JPWO2003061349A1 - 表示装置の製造方法、表示装置、電子機器の製造方法および電子機器 - Google Patents
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Abstract
基体２上に形成された複数の電極１１１の周囲にバンク部１１２ａ、１１２ｂを形成するとともに、複数のノズルから組成物を吐出して各電極１１１上に機能層を各々形成することにより、電極１１１上に形成した各機能層の間にバンク部１１２ａ、１１２ｂが備えられてなる表示装置を製造する方法であり、複数のノズルが配列されてなるノズル列を主走査方向に対して傾斜させた状態で基体２上を走査させつつ、各機能層ごとに最初に吐出する組成物の液滴１１０ｃ１を、バンク部１１２ａ、１１２ｂの少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする表示装置の製造方法を採用する。これにより、画素電極毎に機能層の塗りむらが生じることがなく、表示品質に優れた表示装置及びその製造方法を提供する。
Description
技術分野
本発明は、表示装置の製造方法、表示装置、電子機器の製造方法および電子機器に関するものである。
背景技術
近年、有機蛍光材料等の機能材料をインク化し、当該インク（組成物）を基材上に吐出するインクジェット法により、機能材料のパターニングを行う方法を採用して、一対の電極間に該機能材料からなる機能層が挟持された構造のカラー表示装置、特に機能材料として有機発光材料を用いた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置の開発が行われている。
上述した機能材料のパターニング法として、例えば、基体上に形成したＩＴＯ等からなる画素電極の周囲にバンク部を形成し、次に画素電極及びこの画素電極に隣接する前記バンク部の一部を親液性に処理するとともにバンク部の残りの部分を撥液性に処理し、次に機能層の構成材料を含む組成物を画素電極のほぼ中央に吐出して乾燥することにより、画素電極上に機能層を形成する方法が採用されている。
この従来の方法によれば、吐出した組成物がバンク部から溢れた場合でも、バンク部の撥液処理された部分ではじかれて隣接する他の画素電極上に流れ込むことがないので、正確にパターニングを行うことが可能になる。
しかし、従来の方法においては、吐出後の組成物は画素電極の中央から周囲に向けて均一に濡れ広がるが、親水処理されたバンク部の一部までは濡れ広がりにくく、このため画素電極毎に機能層の塗りむらが生じる場合があった。これは、親水処理されたバンク部の一部が非常に微小な領域であって画素電極の周囲に位置しているため、表面張力等の関係で組成物が濡れ広がらないためと考えられている。
発明の開示
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、画素電極毎に機能層の塗りむらが生じることがなく、表示品質に優れた表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の表示装置の製造方法は、基体上に形成された複数の電極の周囲にバンク部を形成するとともに、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に前記機能層を各々形成することにより、各前記電極上に形成した各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置を製造する方法であり、前記複数のノズルが配列されてなるノズル列を主走査方向に対して傾斜させた状態で前記基体上を走査させつつ、各機能層ごとに最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする。
係る表示装置の製造方法によれば、各機能層ごとに最初に吐出する前記組成物の液滴を前記バンク部の少なくとも一部に接触させることにより、この液滴がバンク部から電極表面に転がり込むため、組成物の液滴を電極の周囲に優先的に濡れ広げて組成物をむらなく塗布することができ、これにより機能層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
また本発明の表示装置の製造方法は、先に記載の表示装置の製造方法であり、前記バンク部に親液性に処理された部分と撥液性に処理された部分とを設け、前記組成物の液滴を、前記の撥液性に処理された部分に接触させることを特徴とする。
係る表示装置の製造方法によれば、前記組成物の液滴をバンク部の撥液性に処理された部分に接触させるので、液滴をバンク部から電極表面に素早く転がり込ませることができ、組成物の液滴を電極の周囲に迅速かつ優先的に濡れ広げることができる。
また本発明の表示装置の製造方法は、先に記載の表示装置の製造方法であり、前記バンク部を親液性に処理された第１バンク層と撥液性に処理された第２バンク層から形成するとともに、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成することを特徴とする。
係る表示装置の製造方法によれば、親液性に処理された第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成するので、組成物が電極よりも先に第１バンク層に濡れ広がり、これにより組成物をむらなく塗布することができる。
次に本発明の表示装置の製造方法は、基体上に形成された複数の電極上の各々に機能層が形成されるとともに、前記の各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置の製造方法であり、前記電極の一部と重なるように前記バンク部を形成するバンク部形成工程と、少なくとも前記電極の一部を親液性に処理する親液化工程と、前記バンク部の一部を撥液性に処理する撥液化工程と、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に少なくとも一層の機能層を形成する機能層形成工程と、前記機能層上に対向電極を形成する対向電極形成工程とを具備してなり、前記機能層形成工程において、前記複数のノズルが配列されてなるノズル列を主走査方向に対して傾斜させた状態で前記基体上を走査させつつ、各機能層ごとに最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする。
係る表示装置の製造方法によれば、各機能層ごとに最初に吐出する前記組成物の液滴を前記バンク部の少なくとも一部に接触させることにより、この液滴がバンク部から電極表面に転がり込むため、組成物の液滴を電極の周囲に優先的に濡れ広げて組成物をむらなく塗布することができ、これにより機能層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
また本発明の表示装置の製造方法は、先に記載の表示装置の製造方法であり、前記バンク部は、前記親水化工程により親液性に処理された第１バンク層と、前記撥液化工程により撥液性に処理された第２バンク層から形成されてなり、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成されてなることを特徴とする。
係る表示装置の製造方法によれば、親液性に処理された第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成されているので、組成物が電極よりも先に第１バンク層に濡れ広がり、これにより組成物をむらなく塗布することができる。
また本発明の表示装置の製造方法は、先に記載の表示装置の製造方法であり、前記機能層が、少なくとも正孔注入／輸送層を含むものであることを特徴とする。
また本発明の表示装置の製造方法は、先に記載の表示装置の製造方法であり、前記機能層が、少なくとも発光層を含むものであることを特徴とする。
係る表示装置の製造方法によれば、前記機能層が正孔注入／輸送層または発光層を含むものなので、正孔注入／輸送層または発光層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
また前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を前記液滴の直径より狭くしてもよい。この場合、各機能層に対する前記ノズル列の走査回数は１回で良い。
また前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を前記液滴の直径より広くすることが好ましい。この場合、各機能層に対する前記ノズル列の走査回数は１回でも良く、複数回でも良い。更に、走査回数を複数回とした場合は、各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に別のノズルを用いることが好ましい。
尚、上述の別のノズルを用いる手段として、各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に、前記ノズル列を副走査方向にシフトさせることにより、走査毎に別のノズルを用いるようにすることができる。
係る表示装置の製造方法によれば、ノズル列の走査毎に別のノズルを用いることにより、ノズル毎の組成物の吐出量のばらつきを平均化し、機能層毎の膜厚のばらつきを低減することができる。これにより、表示品質に優れた表示装置を製造することができる。
次に本発明の表示装置は、先のいずれかに記載された表示装置の製造方法により製造されたものであることを特徴とする。
係る表示装置によれば、上記の表示装置の製造方法により製造されたものなので、機能層毎の膜厚のばらつきを低減するとともに機能層をむらなく形成することができ、表示装置の表示品質を向上することができる。
次に本発明の電子機器の製造方法は、基体上に形成された複数の電極の周囲にバンク部を形成するとともに、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に前記機能層を各々形成することにより、各前記電極上に形成した各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置と、前記表示装置を駆動するための駆動回路とを有してなる電子機器の製造方法であり、前記複数のノズルが配列されてなるノズル列を主走査方向に対して傾斜させた状態で前記基体上を走査させつつ、各機能層ごとに最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする。
係る電子機器の製造方法によれば、各機能層ごとに最初に吐出する前記組成物の液滴を前記バンク部の少なくとも一部に接触させることにより、この液滴がバンク部から電極表面に転がり込むため、組成物の液滴を電極の周囲に優先的に濡れ広げて組成物をむらなく塗布することができ、これにより機能層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
また本発明の電子機器の製造方法は、先に記載の電子機器の製造方法であり、前記バンク部に親液性に処理された部分と撥液性に処理された部分を設け、前記組成物の液滴を、前記の撥液性に処理された部分に接触させることを特徴とする。
係る電子機器の製造方法によれば、前記組成物の液滴をバンク部の撥液性に処理された部分に接触させるので、液滴をバンク部から電極表面に素早く転がり込ませることができ、組成物の液滴を電極の周囲に迅速かつ優先的に濡れ広げることができる。
また本発明の電子機器の製造方法は、先に記載の電子機器の製造方法であり、前記バンク部を親液性に処理された第１バンク層と撥液性に処理された第２バンク層から形成するとともに、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成することを特徴とする。
係る電子機器の製造方法によれば、親液性に処理された第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成するので、組成物が電極よりも先に第１バンク層に濡れ広がり、これにより組成物をむらなく塗布することができる。
また本発明の電子機器の製造方法は、基体上に形成された複数の電極上の各々に機能層が形成されるとともに、前記の各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置と、前記表示装置を駆動するための駆動回路とを有してなる電子機器の製造方法であり、前記電極の一部と重なるように前記バンク部を形成するバンク部形成工程と、少なくとも前記電極の一部を親液性に処理する親液化工程と、前記バンク部の一部を撥液性に処理する撥液化工程と、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に少なくとも一層の機能層を形成する機能層形成工程と、前記機能層上に対向電極を形成する対向電極形成工程とを具備してなり、前記機能層形成工程において、前記複数のノズルが配列されてなるノズル列を主走査方向に対して傾斜させた状態で前記基体上を走査させつつ、各機能層ごとに最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする。
係る電子機器の製造方法によれば、各機能層ごとに最初に吐出する前記組成物の液滴を前記バンク部の少なくとも一部に接触させることにより、この液滴がバンク部から電極表面に転がり込むため、組成物の液滴を電極の周囲に優先的に濡れ広げて組成物をむらなく塗布することができ、これにより機能層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
また本発明の電子機器の製造方法は、先に記載の電子機器の製造方法であり、前記バンク部は、前記親水化工程により親液性に処理された第１バンク層と、前記撥液化工程により撥液性に処理された第２バンク層から形成されてなり、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成されてなることを特徴とする。
係る電子機器の製造方法によれば、親液性に処理された第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成されているので、組成物が電極よりも先に第１バンク層に濡れ広がり、これにより組成物をむらなく塗布することができる。
また本発明の電子機器の製造方法は、先に記載の電子機器の製造方法であり、前記機能層が、少なくとも正孔注入／輸送層を含むものであることを特徴とする。
また本発明の電子機器の製造方法は、先に記載の電子機器の製造方法であり、前記機能層が、少なくとも発光層を含むものであることを特徴とする。
係る電子機器の製造方法によれば、前記機能層が正孔注入／輸送層または発光層を含むものなので、正孔注入／輸送層または発光層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
また前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を前記液滴の直径より狭くしてもよい。このとき、各機能層に対する前記ノズル列の走査回数は１回で良い。
また前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を前記液滴の直径より広くすることが好ましい。このとき、各機能層に対する前記ノズル列の走査回数は１回でも良く、複数回でも良い。更に、走査回数を複数回とした場合は、各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に、別のノズルを用いることが好ましい。
尚、上述の別のノズルを用いる手段として、各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に、前記ノズル列を副走査方向にシフトさせることにより、走査毎に別のノズルを用いるようにすることができる。
係る電子機器の製造方法によれば、ノズル列の走査毎に別のノズルを用いることにより、ノズル毎の組成物の吐出量のばらつきを平均化し、機能層毎の膜厚のばらつきを低減することができる。これにより、表示品質に優れた電子機器を製造することができる。
次に本発明の電子機器は、先のいずれかに記載された電子機器の製造方法により製造されたものであることを特徴とする。
係る電子機器によれば、機能層毎の膜厚のばらつきを低減するとともに機能層をむらなく形成することができ、電子機器の表示品質を向上することができる。
発明を実施するための最良の形態
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法及び表示装置について説明する。まず、本実施形態の表示装置の製造方法を説明するに先立ち、この製造方法により製造される表示装置について説明する。
図１に本実施形態の表示装置の配線構造の平面模式図を示し、図２には本実施形態の表示装置の平面模式図及び断面模式図を示す。
図１に示すように、本実施形態の表示装置１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ａが設けられている。
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
更に、画素領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、該保持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電極）１１１と、この画素電極１１１と陰極（対向電極）１２との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。電極１１１と対向電極１２と機能層１１０により、発光素子が構成されている。
係る構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐに状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、更に機能層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
次に図２Ａ及び図２Ｂに示すように、本実施形態の表示装置１は、ガラス等からなる透明な基体２と、マトリックス状に配置された発光素子と、封止基板を具備している。基体２上に形成された発光素子は、後述する画素電極と、機能層と、陰極１２により形成されている。
基体２は、例えばガラス等の透明基板であり、基体２の中央に位置する表示領域２ａと、基体２の周縁に位置して表示領域２ａの外側に配置された非表示領域２ｂとに区画されている。
表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発光素子によって形成される領域であり、有効表示領域とも言う。また、表示領域の外側に非表示領域２ｂが形成されている。そして，非表示領域２ｂには、表示領域２ａに隣接するダミー表示領域２ｄが形成されている。
また、図２Ｂに示すように、発光素子及びバンク部からなる発光素子部１１と基体２との間には回路素子部１４が備えられ、この回路素子部１４に前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ１２３等が備えられている。
また、陰極１２は、その一端が基体２上に形成された陰極用配線１２ａに接続しており、この配線の一端部１２ｂがフレキシブル基板５上の配線５ａに接続されている。また、配線５ａは、フレキシブル基板５上に備えられた駆動ＩＣ６（駆動回路）に接続されている。
また、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、回路素子部１４の非表示領域２ｂには、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。
また、表示領域２ａの図２Ａ中両側には、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。この走査側駆動回路１０５、１０５はダミー領域２ｄの下側の回路素子部１４内に設けられている。更に回路素子部１４内には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。
更に表示領域２ａの図２Ａ中上側には検査回路１０６が配置されている。この検査回路１０６により、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
また図２Ｂに示すように、発光素子部１１上には封止部３が備えられている。この封止部３は、基体２に塗布された封止樹脂６０３ａと、缶封止基板６０４とから構成されている。封止樹脂６０３は、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなり、特に、熱硬化樹脂の１種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。
この封止樹脂６０３は、基体２の周囲に環状に塗布されており、例えば、マイクロディスペンサ等により塗布されたものである。この封止樹脂６０３は、基体２と封止缶６０４を接合するもので、基体２と缶封止基板６０４の間から缶封止基板６０４内部への水又は酸素の侵入を防いで、陰極１２または発光素子部１１内に形成された図示略の発光層の酸化を防止する。
缶封止基板６０４は、ガラス又は金属からなるもので、封止樹脂６０３を介して基体２に接合されており、その内側には表示素子１０を収納する凹部６０４ａが設けられている。また凹部６０４ａには水、酸素等を吸収するゲッター剤６０５が貼り付けられており、缶封止基板６０４の内部に侵入した水又は酸素を吸収できるようになっている。なお、このゲッター剤６０５は省略しても良い。
次に図３には、表示装置における表示領域の断面構造を拡大した図を示す。この図３には３つの画素領域Ａが図示されている。この表示装置１は、基体２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４と、機能層１１０が形成された発光素子部１１とが順次積層されて構成されている。
この表示装置１においては、機能層１１０から基体２側に発した光が、回路素子部１４及び基体２を透過して基体２の下側（観測者側）に出射されるとともに、機能層１１０から基体２の反対側に発した光が陰極１２により反射されて、回路素子部１４及び基体２を透過して基体２の下側（観測者側）に出射されるようになっている。
なお、陰極１２として、透明な材料を用いることにより陰極側から発光する光を出射させることができる。透明な材料としては、ＩＴＯ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを用いる事ができる。膜厚としては７５ｎｍほどの膜厚にする事が好ましく、この膜厚よりも薄くした方がより好ましい。
回路素子部１４には、基体２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護膜２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。尚、半導体膜１４１には、ソース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度Ｐイオン打ち込みにより形成されている。なお、Ｐが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。
更に回路素子部１４には、下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線１０１）が形成され、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂが形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。
また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを貫通して、半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５，１４６が形成されている。
そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール１４５がこの画素電極１１１に接続されている。
また、もう一方のコンタクトホール１４６が電源線１０３に接続されている。
このようにして、回路素子部１４には、各画素電極１１１に接続された駆動用の薄膜トランジスタ１２３が形成されている。
尚、回路素子部１４には、前述した保持容量ｃａｐ及びスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２も形成されているが、図３ではこれらの図示を省略している。
次に図３に示すように、発光素子部１１は、複数の画素電極１１１…上の各々に積層された機能層１１０と、各画素電極１１１及び機能層１１０の間に備えられて各機能層１１０を区画するバンク部１１２と、機能層１１０上に形成された陰極１２とを主体として構成されている。これら画素電極（第１電極）１１１、機能層１１０及び陰極１２（第２電極）によって発光素子が構成されている。
ここで、画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形成されてなり、平面視略矩形にパターニングされて形成されている。この画素電極１１１の厚さは、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍ程度がよい。この各画素電極１１１…の間にバンク部１１２が備えられている。
バンク部１１２は、図３に示すように、基体２側に位置する無機物バンク層１１２ａ（第１バンク層）と基体２から離れて位置する有機物バンク層１１２ｂ（第２バンク層）とが積層されて構成されている。
無機物バンク層、有機物バンク層（１１２ａ、１１２ｂ）は、画素電極１１１の周縁部上に乗上げるように形成されている。平面的には、画素電極１１１の周囲と無機物バンク層１１２ａとが平面的に重なるように配置された構造となっている。また、有機物バンク層１１２ｂも同様であり、画素電極１１１の一部と平面的に重なるように配置されている。また無機物バンク層１１２ａは、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に更に形成されている。このようにして、無機物バンク層１１２ａの各第１積層部１１２ｅが画素電極１１１の内側に形成されることにより、画素電極１１１の形成位置に対応する下部開口部１１２ｃが設けられている。
また、有機物バンク層１１２ｂには、上部開口部１１２ｄが形成されている。この上部開口部１１２ｄは、画素電極１１１の形成位置及び下部開口部１１２ｃに対応するように設けられている。上部開口部１１２ｄは、図３に示すように、下部開口部１１２ｃより広く、画素電極１１１より狭く形成されている。また、上部開口部１１２ｄの上部の位置と、画素電極１１１の端部とがほぼ同じ位置になるように形成される場合もある。この場合は、図３に示すように、有機物バンク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの断面が傾斜する形状となる。
そしてバンク部１１２には、下部開口部１１２ｃ及び上部開口部１１２ｄが連通することにより、無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成されている。
また、無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機材料からなることが好ましい。この無機物バンク層１１２ａの膜厚は、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１１２ａが後述する正孔注入／輸送層より薄くなり、正孔注入／輸送層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。また膜厚が２００ｎｍを越えると、下部開口部１１２ｃによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送層上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。
更に、有機物バンク層１１２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のあるレジストから形成されている。この有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層が上部開口部１１２ｄから溢れるおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、有機物バンク層１１２ｂ上に形成する陰極１２のステップガバレッジを確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、駆動用の薄膜トランジスタ１２３との絶縁を高めることができる点でより好ましい。
また、バンク部１１２には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。
親液性を示す領域は、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び画素電極１１１の電極面１１１ａであり、これらの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液性に表面処理されている。また、撥液性を示す領域は、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機物バンク層１１２の上面１１２ｆであり、これらの領域は、４フッ化メタン、テトラフルオロメタン、もしくは四フッ化炭素を処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液性に処理）されている。
次に図３に示すように、機能層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された発光層１１０ｂとから構成されている。なお、発光層１１０ｂに隣接して電子注入輸送層などの機能を有する他の機能層を更に形成しても良い。
正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０ｂに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２から注入される電子が発光層で再結合し、発光が得られる。
正孔注入／輸送層１１０ａは、下部開口部１１２ｃ内に位置して画素電極面１１１ａ上に形成される平坦部１１０ａ１と、上部開口部１１２ｄ内に位置して無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に形成される周縁部１１０ａ２から構成されている。また、正孔注入／輸送層１１０ａは、構造によっては、画素電極１１１上であって、且つ無機物バンク層１１０ａの間（下部開口部１１０ｃ）にのみ形成されている（前述に記載した平坦部にのみ形成される形態もある）。
この平坦部１１０ａ１は、その厚さが一定で例えば５０〜７０ｎｍの範囲に形成される。
周縁部１１０ａ２が形成される場合においては、周縁部１１０ａ２は、第１積層部１１２ｅ上に位置するとともに上部開口部１１２ｄの壁面、即ち有機物バンク層１１２ｂに密着している。また、周縁部１１０ａ２の厚さは、電極面１１１ａに近い側で薄く、電極面１１１ａから離れる方向に沿って増大し、下部開口部１１２ｄの壁面近くで最も厚くなっている。
周縁部１１０ａ２が上記の様な形状を示す理由としては、正孔注入／輸送層１１０ａが、正孔注入／輸送層形成材料及び極性溶媒を含む第１組成物を開口部１１２内に吐出してから極性溶媒を除去して形成されたものであり、極性溶媒の揮発が主に無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上で起こり、正孔注入／輸送層形成材料がこの第１積層部１１２ｅ上に集中的に濃縮・析出されたためである。
また発光層１１０ｂは、正孔注入／輸送層１１０ａの平坦部１１０ａ１及び周縁部１１０ａ２上に渡って形成されており、平坦部１１２ａ１上での厚さが５０〜８０ｎｍの範囲とされている。
発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ１、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ２、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ３、の３種類を有し、各発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３がストライプ配置されている。
上記のように、正孔注入／輸送層１１０ａの周縁部１１０ａ２が上部開口部１１２ｄの壁面（有機物バンク層１１２ｂ）に密着しているので、発光層１１０ｂが有機物バンク層１１２ｂに直接に接することがない。従って、有機物バンク層１１２ｂに不純物として含まれる水が発光層１１０ｂ側に移行するのを、周縁部１１０ａ２によって阻止することができ、水による発光層１１０ｂの酸化を防止できる。
また、無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に不均一な厚さの周縁部１１０ａ２が形成されるため、周縁部１１０ａ２が第１積層部１１２ｅによって画素電極１１１から絶縁された状態となり、周縁部１１０ａ２から発光層１１０ｂに正孔が注入されることがない。これにより、画素電極１１１からの電流が平坦部１１２ａ１のみに流れ、正孔を平坦部１１２ａ１から発光層１１０ｂに均一に輸送させることができ、発光層１１０ｂの中央部分のみを発光させることができるとともに、発光層１１０ｂにおける発光量を一定にすることができる。
また、無機物バンク層１１２ａが有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に更に延出されているので、この無機物バンク層１１２ａによって画素電極１１１と平坦部１１０ａ１との接合部分の形状をトリミングすることができ、各発光層１１０ｂ間の発光強度のばらつきを抑えることができる。
更に、画素電極１１１の電極面１１１ａ及び無機物バンク層の第１積層部１１２ｅが親液性を示すので、機能層１１０が画素電極１１１及び無機物バンク層１１２ａに均一に密着し、無機物バンク１１２ａ上で機能層１１０が極端に薄くならず、画素電極１１１と陰極１２との短絡を防止できる。
また、有機物バンク層１１２ｂの上面１１２ｆ及び上部開口部１１２ｄ壁面が撥液性を示すので、機能層１１０と有機物バンク層１１２ｂとの密着性が低くなり、機能層１１０が開口部１１２ｇから溢れて形成されることがない。
尚、正孔注入／輸送層形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いることができる。また、発光層１１０ｂの材料としては、例えば、化合物１〜化合物５が、ポリフルオレン誘導体か、その他に（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料にペリレン係色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることができる。
次に陰極１２は、発光素子部１１の全面に形成されており、画素電極１１１と対になって機能層１１０に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例えば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成されている。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態においては発光層１１０ｂに直接に接して発光層１１０ｂに電子を注入する役割を果たす。また、フッ化リチウムは発光層の材料によっては効率よく発光させるために、発光層１１０と陰極１２との間にＬｉＦを形成する場合もある。
尚、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１１０ｂ２にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を用いても良い。従ってこの場合は青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２にはフッ化リチウム以外のものを積層しても良い。また、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２上にはフッ化リチウムを形成せず、カルシウムのみを形成しても良い。
尚、フッ化リチウムの厚さは、例えば２〜５ｎｍの範囲が好ましく、特に２ｎｍ程度がよい。またカルシウムのの厚さは、例えば２〜５０ｎｍの範囲が好ましく、特に２０ｎｍ程度がよい。
また、陰極１２を形成するアルミニウムは、発光層１１０ｂから発した光を基体２側に反射させるもので、Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等からなることが好ましい。また、その厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００ｎｍ程度がよい。
更にアルミニウム上にＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
尚、このように形成した発光素子上に封止缶６０４を配置する。図２（ｂ）に示すように、封止缶６０４を封止樹脂６０３により接着し、表示装置１を形成する。
次に、本実施形態の表示装置の製造方法を図面を参照して説明する。
本実施形態の表示装置１の製造方法は、例えば、（１）バンク部形成工程、（２）プラズマ処理工程（親液化工程及び撥液化工程を含む）、（３）正孔注入／輸送層形成工程（機能層形成工程）、（４）発光層形成工程（機能層形成工程）、（５）対向電極形成工程、及び（６）封止工程とを具備して構成されている。なお、製造方法はこれに限られるものではなく必要に応じてその他の工程が除かれる場合、また追加される場合もある。
（１）バンク部形成工程
バンク部形成工程では、基体２の所定の位置にバンク部１１２を形成する工程である。バンク部１１２は、第１のバンク層として無機物バンク層１１２ａが形成されてなり、第２のバンク層として有機物バンク層１１２ｂが形成された構造である。以下に形成方法について説明する。
（１）−１無機物バンク層の形成
まず、図４に示すように、基体上の所定の位置に無機物バンク層１１２ａを形成する。無機物バンク層１１２ａが形成される位置は、第２層間絶縁膜１４４ｂ上及び電極（ここでは画素電極）１１１上である。なお、第２層間絶縁膜１４４ｂは薄膜トランジスタ、走査線、信号線、等が配置された回路素子部１４上に形成されている。
無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機物膜を材料として用いることができる。これらの材料は、例えばＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって形成される。
更に、無機物バンク層１１２ａの膜厚は５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。
無機物バンク層１１２は、層間絶縁層１１４及び画素電極１１１の全面に無機物膜を形成し、その後無機物膜をフォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより、開口部を有する無機物バンク層１１２が形成される。開口部は、画素電極１１１の電極面１１１ａの形成位置に対応するもので、図４に示すように下部開口部１１２ｃとして設けられる。
このとき、無機物バンク層１１２ａは画素電極１１１の周縁部（一部）と重なるように形成される。図４に示すように、画素電極１１１の一部と無機物バンク層１１２ａとが重なるように無機物バンク層１１２ａを形成することにより、発光層１１０の発光領域を制御することができる。
（１）−２有機物バンク層１１２ｂの形成
次に、第２バンク層としての有機物バンク層１１２ｂを形成する。
図５に示すように、無機物バンク層１１２ａ上に有機物バンク層１１２ｂを形成する。有機物バンク層１１２ｂとして、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する材料を用いる。これらの材料を用い、有機物バンク層１１２ｂをフォトリソグラフィ技術等によりパターニングして形成される。なお、パターニングする際、有機物バンク層１１２ｂに上部開口部１１２ｄを形成する。上部開口部１１２ｄは、電極面１１１ａ及び下部開口部１１２ｃに対応する位置に設けられる。
上部開口部１１２ｄは、図５に示すように、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃより広く形成する事が好ましい。更に、有機物バンク層１１２ｂはテーパーを有する形状が好ましく、有機物バンク層の開口部が画素電極１１１の幅より狭く、有機物バンク層１１２ｂの最上面では画素電極１１１の幅とほぼ同一の幅になるように有機物バンク層を形成する事が好ましい。これにより、無機物バンク層１１２ａの下部開口部１１２ｃを囲む第１積層部１１２ｅが、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に延出された形になる。
このようにして、有機物バンク層１１２ｂに形成された上部開口部１１２ｄ、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃを連通させることにより、無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成される。
なお、有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。このような範囲とする理由は以下の通りである。
すなわち、厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層１１０ｂが上部開口部１１２ｄから溢れてしまうおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、上部開口部１１２ｄにおける陰極１２のステップガバレッジが確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、陰極１２と駆動用の薄膜トランジスタ１２３との絶縁を高めることができる点で好ましい。
（２）プラズマ処理工程
次にプラズマ処理工程では、画素電極１１１の表面を活性化すること、更にバンク部１１２の表面を表面処理する事を目的として行われる。特に活性化工程では、画素電極１１１（ＩＴＯ）上の洗浄、更に仕事関数の調整を主な目的として行っている。更に、画素電極１１１の表面の親液化処理（親液化工程）、バンク部１１２表面の撥液化処理（撥液化工程）を行う。
このプラズマ処理工程は、例えば（２）−１予備加熱工程、（２）−２活性化処理工程（親液化工程）、（２）−３撥液化処理工程（親液化工程）、及び（２）−４冷却工程とに大別される。なお、このような工程に限られるものではなく、必要に応じて工程を削減、更なる工程追加も行われる。
まず、図６は、プラズマ処理工程で用いられるプラズマ処理装置を示す。
図６に示すプラズマ処理装置５０は、予備加熱処理室５１、第１プラズマ処理室５２、第２プラズマ処理室５３、冷却処理室５４、これらの各処理室５１〜５４に基体２を搬送する搬送装置５５とから構成されている。各処理室５１〜５４は、搬送装置５５を中心として放射状に配置されている。
まず、これらの装置を用いた概略の工程を説明する。
予備加熱工程は、図６に示す予備加熱処理室５１において行われる。そしてこの処理室５１により、バンク部形成工程から搬送された基体２を所定の温度に加熱する。
予備加熱工程の後、親液化工程及び撥液化処理工程を行う。すなわち、基体は第１，第２プラズマ処理室５２，５３に順次搬送され、それぞれの処理室５２，５３においてバンク部１１２にプラズマ処理を行い親液化する。この親液化処理後に撥液化処理を行う。撥液化処理の後に基体を冷却処理室に搬送し、冷却処理室５４おいて基体を室温まで冷却する。この冷却工程後、搬送装置により次の工程である正孔注入／輸送層形成工程に基体を搬送する。
以下に、それぞれの工程について詳細に説明する。（２）−１予備加熱工程
予備加熱工程は予備加熱処理室５１により行う。この処理室５１において、バンク部１１２を含む基体２を所定の温度まで加熱する。
基体２の加熱方法は、例えば処理室５１内にて基体２を載せるステージにヒータを取り付け、このヒータで当該ステージごと基体２を加熱する手段がとられている。なお、これ以外の方法を採用することも可能である。
予備加熱処理室５１において、例えば７０℃〜８０℃の範囲に基体２を加熱する。この温度は次工程であるプラズマ処理における処理温度であり、次の工程に合わせて基体２を事前に加熱し、基体２の温度ばらつきを解消することを目的としている。
仮に予備加熱工程を加えなければ、基体２は室温から上記のような温度に加熱されることになり、工程開始から工程終了までのプラズマ処理工程中において温度が常に変動しながら処理される事になる。したがって、基体温度が変化しながらプラズマ処理を行うことは、有機ＥＬ素子の特性の不均一につながる可能性がある。したがって、処理条件を一定に保ち、均一な特性を得るために予備加熱を行うのである。
そこで、プラズマ処理工程においては、第１，第２プラズマ処理装置５２，５３内の試料ステージ上に基体２を載置した状態で親液化工程または撥液化工程を行う場合に、予備加熱温度を、親液化工程または撥液化工程を連続して行う試料ステージ５６の温度にほぼ一致させることが好ましい。
そこで、第１，第２プラズマ処理装置５２，５３内の試料ステージが上昇する温度、例えば７０〜８０℃まで予め基体２を予備加熱することにより、多数の基体にプラズマ処理を連続的に行った場合でも、処理開始直後と処理終了直前でのプラズマ処理条件をほぼ一定にすることができる。これにより、基体２の表面処理条件を同一にし、バンク部１１２の組成物に対する濡れ性を均一化することができ、一定の品質を有する表示装置を製造することができる。
また、基体２を予め予備加熱しておくことにより、後のプラズマ処理における処理時間を短縮することができる。
（２）−２活性化処理（親液化工程）
つぎに第１プラズマ処理室５２では、活性化処理が行われる。活性化処理には、画素電極１１１における仕事関数の調整、制御、画素電極表面の洗浄、画素電極表面の親液化工程が含まれる。
親液化工程として、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を行う。図７には第１プラズマ処理を模式的に示した図である。図７に示すように、バンク部１１２を含む基体２は加熱ヒータ内臓の試料ステージ５６上に載置され、基体２の上側にはギャップ間隔０．５〜２ｍｍ程度の距離をおいてプラズマ放電電極５７が基体２に対向して配置されている。基体２は、試料ステージ５６によって加熱されつつ、試料ステージ５６は図示矢印方向に向けて所定の搬送速度で搬送され、その間に基体２に対してプラズマ状態の酸素が照射される。
Ｏ２プラズマ処理の条件は、例えば、プラズマパワー１００〜８００ｋＷ、酸素ガス流量５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、板搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度７０〜９０℃の条件で行われる。なお、試料ステージ５６による加熱は、主として予備加熱された基体２の保温のために行われる。
このＯ２プラズマ処理により、図８に示すように、画素電極１１１の電極面１１１ａ、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び有機物バンク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの壁面ならびに上面１１２ｆが親液処理される。この親液処理により、これらの各面に水酸基が導入されて親液性が付与される。
図９では、親液処理された部分を一点鎖線で示している。
なお、このＯ２プラズマ処理は、親液性を付与するのみならず、上述の通り画素電極であるＩＴＯ上の洗浄，仕事関数の調整も兼ねている。
（２）−３撥液処理工程（撥液化工程）
つぎに、第２プラズマ処理室５３では、撥液化工程として、大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行う。第２プラズマ処理室５３の内部構造は図７に示した第１プラズマ処理室５２の内部構造と同じである。即ち、基体２は、試料ステージによって加熱されつつ、試料ステージごと所定の搬送速度で搬送され、その間に基体２に対してプラズマ状態のテトラフルオロメタン（四フッ化炭素）が照射される。
ＣＦ４プラズマ処理の条件は、例えば、プラズマパワー１００〜８００ｋＷ、４フッ化メタンガス流量５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、基体搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度７０〜９０℃の条件で行われる。なお、加熱ステージによる加熱は、第１プラズマ処理室５２の場合と同様に、主として予備加熱された基体２の保温のために行われる。
なお、処理ガスは、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることができる。
ＣＦ４プラズマ処理により、図９に示すように、上部開口部１１２ｄ壁面及び有機物バンク層の上面１１２ｆが撥液処理される。この撥液処理により、これらの各面にフッ素基が導入されて撥液性が付与される。図９では、撥液性を示す領域を二点鎖線で示している。有機物バンク層１１２ｂを構成するアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機物はプラズマ状態のフルオロカーボンが照射することで容易に撥液化させることができる。また、Ｏ２プラズマにより前処理した方がフッ素化されやすい、という特徴を有しており、本実施形態には特に有効である。
尚、画素電極１１１の電極面１１１ａ及び無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅもこのＣＦ４プラズマ処理の影響を多少受けるが、濡れ性に影響を与える事は少ない。図９では、親液性を示す領域を一点鎖線で示している。
（２）−４冷却工程
次に冷却工程として、冷却処理室５４を用い、プラズマ処理のために加熱された基体２を管理温度まで冷却する。これは、この以降の工程であるインクジェット工程（機能層形成工程）の管理温度まで冷却するために行う工程である。
この冷却処理室５４は、基体２を配置するためのプレートを有し、そのプレートは基体２を冷却するように水冷装置が内蔵された構造となっている。
また、プラズマ処理後の基体２を室温、または所定の温度（例えばインクジェット工程を行う管理温度）まで冷却することにより、次の正孔注入／輸送層形成工程において、基体２の温度が一定となり、基体２の温度変化が無い均一な温度で次工程を行うことができる。したがって、このような冷却工程を加えることにより、インクジェット法等の吐出手段により吐出された材料を均一に形成できる。
例えば、正孔注入／輸送層を形成するための材料を含む第１組成物を吐出させる際に、第１組成物を一定の容積で連続して吐出させることができ、正孔注入／輸送層を均一に形成することができる。
上記のプラズマ処理工程では、材質が異なる有機物バンク層１１２ｂ及び無機物バンク層１１２ａに対して、Ｏ２プラズマ処理とＣＦ４プラズマ処理とを順次行うことにより、バンク部１１２に親液性の領域と撥液性の領域を容易に設けることができる。
尚、プラズマ処理工程に用いるプラズマ処理装置は、図６に示したものに限られず、例えば図１０に示すようなプラズマ処理装置６０を用いてもよい。
図１０に示すプラズマ処理装置６０は、予備加熱処理室６１と、第１プラズマ処理室６２と、第２プラズマ処理室６３と、冷却処理室６４と、これらの各処理室６１〜６４に基体２を搬送する搬送装置６５とから構成され、各処理室６１〜６４が、搬送装置６５の搬送方向両側（図中矢印方向両側）に配置されてなるものである。
このプラズマ処理装置６０では、図６に示したプラズマ処理装置５０と同様に、バンク部形成工程から搬送された基体２を、予備加熱処理室６１、第１，第２プラズマ処理室６２，６３、冷却処理室６４に順次搬送して各処理室にて上記と同様な処理を行った後、基体２を次の正孔注入／輸送層形成工程に搬送する。
また，上記プラズマ装置は，大気圧下の装置でなくとも，真空下のプラズマ装置を用いても良い。
（３）正孔注入／輸送層形成工程（機能層形成工程）
次に発光素子形成工程では、電極（ここでは画素電極１１１）上に正孔注入／輸送層を形成する。
正孔注入／輸送層形成工程では、液滴吐出としてたとえばインクジェット装置を用いることにより、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物（組成物）を電極面１１１ａ上に吐出する。その後に乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極１１１上及び無機物バンク層１１２ａ上に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。なお、正孔注入／輸送層１１０ａが形成された無機物バンク層１１２ａをここでは第１積層部１１２ｅという。
この正孔注入／輸送層形成工程を含めこれ以降の工程は、水、酸素の無い雰囲気とする事が好ましい。例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
なお、正孔注入／輸送層１１０ａは第１積層部１１２ｅ上に形成されないこともある。すなわち、画素電極１１１上にのみ正孔注入／輸送層が形成される形態もある。
インクジェットによる製造方法は以下の通りである。
本実施形態の表示装置の製造方法に好適に用いられるインクジェットヘッドの一例として、図１１のようなヘッドＨを例示できる。このヘッドＨは図１１に示すように、複数のインクジェットヘッドＨ１と、これらのインクジェットヘッドＨ１を支持する支持基板Ｈ７を主として構成されている。
更に、基体と上記のヘッドＨの配置に関しては図１２のように配置することが好ましい。
図１２に示すインクジェット装置において、符号１１１５は基体２を載置するステージであり、符号１１１６はステージ１１１５を図中ｘ軸方向（主走査方向）に案内するガイドレールである。またヘッドＨは、支持部材１１１１を介してガイドレール１１１３により図中ｙ軸方向（副走査方向）に移動できるようになっており、更にヘッドＨは図中θ軸方向に回転できるようになっており、インクジェットヘッドＨ１を主走査方向に対して所定の角度に傾けることができるようになっている。
図１２に示す基体２は、マザー基板に複数のチップを配置した構造となっている。即ち、１チップの領域が１つの表示装置に相当する。ここでは、３つの表示領域２ａが形成されているが、これに限られるものではない。例えば、基体２上の左側の表示領域２ａに対して組成物を塗布する場合は、ガイドレール１１１３を介してヘッドＨを図中左側に移動させるとともに、ガイドレール１１１６を介して基体２を図中上側に移動させ、基体２を走査させながら塗布を行う。次に、ヘッドＨを図中右側に移動させて基体の中央の表示領域２ａに対して組成物を塗布する。右端にある表示領域２ａに対しても前記と同様である。
尚、図１２に示すヘッドＨ及び図１５に示すインクジェット装置は、正孔注入／輸送層形成工程のみならず、発光層形成工程に用いて良い。
図１３にはインクジェットヘッドＨ１をインク吐出面の側からみた斜視図を示す。図１３に示すように、インクジェットヘッドＨ１のインク吐出面（基体２との対向面）には、ヘッドの長さ方向に沿って列状に、且つヘッドの幅方向に間隔をあけて１列でノズルｎ１が複数設けられている。このように、複数のノズルＨ２が列状に配列されることにより２つのノズル列ｎ２が構成されている。１つのノズル列ｎ２に含まれるノズルｎ１の数は例えば１８０個であり、１つのインクジェットヘッドＨ１に３６０個のノズルが形成されている。また、ノズルｎ１の孔径は例えば２８μｍであり、ノズルｎ１間のピッチは例えば１４１μｍである。
インクジェットヘッドＨ１は、例えば、図１４Ａ及び図１４Ｂに示す内部構造を有する。具体的には、インクジェットヘッドＨ１は、例えばステンレス製のノズルプレート２２９と、それに対向する振動板２３１と、それらを相互に接合する仕切部材２３２とを有する。ノズルプレート２２９と振動板２３１との間には、仕切部材２３２によって複数の組成物室２３３と液溜まり室２３４とが形成されている。複数の組成物室２３３と液溜まり室２３４とは通路２３８を介して互いに連通している。
振動板２３１の適所には組成物供給孔２３６が形成され、この組成物供給孔２３６に組成物供給装置２３７が接続される。組成物供給装置２３７は、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を組成物供給孔２３６に供給する。供給された第１組成物は液溜まり２３４に充満し、更に通路２３８を通って組成物室２３３に充満する。
ノズルプレート２２９には、組成物室２３３から第１組成物をジェット状に噴射するためのノズルｎ１が設けられている。また、振動板２３１の組成物室２３３を形成する面の裏面には、組成物室２３３に対応させて組成物加圧体２３９が取り付けられている。この組成物加圧体２３９は、図１４Ｂに示すように、圧電素子２４１並びにこれを挟持する一対の電極２４２ａ及び２４２ｂを有する。圧電素子２４１は電極２４２ａ、２４２ｂへの通電によって矢印Ｃで示す外側へ突出するように撓み変形し、これにより組成物室２３３の容積が増大する。すると、増大した容積分に相当する第１組成物が液溜まり２３４から通路２３８を通って組成物室２３３に流入する。
次に圧電素子２４１への通電を解除すると、圧電素子２４１と振動板２３１はともに元の形状に戻る。これにより、組成物室２３３も元の容積に戻るため組成物室２３３の内部にある第１組成物の圧力が上昇し、ノズルｎ１から基体２へ向けて第１組成物が液滴１１０ｃとなって噴出する。
図１５には、基体２に対してインクジェットヘッドＨ１を走査させた状態を示す。図１５に示すように、インクジェットヘッドＨ１は、図中Ｘ方向に沿う方向に相対的に移動しながら第１組成物を吐出するが、その際、ノズル列ｎ２の配列方向Ｚが、主走査方向（Ｘ方向に沿う方向）に対して傾斜した状態になっている。このように、インクジェットヘッドＨ１のノズル列ｎ２を主走査方向に対して傾けて配置することにより、ノズルピッチを画素領域Ａのピッチに対応させることができる。また、傾き角度調整することにより、どのような画素領域Ａのピッチに対しても対応させることができる。
図１６に示すように、インクジェットヘッドＨ１に形成された複数のノズルｎ１…から正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を吐出する。尚、インクジェットヘッドＨ１を走査することにより各画素領域Ａ毎に第１組成物を充填しているが、基体２を走査することによっても可能である。更に、インクジェットヘッドＨ１と基体２とを相対的に移動させることによっても第１組成物を充填させることができる。なお、これ以降のインクジェットヘッドを用いて行う工程では上記の点は同様である。
インクジェットヘッドによる吐出は以下の通りである。すなわち、インクジェットヘッドＨ１に形成されてなる吐出ノズルＨ２を電極面１１１ａに対向して配置し、ノズルＨ２から第１組成物を吐出する。画素電極１１１の周囲には開口部１１２ｇを区画するバンク１１２が形成されており、この開口部１１２ｇにインクジェットヘッドＨ１を対向させ、このインクジェットヘッドＨ１と基体２とを相対移動させながら、吐出ノズルＨ２から１滴当たりの液量が制御された第１組成物滴１１０ｃを図３に示すような開口部１１２ｇ内に吐出する。１つの開口部１１２ｇに対して吐出する液滴の数は、例えば６〜２０滴の範囲とすることができるが、この範囲は画素の面積によって代わるものであり、この範囲より多くても少なくても構わない。
なお、図１６及び図１７Ａに示すように、１つの開口部１１２ｇに対して吐出する最初の液滴１１０ｃ１は、有機質バンク層１１２ｂの傾斜した壁面１１２ｈに接触させるように吐出する必要がある。有機質バンク層１１２ｂの壁面１１２ｈは先の撥液化工程によって撥液性に処理されているので、吐出された液滴１１０ｃ１は壁面１１２ｈに接触するものの直ちにはじかれ、この壁面１１２ｈ上を転がって第１積層部１１２ｅ上に転がり落ちる。第１積層部１１２ｅは前述したように親液性に処理されているので、転がり落ちた液滴１１０ｃ１は第１積層部１１２ｅ上で濡れ広がる。尚、この最初の液滴１１０ｃ１は、有機質バンク層１１２ｂの壁面１１２ｈの少なくとも一部に接触すれば良く、壁面１１２ｈと同時に有機物バンク層の上面１１２ｆに接するように吐出しても構わない。
続いて、２つ目以降の液滴１１０ｃ２は、図１７Ｂに示すように、直前の液滴１１０ｃ１と重なり合わない程度の間隔を空けて吐出する。即ち、各液滴１１０ｃ１、１１０ｃ２…の滴下時の間隔Ｄを、各液滴の直径ｄより広くする（Ｄ＞ｄ）ことが好ましい。尚、この場合は１回の走査で吐出できる液滴の数が限られるので、十分な膜厚の正孔注入／輸送層を形成するためには、１つの画素領域Ａに対するインクジェットヘッドＨ１の走査を複数回行うことが好ましい。
更に、インクジェットヘッドＨ１の走査を複数回行う際には、各走査回毎にインクジェットヘッドＨ１を主走査方向の直交方向である副走査方向（図１７中紙面方向）に僅かにシフトさせることにより、特定のノズルｎ１から別のノズルｎ１に切り替えて吐出を行うことが好ましい。このように、一つの画素領域Ａに対して複数のノズルを用いて吐出を行うことで、各ノズルに固有の液滴量の誤差が拡散するいわゆる誤差拡散の効果が生じ、正孔注入／輸送層の膜厚を均一にすることができる。
また、図１７Ｃに示すように、２つ目以降の液滴１１０ｃ２…を、直前の液滴１１０ｃ１と重なり合う程度の間隔で吐出してもよい。即ち、各液滴１１０ｃ１、１１０ｃ２…の滴下時の間隔Ｄを、各液滴の直径ｄより狭く（Ｄ＜ｄ）しても良い。尚、この場合は１回の走査で吐出できる液滴の数に制限がないので、十分な膜厚の正孔注入／輸送層を形成するために、１つの画素領域Ａに対するインクジェットヘッドＨ１の走査を１回としてもよく、複数回としてもよい。インクジェットヘッドＨ１の走査を複数回行う場合は、前述と同様に、各走査回毎にインクジェットヘッドＨ１を副走査方向にシフトさせ、特定のノズルｎ１から別のノズルｎ１に切り替えて吐出を行うことが好ましい。このように一つの画素領域Ａに対して複数のノズルを用いて吐出を行った場合は、上記と同様に、誤差拡散の効果により各画素領域Ａ毎に形成される正孔注入／輸送層の膜厚を均一にできる。
特に、１つの画素領域Ａに対するインクジェットヘッドＨ１の走査を２回で行うとした場合は、１回目と２回目の走査方向を反対方向としても良く、同じ方向としてもよい。
１，２回目の走査方向を反対方向とした場合は、１回目の走査で画素領域Ａの半分の領域まで第１組成物を吐出し、２回目の走査で残りの半分の領域に吐出すればよい。また、１回目の走査により形成された領域をうめるように、２回目の走査を行うこともできる。
更に、１，２回目の走査方向を同一方向とした場合は、１回目の走査で各液滴同士が接触しない程度に間隔を空けて吐出し、２回目の走査で吐出済みの液滴の間を埋めるように吐出すればよい。もちろん、１つの画素領域を２つの領域に分けて吐出を行うことも可能である。
ここで用いる第１組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等の混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）及びその誘導体、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。
より具体的な第１組成物の組成としては、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ＝１：２０）：１２．５２重量％、ＰＳＳ：１．４４重量％、ＩＰＡ：１０重量％、ＮＭＰ：２７．４８重量％、ＤＭＩ：５０重量％のものを例示できる。尚、第１組成物の粘度は２〜２０Ｐｓ程度が好ましく、特に４〜１５ｃＰｓ程度が良い。
上記の第１組成物を用いることにより、吐出ノズルＨ２に詰まりが生じることがなく安定吐出できる。
なお、正孔注入／輸送層形成材料は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３に対して同じ材料を用いても良く、各発光層毎に変えても良い。
図１６に示すように、吐出された第１組成物の液滴１１０ｃは、最終的には親液処理された電極面１１１ａ及び第１積層部１１２ｅ上に広がり、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填される。仮に、第１組成物の液滴１１０ｃが所定の吐出位置からはずれて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第１組成物滴１１０ｃで濡れることがなく、はじかれた第１組成物滴１１０ｃが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
電極面１１１ａ上に吐出する第１組成物の全量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、第１組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定される。
次に、図１８に示すような乾燥工程を行う。乾燥工程を行う事により、吐出後の第１組成物を乾燥処理し、第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させ、正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。
乾燥処理を行うと、第１組成物滴１１０ｃに含まれる極性溶媒の蒸発が、主に無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂに近いところで起き、極性溶媒の蒸発に併せて正孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。
これにより図１８に示すように、第１積層部１１２ｅ上に、正孔注入／輸送層形成材料からなる周縁部１１０ａ２が形成される。この周縁部１１０ａ２は、上部開口部１１２ｄの壁面（有機物バンク層１１２ｂ）に密着しており、その厚さが電極面１１１ａに近い側では薄く、電極面１１１ａから離れた側、即ち有機物バンク層１１２ｂに近い側で厚くなっている。
また、これと同時に、乾燥処理によって電極面１１１ａ上でも極性溶媒の蒸発が起き、これにより電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層形成材料からなる平坦部１１０ａ１が形成される。電極面１１１ａ上では極性溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正孔注入／輸送層の形成材料が電極面１１１ａ上で均一に濃縮され、これにより均一な厚さの平坦部１１０ａが形成される。
このようにして、周縁部１１０ａ２及び平坦部１１０ａ１からなる正孔注入／輸送層１１０ａが形成される。
なお、周縁部１１０ａ２には形成されず、電極面１１１ａ上のみに正孔注入／輸送層が形成される形態であっても構わない。
上記の乾燥処理は、例えば窒素雰囲気中、室温で圧力を例えば１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度にして行う。圧力が低すぎると第１組成物滴１１０ｃが突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、極性溶媒の蒸発速度が高まり、平坦な膜を形成する事ができない。
乾燥処理後は、窒素中、好ましくは真空中で２００℃で１０分程度加熱する熱処理を行うことで、正孔注入／輸送層１１０ａ内に残存する極性溶媒や水を除去することが好ましい。
上記の正孔注入／輸送層形成工程では、吐出された第１組成物滴１１０ｃが、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる一方で、撥液処理された有機物バンク層１１２ｂで第１組成物がはじかれて下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。これにより、吐出した第１組成物滴１１０ｃを必ず下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填することができ、電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層１１０ａを形成することができる。
また、上記の正孔注入／輸送層形成工程によれば、各画素領域Ａごとに最初に吐出する第１組成物の液滴１１０ｃ１を有機物バンク層１１２ｂの壁面１１２ｈに接触させるので、この液滴が壁面１１２ｈから第１積層部１１２ｅ及び画素電極面１１１ａに転がり込むため、第１組成物の液滴１１０ｃを画素電極１１１の周囲に優先的に濡れ広げて第１組成物をむらなく塗布することができ、これにより正孔注入輸送層１１０ａをほぼ均一な膜厚で形成できる。
（４）発光層形成工程
次に発光層形成工程は、表面改質工程、発光層形成材料吐出工程、および乾燥工程、とからなる。
まず、正孔注入／輸送層１１０ａの表面を表面改質するために表面改質工程を行う。この工程にについては、以下に詳述する。次に、前述の正孔注入／輸送層形成工程と同様、インクジェット法により第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。その後、吐出した第２組成物を乾燥処理（及び熱処理）して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する。
発光層形成工程では、正孔注入／輸送層１１０ａの再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる第２組成物の溶媒として、正孔注入／輸送層１１０ａに対して不溶な非極性溶媒を用いる。
しかしその一方で正孔注入／輸送層１１０ａは、非極性溶媒に対する親和性が低いため、非極性溶媒を含む第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出しても、正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂとを密着させることができなくなるか、あるいは発光層１１０ｂを均一に塗布できないおそれがある。
そこで、非極性溶媒ならびに発光層形成材料に対する正孔注入／輸送層１１０ａの表面の親和性を高めるために、発光層形成の前に表面改質工程を行うことが好ましい。
そこで、表面改質工程について説明する。
表面改質工程は、発光層形成の際に用いる第１組成物の非極性溶媒と同一溶媒またはこれに類する溶媒である表面改質材を、インクジェット法（液滴吐出法）、スピンコート法またはディップ法により正孔注入／輸送層１１０ａ上に塗布した後に乾燥することにより行う。
インクジェット法による塗布は、図１９に示すように、インクジェットヘッドＨ３に、表面改質材を充填し、インクジェットヘッドＨ３に形成された吐出ノズルＨ４から表面改質材を吐出する。前述の正孔注入／輸送層形成工程と同様に、吐出ノズルＨ４を基体２（すなわち、正孔注入／輸送層１１０ａが形成された基体２）に対向させ、インクジェットヘッドＨ３と基体２とを相対移動させながら、吐出ノズルＨ４から表面改質材１１０ｄを正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出することにより行う。
また、スピンコート法による塗布は、基体２を例えば回転ステージ上に載せ、上方から表面改質材を基体２上に滴下した後、基体２を回転させて表面改質材を基体２上の正孔注入／輸送層１１０ａの全体に広げることにより行う。なお、表面改質材は撥液化処理された上面１１２ｆ上にも一時的に広がるが、回転による遠心力で飛ばされてしまい、正孔注入／輸送層１１０ａ上のみに塗布される。
更にディップ法による塗布は、基体２を例えば表面改質材に浸積させた後に引き上げて、表面改質材を正孔注入／輸送層１１０ａの全体に広げることにより行う。この場合も表面改質材が撥液処理された上面１１２ｆ上に一時的に広がるが、引き上げの際に表面改質材が上面１１２ｆからはじかれて正孔注入／輸送層１１０ａのみに塗布される。
ここで用いる表面改質材としては、第２組成物の非極性溶媒と同一なものとして例えば、シクロヘキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を例示でき、第２組成物の非極性溶媒に類するものとして例えば、トルエン、キシレン等を例示できる。
特に、インクジェット法により塗布する場合には、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、またはこれらの混合物，特に第２組成物と同じ溶媒混合物等を用いることが好ましく、スピンコート法またはディップ法による場合は、トルエン、キシレン等が好ましい。
次に、図２０に示すように、塗布領域を乾燥させる。乾燥工程は、インクジェット法で塗布した場合はホットプレート上に基体２を載せて例えば２００℃以下の温度で加熱して乾燥蒸発させることが好ましい。スピンコート法またはディップ法による場合は、基体２に窒素を吹き付けるか、あるいは基体を回転させて基体２表面に気流を発生させることで乾燥させることが好ましい。
尚、表面改質材の塗布を、正孔注入／輸送層入層形成工程の乾燥処理の後に行い、塗布後の表面改質材を乾燥させた後に、正孔注入／輸送層形成工程の熱処理を行っても良い。
このような表面改質工程を行うことで、正孔注入／輸送層１１０ａの表面が非極性溶媒になじみやすくなり、この後の工程で、発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａに均一に塗布することができる。
尚、上記の表面改質材に、正孔輸送性材料として一般に用いられる前記の化合物２等を溶解して組成物とし、この組成物をインクジェット法により正孔注入／輸送層上に塗布して乾燥させることにより、正孔注入／輸送層上に極薄の正孔輸送層を形成しても良い。
正孔注入／輸送層の大部分は、後の工程で塗布する発光層１１０ｂに溶け込むが、一部が正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂの間に薄膜状に残存し、これにより正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂとの間のエネルギー障壁を下げて正孔の移動を容易にし、発光効率を向上させることができる。
次に発光層形成工程として、インクジェット法（液滴吐出法）により、発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出した後に乾燥処理して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する。
図２１に、インクジェットによる吐出方法の概略を示す。図２１に示すように、インクジェットヘッドＨ５と基体２とを相対的に移動し、インクジェットヘッドに形成された吐出ノズルＨ６から各色（たとえばここでは青色（Ｂ））発光層形成材料を含有する第２組成物が吐出される。
吐出の際には、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層１１０ａに吐出ノズルを対向させ、インクジェットヘッドＨ５と基体２とを相対移動させながら、第２組成物が吐出される。吐出ノズルＨ６から吐出される液量は１滴当たりの液量が制御されている。このように液量が制御された液（第２組成物滴１１０ｅ）が吐出ノズルから吐出され、この第２組成物滴１１０ｅを正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。
発光層形成工程は、正孔注入／輸送層形成工程と同様に、最初の液滴をバンク部１１２に当てるように吐出する。２つ目の液滴は、１つ目の液滴と重なるように吐出しても良いし、間隔を空けて吐出しても良い。更に１つの画素領域に対し、２回の走査に分けても良い。
即ち、図１６及び図１７Ａに示した場合と同様に、１つの開口部１１２ｇに対して吐出する最初の第２組成物の液滴は、有機質バンク層１１２ｂの傾斜した壁面１１２ｈに接触させるように吐出する。有機質バンク層１１２ｂの壁面１１２ｈは先の撥液化工程によって撥液性に処理されているので、吐出された液滴は壁面１１２ｈに接触するものの直ちにはじかれ、この壁面１１２ｈ上を転がって正孔注入／輸送層１１０ａ上に転がり落ちる。正孔注入／輸送層１１０ａは表面改質工程により非極性溶媒になじみやすく処理されているので、転がり落ちた液滴は正孔注入／輸送層１１２ａ上で濡れ広がる。尚、この最初の液滴は、有機質バンク層１１２ｂの壁面１１２ｈの少なくとも一部に接触すれば良く、壁面１１２ｈと同時に有機物バンク層の上面１１２ｆに接するように吐出しても構わない。
続いて、２つ目以降の液滴は、図１７Ｂと同様に、直前の液滴と重なり合わない程度の間隔を空けて吐出する。即ち、各液滴の滴下時の間隔Ｄを、各液滴の直径ｄより広くする（Ｄ＞ｄ）ことが好ましい。尚、この場合は１回の走査で吐出できる液滴の数が限られるので、十分な膜厚の発光層１１２ｂを形成するためには、１つの画素領域Ａに対するインクジェットヘッドＨ５の走査を複数回行うことが好ましい。
更に、インクジェットヘッドＨ５の走査を複数回行う際には、各走査回毎にインクジェットヘッドＨ５を主走査方向の直交方向である副走査方向に僅かにシフトさせることにより、特定のノズルから別のノズルに切り替えて吐出を行うことが好ましい。このように、一つの画素領域Ａに対して複数のノズルを用いて吐出を行うことで、各ノズルに固有の液滴量の誤差が拡散するいわゆる誤差拡散の効果が生じ、発光層１１２ｂの膜厚を均一にすることができる。
また、図１７Ｃと同様に、２つ目以降の液滴を、直前の液滴と重なり合う程度の間隔で吐出してもよい。即ち、各液滴の滴下時の間隔Ｄを、各液滴の直径ｄより狭く（Ｄ＜ｄ）しても良い。尚、この場合は１回の走査で吐出できる液滴の数に制限がないので、十分な膜厚の発光層１１２ｂを形成するために、１つの画素領域Ａに対するインクジェットヘッドＨ５の走査を１回としてもよく、複数回としてもよい。インクジェットヘッドＨ５の走査を複数回行う場合は、前述と同様に、各走査回毎にインクジェットヘッドＨ５を副走査方向にシフトさせ、特定のノズルから別のノズルに切り替えて吐出を行うことが好ましい。このように一つの画素領域Ａに対して複数のノズルを用いて吐出を行った場合は、上記と同様に、誤差拡散の効果により各画素領域Ａ毎に形成される発光層１１２ｂの膜厚を均一にできる。
特に、１つの画素領域Ａに対するインクジェットヘッドＨ５の走査を２回で行うとした場合は、１回目と２回目の走査方向を反対方向としても良く、同じ方向としてもよい。
１，２回目の走査方向を反対方向とした場合は、１回目の走査で画素領域Ａの半分の領域まで第１組成物を吐出し、２回目の走査で残りの半分の領域に吐出すればよい。また、１回目の走査により形成された領域をうめるように、２回目の走査を行うこともできる。
更に、１，２回目の走査方向を同一方向とした場合は、１回目の走査で各液滴同士が接触しない程度に間隔を空けて吐出し、２回目の走査で吐出済みの液滴の間を埋めるように吐出すればよい。もちろん、１つの画素領域を２つの領域に分けて吐出を行うことも可能である。
発光層形成材料としては、化合物１〜化合物５に示すポリフルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン係色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープして用いる事ができる。例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープすることにより用いることができる。
非極性溶媒としては、正孔注入／輸送層１１０ａに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロヘキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることができる。
このような非極性溶媒を発光層１１０ｂの第２組成物に用いることにより、正孔注入／輸送層１１０ａを再溶解させることなく第２組成物を塗布できる。
図２１に示すように、吐出された第２組成物１１０ｅは、正孔注入／輸送層１１０ａ上に広がって下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる。その一方で、撥液処理された上面１１２ｆでは第１組成物滴１１０ｅが所定の吐出位置からはずれて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第２組成物滴１１０ｅで濡れることがなく、第２組成物滴１１０ｅが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
各正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する第２組成物量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする発光層１１０ｂの厚さ、第２組成物中の発光層材料の濃度等により決定される。
また、第２組成物１１０ｅは１回のみならず、数回に分けて同一の正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出しても良い。この場合、各回における第２組成物の量は同一でも良く、各回毎に第２組成物の液量を変えても良い。更に正孔注入／輸送層１１０ａの同一箇所のみならず、各回毎に正孔注入／輸送層１１０ａ内の異なる箇所に第２組成物を吐出配置しても良い。
次に、第２の組成物を所定の位置に吐出し終わった後、吐出後の第２組成物滴１１０ｅを乾燥処理することにより発光層１１０ｂ３が形成される。すなわち、乾燥により第２組成物に含まれる非極性溶媒が蒸発し、図２２に示すような青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３が形成される。なお、図２２においては青に発光する発光層が１つのみ図示されているが、図１やその他の図より明らかなように本来は発光素子がマトリックス状に形成されたものであり、図示しない多数の発光層（青色に対応）が形成されている。
続けて、図２３に示すように、前述した青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３の場合と同様の工程を用い、赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ１を形成し、最後に緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ２を形成する。
なお、発光層１１０ｂの形成順序は、前述の順序に限られるものではなく、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層形成材料に応じて形成する順番を決める事も可能である。
また、発光層の第２組成物の乾燥条件は、青色１１０ｂ３の場合、例えば、窒素雰囲気中、室温で圧力を１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度として５〜１０分行う条件とする。圧力が低すぎると第２組成物が突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、非極性溶媒の蒸発速度が高まり、発光層形成材料が上部開口部１１２ｄ壁面に多く付着してしまうので好ましくない。
また緑色発光層１１０ｂ２、および赤色発光層ｂ１の場合、発光層形成材料の成分数が多いために素早く乾燥させることが好ましく、例えば、４０℃で窒素の吹き付けを５〜１０分行う条件とするのがよい。
その他の乾燥の手段としては、遠赤外線照射法、高温窒素ガス吹付法等を例示できる。
このようにして、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０ｂが形成される。
（５）対向電極（陰極）形成工程
次に対向電極形成工程では、図２４に示すように、発光層１１０ｂ及び有機物バンク層１１２ｂの全面に陰極１２（対向電極）を形成する。なお，陰極１２は複数の材料を積層して形成しても良い。例えば、発光層に近い側には仕事関数が小さい材料を形成することが好ましく、例えばＣａ、Ｂａ等を用いることが可能であり、また材料によっては下層にＬｉＦ等を薄く形成した方が良い場合もある。また、上部側（封止側）には下部側よりも仕事関数が高い材料、例えばＡｌを用いる事もできる。
これらの陰極１２は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点で好ましい。
また、フッ化リチウムは、発光層１１０ｂ上のみに形成しても良く、更に所定の色に対応して形成する事ができる。例えば、青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３上のみに形成しても良い。この場合、他の赤色（Ｒ）発光層及び緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２には、カルシウムからなる上部陰極層１２ｂが接することとなる。
また陰極１２の上部には、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により形成したＡｌ膜、Ａｇ膜等を用いることが好ましい。また、その厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００〜５００ｎｍ程度がよい。また陰極１２上に、酸化防止のためにＳｉＯ２、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。
（６）封止工程
最後に封止工程は、発光素子が形成された基体２と封止基板３ｂとを封止樹脂３ａにより封止する工程である。たとえば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂３ａを基体２の全面に塗布し、封止樹脂３ａ上に封止用基板３ｂを積層する。この工程により基体２上に封止部３を形成する。
封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極１２に侵入して陰極１２が酸化されるおそれがあるので好ましくない。
更に、図２Ａ〜図２Ｃに例示した基板５の配線５ａに陰極１２を接続するとともに、駆動ＩＣ６に回路素子部１４の配線を接続することにより、本実施形態の表示装置１が得られる。
［第２の実施形態］
次に、第１の実施形態の表示装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図２５Ａは、携帯電話の一例を示した斜視図である。図２５Ａにおいて、符号６００は携帯電話本体を示し、符号６０１は前記の表示装置を用いた表示部を示している。
図２５Ｂは、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図２５Ｂにおいて、符号７００は情報処理装置、符号７０１はキーボードなどの入力部、符号７０３は情報処理装置本体、符号７０２は前記の表示装置を用いた表示部を示している。
図２５Ｃは、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図２５Ｃにおいて、符号８００は時計本体を示し、符号８０１は前記の表示装置を用いた表示部を示している。
図２５Ａ〜図２５Ｃに示すそれぞれの電子機器は、前記の第１の実施形態の表示装置を用いた表示部を備えたものであり、先の第１の実施形態の表示装置の特徴を有するので、高輝度であって表示品質に優れた効果を有する電子機器となる。
これらの電子機器を製造するには、第１の実施形態と同様にして、図２に示すような駆動ＩＣ６（駆動回路）を備えた表示装置１を構成し、この表示装置１を、携帯電話、携帯型情報処理装置、腕時計型電子機器に組み込むことにより製造される。
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
図２６には、本発明に係る他の例の表示装置の断面模式図を示す。図２６に示す表示装置は、基体２と、基体２上に形成された表示素子１０と、基体２の周囲に環状に塗布された封止樹脂６０３と、表示素子１０上に備えられた封止部３とを具備して構成されている。
基体２及び表示素子１０は、第１の実施形態に係る基体２及び表示素子１０と同じものである。表示素子１０は、発光素子部１１と、該発光素子部１１上に形成された陰極１２とを主体として構成されている。
また図２６に示すように、発光素子部１１上には封止部３が備えられている。この封止部３は、陰極１２上に塗布された熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなる封止樹脂３ａと、封止樹脂３ａ上に配置された封止基板３ｂとからなる。なお、封止樹脂３ａとしては、硬化時にガス、溶媒等が発生しないものが好ましい。
この封止部３は、少なくとも発光素子部１１上にある陰極１２をほぼ覆うように形成されており、陰極１２及び発光層を含む機能層に対する水又は酸素の侵入を防いで、陰極１２または発光層の酸化を防止する。
尚、封止基板３ｂは、封止樹脂３ａに接合されて封止樹脂３ａを保護するものであり、ガラス板、金属板若しくは樹脂板のいずれかであることが好ましい。
また図２７には、本発明に係る別の例の表示装置の断面模式図を示す。図２７に示す表示装置は、基体２と、基体２上に形成された表示素子１０と、表示素子１０の全面に塗布された封止樹脂３ａと、封止樹脂３ａ上に備えられた封止用基板３ｂとを具備して構成されている。
基体２、表示素子１０、封止樹脂３ａ及び封止用基板３ｂは、第１の実施形態に係る基体２、表示素子１０、封止材３及び封止用基板４と同じものである。
また、図２７に示すように、封止材３と陰極１２の間には保護層７１４が形成されている。保護層７１４は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなるものであり、厚さが１００〜２００ｎｍの範囲とされている。この保護層７１４は、陰極１２及び発光層を含む機能層に対する水又は酸素の侵入を防いで、陰極１２または発光層の酸化を防止する。
上記の表示装置によれば、水及び酸素の侵入を効果的に防いで陰極１２または発光層の酸化を防止することにより、表示装置の高輝度化及び長寿命化を図ることができる。
また、第１の実施形態においては、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光層１１０ｂをストライプ配置した場合について説明したが、本発明はこれに限られず、様々な配置構造を採用しても良い。例えば図２８Ａに示すようなストライプ配置の他、図２８Ｂに示すようなモザイク配置や、図２８Ｃに示すようなデルタ配置とすることができる。
産業上の利用の可能性
以上、詳細に説明したように、本発明の表示装置の製造方法によれば、各機能層ごとに最初に吐出する前記組成物の液滴を前記バンク部の少なくとも一部に接触させることにより、この液滴がバンク部から電極表面に転がり込むため、組成物の液滴を電極の周囲に優先的に濡れ広げて組成物をむらなく塗布することができ、これにより機能層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の第１の実施形態の表示装置の配線構造の平面模式図である。
図２Ａ〜図２Ｂは、本発明の第１の実施形態の表示装置を示す図である。 図２Ａは表示装置の平面模式図であり、図２Ｂは図２ＡのＡＢ線に沿う断面模式図である。
図３は、本発明の第１の実施形態の表示装置の要部を示す図である。
図４は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
図５は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
図６は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造に用いるプラズマ処理装置の一例を示す平面模式図である。
図７は、図６に示したプラズマ処理装置の第１プラズマ処理室の内部構造を示す模式図である。
図８は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
図９は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
図１０は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造に用いるプラズマ処理装置の別の例を示す平面模式図である。
図１１は、本発明の第１の実施形態の表示装置を製造する際に用いるヘッドを示す平面図である。
図１２は、本発明の第１の実施形態の表示装置を製造する際に用いるインクジェット装置を示す平面図である。
図１３は、本発明の第１の実施形態の表示装置を製造する際に用いるインクジェットヘッドの一例を示す斜視図である。
図１４Ａ〜１４Ｂは、図１３に示すインクジェットヘッドの内部構造を示す図である。図１４Ａは斜視図であり、図１４Ｂは図１４ＡのＪ−Ｊ線に沿う断面図である。
図１５は、基体に対するインクジェットヘッドの配置状態を示す平面図である。
図１６は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
図１７Ａ〜図１７Ｃは、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。図１７Ａは最初の液滴を吐出させたときの状態を示す断面図である。図１７Ｂは２つ目以降の液滴を吐出させたときの状態の一例を示す断面図であり、図１７Ｃは２つ目以降の液滴を吐出させたときの状態の別の例を示す断面図である。
図１８は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
図１９は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
図２０は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
図２１は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
図２２は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
図２３は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
図２４は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
図２５Ａ〜図２５Ｃは、本発明の第２の実施形態である電子機器を示す斜視図である。
図２６は、本発明に係る他の例の表示装置を示す断面模式図である。
図２７は、本発明に係る別の例の表示装置を示す断面模式図である。
図２８Ａ〜図２８Ｃは、発光層の配置を示す平面模式図である。図２８Ａはストライプ配置、図２８Ｂはモザイク配置、図２８Ｃはがデルタ配置を示す図である。
本発明は、表示装置の製造方法、表示装置、電子機器の製造方法および電子機器に関するものである。
背景技術
近年、有機蛍光材料等の機能材料をインク化し、当該インク（組成物）を基材上に吐出するインクジェット法により、機能材料のパターニングを行う方法を採用して、一対の電極間に該機能材料からなる機能層が挟持された構造のカラー表示装置、特に機能材料として有機発光材料を用いた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置の開発が行われている。
上述した機能材料のパターニング法として、例えば、基体上に形成したＩＴＯ等からなる画素電極の周囲にバンク部を形成し、次に画素電極及びこの画素電極に隣接する前記バンク部の一部を親液性に処理するとともにバンク部の残りの部分を撥液性に処理し、次に機能層の構成材料を含む組成物を画素電極のほぼ中央に吐出して乾燥することにより、画素電極上に機能層を形成する方法が採用されている。
この従来の方法によれば、吐出した組成物がバンク部から溢れた場合でも、バンク部の撥液処理された部分ではじかれて隣接する他の画素電極上に流れ込むことがないので、正確にパターニングを行うことが可能になる。
しかし、従来の方法においては、吐出後の組成物は画素電極の中央から周囲に向けて均一に濡れ広がるが、親水処理されたバンク部の一部までは濡れ広がりにくく、このため画素電極毎に機能層の塗りむらが生じる場合があった。これは、親水処理されたバンク部の一部が非常に微小な領域であって画素電極の周囲に位置しているため、表面張力等の関係で組成物が濡れ広がらないためと考えられている。
発明の開示
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、画素電極毎に機能層の塗りむらが生じることがなく、表示品質に優れた表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の表示装置の製造方法は、基体上に形成された複数の電極の周囲にバンク部を形成するとともに、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に前記機能層を各々形成することにより、各前記電極上に形成した各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置を製造する方法であり、前記複数のノズルが配列されてなるノズル列を主走査方向に対して傾斜させた状態で前記基体上を走査させつつ、各機能層ごとに最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする。
係る表示装置の製造方法によれば、各機能層ごとに最初に吐出する前記組成物の液滴を前記バンク部の少なくとも一部に接触させることにより、この液滴がバンク部から電極表面に転がり込むため、組成物の液滴を電極の周囲に優先的に濡れ広げて組成物をむらなく塗布することができ、これにより機能層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
また本発明の表示装置の製造方法は、先に記載の表示装置の製造方法であり、前記バンク部に親液性に処理された部分と撥液性に処理された部分とを設け、前記組成物の液滴を、前記の撥液性に処理された部分に接触させることを特徴とする。
係る表示装置の製造方法によれば、前記組成物の液滴をバンク部の撥液性に処理された部分に接触させるので、液滴をバンク部から電極表面に素早く転がり込ませることができ、組成物の液滴を電極の周囲に迅速かつ優先的に濡れ広げることができる。
また本発明の表示装置の製造方法は、先に記載の表示装置の製造方法であり、前記バンク部を親液性に処理された第１バンク層と撥液性に処理された第２バンク層から形成するとともに、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成することを特徴とする。
係る表示装置の製造方法によれば、親液性に処理された第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成するので、組成物が電極よりも先に第１バンク層に濡れ広がり、これにより組成物をむらなく塗布することができる。
次に本発明の表示装置の製造方法は、基体上に形成された複数の電極上の各々に機能層が形成されるとともに、前記の各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置の製造方法であり、前記電極の一部と重なるように前記バンク部を形成するバンク部形成工程と、少なくとも前記電極の一部を親液性に処理する親液化工程と、前記バンク部の一部を撥液性に処理する撥液化工程と、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に少なくとも一層の機能層を形成する機能層形成工程と、前記機能層上に対向電極を形成する対向電極形成工程とを具備してなり、前記機能層形成工程において、前記複数のノズルが配列されてなるノズル列を主走査方向に対して傾斜させた状態で前記基体上を走査させつつ、各機能層ごとに最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする。
係る表示装置の製造方法によれば、各機能層ごとに最初に吐出する前記組成物の液滴を前記バンク部の少なくとも一部に接触させることにより、この液滴がバンク部から電極表面に転がり込むため、組成物の液滴を電極の周囲に優先的に濡れ広げて組成物をむらなく塗布することができ、これにより機能層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
また本発明の表示装置の製造方法は、先に記載の表示装置の製造方法であり、前記バンク部は、前記親水化工程により親液性に処理された第１バンク層と、前記撥液化工程により撥液性に処理された第２バンク層から形成されてなり、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成されてなることを特徴とする。
係る表示装置の製造方法によれば、親液性に処理された第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成されているので、組成物が電極よりも先に第１バンク層に濡れ広がり、これにより組成物をむらなく塗布することができる。
また本発明の表示装置の製造方法は、先に記載の表示装置の製造方法であり、前記機能層が、少なくとも正孔注入／輸送層を含むものであることを特徴とする。
また本発明の表示装置の製造方法は、先に記載の表示装置の製造方法であり、前記機能層が、少なくとも発光層を含むものであることを特徴とする。
係る表示装置の製造方法によれば、前記機能層が正孔注入／輸送層または発光層を含むものなので、正孔注入／輸送層または発光層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
また前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を前記液滴の直径より狭くしてもよい。この場合、各機能層に対する前記ノズル列の走査回数は１回で良い。
また前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を前記液滴の直径より広くすることが好ましい。この場合、各機能層に対する前記ノズル列の走査回数は１回でも良く、複数回でも良い。更に、走査回数を複数回とした場合は、各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に別のノズルを用いることが好ましい。
尚、上述の別のノズルを用いる手段として、各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に、前記ノズル列を副走査方向にシフトさせることにより、走査毎に別のノズルを用いるようにすることができる。
係る表示装置の製造方法によれば、ノズル列の走査毎に別のノズルを用いることにより、ノズル毎の組成物の吐出量のばらつきを平均化し、機能層毎の膜厚のばらつきを低減することができる。これにより、表示品質に優れた表示装置を製造することができる。
次に本発明の表示装置は、先のいずれかに記載された表示装置の製造方法により製造されたものであることを特徴とする。
係る表示装置によれば、上記の表示装置の製造方法により製造されたものなので、機能層毎の膜厚のばらつきを低減するとともに機能層をむらなく形成することができ、表示装置の表示品質を向上することができる。
次に本発明の電子機器の製造方法は、基体上に形成された複数の電極の周囲にバンク部を形成するとともに、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に前記機能層を各々形成することにより、各前記電極上に形成した各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置と、前記表示装置を駆動するための駆動回路とを有してなる電子機器の製造方法であり、前記複数のノズルが配列されてなるノズル列を主走査方向に対して傾斜させた状態で前記基体上を走査させつつ、各機能層ごとに最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする。
係る電子機器の製造方法によれば、各機能層ごとに最初に吐出する前記組成物の液滴を前記バンク部の少なくとも一部に接触させることにより、この液滴がバンク部から電極表面に転がり込むため、組成物の液滴を電極の周囲に優先的に濡れ広げて組成物をむらなく塗布することができ、これにより機能層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
また本発明の電子機器の製造方法は、先に記載の電子機器の製造方法であり、前記バンク部に親液性に処理された部分と撥液性に処理された部分を設け、前記組成物の液滴を、前記の撥液性に処理された部分に接触させることを特徴とする。
係る電子機器の製造方法によれば、前記組成物の液滴をバンク部の撥液性に処理された部分に接触させるので、液滴をバンク部から電極表面に素早く転がり込ませることができ、組成物の液滴を電極の周囲に迅速かつ優先的に濡れ広げることができる。
また本発明の電子機器の製造方法は、先に記載の電子機器の製造方法であり、前記バンク部を親液性に処理された第１バンク層と撥液性に処理された第２バンク層から形成するとともに、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成することを特徴とする。
係る電子機器の製造方法によれば、親液性に処理された第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成するので、組成物が電極よりも先に第１バンク層に濡れ広がり、これにより組成物をむらなく塗布することができる。
また本発明の電子機器の製造方法は、基体上に形成された複数の電極上の各々に機能層が形成されるとともに、前記の各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置と、前記表示装置を駆動するための駆動回路とを有してなる電子機器の製造方法であり、前記電極の一部と重なるように前記バンク部を形成するバンク部形成工程と、少なくとも前記電極の一部を親液性に処理する親液化工程と、前記バンク部の一部を撥液性に処理する撥液化工程と、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に少なくとも一層の機能層を形成する機能層形成工程と、前記機能層上に対向電極を形成する対向電極形成工程とを具備してなり、前記機能層形成工程において、前記複数のノズルが配列されてなるノズル列を主走査方向に対して傾斜させた状態で前記基体上を走査させつつ、各機能層ごとに最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする。
係る電子機器の製造方法によれば、各機能層ごとに最初に吐出する前記組成物の液滴を前記バンク部の少なくとも一部に接触させることにより、この液滴がバンク部から電極表面に転がり込むため、組成物の液滴を電極の周囲に優先的に濡れ広げて組成物をむらなく塗布することができ、これにより機能層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
また本発明の電子機器の製造方法は、先に記載の電子機器の製造方法であり、前記バンク部は、前記親水化工程により親液性に処理された第１バンク層と、前記撥液化工程により撥液性に処理された第２バンク層から形成されてなり、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成されてなることを特徴とする。
係る電子機器の製造方法によれば、親液性に処理された第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成されているので、組成物が電極よりも先に第１バンク層に濡れ広がり、これにより組成物をむらなく塗布することができる。
また本発明の電子機器の製造方法は、先に記載の電子機器の製造方法であり、前記機能層が、少なくとも正孔注入／輸送層を含むものであることを特徴とする。
また本発明の電子機器の製造方法は、先に記載の電子機器の製造方法であり、前記機能層が、少なくとも発光層を含むものであることを特徴とする。
係る電子機器の製造方法によれば、前記機能層が正孔注入／輸送層または発光層を含むものなので、正孔注入／輸送層または発光層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
また前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を前記液滴の直径より狭くしてもよい。このとき、各機能層に対する前記ノズル列の走査回数は１回で良い。
また前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を前記液滴の直径より広くすることが好ましい。このとき、各機能層に対する前記ノズル列の走査回数は１回でも良く、複数回でも良い。更に、走査回数を複数回とした場合は、各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に、別のノズルを用いることが好ましい。
尚、上述の別のノズルを用いる手段として、各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に、前記ノズル列を副走査方向にシフトさせることにより、走査毎に別のノズルを用いるようにすることができる。
係る電子機器の製造方法によれば、ノズル列の走査毎に別のノズルを用いることにより、ノズル毎の組成物の吐出量のばらつきを平均化し、機能層毎の膜厚のばらつきを低減することができる。これにより、表示品質に優れた電子機器を製造することができる。
次に本発明の電子機器は、先のいずれかに記載された電子機器の製造方法により製造されたものであることを特徴とする。
係る電子機器によれば、機能層毎の膜厚のばらつきを低減するとともに機能層をむらなく形成することができ、電子機器の表示品質を向上することができる。
発明を実施するための最良の形態
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法及び表示装置について説明する。まず、本実施形態の表示装置の製造方法を説明するに先立ち、この製造方法により製造される表示装置について説明する。
図１に本実施形態の表示装置の配線構造の平面模式図を示し、図２には本実施形態の表示装置の平面模式図及び断面模式図を示す。
図１に示すように、本実施形態の表示装置１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ａが設けられている。
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
更に、画素領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、該保持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電極）１１１と、この画素電極１１１と陰極（対向電極）１２との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。電極１１１と対向電極１２と機能層１１０により、発光素子が構成されている。
係る構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐに状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、更に機能層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
次に図２Ａ及び図２Ｂに示すように、本実施形態の表示装置１は、ガラス等からなる透明な基体２と、マトリックス状に配置された発光素子と、封止基板を具備している。基体２上に形成された発光素子は、後述する画素電極と、機能層と、陰極１２により形成されている。
基体２は、例えばガラス等の透明基板であり、基体２の中央に位置する表示領域２ａと、基体２の周縁に位置して表示領域２ａの外側に配置された非表示領域２ｂとに区画されている。
表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発光素子によって形成される領域であり、有効表示領域とも言う。また、表示領域の外側に非表示領域２ｂが形成されている。そして，非表示領域２ｂには、表示領域２ａに隣接するダミー表示領域２ｄが形成されている。
また、図２Ｂに示すように、発光素子及びバンク部からなる発光素子部１１と基体２との間には回路素子部１４が備えられ、この回路素子部１４に前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ１２３等が備えられている。
また、陰極１２は、その一端が基体２上に形成された陰極用配線１２ａに接続しており、この配線の一端部１２ｂがフレキシブル基板５上の配線５ａに接続されている。また、配線５ａは、フレキシブル基板５上に備えられた駆動ＩＣ６（駆動回路）に接続されている。
また、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、回路素子部１４の非表示領域２ｂには、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。
また、表示領域２ａの図２Ａ中両側には、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。この走査側駆動回路１０５、１０５はダミー領域２ｄの下側の回路素子部１４内に設けられている。更に回路素子部１４内には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。
更に表示領域２ａの図２Ａ中上側には検査回路１０６が配置されている。この検査回路１０６により、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
また図２Ｂに示すように、発光素子部１１上には封止部３が備えられている。この封止部３は、基体２に塗布された封止樹脂６０３ａと、缶封止基板６０４とから構成されている。封止樹脂６０３は、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなり、特に、熱硬化樹脂の１種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。
この封止樹脂６０３は、基体２の周囲に環状に塗布されており、例えば、マイクロディスペンサ等により塗布されたものである。この封止樹脂６０３は、基体２と封止缶６０４を接合するもので、基体２と缶封止基板６０４の間から缶封止基板６０４内部への水又は酸素の侵入を防いで、陰極１２または発光素子部１１内に形成された図示略の発光層の酸化を防止する。
缶封止基板６０４は、ガラス又は金属からなるもので、封止樹脂６０３を介して基体２に接合されており、その内側には表示素子１０を収納する凹部６０４ａが設けられている。また凹部６０４ａには水、酸素等を吸収するゲッター剤６０５が貼り付けられており、缶封止基板６０４の内部に侵入した水又は酸素を吸収できるようになっている。なお、このゲッター剤６０５は省略しても良い。
次に図３には、表示装置における表示領域の断面構造を拡大した図を示す。この図３には３つの画素領域Ａが図示されている。この表示装置１は、基体２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４と、機能層１１０が形成された発光素子部１１とが順次積層されて構成されている。
この表示装置１においては、機能層１１０から基体２側に発した光が、回路素子部１４及び基体２を透過して基体２の下側（観測者側）に出射されるとともに、機能層１１０から基体２の反対側に発した光が陰極１２により反射されて、回路素子部１４及び基体２を透過して基体２の下側（観測者側）に出射されるようになっている。
なお、陰極１２として、透明な材料を用いることにより陰極側から発光する光を出射させることができる。透明な材料としては、ＩＴＯ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを用いる事ができる。膜厚としては７５ｎｍほどの膜厚にする事が好ましく、この膜厚よりも薄くした方がより好ましい。
回路素子部１４には、基体２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護膜２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。尚、半導体膜１４１には、ソース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度Ｐイオン打ち込みにより形成されている。なお、Ｐが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。
更に回路素子部１４には、下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線１０１）が形成され、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂが形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。
また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを貫通して、半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５，１４６が形成されている。
そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール１４５がこの画素電極１１１に接続されている。
また、もう一方のコンタクトホール１４６が電源線１０３に接続されている。
このようにして、回路素子部１４には、各画素電極１１１に接続された駆動用の薄膜トランジスタ１２３が形成されている。
尚、回路素子部１４には、前述した保持容量ｃａｐ及びスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２も形成されているが、図３ではこれらの図示を省略している。
次に図３に示すように、発光素子部１１は、複数の画素電極１１１…上の各々に積層された機能層１１０と、各画素電極１１１及び機能層１１０の間に備えられて各機能層１１０を区画するバンク部１１２と、機能層１１０上に形成された陰極１２とを主体として構成されている。これら画素電極（第１電極）１１１、機能層１１０及び陰極１２（第２電極）によって発光素子が構成されている。
ここで、画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形成されてなり、平面視略矩形にパターニングされて形成されている。この画素電極１１１の厚さは、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍ程度がよい。この各画素電極１１１…の間にバンク部１１２が備えられている。
バンク部１１２は、図３に示すように、基体２側に位置する無機物バンク層１１２ａ（第１バンク層）と基体２から離れて位置する有機物バンク層１１２ｂ（第２バンク層）とが積層されて構成されている。
無機物バンク層、有機物バンク層（１１２ａ、１１２ｂ）は、画素電極１１１の周縁部上に乗上げるように形成されている。平面的には、画素電極１１１の周囲と無機物バンク層１１２ａとが平面的に重なるように配置された構造となっている。また、有機物バンク層１１２ｂも同様であり、画素電極１１１の一部と平面的に重なるように配置されている。また無機物バンク層１１２ａは、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に更に形成されている。このようにして、無機物バンク層１１２ａの各第１積層部１１２ｅが画素電極１１１の内側に形成されることにより、画素電極１１１の形成位置に対応する下部開口部１１２ｃが設けられている。
また、有機物バンク層１１２ｂには、上部開口部１１２ｄが形成されている。この上部開口部１１２ｄは、画素電極１１１の形成位置及び下部開口部１１２ｃに対応するように設けられている。上部開口部１１２ｄは、図３に示すように、下部開口部１１２ｃより広く、画素電極１１１より狭く形成されている。また、上部開口部１１２ｄの上部の位置と、画素電極１１１の端部とがほぼ同じ位置になるように形成される場合もある。この場合は、図３に示すように、有機物バンク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの断面が傾斜する形状となる。
そしてバンク部１１２には、下部開口部１１２ｃ及び上部開口部１１２ｄが連通することにより、無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成されている。
また、無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機材料からなることが好ましい。この無機物バンク層１１２ａの膜厚は、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１１２ａが後述する正孔注入／輸送層より薄くなり、正孔注入／輸送層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。また膜厚が２００ｎｍを越えると、下部開口部１１２ｃによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送層上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。
更に、有機物バンク層１１２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のあるレジストから形成されている。この有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層が上部開口部１１２ｄから溢れるおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、有機物バンク層１１２ｂ上に形成する陰極１２のステップガバレッジを確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、駆動用の薄膜トランジスタ１２３との絶縁を高めることができる点でより好ましい。
また、バンク部１１２には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。
親液性を示す領域は、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び画素電極１１１の電極面１１１ａであり、これらの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液性に表面処理されている。また、撥液性を示す領域は、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機物バンク層１１２の上面１１２ｆであり、これらの領域は、４フッ化メタン、テトラフルオロメタン、もしくは四フッ化炭素を処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液性に処理）されている。
次に図３に示すように、機能層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された発光層１１０ｂとから構成されている。なお、発光層１１０ｂに隣接して電子注入輸送層などの機能を有する他の機能層を更に形成しても良い。
正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０ｂに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２から注入される電子が発光層で再結合し、発光が得られる。
正孔注入／輸送層１１０ａは、下部開口部１１２ｃ内に位置して画素電極面１１１ａ上に形成される平坦部１１０ａ１と、上部開口部１１２ｄ内に位置して無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に形成される周縁部１１０ａ２から構成されている。また、正孔注入／輸送層１１０ａは、構造によっては、画素電極１１１上であって、且つ無機物バンク層１１０ａの間（下部開口部１１０ｃ）にのみ形成されている（前述に記載した平坦部にのみ形成される形態もある）。
この平坦部１１０ａ１は、その厚さが一定で例えば５０〜７０ｎｍの範囲に形成される。
周縁部１１０ａ２が形成される場合においては、周縁部１１０ａ２は、第１積層部１１２ｅ上に位置するとともに上部開口部１１２ｄの壁面、即ち有機物バンク層１１２ｂに密着している。また、周縁部１１０ａ２の厚さは、電極面１１１ａに近い側で薄く、電極面１１１ａから離れる方向に沿って増大し、下部開口部１１２ｄの壁面近くで最も厚くなっている。
周縁部１１０ａ２が上記の様な形状を示す理由としては、正孔注入／輸送層１１０ａが、正孔注入／輸送層形成材料及び極性溶媒を含む第１組成物を開口部１１２内に吐出してから極性溶媒を除去して形成されたものであり、極性溶媒の揮発が主に無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上で起こり、正孔注入／輸送層形成材料がこの第１積層部１１２ｅ上に集中的に濃縮・析出されたためである。
また発光層１１０ｂは、正孔注入／輸送層１１０ａの平坦部１１０ａ１及び周縁部１１０ａ２上に渡って形成されており、平坦部１１２ａ１上での厚さが５０〜８０ｎｍの範囲とされている。
発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ１、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ２、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ３、の３種類を有し、各発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３がストライプ配置されている。
上記のように、正孔注入／輸送層１１０ａの周縁部１１０ａ２が上部開口部１１２ｄの壁面（有機物バンク層１１２ｂ）に密着しているので、発光層１１０ｂが有機物バンク層１１２ｂに直接に接することがない。従って、有機物バンク層１１２ｂに不純物として含まれる水が発光層１１０ｂ側に移行するのを、周縁部１１０ａ２によって阻止することができ、水による発光層１１０ｂの酸化を防止できる。
また、無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に不均一な厚さの周縁部１１０ａ２が形成されるため、周縁部１１０ａ２が第１積層部１１２ｅによって画素電極１１１から絶縁された状態となり、周縁部１１０ａ２から発光層１１０ｂに正孔が注入されることがない。これにより、画素電極１１１からの電流が平坦部１１２ａ１のみに流れ、正孔を平坦部１１２ａ１から発光層１１０ｂに均一に輸送させることができ、発光層１１０ｂの中央部分のみを発光させることができるとともに、発光層１１０ｂにおける発光量を一定にすることができる。
また、無機物バンク層１１２ａが有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に更に延出されているので、この無機物バンク層１１２ａによって画素電極１１１と平坦部１１０ａ１との接合部分の形状をトリミングすることができ、各発光層１１０ｂ間の発光強度のばらつきを抑えることができる。
更に、画素電極１１１の電極面１１１ａ及び無機物バンク層の第１積層部１１２ｅが親液性を示すので、機能層１１０が画素電極１１１及び無機物バンク層１１２ａに均一に密着し、無機物バンク１１２ａ上で機能層１１０が極端に薄くならず、画素電極１１１と陰極１２との短絡を防止できる。
また、有機物バンク層１１２ｂの上面１１２ｆ及び上部開口部１１２ｄ壁面が撥液性を示すので、機能層１１０と有機物バンク層１１２ｂとの密着性が低くなり、機能層１１０が開口部１１２ｇから溢れて形成されることがない。
尚、正孔注入／輸送層形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いることができる。また、発光層１１０ｂの材料としては、例えば、化合物１〜化合物５が、ポリフルオレン誘導体か、その他に（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料にペリレン係色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることができる。
尚、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１１０ｂ２にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を用いても良い。従ってこの場合は青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２にはフッ化リチウム以外のものを積層しても良い。また、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２上にはフッ化リチウムを形成せず、カルシウムのみを形成しても良い。
尚、フッ化リチウムの厚さは、例えば２〜５ｎｍの範囲が好ましく、特に２ｎｍ程度がよい。またカルシウムのの厚さは、例えば２〜５０ｎｍの範囲が好ましく、特に２０ｎｍ程度がよい。
また、陰極１２を形成するアルミニウムは、発光層１１０ｂから発した光を基体２側に反射させるもので、Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等からなることが好ましい。また、その厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００ｎｍ程度がよい。
更にアルミニウム上にＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
尚、このように形成した発光素子上に封止缶６０４を配置する。図２（ｂ）に示すように、封止缶６０４を封止樹脂６０３により接着し、表示装置１を形成する。
次に、本実施形態の表示装置の製造方法を図面を参照して説明する。
本実施形態の表示装置１の製造方法は、例えば、（１）バンク部形成工程、（２）プラズマ処理工程（親液化工程及び撥液化工程を含む）、（３）正孔注入／輸送層形成工程（機能層形成工程）、（４）発光層形成工程（機能層形成工程）、（５）対向電極形成工程、及び（６）封止工程とを具備して構成されている。なお、製造方法はこれに限られるものではなく必要に応じてその他の工程が除かれる場合、また追加される場合もある。
（１）バンク部形成工程
バンク部形成工程では、基体２の所定の位置にバンク部１１２を形成する工程である。バンク部１１２は、第１のバンク層として無機物バンク層１１２ａが形成されてなり、第２のバンク層として有機物バンク層１１２ｂが形成された構造である。以下に形成方法について説明する。
（１）−１無機物バンク層の形成
まず、図４に示すように、基体上の所定の位置に無機物バンク層１１２ａを形成する。無機物バンク層１１２ａが形成される位置は、第２層間絶縁膜１４４ｂ上及び電極（ここでは画素電極）１１１上である。なお、第２層間絶縁膜１４４ｂは薄膜トランジスタ、走査線、信号線、等が配置された回路素子部１４上に形成されている。
無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機物膜を材料として用いることができる。これらの材料は、例えばＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって形成される。
更に、無機物バンク層１１２ａの膜厚は５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。
無機物バンク層１１２は、層間絶縁層１１４及び画素電極１１１の全面に無機物膜を形成し、その後無機物膜をフォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより、開口部を有する無機物バンク層１１２が形成される。開口部は、画素電極１１１の電極面１１１ａの形成位置に対応するもので、図４に示すように下部開口部１１２ｃとして設けられる。
このとき、無機物バンク層１１２ａは画素電極１１１の周縁部（一部）と重なるように形成される。図４に示すように、画素電極１１１の一部と無機物バンク層１１２ａとが重なるように無機物バンク層１１２ａを形成することにより、発光層１１０の発光領域を制御することができる。
（１）−２有機物バンク層１１２ｂの形成
次に、第２バンク層としての有機物バンク層１１２ｂを形成する。
図５に示すように、無機物バンク層１１２ａ上に有機物バンク層１１２ｂを形成する。有機物バンク層１１２ｂとして、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する材料を用いる。これらの材料を用い、有機物バンク層１１２ｂをフォトリソグラフィ技術等によりパターニングして形成される。なお、パターニングする際、有機物バンク層１１２ｂに上部開口部１１２ｄを形成する。上部開口部１１２ｄは、電極面１１１ａ及び下部開口部１１２ｃに対応する位置に設けられる。
上部開口部１１２ｄは、図５に示すように、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃより広く形成する事が好ましい。更に、有機物バンク層１１２ｂはテーパーを有する形状が好ましく、有機物バンク層の開口部が画素電極１１１の幅より狭く、有機物バンク層１１２ｂの最上面では画素電極１１１の幅とほぼ同一の幅になるように有機物バンク層を形成する事が好ましい。これにより、無機物バンク層１１２ａの下部開口部１１２ｃを囲む第１積層部１１２ｅが、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に延出された形になる。
このようにして、有機物バンク層１１２ｂに形成された上部開口部１１２ｄ、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃを連通させることにより、無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成される。
なお、有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。このような範囲とする理由は以下の通りである。
すなわち、厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層１１０ｂが上部開口部１１２ｄから溢れてしまうおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、上部開口部１１２ｄにおける陰極１２のステップガバレッジが確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、陰極１２と駆動用の薄膜トランジスタ１２３との絶縁を高めることができる点で好ましい。
（２）プラズマ処理工程
次にプラズマ処理工程では、画素電極１１１の表面を活性化すること、更にバンク部１１２の表面を表面処理する事を目的として行われる。特に活性化工程では、画素電極１１１（ＩＴＯ）上の洗浄、更に仕事関数の調整を主な目的として行っている。更に、画素電極１１１の表面の親液化処理（親液化工程）、バンク部１１２表面の撥液化処理（撥液化工程）を行う。
このプラズマ処理工程は、例えば（２）−１予備加熱工程、（２）−２活性化処理工程（親液化工程）、（２）−３撥液化処理工程（親液化工程）、及び（２）−４冷却工程とに大別される。なお、このような工程に限られるものではなく、必要に応じて工程を削減、更なる工程追加も行われる。
まず、図６は、プラズマ処理工程で用いられるプラズマ処理装置を示す。
図６に示すプラズマ処理装置５０は、予備加熱処理室５１、第１プラズマ処理室５２、第２プラズマ処理室５３、冷却処理室５４、これらの各処理室５１〜５４に基体２を搬送する搬送装置５５とから構成されている。各処理室５１〜５４は、搬送装置５５を中心として放射状に配置されている。
まず、これらの装置を用いた概略の工程を説明する。
予備加熱工程は、図６に示す予備加熱処理室５１において行われる。そしてこの処理室５１により、バンク部形成工程から搬送された基体２を所定の温度に加熱する。
予備加熱工程の後、親液化工程及び撥液化処理工程を行う。すなわち、基体は第１，第２プラズマ処理室５２，５３に順次搬送され、それぞれの処理室５２，５３においてバンク部１１２にプラズマ処理を行い親液化する。この親液化処理後に撥液化処理を行う。撥液化処理の後に基体を冷却処理室に搬送し、冷却処理室５４おいて基体を室温まで冷却する。この冷却工程後、搬送装置により次の工程である正孔注入／輸送層形成工程に基体を搬送する。
以下に、それぞれの工程について詳細に説明する。（２）−１予備加熱工程
予備加熱工程は予備加熱処理室５１により行う。この処理室５１において、バンク部１１２を含む基体２を所定の温度まで加熱する。
基体２の加熱方法は、例えば処理室５１内にて基体２を載せるステージにヒータを取り付け、このヒータで当該ステージごと基体２を加熱する手段がとられている。なお、これ以外の方法を採用することも可能である。
予備加熱処理室５１において、例えば７０℃〜８０℃の範囲に基体２を加熱する。この温度は次工程であるプラズマ処理における処理温度であり、次の工程に合わせて基体２を事前に加熱し、基体２の温度ばらつきを解消することを目的としている。
仮に予備加熱工程を加えなければ、基体２は室温から上記のような温度に加熱されることになり、工程開始から工程終了までのプラズマ処理工程中において温度が常に変動しながら処理される事になる。したがって、基体温度が変化しながらプラズマ処理を行うことは、有機ＥＬ素子の特性の不均一につながる可能性がある。したがって、処理条件を一定に保ち、均一な特性を得るために予備加熱を行うのである。
そこで、プラズマ処理工程においては、第１，第２プラズマ処理装置５２，５３内の試料ステージ上に基体２を載置した状態で親液化工程または撥液化工程を行う場合に、予備加熱温度を、親液化工程または撥液化工程を連続して行う試料ステージ５６の温度にほぼ一致させることが好ましい。
そこで、第１，第２プラズマ処理装置５２，５３内の試料ステージが上昇する温度、例えば７０〜８０℃まで予め基体２を予備加熱することにより、多数の基体にプラズマ処理を連続的に行った場合でも、処理開始直後と処理終了直前でのプラズマ処理条件をほぼ一定にすることができる。これにより、基体２の表面処理条件を同一にし、バンク部１１２の組成物に対する濡れ性を均一化することができ、一定の品質を有する表示装置を製造することができる。
また、基体２を予め予備加熱しておくことにより、後のプラズマ処理における処理時間を短縮することができる。
（２）−２活性化処理（親液化工程）
つぎに第１プラズマ処理室５２では、活性化処理が行われる。活性化処理には、画素電極１１１における仕事関数の調整、制御、画素電極表面の洗浄、画素電極表面の親液化工程が含まれる。
親液化工程として、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を行う。図７には第１プラズマ処理を模式的に示した図である。図７に示すように、バンク部１１２を含む基体２は加熱ヒータ内臓の試料ステージ５６上に載置され、基体２の上側にはギャップ間隔０．５〜２ｍｍ程度の距離をおいてプラズマ放電電極５７が基体２に対向して配置されている。基体２は、試料ステージ５６によって加熱されつつ、試料ステージ５６は図示矢印方向に向けて所定の搬送速度で搬送され、その間に基体２に対してプラズマ状態の酸素が照射される。
Ｏ２プラズマ処理の条件は、例えば、プラズマパワー１００〜８００ｋＷ、酸素ガス流量５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、板搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度７０〜９０℃の条件で行われる。なお、試料ステージ５６による加熱は、主として予備加熱された基体２の保温のために行われる。
このＯ２プラズマ処理により、図８に示すように、画素電極１１１の電極面１１１ａ、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び有機物バンク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの壁面ならびに上面１１２ｆが親液処理される。この親液処理により、これらの各面に水酸基が導入されて親液性が付与される。
図９では、親液処理された部分を一点鎖線で示している。
なお、このＯ２プラズマ処理は、親液性を付与するのみならず、上述の通り画素電極であるＩＴＯ上の洗浄，仕事関数の調整も兼ねている。
（２）−３撥液処理工程（撥液化工程）
つぎに、第２プラズマ処理室５３では、撥液化工程として、大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行う。第２プラズマ処理室５３の内部構造は図７に示した第１プラズマ処理室５２の内部構造と同じである。即ち、基体２は、試料ステージによって加熱されつつ、試料ステージごと所定の搬送速度で搬送され、その間に基体２に対してプラズマ状態のテトラフルオロメタン（四フッ化炭素）が照射される。
ＣＦ４プラズマ処理の条件は、例えば、プラズマパワー１００〜８００ｋＷ、４フッ化メタンガス流量５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、基体搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度７０〜９０℃の条件で行われる。なお、加熱ステージによる加熱は、第１プラズマ処理室５２の場合と同様に、主として予備加熱された基体２の保温のために行われる。
なお、処理ガスは、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることができる。
ＣＦ４プラズマ処理により、図９に示すように、上部開口部１１２ｄ壁面及び有機物バンク層の上面１１２ｆが撥液処理される。この撥液処理により、これらの各面にフッ素基が導入されて撥液性が付与される。図９では、撥液性を示す領域を二点鎖線で示している。有機物バンク層１１２ｂを構成するアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機物はプラズマ状態のフルオロカーボンが照射することで容易に撥液化させることができる。また、Ｏ２プラズマにより前処理した方がフッ素化されやすい、という特徴を有しており、本実施形態には特に有効である。
尚、画素電極１１１の電極面１１１ａ及び無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅもこのＣＦ４プラズマ処理の影響を多少受けるが、濡れ性に影響を与える事は少ない。図９では、親液性を示す領域を一点鎖線で示している。
（２）−４冷却工程
次に冷却工程として、冷却処理室５４を用い、プラズマ処理のために加熱された基体２を管理温度まで冷却する。これは、この以降の工程であるインクジェット工程（機能層形成工程）の管理温度まで冷却するために行う工程である。
この冷却処理室５４は、基体２を配置するためのプレートを有し、そのプレートは基体２を冷却するように水冷装置が内蔵された構造となっている。
また、プラズマ処理後の基体２を室温、または所定の温度（例えばインクジェット工程を行う管理温度）まで冷却することにより、次の正孔注入／輸送層形成工程において、基体２の温度が一定となり、基体２の温度変化が無い均一な温度で次工程を行うことができる。したがって、このような冷却工程を加えることにより、インクジェット法等の吐出手段により吐出された材料を均一に形成できる。
例えば、正孔注入／輸送層を形成するための材料を含む第１組成物を吐出させる際に、第１組成物を一定の容積で連続して吐出させることができ、正孔注入／輸送層を均一に形成することができる。
上記のプラズマ処理工程では、材質が異なる有機物バンク層１１２ｂ及び無機物バンク層１１２ａに対して、Ｏ２プラズマ処理とＣＦ４プラズマ処理とを順次行うことにより、バンク部１１２に親液性の領域と撥液性の領域を容易に設けることができる。
尚、プラズマ処理工程に用いるプラズマ処理装置は、図６に示したものに限られず、例えば図１０に示すようなプラズマ処理装置６０を用いてもよい。
図１０に示すプラズマ処理装置６０は、予備加熱処理室６１と、第１プラズマ処理室６２と、第２プラズマ処理室６３と、冷却処理室６４と、これらの各処理室６１〜６４に基体２を搬送する搬送装置６５とから構成され、各処理室６１〜６４が、搬送装置６５の搬送方向両側（図中矢印方向両側）に配置されてなるものである。
このプラズマ処理装置６０では、図６に示したプラズマ処理装置５０と同様に、バンク部形成工程から搬送された基体２を、予備加熱処理室６１、第１，第２プラズマ処理室６２，６３、冷却処理室６４に順次搬送して各処理室にて上記と同様な処理を行った後、基体２を次の正孔注入／輸送層形成工程に搬送する。
また，上記プラズマ装置は，大気圧下の装置でなくとも，真空下のプラズマ装置を用いても良い。
（３）正孔注入／輸送層形成工程（機能層形成工程）
次に発光素子形成工程では、電極（ここでは画素電極１１１）上に正孔注入／輸送層を形成する。
正孔注入／輸送層形成工程では、液滴吐出としてたとえばインクジェット装置を用いることにより、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物（組成物）を電極面１１１ａ上に吐出する。その後に乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極１１１上及び無機物バンク層１１２ａ上に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。なお、正孔注入／輸送層１１０ａが形成された無機物バンク層１１２ａをここでは第１積層部１１２ｅという。
この正孔注入／輸送層形成工程を含めこれ以降の工程は、水、酸素の無い雰囲気とする事が好ましい。例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
なお、正孔注入／輸送層１１０ａは第１積層部１１２ｅ上に形成されないこともある。すなわち、画素電極１１１上にのみ正孔注入／輸送層が形成される形態もある。
インクジェットによる製造方法は以下の通りである。
本実施形態の表示装置の製造方法に好適に用いられるインクジェットヘッドの一例として、図１１のようなヘッドＨを例示できる。このヘッドＨは図１１に示すように、複数のインクジェットヘッドＨ１と、これらのインクジェットヘッドＨ１を支持する支持基板Ｈ７を主として構成されている。
更に、基体と上記のヘッドＨの配置に関しては図１２のように配置することが好ましい。
図１２に示すインクジェット装置において、符号１１１５は基体２を載置するステージであり、符号１１１６はステージ１１１５を図中ｘ軸方向（主走査方向）に案内するガイドレールである。またヘッドＨは、支持部材１１１１を介してガイドレール１１１３により図中ｙ軸方向（副走査方向）に移動できるようになっており、更にヘッドＨは図中θ軸方向に回転できるようになっており、インクジェットヘッドＨ１を主走査方向に対して所定の角度に傾けることができるようになっている。
図１２に示す基体２は、マザー基板に複数のチップを配置した構造となっている。即ち、１チップの領域が１つの表示装置に相当する。ここでは、３つの表示領域２ａが形成されているが、これに限られるものではない。例えば、基体２上の左側の表示領域２ａに対して組成物を塗布する場合は、ガイドレール１１１３を介してヘッドＨを図中左側に移動させるとともに、ガイドレール１１１６を介して基体２を図中上側に移動させ、基体２を走査させながら塗布を行う。次に、ヘッドＨを図中右側に移動させて基体の中央の表示領域２ａに対して組成物を塗布する。右端にある表示領域２ａに対しても前記と同様である。
尚、図１２に示すヘッドＨ及び図１５に示すインクジェット装置は、正孔注入／輸送層形成工程のみならず、発光層形成工程に用いて良い。
図１３にはインクジェットヘッドＨ１をインク吐出面の側からみた斜視図を示す。図１３に示すように、インクジェットヘッドＨ１のインク吐出面（基体２との対向面）には、ヘッドの長さ方向に沿って列状に、且つヘッドの幅方向に間隔をあけて１列でノズルｎ１が複数設けられている。このように、複数のノズルＨ２が列状に配列されることにより２つのノズル列ｎ２が構成されている。１つのノズル列ｎ２に含まれるノズルｎ１の数は例えば１８０個であり、１つのインクジェットヘッドＨ１に３６０個のノズルが形成されている。また、ノズルｎ１の孔径は例えば２８μｍであり、ノズルｎ１間のピッチは例えば１４１μｍである。
インクジェットヘッドＨ１は、例えば、図１４Ａ及び図１４Ｂに示す内部構造を有する。具体的には、インクジェットヘッドＨ１は、例えばステンレス製のノズルプレート２２９と、それに対向する振動板２３１と、それらを相互に接合する仕切部材２３２とを有する。ノズルプレート２２９と振動板２３１との間には、仕切部材２３２によって複数の組成物室２３３と液溜まり室２３４とが形成されている。複数の組成物室２３３と液溜まり室２３４とは通路２３８を介して互いに連通している。
振動板２３１の適所には組成物供給孔２３６が形成され、この組成物供給孔２３６に組成物供給装置２３７が接続される。組成物供給装置２３７は、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を組成物供給孔２３６に供給する。供給された第１組成物は液溜まり２３４に充満し、更に通路２３８を通って組成物室２３３に充満する。
ノズルプレート２２９には、組成物室２３３から第１組成物をジェット状に噴射するためのノズルｎ１が設けられている。また、振動板２３１の組成物室２３３を形成する面の裏面には、組成物室２３３に対応させて組成物加圧体２３９が取り付けられている。この組成物加圧体２３９は、図１４Ｂに示すように、圧電素子２４１並びにこれを挟持する一対の電極２４２ａ及び２４２ｂを有する。圧電素子２４１は電極２４２ａ、２４２ｂへの通電によって矢印Ｃで示す外側へ突出するように撓み変形し、これにより組成物室２３３の容積が増大する。すると、増大した容積分に相当する第１組成物が液溜まり２３４から通路２３８を通って組成物室２３３に流入する。
次に圧電素子２４１への通電を解除すると、圧電素子２４１と振動板２３１はともに元の形状に戻る。これにより、組成物室２３３も元の容積に戻るため組成物室２３３の内部にある第１組成物の圧力が上昇し、ノズルｎ１から基体２へ向けて第１組成物が液滴１１０ｃとなって噴出する。
図１５には、基体２に対してインクジェットヘッドＨ１を走査させた状態を示す。図１５に示すように、インクジェットヘッドＨ１は、図中Ｘ方向に沿う方向に相対的に移動しながら第１組成物を吐出するが、その際、ノズル列ｎ２の配列方向Ｚが、主走査方向（Ｘ方向に沿う方向）に対して傾斜した状態になっている。このように、インクジェットヘッドＨ１のノズル列ｎ２を主走査方向に対して傾けて配置することにより、ノズルピッチを画素領域Ａのピッチに対応させることができる。また、傾き角度調整することにより、どのような画素領域Ａのピッチに対しても対応させることができる。
図１６に示すように、インクジェットヘッドＨ１に形成された複数のノズルｎ１…から正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を吐出する。尚、インクジェットヘッドＨ１を走査することにより各画素領域Ａ毎に第１組成物を充填しているが、基体２を走査することによっても可能である。更に、インクジェットヘッドＨ１と基体２とを相対的に移動させることによっても第１組成物を充填させることができる。なお、これ以降のインクジェットヘッドを用いて行う工程では上記の点は同様である。
インクジェットヘッドによる吐出は以下の通りである。すなわち、インクジェットヘッドＨ１に形成されてなる吐出ノズルＨ２を電極面１１１ａに対向して配置し、ノズルＨ２から第１組成物を吐出する。画素電極１１１の周囲には開口部１１２ｇを区画するバンク１１２が形成されており、この開口部１１２ｇにインクジェットヘッドＨ１を対向させ、このインクジェットヘッドＨ１と基体２とを相対移動させながら、吐出ノズルＨ２から１滴当たりの液量が制御された第１組成物滴１１０ｃを図３に示すような開口部１１２ｇ内に吐出する。１つの開口部１１２ｇに対して吐出する液滴の数は、例えば６〜２０滴の範囲とすることができるが、この範囲は画素の面積によって代わるものであり、この範囲より多くても少なくても構わない。
なお、図１６及び図１７Ａに示すように、１つの開口部１１２ｇに対して吐出する最初の液滴１１０ｃ１は、有機質バンク層１１２ｂの傾斜した壁面１１２ｈに接触させるように吐出する必要がある。有機質バンク層１１２ｂの壁面１１２ｈは先の撥液化工程によって撥液性に処理されているので、吐出された液滴１１０ｃ１は壁面１１２ｈに接触するものの直ちにはじかれ、この壁面１１２ｈ上を転がって第１積層部１１２ｅ上に転がり落ちる。第１積層部１１２ｅは前述したように親液性に処理されているので、転がり落ちた液滴１１０ｃ１は第１積層部１１２ｅ上で濡れ広がる。尚、この最初の液滴１１０ｃ１は、有機質バンク層１１２ｂの壁面１１２ｈの少なくとも一部に接触すれば良く、壁面１１２ｈと同時に有機物バンク層の上面１１２ｆに接するように吐出しても構わない。
続いて、２つ目以降の液滴１１０ｃ２は、図１７Ｂに示すように、直前の液滴１１０ｃ１と重なり合わない程度の間隔を空けて吐出する。即ち、各液滴１１０ｃ１、１１０ｃ２…の滴下時の間隔Ｄを、各液滴の直径ｄより広くする（Ｄ＞ｄ）ことが好ましい。尚、この場合は１回の走査で吐出できる液滴の数が限られるので、十分な膜厚の正孔注入／輸送層を形成するためには、１つの画素領域Ａに対するインクジェットヘッドＨ１の走査を複数回行うことが好ましい。
更に、インクジェットヘッドＨ１の走査を複数回行う際には、各走査回毎にインクジェットヘッドＨ１を主走査方向の直交方向である副走査方向（図１７中紙面方向）に僅かにシフトさせることにより、特定のノズルｎ１から別のノズルｎ１に切り替えて吐出を行うことが好ましい。このように、一つの画素領域Ａに対して複数のノズルを用いて吐出を行うことで、各ノズルに固有の液滴量の誤差が拡散するいわゆる誤差拡散の効果が生じ、正孔注入／輸送層の膜厚を均一にすることができる。
また、図１７Ｃに示すように、２つ目以降の液滴１１０ｃ２…を、直前の液滴１１０ｃ１と重なり合う程度の間隔で吐出してもよい。即ち、各液滴１１０ｃ１、１１０ｃ２…の滴下時の間隔Ｄを、各液滴の直径ｄより狭く（Ｄ＜ｄ）しても良い。尚、この場合は１回の走査で吐出できる液滴の数に制限がないので、十分な膜厚の正孔注入／輸送層を形成するために、１つの画素領域Ａに対するインクジェットヘッドＨ１の走査を１回としてもよく、複数回としてもよい。インクジェットヘッドＨ１の走査を複数回行う場合は、前述と同様に、各走査回毎にインクジェットヘッドＨ１を副走査方向にシフトさせ、特定のノズルｎ１から別のノズルｎ１に切り替えて吐出を行うことが好ましい。このように一つの画素領域Ａに対して複数のノズルを用いて吐出を行った場合は、上記と同様に、誤差拡散の効果により各画素領域Ａ毎に形成される正孔注入／輸送層の膜厚を均一にできる。
特に、１つの画素領域Ａに対するインクジェットヘッドＨ１の走査を２回で行うとした場合は、１回目と２回目の走査方向を反対方向としても良く、同じ方向としてもよい。
１，２回目の走査方向を反対方向とした場合は、１回目の走査で画素領域Ａの半分の領域まで第１組成物を吐出し、２回目の走査で残りの半分の領域に吐出すればよい。また、１回目の走査により形成された領域をうめるように、２回目の走査を行うこともできる。
更に、１，２回目の走査方向を同一方向とした場合は、１回目の走査で各液滴同士が接触しない程度に間隔を空けて吐出し、２回目の走査で吐出済みの液滴の間を埋めるように吐出すればよい。もちろん、１つの画素領域を２つの領域に分けて吐出を行うことも可能である。
ここで用いる第１組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等の混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）及びその誘導体、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。
より具体的な第１組成物の組成としては、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ＝１：２０）：１２．５２重量％、ＰＳＳ：１．４４重量％、ＩＰＡ：１０重量％、ＮＭＰ：２７．４８重量％、ＤＭＩ：５０重量％のものを例示できる。尚、第１組成物の粘度は２〜２０Ｐｓ程度が好ましく、特に４〜１５ｃＰｓ程度が良い。
上記の第１組成物を用いることにより、吐出ノズルＨ２に詰まりが生じることがなく安定吐出できる。
なお、正孔注入／輸送層形成材料は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３に対して同じ材料を用いても良く、各発光層毎に変えても良い。
図１６に示すように、吐出された第１組成物の液滴１１０ｃは、最終的には親液処理された電極面１１１ａ及び第１積層部１１２ｅ上に広がり、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填される。仮に、第１組成物の液滴１１０ｃが所定の吐出位置からはずれて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第１組成物滴１１０ｃで濡れることがなく、はじかれた第１組成物滴１１０ｃが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
電極面１１１ａ上に吐出する第１組成物の全量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、第１組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定される。
次に、図１８に示すような乾燥工程を行う。乾燥工程を行う事により、吐出後の第１組成物を乾燥処理し、第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させ、正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。
乾燥処理を行うと、第１組成物滴１１０ｃに含まれる極性溶媒の蒸発が、主に無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂに近いところで起き、極性溶媒の蒸発に併せて正孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。
これにより図１８に示すように、第１積層部１１２ｅ上に、正孔注入／輸送層形成材料からなる周縁部１１０ａ２が形成される。この周縁部１１０ａ２は、上部開口部１１２ｄの壁面（有機物バンク層１１２ｂ）に密着しており、その厚さが電極面１１１ａに近い側では薄く、電極面１１１ａから離れた側、即ち有機物バンク層１１２ｂに近い側で厚くなっている。
また、これと同時に、乾燥処理によって電極面１１１ａ上でも極性溶媒の蒸発が起き、これにより電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層形成材料からなる平坦部１１０ａ１が形成される。電極面１１１ａ上では極性溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正孔注入／輸送層の形成材料が電極面１１１ａ上で均一に濃縮され、これにより均一な厚さの平坦部１１０ａが形成される。
このようにして、周縁部１１０ａ２及び平坦部１１０ａ１からなる正孔注入／輸送層１１０ａが形成される。
なお、周縁部１１０ａ２には形成されず、電極面１１１ａ上のみに正孔注入／輸送層が形成される形態であっても構わない。
上記の乾燥処理は、例えば窒素雰囲気中、室温で圧力を例えば１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度にして行う。圧力が低すぎると第１組成物滴１１０ｃが突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、極性溶媒の蒸発速度が高まり、平坦な膜を形成する事ができない。
乾燥処理後は、窒素中、好ましくは真空中で２００℃で１０分程度加熱する熱処理を行うことで、正孔注入／輸送層１１０ａ内に残存する極性溶媒や水を除去することが好ましい。
上記の正孔注入／輸送層形成工程では、吐出された第１組成物滴１１０ｃが、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる一方で、撥液処理された有機物バンク層１１２ｂで第１組成物がはじかれて下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。これにより、吐出した第１組成物滴１１０ｃを必ず下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填することができ、電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層１１０ａを形成することができる。
また、上記の正孔注入／輸送層形成工程によれば、各画素領域Ａごとに最初に吐出する第１組成物の液滴１１０ｃ１を有機物バンク層１１２ｂの壁面１１２ｈに接触させるので、この液滴が壁面１１２ｈから第１積層部１１２ｅ及び画素電極面１１１ａに転がり込むため、第１組成物の液滴１１０ｃを画素電極１１１の周囲に優先的に濡れ広げて第１組成物をむらなく塗布することができ、これにより正孔注入輸送層１１０ａをほぼ均一な膜厚で形成できる。
（４）発光層形成工程
次に発光層形成工程は、表面改質工程、発光層形成材料吐出工程、および乾燥工程、とからなる。
まず、正孔注入／輸送層１１０ａの表面を表面改質するために表面改質工程を行う。この工程にについては、以下に詳述する。次に、前述の正孔注入／輸送層形成工程と同様、インクジェット法により第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。その後、吐出した第２組成物を乾燥処理（及び熱処理）して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する。
発光層形成工程では、正孔注入／輸送層１１０ａの再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる第２組成物の溶媒として、正孔注入／輸送層１１０ａに対して不溶な非極性溶媒を用いる。
しかしその一方で正孔注入／輸送層１１０ａは、非極性溶媒に対する親和性が低いため、非極性溶媒を含む第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出しても、正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂとを密着させることができなくなるか、あるいは発光層１１０ｂを均一に塗布できないおそれがある。
そこで、非極性溶媒ならびに発光層形成材料に対する正孔注入／輸送層１１０ａの表面の親和性を高めるために、発光層形成の前に表面改質工程を行うことが好ましい。
そこで、表面改質工程について説明する。
表面改質工程は、発光層形成の際に用いる第１組成物の非極性溶媒と同一溶媒またはこれに類する溶媒である表面改質材を、インクジェット法（液滴吐出法）、スピンコート法またはディップ法により正孔注入／輸送層１１０ａ上に塗布した後に乾燥することにより行う。
インクジェット法による塗布は、図１９に示すように、インクジェットヘッドＨ３に、表面改質材を充填し、インクジェットヘッドＨ３に形成された吐出ノズルＨ４から表面改質材を吐出する。前述の正孔注入／輸送層形成工程と同様に、吐出ノズルＨ４を基体２（すなわち、正孔注入／輸送層１１０ａが形成された基体２）に対向させ、インクジェットヘッドＨ３と基体２とを相対移動させながら、吐出ノズルＨ４から表面改質材１１０ｄを正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出することにより行う。
また、スピンコート法による塗布は、基体２を例えば回転ステージ上に載せ、上方から表面改質材を基体２上に滴下した後、基体２を回転させて表面改質材を基体２上の正孔注入／輸送層１１０ａの全体に広げることにより行う。なお、表面改質材は撥液化処理された上面１１２ｆ上にも一時的に広がるが、回転による遠心力で飛ばされてしまい、正孔注入／輸送層１１０ａ上のみに塗布される。
更にディップ法による塗布は、基体２を例えば表面改質材に浸積させた後に引き上げて、表面改質材を正孔注入／輸送層１１０ａの全体に広げることにより行う。この場合も表面改質材が撥液処理された上面１１２ｆ上に一時的に広がるが、引き上げの際に表面改質材が上面１１２ｆからはじかれて正孔注入／輸送層１１０ａのみに塗布される。
ここで用いる表面改質材としては、第２組成物の非極性溶媒と同一なものとして例えば、シクロヘキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を例示でき、第２組成物の非極性溶媒に類するものとして例えば、トルエン、キシレン等を例示できる。
特に、インクジェット法により塗布する場合には、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、またはこれらの混合物，特に第２組成物と同じ溶媒混合物等を用いることが好ましく、スピンコート法またはディップ法による場合は、トルエン、キシレン等が好ましい。
次に、図２０に示すように、塗布領域を乾燥させる。乾燥工程は、インクジェット法で塗布した場合はホットプレート上に基体２を載せて例えば２００℃以下の温度で加熱して乾燥蒸発させることが好ましい。スピンコート法またはディップ法による場合は、基体２に窒素を吹き付けるか、あるいは基体を回転させて基体２表面に気流を発生させることで乾燥させることが好ましい。
尚、表面改質材の塗布を、正孔注入／輸送層入層形成工程の乾燥処理の後に行い、塗布後の表面改質材を乾燥させた後に、正孔注入／輸送層形成工程の熱処理を行っても良い。
このような表面改質工程を行うことで、正孔注入／輸送層１１０ａの表面が非極性溶媒になじみやすくなり、この後の工程で、発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａに均一に塗布することができる。
尚、上記の表面改質材に、正孔輸送性材料として一般に用いられる前記の化合物２等を溶解して組成物とし、この組成物をインクジェット法により正孔注入／輸送層上に塗布して乾燥させることにより、正孔注入／輸送層上に極薄の正孔輸送層を形成しても良い。
正孔注入／輸送層の大部分は、後の工程で塗布する発光層１１０ｂに溶け込むが、一部が正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂの間に薄膜状に残存し、これにより正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂとの間のエネルギー障壁を下げて正孔の移動を容易にし、発光効率を向上させることができる。
次に発光層形成工程として、インクジェット法（液滴吐出法）により、発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出した後に乾燥処理して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する。
図２１に、インクジェットによる吐出方法の概略を示す。図２１に示すように、インクジェットヘッドＨ５と基体２とを相対的に移動し、インクジェットヘッドに形成された吐出ノズルＨ６から各色（たとえばここでは青色（Ｂ））発光層形成材料を含有する第２組成物が吐出される。
吐出の際には、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層１１０ａに吐出ノズルを対向させ、インクジェットヘッドＨ５と基体２とを相対移動させながら、第２組成物が吐出される。吐出ノズルＨ６から吐出される液量は１滴当たりの液量が制御されている。このように液量が制御された液（第２組成物滴１１０ｅ）が吐出ノズルから吐出され、この第２組成物滴１１０ｅを正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。
発光層形成工程は、正孔注入／輸送層形成工程と同様に、最初の液滴をバンク部１１２に当てるように吐出する。２つ目の液滴は、１つ目の液滴と重なるように吐出しても良いし、間隔を空けて吐出しても良い。更に１つの画素領域に対し、２回の走査に分けても良い。
即ち、図１６及び図１７Ａに示した場合と同様に、１つの開口部１１２ｇに対して吐出する最初の第２組成物の液滴は、有機質バンク層１１２ｂの傾斜した壁面１１２ｈに接触させるように吐出する。有機質バンク層１１２ｂの壁面１１２ｈは先の撥液化工程によって撥液性に処理されているので、吐出された液滴は壁面１１２ｈに接触するものの直ちにはじかれ、この壁面１１２ｈ上を転がって正孔注入／輸送層１１０ａ上に転がり落ちる。正孔注入／輸送層１１０ａは表面改質工程により非極性溶媒になじみやすく処理されているので、転がり落ちた液滴は正孔注入／輸送層１１２ａ上で濡れ広がる。尚、この最初の液滴は、有機質バンク層１１２ｂの壁面１１２ｈの少なくとも一部に接触すれば良く、壁面１１２ｈと同時に有機物バンク層の上面１１２ｆに接するように吐出しても構わない。
続いて、２つ目以降の液滴は、図１７Ｂと同様に、直前の液滴と重なり合わない程度の間隔を空けて吐出する。即ち、各液滴の滴下時の間隔Ｄを、各液滴の直径ｄより広くする（Ｄ＞ｄ）ことが好ましい。尚、この場合は１回の走査で吐出できる液滴の数が限られるので、十分な膜厚の発光層１１２ｂを形成するためには、１つの画素領域Ａに対するインクジェットヘッドＨ５の走査を複数回行うことが好ましい。
更に、インクジェットヘッドＨ５の走査を複数回行う際には、各走査回毎にインクジェットヘッドＨ５を主走査方向の直交方向である副走査方向に僅かにシフトさせることにより、特定のノズルから別のノズルに切り替えて吐出を行うことが好ましい。このように、一つの画素領域Ａに対して複数のノズルを用いて吐出を行うことで、各ノズルに固有の液滴量の誤差が拡散するいわゆる誤差拡散の効果が生じ、発光層１１２ｂの膜厚を均一にすることができる。
また、図１７Ｃと同様に、２つ目以降の液滴を、直前の液滴と重なり合う程度の間隔で吐出してもよい。即ち、各液滴の滴下時の間隔Ｄを、各液滴の直径ｄより狭く（Ｄ＜ｄ）しても良い。尚、この場合は１回の走査で吐出できる液滴の数に制限がないので、十分な膜厚の発光層１１２ｂを形成するために、１つの画素領域Ａに対するインクジェットヘッドＨ５の走査を１回としてもよく、複数回としてもよい。インクジェットヘッドＨ５の走査を複数回行う場合は、前述と同様に、各走査回毎にインクジェットヘッドＨ５を副走査方向にシフトさせ、特定のノズルから別のノズルに切り替えて吐出を行うことが好ましい。このように一つの画素領域Ａに対して複数のノズルを用いて吐出を行った場合は、上記と同様に、誤差拡散の効果により各画素領域Ａ毎に形成される発光層１１２ｂの膜厚を均一にできる。
特に、１つの画素領域Ａに対するインクジェットヘッドＨ５の走査を２回で行うとした場合は、１回目と２回目の走査方向を反対方向としても良く、同じ方向としてもよい。
１，２回目の走査方向を反対方向とした場合は、１回目の走査で画素領域Ａの半分の領域まで第１組成物を吐出し、２回目の走査で残りの半分の領域に吐出すればよい。また、１回目の走査により形成された領域をうめるように、２回目の走査を行うこともできる。
更に、１，２回目の走査方向を同一方向とした場合は、１回目の走査で各液滴同士が接触しない程度に間隔を空けて吐出し、２回目の走査で吐出済みの液滴の間を埋めるように吐出すればよい。もちろん、１つの画素領域を２つの領域に分けて吐出を行うことも可能である。
発光層形成材料としては、化合物１〜化合物５に示すポリフルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン係色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープして用いる事ができる。例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープすることにより用いることができる。
非極性溶媒としては、正孔注入／輸送層１１０ａに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロヘキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることができる。
このような非極性溶媒を発光層１１０ｂの第２組成物に用いることにより、正孔注入／輸送層１１０ａを再溶解させることなく第２組成物を塗布できる。
図２１に示すように、吐出された第２組成物１１０ｅは、正孔注入／輸送層１１０ａ上に広がって下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる。その一方で、撥液処理された上面１１２ｆでは第１組成物滴１１０ｅが所定の吐出位置からはずれて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第２組成物滴１１０ｅで濡れることがなく、第２組成物滴１１０ｅが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
各正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する第２組成物量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする発光層１１０ｂの厚さ、第２組成物中の発光層材料の濃度等により決定される。
また、第２組成物１１０ｅは１回のみならず、数回に分けて同一の正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出しても良い。この場合、各回における第２組成物の量は同一でも良く、各回毎に第２組成物の液量を変えても良い。更に正孔注入／輸送層１１０ａの同一箇所のみならず、各回毎に正孔注入／輸送層１１０ａ内の異なる箇所に第２組成物を吐出配置しても良い。
次に、第２の組成物を所定の位置に吐出し終わった後、吐出後の第２組成物滴１１０ｅを乾燥処理することにより発光層１１０ｂ３が形成される。すなわち、乾燥により第２組成物に含まれる非極性溶媒が蒸発し、図２２に示すような青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３が形成される。なお、図２２においては青に発光する発光層が１つのみ図示されているが、図１やその他の図より明らかなように本来は発光素子がマトリックス状に形成されたものであり、図示しない多数の発光層（青色に対応）が形成されている。
続けて、図２３に示すように、前述した青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３の場合と同様の工程を用い、赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ１を形成し、最後に緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ２を形成する。
なお、発光層１１０ｂの形成順序は、前述の順序に限られるものではなく、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層形成材料に応じて形成する順番を決める事も可能である。
また、発光層の第２組成物の乾燥条件は、青色１１０ｂ３の場合、例えば、窒素雰囲気中、室温で圧力を１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度として５〜１０分行う条件とする。圧力が低すぎると第２組成物が突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、非極性溶媒の蒸発速度が高まり、発光層形成材料が上部開口部１１２ｄ壁面に多く付着してしまうので好ましくない。
また緑色発光層１１０ｂ２、および赤色発光層ｂ１の場合、発光層形成材料の成分数が多いために素早く乾燥させることが好ましく、例えば、４０℃で窒素の吹き付けを５〜１０分行う条件とするのがよい。
その他の乾燥の手段としては、遠赤外線照射法、高温窒素ガス吹付法等を例示できる。
このようにして、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０ｂが形成される。
（５）対向電極（陰極）形成工程
次に対向電極形成工程では、図２４に示すように、発光層１１０ｂ及び有機物バンク層１１２ｂの全面に陰極１２（対向電極）を形成する。なお，陰極１２は複数の材料を積層して形成しても良い。例えば、発光層に近い側には仕事関数が小さい材料を形成することが好ましく、例えばＣａ、Ｂａ等を用いることが可能であり、また材料によっては下層にＬｉＦ等を薄く形成した方が良い場合もある。また、上部側（封止側）には下部側よりも仕事関数が高い材料、例えばＡｌを用いる事もできる。
これらの陰極１２は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点で好ましい。
また、フッ化リチウムは、発光層１１０ｂ上のみに形成しても良く、更に所定の色に対応して形成する事ができる。例えば、青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３上のみに形成しても良い。この場合、他の赤色（Ｒ）発光層及び緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２には、カルシウムからなる上部陰極層１２ｂが接することとなる。
また陰極１２の上部には、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により形成したＡｌ膜、Ａｇ膜等を用いることが好ましい。また、その厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００〜５００ｎｍ程度がよい。また陰極１２上に、酸化防止のためにＳｉＯ２、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。
（６）封止工程
最後に封止工程は、発光素子が形成された基体２と封止基板３ｂとを封止樹脂３ａにより封止する工程である。たとえば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂３ａを基体２の全面に塗布し、封止樹脂３ａ上に封止用基板３ｂを積層する。この工程により基体２上に封止部３を形成する。
封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極１２に侵入して陰極１２が酸化されるおそれがあるので好ましくない。
更に、図２Ａ〜図２Ｃに例示した基板５の配線５ａに陰極１２を接続するとともに、駆動ＩＣ６に回路素子部１４の配線を接続することにより、本実施形態の表示装置１が得られる。
［第２の実施形態］
次に、第１の実施形態の表示装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図２５Ａは、携帯電話の一例を示した斜視図である。図２５Ａにおいて、符号６００は携帯電話本体を示し、符号６０１は前記の表示装置を用いた表示部を示している。
図２５Ｂは、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図２５Ｂにおいて、符号７００は情報処理装置、符号７０１はキーボードなどの入力部、符号７０３は情報処理装置本体、符号７０２は前記の表示装置を用いた表示部を示している。
図２５Ｃは、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図２５Ｃにおいて、符号８００は時計本体を示し、符号８０１は前記の表示装置を用いた表示部を示している。
図２５Ａ〜図２５Ｃに示すそれぞれの電子機器は、前記の第１の実施形態の表示装置を用いた表示部を備えたものであり、先の第１の実施形態の表示装置の特徴を有するので、高輝度であって表示品質に優れた効果を有する電子機器となる。
これらの電子機器を製造するには、第１の実施形態と同様にして、図２に示すような駆動ＩＣ６（駆動回路）を備えた表示装置１を構成し、この表示装置１を、携帯電話、携帯型情報処理装置、腕時計型電子機器に組み込むことにより製造される。
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
図２６には、本発明に係る他の例の表示装置の断面模式図を示す。図２６に示す表示装置は、基体２と、基体２上に形成された表示素子１０と、基体２の周囲に環状に塗布された封止樹脂６０３と、表示素子１０上に備えられた封止部３とを具備して構成されている。
基体２及び表示素子１０は、第１の実施形態に係る基体２及び表示素子１０と同じものである。表示素子１０は、発光素子部１１と、該発光素子部１１上に形成された陰極１２とを主体として構成されている。
また図２６に示すように、発光素子部１１上には封止部３が備えられている。この封止部３は、陰極１２上に塗布された熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなる封止樹脂３ａと、封止樹脂３ａ上に配置された封止基板３ｂとからなる。なお、封止樹脂３ａとしては、硬化時にガス、溶媒等が発生しないものが好ましい。
この封止部３は、少なくとも発光素子部１１上にある陰極１２をほぼ覆うように形成されており、陰極１２及び発光層を含む機能層に対する水又は酸素の侵入を防いで、陰極１２または発光層の酸化を防止する。
尚、封止基板３ｂは、封止樹脂３ａに接合されて封止樹脂３ａを保護するものであり、ガラス板、金属板若しくは樹脂板のいずれかであることが好ましい。
また図２７には、本発明に係る別の例の表示装置の断面模式図を示す。図２７に示す表示装置は、基体２と、基体２上に形成された表示素子１０と、表示素子１０の全面に塗布された封止樹脂３ａと、封止樹脂３ａ上に備えられた封止用基板３ｂとを具備して構成されている。
基体２、表示素子１０、封止樹脂３ａ及び封止用基板３ｂは、第１の実施形態に係る基体２、表示素子１０、封止材３及び封止用基板４と同じものである。
また、図２７に示すように、封止材３と陰極１２の間には保護層７１４が形成されている。保護層７１４は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなるものであり、厚さが１００〜２００ｎｍの範囲とされている。この保護層７１４は、陰極１２及び発光層を含む機能層に対する水又は酸素の侵入を防いで、陰極１２または発光層の酸化を防止する。
上記の表示装置によれば、水及び酸素の侵入を効果的に防いで陰極１２または発光層の酸化を防止することにより、表示装置の高輝度化及び長寿命化を図ることができる。
また、第１の実施形態においては、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光層１１０ｂをストライプ配置した場合について説明したが、本発明はこれに限られず、様々な配置構造を採用しても良い。例えば図２８Ａに示すようなストライプ配置の他、図２８Ｂに示すようなモザイク配置や、図２８Ｃに示すようなデルタ配置とすることができる。
産業上の利用の可能性
以上、詳細に説明したように、本発明の表示装置の製造方法によれば、各機能層ごとに最初に吐出する前記組成物の液滴を前記バンク部の少なくとも一部に接触させることにより、この液滴がバンク部から電極表面に転がり込むため、組成物の液滴を電極の周囲に優先的に濡れ広げて組成物をむらなく塗布することができ、これにより機能層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の第１の実施形態の表示装置の配線構造の平面模式図である。
図２Ａ〜図２Ｂは、本発明の第１の実施形態の表示装置を示す図である。 図２Ａは表示装置の平面模式図であり、図２Ｂは図２ＡのＡＢ線に沿う断面模式図である。
図３は、本発明の第１の実施形態の表示装置の要部を示す図である。
図４は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
図５は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
図６は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造に用いるプラズマ処理装置の一例を示す平面模式図である。
図７は、図６に示したプラズマ処理装置の第１プラズマ処理室の内部構造を示す模式図である。
図８は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
図９は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
図１０は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造に用いるプラズマ処理装置の別の例を示す平面模式図である。
図１１は、本発明の第１の実施形態の表示装置を製造する際に用いるヘッドを示す平面図である。
図１２は、本発明の第１の実施形態の表示装置を製造する際に用いるインクジェット装置を示す平面図である。
図１３は、本発明の第１の実施形態の表示装置を製造する際に用いるインクジェットヘッドの一例を示す斜視図である。
図１４Ａ〜１４Ｂは、図１３に示すインクジェットヘッドの内部構造を示す図である。図１４Ａは斜視図であり、図１４Ｂは図１４ＡのＪ−Ｊ線に沿う断面図である。
図１５は、基体に対するインクジェットヘッドの配置状態を示す平面図である。
図１６は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
図１７Ａ〜図１７Ｃは、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。図１７Ａは最初の液滴を吐出させたときの状態を示す断面図である。図１７Ｂは２つ目以降の液滴を吐出させたときの状態の一例を示す断面図であり、図１７Ｃは２つ目以降の液滴を吐出させたときの状態の別の例を示す断面図である。
図１８は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
図１９は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
図２０は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
図２１は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
図２２は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
図２３は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
図２４は、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図である。
図２５Ａ〜図２５Ｃは、本発明の第２の実施形態である電子機器を示す斜視図である。
図２６は、本発明に係る他の例の表示装置を示す断面模式図である。
図２７は、本発明に係る別の例の表示装置を示す断面模式図である。
図２８Ａ〜図２８Ｃは、発光層の配置を示す平面模式図である。図２８Ａはストライプ配置、図２８Ｂはモザイク配置、図２８Ｃはがデルタ配置を示す図である。
【書類名】 明細書
【特許請求の範囲】
【請求項１】 基体上に形成された複数の電極の周囲にバンク部を形成するとともに、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に機能層を各々形成することにより、各前記電極上に形成した各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置を製造する方法であり、
前記バンク部に親液性に処理された部分と撥液性に処理された部分とを設け、
各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】 前記組成物の液滴を、前記の撥液性に処理された部分に接触させることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】 前記組成物の液滴を、前記の親液性に処理された部分に接触させることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】 前記バンク部を親液性に処理された第１バンク層と撥液性に処理された第２バンク層から形成するとともに、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】 基体上に形成された複数の電極上の各々に機能層が形成されるとともに、前記の各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置の製造方法であり、
前記電極の一部と重なるように前記バンク部を形成するバンク部形成工程と、少なくとも前記電極の一部を親液性に処理する親液化工程と、前記バンク部の一部を撥液性に処理する撥液化工程と、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に少なくとも一層の機能層を形成する機能層形成工程と、前記機能層上に対向電極を形成する対向電極形成工程とを具備してなり、
前記機能層形成工程において、各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】 前記バンク部は、前記親液化工程により親液性に処理された第１バンク層と、前記撥液化工程により撥液性に処理された第２バンク層から形成されてなり、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成されてなることを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】 前記機能層が、少なくとも正孔注入／輸送層を含むものであることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】 前記機能層が、少なくとも発光層を含むものであることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】 前記複数のノズルが配列されてなるノズル列を主走査方向に対して傾斜させた状態で前記基体上を走査させつつ、前記組成物の液滴を吐出することを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】 前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を、前記液滴の直径より広くすることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】 前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を、前記液滴の直径より狭くすることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】 各機能層に対する前記ノズル列の走査回数が１回であることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】 各機能層に対する前記ノズル列の走査回数が複数回であることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】 各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に、別のノズルを用いることを特徴とする請求項１０、請求項１１または請求項１３のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】 各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に、前記ノズル列を副走査方向にシフトさせることにより、走査毎に別のノズルを用いるようにしたことを特徴とする請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】 請求項１ないし請求項１５のいずれかに記載された表示装置の製造方法により製造されたものであることを特徴とする表示装置。
【請求項１７】 基体上に形成された複数の電極の周囲にバンク部を形成するとともに、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に機能層を各々形成することにより、各前記電極上に形成した各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置と、前記表示装置を駆動するための駆動回路とを有してなる電子機器の製造方法であり、
前記バンク部に親液性に処理された部分と撥液性に処理された部分とを設け、
各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする電子機器の製造方法。
【請求項１８】 前記組成物の液滴を、前記の撥液性に処理された部分に接触させることを特徴とする請求項１７に記載の電子機器の製造方法。
【請求項１９】 前記組成物の液滴を、前記の親液性に処理された部分に接触させることを特徴とする請求項１７に記載の電子機器の製造方法。
【請求項２０】 前記バンク部を親液性に処理された第１バンク層と撥液性に処理された第２バンク層から形成するとともに、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成することを特徴とする請求項１８又は請求項１９に記載の電子機器の製造方法。
【請求項２１】 基体上に形成された複数の電極上の各々に機能層が形成されるとともに、前記の各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置と、前記表示装置を駆動するための駆動回路とを有してなる電子機器の製造方法であり、
前記電極の一部と重なるように前記バンク部を形成するバンク部形成工程と、少なくとも前記電極の一部を親液性に処理する親液化工程と、前記バンク部の一部を撥液性に処理する撥液化工程と、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に少なくとも一層の機能層を形成する機能層形成工程と、前記機能層上に対向電極を形成する対向電極形成工程とを具備してなり、
前記機能層形成工程において、各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする電子機器の製造方法。
【請求項２２】 前記バンク部は、前記親液化工程により親液性に処理された第１バンク層と、前記撥液化工程により撥液性に処理された第２バンク層から形成されてなり、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成されてなることを特徴とする請求項２１に記載の電子機器の製造方法。
【請求項２３】 前記機能層が、少なくとも正孔注入／輸送層を含むものであることを特徴とする請求項１７ないし請求項２２のいずれかに記載の電子機器の製造方法。
【請求項２４】 前記機能層が、少なくとも発光層を含むものであることを特徴とする請求項１７ないし請求項２３のいずれかに記載の電子機器の製造方法。
【請求項２５】 前記複数のノズルが配列されてなるノズル列を主走査方向に対して傾斜させた状態で前記基体上を走査させつつ、前記組成物の液滴を吐出することを特徴とする請求項１７ないし請求項２４のいずれかに記載の電子機器の製造方法。
【請求項２６】 前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を、前記液滴の直径より広くすることを特徴とする請求項１７ないし請求項２５のいずれかに記載の電子機器の製造方法。
【請求項２７】 前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を、前記液滴の直径より狭くすることを特徴とする請求項１７ないし請求項２５のいずれかに記載の電子機器の製造方法。
【請求項２８】 各機能層に対する前記ノズル列の走査回数が１回であることを特徴とする請求項２７に記載の電子機器の製造方法。
【請求項２９】 各機能層に対する前記ノズル列の走査回数が複数回であることを特徴とする請求項２６または請求項２７に記載の電子機器の製造方法。
【請求項３０】 各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に、別のノズルを用いることを特徴とする請求項２６、請求項２７または請求項２９のいずれかに記載の電子機器の製造方法。
【請求項３１】 各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に、前記ノズル列を副走査方向にシフトさせることにより、走査毎に別のノズルを用いるようにしたことを特徴とする請求項３０に記載の電子機器の製造方法。
【請求項３２】 請求項１７ないし請求項３１のいずれかに記載された電子機器の製造方法により製造されたものであることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置の製造方法、表示装置、電子機器の製造方法および電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、有機蛍光材料等の機能材料をインク化し、当該インク（組成物）を基材上に吐出するインクジェット法により、機能材料のパターニングを行う方法を採用して、一対の電極間に該機能材料からなる機能層が挟持された構造のカラー表示装置、特に機能材料として有機発光材料を用いた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置の開発が行われている。
【０００３】
上述した機能材料のパターニング法として、例えば、基体上に形成したＩＴＯ等からなる画素電極の周囲にバンク部を形成し、次に画素電極及びこの画素電極に隣接する前記バンク部の一部を親液性に処理するとともにバンク部の残りの部分を撥液性に処理し、次に機能層の構成材料を含む組成物を画素電極のほぼ中央に吐出して乾燥することにより、画素電極上に機能層を形成する方法が採用されている。
この従来の方法によれば、吐出した組成物がバンク部から溢れた場合でも、バンク部の撥液処理された部分ではじかれて隣接する他の画素電極上に流れ込むことがないので、正確にパターニングを行うことが可能になる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の方法においては、吐出後の組成物は画素電極の中央から周囲に向けて均一に濡れ広がるが、親水処理されたバンク部の一部までは濡れ広がりにくく、このため画素電極毎に機能層の塗りむらが生じる場合があった。これは、親水処理されたバンク部の一部が非常に微小な領域であって画素電極の周囲に位置しているため、表面張力等の関係で組成物が濡れ広がらないためと考えられている。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、画素電極毎に機能層の塗りむらが生じることがなく、表示品質に優れた表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の表示装置の製造方法は、基体上に形成された複数の電極の周囲にバンク部を形成するとともに、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に前記機能層を各々形成することにより、各前記電極上に形成した各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置を製造する方法であり、前記バンク部に親液性に処理された部分と撥液性に処理された部分とを設け、各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする。
【０００７】
係る表示装置の製造方法によれば、各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を前記バンク部の少なくとも一部に接触させることにより、この液滴がバンク部から電極表面に転がり込むため、組成物の液滴を電極の周囲に優先的に濡れ広げて組成物をむらなく塗布することができ、これにより機能層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
【０００８】
また本発明の表示装置の製造方法は、先に記載の表示装置の製造方法であり、前記組成物の液滴を、前記の撥液性に処理された部分に接触させることを特徴とする。
【０００９】
係る表示装置の製造方法によれば、前記組成物の液滴をバンク部の撥液性に処理された部分に接触させるので、液滴をバンク部から電極表面に素早く転がり込ませることができ、組成物の液滴を電極の周囲に迅速かつ優先的に濡れ広げることができる。
【００１０】
また本発明の表示装置の製造方法は、先に記載の表示装置の製造方法であり、前記組成物の液滴を、前記の親液性に処理された部分に接触させることを特徴とする。
【００１１】
係る表示装置の製造方法によれば、親液性に処理された部分に組成物の液滴を濡れ広がらせることができる。
【００１２】
また本発明の表示装置の製造方法は、先に記載の表示装置の製造方法であり、前記バンク部を親液性に処理された第１バンク層と撥液性に処理された第２バンク層から形成するとともに、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成することを特徴とする。
【００１３】
係る表示装置の製造方法によれば、親液性に処理された第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成するので、組成物が電極よりも先に第１バンク層に濡れ広がり、これにより組成物をむらなく塗布することができる。
【００１４】
次に本発明の表示装置の製造方法は、基体上に形成された複数の電極上の各々に機能層が形成されるとともに、前記の各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置の製造方法であり、前記電極の一部と重なるように前記バンク部を形成するバンク部形成工程と、少なくとも前記電極の一部を親液性に処理する親液化工程と、前記バンク部の一部を撥液性に処理する撥液化工程と、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に少なくとも一層の機能層を形成する機能層形成工程と、前記機能層上に対向電極を形成する対向電極形成工程とを具備してなり、前記機能層形成工程において、各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする。
【００１５】
係る表示装置の製造方法によれば、各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を前記バンク部の少なくとも一部に接触させることにより、この液滴がバンク部から電極表面に転がり込むため、組成物の液滴を電極の周囲に優先的に濡れ広げて組成物をむらなく塗布することができ、これにより機能層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
【００１６】
また本発明の表示装置の製造方法は、先に記載の表示装置の製造方法であり、前記バンク部は、前記親液化工程により親液性に処理された第１バンク層と、前記撥液化工程により撥液性に処理された第２バンク層から形成されてなり、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成されてなることを特徴とする。
【００１７】
係る表示装置の製造方法によれば、親液性に処理された第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成されているので、組成物が電極よりも先に第１バンク層に濡れ広がり、これにより組成物をむらなく塗布することができる。
【００１８】
また本発明の表示装置の製造方法は、先に記載の表示装置の製造方法であり、前記機能層が、少なくとも正孔注入／輸送層を含むものであることを特徴とする。
また本発明の表示装置の製造方法は、先に記載の表示装置の製造方法であり、前記機能層が、少なくとも発光層を含むものであることを特徴とする。
【００１９】
係る表示装置の製造方法によれば、前記機能層が正孔注入／輸送層または発光層を含むものなので、正孔注入／輸送層または発光層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
【００２０】
係る表示装置の製造方法によれば、前記複数のノズルが配列されてなるノズル列を主走査方向に対して傾斜させた状態で前記基体上を走査させつつ、前記組成物の液滴を吐出することを特徴とする。
【００２１】
係る表示装置の製造方法によれば、ノズルピッチをバンク部の親液性に処理された部分のピッチに対応させることができる。また、傾き角度調整することにより、どのようなピッチに対しても対応させることができる。
これにより、バンク部の親液性に処理された部分に組成物の液滴を正確に吐出することができる。
【００２２】
また前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を前記液滴の直径より狭くしてもよい。この場合、各機能層に対する前記ノズル列の走査回数は１回で良い。
【００２３】
また前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を前記液滴の直径より広くすることが好ましい。この場合、各機能層に対する前記ノズル列の走査回数は１回でも良く、複数回でも良い。更に、走査回数を複数回とした場合は、各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に別のノズルを用いることが好ましい。
【００２４】
尚、上述の別のノズルを用いる手段として、各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に、前記ノズル列を副走査方向にシフトさせることにより、走査毎に別のノズルを用いるようにすることができる。
【００２５】
係る表示装置の製造方法によれば、ノズル列の走査毎に別のノズルを用いることにより、ノズル毎の組成物の吐出量のばらつきを平均化し、機能層毎の膜厚のばらつきを低減することができる。これにより、表示品質に優れた表示装置を製造することができる。
【００２６】
次に本発明の表示装置は、先のいずれかに記載された表示装置の製造方法により製造されたものであることを特徴とする。
【００２７】
係る表示装置によれば、上記の表示装置の製造方法により製造されたものなので、機能層毎の膜厚のばらつきを低減するとともに機能層をむらなく形成することができ、表示装置の表示品質を向上することができる。
【００２８】
次に本発明の電子機器の製造方法は、基体上に形成された複数の電極の周囲にバンク部を形成するとともに、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に前記機能層を各々形成することにより、各前記電極上に形成した各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置と、前記表示装置を駆動するための駆動回路とを有してなる電子機器の製造方法であり、前記バンク部に親液性に処理された部分と撥液性に処理された部分とを設け、各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする。
【００２９】
係る電子機器の製造方法によれば、各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を前記バンク部の少なくとも一部に接触させることにより、この液滴がバンク部から電極表面に転がり込むため、組成物の液滴を電極の周囲に優先的に濡れ広げて組成物をむらなく塗布することができ、これにより機能層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
【００３０】
また本発明の電子機器の製造方法は、先に記載の電子機器の製造方法であり、前記組成物の液滴を、前記の撥液性に処理された部分に接触させることを特徴とする。
【００３１】
係る電子機器の製造方法によれば、前記組成物の液滴をバンク部の撥液性に処理された部分に接触させるので、液滴をバンク部から電極表面に素早く転がり込ませることができ、組成物の液滴を電極の周囲に迅速かつ優先的に濡れ広げることができる。
【００３２】
また本発明の電子機器の製造方法は、先に記載の電子機器の製造方法であり、前記組成物の液滴を、前記の親液性に処理された部分に接触させることを特徴とする。
【００３３】
係る電子機器の製造方法によれば、親液性に処理された部分に組成物の液滴を濡れ広がらせることができる。
【００３４】
また本発明の電子機器の製造方法は、先に記載の電子機器の製造方法であり、前記バンク部を親液性に処理された第１バンク層と撥液性に処理された第２バンク層から形成するとともに、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成することを特徴とする。
【００３５】
係る電子機器の製造方法によれば、親液性に処理された第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成するので、組成物が電極よりも先に第１バンク層に濡れ広がり、これにより組成物をむらなく塗布することができる。
【００３６】
また本発明の電子機器の製造方法は、基体上に形成された複数の電極上の各々に機能層が形成されるとともに、前記の各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置と、前記表示装置を駆動するための駆動回路とを有してなる電子機器の製造方法であり、前記電極の一部と重なるように前記バンク部を形成するバンク部形成工程と、少なくとも前記電極の一部を親液性に処理する親液化工程と、前記バンク部の一部を撥液性に処理する撥液化工程と、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に少なくとも一層の機能層を形成する機能層形成工程と、前記機能層上に対向電極を形成する対向電極形成工程とを具備してなり、前記機能層形成工程において、各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする。
【００３７】
係る電子機器の製造方法によれば、各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を前記バンク部の少なくとも一部に接触させることにより、この液滴がバンク部から電極表面に転がり込むため、組成物の液滴を電極の周囲に優先的に濡れ広げて組成物をむらなく塗布することができ、これにより機能層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
【００３８】
また本発明の電子機器の製造方法は、先に記載の電子機器の製造方法であり、前記バンク部は、前記親液化工程により親液性に処理された第１バンク層と、前記撥液化工程により撥液性に処理された第２バンク層から形成されてなり、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成されてなることを特徴とする。
【００３９】
係る電子機器の製造方法によれば、親液性に処理された第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成されているので、組成物が電極よりも先に第１バンク層に濡れ広がり、これにより組成物をむらなく塗布することができる。
【００４０】
また本発明の電子機器の製造方法は、先に記載の電子機器の製造方法であり、前記機能層が、少なくとも正孔注入／輸送層を含むものであることを特徴とする。
また本発明の電子機器の製造方法は、先に記載の電子機器の製造方法であり、前記機能層が、少なくとも発光層を含むものであることを特徴とする。
【００４１】
係る電子機器の製造方法によれば、前記機能層が正孔注入／輸送層または発光層を含むものなので、正孔注入／輸送層または発光層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
【００４２】
係る電子機器の製造方法によれば、前記複数のノズルが配列されてなるノズル列を主走査方向に対して傾斜させた状態で前記基体上を走査させつつ、前記組成物の液滴を吐出することを特徴とする。
【００４３】
係る電子機器の製造方法によれば、ノズルピッチをバンク部の親液性に処理された部分のピッチに対応させることができる。また、傾き角度調整することにより、どのようなピッチに対しても対応させることができる。
これにより、バンク部の親液性に処理された部分に組成物の液滴を正確に吐出することができる。
【００４４】
また前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を前記液滴の直径より狭くしてもよい。このとき、各機能層に対する前記ノズル列の走査回数は１回で良い。
【００４５】
また前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を前記液滴の直径より広くすることが好ましい。このとき、各機能層に対する前記ノズル列の走査回数は１回でも良く、複数回でも良い。更に、走査回数を複数回とした場合は、各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に、別のノズルを用いることが好ましい。
【００４６】
尚、上述の別のノズルを用いる手段として、各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に、前記ノズル列を副走査方向にシフトさせることにより、走査毎に別のノズルを用いるようにすることができる。
【００４７】
係る電子機器の製造方法によれば、ノズル列の走査毎に別のノズルを用いることにより、ノズル毎の組成物の吐出量のばらつきを平均化し、機能層毎の膜厚のばらつきを低減することができる。これにより、表示品質に優れた電子機器を製造することができる。
【００４８】
次に本発明の電子機器は、先のいずれかに記載された電子機器の製造方法により製造されたものであることを特徴とする。
【００４９】
係る電子機器によれば、機能層毎の膜厚のばらつきを低減するとともに機能層をむらなく形成することができ、電子機器の表示品質を向上することができる。
【００５０】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法及び表示装置について説明する。まず、本実施形態の表示装置の製造方法を説明するに先立ち、この製造方法により製造される表示装置について説明する。
【００５１】
図１に本実施形態の表示装置の配線構造の平面模式図を示し、図２には本実施形態の表示装置の平面模式図及び断面模式図を示す。
図１に示すように、本実施形態の表示装置１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ａが設けられている。
【００５２】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
更に、画素領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量capと、該保持容量capによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電極）１１１と、この画素電極１１１と陰極（対向電極）１２との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。電極１１１と対向電極１２と機能層１１０により、発光素子が構成されている。
【００５３】
係る構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量capに保持され、該保持容量capに状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、更に機能層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００５４】
次に図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、本実施形態の表示装置１は、ガラス等からなる透明な基体２と、マトリックス状に配置された発光素子と、封止基板を具備している。基体２上に形成された発光素子は、後述する画素電極と、機能層と、陰極１２により形成されている。
基体２は、例えばガラス等の透明基板であり、基体２の中央に位置する表示領域２ａと、基体２の周縁に位置して表示領域２ａの外側に配置された非表示領域２ｂとに区画されている。
表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発光素子によって形成される領域であり、有効表示領域とも言う。また、表示領域の外側に非表示領域２ｂが形成されている。そして，非表示領域２ｂには、表示領域２ａに隣接するダミー表示領域２ｄが形成されている。
また、図２（Ｂ）に示すように、発光素子及びバンク部からなる発光素子部１１と基体２との間には回路素子部１４が備えられ、この回路素子部１４に前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ１２３等が備えられている。
また、陰極１２は、その一端が基体２上に形成された陰極用配線１２ａに接続しており、この配線の一端部１２ｂがフレキシブル基板５上の配線５ａに接続されている。また、配線５ａは、フレキシブル基板５上に備えられた駆動ＩＣ６（駆動回路）に接続されている。
【００５５】
また、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、回路素子部１４の非表示領域２ｂには、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。
また、表示領域２ａの図２（Ａ）中両側には、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。この走査側駆動回路１０５、１０５はダミー領域２ｄの下側の回路素子部１４内に設けられている。更に回路素子部１４内には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。
更に表示領域２ａの図２（Ａ）中上側には検査回路１０６が配置されている。この検査回路１０６により、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
【００５６】
また図２（Ｂ）に示すように、発光素子部１１上には封止部３が備えられている。この封止部３は、基体２に塗布された封止樹脂６０３ａと、缶封止基板６０４とから構成されている。封止樹脂６０３は、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなり、特に、熱硬化樹脂の１種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。
この封止樹脂６０３は、基体２の周囲に環状に塗布されており、例えば、マイクロディスペンサ等により塗布されたものである。この封止樹脂６０３は、基体２と封止缶６０４を接合するもので、基体２と缶封止基板６０４の間から缶封止基板６０４内部への水又は酸素の侵入を防いで、陰極１２または発光素子部１１内に形成された図示略の発光層の酸化を防止する。
缶封止基板６０４は、ガラス又は金属からなるもので、封止樹脂６０３を介して基体２に接合されており、その内側には表示素子１０を収納する凹部６０４ａが設けられている。また凹部６０４ａには水、酸素等を吸収するゲッター剤６０５が貼り付けられており、缶封止基板６０４の内部に侵入した水又は酸素を吸収できるようになっている。なお、このゲッター剤６０５は省略しても良い。
【００５７】
次に図３には、表示装置における表示領域の断面構造を拡大した図を示す。この図３には３つの画素領域Ａが図示されている。この表示装置１は、基体２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４と、機能層１１０が形成された発光素子部１１とが順次積層されて構成されている。
この表示装置１においては、機能層１１０から基体２側に発した光が、回路素子部１４及び基体２を透過して基体２の下側（観測者側）に出射されるとともに、機能層１１０から基体２の反対側に発した光が陰極１２により反射されて、回路素子部１４及び基体２を透過して基体２の下側（観測者側）に出射されるようになっている。
なお、陰極１２として、透明な材料を用いることにより陰極側から発光する光を出射させることができる。透明な材料としては、ＩＴＯ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを用いる事ができる。膜厚としては７５ｎｍほどの膜厚にする事が好ましく、この膜厚よりも薄くした方がより好ましい。
【００５８】
回路素子部１４には、基体２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護膜２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。尚、半導体膜１４１には、ソース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度Ｐイオン打ち込みにより形成されている。なお、Ｐが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。
更に回路素子部１４には、下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線１０１）が形成され、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂが形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。
また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを貫通して、半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５，１４６が形成されている。
そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール１４５がこの画素電極１１１に接続されている。
また、もう一方のコンタクトホール１４６が電源線１０３に接続されている。
このようにして、回路素子部１４には、各画素電極１１１に接続された駆動用の薄膜トランジスタ１２３が形成されている。
尚、回路素子部１４には、前述した保持容量cap及びスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２も形成されているが、図３ではこれらの図示を省略している。
【００５９】
次に図３に示すように、発光素子部１１は、複数の画素電極１１１…上の各々に積層された機能層１１０と、各画素電極１１１及び機能層１１０の間に備えられて各機能層１１０を区画するバンク部１１２と、機能層１１０上に形成された陰極１２とを主体として構成されている。これら画素電極（第１電極）１１１、機能層１１０及び陰極１２（第２電極）によって発光素子が構成されている。
ここで、画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形成されてなり、平面視略矩形にパターニングされて形成されている。この画素電極１１１の厚さは、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍ程度がよい。この各画素電極１１１…の間にバンク部１１２が備えられている。
【００６０】
バンク部１１２は、図３に示すように、基体２側に位置する無機物バンク層１１２ａ（第１バンク層）と基体２から離れて位置する有機物バンク層１１２ｂ（第２バンク層）とが積層されて構成されている。
【００６１】
無機物バンク層、有機物バンク層（１１２ａ、１１２ｂ）は、画素電極１１１の周縁部上に乗上げるように形成されている。平面的には、画素電極１１１の周囲と無機物バンク層１１２ａとが平面的に重なるように配置された構造となっている。また、有機物バンク層１１２ｂも同様であり、画素電極１１１の一部と平面的に重なるように配置されている。また無機物バンク層１１２ａは、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に更に形成されている。このようにして、無機物バンク層１１２ａの各第１積層部１１２ｅが画素電極１１１の内側に形成されることにより、画素電極１１１の形成位置に対応する下部開口部１１２ｃが設けられている。
また、有機物バンク層１１２ｂには、上部開口部１１２ｄが形成されている。この上部開口部１１２ｄは、画素電極１１１の形成位置及び下部開口部１１２ｃに対応するように設けられている。上部開口部１１２ｄは、図３に示すように、下部開口部１１２ｃより広く、画素電極１１１より狭く形成されている。また、上部開口部１１２ｄの上部の位置と、画素電極１１１の端部とがほぼ同じ位置になるように形成される場合もある。この場合は、図３に示すように、有機物バンク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの断面が傾斜する形状となる。
そしてバンク部１１２には、下部開口部１１２ｃ及び上部開口部１１２ｄが連通することにより、無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成されている。
【００６２】
また、無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機材料からなることが好ましい。この無機物バンク層１１２ａの膜厚は、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１１２ａが後述する正孔注入／輸送層より薄くなり、正孔注入／輸送層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。また膜厚が２００ｎｍを越えると、下部開口部１１２ｃによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送層上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。
【００６３】
更に、有機物バンク層１１２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のあるレジストから形成されている。この有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層が上部開口部１１２ｄから溢れるおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、有機物バンク層１１２ｂ上に形成する陰極１２のステップガバレッジを確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、駆動用の薄膜トランジスタ１２３との絶縁を高めることができる点でより好ましい。
【００６４】
また、バンク部１１２には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。
親液性を示す領域は、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び画素電極１１１の電極面１１１ａであり、これらの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液性に表面処理されている。また、撥液性を示す領域は、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機物バンク層１１２の上面１１２ｆであり、これらの領域は、４フッ化メタン、テトラフルオロメタン、もしくは四フッ化炭素を処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液性に処理）されている。
【００６５】
次に図３に示すように、機能層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された発光層１１０ｂとから構成されている。なお、発光層１１０ｂに隣接して電子注入輸送層などの機能を有する他の機能層を更に形成しても良い。
正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０ｂに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２から注入される電子が発光層で再結合し、発光が得られる。
【００６６】
正孔注入／輸送層１１０ａは、下部開口部１１２ｃ内に位置して画素電極面１１１ａ上に形成される平坦部１１０ａ1と、上部開口部１１２ｄ内に位置して無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に形成される周縁部１１０ａ２から構成されている。また、正孔注入／輸送層１１０ａは、構造によっては、画素電極１１１上であって、且つ無機物バンク層１１０ａの間（下部開口部１１０ｃ）にのみ形成されている（前述に記載した平坦部にのみ形成される形態もある）。
この平坦部１１０ａ1は、その厚さが一定で例えば５０〜７０ｎｍの範囲に形成される。
周縁部１１０ａ２が形成される場合においては、周縁部１１０ａ２は、第１積層部１１２ｅ上に位置するとともに上部開口部１１２ｄの壁面、即ち有機物バンク層１１２ｂに密着している。また、周縁部１１０ａ２の厚さは、電極面１１１ａに近い側で薄く、電極面１１１ａから離れる方向に沿って増大し、下部開口部１１２ｄの壁面近くで最も厚くなっている。
周縁部１１０ａ２が上記の様な形状を示す理由としては、正孔注入／輸送層１１０ａが、正孔注入／輸送層形成材料及び極性溶媒を含む第１組成物を開口部１１２内に吐出してから極性溶媒を除去して形成されたものであり、極性溶媒の揮発が主に無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上で起こり、正孔注入／輸送層形成材料がこの第１積層部１１２ｅ上に集中的に濃縮・析出されたためである。
【００６７】
また発光層１１０ｂは、正孔注入／輸送層１１０ａの平坦部１１０ａ1及び周縁部１１０ａ２上に渡って形成されており、平坦部１１２ａ1上での厚さが５０〜８０ｎｍの範囲とされている。
発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ１、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ２、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ３、の３種類を有し、各発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３がストライプ配置されている。
【００６８】
上記のように、正孔注入／輸送層１１０ａの周縁部１１０ａ２が上部開口部１１２ｄの壁面（有機物バンク層１１２ｂ）に密着しているので、発光層１１０ｂが有機物バンク層１１２ｂに直接に接することがない。従って、有機物バンク層１１２ｂに不純物として含まれる水が発光層１１０ｂ側に移行するのを、周縁部１１０ａ２によって阻止することができ、水による発光層１１０ｂの酸化を防止できる。
また、無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に不均一な厚さの周縁部１１０ａ２が形成されるため、周縁部１１０ａ２が第１積層部１１２ｅによって画素電極１１１から絶縁された状態となり、周縁部１１０ａ２から発光層１１０ｂに正孔が注入されることがない。これにより、画素電極１１１からの電流が平坦部１１２ａ1のみに流れ、正孔を平坦部１１２ａ1から発光層１１０ｂに均一に輸送させることができ、発光層１１０ｂの中央部分のみを発光させることができるとともに、発光層１１０ｂにおける発光量を一定にすることができる。
また、無機物バンク層１１２ａが有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に更に延出されているので、この無機物バンク層１１２ａによって画素電極１１１と平坦部１１０ａ1との接合部分の形状をトリミングすることができ、各発光層１１０ｂ間の発光強度のばらつきを抑えることができる。
【００６９】
更に、画素電極１１１の電極面１１１ａ及び無機物バンク層の第１積層部１１２ｅが親液性を示すので、機能層１１０が画素電極１１１及び無機物バンク層１１２ａに均一に密着し、無機物バンク１１２ａ上で機能層１１０が極端に薄くならず、画素電極１１１と陰極１２との短絡を防止できる。
また、有機物バンク層１１２ｂの上面１１２ｆ及び上部開口部１１２ｄ壁面が撥液性を示すので、機能層１１０と有機物バンク層１１２ｂとの密着性が低くなり、機能層１１０が開口部１１２ｇから溢れて形成されることがない。
【００７０】
尚、正孔注入／輸送層形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いることができる。また、発光層１１０ｂの材料としては、例えば、化合物１〜化合物５が、ポリフルオレン誘導体か、その他に（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料にペリレン係色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることができる。
【００７１】
【化１】
【００７２】
【化２】
【００７３】
【化３】
【００７４】
【化４】
【００７５】
【化５】
【００７６】
次に陰極１２は、発光素子部１１の全面に形成されており、画素電極１１１と対になって機能層１１０に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例えば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成されている。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態においては発光層１１０ｂに直接に接して発光層１１０ｂに電子を注入する役割を果たす。また、フッ化リチウムは発光層の材料によっては効率よく発光させるために、発光層１１０と陰極１２との間にＬｉＦを形成する場合もある。
尚、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１１０ｂ２にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を用いても良い。従ってこの場合は青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２にはフッ化リチウム以外のものを積層しても良い。また、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２上にはフッ化リチウムを形成せず、カルシウムのみを形成しても良い。
尚、フッ化リチウムの厚さは、例えば２〜５ｎｍの範囲が好ましく、特に２ｎｍ程度がよい。またカルシウムの厚さは、例えば２〜５０ｎｍの範囲が好ましく、特に２０ｎｍ程度がよい。
また、陰極１２を形成するアルミニウムは、発光層１１０ｂから発した光を基体２側に反射させるもので、Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等からなることが好ましい。また、その厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００ｎｍ程度がよい。
更にアルミニウム上にＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
尚、このように形成した発光素子上に封止缶６０４を配置する。図２（ｂ）に示すように、封止缶６０４を封止樹脂６０３により接着し、表示装置１を形成する。
【００７７】
次に、本実施形態の表示装置の製造方法を図面を参照して説明する。
本実施形態の表示装置１の製造方法は、例えば、（１）バンク部形成工程、（２）プラズマ処理工程（親液化工程及び撥液化工程を含む）、（３）正孔注入／輸送層形成工程（機能層形成工程）、（４）発光層形成工程（機能層形成工程）、（５）対向電極形成工程、及び（６）封止工程とを具備して構成されている。なお、製造方法はこれに限られるものではなく必要に応じてその他の工程が除かれる場合、また追加される場合もある。
【００７８】
（１）バンク部形成工程
バンク部形成工程では、基体２の所定の位置にバンク部１１２を形成する工程である。バンク部１１２は、第１のバンク層として無機物バンク層１１２ａが形成されてなり、第２のバンク層として有機物バンク層１１２ｂが形成された構造である。以下に形成方法について説明する。
【００７９】
（１）−１無機物バンク層の形成
まず、図４に示すように、基体上の所定の位置に無機物バンク層１１２ａを形成する。無機物バンク層１１２ａが形成される位置は、第２層間絶縁膜１４４ｂ上及び電極（ここでは画素電極）１１１上である。なお、第２層間絶縁膜１４４ｂは薄膜トランジスタ、走査線、信号線、等が配置された回路素子部１４上に形成されている。
無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機物膜を材料として用いることができる。これらの材料は、例えばＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって形成される。
更に、無機物バンク層１１２ａの膜厚は５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。
無機物バンク層１１２は、層間絶縁層１１４及び画素電極１１１の全面に無機物膜を形成し、その後無機物膜をフォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより、開口部を有する無機物バンク層１１２が形成される。開口部は、画素電極１１１の電極面１１１ａの形成位置に対応するもので、図４に示すように下部開口部１１２ｃとして設けられる。
このとき、無機物バンク層１１２ａは画素電極１１１の周縁部（一部）と重なるように形成される。図４に示すように、画素電極１１１の一部と無機物バンク層１１２ａとが重なるように無機物バンク層１１２ａを形成することにより、発光層１１０の発光領域を制御することができる。
【００８０】
（１）−２有機物バンク層１１２ｂの形成
次に、第２バンク層としての有機物バンク層１１２ｂを形成する。
図５に示すように、無機物バンク層１１２ａ上に有機物バンク層１１２ｂを形成する。有機物バンク層１１２ｂとして、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する材料を用いる。これらの材料を用い、有機物バンク層１１２ｂをフォトリソグラフィ技術等によりパターニングして形成される。なお、パターニングする際、有機物バンク層１１２ｂに上部開口部１１２ｄを形成する。上部開口部１１２ｄは、電極面１１１ａ及び下部開口部１１２ｃに対応する位置に設けられる。
上部開口部１１２ｄは、図５に示すように、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃより広く形成する事が好ましい。更に、有機物バンク層１１２ｂはテーパーを有する形状が好ましく、有機物バンク層の開口部が画素電極１１１の幅より狭く、有機物バンク層１１２ｂの最上面では画素電極１１１の幅とほぼ同一の幅になるように有機物バンク層を形成する事が好ましい。これにより、無機物バンク層１１２ａの下部開口部１１２ｃを囲む第１積層部１１２ｅが、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に延出された形になる。
このようにして、有機物バンク層１１２ｂに形成された上部開口部１１２ｄ、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃを連通させることにより、無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成される。
【００８１】
なお、有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。このような範囲とする理由は以下の通りである。
すなわち、厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層１１０ｂが上部開口部１１２ｄから溢れてしまうおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、上部開口部１１２ｄにおける陰極１２のステップガバレッジが確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、陰極１２と駆動用の薄膜トランジスタ１２３との絶縁を高めることができる点で好ましい。
【００８２】
（２）プラズマ処理工程
次にプラズマ処理工程では、画素電極１１１の表面を活性化すること、更にバンク部１１２の表面を表面処理する事を目的として行われる。特に活性化工程では、画素電極１１１（ＩＴＯ）上の洗浄、更に仕事関数の調整を主な目的として行っている。更に、画素電極１１１の表面の親液化処理（親液化工程）、バンク部１１２表面の撥液化処理（撥液化工程）を行う。
【００８３】
このプラズマ処理工程は、例えば（２）−１予備加熱工程、（２）−２活性化処理工程（親液化工程）、（２）−３撥液化処理工程（親液化工程）、及び（２）−４冷却工程とに大別される。なお、このような工程に限られるものではなく、必要に応じて工程を削減、更なる工程追加も行われる。
【００８４】
まず、図６は、プラズマ処理工程で用いられるプラズマ処理装置を示す。
図６に示すプラズマ処理装置５０は、予備加熱処理室５１、第１プラズマ処理室５２、第２プラズマ処理室５３、冷却処理室５４、これらの各処理室５１〜５４に基体２を搬送する搬送装置５５とから構成されている。各処理室５１〜５４は、搬送装置５５を中心として放射状に配置されている。
【００８５】
まず、これらの装置を用いた概略の工程を説明する。
予備加熱工程は、図６に示す予備加熱処理室５１において行われる。そしてこの処理室５１により、バンク部形成工程から搬送された基体２を所定の温度に加熱する。
予備加熱工程の後、親液化工程及び撥液化処理工程を行う。すなわち、基体は第１，第２プラズマ処理室５２，５３に順次搬送され、それぞれの処理室５２，５３においてバンク部１１２にプラズマ処理を行い親液化する。この親液化処理後に撥液化処理を行う。撥液化処理の後に基体を冷却処理室に搬送し、冷却処理室５４おいて基体を室温まで冷却する。この冷却工程後、搬送装置により次の工程である正孔注入／輸送層形成工程に基体を搬送する。
以下に、それぞれの工程について詳細に説明する。
【００８６】
（２）−１予備加熱工程
予備加熱工程は予備加熱処理室５１により行う。この処理室５１において、バンク部１１２を含む基体２を所定の温度まで加熱する。
基体２の加熱方法は、例えば処理室５１内にて基体２を載せるステージにヒータを取り付け、このヒータで当該ステージごと基体２を加熱する手段がとられている。なお、これ以外の方法を採用することも可能である。
予備加熱処理室５１において、例えば７０℃〜８０℃の範囲に基体２を加熱する。この温度は次工程であるプラズマ処理における処理温度であり、次の工程に合わせて基体２を事前に加熱し、基体２の温度ばらつきを解消することを目的としている。
仮に予備加熱工程を加えなければ、基体２は室温から上記のような温度に加熱されることになり、工程開始から工程終了までのプラズマ処理工程中において温度が常に変動しながら処理される事になる。したがって、基体温度が変化しながらプラズマ処理を行うことは、有機ＥＬ素子の特性の不均一につながる可能性がある。したがって、処理条件を一定に保ち、均一な特性を得るために予備加熱を行うのである。
そこで、プラズマ処理工程においては、第１，第２プラズマ処理装置５２，５３内の試料ステージ上に基体２を載置した状態で親液化工程または撥液化工程を行う場合に、予備加熱温度を、親液化工程または撥液化工程を連続して行う試料ステージ５６の温度にほぼ一致させることが好ましい。
そこで、第１，第２プラズマ処理装置５２，５３内の試料ステージが上昇する温度、例えば７０〜８０℃まで予め基体２を予備加熱することにより、多数の基体にプラズマ処理を連続的に行った場合でも、処理開始直後と処理終了直前でのプラズマ処理条件をほぼ一定にすることができる。これにより、基体２の表面処理条件を同一にし、バンク部１１２の組成物に対する濡れ性を均一化することができ、一定の品質を有する表示装置を製造することができる。
また、基体２を予め予備加熱しておくことにより、後のプラズマ処理における処理時間を短縮することができる。
【００８７】
（２）−２活性化処理（親液化工程）
つぎに第１プラズマ処理室５２では、活性化処理が行われる。活性化処理には、画素電極１１１における仕事関数の調整、制御、画素電極表面の洗浄、画素電極表面の親液化工程が含まれる。
親液化工程として、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を行う。図７には第１プラズマ処理を模式的に示した図である。図７に示すように、バンク部１１２を含む基体２は加熱ヒータ内臓の試料ステージ５６上に載置され、基体２の上側にはギャップ間隔０．５〜２ｍｍ程度の距離をおいてプラズマ放電電極５７が基体２に対向して配置されている。基体２は、試料ステージ５６によって加熱されつつ、試料ステージ５６は図示矢印方向に向けて所定の搬送速度で搬送され、その間に基体２に対してプラズマ状態の酸素が照射される。
Ｏ２プラズマ処理の条件は、例えば、プラズマパワー１００〜８００ｋＷ、酸素ガス流量５０〜１００ｍｌ/ｍｉｎ、板搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度７０〜９０℃の条件で行われる。なお、試料ステージ５６による加熱は、主として予備加熱された基体２の保温のために行われる。
【００８８】
このＯ２プラズマ処理により、図８に示すように、画素電極１１１の電極面１１１ａ、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び有機物バンク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの壁面ならびに上面１１２ｆが親液処理される。この親液処理により、これらの各面に水酸基が導入されて親液性が付与される。
図９では、親液処理された部分を一点鎖線で示している。
なお、このＯ２プラズマ処理は、親液性を付与するのみならず、上述の通り画素電極であるＩＴＯ上の洗浄，仕事関数の調整も兼ねている。
【００８９】
（２）−３撥液処理工程（撥液化工程）
つぎに、第２プラズマ処理室５３では、撥液化工程として、大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行う。第２プラズマ処理室５３の内部構造は図７に示した第１プラズマ処理室５２の内部構造と同じである。即ち、基体２は、試料ステージによって加熱されつつ、試料ステージごと所定の搬送速度で搬送され、その間に基体２に対してプラズマ状態のテトラフルオロメタン（四フッ化炭素）が照射される。
ＣＦ４プラズマ処理の条件は、例えば、プラズマパワー１００〜８００ｋＷ、４フッ化メタンガス流量５０〜１００ｍｌ/ｍｉｎ、基体搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度７０〜９０℃の条件で行われる。なお、加熱ステージによる加熱は、第１プラズマ処理室５２の場合と同様に、主として予備加熱された基体２の保温のために行われる。
なお、処理ガスは、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることができる。
【００９０】
ＣＦ４プラズマ処理により、図９に示すように、上部開口部１１２ｄ壁面及び有機物バンク層の上面１１２ｆが撥液処理される。この撥液処理により、これらの各面にフッ素基が導入されて撥液性が付与される。図９では、撥液性を示す領域を二点鎖線で示している。有機物バンク層１１２ｂを構成するアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機物はプラズマ状態のフルオロカーボンが照射することで容易に撥液化させることができる。また、Ｏ２プラズマにより前処理した方がフッ素化されやすい、という特徴を有しており、本実施形態には特に有効である。
尚、画素電極１１１の電極面１１１ａ及び無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅもこのＣＦ４プラズマ処理の影響を多少受けるが、濡れ性に影響を与える事は少ない。図９では、親液性を示す領域を一点鎖線で示している。
【００９１】
（２）−４冷却工程
次に冷却工程として、冷却処理室５４を用い、プラズマ処理のために加熱された基体２を管理温度まで冷却する。これは、この以降の工程であるインクジェット工程（機能層形成工程）の管理温度まで冷却するために行う工程である。
この冷却処理室５４は、基体２を配置するためのプレートを有し、そのプレートは基体２を冷却するように水冷装置が内蔵された構造となっている。
また、プラズマ処理後の基体２を室温、または所定の温度（例えばインクジェット工程を行う管理温度）まで冷却することにより、次の正孔注入／輸送層形成工程において、基体２の温度が一定となり、基体２の温度変化が無い均一な温度で次工程を行うことができる。したがって、このような冷却工程を加えることにより、インクジェット法等の吐出手段により吐出された材料を均一に形成できる。
例えば、正孔注入／輸送層を形成するための材料を含む第１組成物を吐出させる際に、第１組成物を一定の容積で連続して吐出させることができ、正孔注入／輸送層を均一に形成することができる。
【００９２】
上記のプラズマ処理工程では、材質が異なる有機物バンク層１１２ｂ及び無機物バンク層１１２ａに対して、Ｏ２プラズマ処理とＣＦ４プラズマ処理とを順次行うことにより、バンク部１１２に親液性の領域と撥液性の領域を容易に設けることができる。
【００９３】
尚、プラズマ処理工程に用いるプラズマ処理装置は、図６に示したものに限られず、例えば図１０に示すようなプラズマ処理装置６０を用いてもよい。
図１０に示すプラズマ処理装置６０は、予備加熱処理室６１と、第１プラズマ処理室６２と、第２プラズマ処理室６３と、冷却処理室６４と、これらの各処理室６１〜６４に基体２を搬送する搬送装置６５とから構成され、各処理室６１〜６４が、搬送装置６５の搬送方向両側（図中矢印方向両側）に配置されてなるものである。
このプラズマ処理装置６０では、図６に示したプラズマ処理装置５０と同様に、バンク部形成工程から搬送された基体２を、予備加熱処理室６１、第１，第２プラズマ処理室６２，６３、冷却処理室６４に順次搬送して各処理室にて上記と同様な処理を行った後、基体２を次の正孔注入／輸送層形成工程に搬送する。
また，上記プラズマ装置は，大気圧下の装置でなくとも，真空下のプラズマ装置を用いても良い。
【００９４】
（３）正孔注入／輸送層形成工程（機能層形成工程）
次に発光素子形成工程では、電極（ここでは画素電極１１１）上に正孔注入／輸送層を形成する。
正孔注入／輸送層形成工程では、液滴吐出としてたとえばインクジェット装置を用いることにより、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物（組成物）を電極面１１１ａ上に吐出する。その後に乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極１１１上及び無機物バンク層１１２ａ上に正孔注入/輸送層１１０ａを形成する。なお、正孔注入/輸送層１１０ａが形成された無機物バンク層１１２ａをここでは第１積層部１１２ｅという。
この正孔注入／輸送層形成工程を含めこれ以降の工程は、水、酸素の無い雰囲気とする事が好ましい。例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
なお、正孔注入/輸送層１１０ａは第１積層部１１２ｅ上に形成されないこともある。すなわち、画素電極１１１上にのみ正孔注入／輸送層が形成される形態もある。
インクジェットによる製造方法は以下の通りである。
【００９５】
本実施形態の表示装置の製造方法に好適に用いられるインクジェットヘッドの一例として、図１１のようなヘッドＨを例示できる。このヘッドＨは図１１に示すように、複数のインクジェットヘッドＨ１と、これらのインクジェットヘッドＨ１を支持する支持基板Ｈ７を主として構成されている。
更に、基体と上記のヘッドＨの配置に関しては図１２のように配置することが好ましい。
図１２に示すインクジェット装置において、符号１１１５は基体２を載置するステージであり、符号１１１６はステージ１１１５を図中ｘ軸方向（主走査方向）に案内するガイドレールである。またヘッドＨは、支持部材１１１１を介してガイドレール１１１３により図中ｙ軸方向（副走査方向）に移動できるようになっており、更にヘッドＨは図中θ軸方向に回転できるようになっており、インクジェットヘッドＨ１を主走査方向に対して所定の角度に傾けることができるようになっている。
【００９６】
図１２に示す基体２は、マザー基板に複数のチップを配置した構造となっている。即ち、１チップの領域が１つの表示装置に相当する。ここでは、３つの表示領域２ａが形成されているが、これに限られるものではない。例えば、基体２上の左側の表示領域２ａに対して組成物を塗布する場合は、ガイドレール１１１３を介してヘッドＨを図中左側に移動させるとともに、ガイドレール１１１６を介して基体２を図中上側に移動させ、基体２を走査させながら塗布を行う。次に、ヘッドＨを図中右側に移動させて基体の中央の表示領域２ａに対して組成物を塗布する。右端にある表示領域２ａに対しても前記と同様である。
尚、図１２に示すヘッドＨ及び図１５に示すインクジェット装置は、正孔注入／輸送層形成工程のみならず、発光層形成工程に用いて良い。
【００９７】
図１３にはインクジェットヘッドＨ１をインク吐出面の側からみた斜視図を示す。図１３に示すように、インクジェットヘッドＨ１のインク吐出面（基体２との対向面）には、ヘッドの長さ方向に沿って列状に、且つヘッドの幅方向に間隔をあけて１列でノズルｎ１が複数設けられている。このように、複数のノズルＨ２が列状に配列されることにより２つのノズル列ｎ２が構成されている。１つのノズル列ｎ２に含まれるノズルｎ１の数は例えば１８０個であり、１つのインクジェットヘッドＨ１に３６０個のノズルが形成されている。また、ノズルｎ１の孔径は例えば２８μｍであり、ノズルｎ１間のピッチは例えば１４１μｍである。
【００９８】
インクジェットヘッドＨ１は、例えば、図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）に示す内部構造を有する。具体的には、インクジェットヘッドＨ１は、例えばステンレス製のノズルプレート２２９と、それに対向する振動板２３１と、それらを相互に接合する仕切部材２３２とを有する。ノズルプレート２２９と振動板２３１との間には、仕切部材２３２によって複数の組成物室２３３と液溜まり室２３４とが形成されている。複数の組成物室２３３と液溜まり室２３４とは通路２３８を介して互いに連通している。
【００９９】
振動板２３１の適所には組成物供給孔２３６が形成され、この組成物供給孔２３６に組成物供給装置２３７が接続される。組成物供給装置２３７は、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を組成物供給孔２３６に供給する。供給された第１組成物は液溜まり２３４に充満し、更に通路２３８を通って組成物室２３３に充満する。
【０１００】
ノズルプレート２２９には、組成物室２３３から第１組成物をジェット状に噴射するためのノズルｎ１が設けられている。また、振動板２３１の組成物室２３３を形成する面の裏面には、組成物室２３３に対応させて組成物加圧体２３９が取り付けられている。この組成物加圧体２３９は、図１４（Ｂ）に示すように、圧電素子２４１並びにこれを挟持する一対の電極２４２ａ及び２４２ｂを有する。圧電素子２４１は電極２４２ａ、２４２ｂへの通電によって矢印Ｃで示す外側へ突出するように撓み変形し、これにより組成物室２３３の容積が増大する。すると、増大した容積分に相当する第１組成物が液溜まり２３４から通路２３８を通って組成物室２３３に流入する。
【０１０１】
次に圧電素子２４１への通電を解除すると、圧電素子２４１と振動板２３１はともに元の形状に戻る。これにより、組成物室２３３も元の容積に戻るため組成物室２３３の内部にある第１組成物の圧力が上昇し、ノズルｎ１から基体２へ向けて第１組成物が液滴１１０ｃとなって噴出する。
【０１０２】
図１５には、基体２に対してインクジェットヘッドＨ１を走査させた状態を示す。図１５に示すように、インクジェットヘッドＨ１は、図中Ｘ方向に沿う方向に相対的に移動しながら第１組成物を吐出するが、その際、ノズル列ｎ２の配列方向Ｚが、主走査方向（Ｘ方向に沿う方向）に対して傾斜した状態になっている。このように、インクジェットヘッドＨ１のノズル列ｎ２を主走査方向に対して傾けて配置することにより、ノズルピッチを画素領域Ａのピッチに対応させることができる。また、傾き角度調整することにより、どのような画素領域Ａのピッチに対しても対応させることができる。
図１６に示すように、インクジェットヘッドＨ１に形成された複数のノズルｎ1…から正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を吐出する。尚、インクジェットヘッドＨ１を走査することにより各画素領域Ａ毎に第１組成物を充填しているが、基体２を走査することによっても可能である。更に、インクジェットヘッドＨ１と基体２とを相対的に移動させることによっても第１組成物を充填させることができる。なお、これ以降のインクジェットヘッドを用いて行う工程では上記の点は同様である。
【０１０３】
インクジェットヘッドによる吐出は以下の通りである。すなわち、インクジェットヘッドＨ１に形成されてなる吐出ノズルＨ２を電極面１１１ａに対向して配置し、ノズルＨ２から第１組成物を吐出する。画素電極１１１の周囲には開口部１１２ｇを区画するバンク１１２が形成されており、この開口部１１２ｇにインクジェットヘッドＨ１を対向させ、このインクジェットヘッドＨ１と基体２とを相対移動させながら、吐出ノズルＨ２から１滴当たりの液量が制御された第１組成物滴１１０ｃを図３に示すような開口部１１２ｇ内に吐出する。１つの開口部１１２ｇに対して吐出する液滴の数は、例えば６〜２０滴の範囲とすることができるが、この範囲は画素の面積によって代わるものであり、この範囲より多くても少なくても構わない。
【０１０４】
なお、図１６及び図１７（Ａ）に示すように、１つの開口部１１２ｇに対して吐出する最初の液滴１１０ｃ1は、有機質バンク層１１２ｂの傾斜した壁面１１２ｈに接触させるように吐出する必要がある。有機質バンク層１１２ｂの壁面１１２ｈは先の撥液化工程によって撥液性に処理されているので、吐出された液滴１１０ｃ1は壁面１１２ｈに接触するものの直ちにはじかれ、この壁面１１２ｈ上を転がって第１積層部１１２ｅ上に転がり落ちる。第１積層部１１２ｅは前述したように親液性に処理されているので、転がり落ちた液滴１１０ｃ1は第１積層部１１２ｅ上で濡れ広がる。尚、この最初の液滴１１０ｃ1は、有機質バンク層１１２ｂの壁面１１２ｈの少なくとも一部に接触すれば良く、壁面１１２ｈと同時に有機物バンク層の上面１１２ｆに接するように吐出しても構わない。
続いて、２つ目以降の液滴１１０ｃ２は、図１７（Ｂ）に示すように、直前の液滴１１０ｃ1と重なり合わない程度の間隔を空けて吐出する。即ち、各液滴１１０ｃ１、１１０ｃ２…の滴下時の間隔Ｄを、各液滴の直径ｄより広くする（Ｄ＞ｄ）ことが好ましい。尚、この場合は１回の走査で吐出できる液滴の数が限られるので、十分な膜厚の正孔注入／輸送層を形成するためには、１つの画素領域Ａに対するインクジェットヘッドＨ１の走査を複数回行うことが好ましい。
【０１０５】
更に、インクジェットヘッドＨ１の走査を複数回行う際には、各走査回毎にインクジェットヘッドＨ１を主走査方向の直交方向である副走査方向（図１７中紙面方向）に僅かにシフトさせることにより、特定のノズルｎ1から別のノズルｎ1に切り替えて吐出を行うことが好ましい。このように、一つの画素領域Ａに対して複数のノズルを用いて吐出を行うことで、各ノズルに固有の液滴量の誤差が拡散するいわゆる誤差拡散の効果が生じ、正孔注入／輸送層の膜厚を均一にすることができる。
【０１０６】
また、図１７（Ｃ）に示すように、２つ目以降の液滴１１０ｃ２…を、直前の液滴１１０ｃ1と重なり合う程度の間隔で吐出してもよい。即ち、各液滴１１０ｃ１、１１０ｃ２…の滴下時の間隔Ｄを、各液滴の直径ｄより狭く（Ｄ＜ｄ）しても良い。尚、この場合は１回の走査で吐出できる液滴の数に制限がないので、十分な膜厚の正孔注入／輸送層を形成するために、１つの画素領域Ａに対するインクジェットヘッドＨ１の走査を１回としてもよく、複数回としてもよい。インクジェットヘッドＨ１の走査を複数回行う場合は、前述と同様に、各走査回毎にインクジェットヘッドＨ１を副走査方向にシフトさせ、特定のノズルｎ1から別のノズルｎ1に切り替えて吐出を行うことが好ましい。このように一つの画素領域Ａに対して複数のノズルを用いて吐出を行った場合は、上記と同様に、誤差拡散の効果により各画素領域Ａ毎に形成される正孔注入／輸送層の膜厚を均一にできる。
【０１０７】
特に、１つの画素領域Ａに対するインクジェットヘッドＨ１の走査を２回で行うとした場合は、１回目と２回目の走査方向を反対方向としても良く、同じ方向としてもよい。
１，２回目の走査方向を反対方向とした場合は、１回目の走査で画素領域Ａの半分の領域まで第１組成物を吐出し、２回目の走査で残りの半分の領域に吐出すればよい。また、１回目の走査により形成された領域をうめるように、２回目の走査を行うこともできる。
更に、１，２回目の走査方向を同一方向とした場合は、１回目の走査で各液滴同士が接触しない程度に間隔を空けて吐出し、２回目の走査で吐出済みの液滴の間を埋めるように吐出すればよい。もちろん、１つの画素領域を２つの領域に分けて吐出を行うことも可能である。
【０１０８】
ここで用いる第１組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（PEDOT）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸（PSS）等の混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール（IPA）、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（NMP）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（DMI）及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。
より具体的な第１組成物の組成としては、PEDOT/PSS混合物（PEDOT/PSS=1:20）：１２．５２重量％、PSS：１．４４重量％、IPA：１０重量％、NMP：２７．４８重量％、DMI：５０重量％のものを例示できる。尚、第１組成物の粘度は２〜２０Ｐｓ程度が好ましく、特に４〜１５ｃＰｓ程度が良い。
上記の第１組成物を用いることにより、吐出ノズルＨ２に詰まりが生じることがなく安定吐出できる。
なお、正孔注入／輸送層形成材料は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３に対して同じ材料を用いても良く、各発光層毎に変えても良い。
【０１０９】
図１６に示すように、吐出された第１組成物の液滴１１０ｃは、最終的には親液処理された電極面１１１ａ及び第１積層部１１２ｅ上に広がり、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填される。仮に、第１組成物の液滴１１０ｃが所定の吐出位置からはずれて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第１組成物滴１１０ｃで濡れることがなく、はじかれた第１組成物滴１１０ｃが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
【０１１０】
電極面１１１ａ上に吐出する第１組成物の全量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、第１組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定される。
【０１１１】
次に、図１８に示すような乾燥工程を行う。乾燥工程を行う事により、吐出後の第１組成物を乾燥処理し、第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させ、正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。
乾燥処理を行うと、第１組成物滴１１０ｃに含まれる極性溶媒の蒸発が、主に無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂに近いところで起き、極性溶媒の蒸発に併せて正孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。
これにより図１８に示すように、第１積層部１１２ｅ上に、正孔注入／輸送層形成材料からなる周縁部１１０ａ２が形成される。この周縁部１１０ａ２は、上部開口部１１２ｄの壁面（有機物バンク層１１２ｂ）に密着しており、その厚さが電極面１１１ａに近い側では薄く、電極面１１１ａから離れた側、即ち有機物バンク層１１２ｂに近い側で厚くなっている。
【０１１２】
また、これと同時に、乾燥処理によって電極面１１１ａ上でも極性溶媒の蒸発が起き、これにより電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層形成材料からなる平坦部１１０ａ1が形成される。電極面１１１ａ上では極性溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正孔注入／輸送層の形成材料が電極面１１１ａ上で均一に濃縮され、これにより均一な厚さの平坦部１１０ａが形成される。
このようにして、周縁部１１０ａ２及び平坦部１１０ａ1からなる正孔注入／輸送層１１０ａが形成される。
なお、周縁部１１０ａ２には形成されず、電極面１１１ａ上のみに正孔注入／輸送層が形成される形態であっても構わない。
【０１１３】
上記の乾燥処理は、例えば窒素雰囲気中、室温で圧力を例えば１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度にして行う。圧力が低すぎると第１組成物滴１１０ｃが突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、極性溶媒の蒸発速度が高まり、平坦な膜を形成する事ができない。
乾燥処理後は、窒素中、好ましくは真空中で２００℃で１０分程度加熱する熱処理を行うことで、正孔注入／輸送層１１０ａ内に残存する極性溶媒や水を除去することが好ましい。
【０１１４】
上記の正孔注入／輸送層形成工程では、吐出された第１組成物滴１１０ｃが、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる一方で、撥液処理された有機物バンク層１１２ｂで第１組成物がはじかれて下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。これにより、吐出した第１組成物滴１１０ｃを必ず下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填することができ、電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層１１０ａを形成することができる。
【０１１５】
また、上記の正孔注入／輸送層形成工程によれば、各画素領域Ａごとに最初に吐出する第１組成物の液滴１１０ｃ1を有機物バンク層１１２ｂの壁面１１２ｈに接触させるので、この液滴が壁面１１２ｈから第１積層部１１２ｅ及び画素電極面１１１ａに転がり込むため、第１組成物の液滴１１０ｃを画素電極１１１の周囲に優先的に濡れ広げて第１組成物をむらなく塗布することができ、これにより正孔注入輸送層１１０ａをほぼ均一な膜厚で形成できる。
【０１１６】
（４）発光層形成工程
次に発光層形成工程は、表面改質工程、発光層形成材料吐出工程、および乾燥工程、とからなる。
まず、正孔注入/輸送層１１０ａの表面を表面改質するために表面改質工程を行う。この工程にについては、以下に詳述する。次に、前述の正孔注入/輸送層形成工程と同様、インクジェット法により第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。その後、吐出した第２組成物を乾燥処理（及び熱処理）して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する。
【０１１７】
発光層形成工程では、正孔注入／輸送層１１０ａの再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる第２組成物の溶媒として、正孔注入／輸送層１１０ａに対して不溶な非極性溶媒を用いる。
しかしその一方で正孔注入／輸送層１１０ａは、非極性溶媒に対する親和性が低いため、非極性溶媒を含む第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出しても、正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂとを密着させることができなくなるか、あるいは発光層１１０ｂを均一に塗布できないおそれがある。
そこで、非極性溶媒ならびに発光層形成材料に対する正孔注入／輸送層１１０ａの表面の親和性を高めるために、発光層形成の前に表面改質工程を行うことが好ましい。
【０１１８】
そこで、表面改質工程について説明する。
表面改質工程は、発光層形成の際に用いる第１組成物の非極性溶媒と同一溶媒またはこれに類する溶媒である表面改質材を、インクジェット法（液滴吐出法）、スピンコート法またはディップ法により正孔注入／輸送層１１０ａ上に塗布した後に乾燥することにより行う。
【０１１９】
インクジェット法による塗布は、図１９に示すように、インクジェットヘッドＨ３に、表面改質材を充填し、インクジェットヘッドＨ３に形成された吐出ノズルＨ４から表面改質材を吐出する。前述の正孔注入/輸送層形成工程と同様に、吐出ノズルＨ４を基体２（すなわち、正孔注入／輸送層１１０ａが形成された基体２に対向させ、インクジェットヘッドＨ３と基体２とを相対移動させながら、吐出ノズルＨ４から表面改質材１１０ｄを正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出することにより行う。
【０１２０】
また、スピンコート法による塗布は、基体２を例えば回転ステージ上に載せ、上方から表面改質材を基体２上に滴下した後、基体２を回転させて表面改質材を基体２上の正孔注入／輸送層１１０ａの全体に広げることにより行う。なお、表面改質材は撥液化処理された上面１１２ｆ上にも一時的に広がるが、回転による遠心力で飛ばされてしまい、正孔注入／輸送層１１０ａ上のみに塗布される。
更にディップ法による塗布は、基体２を例えば表面改質材に浸積させた後に引き上げて、表面改質材を正孔注入／輸送層１１０ａの全体に広げることにより行う。この場合も表面改質材が撥液処理された上面１１２ｆ上に一時的に広がるが、引き上げの際に表面改質材が上面１１２ｆからはじかれて正孔注入／輸送層１１０ａのみに塗布される。
【０１２１】
ここで用いる表面改質材としては、第２組成物の非極性溶媒と同一なものとして例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を例示でき、第２組成物の非極性溶媒に類するものとして例えば、トルエン、キシレン等を例示できる。
特に、インクジェット法により塗布する場合には、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、またはこれらの混合物，特に第２組成物と同じ溶媒混合物等を用いることが好ましく、スピンコート法またはディップ法による場合は、トルエン、キシレン等が好ましい。
【０１２２】
次に、図２０に示すように、塗布領域を乾燥させる。乾燥工程は、インクジェット法で塗布した場合はホットプレート上に基体２を載せて例えば２００℃以下の温度で加熱して乾燥蒸発させることが好ましい。スピンコート法またはディップ法による場合は、基体２に窒素を吹き付けるか、あるいは基体を回転させて基体２表面に気流を発生させることで乾燥させることが好ましい。
尚、表面改質材の塗布を、正孔注入／輸送層入層形成工程の乾燥処理の後に行い、塗布後の表面改質材を乾燥させた後に、正孔注入／輸送層形成工程の熱処理を行っても良い。
このような表面改質工程を行うことで、正孔注入／輸送層１１０ａの表面が非極性溶媒になじみやすくなり、この後の工程で、発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａに均一に塗布することができる。
【０１２３】
尚、上記の表面改質材に、正孔輸送性材料として一般に用いられる前記の化合物２等を溶解して組成物とし、この組成物をインクジェット法により正孔注入／輸送層上に塗布して乾燥させることにより、正孔注入／輸送層上に極薄の正孔輸送層を形成しても良い。
【０１２４】
正孔注入／輸送層の大部分は、後の工程で塗布する発光層１１０ｂに溶け込むが、一部が正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂの間に薄膜状に残存し、これにより正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂとの間のエネルギー障壁を下げて正孔の移動を容易にし、発光効率を向上させることができる。
【０１２５】
次に発光層形成工程として、インクジェット法（液滴吐出法）により、発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出した後に乾燥処理して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する。
図２１に、インクジェットによる吐出方法の概略を示す。図２１に示すように、インクジェットヘッドＨ５と基体２とを相対的に移動し、インクジェットヘッドに形成された吐出ノズルＨ６から各色（たとえばここでは青色（Ｂ））発光層形成材料を含有する第２組成物が吐出される。
吐出の際には、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層１１０ａに吐出ノズルを対向させ、インクジェットヘッドＨ５と基体２とを相対移動させながら、第２組成物が吐出される。吐出ノズルＨ６から吐出される液量は１滴当たりの液量が制御されている。このように液量が制御された液（第２組成物滴１１０ｅ）が吐出ノズルから吐出され、この第２組成物滴１１０ｅを正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。
発光層形成工程は、正孔注入／輸送層形成工程と同様に、最初の液滴をバンク部１１２に当てるように吐出する。２つ目の液滴は、１つ目の液滴と重なるように吐出しても良いし、間隔を空けて吐出しても良い。更に１つの画素領域に対し、２回の走査に分けても良い。
【０１２６】
即ち、図１６及び図１７（Ａ）に示した場合と同様に、１つの開口部１１２ｇに対して吐出する最初の第２組成物の液滴は、有機質バンク層１１２ｂの傾斜した壁面１１２ｈに接触させるように吐出する。有機質バンク層１１２ｂの壁面１１２ｈは先の撥液化工程によって撥液性に処理されているので、吐出された液滴は壁面１１２ｈに接触するものの直ちにはじかれ、この壁面１１２ｈ上を転がって正孔注入／輸送層１１０ａ上に転がり落ちる。正孔注入／輸送層１１０ａは表面改質工程により非極性溶媒になじみやすく処理されているので、転がり落ちた液滴は正孔注入／輸送層１１２ａ上で濡れ広がる。尚、この最初の液滴は、有機質バンク層１１２ｂの壁面１１２ｈの少なくとも一部に接触すれば良く、壁面１１２ｈと同時に有機物バンク層の上面１１２ｆに接するように吐出しても構わない。
続いて、２つ目以降の液滴は、図１７（Ｂ）と同様に、直前の液滴と重なり合わない程度の間隔を空けて吐出する。即ち、各液滴の滴下時の間隔Ｄを、各液滴の直径ｄより広くする（Ｄ＞ｄ）ことが好ましい。尚、この場合は１回の走査で吐出できる液滴の数が限られるので、十分な膜厚の発光層１１２ｂを形成するためには、１つの画素領域Ａに対するインクジェットヘッドＨ５の走査を複数回行うことが好ましい。
【０１２７】
更に、インクジェットヘッドＨ５の走査を複数回行う際には、各走査回毎にインクジェットヘッドＨ５を主走査方向の直交方向である副走査方向に僅かにシフトさせることにより、特定のノズルから別のノズルに切り替えて吐出を行うことが好ましい。このように、一つの画素領域Ａに対して複数のノズルを用いて吐出を行うことで、各ノズルに固有の液滴量の誤差が拡散するいわゆる誤差拡散の効果が生じ、発光層１１２ｂの膜厚を均一にすることができる。
【０１２８】
また、図１７（Ｃ）と同様に、２つ目以降の液滴を、直前の液滴と重なり合う程度の間隔で吐出してもよい。即ち、各液滴の滴下時の間隔Ｄを、各液滴の直径ｄより狭く（Ｄ＜ｄ）しても良い。尚、この場合は１回の走査で吐出できる液滴の数に制限がないので、十分な膜厚の発光層１１２ｂを形成するために、１つの画素領域Ａに対するインクジェットヘッドＨ５の走査を１回としてもよく、複数回としてもよい。インクジェットヘッドＨ５の走査を複数回行う場合は、前述と同様に、各走査回毎にインクジェットヘッドＨ５を副走査方向にシフトさせ、特定のノズルから別のノズルに切り替えて吐出を行うことが好ましい。このように一つの画素領域Ａに対して複数のノズルを用いて吐出を行った場合は、上記と同様に、誤差拡散の効果により各画素領域Ａ毎に形成される発光層１１２ｂの膜厚を均一にできる。
【０１２９】
特に、１つの画素領域Ａに対するインクジェットヘッドＨ５の走査を２回で行うとした場合は、１回目と２回目の走査方向を反対方向としても良く、同じ方向としてもよい。
１，２回目の走査方向を反対方向とした場合は、１回目の走査で画素領域Ａの半分の領域まで第１組成物を吐出し、２回目の走査で残りの半分の領域に吐出すればよい。また、１回目の走査により形成された領域をうめるように、２回目の走査を行うこともできる。
更に、１，２回目の走査方向を同一方向とした場合は、１回目の走査で各液滴同士が接触しない程度に間隔を空けて吐出し、２回目の走査で吐出済みの液滴の間を埋めるように吐出すればよい。もちろん、１つの画素領域を２つの領域に分けて吐出を行うことも可能である。
【０１３０】
発光層形成材料としては、化合物１〜化合物５に示すポリフルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン係色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープして用いる事ができる。例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープすることにより用いることができる。
【０１３１】
非極性溶媒としては、正孔注入／輸送層１１０ａに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることができる。
このような非極性溶媒を発光層１１０ｂの第２組成物に用いることにより、正孔注入／輸送層１１０ａを再溶解させることなく第２組成物を塗布できる。
【０１３２】
図２１に示すように、吐出された第２組成物１１０ｅは、正孔注入／輸送層１１０ａ上に広がって下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる。その一方で、撥液処理された上面１１２ｆでは第１組成物滴１１０ｅが所定の吐出位置からはずれて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第２組成物滴１１０ｅで濡れることがなく、第２組成物滴１１０ｅが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
【０１３３】
各正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する第２組成物量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする発光層１１０ｂの厚さ、第２組成物中の発光層材料の濃度等により決定される。
また、第２組成物１１０ｅは１回のみならず、数回に分けて同一の正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出しても良い。この場合、各回における第２組成物の量は同一でも良く、各回毎に第２組成物の液量を変えても良い。更に正孔注入／輸送層１１０ａの同一箇所のみならず、各回毎に正孔注入／輸送層１１０ａ内の異なる箇所に第２組成物を吐出配置しても良い。
【０１３４】
次に、第２の組成物を所定の位置に吐出し終わった後、吐出後の第２組成物滴１１０ｅを乾燥処理することにより発光層１１０ｂ３が形成される。すなわち、乾燥により第２組成物に含まれる非極性溶媒が蒸発し、図２２に示すような青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３が形成される。なお、図２２においては青に発光する発光層が１つのみ図示されているが、図１やその他の図より明らかなように本来は発光素子がマトリックス状に形成されたものであり、図示しない多数の発光層（青色に対応）が形成されている。
【０１３５】
続けて、図２３に示すように、前述した青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３の場合と同様の工程を用い、赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ１を形成し、最後に緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ２を形成する。
なお、発光層１１０ｂの形成順序は、前述の順序に限られるものではなく、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層形成材料に応じて形成する順番を決める事も可能である。
【０１３６】
また、発光層の第２組成物の乾燥条件は、青色１１０ｂ３の場合、例えば、窒素雰囲気中、室温で圧力を１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度として５〜１０分行う条件とする。圧力が低すぎると第２組成物が突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、非極性溶媒の蒸発速度が高まり、発光層形成材料が上部開口部１１２ｄ壁面に多く付着してしまうので好ましくない。
また緑色発光層１１０ｂ２、および赤色発光層ｂ１の場合、発光層形成材料の成分数が多いために素早く乾燥させることが好ましく、例えば、４０℃で窒素の吹き付けを５〜１０分行う条件とするのがよい。
その他の乾燥の手段としては、遠赤外線照射法、高温窒素ガス吹付法等を例示できる。
このようにして、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０ｂが形成される。
【０１３７】
（５）対向電極（陰極）形成工程
次に対向電極形成工程では、図２４に示すように、発光層１１０ｂ及び有機物バンク層１１２ｂの全面に陰極１２（対向電極）を形成する。なお，陰極１２は複数の材料を積層して形成しても良い。例えば、発光層に近い側には仕事関数が小さい材料を形成することが好ましく、例えばＣａ、Ｂａ等を用いることが可能であり、また材料によっては下層にＬｉＦ等を薄く形成した方が良い場合もある。また、上部側（封止側）には下部側よりも仕事関数が高い材料、例えばＡｌを用いる事もできる。
これらの陰極１２は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点で好ましい。
また、フッ化リチウムは、発光層１１０ｂ上のみに形成しても良く、更に所定の色に対応して形成する事ができる。例えば、青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３上のみに形成しても良い。この場合、他の赤色（Ｒ）発光層及び緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２には、カルシウムからなる上部陰極層１２ｂが接することとなる。
【０１３８】
また陰極１２の上部には、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により形成したＡｌ膜、Ａｇ膜等を用いることが好ましい。また、その厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００〜５００ｎｍ程度がよい。また陰極１２上に、酸化防止のためにＳｉＯ２、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。
【０１３９】
（６）封止工程
最後に封止工程は、発光素子が形成された基体２と封止基板３ｂとを封止樹脂３ａにより封止する工程である。たとえば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂３ａを基体２の全面に塗布し、封止樹脂３ａ上に封止用基板３ｂを積層する。この工程により基体２上に封止部３を形成する。
封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極１２に侵入して陰極１２が酸化されるおそれがあるので好ましくない。
更に、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に例示した基板５の配線５ａに陰極１２を接続するとともに、駆動ＩＣ６に回路素子部１４の配線を接続することにより、本実施形態の表示装置１が得られる。
【０１４０】
（第２の実施形態）
次に、第１の実施形態の表示装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図２５（Ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図２５（Ａ）において、符号６００は携帯電話本体を示し、符号６０１は前記の表示装置を用いた表示部を示している。
図２５（Ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図２５（Ｂ）において、符号７００は情報処理装置、符号７０１はキーボードなどの入力部、符号７０３は情報処理装置本体、符号７０２は前記の表示装置を用いた表示部を示している。
図２５（Ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図２５（Ｃ）において、符号８００は時計本体を示し、符号８０１は前記の表示装置を用いた表示部を示している。
図２５（Ａ）〜図２５（Ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、前記の第１の実施形態の表示装置を用いた表示部を備えたものであり、先の第１の実施形態の表示装置の特徴を有するので、高輝度であって表示品質に優れた効果を有する電子機器となる。
これらの電子機器を製造するには、第１の実施形態と同様にして、図２に示すような駆動ＩＣ６（駆動回路）を備えた表示装置１を構成し、この表示装置１を、携帯電話、携帯型情報処理装置、腕時計型電子機器に組み込むことにより製造される。
【０１４１】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
図２６には、本発明に係る他の例の表示装置の断面模式図を示す。図２６に示す表示装置は、基体２と、基体２上に形成された表示素子１０と、基体２の周囲に環状に塗布された封止樹脂６０３と、表示素子１０上に備えられた封止部３とを具備して構成されている。
【０１４２】
基体２及び表示素子１０は、第１の実施形態に係る基体２及び表示素子１０と同じものである。表示素子１０は、発光素子部１１と、該発光素子部１１上に形成された陰極１２とを主体として構成されている。
【０１４３】
また図２６に示すように、発光素子部１１上には封止部３が備えられている。この封止部３は、陰極１２上に塗布された熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなる封止樹脂３ａと、封止樹脂３ａ上に配置された封止基板３ｂとからなる。なお、封止樹脂３ａとしては、硬化時にガス、溶媒等が発生しないものが好ましい。
この封止部３は、少なくとも発光素子部１１上にある陰極１２をほぼ覆うように形成されており、陰極１２及び発光層を含む機能層に対する水又は酸素の侵入を防いで、陰極１２または発光層の酸化を防止する。
尚、封止基板３ｂは、封止樹脂３ａに接合されて封止樹脂３ａを保護するものであり、ガラス板、金属板若しくは樹脂板のいずれかであることが好ましい。
【０１４４】
また図２７には、本発明に係る別の例の表示装置の断面模式図を示す。図２７に示す表示装置は、基体２と、基体２上に形成された表示素子１０と、表示素子１０の全面に塗布された封止樹脂３ａと、封止樹脂３ａ上に備えられた封止用基板３ｂとを具備して構成されている。
【０１４５】
基体２、表示素子１０、封止樹脂３ａ及び封止用基板３ｂは、第１の実施形態に係る基体２、表示素子１０、封止材３及び封止用基板４と同じものである。
【０１４６】
また、図２７に示すように、封止材３と陰極１２の間には保護層７１４が形成されている。保護層７１４は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなるものであり、厚さが１００〜２００ｎｍの範囲とされている。この保護層７１４は、陰極１２及び発光層を含む機能層に対する水又は酸素の侵入を防いで、陰極１２または発光層の酸化を防止する。
上記の表示装置によれば、水及び酸素の侵入を効果的に防いで陰極１２または発光層の酸化を防止することにより、表示装置の高輝度化及び長寿命化を図ることができる。
【０１４７】
また、第１の実施形態においては、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光層１１０ｂをストライプ配置した場合について説明したが、本発明はこれに限られず、様々な配置構造を採用しても良い。例えば図２８（Ａ）に示すようなストライプ配置の他、図２８（Ｂ）に示すようなモザイク配置や、図２８（Ｃ）に示すようなデルタ配置とすることができる。
【０１４８】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明の表示装置の製造方法によれば、各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を前記バンク部の少なくとも一部に接触させることにより、この液滴がバンク部から電極表面に転がり込むため、組成物の液滴を電極の周囲に優先的に濡れ広げて組成物をむらなく塗布することができ、これにより機能層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施形態の表示装置の配線構造の平面模式図。
【図２】 本発明の第１の実施形態の表示装置を示す図であって、図２（Ａ）は表示装置の平面模式図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＡＢ線に沿う断面模式図。
【図３】 本発明の第１の実施形態の表示装置の要部を示す図。
【図４】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図５】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図６】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造に用いるプラズマ処理装置の一例を示す平面模式図。
【図７】 図６に示したプラズマ処理装置の第１プラズマ処理室の内部構造を示す模式図。
【図８】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図９】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図１０】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造に用いるプラズマ処理装置の別の例を示す平面模式図。
【図１１】 本発明の第１の実施形態の表示装置を製造する際に用いるヘッドを示す平面図。
【図１２】 本発明の第１の実施形態の表示装置を製造する際に用いるインクジェット装置を示す平面図。
【図１３】 本発明の第１の実施形態の表示装置を製造する際に用いるインクジェットヘッドの一例を示す斜視図。
【図１４】 図１３に示すインクジェットヘッドの内部構造を示す図であって、図１４（Ａ）は斜視図、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）のＪ−Ｊ線に沿う断面図。
【図１５】 基体に対するインクジェットヘッドの配置状態を示す平面図。
【図１６】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図１７】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図であって、図１７（Ａ）は最初の液滴を吐出させたときの状態を示す断面図、図１７（Ｂ）は２つ目以降の液滴を吐出させたときの状態の一例を示す断面図、図１７（Ｃ）は２つ目以降の液滴を吐出させたときの状態の別の例を示す断面図。
【図１８】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図１９】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図２０】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図２１】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図２２】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図２３】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図２４】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図２５】 本発明の第２の実施形態の電子機器を示す斜視図。
【図２６】 本発明に係る他の例の表示装置を示す断面模式図。
【図２７】 本発明に係る別の例の表示装置を示す断面模式図。
【図２８】 発光層の配置を示す平面模式図であって、図２８（Ａ）はストライプ配置、図２８（Ｂ）はモザイク配置、図２８（Ｃ）はデルタ配置を示す図。
【特許請求の範囲】
【請求項１】 基体上に形成された複数の電極の周囲にバンク部を形成するとともに、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に機能層を各々形成することにより、各前記電極上に形成した各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置を製造する方法であり、
前記バンク部に親液性に処理された部分と撥液性に処理された部分とを設け、
各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】 前記組成物の液滴を、前記の撥液性に処理された部分に接触させることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】 前記組成物の液滴を、前記の親液性に処理された部分に接触させることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】 前記バンク部を親液性に処理された第１バンク層と撥液性に処理された第２バンク層から形成するとともに、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】 基体上に形成された複数の電極上の各々に機能層が形成されるとともに、前記の各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置の製造方法であり、
前記電極の一部と重なるように前記バンク部を形成するバンク部形成工程と、少なくとも前記電極の一部を親液性に処理する親液化工程と、前記バンク部の一部を撥液性に処理する撥液化工程と、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に少なくとも一層の機能層を形成する機能層形成工程と、前記機能層上に対向電極を形成する対向電極形成工程とを具備してなり、
前記機能層形成工程において、各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】 前記バンク部は、前記親液化工程により親液性に処理された第１バンク層と、前記撥液化工程により撥液性に処理された第２バンク層から形成されてなり、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成されてなることを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】 前記機能層が、少なくとも正孔注入／輸送層を含むものであることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】 前記機能層が、少なくとも発光層を含むものであることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】 前記複数のノズルが配列されてなるノズル列を主走査方向に対して傾斜させた状態で前記基体上を走査させつつ、前記組成物の液滴を吐出することを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】 前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を、前記液滴の直径より広くすることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】 前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を、前記液滴の直径より狭くすることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】 各機能層に対する前記ノズル列の走査回数が１回であることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】 各機能層に対する前記ノズル列の走査回数が複数回であることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】 各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に、別のノズルを用いることを特徴とする請求項１０、請求項１１または請求項１３のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】 各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に、前記ノズル列を副走査方向にシフトさせることにより、走査毎に別のノズルを用いるようにしたことを特徴とする請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】 請求項１ないし請求項１５のいずれかに記載された表示装置の製造方法により製造されたものであることを特徴とする表示装置。
【請求項１７】 基体上に形成された複数の電極の周囲にバンク部を形成するとともに、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に機能層を各々形成することにより、各前記電極上に形成した各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置と、前記表示装置を駆動するための駆動回路とを有してなる電子機器の製造方法であり、
前記バンク部に親液性に処理された部分と撥液性に処理された部分とを設け、
各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする電子機器の製造方法。
【請求項１８】 前記組成物の液滴を、前記の撥液性に処理された部分に接触させることを特徴とする請求項１７に記載の電子機器の製造方法。
【請求項１９】 前記組成物の液滴を、前記の親液性に処理された部分に接触させることを特徴とする請求項１７に記載の電子機器の製造方法。
【請求項２０】 前記バンク部を親液性に処理された第１バンク層と撥液性に処理された第２バンク層から形成するとともに、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成することを特徴とする請求項１８又は請求項１９に記載の電子機器の製造方法。
【請求項２１】 基体上に形成された複数の電極上の各々に機能層が形成されるとともに、前記の各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置と、前記表示装置を駆動するための駆動回路とを有してなる電子機器の製造方法であり、
前記電極の一部と重なるように前記バンク部を形成するバンク部形成工程と、少なくとも前記電極の一部を親液性に処理する親液化工程と、前記バンク部の一部を撥液性に処理する撥液化工程と、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に少なくとも一層の機能層を形成する機能層形成工程と、前記機能層上に対向電極を形成する対向電極形成工程とを具備してなり、
前記機能層形成工程において、各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする電子機器の製造方法。
【請求項２２】 前記バンク部は、前記親液化工程により親液性に処理された第１バンク層と、前記撥液化工程により撥液性に処理された第２バンク層から形成されてなり、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成されてなることを特徴とする請求項２１に記載の電子機器の製造方法。
【請求項２３】 前記機能層が、少なくとも正孔注入／輸送層を含むものであることを特徴とする請求項１７ないし請求項２２のいずれかに記載の電子機器の製造方法。
【請求項２４】 前記機能層が、少なくとも発光層を含むものであることを特徴とする請求項１７ないし請求項２３のいずれかに記載の電子機器の製造方法。
【請求項２５】 前記複数のノズルが配列されてなるノズル列を主走査方向に対して傾斜させた状態で前記基体上を走査させつつ、前記組成物の液滴を吐出することを特徴とする請求項１７ないし請求項２４のいずれかに記載の電子機器の製造方法。
【請求項２６】 前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を、前記液滴の直径より広くすることを特徴とする請求項１７ないし請求項２５のいずれかに記載の電子機器の製造方法。
【請求項２７】 前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を、前記液滴の直径より狭くすることを特徴とする請求項１７ないし請求項２５のいずれかに記載の電子機器の製造方法。
【請求項２８】 各機能層に対する前記ノズル列の走査回数が１回であることを特徴とする請求項２７に記載の電子機器の製造方法。
【請求項２９】 各機能層に対する前記ノズル列の走査回数が複数回であることを特徴とする請求項２６または請求項２７に記載の電子機器の製造方法。
【請求項３０】 各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に、別のノズルを用いることを特徴とする請求項２６、請求項２７または請求項２９のいずれかに記載の電子機器の製造方法。
【請求項３１】 各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に、前記ノズル列を副走査方向にシフトさせることにより、走査毎に別のノズルを用いるようにしたことを特徴とする請求項３０に記載の電子機器の製造方法。
【請求項３２】 請求項１７ないし請求項３１のいずれかに記載された電子機器の製造方法により製造されたものであることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置の製造方法、表示装置、電子機器の製造方法および電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、有機蛍光材料等の機能材料をインク化し、当該インク（組成物）を基材上に吐出するインクジェット法により、機能材料のパターニングを行う方法を採用して、一対の電極間に該機能材料からなる機能層が挟持された構造のカラー表示装置、特に機能材料として有機発光材料を用いた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置の開発が行われている。
【０００３】
上述した機能材料のパターニング法として、例えば、基体上に形成したＩＴＯ等からなる画素電極の周囲にバンク部を形成し、次に画素電極及びこの画素電極に隣接する前記バンク部の一部を親液性に処理するとともにバンク部の残りの部分を撥液性に処理し、次に機能層の構成材料を含む組成物を画素電極のほぼ中央に吐出して乾燥することにより、画素電極上に機能層を形成する方法が採用されている。
この従来の方法によれば、吐出した組成物がバンク部から溢れた場合でも、バンク部の撥液処理された部分ではじかれて隣接する他の画素電極上に流れ込むことがないので、正確にパターニングを行うことが可能になる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の方法においては、吐出後の組成物は画素電極の中央から周囲に向けて均一に濡れ広がるが、親水処理されたバンク部の一部までは濡れ広がりにくく、このため画素電極毎に機能層の塗りむらが生じる場合があった。これは、親水処理されたバンク部の一部が非常に微小な領域であって画素電極の周囲に位置しているため、表面張力等の関係で組成物が濡れ広がらないためと考えられている。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、画素電極毎に機能層の塗りむらが生じることがなく、表示品質に優れた表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の表示装置の製造方法は、基体上に形成された複数の電極の周囲にバンク部を形成するとともに、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に前記機能層を各々形成することにより、各前記電極上に形成した各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置を製造する方法であり、前記バンク部に親液性に処理された部分と撥液性に処理された部分とを設け、各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする。
【０００７】
係る表示装置の製造方法によれば、各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を前記バンク部の少なくとも一部に接触させることにより、この液滴がバンク部から電極表面に転がり込むため、組成物の液滴を電極の周囲に優先的に濡れ広げて組成物をむらなく塗布することができ、これにより機能層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
【０００８】
また本発明の表示装置の製造方法は、先に記載の表示装置の製造方法であり、前記組成物の液滴を、前記の撥液性に処理された部分に接触させることを特徴とする。
【０００９】
係る表示装置の製造方法によれば、前記組成物の液滴をバンク部の撥液性に処理された部分に接触させるので、液滴をバンク部から電極表面に素早く転がり込ませることができ、組成物の液滴を電極の周囲に迅速かつ優先的に濡れ広げることができる。
【００１０】
また本発明の表示装置の製造方法は、先に記載の表示装置の製造方法であり、前記組成物の液滴を、前記の親液性に処理された部分に接触させることを特徴とする。
【００１１】
係る表示装置の製造方法によれば、親液性に処理された部分に組成物の液滴を濡れ広がらせることができる。
【００１２】
また本発明の表示装置の製造方法は、先に記載の表示装置の製造方法であり、前記バンク部を親液性に処理された第１バンク層と撥液性に処理された第２バンク層から形成するとともに、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成することを特徴とする。
【００１３】
係る表示装置の製造方法によれば、親液性に処理された第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成するので、組成物が電極よりも先に第１バンク層に濡れ広がり、これにより組成物をむらなく塗布することができる。
【００１４】
次に本発明の表示装置の製造方法は、基体上に形成された複数の電極上の各々に機能層が形成されるとともに、前記の各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置の製造方法であり、前記電極の一部と重なるように前記バンク部を形成するバンク部形成工程と、少なくとも前記電極の一部を親液性に処理する親液化工程と、前記バンク部の一部を撥液性に処理する撥液化工程と、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に少なくとも一層の機能層を形成する機能層形成工程と、前記機能層上に対向電極を形成する対向電極形成工程とを具備してなり、前記機能層形成工程において、各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする。
【００１５】
係る表示装置の製造方法によれば、各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を前記バンク部の少なくとも一部に接触させることにより、この液滴がバンク部から電極表面に転がり込むため、組成物の液滴を電極の周囲に優先的に濡れ広げて組成物をむらなく塗布することができ、これにより機能層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
【００１６】
また本発明の表示装置の製造方法は、先に記載の表示装置の製造方法であり、前記バンク部は、前記親液化工程により親液性に処理された第１バンク層と、前記撥液化工程により撥液性に処理された第２バンク層から形成されてなり、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成されてなることを特徴とする。
【００１７】
係る表示装置の製造方法によれば、親液性に処理された第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成されているので、組成物が電極よりも先に第１バンク層に濡れ広がり、これにより組成物をむらなく塗布することができる。
【００１８】
また本発明の表示装置の製造方法は、先に記載の表示装置の製造方法であり、前記機能層が、少なくとも正孔注入／輸送層を含むものであることを特徴とする。
また本発明の表示装置の製造方法は、先に記載の表示装置の製造方法であり、前記機能層が、少なくとも発光層を含むものであることを特徴とする。
【００１９】
係る表示装置の製造方法によれば、前記機能層が正孔注入／輸送層または発光層を含むものなので、正孔注入／輸送層または発光層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
【００２０】
係る表示装置の製造方法によれば、前記複数のノズルが配列されてなるノズル列を主走査方向に対して傾斜させた状態で前記基体上を走査させつつ、前記組成物の液滴を吐出することを特徴とする。
【００２１】
係る表示装置の製造方法によれば、ノズルピッチをバンク部の親液性に処理された部分のピッチに対応させることができる。また、傾き角度調整することにより、どのようなピッチに対しても対応させることができる。
これにより、バンク部の親液性に処理された部分に組成物の液滴を正確に吐出することができる。
【００２２】
また前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を前記液滴の直径より狭くしてもよい。この場合、各機能層に対する前記ノズル列の走査回数は１回で良い。
【００２３】
また前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を前記液滴の直径より広くすることが好ましい。この場合、各機能層に対する前記ノズル列の走査回数は１回でも良く、複数回でも良い。更に、走査回数を複数回とした場合は、各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に別のノズルを用いることが好ましい。
【００２４】
尚、上述の別のノズルを用いる手段として、各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に、前記ノズル列を副走査方向にシフトさせることにより、走査毎に別のノズルを用いるようにすることができる。
【００２５】
係る表示装置の製造方法によれば、ノズル列の走査毎に別のノズルを用いることにより、ノズル毎の組成物の吐出量のばらつきを平均化し、機能層毎の膜厚のばらつきを低減することができる。これにより、表示品質に優れた表示装置を製造することができる。
【００２６】
次に本発明の表示装置は、先のいずれかに記載された表示装置の製造方法により製造されたものであることを特徴とする。
【００２７】
係る表示装置によれば、上記の表示装置の製造方法により製造されたものなので、機能層毎の膜厚のばらつきを低減するとともに機能層をむらなく形成することができ、表示装置の表示品質を向上することができる。
【００２８】
次に本発明の電子機器の製造方法は、基体上に形成された複数の電極の周囲にバンク部を形成するとともに、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に前記機能層を各々形成することにより、各前記電極上に形成した各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置と、前記表示装置を駆動するための駆動回路とを有してなる電子機器の製造方法であり、前記バンク部に親液性に処理された部分と撥液性に処理された部分とを設け、各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする。
【００２９】
係る電子機器の製造方法によれば、各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を前記バンク部の少なくとも一部に接触させることにより、この液滴がバンク部から電極表面に転がり込むため、組成物の液滴を電極の周囲に優先的に濡れ広げて組成物をむらなく塗布することができ、これにより機能層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
【００３０】
また本発明の電子機器の製造方法は、先に記載の電子機器の製造方法であり、前記組成物の液滴を、前記の撥液性に処理された部分に接触させることを特徴とする。
【００３１】
係る電子機器の製造方法によれば、前記組成物の液滴をバンク部の撥液性に処理された部分に接触させるので、液滴をバンク部から電極表面に素早く転がり込ませることができ、組成物の液滴を電極の周囲に迅速かつ優先的に濡れ広げることができる。
【００３２】
また本発明の電子機器の製造方法は、先に記載の電子機器の製造方法であり、前記組成物の液滴を、前記の親液性に処理された部分に接触させることを特徴とする。
【００３３】
係る電子機器の製造方法によれば、親液性に処理された部分に組成物の液滴を濡れ広がらせることができる。
【００３４】
また本発明の電子機器の製造方法は、先に記載の電子機器の製造方法であり、前記バンク部を親液性に処理された第１バンク層と撥液性に処理された第２バンク層から形成するとともに、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成することを特徴とする。
【００３５】
係る電子機器の製造方法によれば、親液性に処理された第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成するので、組成物が電極よりも先に第１バンク層に濡れ広がり、これにより組成物をむらなく塗布することができる。
【００３６】
また本発明の電子機器の製造方法は、基体上に形成された複数の電極上の各々に機能層が形成されるとともに、前記の各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置と、前記表示装置を駆動するための駆動回路とを有してなる電子機器の製造方法であり、前記電極の一部と重なるように前記バンク部を形成するバンク部形成工程と、少なくとも前記電極の一部を親液性に処理する親液化工程と、前記バンク部の一部を撥液性に処理する撥液化工程と、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に少なくとも一層の機能層を形成する機能層形成工程と、前記機能層上に対向電極を形成する対向電極形成工程とを具備してなり、前記機能層形成工程において、各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする。
【００３７】
係る電子機器の製造方法によれば、各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を前記バンク部の少なくとも一部に接触させることにより、この液滴がバンク部から電極表面に転がり込むため、組成物の液滴を電極の周囲に優先的に濡れ広げて組成物をむらなく塗布することができ、これにより機能層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
【００３８】
また本発明の電子機器の製造方法は、先に記載の電子機器の製造方法であり、前記バンク部は、前記親液化工程により親液性に処理された第１バンク層と、前記撥液化工程により撥液性に処理された第２バンク層から形成されてなり、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成されてなることを特徴とする。
【００３９】
係る電子機器の製造方法によれば、親液性に処理された第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成されているので、組成物が電極よりも先に第１バンク層に濡れ広がり、これにより組成物をむらなく塗布することができる。
【００４０】
また本発明の電子機器の製造方法は、先に記載の電子機器の製造方法であり、前記機能層が、少なくとも正孔注入／輸送層を含むものであることを特徴とする。
また本発明の電子機器の製造方法は、先に記載の電子機器の製造方法であり、前記機能層が、少なくとも発光層を含むものであることを特徴とする。
【００４１】
係る電子機器の製造方法によれば、前記機能層が正孔注入／輸送層または発光層を含むものなので、正孔注入／輸送層または発光層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
【００４２】
係る電子機器の製造方法によれば、前記複数のノズルが配列されてなるノズル列を主走査方向に対して傾斜させた状態で前記基体上を走査させつつ、前記組成物の液滴を吐出することを特徴とする。
【００４３】
係る電子機器の製造方法によれば、ノズルピッチをバンク部の親液性に処理された部分のピッチに対応させることができる。また、傾き角度調整することにより、どのようなピッチに対しても対応させることができる。
これにより、バンク部の親液性に処理された部分に組成物の液滴を正確に吐出することができる。
【００４４】
また前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を前記液滴の直径より狭くしてもよい。このとき、各機能層に対する前記ノズル列の走査回数は１回で良い。
【００４５】
また前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を前記液滴の直径より広くすることが好ましい。このとき、各機能層に対する前記ノズル列の走査回数は１回でも良く、複数回でも良い。更に、走査回数を複数回とした場合は、各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に、別のノズルを用いることが好ましい。
【００４６】
尚、上述の別のノズルを用いる手段として、各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に、前記ノズル列を副走査方向にシフトさせることにより、走査毎に別のノズルを用いるようにすることができる。
【００４７】
係る電子機器の製造方法によれば、ノズル列の走査毎に別のノズルを用いることにより、ノズル毎の組成物の吐出量のばらつきを平均化し、機能層毎の膜厚のばらつきを低減することができる。これにより、表示品質に優れた電子機器を製造することができる。
【００４８】
次に本発明の電子機器は、先のいずれかに記載された電子機器の製造方法により製造されたものであることを特徴とする。
【００４９】
係る電子機器によれば、機能層毎の膜厚のばらつきを低減するとともに機能層をむらなく形成することができ、電子機器の表示品質を向上することができる。
【００５０】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法及び表示装置について説明する。まず、本実施形態の表示装置の製造方法を説明するに先立ち、この製造方法により製造される表示装置について説明する。
【００５１】
図１に本実施形態の表示装置の配線構造の平面模式図を示し、図２には本実施形態の表示装置の平面模式図及び断面模式図を示す。
図１に示すように、本実施形態の表示装置１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ａが設けられている。
【００５２】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
更に、画素領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量capと、該保持容量capによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電極）１１１と、この画素電極１１１と陰極（対向電極）１２との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。電極１１１と対向電極１２と機能層１１０により、発光素子が構成されている。
【００５３】
係る構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量capに保持され、該保持容量capに状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、更に機能層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００５４】
次に図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、本実施形態の表示装置１は、ガラス等からなる透明な基体２と、マトリックス状に配置された発光素子と、封止基板を具備している。基体２上に形成された発光素子は、後述する画素電極と、機能層と、陰極１２により形成されている。
基体２は、例えばガラス等の透明基板であり、基体２の中央に位置する表示領域２ａと、基体２の周縁に位置して表示領域２ａの外側に配置された非表示領域２ｂとに区画されている。
表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発光素子によって形成される領域であり、有効表示領域とも言う。また、表示領域の外側に非表示領域２ｂが形成されている。そして，非表示領域２ｂには、表示領域２ａに隣接するダミー表示領域２ｄが形成されている。
また、図２（Ｂ）に示すように、発光素子及びバンク部からなる発光素子部１１と基体２との間には回路素子部１４が備えられ、この回路素子部１４に前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ１２３等が備えられている。
また、陰極１２は、その一端が基体２上に形成された陰極用配線１２ａに接続しており、この配線の一端部１２ｂがフレキシブル基板５上の配線５ａに接続されている。また、配線５ａは、フレキシブル基板５上に備えられた駆動ＩＣ６（駆動回路）に接続されている。
【００５５】
また、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、回路素子部１４の非表示領域２ｂには、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。
また、表示領域２ａの図２（Ａ）中両側には、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。この走査側駆動回路１０５、１０５はダミー領域２ｄの下側の回路素子部１４内に設けられている。更に回路素子部１４内には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。
更に表示領域２ａの図２（Ａ）中上側には検査回路１０６が配置されている。この検査回路１０６により、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
【００５６】
また図２（Ｂ）に示すように、発光素子部１１上には封止部３が備えられている。この封止部３は、基体２に塗布された封止樹脂６０３ａと、缶封止基板６０４とから構成されている。封止樹脂６０３は、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなり、特に、熱硬化樹脂の１種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。
この封止樹脂６０３は、基体２の周囲に環状に塗布されており、例えば、マイクロディスペンサ等により塗布されたものである。この封止樹脂６０３は、基体２と封止缶６０４を接合するもので、基体２と缶封止基板６０４の間から缶封止基板６０４内部への水又は酸素の侵入を防いで、陰極１２または発光素子部１１内に形成された図示略の発光層の酸化を防止する。
缶封止基板６０４は、ガラス又は金属からなるもので、封止樹脂６０３を介して基体２に接合されており、その内側には表示素子１０を収納する凹部６０４ａが設けられている。また凹部６０４ａには水、酸素等を吸収するゲッター剤６０５が貼り付けられており、缶封止基板６０４の内部に侵入した水又は酸素を吸収できるようになっている。なお、このゲッター剤６０５は省略しても良い。
【００５７】
次に図３には、表示装置における表示領域の断面構造を拡大した図を示す。この図３には３つの画素領域Ａが図示されている。この表示装置１は、基体２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４と、機能層１１０が形成された発光素子部１１とが順次積層されて構成されている。
この表示装置１においては、機能層１１０から基体２側に発した光が、回路素子部１４及び基体２を透過して基体２の下側（観測者側）に出射されるとともに、機能層１１０から基体２の反対側に発した光が陰極１２により反射されて、回路素子部１４及び基体２を透過して基体２の下側（観測者側）に出射されるようになっている。
なお、陰極１２として、透明な材料を用いることにより陰極側から発光する光を出射させることができる。透明な材料としては、ＩＴＯ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを用いる事ができる。膜厚としては７５ｎｍほどの膜厚にする事が好ましく、この膜厚よりも薄くした方がより好ましい。
【００５８】
回路素子部１４には、基体２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護膜２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。尚、半導体膜１４１には、ソース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度Ｐイオン打ち込みにより形成されている。なお、Ｐが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。
更に回路素子部１４には、下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線１０１）が形成され、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂが形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。
また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを貫通して、半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５，１４６が形成されている。
そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール１４５がこの画素電極１１１に接続されている。
また、もう一方のコンタクトホール１４６が電源線１０３に接続されている。
このようにして、回路素子部１４には、各画素電極１１１に接続された駆動用の薄膜トランジスタ１２３が形成されている。
尚、回路素子部１４には、前述した保持容量cap及びスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２も形成されているが、図３ではこれらの図示を省略している。
【００５９】
次に図３に示すように、発光素子部１１は、複数の画素電極１１１…上の各々に積層された機能層１１０と、各画素電極１１１及び機能層１１０の間に備えられて各機能層１１０を区画するバンク部１１２と、機能層１１０上に形成された陰極１２とを主体として構成されている。これら画素電極（第１電極）１１１、機能層１１０及び陰極１２（第２電極）によって発光素子が構成されている。
ここで、画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形成されてなり、平面視略矩形にパターニングされて形成されている。この画素電極１１１の厚さは、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍ程度がよい。この各画素電極１１１…の間にバンク部１１２が備えられている。
【００６０】
バンク部１１２は、図３に示すように、基体２側に位置する無機物バンク層１１２ａ（第１バンク層）と基体２から離れて位置する有機物バンク層１１２ｂ（第２バンク層）とが積層されて構成されている。
【００６１】
無機物バンク層、有機物バンク層（１１２ａ、１１２ｂ）は、画素電極１１１の周縁部上に乗上げるように形成されている。平面的には、画素電極１１１の周囲と無機物バンク層１１２ａとが平面的に重なるように配置された構造となっている。また、有機物バンク層１１２ｂも同様であり、画素電極１１１の一部と平面的に重なるように配置されている。また無機物バンク層１１２ａは、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に更に形成されている。このようにして、無機物バンク層１１２ａの各第１積層部１１２ｅが画素電極１１１の内側に形成されることにより、画素電極１１１の形成位置に対応する下部開口部１１２ｃが設けられている。
また、有機物バンク層１１２ｂには、上部開口部１１２ｄが形成されている。この上部開口部１１２ｄは、画素電極１１１の形成位置及び下部開口部１１２ｃに対応するように設けられている。上部開口部１１２ｄは、図３に示すように、下部開口部１１２ｃより広く、画素電極１１１より狭く形成されている。また、上部開口部１１２ｄの上部の位置と、画素電極１１１の端部とがほぼ同じ位置になるように形成される場合もある。この場合は、図３に示すように、有機物バンク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの断面が傾斜する形状となる。
そしてバンク部１１２には、下部開口部１１２ｃ及び上部開口部１１２ｄが連通することにより、無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成されている。
【００６２】
また、無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機材料からなることが好ましい。この無機物バンク層１１２ａの膜厚は、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１１２ａが後述する正孔注入／輸送層より薄くなり、正孔注入／輸送層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。また膜厚が２００ｎｍを越えると、下部開口部１１２ｃによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送層上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。
【００６３】
更に、有機物バンク層１１２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のあるレジストから形成されている。この有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層が上部開口部１１２ｄから溢れるおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、有機物バンク層１１２ｂ上に形成する陰極１２のステップガバレッジを確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、駆動用の薄膜トランジスタ１２３との絶縁を高めることができる点でより好ましい。
【００６４】
また、バンク部１１２には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。
親液性を示す領域は、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び画素電極１１１の電極面１１１ａであり、これらの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液性に表面処理されている。また、撥液性を示す領域は、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機物バンク層１１２の上面１１２ｆであり、これらの領域は、４フッ化メタン、テトラフルオロメタン、もしくは四フッ化炭素を処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液性に処理）されている。
【００６５】
次に図３に示すように、機能層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された発光層１１０ｂとから構成されている。なお、発光層１１０ｂに隣接して電子注入輸送層などの機能を有する他の機能層を更に形成しても良い。
正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０ｂに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２から注入される電子が発光層で再結合し、発光が得られる。
【００６６】
正孔注入／輸送層１１０ａは、下部開口部１１２ｃ内に位置して画素電極面１１１ａ上に形成される平坦部１１０ａ1と、上部開口部１１２ｄ内に位置して無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に形成される周縁部１１０ａ２から構成されている。また、正孔注入／輸送層１１０ａは、構造によっては、画素電極１１１上であって、且つ無機物バンク層１１０ａの間（下部開口部１１０ｃ）にのみ形成されている（前述に記載した平坦部にのみ形成される形態もある）。
この平坦部１１０ａ1は、その厚さが一定で例えば５０〜７０ｎｍの範囲に形成される。
周縁部１１０ａ２が形成される場合においては、周縁部１１０ａ２は、第１積層部１１２ｅ上に位置するとともに上部開口部１１２ｄの壁面、即ち有機物バンク層１１２ｂに密着している。また、周縁部１１０ａ２の厚さは、電極面１１１ａに近い側で薄く、電極面１１１ａから離れる方向に沿って増大し、下部開口部１１２ｄの壁面近くで最も厚くなっている。
周縁部１１０ａ２が上記の様な形状を示す理由としては、正孔注入／輸送層１１０ａが、正孔注入／輸送層形成材料及び極性溶媒を含む第１組成物を開口部１１２内に吐出してから極性溶媒を除去して形成されたものであり、極性溶媒の揮発が主に無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上で起こり、正孔注入／輸送層形成材料がこの第１積層部１１２ｅ上に集中的に濃縮・析出されたためである。
【００６７】
また発光層１１０ｂは、正孔注入／輸送層１１０ａの平坦部１１０ａ1及び周縁部１１０ａ２上に渡って形成されており、平坦部１１２ａ1上での厚さが５０〜８０ｎｍの範囲とされている。
発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ１、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ２、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ３、の３種類を有し、各発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３がストライプ配置されている。
【００６８】
上記のように、正孔注入／輸送層１１０ａの周縁部１１０ａ２が上部開口部１１２ｄの壁面（有機物バンク層１１２ｂ）に密着しているので、発光層１１０ｂが有機物バンク層１１２ｂに直接に接することがない。従って、有機物バンク層１１２ｂに不純物として含まれる水が発光層１１０ｂ側に移行するのを、周縁部１１０ａ２によって阻止することができ、水による発光層１１０ｂの酸化を防止できる。
また、無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に不均一な厚さの周縁部１１０ａ２が形成されるため、周縁部１１０ａ２が第１積層部１１２ｅによって画素電極１１１から絶縁された状態となり、周縁部１１０ａ２から発光層１１０ｂに正孔が注入されることがない。これにより、画素電極１１１からの電流が平坦部１１２ａ1のみに流れ、正孔を平坦部１１２ａ1から発光層１１０ｂに均一に輸送させることができ、発光層１１０ｂの中央部分のみを発光させることができるとともに、発光層１１０ｂにおける発光量を一定にすることができる。
また、無機物バンク層１１２ａが有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に更に延出されているので、この無機物バンク層１１２ａによって画素電極１１１と平坦部１１０ａ1との接合部分の形状をトリミングすることができ、各発光層１１０ｂ間の発光強度のばらつきを抑えることができる。
【００６９】
更に、画素電極１１１の電極面１１１ａ及び無機物バンク層の第１積層部１１２ｅが親液性を示すので、機能層１１０が画素電極１１１及び無機物バンク層１１２ａに均一に密着し、無機物バンク１１２ａ上で機能層１１０が極端に薄くならず、画素電極１１１と陰極１２との短絡を防止できる。
また、有機物バンク層１１２ｂの上面１１２ｆ及び上部開口部１１２ｄ壁面が撥液性を示すので、機能層１１０と有機物バンク層１１２ｂとの密着性が低くなり、機能層１１０が開口部１１２ｇから溢れて形成されることがない。
【００７０】
尚、正孔注入／輸送層形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いることができる。また、発光層１１０ｂの材料としては、例えば、化合物１〜化合物５が、ポリフルオレン誘導体か、その他に（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料にペリレン係色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることができる。
【００７１】
【化１】
【化２】
【化３】
【化４】
【化５】
次に陰極１２は、発光素子部１１の全面に形成されており、画素電極１１１と対になって機能層１１０に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例えば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成されている。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態においては発光層１１０ｂに直接に接して発光層１１０ｂに電子を注入する役割を果たす。また、フッ化リチウムは発光層の材料によっては効率よく発光させるために、発光層１１０と陰極１２との間にＬｉＦを形成する場合もある。
尚、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１１０ｂ２にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を用いても良い。従ってこの場合は青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２にはフッ化リチウム以外のものを積層しても良い。また、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２上にはフッ化リチウムを形成せず、カルシウムのみを形成しても良い。
尚、フッ化リチウムの厚さは、例えば２〜５ｎｍの範囲が好ましく、特に２ｎｍ程度がよい。またカルシウムの厚さは、例えば２〜５０ｎｍの範囲が好ましく、特に２０ｎｍ程度がよい。
また、陰極１２を形成するアルミニウムは、発光層１１０ｂから発した光を基体２側に反射させるもので、Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等からなることが好ましい。また、その厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００ｎｍ程度がよい。
更にアルミニウム上にＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
尚、このように形成した発光素子上に封止缶６０４を配置する。図２（ｂ）に示すように、封止缶６０４を封止樹脂６０３により接着し、表示装置１を形成する。
【００７７】
次に、本実施形態の表示装置の製造方法を図面を参照して説明する。
本実施形態の表示装置１の製造方法は、例えば、（１）バンク部形成工程、（２）プラズマ処理工程（親液化工程及び撥液化工程を含む）、（３）正孔注入／輸送層形成工程（機能層形成工程）、（４）発光層形成工程（機能層形成工程）、（５）対向電極形成工程、及び（６）封止工程とを具備して構成されている。なお、製造方法はこれに限られるものではなく必要に応じてその他の工程が除かれる場合、また追加される場合もある。
【００７８】
（１）バンク部形成工程
バンク部形成工程では、基体２の所定の位置にバンク部１１２を形成する工程である。バンク部１１２は、第１のバンク層として無機物バンク層１１２ａが形成されてなり、第２のバンク層として有機物バンク層１１２ｂが形成された構造である。以下に形成方法について説明する。
【００７９】
（１）−１無機物バンク層の形成
まず、図４に示すように、基体上の所定の位置に無機物バンク層１１２ａを形成する。無機物バンク層１１２ａが形成される位置は、第２層間絶縁膜１４４ｂ上及び電極（ここでは画素電極）１１１上である。なお、第２層間絶縁膜１４４ｂは薄膜トランジスタ、走査線、信号線、等が配置された回路素子部１４上に形成されている。
無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機物膜を材料として用いることができる。これらの材料は、例えばＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって形成される。
更に、無機物バンク層１１２ａの膜厚は５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。
無機物バンク層１１２は、層間絶縁層１１４及び画素電極１１１の全面に無機物膜を形成し、その後無機物膜をフォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより、開口部を有する無機物バンク層１１２が形成される。開口部は、画素電極１１１の電極面１１１ａの形成位置に対応するもので、図４に示すように下部開口部１１２ｃとして設けられる。
このとき、無機物バンク層１１２ａは画素電極１１１の周縁部（一部）と重なるように形成される。図４に示すように、画素電極１１１の一部と無機物バンク層１１２ａとが重なるように無機物バンク層１１２ａを形成することにより、発光層１１０の発光領域を制御することができる。
【００８０】
（１）−２有機物バンク層１１２ｂの形成
次に、第２バンク層としての有機物バンク層１１２ｂを形成する。
図５に示すように、無機物バンク層１１２ａ上に有機物バンク層１１２ｂを形成する。有機物バンク層１１２ｂとして、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する材料を用いる。これらの材料を用い、有機物バンク層１１２ｂをフォトリソグラフィ技術等によりパターニングして形成される。なお、パターニングする際、有機物バンク層１１２ｂに上部開口部１１２ｄを形成する。上部開口部１１２ｄは、電極面１１１ａ及び下部開口部１１２ｃに対応する位置に設けられる。
上部開口部１１２ｄは、図５に示すように、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃより広く形成する事が好ましい。更に、有機物バンク層１１２ｂはテーパーを有する形状が好ましく、有機物バンク層の開口部が画素電極１１１の幅より狭く、有機物バンク層１１２ｂの最上面では画素電極１１１の幅とほぼ同一の幅になるように有機物バンク層を形成する事が好ましい。これにより、無機物バンク層１１２ａの下部開口部１１２ｃを囲む第１積層部１１２ｅが、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に延出された形になる。
このようにして、有機物バンク層１１２ｂに形成された上部開口部１１２ｄ、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃを連通させることにより、無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成される。
【００８１】
なお、有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。このような範囲とする理由は以下の通りである。
すなわち、厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層１１０ｂが上部開口部１１２ｄから溢れてしまうおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、上部開口部１１２ｄにおける陰極１２のステップガバレッジが確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、陰極１２と駆動用の薄膜トランジスタ１２３との絶縁を高めることができる点で好ましい。
【００８２】
（２）プラズマ処理工程
次にプラズマ処理工程では、画素電極１１１の表面を活性化すること、更にバンク部１１２の表面を表面処理する事を目的として行われる。特に活性化工程では、画素電極１１１（ＩＴＯ）上の洗浄、更に仕事関数の調整を主な目的として行っている。更に、画素電極１１１の表面の親液化処理（親液化工程）、バンク部１１２表面の撥液化処理（撥液化工程）を行う。
【００８３】
このプラズマ処理工程は、例えば（２）−１予備加熱工程、（２）−２活性化処理工程（親液化工程）、（２）−３撥液化処理工程（親液化工程）、及び（２）−４冷却工程とに大別される。なお、このような工程に限られるものではなく、必要に応じて工程を削減、更なる工程追加も行われる。
【００８４】
まず、図６は、プラズマ処理工程で用いられるプラズマ処理装置を示す。
図６に示すプラズマ処理装置５０は、予備加熱処理室５１、第１プラズマ処理室５２、第２プラズマ処理室５３、冷却処理室５４、これらの各処理室５１〜５４に基体２を搬送する搬送装置５５とから構成されている。各処理室５１〜５４は、搬送装置５５を中心として放射状に配置されている。
【００８５】
まず、これらの装置を用いた概略の工程を説明する。
予備加熱工程は、図６に示す予備加熱処理室５１において行われる。そしてこの処理室５１により、バンク部形成工程から搬送された基体２を所定の温度に加熱する。
予備加熱工程の後、親液化工程及び撥液化処理工程を行う。すなわち、基体は第１，第２プラズマ処理室５２，５３に順次搬送され、それぞれの処理室５２，５３においてバンク部１１２にプラズマ処理を行い親液化する。この親液化処理後に撥液化処理を行う。撥液化処理の後に基体を冷却処理室に搬送し、冷却処理室５４おいて基体を室温まで冷却する。この冷却工程後、搬送装置により次の工程である正孔注入／輸送層形成工程に基体を搬送する。
以下に、それぞれの工程について詳細に説明する。
【００８６】
（２）−１予備加熱工程
予備加熱工程は予備加熱処理室５１により行う。この処理室５１において、バンク部１１２を含む基体２を所定の温度まで加熱する。
基体２の加熱方法は、例えば処理室５１内にて基体２を載せるステージにヒータを取り付け、このヒータで当該ステージごと基体２を加熱する手段がとられている。なお、これ以外の方法を採用することも可能である。
予備加熱処理室５１において、例えば７０℃〜８０℃の範囲に基体２を加熱する。この温度は次工程であるプラズマ処理における処理温度であり、次の工程に合わせて基体２を事前に加熱し、基体２の温度ばらつきを解消することを目的としている。
仮に予備加熱工程を加えなければ、基体２は室温から上記のような温度に加熱されることになり、工程開始から工程終了までのプラズマ処理工程中において温度が常に変動しながら処理される事になる。したがって、基体温度が変化しながらプラズマ処理を行うことは、有機ＥＬ素子の特性の不均一につながる可能性がある。したがって、処理条件を一定に保ち、均一な特性を得るために予備加熱を行うのである。
そこで、プラズマ処理工程においては、第１，第２プラズマ処理装置５２，５３内の試料ステージ上に基体２を載置した状態で親液化工程または撥液化工程を行う場合に、予備加熱温度を、親液化工程または撥液化工程を連続して行う試料ステージ５６の温度にほぼ一致させることが好ましい。
そこで、第１，第２プラズマ処理装置５２，５３内の試料ステージが上昇する温度、例えば７０〜８０℃まで予め基体２を予備加熱することにより、多数の基体にプラズマ処理を連続的に行った場合でも、処理開始直後と処理終了直前でのプラズマ処理条件をほぼ一定にすることができる。これにより、基体２の表面処理条件を同一にし、バンク部１１２の組成物に対する濡れ性を均一化することができ、一定の品質を有する表示装置を製造することができる。
また、基体２を予め予備加熱しておくことにより、後のプラズマ処理における処理時間を短縮することができる。
【００８７】
（２）−２活性化処理（親液化工程）
つぎに第１プラズマ処理室５２では、活性化処理が行われる。活性化処理には、画素電極１１１における仕事関数の調整、制御、画素電極表面の洗浄、画素電極表面の親液化工程が含まれる。
親液化工程として、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を行う。図７には第１プラズマ処理を模式的に示した図である。図７に示すように、バンク部１１２を含む基体２は加熱ヒータ内臓の試料ステージ５６上に載置され、基体２の上側にはギャップ間隔０．５〜２ｍｍ程度の距離をおいてプラズマ放電電極５７が基体２に対向して配置されている。基体２は、試料ステージ５６によって加熱されつつ、試料ステージ５６は図示矢印方向に向けて所定の搬送速度で搬送され、その間に基体２に対してプラズマ状態の酸素が照射される。
Ｏ２プラズマ処理の条件は、例えば、プラズマパワー１００〜８００ｋＷ、酸素ガス流量５０〜１００ｍｌ/ｍｉｎ、板搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度７０〜９０℃の条件で行われる。なお、試料ステージ５６による加熱は、主として予備加熱された基体２の保温のために行われる。
【００８８】
このＯ２プラズマ処理により、図８に示すように、画素電極１１１の電極面１１１ａ、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び有機物バンク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの壁面ならびに上面１１２ｆが親液処理される。この親液処理により、これらの各面に水酸基が導入されて親液性が付与される。
図９では、親液処理された部分を一点鎖線で示している。
なお、このＯ２プラズマ処理は、親液性を付与するのみならず、上述の通り画素電極であるＩＴＯ上の洗浄，仕事関数の調整も兼ねている。
【００８９】
（２）−３撥液処理工程（撥液化工程）
つぎに、第２プラズマ処理室５３では、撥液化工程として、大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行う。第２プラズマ処理室５３の内部構造は図７に示した第１プラズマ処理室５２の内部構造と同じである。即ち、基体２は、試料ステージによって加熱されつつ、試料ステージごと所定の搬送速度で搬送され、その間に基体２に対してプラズマ状態のテトラフルオロメタン（四フッ化炭素）が照射される。
ＣＦ４プラズマ処理の条件は、例えば、プラズマパワー１００〜８００ｋＷ、４フッ化メタンガス流量５０〜１００ｍｌ/ｍｉｎ、基体搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度７０〜９０℃の条件で行われる。なお、加熱ステージによる加熱は、第１プラズマ処理室５２の場合と同様に、主として予備加熱された基体２の保温のために行われる。
なお、処理ガスは、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることができる。
【００９０】
ＣＦ４プラズマ処理により、図９に示すように、上部開口部１１２ｄ壁面及び有機物バンク層の上面１１２ｆが撥液処理される。この撥液処理により、これらの各面にフッ素基が導入されて撥液性が付与される。図９では、撥液性を示す領域を二点鎖線で示している。有機物バンク層１１２ｂを構成するアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機物はプラズマ状態のフルオロカーボンが照射することで容易に撥液化させることができる。また、Ｏ２プラズマにより前処理した方がフッ素化されやすい、という特徴を有しており、本実施形態には特に有効である。
尚、画素電極１１１の電極面１１１ａ及び無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅもこのＣＦ４プラズマ処理の影響を多少受けるが、濡れ性に影響を与える事は少ない。図９では、親液性を示す領域を一点鎖線で示している。
【００９１】
（２）−４冷却工程
次に冷却工程として、冷却処理室５４を用い、プラズマ処理のために加熱された基体２を管理温度まで冷却する。これは、この以降の工程であるインクジェット工程（機能層形成工程）の管理温度まで冷却するために行う工程である。
この冷却処理室５４は、基体２を配置するためのプレートを有し、そのプレートは基体２を冷却するように水冷装置が内蔵された構造となっている。
また、プラズマ処理後の基体２を室温、または所定の温度（例えばインクジェット工程を行う管理温度）まで冷却することにより、次の正孔注入／輸送層形成工程において、基体２の温度が一定となり、基体２の温度変化が無い均一な温度で次工程を行うことができる。したがって、このような冷却工程を加えることにより、インクジェット法等の吐出手段により吐出された材料を均一に形成できる。
例えば、正孔注入／輸送層を形成するための材料を含む第１組成物を吐出させる際に、第１組成物を一定の容積で連続して吐出させることができ、正孔注入／輸送層を均一に形成することができる。
【００９２】
上記のプラズマ処理工程では、材質が異なる有機物バンク層１１２ｂ及び無機物バンク層１１２ａに対して、Ｏ２プラズマ処理とＣＦ４プラズマ処理とを順次行うことにより、バンク部１１２に親液性の領域と撥液性の領域を容易に設けることができる。
【００９３】
尚、プラズマ処理工程に用いるプラズマ処理装置は、図６に示したものに限られず、例えば図１０に示すようなプラズマ処理装置６０を用いてもよい。
図１０に示すプラズマ処理装置６０は、予備加熱処理室６１と、第１プラズマ処理室６２と、第２プラズマ処理室６３と、冷却処理室６４と、これらの各処理室６１〜６４に基体２を搬送する搬送装置６５とから構成され、各処理室６１〜６４が、搬送装置６５の搬送方向両側（図中矢印方向両側）に配置されてなるものである。
このプラズマ処理装置６０では、図６に示したプラズマ処理装置５０と同様に、バンク部形成工程から搬送された基体２を、予備加熱処理室６１、第１，第２プラズマ処理室６２，６３、冷却処理室６４に順次搬送して各処理室にて上記と同様な処理を行った後、基体２を次の正孔注入／輸送層形成工程に搬送する。
また，上記プラズマ装置は，大気圧下の装置でなくとも，真空下のプラズマ装置を用いても良い。
【００９４】
（３）正孔注入／輸送層形成工程（機能層形成工程）
次に発光素子形成工程では、電極（ここでは画素電極１１１）上に正孔注入／輸送層を形成する。
正孔注入／輸送層形成工程では、液滴吐出としてたとえばインクジェット装置を用いることにより、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物（組成物）を電極面１１１ａ上に吐出する。その後に乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極１１１上及び無機物バンク層１１２ａ上に正孔注入/輸送層１１０ａを形成する。なお、正孔注入/輸送層１１０ａが形成された無機物バンク層１１２ａをここでは第１積層部１１２ｅという。
この正孔注入／輸送層形成工程を含めこれ以降の工程は、水、酸素の無い雰囲気とする事が好ましい。例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
なお、正孔注入/輸送層１１０ａは第１積層部１１２ｅ上に形成されないこともある。すなわち、画素電極１１１上にのみ正孔注入／輸送層が形成される形態もある。
インクジェットによる製造方法は以下の通りである。
【００９５】
本実施形態の表示装置の製造方法に好適に用いられるインクジェットヘッドの一例として、図１１のようなヘッドＨを例示できる。このヘッドＨは図１１に示すように、複数のインクジェットヘッドＨ１と、これらのインクジェットヘッドＨ１を支持する支持基板Ｈ７を主として構成されている。
更に、基体と上記のヘッドＨの配置に関しては図１２のように配置することが好ましい。
図１２に示すインクジェット装置において、符号１１１５は基体２を載置するステージであり、符号１１１６はステージ１１１５を図中ｘ軸方向（主走査方向）に案内するガイドレールである。またヘッドＨは、支持部材１１１１を介してガイドレール１１１３により図中ｙ軸方向（副走査方向）に移動できるようになっており、更にヘッドＨは図中θ軸方向に回転できるようになっており、インクジェットヘッドＨ１を主走査方向に対して所定の角度に傾けることができるようになっている。
【００９６】
図１２に示す基体２は、マザー基板に複数のチップを配置した構造となっている。即ち、１チップの領域が１つの表示装置に相当する。ここでは、３つの表示領域２ａが形成されているが、これに限られるものではない。例えば、基体２上の左側の表示領域２ａに対して組成物を塗布する場合は、ガイドレール１１１３を介してヘッドＨを図中左側に移動させるとともに、ガイドレール１１１６を介して基体２を図中上側に移動させ、基体２を走査させながら塗布を行う。次に、ヘッドＨを図中右側に移動させて基体の中央の表示領域２ａに対して組成物を塗布する。右端にある表示領域２ａに対しても前記と同様である。
尚、図１２に示すヘッドＨ及び図１５に示すインクジェット装置は、正孔注入／輸送層形成工程のみならず、発光層形成工程に用いて良い。
【００９７】
図１３にはインクジェットヘッドＨ１をインク吐出面の側からみた斜視図を示す。図１３に示すように、インクジェットヘッドＨ１のインク吐出面（基体２との対向面）には、ヘッドの長さ方向に沿って列状に、且つヘッドの幅方向に間隔をあけて１列でノズルｎ１が複数設けられている。このように、複数のノズルＨ２が列状に配列されることにより２つのノズル列ｎ２が構成されている。１つのノズル列ｎ２に含まれるノズルｎ１の数は例えば１８０個であり、１つのインクジェットヘッドＨ１に３６０個のノズルが形成されている。また、ノズルｎ１の孔径は例えば２８μｍであり、ノズルｎ１間のピッチは例えば１４１μｍである。
【００９８】
インクジェットヘッドＨ１は、例えば、図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）に示す内部構造を有する。具体的には、インクジェットヘッドＨ１は、例えばステンレス製のノズルプレート２２９と、それに対向する振動板２３１と、それらを相互に接合する仕切部材２３２とを有する。ノズルプレート２２９と振動板２３１との間には、仕切部材２３２によって複数の組成物室２３３と液溜まり室２３４とが形成されている。複数の組成物室２３３と液溜まり室２３４とは通路２３８を介して互いに連通している。
【００９９】
振動板２３１の適所には組成物供給孔２３６が形成され、この組成物供給孔２３６に組成物供給装置２３７が接続される。組成物供給装置２３７は、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を組成物供給孔２３６に供給する。供給された第１組成物は液溜まり２３４に充満し、更に通路２３８を通って組成物室２３３に充満する。
【０１００】
ノズルプレート２２９には、組成物室２３３から第１組成物をジェット状に噴射するためのノズルｎ１が設けられている。また、振動板２３１の組成物室２３３を形成する面の裏面には、組成物室２３３に対応させて組成物加圧体２３９が取り付けられている。この組成物加圧体２３９は、図１４（Ｂ）に示すように、圧電素子２４１並びにこれを挟持する一対の電極２４２ａ及び２４２ｂを有する。圧電素子２４１は電極２４２ａ、２４２ｂへの通電によって矢印Ｃで示す外側へ突出するように撓み変形し、これにより組成物室２３３の容積が増大する。すると、増大した容積分に相当する第１組成物が液溜まり２３４から通路２３８を通って組成物室２３３に流入する。
【０１０１】
次に圧電素子２４１への通電を解除すると、圧電素子２４１と振動板２３１はともに元の形状に戻る。これにより、組成物室２３３も元の容積に戻るため組成物室２３３の内部にある第１組成物の圧力が上昇し、ノズルｎ１から基体２へ向けて第１組成物が液滴１１０ｃとなって噴出する。
【０１０２】
図１５には、基体２に対してインクジェットヘッドＨ１を走査させた状態を示す。図１５に示すように、インクジェットヘッドＨ１は、図中Ｘ方向に沿う方向に相対的に移動しながら第１組成物を吐出するが、その際、ノズル列ｎ２の配列方向Ｚが、主走査方向（Ｘ方向に沿う方向）に対して傾斜した状態になっている。このように、インクジェットヘッドＨ１のノズル列ｎ２を主走査方向に対して傾けて配置することにより、ノズルピッチを画素領域Ａのピッチに対応させることができる。また、傾き角度調整することにより、どのような画素領域Ａのピッチに対しても対応させることができる。
図１６に示すように、インクジェットヘッドＨ１に形成された複数のノズルｎ1…から正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を吐出する。尚、インクジェットヘッドＨ１を走査することにより各画素領域Ａ毎に第１組成物を充填しているが、基体２を走査することによっても可能である。更に、インクジェットヘッドＨ１と基体２とを相対的に移動させることによっても第１組成物を充填させることができる。なお、これ以降のインクジェットヘッドを用いて行う工程では上記の点は同様である。
【０１０３】
インクジェットヘッドによる吐出は以下の通りである。すなわち、インクジェットヘッドＨ１に形成されてなる吐出ノズルＨ２を電極面１１１ａに対向して配置し、ノズルＨ２から第１組成物を吐出する。画素電極１１１の周囲には開口部１１２ｇを区画するバンク１１２が形成されており、この開口部１１２ｇにインクジェットヘッドＨ１を対向させ、このインクジェットヘッドＨ１と基体２とを相対移動させながら、吐出ノズルＨ２から１滴当たりの液量が制御された第１組成物滴１１０ｃを図３に示すような開口部１１２ｇ内に吐出する。１つの開口部１１２ｇに対して吐出する液滴の数は、例えば６〜２０滴の範囲とすることができるが、この範囲は画素の面積によって代わるものであり、この範囲より多くても少なくても構わない。
【０１０４】
なお、図１６及び図１７（Ａ）に示すように、１つの開口部１１２ｇに対して吐出する最初の液滴１１０ｃ1は、有機質バンク層１１２ｂの傾斜した壁面１１２ｈに接触させるように吐出する必要がある。有機質バンク層１１２ｂの壁面１１２ｈは先の撥液化工程によって撥液性に処理されているので、吐出された液滴１１０ｃ1は壁面１１２ｈに接触するものの直ちにはじかれ、この壁面１１２ｈ上を転がって第１積層部１１２ｅ上に転がり落ちる。第１積層部１１２ｅは前述したように親液性に処理されているので、転がり落ちた液滴１１０ｃ1は第１積層部１１２ｅ上で濡れ広がる。尚、この最初の液滴１１０ｃ1は、有機質バンク層１１２ｂの壁面１１２ｈの少なくとも一部に接触すれば良く、壁面１１２ｈと同時に有機物バンク層の上面１１２ｆに接するように吐出しても構わない。
続いて、２つ目以降の液滴１１０ｃ２は、図１７（Ｂ）に示すように、直前の液滴１１０ｃ1と重なり合わない程度の間隔を空けて吐出する。即ち、各液滴１１０ｃ１、１１０ｃ２…の滴下時の間隔Ｄを、各液滴の直径ｄより広くする（Ｄ＞ｄ）ことが好ましい。尚、この場合は１回の走査で吐出できる液滴の数が限られるので、十分な膜厚の正孔注入／輸送層を形成するためには、１つの画素領域Ａに対するインクジェットヘッドＨ１の走査を複数回行うことが好ましい。
【０１０５】
更に、インクジェットヘッドＨ１の走査を複数回行う際には、各走査回毎にインクジェットヘッドＨ１を主走査方向の直交方向である副走査方向（図１７中紙面方向）に僅かにシフトさせることにより、特定のノズルｎ1から別のノズルｎ1に切り替えて吐出を行うことが好ましい。このように、一つの画素領域Ａに対して複数のノズルを用いて吐出を行うことで、各ノズルに固有の液滴量の誤差が拡散するいわゆる誤差拡散の効果が生じ、正孔注入／輸送層の膜厚を均一にすることができる。
【０１０６】
また、図１７（Ｃ）に示すように、２つ目以降の液滴１１０ｃ２…を、直前の液滴１１０ｃ1と重なり合う程度の間隔で吐出してもよい。即ち、各液滴１１０ｃ１、１１０ｃ２…の滴下時の間隔Ｄを、各液滴の直径ｄより狭く（Ｄ＜ｄ）しても良い。尚、この場合は１回の走査で吐出できる液滴の数に制限がないので、十分な膜厚の正孔注入／輸送層を形成するために、１つの画素領域Ａに対するインクジェットヘッドＨ１の走査を１回としてもよく、複数回としてもよい。インクジェットヘッドＨ１の走査を複数回行う場合は、前述と同様に、各走査回毎にインクジェットヘッドＨ１を副走査方向にシフトさせ、特定のノズルｎ1から別のノズルｎ1に切り替えて吐出を行うことが好ましい。このように一つの画素領域Ａに対して複数のノズルを用いて吐出を行った場合は、上記と同様に、誤差拡散の効果により各画素領域Ａ毎に形成される正孔注入／輸送層の膜厚を均一にできる。
【０１０７】
特に、１つの画素領域Ａに対するインクジェットヘッドＨ１の走査を２回で行うとした場合は、１回目と２回目の走査方向を反対方向としても良く、同じ方向としてもよい。
１，２回目の走査方向を反対方向とした場合は、１回目の走査で画素領域Ａの半分の領域まで第１組成物を吐出し、２回目の走査で残りの半分の領域に吐出すればよい。また、１回目の走査により形成された領域をうめるように、２回目の走査を行うこともできる。
更に、１，２回目の走査方向を同一方向とした場合は、１回目の走査で各液滴同士が接触しない程度に間隔を空けて吐出し、２回目の走査で吐出済みの液滴の間を埋めるように吐出すればよい。もちろん、１つの画素領域を２つの領域に分けて吐出を行うことも可能である。
【０１０８】
ここで用いる第１組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（PEDOT）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸（PSS）等の混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール（IPA）、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（NMP）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（DMI）及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。
より具体的な第１組成物の組成としては、PEDOT/PSS混合物（PEDOT/PSS=1:20）：１２．５２重量％、PSS：１．４４重量％、IPA：１０重量％、NMP：２７．４８重量％、DMI：５０重量％のものを例示できる。尚、第１組成物の粘度は２〜２０Ｐｓ程度が好ましく、特に４〜１５ｃＰｓ程度が良い。
上記の第１組成物を用いることにより、吐出ノズルＨ２に詰まりが生じることがなく安定吐出できる。
なお、正孔注入／輸送層形成材料は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３に対して同じ材料を用いても良く、各発光層毎に変えても良い。
【０１０９】
図１６に示すように、吐出された第１組成物の液滴１１０ｃは、最終的には親液処理された電極面１１１ａ及び第１積層部１１２ｅ上に広がり、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填される。仮に、第１組成物の液滴１１０ｃが所定の吐出位置からはずれて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第１組成物滴１１０ｃで濡れることがなく、はじかれた第１組成物滴１１０ｃが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
【０１１０】
電極面１１１ａ上に吐出する第１組成物の全量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、第１組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定される。
【０１１１】
次に、図１８に示すような乾燥工程を行う。乾燥工程を行う事により、吐出後の第１組成物を乾燥処理し、第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させ、正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。
乾燥処理を行うと、第１組成物滴１１０ｃに含まれる極性溶媒の蒸発が、主に無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂに近いところで起き、極性溶媒の蒸発に併せて正孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。
これにより図１８に示すように、第１積層部１１２ｅ上に、正孔注入／輸送層形成材料からなる周縁部１１０ａ２が形成される。この周縁部１１０ａ２は、上部開口部１１２ｄの壁面（有機物バンク層１１２ｂ）に密着しており、その厚さが電極面１１１ａに近い側では薄く、電極面１１１ａから離れた側、即ち有機物バンク層１１２ｂに近い側で厚くなっている。
【０１１２】
また、これと同時に、乾燥処理によって電極面１１１ａ上でも極性溶媒の蒸発が起き、これにより電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層形成材料からなる平坦部１１０ａ1が形成される。電極面１１１ａ上では極性溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正孔注入／輸送層の形成材料が電極面１１１ａ上で均一に濃縮され、これにより均一な厚さの平坦部１１０ａが形成される。
このようにして、周縁部１１０ａ２及び平坦部１１０ａ1からなる正孔注入／輸送層１１０ａが形成される。
なお、周縁部１１０ａ２には形成されず、電極面１１１ａ上のみに正孔注入／輸送層が形成される形態であっても構わない。
【０１１３】
上記の乾燥処理は、例えば窒素雰囲気中、室温で圧力を例えば１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度にして行う。圧力が低すぎると第１組成物滴１１０ｃが突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、極性溶媒の蒸発速度が高まり、平坦な膜を形成する事ができない。
乾燥処理後は、窒素中、好ましくは真空中で２００℃で１０分程度加熱する熱処理を行うことで、正孔注入／輸送層１１０ａ内に残存する極性溶媒や水を除去することが好ましい。
【０１１４】
上記の正孔注入／輸送層形成工程では、吐出された第１組成物滴１１０ｃが、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる一方で、撥液処理された有機物バンク層１１２ｂで第１組成物がはじかれて下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。これにより、吐出した第１組成物滴１１０ｃを必ず下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填することができ、電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層１１０ａを形成することができる。
【０１１５】
また、上記の正孔注入／輸送層形成工程によれば、各画素領域Ａごとに最初に吐出する第１組成物の液滴１１０ｃ1を有機物バンク層１１２ｂの壁面１１２ｈに接触させるので、この液滴が壁面１１２ｈから第１積層部１１２ｅ及び画素電極面１１１ａに転がり込むため、第１組成物の液滴１１０ｃを画素電極１１１の周囲に優先的に濡れ広げて第１組成物をむらなく塗布することができ、これにより正孔注入輸送層１１０ａをほぼ均一な膜厚で形成できる。
【０１１６】
（４）発光層形成工程
次に発光層形成工程は、表面改質工程、発光層形成材料吐出工程、および乾燥工程、とからなる。
まず、正孔注入/輸送層１１０ａの表面を表面改質するために表面改質工程を行う。この工程にについては、以下に詳述する。次に、前述の正孔注入/輸送層形成工程と同様、インクジェット法により第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。その後、吐出した第２組成物を乾燥処理（及び熱処理）して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する。
【０１１７】
発光層形成工程では、正孔注入／輸送層１１０ａの再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる第２組成物の溶媒として、正孔注入／輸送層１１０ａに対して不溶な非極性溶媒を用いる。
しかしその一方で正孔注入／輸送層１１０ａは、非極性溶媒に対する親和性が低いため、非極性溶媒を含む第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出しても、正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂとを密着させることができなくなるか、あるいは発光層１１０ｂを均一に塗布できないおそれがある。
そこで、非極性溶媒ならびに発光層形成材料に対する正孔注入／輸送層１１０ａの表面の親和性を高めるために、発光層形成の前に表面改質工程を行うことが好ましい。
【０１１８】
そこで、表面改質工程について説明する。
表面改質工程は、発光層形成の際に用いる第１組成物の非極性溶媒と同一溶媒またはこれに類する溶媒である表面改質材を、インクジェット法（液滴吐出法）、スピンコート法またはディップ法により正孔注入／輸送層１１０ａ上に塗布した後に乾燥することにより行う。
【０１１９】
インクジェット法による塗布は、図１９に示すように、インクジェットヘッドＨ３に、表面改質材を充填し、インクジェットヘッドＨ３に形成された吐出ノズルＨ４から表面改質材を吐出する。前述の正孔注入/輸送層形成工程と同様に、吐出ノズルＨ４を基体２（すなわち、正孔注入／輸送層１１０ａが形成された基体２に対向させ、インクジェットヘッドＨ３と基体２とを相対移動させながら、吐出ノズルＨ４から表面改質材１１０ｄを正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出することにより行う。
【０１２０】
また、スピンコート法による塗布は、基体２を例えば回転ステージ上に載せ、上方から表面改質材を基体２上に滴下した後、基体２を回転させて表面改質材を基体２上の正孔注入／輸送層１１０ａの全体に広げることにより行う。なお、表面改質材は撥液化処理された上面１１２ｆ上にも一時的に広がるが、回転による遠心力で飛ばされてしまい、正孔注入／輸送層１１０ａ上のみに塗布される。
更にディップ法による塗布は、基体２を例えば表面改質材に浸積させた後に引き上げて、表面改質材を正孔注入／輸送層１１０ａの全体に広げることにより行う。この場合も表面改質材が撥液処理された上面１１２ｆ上に一時的に広がるが、引き上げの際に表面改質材が上面１１２ｆからはじかれて正孔注入／輸送層１１０ａのみに塗布される。
【０１２１】
ここで用いる表面改質材としては、第２組成物の非極性溶媒と同一なものとして例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を例示でき、第２組成物の非極性溶媒に類するものとして例えば、トルエン、キシレン等を例示できる。
特に、インクジェット法により塗布する場合には、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、またはこれらの混合物，特に第２組成物と同じ溶媒混合物等を用いることが好ましく、スピンコート法またはディップ法による場合は、トルエン、キシレン等が好ましい。
【０１２２】
次に、図２０に示すように、塗布領域を乾燥させる。乾燥工程は、インクジェット法で塗布した場合はホットプレート上に基体２を載せて例えば２００℃以下の温度で加熱して乾燥蒸発させることが好ましい。スピンコート法またはディップ法による場合は、基体２に窒素を吹き付けるか、あるいは基体を回転させて基体２表面に気流を発生させることで乾燥させることが好ましい。
尚、表面改質材の塗布を、正孔注入／輸送層入層形成工程の乾燥処理の後に行い、塗布後の表面改質材を乾燥させた後に、正孔注入／輸送層形成工程の熱処理を行っても良い。
このような表面改質工程を行うことで、正孔注入／輸送層１１０ａの表面が非極性溶媒になじみやすくなり、この後の工程で、発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａに均一に塗布することができる。
【０１２３】
尚、上記の表面改質材に、正孔輸送性材料として一般に用いられる前記の化合物２等を溶解して組成物とし、この組成物をインクジェット法により正孔注入／輸送層上に塗布して乾燥させることにより、正孔注入／輸送層上に極薄の正孔輸送層を形成しても良い。
【０１２４】
正孔注入／輸送層の大部分は、後の工程で塗布する発光層１１０ｂに溶け込むが、一部が正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂの間に薄膜状に残存し、これにより正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂとの間のエネルギー障壁を下げて正孔の移動を容易にし、発光効率を向上させることができる。
【０１２５】
次に発光層形成工程として、インクジェット法（液滴吐出法）により、発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出した後に乾燥処理して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する。
図２１に、インクジェットによる吐出方法の概略を示す。図２１に示すように、インクジェットヘッドＨ５と基体２とを相対的に移動し、インクジェットヘッドに形成された吐出ノズルＨ６から各色（たとえばここでは青色（Ｂ））発光層形成材料を含有する第２組成物が吐出される。
吐出の際には、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層１１０ａに吐出ノズルを対向させ、インクジェットヘッドＨ５と基体２とを相対移動させながら、第２組成物が吐出される。吐出ノズルＨ６から吐出される液量は１滴当たりの液量が制御されている。このように液量が制御された液（第２組成物滴１１０ｅ）が吐出ノズルから吐出され、この第２組成物滴１１０ｅを正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。
発光層形成工程は、正孔注入／輸送層形成工程と同様に、最初の液滴をバンク部１１２に当てるように吐出する。２つ目の液滴は、１つ目の液滴と重なるように吐出しても良いし、間隔を空けて吐出しても良い。更に１つの画素領域に対し、２回の走査に分けても良い。
【０１２６】
即ち、図１６及び図１７（Ａ）に示した場合と同様に、１つの開口部１１２ｇに対して吐出する最初の第２組成物の液滴は、有機質バンク層１１２ｂの傾斜した壁面１１２ｈに接触させるように吐出する。有機質バンク層１１２ｂの壁面１１２ｈは先の撥液化工程によって撥液性に処理されているので、吐出された液滴は壁面１１２ｈに接触するものの直ちにはじかれ、この壁面１１２ｈ上を転がって正孔注入／輸送層１１０ａ上に転がり落ちる。正孔注入／輸送層１１０ａは表面改質工程により非極性溶媒になじみやすく処理されているので、転がり落ちた液滴は正孔注入／輸送層１１２ａ上で濡れ広がる。尚、この最初の液滴は、有機質バンク層１１２ｂの壁面１１２ｈの少なくとも一部に接触すれば良く、壁面１１２ｈと同時に有機物バンク層の上面１１２ｆに接するように吐出しても構わない。
続いて、２つ目以降の液滴は、図１７（Ｂ）と同様に、直前の液滴と重なり合わない程度の間隔を空けて吐出する。即ち、各液滴の滴下時の間隔Ｄを、各液滴の直径ｄより広くする（Ｄ＞ｄ）ことが好ましい。尚、この場合は１回の走査で吐出できる液滴の数が限られるので、十分な膜厚の発光層１１２ｂを形成するためには、１つの画素領域Ａに対するインクジェットヘッドＨ５の走査を複数回行うことが好ましい。
【０１２７】
更に、インクジェットヘッドＨ５の走査を複数回行う際には、各走査回毎にインクジェットヘッドＨ５を主走査方向の直交方向である副走査方向に僅かにシフトさせることにより、特定のノズルから別のノズルに切り替えて吐出を行うことが好ましい。このように、一つの画素領域Ａに対して複数のノズルを用いて吐出を行うことで、各ノズルに固有の液滴量の誤差が拡散するいわゆる誤差拡散の効果が生じ、発光層１１２ｂの膜厚を均一にすることができる。
【０１２８】
また、図１７（Ｃ）と同様に、２つ目以降の液滴を、直前の液滴と重なり合う程度の間隔で吐出してもよい。即ち、各液滴の滴下時の間隔Ｄを、各液滴の直径ｄより狭く（Ｄ＜ｄ）しても良い。尚、この場合は１回の走査で吐出できる液滴の数に制限がないので、十分な膜厚の発光層１１２ｂを形成するために、１つの画素領域Ａに対するインクジェットヘッドＨ５の走査を１回としてもよく、複数回としてもよい。インクジェットヘッドＨ５の走査を複数回行う場合は、前述と同様に、各走査回毎にインクジェットヘッドＨ５を副走査方向にシフトさせ、特定のノズルから別のノズルに切り替えて吐出を行うことが好ましい。このように一つの画素領域Ａに対して複数のノズルを用いて吐出を行った場合は、上記と同様に、誤差拡散の効果により各画素領域Ａ毎に形成される発光層１１２ｂの膜厚を均一にできる。
【０１２９】
特に、１つの画素領域Ａに対するインクジェットヘッドＨ５の走査を２回で行うとした場合は、１回目と２回目の走査方向を反対方向としても良く、同じ方向としてもよい。
１，２回目の走査方向を反対方向とした場合は、１回目の走査で画素領域Ａの半分の領域まで第１組成物を吐出し、２回目の走査で残りの半分の領域に吐出すればよい。また、１回目の走査により形成された領域をうめるように、２回目の走査を行うこともできる。
更に、１，２回目の走査方向を同一方向とした場合は、１回目の走査で各液滴同士が接触しない程度に間隔を空けて吐出し、２回目の走査で吐出済みの液滴の間を埋めるように吐出すればよい。もちろん、１つの画素領域を２つの領域に分けて吐出を行うことも可能である。
【０１３０】
発光層形成材料としては、化合物１〜化合物５に示すポリフルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン係色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープして用いる事ができる。例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープすることにより用いることができる。
【０１３１】
非極性溶媒としては、正孔注入／輸送層１１０ａに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることができる。
このような非極性溶媒を発光層１１０ｂの第２組成物に用いることにより、正孔注入／輸送層１１０ａを再溶解させることなく第２組成物を塗布できる。
【０１３２】
図２１に示すように、吐出された第２組成物１１０ｅは、正孔注入／輸送層１１０ａ上に広がって下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる。その一方で、撥液処理された上面１１２ｆでは第１組成物滴１１０ｅが所定の吐出位置からはずれて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第２組成物滴１１０ｅで濡れることがなく、第２組成物滴１１０ｅが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
【０１３３】
各正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する第２組成物量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする発光層１１０ｂの厚さ、第２組成物中の発光層材料の濃度等により決定される。
また、第２組成物１１０ｅは１回のみならず、数回に分けて同一の正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出しても良い。この場合、各回における第２組成物の量は同一でも良く、各回毎に第２組成物の液量を変えても良い。更に正孔注入／輸送層１１０ａの同一箇所のみならず、各回毎に正孔注入／輸送層１１０ａ内の異なる箇所に第２組成物を吐出配置しても良い。
【０１３４】
次に、第２の組成物を所定の位置に吐出し終わった後、吐出後の第２組成物滴１１０ｅを乾燥処理することにより発光層１１０ｂ３が形成される。すなわち、乾燥により第２組成物に含まれる非極性溶媒が蒸発し、図２２に示すような青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３が形成される。なお、図２２においては青に発光する発光層が１つのみ図示されているが、図１やその他の図より明らかなように本来は発光素子がマトリックス状に形成されたものであり、図示しない多数の発光層（青色に対応）が形成されている。
【０１３５】
続けて、図２３に示すように、前述した青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３の場合と同様の工程を用い、赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ１を形成し、最後に緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ２を形成する。
なお、発光層１１０ｂの形成順序は、前述の順序に限られるものではなく、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層形成材料に応じて形成する順番を決める事も可能である。
【０１３６】
また、発光層の第２組成物の乾燥条件は、青色１１０ｂ３の場合、例えば、窒素雰囲気中、室温で圧力を１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度として５〜１０分行う条件とする。圧力が低すぎると第２組成物が突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、非極性溶媒の蒸発速度が高まり、発光層形成材料が上部開口部１１２ｄ壁面に多く付着してしまうので好ましくない。
また緑色発光層１１０ｂ２、および赤色発光層ｂ１の場合、発光層形成材料の成分数が多いために素早く乾燥させることが好ましく、例えば、４０℃で窒素の吹き付けを５〜１０分行う条件とするのがよい。
その他の乾燥の手段としては、遠赤外線照射法、高温窒素ガス吹付法等を例示できる。
このようにして、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０ｂが形成される。
【０１３７】
（５）対向電極（陰極）形成工程
次に対向電極形成工程では、図２４に示すように、発光層１１０ｂ及び有機物バンク層１１２ｂの全面に陰極１２（対向電極）を形成する。なお，陰極１２は複数の材料を積層して形成しても良い。例えば、発光層に近い側には仕事関数が小さい材料を形成することが好ましく、例えばＣａ、Ｂａ等を用いることが可能であり、また材料によっては下層にＬｉＦ等を薄く形成した方が良い場合もある。また、上部側（封止側）には下部側よりも仕事関数が高い材料、例えばＡｌを用いる事もできる。
これらの陰極１２は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点で好ましい。
また、フッ化リチウムは、発光層１１０ｂ上のみに形成しても良く、更に所定の色に対応して形成する事ができる。例えば、青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３上のみに形成しても良い。この場合、他の赤色（Ｒ）発光層及び緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２には、カルシウムからなる上部陰極層１２ｂが接することとなる。
【０１３８】
また陰極１２の上部には、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により形成したＡｌ膜、Ａｇ膜等を用いることが好ましい。また、その厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００〜５００ｎｍ程度がよい。また陰極１２上に、酸化防止のためにＳｉＯ２、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。
【０１３９】
（６）封止工程
最後に封止工程は、発光素子が形成された基体２と封止基板３ｂとを封止樹脂３ａにより封止する工程である。たとえば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂３ａを基体２の全面に塗布し、封止樹脂３ａ上に封止用基板３ｂを積層する。この工程により基体２上に封止部３を形成する。
封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極１２に侵入して陰極１２が酸化されるおそれがあるので好ましくない。
更に、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に例示した基板５の配線５ａに陰極１２を接続するとともに、駆動ＩＣ６に回路素子部１４の配線を接続することにより、本実施形態の表示装置１が得られる。
【０１４０】
（第２の実施形態）
次に、第１の実施形態の表示装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図２５（Ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図２５（Ａ）において、符号６００は携帯電話本体を示し、符号６０１は前記の表示装置を用いた表示部を示している。
図２５（Ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図２５（Ｂ）において、符号７００は情報処理装置、符号７０１はキーボードなどの入力部、符号７０３は情報処理装置本体、符号７０２は前記の表示装置を用いた表示部を示している。
図２５（Ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図２５（Ｃ）において、符号８００は時計本体を示し、符号８０１は前記の表示装置を用いた表示部を示している。
図２５（Ａ）〜図２５（Ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、前記の第１の実施形態の表示装置を用いた表示部を備えたものであり、先の第１の実施形態の表示装置の特徴を有するので、高輝度であって表示品質に優れた効果を有する電子機器となる。
これらの電子機器を製造するには、第１の実施形態と同様にして、図２に示すような駆動ＩＣ６（駆動回路）を備えた表示装置１を構成し、この表示装置１を、携帯電話、携帯型情報処理装置、腕時計型電子機器に組み込むことにより製造される。
【０１４１】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
図２６には、本発明に係る他の例の表示装置の断面模式図を示す。図２６に示す表示装置は、基体２と、基体２上に形成された表示素子１０と、基体２の周囲に環状に塗布された封止樹脂６０３と、表示素子１０上に備えられた封止部３とを具備して構成されている。
【０１４２】
基体２及び表示素子１０は、第１の実施形態に係る基体２及び表示素子１０と同じものである。表示素子１０は、発光素子部１１と、該発光素子部１１上に形成された陰極１２とを主体として構成されている。
【０１４３】
また図２６に示すように、発光素子部１１上には封止部３が備えられている。この封止部３は、陰極１２上に塗布された熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなる封止樹脂３ａと、封止樹脂３ａ上に配置された封止基板３ｂとからなる。なお、封止樹脂３ａとしては、硬化時にガス、溶媒等が発生しないものが好ましい。
この封止部３は、少なくとも発光素子部１１上にある陰極１２をほぼ覆うように形成されており、陰極１２及び発光層を含む機能層に対する水又は酸素の侵入を防いで、陰極１２または発光層の酸化を防止する。
尚、封止基板３ｂは、封止樹脂３ａに接合されて封止樹脂３ａを保護するものであり、ガラス板、金属板若しくは樹脂板のいずれかであることが好ましい。
【０１４４】
また図２７には、本発明に係る別の例の表示装置の断面模式図を示す。図２７に示す表示装置は、基体２と、基体２上に形成された表示素子１０と、表示素子１０の全面に塗布された封止樹脂３ａと、封止樹脂３ａ上に備えられた封止用基板３ｂとを具備して構成されている。
【０１４５】
基体２、表示素子１０、封止樹脂３ａ及び封止用基板３ｂは、第１の実施形態に係る基体２、表示素子１０、封止材３及び封止用基板４と同じものである。
【０１４６】
また、図２７に示すように、封止材３と陰極１２の間には保護層７１４が形成されている。保護層７１４は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなるものであり、厚さが１００〜２００ｎｍの範囲とされている。この保護層７１４は、陰極１２及び発光層を含む機能層に対する水又は酸素の侵入を防いで、陰極１２または発光層の酸化を防止する。
上記の表示装置によれば、水及び酸素の侵入を効果的に防いで陰極１２または発光層の酸化を防止することにより、表示装置の高輝度化及び長寿命化を図ることができる。
【０１４７】
また、第１の実施形態においては、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光層１１０ｂをストライプ配置した場合について説明したが、本発明はこれに限られず、様々な配置構造を採用しても良い。例えば図２８（Ａ）に示すようなストライプ配置の他、図２８（Ｂ）に示すようなモザイク配置や、図２８（Ｃ）に示すようなデルタ配置とすることができる。
【０１４８】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明の表示装置の製造方法によれば、各機能層ごとに前記バンク部内に最初に吐出する前記組成物の液滴を前記バンク部の少なくとも一部に接触させることにより、この液滴がバンク部から電極表面に転がり込むため、組成物の液滴を電極の周囲に優先的に濡れ広げて組成物をむらなく塗布することができ、これにより機能層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施形態の表示装置の配線構造の平面模式図。
【図２】 本発明の第１の実施形態の表示装置を示す図であって、図２（Ａ）は表示装置の平面模式図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＡＢ線に沿う断面模式図。
【図３】 本発明の第１の実施形態の表示装置の要部を示す図。
【図４】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図５】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図６】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造に用いるプラズマ処理装置の一例を示す平面模式図。
【図７】 図６に示したプラズマ処理装置の第１プラズマ処理室の内部構造を示す模式図。
【図８】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図９】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図１０】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造に用いるプラズマ処理装置の別の例を示す平面模式図。
【図１１】 本発明の第１の実施形態の表示装置を製造する際に用いるヘッドを示す平面図。
【図１２】 本発明の第１の実施形態の表示装置を製造する際に用いるインクジェット装置を示す平面図。
【図１３】 本発明の第１の実施形態の表示装置を製造する際に用いるインクジェットヘッドの一例を示す斜視図。
【図１４】 図１３に示すインクジェットヘッドの内部構造を示す図であって、図１４（Ａ）は斜視図、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）のＪ−Ｊ線に沿う断面図。
【図１５】 基体に対するインクジェットヘッドの配置状態を示す平面図。
【図１６】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図１７】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図であって、図１７（Ａ）は最初の液滴を吐出させたときの状態を示す断面図、図１７（Ｂ）は２つ目以降の液滴を吐出させたときの状態の一例を示す断面図、図１７（Ｃ）は２つ目以降の液滴を吐出させたときの状態の別の例を示す断面図。
【図１８】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図１９】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図２０】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図２１】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図２２】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図２３】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図２４】 本発明の第１の実施形態の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図２５】 本発明の第２の実施形態の電子機器を示す斜視図。
【図２６】 本発明に係る他の例の表示装置を示す断面模式図。
【図２７】 本発明に係る別の例の表示装置を示す断面模式図。
【図２８】 発光層の配置を示す平面模式図であって、図２８（Ａ）はストライプ配置、図２８（Ｂ）はモザイク配置、図２８（Ｃ）はデルタ配置を示す図。
Claims (28)
- 基体上に形成された複数の電極の周囲にバンク部を形成するとともに、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に前記機能層を各々形成することにより、各前記電極上に形成した各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置を製造する方法であり、
前記複数のノズルが配列されてなるノズル列を主走査方向に対して傾斜させた状態で前記基体上を走査させつつ、各機能層ごとに最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記バンク部に親液性に処理された部分と撥液性に処理された部分とを設け、前記組成物の液滴を、前記の撥液性に処理された部分に接触させることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
- 前記バンク部を親液性に処理された第１バンク層と撥液性に処理された第２バンク層から形成するとともに、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成することを特徴とする請求項２に記載の表示装置の製造方法。
- 基体上に形成された複数の電極上の各々に機能層が形成されるとともに、前記の各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置の製造方法であり、
前記電極の一部と重なるように前記バンク部を形成するバンク部形成工程と、少なくとも前記電極の一部を親液性に処理する親液化工程と、前記バンク部の一部を撥液性に処理する撥液化工程と、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に少なくとも一層の機能層を形成する機能層形成工程と、前記機能層上に対向電極を形成する対向電極形成工程とを具備してなり、
前記機能層形成工程において、前記複数のノズルが配列されてなるノズル列を主走査方向に対して傾斜させた状態で前記基体上を走査させつつ、各機能層ごとに最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記バンク部は、前記親水化工程により親液性に処理された第１バンク層と、前記撥液化工程により撥液性に処理された第２バンク層から形成されてなり、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成されてなることを特徴とする請求項４に記載の表示装置の製造方法。
- 前記機能層が、少なくとも正孔注入／輸送層を含むものであることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
- 前記機能層が、少なくとも発光層を含むものであることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
- 前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を、前記液滴の直径より広くすることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
- 前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を、前記液滴の直径より狭くすることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
- 各機能層に対する前記ノズル列の走査回数が１回であることを特徴とする請求項９に記載の表示装置の製造方法。
- 各機能層に対する前記ノズル列の走査回数が複数回であることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の表示装置の製造方法。
- 各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に、別のノズルを用いることを特徴とする請求項８、請求項９または請求項１１のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
- 各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に、前記ノズル列を副走査方向にシフトさせることにより、走査毎に別のノズルを用いるようにしたことを特徴とする請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
- 請求項１ないし請求項１３のいずれかに記載された表示装置の製造方法により製造されたものであることを特徴とする表示装置。
- 基体上に形成された複数の電極の周囲にバンク部を形成するとともに、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に前記機能層を各々形成することにより、各前記電極上に形成した各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置と、前記表示装置を駆動するための駆動回路とを有してなる電子機器の製造方法であり、
前記複数のノズルが配列されてなるノズル列を主走査方向に対して傾斜させた状態で前記基体上を走査させつつ、各機能層ごとに最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする電子機器の製造方法。 - 前記バンク部に親液性に処理された部分と撥液性に処理された部分とを設け、前記組成物の液滴を、前記の撥液性に処理された部分に接触させることを特徴とする請求項１５に記載の電子機器の製造方法。
- 前記バンク部を親液性に処理された第１バンク層と撥液性に処理された第２バンク層から形成するとともに、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成さすることを特徴とする請求項１６に記載の電子機器の製造方法。
- 基体上に形成された複数の電極上の各々に機能層が形成されるとともに、前記の各機能層の間にバンク部が備えられてなる表示装置と、前記表示装置を駆動するための駆動回路とを有してなる電子機器の製造方法であり、
前記電極の一部と重なるように前記バンク部を形成するバンク部形成工程と、少なくとも前記電極の一部を親液性に処理する親液化工程と、前記バンク部の一部を撥液性に処理する撥液化工程と、複数のノズルから組成物を吐出して各前記電極上に少なくとも一層の機能層を形成する機能層形成工程と、前記機能層上に対向電極を形成する対向電極形成工程とを具備してなり、
前記機能層形成工程において、前記複数のノズルが配列されてなるノズル列を主走査方向に対して傾斜させた状態で前記基体上を走査させつつ、各機能層ごとに最初に吐出する前記組成物の液滴を、前記バンク部の少なくとも一部に接触させるように吐出することを特徴とする電子機器の製造方法。 - 前記バンク部は、前記親水化工程により親液性に処理された第１バンク層と、前記撥液化工程により撥液性に処理された第２バンク層から形成されてなり、前記第１バンク層が前記電極の一部と重なるように形成されてなることを特徴とする請求項１８に記載の電子機器の製造方法。
- 前記機能層が、少なくとも正孔注入／輸送層を含むものであることを特徴とする請求項１５ないし請求項１９のいずれかに記載の電子機器の製造方法。
- 前記機能層が、少なくとも発光層を含むものであることを特徴とする請求項１５ないし請求項２０のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
- 前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を、前記液滴の直径より広くすることを特徴とする請求項１５ないし請求項２２のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
- 前記機能層形成工程において、前記組成物の液滴を複数回吐出することにより各前記機能層を形成するとともに、各液滴の滴下時の間隔を、前記液滴の直径より狭くすることを特徴とする請求項１５ないし請求項２２のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
- 各機能層に対する前記ノズル列の走査回数が１回であることを特徴とする請求項２３に記載の表示装置の製造方法。
- 各機能層に対する前記ノズル列の走査回数が複数回であることを特徴とする請求項２２または請求項２３に記載の表示装置の製造方法。
- 各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に、別のノズルを用いることを特徴とする請求項２２、請求項２３または請求項２５のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
- 各機能層に対する前記ノズル列の走査毎に、前記ノズル列を副走査方向にシフトさせることにより、走査毎に別のノズルを用いるようにしたことを特徴とする請求項２６に記載の表示装置の製造方法。
- 請求項１５ないし請求項２７のいずれかに記載された電子機器の製造方法により製造されたものであることを特徴とする電子機器。
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