 제4 측벽(18)이라고 했을 때, 제1 측벽(12)과 제3 측벽(16)은 이것과 각각 마주보는 제2 측벽(14)과 제4 측벽(18) 보다 길이가 더 짧고 그 사이에는 카드 챔퍼(20, champter)가 구성되어 있다. 제1 측벽(12)과 제3 측벽(16)의 길이를 같게 하는 것도 가능하다.
카드 챔퍼(20)는 메모리 카드(100)의 방향성을 나타내기 위한 것으로 모따기를 한 것처럼 양 측벽(12, 16) 사이에 연결되어 있다. 카드 챔퍼(20)는 예컨대, 측벽(12, 16) 사이에 내각이 45도가 되도록 연결되어 있다. 카드 챔퍼(20)에 가까운 곳에 칩 패키지(10)의 1번 핀이 배치된다. 도 2b에서 보는 것처럼, 베이스 카드(10)의 뒷면(32)에는 라벨링 영역(30)이 형성되어 있다.
칩 패키지(50)는 베이스 카드(10)의 측벽(12∼18)에 각각 대응되는 4개의 면(52, 54, 56, 58) 및 카드 챔퍼(20)에 대응되는 패키지 챔퍼(60)를 포함한다. 따라서, 칩 패키지의 제1 면(52)과 제3 면(56)은 이것과 각각 마주보는 제2 면(54)과 제4 면(18)보다 길이가 더 짧고 그 사이에 패키지 챔퍼(60)가 배치되어 있다. 칩 패키지(50)는 베이스 카드(10)의 4개의 측벽(12∼18)과 카드 챔퍼(20)에 의해 형성된 수용부(15)에 실장되는데, 이때 베이스 카드(10) 앞쪽의 밑면(22)에 칩 패키지(50)가 접착 고정된다. 또한, 칩 패키지의 제1∼4 면(52∼58) 및 패키지 챔퍼(60)는 각각 베이스 카드(10)의 제1∼4 측벽(12∼18) 및 카드 챔퍼(20)에 접촉된다. 칩 패키지(50)의 표면에는 핀(61)이 배치되어 있는데, 도 1 및 도 2에 나타낸 칩 패키지(50)에는 메모리 카드의 외부 전기 접속부 역할을 하는 7개의 핀이 배치되어 있다. 베이스 카드(10)의 밑면(22)에 직접 접착되는 칩 패키지(50)의 접착면은 핀(62)이 배치되어 있는 면의 반대면이다.
본 발명의 메모리 카드(100)는 베이스 카드(10)의 측벽들(12∼18) 및 카드 챔퍼(20)가 베이스 카드(10)의 밑면(22)에서 수직 방향으로 일직선으로 뻗어 있고, 이 측벽들(12∼18)과 카드 챔퍼(20)에 의해 형성되는 수용부(15)에 칩 패키지(50)가 끼워맞춤식으로 실장된다는 점에 특징이 있다. 또한, 본 발명의 메모리 카드(100)는 칩 패키지(50)가 직사각형이 아닌 패키지 챔퍼(60)를 포함하는 구조로 되어 있으면서 칩 패키지(50)의 면이 베이스 카드(10)의 밑면(22)에 직접 접촉한다는 점에 특징이 있다. 즉, 본 발명의 메모리 카드(100)에서는 칩 패키지(50)가 다른 매개물(예컨대, PCB 베이스)을 통하지 아니하고 베이스 카드(10)에 바로 실장된다.
칩 패키지(50)는 예컨대, 도 4에 나타낸 것처럼 플래시 메모리 칩(70)과 제어 칩(74, controller)을 패키지한 것이다. 도 4의 개별 칩 패키지(50)는 도 5a에 나타낸 PCB 기판(90)에 있는 여러 개의 칩 패키지 영역(92) 중 하나에 형성된다. 여기서 주의할 점은 도 4에 나타낸 칩 패키지와 도 5a에 나타낸 칩 패키지는 그 구조가 동일하지 않다는 것이다. 즉, 도 4에 나타낸 칩 패키지는 RS-MMC(P 타입) 7-COB(Chip on Board) 패키지이며, 도 5a에 나타낸 PCB 기판에 형성될 칩 패키지는 2GB RS-MMC-COB이다. 도 4와 도 5a에서 칩 패키지의 유형을 다르게 표시한 것은 본 발명이 다양한 구조의 칩 패키지에 적용될 수 있다는 점을 보여주기 위한 것이다.
도 4와 도 5a를 참조하면, PCB 기판(90)의 개별 패키지 영역(92)의 해당 칩 실장 영역에 메모리 칩(70)과 제어 칩(74)을 비전도성 접착제로 본딩하고(다이 부착 (die attach) 공정), 메모리 칩(70)의 전극 패드(72)와 제어 칩(74)의 전극 패드(76)를 PCB 기판(90)의 해당 본딩 패드(84)에 본딩 와이어(86)로 본딩한다(와이어 본딩 공정). 그 다음, 몰딩 게이트(96)를 통해 용융 상태의 플라스틱 수지를 주입하여 패키지 몸체를 형성한다. 패키지 몸체가 형성되면 기판(90) 위의 표지(94)로 정의되는 개별 패키지 영역(92)을 기준으로 패키지 몸체와 회로기판을 절단하여 개별 칩 패키지(50)로 분리한다.
한편 도 5b를 참조하면, 회로기판(90)의 뒷면(95, 즉 도 5a에 나타낸 면의 반대면)에는 개별 패키지 영역(92)에 복수의 핀(62)이 배치되어 있고 패키지 챔퍼(60)가 생성될 영역을 표시하는 금속 가이드 라인(97)이 형성되어 있다. 이 금속 가이드 라인(97)은 회로기판(90)을 제조할 때 형성할 수 있으며, 도 6의 패키지 챔퍼(60) 가공을 할 때 이 라인(97)을 기준으로 쉽게 패키지 챔퍼(60) 가공을 할 수 있다. 또한, 금속 가이드 라인(97)은 육안으로도 식별이 가능하므로, 본 발명이 적용되는 회로기판(90)과 다른 PCB를 쉽게 구별할 수 있고 육안 제품 검사에서도 편리하다.
한편, 금속 가이드 라인(97)으로부터 일정한 거리 예컨대, 0.3 ㎜ 이내의 영역에는 회로기판(90)의 배선(wiring)을 배치하지 않는 것이 바람직하다. 이 거리는 도 6의 패키지 챔퍼(60) 가공을 할 때 생길 수 있는 공차나 PCB, 패키지의 위치 공차에 따라 정해진다.
분리된 개별 칩 패키지(50)들을 도 6에 나타낸 것처럼 일정한 각도(예컨대, 45도)로 기울어진 상태로 메트릭스(matrix)를 형성하도록 배치한 다음, 수평방향으로 평행하게 배열된 절단선(110)을 따라 패키지 몸체의 일부를 절단한다. 이렇게 하면 도 4에 나타낸 것과 같이 패키지 챔퍼(60)가 형성된 칩 패키지(50)가 만들어진다. 도 4에서 보는 것처럼, 칩 패키지(50)의 몸체는 종래 기술에서와 같이 점선(88)으로 된 영역 내부에 형성되는 것이 아니라 이보다 더 넓은 제1 면 내지 제4 면(52∼58) 및 패키지 챔퍼(60)로 이루어지는 실선 영역에 형성되기 때문에, 칩 패키지(50)에 칩(70), 74) 실장을 위한 영역을 넓게 확보할 수 있다.
따라서, 메모리 카드를 본 발명과 같이 구성하면, 칩 패키지(50)에 포함되어 있는 칩 소자를 위한 공간을 많이 확보할 수 있으므로 메모리 카드의 실장효율을 크게 높일 수 있다.
본 발명의 메모리 카드는 앞에서 설명했던 7-핀 표준 메모리 카드에만 적용될 수 있는 것이 아니라, 7-핀 소형 메모리 카드, 13-핀 고속 메모리 카드, 이중 전압 메모리 카드, 보안 메모리 카드에도 적용될 수 있다는 사실은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 쉽게 이해할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명의 메모리 카드는 하나의 메모리 칩만 포함된 칩 패키지에만 적용되는 것이 아니라, 2개 또는 4개의 메모리 칩이 적층된 구조의 칩 패키지에도 적용할 수 있다.
예컨대, 13-핀 메모리 카드에 본 발명을 적용한 예는 도 7에 나타내었다. 도 7의 메모리 카드(200)는 도 1의 메모리 카드(100)와 마찬가지로 베이스 카드(10)의 4개의 측벽(12∼18)에 각각 대응되는 4개의 면(152, 154, 156, 158) 및 챔퍼(20)에 대응되는 패키지 챔퍼(160)를 갖는 칩 패키지(150)를 포함한다. 칩 패키지(150)의 표면에는 핀(162)이 배치되어 있는데, 도 1 및 도 2에 나타낸 칩 패키지(50)와 달리 칩 패키지(150)에는 13개의 핀이 배치되어 있다.
본 발명에 따르면, 칩 패키지의 실장 밀도가 높아지기 때문에 그만큼 메모리 카드의 실장효율이 개선된다. 또한, 다핀 구조의 칩 패키지와 소형 메모리 카드 등에 본 발명을 자유롭게 적용할 수 있다.
Claims (9)
- 메모리 카드를 제조하는 방법으로서,상기 메모리 카드는 베이스 카드와 칩 패키지를 포함하고,상기 베이스 카드는 서로 마주보는 제1 측벽과 제2 측벽, 서로 마주보는 제3 측벽과 제4 측벽을 포함하며, 제1 측벽과 제3 측벽은 이것과 각각 마주보는 제2 측벽, 제4 측벽보다 길이가 더 짧고, 제1 측벽과 제3 측벽 사이에는 메모리 카드의 방향성을 나타내는 카드 챔퍼가 구성되고, 이 제1∼4 측벽 및 카드 챔퍼는 상기 칩 패키지가 실장될 수용부를 형성하고, 상기 제1∼4 측벽과 카드 챔퍼는 수용부의 밑면에서 수직 방향으로 일직선으로 뻗어 있으며,상기 칩 패키지는 메모리 카드의 외부 전기 접속부를 구성하는 복수의 핀을 포함하고, 상기 베이스 카드의 수용부에 끼움 실장되고, 상기 복수의 핀이 형성된 면의 반대쪽 밑면이 상기 베이스 카드의 수용부의 밑면에 직접 접착되며,상기 방법은,회로기판의 개별 패키지 영역의 칩 실장 영역에 메모리 칩과 제어 칩을 부착하는 제1 단계와,메모리 칩, 제어 칩의 전극 패드를 회로기판의 본딩 패드에 와이어 본딩하는 제2 단계와,패키지 몸체를 형성한 다음 패키지 몸체와 회로기판을 상기 개별 패키지 영역으로 절단 분리한 후 분리하는 제3 단계와,상기 분리된 복수의 개별 칩 패키지들을 일정한 각도로 기울어진 상태로 메트릭스를 형성하도록 배치하는 제4 단계와,제4 단계에서 메트릭스 형태로 배치된 복수의 개별 칩 패키지들을 수평방향으로 절단하여 패키지 챔퍼를 형성하는 제5 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 카드 제조 방법.
- 제1항에서,상기 칩 패키지는 상기 베이스 카드의 제1∼4 측벽에 대응하는 제1∼4 면과 상기 카드 챔퍼에 대응하는 패키지 챔퍼를 포함하고, 상기 칩 패키지의 제1∼4 면 및 패키지 챔퍼는 베이스 카드의 제1∼4 측벽 및 카드 챔퍼에 접촉하는 것을 특징으로 하는 메모리 카드 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항에서,상기 칩 패키지의 핀은 7개 또는 13개인 것을 특징으로 하는 메모리 카드 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항에서,상기 메모리 카드는 7-핀 표준 메모리 카드, 7-핀 소형 메모리 카드, 13-핀 고속 메모리 카드, 이중 전압 메모리 카드 및 보안 메모리 카드로 구성된 군에서 선택되는 어느 한 카드인 것을 특징으로 하는 메모리 카드 제조 방법.
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- 제1항 또는 제2항에서,상기 칩 패키지의 복수의 핀이 형성된 면에는 패키지 챔퍼가 형성될 영역임을 표시하는 금속 가이드 라인이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 메모리 카드 제조 방법.
- 제5항에서,상기 메모리 칩은 2개 이상의 적층 메모리 칩을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 카드 제조 방법.
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