JP2006092094A - メモリカード - Google Patents

Abstract

【課題】メモリカードの外形寸法を維持しつつ内部空間の大きさを拡大し大型化したフラッシュメモリを収容する上で有利なメモリカードを提供する。
【解決手段】メモリカード１０は、ケース１１とこのケース１１に収容されたメモリ構成部品からなり、ケース１１は上ケース１２と下ケース１４が重ね合わせて形成され、上ケース１２および下ケース１４で画成される内部空間Ｓに前記メモリ構成部品が収容されている。上ケース１２は、金属製の上薄板１２０２と、この上薄板１２０２の外周部に取着された樹脂製の上枠１２０４とで構成されている。下ケース１４は、金属製の下薄板１４０２と、この下薄板１４０２の外周部に取着された樹脂製の下枠１４０４とで構成されている。
【選択図】 図５

Description

本発明はメモリカードに関する。

データの書き換えが可能なフラッシュメモリを有し、このフラッシュメモリにデータを書き込みおよび読み出すメモリカードが提供されている（例えば特許文献１参照）。
このようなメモリカードは、外部装置、例えばパーソナルコンピュータに装着されてデータの記録あるいは再生を行うために用いられる。
このようなメモリカードのケースは、互いに重ね合わされる合成樹脂製の上ケースおよび下ケースから構成され、これら上ケースおよび下ケースで画成される内部空間にフラッシュメモリを含むメモリ構成部品が収容されている。

特開２００３‐１７８２８２号公報

近年、メモリカードの記憶容量の大容量化に伴いフラッシュメモリの外形寸法が増大している。
メモリカードの外形寸法を変えることなく、大型化したフラッシュメモリを内部空間に収容するためには、上ケースおよび下ケースの厚さを削減すればよい。
しかしながら、これら上ケースおよび下ケースは合成樹脂製であり、剛性の点から厚さを削減するにも限界があり、何らかの改善が望まれていた。
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであり、その目的は、メモリカードの外形寸法を維持しつつ内部空間の大きさを拡大し大型化したフラッシュメモリを収容する上で有利なメモリカードを提供することにある。

上述の目的を達成するため、本発明のメモリカードは、ケースと前記ケースに収容されたメモリ構成部品からなり、前記ケースは上ケースと下ケースが重ね合わせて形成され、前記上ケースおよび下ケースで画成される内部空間に前記メモリ構成部品が収容されたメモリカードであって、前記上ケースは、前記内部空間の上部を閉塞する金属製の上薄板と、この上薄板の外周部に取着された樹脂製の上枠とで構成され、前記下ケースは、前記内部空間の下部を閉塞する金属製の下薄板と、この下薄板の外周部に取着された樹脂製の下枠とで構成され、前記上枠と下枠が結合されていることを特徴とする。

そのため、メモリカードの剛性を確保しつつ内部空間を形成する上ケースおよび下ケースの肉厚部分の厚さを削減でき、これによりメモリカードの外形寸法を維持しつつ内部空間の大きさを拡大できるので、大型化したフラッシュメモリを収容する上で有利となる。

メモリカードの外形寸法を維持しつつ内部空間の大きさを拡大するという目的を、上ケースを金属製の上薄板と樹脂製の上枠とで構成し、下ケースを金属製の下薄板と樹脂製の上枠とで構成することによって実現した。

次に本発明の実施例１について図面を参照して説明する。
図１はメモリカード１０の概略分解斜視図、図２はメモリカード１０の詳細な分解斜視図、図３はメモリカード１０を上方から見た斜視図、図４はメモリカード１０を下方から見た斜視図、図５はメモリカード１０の断面図である。
図６（Ａ）は上ケースの平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ矢視図、（Ｃ）は（Ａ）のＣ矢視図、（Ｄ）は（Ａ）のＤ矢視図、図７（Ｅ）は（Ｄ）のＥ矢視図、（Ｆ）は（Ｅ）のＦ矢視図である。
図８（Ａ）は上薄板の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ矢視図、（Ｃ）は（Ａ）のＣ矢視図、図９は図８（Ａ）のＤＤ線断面図である。
図１０は下ケースの平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ矢視図、（Ｃ）は（Ａ）のＣ矢視図、（Ｄ）は（Ａ）のＤ矢視図、図１１（Ｅ）は図１０（Ｄ）のＥ矢視図、（Ｆ）は（Ｅ）のＦ矢視図である。
図１２（Ａ）は下薄板の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ矢視図、（Ｃ）は（Ａ）のＣ矢視図、図１３は図１２（Ａ）のＤＤ線断面図である。
図１４（Ａ）はプリント基板の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ矢視図、（Ｃ）は（Ａ）のＣ矢視図、（Ｄ）は（Ａ）のＤ矢視図である。
図１５（Ａ）は上枠におけるグランドばねの取り付け部分を下方から見た説明図、（Ｂ）は（Ａ）のＢＢ線断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＣＣ線断面図である。
図１６（Ａ）は上枠および下枠のグランドばねの取り付け部分を上方から見た説明図、（Ｂ）は（Ａ）のＢＢ線断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＣＣ線断面図である。
図１７（Ａ）はグランドばねの平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ矢視図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ矢視図、（Ｄ）は（Ｃ）のＤ矢視図、（Ｅ）は（Ｃ）のＥＥ断面図である。

図１〜図５に示すように、メモリカード１０は、ケース１１とこのケース１１に収容されたメモリ構成部品からなり、ケース１１は上ケース１２と下ケース１４が重ね合わせて形成され、上ケース１２および下ケース１４で画成される内部空間Ｓに前記メモリ構成部品が収容されている。
本実施例では、メモリカード１０は、前後方向（コネクタへのメモリカード１０の挿脱方向）の長さと、長さよりも寸法の小さな左右方向の幅と、幅よりも寸法が小さな上下方向の厚さを有している。

図６〜図９に示すように、上ケース１２は、金属製の上薄板１２０２と、この上薄板１２０２の外周部に取着された樹脂製の上枠１２０４とで構成されている。
上薄板１２０２は、内部空間Ｓの上部を閉塞するものであり、内部空間Ｓ上に位置する矩形状の平坦な上面部１２０２Ａと、上面部１２０２Ａの外周部（上面部１２０２Ａの四辺）に形成された曲げ部１２０２Ｂとを有している。実施例では上薄板１２０２としてステンレス（ＳＵＳ）が用いられ、平坦な上面部１２０２Ａに曲げ部１２０２Ｂを設けることで上薄板１２０２の剛性を高めている。
上面部１２０２Ａは図５に示すように、平面視した場合に内部空間Ｓとほぼ同じ輪郭の矩形に形成されている。
本実施例では、図２、図９に示すように、上薄板１２０２が内部空間Ｓに臨む内面の全域に、絶縁性を有する合成樹脂材料、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）からなる絶縁層１２０６が形成されている。
また、上薄板１２０２が内部空間Ｓと反対側の外方に臨む外面（体裁面）の全域には美観を向上させるための塗装層１２０８が形成されている。塗装層１２０８は、例えば塗料が塗布されることにより形成される。

図５に示すように、上薄板１２０２は、曲げ部１２１０が上枠１２０４に埋め込まれることで上枠１２０４に取着されている。
上枠１２０４は、上薄板１２０２の外周に沿った矩形枠状に延在し、本実施例ではモールド成型された合成樹脂で構成され、本実施例では合成樹脂として、ＰＣ（ポリカーボネート）が用いられている。
図６、図７に示すように、上枠１２０４は、前辺１２０４Ａ、後辺１２０４Ｂ、左辺１２０４Ｃ、右辺１２０４Ｄを有し、さらに前辺１２０４Ａと後辺１２０４Ｂとの間で左辺１２０４Ｃ、右辺１２０４Ｄを連結する中間辺１２０４Ｅを有している。前辺１２０４Ａ、後辺１２０４Ｂ、左辺１２０４Ｃ、右辺１２０４Ｄは、上薄板１２０２の内面（下面）よりも下方に膨出され、上薄板１２０２の内面の下方で前辺１２０４Ａ、後辺１２０４Ｂ、左辺１２０４Ｃ、右辺１２０４Ｄの内側に下方に開放状の上側凹部１２０５が形成されている。
中間辺１２０４Ｅには２つの押さえ片１２０４Ｆが間隔をおいて突設され、これら２つの押さえ片１２０４Ｆがコントローラ１６１０（図１４参照）の上面に当て付けられるようになっている。
図８に示すように、前辺１２０４Ａの内面には、曲げ部１２１０に形成されたグランド接続用接片１２１２が内部空間Ｓに臨むように露出している。なお、グランド接続用接片１２１２部分では絶縁層１２０６が切り取られている。

図１０〜図１３に示すように、下ケース１４は、金属製の下薄板１４０２と、この下薄板１４０２の外周部に取着された樹脂製の下枠１４０４とで構成され、平面視した場合に上ケース１２と下ケース１４は同一の輪郭で形成されている。
下薄板１４０２は、内部空間Ｓの下部を閉塞するものであり、内部空間Ｓの下方に位置する矩形状の平坦な下面部１４０２Ａと、下面部１４０２Ａの外周部（下面部１４０２Ａの四辺）に形成された曲げ部１４０２Ｂとを有している。実施例では下薄板１４０２としてステンレス（ＳＵＳ）が用いられ、平坦な下面部１４０２Ａに曲げ部１４０２Ｂを設けることで下薄板１４０２の剛性を高めている。
下面部１４０２Ａは図５に示すように、平面視した場合に内部空間Ｓとほぼ同じ輪郭の矩形に形成されている。
本実施例では、図２、図１３に示すように、下薄板１４０２が内部空間Ｓに臨む内面の全域に、絶縁性を有する合成樹脂材料、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）からなる絶縁層１４０６が形成されている。
また、下薄板１４０２が内部空間Ｓと反対側の外方に臨む外面（体裁面）の全域には美観を向上させるための塗装層１４０８が形成されている。塗装層１４０８は、例えば塗料が塗布されることにより形成される。

図５に示すように、下薄板１４０２は、曲げ部１４１０が下枠１４０４に埋め込まれることで下枠１４０４に取着されている。
下枠１４０４は、下薄板１４０２の外周に沿った矩形枠状に延在し、本実施例ではモールド成型された合成樹脂で構成され、本実施例では合成樹脂としてＰＣ（ポリカーボネート）が用いられている。
図１０、図１１に示すように、下枠１４０４は、前辺１４０４Ａ、後辺１４０４Ｂ、左辺１４０４Ｃ、右辺１４０４Ｄを有している。前辺１４０４Ａ、後辺１４０４Ｂ、左辺１４０４Ｃ、右辺１４０４Ｄは、下薄板１４０２の内面よりも下方に膨出され、下薄板１４０２の内面（上面）の上方で前辺１４０４Ａ、後辺１４０４Ｂ、左辺１４０４Ｃ、右辺１４０４Ｄの内側に上方に開放状の下側凹部１４０５が形成されている。
下枠１４０４の前辺１４０４Ａには、長さ方向に延在する複数の仕切り壁１４２０が幅方向に間隔をおいて配置され、隣り合う仕切り壁１４２０の間は上下に貫通しつつ前記長さ方向に延在する開口１４２２となっている。
図１１に示すように、前辺１４０４Ａの内面には、曲げ部１４１０に形成されたグランド接続用接片１４１２が内部空間Ｓに臨むように露出している。なお、グランド接続用接片１４１２部分では絶縁層１４０６が切り取られている。

上ケース１２と下ケース１４は、内部空間Ｓにメモリを構成するメモリ構成部品が配設された状態でそれらの上枠１２０４と下枠１４０４が溶着されている。そして、この状態で上面部１２０２Ａと下面部１４０２Ａは平行している。
内部空間Ｓに収容されるメモリ構成部品として、本実施例では、プリント基板１６、データを記憶する記憶手段としてのフラッシュメモリ１６０８、コントローラ１６１０、リセットＩＣ１６１２、セラミック振動子１６１４、不図示の抵抗やコンデンサなどの電子部品が挙げられ、フラッシュメモリ１６０８、コントローラ１６１０、リセットＩＣ１６１２、セラミック振動子１６１４、不図示の抵抗やコンデンサなどの電子部品はプリント基板１６に実装されている。
図１４に示すように、プリント基板１６は可撓性を有する絶縁基板１６０２と、絶縁基板１６０２に形成された導電パターンなどを有している。
絶縁基板１６０２は、内部空間Ｓに収容された状態で、上ケース１２に臨む上面１６０４と、下ケース１４に臨む下面１６０６とを有し、絶縁基板１６０２の下面１６０４の前部に接片領域１８が形成されている。
本実施例では、絶縁基板１６０２はガラスエポキシ樹脂で構成されている。絶縁基板１６０２は可撓性を有することから極薄に形成でき、本実施例では、従来のリジッドな絶縁基板の厚さが０．３ｍｍであったのに対して、絶縁基板１６０２の厚さは０．１３ｍｍである。
絶縁基板１６０２は、前部を除く部分が下側凹部１４０５にがたつくことなく収容され（絶縁基板１６０２の後辺と左右の辺が下枠１４０４の後辺１４０４Ｂと左右の辺１４０４Ｃ，１４０４Ｄに当接した状態で収容され）、また、絶縁基板１６０２の前部が下枠１４０４の前辺１４０４Ａ上に乗り上げて配設され、前辺１４０４Ａ上に乗り上げた前部上に補強板１６２０が重ねられ、その状態で上ケース１２０２の上枠１２０４が下ケース１４の下枠１４０２上に結合されている。なお、補強板１６２０は、接着剤などにより取着されており、接片領域１８に対応する絶縁基板１６０２の箇所の剛性を高めている。
したがって、図５に示すように、プリント基板１６は、後部が下薄板１４上に載置された平坦部１６３０となり、上部が前辺上に乗り上がり下枠の前辺で押さえつけられた平坦部１６３２となっていることから、前部と後部の間の中間部は、前方に至るにつれて高位となる傾斜部１６３４が形成される。
接片領域１８には複数の接片２０が前記幅方向に間隔をおいて配置され、各接片２０は、下ケース１４の各開口１４２２を介して外方に露出するように構成されている。
また、絶縁基板１６０２の下面１６０４には、グランド接続用接片１６１８が設けられている。
フラッシュメモリ１６０８、コントローラ１６１０、リセットＩＣ１６１２、セラミック振動子１６１４、不図示の抵抗やコンデンサなどの電子部品は、絶縁基板１６０２の上面１６０４上で補強板１６２０を除く部分に実装されている。本実施例では、フラッシュメモリ１６０６は絶縁基板１６０２の上面１６０４の後部に搭載され、フラッシュメモリ１６０６の上面は上薄板１２０２（上面部１２０２Ａ）の下面に近接している（より詳細には、僅かな隙間を確保して上薄板１２０２の下面に臨んでいる）。
これら各電子部品は絶縁基板１６０２に形成された不図示の導電パターンに半田付けなどによって電気的に接続されている。各電子部品および各接片２０の間は前記導電パターンを介して電気的に接続され、これにより電子回路が構成されている。この電子回路のグランドレベルは、前記導電パターンを介してグランド接続用接片１６１８に電気的に接続されている。
なお、フラッシュメモリ１６０６は電気的にデータの消去と再記録が可能な不揮発性メモリである。コントローラ１６０８はフラッシュメモリ１６０６に対するデータの記録、再生および消去を制御するものである。リセットＩＣ１６１０はコントローラ１６０８の初期化を行うものである。セラミック振動子１６１２はフラッシュメモリ１６０６やコントローラ１６０８にクロック信号を供給するものである。

本実施例では、プリント基板１６上に形成される前記電子回路の耐ノイズ性を確保するためにプリント基板１６のグランドレベルを上薄板１２０２と下薄板１４０２に接地しており、このグランドレベルの接地にグランドばね３０を用いている。
図１７に示すように、グランドばね３０は導電性および弾性を有する部材から形成され、取付部３００２と、取付部３００２から延在する中間部３００４と、中間部３００４から延在する先部３００６とを有し、これら取付部３００２、中間部３００４、先部３００６はほぼ直線上に並べられている。
中間部３００４には第１接片３００８が突設され、この第１接片３００８は中間部３００４上に折り曲げられて形成されている。
先部３００６には第２接片３０１０と第３接片３０１２が突設され、これら第２、第３接片３０１０，３０１２は先部３００６上に折り曲げられて形成されている。
図１５に示すように、グランドばね３０は、取付部３００２が上枠１２０４の前辺１２０４Ａの内面（下面）箇所に取着されており、この状態で第１接片３００８が上薄板１２０２のグランド接続用接片１２１２に押し付けられることでグランドばね３０と上薄板１２０２が電気的に接続されている。
図１６に示すように、上枠１２０４と下枠１４０４が結合された状態で、グランドばね３０の第２接片３０１０は下薄板１４０２のグランド接続用接片１４１２に押し付けられることでグランドばね３０と下薄板１４０２が電気的に接続され、かつ、グランドばね３０の第３接片３０１２はプリント基板１６のグランド接続用接片１６１８に押し付けられることでグランドばね３０とプリント基板１６のグランドが電気的に接続される。
したがって、プリント基板１６のグランドレベルがグランドばね３０を介して上薄板１２０２と下薄板１４０２に接地されることになる。

以上説明したように本実施例によれば、ケース１１が上ケース１２と下ケース１４が重ね合わせて形成され、上ケース１２が内部空間Ｓの上部を閉塞する金属製の上薄板１２０２と、この上薄板１２０２の外周部に取着された樹脂製の上枠１２０４とで構成され、下ケース１４が内部空間Ｓの下部を閉塞する金属製の下薄板１４０２と、この下薄板１４０２の外周部に取着された樹脂製の下枠１４０４とで構成され、上枠１２０４と下枠１４０４が結合されている。
したがって、メモリカード１０の剛性を確保しつつ内部空間Ｓを形成する上ケース１２および下ケース１４の肉厚部分の厚さを削減でき、これによりメモリカード１０の外形寸法を維持しつつ内部空間Ｓの大きさを拡大できるので、大型化したフラッシュメモリを収容する上で有利となる。具体的には、従来の上ケースおよび下ケースの肉厚部分が０．２ｍｍであったのに対して本実施例では、薄板（上薄板および下薄板）が０．１２ｍｍ、塗装層が０．０２ｍｍ、絶縁層が０．０３ｍｍの合計０．１７ｍｍであり、したがって、内部空間の高さを（０．２０−０．１７）×２＝０．０６ｍｍ大きくすることができる。
また、本実施例では、プリント基板１６に可撓性を有する絶縁基板１６０２を用いており、可撓性を有する絶縁基板１６０２は、従来のリジッドな絶縁基板（厚さが０．３ｍｍ）に比べて極薄に形成できるので（本実施例では絶縁基板１６０２の厚さは０．１３ｍｍ）、従って上記の内部空間Ｓの高さを、０．０６＋（０．３−０．１３）＝０．２３ｍｍ大きくすることが可能となり、内部空間Ｓの高さを大きくする上でより有利となる。
また、本実施例では、プリント基板１６は可撓性を有する絶縁基板１６０２を含んで構成され、絶縁基板１６０２の長さ方向の中間部に一方の端部に至るにつれて上位となる傾斜部１６３４が設けられているので、接片２０の上下方向の位置を変えることなくフラッシュメモリ１６１０を含むメモリ構成部品を内部空間Ｓ内の大きなスペースに配置することが可能となる。
また、本実施例では、メモリ構成部品はプリント基板１６を含み、このプリント基板１６のグランド接続用接片１６１８は、上薄板１２０２と下薄板１４０２に電気的に接続されているので、上ケース１２および下ケース１４をそれぞれ金属製の上薄板１２０２と下薄板１４０２を用いて形成したにも関わらず、プリント基板１６上に形成される電子回路の耐ノイズ性を確保し動作の安定化を図る上で有利となる。

なお、本実施例では、メモリ構成部品のうちデータを記憶する記憶手段がフラッシュメモリで構成されている場合について説明したが、前記記憶手段としては他の形態のメモリであってもよいことはもちろんである。例えば、前記記憶手段は、データが書き込まれるもの、あるいはデータが読み出されるもの、あるいはデータの書き込みおよびデータの読み出しの双方がなされるものの何れであってもよい。
また、本実施例では、上薄板１２０２および下薄板１４０２がステンレスで形成されている場合について説明したが、上薄板１２０２および下薄板１４０２を形成する金属は、ステンレスに限定されるものではなく、例えばアルミニウムであってもよい。

メモリカード１０の概略分解斜視図である。 メモリカード１０の詳細な分解斜視図である。 メモリカード１０を上方から見た斜視図である。 メモリカード１０を下方から見た斜視図である。 メモリカード１０の断面図である。 （Ａ）は上ケースの平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ矢視図、（Ｃ）は（Ａ）のＣ矢視図、（Ｄ）は（Ａ）のＤ矢視図である。 （Ｅ）は（Ｄ）のＥ矢視図、（Ｆ）は（Ｅ）のＦ矢視図である。 （Ａ）は上薄板の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ矢視図、（Ｃ）は（Ａ）のＣ矢視図である。 図８（Ａ）のＤＤ線断面図である。 下ケースの平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ矢視図、（Ｃ）は（Ａ）のＣ矢視図、（Ｄ）は（Ａ）のＤ矢視図である。 （Ｅ）は図１０（Ｄ）のＥ矢視図、（Ｆ）は（Ｅ）のＦ矢視図である。 （Ａ）は下薄板の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ矢視図、（Ｃ）は（Ａ）のＣ矢視図である。 図１２（Ａ）のＤＤ線断面図である。 （Ａ）はプリント基板の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ矢視図、（Ｃ）は（Ａ）のＣ矢視図、（Ｄ）は（Ａ）のＤ矢視図である。 （Ａ）は上枠におけるグランドばねの取り付け部分を下方から見た説明図、（Ｂ）は（Ａ）のＢＢ線断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＣＣ線断面図である。 （Ａ）は上枠および下枠のグランドばねの取り付け部分を上方から見た説明図、（Ｂ）は（Ａ）のＢＢ線断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＣＣ線断面図である。 （Ａ）はグランドばねの平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ矢視図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ矢視図、（Ｄ）は（Ｃ）のＤ矢視図、（Ｅ）は（Ｃ）のＥＥ断面図である。

符号の説明

１０……メモリカード、１１……ケース、１２……上ケース、１４……下ケース、１２０２……上薄板、１２０４……上枠、１４０２……下薄板、１４０４……下枠、Ｓ……内部空間。

Claims (11)

1. ケースと前記ケースに収容されたメモリ構成部品からなり、前記ケースは上ケースと下ケースが重ね合わせて形成され、前記上ケースおよび下ケースで画成される内部空間に前記メモリ構成部品が収容されたメモリカードであって、
   前記上ケースは、前記内部空間の上部を閉塞する金属製の上薄板と、この上薄板の外周部に取着された樹脂製の上枠とで構成され、
   前記下ケースは、前記内部空間の下部を閉塞する金属製の下薄板と、この下薄板の外周部に取着された樹脂製の下枠とで構成され、
   前記上枠と下枠が結合されている、
   ことを特徴とするメモリカード。
2. 前記上薄板は、前記内部空間上に位置する平坦な上面部と、前記上面部の外周部に形成された曲げ部とを有し、前記曲げ部は前記上枠に埋め込まれていることを特徴とする請求項１記載のメモリカード。
3. 前記下薄板は、前記内部空間下に位置する平坦な下面部と、前記下面部の外周部に形成された曲げ部とを有し、前記曲げ部は前記下枠に埋め込まれていることを特徴とする請求項１記載のメモリカード。
4. 前記上薄板は、前記内部空間上に位置する平坦な上面部と、前記上面部の外周部に形成された曲げ部とを有し、前記曲げ部は前記上枠に埋め込まれ、前記下薄板は、前記内部空間下に位置する平坦な下面部と、前記下面部の外周部に形成された曲げ部とを有し、前記曲げ部は前記下枠に埋め込まれ、前記上面部と下面部は平行していることを特徴とする請求項１記載のメモリカード。
5. 前記上薄板は、平面視した場合、前記内部空間と同じ輪郭の大きさで形成されていることを特徴とする請求項１記載のメモリカード。
6. 前記下薄板は、平面視した場合、前記内部空間と同じ輪郭の大きさで形成されていることを特徴とする請求項１記載のメモリカード。
7. 上ケースおよび下ケースはともに同一形状の矩形の輪郭を有し、前記上薄板は矩形を呈し、前記上枠は前記上薄板の前後左右の辺に取着された前後左右の辺を有し、前記前後左右の辺は、前記上薄板が前記内部空間に臨む下面よりも下方に膨出し、前記上薄板の下面と前記前後左右の辺により上方に窪む上側凹部が形成され、前記内部空間の上半部は前記上側凹部により形成されていることを特徴とする請求項１記載のメモリカード。
8. 上ケースおよび下ケースはともに同一形状の矩形の輪郭を有し、前記下薄板は矩形を呈し、前記下枠は前記下薄板の前後左右の辺に取着された前後左右の辺を有し、前記前後左右の辺は、前記下薄板が前記内部空間に臨む上面よりも上方に膨出し、前記下薄板の上面と前記前後左右の辺により下方に窪む下側凹部が形成され、前記内部空間の下半部は前記下側凹部により形成されていることを特徴とする請求項１記載のメモリカード。
9. 前記メモリ構成部品はプリント基板を含み、このプリント基板上に他のメモリ構成部品が搭載され、前記プリント基板は可撓性を有する絶縁基板を含んで構成されていることを特徴とする請求項１記載のメモリカード。
10. 前記下ケースの長さ方向の一方の端部の下面にメモリカードの接片が設けられ、前記メモリ構成部品はプリント基板とフラッシュメモリを含み、前記プリント基板は可撓性を有する絶縁基板を含んで構成され、前記絶縁基板の長さ方向の一方の端部の下面に前記接片を構成する接片領域が形成され、前記フラッシュメモリは前記絶縁基板の長さ方向の他方の端部の上面に配置され、前記絶縁基板は長さ方向の一方の端部が前記下枠上に位置して前記上枠との間に挟まれ、長さ方向の他方の端部が前記下薄板上に位置し、長さ方向の中間部に前記一方の端部に至るにつれて上位となる傾斜部が設けられていることを特徴とする請求項１記載のメモリカード。
11. 前記メモリ構成部品はプリント基板を含み、このプリント基板のグランド接続用接片は、前記上薄板と下薄板に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載のメモリカード。

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