JPH07244887A - 情報記憶媒体 - Google Patents
情報記憶媒体Info
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- JPH07244887A JPH07244887A JP6055152A JP5515294A JPH07244887A JP H07244887 A JPH07244887 A JP H07244887A JP 6055152 A JP6055152 A JP 6055152A JP 5515294 A JP5515294 A JP 5515294A JP H07244887 A JPH07244887 A JP H07244887A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂製の基板を用いたディスクの保磁力の向
上及び生産性を良くすることにある。 【構成】 透光性の樹脂基板１上に、光情報用のピット
列１ａ，…、Ａｌから成る光反射用の金属層２、樹脂性
の保護層３、磁気記憶層５、カ−ボンから成る保護層
６、及び潤滑層７が順次積層されたディスクであり、樹
脂基板１と保護層３との一面側に吸湿防止層４ａ，４ｂ
を夫々設けて、磁気記憶層５の成膜時に、樹脂基板１及
び保護層３に含まれる水分の蒸発を防止して、磁気記憶
層に悪影響を及ぼさないようにして、保磁力の向上を図
ると共に、ディスクの生産性を良くする。
上及び生産性を良くすることにある。 【構成】 透光性の樹脂基板１上に、光情報用のピット
列１ａ，…、Ａｌから成る光反射用の金属層２、樹脂性
の保護層３、磁気記憶層５、カ−ボンから成る保護層
６、及び潤滑層７が順次積層されたディスクであり、樹
脂基板１と保護層３との一面側に吸湿防止層４ａ，４ｂ
を夫々設けて、磁気記憶層５の成膜時に、樹脂基板１及
び保護層３に含まれる水分の蒸発を防止して、磁気記憶
層に悪影響を及ぼさないようにして、保磁力の向上を図
ると共に、ディスクの生産性を良くする。
Description
【０００１】
【０００１】
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、光情報記憶部と磁気記
憶層とを有する情報記憶媒体に関する。
憶層とを有する情報記憶媒体に関する。
【０００３】
【０００２】
【０００４】
【従来の技術】従来、透明な樹脂基板を用いた光ディス
クに、書換え可能な磁気記憶層を設けた記憶ディスクの
提案がなされている（特開平５−５４４６１号他参
照）。
クに、書換え可能な磁気記憶層を設けた記憶ディスクの
提案がなされている（特開平５−５４４６１号他参
照）。
【０００５】このような記憶ディスクによれば、記憶容
量が増すと共に、随時書き込み及び読み出しが可能な便
利な媒体である。
量が増すと共に、随時書き込み及び読み出しが可能な便
利な媒体である。
【０００６】
【０００３】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した媒
体は基板に樹脂基板を用いており、この樹脂基板は吸湿
性が高く、磁気記憶層の成膜時の熱の発生により、樹脂
基板内に含まれたり、その表面部に付着した水分が蒸発
して、磁気記憶層の特性に悪影響を与えていた。
体は基板に樹脂基板を用いており、この樹脂基板は吸湿
性が高く、磁気記憶層の成膜時の熱の発生により、樹脂
基板内に含まれたり、その表面部に付着した水分が蒸発
して、磁気記憶層の特性に悪影響を与えていた。
【０００８】この場合、時間をかけて水分を排気すれば
良いが、生産効率が悪くなってしまうと言う問題があっ
た。
良いが、生産効率が悪くなってしまうと言う問題があっ
た。
【０００９】本発明の目的は、このような問題点を解決
することにある。
することにある。
【００１０】
【０００４】
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、次の１）及び２）の構成より成る情報
記録媒体を提供することにある。
解決するために、次の１）及び２）の構成より成る情報
記録媒体を提供することにある。
【００１２】すなわち、 １）透光性の樹脂基板の一面側に、少なくとも、光情報
記憶部と磁気記憶層とが設けられた情報記憶媒体におい
て、前記樹脂基板の他面側に透明な吸湿性の少ない薄膜
層を形成したことを特徴とする情報記憶媒体。
記憶部と磁気記憶層とが設けられた情報記憶媒体におい
て、前記樹脂基板の他面側に透明な吸湿性の少ない薄膜
層を形成したことを特徴とする情報記憶媒体。
【００１３】
【０００５】２）請求項１記載の情報記憶媒体におい
て、透明な吸湿性の少ない薄膜層を、ＳｉＯ2 、ＴｉＯ
2 、ＭｇＦ2 、ＣｅＦ3 、ＣｅＯ2 、ＺｎＳ、Ａｌ2 Ｏ
3 、又は、ＺｒＯ3 で形成したことを特徴とする情報記
憶媒体。
て、透明な吸湿性の少ない薄膜層を、ＳｉＯ2 、ＴｉＯ
2 、ＭｇＦ2 、ＣｅＦ3 、ＣｅＯ2 、ＺｎＳ、Ａｌ2 Ｏ
3 、又は、ＺｒＯ3 で形成したことを特徴とする情報記
憶媒体。
【００１４】
【０００６】
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
き説明する。
き説明する。
【００１６】図１は、その一実施例に係る情報記憶媒体
（以下、単にディスクと称す）の概略縦断面図で、中央
部に図示しない装置側の装着台挿入用の孔が形成され、
円形の外形を呈している。図２は、その実施例に係るデ
ィスクの基体部Ａの概略縦断面図である。
（以下、単にディスクと称す）の概略縦断面図で、中央
部に図示しない装置側の装着台挿入用の孔が形成され、
円形の外形を呈している。図２は、その実施例に係るデ
ィスクの基体部Ａの概略縦断面図である。
【００１７】
【０００７】基体部Ａは、その最下面側に、上部に光情
報ピット列１ａ，…を設けた透光性のポリカ−ボネ−ド
から成る基板１が、原盤により複製されて設けられ、こ
れらのピット列１ａの上面には、装置側からの情報読み
出し用のレ−ザ−光を反射させるためのアルミＡｌから
成る金属膜２がスパッタリングにより蒸着されている。
そして、この上面にフォトポリマ−から成る保護層３が
塗布された構成となっている。この基体部Ａの構成は、
従来より一般に使用されている光ディスクの構成と同一
構成で、この基体部Ａのみで、従来の光ディスクと同様
の作用効果が得られる。
報ピット列１ａ，…を設けた透光性のポリカ−ボネ−ド
から成る基板１が、原盤により複製されて設けられ、こ
れらのピット列１ａの上面には、装置側からの情報読み
出し用のレ−ザ−光を反射させるためのアルミＡｌから
成る金属膜２がスパッタリングにより蒸着されている。
そして、この上面にフォトポリマ−から成る保護層３が
塗布された構成となっている。この基体部Ａの構成は、
従来より一般に使用されている光ディスクの構成と同一
構成で、この基体部Ａのみで、従来の光ディスクと同様
の作用効果が得られる。
【００１８】
【０００８】次に、この基体部Ａの両面には、本発明の
要部となるＳｉＯ2 から成る吸湿防止層４ａ，４ｂが夫
々成膜されている。
要部となるＳｉＯ2 から成る吸湿防止層４ａ，４ｂが夫
々成膜されている。
【００１９】このＳｉＯ2 の成膜には、一般に使用され
ているＲＦスパッタ装置が用いられ、次の条件により成
膜された。この時、ＳｉＯ2 の膜厚は、１ｎｍから３０
ｎｍまで変化させて、適正な膜厚とされたものである。
ているＲＦスパッタ装置が用いられ、次の条件により成
膜された。この時、ＳｉＯ2 の膜厚は、１ｎｍから３０
ｎｍまで変化させて、適正な膜厚とされたものである。
【００２０】
【０００９】 Ａｒガス圧力 １０ｍ Ｔｏｒｒ ＤＣパワ− ５ｋＷ 成膜速度 ０．５ｎｍ／ｓｅｃ 膜厚 １〜３０ｎｍ タ−ゲット基板間距離 ６０ｍｍ
【００２１】
【００１０】その後、一方の吸湿防止層４ｂの上面に
は、記憶容量を増加し、書き込み可能な磁気記憶層５が
設けられる。
は、記憶容量を増加し、書き込み可能な磁気記憶層５が
設けられる。
【００２２】この時の成膜は、上述のＳｉＯ2 の成膜終
了後、一旦、ディスクを大気中に取り出した後、行った
ものである。
了後、一旦、ディスクを大気中に取り出した後、行った
ものである。
【００２３】
【００１１】また、磁気記憶層５の上層には、スパッタ
リングによりカ−ボンが２５ｎｍの厚さで保護層６とし
て設けられ、更に、最上面には２０〜３０オングストロ
−ムの厚さで潤滑層７が塗布されている。
リングによりカ−ボンが２５ｎｍの厚さで保護層６とし
て設けられ、更に、最上面には２０〜３０オングストロ
−ムの厚さで潤滑層７が塗布されている。
【００２４】
【００１２】前述の磁気記憶層５の成膜に際しては、デ
ィスクを真空チャンバ−に導入後、約２秒間ロ−タリ−
ポンプで排気し、その排気系をクライオポンプに切り換
え、３秒後に直ちにスパッタリングを行って成膜したも
のである。
ィスクを真空チャンバ−に導入後、約２秒間ロ−タリ−
ポンプで排気し、その排気系をクライオポンプに切り換
え、３秒後に直ちにスパッタリングを行って成膜したも
のである。
【００２５】
【００１３】その時のスパッタ条件は次の通りである。
【００２６】 材料 ＣｏＮｉ16.3Ｃｒ8.6 Ｐｔ6
（成膜後組成） Ａｒガス圧力 ２０ｍ Ｔｏｒｒ ＲＦパワ− ９ｋＷ 成膜速度 約１３０／ｓｅｃ 膜厚 ０．２μｍ タ−ゲット基板間距離 ７６ｍｍ
（成膜後組成） Ａｒガス圧力 ２０ｍ Ｔｏｒｒ ＲＦパワ− ９ｋＷ 成膜速度 約１３０／ｓｅｃ 膜厚 ０．２μｍ タ−ゲット基板間距離 ７６ｍｍ
【００２７】
【００１４】図３は、このように成膜された磁気記憶層
５と、前述のＳｉＯ2 の膜厚を変化させた時の保磁力
（Ｈｃ）との関係を示した図である。尚、ＳｉＯ2 の成
膜後、磁気記憶層５の成膜までの時間は、１時間に統一
して行われたものである。
５と、前述のＳｉＯ2 の膜厚を変化させた時の保磁力
（Ｈｃ）との関係を示した図である。尚、ＳｉＯ2 の成
膜後、磁気記憶層５の成膜までの時間は、１時間に統一
して行われたものである。
【００２８】同図に示すように、ＳｉＯ2 が形成されて
いない時には、その保磁力は略３００［Ｏｃ］で、Ｓｉ
Ｏ2 の膜厚を順次厚くしていくと、保磁力の増加が顕著
に表れ、膜厚が２ｎｍ以上になると、略８００［Ｏｃ］
と一定になることが分かる。
いない時には、その保磁力は略３００［Ｏｃ］で、Ｓｉ
Ｏ2 の膜厚を順次厚くしていくと、保磁力の増加が顕著
に表れ、膜厚が２ｎｍ以上になると、略８００［Ｏｃ］
と一定になることが分かる。
【００２９】したがって、ＳｉＯ2 の成膜により、その
効果が顕著に表れることが確認できる。この膜厚は、生
産性等を考慮して２ｎｍが適当であると思われる。
効果が顕著に表れることが確認できる。この膜厚は、生
産性等を考慮して２ｎｍが適当であると思われる。
【００３０】
【００１５】また、図４は、ＳｉＯ2 の膜厚を２ｎｍに
一定にし、ＳｉＯ2 の成膜後から磁気記憶層の成膜まで
の時間と、保磁力との関係を示した図である。
一定にし、ＳｉＯ2 の成膜後から磁気記憶層の成膜まで
の時間と、保磁力との関係を示した図である。
【００３１】同図に示すように、その全体において、略
８００［Ｏｃ］前後とほぼ一定の値を示し、磁気記憶層
の成膜までの時間にはほとんど左右されないことが分か
る。
８００［Ｏｃ］前後とほぼ一定の値を示し、磁気記憶層
の成膜までの時間にはほとんど左右されないことが分か
る。
【００３２】
【００１６】また、ＳｉＯ2 を成膜したディスクの光記
録情報のエラ−レ−トを測定したが、その結果はＣ１エ
ラ−（ビット単位のエラ−）が０．０４％以下で、Ｓｉ
Ｏ2を成膜していないディスクと同等であり、ＳｉＯ2
を成膜したことによりＣ１エラ−が増加していないこと
が確認された。
録情報のエラ−レ−トを測定したが、その結果はＣ１エ
ラ−（ビット単位のエラ−）が０．０４％以下で、Ｓｉ
Ｏ2を成膜していないディスクと同等であり、ＳｉＯ2
を成膜したことによりＣ１エラ−が増加していないこと
が確認された。
【００３３】これは、このディスクが装置に装着される
際には、最下面側の保護層４ａを介して、装置側のレ−
ザ−光により光情報ピット列１ａの情報が読み取られる
ことから、この保護層４ａを設けることによって、Ｃ１
エラ−が増加しないかを確認したものである。
際には、最下面側の保護層４ａを介して、装置側のレ−
ザ−光により光情報ピット列１ａの情報が読み取られる
ことから、この保護層４ａを設けることによって、Ｃ１
エラ−が増加しないかを確認したものである。
【００３４】
【００１７】上述したことから明らかなように、本実施
例のディスクによれば、特に、吸湿性の高い樹脂製から
成る基板１と保護層３との一面側に吸湿性の少ないＳｉ
Ｏ2を夫々成膜したので、磁気記憶層を成膜する際に発
生する熱により、基板１及び保護層３内、或いは、表面
部に付着した水分の蒸発を防止でき、磁性記憶層に悪影
響を及ぼすこと無く、高保磁力が得られる。
例のディスクによれば、特に、吸湿性の高い樹脂製から
成る基板１と保護層３との一面側に吸湿性の少ないＳｉ
Ｏ2を夫々成膜したので、磁気記憶層を成膜する際に発
生する熱により、基板１及び保護層３内、或いは、表面
部に付着した水分の蒸発を防止でき、磁性記憶層に悪影
響を及ぼすこと無く、高保磁力が得られる。
【００３５】また、蒸発した水分を排気する必要がな
く、しかも、その保磁力がＳｉＯ2 の成膜から磁気記憶
層の成膜までの時間には左右されないので、磁気記憶層
成膜に至る時間が短くてすみ、量産に適したディスクを
提供できる。
く、しかも、その保磁力がＳｉＯ2 の成膜から磁気記憶
層の成膜までの時間には左右されないので、磁気記憶層
成膜に至る時間が短くてすみ、量産に適したディスクを
提供できる。
【００３６】
【００１８】尚、上述の実施例によれば、吸湿防止層４
ａ，４ｂをＳｉＯ2 で形成したが、これに限ることはな
く、ＴｉＯ2 、ＭｇＦ2 、ＣｅＦ3 、ＣｅＯ2 、Ｚｎ
Ｓ、Ａｌ2 Ｏ3 、又は、ＺｒＯ3 等の薄膜で透明度が大
きく吸湿性の少ない材質であれば良い。
ａ，４ｂをＳｉＯ2 で形成したが、これに限ることはな
く、ＴｉＯ2 、ＭｇＦ2 、ＣｅＦ3 、ＣｅＯ2 、Ｚｎ
Ｓ、Ａｌ2 Ｏ3 、又は、ＺｒＯ3 等の薄膜で透明度が大
きく吸湿性の少ない材質であれば良い。
【００３７】また、上述の実施例では、吸湿防止層を２
層設けた構成になっていが、例えば、金属膜２及び保護
層３を省略して、磁気記憶層５を直接光情報ピット列１
ａの上面に形成して、磁気記憶層５を光反射部として兼
用するような構成とする場合には、吸湿防止層４ｂを省
略して１層にするものである。
層設けた構成になっていが、例えば、金属膜２及び保護
層３を省略して、磁気記憶層５を直接光情報ピット列１
ａの上面に形成して、磁気記憶層５を光反射部として兼
用するような構成とする場合には、吸湿防止層４ｂを省
略して１層にするものである。
【００３８】
【００１９】
【００３９】
【発明の効果】本発明の情報記憶媒体によれば、特に、
磁性記憶層を形成にする際に発生する熱により、樹脂基
板内、或いは、その表面部に付着した水分の蒸発を防止
でき、磁性記憶層に悪影響を及ぼすこと無く、高保磁力
が得られる。
磁性記憶層を形成にする際に発生する熱により、樹脂基
板内、或いは、その表面部に付着した水分の蒸発を防止
でき、磁性記憶層に悪影響を及ぼすこと無く、高保磁力
が得られる。
【００４０】また、蒸発した水分の排気に時間を要せ
ず、量産に適したディスクを提供できる等の効果を奏す
る。
ず、量産に適したディスクを提供できる等の効果を奏す
る。
【図１】本発明の一実施例に係るディスクの概略縦断面
図である。
図である。
【図２】本発明の一実施例に係るディスクの基体部Ａの
概略縦断面図である。
概略縦断面図である。
【図３】本発明の実施例に係るディスクの磁気記憶層
と、吸湿防止層の膜厚を変化させた時の保磁力との関係
を示した図である。
と、吸湿防止層の膜厚を変化させた時の保磁力との関係
を示した図である。
【図４】本発明の実施例に係る磁気記憶層の成膜まで時
間と、保磁力との関係を示した図である。
間と、保磁力との関係を示した図である。
１ 基板 ２ 金属膜 ３，６ 保護層 ４ａ，４ｂ 吸湿防止層 ５ 磁気記憶層 ７ 潤滑層 Ａ 基体部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年９月２１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の詳細な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光情報記憶部と磁気記
憶層とを有する情報記憶媒体に関する。
憶層とを有する情報記憶媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、透明な樹脂基板を用いた光ディス
クに、書換え可能な磁気記憶層を設けた記憶ディスクの
提案がなされている（特開平５−５４４６１号他参
照）。このような記憶ディスクによれば、記憶容量が増
すと共に、随時書き込み及び読み出しが可能な便利な媒
体である。
クに、書換え可能な磁気記憶層を設けた記憶ディスクの
提案がなされている（特開平５−５４４６１号他参
照）。このような記憶ディスクによれば、記憶容量が増
すと共に、随時書き込み及び読み出しが可能な便利な媒
体である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した媒
体は基板に樹脂基板を用いており、この樹脂基板は吸湿
性が高く、磁気記憶層の成膜時の熱の発生により、樹脂
基板内に含まれた水分や、その表面部に付着した水分が
蒸発して、磁気記憶層の特性に悪影響を与えていた。こ
の場合、時間をかけて水分を排気すれば良いが、生産効
率が悪くなってしまうと言う問題があった。本発明の目
的は、このような問題点を解決することにある。
体は基板に樹脂基板を用いており、この樹脂基板は吸湿
性が高く、磁気記憶層の成膜時の熱の発生により、樹脂
基板内に含まれた水分や、その表面部に付着した水分が
蒸発して、磁気記憶層の特性に悪影響を与えていた。こ
の場合、時間をかけて水分を排気すれば良いが、生産効
率が悪くなってしまうと言う問題があった。本発明の目
的は、このような問題点を解決することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、次の１）及び２）の構成より成る情報
記録媒体を提供することにある。すなわち、 １）透光性の樹脂基板の一面側に、少なくとも、光情報
記憶部と磁気記憶層とが設けられた情報記憶媒体におい
て、前記樹脂基板の両面又は他面側に透明な吸湿性の少
ない薄膜層を形成したことを特徴とする情報記憶媒体。
解決するために、次の１）及び２）の構成より成る情報
記録媒体を提供することにある。すなわち、 １）透光性の樹脂基板の一面側に、少なくとも、光情報
記憶部と磁気記憶層とが設けられた情報記憶媒体におい
て、前記樹脂基板の両面又は他面側に透明な吸湿性の少
ない薄膜層を形成したことを特徴とする情報記憶媒体。
【０００５】２）請求項１記載の情報記憶媒体におい
て、透明な吸湿性の少ない薄膜層を、ＳｉＯ２、ＴｉＯ
２、ＭｇＦ２、ＣｅＦ３、ＣｅＯ２、ＺｎＳ、Ａｌ２Ｏ
３、又は、ＺｒＯ３で形成したことを特徴とする情報記
憶媒体。
て、透明な吸湿性の少ない薄膜層を、ＳｉＯ２、ＴｉＯ
２、ＭｇＦ２、ＣｅＦ３、ＣｅＯ２、ＺｎＳ、Ａｌ２Ｏ
３、又は、ＺｒＯ３で形成したことを特徴とする情報記
憶媒体。
【０００６】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
き説明する。図１は、その一実施例に係る情報記憶媒体
（以下、単にディスクと称す）の概略縦断面図で、中央
部に図示しない装置側の装着台挿入用の孔が形成され、
円形の外形を呈している。図２は、その実施例に係るデ
ィスクの基体部Ａの概略縦断面図である。
き説明する。図１は、その一実施例に係る情報記憶媒体
（以下、単にディスクと称す）の概略縦断面図で、中央
部に図示しない装置側の装着台挿入用の孔が形成され、
円形の外形を呈している。図２は、その実施例に係るデ
ィスクの基体部Ａの概略縦断面図である。
【０００７】基体部Ａは、その最下面側に、上部に光情
報ピット列１ａ，…を設けた透光性のポリカーボネード
から成る基板１が、原盤により複製されて設けられ、こ
れらのピット列１ａの上面には、装置側からの情報読み
出し用のレーザー光を反射させるためのアルミＡｌから
成る金属膜２がスパッタリングにより蒸着されている。
そして、この上面にフォトポリマーから成る保護層３が
塗布された構成となっている。この基体部Ａの構成は、
従来より一般に使用されている光ディスクの構成と同一
構成で、この基体部Ａのみで、従来の光ディスクと同様
の作用効果が得られる。
報ピット列１ａ，…を設けた透光性のポリカーボネード
から成る基板１が、原盤により複製されて設けられ、こ
れらのピット列１ａの上面には、装置側からの情報読み
出し用のレーザー光を反射させるためのアルミＡｌから
成る金属膜２がスパッタリングにより蒸着されている。
そして、この上面にフォトポリマーから成る保護層３が
塗布された構成となっている。この基体部Ａの構成は、
従来より一般に使用されている光ディスクの構成と同一
構成で、この基体部Ａのみで、従来の光ディスクと同様
の作用効果が得られる。
【０００８】次に、この基体部Ａの両面には、本発明の
要部となるＳｉＯ２から成る吸湿防止層４ａ，４ｂが夫
々成膜されている。このＳｉＯ２の成膜には、一般に使
用されているＲＦスパッタ装置が用いられ、次の条件に
より成膜された。この時、ＳｉＯ２の膜厚は、１ｎｍか
ら３０ｎｍまで変化させて、適正な膜厚とされたもので
ある。
要部となるＳｉＯ２から成る吸湿防止層４ａ，４ｂが夫
々成膜されている。このＳｉＯ２の成膜には、一般に使
用されているＲＦスパッタ装置が用いられ、次の条件に
より成膜された。この時、ＳｉＯ２の膜厚は、１ｎｍか
ら３０ｎｍまで変化させて、適正な膜厚とされたもので
ある。
【０００９】 Ａｒガス圧力 １０ｍ Ｔｏｒｒ ＤＣパワー ５ｋＷ 成膜速度 ０．５ｎｍ／ｓｅｃ 膜厚 １〜３０ｎｍ ターゲット基板間距離 ６０ｍｍ
【００１０】その後、一方の吸湿防止層４ｂの上面に
は、記憶容量を増加し、書き込み可能な磁気記憶層５が
設けられる。この時の成膜は、上述のＳｉＯ２の成膜終
了後、一旦、ディスクを大気中に取り出した後、行った
ものである。
は、記憶容量を増加し、書き込み可能な磁気記憶層５が
設けられる。この時の成膜は、上述のＳｉＯ２の成膜終
了後、一旦、ディスクを大気中に取り出した後、行った
ものである。
【００１１】また、磁気記憶層５の上層には、スパッタ
リングによりカーボンが２５ｎｍの厚さで保護層６とし
て設けられ、更に、最上面には２０〜３０オングストロ
ームの厚さで潤滑層７が塗布されている。
リングによりカーボンが２５ｎｍの厚さで保護層６とし
て設けられ、更に、最上面には２０〜３０オングストロ
ームの厚さで潤滑層７が塗布されている。
【００１２】前述の磁気記憶層５の成膜に際しては、デ
ィスクを真空チャンバーに導入後、約２秒間ロータリー
ポンプで排気し、その排気系をクライオポンプに切り換
え、３秒後に直ちにスパッタリングを行って成膜したも
のである。
ィスクを真空チャンバーに導入後、約２秒間ロータリー
ポンプで排気し、その排気系をクライオポンプに切り換
え、３秒後に直ちにスパッタリングを行って成膜したも
のである。
【００１３】その時のスパッタ条件は次の通りである。 材料 ＣｏＮｉ１６．３Ｃｒ８．６
Ｐｔ６（成膜後組成） Ａｒガス圧力 ２０ｍ Ｔｏｒｒ ＲＦパワー ９ｋＷ 成膜速度 約１３０／ｓｅｃ 膜厚 ０．２μｍ ターゲット基板間距離 ７６ｍｍ
Ｐｔ６（成膜後組成） Ａｒガス圧力 ２０ｍ Ｔｏｒｒ ＲＦパワー ９ｋＷ 成膜速度 約１３０／ｓｅｃ 膜厚 ０．２μｍ ターゲット基板間距離 ７６ｍｍ
【００１４】図３は、このように成膜された磁気記憶層
５と、前述のＳｉＯ２の膜厚を変化させた時の保磁力
（Ｈｃ）との関係を示した図である。尚、ＳｉＯ２の成
膜後、磁気記憶層５の成膜までの時間は、１時間に統一
して行われたものである。同図に示すように、ＳｉＯ２
が形成されていない時には、その保磁力は略３００［Ｏ
ｅ］で、ＳｉＯ２の膜厚を順次厚くしていくと、保磁力
の増加が顕著に表れ、膜厚が２ｎｍ以上になると、略８
００［Ｏｅ］と一定になることが分かる。したがって、
ＳｉＯ２の成膜により、その効果が顕著に表れることが
確認できる。この膜厚は、生産性等を考慮して２ｎｍが
適当であると思われる。
５と、前述のＳｉＯ２の膜厚を変化させた時の保磁力
（Ｈｃ）との関係を示した図である。尚、ＳｉＯ２の成
膜後、磁気記憶層５の成膜までの時間は、１時間に統一
して行われたものである。同図に示すように、ＳｉＯ２
が形成されていない時には、その保磁力は略３００［Ｏ
ｅ］で、ＳｉＯ２の膜厚を順次厚くしていくと、保磁力
の増加が顕著に表れ、膜厚が２ｎｍ以上になると、略８
００［Ｏｅ］と一定になることが分かる。したがって、
ＳｉＯ２の成膜により、その効果が顕著に表れることが
確認できる。この膜厚は、生産性等を考慮して２ｎｍが
適当であると思われる。
【００１５】また、図４は、ＳｉＯ２の膜厚を２ｎｍに
一定にし、ＳｉＯ２の成膜後から磁気記憶層の成膜まで
の時間と、保磁力との関係を示した図である。同図に示
すように、その全体において、略８００［Ｏｅ］前後と
ほぼ一定の値を示し、磁気記憶層の成膜までの時間には
ほとんど左右されないことが分かる。
一定にし、ＳｉＯ２の成膜後から磁気記憶層の成膜まで
の時間と、保磁力との関係を示した図である。同図に示
すように、その全体において、略８００［Ｏｅ］前後と
ほぼ一定の値を示し、磁気記憶層の成膜までの時間には
ほとんど左右されないことが分かる。
【００１６】また、ＳｉＯ２を成膜したディスクの光記
録情報のエラーレートを測定したが、その結果はＣ１エ
ラー（ビット単位のエラー）が０．０４％以下で、Ｓｉ
Ｏ２を成膜していないディスクと同等であり、ＳｉＯ２
を成膜したことによりＣ１エラーが増加していないこと
が確認された。これは、このディスクが装置に装着され
る際には、最下面側の保護層４ａを介して、装置側のレ
ーザー光により光情報ピット列１ａの情報が読み取られ
ることから、この保護層４ａを設けることによって、Ｃ
１エラーが増加しないかを確認したものである。
録情報のエラーレートを測定したが、その結果はＣ１エ
ラー（ビット単位のエラー）が０．０４％以下で、Ｓｉ
Ｏ２を成膜していないディスクと同等であり、ＳｉＯ２
を成膜したことによりＣ１エラーが増加していないこと
が確認された。これは、このディスクが装置に装着され
る際には、最下面側の保護層４ａを介して、装置側のレ
ーザー光により光情報ピット列１ａの情報が読み取られ
ることから、この保護層４ａを設けることによって、Ｃ
１エラーが増加しないかを確認したものである。
【００１７】上述したことから明らかなように、本実施
例のディスクによれば、特に、吸湿性の高い樹脂製から
成る基板１と保護層３との一面側に吸湿性の少ないＳｉ
Ｏ２を夫々成膜したので、磁気記憶層を成膜する際に発
生する熱により、基板１及び保護層３内、或いは、表面
部に付着した水分の蒸発を防止でき、磁性記憶層に悪影
響を及ぼすこと無く、高保磁力が得られる。また、蒸発
した水分を排気する必要がなく、しかも、その保磁力が
ＳｉＯ２の成膜から磁気記憶層の成膜までの時間には左
右されないので、磁気記憶層成膜に至る時間が短くてす
み、量産に適したディスクを提供できる。
例のディスクによれば、特に、吸湿性の高い樹脂製から
成る基板１と保護層３との一面側に吸湿性の少ないＳｉ
Ｏ２を夫々成膜したので、磁気記憶層を成膜する際に発
生する熱により、基板１及び保護層３内、或いは、表面
部に付着した水分の蒸発を防止でき、磁性記憶層に悪影
響を及ぼすこと無く、高保磁力が得られる。また、蒸発
した水分を排気する必要がなく、しかも、その保磁力が
ＳｉＯ２の成膜から磁気記憶層の成膜までの時間には左
右されないので、磁気記憶層成膜に至る時間が短くてす
み、量産に適したディスクを提供できる。
【００１８】尚、上述の実施例によれば、吸湿防止層４
ａ，４ｂをＳｉＯ２で形成したが、これに限ることはな
く、ＴｉＯ２、ＭｇＦ２、ＣｅＦ３、ＣｅＯ２、Ｚｎ
Ｓ、Ａｌ２Ｏ３、又は、ＺｒＯ３等の薄膜で透明度が大
きく吸湿性の少ない材質であれば良い。また、上述の実
施例では、吸湿防止層を２層設けた構成になっている
が、例えば、金属膜２及び保護層３を省略して、磁気記
憶層５を直接光情報ピット列１ａの上面に形成して、磁
気記憶層５を光反射部として兼用するような構成とする
場合には、吸湿防止層４ｂを省略して１層にするもので
ある。
ａ，４ｂをＳｉＯ２で形成したが、これに限ることはな
く、ＴｉＯ２、ＭｇＦ２、ＣｅＦ３、ＣｅＯ２、Ｚｎ
Ｓ、Ａｌ２Ｏ３、又は、ＺｒＯ３等の薄膜で透明度が大
きく吸湿性の少ない材質であれば良い。また、上述の実
施例では、吸湿防止層を２層設けた構成になっている
が、例えば、金属膜２及び保護層３を省略して、磁気記
憶層５を直接光情報ピット列１ａの上面に形成して、磁
気記憶層５を光反射部として兼用するような構成とする
場合には、吸湿防止層４ｂを省略して１層にするもので
ある。
【００１９】
【発明の効果】本発明の情報記憶媒体によれば、特に、
磁性記憶層を形成にする際に発生する熱により、樹脂基
板内、或いは、その表面部に付着した水分の蒸発を防止
でき、磁性記憶層に悪影響を及ぼすこと無く、高保磁力
が得られる。また、蒸発した水分の排気に時間を要せ
ず、量産に適したディスクを提供できる等の効果を奏す
る。
磁性記憶層を形成にする際に発生する熱により、樹脂基
板内、或いは、その表面部に付着した水分の蒸発を防止
でき、磁性記憶層に悪影響を及ぼすこと無く、高保磁力
が得られる。また、蒸発した水分の排気に時間を要せ
ず、量産に適したディスクを提供できる等の効果を奏す
る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係るディスクの概略縦断面
図である。
図である。
【図２】本発明の一実施例に係るディスクの基体部Ａの
概略縦断面図である。
概略縦断面図である。
【図３】本発明の実施例に係るディスクの磁気記憶層
と、吸湿防止層の膜厚を変化させた時の保磁力との関係
を示した図である。
と、吸湿防止層の膜厚を変化させた時の保磁力との関係
を示した図である。
【図４】本発明の実施例に係る磁気記憶層の成膜までの
時間と、保磁力との関係を示した図である。
時間と、保磁力との関係を示した図である。
【符号の説明】 １ 基板 ２ 金属膜 ３，６ 保護層 ４ａ，４ｂ 吸湿防止層 ５ 磁気記憶層 ７ 潤滑層 Ａ 基体部
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
Claims (2)
- 【請求項１】透光性の樹脂基板の一面側に、少なくと
も、光情報記憶部と磁気記憶層とが設けられた情報記憶
媒体において、前記樹脂基板の他面側に透明な吸湿性の
少ない薄膜層を形成したことを特徴とする情報記憶媒
体。 - 【請求項２】請求項１記載の情報記憶媒体において、透
明な吸湿性の少ない薄膜層を、ＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 、Ｍ
ｇＦ2 、ＣｅＦ3 、ＣｅＯ2 、ＺｎＳ、Ａｌ2 Ｏ3 、又
は、ＺｒＯ3 で形成したことを特徴とする情報記憶媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6055152A JPH07244887A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 情報記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6055152A JPH07244887A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 情報記憶媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07244887A true JPH07244887A (ja) | 1995-09-19 |
Family
ID=12990787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6055152A Pending JPH07244887A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 情報記憶媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07244887A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1318512A1 (en) * | 2001-12-07 | 2003-06-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for manufacturing the same, and method for recording and/or reproducing optical information |
| CN100377174C (zh) * | 2004-09-22 | 2008-03-26 | 索尼株式会社 | 存储卡 |
| KR20080048842A (ko) * | 2006-11-29 | 2008-06-03 | 엘지전자 주식회사 | 광기록매체 및 그 제조방법 |
| JP2012164372A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Sony Corp | 光情報記録媒体の製造方法および光情報記録媒体 |
-
1994
- 1994-02-28 JP JP6055152A patent/JPH07244887A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1318512A1 (en) * | 2001-12-07 | 2003-06-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for manufacturing the same, and method for recording and/or reproducing optical information |
| US6863946B2 (en) | 2001-12-07 | 2005-03-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for manufacturing the same, and method for recording and/or reproducing optical information |
| CN100377174C (zh) * | 2004-09-22 | 2008-03-26 | 索尼株式会社 | 存储卡 |
| KR20080048842A (ko) * | 2006-11-29 | 2008-06-03 | 엘지전자 주식회사 | 광기록매체 및 그 제조방법 |
| JP2012164372A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Sony Corp | 光情報記録媒体の製造方法および光情報記録媒体 |
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