TW577160B - Semiconductor device and manufacturing method thereof - Google Patents

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TW577160B
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semiconductor
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Takeshi Wakabayashi
Ichiro Mihara
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Casio Computer Co Ltd
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577160 玖、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、內容、實施方式及圖式簡單說明） ㈠[發明所屬之技術領域] 本發明係關於半導體裝置及其製造方法，更具體而言， 和如晶片型封裝（CSP)之在半導體晶片之一面上直接形成 再配線之半導體裝置及其製造方法相關。 ㈡[先前技術] 例如，在被稱爲BGA(ball grid array)之半導體裝置上， 將由LSI等所構成之半導體晶片配置於比該半導體晶片尺 寸稍大之尺寸的仲介基板（inter poser)上面中央部，而在仲 _ 介基板下面則利用焊球配置著矩陣狀之連結端子。 第45圖係傳統之此種半導體裝置實例的縱剖面圖。半 導體晶片1之構造上，矽基板2之周圍部上設有以銅等所 構成之複數塊形電極3。 仲介基板4具有尺寸比半導體晶片1之砂基板2尺寸稍 大之基片5。基片5上面，設有連結於半導體晶片1之塊形 電極3之再配線6。 再配線6係含有對應半導體晶片1之塊形電極3設置之 φ 第1連結墊7、矩陣狀配置之第2連結墊8、以及連結第！ 及第2連結墊7、8之引線9。對應第2連結墊8之中央部 的部分上之基片5上，設有圓孔1 0。 其次，半導體晶片1利用異向性導電黏著劑1丨載置於 仲介基板4上面中央部。異向性導電黏著劑1 1係以熱硬化 性樹脂1 2中含有多數導電性粒子1 3之物所構成。 將半導體晶片1配置於仲介基板4上時，首先，在仲介 基板4上面中央部以板狀之異向性導電黏著劑1 1實施半導 577160 體晶片1之定位並載置而已。 其次，在熱硬化性樹脂1 2之硬化溫度下施加特定壓力 實施壓焊。如此，塊形電極3會將熱硬化性樹脂1 2向後壓’ 和第1連結墊7上面經由導電性粒子1 3實施電性相連’而 且，半導體晶片1下面會利用熱硬化性樹脂1 2黏著於仲介 基板4上面。 其次，含有半導體晶片1之仲介基板4的上面整體會形 成以環氧系樹脂構成之樹脂密封膜1 4。其次，圓孔1 0內及 其下方會以連結於第2連結墊8之方式形成焊球1 5。此時’ _ 因第2連結墊8係採矩陣狀配置，故焊球1 5亦爲矩陣狀配 置。 此時，因爲焊球1 5之尺寸大於半導體晶片1之塊形電 極3的尺寸，且爲了避免各焊球1 5互相接觸，其配置間隔 必須大於塊形電極3之配置間隔。因此，增加半導體晶片1 之塊形電極數時，爲了使各焊球1 5獲得必要之配置間隔’ 配置區域會大於半導體晶片1之尺寸，因此，仲介基板4 之尺寸應稍大於半導體晶片1之尺寸。因此’矩陣狀配置 φ 之焊球1 5當中，將周圍部之焊球1 5配置於半導體晶片1 之周圍。 如上面所述，半導體晶片1之周圍亦具有利用焊球1 5 之連結端子的傳統半導體裝置係利用形成再配線6之仲介 基板4實施壓焊，其構成上係利用異向性導電黏著劑Π之 導電性粒子1 3使半導體晶片1之塊形電極3下面和仲介基 板4之再配線6的第1連結電極7上面電性相連，而有因 壓焊狀態而導致連結不良之可能性的問題。又，半導體晶 577160 片1必須逐片壓焊至仲介基板4上，而有製造步驟十分煩 雜的問題。此種情形在具有複數個半導體晶片之多晶片模 組型半導體裝置時亦相同。又，尤其是，多晶片模組型半 導體裝置時，往往除了複數個半導體晶片以外尙具有電容 器、感應器、及電阻等晶片元件，若半導體晶片及晶片元 件之形狀或厚度不同，則壓焊步驟將更爲煩雜。 ㈢[發明內容] 因此，本發明之目的，係針對在半導體晶片之周圍亦具 有連結端子之半導體裝置，提供一種半導體裝置及其製造 方法，可以在不使用仲介基板之情形下，確實實施半導體 晶片及再配線之電性相連。 又，本發明之目的，係在提供一種半導體裝置製造方 法，可以整體製造複數之半導體裝置。 本發明係提供一種半導體裝置，其特徵爲具有： 上面具有連結墊之至少1個之半導體晶片、以覆蓋該半 導體晶片之一面及周圍面設置之至少1層之絕緣膜、以及 以連結至該半導體晶片之連結墊的方式設於該絕緣膜上面 之再配線，且該再配線之至少一部分具有配置於該半導體 晶片之周圍的該絕緣膜區域之墊部。 又，本發明係提供一種半導體裝置之製造方法，其特徵 爲：提供基板；分別將上面具有複數連結墊之複數半導體 晶片，以該上面朝上且在該基板上以互相隔開之方式固 定；在含該半導體晶片上面之該基板上面整體，形成正面 爲平坦之絕緣膜；該絕緣膜上形成複數組之再配線；該再 配線分別連結於該任一該半導體晶片之該連結墊，且，至
577160 少該再配線之一部分具有墊部，該墊部係配置於該絕緣膜 之區域’該絕緣膜之區域係形成於該半導體晶片周圍，該 半導體晶片則連結於該連結墊；以及可得到複數半導體裝 置’該半導體裝置具有切斷該各半導體晶片間之該絕緣膜 的至少1個之該半導體晶片、形成於該半導體晶片之周圍 的該絕緣膜之區域（註：絕緣膜本身）、及具有配置於該絕 緣膜區域之墊部的再配線。 ㈣[實施方式] (第1實施形態） 第1圖係本發明第1實施形態半導體裝置之平面圖，第 2圖係第1圖所示半導體裝置之適當部分的縱剖面圖。此 時，爲了方便圖示，第1圖及第2圖之各部尺寸並不一致。 本半導體裝置具有以樹脂板、金屬板、玻璃板等所構成 之平面正方形基板2 1。基板2 1上面整體，設有以黏著劑、 粘著板、兩面膠帶等所構成之黏著層2 2。黏著層2 2上面中 央部，黏著著尺寸稍小於基板2 1尺寸之平面且大致爲正方 形之半導體晶片23的矽基板24下面。 半導體晶片23之構造上，係在矽基板24上面周圍部設 有以鋁等所構成之複數連結墊25，除了連結墊25之中央部 以外之矽基板24的上面整體，則設有以氧化矽等無機材料 所構成之絕緣膜2 6，連結墊2 5之中央部會經由設於絕緣膜 26上之開口部27而外露。 含有半導體晶片23之黏著層22的上面整體，會以上面 爲平坦之方式設有以聚醯亞胺或環氧系樹脂等有機材料所 構成之第1絕緣膜3 1。此時，對應第1絕緣膜3 1之半導體 -10- 577l6〇 晶片23之開口部27的部分，會設有開口部32。經由兩開 口部27、32外露之連結墊25上面，會在第1絕緣膜31上 面的特定部位設置第1基底金屬層133。第1基底金屬層 1 3 3上面整體則設有第1再配線1 34。 含有第1再配線134之第1絕緣膜31的上面整體，會 以上面爲平坦之方式設置以聚醯亞胺或環氧系樹脂等有機 材料所構成之第2絕緣膜3 5。此時，對應第2絕緣膜3 5 之第1再配線34之墊部的部分會設有開口部36。經由開口 部3 6外露之第1再配線3 4之墊部的上面，會在第2絕緣 鲁 膜35上面的特定部位設置第2基底金屬層37。第2基底金 屬層3 7上面整體則設有第2再配線3 8。 含有第2再配線3 8之第2絕緣膜3 5的上面整體，會以 上面爲平坦之方式設置以聚醯亞胺或環氧系樹脂等有機材 料所構成之第3絕緣膜39。此時，對應第3絕緣膜39之第 2再配線3 8之墊部的部分會設有開口部40。開口部40內 及其上方，設有連結至第2再配線3 8之墊部的焊球4 1。複 數之焊球4 1係採第1圖所示之矩陣狀配置。 φ 此時，基板2 1之平面尺寸大於半導體晶片23之尺寸十 分重要，利用此方式，可使焊球4 1之配置區域大於半導體 晶片23之平面尺寸，而可擴大焊球4 1之間距及大小。因 此，即使具有半導體晶片23之連結墊25數增加，亦可使 焊球4 1具有必要之間距及大小，進而確保壓焊之可靠性。 因爲採用此方式，矩陣狀配置之焊球4 1當中，至少最外側 之周圍部的焊球4 1會配置於對應半導體晶片23之區域的 外緣。 >77160 其次’針對本半導體裝置之製造方法的一實例進行說 明。首先’準備如第3圖所示者，係在可獲得複數第2圖 所示基板21之基板21的上面整體設有黏著層22者。其次， 在黏著層22上面的特定複數部位上，分別黏著半導體晶片 2 3之矽基板2 4的下面。 其次’如第4圖所示，在含有複數半導體晶片23之黏 著層2 2的上面整體，形成以聚醯亞胺或環氧系樹脂等有機 材料所構成之第丨絕緣膜3丨。第1絕緣膜3 1之形成上，可 以使用公知之塗敷法’此處則建議最好採用旋轉塗膜法。 採用旋轉塗膜法時，首先，對基板2丨上之適當區域滴下液 狀絕緣膜材料’使基板2 1旋轉，使絕緣膜材料覆蓋於含所 有半導體晶片23及各半導體晶片23間在內之基板21整 面。其後，使絕緣膜材料乾燥，利用光刻法等，在對應半 導體晶片2 3之開口部2 7的部分形成開口部3 2，形成第1 絕緣膜3 1。採用旋轉塗膜法時，爲了均一塗敷絕緣膜材料 並獲得平坦上面，半導體晶片23之厚度應較薄，並無限定 之意思，但最好爲2 0〜7 0 // m之厚度。又，形成第1絕緣 膜3 1之其他良好方法尙有網板印染法。網板印染法時，應 以在對應各半導體晶片2 3之開口部2 7的部分形成開口部 3 2之方式實施印刷。利用此種方法，第1絕緣膜3 1可以上 面爲平坦之方式全面形成於半導體晶片23上面及半導體 晶片23間，而可確實將所有半導體晶片23接合於基板2 1 上。此時，亦有不在半導體晶片2 3上面而只在半導體晶片 2 3間形成第1絕緣膜3 1之方法，此時，因各半導體晶片 2 3只利用黏著劑層2 2固黏於基板2 1上，各半導體晶片2 3 -12- 577160 & ®板2 1之接合強度可能會不足。 其次，在包含經由兩開口部27、32外露之連結墊25的 11面在內之第1絕緣膜3 1上面整體，會形成第1基底金屬 層3 3。第1基底金屬層3 3可以爲例如只爲以濺鍍形成之銅 Μ考’或者，亦可爲在以濺鍍形成之鈦等薄膜層上以濺鍍 形成之銅層者。此點，後述之第2基底金屬層37亦同。 其次，在第1基底金屬層33上面形成電鍍抗蝕膜51之 @案。此時，對應第1再配線3 4形成區域部分之電鍍抗蝕 膜51上，會形成開口部52。其次，將第1基底金屬層33 φ # f故電鍍電流路實施銅等之電解電鍍，在電鍍抗蝕膜5 1之 _ 〇部52內的第1基底金屬層33上面形成第1再配線34。 其次，剝離電鍍抗蝕膜51，接著，將第1再配線34當 做遮罩’對第丨基底金屬層3 3之不需重要部位分實施蝕刻 除去’如此，如第5圖所示，只有第1再配線34下會殘留 第1基底金屬層33。 其次，如第6圖所示，在含有第1再配線3 4之第1絕 緣膜3 1的上面整體，形成以聚醯亞胺或環氧系樹脂等有機.鲁 材料所構成之第2絕緣膜35。第2絕緣膜35亦可以旋轉塗 膜法或網板印染法形成。第2絕緣膜3 5上面爲平坦，其對 應第1再配線3 4之墊部的部分會形成開口部3 6。其次，在 含有從開口部3 6外露之第1再配線3 4之墊部的第2絕緣 膜35上面整體，形成第2基底金屬層37。 其次，在第2基底金屬層33上面形成電鍍抗蝕膜53之 圖案。此時，對應第2再配線3 8形成區域部分之電鍍抗蝕 膜53上，會形成開口部54。其次，將第2基底金屬層37
-13- 577160 當做電鍍電流路實施銅等之電解電鍍，在電鍍抗蝕膜5 3之 開口部54內的第2基底金屬層37上面形成第2再配線38。 其次，剝離電鍍抗蝕膜53，接著，將第2再配線38當 做遮罩實施第2基底金屬層37之不需重要部位分的蝕刻除 去，如此，如第7圖所示，只有第2再配線3 8下會殘留第 2基底金屬層37。 其次’如第8圖所示，含有第2再配線3 8之第2絕緣 月旲3 5的上面整體，仍利用旋轉塗膜法或網板印染法形成以 聚醯亞胺或環氧系樹脂等有機材料所構成之第3絕緣膜 3 9。此時，第3絕緣膜3 9上面爲平坦，其對應第2再配線 3 8之墊部的部分上會形成開口部4〇。其次，開口部4〇內 及其上方會形成連結於第2再配線3 8之墊部的焊球4 1。 其次，如第9圖所示，切離相鄰半導體晶片2 3、2 3間 之3層絕緣膜39、35、31、黏著層22、及基板21，即可得 到複數個第1圖及第2圖所示之半導體裝置。 以此方式得到之半導體裝置中，連結於半導體晶片2 i 之連結墊25的第1基底金屬層33及第1再配線34係以濺 鍍及電解電鍍形成，連結於第1再配線3 4之墊部的第2基 底金屬層3 7及第2再配線3 8亦以濺鍍及電解電鍍形成， 故半導體晶片2 1之連結墊25及第1再配線34間之電性相 連、以及第1再配線34及第2再配線38間之電性相連十 分確實。 又，本實施形態之製造方法中，基板2 1上之黏著層2 2 上的特定複數部位會以黏著方式分別配置著半導體晶片 23,並對複數半導體晶片23整體形成第1〜第3絕緣膜31、 577160 35、39、第1、第2基底金屬層33、η、第1、第2再配線 34 ' 3 8、及焊球4 1，其後再進行切斷而得到複數個半導體 裝置’可實現製造步驟之簡單化。又，因同時搬運基板21 及複數之半導體晶片23，亦可實現製造步驟之簡單化。又， 若基板2 1之外形尺寸爲一定，則不論製造之半導體裝置的 外形尺寸如何，而可實現搬運系之共用化。 其次，針對第1圖及第2圖所示半導體裝置之製造方法 的其他實例進行說明。首先，準備如第1 〇圖所示者，係在 以紫外線透射性透明樹脂板或玻璃板等所構成之其他基板 5 5的上面整體，黏著以紫外線硬化型粘著板等所構成之黏 著層5 6，然後在黏著層5 6上面再黏著上述基板2 1及黏著 層22者。 其次，經過第3圖〜第8圖所示之製造步驟後，如第1 1 圖所示，切斷3層絕緣膜39、35、31、黏著層22、基板21、 及黏著層5 6，而不切斷其他基板5 5。其次，從其他基板5 5 下面側照射紫外線，使黏著層5 6硬化。如此，可降低黏著 層5 6對切斷之基板2 1下面的黏著性。此時，只要逐一拾 取存在於黏著層56上之單片化物，即可得到複數第1圖及 第2圖所示之半導體裝置。 本製造方法中，如第11圖所示之狀態下’存在於黏著 層56上之單片化半導體裝置不會散亂分離’不必使用專用 之半導體裝置載置用盤，在安裝至圖上未標示之電路基板 上時，直接逐一拾取即可。又’剝離殘留於其他基板5 5上 面之黏著性降低的黏著層5 6，其他基板5 5可再利用。又’ 若其他基板55之外形尺寸爲一定’則不論製造之半導體裝 -15- 577160 置的外形尺寸如何，而可實現搬運系之共用化。又，黏著 層5 6有時亦可採用熱硬化型粘著板等。 此外，第1 0圖所示其他基板5 5亦可爲盤狀。亦即’採.· 用邊緣部具有側壁之盤狀，在側壁上面形成導電性金屬 層。其次，利用電解電鍍形成第1再配線層3 4或第2再配 線層38時，以導電體連結第1基底金屬層33或第1基底 金屬層37、以及形成於側壁上面之導電性金屬層，將導電 性金屬層及導電體當做電鍍電流路。如此’採用盤狀之基 板5 5，即使基板2 1之尺寸不同’亦可收容於盤狀之基板 5 5內，而可隨時以同一條件實施電解電鍍。 (第2實施形態） 第1 2圖係本發明第2實施形態之半導體裝置的縱剖面 圖。本半導體裝置和第2圖所示半導體裝置之較大不同 點，係第1再配線3 4之墊部上設有柱狀電極6 1，此柱狀電 極6 1上則連結著第2再配線3 8下之第2基底金屬層3 7。 其次，針對此半導體裝置之製造方法之一實例進行說 明。此時，在如第4圖所示之狀態下，至剝離電鍍抗蝕膜 5 1爲止之製造步驟和上述相同，故針對其後之製造步驟進 行說明。 在第4圖所示狀態下剝離電鍍抗蝕膜5 1，其次，如第 13圖所示，對應含有第1再配線34之第1基底金屬層33 上面會形成電鍍抗蝕膜62之圖案。此時，對應第1再配線 34之墊部部分的電鍍抗蝕膜62上，會形成開口部63。 其次，將第1基底金屬層3 3當做電鍍電流路’實施銅 等之電解電鍍，在電鍍抗蝕膜62之開口部63內的第1再 -16- 577160 配線3 4之墊部上面，形成高度爲5 0〜1 5 0 // m程度之柱狀 電極61。其次，剝離電鍍抗蝕膜62，接著，將第1再配線 34當做遮罩，對第1基底金屬層33之不需重要部位分實施 蝕刻除去，如此，如第14圖所示，只有第1再配線3 4下 會殘留第1基底金屬層33。 其次，如第1 5圖所示，在含有柱狀電極6 1及第1再配 線3 4之第1絕緣膜3 1的上面整體，形成以聚醯亞胺或環 氧系樹脂等有機材料所構成之第2絕緣膜35，其厚度會比 柱狀電極6 1之高度稍厚。因此，此狀態下，柱狀電極61 上面會覆蓋著第2絕緣膜35。其次，對第2絕緣膜35上面 側進行適度硏磨，如第1 6圖所示，可使柱狀電極6 1上面 外露。 其後，經由和第7圖及第8圖所示大致相同之製造步 驟，如第1 7圖所示，在柱狀電極61上面之第2絕緣膜3 5 上面形成第2基底金屬層3 7及第2再配線3 8，在第2再配 線3 8之弟2絕緣膜3 5上面形成第3絕緣膜3 9之圖案，第 3絕緣膜3 9之開口部40內及其上方則形成連結於第2再配 線3 8之墊部的焊球4 1。 其次，切斷如第1 8圖所示之相鄰半導體晶片23、23間 的3層絕緣膜39、35、31、黏著層22、及基板21，而得到 複數個第1 2圖所示之半導體裝置。 利用此方式得到之半導體裝置上，係利用濺鍍及電解電 鍍形成連結於半導體晶片2 1之連結墊25的第1基底金屬 層33及第1再配線34，利用電解電鍍在第1再配線34之 墊部上形成柱狀電極6 1，以濺鍍及電解電鍍形成連結於柱 -17- 577160 狀電極6 1上面之第2基底金屬層3 7及第2再配線3 8，使 半導體晶片2 1之連結墊2 5及第丨再配線3 4間之電性相 連、使第1配線層3 4及柱狀電極61間之電性相連、以及 使柱狀電極6 1及第2再配線3 8間之電性相連更爲確實。 又’此半導體裝置中，因具有高度爲50〜150#m之相 對較高之柱狀電極61，故第1再配線3 3及第2再配線3 8 間之間隔會相對較大，而可降低兩再配線3 3、3 8間之電子 干擾。又’利用焊球4 1將此半導體裝置安裝於圖上未標示 之電路基板上後，亦可利用柱狀電極6 1，使因矽基板24 及電路基板間之熱膨漲係數差所導致之應力獲得某種程度 的緩和。 又’本實施形態之製造方法中，基板21上之黏著層22 上的特定複數部位上分別以黏著方式配置著半導體晶片 23，對複數半導體晶片23整體形成第1〜第3絕緣膜31、 35、39、第1、第2基底金屬層33、37、第1、第2再配線 3 4、3 8、柱狀電極6 1、及焊球4 1然後再實施切斷而得到複 數個半導體裝置，故可實現製造步驟之簡單化。又，因同 時搬運基板2 1及複數半導體晶片23，利用此方式’亦可獲 得製造步驟之簡單化。又，若基板2 1之外形尺寸爲一定， 則不論製造之半導體裝置的外形尺寸如何，而可實現搬運 系之共用化。 又，本實施形態之其他實製造方法上’準備在第1 0圖 所示之其他基板5 5上面設有黏著層5 6者’形成焊球4 1後， 切斷3層絕緣膜3 9、3 5、3 1、黏著層2 2、基板2 1、及黏著 層5 6，然後，逐一拾取存在於黏著層5 6上之單片化者亦 -18 - 577160 可° (第3實施形態） 第3圖所示之製造步驟中，將黏著層22設於半導體晶 片23之矽基板24下面，並將此黏著層22黏著於基板21 上面之各特定部位時’可得到如第1 9圖所示之本發明第3 實施形態之半導體裝置。 (第4實施形態） 又，第1 2圖所示之第2實施形態中，如第3實施形態 所示，將黏著層22設於半導體晶片23之矽基板24下面， 且將此黏著層22黏著於基板2 1上面之各特定部位時，得 到第20圖所示本發明之第4實施形態之半導體裝置。 第3實施形態及第4實施形態之半導體裝置中，除了半 導體晶片2 1之矽基板22下面利用黏著層22黏著於介基板 2 1上面以外，矽基板24側面等會利用第1絕緣膜3 1固定 於基板21上面，故無需考慮第1絕緣膜3 1及黏著層22之 黏著性，選擇第1絕緣膜3 1之材料只需考慮和基板2 1之 接合強度即可。 (第5實施形態） 第2 1圖係本發明第5實施形態之半導體裝置的縱剖面 圖。此半導體裝置和第2圖所示半導體裝置不同之處，就 是具有基板21及黏著層22。 製造此第5實施形態之半導體裝置時，其前提條件爲在 第8圖所示狀態下以紫外線透射性透明樹脂板或玻璃板等 構成基板2 1、以及以紫外線硬化型粘著板等構成黏著層 22 °其次’如第22圖所示，切斷相鄰半導體晶片23、23 -19- 577160 間之3層絕緣膜3 9、3 5、3 1、及黏著層2 2，而不切斷基板 21° 其次，從基板2 1下面側照射紫外線，使黏著層2 2硬化。 如此，可降低黏著層2 2對半導體晶片2 3之矽基板2 4及其 周圍之第1絕緣膜3 1下面的黏著性。因此，可逐一拾取 存在於黏著層22上之單片化者，而得到複數個如第2 1圖 所示之半導體裝置。 以此方式得到之半導體裝置中，因不具有基板2 1及黏 著層22，而可實現該部分之薄型化。又，存在於黏著層22 φ 上之單片化半導體裝置不會散亂分離，不必使用專用之半 導體裝置載置用盤，在安裝至圖上未標示之電路基板上 時，直接逐一拾取即可。又，剝離殘留於基板2 1上面之黏 著性降低的黏著層22，基板2 1可再利用。 (第6實施形態） 具有第1 2圖所示柱狀電極6 1之半導體裝置時，經由和 上述第5實施形態大致相同之製造步驟，可得到第23圖所 示本發明第6實施形態之不具有基板2 1及黏著層22的半 φ 導體裝置。 (第7實施形態） 如第9圖所示時，係在相鄰半導體晶片23、23間實施 切斷，然而，不一定要採取此方式，例如，將2個或2個 以上之半導體晶片23視爲1組實施切斷，而得到多晶片模 組型半導體裝置亦可。第24圖所示本發明之第7實施形態 中，圖示之2個半導體晶片23，並未對兩者之間實施切斷’ 而是以至少含有2個半導體晶片2 3之方式來實施切斷。此 -20- 577160 時’位於相鄰半導體晶片23、23間之第2基底金屬層37 及第2再配線層38的形成上，會使兩半導體晶片23、23 爲電性相連。本實施形態中，在第2再配線層3 8上形成2 個焊球4 1 ’然而，亦可利用1個來實施電性相連。如此， 利用切斷分離之半導體裝置可分別含有複數半導體晶片 23 ’亦即’可實現多晶片模組，而此方式亦可適用於上述 全部其他實施形態。 (第8實施形態） 第24圖所示，係以2個或2個以上之半導體晶片23爲 1組實施切斷，然而，並不限於此，例如，如第25圖所示 本發明之第8實施形態，切斷成單片後之半導體裝置上， 基板2 1上除了配著著2個或2個以上之半導體晶片23以 外，尙可配置由電容器、感應器、電阻等所構成之晶片元 件7 1。此時，應使連結於晶片元件71之第1再配線34a 和連結於半導體晶片23之第1再配線34有適度連結，又， 使連結於晶片元件7 1之第1再配線3 4 a和第2再配線3 8 有適度連結。 而且，分別如第24圖及第25圖所示時，雖然半導體晶 片2 3或晶片元件7 1之形狀或厚度互相不同’亦可整體形 成第1〜第3絕緣膜31、3 5、3 9、第1、第2再配線3 4、 3 8、及焊球4 1等’其後再實施切斷得到複數個半導體裝置’ 故可實現製造步驟之簡單化。 (各實施形態之變形例） 上述之實施形態中’再配線之層數並未限定爲上述各實 施形態之2層’亦可爲1層或3層以上。再配線之層數爲1 -21- 577160 層時，必須將此再配線之墊部的至少一部分配置於矽基板 周圍之絕緣膜上。再配線之層數爲3層以上時，各層之再 配線間亦可設置柱狀電極。又，不管再配線之層數，在最 上層之再配線的墊部上設置柱狀電極，並以最上層之絕緣 膜覆蓋柱狀電極上面以外之部分，並在柱狀電極上設置焊 球亦可。 又，上述各實施形態中，半導體裝置之壓焊面一亦即， 形成焊球4 1之面，係半導體晶片之上面側。然而，半導體 裝置之壓焊面可設於半導體晶片下面側、或同時設於上面 φ 側及下面側之兩側。無論何種形態，皆爲此種半導體裝置 之實施形態。 (第9實施形態） 第26圖〜第28圖係本發明第9實施形態之半導體裝置 圖，第26圖係半導體裝置之放大平面圖，第27圖係以說 明背面側之配線狀態爲目的之第2 6圖X X ΥΠ — X X W線之放 大剖面圖，第28圖係以說明同半導體裝置之正面側配線狀 態爲目的之第26圖XXVU1 — XXVHI線之放大剖面圖。此半導 _ 體裝置具有由LSI等所構成之半導體晶片23。半導體晶片 2 3之構造上，在以矽等所構成之矽基板24上面周圍部設有 複數連結墊25，除了連結墊25中央部以外，矽基板24上 面設有以氧化矽等無機材料所構成之絕緣膜26，連結墊25 中央部會從設於絕緣膜26上之開口部27外露。 半導體晶片23上面及其周圍面上，設有上面爲平坦之 以聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂、及P B 0 (聚苯并噁唑）系樹 脂等有機材料所構成之第1絕緣膜3 1，且其下面係和矽基 -22- 577160 板24下面爲同一平面。此時，對應第！絕緣膜3 1之半導 體晶片23的開口部27部分上，會形成開口部32。又，半 導體晶片2 3周圍之第1絕緣膜3 1的特定複數部位上設有„ 通孔2 8。 如第26圖、第28圖所示，第1基底金屬層33係配列 於和半導體晶片23相對之一對對邊上，且從兩開口部27.32 外露之連結墊25上面延伸至第1絕緣膜3 1上面之特定部 位。第1基底金屬層3 3上面則設有第1再配線3 4。第1 再配線3 4之墊部上設有柱狀電極6 1。柱狀電極6 1上面則 · 設有焊球4 1。 又，如第26圖、第27圖所示，形成於半導體晶片23 之其他相對之一對對邊上的第1絕緣膜3 1上，會形成從正 面貫通至背面的通孔2 8。其次，第4基底金屬層1 3 3則會 從由兩開口部27、32外露之連結墊25上面延伸至第1絕 緣膜3 1上面、以及通孔2 8之內壁面及內底部。此時，設 於通孔2 8內底部之第1基底金屬層1 3 3下面，會和第1絕 緣膜31下面位於同一平面。第1基底金屬層133上面設有 φ 第4再配線1 3 4。 此時，設於通孔28內之第4基底金屬層133及第4再 配線1 34如後面所述，會構成具有連結至外部電路之連結 端子部機能的電極1 6 1。因此’第4再配線1 34中，只有設 於第1絕緣膜3 1上之部分才會成爲具有導線機能之配線部 分。其次，通孔28之內底部之第4基底金屬層133下面， 即電極1 6 1下面焊球1 4 1。 如第27圖、第28圖所示，含有除了柱狀電極61以外 -23- 之第1再配線34、及第4再配線1 34之第1絕緣膜3 1上面， 設有以聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂、及PBO系樹脂等有 機材料所構成之第2絕緣膜3 5，且其上面和柱狀電極6 1 上面位於同一平面。 如此，本半導體裝置中，上面側會形成柱狀電極6 1、 及接合該柱狀電極6 1之焊球4 1，又，下面側則會形成電極 1 6 1、及接合於該電極1 6 1上之焊球1 4 1，故可將該半導體 裝置一側面之焊球4 1接合於電路基板或其他電子元件，而 另一側面之焊球1 4 1則直接接合於其他電路基板或電子元 件，傳統方式上必要之連接器變成不需要，不但有利於生 產效率及成本面，尙可提高安裝密度。又，上述實施形態 中，因上、下面之焊球4 1、1 4 1係配置於半導體晶片23之 外緣部，可擴大焊球4 1、1 4 1間之間距，即使半導體晶片 23之連結墊25的間距較小時，亦可防止連結部間之短路。 又，上述實施形態中，配列於半導體裝置之上下面的焊球 4 1、1 4 1，只配列1列於半導體晶片23之外緣部，然而， 亦可配列複數列。又，半導體裝置上，配列於下面側之焊 球4 1、1 4 1的形成上，不但可配列於半導體晶片23之外緣 部，亦可配列於對應半導體晶片2 3之區域上，例如，矩陣 狀等之配列。 又，第26圖、第27圖、及第28圖之實施形態中，係 具有焊球4 1、14 1者，然而，實際之壓焊上，通常，係對 各側面實施，另一側面之焊球有時會妨礙壓焊。此時，只 在一側面設置焊球，在一側面之壓焊結束後再實施另一側 面之焊球的壓焊即可。 577160 其次，針對此半導體裝置之製造方法之一實例進行說 明。首先，準備如第29圖所示者，係在以紫外線透射性玻 璃板、透明金屬板、透明樹脂板等所構成之基板2丨上面， 設置以照射紫外線降低黏著力之黏著層22者。其次，黏著 層2 2上面之特定複數部位上，分別黏著著構成半導體晶片 23之矽基板24下面。又，以下之說明製造方法的各圖中， 中央部之半導體晶片23的區域係第26圖ΧΧΜ — χχνιπ線之 剖面’又’其兩側之半導體晶片23的區域則係第26圖之 XXVIII — ΧΧΜ線之剖面。 其次’在複數之半導體晶片23之黏著層22上面，以旋 轉塗膜法或網板印染法等塗敷以聚醯亞胺系樹脂、環氧系 樹脂、及Ρ Β 0系樹脂等有機材料所構成之第1絕緣膜3 1， 進行乾燥後，塗敷光阻劑，利用光刻法實施使第1絕緣膜 3 1成爲第3 0圖之形狀的圖案化。此時，第1絕緣膜3 1之 上面爲平坦，對應該半導體晶片23之開口部27的部分會 形成開口部32，又，設於中央部半導體晶片23之周圍的第 1絕緣膜3 1之特定複數部位上，會形成通孔2 8。實施第1 絕緣膜3 1之圖案化後，剝離光阻劑。 其次，含有從第31圖所示之通孔28內及兩開口部27、 3 2外露之連結墊2 5上面的第1絕緣膜3 1上面，會形成基 底金屬層33(含133)。基底金屬層33(133之）可以爲例如只 爲以濺鍍形成之銅層者，或者，亦可爲在以濺鍍形成之鈦 等薄膜層上以濺鍍形成銅層者。 其次，在基底金屬層33(含133)上面形成電鍍抗蝕膜 5 1之圖案。此時，對應第1及第4再配線34、1 34形成區 -25- 577160 域部分之電鍍抗蝕膜5 1上，會形成開口部5 2。其次，將基 底金屬層33(含1 33)當做電鍍電流路實施銅等之電解電 鍍，在電鍍抗蝕膜51之開口部52內的基底金屬層33(含 13 3)上面，形成第1及第4再配線34、134。利用此電解電 鍍，通孔28內會形成由基底金屬層133及第4再配線134 所構成之電極1 6 1。其次，剝離電鍍抗蝕膜5 1。 其次，如第32圖所示，在第1及第4再配線34、134 之基底金屬層33上面，形成電鍍抗蝕膜62之圖案。此時， 對應第1再配線34之墊部的部分之電鍍抗蝕膜62上，會 φ 形成開口部63。其次，將基底金屬層33(含133)當做電鍍 電流路實施銅等之電解電鍍，電鍍抗蝕膜36之開口部37 內的第1再配線34之墊部上面，會形成高度爲100〜150 μ m程度之柱狀電極6 1。其次，剝離電鍍抗蝕膜62。 其次，將第1及第4再配線34、134當做遮罩實施基底 金屬層3 3之不需重要部位分的鈾刻除去（此時，當做遮罩 之第1及第4再配線34、134亦會同時被鈾刻，然而，因 厚度遠大於基底金屬層3 3，在基底金屬層3 3被蝕刻之時點 φ 停止蝕刻的話，可以只留下第1及第4再配線34、1 34)， 則如第33圖所示，只有第1及第4再配線34、134之下方 會殘留第1及第4基底金屬層3 3、1 3 3。此時，若以形成於 通孔28內之第4基底金屬層133及第4再配線134所構成 之電極1 61的局度爲例，則電極161之高度，基本上爲半 導體晶片23之厚度（20〜70// m程度）及第1絕緣膜31之半 導體晶片23上厚度（例如，半導體晶片23上爲1 0 m程度） 的合計厚度，爲3 0〜8 0 # m程度，此高度低於柱狀電極6 1 -26- 577160 之高度100〜150//m程度。然而，電極161之高度及柱狀 電極6 1之高度的關係並未受本實例之限制。 其次，如第3 4圖所示，在含有柱狀電極61、第1、及 第4再配線3 4、1 3 4之第1絕緣膜3 1上面，利用分配法、 印刷法、或轉移成型法等形成以聚醯亞胺系樹脂、環氧系 樹脂、及ΡΒ0系樹脂等有機材料所構成之第2絕緣膜35， 且其厚度會比柱狀電極6 1之高度稍大。在此狀態下，在柱 狀電極61上面覆蓋第2絕緣膜35。其次，對第2絕緣膜 3 5上面側進行適度硏磨，如第3 5圖所示，使柱狀電極6 1 上面外露。其次，如第3 6圖所示，在柱狀電極61上面形 成焊球4 1。焊球4 1之形成上，採用以吸附器具吸附焊球 4 1將其載置於柱狀電極6 1上並實施平坦化熱處理之方 法，或者，利用印刷等在柱狀電極6 1上面覆蓋焊鍚層並利 用平坦化熱處理形成焊球4 1之方法等。 其次，從基板2 1下面側照射紫外線’降低黏著層22之 黏著力並剝離基板21及黏著層22，則會如第37圖所示。 此狀態下，第1絕緣膜3 1下面及電極1 6 1下面會和矽基板 24下面位於同一平面。此時’若電極1 6 1下面附著著黏著 劑或異物等時，實施電漿蝕刻等進行除去。 其次，如第3 8圖所示，在電極1 6 1下方形成焊球1 4 1。 其次，如第39圖所示’切斷相鄰半導體晶片23、23間之 第1絕緣膜3 1及第2絕緣膜3 5，如此’可得到複數個如第 26圖、第27圖、及第28圖所不之半導體裝置。 (第10實施形態） 第9實施形態中’如第3 6圖所示’係針對在基板2 1上 -27- 577160 面整體設置黏著層2 2時進行說明’然而’並不限於此’亦 可如第40圖之本發明第1 〇實施形態所示’只將半導體晶 片23之矽基板24下面以黏著層22黏著於基板21上。然 而，此時若剝離基板21及黏著層22 ’第1絕緣膜31下面 及電極161下面會從砂基板24下面突出，故可配合安裝時 之必要性，以硏磨除去此突出部。又’亦可使用切割膠帶 等可從矽基板24等剝離者來取代黏著層22。 (第11實施形態） 又，第9實施形態中，如第26圖、第27圖、及第28 · 圖所示，係在第1再配線34墊部上形成柱狀電極6 1，且在 第4再配線1 34之墊部下形成電極1 61。然而，亦可如第 4 1圖之本發明第1 1實施形態所示，在第4再配線1 34之墊 部上形成柱狀電極6 1。亦即，電極1 6 1及柱狀電極6 1之形 成上，係位於同一位置但方向相反。在電極1 6 1上形成焊 球1 4 1，而在柱狀電極61上形成焊球4 1。 (第12實施形態） 第42圖所示之本發明第1 2實施形態中，只在半導體裝 · 置之一側面，例如，只在電極1 6 1上形成焊球1 4 1，而在柱 狀電極6 1上未形成焊球4 1。此時，圖上雖然未標示，電極 1 6 1下亦可不形成焊球1 4 1，而只在柱狀電極6 1上形成焊 球4 1。 又，第4 1圖及第42圖所示構造之變形例方面，亦可全 部之再配線上皆未形成電極1 6 1或柱狀電極6 1，而只在部 分第1再配線34上形成第28圖所示之柱狀電極61者，或 者，只在部分第4再配線1 34上形成第27圖所示之電極1 6 1 -28- 者。 其次，第43圖係將複數一例如3個半導體裝置積層安 裝於電路基板上時之一實例的剖面圖。本實例中，第丨個 半導體裝置1 0 1係利用將其焊球1 4 1接合於電路基板1 1 i 上之連結端子1 1 2來載置於電路基板1 1 1上。第2個半導 體裝置1 02係利用將其焊球1 4 1接合於第1個半導體裝置 1〇1之柱狀電極61上來載置於第1個半導體裝置101上。 第3個半導體裝置1 〇3係利用將其焊球1 4 1接合於第2個 半導體裝置102之柱狀電極61上來載置於第2個半導體裝 φ 置102上。 此時，最上方之第3個半導體裝置1 0之構成上，例如， 只含有如第2 7圖所示之第4再配線1 3 4及電極1 6 1，而不 具有第1再配線34及柱狀電極61。又，電路基板1 1 1上積 層安裝著4個以上之半導體裝置時，第3個半導體裝置103 可使用和第1個半導體裝置101、第2個半導體裝置102 相同之物。 又，第1個及第2個半導體裝置101、102具有數個只 _ 具有以第3個半導體裝置1 03爲對象之仲介端子的機能之 突起電極。亦即，第43圖中左側所示之電極261及柱狀電 極6 1的構造上，係經由未連結至內建於該半導體裝置之半 導體晶片23的任一連結墊25之浮動狀態的基底金屬層233 及仲介墊部2 3 4連結。此時，會對第43圖中連結於具有此 仲介端子之機能的電極26 1上之電路基板1 1 1的連結端子 112(第43圖之左側），提供第3個半導體裝置103之選擇信 號、重設信號等之控制信號，或者，有時會提供驅動電壓。 -29- 577160 又，如第4 4圖之其他實例所示，電路基板π 1之左側 連結端子Π 2爲G N D端子時，第1個及第2個半導體裝置 1 〇 1、1 0 2中，亦可在左側第1再配線2 3 4之墊部上設置柱 狀電極6卜此時，第3個半導體裝置1 〇3之構成上，例如，. 只有如第2 8圖所示之第1再配線3 4及柱狀電極61，而不 具有第4再配線1 34及電極1 6 1。此時，以和第2個半導體 裝置102之柱狀電極61、及第3個半導體裝置103之柱狀 電極6 1連結爲目的之焊球1 4 1，應預先形成於第2個半導 體裝置102之柱狀電極61上、或第3個半導體裝置103之鲁 柱狀電極6 1下。 又，例如，亦可如第44圖所示，預先在第1個半導體 裝置1 0 1之電極1 6 1下、及柱狀電極6 1上分別形成焊球 1 4 1。此時’亦可對應安裝形態等，使其高度稍爲高於接合 於電路基板1 1 1之連結端子1 1 2上的焊球1 4 1高度，使其 高度稍爲低於接合於第2個半導體裝置1 02之電極1 6 1上 的焊球1 4 1高度。 又，第26圖、第27圖、及第28圖中，電極161係配 義 列於和半導體晶片2 3相對之一對對邊上，柱狀電極6 1係 配列於和半導體晶片23相對之另一對對邊上，然而，電極 1 6 1及柱狀電極6 1亦可配列於和半導體晶片23相鄰之邊， 亦可配列於全部之邊。又，配合安裝至機器時的需要，爲 了使半導體裝置成爲細長狀，亦可只在一對邊上配列電極 1 6 1及柱狀電極6 1，而不配列於其他邊上，或者，爲了使 壓焊時對各突起電極施加之荷重更爲均一，亦可形成未連 結於各半導體裝置內建半導體晶片之任一連結墊的虛擬電 -30- 577160 極、或連結於其他柱狀電極及共用連結墊之虛擬電極。又， 內建於各半導體裝置之半導體晶片，其電極丨61之底面會 外露’且該外露面會接合著焊球141，然而，以絕緣膜（密 封材料）覆蓋半導體晶片之底面，在對應該絕緣膜之各電極 1 6 1的區域上形成通孔，必要時，在該通孔內實施電鍍後再 接合焊球1 4 1亦可，只要不脫離本發明之主旨的範圍內， 可實施適度地變形。 如以上說明所示，依據本發明，具有：上面具有連結墊 之至少1個之半導體晶片、覆蓋於該半導體晶片之一面及 鲁 周圍面之至少1層的絕緣膜、以及設於該絕緣膜上面且連 結於該半導體晶片之連結墊之再配線，且該再配線之至少 一部分具有墊部，配置於位於該半導體晶片之周圍的該絕 緣膜區域，因因此，不需傳統之壓焊步驟，確實實現半導 體晶片及再配線之電性相連，不但可消除連結不良之產 生，亦可對複數或複數組之半導體晶片實施絕緣膜及再配 線之整體形成，實現製造步騾之簡單化。 ㈤[圖式簡單說明] 第1圖係本發明第1實施形態之半導體裝置的放大平面 圖。 第2圖係第1圖所示半導體裝置之Π - π線切斷放大剖面 圖。 第3圖係第1圖及第2圖所示半導體裝置之製造方法之 一實例中，以說明最初製造步驟爲目的之重要部位放大剖 面圖。 第4圖係繼第3圖以說明製造步驟爲目的之重要部位放 -31- 577160 大剖面圖。 第5圖係繼第4圖以說明製造步驟爲目的之重要部位放 大剖面圖。 第6圖係繼第5圖以說明製造步驟爲目的之重要部位放 大剖面圖。 第7圖係繼第6圖以說明製造步驟爲目的之重要部位放 大剖面圖。 第8圖係繼第7圖以說明製造步驟爲目的之重要部位放 大剖面圖。 第9圖係繼第8圖以說明製造步驟爲目的之重要部位放 大剖面圖。 第10圖係第1圖及第2圖所示半導體裝置之其他製造 方法，以說明最初之步驟爲目的之重要部位放大剖面圖。 第1 1圖係繼第1 0圖以說明製造步驟爲目的之重要部位 放大剖面圖。 第1 2圖係本發明第2實施形態之半導體裝置的重要部 位放大剖面圖。 第13圖係以說明第12圖所示半導體裝置爲目的之重要 部位放大剖面圖。 第1 4圖係繼第1 3圖以說明製造步驟爲目的之重要部位 放大剖面圖。 第1 5圖係繼第1 4圖以說明製造步驟爲目的之重要部位 放大剖面圖。 第1 6圖係繼第1 5圖以說明製造步驟爲目的之重要部位 放大剖面圖。 -32- 577160 第1 7圖係繼第1 6圖以說明製造步驟爲目的之重要部位 放大剖面圖。 第1 8圖係繼第1 7圖以說明製造步驟爲目的之重要部位 放大剖面圖。 第1 9圖係本發明第3實施形態之半導體裝置的重要部 位放大剖面圖。 第20圖係本發明第4實施形態之半導體裝置的重要部 位放大剖面圖。 第2 1圖係本發明第5實施形態之半導體裝置的縱剖面 圖。 第22圖係以說明第21圖所示半導體裝置之製造步驟爲 目的之重要部位放大剖面圖。 第23圖係本發明第6實施形態之半導體裝置的重要部 位放大剖面圖。 第24圖係本發明第7實施形態之半導體裝置的重要部 位放大剖面圖。 第25圖係本發明第8實施形態之半導體裝置的重要部 位放大剖面圖。 第26圖係本發明第9實施形態之半導體裝置的放大平 面圖。 第27圖係第26圖所示半導體裝置之XX W — XX W線切 斷放大剖面圖。 第28圖係第26圖所示半導體裝置之XX週一 XX \1線切 斷放大剖面圖。 第29圖係第26圖、第27圖、第28圖所示半導體裝置 577160 之製造方法實例中，以說明最初製造步驟爲目的之重要部 位放大剖面圖。 第3 0圖係繼第2 9圖以說明製造步驟爲目的之重要部位 放大剖面圖。 第3 1圖係繼第3 0圖以說明製造步驟爲目的之重要部位 放大剖面圖。 弟32圖係繼弟31圖以說明製造步驟爲目的之重要部位 放大剖面圖。 弟33圖係繼弟32圖以說明製造步驟爲目的之重要部位 _ 放大剖面圖。 第34圖係繼第33圖以說明製造步驟爲目的之重要部位 放大剖面圖。 第35圖係繼第34圖以說明製造步驟爲目的之重要部位 放大剖面圖。' 弟36圖係繼弟35圖以說明製造步驟爲目的之重要部位 放大剖面圖。 第3 7圖係繼第3 6圖以說明製造步驟爲目的之重要部位 鲁 放大剖面圖。 第38圖係繼第37圖以說明製造步驟爲目的之重要部位 放大剖面圖。 第39圖係繼第38圖以說明製造步驟爲目的之重要部位 放大剖面圖。 第40圖係本發明第1 0實施形態之半導體裝置的重要部 位放大剖面圖。 第4 1圖係本發明第1 1實施形態之半導體裝置的重要部 -34- 577160 位放大剖面圖。 第42圖係本發明第1 2實施形態之半導體裝置的重要部 位放大剖面圖。 第4 3圖係將複數半導體裝置積層安裝於電路基板上之 狀態的放大剖面圖。 第44圖係將複數半導體裝置積層安裝於電路基板上之 其他實施例的放大剖面圖。 第45圖係傳統半導體裝置之放大剖面圖。 [元件符號之說明]
21、55"·基板 2 2、5 6…黏著層 23···半導體晶片 2 4…石夕基板 25…連結墊 2 6…絕緣膜 27、32、36、40···開□部
2 8 · · ·通孑L
31…第1絕緣膜 33…第1基底金屬層 34···第1再配線 3 5···第2絕緣膜 37···第2基底金屬層 38···第2再配線 39···第3絕緣膜 4 1、1 4 1…焊球 6 1…柱狀電極 1 6 1、2 6 1…電極 -35-

Claims (1)

  1. 577160 拾、申請專利範圍 王.一種半導體裝置，其特徵爲具有·· 1個或複數個之半導體晶片（23)，上面上具有連結墊 (25); 1層或複數層之絕緣膜（31、35、39)，覆蓋該半導體晶 片（23)之一面及周圍面；以及 再配線（38、134)，設於該絕緣膜（3卜35、3 9)上面且連 結於該半導體晶片（23)之連結墊（25);且 該再配線（3 8、1 3 4)之一部分或複數部分，具有配置於 鲁 位於該半導體晶片（23)之周圍的該絕緣膜（31、35、39) 區域上之墊部。 2. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中 該半導體晶片（2 3)爲複數個，且 接之該半導體晶片 (23)間配置著該絕緣膜（31、35、39)。 3. 如申請專利範圍第2項之半導體裝置，其中 該複數之半導體晶片（23)係同一種類。 4. 如申請專利範圍第2項之半導體裝置，其中 鲁 該複數之半導體晶片（2 3)係不同種類。 5. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中 該複數之半導體晶片（23)的同一平面上配置著晶片元 件（71)。 6. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中 該半導體晶片（23)之周圍面的該絕緣膜（31)下面，係 配置於和該半導體晶片（23)之另一面相同之平面上。 7. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中 -36- 577160 更具有基板（21)，且該半導體晶片（23)及其周圍上之該 絕緣膜（31)設於該基板（21)上。 8. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置’其中 該半導體晶片（2 3 )及該基板（2 1)間形成黏著層（2 2)。 9. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中 該絕緣膜（3 1、3 5、3 9)係複數層’且其層間會形成連 結該半導體晶片（2 3)之連結墊（25)及該再配線（3 8)之再配 線（34)。 10. 如申請專利範圍第9項之半導體裝置’其中 該複數層之絕緣膜（31、35、39)中，1層或複數層之絕 緣膜（35)中設有連結於在其下層之絕緣膜上（31)形成之 再配線（3 4)的柱狀電極（6 1)。 11. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中 該複數之絕緣膜（31、35、39)中之最上層的絕緣膜（39) 上，設有使形成於其下層之絕緣膜（3 5)上的部分再配線 (38)外露之開口部（40)。 12. 如申請專利範圍第1 1項之半導體裝置，其中 部分之該再配線（38、134)上設有焊球（41、141)。 ia如申請專利範圍第1 2項之半導體裝置，其中 該最上層絕緣膜（3 5)中，設有連結該再配線（3 4)之墊部 及該焊球（41)之柱狀電極（61)。 14.如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中 該半導體晶片（23)具有使該各連結墊（25)之部分外露 之開口部（27)，且具有覆蓋於該半導體晶片（2 3)上面之絕 緣膜（26)。
    -37- 577160 15. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中 S亥絕緣膜（3 1)具有上面、及下面，具有位於比該半導 體晶片（2 3)之周圍面更外側且從該上面貫通至該下面之 通孔（28)，且該通孔（28)內形成電極（161)。 16. 如申請專利範圍第1 5項之半導體裝置，其中 該電極（161)係該再配線（13 4)之一部分。 17. 如申請專利範圍第1 5項之半導體裝置，其中 該再配線（34)之墊部上形成柱狀電極（61)。 18. 如申請專利範圍第1 5項之半導體裝置，其中 該半導體晶片（23)具有和該上面相對之下面，該絕緣 膜（3 1)下面和該半導體晶片（23)下面係位於實質同一平 面上。 19. 如申請專利範圍第1 5項之半導體裝置，其中 該再配線（134)及該電極（161)係電性相連，該再配線 (134)之該墊部上形成柱狀電極（61)。 20. 如申請專利範圍第1 5項之半導體裝置，其中 該絕緣膜（31)具有對應該再配線（134)之部分的通孔 (28)，該通孔（28)內設有連結於該再配線（134)之電極 (161)，在殘餘之該再配線（134)的一部分或複數部分再配 線（134)上，形成柱狀電極（61)。 21. 如申請專利範圍第20項之半導體裝置，其中 該絕緣膜（31)上會形成覆蓋該柱狀電極（61)之周圍的 上部絕緣膜（35)。 22. 如申請專利範圍第1 5項之半導體裝置，其中 該連結墊（25)具有未電性相連之電極（261)。 -38- 577160 23.如申請專利範圍第1 5項之半導體裝置，其中 更具備含有連結瑞子（161、261)之其他電子元件（102、 103)，且具有使形成於該通孔（2 8)內之電極（161、261)、 及該其他電子元件（102、103)之該連結瑞子（161、261)形 成電性相連之接合構件（1 4 1)。 24·如申請專利範圍第1 5項之半導體裝置，其中 該其他電子元件（102、103)具有：1個或複數個之半導 體晶片（23)，上面具有連結墊（25) ; 1層或複數層之絕緣 膜（31、35)，覆蓋該半導體晶片（23)之一面及周圍面；再 鲁 配線（34、134)，設於該絕緣膜（31、35)上面且連結於該 半導體晶片（23)之連結墊（25);以及電極（61、161、261)， 形成於該再配線（3 4、1 3 4)上。 %如申請專利範圍第24項之半導體裝置，其中 該電極係柱狀電極（61)。 26如申請專利範圍第24項之半導體裝置，其中 該絕緣膜（31)具有通孔（28)，該通孔（2 8)內形成電極 (161 、 261) 〇 _ 27. 如申請專利範圍第26項之半導體裝置，其中 該電極（161、261)上，形成朝和該電極（161、261)相反 方向突出之柱狀電極（6 1)。 28. —種半導體裝置之製造方法，其特徵爲： 提供基板（2 1); 分別將上面具有複數連結墊（25)之複數半'導體晶片 (23)，以該上面朝上且在該基板（21)上以互相隔開之方式 固定； -39- 577160 在含該半導體晶片（23)上面之該基板（21)上面整體，形 成正面爲平坦之絕緣膜（3 1、3 5); 該絕緣膜（31、35)上形成複數組之再配線（34、38、 13 4);該再配線（34、38、134)分別連結於該半導體晶片（23) 之該連結墊（25)，且，至少該再配線（34、134)之一部分 或複數部分具有墊部，該墊部係配置於該絕緣膜（3 1)之區 域，該絕緣膜（31)之區域係形成於該半導體晶片（34)周 圍’該半導體晶片（34)則連結於該連結墊（25);以及 可得到複數半導體裝置，該半導體裝置具有切斷該各 · 半導體晶片間之該絕緣膜（31、35)的1個或複數個之該半 導體晶片（23)、形成於該半導體晶片（23)之周圍的該絕緣 膜（3 1)之區域、及具有配置於該絕緣膜區域之墊部的再配 線（3 4、3 8、1 3 4 ) 0 29. 如申請專利範圍第2 8項之半導體裝置之製造方法，其中 以含有複數個該半導體晶片（23)之方式實施切斷。 30. 如申請專利範圍第28項之半導體裝置之製造方法，其中 更含有切斷該基板（21)之步驟。 φ 31·如申請專利範圍第28項之半導體裝置之製造方法，其中 更含有剝離基板（21)之步驟。 义如申請專利範圍第28項之半導體裝置之製造方法，其中 更含有提供支持該基板（21)之其他基板（5 5)之步驟。 33如申請專利範圍第3 2項之半導體裝置之製造方法，其中 更含有切斷該基板（21)之步驟。 34.如申請專利範圍第3 3項之半導體裝置之製造方法，其中 切斷該各半導體晶片（23)間之該絕緣膜（31)後再切斷 -40- 577160 該基板（2 1)，然後將從該其他基板（5 5 )上剝離各基板 (21)。 35·如申請專利範圍第28項之半導體裝置之製造方法，其中 以旋轉塗膜法及網板印染法之其中一種方法，在該基 板（2 1)上面整體形成該絕緣膜（31)。 36. 如申請專利範圍第35項之半導體裝置之製造方法，其中 固定於該基板（21)上之半導體晶片（23)，係厚度爲70 // m以下之半導體晶片（23)。 37. 如申請專利範圍第28項之半導體裝置之製造方法，其中 更含有在該絕緣膜（3 1、3 5)上形成使該墊部外露之開 口部（40)的絕緣膜（39)。 38·如申請專利範圍第28項之半導體裝置之製造方法，其中 更在該複數組之再配線（3 8)及該連結墊（25)間形成柱 狀電極（6 1)。 39. 如申請專利範圍第3 8項之半導體裝置之製造方法，其中 更含有在有柱狀電極（61)之該絕緣膜（31)上（over)全面 形成絕緣膜（35)，並對該絕緣膜（3 5)進行硏磨使該柱狀電 極（6 1)上面外露之步驟。 40. 如申請專利範圍第2 8項之半導體裝置之製造方法，其中 更含有在該絕緣膜（3 1)區域形成貫通該絕緣膜之厚度 方向的通孔（28)，且在該通孔（2 8)內形成電極（161)之步 驟。 41. 如申請專利範圍第40項之半導體裝置之製造方法，其中 該電極（161)和該再配線（134)同時形成。 42如申請專利範圍第40項之半導體裝置之製造方法，其中 -41 - 577160 含有在該墊部上形成柱狀電極（6 1)之步驟。 43_如申請專利範圍第40項之半導體裝置之製造方法，其中 將該半導體晶片（23)黏著固定於該基板（21)。 44.如申請專利範圍第28項之半導體裝置之製造方法，其中 更含有在該絕緣膜（31)上，對應部分該再配線（34、134> 之墊部形成貫通其厚度方向之通孔（2 8)，且在該通孔（28) 內形成連結於該墊部之電極（1 6 1)之步驟。 45如申請專利範圍第28項之半導體裝置之製造方法，其中 更含有在殘留之一部分再配線（34、134)之墊部上形成 φ 柱狀電極（6 1)之步驟。 46 —種半導體裝置之製造方法，其特徵爲： 提供基板（21); 將上面具有複數連結墊（25)之半導體晶片（23)，以該上 面朝上且在該基板（21)上以互相隔開之方式固定； 以旋轉塗膜法及網板印染法之其中一種方法，在含該 半導體晶片（23)上面之該基板（21)上面整體形成第1絕緣 膜（3 1) ; _ 在該第1絕緣膜（31)上形成複數組之再配線（34);該再 配線（34)分別連結於該任一半導體晶片（23)之該連結墊 (25)，且，該再配線（34)之一部分具有墊部，該墊部係配 置於該第1絕緣膜（31)之區域，該第1絕緣膜（31)之區域 係形成於半導體晶片（2 3)周圍，該半導體晶片（23)則連結 於該連結墊（25);以及 在該再配線（34)之該第1絕緣膜上（31)之全面，形成具 有使該墊部外露之開口部的第2絕緣膜（35)。 -42- 577160 47. —種半導體裝置之製造方法，其特徵爲： 提供基板（21); 將上面具有複數連結墊（2 5 )之半導體晶片（2 3 )，以該上 面朝上且在該基板（2 1)上以互相隔開之方式固定； 在含該半導體晶片（23)上面之該基板（21)上面整體，形 成絕緣膜（3 1); 在該絕緣膜（31)上形成貫通其厚度方向之通孔（28);及 在該絕緣膜（3 1)上形成在該通孔（2 8 )內具有電極（1 6 1) 之複數組再配線（134)。 牴如申請專利範圍第47項之半導體裝置之製造方法，其中 更含有在該再配線（134)之該通孔（2 8)的對應部分，形 成朝和該電極（1 6 1)相反方向突出之柱狀電極（6丨）的步 驟。
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