TWI230562B - Manufacturing method for display device, display device, manufacturing method for electronic apparatus, and electronic apparatus - Google Patents

Manufacturing method for display device, display device, manufacturing method for electronic apparatus, and electronic apparatus Download PDF

Info

Publication number
TWI230562B
TWI230562B TW092100350A TW92100350A TWI230562B TW I230562 B TWI230562 B TW I230562B TW 092100350 A TW092100350 A TW 092100350A TW 92100350 A TW92100350 A TW 92100350A TW I230562 B TWI230562 B TW I230562B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
storage
manufacturing
functional layer
display device
Prior art date
Application number
TW092100350A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200302033A (en
Inventor
Shunichi Seki
Hideyuki Kimura
Naoki Yamamoto
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of TW200302033A publication Critical patent/TW200302033A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI230562B publication Critical patent/TWI230562B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J25/00—Actions or mechanisms not otherwise provided for
    • B41J25/001—Mechanisms for bodily moving print heads or carriages parallel to the paper surface
    • B41J25/003—Mechanisms for bodily moving print heads or carriages parallel to the paper surface for changing the angle between a print element array axis and the printing line, e.g. for dot density changes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/135—Nozzles
    • B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
    • B41J2002/14395—Electrowetting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/151—Copolymers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/621—Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride or perylene tetracarboxylic di-imide
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Description

1230562 ⑴ 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於顯示裝置之製造方法、顯示裝置、電子 機器之製造方法及電子機器。 【先前技術】 近年來，實施將有機螢光材料等之功能材料予以墨水化 ’而採用藉由將該墨水（組成物）吐出於基材上之噴墨法 ’實施功能材料之圖樣形成之方法，而在於一對之電極間挾 持由該功能材料所形成之功能層之構造之彩色顯示裝置。特 別是做爲功能材料而使用了有機發光材料之有機EL (電激 發光）顯示裝置之開發。 做爲上述功能材料之圖樣形成法，例如，採用形成於基 體上由ITO等所成之像素電極之周圍形成儲存部，接著， 將像素電極及鄰接於此像素電極之部份上述儲存部處理成 爲親液性，同時將儲存部之剩下之部份處理成撥液性，接 著將包含功能層之構成材料之組成物藉由吐出於像素電極之 大致中央位置使之乾燥，由而在於像素電極上形成功能層之 方法。 依此先前技術之方法時，即使有吐出之組成物之從儲 存部溢出時，仍由儲存部之被撥液處理之部份所排斥而不 會流入於鄰接之其他像素電極上，因而可以正確的貫施圖樣 形成。 在於先前之方法中，雖然吐出後之組成物係從像素電極 (2) 1230562 極之中央而朝向周圍均一地溼潤擴展，惟在於被親水處理 之儲存部之一部份即不容易溫濡擴開，因而發生每一像素 電極地發生功能層之塗覆之不均勻之情形成。這是由於部 份被親水處理之儲存部係非常微小之領域，且位於像素電 極之周圍，因此受表面張力之關係下組成物不容易溼潤擴 展之緣故。 【發明內容】 _ 發明之揭示 本發明係鑑於上述情況所開發完成。其目的爲：提供 一種顯示裝置及該製造方法，在每個像素電極不會產生功 能層的塗佈不勻，且得到優異的顯示品質。 爲了達成上述目的，本發明係採用下述之構成。 本發明之顯不裝置之製造方法，乃藉由形成於基體上 之複數之電極之周圍形成儲存部，同時自複數之噴嘴吐出 組成物，且個別形成於各上述電極上的上述功能層，由而 鲁 在於形成於各上述電極上之各功能層之間，具備了讓儲存 部構成之顯示裝置之製造方法，其特徵爲： 讓上述複數之噴嘴之被排列配置而成之噴嘴列，對於 主掃瞄方向且令傾斜狀態地一面掃瞄上述基體上，一面在 各功能層逐一地吐出，令最初吐出之上述組成物之液滴， 至少接觸於部份上述儲存部。 依此顯示裝置之製造方法時，藉由在各功能層逐一地 令最初吐出之上述組成物之液滴，至少接觸於部份上述儲 -7- (3) (3)1230562 存部’爲了讓該液滴從儲存部而滾入於電極表面，因此可 優先的將組成物之液滴溼潤擴展於電極之周圍，且均句塗 佈組成物，由而可以形成膜厚大致上均一之功能層。 又，本發明之顯示裝置之製造方法，係上述之顯示裝 置之製造方法，其特徵爲： 在於上述儲存部設有：被處理成爲親液性之部份、及 被處理成爲撥液性之部份，而令上述組成物之液滴接觸於 上述被處理成爲撥液性之部份。 φ 依此顯示裝置之製造方法時，由於令上述組成物之液 滴接觸於儲存部之被處理成爲撥液性之部份，所以可以使 液滴從儲存部而迅速地滾入於電極表面，可將組成物之液 滴迅速且優先的使之濕潤擴展於電極之周圍。 又本發明之顯示裝置之製造方法，係上述之顯示裝置 之製造方法，其特徵爲： 由被處理成爲親液性之第1儲存層及被處理成爲撥液 性之第2儲存層來形成上述儲存部，同時，將上述第1儲 鲁 存層可與部份上述電極重疊而予以形成。 依此顯示裝置之製造方法時，因爲被處理成爲親液性 之第1儲存層可與部份上述電極重疊而予以形成，所以組 成物係較電極先溼潤擴展於第1儲存層，由而可以均勻的 塗佈組成物。 接著，本發明之顯示裝置之製造方法，乃於形成於基 體上之複數之電極上所形成之各功能層，同時於上述之各功 能層之間，具備有讓儲存部構成之顯示裝置之製造方法中， -8- (4) 1230562 中，其特徵爲： 具備：與部份上述電極重疊而形成上述儲存部之儲存 部形成製程、及至少將部份上述電極處理成爲親液性之親 液化製程、及將部份上述儲存部處理成爲撥液性之撥液化 製程、及從複數之噴嘴吐出組成物，而在各上述電極上形 成至少一層之功能層之功能層形成製程、以及在於上述功 能層上，形成對向電極之對向電極形成製程， 而在於上述功能層形成製程中，令上述複數之噴嘴之 排列配置而成之噴嘴列，對於主掃瞄方向且令傾斜狀態地 一面掃瞄於上述基體上，一面在各功能層逐一地吐出，令 最初吐出之上述組成物之液滴，至少接觸於部份上述儲存 部。 依此顯示裝置之製造方法時，藉由各功能層逐一地令 最初吐出之上述組成物之液滴，至少接觸於部份上述儲存 部，爲了讓該液滴從儲存部而滾入於電極表面，由而優先 的將組成物之液滴溼潤擴展於電極之周圍，均勻地塗佈組 成物，由而可形成膜厚大致均一之功能層。 又，本發明之顯示裝置之製造方法，乃上述之顯示裝 置之製造方法，其特徵爲： 由：藉由上述親液化製程被處理成爲親液性之第1儲 存層、及藉由上述撥液化製程被處理成爲撥液性之第2儲 存層來形成上述儲存部，同時，將上述第1儲存層可與部 份上述電極重疊而予以形成。 依此顯示裝置之製造方法時，由於被處理成爲親液性 -9- (5) (5)1230562 之苐1儲存層可與部份上述電極重疊而予以形成，所以組 成物係比電極先溼潤擴展於第1儲存層，由而可均句地塗 佈組成物。 又本發明之顯示裝置之製造方法，乃上述之顯示裝置 之製造方法，其特徵爲：上述功能層係至少包含正孔注入 /輸送層。 又’本發明之顯示裝置之製造方法，係上述之顯示裝 置之製造方法，其特徵爲：上述功能層係至少包含發光層 〇 依此顯示裝置之製造方法時，由於上述功能層係成爲 包含正孔注入/輸送層或發光層，所以可形成膜厚大致均 一之正孔注入/輸送層或發光層。 又，在於上述功能層形成製程中，藉由複數次吐出上 述組成物之液滴來形成各上述功能層，同時令各液滴之滴 下時之間隔比上述液滴之直徑爲窄亦可以。此時對於各功 能層之上述噴嘴列之掃瞄次數係一次就可以。 又，在於上述功能層形成製程中，藉由複數次吐出上 述組成物之液滴來形成各上述功能層，同時令各液滴之滴 下時之間隔，比上述液滴之直徑爲寬爲宜。 此時對於各功能層之上述噴嘴列之掃瞄次數係一次也 好，複數次亦可。又掃瞄次數定爲複數次時，對於各功能 層之每一次上述噴嘴列之掃瞄，使用別的噴嘴爲宜。 再者，作爲使用上述別的噴嘴之手段，對於各功能層 之每一次上述噴嘴列之掃瞄，藉由令上述噴嘴列之朝副掃 -10- (6) (6)1230562 瞄方向移動，由而達成每一次掃瞄可使用別的噴嘴。 依此顯示裝置之製造方法時，藉由每一次噴嘴列之掃 瞄使用別的噴嘴，由而可以使每一噴嘴之組成物之吐出量 之偏差之平均化，由而可減低每一功能層之膜厚之偏差’ 由而可以製造出顯示品質優異之顯示裝置。 接著，本發明之顯示裝置，其特徵爲：藉由上述之任 一顯示裝置之製造方法所製造。 依此顯示裝置時’因藉由上述之顯示裝置之製造方法 所製造，因此可以減低每一功能層之膜厚之偏差（不均勻 )，不遺漏，同時可以形成均勻的功能層，由而可以提高 顯不裝置之顯不品質。 接著，本發明之電子機器之製造方法，係藉由 具備：在於形成於基體上之複數之電極之周圍形成儲 存部，同時自複數之噴嘴吐出組成物，且個別形成於各上 述電極上的上述功能層，由而在於形成於各上述電極上之 各功能層之間，備有讓儲存部構成顯示裝置、及爲了驅動 上述顯示裝置之驅動電路，其特徵爲： 讓上述複數之噴嘴之排列配置而成之噴嘴列，對於主 掃瞄方向且令傾斜狀態地一面掃瞄於上述基體上，一面在 各功能層逐一地吐出，令最初吐出之上述組成物之液滴， 至少接觸於部份上述儲存部。 依此電子機器之製造方法時，藉由在各功能層逐一地 令最初吐出之上述組成物之液滴，至少接觸於部份上述儲 存部，爲了讓該液滴從儲存部而滾入於電極表面，因此可 -11 - (7) 1230562 成物，由而可形成膜厚大致均一之功能層。 又’本發明之電子機器之製造方法，乃如上述之電子 機器之製造方法，其特徵爲： 在於上述儲存部設有：被處理成爲親液性之部份、及 被處理成爲撥液性之部份，而令上述組成物之液滴接觸於 上述被處理成爲撥液性之部份。 依此電子機器之製造方法時，由於令上述組成物之液 滴接觸於儲存部之被處理成爲撥液性之部份，由而可使液 · 滴從儲存部而迅速地滾入於電極表面，可使組成物之液滴 迅速且優先的溼潤擴展於電極之周圍。 又，本發明之電子機器之製造方法，乃上述之電子機 器之製造方法，其特徵爲： 由被處理成爲親液性之第1儲存層及被處理成爲撥液 性之第2儲存層來形成上述儲存部，同時令上述第1儲存 層可與部份上述電極重疊而予以形成。 依此電子機器之製造方法時，由於被處理成親液性之第 · 1儲存層可與部份上述電極重疊合而予以形成，因此組成物 係比電極先溼潤擴展於第1儲存層，由而可均勻塗佈組成 物。 再者，本發明之電子機器之製造方法，乃具備：於形成 於基體上之複數之電極上所形成之各個功能層，同時，於上 述各功能層之間，具備有讓儲存部構成之顯示裝置、以及 用於驅動上述顯示裝置之驅動電路，其特徵爲：具備：與 部份上述電極重疊而形成上述儲存部之儲存部形成製程、 -12- (8) 1230562 :與部份上述電極重疊而形成上述儲存部之儲存部形成製 程、及至少將部份上述電極處理成爲親液性之親液性製程 、及將部份上述儲存部處理成爲撥液性之撥液化製程、及 從複數之噴嘴吐出組成物，而在於各上述電極上形成至少 一層之功能層之功能層形成製程、以及在於上述功能層上 ，形成對向電極之對向電極形成製程，而在於上述功能層 形成製程中，令上述複數之噴嘴排列配置而成之噴嘴列， 對於主掃瞄方向且令傾斜狀態地一面掃瞄於上述基體上， 一面在各功能層逐一地吐出，令最初吐出之上述組成物之 液滴，至少接觸於部份上述儲存部。 依此電子機器之製造方法時，藉由各功能層逐一地最 初吐出之上述組成物之液滴接觸於上述儲存部之至少一部 份，爲了讓此液滴從儲存部而滾入於電極表面，因此優先 的將組成物之液滴溼潤擴展於電極之周圍，均勻地塗佈組 成物，由而以形成膜厚大致均一之功能層。 又，本發明之電子機器之製造方法，乃上述之電子機 器之製造方法，其特徵爲： 由：藉由上述親液化製程被處理成爲親液性之第1儲 存層、及藉由上述撥液化製程被處理成爲撥液性之第2儲 存層來形成上述儲存部。同時，將上述第1儲存層能與部 份上述電極重疊而予以形成。 依此電子機器之製造方法時，由於被處理成爲親液性 之第1儲存層係能與部份上述電極重疊而予以形成，所以 組成物係比電極先濕潤擴展於第1儲存層，由而能均勻塗 -13- (9) 1230562 又，本發明之電子機器之製造方法，乃上述之電子機 器之製造方法，其特徵爲：上述功能層係至少包含正孔注 入/輸送層。 又’本發明之電子機器之製造方法，乃上述之電子機 器之製造方法，其特徵爲：上述功能層至少包含發光層。 依此電子機器之製造方法時，上述功能層係包含正孔 注入/輸送層或發光層，所以可以形成膜厚大致均一之正 孔注入/輸送層或發光層。 φ 又，在於上述功能層形成製程中，藉由複數次吐出上 述組成物之液滴，由而形成各上述功能層，同時令各液滴 之滴下時之間隔比上述液滴之直徑爲窄亦可以。 此時對於各功能層之上述噴嘴列之掃瞄次數係一次就 可以。 再者，在於上述功能層形成製程中，藉由複數次地吐 出上述組成物之液滴，由而形成各上述功能層，同時令各 液滴之滴下時之間隔比上述液滴之直徑爲寬爲宜。 鲁 此時對於各功能層之上述噴嘴列之掃瞄次數係一次就 可以，複數次也可以。 又，掃瞄次數爲複數次時，對於各功能層之每一次上 述噴嘴列之掃瞄，使用別的噴嘴爲宜。 又，作爲使用上述別的噴嘴之手段，對於各功能層之 每一次上述噴嘴列之掃瞄，藉由令上述噴嘴列朝副掃瞄方 向移動，由而達成每一次掃瞄可使用別的噴嘴。 依此電子機器之製造方法時，藉由每一次噴嘴列之掃 -14- (10) 1230562 瞄使用別的噴嘴，由而可以使每一噴嘴之組成物之吐出量 之偏差之平均化，可以減低母一*功能層之膜厚之偏差，由 而可以製造出顯示品質優異之電子機器。 其次，本發明之電子機器係依上述之任一電子機器之 製造方法所製造。 依此電子機器時，一方面可以減低各功能層之膜厚之 偏差（不均勻），同時可以形成均勻的功能層，由而可以 提高電子機器之顯示品質。 · 【實施方式】 (第1實施形態） 下面說明本發明之第1實施形態之顯示裝置之製造 方法及顯示裝置。在說明本實施形態之顯示裝置之製造方 法之前，說明由此製造方法所製造之顯示裝置。 第1圖表示本實施形態之顯示裝置之配線構造之平面 模式圖，第2圖表示本實施形態之顯示裝置之平面模式圖 · ，及斷面模式圖。 如第1圖所示，本實施形態之顯示裝置1乃，具備有 :複數之掃猫線1 0 1、及延伸於與掃猫線1 01交叉之方向 之複數之訊號線1 02、及與訊號線1 02並列地延伸之電源 線1 03之分別的被配線之構成，同時在於掃瞄線1 0 1及訊 號線102之各交叉附近設有像素領域A。在於訊號線102 連接有，移位寄存器、電平移動二極管、視頻線、模擬開 關之數據側驅動電路1 04。又在於掃瞄線1 〇 1上連接有移 -15- (11) 1230562 關之數據側驅動電路1 04。又在於掃瞄線1 0 1上連接有移 位寄存器、電平移動二極管之掃瞄側驅動電路1 05。 又在於每一像素領域Α之各個設置有：介著掃瞄線 1 0 1而將掃瞄訊號供給於閘極電極之開關（轉換用）之薄 膜電晶體1 1 2及介著此開關用之薄膜電晶體1 1 2來保持從 訊號線102供給之像素訊號之保持容量Cap、及由該保持 容量Cap所保持之像素訊號之供給於柵極電極之驅動用之 薄膜電晶體123、及介著此驅動用薄膜電晶體123而電氣 的連接於電源線1 03時，由該電源線1 03而有驅動電流之 像素電極（電極）1 1 1、以及挾入於此像素電極1 11與陰極 (對向電極）12之間之功能層110。而由電極111及對向電 極2及功能層1 1 0而構成發光元件。 依此構成時，如掃瞄線1 0 1之被驅動而開關用之薄膜 電晶體1 1 2成爲ON時，該時之訊號線102之電位係保持 於保持容量Cap。隨著該保持容量Cap之狀態而決定驅動 用薄膜電晶體123之ON · OFF狀態。並且介著驅動用之 薄膜電晶體123之通道，從電源線103對於像素電極111 流通電流，再介著功能層1 1 〇而電流係流至陰極。功能層 1 1 0係隨應於流此處之電流量而發光。 隨著，如第2A圖及第2B圖所示，本實施形態之顯 示裝置1乃由：由玻璃等所成之透明基體2，及矩陣狀地 配置之發光元件、及封閉基板。形成於基體2上之發光元 件係由後述之像素電極、及功能層、及陰極1 2所形成。 基體2係，例如玻璃等之透明基板，被區劃成，據於 -16- (12) 1230562 基體2之中央位置之顯示領域2a、及據於基體2之周緣 位置而配置於顯示領域2a之外側之非顯示領域2b。 顯示領域2a係由矩陣狀地被配置之發光元件所形成 之領域，亦稱有效顯示領域。又在於顯示領域之外側形成 有非顯示領域2b。並且在於非顯示領域2b上，形成有鄰 接於顯示領域2a之僞顯示領域2d。 再者，如第2B圖所示，在於由發光元件及儲存部所 成之發光元件部1 1與基體2之間，備有電路元件部1 4。 於此電路元件部14備有上述之掃瞄線，訊號線，保持容 量，開關用之薄膜電晶體，驅動用之薄膜電晶體1 23等。 又，陰極12係，其一端連接於形成在基體2上之陰 極用配線1 2a，該配線之一端部1 2b係連接於可撓性基板 5上之配線5a。又配線5a係連接於具備於可撓性基板5 上之驅動IC6 (驅動電路）。 再者，如第2A圖及第2B圖所示。在於電路元件部 14之非顯示領域2b上配線有上述之電源線1 03 ( 1 03R， 103G ， 103B)。 又，顯示領域2a之第2A圖中兩側，配置有上述之掃 瞄側驅動電路105，105。該掃瞄側驅動電路105、105係 設於僞領域2d之下側之電路元件部1 4內。又電路元件部 14內，設置有，連接於掃瞄側驅動電路105，105之驅動 電路用控制訊號配線1 〇 5 a，及驅動電路用電源配線1 0 5 b 〇 再者，顯示領域2a之第2A圖中上側配置有檢查電路 -17- (13) 1230562 106，由此檢查電路106而可以實施製造中途或出貨時之 顯示裝置之品質、缺陷之檢查。 又，如第2 B圖所示，在於發光元件部1 1上具備封閉 部3，該封閉部3係由：塗布於基體2之封閉樹脂603a及 罐封閉基板604所構成。封閉基板603係由熱硬化樹脂或 紫外線硬化樹脂等所成’特別是以熱硬化樹脂之一種之環 氧樹脂而形成爲最合宜。 該封閉樹脂603係環狀地塗佈於基體2之周圍，例如 由微配分器等來塗佈。該封閉樹脂603係用於接合基體2 與封閉罐604者，防止從基體2與封閉罐（罐封閉基板） 6 04之間而水或氧氣之侵入於罐封閉基板604內部，由而 防止形成於陰極1 2或發光元件部1 1內之不圖示之發光層 之氧化者。 罐封閉基板604係由玻璃或金屬所成。介著封閉樹脂 603接合於基體2，在其內側設置有用於收納顯示元件10 之凹部604a。又在於凹部604a上貼合用於吸收水、氧氣 等之吸氧劑605，由而可以吸收侵入於罐封閉基板604之 內部之水或氧氣。又此吸氧劑605係省略亦可以。 接著，第3圖表示，放大顯示裝置之顯示領域之斷面 構造之圖。在此第3圖上，圖示有三個像素領域A。該顯 示裝置1係在於基體2上依序疊層，TFT等之電路等之被 形成之電路元件部1 4，及形成了功能層1 1 〇之發光元件 部1 1而構成。 在此顯示裝置1上，自功能層1 10而發於基體2側之 -18- (14) 1230562 光乃透過電路元件部1 4及基體2而出射於基體2之下側 (觀測者側），同時，自功能層1 1 〇而發於基體2之相反 側之光係由陰極1 2所反射，透過電路元件部1 4及基體2 而出射於基體2之下側（觀測者側）。 又，做爲陰極1 2而使用透明之材料，由而也可以從 陰極側所發光之光予以出射。透明之材料可使用ITO、Pt 、Ir、Ni、或Pd。膜厚係以75nm程度之膜厚爲合宜。比 此膜厚薄更合宜。 _ 在於電路元件部1 4上形成有，基板2上形成由矽氧 化膜所成之底層保護膜2c，在此底層保護膜2c上，形成 由多結晶矽所成之島狀之半導體膜1 4 1。又在於半導體膜 1 4 1上，藉由高濃度P離子而形成源極領域1 4 1 a及漏極領 域 141b 〇 又未導入P之部份即成爲通道領域1 4 1 c。 再者，在於電路元件部14上，形成覆罩底層保護膜 2c及半導體膜1 4 1之透明之閘極絕緣膜1 42。在於閘極絕 ® 緣膜142上形成由A卜Mo、Ta、Ti、W等之閘極電極143 (掃瞄線101)，在於閘極電極143及閘極絕緣膜142上， 形成有透明之第1層間絕緣膜144a及第2層間絕緣膜 144b。閘極電極143係設置於對應於半導體膜141之通道 領域1 4 1 c之位置。 又，貫穿第1、第2層間絕緣膜144a，144b而形成分 別連接於半導體膜141之源極、漏極領域141a、141b之 接觸孔1 4 5、1 4 6。 -19- (15) (15)1230562 並且在於第2層絕緣膜1 44b上，以規定之形狀地圖 樣形成該由IT〇等之透明之像素電極π〗。而另一方之接 觸孔1 4 5係連接於該像素電極1 1 1。 又另一方之接觸孔146係連接於電源線1〇3。 如上述，在於電路元件部1 4形成有連接於各像素電 極1 1 1之驅動用之薄膜電晶體1 23。 雖然在於電路元件部14也形成有上述之保持容量 C a p及開關用之薄膜電晶體1 1 2，惟第3圖上省略這些之 圖示。 接著，如第3圖所示，發光元件部1 1係以，疊層於 複數之像素電極1 1 1..........上之各個之功能層1 1 0，及 具備於各像素電極111與功能層11 0之間而區劃各功能層 1 1 0之儲存部11 2，及形成於功能層1 1 0之陰極1 2爲主體 地予以構戊。由這些像素電極（第1電極）1 1 1，功能層 110，及陰極12 (第2電極）而構成發光元件。 本例中，像素電極111乃例如由ITO所形成。係形成 爲平面視略矩形狀地被圖樣形成。該像素電極111之厚度 係50〜200nm之範圍爲宜，特別是150nm程度爲宜。在 此各像素電極111..........之間具備儲存部1 1 2。 儲存部1 1 2係如第3圖所示，由據於基體2側位置之 無機物儲存層1 12 a (第1儲存層）’及離開基體2地據位 之有機物儲存層112b (第2儲存層）疊層而構成。 無機物儲存層，有機物儲存層（1 12a，1 12b)係搭架 於像素電極111之周緣上地被形成’平面上視之像素電極 -20- (16) 1230562 1 1 1之周圍與無機物儲存層1 1 2a係成爲平面地疊合狀地予 以配置之構造。又有機物儲存層1 1 2b也是同樣地與像素 電極1 1 1之一部份平面地疊合狀地配置而成。 又，無機物儲存層112a係較有機物儲存層112b更靠 於像素電極1 1 1之中央側地予以形成。由於如此地將無機 物儲存層1 12a之各疊層部1 12e形成於像素電極1 1 1之內 側，由而設置對應於像素電極1 1 1之形成位置之下部開口 部 112c 。 · 又，在於有機物儲存層1 1 2b上，形成有上部開口部 1 12d，此上部開口部1 12d係對應於像素電極1 11之形成 位置及下部開口部1 1 2c地予以設置。上部開口部1 1 2d， 而如第3圖所示，較下部開口部1 12c爲寬，較像素電極 1 1 1爲狹窄地被形成。有時也有將上部開口部1 1 2d之上部 位置與像素電極1 1 1之端部之成爲大致上在於相同之位置 之情形。此時係如第3圖所示，有機物儲存部1 12b之上 部開口部1 1 2d之斷面將成爲傾斜之形狀。 ® 並且在於儲存部112上，由於下部開口部112c及上 部開口部1 1 2d之連通，而形成貫通無機物儲存部1 1 2a及 有機物儲存層112b之開口部11 2g。 又，無機物儲存層112a係例如由Si〇2，Ti〇2等之無 機材料而構成爲合宜。此無機物儲存層1 1 2 a之膜厚係以 50〜20〇nm之範圍爲宜，特別是I50nm爲宜，膜厚未滿 50nm時即無機物儲存層ii2a乃將變爲較後述之正孔注入/ 輸送層之厚度薄，由而不能確保正孔注入/輸送層之平坦 -21 - (17) 1230562 性，因此不合宜。再者，膜厚超過200nm時，由下部開口 部1 20c之階層差變大，而無法確保疊層於正孔注入/輸送 層上之後述之發光層之平坦性因此不合宜。 又，有機物儲存層112b乃由丙烯酚基樹脂、聚亞醯 胺樹脂等之具有耐熱性、耐溶媒性之抗蝕劑所形成。此有 機物儲存層112b之厚度係以0.1〜3.5 // m之範圍爲宜， 特別是以2 // m程度爲合宜。在於厚度未滿0.1 // m時，有 機物儲存層1 1 b之厚度變爲較後述之正孔注入/輸送層及 發光層之合計厚度爲薄。由而發光層有從上部開口部 112d溢出之虞，因此不合宜。又厚度超過3.5//m時由上 部開口部1 1 2d所致之級階差變大，無法確保形成於有機 物儲存層112b上之陰極12之分步敷層，因此不合宜。如 果將有機物儲存層1 1 2b之厚度成爲2 // m以上時，由於可 以提高與驅動用之薄膜電晶體1 23之絕緣之點而言很合宜 〇 再者，在於儲存部11 2上形成有顯示親液性之領域， 以及顯示撥液性之領域。 呈顯親液性之領域係無機物儲存層1 1 2a之第1疊層 部1 1 2e及像素電極1 1 1之電極面1 1 1 a。這些之領域係以 氧氣爲處理氣體之電漿處理而將表面處理成爲親液性。 又，呈顯撥液性之領域係上部開口部1 1 2d之壁面及 有機物儲存層1 1 2之上面11 2f。這些領域係以四氟甲烷、 四氟甲烷、或四氟化碳爲處理氣體之電漿處理而將表面予 以氟化處理（撥液性處理）。 -22- (18) 1230562 接著，如第3圖所示，功能層1 10係由：疊層於像素 電極1 1 1上之正孔注入/輸送層1 10a，及鄰接於正孔注入/ 輸送層ll〇a上之發光層110b而構成。又鄰接於發光層 1 1 Ob地再形成具有電子注入輸送層等之功能之其他功能 層亦可以。 正孔注入/輸送層110a係具有將正孔（空孔）注入於 發光層110b之功能，同時在於正孔注入/輸送層ll〇a內 部將正孔輸送之功能。如上所述地將正孔注入/輸送層 1 10a設置於像素電極1 1 1與發光層1 l〇b之間，由而可以 提高發光層110b之發光效率，壽命等等之元件特性。又 在於發光層 110b中，由正孔注入/輸送層ll〇a所注入之 正孔及由陰極12所注入之電子係在於發光層而再結合， 可以獲得發光。 正孔注入/輸送層1 1 0a乃由：據於下部開口部1 1 2c內 之位置而形成於像素電極面111 a上之平坦部1 1 〇a 1、及據 於上述開口部1 1 2d內之位置而形成於有機物儲存層之第 1疊層部112e上之周緣部ll〇a2所構成。 再者’正孔注入/輸送層1 1 〇 a乃有時受構造之限制只 設於像素電極1 1 1上，且無機物儲存1 iOa之間（下部開 口部110c)。（有時亦有只形成於上述之平坦部之形態） 〇 此平坦部1 1 0a 1係其厚度爲一定値，例如形成於50〜 7 0 n m之範圍。 在形成周緣部110a2之情形時，周緣部ll〇a2係據位 -23- (19) (19)1230562 於第1疊層部1 12e上之位置，同時密著於上部開口部 1 1 2 d之壁面換言之密著於有機物有機物儲存層1 1 2 b。又 周緣部1 1 0 a 2之厚度係在於近於電極面π 1 a側爲薄，沿 著從電極面111 a離開之方向而增大，在靠近下部開口部 1 1 2d之壁面附近即成爲最厚。 周邊部1 10a2之會顯示上述樣之形狀之理由係，該正 孔注入/輸送層1 10a乃將包含了正孔注入/輸送層形成材料 及極性溶媒之第1組成物，吐出於開口部12內之後，除 去極性溶劑所形成者，而極性溶媒之揮發性主要在於無機 物儲存層之第1疊層部1 1 2e上發生，而正孔注入/輸送層 形成材料係集中濃縮析出於此第1疊層部1 1 2e上之緣故 〇 又，發光層110b係遍及正孔注入/輸送層ll〇a之平 坦部1 1 0a 1及周緣部1 1 〇a2上地被形成，直到平坦部 112al上之厚度係定於50〜80nm之範圍。 發光層1 10b係具有：發光成紅色（R)之紅色發光層 llObl ’發光成綠色（G)之綠色發光層丨10b2、以及發光 成藍色 （B) 之藍色發光層 110b3之三種。各發光層 Π Ob 1〜1 1 Ob 3係配條狀配置。 如上所述，正孔注入/輸送層1 l〇a之周緣部1 l〇a2係 密著於上部開口部112d之壁面（有機物儲存層112b)， 所以發光層1 1 Ob係不會直接接觸於有機物儲存層11 2b。 所以藉由周緣部ll〇a2而可以阻止在於有機物儲存層112b 中做爲不純物地被含有之水之移行至發光層1丨〇b側因而 -24- (20) (20)1230562 可防止由水所致之發光層1 1 Ob之氧化。 又，由於在於無機物儲存層之第1疊層部1 12e上形 成不均一厚度之周緣部1 l〇a2，因而周緣部1 10a2係成爲 由第1疊層部1 1 2e而與像素電極1 1 1絕緣之狀態，正孔 (空孔）係不會從周緣部110a2而注入於發光層ll〇b之情 形。於是來自像素電極1 1 1之電流係只流入於平坦部 1 1 2a 1，可以從平坦部1 1 2a 1而將正孔均一地輸送至發光 層1 1 Ob，可以口使發光層1 1 Ob之中央部份發光，同時使 發光層110b之發光量一定也。 再者，由於無機物儲存層1 1 2a係較有機物儲存層 1 1 2b地更延出於像素電極1 1 1之中央側，所以得由此無機 物儲存層1 12a而修整像素電極1 1 1與平坦部1 10al之接 合部份之形狀，由而抑制各發光層1 1 〇b間之發光強度之 偏差也。 再者，由於像素電極1 1 1之電極面1 1 1 a及無機物儲 存層之第1疊層部1 1 2e係呈顯親液性，因而功能層1 1 〇 係得均一地密著於像素電極1 1 1及無機物儲存層1 1 2 a，在 於無機物儲存層112a上不會有功能層11〇之極端地變薄 之情形，可以防止像素電極1 11與陰極1 2之短路。 又，由於有機物儲存層1 12b之上面1 12f及上部開口 部11 2d壁面乃可呈顯撥液性，因此功能層1 1 〇與有機物 儲存層1 1 2b之密著性變低’不會有功能層1 1 〇之溢出於 開口部1 1 2 g地被形成之虞， 再者做爲正孔注入/輸送層形成材料而可以使用下述 -25· (21) 1230562 材料之混合物。 例如··聚乙烯二羥基硫苯等之聚硫苯衍生體、與聚苯 ^烯硫苯酸等之混合物。 又做爲發光層1 1 Ob之材料，例如可以使用化合物1〜 化合物5之下述者。 聚芴衍生體，其他有（聚）對苯撐•乙烯基衍生體、 聚苯撐衍生體、聚芴衍生體、聚乙烯撐·咔唑、聚硫芴衍 生體、或對於這些之高分子材料中滲雜：芘系色素、香豆 籲 素色素、若丹明系色素、紅熒烯、芘、9，10二苯基茵、 三苯基•二丁烯、尼羅紅、香豆素6、_吖酮等等而使用
化合物2
化合物3
化合物4 -26- (22) 1230562
CR CR N ΟβΗ 17 0θΗΐ7 化合物5
接著，陰極12係形成於發光元件部1 1之全面，而與 像素電極1 1 0成對實施對於功能層1 1 0通電流之職責，此 陰極1 2乃例如疊層鈣層及鋁層而構成。此時較靠近於發 光層側之陰極上，設置工作函數低者爲宜。特別是在此形 態中，直接接觸於發光層1 1 Ob而達成對於發光層1 1 〇b注 入電子之職務。又由於氟化鋰乃對於某些發光層之材料而 言會有效率地發光，所有以在於發光層110與陰極12之 間形成LiF之情形。 再者，紅色及綠色之發光層1 10bl，1 10b2即不限於 氟化鋰，使用其他材料也可以。所以此時只在藍色 （B) 發光層1 1 Ob 3使用由氟化鋰所成之層，其他之紅色及綠色 之發光層 UObl，110b2即疊層氟化鋰以外者以外之層亦 可以。又對於紅色及綠色之發光層llObl，110b2上不形 成氟化鋰，只形成鈣層亦可以。 又，氟化鋰之厚度係例如2〜5 nm之範圍爲宜，特別 是2nm程度爲宜，又鈣之厚度係例如2〜50nm之範圍爲宜 ’特別是2 0 π rn程度爲合且。 再者，形成陰極1 2之鋁係，使從發光層Π Ob所發出 之光反射至基體2側者，A1膜之外，由Ag膜，A1及Ag 之疊層膜所成爲合宜。其厚度係例如100〜lOOOnm之範 - 27- (23) (23)1230562 圍爲宜，特別是200nm程度爲宜。 在於鋁上設置由SiCh，Si〇，SiN等所成之防止氧化 用之保護層亦可以。 在如上述地形成之發光元件上配置封閉罐604。如第 2b圖所示，以封閉樹脂603接著封閉罐604，形成顯示裝 置1。 接著，參照附圖本實施形態之顯示裝置之製造方法。 本實施形態之顯示裝置1之製造方法乃例如具備： (1)儲存部形成製程，（2)電漿處理製程（包含親 液性及撥液性製程），（3)正孔注入/輸送層形成製程（ 功能層形成製程），（4)發光層形成製程（功能層形成 製程），（5)對向電極形成製程，以及（6)封閉製程而 構成。 製造方法並不限於這些，視其必要可除去其他製程、 或追加其他製程。 (1)儲存部形成製程 儲存部形成製程乃在於規體之規定之位置上形成儲存 部1 1 2之製程，儲存部1 1 2係做爲第丨儲存層而形成有無 機物儲存層112a，做爲第2儲存層而形成有機物儲存層 112b之構造。下面說明形成方法。 (1) - 1無機物儲存層之形成 首先’如第4圖所示，在於基體上之規定之位置形成 -28- (24) 1230562 無機物儲存層Π 2a，無機物儲存層所被形成之位置係第2 層間絕緣膜1 4 4 b上及電極（本例係像素電極）1 1 1上。又 第2層間絕緣膜144b係形成於薄膜電晶體，掃瞄線，訊 號線等之被配置之電路元件部1 4上。 無機物儲存層1 12a係例如以Si〇2，Ti〇2等之無機物 膜爲材料而使用。這些材料乃由例如CVD法，塗覆法， 濺射法，蒸鍍法等來形成。 又無機物儲存層1 12a之膜厚係以50〜200nm之範圍 籲 爲宜，特別是150nm爲最合宜。 無機物儲存層1 1 2乃在於層間絕緣膜1 1 4及像素電極 1 1 1之全面地形成無機物，而後藉由蝕刻法等對於無機物 膜實施圖樣形成，由而可形成具有開口部之無機物儲存層 1 1 2。開口部乃對應於像素電極1 1 1之電極面1 1 1 a之形成 位置者。如第4圖所示之設成爲下部開口部1 1 2c。此時無 機物儲存部1 1 2a乃與像素電極1 1 1之周緣部（一部份） 疊合狀地被形成。 ® 如第4圖所示，令像素電極1 1 1之一部份與無機物儲 存層1 1 2 a能疊合地形成無機物儲存層1 1 2 a，由而可以控 制發光層1 1 0之發光領域也。 -29- (25) 1230562 樹脂、聚亞醯胺樹脂等之具有耐熱性耐溶劑性之材料使用 蝕刻法等技術等等將圖樣形成有機物儲存層1 1 2b。又在 於實施圖樣形成之同時，在於有機物儲存層1 1 2b上形成 上部開口部1 1 2d。上部開口部1 1 2d係設於對應於電極面 1 1 1 a及下部開口部1 1 2c之位置。 上部開口部1 1 2 d係如第5圖所示，被形成爲比形成 於無機物儲存層1 1 2a之下部開口部1 1 2c寬闊爲宜。加上 ，有機物儲存層1 1 2b係具有推拔之形狀爲宜。而以有機 物儲存層之開口部係較像素電極11 1之寬度爲狹，在於有 機物儲存層112b之最上面即能成爲與像素電極111之寬 度大致成同一寬度地形成有機物儲存層爲合宜。採此結果 ，該圍繞無機物儲存層1丨2a之下部開口部1 1 2c之第1疊 層部112e係將成爲有機物儲存層112b而更能延伸於像素 電極1 1 1之中央側之形態也。 如上所述將連通該形成於有機物儲存層11 2b之上部 開口部1 1 2d，與形成於無機物儲存層1 1 2a之下部開口部 112c，由而可形成貫穿有機物儲存層112a及有機物儲存 層1 12b之開口部1 12g。 又，有機物儲存層1 12b之厚度係以0.1〜3.5// m之 範圍爲宜，特別是2 // m程度爲合宜。採用此範圍之理由 係如下。 詳述之厚度未滿0.1 // m時，有機物儲存層1 12b係薄 於後述之正孔注入/輸送層及發光層之合計厚度，發光層 1 1 Ob係有從上部開口部1 1 2d溢出之虞，因此不合宜。又 -30- (26) 1230562 厚度超過3·5 // m時，由上部開口部丨i2d所致之級階差變 大，無法確保在於上部開口部1 1 2 d之陰極1 2之分步敷層 ，因此不甚合宜。又將有機物儲存層1 1 2b之厚度設爲2 // m以上時，可以提高陰極1 2與驅動用之薄膜電晶體1 23 之絕緣之點而甚爲合宜。 (2)電漿處理製程 接著，在於電漿處理製程中，將以活性化像素電極 鲁 111之表面，及表面處理該儲存部112之表面爲目的來實 施。特別是在於活性化目的係，洗淨像素電極1 1 1 (ITO) 上面，更爲了調整工作函數爲主目的來實施，加上實於像 素電極1 1 1之表面之親液化處理（親液化製程），儲存部 1 1 2表面之撥液化處理（撥液化製程）。 該電漿處理製程乃例如大別爲：（2) - 1預加熱製程， (2) - 2活性化處理製程（親液化製程），（2) - 3撥液 化處理製程（親液化製程），及（2) - 4冷卻製程。再者 鲁 並非限定爲這些製程，視其必要可以削減製程或再加上製 程。 首先第6圖係表示在於電漿處理製程中，使用之電漿 處理裝置。 首先第6圖所示之電漿處理裝置50係由：預加熱處 理室51，第1電漿處理室5 2，第2電漿處理5 3，冷卻處 理室54，對於這些之各處理室51〜54運送基體2之運送 裝置55而構成。各處理室51〜54乃以運送裝置55爲中 -31 - (27) 1230562 心配置成爲輻射狀。 首先說明使用這些裝置之槪略之製程（製程）。 預加熱製程乃在於第6圖所不之預加熱處理室5 1而 實施，並且由此處理室5 1，將運送自儲存部形成製程之 基體2加熱至規定之溫度。 預加熱製程之後，實施親液化製程及撥液化處理製程 。換言之，基體係依序運送至第1、第2電漿處理室52， 53。在於各處理室52，53而對於儲存部112實施電漿處 _ 理使之親液化。在此親液化處理之後’實施撥液化處理。 於撥液化處理之後，將基體運送於冷卻處理室，在於冷卻 處理室54將基體冷卻到室溫。此冷卻製程之後，由運送 裝置將基體運送至下序製程之正孔注入/輸送層形成製程 〇 下面分別詳細的說明各製程。 (2) - 1預加熱製程 ® 預加熱製程係由預加熱處理室51來實施。在此處理 室5 1而將包含儲存部1 1 2之基體2加熱到規定之溫度。 基體2之加熱方法係，例如，在於處理室51內，對 於載置基體 2之各平台（stage)上逐一安裝加熱器，而 以此加熱器而每一平台地加熱基體2之手段。又採用其他 之方法亦可。 在於預加熱室51而以例如7 0 °C〜8 0 °C之範圍地 加熱基體2。此溫度乃下序製程之電漿處理之處理溫度。 -32- (28) 1230562 配合於下序製程而事前的加熱基體2而解消基體2之溫度 不均（偏差）爲目的。 假使不實施預加熱製程時，基體2係由成爲室溫而被 加熱成爲上述之溫度之情形，自製程之開始到製程完成爲 止之電漿處理製程中之溫度係成爲以經常地一面變動一面 實施之情形。 按基體溫度之一面變化一面實施電漿處理係有引至有 機EL元件之特性之不均勻之可能性。所以爲了將處理條 鲁 件保持於一定，獲得均一之特性起見而實施預加熱者。 於是在於電漿處理製程中，將基體2載置於第1，第 2電漿處理製程52，53內之試料平台上，載置基體2之 狀態下，實施親液化製程或撥液化製程時，令預加熱溫度 大致上與連續的實施親液化製程或撥液化製程之試料平台 5 6之溫度相一致爲宜。 於是將基體2預加熱到，第1，第2電漿處理裝置 52，53內之試料平台之上昇之溫度，例如70〜80 °C於 ® 是連續的對於多數之基體實施電漿處理時，仍然可以將處 理開始直後與修理終了直前之電漿處理條件使之大致一定 。由而可以使基體2之表面處理條件使之同一，對於儲存 部1 1 2之組成物之濕濡性均勻化，可以製造具有一定之品 質之顯示裝置也。 又將基體2預先予以預加熱，由而可以縮短後序之電 漿處理之處理時間也。 -33- (29) (29)1230562 (2) - 2活性化處理（親液化製程） 接著，在於第1電漿處理室5 2乃實施活性化處理。 在於活性化處理上，包含像素電極1 1 1之工作函數之調整 ’控制，像素電極表面之洗淨，像素電極表面之親液化製 程。 做爲親液化製程而在於大氣環境中，實施以氧氣爲處 理氣體之電漿處理（〇2電漿處理）。 第7圖係模式的表示第1電漿處理之圖。 如第7圖所示，包含儲存部112之基體2係載置於加 熱器內臟之試料平台5 6上，在於基體2之上側即隔著間 隙之間隔0.5〜2 m m程度之距離而有電漿放電電極5 7，面 向於基體2地被配置。基體2係一面由試料平台5 6所加 熱，一面試料平台5 6係以規定之運送速度地運送於圖示 之箭示方向，在此間對於基體2照射電漿狀態之氧氣。 〇2電漿處理之條件係：例如以電漿功率100〜800KW ，氧氣氣體流量 50〜100ml/min，板運送速度 0.5〜 10mm/sec，基體溫度70〜90 °C之條件來實施。又在於試 料平台5 6之加熱係主要爲了被施予預加熱之基體2之保 溫而實施。 由此〇2電漿處理，如第8圖所示，對於像素電極 111之電極面Ilia，無機物儲存層112a之第1疊層部 112e，及有機物儲存層112b之上部開口部112d之壁面及 上面1 1 2 f係施予親液處理，由此親液處理，這些各面中 被導入氫氧基而被賦予親液性。 -34- (30) 1230562 在於萊r 9圖上，以一點鍊鎖線來表示被施予親液處理 之部份。 再者此〇2電漿處理乃不只是賦予親液性，亦兼顧如 上述之像素電極（ITO)上之洗淨，以及調整工作函數（ 仕事關係）。 (2) - 3撥液化處理製程（撥液化製程） 接著，在於第2電漿處理室5 3中，做爲撥液化製程 鲁 ’在於大氣環境中實施以四氟甲烷爲處理氣體之電漿處理 (CF4電漿處理）。在第2電漿處理室53之內部構造係 與第7圖所示之第1電漿處理室5 2之內部構造相同，詳 述之’基體2係一面以試料平台所加熱，以每試料平台的 ，以規定之運送速度所運送，其間對於基體2照射電漿狀 態之四氟甲烷（四氟化碳）。 CF4電漿處理之條件乃，例如，電漿功率1〇〇〜 800KW，四氟甲烷氣體流量50〜lOOmWmin，基體運送速 ® 度0.5〜10mm/sec，基體溫度7〇〜90 t之條件而實施。 又由加熱平台之加熱係與第1電漿處理室5 2之情形同樣 地，主要用於該經預加熱之基體2之保溫。 又，處理氣體係不限於四氟甲烷（四氟化碳）亦可使 用其他之四氟化碳系之氣體。 由CF4電漿處理，而如第9圖所示，上部開口部 1 1 2d壁面及有機物儲存層之上面1 12f係被撥液處理。由 此親液處理，這些之各面被導入氟基而被賦予撥液性，在 -35- (31) 1230562 第9圖上以二點鍊鎖線表示具有撥液性之領域。構成有 機物儲存層1 1 2b之丙烯酚基樹脂、聚亞醯胺樹脂等之有 機物係經電漿狀態之四氟化碳而很容易造成撥液化。又， 具有經由〇2電漿之前處理者容易氟化之特徵。對於本實 施形態特別有效。 又’像素電極1 1 1之電極面111 a及無機物儲存層 1 12a之第1疊層部1 i2e也多少會收此CF4電漿處理之影 響，惟很少對於濕濡性有影響。第9圖中，以一點鍊鎖線 表示呈顯親液性之領域。 (2) - 4冷卻製程 接著’做爲冷卻製程使用冷卻處理室54，將爲了電 漿處理而被加熱之基體2冷卻到管理溫度。這是爲了冷卻 至此製程之下序製程之噴墨製程（功能層形成製程）之管 理溫度而實施之製程。 此冷卻處理室54係具備有，配置基體2用之板，該 板係可冷卻基體2地內藏了水冷裝置之構造。 又，將電漿處理後之基體2冷卻到室溫，或規定之溫 度（例如實施噴墨製程之管理溫度）。由而在於下序之正 孔注入/輸送層形成製程中，基體2之溫度成爲一定，可 以實施沒有基體2之溫度變化之均勻溫度狀態下之下序製 程。所以由附加此種冷卻製程而均一地形成由噴墨法等之 吐出手段所吐出之材料。 例如欲噴出包含爲了形成正孔注入/輸送層之材料第i -36 · (32) 1230562 組成物時，得以一定之容積地連續的吐出，可以均一的形 成正孔注入/輸送層也。 在於上述電漿處理製程中，對於材質不同之有機物儲 存層112b及無機物儲存層ii2a依序實施〇2電漿處理及 CF4電漿處理，而在於儲存部丨丨2容易地設置親液性之領 域及撥液性之領域。 又使用於電漿處理製程之電漿處理裝置乃不侷限於第 6圖所示者，亦可使用例如第1 〇圖所示之電漿處理裝置 · 60亦可以。 第10圖所示之電漿處理裝置60乃由：預加熱處理室 61、及第1電漿處理室62，及第2電漿處理室63，及 冷卻處理室64，以及對於這些各處理室61〜64運送基體 2之運送裝置65所構成。各處理室61〜64係配置於運送 裝置6 5之運送方向兩側（圖中箭示方向兩側）。 在此電漿處理裝置60乃與第6圖中所示之電漿處理 裝置50同樣地，將自儲存部形成製程所運送而來之基體 · 2依序運送至預加熱處理室61，第1，第2電漿處理室 62，63，冷卻處理室64而在於各處理室實施如上述之處 理之後，將基體2運送至下方之正孔注入/輸送層形成製 程。 又，上述電漿裝置係不是在於大氣壓下之裝置，而使 用在於真空下之電漿裝置也可以。 (3)正孔注入/輸送層形成製程（功能層形成製程） -37- (33) 1230562 接著，在於發光元件形成製程中，在於電極（本案係 像素電極1 11)上形成正孔注入/輸送層。 在於正孔注入/輸送層形成製程中，做爲液滴之吐出 手段而例如使用噴墨裝置，而將包含有正孔注入/輸送層 形成材料之第1組成物（組成物）吐出於電極面111 a上 。此後實施乾燥處理及熱處理，在於像素電極1 1 1上，及 無機物儲存層1 1 2 a上形成正孔注入/輸送層1 1 〇 a。又形成 了正孔注入/輸送層1 l〇a之無機物儲存層1 12a在此稱之謂 · 第1疊層部112e。 包含此正孔注入/輸送層形成製程以後之製程係做成 爲沒有水、氧氣之垣境爲合宜。例如在於氮環境、氬環境 等之惰性氣體環境中來實施爲合宜。 再者，正孔注入/輸送層1 l〇a乃在第1疊層部1 i2e上 不形成之情形，換言之，只在於像素電極1 1 1上，形成正 孔注入/輸送層之形態也有。 藉由噴墨之製造方法如下。 Φ 合宜地使用於本實施形態之顯示裝置之製造方法之噴 墨頭之一例而可以例示如第1 1圖所示之（噴墨）頭H。 此（噴墨）頭Η乃如第11圖所示，由複數之噴墨頭Η1 及支承這些噴墨頭Η 1之支承基板Η7爲主而構成。 又，關於基體與上述之噴墨頭Η之配置係可以如第 1 2圖之配置爲合宜。 第1 2圖所示之噴墨裝置中，符號1 1 1 5係載置基體2 之平台。符號1 Π 6係將平台1 11 5引導至圖中X軸方向（ -38- (34) (34)1230562 主掃猫方向）之導軌，又噴墨頭Η乃介著支承構件liii 而由導軌1 11 3而可移動於圖中γ軸方向（副掃瞄方向） ，又噴墨頭Η係可旋轉於圖中<9軸方向，而使噴墨頭Η ! 對於主掃瞄方向傾斜規定之角度。 第12圖所示之基體2係成爲在於母基板配置了複數 之小片之構造，即1小片之領域係相當於一個顯示裝置。 本例中形成有三個顯示領域2 a，惟不侷限於此。例如在 於基體2上之左側之顯示領域2a塗佈組成物時，係介著 導軋1 1 1 3將噴墨頭Η移動於圖中左側，同時介著導軌 1 1 1 6使基體2移動於圖中上側，一面掃瞄基體2 —面實 施塗佈。 接著使噴墨頭Η移動於圖中右側，對於基體之中央之 顯示領域2a塗佈組成物。對於右端之顯示領域亦與上述 同樣。 又弟12圖所不之噴墨頭Η及第15圖所不之噴墨裝置 係不只是用於正孔注入/輸送層之形成製程，使用於發光 層形成製程亦可以。 第1 3圖表示自墨水吐出面側觀視噴墨頭Η1之斜視圖 〇 如第1 3圖所示在於噴墨頭Η1之墨水吐出面（與基體 2之面向面），沿著噴墨頭之長度方向而列狀，且於噴墨 頭之寬度方向隔著間隔，以一列地設置複數之噴嘴η 1。 如上所述列狀地排列複數之噴嘴Η2，由而構成二個噴嘴 列η 2。含於一個噴嘴列η 2之噴嘴η 1之數目係例如1 8 0個 - 39- (35) 1230562 。在於一個噴嘴頭Η 1形成有3 60個之噴嘴。又噴嘴η 1之 孔徑係例如2 8 // m，噴嘴η 1間之間距係例如1 4 1 // m。 噴墨頭H1乃例如具有第14A圖及第14B圖所示之內 部構造。具體的說，噴墨頭Η1係具有，例如不銹鋼製之 噴嘴板229，及面向於它之振動板231以及相互接合這些 之分隔構件23 2。在於噴嘴板229與振動板231之間，藉 由分隔構件232，而形成複數之組成物室23 3及液池室 234。複數之組成物室23 3與液池室234係介著通路23 8 % 互相連通。 在於振動板2 3 1之適當處形成組成物供給孔2 3 6。在 此組成物供給孔23 6連接組成物供給裝置237。組成物供 給裝置23 7係對於組成物供給孔23 6供給包含正孔注入/ 輸送層形成材料之第1組成物。被供給之第1組成物係充 滿於液池234，再通過通路23 8而充滿於組成物室233。 在於噴嘴板229設有從組成物室233將第1組成物噴 射狀地噴射之噴嘴η 1。又於振動板231之形成組成物室 鲁 23 3之面之背面，對應於組成物2 3 3地安裝有組成物加壓 體239。該組成物加壓體239係如第14Β圖所示，具有壓 電元件241及挾持它之一對電極242a及242b。 壓電元件241乃由對於通電至電極242a’ 242b而朝 箭示c所示之突出於外側地撓曲變形，由而組成物室2 3 3 之容積會增大，於是相當於增大之容積份量之第1組成物 係由液池234通過通路2 3 8流入於組成物室23 3。 接著解除對於壓電元件24 1之通電時’壓電元件24 1 -40- (36) 1230562 與振動板231 —齊回到原來之形狀。由而組成物室2 3 3也 回至原來之容積，所以在於組成物室233之內部之第1組 成物之壓力係上昇，從噴嘴η1朝向基體2而第1組成物 係成爲液滴1 l〇c而噴出。 第15圖表示，對於基體2掃瞄噴墨頭Η1之狀態。如 第1 5圖所示。噴墨頭Η1係對於沿著圖中X方向之方向 一面相對的移動一面噴出第1組成物。惟此時噴嘴列η2 之排列方向Ζ係對於主掃瞄方向（沿著X方向之方向）® 而成爲傾斜之狀態。 如上所述，將噴墨頭Η 1之噴嘴列ιι2對於主掃瞄方向 傾斜狀地予以配置，由而可以將噴嘴節距對應於像素領域 。又藉由調整傾斜角度而可以對應於任何像素領域Α之節 距。 如第16圖所示，從形成於噴墨頭Η1之複數之噴嘴 η 1.........而吐出包含正孔注入/輸送層形成材料之第1組 成物。又本例係由噴墨頭Η 1之掃瞄而在於各像素領域地 ® 塡充第1組成物，惟以基體2來掃瞄亦可以。再者藉相對 的移動噴墨頭Η1與基體2也可以塡充第1組成物。再者 以後之使用噴墨頭之製程時上述之點係同樣者。 藉由噴墨頭之吐出乃如下，詳述之面向於電極面 111a地配置形成於噴墨頭Η1之噴出噴嘴Η2，而由噴嘴 H2吐出第1組成物。在於像素電極1 1 1之周圍形成有用 於區劃開口部1 1 2g之儲存部1 1 2。對此開口部1 1 2g面向 噴墨頭H1，一面使該噴墨頭H1與基體2相對移動，一面 -41 - (37) (37)1230562 從吐出噴嘴H2而每一滴單位之流量之被控制之第1組成 物滴1 1 0C吐出於第3圖所示之開口部1 1 2g。對於一個開 口部1 1 2g而吐出之液滴之數量係可以定爲例如6〜20滴 。惟此範圍係由像素面積而改變，此範圍係可多可少。 又，如第 16圖及第17 A圖所示，對於一個開口部 1 1 2g所吐出之最初之液滴1 1 〇c 1係需要能接觸於有機質儲 存層1 1 2b之傾斜之壁面1 1 2h地吐出才行，由於有機質儲 存層1 1 2 b之壁面1 1 2 h乃在前述之撥液化製程而被處理成 爲撥液性，因此吐出之液滴1 1 〇c 1係雖接觸於壁面1 1 2h 而立即被撥開滾下此壁面1 1 2h滾落於第1疊層部1 1 2e上 。第1疊層部1 1 2e乃如上述被處理成爲親液性，所以滾 落之液滴1 10cl乃擴開濕濡於第1疊層部1 I2e上。又此 最初之一滴係，只要接觸於有機儲存層112b之壁面112h 之至少一部份就足，在接觸於壁面1 1 2h之同時接觸於有 機物儲存層之上面1 1 2 f地予以吐出也無妨。 接著第2滴以後之液滴1 l〇c2乃，如第17B圖所示， 隔著與直前之液滴1 1 〇c 1不疊合程度之間隔地使之吐出。
換言之，令各液滴1 l〇cl，1 10c2.........之滴下時之間隔D 寬於各液滴之直徑d (D> d)爲合宜。又此時係由一次之 掃瞄而可吐出之液滴之數量有限，因此爲了形成充分之膜 厚之正孔注入/輸送層起見，對於一個像素領域A之噴墨 頭Η 1之掃瞄須實施複數次爲合宜。 再者’在實施複數次之噴墨頭Η 1之掃瞄時，以每掃 瞄一次地將噴墨頭Η 1稍微挪移至對主掃瞄方向之直交方 -42- (38) 1230562 向之副掃瞄方向（第1 7圖中紙面方向），由而從特定之 噴嘴η 1而切換至別的噴嘴η 1地實施吐出爲合宜。如上所 述對於一個像素領域Α使用複數之噴嘴而實施吐出之結果 ，可以產生擴散各噴嘴固有之液t問量之誤差之擴散之所謂 言吳羑擴散之效果，而可以使正孔注入/輸送層之膜厚均一 也。 再者，如第17C圖所示，將第2滴以後之液滴ll〇c 2 ...······使之能與直前之液滴1 1 0c 1疊合程度之間隔而吐出 鲁 也可以。換言之令各液滴llOcl，110c2.........之滴下時之 間_ D使之較各液滴之直徑d窄狹 （D< d)亦可以。 再者，此時以一次之掃瞄所吐出之液滴之數目沒有限 制，因此爲了形成充分之膜厚之正孔注入/輸送層，同時 對於一個之像素領域A之噴墨頭Η 1之掃瞄採一次也可以 。採用複數次亦可以。實施複數次之噴墨頭Η 1之掃瞄時 ，即與上述一樣，以每掃瞄一次地使噴墨頭Η 1挪移於副 掃瞄方向，從特定之噴嘴η 1而切換到別的噴嘴η 1實施吐 ® 出爲宜。此時對於一個之像素領域Α而使用複數之噴嘴來 實施吐出時，即與上述同樣，藉誤差之擴散之效果而使每 各像素領域A地形成之正孔注入/輸送層之膜厚均一化者 〇 特別是以二次地對於一個像素領域A之噴墨頭Η 1之 掃瞄時，即將第一次與第2次之掃瞄方向相反亦可以同一 方向也可以。如第1、第2次之掃瞄方向設爲相反方向時 ，以第1次之掃瞄而將第1組成物吐出至像素領域Α之一 -43- (39) 1230562 半之領域，而以第2次之掃瞄而吐出於剩下之一半之領域 就可以。或埋塡第1次之掃瞄之領域地實施第2次之掃瞄 也可以。 將第1，第2次之掃瞄方向採用同一方向時，即在於 第1次之掃瞄使各液滴與液滴不接觸之程度的開著間隔吐 出，而以第2次之掃瞄而埋塡已吐出之液滴之間地實施吐 出就可以，當然將一個像素領域分爲二個領域來吐出亦可 以。 ⑩ 本例所使用之第1組成物乃，例如將聚乙烯二氧撐硫 苯 （PEDOT)等之聚硫苯衍生體與聚苯乙烯磺酸 （PSS) 等之混合物溶解於極性溶媒之組成物。 做爲極性溶媒，例如：可舉例爲異丙醇 （IPA)、正 構丁、7 - 丁內酯、N-甲基吡略烷酮 （NMP) 、1，3-二甲基-2-咪唑篦麻醇（DMI)及該衍生體、卡必醇酯、 丁基卡必醇酯等之乙二醇醚類等等。 做爲更具體的第1組成物之組成可以例示： 鲁 PEDOT/PSS 混合物（PED〇T/PSS= 1: 2 0) : 1 2 · 5 2 重量 ％， PSS: 1.44 重量 ％、IPA: 10 重量 ％、NMP: 27.48 重量 ％、 D Μ1: 5 0 重量 ％。 又弟1組成物之粘度以2〜2 0 P S程度爲合宜。特別 是4〜15cPs程度爲宜。 使用上述之第1組成物而使之吐出噴嘴Η 2不發生阻 塞安定地吐出。 又，正孔注入/輸送層形成材料乃對於紅（R)、綠 -44- (40) (40)1230562 (G)、藍（B)之各發光層1 lObl〜11(^3可使用相同材 料、或各發光層地改變也可以。 如第1 6圖所示，所吐出之第1組成物之液滴1 1 〇c乃 最終的擴開於被親液處理之電極面1 1 1 a及第1疊層部 1 1 2e上，而塡充於下部，上部開口部1 1 2c，1 1 2d內。假 是第1組成物之液滴1 1 Oc係脫離了規定之吐出位置而吐 出於上面1 1 2f之情形時，上面1 1 2f係不會由第1組成物 液滴所濕濡，而被撥離之第1組成物滴1 1 Oc係滾下於下 部、上部開口部1 1 2 c，1 1 2 d內。 吐出於電極面1 1 1 a上之第1組成物之全量係由下部 、上部開口部1 1 2c、1 1 2d之大小，欲形成之正孔注入/輸 送層之厚度，第1組成物中之正孔注入/輸送層形成材料 之濃度所決定。 接著’實施如第1 8圖所示之乾燥製程，由於實施乾 燥製程’乾燥處理吐出後之第1組成物，使含於第1組成 物之極性溶媒，形成正孔注入/輸送層1 1 〇a。 實施乾燥處理時，含於第1組成物滴1 1 〇c之極性溶 媒之蒸發乃在於近於無機物儲存層1 1 2 a及有機物儲存層 1 1 2b之處而發生，在極性溶媒之蒸發之同時正孔注入/輸 送層形成材料係被濃縮析出。 由而如第1 8圖所示，在於第1疊層部1 1 2e上將形成 由正孔注入/輸送層形成材料所成之周緣部110a2。該周緣 部110a2係密著於上部開口部H2d之壁面（有機物儲存 層1 1 2b)，其厚度係在於靠近電極面1 1 1 a之側係薄，離 -45- (41) (41)1230562 開電極面1 1 1 a之側即靠近有機物儲存層1 1 2b側即變厚。 而與它同時，由乾燥處理而在於電極面1 1 1 a上也發 生極性溶媒之蒸發，由而在於電極面111 a上，形成由正 孔注入/輸送層形成材料所成之平坦部1 1 〇a 1。在於電極面 I 1 1 a上極性溶媒之蒸發速度係大致均一，所以正孔注入/ 輸送層之形成材料係在於電極面111 a上而均一地被濃縮 ，由而可以形成更均一厚度之平坦部1 1 〇 a。 如上所述地形成由周緣部1 1 0a2及平坦部1 1 0a 1所成 之正孔注入/輸送層110a。 又，不形成於周緣部1 1 0 a 2，只在於電極面1 1 1 a上形 成正孔注入/輸送層之形態亦無妨。 上述之乾燥處理乃，例如在於氮環境中，以室溫將壓 力例如設爲133.3Pa (1Τοη·)程度來實施，如壓力過低時 第1組成物滴1 1 0c會突沸因此不合宜，又溫度係室溫以 上時，極性溶媒之蒸發速度提高，無法形成平坦之膜。 乾燥處理後，在於氮氣中，最好是真空中，實施以 200 °C加熱1 0分鐘程度之熱處理，由而去存殘留於正孔 注入/輸送層1 1 0a內之極性溶媒或水就很合宜。 在於上述之正孔注入/輸送層形成製程中，所吐出之 第1組成物滴11 〇 C係塡滿於下部，上部開口部112c， II 2d內，另一方面，由經撥液處理之有機物儲存層H2b 而撥開第1組成物而滾下於下部，上部開口部丨丨2c，1 1 2d 內。由而必能將第1組成物滴1 1 〇c塡充於下部、上部開 口部1 12c，1 12d內，而在於電極面1丨U上可以形成正孔 -46- (42) (42)1230562 注入/輸送層1 l〇a也。 又’依上述/<^1正孔注入/輸送層形成製程時，每各像 素領域A地將最初吐出之第1組成物之液滴1丨Q c丨接觸於 有機物儲存層1 1 2 b之壁面1 1 2 h，所以該液滴係從壁面 1 1 1 h而滾下於第1疊層部1 1 2e及像素電極面1丨丨a，所以 將第1組成物之液滴1 1 0c優先擴開濕濡於像素電極n i 之周圍，由而毫不遺漏地塗佈第1組成物，由而得以大致 均一膜厚地形成正孔注入/輸送層1 1 0 a。 (4)發光層形成製程 接著，發光層形成製程乃由：表面改質製程、發光層 形成材料吐出製程、及乾燥製程所構成。 首先爲了表面改質正孔注入/輸送層ll〇a之表面起見 ，實施表面改質製程。下面詳述這些製程。 接著與上述之正孔注入/輸送層形成製程同樣地，藉 噴墨法而將第2組成物吐出於正孔注入/輸送層1 1 〇a上， 而後，將吐出之第2組成物施予乾燥處理（及熱處理）而 在於正孔注入/輸送層1 10a上形成發光層1 10b。 在於發光層形成製程中，爲了防止正孔注入/輸送層 1 1 0a之再溶解起見，做爲發光層形成時所用之第2組成物 之溶媒而使用對於正孔注入/輸送層1 1 0a而不溶之非極性 溶媒。 惟另一方面，正孔注入/輸送層1 1 0a係對於非極性溶 媒之親和性低，因此雖然將含有非極性溶媒之第2組成物 (43) (43)1230562 吐出於正孔注入/輸送層1 1 〇a上，也無法使正孔注入/輸送 層ll〇a與發光層ll〇b密著或無法均一的塗佈發光層110b 之虞。 於是爲了提高對於非極性溶媒及發光層形成材料之正 孔注入/輸送層1 1 〇a之表面之親和性起見，在於形成發光 層之前實施表面改質製程爲合宜。 於是在此說明表面改質製程。 表面改質製程乃，藉由噴墨法（液滴吐出法）、旋轉 塗佈法、或漬塗法，而將與發光層之形成時所使用之第1 組成物之非極性溶媒同一溶媒或類似之溶媒之表面改質材 塗佈於正孔注入/輸送層1 1 0a上之後，實施乾燥來實施。 藉由噴墨法之塗佈乃如第19圖所示，在於噴墨頭H3 塡充表面改良材，而從形成於噴墨頭H3之吐出噴嘴H4 吐出表面改良材。與上述之正孔注入/輸送層形成製程同 樣地，將吐出噴嘴H4面向於基體2 (即形成了正孔注入/ 輸送層110a之基體2)，一面使噴墨頭H3與基體2相對 移動，一面從吐出噴嘴H4將表面改良材1 1 0d吐出於表面 改良材1 1 0 d上，由而可實施。 藉由旋轉塗佈法之塗佈乃，將基體2例如載置於旋轉 平台上，從上方對基體2上滴下表面改良材於基體2上之 後使基體旋轉而將表面改良材擴開於基體2上之正孔注入 /輸送層1 1 〇a之全體來實施。雖然表面改質材係暫時地也 會擴開於被撥液化處理之上面11 2f，惟由旋轉之離心力而 飛走，只塗佈於正孔注入/輸送層1 10a上。 -48- (44) 1230562 又’由漬塗法之塗佈乃，將基體2例如浸漬於表面改 質材之後’提起來而使表面改良材擴開於正孔注入/輸送 層1 1 0a之全體的實施，此時也表面改良材係暫時地擴開 於經撥液處理之上面11 2 f，惟在於提起時表面改良材係從 上面1 12f所撥開，只塗佈於正孔注入/輸送層丨1〇a上。 本案所使用之表面改質材乃可以例示與第2組成物之 非極性溶媒之同一者，例如：環己苯、二羥基苯并呋喃、 二甲基苯、四甲基苯等等，類似於第2組成物之非極性溶 鲁 媒即可以例示甲苯、二甲苯等等。 特別是藉噴墨法來塗佈時，即以二羥基苯并呋喃、三 甲基苯、四甲基苯、環己苯、或這些之混合物，特別是使 用與第2組成物相同之溶媒混合物爲合宜。 藉由旋轉塗佈法或漬塗法時，即以甲苯、二甲苯爲合 宜。 接著如第2 0圖所示，乾燥該塗佈領域。 乾燥製程乃，如藉噴墨法來塗佈時，即在於熱板上載 鲁 置基體2，而以例如200 °C以下之溫度來乾燥蒸發爲合宜 〇 藉旋轉塗佈法或漬塗法時，即對於基體2吹噴氮氣、 或使基體旋轉由而在於基體2表面發生氣流使之乾燥爲合 宜。 再者，在於正孔注入/輸送層形成製程之乾燥處理之 後實施表面改質材之塗佈、乾燥塗佈後之表面改質材之後 ’實施正孔注入/輸送層形成製程之熱處理亦可以。 -49- (45) (45)1230562 實施此種表面改質製程，而正孔注入/輸送層Π 〇a之 表面係變爲很容易馴和（易溶解）於非極性溶媒，在此後 之製程而可以將含有發光層形成材料之第2組成物均一地 塗佈於正孔注入/輸送層1 1 〇a也。 再者，做爲上述表面改質材，而將溶解一般所使用之 正孔輸送性材料之上述之化合物而做成組成物，將此組成 物藉噴墨法而塗佈於正孔注入/輸送層上，使之乾燥，由 而在於正孔注入/輸送層上，形成極薄之正孔注入/輸送層 亦可。 正孔注入/輸送層之大部份係會溶入於後製程所塗佈 之發光層1 1 Ob，惟一部份係薄膜狀地留存於正孔注入/輸 送層1 10a與發光層1 i〇b之間，由而可以降低正孔注入/ 輸送層11 0a與發光層1 1 〇b之間之能量障壁，而使正孔（ 空孔）之移動容易化，由而可以提高發光效率。 接著，做爲發光層形成製程，而藉噴墨法（液滴吐出 法）而將包含發光層形成材料之第2組成物吐出於正孔注 入/輸送層1 1 0 a上之後，施予乾燥處理，而在於正孔注入/ 輸送層1 10a上形成發光層1 l〇b。 第21圖表示由噴墨法之吐出方法之槪略，如第21圖 所示，相對的移動噴墨頭H5與基體2，而從形成於噴墨 頭之噴出噴嘴H6吐出各色（例如本例係包含藍色（B)) 發光層形成材料之第2組成物。 吐出時，將吐出噴嘴面向於據於下部、上部開口部 1 12c ’ 1 12d內位置之正孔注入/輸送層i〗〇a，使噴墨頭H5 (46) 1230562 與基體2 —面相對移動一面吐出第2組成物。由於從吐出 噴嘴H6所吐出之液量乃該每一滴單位之液量係被控制， 因此由吐出噴嘴而吐出如此種液量之被控制之液（第2組 成物滴1 1 0 e)而將第2組成物滴1 1 0 e之正孔注入/輸送層 1 1 Oa 上。 發光層形成製程乃與正孔注入/輸送層形成製程同樣 地，將最初之液滴接觸於儲存部1 1 2狀地予以吐出。第2 滴之液滴係與第1滴之液滴疊合地吐出也可以，隔著間隔 鲁 地吐出亦可以，又將對於一個像素領域而分爲二次之掃瞄 亦可以。 換言之，與第1 6圖及第17圖所示之情形同樣，對於 第1之開口部1 1 2g而吐出之最初之第2組成物之液滴乃 使之能接觸於有機質儲存層1 1 2b之傾斜之壁面地予以吐 出。由於有機質儲存層112b之壁面112h係在於前面之撥 液化製程被處理成爲撥液性，因此所吐出之液滴雖接觸於 壁面1 1 2h，惟立即被撥開，在此壁面1 1 2h上滾下，滾落 · 於正孔注入/輸送層1 10a上。而正孔注入/輸送層1 10a即 由表面改良質製程而被處理成爲很容易馴溶於非極性溶媒 ，所以滾落下來之液滴係在於正孔注入/輸送層1 1 2a上溼 潤擴展。又此最初之滾滴係能接觸於有機質儲存層1 1 2b 之壁面1 1 2h之至少一部份就可以。與壁面丨1 2h之同時能 接觸於有機物儲存層之上面1 1 2h狀地吐出亦可以。 接著，第2滴以後之液滴乃，與第17 B圖同樣地隔著 不疊合於直前之液滴的程度之間隔地予以吐出，換言之令 -51 - (47) (47)1230562 各液滴之滴下時之間隔D寬於各液滴之直徑d (D> d)爲 宜。 又此次一次之掃瞄能吐出之液滴之數目有限，所以爲 了形成充分之膜厚之發光層1 1 2b起見，複數次的實施對 於一個像素領域A之噴墨頭H5之掃瞄爲合宜。 再者在於複數次地實施噴墨頭H5之掃瞄時，應以每 一次掃瞄地使噴墨頭H5稍爲挪移至與主掃瞄万向成直交 之副掃瞄方向，以資由特定之噴嘴切換爲別之噴嘴而實施 吐出爲合宜。如上述對於一個像素領域A而使用複數之噴 嘴實施吐出而可以發生可以擴散各噴嘴固有之液滴量之誤 差之所謂擴散誤差之效果，而可以使發光層1 1 2b之膜厚 做成爲均一也。 再者，與第1 7C同樣，以直前之液滴能疊合之程度之 間隔地，吐出第2滴以後之液滴亦可以。換言之，各液滴 滴下時之間隔D比各液滴之直徑d狹（D < d)亦可以。 惟此時一次之掃瞄可吐出之液滴之數目並沒有限制， 所以爲/獲得充分的膜厚之發光層1 1 2 b起見，對於一個 像素領域A之噴墨頭Η 5之掃瞄實施1次、或複數次也可 以，如果複數次地實施噴墨頭Η 5之掃瞄時，即與前述同 樣地，各掃瞄每一次地將噴墨頭Η5挪移至副掃瞄方向， 由特定之噴嘴切換爲別的噴嘴而實施吐出爲宜。如上述， 使用複數之噴嘴而對於一個像素領域Α實施吐出時，即與 上述同樣，藉由誤差擴散之效果，而得使形成於各像素領 域A之發光層1 1 2b之膜厚均一化也。 -52- (48) 1230562 特別是對於一個像素領域A之噴墨頭Η 5實施二次掃 猫時，將第1次與第2次之掃猫方向爲相反方向亦可以或 同一方向亦可以。 將第1次、第2次之掃瞄爲相反方向時，以第1次之 掃瞄而吐出第1組成物到像素領域Α之一半領域之一半領 域，在於第2次之掃猫將吐出於剩餘之一半領域亦可、或 以埋塡由第1次之掃瞄所形成之領域地實施第2次之掃瞄 亦可以。 _ 又將第1、第2次之掃瞄方向爲同一方向時，以第1 次之掃瞄而使各液滴與液滴不接觸程度地，隔著間隔地吐 出，在於第2次之掃瞄來塡充已吐出之液滴之間亦可以。 當然可以將1個像素領域分爲二個領域地實施吐出亦可以 〇 發光層形成材料乃可以使用化合物1〜5所示之聚芴 系高分子衍生體、（聚）三苯撐乙烯撐衍生體、聚苯撐衍 生餅、聚乙烯咔唑、聚硫芴衍生餅、芘系色素、香豆素系 · 色素、若丹明系色素、或在於上述高分子滲雜有機EL材 料而使用，例如紅熒烯、芘、9，10-二苯基蒽、三苯基 二丁醇、尼羅紅、香豆素6、奎叶酮等等。 做爲非極性溶媒乃使用對於正孔注入/輸送層1 1 〇a而 不溶解者爲合宜。例環己基苯、二羥基苯并呋喃、三甲基 苯、四甲基苯等等。 將這種非極性溶媒使用於發光層1 1 Ob之第2組成物 ，由而不致於使正孔注入/輸送層1 1 〇 a再溶解地可以塗佈 -53- (49) 1230562 第2組成物。 如第2 1圖所示，被吐出之第2組成物1 1 〇e乃擴開於 正孔注入/輸送層1 1 〇 a上，而塡滿於下部、上部開口部 112c，112d內。另一方面，在於經撥液處理之上面 U2f 即算是第2組成物滴1 1 0 e之脫離了規定之位置，吐出於 上面1 1 2 f上之情形時，上面1 1 2 f係不會由第2組成物液 滴1 1 Oe所濕濡，第2組成物滴1 1 0e係滾下於下部、上部 開口部1 12c、1 12d內。 鲁 吐出於各正孔注入/輸送層110e上之第2組成物量乃 由下部、上部開口部1 1 2c，1 1 2d之大小欲形成之發光層 1 1 〇b之厚度，第2組成物中之發光層之濃度來決定。 又，第2組成物1 1 Oe乃不只是1次地，分爲數次地 吐出於同一之正孔注入輸送層1 1 〇e上亦可以，此次在於 各回之第2組成物之量係同一亦可、或各次地改變第2組 成物之液量亦可以。又不只是對於正孔注入/輸送層1 1 〇a 之同一處所地吐出，以各次地對於正孔注入/輸送層1 1 ® 內之不同處吐出配置第2組成物亦可以。 接著，在於規定之位置地吐出第2組成物完成之後’ 對於吐出後之第2組成物物滴Π 0 e施予乾燥處理於是形 成發光層1 1 0 e，詳細之，由乾燥處理而含於第2組成物之 非極性溶媒蒸發，形成如第22圖所示之藍色（B)發光層 ll〇b3。再者在於第22圖只表示一個藍色地發光之發光層 。惟如第1圖及其他之圖可知，本來係矩陣狀地形成有發 光元件，而形成有不圖示之對應於藍色發光層多數之發光 -54- (50) (50)1230562 層也。 接著’如第23圖所示，使用上述藍色（B)發光層 1 10b3時之同樣之製程，形成紅色（R)發光層n〇bl，最 後形成綠色（G)發光層n〇b2。 再者’發光層1 1 Ob之形成順序係不限於上述之順序 ’任何順均可使用。例如依照發光層形成材料來決定形成 之順序亦可以。 又’發光層之第2組成物之乾燥條件乃，藍色1 1 Ob3 爲例例如於氮環境中，以室溫壓力133.3Pa (1 Ton.)程度 ，5〜1 0分鐘爲條件。壓力過低時，由於第2組成物會突 沸所以不合宜，如將溫度定爲室溫以上時，非極性溶媒之 蒸發速度變高，發光層形成材料係很多的附著於上部開口 部112d壁面因此不合宜。 又，綠色發光層1 10b2及紅色發光層1 10bl時由於發 光層形成材料之成份數多因而儘速完成乾燥爲合宜。例如 以40 °C吹噴氮氣5〜1 0分鐘之條件爲合宜。 其他之乾燥手段，可例示遠紅外線照射法，高溫氮氣 噴吹法等等。 如上所述地在於像素電極11 1上，形成正孔注入/輸 送層110a及發光層110b。 (5)對向電極（陰極）形成製程 接著在於對向電極形成製程中，如第24圖所示，在 於發光層1 1 0 b及有機物儲存層Π 2 b之全面地形成陰極1 2 -55- (51) (51)1230562 (對向電極）。 又，陰極1 2係疊層複數之材料來形成亦可以。例如 近於發光層之側係形成工作函數小之材料爲宜例如可使用 Ca，Ba等。又有時由材料而在於下層薄薄地形成LiF等 爲宜。 又於上部側（封閉側）即採用較下部側之工作函數高 之材料，例如可以使用A1。 這些陰極1 2爲例如以蒸鍍法，濺射法CVD法等來形 成爲合宜，特別是蒸鍍法所形成者係可以防止由熱之發光 層110b之損傷，因此很合宜。 又，氟化鋰係只形成於發光層1 1 〇 b亦可、或對應於 規定之色彩地形成亦可以。例如只形成於藍色（B)發光 層1 10b3上亦可。此時，其他之紅色（R)發光層及綠色 (G)發光層llObl，110b2上將由鈣所成之上部陰極層i2b 所接觸。 再者’陰極1 2上部係使用藉蒸鍍法、濺射法、c V D 法等所形成之A1膜、Ag膜等爲合宜。而其厚度係例如 100〜lOOOnm之範圍爲宜，特別是200〜500nm程度爲宜 ’又爲了防止氧化而在於陰極12上形成Si 〇2，SiN等之 保護層亦可以。 (6)封閉製_ 最後，封閉製程乃以封閉樹脂3a來封閉，形成發光 元件之基體2與封閉基板3 b之製程。 -56 - (52) 1230562 例如以熱硬化樹或紫外線硬化樹脂所成之封閉樹脂 3a塗佈於基體2之全面，而在於封閉用樹脂3a上疊層封 閉用基板3b，由此製程而在於基體3形成封閉部3。 太寸閉製程係在於氮 '急、氦等之惰性氣體環境中，實 方也爲合且。在於大热中貫施時，如果陰極1 2發生針孔等 缺陷時’即從該缺陷部份而水或氧氣等侵入於該缺陷部而 使陰極1 2氧化之虞。 再者對於第2 A圖〜第2 C圖所例示之基板5之配線 鲁 5 a上連接陰極1 2，同時在於驅動I c 6連接電路元件部1 4 之配線就可以獲得本實施形態之顯示裝置1。 [第2之實施形態] 接者’說明具備第1實施形態之顯示裝置之電子機 器之具體例。 第2 5 A圖係表示攜帶式電話之一例之斜視圖，第2 5 A 圖中，符號600係攜帶式電話主體，符號601係使用上述 _ 之顯示裝置之顯示部。 第25 B圖係文畫處理機，個人電腦等攜帶式資訊處理 裝置之一例之斜視圖。第25B圖中，符號700係資訊處理 裝置，符號701係鍵盤等之輸入部，符號703係資訊處理 裝置主體，符號702係使用上述之顯示裝置之顯示部。 第25C圖表示手錶型電子機器之一例之斜視圖，在於 第25C圖中，符號800表示錶主體，符號801係表示使用 上述之顯示裝置之顯示部。 -57- (53) (53)1230562 第25A圖〜第25C圖上分別表示之電子機器係具備 了上述之第1實施形態之顯示裝置之顯示部者，由於具 有前之第1實施形態之顯示裝置之顯示部。由於具有前 述之第1實施形態之顯示裝置之特徵，因而成爲高暉度 且具有優異之品質之效果之電子機器。 製造這些電子機器時，與第1之實施形態同樣地，具 備構成第2圖所示之驅動IC6 (驅動電路）之顯示裝置1 ，而將此顯不裝置1組入於搶帶電話，攜帶式資訊處理裝 馨 置，手錶型電子機器而製造。 再者，本發明之技術範圍並不限定於上述實施形態， 在不逸脫本發明之精神之下仍可以種種之變更。 第 26圖係表示本發明之其他例之顯示裝置之斷面模 式圖。 第 26圖所示之顯示裝置乃具備，基體2、及形成於 基體2上之顯示元件1 0，及環狀地塗佈於基體2之周圍 之封閉樹脂603，以及具備於顯示元件10上之封閉部3 ® 而構成。 基體2及顯示元件10係與關於第1之實施形態之基 體2及顯示元件1 〇同樣者。 顯示元件1 0係發光元件部1 1、及形成於發光元件部 π上之陰極1 2爲主體而構成。 又，如第26圖所示，在於發光元件1 1上具備有封閉 部3。 該封閉部3係由，塗佈於陰極1 2上之熱硬化樹脂或 -58 - (54) (54)1230562 紫外線硬化樹脂等所成之封閉樹脂3 a，及配置於封閉樹 脂3a上之封閉基板3b。又封閉樹脂3a而使用硬化時不發 生氣體，溶媒等爲合宜。 此封閉部3係大致上覆罩至少在於發光元件部1 1上 之陰極1 2地予以形成可以防止水或氧氣之侵入於陰極1 2 及包含發光層之功能。陰極1 2係防止發光層之氧化。 又，封閉基板3b係接合於封閉樹脂3a以資保護封閉 樹脂3a，以玻璃板，金屬板，或樹脂板任一種爲合宜。 鲁 又，第27圖表示本發明之別的例之顯示裝置之斷面 模式圖。 第2.7圖所示之顯示裝置係具備：基體2，及形成於 基體2上之顯示裝置1〇，及塗佈於顯示元件1〇之全面之 封閉樹脂3a，以及備於封閉樹脂3a上之封閉用基板3b而 構成。 基體2，顯示元件1 〇，封閉用樹脂3a及封閉用基板 3 b係與第1之實施形態之基體2，顯示元件10，封閉材 參 ，封閉用基板4同樣者。 又，如第27圖所示，封閉材3與陰極12之間形成有 保護層7 1 4。 保護層714係由Si〇2、SiN等所成厚度係定爲1〇〇〜 200nm之範圍。此保護層714係防止水或氧氣之侵入於陰 極1 2及包含發光層之功能層，由而防止陰極1 2或發光層 之氧化。 依上述顯示裝置時，藉由有效的防止水及氧氣之侵入 -59 - (55) (55)1230562 ，防止發光層之氧化，由而可達成顯示裝置之高暉度化及 長焉命化也。 再者在於第1實施形態中對於R、G、B之各發光層 1 1 Ob均以條狀配置爲例來說明，惟本發明並不侷限於此 採用種種之配置構造亦可以，例如第2 8 A圖所示之條狀配 置之外，如第28B圖之鑲嵌狀或第28C圖之三角狀配置都 可以。 (產業上之利用可能性） 如上所詳細的說明，依本發明之顯示裝置之製造方法 時，藉由各功能層地最初吐出之上述組成物之液滴，至少 接觸於上述儲存部之一部份，由而此液滴係從儲存部而滾 下於電極面，所以將組成物之液滴在於電極之周圍地優先 的溼潤擴展毫不遺漏地可以塗佈組成物由而大致均一之厚 度地可以形成功能層。 【圖式之簡單說明】 第1圖係本發明之第1實施形態之顯示裝置之配線 構造之平面模式圖。 第2A圖乃至第2B圖係表示本發明之第1實施形態 之顯示裝置之圖。2A圖係顯示裝置之平面模式圖。2B圖 係第2 A圖之沿A B線之斷面模式圖。 第3圖表不本發明之第1實施形態之顯不裝置之要 部之圖。 -60- (56) (56)!23〇562 第4圖係說明本發明之第1實施形態之顯示裝置之 製造方法之製程圖。 第5圖係說明本發明之第1實施形態之顯示裝置之 製造方法之製程圖。 第6圖係本發明之第1實施形態之顯示裝置之製造 所使用之電漿處理裝置之一例之平面模式圖。 第7圖係表示第6圖所示之電漿處理裝置之第1電漿 處理室之內部構造之模式圖。 Φ 第 8圖係說明本發明之第1實施形態之顯示裝置之 製造方法之製程圖。 第 9圖係說明本發明之第1實施形態之顯示裝置之 製造方法之製程圖。 第1 0圖係表示本發明之第1實施形態之顯示裝置之 製造時所使用之電漿處理裝置之別之例子之平面模式圖。 第1 1圖係表示製造本發明之第1實施形態之顯示裝 置時所使用之噴墨頭之平面圖。 · 第1 2圖係表示製造本發明之第1實施形態之顯示裝 置所使用噴墨裝置之平面圖。 第1 3圖係表示製造本發明之第1實施形態之顯示裝 S所使用之噴墨頭之一例之斜視圖。 第14Α圖〜第14Β圖係表示第13圖所示之噴墨頭 之內部構造圖。14Α圖係斜視圖、14Β圖係沿第14Α圖之 J線斷面圖。 第1 5圖表示對於基體之噴墨頭之配置狀態之平面圖 -61 - (57) (57)l23〇562 第16圖係說明本發明之第1實施形態之顯示裝置之 製造方法之製程圖。 第1 7 A圖〜第1 7 C圖係說明本發明之第1實施形 態之顯不裝置之製造方法之製程圖。1 7 A圖係表示吐出最 初之液滴時之狀態之斷面圖。1 7 B圖係表示吐出第2滴以 後之液滴狀態之一例之斷面圖。1 7 C圖係表示吐出第2滴 以後之液滴之狀態之別的例子。 第1 8圖表示說明本發明之第1實施形態之顯示裝置 之製造方法之製程圖。 第1 9圖表示說明本發明之第1實施形態之顯示裝置 之製造方法之製程圖。 第20圖表示說明本發明之第1實施形態之顯示裝置 之製造方法之製程圖。 第2 1圖表示說明本發明之第1實施形態之顯示裝置 之製造方法之製程圖。 第22圖表示說明本發明之第1實施形態之顯示裝置 之製造方法之製程圖。 第2 3圖表示說明本發明之第1實施形態之顯示裝置 Z製造方法之製程圖。 第24圖表示說明本發明之第1實施形態之顯示裝置 之製造方法之製程圖。 第25A圖〜第25C圖係表示本發明之第2實施形 恶之電子機器之斜視圖。 -62 - (58) (58)1230562 第26圖係表示有關本發明之其他例之顯示裝置之斷 面模式圖。 第27圖係表示有關本發明之別例之顯示裝置之斷面 模式圖。 第28A圖乃至第28C圖表示發光層之配置之平面模 式圖。28A圖係表示條狀配置。28B圖係表示鑲嵌狀配置 。28C圖係表示三角形配置。 • 元件對照表 1 12g:開口部 1 1 Obi:紅色發光層 1 10b2:綠色發光層 1 10b3:藍色發光層 110al:平坦部 1 1 0 a 2 :周邊部 1 1 1 a :電極面 ® 5〇，60:電漿處理裝置 51 5 61: 預加熱室 52，62:第1電漿處理室 53，63:第2電漿處理室 54，64: 冷卻處理室 55，65:運送裝置 5 6 :試料平台 5 7 :電漿放電極 -63- (59) (59)1230562 1 12f:有機物儲存層之上面 1 1 1 1 :支承構件 1 1 1 3 :導軌 1 1 1 5:平台 1 1 1 6 :導軌 1 1 0 a〜c 1 : 液滴 1 1 2 h :壁面 7 1 4 :保護層 222:噴墨頭裝置 229:噴嘴板 2 3 1 :振動板 23 2:隔開構件 2 3 3 :組成物室 2 3 4 :液池 2 3 6 :組成物供給孔 23 7:組成物供給裝置 2 3 8 :通路 2 3 9 :組成物加壓體 241:壓電元件 242a ， 242b:電極 600:攜帶用電活本體 601:顯示部 7 0 0:資訊處理裝置 701:鍵盤部（輸入部） (60) (60)1230562 702:顯示部 7 03:資訊處理裝置主體 800:鑄本體 801:顯示部 111 1 :支承構件 1113，111 6:導軌 1 1 15:平台 A:像素領域 _ 1 :顯示裝置 2:基體 2 a :顯示領域 2b:非顯示領域 2c:底層保護膜 2d:僞顯示領域 3:封閉部 3a:封閉用樹脂 · 3 b，4 :封閉用基板 5 :可撓性基板
5 a :配線 6:驅動用1C 11: 發光元件部 12: 陰極 12a: 陰極用配線 1 2b: 陰極-端部 >65- (61) (61)1230562 1 4 :電子元件部 1 0 1 :掃瞄線 102:訊號線 1 0 3 ( 1 0 3 R、1 0 3 G、1 0 3 B):電源線 104:資訊側驅動電路 105:掃瞄側驅動電路 1 0 5 a :驅動電路用控制訊號配線 1 0 5 b :驅動電路用電源配線 φ 1 0 6 :檢查電路 1 1 0 :功能層 1 10a、al :正孔注入/輸送層 1 10b:發光層 1 1 1 :電極（像素電極） 112 ， 123:儲存部 1 12a，1 12b:有機物儲存部 112c:下部開口部 ® 1 1 2 d :上部開口部 1 12c:第1疊層部 603，603a:封閉樹脂 604:罐封閉基板（封閉封） 604a:凹部 605·.吸氧劑 1 4 1 :半導體膜 1 4 1 a :源極領域 -66 (62) (62)1230562 1 4 1 b :漏極領域 1 4 1 c :通道領域 1 4 2 :閘極絕緣膜 1 4 3 :閘極電極 1 4 4 a :第1層絕緣膜 1 4 4 b :第2層絕緣膜

Claims (1)

1230562 拾、申請專利範圍
第92 1 003 50號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國93年1〇月1曰修正 1· 一種顯示裝置之製造方法，乃藉由形成於基體上 之複數之電極之周圍形成儲存部，同時自複數之噴嘴吐出 組成物，且個別形成於各上述電極上的功能層，由而在於 形成於各上述電極上之各功能層之間，具備了讓儲存部構 成之顯示裝置之製造方法，其特徵爲： 讓上述複數之噴嘴之被排列配置而成之噴嘴列，對於 主掃瞄方向且令傾斜狀態地一面掃瞄上述基體上，一面在 各功能層逐一地吐出，令最初吐出之上述組成物之液滴， 至少接觸於部份上述儲存部。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置之製造方 法，其中 在於上述儲存部設有：被處理成爲親液性之部份、及 被處理成爲撥液性之部份，而令上述組成物之液滴接觸於 上述被處理爲撥液性之部份。 3.如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置之製造方 法，其中 由被處理成爲親液性之第1儲存層及被處理成爲撥液 性之第2儲存層來形成上述儲存部，同時，將上述第1儲 存層可與部份上述電極重疊而予以形成。
0>年！。月 r日 1230562 4. 一種顯示裝置之製造方法，乃於形成於基體上之 複數之電極上所形成之各功能層，同時於上述之各功能層 之間，具備有讓儲存部構成之顯示裝置之製造方法，其特 徵爲： 具備：與部份上述電極重疊而形成上述儲存部之儲存 部形成製程、及至少將部份上述電極處理成爲親液性之親 '液化製程、及將部份上述儲存部處理成爲撥液性之撥液化 製程、及從複數之噴嘴吐出組成物，而在各上述電極上形 成至少一層之功能層之功能層形成製程、以及在於上述功 能層上，形成對向電極之對向電極形成製程， 而在於上述功能層形成製程中，令上述複數之噴嘴之 排列配置而成之噴嘴列，一面在對於主掃瞄方向且令傾斜 狀態地一面掃瞄於上述基體上，各功能層逐一地吐出，令 最初吐出之上述組成物之液滴，至少接觸於部份土述儲存 部。 5. 如申請專利範圍第4項所述之顯示裝置之製造方 法，其中 由：藉由上述親液化製程被處理成爲親液性之第1儲 存層、及藉由上述撥液化製程被處理成爲撥液性之第2儲 存層來形成上述儲存部，且將上述第1儲存層可與部份上 述電極重疊而予以形成。 6. 如申請專利範圍第1項至第5項之其中任一項所 述之顯示裝置之製造方法，其中 上述功能層至少包含正孔注入/輸送層。 1230562
m 7·如申請專利範圍第】項至第5項之其中任一項所 述之顯示裝置之製造方法，其中 上述功能層至少包含發光層。 8. 如申請專利範圍第1項至第5項之其中任一項所 述之顯示裝置之製造方法，其中 在於上述功能層形成製程中，藉由複數次吐出上述組 成物之液滴來形成各上述功能層，同時令各液滴之滴下時 之間隔，比上述液滴之直徑爲寬。 9. 如申請專利範圍第1項至第5項之其中任一項所 述之威不裝置之製造方法，其中 在於上述功能層形成製程中，藉由複數次吐出上述組 成物之液滴來形成各上述功能層，同時令各液.滴之滴下時 之間隔較上述液滴之直徑爲窄。 1 〇·如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置之製造方 法，其中 對於各功能層之上述噴嘴列之掃瞄次數係一次。 1 1.如申請專利範圍第8項所述之顯示裝置之製造方 法，其中 對於各功能層之上述噴嘴列之掃瞄次數係複數次。 1 2 .如申請專利範圍第8項所述之顯示裝置之製造方 法，其中 對於各功能層之每一次上述噴嘴列之掃瞄，使用別的 噴嘴。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項所述之顯示裝置之製造
1230562 方法，其中 對於各功能層之每一次上述噴嘴列之掃瞄’藉由令上 述噴嘴列朝副掃瞄方向移動，由而達成每一次掃瞄使用別 的噴嘴。 1 4 . 一種電子機器之製造方法 具備：在於形成於基體上之複數之電極之周圍形成儲 存部，同時自複數之噴嘴吐出組成物，且個別形成於各上 述電極上的功能層，由而在於形成於各上述電極上之各功 能層之間，備有讓儲存部構成顯示裝置、及爲了驅動上述 顯示裝置之驅動電路，其特徵爲： 讓上述複數之噴嘴之排列配置而成之噴嘴列，對於主 掃瞄方向且令傾斜狀態地一面掃瞄於上述基體上，一面在 各功能層逐一地吐出，令最初噴出之上述組成物之液滴， 至少接觸於部份上述儲存部。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項所述之電子機器之製造 方法，其中 在於上述儲存部設有：被處理成爲親液性之部份、及 被處理成爲撥液性之部份，而令上述組成物之液滴接觸於 被處理成爲撥液性之部份。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項所述之電子機器之製造 方法，其中 由被處理成爲親液性之第1儲存層及被處理成爲撥液 丨主之桌2儲存層來形成上述儲存部，同時’令上述第1儲 存層可與部份上述電極重疊而予以形成。 -4- 1230562 π. —種電子機器之製造方法， 乃具備：於形成於基體上之複數之電極上所形成之各 個功能層’同時，於上述各功能層之間，具備有讓儲存部 構成之顯示裝置、以及用於驅動上述顯示裝置之驅動電路 ，其特徵爲： 具備：與部份上述電極重疊而形成上述儲存部之儲存 部形成製程、及至少將部份上述電極處理成爲親液性之親 液性製程、及將部份上述儲存部處理成爲撥液性之撥液化 製程、及從複數之噴嘴吐出組成物，而在於各上述電極上 形成至少一層之功能層之功能層形成製程、以及在於上述 功能層上，形成對向電極之對向電極形成製程， 而在於上述功能層形成製程中，令上述複數之噴嘴排 列配置而成之噴嘴列，對於主掃瞄方向且令傾斜狀態地一 面掃瞄於上述基體上，一面在各功能層逐一地吐出，令最 初吐出之上述組成物之液滴，至少接觸於部份上述儲存部 〇 18.如申請專利範圍第1 7項所述之電子機器之製造 方法，其中 由：藉由上述親液化製程被處理成爲親液性之第1儲 存層、及藉由上述撥液化製程被處理成爲撥液性之第2儲 存層來形成上述儲存部，且將上述第1儲存層可與部份上 述電極重疊而予以形成。 1 9.如申請專利範圍第1 4項至第1 8項之其中任一項 所述之電子機器之製造方法，其中 -5- 1230562 丨更"[η 4
上述功能層至少包含正孔注入/輸送層。 2 0 ·如申請專利範圍第1 4項至第1 8項之其中任一項 所述之電卞機器之製造方法，其中 上述功能層至少包含發光層。 2 1 ·如申請專利範圍第1 4項至第1 8項之其中任一項 所述之電子機器之製造方法，其中
在於上述功能層形成製程中，藉由複數次吐出上述組 成物之液滴來形成各上述功能層，同時令各液滴之滴下時 之間隔比上述液滴之直徑爲寬。 22·如申請專利範圍第14項至第“項之其中任一項 所述之電子機器之製造方法，其中 在於上述功能層形成製程中，藉由複數次吐出上述組 成物之液滴來形成各上述功能層，同時令各液滴之滴下時 之間隔，較上述液滴之直徑爲窄。
23 ·如申請專利範圍第22項所述之電子機器之製造 方法，其中 對於各功能層之上述噴嘴列之掃描次數係一次。 24 ·如申請專利範圍第2 1項所述之電子機器之製造 方法，其中 封於各功能層之上述噴嘴列之掃瞄次數係複數次。 25 ·如申請專利範圍第2 1項所述之電子機器之製造 方法，其中 封於各功能層之每一次上述噴嘴列之掃瞄，使用別的 噴嘴 -6- I 1230562 3」.曰 I 26.如申請專利範圍第25項所述之電子機器之製造 方法，其中 對於各功能層之每一次上述噴嘴列之掃瞄，藉由令上 述噴嘴列朝副掃猫方向移動，由而達成每一次掃瞄使用別 的噴嘴。
- 7- 1230562 第92100350號專利申請案 圖式修正頁 民國93年
eOJL οεοοεοί (gcoooroCH(ccsosl· 1230562
第14A圖
第14B圖 231
b a 2 12 4 4 4 2 2 2
2 24
229 m · 243 6^-1 i〇c
1230562
第17B圖
123 1230562 丨楚/一 ——二乂 .…冗，':,ί 第25Α圖 第25Β圖
701
800 第25C圖 1230562
第28A圖 條狀 第28B匱 鑲嵌狀 第 28Cg 三角狀
TW092100350A 2002-01-11 2003-01-08 Manufacturing method for display device, display device, manufacturing method for electronic apparatus, and electronic apparatus TWI230562B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002004940 2002-01-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200302033A TW200302033A (en) 2003-07-16
TWI230562B true TWI230562B (en) 2005-04-01

Family

ID=19191047

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW092100350A TWI230562B (en) 2002-01-11 2003-01-08 Manufacturing method for display device, display device, manufacturing method for electronic apparatus, and electronic apparatus

Country Status (7)

Country Link
US (3) US6810919B2 (zh)
EP (1) EP1465461B1 (zh)
JP (2) JP3890053B2 (zh)
KR (2) KR100600527B1 (zh)
CN (1) CN1496667B (zh)
TW (1) TWI230562B (zh)
WO (1) WO2003061349A1 (zh)

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6810919B2 (en) * 2002-01-11 2004-11-02 Seiko Epson Corporation Manufacturing method for display device, display device, manufacturing method for electronic apparatus, and electronic apparatus
US7038377B2 (en) * 2002-01-16 2006-05-02 Seiko Epson Corporation Display device with a narrow frame
JP2004145101A (ja) * 2002-10-25 2004-05-20 Seiko Epson Corp スペーサ定点配置装置、液晶装置の製造方法、液晶装置、電子機器
KR100970253B1 (ko) * 2003-12-19 2010-07-16 삼성전자주식회사 발광소자의 제조 방법
US8212474B2 (en) * 2004-01-08 2012-07-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device, and method of manufacturing the display device
KR100656497B1 (ko) * 2004-02-09 2006-12-11 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2005268202A (ja) * 2004-02-16 2005-09-29 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び電子機器
US7749037B2 (en) * 2004-02-19 2010-07-06 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for fabricating an organic electronic device using liquid deposition and devices made by the process
JP4100354B2 (ja) * 2004-02-19 2008-06-11 セイコーエプソン株式会社 材料塗布方法、カラーフィルタの製造方法、エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、およびプラズマ表示装置の製造方法。
JP3994998B2 (ja) * 2004-03-03 2007-10-24 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法及び電子機器
JP5033939B2 (ja) * 2004-04-05 2012-09-26 奇美電子股▲ふん▼有限公司 基板に被印刷パターンを形成する方法
US7709050B2 (en) * 2004-08-02 2010-05-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Surface treatment for OLED material
KR100699996B1 (ko) * 2004-09-02 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 회로 측정용 패드를 포함하는 유기전계발광표시장치와 그제조방법
KR100699998B1 (ko) 2004-09-23 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
JP4552804B2 (ja) * 2004-11-08 2010-09-29 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出方法
KR100647775B1 (ko) * 2004-12-01 2006-11-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 제조 방법
JP2006179213A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Seiko Epson Corp パターン形成基板、電気光学装置及び電気光学装置の製造方法
JP4876415B2 (ja) * 2005-03-29 2012-02-15 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造方法、デバイスの製造方法
WO2006120854A1 (ja) * 2005-05-09 2006-11-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 発光素子、発光素子アレイ及びそれらの製造方法、並びに露光装置
KR100645534B1 (ko) 2005-08-12 2006-11-14 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열전사용 마스크 및 그를 이용한 유기 전계 발광소자의 제조방법
EP1770676B1 (en) 2005-09-30 2017-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP2007115464A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Toppan Printing Co Ltd 表示素子の製造方法
JP2007242592A (ja) * 2006-02-02 2007-09-20 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法、露光装置、及び電子機器
JP2007227127A (ja) * 2006-02-23 2007-09-06 Seiko Epson Corp 発光装置およびその製造方法
CN101411002B (zh) * 2006-04-05 2010-10-13 夏普株式会社 有机电致发光显示装置的制造方法
WO2007117698A2 (en) 2006-04-07 2007-10-18 Qd Vision, Inc. Composition including material, methods of depositing material, articles including same and systems for depositing material
WO2007120877A2 (en) * 2006-04-14 2007-10-25 Qd Vision, Inc. Transfer surface for manufacturing a light emitting device
JP4591837B2 (ja) * 2006-06-02 2010-12-01 カシオ計算機株式会社 表示装置及びその製造方法
WO2008108798A2 (en) 2006-06-24 2008-09-12 Qd Vision, Inc. Methods for depositing nanomaterial, methods for fabricating a device, and methods for fabricating an array of devices
WO2008111947A1 (en) 2006-06-24 2008-09-18 Qd Vision, Inc. Methods and articles including nanomaterial
WO2008105792A2 (en) * 2006-06-24 2008-09-04 Qd Vision, Inc. Methods for depositing nanomaterial, methods for fabricating a device, methods for fabricating an array of devices and compositions
KR101672553B1 (ko) 2007-06-25 2016-11-03 큐디 비젼, 인크. 조성물 및 나노물질의 침착을 포함하는 방법
KR101581475B1 (ko) * 2007-07-31 2015-12-30 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 유기 전계발광 소자 및 그의 제조 방법
JP5286719B2 (ja) * 2007-09-10 2013-09-11 セイコーエプソン株式会社 膜形成方法、光学素子の形成方法、導電膜の形成方法、光学素子及び配線
JP2009135053A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Sumitomo Chemical Co Ltd 電子デバイス、表示装置および電子デバイスの製造方法
KR20090062088A (ko) * 2007-12-12 2009-06-17 삼성전자주식회사 유기 발광 장치 및 이의 제조방법
JP2013512541A (ja) * 2009-11-27 2013-04-11 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機エレクトロルミネッセントデバイス
KR101156444B1 (ko) 2010-05-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2012099458A (ja) * 2010-10-05 2012-05-24 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ照明装置およびその製造方法
US8901594B2 (en) 2010-12-20 2014-12-02 Panasonic Corporation Organic EL display panel and method for manufacturing same
JP2014032817A (ja) * 2012-08-02 2014-02-20 Sony Corp 表示装置およびその製造方法、並びに電子機器の製造方法
WO2014030354A1 (ja) * 2012-08-23 2014-02-27 パナソニック株式会社 有機電子デバイスの製造方法および有機ｅｌデバイスの製造方法
KR20140034960A (ko) * 2012-09-10 2014-03-21 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 이의 제조 방법
KR20140081314A (ko) 2012-12-21 2014-07-01 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102598922B1 (ko) * 2015-06-30 2023-11-06 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법
JP2017146463A (ja) * 2016-02-17 2017-08-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6768461B2 (ja) * 2016-11-16 2020-10-14 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機電界発光パネルの製造方法および有機電界発光パネル
CN108539035B (zh) * 2017-03-01 2020-05-05 群创光电股份有限公司 显示设备
KR102300028B1 (ko) * 2017-06-08 2021-09-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치의 제조방법
KR102513383B1 (ko) * 2017-12-05 2023-03-22 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
KR20200069692A (ko) * 2018-12-07 2020-06-17 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20200080012A (ko) 2018-12-26 2020-07-06 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
KR20200096367A (ko) 2019-02-01 2020-08-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3702919B2 (ja) * 1996-07-26 2005-10-05 セイコーエプソン株式会社 インクジェット式記録ヘッド
US6042223A (en) * 1996-07-26 2000-03-28 Seiko Epson Corporation Ink jet type recording head
JPH1062616A (ja) 1996-08-20 1998-03-06 Canon Inc カラーフィルター及びその製造方法
JPH10100396A (ja) 1996-09-30 1998-04-21 Canon Inc インクジェット記録システム及びインクジェット記録方法及びライン間の混色の防止方法
JPH10148709A (ja) 1996-11-18 1998-06-02 Canon Inc カラーフィルタの製造方法
JPH10260307A (ja) 1997-03-17 1998-09-29 Seiko Epson Corp カラーフィルタの製造装置およびその方法
JP3747127B2 (ja) 1997-07-28 2006-02-22 キヤノン株式会社 カラーフィルタの製造方法及び表示装置の製造方法及び表示装置を備えた情報処理装置の製造方法
TW408246B (en) * 1997-09-12 2000-10-11 Sanyo Electric Co Semiconductor device and display device having laser-annealed semiconductor element
JP3328297B2 (ja) 1998-03-17 2002-09-24 セイコーエプソン株式会社 表示装置の製造方法
JP3782618B2 (ja) * 1998-09-09 2006-06-07 キヤノン株式会社 カラーフィルタの製造方法、該製造方法により製造されたカラーフィルタを用いた液晶素子の製造方法
US6232022B1 (en) * 1998-09-09 2001-05-15 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing a color filter, and a liquid-crystal device using a color filter manufactured by the method
JP2000089019A (ja) 1998-09-10 2000-03-31 Canon Inc カラーフィルタとその製造方法、該カラーフィルタを用いた液晶素子
JP2000218890A (ja) 1998-11-27 2000-08-08 Seiko Epson Corp 長尺印刷を行うための印刷システム
US6592943B2 (en) * 1998-12-01 2003-07-15 Fujitsu Limited Stencil and method for depositing solder
JP4092827B2 (ja) * 1999-01-29 2008-05-28 セイコーエプソン株式会社 表示装置
US6630274B1 (en) * 1998-12-21 2003-10-07 Seiko Epson Corporation Color filter and manufacturing method therefor
JP2001076881A (ja) 1999-09-07 2001-03-23 Sharp Corp 有機発光素子及びその製造方法
JP3645755B2 (ja) * 1999-09-17 2005-05-11 日本電気株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP2001147316A (ja) * 1999-11-22 2001-05-29 Canon Inc カラーフィルタとその製造方法、該カラーフィルタを用いた液晶素子
JP2001154008A (ja) 1999-11-24 2001-06-08 Canon Inc カラーフィルタとその製造方法、該カラーフィルタを用いた液晶素子
CA2395004C (en) * 1999-12-21 2014-01-28 Plastic Logic Limited Solution processing
JP2001334661A (ja) * 2000-03-21 2001-12-04 Nec Corp インクジェットヘッド
EP1138493B1 (en) * 2000-03-21 2007-05-23 Fuji Xerox Co., Ltd. Ink jet head
JP2001341296A (ja) 2000-03-31 2001-12-11 Seiko Epson Corp インクジェット法による薄膜形成方法、インクジェット装置、有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子
US6852994B2 (en) * 2000-03-31 2005-02-08 Seiko Epson Corporation Organic EL device and method of manufacturing organic EL device
DE60119025T8 (de) * 2000-06-02 2007-04-12 Canon K.K. Herstellungsverfahren für ein optisches Element
JP2002148422A (ja) 2000-11-08 2002-05-22 Seiko Epson Corp フィルタ及びフィルタの製造方法並びにこのフィルタを用いた電気光学装置
JP4021177B2 (ja) * 2000-11-28 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス装置並びに電子機器
JP2002214422A (ja) 2001-01-12 2002-07-31 Seiko Epson Corp フィルタの製造方法及びフィルタ並びに表示装置
JP3781987B2 (ja) 2001-07-10 2006-06-07 セイコーエプソン株式会社 フィルタの製造方法
US6656611B2 (en) * 2001-07-20 2003-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Structure-defining material for OLEDs
US6619334B2 (en) * 2001-11-29 2003-09-16 Eastman Kodak Company Method of delivering fluid into constricted openings free of voids
US6810919B2 (en) * 2002-01-11 2004-11-02 Seiko Epson Corporation Manufacturing method for display device, display device, manufacturing method for electronic apparatus, and electronic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
CN1496667B (zh) 2010-05-05
EP1465461A1 (en) 2004-10-06
TW200302033A (en) 2003-07-16
US20030140982A1 (en) 2003-07-31
CN1496667A (zh) 2004-05-12
KR20030086296A (ko) 2003-11-07
EP1465461B1 (en) 2012-03-14
JP3890053B2 (ja) 2007-03-07
EP1465461A4 (en) 2006-09-27
US6810919B2 (en) 2004-11-02
US20050003569A1 (en) 2005-01-06
KR100600527B1 (ko) 2006-07-13
US20050268984A1 (en) 2005-12-08
JPWO2003061349A1 (ja) 2005-05-19
KR100547502B1 (ko) 2006-01-31
WO2003061349A1 (fr) 2003-07-24
JP4556604B2 (ja) 2010-10-06
JP2005026237A (ja) 2005-01-27
US6948533B2 (en) 2005-09-27
KR20050120725A (ko) 2005-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI230562B (en) Manufacturing method for display device, display device, manufacturing method for electronic apparatus, and electronic apparatus
JP4055171B2 (ja) カラーフィルタ基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器
JP3823916B2 (ja) 表示装置及び電子機器並びに表示装置の製造方法
JP4075425B2 (ja) 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置の製造装置、及び電子機器
US7244158B2 (en) Method of manufacturing color filter substrate, method of manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus
JP4715226B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器
JP2003249376A (ja) 表示装置及び電子機器
JP2004355913A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP3951701B2 (ja) 表示装置の製造方法、電子機器の製造方法、表示装置および電子機器
KR100506354B1 (ko) 유기 ｅｌ 장치의 제조 방법 및 그 장치, 전기 광학장치와 전자 기기
JP4595387B2 (ja) 液滴吐出装置、液滴吐出方法、カラーフィルタ基板の製造方法、電気光学装置の製造方法
JP2003249355A (ja) 表示装置の製造方法、表示装置、電子機器の製造方法および電子機器
JP2003249378A (ja) 表示装置及び電子機器
JP2004200158A (ja) 有機ｅｌ装置製造用基板、有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、及び電子機器
JP2003249377A (ja) 表示装置及び電子機器並びに表示装置の製造方法
JP4366896B2 (ja) 発光装置の製造装置
JP2003208977A (ja) 有機ｅｌ装置の製造方法及びその装置、電気光学装置、並びに電子機器
JP2003217843A (ja) 表示装置の製造方法、電子機器の製造方法、表示装置および電子機器
JP2006278127A (ja) デバイスの製造方法、ｅｌ装置の製造方法、ｅｌ装置、電子機器
JP2003282272A (ja) 電気光学装置とその製造方法及び電子機器
JP2005353528A (ja) 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器
JP2003208978A (ja) 有機ｅｌ装置の製造方法及びその装置、電気光学装置、並びに電子機器
JP2003229254A (ja) 電気光学装置の製造方法と電子機器の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees