TW572775B - Multi-component composite membrane and method for preparing the same - Google Patents

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TW572775B
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Byeong-In Ahn
Soon-Yong Park
You-Jin Kyung
Heon-Sik Song
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Description

572775 玖、發明說明.: 【發明所屬之技術領域】 相關應用對應參考 此發明申請案係以在2000年6月23曰向韓國工業 財產局(Korean Industrial Property Office)提出的第 2000 34948 $虎申請案為基礎’其内容併入本文中以供參 考0 發明背景 (a)發明領域 10本發明係與多成分組成薄膜及其製備方法有關,且更特 別地’係與包含有支持層和活性層之多成分組成薄膜, 該活性層係具有如傳統活性層般密集的結構,其能夠在 其上面依照加工條件而形成細孔,並藉著可控制大小的 細孔而改良透氣性,該組成薄膜具有活性層的特殊性 15 質,並藉由離子束輻射作用來強化支持層和活性層之間 的界面黏附強度,以及製備相同物之方法。 t Hi (b)相關的技藝的描述 現今有許多的薄膜類型正在使用,例如微量過渡 20 膜、超濾膜、氣體分離膜、全蒸發膜與逆滲透膜。 本發明係與微量過濾膜有關,並特別係與應用於可 充電的裡離子電池之分隔器有關’其包含如聚乙稀和聚 丙稀的聚稀煙。 當聚烯烴之一的高結晶性聚丙烯(HCPP)用於本 6 572775 發明的分隔器中.時’分隔器的透氣性被預期將會增加。 一般的聚丙烯之結晶度係低於50。/〇,但是Hcpp結晶 度係大於50%,而且鳴高度全同立構的,因此其密度、 熔點、溶解熱與結晶溫度高,且例如剛性、耐熱性、衝 5擊強度、抗刮痕性與尺寸安定性的特性是優良的。 一組成薄膜通常係由界面聚合作用、膜改質作用與 次塗作用來加以製備。藉由使用例如微量過濾膜或超濾 膜的微孔薄膜來作為一支持層,浸塗作用係廣泛地應用 於製備組成薄膜中,將談微孔薄膜以一當做一活性層使 10用的材料的溶液加以塗佈,並將該塗佈的薄膜弄乾。藉 著浸塗作用製備的組成薄膜,具有一包含有規律大小的 孔洞之支持層與一具有密集結構之活性層。該組成薄膜 在應用上受到限制,因為該活性層具有較少的類似於微 量過渡膜或超濾膜之相同尺寸的孔洞,而且其容易因為 15 在支持層和活性層之間的弱界面黏附強度而脫層。 此組成薄膜可如美國專利第3,249,1〇9、4,388,189, 和5,102,552號中所述的,藉由在微孔薄膜上塗佈一個 聚合物而製備。除此之外,一種親水性單體,例如丙稀 酸’與例如聚乙烯氧化物之聚合物,係以電暈處理來 20進行接枝作用,因而該薄膜係具有一個經修飾的表面, 且其因而特別具有如美國專利第4,346,142、5,085,775, 和5,294,346中所揭露的親水性。然而,雖然該膜具有 一經修飾的表面和親水性,由於該過程係為複雜的且膜 的透氣性並不理想,接枝聚合作用的方法並不常被應 7 572775 用。 一用於一般的電池之具有規則-大小的孔洞之分隔 器,其係以一聚合物電解質溶液一塗布,且其係在如美 國專利第5,716,421號和歐洲專利第0933824 A2號中 5所揭露之可充電的鋰離子電池中作為一分隔器。然而, 當分隔器係以前述的方法製備的時候,該薄膜係具有密 集的結構,也就是說,在膜的表面上沒有形成孔洞,且 通透性(例如透氣性)降低,且在支持層和活性的層之間 的界面黏附強度不足。 10 【發明内容】 發明摘要 本發明的一個目的是提供一包含有支持層和活性層 之多成分組成薄膜,該活性層係具有如傳統活性層般密 集的結構,其能夠在其上面依照加工條件而形成細孔, 15並藉著可控制大小的細孔而具有改良的透氣性,該組成 薄膜具有活性層的特殊性f,並藉由離子束輻射作用來 強化支持層和活性層之間的界面黏附強度,以及製備該 組成薄膜之方法。 為了要達成這個目的,本發明提供一種包含一支持 2〇層和二個活性層之多成分組成薄膜。 此外,本發明提供一多成分組成薄膜的製備方法, 其包含下列步驟: a)藉由將一作為一支持層之聚合物喷射入一擠 壓機内來製備一前驅物薄膜; 25 b)在低於該聚合物熔點的溫度下將該前驅物薄 8 膜退火·; C)在反應氣體的輔助下以離子束輻射照射在該 退火的前驅物薄膜的二表面或其中之一表面 上; d) 在該被離子束輻射照射之前驅物薄膜的二表 面上塗布以一聚合物溶液,其係用來作為一活 性層; e) 乾燥該塗佈的前驅物薄膜; f) 在低於室溫的溫度下’低溫延展該乾的前驅物 薄膜; δ)在低於聚合物熔點的溫度下,高溫延展該經低 溫延展的前驅物薄膜;以及 h)在低於聚合物熔點之溫度下,利用一張力熱固 化高溫度·延展的前驅物薄膜。 囷式簡要說明 、田隨附的圖式一起思考時,藉由參考下列的詳細描 述本發明及其許多伴隨的優點將更明白且更容易了解, 其中: 第1圖係表示根據本發明之實施例丨的組成薄膜的 表面之掃瞒式電子顯微鏡(SEM)相片;以及 第2圖係為表示依據比較例1的一習知組成薄膜表 面的SEM相片。 【實式】 發明的詳細說明 在下述的詳細描述中,僅僅藉著例示本發明之發明 572775 人所預想的最佳實施態樣來顯示並描述本發明之較佳具 體例。如同所將被了解的,本發明可以在各種明顯不同 的態樣中加以改良,而全部都不背離本發明。因此,圖 式和描述在本質上,係要被視為用於例示說明而不是用 5 於限制的。 本發明係在下述中加以詳細地描述。 本發明提供一種組成薄膜及其之製備方法,其包含 以一活性材料塗布一沒有孔洞之一般薄膜,而不是如傳 統方法的以一活性材料塗布一微孔薄膜。 10 本發明的組成薄膜係藉著結合運用傳統乾燥過程和 使用一溶液的相轉化作用而製備的,其中該等孔係藉由 延展作用而在該乾燥過程中形成。除此之外,當增加一 離子束輻射照射步驟至製備步驟中以製備本發明的薄膜 時,將改善在支持層和活性層之間的一界面鍵結。 15 使用一傳統乾燥過程的製備方法,係為在將聚合物 的結晶區域以一特定方向來定向之後,將一非結晶區域 經由冷的延伸作用來打破,同時結晶區域的方向的一致 性對於薄膜的特性是具有決定性的。 使用相轉化作用的方法,係為一種在調控的溫度下 20藉由聚合物和溶液的溶劑之相_分離或是在製備一聚合物 /合液之後使用無溶劑的方式來形成孔洞的方法。 為了要改良該表面’其運用了一離子束輻射照射過 程其中例如氫、氫、氧、氮和二氧化碳的氣想,係被 離子化並在具有反應氣體㈣境之下照射至該表面,該 10 572775 反應氣體係在該離子化氣體與該薄膜表面碰撞的時候要 與該離子以及該表面反應者。 在本發明中,為了要製備一作為一支持層之材料, 一前驅物薄膜係在該乾燥過程的一步驟中製備,其係被 5塗布以一用來作為一活性層的聚合物溶液,其係在適當 的情況下從聚合物溶液中相分離的,並且其係被延展, 而藉此該製備膜而在膜上形成孔洞。在該膜製備的時 候,為了要在支持層和活性層之間增加界面黏附強度, 離子束輻射照射過程係在塗布過程之前施行,因而改良 10 了膜之表面。本發明的組成薄膜包有孔含材料,其係分 別地用作支持層和活性層。在前驅物薄膜製備期間將聚 合物的結晶區域以某一方向來定向之後,藉由一延伸過 程來形成支持層的孔洞時,支持層與活性層的孔洞大小 和分布係彼此不同的。另一方面,活性層的孔洞係在經 15由相-轉化作用形成一緻密結構之聚合物薄膜之後,藉由 一延伸過程而形成。聚合物薄膜的微-裂縫和微-孔洞可以 在薄膜變延展之前依據相-轉化作用的條件而加以形成, 因此孔洞形成的程度是可依據相-轉化作用的條件而加以 控制的。 20 本發明的支持層與傳統的乾燥過程所製備的薄膜具 有相同的特性,同時該活性層會依據該加工條件而具有 各種不同大小的孔洞。除此之外,在支持層與活性層之 間的聚合物鏈中之相互-擴散作用以及在支持層和活性 層之間的表面化學鍵結的強度,係經由高溫延展作用與 25熱-固化作用而改善。當離子束照射到該等層次的時候, 11 572775 該表面的化學鍵可以進一步地加強。 用於本發明的支持層之材料並未限制於某些材料, 且其通常包含一或更多由下述材料組成之組群中所選出 之材料:高密度聚乙烯、低密度聚乙烯、線性低密度聚 5 乙烯、聚丙烯、高結晶性聚丙烯、聚乙烯-丙稀共聚物、 聚乙烯-丁烯共聚物、聚乙烯-己烯共聚物、聚乙烯-辛烯 共聚物、聚苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物、聚苯乙稀、 聚苯醚、聚楓、聚碳酸酯、聚酯、聚醯胺、聚胺基曱酸 脂、聚丙烯酸酯、聚偏二氣乙烯、聚偏氟乙烯、聚石夕氧 10 烷、聚烯烴、離聚物、聚曱基戊烯與氫化寡環戊二稀 (HOCP),以及其混合物,且較佳係僅使用為選自上述群 組的材料、摻合-材料或層合材料。 作為活性層的聚合物溶液的聚合物,係被依照該組 成薄膜的最後用途來選擇,其係較佳地包含至少一選自 15下列群組的材料,該群組包含有聚乙烯、聚丙烯、聚偏 氟乙烯、聚偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物、聚環氧乙烷、聚 環氧丙烧、聚環氧丁烧,聚胺基甲酸醋,聚丙烯腈,聚 丙烯酸酯,聚丙烯酸,聚醯胺,聚丙烯醯胺、聚乙酸乙 烯酯、聚乙烯咄咯啶酮、聚三縮四乙二醇二丙烯酸酯、 20聚礙、聚苯醚、聚碳酸醋、聚酯、聚偏二氣乙烯、聚石夕 氧烷和聚烯烴離聚物,以及其之衍生物。 聚口物溶液的溶劑係依聚所使用的聚合物而選擇 的’且其係較佳包含至少一選自下列群組的溶劑:i•甲美 •2吡咯啶輞(NMP)、丙酮、乙醇、正_丙醇、正·丁醇二 己烧、環己醇、乙酸、乙酸乙醋、乙鍵、二甲基甲酿 胺(DMF)、一甲基乙醯胺(DMAc)、二噚烷、四氫呋 12 25 572775 喃(THF)、二甲亞颯(DMSO)、環己烷、苯、甲苯、二 甲苯與水,以及其之混合物。 該聚合物溶液係較佳地在下列的條件下使用。在該 聚合物溶液的塗布過程期間,一般沒有孔洞的薄膜係在 5 聚合物溶液中加以浸塗,該聚合物溶液的濃度係較佳地 在0.01 wt%或更多的。除此之外,該被塗布的聚合物之 乾燥係較佳的於選自由氮、氧、二氧化碳和空氣所構成 的群組之氣體環境下,在小於該溶劑的飽和蒸汽壓力之 飽和蒸汽壓力的氣體環境中,於相對濕度為1到100% 10 的條件下進行。活性層在塗層與乾燥之後,其厚度係較 佳地介於〇· 1到20/zm之間。 離子束輕射照射係在1 〇-1到1 〇-6 torr之間的真空 下進行,以活化電子、氫、氦、氧、氮、二氧化碳、空 氣、氟、氖、氫、氪和Νβ,以及其之混合物,上述的 15離子粒子具有從0·01到106千電子伏特的能量。較佳 地’該離子粒子的數量係介於105到個離子/cm2 之間。該反應氣體係i佳地包含氦、氫、氧、氮、氨、 一氧化碳、二氧化碳、氣氟碳化合物、甲烷、和Ν2〇 , 以及其之混合物,而且該反應氣體的流速係較佳地在0.5 20 到20毫升/分鐘之間。 依照本發明之組成薄蹲的製備方法包含以下的步 驟。 a)製備支持層的前驅物薄膜:前驅物薄膜係以一 具有T形鑄模或管狀鑄模之擠壓機,擠壓出一 13 572775 用來作為一支持層的聚合物而加以製備。 b) 退火·該刖驅物薄膜係在一乾燥爐中以一個低 於聚合物之熔點的溫度退火,因此該前驅物薄 膜具有增加的結晶性與彈性回復比例。 c) 在反應氣體的辅助下以離子束輻射照射:在前 驅物薄膜被置於在一真空室内且離子化氣體 係被注入離子搶之内而具有一能量後,該具有 一能量之離子粒子係依據電流的的不同,而被 輻射照射在該前驅物薄膜之一上或兩側上。調 控一能量源以使該等離子的能量係介於〇〇1 到106千電子伏排特之間。在輻射照射該離子 束時,一流速在〇·5到20毫升/分鐘間改變 之反應氣體係被注入該真空室内以修飾該前 驅物薄膜的表面。依據該多成分組成薄膜所需 要的物理性質,該前驅物薄膜之表面的修飾作 用可以在退火作用之前或之後進行。 d) 以一用來作為活性層的聚合物溶液來塗布該 前驅物薄膜:在一聚合物溶液藉由將一用來作 為活性層的聚合物溶解在一所欲的溶劑中而 製備之後,該前驅物薄膜係以該聚合物溶液加 以塗布的。該前驅物薄膜可以在退火作用之前 或之後使用。除此之外,在塗布之前,離子 束的輻射照射作用可以依據該多成分組成薄 膜所需要的物理性質,而在反應氣體的輔助 14 572775 下進行.。濃縮和塗布條件會依據所使用的材料 和δ亥組成薄膜的最終用同之不同而改變。· e) 藉由相-轉化·作用形成聚合物薄膜:在塗布作用 之後,該溶劑係在適當條件下被蒸發。該活性 5 層之聚合物薄膜的結構係有賴於乾燥作用的 狀況。 f) 低溫延展作用:微裂縫係在一低於室溫之溫度 下’使用一滾筒或其他不同的延展機具,被單 軸向地延展一經退火的薄膜而形成。 10 g)尚溫延展作用··藉由離子束輻射照射作用,並 在一個低於支持層和活性層之聚合物的熔點 之溫度下,經由使用滾筒或其他的機具來單軸 向地或雙軸向地延展該經低溫延展的薄膜,而 形成具有所欲尺寸的微孔洞並將機械特性提 15 供至薄膜。 h)熱固化作用·在鬲溫延展作用之後,該薄膜在 一低於支持與活性層之聚合物的熔點之溫 度,於張力下熱固化一段特定時間。 該多成分組成薄膜的製備步驟,描述了用來製備具 20有最適當之物理特性之薄膜的所有過程,其中依據這謝 物理特性該薄膜可以省略某些步驟或加入一些處理,而 也可藉由改變每個該等步驟的次序來加以製備。 下列各項實施例和比較例進一步的詳細說明本發 明,但是本發明並不侷限於這些例子。 25 藉著下列各項實施例和比較例所製備之微孔薄膜, 15 572775 係依照下列各項特性加以評估: a) 厚度; b) 透氣性:JIS<PSI17日本工業規格磅17; c) 孔洞大小:掃瞄式電子顥微鏡(SEM),穿隧式 5 電子顯微鏡(TEM); d) 界面黏附強度:JIS Z0237 ;且 e) 電解質的浸濕速率(所使用之電解質:碳酸乙 二醇(EC):二甲基碳酸鹽(dc) = 4:6) 實施例1:從高結晶性聚丙烯和Kynar461製備組 1〇 成薄膜 高結晶性聚丙烯係被用來作為一支持層,而聚偏氟 乙烯(PVDF)是用來作為活性層以製備一前驅物薄膜, 而該刖驅物薄膜係經過一乾燥過程來延展以製備一組成 薄膜。 15 (製備一前驅物薄膜) 尚結晶性聚丙烯係用來作為支持層的一個成分。其 熔化指數為0.50 g/min,密度為〇 91 g/cc,以示差掃描 熱量計(DSC)所測得之熔點為i66^c,結晶溫度為 U4.5C,結晶度為57%、用c13核磁共振(NMR)所測 20得全同立構規整度為98%,以及在溶解在二甲苯中之後 可測彳于約2%之無規立構部分,且前驅物薄膜係使用具 有T形鑄模和拉撐裝置的一單螺軸擠壓機,而自高結晶 性聚丙稀加以製備。擠出溫度和冷卻輥的溫度係分別為 220 C與80°C、拉緊速速率是2〇公尺/分鐘,且拉伸比 16 572775 率(e>dr)係為60 〇 (退火) 該製備之前驅物薄膜係在一個乾燥的爐中以1 50 °C退火1小時。 5 (塗布作用) 在退火之後,藉由將具有低結晶度之Kynar461(Elf Atochem North America的一種產品)溶解在丙酮中而製 備之溶液’被浸塗在所製備出的前驅物薄膜之兩邊。當 的時候,該塗不作用係在相對濕度維特於6〇%之大氣 1〇下進行,而且丙酮係在相對濕度為6〇%的相同狀態下蒸 發。所塗布的Kynar461之厚度大約是3 /zm。 (低溫延展作用) 在塗布作用之後,該經塗布之薄膜係在室溫下,單 軸向地低溫延展至以薄膜的最初長度為準為50%之延 15 展比。 (局溫延展作用) 在低溫延展作用之後,該經低溫延展之薄膜係在 140 °C下,單軸地高溫延展到以薄膜最初長度為準為 100%之延展比。 20 (熱固化) 在經高溫延展的薄膜於.140°C在張力下熱固化1〇 分鐘之後,冷卻該熱固化之薄膜以製備一組成薄膜。 組成薄膜的性質係表示在表1中。 表1中顯示微孔洞如實施例1般的在活性層和支 17 572775 持層上形成,且相較於當Kynar461依據傳統製備方法 塗布在一分隔器上,而在用來作為一活性層的Kynar461 (參照第1圖與第2圖)上不形成微孔洞者,依據實施 例1之膜透氣性係被加以改良。除此之外,在支持層和 5活性層之間的界面黏附強度增加。一般認為該電解質的 浸濕速率,係由於形態上的改變與黏附強度的增大而增 加0 實施例2 :以離子束輻射照射自高結晶性聚丙稀與 Kynar461製備組成薄膜 、 10 除了離子束係在以Kynar461溶液塗布之前輻射照 射至刖驅物薄膜上之外’ 一組成薄膜係利用與實施例1 相同的方法加以製備。在前驅物薄膜利用與實施例丨相 同的方法製備之後,將其安置在一將壓力維持在1〇-5到 1(T6 torr之間的真空室之内,以離子搶將arg0I1陽離子 15 輻射照射到前驅物薄膜的兩邊,並且同時地用來作為反 應氣體之氧係以4毫升/分鐘的量注入該室之内被,以處 理該前驅物薄膜表面。離子束的能量係為〇·5千電子伏 特’且離子的輻射照射數量係為1〇16個離子/cm2。在離 子束輻射照射之後,一組成薄膜被以如實施例1中相同 20的方式製備。 在表1中,其顯示孔洞係如實施例1中般的在支 持層和活性層兩者之上形成:,且更特別地,該在支持層 和活性層之間的界面黏附強度以及電解質的浸濕速率係 少許地改善。 25 實施例3 ··自高密度聚乙烤Kynar461製備一薄膜。 18 572775 除了高密度聚乙烯係用於作為一支持層而非高結晶 性聚丙烯之外,一組成薄膜係以與實施例!相同的方式 加以製備。該高密度聚•乙烯具有〇·3克/iO分鐘的一個溶 化指數與0.964 g/cc的密度。前驅物薄膜係以與實施例 5 1相同的方式加以製備。該拉撐裝置的擠出溫度和冷卻 輥溫度分別是200°c與8(TC、該薄膜的拉撐速率是3〇 公尺/分鐘,且所製備之前驅物薄膜的拉伸比例係為8〇。 該所製備的前驅物薄膜係在乾造爐中以丨25退火j 小時。該經退火的前驅物薄膜之兩側係以與實施例i相 10同的方式塗布Kynar46卜該經塗布的前驅物薄膜係在室 溫下,單軸向地延展到以薄膜最初長度為準係為5〇%的 延展比,然後其在120°C下立刻被單軸地高溫延展到以 薄膜最初次長度為準係為5〇%的延展比。該經高溫延展 的薄膜係於120°C在張力下熱固化10分鐘,然後冷卻 15該經熱固化之薄膜以製備一組成薄膜。第1表中顯示該 所製備之組成薄膜的性質。 在表1中’可以發現孔洞係如實施例1中般的在 支持層和活性層兩者之上形成,且該界面黏附強度以及 電解質的浸濕速率係被改善。 2〇 比較例1 :由Ceigard2400和Kynar461製備之組 成薄膜 一活性層係藉由傳統的方法塗布在一個微孔薄膜 上。 僅由聚丙稀製備的Ceigard 2400 (Celanese公司的 19 572775 -個產品)係為在該多孔薄膜中作為支持層,而K,r 461係如例子丨、2和3中一樣作為一活性層,且該 Kynar461溶液係塗布在有孔洞的Ceigard 24⑼上,且 藉此製傷一組成薄膜。 5 第1和2圖表示比較例1的組成薄膜不具有孔 洞,不像依據本發明實施例之組成薄膜般的在活性層上 形成孔洞。 表1顯示該所製備的組成薄膜之特性。其顯示由 Ceigard2400和Kynar461所製備的組成薄膜,具備一個 10 太差勁而無法測量的透氣性,且界面黏附強度和電解質 的浸濕速率係較差的。
Table 1 表 1 實施例1 實施例 2 實施例 3 比較例1 厚度 (β m) 20 20 20 20 孔洞 大小 (V m) 支持 層 0.3 X 0.1 0.3 X 0.1 0.4 X 0.1 0.3 X 0.1 活性 層 0.8 X 0.3 0.8 X 0.3 0.6 X 0.3 無法測量 透氣性 (sec/100 cc) 560 565 620 無法測量 界面黏附 強度(gf) 180 250 240 85 電解質的 浸濕速率 (sec) 10 8 9 4 20 15 572775 藉著傳統的方法製備之組成薄膜具有一太差勁而無 法測量的透氣性,但$本發明的組成薄膜則具有一個介 於560到620 sec/100 cc之間的改良的透氣性,因為活 性層和支持層兩者具有一在適當的製備條件下可以製備 5之可控制大小的孔洞之致緻密結構。除此之外,位於組 成薄膜外侧上的活性層具良好的特性。也就是,本發明 的支持層具有與利用傳統的乾燥過程所製備的薄膜相同 的性質,且該活性層具有依據其加工條件而有的各種不 同大小的孔洞。 10 除此之外,當組成薄膜藉著一具有為85 gf的界面 黏附強度之傳統方法加以製備的時候,本發明的組成薄 膜將具有介於180到250 gf之間的改良界面黏附強 度。该改良的界面黏附強係源自於高溫度延伸作用與熱_ 固化作用,該界面黏附強度因為在支持和活性層的聚合 15物鏈之間的相互鍵結(mutual bond)加強而增加。界面黏 附強度可藉著離子束輻射照射作用而更進一步改良。 此外,該浸濕速率略微改善,且一般推測浸濕速率 的改善是導因於形態上的改變與界面黏強度增加。 雖然本發明已經參照較佳具體例而被詳細地描述, 2〇習於此藝者將會了解可以對其進行各種不同的修飾和替 換而不偏離在隨附的申請專利範圍中所述的本發明的精 神和範圍。 21 572775 【圖式簡單說明】 第1圖係表示根據本發明之實施例1的組成薄膜的 4 表面之掃瞄式電子顯微鏡(SEM)相片;以及 第2圖係為表示依據比較例1的一習知組成薄膜表面 5 的SEM相片。 【囷式之主要元件代表符號表】 22

Claims (1)

  1. 572775—Τ~Ί 拾、申請專利範圍: i· 一種具有改良的通透性之多成分組成薄膜,其包含有活性 層和支持層,其中該支持層係位於該活性層之間, 其中該活性層具有可調控大小之孔洞,該孔洞係使用 5 相轉化來形成,且 該活性層的一成分係為一或多種選自下列物質所組成 之群組的聚合物:聚乙烯、聚丙烯、聚偏氟乙烯、聚偏氟 乙烯-六氟丙烯共聚物、聚環氧乙烷、聚環氧丙烷、聚環氧 丁烷、聚胺基甲酸酯、聚丙烯腈、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸、 10 聚醯胺、聚丙烯醯胺、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯吡咯啶酮、 聚三縮四乙二醇二丙婦酸酯、聚楓、聚苯醚、聚破酸酯、 聚酯、聚偏氯乙烯、聚矽氧烷和聚烯烴離聚物,以及其衍 生物。 2·如申請專利範圍第1項之多成分組成薄膜,其中該支持層 15 的一成分係至少為一選自下列物質所組成之群組的聚合 物··高密度聚乙烯、低密度聚乙烯、線性的低密度聚乙稀、 聚丙烯、高結晶性聚丙烯、聚乙烯-丙烯共聚物、聚乙烯_ 丁烯共聚物、聚乙烯-己烯共聚物,聚乙烯_辛烯共聚物、聚 苯乙烯·丁烯-苯乙烯共聚物、聚苯乙烯-乙烯_丁烯-苯乙烯共 20 聚物、聚苯乙烯、聚苯醚、聚颯、聚碳酸酯、聚酯、聚醯 胺、聚胺基甲酸酯、聚丙烯酸酯、聚偏氣乙烯、聚偏氟乙 烯、聚矽氧烷、聚烯烴、“聚物、聚甲基戊烯、與氫化募 環戊二烯(HOCP),以及其等之衍生物。 3·如申請專利範圍帛2項之多成分組成薄膜,其_該高結晶 25 性聚丙稀具有一或多項選自0.905 g/cc或更大之密度、164 23 572775 。以更高的熔點、125t或更高之結“度、50%或更大之 結晶度、96%或更大之全同立體異構規整度,以及州或 更少之無規立體異構部分所組成之群組義理性質。 4. 如申請專利範圍第1項之多成分組成薄膜,其中該支持層 的孔洞大小係介於〇·謝到1G “之間的範圍。 5. 如申请專利|&圍第1項之多成分故成薄膜,其中該支持層 的厚度係介於1到50//m之間的範圍。 6. 如申請專利範圍第i項之多成分組成薄膜,其中該活性層 的孔洞大小係介於0.01//111至1〇 em。 7·如申请專利範圍第1項之多成分組成薄膜,其中該活性層 的厚度係介於0·01到2〇//111之間。 8·如申請專利範圍第1項之多成分組成薄膜,其中該組成薄 膜的透氣性係等於或少於7,00〇 sec/10〇 cc。 9·如申請專利範圍第1項之多成分組成薄膜,其中該組成薄 膜的浸濕速率係等於或少於30秒。 10·如申請專利範圍第1項之多成分組成薄膜,其中該組成薄 膜包含二或更多之活性層與一或更多的支持層,且該組成 薄膜具有三層或複層之結構。 U·如申請專利範圍第1項之多成分組成薄膜,其中該支持層 係以申請專利範圍第2項的聚合物成分加以摻合或層合。 12·如申請專利範圍第1項之多成分組成薄膜,其中該組成薄 膜係用於水處理、血液透析作用、酵素純化、在藥物運輸 中作為貼布、氣體分離作用、過蒸發作用、逆滲透作用或 電解分離作用中。 24 572775 13.如申請專利範圍第1項之多成分組成薄膜,其係用來作為 電池之分隔器。 14·如申請專利範圍第Γ項之多成分組成薄膜,其係用來作為 可充電之鋰離子電池或可充電之鋰離子聚合物電池之分隔 5 器。 15. —種多成分組成薄膜的製備方法,其包含以下步驟: a) 藉由將一用來作為支持層之聚合物喷射入一擠壓機内 來製備一前驅物薄膜; b) 在一低於該聚合物熔點的溫度下將該前驅物薄膜退 10 火; c) 以離子束輻射照射在該經退火的前驅物薄膜之一侧或 兩侧的表面上; d) 在反應氣體的輔助下,在該經離子束輻射照射之前驅物 薄膜的兩側表面上塗布以一聚合物溶液,其係用來作為 15 一活性層; e) 乾燥該經塗布的前驅物薄膜; f) 在低於室溫的溫度下,低溫延展該經乾燥的前驅物薄 膜; g) 在一低於聚合物熔點的溫度下,高溫延展該經低溫延展 20 的前驅物薄膜;並且 h) 在低於聚合物的熔點之瀑度下,在張力下熱固化經高溫 延展的前驅物薄膜。 16.如申請專利範圍第15項的製備方法,其中步驟d)中之聚 合物溶液,係藉由浸塗作用而被塗布在該前驅物薄膜的兩 25 572775 侧上。 17. 如申請專利範圍第15項的製備方法,其中步驟(1)中之聚 合物溶液的濃度係等於或大於0.01 wt%。 18. 如申請專利範圍第15項的製備方法,其中步驟e)的乾燥 5 作用係在1到100%的相對濕度範圍之間進行。 19. 如申請專利範圍第15項的製備方法,其中步驟e)的乾燥 作用係在飽和蒸汽壓之下進行。 20. 如申請專利範圍第15項的製備方法,其中步驟e)的乾燥 作用係在一選自由氮、氧、二氧化碳和空氣所組成之群.組 10 的氣體環境之下進行。 21. 如申請專利範圍第15項的製備方法,其中該活性層具有一 範圍在0.1到20 的厚度,其係經過步驟d)和e) 之塗布作用與乾燥作用而形成。 22. 如申請專利範圍第15項的製備方法,其中步驟c)的該離 15 子束的輻射照射作用係於範圍在HT1到10_6 torr的真空 下進行。 23. 如申請專利範圍第15項的製備方法,其中步驟c)中之該 離子束輻射照射作用,係藉由活化選自以下群組之電子和氣 體而進行,該群組包含有:氦、氫、氧、氮、二氧化碳、空 20 氣、氟、氖、氬、氪、N20,以及其之混合物,因而該氣體 具有0.01到106千電子伐之間的能量;並將該離子束輻 射照射在該前驅物薄膜的表面上。 24. 如申請專利範圍第15項的製備方法,其中該離子的輻射照 射數量係介於1〇5到l〇2G離子/cm2的範圍。 26 572775 25.如申請專利範圍第15項的製備方法,其中步驟c)的輻射 照射作用係在選自於以下群組的氣體環境下進行,該群組包 含有氦、氫、氮、氨,一氧化碳、二氧化碳、氯氟甲烷、甲 烷與N20氣體環境,以及其之混合物。 5 26.如申請專利範圍第25項的製備方法,其中該反應氣體的 流速係介於0.5到20毫升/分鐘之間。 27. 如申請專利範圍第15項的製備方法,其中該多成分組成薄 膜的製備步驟,可以在不論在何種順序的結合中進行。 28. 如申請專利範圍第15項之製備方法,其中該聚合物溶液的 10 一溶劑係為一或多種選自下列物質組成之群組的溶劑:1- 甲基-2吡咯啶酮(NMP)、丙酮、乙醇、正-丙醇、正-丁醇、 正·己烷、環己醇、乙酸、乙酸乙酯、乙醚、二甲基甲醯胺 〇DMF)、二曱基乙醯胺(DMAc)、二哼烧、四氫吱喃 (THF)、二甲亞颯(DMSO)、環己烷、苯、甲苯、二曱苯與 15 水,以及其混合物。 27
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