TW552622B - SOI wafer and its manufacturing method - Google Patents

Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552622 A7 B7 五、發明説明（1 ) 【發明所屬的技術領域】 本發明是關於一種針對使植入了離子的晶圓在結合後 剝離以製造S〇I晶圓的所謂離子植入剝離法（亦稱爲氫 離子剝離法或簡易切離法（smart cut ))，抑制在平台部 所發生之SO I島的產生以及S〇I晶圓表面之LPD缺 陷的產生，以減少元件瑕疵情況的方法。 【背景技術】 離子植入剝離法是一種使植入了氫離子或稀有氣體離 子的晶圓在結合後剝離以製造S〇I晶圓的方法，但是在 剝離後的S〇I晶圓邊緣部並無法複印S〇I層，因此有 時會產生基片（支撐基板）表面外露的平台部。其主要原 因在於：在晶圓邊緣部，所接合的晶圓間的結合力較弱， 所以S 0 I層不容易複印至基片側。利用光學顯微鏡觀察 此S〇I平台部時，已知在S〇I層的邊緣部有S〇I層 孤立成島狀的S 0 I島產生。由於在元件製程中利用含有 H F之水溶液（氫氟酸）的淸洗過程當中，埋入氧化膜（ 有時稱爲Β〇X膜）會因爲蝕刻而消失，因此這種S〇I 島會從晶圓剝離，並且成爲矽顆粒而再度附著於元件製作 區域，以致成爲元件瑕疵的原因。 第1圖係利用離子植入剝離法所製作的S〇I晶圓邊 緣部的剖視圖。

第1圖C a )係S〇I晶圓1 0，其邊緣部的詳細顯 示於第1圖（b )。第1圖（b )以模式圖顯示出S〇I ---------餐------1T------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4 - 552622 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7___五、發明説明（2 ) 晶圓10是由SOI層25、埋入氧化膜26及基片27 所構成，而且在其邊緣部產生了基片表面外露的平台部 4 3以及S〇I層孤立成島狀的S〇I島4 2的狀態。 另一方面，利用光學表面檢查裝置觀察以離子植入剝 離法所製造的S〇I晶圓時，已知有檢測出爲L P D的缺 陷存在。所謂L P D (Light Point Defect:亮點缺陷）是 以聚光燈觀察晶圓表面時所看見的亮點狀缺陷的總稱。此 缺陷的本質並不淸楚，但多半是淺淺的凹坑，如果使 S〇I層氧化而變薄，會形成貫穿SO I層的穿孔，因此 會對於元件生產量有所影響。 【發明之揭示】 因此，本發明是鑑於這種問題點而硏創者，其主要目 的在於提供一種針對利用離子植入剝離法所製作的S 0 I 晶圓，抑制剝離時所發生之S〇I島的產生，並且降低 S〇I晶圓表面所存在的L P D缺陷密度的S〇I晶圓及 其製造方法，並且減少元件瑕疵情況。 爲了解決上述課題，本發明的S〇I晶圓是利用離子 植入剝離法所製作的S〇I晶圓，其特徵爲：在S〇I晶 圓邊緣部所產生之基片表面外露的平台部之S〇I島區域 寬度小於1 m m。 如此，本發明即可獲得在S〇I晶圓邊緣部所產生之 基片表面外露的平台部之S〇I島的區域寬度在1 m m以 下的S〇I晶圓。而且，如果是這種S〇I島區域寬度小 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝_ 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552622 A7 B7 五、發明説明（3 ) 於1 m m的S〇I晶圓，則在元件製程中的H F淸洗過程 當中，由於埋入氧化膜因爲蝕刻而消失，以致從晶圓剝離 ，並且形成矽顆粒而再度附著餘元件製作區域，以致引起 元件瑕疵的情況會變少，因而可提升元件的生產量。 而且，本發明的S〇I晶圓是利用離子植入剝離法所 製作的S〇I晶圓，其特徵爲：利用l P D檢查所檢測出 之存在於s〇I層表面的尺寸爲〇 · 1 9 # ηι以上的凹坑 狀缺陷之密度在1 c 〇 u n t s/cm2以下。 如此’本發明即可獲得凹坑狀缺陷極少的S〇I晶圓 。而且’只要使在S〇I層表面檢測出爲L P D的尺寸爲 0 · 1 9 // m以上之凹坑狀缺陷的密度在1 c 〇 u n t s / c m 2以下’即可降低元件瑕疵情況，並且謀求元件生產 量的提升。 接下來，本發明的S〇I晶圓的製造方法是針對利 用離子植入剝離法製造S〇I晶圓的方法，其特徵爲：根 據是否有剝離現象來決定氫離子或稀有氣體離子的植入量 下限’並且根據平台部之S〇I島區域寬度或S〇I晶圓 利用L P D檢測所檢測出的凹坑狀缺陷的密度來決定氫 離子或稀有氣體離子的植入量上限。 只要以如上方式決定氫離子或稀有氣體的離子植入量 而進行植入，即可製作出可抑制剝離時容易發生之S〇I 島的產生，或是降低S〇I晶圓表面所存在之L P D缺陷 密度的S〇I晶圓。

具體而言是將氫離子的植入量設定爲5 X 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -6 - I I I n ^ I I n I 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552622 A7 B7 五、發明説明（4 ) l〇16i ons/cm2 以上、7 · 5x 1016i 〇ns / c m 2以下。 如此即可將剝離時容易發生的S〇I晶圓邊緣部的 S〇I島區域寬度降低至1 m m以下，因此可製作出可確 實將S〇I層複印至基片上，並且使s〇I晶圓表面所存 在的L P D缺陷密度極度降低的S〇I晶圓。而且，藉由 設定成上述範圍的植入量，可使晶圓穩定而剝離。 如以上所述，根據本發明，可提供一種針對利用離子 植入剝離法所製作的S〇I晶圓，抑制剝離時所發生之 S〇I島的產生，並且降低S〇I晶圓表面所存在的 L P D缺陷密度的S〇I晶圓及其製造方法，而且可降低 元件瑕疵情況。 【圖面之簡單說明】 第1圖是S〇I晶圓邊緣部所產生的平台以及S〇I 島的検式圖。（a)是SOI晶Η、 （b)是SOI晶® 邊緣部。 第2圖是由於離子植入量（i 〇 n s / c m 2 )的不同 所導致的S〇I島區域寬度以及平台寬度之變化的光學顯 微鏡照片。離子植入量分別是（a ) 5 . 5 X 1 0 1 6、( b)6.5xl016、（c)7.5xl016。 第3圖是晶圓面內之LPD密度（c o un t s/ c m 2 )相對於離子植入量的變化圖。 第4圖是本發明S〇I晶圓製程之一例的流程圖。 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -7- 552622

Μ Β7 Ν發明説明（ 5 符號說明 0 〇 2 2 2 2 2 2 2 4 4 4 4 經濟部智慧財產局員工消#合作社印製 7 8 〇 1 〇 1 2 3 0 S〇I晶圓 晶圓 晶圓 矽鏡面晶圓 矽鏡面晶圓 S〇I層 埋入氧化膜 基片 上部矽 氧化膜 氧化膜 微小氣泡層（封入層） 微小氣泡層（封入層） S〇I島 平台部 劈開面 ^曰月的最佳實施形態】 以下詳細說明本發明。 本案發明者群爲了針對利用離子植入剝離法所製作的 晶圓，製作出一種抑制剝離時所發生之s〇I島的

產生’或是降低s〇I晶圓表面所存在的L P D 缺陷密度 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐 -8- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552622 A7 B7 五、發明説明（6 ) 的S〇I晶圓，發現只要將氣離子或稀有氣體離+的植入 量控制在預定範圍內即可，於是詳察各種條件而完成本發 明。 以某寬度殘留在S〇I晶圓邊緣部所產生的基片表面 外露之平台部的S〇I島可在剝離熱處理後觀察到。而且 ’離子植入剝離法中的剝離可能是由於剝離熱處理中所產 生的氫或稀有氣體所引起的缺陷之成長、以及所植入的氫 或稀有氣體之氣化所導致的急遽體積膨脹之力量所引起， 其主要發生原因可能是在平台部的某晶圓邊緣部，由於所 接合的晶圓表面邊緣部之硏磨塌邊的影響，所接合的晶圓 間之結合力較弱，以致S〇I層不容易複印至基片側。 本案發明者群有鑒於這種剝離現象的特徵，發現只要 將所要植入的氫離子的量減少到比過去的8 X 1 ◦ 1 6 i ο n s / c m 2還少，即可降低S〇I島區域寬 度。 亦即，若將氫離子的植入量設定爲5 X l〇16i ons/cm2以上、7 · 5x 1016i 〇ns / c m 2以下，即可使S〇I島區域寬度形成1 m m以下， 而且可將利用L P D檢查所檢測出之S Ο I層表面所存在 的尺寸爲0 · 1 9 # m以上的凹坑狀缺陷之密度形成 lcount s/cm2以下。 氫離子植入量若在7 · 5 X 1 0 1 6 i 〇 n s / c m 2以 上’則S〇I島區域寬度會變大，這個理由在如今已非常 明確’當氫離子的植入量大於所需要量，氫之氣化膨脹所 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9 - 批衣 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 552622 A 7 B7 五、發明説明（7 ) 伴隨的力量會過大，以致氫感應缺陷尙未成長即剝離。該 結果，就可能會產生像s ο I島一樣在沒有橫向連結的狀 態剝離的區域。 而且，已知如果氫的參雜量不滿5x 1 0i6 i 〇 n S / c m 2，則氫的植入量會過少，使缺陷形成或氫之氣化膨 脹所伴隨的力量不足，以致只能將部分S〇I層複印至基 片，而無法使晶圓全面剝離，因而無法製作出S〇I晶圓 。因此，離子植入剝離法當中氫的參雜量必須在5 X l〇16i ons/cm2以上、7 · 5xl016i〇ns / c m 2以下，爲了可以穩定地剝離，最好是以5 . 5 x 1 〇 1 6 i ο n s / c m 2以上，更好是以超過6 X 1〇1 6 i ο n s / c m 2的植入量來製造S〇I晶圓。 如以上所述，關於氫離子的植入已知參雜量有其最適 當値，但是此現象若考慮到上述機構，則不只是氫離子， 在植入稀有氣體離子的情況下也應該有適當値。 另外，利用光學表面檢查裝置觀察S〇I層表面時， 已知檢測出爲L P D的缺陷之密度與氫離子植入量有關， 將植入量設定在7 · 5 X 1 0 1 6 i ο n s / c m 2以上時， L P D會急遽增加。若是過去的植入量8x 1 〇 1 6 i ο n s / c m 2，則大約有 2 C 〇 u n t s / c m 2以上之多的缺陷會遽降至1 c o u n t s / c m 2以 下。 因此，本發明是針對離子植入剝離法，根據是否有剝 離現象來決定氫離子或稀有氣體離子的植入量下限，並且 -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -5-T» 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10 - 552622 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（8 ) 根據平台部的S〇I島區域寬度或S〇I晶圓上利用 L p D檢查所檢測出的凹坑狀缺陷的密度來決定氫離子或 稀有氣體離子的植入量上限。 以下，參照圖面再詳加說明本發明。 在此，第4圖是利用離子植入剝離法使植入了氫離子 的晶圓結合及剝離，以製作S〇I晶圓的製程之一例的流 程圖。 以下，以結合兩片矽晶圓的情況爲主加以說明。 在使此植入了離子的晶圓結合及剝離以製造S〇I晶 圓的離子植入剝離法當中，由於處理步驟順序的不同，例 如有A法及B法，首先從A法開始說明。 A法的步驟1是準備兩片矽鏡面晶圓，是準備符合元 件樣式的晶圓2 0、2 1 。步驟2是對於其中至少一方的 晶圓’在此是對於晶圓2 0進行熱氧化，並且在其表面形 成大約0 . 1 // m至2 · 0 // m厚度的氧化膜3 0。步驟 3是對於另一方晶圓2 1的單面植入氫離子或稀有氣體（ 在此是氫離子），並且在離子的平均進入深度形成與表面 平行的微小氣泡層（封入層）4 0，此植入溫度最好是 2 5至4 5 0。(：。步驟4是將晶圓2 0的氧化膜3 0面重 疊密接於植入了氫離子的晶圓2 1的氫離子植入面的步驟 ’是在常溫的潔淨環境下使兩片晶圓的表面彼此接觸，藉 此不使用接著劑等而接著兩片晶圓。 接下來，步驟5是以封入層4 0爲界線，分成上部矽 2 8 C剝離晶_ )及下部s〇I晶圓1 0 ( S〇I層2 5 辦衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -11 - 552622 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（9 ) +埋入氧化膜2 6 +基片2 7 )的剝離熱處理步驟，只要 在惰性氣體環境下，以4 0 0至6 0 0 t：或更高的溫度進 行熱處理，便會由於剝離熱處理中所產生的氫感應缺陷之 成長、以及所植入的氫之氣化所導致的急遽體積膨脹之力 量而分離成上部矽以及下部S〇I晶圓。剝離的上部矽 2 8予以去除。 另外，最近也開發出一種離子植入剝離法，就是以等 離子狀態植入所要植入的離子，藉此在室溫下進行剝離步 驟的技術。在該情況下，則不需要上述剝離熱處理。 然後，在步驟6當中，利用前述步驟4之密接步驟而 密接的兩片晶圓之結合力若要直接使用在元件步驟則顯較 弱，因此必須對於下部S ◦ I晶圓1 0進行熱處理以強化 結合強度，但是此熱處理最好在惰性氣體環境下，以 1 0 5 0 °C至1 2 0 0 °C進行3 0分鐘到2小時。 另外，亦可連續進行此步驟5的剝離熱處理以及步驟 6的結合熱處理，並且不從下部S〇I晶圓去除在步驟5 所剝離的上部矽而連續實施步驟6的結合熱處理，或是同 時進行步驟5的熱處理以及步驟6的熱處理。 接下來，步驟7是接觸磨光（touch polishing)步驟， 是對於劈開面5 0進行鏡面硏磨，使硏磨量形成7 〇 n m 至1 3 0 n m，最好是1 0〇n m左右。 經過以上的步驟，即可製造出沒有結晶缺陷層，而且 具有膜厚均一性高之S〇I層2 5的高品質S〇I晶圓 10。 f-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公釐） -12- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552622 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) 接下來’利用B法的s〇I晶圓的製造方法是在步驟 1準備兩片符合兀件樣式的砂鏡面晶圓2 2、2 3。步驟 2是對於其中一方的晶圓2 3進行熱氧化，並且在其表面 形成大約0 _ 1 // m至2 · 〇 // m厚度的氧化膜3 1。步 驟3是對於晶圓2 3的氧化膜3 1面植入氫離子或稀有氣 體（在此爲氫離子），並且在離子的平均進入深度形成與 表面平行的微小氣泡層（封入層）4 1。此植入溫度最好 是2 5至4 5 0 °C。步驟4是將矽晶圓2 3重疊於植入了 氫離子的晶圓2 3的氫離子植入面，也就是氧化膜3 1面 的步驟，是在常溫的潔淨環境下使兩片晶圓的表面彼此接 觸，藉此不使用接著劑等而接著兩片晶圓。接下來，步驟 5至步驟7是經過與A法相同的處理步驟，然後即可獲得 沒有結晶缺陷，而且具有均一膜厚之S〇I層的S〇I晶 圓。 本發明在上述離子植入剝離法中的步驟3是將氫離子 植入一方晶圓時的離子植入量設定成5 X 1 0 1 6 i 〇 n s / c m 2 以上、7 · 5 χ 1 〇 1 6 i 〇 n s / c m 2 以下。如 此即可將剝離時容易產生的S〇I晶圓邊緣部的S〇I島 區域寬度降低至1 m m以下，而且可製作出使S〇I晶圓 表面所存在的L P D缺陷密度極度降低的S〇I晶圓。而 且，藉由設定成上述範圍的植入量，可使晶圓穩定而剝離 〇 以下，舉出本發明的實施例加以具體說明，但是本發 明並不限定於這些。 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13- 552622 A7 ___B7_ 五、發明説明（Μ ) (實施例） 利用施加磁場而上拉的M C Z法（Magnetic field applied Czochralski method)，並且控制上拉條件而拉起所 謂已降低結晶缺陷的砂單結晶，再利用一般的方法加工此 晶錠’以製作出使結晶全體之C 0 P降低的矽鏡面晶圓（ 直徑2 0 0 m m、結晶方位< 1 〇 〇 >、導電型p型、電 阻率 1 0 Ω · m )。 利用表面檢查裝置（KLA天高爾社製、s P - 1 ) 測量此晶圓表面的C〇P時，發現完全沒有直徑〇 · 1 9 A m以上的C〇P存在。在此，所謂c〇P ( Crystal Originated Particle )是指結晶缺陷的一種，而且大小爲 0 · 1至0 · 2 // m左右的空洞型缺陷。 接下來使用此晶圓，並且以下述製程條件，利用離子 植入剝離法依各條件分別製作出三片S 0 I晶圓。 1 )埋入氧化膜膜厚：1 4 5 n m、S〇I膜厚： 1 6 0 n m 〇 ---------辦衣------tr------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 )氫離子植入條件 植入能量：5 6 k e V、參 雜量 :4 • 5xl〇16、5.5> (1 0 1 6、（ 3 . 5 X 10 16、 7 _ 0 X 1 〇 1 6、7 . 5 X 1 0 1 6 、8 · 5 X 10 1 6 i ο n s / c m 2 六種。 3 ) 剝離熱處理 溫度： 5 0 0。。、 時間： 3 0分 鐘、 環境 :惰性氣體（氬）。 4 ) 結合熱處理 溫度： 1 1〇〇T： 、時間 :2小 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552622 A7 B7 五、發明説明（12) 時。 5 )接觸磨光 硏磨量·· 1 〇 〇 n m。 以上述各參雜量製造S〇I晶圓之後，利用光學顯微 鏡測量S〇I島區域寬度以及平台寬度。測量結果顯示於 表1、第2圖。 從這些結果可知，S〇I島4 2的區域寬度在氫植入 量爲7 · 5x 1016i ons/cm2以上時會急遽變大。 而且，SOI島區域寬度變大時，平台43的寬度也會同 時變大。 另外，將氫的參雜量設定成5 X 1 0 1 6 i 〇 n s / c m 2以下時，氫的植入量會過少，使缺陷形成或氫之氣化 膨脹所伴隨的力量不足，以致只能將部分S〇I層複印至 基片，而不易實現全面剝離，因而無法製作出S 〇 I晶圓 〇 根據上述結果’如果要在氫離子植入剝離法當φ ,縮j S〇I平台寬度，並且減少s〇I島的產生，只要將氮植 入量設定成7 . 5x 10i6i ons / 〇1112以下即可。另 外，若是7_5父1016丄〇113/〇！112以下，5>< 1 0 1 6 i ο n s / c m 2以上的植入量，則平台寬度及 S〇I島的發生頻率大致相同。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) -15 - ^ ----- 批衣I I 訂 I 各 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 552622 A7 B7 五、發明説明（13 (表1 )

A天高爾社 的S (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另一方面，利用光學表面檢查裝置（KL 製S Ρ - 1 )測量在各參雜量之條件下所製作 圓表面的LPD密度。LPD的尺寸是設定爲 0 . 1 9 // m以上、邊緣部的除外區域是設定爲5 將3種參雜量下晶圓面內的平均L P D密度顯示於 。圖面中顯示出將植入量設定爲7 · 5χ 1 016 i / c m 2以上時，L P D會急遽地增加，若是7, · 5 x 1 0 1 6 i 〇 n s / c m 2以下的植入量，則可降低至大致 相同程度。 因此，在利用離子植入剝離法製造S〇I晶圓的方法 當中’最好將所要植入的氫的量設定在5 X l〇16i 〇ns/cm2 以上、7 · 5x 1〇16土 ons /cm2以下，更好是設定成5 . 5x l〇16i 〇ns/ 以上、7 x 1〇1 6 i η s / c m 2以下 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐） -16- 〇τ旦 曰曰 mm ° 第3圖 〇 n s 訂 552622 A7 B7 五、發明説明（14 ) 另外’本發明並不限定於上述實施形態。上述實施形 態僅爲例示，只要具有與本發明申請專利範圍所記載之技 術性思想實質相同的構成，並且可發揮同樣的作用效果， 不管是哪一種皆包含在本發明的技術範圍內。 例如’上述貫施形態係針對使用直徑8英吋的政單結 晶晶圓的情況舉例來說明，但是本發明並不限定於此，亦 可適用在直徑4至1 6英吋或是更大的矽單結晶晶圓。而 且’不僅可適用在矽單結晶晶圓彼此之接合，也可適用在 ΐ夕卓結晶晶圓與絕緣基板（石英、氧化纟g、藍寶石、碳化 矽等）之接合。 1111 _ 訂 11 ! n 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 552622 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 j (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 . 一種S〇I晶圓，是利用離子植入剝離法所製作 的S Ο I晶圓，其特徵爲：在s〇I晶圓邊緣部所產生之 基片表面外露的平台部之s〇I島區域寬度小於1 m m。 2 _ —種S〇I晶圓，是利用離子植入剝離法所製作 的S〇I晶圓，其特徵爲：利用l P D檢查所檢測出之位 於S〇I層表面的尺寸爲〇 · 1 9 # ηι以上的凹坑狀缺陷 之密度在1 c 〇 u n t s/cm2以下。 3 _ —種S〇I晶圓的製造方法，是利用離子植入剝 離法製造S 0 I晶圓的方法，其特徵爲：根據是否有剝離 現象來決定氫離子或稀有氣體離子的植入量下限，並且根 據平台部的S〇I島區域寬度或s〇I晶圓上利用L P D 檢查所檢測出之凹坑狀缺陷的密度來決定氫離子或稀有氣 體離子的植入量上限。 4 · 一種S〇I晶圓的製造方法，是利用離子植入剝 離法製造S〇I晶圓的方法，其特徵爲：將氫離子的植入 量設定成 5x 1 016i ons/cm2以上、7 . 5x 1 〇1 6 i〇n s / c m 2以下。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18-